Численное моделирование рентгеновской дифракции на углеродистых наноструктурных пленках
Сопоставление экспериментальной и модельной кривой можно формализовать, сформулировав соответствующую оптимизационную задачу, искомыми величинами которой будут доли структур того или иного типа в образце. В настоящей работе сформулирована и для углеводородных пленок из токамака Т-10 решена обратная задача восстановления топологического состава углеродных наноструктур в диапазоне размеров -1−10…
Диссертация
Эмиссия фотонов при взаимодействии электронов и ионов с поверхностью металлов
14 фотонов, вероятности возбуждения различных электронных состояний атомов, скорости вторичных возбужденных частиц. Изучены зависимости этих характеристик от параметров первичного пучка ионов, а также от атомной, кристаллической и электронной структуры материала мишени. Установлена роль адсорбированных и имплантированных электроотрицательных атомов кислорода, а также имплантированных…
Диссертация
Энергетически эффективные преобразователи частоты для двухчастотной индукционной тигельной плавки
Поэтому наибольшее признание в мировом литейном производстве получила индукционная плавка металлов на средних частотах, благодаря высокой технологической эффективности этого способа. Индукционные тигельные печи (ИТП) способны не только просто переплавлять металл, с их помощью могут решаться специальные технологические и металлургические задачи. Индукционная плавка приобрела широкое…
Диссертация
Формирование потоков частиц и их взаимодействие с поверхностью электродов в импульсном разряде низкого давления
Обнаружено, что при расчете теплового воздействия на электроды потоков заряженных частиц возникает ошибочный перепад температуры, связанный с конечной скоростью распространения теплоты в твердом теле. Найден способ устранения ошибки за счет использования метода построения адаптивных нестационарных сеток. Данная проблема заключается в том, что процессы взаимодействия потоков частиц с поверхностью…
Диссертация
Дифракционные потери и разность частот генерации встречных волн в кольцевом резонаторе
Экспериментальные работы, посвященные измерению дифракцион-шх потерь в открытых резонаторах, немногочисленны /II, III, 122, :28, 148, 149/. Как правило, объектом изучения в них являются юлько потери низшей поперечной моды. Наибольший интерес, с нашей точки зрения, представляет работа /II/, где рассмотрено влияние геометрической конфигурации диафрагмированного резонатора на потерио и показано, что…
Диссертация
Импульсное лазерное напыление эпитаксиальных пленок ZnO n-и p-типа при легировании элементами III и V группы
Работа была выполнена в соответствии с планами работ: по программе фундаментальных исследований ОИТВС РАН «Организация вычислений с использованием новых физических принципов» в рамках проекта «Разработка технологии и создание светоизлучающих полупроводниковых устройств синего и ближнего УФ диапазонов (лазеров и светодиодов) на базе оксида цинка», по программе фундаментальных исследований ОНИТ РАН…
Диссертация
Лазерная спектроскопия когерентного антистоксова рассеяния света молекулярных газов
Особенность данной проблемы заключается в том, что для класса сферически симметричных молекул полосы колебательно-вращательных переходов в полносимметричные состояния оставались не исследованными даже для таких хорошо изученных молекул, как метан. Это связано с тем, что переходы в состояние V, (о,) строго запрещены в дипольном приближении и хорошо развитые методы ИК-спектроскопии неприменимы…
Диссертация
Исследование предельных режимов возбуждения поликристаллических электролюминесцентных излучающих структур
Развитие электронной техники, систем автоматизированного управления и контроля, информационно-измерительных систем предъявляет высокие требования к средствам отображения информации (СОИ). Они должны обеспечивать адекватную передачу информации и предоставление ее пользователю в наиболее удобном для практического использования виде. В этой связи представляются очень важными улучшение…
Диссертация
Конструкторско-технологические основы создания микросборок высокой плотности упаковки
Разработаны методы повышения качества тонко пленочной платы, суть которых состоит в следующем. Разработан способ изготовления ТПР методом двойной фотолитографии, который защищен патентом РФ. Отличие этого способа от известных состоит в том, что при второй фотолитографии фоторезистом защищают все проводники, резистивные элементы и контактные площадки, за исключением небольших участков контактных…
Диссертация
Мощные релятивистские СВЧ-генераторы на основе лампы обратной волны с резонансным рефлектором
В работах, выполненных в соавторстве, личный вклад диссертанта состоял в разработке и создании программы для численных исследований генератора с предмодуляцией электронного потока в рамках гидродинамической модели, проведении и анализе расчётов, разработке конструкций релятивистских генераторов на основе РЛОВ с резонансным рефлектором, участии, постановке, выполнении и анализе результатов…
Диссертация
Модификация морфологических и структурных характеристик эпитаксиальных пленок халькогенидов свинца при электрохимической и плазменной обработках
Халькогениды свинца PbTe, PbSe, PbS, являющиеся соединениями группы AIVBVI, широко применяются при создании оптоэлектронных приборов ИК-диапазона и термоэлектрических устройств. Для данных материалов характерны малая ширина запрещённой зоны, высокая подвижность носителей заряда, малые массы электронов и дырок, чрезвычайно высокие значения показателей преломления и статической диэлектрической…
Диссертация
Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС
Установлено, что тлеющий разряд, возбуждаемый в индукторе на частоте 13,56 МГц в диапазоне давлений от 5−10″ 2 Па до 130 Па, может существовать в форме высокоэффективного безэлектродного кольцевого разряда («Н» — разряда) при выполнении условия: где: U — напряжение на индукторе, Вп — количество витков индуктораD — внутренний диаметр индуктора, см. Показано, что при переходе в режим «Н» — разряда…
Диссертация
Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с фотонными структурами, включающими нанометровые металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои
Наиболее распространенными методами являются волноводные и резо-наторные. При использовании волноводных методов рассматривается взаимодействие СВЧ-волны, распространяющейся в волноводе, с помещенным в него образцом, и измеряются интенсивность прошедшей и отраженной волн. При измерениях резонаторными методами схема настраивается в резонанс изменением размеров электродинамической системы или…
Диссертация
Теоретическое исследование молекулярной хемилюминесценции и её применений в лазерах на электронных переходах
Ряд аналогичных задач был решен в теоретических работах по тепловому инициированию фоторекомбинационных лазеров за фронтом ударной волны / 44 /. Другие реагирующие системы, отличные от реакций рекомбинации, не рассмотрены столь глубоко. Это прежде всего относится к хемилюминесцентным реакциям металлов с окислителями, экспериментальный материал о которых весьма велик /7,9 /. В лабораторных…
Диссертация
Взаимосвязь механизмов токопротекания, технологических параметров и электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN и AlInGaP
Вольт-амперные зависимости светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/IGaN/GaN и AlInGaP схожи с вольт-амперными зависимостями кремниевых и SiC p-i-n структур, несмотря на то, что компенсированный слой у первых на несколько порядков тоньше. Теория вольт-амперных характеристик (ВАХ) p-i-n диодных структур была разработана в предположении двойной инжекции в компенсированный слой. В этих работах…
Диссертация
Закономерности и механизмы высокочастотного управления колебаниями пространственного заряда и спектрами выходных сигналов в усилителе со скрещенными полями
Под действием вводимых в торцевую область рабочего пространства амплитрона многочастотных сигналов большой амплитуды, сравнимых по порядку величины с анодным напряжением, на выходе этого прибора формируются широкополосные (более октавы) квазишумовые сигналы большой (свыше 100 кВт) мощности, если в спектре управляющих сигналов присутствуют компоненты из диапазона собственных частот автоколебаний…
Диссертация
Транспортные модели в теории переноса позитронов
Практическая ценность заключается в том, что теоретически исследованные в работе процессы позволяют глубже понять сущность соответствующих физических явлений, а также разработать методику расчета основных характеристик транспорта позитронов низких, средних и высоких энергий в твердом теле, имеющих важное практическое значение как при исследовании электронной структуры твердых тел, так…
Диссертация
Влияние освещения на ионное распыление широкозонного гетерофазного полупроводника CdS-PbS
Рост выхода положительных вторичных ионов свинца при освещении может быть объяснен увеличением скорости рекомбинации неравновесных носителей заряда в узкозонных включениях. При освещении видимым светом генерация неравновесных носителей происходит преимущественно в широкозонной фазе CdS, а узкозонная фаза PbS оказывается «залита» носителями заряда, что обуславливает высокую скорость рекомбинации…
Диссертация
Расчёт відео усилителя
Согласно таблиці 1 вибираємо кількість каскадів, з рассчитываемого коефіцієнта посилення, враховуючи, що його каскадів має бути полным: Полярність вхідного сигналу має відповідати полярності вихідного, тому число каскадів відео підсилювача має бути чётным. Гранична частота транзистора дорівнює: fh21б = mfт; fh21б = 1,6(120 = 192 МГц, де m для диффузионных транзисторів дорівнює 1,6. Произведём…
Реферат
Расчетно-Графическая робота ППД КД213А
Граничні значення |Tk |Значення параметрів при Т= 25? С |R т| |параметрів при Т=25?С |max| |п-к| — |(Tп| |, — | |мах| |?З/| — |) — |Вт — | || — | — |?З — | — |I — |Uоб|Uоб|Iпр| |fма| |Uпр — |tвос,| |I — | |ін,| |р, |р |р — |x, — |(Uпр| |обр — |обр (I — | |порівн — |і, |мах|(Iп| |кГц| |, — |(tвос| |обр, — | |max| |п |, В|р, — | — |порівн) — |, обр| |порівн), — |мах),| |при Т — | — | — | — | — | |У…
Реферат
Расчетные роботи з электротехнике
Вирішимо систему цих рівнянь і визначимо контурні токи: Для визначення напруги між вузлами UAB рівняння (2), (3),. Струми в гілках визначимо по рівнянням (2), (3), (4): Запишемо II закон Кирхгофа на першому контура: Запишемо II закон Кирхгофа на другому контура: Перевірка: по I закону Кирхгофа для вузла А:; Запишемо I закон Кирхгофа для вузла В: (2); Запишемо I закон Кирхгофа для вузла А: (1…
Реферат
Синтезирование управляючого автомата
Тригер вибирається речей, що в завданні не реализованно противогоночное кодування, тож використовую JK тригер т.к. вона вмикає у собі 2 тригера і тим самим перешкоджає гонок автомата. По структурним формулам складаємо канонічну схему автомата. Для зменшення кількості використовуваних елементів я застосував дешифратор (см. додаток 1). Адрес |Дані |Дані — |ПЗУ |1й ПЗУ |2й ПЗУ — |Hex |hex |hex — |0…
Реферат
Синтез цифрового кінцевого автомата Мили
X1x2Q1Q2 00 01 11 10. X1x2Q1Q2 00 01 11 10. X1x2Q1Q2 00 01 11 10. X1x2Q1Q2 00 01 11 10. X1x2Q1Q2 00 01 11 10. X1x2Q1Q2 00 01 11 10. X1x2Q1Q2 00 01 10 11. X1x2Q1Q2 00 01 10 11. A4= 11 Z4= 11 W4= 11. A3= 10 Z3= 10 W3= 10. A2= 01 Z2= 01 W2= 01. A1= 00 Z1= 00 W1= 00. Dd5 — к176тв1. Dd4 — к176ла9. Dd3 — к176ла7. Dd2 — к176ла8. Dd1 — к176ле5. Q1Q2 x1x2 y1y2. Z4 w4 w3? w1. Z4 a4 a4? a2. Z2 w3 w2 w2? Z2…
Реферат
Силовые управляемые тиристоры
Имеют широчайшее применение для управления мощностью в нагрузке, включенной в цепь переменного тока. Лавинные тиристоры — обладают вольт-амперной характеристикой лавинного типа, имеют повышенную устойчивость к перепадам напряжения (эффект).Оптронные тиристоры (оптотиристоры) -управление отпиранием осуществляетсяпри помощи светового сигнала, излучаемого расположенным внутри прибора светодиодом…
Реферат
Синтез и анализ активных фильтров I-го и II-го порядков
Используя результаты анализа в п. 6, рассчитать и изобразить на графике форму импульса на выходе фильтра при идеальном прямоугольном видеоимпульсе длительностью τu на входе. Пояснить, какими особенностями АХЧ обусловливается вид импульса на выходе. Определить время нарастания фронта, время спада импульса. Введён ИТУН G1 с крутизной, в соответствии со схемой на Рис. 3, равной S = Ku/Rout…
Курсовая
Расчет усилительного устройства на транзисторах
Округляем рассчитанное значение сопротивления резистора до ближайшего стандартного номинала из ряда Е24 и выбирает резистор типа С2−33Н. Округляем рассчитанное значение сопротивления резистора до ближайшего стандартного номинала из ряда Е24 и выбирает резистор типа С2−33Н. Гринфельд, С. Н. Исследование бестрансформаторного усилителя мощности: методические указания / С. Н. Гринфельд, Е. П…
Курсовая
Конструктивные особенности магнитных элементов электронных устройств
Половинки рабочих обмоток включают так, чтобы потоки их были направлены встречно и взаимно компенсировались на участке магнитной цепи, охваченном обмоткой управления. Такое исполнение обмоток позволяет в каждый полупериод переменного тока напряженности постоянного и переменного магнитных полей складывать в одном и вычитать в другом сердечнике. Для магнитных усилителей предпочтение следует…
Доклад
Проектирование цифрового устройства
Рис. 18. Принципиальная схема делителя частоты на 14На принципиальной схеме синтезируемого устройства в качестве делителя частоты с k = 14 и с k = 10 будет использоваться четырехразрядный двоичный счетчик К176ИЕ19. Условное графическое изображение приведено на рис. 19. Микросхема К176ИЕ19 содержит в себе 2четырехразрядных двоичных независимых счетчика. C — тактовый вход, R — вход установки в «0…
Курсовая
Адаптер параллельной связи с блоком обработки 5 прерываний от ВУ
Структура, программирование, применение. Справочная книга. Под редакцией Казаринова Ю. М., Москва, Высшая школа, 1999.Ю. В. Новиков, О. А. Калашников, С. Э. Гуляев Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IВМ РС/ Под общей редакцией Ю. В. Новикова. Ввод из PRCDПостроение ОЧ УС5.1 Блок регистров. Курс лекций по МПС, Бикмухаметов Р. Р., 2011. Рис. 7. — Схема блока приема…
Курсовая
Расчёт импульсных стабилизаторов напряжения
Напряжение подается на неинвертирующий вход компаратора. На инвертирующий вход подается напряжение +5 В. Когда напряжение превысит напряжение — на выходе компаратора возникает положительное напряжение, которое замыкает ключ. В результате конденсатор интегратора очень быстро разряжается до нуля, и снова начинается процесс заряда конденсатора. В данной курсовой работе была рассмотрена методика…
Курсовая