Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Модификация морфологических и структурных характеристик эпитаксиальных пленок халькогенидов свинца при электрохимической и плазменной обработках

Диссертация: Модификация морфологических и структурных характеристик эпитаксиальных пленок халькогенидов свинца при электрохимической и плазменной обработках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Личное участие автора. В диссертации изложены результаты, полученные как лично автором под научным руководством проф. Зимина С. П., так и в сотрудничестве с Герке М. Н. и Горлачевым Е. С. (АСМ-исследования), Амировым И. И. (плазменная обработка), Наумовым В. В. (рентгеновские исследования), Бучиным Э. Ю. (электрохимическое травление), Спивак Ю. М. (электронная микроскопия), Симакиным С. Г… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СВОЙСТВА ХАЛЫСОГЕНИДОВ СВИНЦА И ПЕРСПЕКТИВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ РАЗВИТИЯ ИК-ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
    • 1. 1. Бинарные соединения и твёрдые растворы на основе халькогенидов свинца
    • 1. 2. Создание плёночных композиций с заданными свойствами
    • 1. 3. Свойства наноструктурированных халькогенидов свинца
    • 1. 4. Формирование пористых полупроводников при электрохимическом травлении
    • 1. 5. Выводы Главы
  • ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ОБРАЗЦОВ И МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Характеристика исследуемых систем
    • 2. 2. Режимы электрохимического травления
    • 2. 3. Обработка эпитаксиальных плёночных систем в аргоновой плазме
    • 2. 4. Методы контроля состояния поверхности, объёма и структурных характеристик образцов
      • 2. 4. 1. Оптический контроль качества систем
      • 2. 4. 2. Исследования с помощью сканирующей электронной микроскопии
      • 2. 4. 3. Определение элементного состава материалов
      • 2. 4. 4. Атомно-силовая микроскопия
      • 2. 4. 5. FIB-метод
      • 2. 4. 6. Рентгеноструктурные исследования
    • 2. 5. Исследование спектров пропускания систем PbTe/CaF2/Si (111)
    • 2. 6. Выводы Главы
  • ГЛАВА 3. СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЁНОЧНЫХ КОМПОЗИЦИЙ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ
    • 3. 1. Оптическая, электронная и атомно-силовая микроскопия эпитаксиальных систем PbTe/CaF2/Si (111) иPbSe/CaF2/Si (111)
    • 3. 2. Рентгеновская дифрактометрия плёнок РЬТе и PbSe, выращенных на CaF2/Si (111)
    • 3. 3. Зависимость структурных параметров системы
    • Pbi. xEuxSe/CaF2/Si (111) от содержания европия
      • 3. 3. 1. Построение и особенности рентгеновских дифрактограмм систем Рb 1 -xEuVSе/СaF2/Si с разным содержанием европия
      • 3. 3. 2. Внедрение европия в буферный слой фторида кальция при эпитаксии европийсодержащих плёнок
      • 3. 3. 3. Микронапряжения в кремниевой подложке
      • 3. 3. 4. Полюсные фигуры для Pbi JEujSe/CaFjs/Si (х=0,00−0,16)
      • 3. 4. Метод полюсных фигур как информативный метод исследования многослойных композиций халькогенидов свинца на кремнии
      • 3. 5. Выводы Главы
  • ГЛАВА 4. МОДИФИКАЦИЯ ПЛЁНОК ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА ПРИ АНОДНОЙ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ
    • 4. 1. Особенности электрохимического травления эпитаксиальных плёнокPbTe/CaF2/Si (111)
    • 4. 2. Модификация поверхности плёнок теллурида свинца после анодной электрохимической обработки
      • 4. 2. 1. Морфология поверхности плёнок после обработки в травителях на основе раствора Норра
      • 4. 2. 2. Особенности поверхности плёнок после обработки в смеси сульфата никеля и аммиака
    • 4. 3. Структурные параметры плёнок РЬТе после анодирования
    • 4. 4. Изменение элементного состава плёнок после электрохимической обработки
    • 4. 5. Вольтамперные характеристики системы PbTe/CaF2/Si (l 11)/А до и после анодирования
    • 4. 6. Изменение удельного сопротивления плёнок теллурида свинца при анодировании
    • 4. 7. Оптические свойства плёнок РЬТе после анодирования
    • 4. 8. Гипотеза формирования пористой структуры плёнок теллурида свинца методом электрохимического травления
    • 4. 9. Выводы Главы
  • ГЛАВА 5. МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПЛЁНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА ПРИ ОБРАБОТКЕ В АРГОНОВОЙ ПЛАЗМЕ. МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОСЛЕ КОМПЛЕКСНОЙ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ/ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ
    • 5. 1. Модификация поверхности плёнок халькогенидов свинца при обработке в аргоновой плазме

    5.2. Определение скоростей травления плёнок PbTe, PbSe в индукционной высокоплотной аргоновой плазме. Влияние содержания европия на скорость травления плёнок твёрдого раствора PbiJEuxSe в аргоновой плазме.

    5.3. Морфология поверхности плёнок PbTe/CalVSi (111) после комплексной электрохимической/плазменной обработки.

    5.4. Анализ экспериментальных результатов изменения морфологии поверхности плёнок халькогенидов свинца после проведения комплексной электрохимической/плазменной обработки.

    5.5. Выводы Главы 5.

Модификация морфологических и структурных характеристик эпитаксиальных пленок халькогенидов свинца при электрохимической и плазменной обработках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Халькогениды свинца PbTe, PbSe, PbS, являющиеся соединениями группы AIVBVI, широко применяются при создании оптоэлектронных приборов ИК-диапазона и термоэлектрических устройств. Для данных материалов характерны малая ширина запрещённой зоны, высокая подвижность носителей заряда, малые массы электронов и дырок, чрезвычайно высокие значения показателей преломления и статической диэлектрической проницаемости и т. д. Разработка тройных и четверных твёрдых растворов на основе халькогенидов свинца обеспечила их широкое применение в изготовлении многослойных ИК-оптоэлектронных устройств. Легирование халькогенидов свинца примесями III-, IV-, V-, VIIгрупп и редкоземельными элементами привело к появлению большого ряда новых модифицированных материалов, обладающих уникальными свойствами. Вариация состава, концентрации примеси позволяет управлять такими важными параметрами материалов, как постоянная решётки, ширина запрещённой зоны и показатель преломления, что делает возможным совершенствование приборов, работающих на основе халькогенидов свинца. С появлением требований к повышению уровня интеграции всё- больший интерес для исследователей и практиков представляют эпитаксиальные плёнки A1VBVI на Si-подложках, на базе которых создаются монолитные твердотельные матрицы с системой обработки информации.

Несмотря на имеющиеся работы по изучению гетероэпитаксиальных структур AIVBVI/Si, ощущается недостаток информации о структурных параметрах и деформационных явлениях, возникающих в плёнках, выращиваемых без применения и с применением буферных слоёв. В результате различия параметров кристаллических решёток, коэффициентов термического расширения материалов плёнок, подложек и буферных слоёв в эпитаксиальных композициях возникает комплекс явлений, приводящих к появлению растягивающих и сжимающих напряжений, трещин, дислокаций, оказывающих значительное влияние на свойства гетероэпитаксиальных систем и работу создаваемых приборов. К началу выполнения данной работы практически отсутствовали сведения о структурных параметрах и деформационных явлениях в плёночных системах Pbi-^EiixSe/CaiySi (111) с относительно большими значениями х. Поэтому комплексное исследование структурных характеристик эпитаксиальных плёнок халькогенидов свинца на Si остаётся актуальной материаловедческой задачей.

На сегодняшний день одной из наиболее развивающихся областей является создание структур нанометрового масштаба и формирование на их основе приборов наноэлектроники. Интерес к низкоразмерным материалам вызван тем, что они проявляют совершенно новые свойства, не характерные для объёмных структур. Один из технологических подходов по переходу к нанометровому масштабу заключается в создании пористых объектов, когда при высокой пористости размеры оставшихся после вытравливания элементов кристаллической матрицы могут быть уменьшены до нескольких нанометров. Первым из пористых материалов был детально исследован пористый кремнийвслед за ним были получены и.

А IVT-.IV A IIIT-.V описаны пористыи германии, пористые материалы соединении, А В и, А В. Все они создавались анодированием монокристаллических пластин, а параметры пористой структуры определялись условиями электрохимической обработки. К началу выполнения данной работы отсутствовали литературные данные, в которых сообщалось бы об образовании пористой структуры при электрохимическом травлении плёнок халькогенидов свинца. В последнее время появились новые подходы к созданию наноструктурированных халькогенидов свинца при помощи методов плазменного распыления. Исследования в этом направлении представляют важную задачу физической электроники. Поиск путей формирования наноразмерных материалов AIVBVI представляется актуальным, поскольку наноструктурированные халькогениды свинца обладают большими перспективами при создании устройств ИК-диапазона, термоэлектрических приборов, при разработке систем телекоммуникации на длине волны 1,55 мкм и т. д.

Цель работы заключалась в комплексном исследовании морфологических и структурных параметров эпитаксиальных плёнок халькогенидов свинца, выращенных на Si-подложках с буферным слоем CaF2, в исходном состоянии и после проведения операций электрохимического и плазменного травления.

Для достижения поставленной цели в рамках представляемой диссертационной работы требовалось решить следующие задачи:

1. Исследовать с помощью атомно-силовой и электронной микроскопии состояние поверхности плёнок халькогенидов свинца, выращенных на подложках CaF2/Si (lll) методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

2. Определить структурные параметры плёночных систем PbTe/XMVSi (111), PbSe/CaF2/Si (111), Pb|.^EuxSe/CaF2/Si (111) (x=0,06−0,16) и многослойных композиций на их основе методами рентгеноструктурного анализа.

3. Разработать методику анодирования халькогенидов свинца, провести электрохимическое травление плёнок РЬТе при малых плотностях тока и исследовать структурные, электрофизические и оптические свойства анодированных образцов.

4. Исследовать влияние индукционной высокоплотной аргоновой плазмы низкого давления на структуру плёнок РЬТе, подвергнутых предварительно электрохимическому травлению.

5. Развить модельные представления о процессах, происходящих на поверхности и в объёме плёнок теллурида свинца при электрохимическом и плазменном воздействиях.

Научная новизна работы заключалась в следующем:

1. Впервые показано, что морфология поверхности эпитаксиальных плёнок Pbi-xEiisSe/CaFa/Si (111) при значении х<0,16 характеризуется треугольными наноступенями высотой 15−20 А и ямками выходов пронизывающих дислокаций.

2. Впервые экспериментально определены величины напряжений, возникающих в эпитаксиальной системе Pbi-xEu^Se/CaF2/Si (111) при вариации х в интервале от 0,00 до 0,16.

3. Впервые установлено, что электрохимическая обработка системы PbTe/CaF2/Si (111) в травителях на основе раствора Норра приводит к модификации поверхности и объёма теллурида свинца, заключающейся в образовании пористой структуры и формировании микровыступов на поверхности.

4. Впервые проведены исследования двухступенчатой операции анодирования и плазменной обработки для формирования крупных выступов халькогенидов свинца на Si-подложках.

Положения, выносимые на защиту:

1. При молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок Pbi. xEuxSe (0,06<г<0,16) на подложки CaF2/Si (111) происходит проникновение европия в буферный слой фторида кальция и образование твёрдого раствора Са^Еи^.

2. Пронизывающие дислокации в плёнках теллурида свинца являются местом локализации субмикронных выступов, возникающих на поверхности при анодировании PbTe/CaF2/Si (111) в травителях на основе раствора Норра.

3. Комплекс структурных, электрофизических и оптических исследований свидетельствует об образовании пористой структуры плёнки РЬТе при анодном электрохимическом травлении системы PbTe/CaF2/Si (111) в электролитах на основе раствора Норра при малых плотностях тока (3−15 мА/см).

4. Анодированные плёнки РЬТе имеют более высокие значения скорости распыления в аргоновой плазме (до 50 нм/с) по сравнению с монокристаллическими плёнками теллурида свинца (17,3 нм/с), что объясняется пористой структурой материала.

Практическая ценность диссертационной работы:

1. Предложен способ и разработана методика электрохимической обработки полупроводников AIVBVI, заключающиеся в применении эпитаксиальных структур на Si-подложках с тонким (2−4 нм) диэлектрическим слоем CaF2.

2. Показана информативность использования метода построения полюсных фигур при определении типа эпитаксии и выявлении взаимного расположения кристаллических решёток сопрягающихся слоёв в гетерокомпозициях на основе халькогенидов свинца на Si.

3. Определены скорости распыления эпитаксиальных систем PbTe/CaF2/Si (111), PbSe/CaF2/Si (111) и Pbi^EuxSe/CaF2/Si (111) (x=0,06−0,16), значения которых важны при формировании мезаструктур халькогенидов свинца.

4. Предложен способ формирования крупных выступов халькогенидов свинца на кремниевых основаниях при последовательном использовании анодной и плазменной обработок.

5. Определены технологические условия формирования пористых структур теллурида свинца, перспективных для создания приборов наноэлектроники, плотноупакованных микроэлектронных термоэлектрических преобразователей, люминесцентных устройств и т. д.

Апробация результатов работы.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: XI-IX международных конференциях «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2009, 2008 и 2007 гг.), научно-практической межрегиональной конференции «Квантовые компьютеры, микрои наноэлектроника (физика, технология, диагностика и моделирование)» (Ярославль, 2008 г.), всероссийской конференции «Кремний-2006» (Красноярск, 2006 г.), IV научно-технической конференции «Материалы и технологии XXI века» (Пенза, 2006 г.), VII—VI вв.сероссийских молодёжных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2005 и 2004 гг.), VIII и VII научных молодёжных школах по твердотельной электронике «Актуальные аспекты нанотехнологии» (Санкт-Петербург, 2005 и 2004 гг.), международной научной школе-конференции «Тонкие плёнки и наноструктуры» (Москва, 2004 г.), XI всероссийской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Москва (Зеленоград), 2004 г.), всероссийской научной конференции, посвящённой 200-летию Ярославского государственного университета им. П. Г. Демидова (Ярославль, 2003 г.), IV международной научно-практической конференции «Теория, методы и средства измерений, контроля и диагностики» (Новочеркасск, 2003 г.).

Достоверность результатов, полученных в данной работе, определяется применением высокоточных современных экспериментальных методик, воспроизводимостью результатов, сравнением полученных научных результатов с литературными данными, согласием предложенных моделей с результатами экспериментальных исследований.

Личное участие автора. В диссертации изложены результаты, полученные как лично автором под научным руководством проф. Зимина С. П., так и в сотрудничестве с Герке М. Н. и Горлачевым Е. С. (АСМ-исследования), Амировым И. И. (плазменная обработка), Наумовым В. В. (рентгеновские исследования), Бучиным Э. Ю. (электрохимическое травление), Спивак Ю. М. (электронная микроскопия), Симакиным С. Г. (элементный анализ), Цогом X. (ЕТН, Цюрих) (оптические исследования). Подготовка экспериментов, обработка и интерпретация всех полученных экспериментальных данных, построение зависимостей и физических моделей проводились соискателем самостоятельно. Научным руководителем проф. Зиминым С. П. была оказана помощь в планировании экспериментов и построении физических моделей. Гетероэпитаксиальные структуры для исследований были представлены Цогом X., тестовые образцы PbTe (Ga)/BaF2 (111) — Акимовым Б. А. (МГУ, Москва).

Работа выполнялась в рамках гранта Минобразования РФ (проект Е02−3.4−423), Госконтракта 02.513.11.3462 и в рамках Программы «Развитие научного потенциала высшей школы» (проект 2.1.1/466).

Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы и содержит 128 страниц, 66 рисунков, 10 таблиц, 48 формул.

Список использованных источников

включает 130 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Для плёнок тройного твёрдого раствора Pbi. xEuxSe (х<0,16), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Si (Ш)-подложке с применением тонкого буферного слоя CaF2 (2−4 нм), показано наличие на поверхности треугольных нанотеррас высотой 15−20 А и треугольных ямок выходов пронизывающих дислокаций, что позволяет применять модель Цога не только к бинарным, но и к сложным полупроводниковым соединениям.

2. На рентгеновских дифрактограммах плёночных систем PbTe/CaF2/Si (111), PbSe/CaF2/Si (111) и Pb, JEuxSe/CaF2/Si (111) (x=0,06−0,16) обнаружено присутствие запрещённого рефлекса CaF2/Si (222), что объясняется наличием напряжений в плёночных композициях, приводящих к нарушению идеальности кристаллического строения CaF2 и Si.

3. Анализ дифракционных профилей плёнок Pbi.^EurSe/CaF2/Si (111) показал, что с ростом величины х от 0,00 до 0,16 наблюдается увеличение растягивающих напряжений в плоскости плёнки от 0,15% до 0,24%, при этом микронапряжения в приповерхностном слое Si-подложки имеют значение порядка (4,2±-1,0)х10'5.

4. На рентгеновских дифрактограммах эпитаксиальных композиций Pbi^EuxSe/CaF2/Si (lll) с 0,06<х<0,16 в районе рефлекса CaF2/Si (111) (при 2в=28,20±-0,05 град) обнаружен дополнительный пик малой интенсивности, связанный с проникновением атомов европия в кристаллическую решётку тонкого буферного слоя CaF2 (2−4 нм) и образованием твёрдого раствора Cai^Eu^.

5. Показано, что метод построения полюсных фигур, применённый к многослойным композициям на основе халькогенидов свинца, является информативным при выявлении эпитаксиального характера роста, определении взаимной ориентации кристаллических решёток слоёв, образующих многослойные системы, для демонстрации В-типа эпитаксии CaF2 и BaF2.

6. Исследование вольтамперных характеристик систем PbTe/CaF2/Si (lll)/Al показало, что буферный диэлектрический слой CaF2 не является препятствием для проведения электрохимической обработки плёнок РЬТе в ячейках вертикального типа в условиях малых У значении плотности тока (0,1−15,0 мА/см).

7. Исследование морфологии плёнок РЬТе, анодированных в четырёх вариантах электролитов, свидетельствует о том, что уменьшение толщины исходной плёнки, изменение её- морфологии имеют место при использовании травителей на основе раствора Норра при плотности тока 3−15 мА/см2 в течение 4−10 мин. Модификация поверхности анодированных плёнок РЬТе заключается в формировании ансамбля микровыступов, плотность которых равна плотности пронизывающих дислокаций плёнок в исходном состоянии.

8. На основании рентгеноструктурных исследований анодированных плёнок РЬТе установлено, что после электрохимического травления в плёнках теллурида свинца не происходит образования новых фаз и изменения кристаллографической ориентации.

9. Для плёнок РЬТе после анодирования в травителях на основе раствора Норра наблюдается стабильное увеличение удельного сопротивления плёнок в 1,4−2,5 раза по.

1 о о сравнению с исходными данными. Для образцов с уровнем легирования порядка 5×10 см" в результате электрохимической обработки обнаруживается увеличение значения их ширины запрещённой зоны от 0,31±0,01 до 0,34±0,01 эВ и уменьшение значения показателя преломления с 6,2±0,1 до 5,5±0,1.

10. На основании анализа структурных, электрофизических и оптических характеристик анодированных плёнок РЬТе выдвинута гипотеза образования пористой структуры эпитаксиальных плёнок РЬТе, при этом максимальное значение пористости составляет 0,49±0,01, а характерный радиус наночастиц равен 13 нм.

11. Определено, что при увеличении величины х в твёрдом растворе Pbi-xEuxSe (х от 0,00 до 0,16) скорость его распыления в аргоновой плазме линейно уменьшается от 18,7 до 14,7 нм/с, причём во всём диапазоне составов данного твёрдого раствора (х=0,0−1,0) линейный закон правила Вегарда для скорости распыления не выполняется.

12. Установлено, что скорости плазменного распыления анодированных плёнок РЬТе достигают чрезвычайно высоких значений (до 50 нм/с), что является следствием формирования пористой структуры при анодировании.

13. На основании комплексных исследований плёнок AIVBVI, подвергнутых электрохимическому травлению, плазменному распылению и комплексной электрохимической/плазменной обработке, предложен модельный ряд, дающий представление о морфологическом изменении плёнок халькогенидов свинца после каждого из видов обработки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.Б. Новый класс фотопроводящих радиационностойких полупроводниковых материалов // СОЖ. 1997. № 4. С. 65−72.
  2. В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники: учеб. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1986. 367 с.
  3. ФреикД.М., ГалущакМ.А., Межиловская Л. И. Физика и технология полупроводниковых плёнок. Львов: Вища шк., 1988. 152 с.
  4. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe и PbS. М.: Наука, 1968. 384 с.
  5. Р. Полупроводники: пер. с англ. М.: Мир, 1982. 560 с.
  6. .А., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Примеси с переменной валентностью в твёрдых растворах на основе теллурида свинца // УФН. 2002. Т. 172. № 8. С. 875−906.
  7. В. А. Исследование фотоэлектрических и кинетических характеристик модифицированных сплавов халькогенидов свинца: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. МГУ, 2001. 16 с.
  8. .А., Брандт Н. Б., Рябова Л. И. Хохлов Д.Р. Новый тип высокочувствительных приёмников излучения терагерцового диапазона // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия. 2005. № 1. С. 59−64.
  9. Ю.И., Немов С. А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным сотояниям индия в РЬТе и твёрдых растворах на его основе // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 1. С. 3−23.
  10. Д.Е., Дёмин В. Н., ИванчикИ.И., Хохлов Д. Р. Неустойчивость DX-подобных примесных центров в PbTe (Ga) при отжиге // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 10. С. 1194−1196.
  11. .А., Богоявленский В. А., Рябова Л. И., Васильков В. Н. Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоёв w-PbTe(Ga) // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 5. С. 524−527.
  12. .А., Колобейникова Е. Н., Рябова Л. И., Тамм М. Е. Влияние Тт на свойства теллурида свинца // ФТП. 1991. Т. 25. Вып 2. С. 342−344.
  13. AigleM., PascherH., KimH., TarhanE., MayurA.J., SciaccaM.D., RamdasA.K., SpringholzG., Bauer G. Optical phonons in РЬ^ЕиДе and PbTe/EuTe superlattices: Berreman effect //Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. P. 35 316−1-35 316−6.
  14. Korczak Z., Subotowicz M. Structural and galvanomagnetic properties of PbixMnxTe single crystals grown by the Bridgman-Stockbarger method // Phys. Stat. Sol. (a). 1983. Vol. 77. P. 497−503.
  15. PascherH., RothleinP., BauerG., vonOrtenbergM. Band structure of diluted magnetic Pbi. xMnxTe: magneto-optical investigations and four-wave-mixing spectroscopy // Phys. Rev. B. 1989−11. Vol. 40. № 15. P. 10 469−10 480.
  16. Braunstein G., Dresselhaus G., Heremans J., PartinD. Magnetic properties of Pbj-xEuxTe grown by molecular-beam-epitaxy // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 35. № 4. P. 1969−1972.
  17. ZiminD. Growth and Properties of Optoelectronic Structures Based on IV-VI Materials: Diss. ETH No. 15 733. Zurich, 2004. 173 p.
  18. YuanS., RrennH., SpringholzG., UetaY., BauerG., McCannP.J. Magnetoreflectivity of Pbi-xEuxTe epilayers and PbTe/PbixEuxTe multiple quantum wells // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55. Issue 7. P. 4607−4619.
  19. Maurice Т., Mahoukou F., Breton G., Charar S., Masri P., Averous M., Bisaro R. Mid infrared optical investigations of Pbi. xEuxSe/BaF2 thin films grown by MBE // Phys. Stat. Sol. (b). 1998. Vol. 209. № 2. P. 523−534.
  20. Partin D.L. Lead salt quantum effect structures // IEEE J. of Quant. Electron. 1988. Vol. 24. Issue 8. P. 1716−1726.
  21. Zogg H., Arnold M., Felder F., Rahim M., Ebneter C., Zasavitskiy I., Quack N., Blunier S., Dual J. Epitaxial lead chalcogenides on Si for mid-IR detectors and emitters including cavities // J. of Electron. Mater. 2008. Vol. 37. Issue 9. P. 1497−1503.
  22. ZhuT.J., LiuY.Q., ZhaoX.B. Synthesis of PbTe thermoelectric materials by alkaline reducing chemical routes // Mater. Res. Bulletin. 2008. Vol. 43. P. 2850−2854.
  23. Banga D.O., Vaidyanathan R., Xuehai L., Stickney J.L., Cox S., Happeck U. Formation of PbTe nanofilms by electrochemical atomic layer deposition (ALD) / Electrochimica Acta. 2008. Vol. 53. P 6988−6994.
  24. И.Р., Фарзалиев С. С., Садыгов P.M. Рост эпитаксиальных плёнок PbixMnxTe(Ga) на монокристаллах PbTeixSex // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 2. С. 110−112.
  25. К., Дапкус Л., Лидейкис Т., Петрайтене А., Шимкене И. Упругие напряжения и пластическая деформация в эпитаксиальных гетероструктурах PbixSnxTe-KCl // Кристаллография. 1985. Т. 30. Вып. 6. С. 1172−1176.
  26. Zogg H., Fach A., Maissen C., Masek J., Blunier S. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays // Opt. Engin. 1994. Vol. 33(5). P. 1440−1449.
  27. Logothetis E.M., Holloway H., Varga A.J., Wilkes E. Infrared detection by Shottky barriers in epitaxial PbTe //Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 21. P. 318−320.
  28. Holloway H. Thin film IV-VI semiconductor photodiodes / in Physics of Thin Films. New York: Academic Press, 1980. Vol. 11. P. 105−203.
  29. ZoggH., Maissen C., MaserJ., Hoshino Т., Blunier S., Tiwari A.N. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon // Semicond. Sci. Technol. 1991. № 6. P. 36−41.
  30. Я.А., Самойлов A.M., Сыноров Ю. В., Яценко О. Б., Зуев Д. В. Получение тонких плёнок теллурида свинца на кремниевых подложках // Неорганические материалы. 1994. Т. 30. № 7. С. 898−902.
  31. Zogg Н. Strain relief in epitaxial fluoride buffer layer for semiconductor heteroepitaxy // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 49. № 15. P. 933−935.
  32. Boschetti C., AbramofE., Rappl P.H.O., Bandeira I.N., MotisukeP., HayashiM.A., Cardoso L.P. Characterization of PbTe epitaxial layers grown on BaF2/CaF2/Si structures // Braz. J. of Phys. 1996. Vol. 26. № 1. P. 406−409.
  33. Molecular beam epitaxy. URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Molecularbeamepitaxy (дата обращения: 14.04.2006).
  34. Fang X.M., McCann P.J., Liu W.K. Growth studies of CaF2 and BaF2/CaF2 on (100) silicon using RHEED and SEM // Thin Solid Films. 1996. Vol. 272. P. 87−92.
  35. Belenchuk A., Shapoval O., Kantser V., Fedorov A., Schunk P., Schimmel Th., DashevskyZ. Growth of (lll)-oriented PbTe thin films on vicinal Si (111) and Si (100) using fluoride buffers // J. of Crys. Growth. 1999. Vol. 198/199. P. 1216−1221.
  36. KlustA., BierkandtM., Wollschlager J., MilllerB., Schmidt Th., FaltaJ. Low-temperature interface structure of CaF2/Si (lll) studies by combining x-ray standing waves with component-resolved photoemission // Phys. Rev. B. Vol. 65. P. 193 404−1-193 404−4.
  37. Tromp R.M., Reuter M.C. Structure of the Si (11 l)-CaF2 interface // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. № 15. P. 1756−1759.
  38. Zegenhagen J., PatelJ.R. CaF2/Si heteroepitaxy: importance of stoichiometry, interface bonding, and lattice mismatch // Phys. Rev. B. 1990−1. Vol. 41. № 8. P. 5315−5318.
  39. Mtiller P., Fach A., John J., Tiwari A.N., Zogg H., Kostorz G. Structure of epitaxial PbSe grown on Si (111) and Si (100) without a fluoride buffer layer // J. of Appl. Phys. 1996. Vol. 79(4). P. 1911−1916.
  40. Breton G., NouaouraM., GautierC., CambonM., Masri P., Charar S., Averous M., Touhari F., Ribes V.D. Study of the first stage of PbSe growth on Se-terminated CaF2 surface // Appl. Surf. Sci. 1998. Vol. 123/124. P. 82−86.
  41. Breton G., Nouaoura M., Gautier C., Cambon M., Charar S., Averous M., Ribes V. Anniling under vacuum and Se flux of CaF2 molecular beam epitaxy surfaces prior to PbSe/CaF2/Si growth // Surf. Sci. 1998. Vol. 406. P. 63−68.
  42. McCann P.J., FangX.M., LiuW.K., Strecker B.N., Santos M.B. MBE growth of PbSe/CaF2/Si (111) heterostructures // J. of Crys. Growth. 1997. Vol. 175/176. P. 1057−1062.
  43. Yakovtseva V., Vorozov N., Dolgyi L., Levchenko V., Postnova L., Balucani M., Bondarenko V., Lamedica G., Ferrara V., Ferrari A. Porous silicon: a buffer layer for PbS heteroepitaxy//Phys. Stat. Sol. (a). 2000. Vol. 182. P. 195−199.
  44. .И., Асеев A.JT., Гапонов C.B., Копьев П. С., Панов В. И., Полторацкий Э. А., Сибельдин Н. Н., Сурис Р. А. Наноматериалы и нанотехнологии // МСТ. 2003. № 8. С. 3−13.
  45. Rogach A.L., Eychmuller A., Hickey S.G., Kershaw S.V. Infrared-emitting colloidal nanocrystals: synthesis, assembly, spectroscopy, and applications // Small. 2007. Vol. 3. № 4. P. 536−557.
  46. Chakraborty I., Moulik S.P. Preparation and characterization of PbS nanoparticles in AOT micellar medium // J. of Nanopart. Res. 2004. Vol. 6. P. 233−240.
  47. Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. А.М.Прохоров- Ред. кол. Д. М. Алексеев, А.М.Бонч-Бруевич, А.С.Боровик-Романов и др. М.: Сов. энциклопедия, 1984. 944 с.
  48. TuduryG.E., Marquezini M.V., Ferreira L.G., BarbosaL.C., Cesar C.L. Effect of band anisotropy on electronic structure of PbS, PbSe, and PbTe quantum dots // Phys. Rev. B. 2000−1. Vol. 62. № 11. P. 7357−7364.
  49. Wise F.W. Lead salt quantum dots: the limit of strong quantum confinement // Acc. Chem. Res. 2000. Vol. 33. P. 773−780.
  50. СуздалевИ.П. Нанокластеры и нанокластерные системы // Вести. РФФИ. 1999. № 1(15). С. 24−31.
  51. Turyanska L., Patane A., Henini М., Hennequin В., Thomas N.R. Temperature dependence of the photoluminescence emission from thiol-capped PbS quantum dots // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 101 913−1-101 913−3.
  52. Bakueva L., Gorelikov I., Musikhin S., Zhao X.S., Sargent E.H., Kumacheva E. PbS quantum dots with stable efficient luminescence in the near-IR spectral range // Adv. Mater. 2004. Vol. 16. № 11. P. 926−929.
  53. Л.И., Богомолов B.H., Картенко Н. Ф., Курдюков Д. А., Попов В. В., Прокофьев А. В., Смирнов И. А., Шаренкова Н. В. Теплопроводность нового типа сред -нанокомпозитов с правильной структурой: PbSe в порах опала // ФТТ. 1997. Т. 39. № 3. С. 586−590.
  54. Okuno Т., Lipovskii А.А., Ogawa Т., Amagai I., Masumoto Y. Strong confinement of PbSe and PbS quantum dots // J. of Luminesc. 2000. Vol. 87−89. P. 491−493.
  55. Baolong Y., Congshan Z., Haining X., Hangbing C., Fuxi G. Optical non-linearities of PbSe microcrystallites doped in glass // J. of Mater. Sci. Lett. 1997. Vol. 16. P. 2001−2004.
  56. Craievich A.F., Kellermann G., Barbosa L.C., Alves O.L. Structure characterization and mechanism of growth of PbTe nanocrystals embedded in a silicate glass // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 89. № 23. P. 235 503−1-235 503−4.
  57. Alchalabi K., Zimin D., Kostorz G., Zogg H. Self-assembled semiconductor quantum dots with nearly uniform sizes // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 90. № 2. P. 26 104−1-26 104−4.
  58. ZoggH., Maissen C., Masek J., Blunier S., LabrechtA., TackeM. Epitaxial lead chalcogenide IR sensors on Si for 3−5 and 8−12 jim // Semicond. Sci. Technol. 1990. Vol.5. P. S49-S52.
  59. Zogg H., Fach A., John J., Masek J., Mtiller P., Paglino C., Blunier S. Photovoltaic IV-VI on Si infrared sensor arrays for thermal imaging // Opt. Engin. 1995. Vol. 34(7). P. 1964−1969.
  60. Springholz G., Holzinger A., Krenn H., Clemens H., Bauer G., Bottner H., Norton P., Maier M. Interdiffusion in PbixEuxSe/PbSe multi-quatum well structures // J. of Crys. Growth. 1991. Vol. 113. P. 593−598.
  61. М.В., Ковш А. Р., Леденцов Н. Н. Современные полупроводниковые лазеры на квантовых точках // Петербургский журнал электроники. 2003. № 4. С. 3−13.
  62. Khodr M.F., McCann P.J., Mason В.А. Optimizing and engineering EuSe-PbSeo, 78Teo, 22-EuSe multiple-quantum-well laser structures // IEEE J. of Quant. Electron. 1998. Vol. 34. № 9. P. 1604−1611.
  63. Springholz G., Schwarzl Т., Heiss W., Bauer G., Aigle M., Pascher H., Vavra I. Midinfrared surface-emitting PbSe/PbEuTe quantum-dot lasers // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol.79. № 9. P. 1225−1227
  64. McCann P.J., Selivanov Yu. IV-VI semiconductor mid-IR lasers // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2006. Vol. 891. P. 0891-EE01−05.1−0891-EE01−05.12.
  65. Методы получения и свойства нанообъектов: учеб. пособие / Под ред. Н. И. Минько, В. В. Строкова, И. В. Жерновский, В. М. Нарцев. М.: Флинта: Наука, 2009. 168 с.
  66. ОураК., ЛифшицВ.Г., СаранинА.А., Зотов А. В., КатаямаМ. Введение в физику поверхности / Отв. ред. В. И. Сергиенко. М.: Наука, 2006. 490 с.
  67. А.А. Химия поверхности и нанотехнология: взаимосвязь и перспективы // СОЖ. 2004. Т. 8. № 1. С. 32−37.
  68. С.П. Пористый кремний материал с новыми свойствами // СОЖ. 2004. Т. 8. № 1.С. 101−107.
  69. Schoisswohl М., Cantin J.L., Chamarro М., von Bardeleben H.J., Morgenstern Т., Bugiel E., Kissinger W., Andreu R.C. Defects and visible photoluminescence in porous Si|-xGex // Thin Solid Films. 1996. Vol. 276. P. 92−95.
  70. Л.П., Мынбаева М. Г., Мынбаев К. Д. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом карбиде кремния // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 9. С. 1118−1120.
  71. Н.С., Казакова Л. П., Лебедев Э. А., РудьЮ.В., Смирнов А. Н., Смирнова Н. Н. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 6. С. 757−761.
  72. В.В., Дравин В. А., Мельник Н. Н., Заварицкая Т. В., Лойко Н. Н., Караванский В. А., Константинова Е. А., Тимошенко В. Ю. Ионная имплантация пористого фосфида галлия // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 8. С. 990−994.
  73. А.А., Лебедев А. А., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В. Создание и фоточувствительность гетероструктур на основе анодизированного карбида кремния // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 3. С. 326−328.
  74. В.П., Конников С. Г. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах AXIIBV (Часть I) // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 7. С. 854−866.
  75. А.И., Белогорохова Л. И., Хохлов Д. Р., Лемешко С. В. Смешанные оптические моды колебаний в нанокристаллитах РЬТе // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 6. С. 701−708.
  76. NorrM.K. An electrolytic polish and etch for lead telluride // J. Electrochem. Soc. 1962. Vol. 109. P. 433−434.
  77. Norr M.K. A chemical polish for tin telluride // J. Electrochem. Soc. 1966. Vol. 113. № 6. P. 621.
  78. А.И., Юдин B.B. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: учеб. пособие. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1979. 367 с.
  79. К., Фрейзер Д., Фичтнер У., Паррильо Л., Маркус Р., Сейдел К., Бертрем У. Технология СБИС: пер. с англ. / Под ред. С.Зи. В 2-х кн. Кн. 2. М.: Мир, 1986. 453 с.
  80. Scanning electron microscope laboratory. Capabilities of the instrument. URL: http://epmalab.uoregon.edu/UCBSEM (дата обращения: 30.08.2007).
  81. Simons D. Microbeam mass spectrometry at NIST. Secondary ion mass spectrometry. URL: http://www.cstl.nist.gov/div837/Division/expertise/ions/massspecl.htm (дата обращения: 01.12.2008).
  82. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып. 3: Характеристики распыленных частиц, применение в технике: пер. с англ. / Под ред. Р. Бериша и К.Виттмака. М.: Мир, 1998. 551 с.
  83. Surface and depth profiling analysis at CSMA. URL: http://www.csma.ltd.uk/applicationnotes/depthprofiling.pdf (дата обращения: 04.11.2008).
  84. NT-MDT: Integrated solutions for NanoTechnology. URL: http://www.ntmdt.eom/products/SMENA/3.html (дата обращения: 11.08.2007).
  85. Fibics incorporated. Introduction: Focused ion beam systems. URL: http://www.fibics.com/FIBBasics.html (дата обращения: 20.08.2007).
  86. Frabboni S., Gazzadi G.C. Focused ion beam (FIB): Principles of operation. URL: http://www.s3.infm.it/fib.html (дата обращения: 23.08.2007).
  87. National center of CNR-INFM. Nanostructures and biosystems at surfaces. URL: http://www2.s3.infm.it (дата обращения: 23.08.2007).
  88. Е.Ф., Руфанов Ю. Г., Федорченко И. Н. Кристаллография, минералогия, петрография и рентгенография: учеб. пособие. М.: Металлургия, 1990. 262 с.
  89. В.А. Рентгеновская дифрактометрия: учеб. пособие / Отв. ред. В. А. Лиопо, В. В. Война. Гродно: ГрГУ, 2003. 171 с.
  90. ОрмонтБ.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников: учеб. пособие / Под ред. В. М. Глазова. 3-е изд., испр. и доп. М.: Высш. шк., 1982. 528 с.
  91. С.С., Скаков Ю. А., Расторгуев Л. Н. Рентгенографический и электронно-оптический анализ.: учеб. пособие. М.: МИСИС, 2002, 360 с.
  92. Я.С., Скаков Ю. В., Иванов А. Н., Расторгуев Л. Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с.
  93. В.Т., Дубровина А. Н. Сборник задач и упражнений по курсу «Методы исследования структуры»: учеб. пособие. М.: Высш. шк., 1988. 192 с.
  94. ZoggH., MaissenC., BlunierS., Teodoropol S., Overney R.M., Richmond Т., TommJ.W. Thermal-mismatch strain relaxation mechanisms in heteroepitaxial lead chalcogenide layers on Si substrates // Semicond. Sci. and Technol. 1993. Vol. 8(1S). P. S337-S341.
  95. CoIellaR., MerliniA. A study of the (222) «forbidden» reflection in germanium and silicon//Physica Status Solidi (b). 1966. Vol. 18. Issue 1. P. 157−166.
  96. SpringholzG., HoizingerA., KrennH., Clemens H., Bauer G., BottnerH., Norton P., Maier M. Interdiffiision in PbiJEu^Se/PbSe multi-quantum-well structures // J. of Crys. Growth. 1991. Vol. 113. P. 593−598.
  97. SharmaP.C. Composition dependent structural properties of Pbi-xEuxSe thin films // Thin Solid Films. 1999. Vol. 355−356. P. 12−16.
  98. Wu H.Z., Fang X.M., SalasR. Jr., McAlisterD., McCannP.J. Transfer of PbSe/PbEuSe epilayers grown by MBE on BaF2-coated Si (111) // Thin Solid Films. 1999. Vol. 352. P. 278−282.
  99. Kim J.-Ho, LeeY., Homes C.C., RhyeeJ.-S., ChoB.K., OhS.-J., Choi E.J. Optical spectroscopy study of the electronic structure of Еи^Са^Вб // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. P. 7 5105(l)-7 5105(4).
  100. MalettaH., HeidrichW., Mossbauer R.L. Dependence of concentration of the isomer shift of divalent 151Eu in CaF2 // Phys. Lett. 1967. Vol. 25A. № 4. P. 295−296.
  101. Pelzl J. Concentration dependence of the zero phonon line in CaF2: Eu // Phys. Stat. Sol. (a). 1971. № 8. P. 161−165.
  102. Sokolov N.S., Kaveev A.K., Krupin A.V., Tyaginov S.E., Vexler M.I., Ikeda S., Tsutsui K., Saiki K. High insulating quality CaF2 pseudomorphic films on Si (111) // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. Issue 14. P. 14 2909(1)-14 2909(3).
  103. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. Т. 1. М.: Мир, 1984. 455 с.
  104. Ю.Н., Гусев С. А., Дроздов Ю. Н., МурельА.В. Пористый арсенид галлия с кластерами мышьяка// ЖТФ. 2000. Т. 70. № 5. С. 128−129.
  105. JI.A. Пористый кремний. Получение, свойства, возможное применение // Материаловедение. 1998. Вып. 1. С. 50−56.
  106. JI.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: учеб. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1987. 240 с.
  107. Ю.Н., Гусев С. А., Дроздов Ю. Н., Красильник З. Ф., Мурель А. В., Ревин Д. Г., ШашкинВ.И., ШулешоваИ.Ю. Пористый арсенид галлия // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1996. Вып. 5. С. 40−44.
  108. Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990.264 с.
  109. Wang Y., Suna A., Mahler W., Kasovski R. PbS in polymers. From molecules to bulk solids //J. Chem. Phys. 1987. Vol. 84. № 12. P. 7315−7322.
  110. С.П., Горлачев E.C., АмировИ.И., ГеркеМ.Н. Формирование микро- и наноструктур на поверхности эпитаксиальных плёнок А4В6 при обработке в аргоновой плазме // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. № 3. С. 200−212.
  111. СангвалК. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение: пер. с англ. М.: Мир, 1990. 492 с.
  112. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твёрдых тел: сб. статей 1986−1987 гг.: пер. с англ. / Сост. Е. С. Машкова. М.: Мир, 1989. 349 с.
  113. Е.С. Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. ЯрГУ, 2008. 16 с.
  114. В.А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / Под ред. Г. Д. Кузнецова. М: МИСИС, 2001. 48 с.
  115. SchwarzlT., HeissW., Kocher-Oberlehner G., SpringholzG. CH4/H2 plasma etching of IV-VI semiconductor nanostructures // Semicond. Sci. Technol. 1999. Vol. 14. № 2. P. L11-L14.
  116. SigmundP. Theory of sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets // Phys. Rev. 1969. Vol. 184. Issue 2. P. 383−416.
  117. Falcone G., OlivaA. Sputtering of multicomponent materials. Numerical solution of the balance equation // Appl. Phys. A. 1984. Vol. 33. P. 175−178.
  118. B.A., Дымашевский П. М. Регресионная модель каскада смещённых атомов при ионном распылении твёрдого тела // ЖТФ. 2001. Т. 71. № 11. С. 1−5.
  119. Распыление твёрдых тел ионной бомбардировкой: Физ. распыление одноэлементных твёрдых тел: пер. с англ. / Под ред. Р.Бериша. М.: Мир, 1984. 336 с.
  120. Seah М.Р., Clifford С.А., Green F.M., Gilmore I.S. An accurate semi-empirical equation for sputtering yields I: for argon ions // Surf. Interface Anal. 2005. Vol. 37. P. 444−458.
  121. Oxford plasma technology. Sputter rates. URL: http://www.oxford-instruments.com (дата обращения: 14.05.2009).
  122. Sankaran A., KushnerM.J. Etching of porous and solid Si02 in Ar/c-C4F8, O2/C-C4F8 and Ar/02/c-C4F8 plasmas // J. of Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 23 307−1-23 307−10.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!