Расчетно-Графическая робота ППД КД213А

[pic].

Міністерство вищої освіти РФ.

Уральський державний університет — УПИ.

Кафедра «Технологія і кошти связи».

Расчетно-графическая работа.

Напівпровідниковий диод.

«КД213А».

Викладач: Болтаев А.В.

Студент:

Черепанов К.А.

Група: Р;

Екатеринбург.

Аннотация.

У цьому роботі у табличній формі наводяться паспортні параметри (електричні і граничні експлуатаційні) напівпровідникового діода КД213А, сімейство вольт-амперних характеристик (ВАХ) що за різних температурах, розрахункові співвідношення R=, r~, З; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурні коефіцієнти), rб (опір бази). Наводиться малосигнальная, високочастотна еквівалентна схема досліджуваного диода.

Зміст 1. Коротка характеристика діода 4 2. Паспортні параметри: 4 1. Електричні 4 2. Граничні експлуатаційні 4 3. Вольт-амперная характеристика 5 1. При кімнатної температурі 5 2. За підвищеної 6 4. Розрахункові співвідношення, таблиці та графіки залежностей для Т=25°С 6 5. Визначення величини TKUпрям TKIобр 6 6. Визначення опору бази rб 9 1. Близьке 9 2. Точне 9 7. Малосигнальная високочастотна еквівалентна схема 10 8. Бібліографічний список 10 9. Витрати часу на: 10 1. Інформаційний пошук 10 2. Розрахунки 10 3. Оформлення 10.

Коротка характеристика диода.

Діод кремнієвий, дифузний. Призначений для перетворення змінного напруги частотою до 100 кГц. Випускаються в металлопластмассовом корпусі з гнучкими висновками. Тип діода і схема сполуки електродів наводяться на корпусі. Негативний електрод з'єднаний із металевим підставою корпуса.

Маса діода трохи більше 4 г.

КД213А[1].

[pic].

Малюнок 1.

Паспортні параметры:

Электрические.

Постійне пряме напруга при Iпр=10А, трохи більше: Т=+25°С…1 В.

Постійний зворотний струм при, трохи більше: Т=+25°С…0,2мА Час зворотного відновлення при Uобр=20 В, і Iпр, и=1А, і Iобр, и=0,1А: КД213А…300нс Ємність діода, трохи більше: при Uобр=100 В…550 пФ при Uобр=5 В…1600 пФ.

Граничні эксплуатационные.

Постійне (импульсное) зворотне напряжение…200 В.

Постійний (середній) прямий струм при RТ (П-С)? 1,5°С/Вт …10А.

Імпульсний прямий струм при tи? 10мс, Q?1000…100А Импульсный зворотний струм за нормальної температури корпусу від 213 до 358 До при tи? 20мкс,…10А Частота без зниження електричних режимов…100кГц.

Теплове сопротивление.

переход-среда: …70К/Вт переход-корпус: …1,5К/Вт.

Температура переходу: …+140°С Температура довкілля: …-60°С…+85°С.

Загальна таблиця параметров.

|Граничні значення |Tk |Значення параметрів при Т= 25? С |R т| |параметрів при Т=25?С |max| |п-к| | |(Tп| |, | | |мах| |?З/| | |) | |Вт | | |[Тм| | | | |ох]| | | | |?З | | | |I | |Uоб|Uоб|Iпр| |fма| |Uпр | |tвос,| |I | | |ін,| |р, |р |р | |x, | |(Uпр| |обр | |обр (I | | |порівн | |і, |мах|(Iп| |кГц| |, | |(tвос| |обр, | | |max| |п |, В|р, | | | |порівн) | |, обр| |порівн) [I| | | | |мах| |задовільно)| | | |[Uпр| |при | |обр, | | |А | |, У| |мах| | | |, | |Tп | |і, п, | | | | | | |, А| | | |і], | |мах),| |при Т | | | | | | | | | | |У | |мкс | |п | | | | | | | | | | | | | | |мах], | | | | | | | | | | | | | | |мАЛО | | | | | | | | | | | | | | | | | | |Т?С| | | |tи (| | | |Iпр | |Iп|Uпр| | | | | | | | |tпр| | | |(Iпр| |р,|, | | | | | | | | |), | | | |, | |и,|и, | | | | | | | | |мс | | | |порівн) | |А |У | | | | | | | | | | | | |[Iпр| | | | | | | | | | | | | | | |, | | | | | | | | | | | | | | | |і], | | | | | | | | | | | | | | | |А | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |10 |85 |200|200|100|10 |100|140|1 |10 |0,3 |1 |20 |0,2 |1,5|.

Вольт-амперная характеристика.

При кімнатної температуре.

[pic][pic].

При повышенной.

[pic][pic].

Розрахункові співвідношення, таблиці та графіки залежностей для Т=25°С.

| | | |Зависи| | | | | | | |мость | | | | | | | |R= від | | | | | | | |Uпр | | | | |Uпр |0,6 |0,7 |0,8 |0,9 |1 |1,1 | |R= |0,3 |0,23 333|0,16 |0,1125|0,0909|0,0733| | | |33 | | |09 |33 |.

| | | |Зависи| | | | | | |мость | | | | | | |r~ від | | | | | | |Uпр | | | |Uпр |0,1 |0,2 |0,3 |0,4 |0,5 | |r~ |0,1 |0,6 666|0,05 |0,0444|0,0384| | | |67 | |44 |62 |.

| | | |Зависи| | | | | | | |мость | | | | | | | |R= від | | | | | | | |Uобр | | | | |Uобр |50 |100 |150 |200 |250 |300 | |R= |357 142|6666666|833 333|487804|277 777|130434| | |9 |, 7 |3 |9 |8 |8 |.

| | | |Зависи| | | | | | |мость | | | | | | |r~ від | | | | | | |Uобр | | | |Uобр |50 |100 |150 |200 |250 | |r~ |500 000|2500000|555 555|263157|115 740| | |00 |0 |6 |9 |7 |.

| | | |Зависи| | | | | | | |мость | | | | | | | |Cдиф | | | | | | | |від Uпр| | | | |Uпр |0,6 |0,7 |0,8 |0,9 |1 |1,1 | |Сдиф |0,08 |0,12 |0,2 |0,32 |0,44 |0,6 |.

Зависимост Рб від Uобр

[pic].

Визначення величини TKUпрям TKIобр

[pic].

[pic].

[pic].

[pic].

Визначення опору бази rб.

Приближенное.

[pic].

[pic].

Точное.

[pic].

[pic].

Малосигнальная високочастотна еквівалентна схема.

Бібліографічний список.

1. Діоди та їхні зарубіжні аналоги: Довідник. У 3-х томах. /Хрулев А.К.,.

Черепанов В.П.- Том 1-МУ.: ИП РадиоСофт, 1998;640с. 2. Довідник по полупроводниковым диодам/ Бородін Б.А., Дроневич В. М.,.

Єгорова Р.В. та інших.; під ред. І.Ф. Николаевского.—М.: Зв’язок, 1979.- 432 з., мул. 3. Діоди. довідник/ О.П. Григор'єв, В.Я. Замятін, Б.В. Кондратьєв, С.Л.

Пожидаев.—М.: Радіо і зв’язок, 1990.—336 з.: мул.- (Масова радиобиблиотека. Вип. 1158) 4. Напівпровідникові прилади: Діоди, тиристоры, оптоэлектронные приборы.

Довідник / А. В. Баюков, Г. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев та інших.; Під общ. ред.

М.М. Горюнова.-М.: Энергоиздат, 1982.- 744 з., мул. 5. Лекції за курсом «Фізичні Основи МикроЭлектронники"/ Черепанов К. Апід ред. Болтаев А. В. 2000.-50л.

Витрати часу на:

Інформаційний поиск-72 часf.

Расчеты-1час (67 мин.).

Оформлення- 6 годин (357мин.).

———————————- [1] Зарубіжний аналог КД213А — 1N1622 виробництва Sarkez Tarzian, США.

———————————- Rобр

rб Сб Ск.

[pic].

[pic].

[pic].

[pic].

[pic].