Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с фотонными структурами, включающими нанометровые металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои

Диссертация: Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с фотонными структурами, включающими нанометровые металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наиболее распространенными методами являются волноводные и резо-наторные. При использовании волноводных методов рассматривается взаимодействие СВЧ-волны, распространяющейся в волноводе, с помещенным в него образцом, и измеряются интенсивность прошедшей и отраженной волн. При измерениях резонаторными методами схема настраивается в резонанс изменением размеров электродинамической системы или… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Анализ современного состояния исследований в области технологий контроля параметров диэлектрических и проводящих материалов на СВЧ
    • 1. 1. Измерение электрофизических параметров материалов волноводными методами
    • 1. 2. Измерение параметров полупроводников мостовыми методами
    • 1. 3. Измерение параметров полупроводников резонаторными методами
    • 1. 4. Измерение параметров материалов методом волноводно-диэлектрического резонанса
    • 1. 5. Измерение параметров материалов и структур автодинными методами
    • 1. 6. Измерение параметров материалов с использованием синхронизированных генераторов
    • 1. 7. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия свойств материалов
    • 1. 8. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл-полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения

    2. Математическая модель и результаты компьютерного моделирования взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с одномерными волноводными фотонными структурами, включающими нанометровые металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои.

    2.1. Взаимодействие СВЧ-излучения с многослойными структурами с плоскостями слоев, перпендикулярных направлению распространения излучения.

    2.1.1. Математическая модель.

    2.1.2. Результаты компьютерного моделирования спектров отражения волноводных фотонных структур в различных диапазонах частот.

    2.1.3. Результаты компьютерного моделирования зависимости спектров отражения волноводных фотонных структур от положения «нарушения» периодичности в структуре фотонного кристалла.

    2.1.4. Результаты компьютерного моделирования зависимости спектров отражения волноводных фотонных структур от параметров нарушения.

    2.1.5. Результаты компьютерного моделирования спектров отражения волноводных фотонных структур, содержащих проводящие слои.

    3. Теоретическое обоснование метода измерения параметров материалов на СВЧ с использованием одномерных волноводных фотонных структур.

    3.1. Измерение диэлектрической проницаемости диэлектрических материалов.

    3.2. Измерение комплексной диэлектрической проницаемости материалов с потерями.

    3.3. Измерение толщин нанометровых металлических пленок на диэлектрических или полупроводниковых подложках.

    4. Результаты экспериментального исследования взаимодействия СВЧизлучения с одномерными волноводными фотонными структурами и результаты измерения парамеров материалов на СВЧ с использованием волноводных фотонных структур.

    4.1. Результаты экспериментального исследования спектров отражения и прохождения волноводных фотонных кристаллов.

    4.2. Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров нанометровых металлических слоев на полупроводниковых и диэлектрических подложках.

    4.2.1. Экспериментальное исследование частотных зависимостей коэффициента отражения фотонных структур, содержащих нанометровые металлические слои.

    4.2.2. Измерение электропроводности металлических пленок, нанесенных на диэлектрические подложки.

    4.2.3. Измерение толщин металлических пленок, нанесенных на полупроводниковые подложки.

    4.2.4. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл-полупроводник.

    4.3. Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров диэлектрических материалов.

    4.3.1. Экспериментальное исследование частотных зависимостей коэффициента отражения фотонных структур, содержащих неоднородности в виде диэлектрических слоев.

    4.3.2. Измерение диэлектрической проницаемости материалов с низкими потерями.

    4.3.3. Измерение действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости материалов с потерями.

Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с фотонными структурами, включающими нанометровые металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Уровень развития технологии изготовления слоев различных материалов толщиной от нескольких нанометров до десятков микрометров во многом определяет эффективность производства существующих и успешное создание новых приборов твердотельной микрои наноэлектроники [1,2]. Для достижения высокой степени совершенства слоистых структур и, в частности, структур на основе нанометровых пленок, необходимо использовать высокоточные методы измерений электрофизических параметров диэлектрических и полупроводниковых материалов и структур, металлических пленок.

При измерениях чаще всего применяются контактные методы, т. е. параметры полупроводниковых и диэлектрических материалов и металлических пленок измеряют на постоянном или низкочастотном токе [3−5]. Измерения такими методами производятся при наличии контакта зонда с образцом. Зачастую это приводит к разрушению исследуемого материала. При использовании таких методов могут возникать характерные для них нежелательные явления, например, связанная с контактом инжекция носителей заряда в материал, возникновение контактной разности потенциалов, термоЭДС, которые приводят к трудноустранимым погрешностям при измерениях, причем влияние этих эффектов может изменяться в зависимости от температуры, что создает трудности при проведении измерений в широком интервале температур. С помощью зондовых методов затруднительно также исследовать образцы малой площади с произвольной геометрией.

Достоинством бесконтактных методов, к которым, помимо прочих, относятся СВЧ-методы, является возможность проводить измерения, не разрушая материал и не изменяя его свойства [6−31].

Преимуществом СВЧ-измерений является возможность проводить с помощью одной измерительной установки и на одном образце определение нескольких параметров, измерение которых контактными методами требует создания различных установок и использования нескольких однотипных образцов. При отсутствии контакта появляется возможность вынесения измерительных приборов за пределы области температурного воздействия на полупроводник и, как следствие, измерения свойств полупроводников в широком интервале температур. При использовании СВЧ для измерений становится возможным изучение зависимости тех или иных параметров от частоты. Бесконтактность методов открывает новые возможности для изучения анизотропных эффектов. Из-за возможности приложения сильных электрических полей без использования контактов СВЧ-методы могут быть применены для изучения кинетики разогрева носителей в электрическом поле, так как бесконтактность исключает инжекцию. С помощью данных методов возможно проводить экспрессные измерения, измерение и отбраковку полупроводниковых заготовок для приборов, контроль параметров при термообработке. Измерения с помощью СВЧ очень важны для определения параметров пленочных структур, вследствие того, что СВЧ-методы исследования пленок позволяют проводить разносторонние измерения без разрушения пленки, что открывает возможность использовать прошедшие измерения образцы для производства приборов.

Следует отметить, что СВЧ-методы являются оптимальными при использовании исследуемых материалов и структур в приборах полупроводниковой СВЧ-электроники, поскольку исследования, например, с помощью зондо-вых методов могут давать недостаточно информации для конструирования именно СВЧ-устройств с заданными характеристиками. Преимущества полупроводниковых СВЧ-приборов по сравнению с их вакуумными аналогами придают актуальность разработке новых методов определения параметров полупроводников.

СВЧ-методы измерения различаются по физическим эффектам, на которых они основаны, по типу используемой схемы измерений и по характеру взаимного расположения образца и электродинамической системы. В основе деления СВЧ-методов по заложенным в их основу физическим принципам лежат: эффект поглощения электромагнитной энергии свободными носителями заряда, инерционность носителей в СВЧ-поле, поворот плоскости поляризации волны при искривлении траектории движения носителей заряда, резонансы. По типу используемой схемы СВЧ-методы делят на волноводные, мостовые, ре-зонаторные, микрополосковые. Рассматривая взаимное расположение исследуемого образца и электродинамической системы, СВЧ-методы делят на методы измерения «проходными» системами, когда образец помещается внутри системы и методы измерения «накладными» системами, когда образец прикладывается к открытому концу СВЧ-тракта, к отверстию в резонаторе или является частью их стенок.

Наиболее распространенными методами являются волноводные и резо-наторные. При использовании волноводных методов рассматривается взаимодействие СВЧ-волны, распространяющейся в волноводе, с помещенным в него образцом, и измеряются интенсивность прошедшей и отраженной волн. При измерениях резонаторными методами схема настраивается в резонанс изменением размеров электродинамической системы или частоты генератора. Эти методы основаны на поглощении электромагнитной энергии свободными носителями заряда и изменении эквивалентных размеров резонатора при помещении в него полупроводника. По результатам определения изменения характеристик резонатора могут быть определены диэлектрическая проницаемость и электропроводность материала, изменение электропроводности, вызванное наложением магнитного поля, освещением образца и т. д. Если зависимость между изменением электропроводности и поглощением в образце является линейной, то можно найти величину времени установления неравновесных процессов в полупроводниках, таких как объемное время жизни неосновных носителей заряда и скорость поверхностной рекомбинации.

Введение

исследуемого образца в измерительную резонаторную систему приводит к смещению резонансной частоты и изменению добротности резонатора, по изменению которых рассчитываются параметры образца.

При отработке технологии создания слоистых структур на основе нано-метровых металлических пленок, используемых в микро-, акустои оптоэлек-тронике, важно точно измерить толщину слоя металла и его электропроводность по завершении технологического цикла. Такие измерения желательно производить, не разрушая структуру, например, с использованием микроволнового излучения [6−8, 11, 32].

Для определения толщины и электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах можно использовать результаты измерений спектров отражения и прохождения взаимодействующего с ними микроволнового излучения при условии, что известно их теоретическое описание [33−50]. Нахождение электрофизических параметров слоистых структур по спектрам отражения и прохождения электромагнитной волны связано с необходимостью решать обратную задачу [37].

Слоистые структуры, полностью заполняющие волновод по поперечному сечению, представляющие собой чередующиеся слои диэлектриков с различными значениями толщины и диэлектрической проницаемости и образующие периодическую вдоль направления распространения электромагнитной волны структуру, толщины слоев которых соизмеримы с длиной волны распространяющегося излучения, представляют собой одномерные фотонные кристаллы в СВЧ-диапазоне. Фотонные кристаллы, содержащие проводящие слои, в том числе, нанометровые металлические пленки обладают резко выраженными резонансными характеристиками.

В спектре пропускания такой структуры имеется частотная область, запрещенная для распространения электромагнитной волны — аналог запрещенной зоны в кристаллах. [51] При наличии нарушений в периодичности слоистой структуры в запрещенной зоне фотонного кристалла могут возникать узкие «окна» прозрачности [52].

В СВЧ-диапазоне одномерный фотонный кристалл может быть реализован как с помощью волноводов с диэлектрическим заполнением [53] так и пла-нарных линий передачи с периодически изменяющейся структурой [54−60].

Использование фотонного кристалла, с одной стороны, обеспечивает изменение коэффициента отражения от значений близких к нулю до значений близких к единице в измеряемом диапазоне частот, чем достигается расширение диапазона измеряемых толщин и класса исследуемых материалов, с другой стороны, обеспечивается возможность проведения измерений в выбранном частотном диапазоне и создания на их основе функциональных устройств СВЧ-электроники [52, 53, 61−64].

В связи с этим является актуальным проведение исследований особенностей взаимодействия электромагнитного излучения сверхвысокочастного диапазона с одномерными волноводными фотонными кристаллами, установление возможности расширения диапазона и повышения достоверности измерений электрофизических параметров и толщин тонких нанометровых металлических пленок, слоев диэлектрических и полупроводниковых материалов, включенных в состав одномерных волноводных фотонных кристаллов в качестве нарушений периодичности слоистой структуры, по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними излучения сверхвысокочастного диапазона длин волн.

Цель диссертационной работы: исследование особенностей взаимодействия электромагнитного излучения сверхвысокочастного диапазона с одномерными волноводными фотонными кристаллами, содержащими неоднородности в виде нанометровых металлических плёнок, слоев диэлектрических и полупроводниковых материалов, и проведение на этой основе экспериментального и теоретического обоснования возможности измерений их параметров в широком диапазоне значений.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Разработка модели, которая позволяет адекватно описать взаимодействие электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с многослойными структурами, представляющими собой одномерные волноводные фотонные кристаллы, содержащими неоднородности в виде нанометровых металлических плёнок, слоев диэлектрических и полупроводниковых материалов;

2. Разработка метода решения обратной задачи: определения параметров металлических, полупроводниковых и диэлектрических слоев в многослойных структурах, представляющих собой одномерные волноводные фотонные кристаллы, по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними электромагнитного излучения;

3. Экспериментальная реализация методов измерения электропроводности, толщины и диэлектрической проницаемости слоев в многослойных структурах, представляющих собой одномерные волноводные фотонные кристаллы, в широком диапазоне изменения параметров слоев по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

Новизна исследований, проведенных в ходе диссертационной работы, состоит в следующем:

1. Описано появление в запрещенной зоне волноводного фотонного кристалла «донорных» или «акцепторных» окон прозрачности, расположенных вблизи верхней или нижней частотных границ запрещенной зоны, соответственно, при нарушении периодичности в виде изменения толщи-ны или диэлектрической проницаемости одного из слоев одномерного волноводного фотонного кристалла.

2. Показано, что для достижения минимальной величины коэффициента отражения от одномерного волноводного фотонного кристалла на центральной частоте окна прозрачности при фиксированном числе слоев необходимо создание нарушения периодичности в центре волноводного фотонного кристалла.

3. Разработано теоретическое обоснование возможности измерения парамет-ров диэлектрических материалов, а также слоистых структур металл-полупроводник, металл-диэлектрик, входящих в состав одномерных вол-новодных фотонных кристаллов, в широком диапазоне изменения их параметров по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с фотонными кристаллами сверхвысокочастотного излучения;

4. Установлено, что расширение диапазона толщин металлических пленок (до нескольких тысяч нанометров), входящих в состав фотонной структуры, в котором коэффициент отражения от фотонной структуры не достигает насыщения, обеспечивается увеличением диэлектрической проницаемости слоев волноводного фотонного кристалла.

5. Экспериментально реализованы методы измерения электропроводности, толщины и диэлектрической проницаемости слоистых структур, входящих в состав одномерных волноводных фотонных кристаллов, по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

Достоверность результатов диссертации обеспечивается качественным и количественным соответствием выводов теории основным результатам, полученным экспериментально, строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям. Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с использованием стандартных методов.

Практическая значимость полученных результатов заключается в следующем:

1. Реализован метод компьютерного моделирования спектров отражения и прохождения одномерных волноводных фотонных структур СВЧдиапазона, содержащих неоднородности в виде нанометровых металличе-ских плёнок, слоев диэлектрических и полупроводниковых материалов.

2. Разработаны методы измерения параметров металлических плёнок, слоёв диэлектрических и полупроводниковых материалов с использованием одномерных волноводных фотонных кристаллов в широком диапазоне изменения параметров исследуемых структур по спектрам отражения и прохождения СВЧ-излучения, взаимодействующего с системой «волноводный фотонный кристалл — измеряемая структура» (патент РФ RU 2 326 368 С1 на изобретение «Способ измерения электрофизических параметров структуры «на-нометровая металлическая пленка — полупроводниковая или диэлектрическая подложка»),.

3. Разработана программная и аппаратная реализация методов измерения электропроводности, толщины и диэлектрической проницаемости слоев в структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик, диэлектрической проницаемости диэлектрических материалов, входящих в состав одномерных волноводных фотонных кристаллов по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

4. Результаты диссертационной работы использованы в МИЭТ (ТУ) г. Зеленоград, МАИ г. Москва, ОАО «НИИ «Феррит-Домен» г. Санкт-Петербург, ОАО «НПК «ТРИСТАН» г. Москва при создании компьютерного комплекса для измерения толщины микрои нанометровых пленок.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Создание в одномерном волноводном фотонном кристалле нарушений периодичности в виде изменения толщины или диэлектрической проницаемости одного из слоёв в запрещенной зоне волноводного фотонного кристалла приводит к появлению «донорных» или «акцепторных» окон прозрачности, расположенных вблизи верхней или нижней частотных границ запрещенной зоны, соответственно.

2. Минимальная величина коэффициента отражения от одномерного вол-новодного фотонного кристалла на центральной частоте окна прозрачности при фиксированном числе слоев достигается при создании нарушения периодичности в центре волноводного фотонного кристалла.

3. Чувствительность коэффициента отражения электромагнитного излучения к изменению величины диэлектрической проницаемости слоя, создающего дополнительное нарушение периодичности фотонного кристалла, зависит от толщины слоя неоднородности.

4. При увеличении диэлектрической проницаемости слоев волноводного фотонного кристалла расширяется диапазон толщин металлических пленок с фиксированной электропроводностью, входящих в состав фотонной структуры, в котором коэффициент отражения от фотонной структуры не достигает насыщения.

5. По измеренным частотным зависимостям коэффициента отражения электромагнитного излучения от волноводных фотонных кристаллов при наличии нарушения периодичности измеряемого образца в результате решения обратной задачи при известных параметрах периодически чередующихся слоев возможно определение диэлектрической проницаемости диэлектриков, электропроводности или толщины нанометровых металлических слоев на диэлектрических или полупроводниковых подложках.

Апробация работы:

Основные результаты диссертационной работы доложены на:

• Международном Форуме по нанотехнологиям. Москва, 3−5 декабря 2008 г.

• 38th European Microwave Conference. Amsterdam, The Netherlands. 27−31 st October 2008.

• VII Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов». Самара, 15−21 сентября 2008 г.

• I Международной казахстанско-российско-японской научной конференции и VI российско-японском семинаре, 24−25 июня 2008.

• 17th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications. Poland, Wroclaw, May 19−21, 2008.

• 37th European Microwave Conference. Munich, Germany. 8−12th October 2007.

• 17-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» 10−14сент.2007г. Севастополь, Крым. Украина.

• VI Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов» 17−21 сентября 2007 г. Казань 2007.

• V российско-японском семинаре «Оборудование, технологии и аналитические системы для материаловедения, микрои наноэлектроники», г. Саратов, июнь 2007.

Исследования выполнялись в рамках Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007;2012 годы ГК № 02.513.11.3058, задания Федерального агентства по образованию № государственной регистрации НИР: 0120.0 603 189, контракта № 4000-С/08 по научно-технической программе Союзного государства № госрегистрации 1 200 705 158.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 12 работ [4750, 63−70], в том числе 2 статьи в журналах, рекомендованных ВАК- 9 работ опубликованы в сборниках конференций, 1 патент РФ на изобретение.

Личный вклад автора выразился в участии в проведении всего объема экспериментальных работ, в создании теоретических моделей, описывающих результаты экспериментов, проведении компьютерного моделирования и анализе полученных результатов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и списка литературы. Работа изложена на 147 страницах, содержит 62 рисунка и список литературы из 244 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Таким образом, в ходе выполнения диссертационной работы:

1. Представлена теоретическая модель, описывающая взаимодействие электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с одномерными волноводными фотонными структурами, в том числе содержащими диэлектрические и проводящие нанометровые слои, и позволяющая рассчитывать коэффициенты отражения и прохождения СВЧ-излучения для таких структур.

2. Проведено компьютерное моделирование спектров отражения и прохождения одномерных фотонных кристаллов СВЧ-диапазона в волноводном исполнении при наличии в них нарушений в виде измененной толщины и/или диэлектрической проницаемости отдельных слоев.

3. Установлено, что создание нарушений в виде измененной толщины и/или диэлектрической проницаемости отдельных слоев в одномерных волноводных фотонных кристаллах приводит к появлению в «запрещенной зоне» волноводной фотонной структуры «донорных» окон прозрачности, расположенных вблизи верхней частотной границы запрещенной зоны, или «акцепторных» окон, расположенных вблизи нижней частотной границы запрещенной зоны. При этом частотное положение окна прозрачности -— «глубина залегания» — определяется параметрами нарушающего периодичность слоя.

4. Исследованы спектры отражения фотонного кристалла при внесении в него неоднородности в виде двухслойной структуры, представляющей собой полупроводниковую или диэлектрическую пластину с нанесенным на неё нанометровым металлическим слоем. Показано, что частотная зависимость коэффициента отражения в «окне» прозрачности такого модифицированного фотонного кристалла определяется толщиной и электропроводностью металлического слоя.

5. Исследованы зависимости коэффициента отражения фотонного кристалла, содержащего в качестве неоднородности полупроводниковую или диэлектрическую пластину, с нанесенным на неё нанометровым металлическим слоем, от толщины этого слоя. Показано, что при увеличении диэлектрической проницаемости слоев волноводного фотонного кристалла расширяются диапазоны толщины и электропроводности нанометровых металлических пленок, включенных в его состав, в которых коэффициент отражения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона от фотонной структуры не достигает насыщения.

6. Представлено теоретическое обоснование метода измерения параметров диэлектриков, полупроводников и слоистых структур типа металл-полупроводник и металл-диэлектрик в широком диапазоне изменения этих параметров по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения с использованием одномерных волноводных фотонных структур.

7. Показана возможность решения обратной задачи по определению комплексной диэлектрической проницаемости слоев, включенных в качестве неоднородности в волноводный фотонный кристалл, электропроводности и диэлектрической проницаемости полупроводниковых пластин, электропроводности полупроводниковой пластины и толщины нанесенного на неё на-нометрового металлического слоя.

8. Представлены результаты экспериментальных исследований взаимодействия СВЧ-излучения с одномерными волноводными фотонными структурами в трехсантиметровом диапазоне длин волн. Экспериментально исследованы спектры отражения и прохождения электромагнитного излучения СВЧ-диапазона одномерных волноводных фотонных структур, содержащих нарушения в виде измененной толщины и диэлектрической проницаемости отдельных слоёв, а также одномерных волноводных фотонных структур, размещенных перед структурой типа «нанометровая металлическая плёнка — полупроводниковая или диэлектрическая подложка».

9. Экспериментально реализованы методы определения комплексной диэлектрической проницаемости материалов, диэлектрической проницаемости и электропроводности полупроводниковых слоев, толщины и проводимости нанометровых металлических слоев, нанесённых на диэлектрические подложки, с использованием спектров отражения и прохождения одномерных волноводных фотонных кристаллов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Нанотехнологии в электронике. Под ред. Ю. А. Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005. 448 с.
  2. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы/ Под. ред. В. В. Лучинина, Ю. М. Таирова. М.: Физматлит, 2006. 552 с.
  3. Л. В. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. шк., 1987. 239 с.
  4. Н. Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М. 1970, 432 с.
  5. П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. Зарубежная радиоэлектроника, 1981. ч. I, с. 3−50- ч. 2, № 2, с. 349.
  6. Д.А. СВЧ-методы измерения параметров полупроводников. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1985. 55 с.
  7. Е.М., Литвак-Горская Л.Б., Плохова Л. А., Зарубина Т. С. Методы определения параметров полупроводниковых плёнок на СВЧ. В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение / Под. ред. Е. А. Федотова, М.: 1970. Вып. 23. С. 3−48.
  8. Ю.Г., Давыдов А. Б. Волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников на СВЧ// Дефектоскопия. 1978. № 11. С. 63−87.
  9. Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Физика полупроводниковых радиочастотных и оптических автодинов. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2003.312 с.
  10. Д.А., Скрипаль А. В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 376 с.
  11. М. Н., Берч Дж. Р., Кларк Р. Н. Измерение характеристик материалов// ТИИЭР. 1986. Т. 74, № 1. С. 206−220.
  12. Г. X. Измерение электрофизических параметров полупроводников с помощью электромагнитных полей СВЧ диапазона. Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы и микроэлектроника. М.: ЦНИИ Электроника, 1968, вып. 21. 68 с.
  13. З.Викторов В. А., Лункин Б. В., Совлуков А. С. Радиоволновые измерения параметров технологических процессов. М.: Энергоатомиздат, 1989. 208 с.
  14. Неразрушающий контроль. В 5 кн. Кн. 4. Контроль излучениями: Практ. пособие. Под ред. В. В. Сухорукова. М.: Высш. шк., 1992. 321 с.
  15. Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий. Справочник. В 2-х книгах. Кн. 1. Под ред. В. В. Клюева. М.: Машиностроение, 1986. 352 с.
  16. Л. И., Гаманюк В. Б., Усанов Д. А. К вопросу об определении проводимости и диэлектрической проницаемости полупроводников на СВЧ // Радиотехника и электроника. 1972. Т. 17, № 2. С. 426−428.
  17. Этуотер. Определение времени жизни носителей в полупроводниках на СВЧ//ТИРИ. 1961. Т.49. № 9. С.1671−1672.
  18. Бхар. Исследование полупроводников с помощью СВЧ методов//ТИИЭР. 1963. Т.51. № 11. С. 1597−1605.
  19. А. С., Дунаевский Г. Е. Измерения параметров материалов на сверхвысоких частотах. Томск: Изд. Томского ун-та, 1985. 214 с.
  20. К.С., Армстронг Д. Б. Выражения в явном виде для проводимости и диэлектрической проницаемости объемных полупроводников в волноводе // ТИРИ. 1962. Т.50, № 2. С.272−273.
  21. Д.А., Фойхт Д. Л. Измерение проводимости и диэлектрической проницаемости полупроводников на СВЧ //ТИИЭР. 1964. Т.52. № 1. С.107−108.
  22. М.В. Измерение комплексной диэлектрической проницаемости полупроводников СВЧ методом // ТИИЭР. 1964. Т.52. № 2. С. 194.
  23. Ю.К. Электромагнитный метод анализа слоистых полупроводниковых и металлических структур. Рига.: Зинатне. 1970. 272 с.
  24. В.А., Кулешов Е. М., Пунько И. Н. Радиоволновая эллипсометрия. Под ред. И. С. Ковалева. Минск.: Наука и техника. 1985. 104 с.
  25. Новые СВЧ методы изучения поверхностной рекомбинации и времени жизни / Джекобе X., Брэнд, Мэйндл и др. // ТИИЭР. 1963. № 4. С.608−620.
  26. В.Д. Методы измерения на СВЧ с применением измерительных линий. М.: Сов.радио. 1972. 144 с.
  27. А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. М.: Физматгиз. 1963. 147 с.
  28. Р. А., Сретенский В. Н. Радиотехнические измерения. М.: Сов.радио. 1963. 102 с.
  29. В. Б., Медведев Ю. В., Петров А. С. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 4. С.49−51.
  30. Прибор для измерения толщины полупроводниковых эпитаксиальных пленок на низкоомных подложках. /Гордиенко Ю.Е., Старостенко В. В., Дуд-кин Н.А., Шевченко В.Е.//Приборы и техника эксперимента. 1974. № 4. С.196−199.
  31. Г. X., Шибаев А. А., Пономаренко О. Н. Бесконтактные методы не-разрушающего контроля электрофизических параметров полупроводниковых структур. Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы, 1973, вып. 4(104). 52 с.
  32. Steven М. Anlage, D. Е. Steinhauer, В. J. Feenstra, С. P. Vlahacos and F. С. Wellstood. Near-field microwave microscopy of materials properties // arXiv: cond-mat/1 075 v2 18 Apr 2000.
  33. П. Свободные электроны в твердых телах. М.: Мир, 1982. 270 с.
  34. Д.А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С. Резонансное отражение электромагнитного излучения от структур с нанометровыми металлическими слоями // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2006, Том 9, № 3, с. 59−63.
  35. Д.А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С. Изменение типа резонансного отражения электромагнитного излучения в структурах на-нометровая металлическая пленка диэлектрик// Письма в ЖТФ. 2007. Т. 3, вып. 2, с. 13−22.
  36. Дивноморское, Россия, 12−17 сентября 2004 г. Таганрог: Изд-во ТРТУ. Часть 2. С. 100−103.
  37. Yablonovitch E., Gimitter T.J., Meade R.D. et al. Donor and acceptor modes in photonic band structure //Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 67, N. 24. P. 3380−3383.
  38. Kuriazidou C.A., Contopanagos H.F., Alexopolos N.G. Monolithic waveguide filters using printed photonic-bandgap materials // IEEE Transactions on microwave theory and techniques. 2001. V. 49. N 2. P. 297−306.
  39. Tae-Yeoul and Kai Chang. Uniplanar one-dimensional photonic-bandgap structures and resonators // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2001. — Vol. 49, N 3. — P. 549−553.
  40. Ю.В., Никитов С. А. Магнонные кристаллы-спиновые волны в периодических структурах. //Докл. РАН. 2001. Т.380, N.4. С.469−471.
  41. Ю.В., Никитов С. А. Фотонные и магнитофотонные кристаллы новая среда для передачи информации// Радиотехника. 2003. № 8. С. 26−30.
  42. .А., Волошин А. С., Шабанов В. Ф. Исследование микрополосковых аналогов полосно-пропускающих фильтров на одномерных фотонных кристаллах // Радиотехника и электроника. 2006. — Т. 51, № 6. — С. 694−701.
  43. Benedict Т. S., Shockly W. Microwave Observation of the Collision Frequency of Electrons in Germanium. Phys. Rev., 1953, vol. 89, p. 1152−1153.
  44. Gabriel G. J., Brodwin M. E. The Solution of Guided Waves in Jnhomogeneous Anisotropic Media by Petru bation and Variational Methods. IEEE Trans., 1965, vol. MTT-13, № 5, p. 364−370.
  45. Патент РФ 2 262 658 МПК G 01 В 7/06. Способ определения толщины диэлектрического покрытия / Викторов В. А. Опубл. 20. 10.2005. Бюл.29.
  46. Патент РФ 2 069 052 МПК G 01 R 29/08, G 01 R 29/12 Способ определения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей радиопогло-щающего материала / Ковалев С. В., Нестеров С. М., Скородумов И. А. Опубл. 27.09.2000. Бюл. 27.
  47. Патент РФ 2 256 168 МПК G 01 N 22/00, G 01 R 27/26. СВЧ способ определения толщины и комплексной диэлектрической проницаемости диэлектрических покрытий / Федюнин П. А., Дмитриев Д. А., Федоров Н. П. Опубл. 10.07.2005. Бюл. 19.
  48. Патент РФ 2 012 893 МПК G 01 R 27/26. Измерительная ячейка / Великоцкий В. Н., Двадненко В. Я., Де-Мондерик В.Г., Старшинова Е. И., Чижов В. В., ЯрмакИ.Н. Заявка № 5 023 918/09. Заявл. 15.07.1991. Опубл. 15.05.1994.
  49. К. С., Армстронг Д. Б., Гандерсон П. Д. Инерция носителей заряда в полупроводниках. ТИИЭР, т. 52, № 6, с. 720−729.
  50. К., Кавасаки К. Метод измерения комплексной диэлектрической постоянной с использованием СВЧ-объемного резонатора // Гифу коге кото сэмма гаккай кие. 1970. № 3. С. 33−37.
  51. В. Terselius and В. Ranby, «Cavity perturbation measurements of the dielectric properties of vulcanizing rubber and polyethylene compounds», J. Microwave Power, 1978, vol. 13, pp. 327−335.
  52. A. Parkash, J. K. Vaid, and A. Mansingh, «Measurement of dielectric parameters at microwave frequencies by cavity-perturbation technique», IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 1979, vol. MTT-27, pp. 791−795.
  53. JI. Г., Босс С. Б., Риддл А. Н. Настройка и согласование резонатора типа ТМою с генератором. Приборы для научных исследований, 1983, т. 54, № 12, с. 69−75.
  54. К. Н. Hong and J. A. Roberts, «Microwave properties of liquids and solids using a resonant microwave cavity as a probe,» J. Appl. Phys., 1974, vol. 45, pp. 24 522 456.
  55. S. Li, C. Akyel, and R. G. Bosisio, «Precise calculations and measurements on the complex dielectric constant of lossy materials using TM010 cavity perturbation techniques,» IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 1981, vol. MTT-29, pp. 1041−1048.
  56. R. J. Cook, «Microwave cavity methods» in High Frequency Dielectric Measurement (Conf. Proc., March 1972), J. Chamberlain and G. W. Chantry, Eds. Guildford, U.K.: IPC Science and Technology Press, 1973, pp. 12−27.
  57. E. Ni and U. Stumper, «Permittivity measurements using a frequency tuned microwave TE01 cavity resonator», Proc Inst. Elec. Eng., pt. H, 1985, vol. 132, no. l, pp. 27−32.
  58. А. Р. Диэлектрики и их применение. М.- JL: Госэнергоиздат, 1959, 336 с.
  59. D. Т. Llewellyn-Jones et al., «New method of measuring low values of loss in the near millimetre wavelength region using untuned cavities,» Proc. Inst. Elec. Eng., 1980, vol. 127, pt. A, no. 8, pp. 535−540, Nov.
  60. J. R. Birch and R. N. Clarke, «Dielectric and optical measurements from 30 to 1000 CFIz,» Radio Electron. Eng., 1982, vol. 52, no. 11/12, pp. 566−584, Nov./Dec.
  61. F. Kremer and J. R. Izatt, «Millimetre-wave absoiption measurements in low-loss dielectrics using an untuned cavity resonator», Int. J. Infrared and Millimetre Waves, 1981, vol. 2, pp. 675−694.
  62. J. R. Izatt and F. Kremer, «Millimetre wave measurement of both parts of the complex index of refraction using an untuned cavity resonator,» Appl. Opt., 1981, July, vol. 20, no. 14, pp. 2555−2559.
  63. В.А., Дувинг В. Г., Усанов Д. А. Полупроводниковый генератор для измерения диэлектрической проницаемости материалов на СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1978. № 8. С. 100−102.
  64. Бесконтактные радиоволновые методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов / М. В. Детинко, Ю. В. Лисюк, Ю. В. Медведев, А. А. Скрыльников // Изв. вузов. Физика. 1992. Т.35, № 9. С. 4563.
  65. Пат. 2 247 399 RU, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на СВЧ / Дмитриенко Г. В., Трефилов Н. А. Заявка № 2 004 101 740/28. Заявл. 20.01.2004- Опубл. 27.02.2005.
  66. Пат. 2 247 400 RU, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на
  67. СВЧ / Дмитриенко Г. В., Трефилов Н. А. Заявка № 2 004 101 742/28. Заявл. 20.01.2004- Опубл. 27.02.2005.
  68. Пат. 2 326 392 RU, МКИ G01 R 27/04. Устройство для определения параметров низкоимпедансных материалов на свч с помощью коаксиального резонатора / Дмитриенко Г. В., Трефилов Н. А. Заявка № 2 007 100 792/28. Заявл. 09.01.2007. Опубл. 10.06.2008.
  69. Пат. 2 188 433 RU, МКИ G01 R 27/26, G01 N 22/04. Сверхвысокочастотное устройство для неразрушающего измерения электрофизических параметров диэлектрических материалов / Дувинг В. Г. Заявка № 2 001 110 890/09. Заявл. 19.04.2001. Опубл. 27.08. 2002.
  70. Пат. 2 034 276 RU, МКИ G01 N 22/00. Устройство для контроля параметров диэлектрических материалов / Дунаевский Г. Е., Инхиреев А. Л. Заявка № 4 878 934/09. Заявл. 29.10.1990. Опубл. 30.04.1995.
  71. Пат. 2 672 687 FR, МКИ G01 R 27/04, G01 R 27/26. Method and device for measuring the electrical conductivity of the elementary grains of a conducting powder / Thierry Guillot. FR19910001391 19 910 207, 1992−08−14.
  72. Пат. WIPO 2 008 076 936 WO, МКИ G01 R 27/26. Method and apparatus for sensing composition of flexible fuels / Casey Gary, Ahmed Saleh. Заявка № PCT/US2007/87 661. Заявл. 14.12.2007. Опубл. 26.06.2008.
  73. И.В. Техника и приборы СВЧ: в 2-х т. М.:Высш. шк., 1970. Т. 1. 372 с.
  74. Диэлектрические резонаторы / М. Е. Ильченко, В. Ф. Взятышев, Л. Г. Гасанов и др.- Под ред. М. Е. Ильченко. М.:Радио и связь, 1989. 328 с.
  75. В.А., Хижняк Н. А. Волноводно-диэлектрический резонанс диэлектрического образца в прямоугольном волноводе // Изв. вузов. Радиофизика. 1978. Т. 21. № 4. С. 558−565.
  76. Определение параметров диэлектриков на сверхвысокой частоте с помощью волноводно-диэлектрических резонансов / Коробкин В. А., Пятак Н. И., Бабарика Л. И. и др.// Приборы и техника эксперимента. 1976. № 3. С. 169−171.
  77. Д.А., Писарев В. В., Вагарин А. Ю. Использование автодинных преобразователей частоты на диодах. Ганна для бесконтактных измерений параметров диэлектриков на СВЧ // Дефектоскопия. 1985. № 5. С.82−85.
  78. П.А., Булдыгин А. Ф., Уткин К. К. Расчет и экспериментальное исследование автодинного преобразователя частоты на диоде Ганна // Изв. Вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1977. Т. 20, № Ю. С. 6470.
  79. JI.В., Кукушкин В. В., Соляков В. Н. О частотных свойствах смесителей на диоде Ганна в миллиметровом диапазоне // Радиотехника. 1981. Т. 26. № 3. С. 666−667.
  80. Д.А., Писарев В. В. Особенности работы генератора па МЭП-диоде в автодином режиме при близких частотах генерации и сигнала // Изв. вузов. MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1981. Т. 24. № 10. С. 81−82.
  81. П.А., Булдыгин А. Ф., Уткин К. К. Автодинный смеситель на диоде Ганна // Изв. вузов. MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1974. Т. 17. № 12. С. 82−84.
  82. А.Г., Соколовский И. И. Усилитель-преобразователь на диоде с переносом электронов // Радиотехника. 1980. Т. 35. № 6. С. 40−42.
  83. О.А., Трепанов В. К. Экспериментальное исследование преобразователей частоты на диодах с переносом электронов // Изв. вузов MB и ССО СССР. 1980. Т. 23. № 10. С. 80−82.
  84. Д. А., Скрипаль А. В. Детектирование МЭП-диодами, работающими в активном режиме // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1980. Вып. 10. С. 62−63.
  85. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, А. А. Авдеев, А. В. Бабаян// Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, № 12. С. 1497−1500.
  86. Д. А., Безменов А. А., Орлов В. Б. Детекторный эффект в усилителях на лавинно-пролетных диодах// Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1980. Т. 23, № ю. С. 63−64.
  87. Детекторный эффект в СВЧ-усилителях на транзисторах/Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. М. Логинов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 9. С. 60−61.
  88. Детекторный эффект в СВЧ-усилителях на полевых транзисторах/ Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. М. Логинов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1984. Вып. 1. С. 32−33.
  89. Д.А., Безменов А. А. Детектирование СВЧ-полевыми транзисторами, работающими в активном режиме // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 2. С. 19−21.
  90. Использование эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах для создания устройств радиоволнового контроля/Д. А. Усанов, В. Д. Тупикин, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин // Дефектоскопия. 1995. № 5. С. 16−20.
  91. Д. А., Безменов А. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины диэлектрических пленок, напыляемых на металл// Приборы и техника эксперимента. 1986. № 4. С. 227−228.
  92. Пат. 2 094 811 RU, МКИ G01 R 27/26. Устройство на диоде Ганна для измерения параметров диэлектрических материалов/Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин, А. А. Авдеев № 95 115 788/09. Заявл. 07.09.95- Опубл. 27.10.97- Бюл. № 30.
  93. Пат. 2096Т91 RU, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин, А. А. Авдеев № 95 115 711/09. Заявл. 07.09.95- Опубл. 20.11.97- Бюл. № 32.
  94. А.с. 1 161 898 СССР, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д. А. Усанов, А. Ю. Вагарин, Б. Н. Коротин. № 3 584 535/25- Заявл. 22.04.83- Опубл. 15.06.85- Бюл. № 22.
  95. Д. А., Посадский В. Н., Буренин П. В. и др. Детекторный эффект в усилителях на диодах с переносом электронов // Радиотехника и электроника. 1977. Т. 22, № 5. С. 1085−1086.
  96. Д. А., Вагарин А. Ю., Безменов А. А. Об использовании детекторного эффекта в генераторах на лавинно-пролетных диодах для измерения диэлектрической проницаемости материалов // Дефектоскопия. 1981. № 11. С. 106—107.
  97. Д. А., Скрипаль А. В. Эффект автодинного. детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля параметров материалов // 42-я Всесоюз. науч. сессия, посвященная Дню радио: Тез.докл. М.: Радио и связь, 1987. Ч. 2. С. 31.
  98. Д.А., Вагарин А. Ю., Вениг С. Б. Использование детекторного эффекта в СВЧ генераторе на диоде Ганна для измерения параметров диэлектриков // Дефектоскопия. 1985. № 6. С.78−82.
  99. Д. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины металлических пленок, нанесенных на диэлектрическую основу // ПТЭ. 1985. № 1.С. 254.
  100. Д. А., Коротин Б. Н., Орлов В. Е. Использование эффекта автодинного детектирования в СВЧ-генераторах на туннельном диоде для определения параметров диэлектриков // Дефектоскопия. 1987. № 9. С. 83−84.
  101. Д. А., Скрипаль А. В. Эффект автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля толщины и диэлектрической проницаемости материалов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1987. Т. 30, № 10. С. 76−77.
  102. Д. А., Скрипаль Ал. В., Коротин Б. Н., Скрипаль Ан. В. СВЧ-толщиномер // Состояние и тенденции развития метрики полупроводниковых и диэлектрических структур: Тез.докл.науч.-тех.совещания. М.: ЦНИИ «Электроника», 1986. Сер.8. Вып.2 (232). С. 43.
  103. А.с.1 264 109, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д.А.Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин и др., Опубл. 15.10.86. Бюл.№ 38.
  104. А. с. 1 448 821 СССР, МКИ G01 В 15/02./Д. А. Усанов, В. Д. Тупикин, А. В. Скрипаль, Ан.В. Скрипаль (СССР). № 4 102 803/24−28- Заявл. 05.08.86.
  105. А. с. 1 831 121А1 RU, МКИ G01 Е 27/26./Д.А. Усанов, В. В. Писарев, А. А. Авдеев, А. В. Скрипаль и др. № 4 497 352/ 09- Заявл. 20.10.88.
  106. Пат. 2 096 791 RU, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов / Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Коротин Б. Н., Авдеев А. А. Заявка № 95 115 711/09. Заявл. 07.09.1995- Опубл. 20.11.1997.
  107. Д. А., Скрипаль А. В., Коротин Б. Н. и др. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий // Информ. листок о науч.-техн. достижении/Сарат. ЦНТИ. Саратов, 1988.
  108. Д.А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Поздняков В. А. СВЧ-метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах // Известия вузов. Электроника. 2004. № 2. С. 76−84.
  109. Д.А., Скрипаль A.B., Ульянов Д. В. Влияние магнитного поля на работу полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генераторов в режиме гашения мощности //Изв. вузов. Электроника. 2000. № 6. С. 49−54.
  110. Д.А., Скрипаль A.B., Абрамов A.B. Оптическое управление полупроводниковыми синхронизированными СВЧ-генераторами, работающими в схеме вычитания сигналов // Известия вузов. Электроника. 2002. № 5. С. 31−39.
  111. E. A. Synge, «A suggested method for extending microscopic resolution into the ultra-microscopic region,» Phil. Mag. С 6, 356−362 (1928).
  112. Zdenek Frait, «The use of high frequency modulation in studying ferromagnetic resonance,» Czeck. J. Phys. 9, 403−404 (1959).
  113. Z. Frait, V. Kambersky, Z. Malek, and M. Ondris, «Local variations of uniaxial anisotropy in thin films,» Czeck. J. Phys. BIO, 616−617 (1960).
  114. R. F. Soohoo, «A Microwave Magnetic Microscope,» J. Appl. Phys. 33, 12 761 277 (1962).
  115. S. E. Lofland, S. M. Bhagat, H. L. Ju, G. C. Xiong, T. Venkatesan, and R. L. Greene, «Ferromagnetic resonance and magnetic homogeneity in a giant-magnetoresistance material La2/3Bal/3Mn03,» Phys. Rev. В 52, 15 058−15 061 (1995).
  116. M. Ikeya and T. Milci, «ESR Microscopic Imaging with Microfabricated Field Gradient Coils,» Jap. J. Appl. Phys. 26, L929-L931 (1987).
  117. M. Ikeya, M. Furusawa, and M. Kasuyai, «Near-field scanning electron spin resonance microscopy,» Scanning Microscopy 4, 245−248 (1990).
  118. E. A. Ash and G. Nicholls, «Super-resolution Aperture Scanning Microscope,» Nature 237, 510−512 (1972).
  119. C. A. Bryant and J. B. Gunn, «Noncontact Technique of the Local Measurement of Semiconductor Resistivity,» Rev. Sci. Instrum. 36, 1614−1617 (1965).
  120. Y. S. Xu and R. G. Bosisio, «Nondestructive Measurements of the Resistivity of Thin Conductive Films and the Dielectric Constant of Thin Substrates Using an Open-Ended Coaxila Line,» IEE Proc. H 139, 500−506 (1992).
  121. M. A. Stuchly and S. S. Stuchly, «Coaxial Line Reflection Methods for Measuring Dielectric Properties of Biological Substances at Radio and Microwave Frequencies A Review,» IEEE Trans. Instrum. and Meas. IM-29, 176−183 (1980).
  122. M. A. Stuchly, М. М. Brady, S. S. Stuchly and G. Gajda, «Equivalent Circuit of an Open-Ended Coaxial Line in a Lossy Dielectric,» IEEE Trans. Instrum. and Meas. IM-31, 116−119(1982).
  123. T. W. Athey, M. A. Stuchly and S. S. Stuchly, «Measurement of Radio Frequency Permittivity of Biological Tissues with an Open-Ended Coaxial Line: Part I,» IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. MTT-30, 82−86 (1982).
  124. M. A. Stuchly, T. W. Athey, G. M. Samaras and G. E. Taylor, «Measurement of Radio Frequency Permittivity of Biological Tissues with an Open-Ended Coaxial Line: Part II Experimental Results,» IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. MTT-30, 87−92 (1982).
  125. G. B. Gajda and S. S. Stuchly, «Numerical Analysis of Open-Ended Coaxial Lines,» IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. MTT-31, 380−384 (1983).
  126. E. C. Burdette, F. L. Cain, and J. Seals, «In Vivo Probe Measurement Technique for Determining Dielectric Properties at VHF Through Microwave Frequencies,» IEEE Trans. Microwave Theory Tech. MTT-28, 414−427 (1980).
  127. M. Fee, S. Chu and T. W. H’ansch, «Scanning electromagnetic transmission line microscope with sub-wavelength resolution,» Optics Communications 69, 219−224(1989).
  128. S. J. Stranick and P. S. Weiss, «A versatile microwave-frequency-compatible scanning tunneling microscope,» Rev. Sci. Instrum. 64, 1232−1234 (1993).
  129. S. J. Stranick and P. S. Weiss, «A tunable microwave frequency alternating current scanning tunneling microscope,» Rev. Sci. Instrum. 65, 918−921 (1994).
  130. L. A. Bumm and P. S. Weiss, «Small cavity nonresonant tunable microwave-frequency alternating current scanning tunneling microscope,» Rev. Sci. Instrum. 66,4140−4145 (1995).
  131. G. Q. Jiang, W. H. Wong, E. Y. Raskovich, W. G. Clark, W. A. Hines, J. San-ny, «Open- ended coaxial-line technique for the measurement of the microwave dielectric constant for low-loss solids and liquids,» Rev. Sci. Instrum. 64, 16 141 621 (1993).
  132. К. Asami, «The scanning dielectric microscope,» Meas. Sci. Technol. 5, 589 592 (1994).
  133. R. J. Gutman and J. M. Borrego, «Microwave scanning microscopy for planar structure diagnostics,» IEEE MTT Digest, 281−284 (1987).
  134. Bhimnathwala and J. M. Borrego, «Measurement of the sheet resistance of doped layers in semiconductors by microwave reflection,» J. Vac. Sci. Technol. В 12, 395−398 (1994).j
  135. N. Qaddoumi and R. Zoughi, «Preliminary study of the influences of effective dielectric constant and nonuniform probe apeture field distribution on near field microwave images,» Materials Evaluation, Oct., 1169−1173 (1997).
  136. M. Golosovsky and D. Davidov, «Novel millimeter-wave near-field resistivity microscope,» Appl. Phys. Lett. 68, 1579−1581 (1996).
  137. M. Golosovsky, A. Galkin, and D. Davidov, «High-Spatial Resolution Resistivity Mapping of Large-Area YBCO Films by a Near-Field Millimeter-Wave Microscope,» IEEE MTT 44, 1390−1392 (1996).
  138. M. Golosovsky, A. Lann, and D. Davidov, «A millimeter-wave near-field scanning probe with an optical distance control,» Ultramicroscopy 71, 133−141 (1998).
  139. A.F. Lann, M. Golosovsky, D. Davidov, and A. Frenkel, «Combined millimeter-wave near-field microscope and capacitance distance control for the quantitative mapping of sheet resistance of conducting layers,» Appl. Phys. Lett. 73, 2832−2834 (1998).
  140. A. F. Lann, M. Golosovsky, D. Davidov, and A. Frenkel, «Microwave near-field polarimetry,» Appl. Phys. Lett. 75, 603−605 (1999).
  141. J. Bae, T. Okamoto, T. Fujii, K. Mizuno, T. Nozokido, «Experimental demonstration for scanning near-field optical microscopy using a metal micro-slit probe at millimeter wavelengths,» Appl. Phys. Lett. 71, 3581−3583 (1997).
  142. M. Tabib-Azar, N. Shoemaker and S. Harris, «Non-destructive characterization of materials by evanescent microwaves,» Meas. Sci. Tech., 4, 583−590 (1993).
  143. M. Tabib-Azar, D. -P. Su, A. Pohar, S. R. LeClair, and G. Ponchak, «0.4 jam spatial resolution with 1 GHz (A, = 30 cm) evanescent microwave probe,» Rev. Sci. Instrum., 70, 1725−1729 (1999).
  144. M. Tabib-Azar, R. Ciocan, G. Ponchak, and S. R. LeClair, «Transient thermography using evanescent microwave microscope,» Rev. Sci. Instrum., 70, 33 873 390 (1999).
  145. G. Ponchak, D. Akinwande, R. Ciocan, S. R. LeClair and M. Tabib-Azar, «Evanescent Microwave Probes Using Coplanar Waveguide and Stripline for Super-Resolution Imaging of Materials,» IEEE MTT-S Digest, (1999).
  146. F. Keilmann, US Patent 4,994,818, filed Oct. 27, 1989.
  147. R. Merz, F. Keilmann, R. J. Haug, and K. Ploog, «Nonequilibrium Edge-State Transport Resolved by Far-Infrared Microscopy,» Phys. Rev. Lett. 70, 651−653 (1993).
  148. F. Keilmann, «FIR Microscopy,» Infrared Phys. Technol. 36, 217−224 (1995).
  149. F. Keilmann, D. W. van der Weide, T. Eickelkamp, R. Merz, and D. Stockle, «Extreme sub-wavlength resolution with a scanning radio-frequency transmission microscope,» Optics Commun. 129,15−18 (1996).
  150. B. Knoll, F. Keilmann, A. Kramer, and R. Guckenberger, «Contrast of microwave near-field microscopy,» Appl. Phys. Lett. 70, 2667−2669 (1997).
  151. R. G. Bosisio, M. Giroux, and D. Couderc, «Paper Sheet Moisture Measurements by Microwave Phase Perturbation Techniques,» J. Microwave Power 5, 25−34 (1970).
  152. E. Tanabe and W. Т. Joines, «A Nondestructive Method for Measuring the Complex Permittivity of Dielectric Materials at Microwave Frequencies Using an Open Transmission Line Resonator,» IEEE Trans. Instrum. and Meas. IM-25, 222−226 (1976).
  153. Y. Cho, A. Kirihara and T. Saeki, «Scanning nonlinear dielectric microscope,» Rev. Sci. Instrum. 67, 2297−2303 (1996).
  154. Y. Cho, S. Kazuta, and K. Matsuura, «Scanning nonlinear dielectric microscopy with nanometer resolution,» Appl. Phys. Lett. 75, 2833−2835 (1999).
  155. T. Wei, X.-D. Xiang, W. G. Wallace-Freedman and P. G. Schultz, «Scanning tip microwave near-field microscope,» Appl. Phys. Lett. 68, 3506−3508 (1996).
  156. Y. Lu, T. Wei, F. Duewer, Y. Lu, N. Ming, P. G. Schultz and X.-D. Xiang, «Nondestructive Imaging of Dielectric-Constant Profiles and Ferroelectric Domains with a Scanning-Tip Microwave Near-Field Microscope,» Science 276, 2004−2006 (1997).
  157. C. Gao, T. Wei, F. Duewer, Y. Lu and X.-D. Xiang, «High spatial resolution quantitative microwave impedance microscopy by a scanning tip microwave near-field microscope,» Appl. Phys. Lett. 71, 1872−1874 (1997).
  158. I. Takeuchi, T. Wei, F. Duewer, Y. 1С. Yoo, X.-D. Xiang, V. Talyansky, S. P. Pai, G. J. Chen, and T. Venkatesan, «Low temperature scanning-tip microwave near-field microscopy of YBCO films,» Appl. Phys. Lett. 71, 2026−2028 (1997).
  159. C. Gao, and X.-D. Xiang, «Quantitative microwave near-field microscopy of dielectric properties,» Rev. Sci. Instrum. 69, 3846−3851 (1998).
  160. C. P. Vlahacos, R. C. Black, S. M. Anlage and F. C. Wellstood, «Near-field Scanning Microwave Microscope with 100 jrni Resolution,» Appl. Phys. Lett. 69, 3272−3274 (1996).
  161. Steven M. Anlage, С. P. Vlahacos, Sudeep Dutta, and F. C. Wellstood, «Scanning Microwave Microscopy of Active SuperconductingMicrowave Devices,» IEEE Trans. Appl. Supercond. 7, 3686−3689 (1997).
  162. D. E. Steinhauer, C. P. Vlahacos, Sudeep Dutta, F. C. Wellstood, and Steven M. Anlage, «Surface Resistance Imaging with a Scanning Near-Field Microwave Microscope,» Appl. Phys. Lett. 71, 1736−1738 (1997). cond-mat/9 712 142.
  163. D. E. Steinhauer, C. P. Vlahacos, S. K. Dutta, B. J. Feenstra, F. C. Wellstood, and Steven M. Anlage, «Quantitative Imaging of Sheet Resistance with a Scanning Near-Field Microwave Microscope,» Appl. Phys. Lett. 72, 861−863 (1998).
  164. Steven M. Anlage, C. P. Vlahacos, D. E. Steinhauer, S. K. Dutta, B. J. Feenstra, A. Thanawalla, and F. C. Wellstood, «Low Power Superconducting Microwave Applications and Microwave Microscopy,» Particle Accelerators 61, 321−336./57−72 (1998).
  165. Steven M. Anlage, Wensheng Hu, C. P. Vlahacos, David Steinhauer, B. J. Feenstra, Sudeep K. Dutta, Ashfaq Thanawalla, and F. C. Wellstood, «Microwave Nonlinearities in High-Tc Superconductors: The Truth Is Out There,» J. Supercond. 12, 353−362 (1999).
  166. C. P. Vlahacos, D. E. Steinhauer, S. K. Dutta, B. J. Feenstra, Steven M. Anlage, and F. C. Wellstood, «Quantitative Topographic Imaging Using a Near-Field Scanning Microwave Microscope,» Appl. Phys. Lett., 72, 1778−1780 (1998).
  167. M. J. Werner and R. J. King, «Mapping the „“ of conducting solid films in situ,» MRS Proc. (1996).
  168. U.S. Patent #5,334,941, «Microwave reflection resonator sensors,» issued August 2, 1994 to R. J. King.
  169. John Gallop, L. Hao, F. Abbas, «Spatially Resolved Measurements of HTS Microwave Surface Impedance,» Physica С 282−287, 1579−1580 (1997).
  170. L. Hao, J. C. Gallop, «Spatially Resolved Measurements of HTS Microwave Surface Impedance,» IEEE Trans. Appl. Supercond. 9, 1944−1947 (1999).
  171. Y. Manassen, «Scanning Probe Microscopy and Magnetic Resonance,» Adv. Mater.6, 401−404 (1994).
  172. Z. Zhang, P. C. Hammel and P. Wigen, «Observation of ferromagnetic resonance in a microscopic sample using magnetic resonance force microscopy,» Appl. Phys. Lett. 68, 2005−2007 (1996).
  173. Z. Zhang, P. C. Hammel, M. Midzor, M. L. Roukes, and J. R. Childress, «Ferromagnetic resonance force microscopy on microscopic cobalt single layer films,» Appl. Phys. Lett. 73, 2036−2038 (1998).
  174. K.Wago, D. Botkin, C. S. Yannoni, and D. Rugar, «Paramagnetic and ferromagnetic resonance imaging with a tip-on-cantilever magnetic resonance force microscope,» Appl. Phys. Lett. 72, 2757−2759 (1998).
  175. B. Knoll, and F. Keilmann, «Near-field probing of vibrational absorption for chemical microscopy,» Nature 399, 134−137 (1999).
  176. R. C. Black, F. C. Wellstood, E. Dantsker, A. H. Miklich, D. T. Nemeth, D. Koelle, F. Ludwig, and J. Clarke, «Microwave microscopy using a superconducting quantum interference device,» Appl. Phys. Lett. 66, 99−101 (1995).
  177. R. C. Black, F. C. Wellstood, E. Dantsker, A. H. Miklich, D. Koelle, F. Ludwig, and J. Clarke, «High-frequency magnetic microscopy using a high-Tc SQUID,» IEEE Trans. Appl. Supercon. 5, 2137−2141 (1995).
  178. Пат. 2 194 285 RU, МКИ G01 R 27/04. Способ определения больших значений комплексной диэлектрической проницаемости импедансных материалов / Дмитриенко Г. В., Трефилов Н. А. Заявка № 2 001 106 866/09. Заявл. 13.03.2001- Опубл. 10.12.2002.
  179. Пат. 2 228 535 RU, МКИ G01 R 27/26. Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости радиопоглощающих композиционных материалов при нагреве / Дмитриенко Г. В., Трефилов Н. А. Заявка № 2 002 131 754/09. Заявл. 26.11.2002- Опубл. 10.05.2004.
  180. JI.M. Волны в слоистых средах. Москва: Изд-во Наука, 1973, 342 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!