Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Низко-и инфранизкочастотные диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца

Диссертация: Низко-и инфранизкочастотные диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что для исследуемых образцов характерна низкочастотная релаксации поляризации и переполяризации. Были построены зависимости ln (vT) =Д 1/Т), с помощью которых определены величины основных параметров релаксационных процессов (энергии активации и предэкспоненциального множителя). Предполагается, что во всей области температур в образцах № 0, 5, 10 и 30 имеет место релаксация доменных… Читать ещё >

Содержание

  • Введение. Актуальность проблемы
  • Глава 1. Физические свойства тонких пленок цирконататитаната свинца (литературный обзор)
    • 1. 1. Общие представления о тонкопленочных сегнетоэлектриках
    • 1. 2. Твердый раствор цирконата-титаната свинца и его основные свойства
    • 1. 3. Тонкие пленки ЦТС. Изготовление пленок ЦТС золь-гель методом
    • 1. 4. Исследования свойств тонких пленок ЦТС
      • 1. 4. 1. Особенности структуры тонких пленок ЦТС
      • 1. 4. 2. Переключение поляризации
      • 1. 4. 3. Коэрцитивные поля в тонких пленках
      • 1. 4. 4. Вклад движения доменных границ в свойства сегнетоэлектрика. Взаимодействие дефектов с доменными границами
      • 1. 4. 5. Старение и усталость
      • 1. 4. 6. Процессы релаксации в тонких сегнетоэлектрических пенках
      • 1. 4. 7. Токи утечки
      • 1. 4. 8. Влияние избыточного содержания свинца на свойства пленок ЦТС
      • 1. 4. 9. Выводы
  • Глава 2. Измерительная аппаратура. Методика диэлектрических измерений и обработки полученных результатов. Изготовление образцов
    • 2. 1. Измерение комплексной диэлектрической проницаемости в слабых и сверхслабых полях. Мостовой метод
      • 2. 1. 1. Измерительная установка
      • 2. 1. 2. Методика измерений частотно-температурных ?*(v, T) и реверсивных s*(E=) зависимостей комплексной диэлектрической проницаемости на установке мостового типа
    • 2. 2. Измерение диэлектрических характеристик переключения в слабых, средних и сильных электрических полях. Измерение петель поляризации
      • 2. 2. 1. Установка для измерения петель поляризации
      • 2. 2. 2. Методика компьютерной обработки петель поляризации
      • 2. 2. 3. Эффективное коэрцитивное поле как характеристика процесса переполяризации (переключения) тонких пленок
      • 2. 2. 4. Методика наблюдения частотной, температурной и амплитудной эволюции петель поляризации и их обработка для получения соответствующих физических характеристик
    • 2. 3. Краткое описание образцов
  • Глава 3. Диэлектрические свойства образцов № 0 и № 5 на низких и инфранизких частотах в широком интервале температур, полей и частот (экспериментальные результаты и анализ)
    • 3. 1. Результаты исследований НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств образца № 0
      • 3. 1. 1. Результаты мостовых исследований
      • 3. 1. 2. Изучение релаксационной природы отклика образца № О с помощью анализа петель поляризации
      • 3. 1. 3. Особенности амплитудных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости в’Эфф
      • 3. 1. 4. Характер поведения коэффициента смещения Ке при вариации внешних параметров
      • 3. 1. 5. Частотные и температурные зависимости эффективного коэрцитивного поля
      • 3. 1. 6. Разделение вкладов механизмов движения доменных границ в в’эфф и б"эфф
    • 3. 2. Результаты исследований НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств образца № 5
      • 3. 2. 1. Изучение релаксационной природы отклика образца № с помощью анализа петель поляризации
      • 3. 2. 2. Особенности амплитудных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости б’Эфф
      • 3. 2. 3. Характер поведения коэффициента смещения КЕ при вариации внешних параметров
      • 3. 2. 4. Частотные и температурные зависимости эффективного коэрцитивного поля
      • 3. 2. 5. Разделение вкладов механизмов движения доменных границ в в’эфф и б"Эфф
    • 3. 3. Выводы
  • Глава 4. Диэлектрические свойства образцов № 10 и № 30 на низких и инфранизких частотах в широком интервале температур, полей и частот (экспериментальные результаты И анализ)
    • 4. 1. Результаты исследований НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств образца № 1
      • 4. 1. 1. Результаты мостовых исследований
      • 4. 1. 2. Изучение релаксационной природы отклика образца 10 с помощью анализа петель поляризации
      • 4. 1. 3. Особенности амплитудных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости е’Эфф
      • 4. 1. 4. Характер поведения коэффициента смещения КЕ при вариации внешних параметров
      • 4. 1. 5. Частотные и температурные зависимости эффективного коэрцитивного поля
      • 4. 1. 6. Разделение вкладов механизмов движения доменных границ в в’эфф и 8"эфф
    • 4. 2. Результаты исследований НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств образца № 3
      • 4. 2. 1. Изучение релаксационной природы отклика образца 30 с помощью анализа петель поляризации
      • 4. 2. 2. Особенности амплитудных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости е’Эфф
      • 4. 2. 3. Характер поведения коэффициента смещения КЕ при вариации внешних параметров
      • 4. 2. 4. Разделение вкладов механизмов движения доменных границ в в’эфф и 8"эфф
    • 4. 3. Выводы
  • Глава 5. Диэлектрические свойства образца № 50 на низких и инфранизких частотах в широком интервале температур, полей и частот (экспериментальные результаты и анализ)
    • 5. 1. Исследование релаксационных особенностей диэлектрического отклика образца № 50 мостовым методом
    • 5. 2. Исследование НЧ-ИНЧ диэлектрических свойств образца № 50 с помощью установки Сойера-Тауэра (измерение ПП)
    • 5. 3. Выводы

Низко-и инфранизкочастотные диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. Физика сегнетоэлектриков и родственных материалов в настоящее время является одним из ведущих разделов физики конденсированного состояния. Современное состояние исследований в области сегнетоэлектриков предоставляет широкие возможности для применения этих материалов в различных электронных и электромеханических устройствах. Особый интерес в последнее десятилетие вызывают тонкие сегнетоэлектрические пленки, которые являются удобными объектами, как для технических применений, так и для изучения эффектов, обусловленных толщиной материала и размерами кристаллитов (зерен), а также связи физических свойств с дефектами структуры. В частности использование сегнетоэлектрических пленок обеспечивает микроминиатюризацию, малую энергоемкость, высокую чувствительность и быстродействие устройств на их основе [1,2]. Одной из основных причин исследований тонких сегнетоэлектрических пленок является возможность их использования в качестве энергонезависимых элементов компьютерной памяти [3]. Перспективно также применение тонкопленочных сегнетоэлектриков в качестве высокочувствительных приемников ИК излучения, пьезопреобразователей, элементов акустои оптоэлектронных устройств [3].

Одним из наиболее практически перспективных и широко исследуемых в настоящее время сегнетоэлектрических материалов является твердый раствор цирконата-титаната свинца Pb (Zrt, TiiA.)03 (PZT или ЦТС). Благодаря своим превосходным сегнето (пьезо)электрическим, электрическим и оптическим свойствам он широко используется в различных формах, таких как тонкие пленки, волокна и керамики. Особый интерес вызывают составы близкие к так называемой морфотропной фазовой границе (х ~ 0.52 — 0.55), которые имеют ярко вьфаженные максимумы диэлектрических и пьезоэлектрических эффектов.

Тонкие сегнетоэлектрические пленки ЦТС изготавливаются различными методами, такими как золь-гель технология, лазерная абляция, химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений и высокочастотное напыление [3,4].

В последнее время большое внимание уделяется золь-гель методу. В основе метода лежат реакции гидролиза и поликонденсации металлоорганических соединений, главным образом алкоголятов металлов, ведущие к образованию металл-кислородного каркаса, постепенное разветвление которого вызывает последовательные структурные изменения по схеме: раствор-золь-гель-оксид. Такая технология изготовления тонких пленок обладает рядом преимуществ, среди которых можно выделить (1) превосходный контроль стехиометрии состава, (2) высокую однородность пленок, (3) большую площадь покрытия, (4) относительно низкую температуру образования оксидов и (5) низкую стоимость [4].

Несмотря на большое количество научно-исследовательских работ, посвященных тонким сегнетоэлектрическим пленкам, остается целый ряд проблем практического использования пленок вследствие недостаточно полного понимания физических процессов, происходящих в них под воздействием внешних факторов. Также недостаточно изучено влияние несовершенств структуры материала, включая нестехиометрию состава, на электрические и диэлектрические свойства пленок.

Важным является выяснение того, как влияют размерные эффекты на физические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок. При этом необходимо рассматривать не только зависимость физических свойств от толщины пленки, но и взаимодействие пленки с примыкающими к ней электродными интерфейсами. Немаловажную роль здесь играет и подложка пленки, которая может существенным образом контролировать отклик пленочной структуры.

Одним из малоизученных моментов является вопрос наличия или отсутствия доменного вклада в макроскопические физические свойства сегнетоэлектрических пленок. Различные исследователи в своих публикациях приводят порой совершенно противоречивые результаты касательно этого вопроса. Некоторые из них считают, что движение доменных границ вносит лишь незначительный вклад в диэлектрические свойства тонких сегнетоэлектрических пленок. Другие полагают, что этот вклад является преимущественным. Поэтому вопрос о доменном вкладе продолжает оставаться открытым и требует дополнительных исследований.

Во многих работах по исследованию диэлектрических свойств тонких сегнетоэлектрических пленок указывается на то, что петли поляризации таких материалов обладают униполярностью и смещены вдоль оси полей. Для объяснения данных особенностей используются различные физические и физико-химические модели. Однако на данный момент не существует единой интерпретации такого поведения, которая удовлетворяла бы всех исследователей, что подчеркивает необходимость дальнейшего изучения причин появления униполярности и смещения петель поляризации. Это усугубляется еще и тем, что при конструировании реальных приборов на основе тонких сегнетоэлектрических пленок надо точно знать причину появления униполярности свойств материала, уметь ею управлять, и в некоторых случаях полностью устранять.

Обычно для исследования переключательных характеристик сегнетоэлектрических пленок с помощью петель поляризации (ПП) используются «стандартные» частоты измерительного поля (50−60 Гц и 1 кГц). При практических применениях тонких пленок для их переключения используются электрические поля (обычно в виде П-импульсов) частотой до сотен МГц.

Р> последние годы интерес ряда исследователей проявляется к изучению подобных характеристик, полученных на низких (НЧ) и инфранизких (ИНЧ) частотах. Кроме того, обращается внимание на особенности диэлектрического отклика в сравнительно слабых полях, имеющие явно выраженную релаксационную природу. При этом учитывается, что пленки — очень дефектные материалы, а наиболее адекватным методом изучения влияния дефектов на диэлектрический отклик сегнетоэлектрических материалов является именно НЧ-ИНЧ диэлектрическая спектроскопия. Кроме того, на ИНЧ переполяризацией охватывается наибольший объем исследуемого материала, выключающийся из процесса переключения по мере роста частоты измерительного поля. Это дает возможность прогнозировать характер отклика пленочного образца на различных предполагаемых рабочих частотах.

Тематика диссертационной работы соответствует «Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН, а работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики Волгоградской государственной архитектурно-строительной академии по гранту Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 02−02−16 232 по теме «Особенности процессов низкои инфранизкочастотной поляризации и переполяризации сегнетоэлектрических пленок в связи с их дефектной структурой») и грантам конкурсного центра Минобразования России (проект № Е02−3.4−424 по теме «Исследование физической природы различных эффектов последействия в сегнетоэлектрических и родственных материалах» и проект НИР: 202.03.02.044 по теме «Роль доменных и фазовых границ в проявлении макроскопических физических свойств многокомпонентных сегнетопьезокерамик»).

Цель работы заключалась в развитии и углублении представлений о различных механизмах поляризации и переполяризации тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца методами низко-инфранизкочастотной спектроскопии в широких интервалах температур. частот и амплитуд измерительного поля. В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1. Измерение ряда поляризационных и переполяризационных характеристик тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца на основе мостового метода и исследования петель поляризации в широком интервале полей (от 0.05 кВ/см до 250 кВ/см), частот (от 0.1 Гц до 10 кГц) и температур (от температуры кипения азота до 373 К).

2. Исследование процессов диэлектрической релаксации в тонких пленках ЦТС, имеющих некоторую вариацию свинца в составе, в том же диапазоне амплитуд, частот и температур.

3. Выяснение характера асимметрии и смещения петель поляризации пленок ЦТС.

4. Изучение поведения эффективного коэрцитивного поля пленок ЦТС с целью выяснения основных особенностей их переполяризации.

5. Определение соотношения вкладов релаксационного и гистерезисного механизмов движения доменных границ в диэлектрические свойства тонких пленок ЦТС в широком интервале температур, полей и частот. Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые: Методом НЧ-ИНЧ диэлектрической спектроскопии изучены зависимости параметров поляризации и переполяризации тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца, изготовленных из пленкообразующих растворов с различным избыточным содержанием свинца у (у = 0, 5, 10, 30, 50 мол. %), в широком интервале полей (от 0.05 кВ/см до 250 кВ/см), частот (от 0.1 Гц до 10 кГц) и температур (от температуры кипения азота до 373 К). Выявлены и подробно исследованы процессы низкочастотной диэлектрической релаксации в тонких пленках ЦТС, содержащих различный избыток свинца в составе. Определены энергии активации данных процессов. Рассмотрены зависимости частоты релаксации поляризации (переполяризации) от амплитуды измерительного поля. Предложены механизмы, отвечающие за появление и характер релаксации в исследуемых пленках. о Предложен оценочный параметр, характеризующий процесс переключения тонких пленок, названный «эффективным коэрцитивным полем». Определены особенности его поведения для пленок ЦТС при изменении частоты измерительного поля и температуры, о Обнаружено, что в области слабых и средних полей (от 0.05 кВ/см до ~150кВ/см) переполяризация исследуемых тонких пленок ЦТС соответствует релеевскому типу. Для всех образцов определены параметры Релея, а также характер их изменения при вариации температуры и частоты измерительного поля. о На основе обработки петель поляризации (по методике [5]) проведено количественное разделение механизмов движения доменных границ в тонких сегнетоэлектрических пленках ЦТС в широком интервале температур, полей и частот и выявлена эволюция этих механизмов с изменением температуры образцов и величин амплитуды и/или частоты переполяризующего поля.

Практическая значимость. Новые результаты и установленные закономерности процессов поляризации, переполяризации и релаксации в тонких сегнетоэлектрических пленках ЦТС под воздействием внешних факторов, представленные в диссертационной работе, позволяют значительно пополнить имеющуюся информацию о характерных особенностях переключения двумерных сегнетоэлектриков, что будет полезно как для разработчиков технических применений на основе тонких пленок, так и для проверки существующих и разработки новых теоретических представлений об особенностях протекания процессов переполяризаиии в тонкопленочных сегнетоэлектриках.

В качестве объектов исследований выбраны тонкие сегнетоэлектрические пленки цирконата-титаната свинца, полученные золь-гель методом из пленкообразующих растворов с различным избыточным содержанием свинца у {у = 0, 5, 10, 30, 50 мол. %). Данные пленки были получены из МИРЭА и изготовлены при участии А. С. Сигова и К. А. Воротилова. Работы по разработке процессов их формирования проводились в кооперации с НИФХИ им. Л. Я. Карпова (М.И. Яновская), МГУ (Е.П. Туревская), НИПИМ (Е.П. Ковсман, Л.И. Соловьева), НИИ МЭ и заводом «Микрон» (А.С. Валеев). Состав пленок был выбран из области морфотропной фазовой границы (МФГ) с отношением Zr/Ti = 0.53/0.47 (Pb (Zr0,53Ti0j47)O3). Толщина пленок составляла 0.2 мкм. В качестве подложек были использованы кремниевые пластины, которые подвергались термическому окислению для формирования слоя Si02, затем наносился слой Ti, необходимый для повышения адгезии следующего за ним слоя Pt. При измерениях платиновый слой был использован в качестве нижнего (общего) электрода. Верхние электроды (контактные площадки) площадью л.

0.03 мм были изготовлены из никеля (Ni). Фрагмент готовой структуры пленка/подложка помещался в корпус интегральной схемы (ИС), после чего методом термокомпрессии контактные площадки соединялись с выводами ИС. Данные образцы имеют важное практическое значение. Они представляют большой интерес, как с точки зрения фундаментальных исследований, так и в связи с перспективностью применения их в технике.

Положения, выносимые на защиту;

1. При поляризации и переполяризации тонких сегнетоэлектрических пленок в низкои инфранизкочастотных синусоидальных электрических полях существенный вклад в переполяризационные характеристики дают обратимое (упругое и релаксационное) и необратимое (релаксационное и гистерезисное) движение доменных границ. При этом существенная роль при гистерезисном переключении принадлежит релеевскому механизму.

2. Для диэлектрических характеристик тонких золь-гель пленок типа Ni/PZT/Pt, имеющих различное избыточное содержание свинца в исходном пленкообразующем растворе, характерна низкои инфранизкочастотная релаксация поляризации и переполяризации, обусловленная взаимодействием доменных границ с точечными дефектами или, вообще говоря, с некомпенсированными зарядами в объеме образца.

3. При высоких частотах, превышающих наиболее вероятные частоты релаксации переполяризации, можно ожидать практически безынерционное (гистерезисное) переключение тонких золь-гель пленок в электрических полях, не превышающих 250 кВ/см (5 В).

4. Обнаружено, что при определенных условиях диэлектрический отклик исследуемых тонких пленок подобен отклику в цепи с «отрицательными потерями», когда в одном из полупериодов осуществляется возврат электрической энергии в цепь («рекуперация»). Апробация результатов работы. Основные результаты, изложенные в диссертационной работе, докладывались на: Юбилейной научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, посвященной 70-летию строительного образования в Волгоградской области (Волгоград, 2000 г.) — Пятой европейской конференции по применению полярных диэлектриков (Юрмала, Латвия, 2000 г.) — Третьем международном симпозиуме по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 2000 г.) — Девятой международной конференции «Диэлектрики 2000» (Санкт-Петербург, 2000 г.) — Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения» (Москва, 2000 г.) — Международной конференции по исследованию материалов и физике конденсированного состояния (Кишинев, Молдавия,.

2001 г.) — Десятой международной конференции по сегнетоэлектричеству (Мадрид, Испания, 2001 г.) — VI межвузовской конференции студентов и молодых учёных г. Волгограда и Волгоградской области (Волгоград, 2001 г.) — Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2001 г.) — Седьмом симпозиуме по сегнетоэлектричеству, проводившемся совместно Россией, Японией, странами Балтики и СНГ (Санкт-Петербург, 2002 г.) — XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 2002 г.) — Международной научно-технической конференции «Тонкие пленки и слоистые структуры» (Москва, 2002 г.).

Публикации.

Содержание диссертации опубликовано в 14 печатных работах (из них 3 статьи в сборниках и 2 статьи в реферируемых научных журналах).

Структура и объем.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем составляет 196 страниц, включая 76 рисунков, 6 таблиц.

Список литературы

содержит 187 наименований.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Комплексное исследование процессов поляризации и переполяризации тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца в области низких и инфранизких частот позволило выявить новые и получить дополнительные сведения о физических свойствах тонкопленочных сегнетоэлектриков. Основные из этих результатов и выводы можно сформулировать следующим образом:

1. Методом низкои инфранизкочастотной диэлектрической спектроскопии исследованы тонкие сегнетоэлектрические пленки цирконата титаната свинца, изготовленные золь-гель методом из пленкообразующих растворов со стехиометрическим содержанием свинца (образец № 0) и избытком свинца 5, 10, 30 и 50 мол. % (образцы № 5, 10, 30 и 50). Измерения проводились в широком интервале полей (от 0.05 кВ/см до 250 кВ/см), частот (от 0.1 Гц до 10 кГц) и температур (от температуры кипения азота до 373 К).

2. Выявлено, что определяющую роль в процессах поляризации и переполяризации тонких сегнетоэлектрических пленок в низкои инфранизкочастотных синусоидальных электрических полях играют доменные границы, совершающие обратимое (упругое и релаксационное) и необратимое (релаксационное и гистерезисное) движение.

3. Установлено, что для исследуемых образцов характерна низкочастотная релаксации поляризации и переполяризации. Были построены зависимости ln (vT) =Д 1/Т), с помощью которых определены величины основных параметров релаксационных процессов (энергии активации и предэкспоненциального множителя). Предполагается, что во всей области температур в образцах № 0, 5, 10 и 30 имеет место релаксация доменных границ (ДГ) в поле точечных дефектов. Отмечено, что аррениусская зависимость образца № 0 состоит из двух участков, имеющих различный наклон. Причем эти участки можно объяснить двумя видами доменных границ, участвующих в процессе релаксации. По всей видимости, в области высоких температур преобладающий вклад в релаксацию дают 180°-ные ДГ, а при низких температурахболее широкие не 180°-ные ДГ. В качестве дефектов, взаимодействующих с ДГ, в данном случае, вероятнее всего, выступают вакансии кислорода (Vq) и свинца (Vpb). Низкочастотная релаксация поляризации, обнаруженная в образце № 50, по-видимому, связана с барьерными эффектами. Однако не исключено, что в данном случае определенное влияние может оказывать и релаксационное движение ДГ.

4. Существенным является то, что свойства изученных образцов сильно зависят от предыстории, что отчетливо заметно по характеру изменения релаксационных процессов. Так, например, механизм релаксации образцов № 0, 10 и 30 стал наиболее выраженным только после двухлетнего старения при комнатной температуре, а частоты релаксации образца № 5 после его суточного старения сдвинулись в область более низких частот.

5. Установлено, что в области слабых и средних полей амплитудная зависимость эффективной диэлектрической проницаемости исследованных образцов носит релеевский характер (е'эфф = s’jnjt + /?•?, где s’init — начальное значение проницаемости, /?- параметр Релея).

6. С помощью численного моделирования определены процентные соотношения вкладов релаксационного и гистерезисного механизмов движения доменных границ в в’Эфф и Е" Эфф. Построены амплитудные, частотные и температурные зависимости этих вкладов. Выявлено, что основные особенности поляризации и переполяризации исследованных образцов можно объяснить с помощью данных зависимостей, иллюстрирующих перераспределение вкладов различных механизмов (гистерезисного и релаксационного) при вариации внешних параметров.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному руководителям Шильникову А. В и научному консультанту Бурханову А. И. за постановку задачи и постоянную помощь и внимание к работе, а также выразить благодарность соавторам многих работ Сигову А. С., Воротилову К. А. за предоставленные образцы и Бессуднову М. А. за помощь при компоновке диссертации и ее тиражировании.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Пер. с англ./Под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского. М.: Мир, 1981,736 с.
  2. Ю.Н., Политова Е. Д., Иванов С. А. Сегнето- и антисегнетоэлектрики семейства титаната бария. М.: Химия, 1985. 256 с.
  3. Scott J.F. The Physics of Ferroelectrics Ceramic Thin Films for Memory Applications//Ferroelectrics Review. 1998, Vol. 1,№ l, p. 1−129.
  4. Xu Y. and MacKenzie J.D. Ferroelectric thin films prepared by sol-gel processing//Integrated ferroelectrics. 1992, Vol. l, p. 17−42.
  5. B.H. Динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэлектрических твердых растворах на основе цирконата-титаната свинца. (Компьютерный анализ). // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ мат. наук, Волгоград, 1997, 168 с.
  6. Г. А., Крайник Н. Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Наука, 1968. 184 с.
  7. В.П., Фесенко Е. Г. Физика сегнетоэлектрических пленок. Изд. Ростовского университета, 1979. 192 с.
  8. Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Пер. с англ./ Под ред. Л. А. Шувалова. М.: Мир, 1970. 352 с.
  9. Lee J.K. Process-induced degradation during the integration of Pb (ZrxTi. x)03 ferroelectric capacitors, Ph.D. thesis, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, 1999, p. 117.
  10. Sheikholeslami A. and Gulak P.G. A Survey of circuit innovations in ferroelectric random-access memories // Proceedings of the IEEE. 2000, Vol. 88, №. 5, p. 667−689.
  11. А.С. Сегиетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике // Соровский Образовательный Журнал. 1996, № 10, С.83−91.
  12. Horwitz J.S., Grabowski K.S., Chrisey D.B., and Leuchtner R.E. In situ deposition of epitaxial Pb (ZrxTi.x)03 thin films by pulsed laser deposition // Appl. Phys. Lett. 1991, Vol. 59, № 13, p. 1565−1567.
  13. Ю.А., Есаян C.X. Влияние подложки на процесс кристаллизации PZT пленок, приготовленных методом лазерного распыления // ФТТ. 1992, Т. 34, № 11, С. 3295−3300.
  14. Roy D., Krupanidhi S.B. Pulsed excimer laser deposition and characterization of ferroelectric Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 thin films // J. Mater. Res. 1996, Vol. 7, № 9, p. 2521.
  15. L., Ни X., Yang P., Xu W., and Lin C. Excimer laser deposition of c-axis oriented Pb (Zr, Ti)03 thin films on silicon substrates with direct-current glow discharge // J. Mater. Res. 1997, Vol. 12, № 5, p. 1179.
  16. Ю.Н., Клюенков Е. Б., Салашенко H.H., Суслов Л. А. Свойства тонких пленок Pb(Zrx!Tix)03, полученных методом лазерного распыления // Иэв. РАН. Сер. физ. 1997, т.61, № 2. С.372−374.
  17. Yamazato М., Nagano М., Ikegami Т. and Ebihara К. Surface morphology of PZT thin films prepared by pulsed laser deposition // Mat. Res. Soc. Symp.2000, Vol. 617.
  18. В.П., Богачев C.B., Зайцева H.B., и др. // ЖТФ. 1996, Т. 66, № 6, С. 160−169.
  19. Noh D.Y., Kang Н.С., Seong T.Y., Je J.H., Kim H.K. Tetragonal distortion and the domain structure of thin Pb (Zr, Ti) O3/MgO (100) films // Appl. Phys. A. 1998, Vol. 67, p. 343−346.
  20. Lee J.-S., Park J.-H., Yun J.-I., Kim C.-S. and Joo S.-K. Fatigue and data retention characteristics of single-grained Pb (Zr, Ti)03 thin films // J. Korean Phys. Soc. 2001, Vol. 39, № 1, p. 184−188.
  21. Shi L. and Krupanidhi S.B. Development of ferroelectric Pb (ZrxTiix)03 thin films by metallo-organic decomposition process and rapid thermal annealing//Integrated ferroelectrics. 1992, Vol. l, p. 111−127.
  22. Mansour S.A., Binford D.A. and Vest R.W. The dependence of ferroelectric and fatigue behaviors of PZT films on annealing conditions // Integrated ferroelectrics. 1992, Vol. 1, p. 43−56.
  23. Mansour S.A. and Vest R.W. The dependence of ferroelectric and fatigue behaviors of PZT films on microstructure and orientation // Integrated ferroelectrics. 1992, Vol. 1, p. 57−69.
  24. Hwang C.S. and Kim H.J. Deposition of Pb (Zr, Ti)03 thin films by metal-organic chemical vapor deposition using P-diketonate precursors at low temperatures // J. Am. Ceram. Soc. 1995, Vol. 78, № 2, p. 329−336.
  25. Shin J.C., Hong E.K., Hwang C.S. and Kim H.J. Preparation and characterization of Pb (Zr, Ti)03 thin films by metal-organic chemical-vapor deposition using a solid delivery system // J. Korean Phys. Soc. 1999, Vol. 35, p. 119−122.
  26. Hong E., Shin J.C., Hwang C.S. and Kim H.J. Preparation and characterization of Pb (Zr, Ti)03 thin films prepared by metal-organic chemical-vapor deposition using a solid delivery system // J. Mater. Res. 2000, Vol. 15, № 6, p. 1284−1290.
  27. Wang C.H., Won D.J. and Choi D.J. Optimization of the low-temperature MOCVD process for PZT thin films // J. Korean Phys. Soc. 2000, Vol. 37, № 6, p. 1062−1066.
  28. В.К., Зайцева Н. В., Штельмах С. В., Моторный А. В. Структура и свойства тонких пленок PbZrTi03, полученных золь-гель методом // ФТТ. 1995, Т. 37, № 2, С. 324−336.
  29. Zeng J., Song S., Wang L., Zhang M., Zheng L. and Lin C. Sol-gel preparation of Pb (Zr0.5oTio.5o)03 ferroelectric thin films using zirconium oxynitrate as the zirconium source // J. Am. Ceram. Soc. 1999, Vol. 82, № 2, p. 461−464.
  30. Sriprang N., Kaewchinda D., Kennedy J.D., and Milne S.J. Processing and sol chemistry of a triol-based sol-gel route for preparing lead zirconate titanate thin films // J. Am. Ceram. Soc. 2000, Vol. 83, № 8, p. 1914−1920.
  31. Mikalsen E.A., Payne D.A., and Clem P.G. Chemical-solution processing and patterning of integrated ferroelectrics // Proceedings of The 12th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF 2000), Honolulu, Hawaii, July 30th, 2000.
  32. Ding A.L., Luo W.G., Qi В., Qiu P. S. and He X.Y. Water-based sol-gel process for BST thin film // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1375−1377.
  33. Song Y.-J. Ferroelectric Thin Films for High Density Non-volatile Memories, Ph.D. thesis, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, 1998, p. 149.
  34. Kim J.H., Chien A.T., and Lange F.F. Microstructural and ferroelectric properties of a chemical solution deposited epitaxial PbZro.5Tio.5O3 thin film on a SrRu03/SrTi03 substrate // J. Mater. Res. 1999, Vol. 14, № 4, p. 1190−1193.
  35. Bilodeau S.M., Johnston S.T., Russell M.W., Vestyck D.J. and Van Buskirk P.C. Voltage scaling of ferroelectric thin film deposited by CVD // Integrated ferroelectrics. 1999, Vol. 26, p. 119−135.
  36. А.Ю., Бирюков C.B. Датчик излучения на основе сегнетоэлектрических пленок с высоким временным разрешением // Письма в ЖТФ. 1995, Т. 21, вып.15, С.87−89.
  37. Kohler R., Gerlach G. Padmini P. Hofmann G., Bruchhau R. Ceramic and polymer thin films in pyroelectric sensors a comparative study // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1744−1746.
  38. Yeo J.-S., Hesselink L. Synthesis and properties of ferroelectric niobate thin films prepared by pulsed laser deposition for optical waveguide application // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1369−1371.
  39. Choi C.W., Kwon Y.-U., Lee J. sol-gel derived LiNb03 thin films for optical waveguides // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1417−1420.
  40. Xiong S.B., Liu Z.G., Ye Z.M., Guo X.L., Wang H.F., Chen X.Y., Lin C.Y., Jin Y.S. SrxBai. xNb206 optical waveguiding thin films on Si02 coated Si (100) substrates // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1611−1614.
  41. Kostsov E.G., Dyatlov V.L. Electrostatic microactuators on the basis of ferroelectric films // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1755−1756.
  42. Yoon Y.S., Kim J.H., Hsieh M.T., Polla D.L. Fabrication and characteristics of micromechanical system device based on PZT films and surface micromachining // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1760−1762.
  43. Bagimsky I.L., Kostsov E.G. Elements of DRAM’s on the base of SBN films // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1595−1596.
  44. .М., Ярмаркин B.K. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти // ЖТФ. 1999, Т. 69, вып. 5, С. 89−92.
  45. В.В., Иофан А. А., Соловьева К. Н., Фролов Ю. В., Ярмаркин В. К. Сегнетоэлектрические конденсаторные структуры на кремнии дляинтегральных микросхем энергонезависимой памяти // Письма в ЖТФ. 1996, Т. 22, вып. 6, С. 72−78.
  46. Tirumala S. Integration of Ferroelectric Materials into High Density NonVolatile Random Access Memories, Ph.D. thesis, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, 2000, p. 199.
  47. Ryu S.-O. Synthesis and characterization of ferroelectric (l-x)SrBi2Ta209-xBi3TaTi09 Thin Films for Non-volatile Memory Applications, Ph.D. thesis, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, 1999, p. 114.
  48. Takashima D. Overview and trend of chain FeRAM architecture // IEICE TRANS. ELECTRON. 2001, Vol. E84-C, № 6, p. 747−756.
  49. Damjanovic D. Ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of ferroelectric thin films and ceramics // Rep. Prog. Phys. 1998, Vol. 61, p. 1267−1324.
  50. Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. Пер. с англ. / Под ред. JI.A. Шувалова. М.: Мир, 1965. 555 с.
  51. Смоленский Г. А, Боков В. А, Исупов В. А и др. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л.: Наука, 1985, 396 с.
  52. М.Д., Елисеев Е. А., Стефанович В. А. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков // ФТТ. 2001, Т. 43, вып. 5, С. 882−887.
  53. В.А. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков // ФТТ. 2001, Т. 43, вып. 12, С. 2166−2169.
  54. А.С., Струков Б. А. Введение в сегнетоэлектричество. М.: «Высш. школа», 1970. 271 с.
  55. Kholkin A. Electromechanical properties and domain-related effects in ferroelectric thin films // Ferroelectrics. 1999, Vol. 221, p. 219−228.
  56. Kholkin A. Electromechanical properties of ferroelectric films for MEMS // Ferroelectrics. 2001, Vol. 258, p. 209−220.
  57. Haun M.J., Furman E., Jang S.J. and Cross L.E. // Ferroelectrics. 1989, Vol. 99, p. 63.
  58. Foster C.M., Bai G.-R., Csencsits R., Vetrone J., Jammy R., Wills L.A., Carr E. and Amano J. // J. Appl. Phys. 1997, Vol. 81, p. 2349.
  59. Chen H.D., Udayakumar K.R., Gaskey C.J. and Cross L.E. // Appl. Phys. Lett. 1995, Vol. 67, p. 3411.
  60. Selvaraj U., Prasadarao A.V., Komarneni S., Brooks K.G., and Kurtz S.K. Sol-gel processing of PbTi03 and Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 fibers. // J. Mater. Sci. 1992, Vol. 7, p. 992−996.
  61. Cross L.E. Future prospects in electroceramic materials and applications- presented at the 90th Annual Meeting of the American Ceramic Society, Cincinnati, OH, May 4, 1988 (Sosman Lecture, Paper No. 160-B-88).
  62. Thiele E.S., Damjanovic D., Setter N. Processing and properties of screen-printed lead zirconate titanate piezoelectric thick films on electroded silicon // J. Am. Ceram. Soc. 2001, Vol. 84, № 12, p. 2863−2868.
  63. Шур В.Я., Негашев C.A., Субботин А. Л., Пелегов Д. В., Борисова Е. А., Бланкова Е. Б., Тролиер-МакКинстри С. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата-титаната свинца при кристаллизации // ФТТ. 1999, Т. 41, вып. 2, С. 306−309.
  64. Шур В.Я., Бланкова Е. Б., Субботин А. Л., Борисова Е. А., Баранников А. В. Кинетика фазовых превражений при термическом отжиге в тонких золь-гель-пленках PZT // ФТТ. 2001, Т. 43, вып. 5, С. 869−873.
  65. В.Н., Каптелов Е. Ю., Кукушкин С. А., Осипов А. В., Пронин И. П. Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких пленках // ФТТ. 1997, Т. 39, вып. 1, С. 121−126.
  66. И.П., Зайцева Н. В., Каптелов Е. Ю., Афанасьев В. П. Оптический контроль однофазности тонких поликристаллических пленок со структурой перовскита // Изв. РАН сер. Физ. 1997, Т. 61, № 2, С. 379−382.
  67. Deineka A., Glinchuk M.D., Jastrabik L., Suchaneck G., Gerlach G. Ellipsometry investigation of perovskite/pyrochlore PZT thin film stack // Ferroelectrics. 2001, Vol. 258, p. 271−276.
  68. A.B. Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца // Афтореф. канд. дис. 2002. 16 с.
  69. Zai М.Н.М., Akiba A., Goto Н., Matsumoto М., YeatmanЕ.М. Highly (111) oriented lead zirconate titanate thin films deposited using a non-polymeric route // Thin Solid Films. 1999, Vol. 355−356, p. 531−535.
  70. H.A., Емельянов А. Ю. Диаграмма устойчивости упругих доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках // ФТТ. 1997, Т. 39, № 1,С. 127−134.
  71. А.Ю. Влияние ширины доменных границ на статику 90° доменов в эпитаксиальных сегнетоэлектрических тонких пленках // ФТТ. 2001, Т. 43, вып. 2, С. 316−322.
  72. Alpay S.P., Nagarajan V., Bendersky L.A., Vaudin M.D., Aggrawal S., Ramesh R., Roytburd A.L. Effect of the electrode layer on the polydomain structure of epitaxial PbZro.2Tio.sO3 thin films // J. Appl. Phys. 1999, Vol. 85, № 6, p. 3271−3277.
  73. Roytburd A.L., Alpay S.P., Bendersky L.A., Nagarajan V., Ramesh R. Three-domain architecture of stress-free epitaxial ferroelectric films // J. Appl. Phys. 2001, Vol. 89, № 1, p. 553−556.
  74. Yang J.-K., Kim W.S., Park H.-H. The effect of excess Pb content on the crystallization and electrical properties in sol-gel derived Pb (Zro.4Tio.6)03 thin films // Thin Solid Films. 2000, Vol. 377−378, p. 739−744.
  75. В.П., Каптелов Е. Ю., Крамар Г. П., Пронин И. П., Шаплыгина Т. А. Формирование и исследование свойств пленок цирконата-титаната свинца на диэлектрических подложках с подслоем платины//ФТТ. 1994, Т. 36, № 6, С. 1657−1665.
  76. Kim W.S., Yang J.-К., Park Н.-Н. Influence of proffered orientation of lead zirconate titanate thin film on the ferroelectric properties // Applied Surface Science. 2001, Vol. 169−170, p. 549−552.
  77. В.П., Мосина Г. Н., Петров A.A., Пронин И. П., Сорокин JI.M., Тараканов Е. А. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца // Письма в ЖТФ. 2001, Т. 27, вып. 11, С. 56−63.
  78. И.П., Каптелов Е. Ю., Тараканов Е. А., Шаплыгина Т. А., Афанасьев В. П., Панкрашкин А. В. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца // ФТТ. 2002, Т. 44, вып. 4, С. 739−744.
  79. Yang J.-K., Kim W.S., Park Н.-Н. Effect of grain size of Pb (Zr0.4Tio.6)03 sol-gel derived thin films on the ferroelectric properties // Applied Surface Science. 2001, Vol. 169−170, p. 544−548.
  80. Yang J.-K., Kim W.S., Park H.-H. Enhanced fatigue property through the control of interfacial layer in Pt/PZT/Pt structure // Jpn. J. Appl. Phys. 2000, Vol. 39, Pt. 1, № 12B, p. 7000−7002.
  81. Lee S.H., Joo H.J., Kim J.P., Jung J.H., Ryu M.K., Lee S.S., Jang M.S. Thickness dependence of the electrical properties for PZT films // J. Korean Phys. Soc. 1999, Vol. 35, p. 1172−1175.
  82. Ha S.-M., Kim D.-H., Park H.-H., Kim T.-S. Crystallization and ferroelectric behavior of sputter deposited PZT using a target containing excess Pb and О content // Thin Solid Films. 1999, Vol. 355−356, p. 525−530.
  83. Lin C.-H., Hsu W.-D., Lin I-M. Effect of excess-Pb on ferroelectric properties of Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 thin films prepared by metal-organic decomposition process // Integrated ferroelectrics. 1999, Vol. 25, p. 311 316.
  84. B.B., Мосина Т. Н., Сорокин Л. М., Штельмах С. В., Ярмаркин В. К. Структура поверхностных слоев сегнетоэлектрических тонких пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) // ФТТ. 1996, Т. 38, №.10, С. 3108−3115.
  85. Kim I.-J., Lee H.-W. Fabrication of TiNi/PZT heterostructures films for smart system // Scripta mater. 2001, Vol. 44, № 3, p. 525−530.
  86. Choi W.-T., Kim I.-D., Ahn J.-H., Kim H.-G. Electrical properties of lead zirconate titanate thin films deposited on lanthanum nickel cobaltate // J. Korean Phys. Soc. 1999, Vol. 35, p. 501−504.
  87. Kim W.S., Ha S.-M., Park H.-H., Kim C.E. The effect of cation-substitution on the ferroelectric properties of sol-gel derived PZT thin film for FRAM application // Thin Solid Films. 1999, Vol. 355−356, p. 531−535.
  88. Kim I.-D., Choi W.-Y., Choi G.-P., Park J.-H., Lee C.-H., Kim H.-G., Noh T.-H., Bai K. Electrical properties of PZT thin films deposited on LSCO electrodes // J. Korean Phys. Soc. 1999, Vol. 35, p. 496−500.
  89. Hong J.W., Kahng D.S., Shin J.C., Kim H.J., Khim Z.G. Detection and control of ferroelectric domains by an electrostatic force microscope // J. Vac. Sci. Technol. B. 1998, Vol. 16, № 6, p. 2942−2946.
  90. Hong J.W., Jo W, Kim D.C., Cho S.M., Nam H.J., Lee H.M., Bu J.U. Nanoscale investigation of domain retention in preferentially oriented PbZro.53Tio.47O3 thin films on Pt and LaNi03 // Appl. Phys. Lett. 1999, Vol. 75, № 20, p. 3183−3185.
  91. Jo W, Kim D.C., Hong J.W. Reverse-poling effects on charge retention in Pb (Zr, Ti)03(001)/LaNi03(001) heterostructures // Appl. Phys. Lett. 2000, Vol. 76, № 3, p. 390−392.
  92. Moon W.S., Woo S.I., Park S.B. Preparation and characterization of lead zirconate titanate thin films by liquid source misted chemical deposition // Thin Solid Films. 2000, Vol. 359, p. 77−81.
  93. Шур В.Я., Макаров С. Д., Пономарев Н. Ю., Волегов В. В., Тонкачева Н. А., Суслов Л. А., Салащенко Н. Н., Клюенков Е. Б. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата-титаната свинца // ФТТ. 1996, Т. 38, № 6, С. 1889−1895.
  94. Eatough М.О., Rodriquez М.А., Dimos D., Tuttle В. Microdiffraction used to study domain switching of ferroelectric thin films // Rigaku J. 1995, Vol. 12, № 2, p. 10−13.
  95. Afanasjev V.P., Petrov A.A., Pronin I.P., Tarakaniv E.A., Kaptelov E.Ju. and Graul J. Polarization and self-polarization in thin PbZr! xTix03 films // J. Phys.: Condens. Matter. 2001, Vol. 13, p. 8755−8763.
  96. И.П., Каптелов Е. Ю., Тараканов E.A., Афанасьев В. П. Влияние отжига на самополяризованное состояние в тонких сегнетоэлектрических пленках// ФТТ. 2002, Т. 44, вып. 9, С. 1659−1664.
  97. В.В., Ярмаркин В. К. Поле деполяризации и усталость сегнетоэлектрических тонких пленок // ФТТ. 1996, Т. 38, № 8, С. 24 822 492.
  98. Yang Y.S., Lee S.J., Yi S., Chae B.G., Lee S. H, Joo H. J, Jang M.S. Schottky barrier effects in the photocurrent of sol-gel derived lead zirconatetitanate thin film capacitors // Appl. Phys. Lett. 2000, Vol. 76, № 6, p. 774 776.
  99. Al-Shareef H. and Dimos D. Leakage and reliability characteristics of lead zirconate titanate thin-film capacitors // J. Am. Ceram. Soc. 1997, Vol. 80, № 12, p. 3127−3132.
  100. П.К. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах // Соровский Образовательный Журнал. 1999, № 1, С. 105— 112.
  101. С.А., Тесленко Н. М., Фисенко А. В. Нарушение симметрии одноэлектронных орбиталей электронов вблизи кислородной вакансии в оксидах семейства перовскита // Изв. РАН сер. Физ. 1993, Т. 57, № 6, С. 69−72.
  102. Lee S.J., Kang K.Y., Han S. K, Jang M.S., Chae B.G., Kim S.H., Yang Y.S. Low-frequency dielectric response of PZT thin film capacitors // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1645−1648.
  103. Lee S.-U., Moon S.-E. Kim W.-J., Kim E.-K. Ultralow-frequency dielectric relaxation and fatigue properties of PZT thin film: effect of space charges // Integrated ferroelectrics. 2001, Vol. 37, p. 225−234.
  104. Chae B.G., Lee S.J., Yang Y.S., Kim S.H., Jang M.S. Fatigue and refresh characteristics of Pb (Zr0.52Ti0.4g)O3 thin films // J. Korean Phys. Soc. 1997, Vol. 31, № 6, p. 874−878.
  105. .М., Ярмаркин B.K., Леманов B.B. Влияние подвижных заряженных дефектов на диэлектрическую нелинейность сегнетоэлектрических тонких пленок PZT // ФТТ. 2000, Т. 42, вып. 6, С. 1083−1086.
  106. Kundzins К., Zauls V., Kundzins М., Sternberg A., Calcare L., Bittner R., Humer K., Weber H. W. Neutron irradiation effects on sol-gel PZT thin films // Ferroelectrics. 2001, Vol. 258, p. 285−290.
  107. Jang J.H., Park J., Yoon K.H., Kim E.S. Electric fatigue properties of Pb-based ferroelectric and antiferroelectric thin films // Ferroelectrics. 2001, Vol. 258, p. 309−314.
  108. ПЗ.Ярмаркин B.K., Гольцман Б. М., Казанин M.M., Леманов В. В. Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT // ФТТ. 2000, Т. 42, вып. 3, С. 511−516.
  109. Jung S., Lee J.G., Kim J. The asymmetric behaviors of PZT thin film capacitors with different top electrode metals // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1710−1713.
  110. Shin J.C., Hwang C.S., Kim H.J., Park S.O. Leakage current of sol-gel derived Pb (Zr, Ti)03 thin films having Pt electrodes // Appl. Phys. Lett. 1999, Vol. 75, № 21, p. 3411−3413.
  111. Пб.Ярмаркин B.K., Тесленко С. П. Диэлектрическая релаксация в тонкопленочных структурах металл-сегнетоэлектрик PZT-металл // ФТТ. 1998, Т. 40, № 10, С. 1915−1918.
  112. Shimizu М., Fujisawa Н., Hyodo S., Nakashima S., Niu H. Pb (Zr, Ti)03 thin film deposition on Ir and Ir02 electrodes by MOCVD // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1349−1352.
  113. Ramesh R., Chan W.K., Wilkens В., Sands Т., Tarascon J.M., Keramidas V.G., Evans J.T. Fatigue and aging in ferroelectric PbZro.2Tio.sO3/YBa2Cu3O7 heterostructures //Integrated ferroelectrics. 1992, Vol. l, p. 1−15.
  114. Lee E.G., Lee J.K., Kim J.-Y., Lee J.G., Jang H.M., Kim S.J. Zr/Ti ratio dependence of the deformation in the hysteresis loop of Pb (Zr, Ti)03 thin films // Journal of Materials Science Letters. 1999, Vol. 18, p. 2025−2028.
  115. Lee E.G., Lee J.G., Kim S.J. Sputtering and reactive ion etching damage to the Pt/Pb (Zr, Ti)03/Pt thin film capacitors // Journal of Materials Science Letters. 2001, Vol. 20, p. 769−772.
  116. Gardeniers J.G.E., Verholen A.G.B.J., Tas N.R., Elwenspoek M. Direct measurement of piezoelectric properties of sol-gel PZT films // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1573−1577.
  117. В.П., Богачев C.B., Казак-Казакевич A.3., Крамар Г. П., Петров А. А., Пронин И. П. Структура и морфология платиновых пленок на диэлектрических подложках при различных условиях формирования // Письма в ЖТФ. 1995, Т. 21, вып. 16, С. 1−7.
  118. Luo W.-G., Ding A.-L., Qu X., Qiu P. Effect of Pt/Ti interfacial reaction on PZT capacitors // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1605−1608.
  119. Lee J., Choi C.H., Park B.H., Noh T.W., Lee J.K. Built-in voltages and asymmetric polarization switching in Pb (Zr, Ti) C>3 thin film capacitors // Appl. Phys. Lett. 1998, Vol. 72, № 25, p. 3380−3382.
  120. Tagantsev A.K., Pawlaczyk CZ., Brooks K., Setter N. Built-in electric field assisted nucleation and coercive fields in ferroelectric thin films // Integrated ferroelectrics. 1994, Vol. 4, p. 1−12.
  121. Evans J.T. Coercive voltage vs hysteresis period for Pb (Zr, Ti) C>3 capacitors // Integrated ferroelectrics. 2001, Vol. 37, p. 173−193.
  122. .И. Электронные ловушки на поверхности полупроводников // Соровский Образовательный Журнал. 1998, № 7, С.114−121.
  123. .А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами // Соровский Образовательный Журнал. 1996, № 12, С.95−101.
  124. А.С. Доменная структура и процессы переключения в сегнетоэлектриках // Соровский Образовательный Журнал. 1999, № 8, С.103−109.
  125. А.В. Роль доменных и фазовых границ в процессах низко-и инфранизкочастотной поляризации и переполяризации модельных сегнетоэлектриков. // Дисс. д-ра физ- мат. наук. 1988. 319 с.
  126. Bolten D., Lohse О., Grossmann М., Waser R. Reversible and irreversible domain wall contributions to the polarization in ferroelectric thin films // Ferroelectrics. 1999, Vol. 221, p. 251−257.
  127. Шур В.Я., Пономарев Н. Ю., Тонкачева Н. А., Макаров С. Д., Николаева Е. В., Шишкин Е. И., Суслов JI.A., Салащенко Н. Н., Клюенков Е. Б. Явление усталости в эпитаксиальных пленках цирконата-титаната свинца // ФТТ. 1997, Т. 39, № 4, С. 694−696.
  128. Sawyer С.В. and Tower С.Н. Rochelle Salt as a Dielectric // Phys. Rev. 1930, Vol. 35, p. 269.
  129. Merz W.J. II Phys. Rev. 1954, Vol. 95, p. 690.
  130. C.A., Осипов А. В. Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках // ФТТ. 2001, Т. 43, вып. 1, С. 80−87.
  131. Ishibashi Y. and Takagi Y. 11 J. Phys. Soc. Jpn. 1971, Vol. 31, p. 506.
  132. A.H. 11 Изв. АН СССР. Сер. мат. 1937, Т. 3, С. 355.
  133. М. // J. Chem. Phys. 1939, Vol. 7, p. 1103.
  134. M. // J. Chem. Phys. 1941, Vol. 9, p. 17.
  135. C.A., Осипов A.B. Кинетика переключения в сегнетоэлектриках // ФТТ. 2001, Т. 43, вып. 1, С. 88−95.
  136. V. // Czech. Journ. Phys. 1958, Vol. 8, p. 3.
  137. Abe R. // Journ. Phys. Soc. Japan. 1960, Vol. 15, p. 795.
  138. A.K. // Integrated ferroelectrics. 1997, Vol. 16, p. 237.
  139. Lebedev N.I. and Sigov A.S. // Integrated ferroelectrics. 1994, Vol. 4, p. 21.
  140. Waser R. and Klee M. // Integrated ferroelectrics. 1992, Vol. 2, p. 23.
  141. Stolichnov I., Tagantsev A., Setter N., Cross J.S., Fujiki M., Tsukada M. Degradation of asymmetrical Pt/SRO/PLZT/Pt capacitors: role of Pt and oxide electrodes // Integrated ferroelectrics. 1999, Vol. 26, p. 311−321.
  142. Ishibashi Y. and Orihara H. // Integrated ferroelectrics. 1995, Vol. 9, p. 57. 153. Sayer M, Mansingh A., Arora A.K. and Lo A. // Integrated ferroelectrics.1992, Vol. l, p. 129−146.
  143. Taylor D.V., Damjanovic D. Evidence of domain wall contribution to the dielectric permittivity in PZT thin films at sub-switching fields // J. Appl. Phys. 1997, Vol. 82, № 4, p. 1973−1975.
  144. Taylor D.V., Damjanovic D. Domain wall pinning contribution to the nonlinear dielectric permittivity in Pb (Zr, Ti)03 thin films // Appl. Phys. Lett. 1998, Vol. 73, № 14, p. 2045−2050.
  145. Damjanovic D., Taylor D.V. Contributions to the nonlinear dielectric and piezoelectric response of ferroelectric thin films and ceramics // Ferroelectrics. 1999, Vol. 221, p. 137−146.
  146. LordRayleighR.S. //Phil. Mag. 1887, Vol. 23, p. 225.
  147. C.B., ШурЯ.С. Ферромагнетизм. M.-JL: Гостехиздат, 1948. 573 с.
  148. N’eel L. // Cah. Phys. 1942, Vol. 12, p. 1.
  149. В.Э., Шувалов Л. А., Камаев B.H.//Изв. АН СССР. Сер физ. 1965, Т. 29, № 7, С. 943.
  150. Э.С., Рапопорт С. Л., Шильников А. В. Электрические свойства сегнетовой соли при двухчастотном воздействии. // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1967. Т.31, С. 1199−1201.
  151. А.В., Попов Э. С., Рапопорт С. Л. О различии механизмов движения доменных стенок в кристаллах сегнетовой соли вблизи верхней и нижней точек Кюри // Кристаллография. 1969.Т.14, вып. 6, С.1028−1032.
  152. Э.С., Рапопорт С. Л. //Кристаллография. 1968. Т.13, № 2, С. 278.
  153. А.В., К вопросу о переполяризации кристаллов триглицинсульфата в переменных полях низкой частоты // Физика диэлектриков и полупроводников: Волгогр. политех. ин-т. Волгоград, 1970, вып. 29, С.95−106.
  154. А.В. // Афтореф. канд. дис., 1972. ВГПИ, Воронеж.
  155. А.В., Галиярова Н. М., Горин С. В., Васильев Д. Г., Вологирова Л. Х. Простейшая классификация механизмов движения доменных стенок в низко- и инфранизкочастотных электрических полях // Изв. АН СССР. сер. физ. 1991, Т.55, № 3, С. 578.
  156. Shil’nikov A.V., Nesterov V.N., Burkhanov A.I. Simulation motion of domain and interphase boundaries and their contribution to the dielectric properties of ferroelectrics//Ferroelectrics. 1996. Vol.175, pp. 145−151.
  157. Mitsui T, Furuichi Y. // Phys. Rev. 1953, Vol. 90, № 2, C. 193.
  158. Mitsui T, Furuichi Y. //Phys. Rev. 1954, Vol. 95, № 2, C. 558.
  159. A.B. // ФТТ. 1963, T. 5, C. 1213.
  160. F. // Z. Phys. 1935, T. 94, C. 277.
  161. C.A. Диэлектрики с метастабильной электрической поляризацией // Соровский Образовательный Журнал. 1997, № 5, С.105−111
  162. Colla E. L, Tagantsev А. К, Taylor D, Kholkin A.L. Field-adjusted suppression of the switching polarization in PZT thin films with Pt-electrodes // J. Korean Phys. Soc. 1998, Vol. 32, p. 1353−1357.
  163. Stolichnov I, Tagantsev A, Colla E, Setter N. Charge relaxation at the interfaces of low-voltage ferroelectric film capacitors: fatigue endurance and size effects // Ferroelectrics. 2001, Vol. 258, p. 221−230.
  164. Шур В. Я, Румянцев E. JL, Николаева E. B, Шишкин Е. И, Батурин И. С. Кинетический подход к объяснению эффекта усталости в сегнетоэлектриках // ФТТ. 2002, Т. 44, вып. 11, С. 2049−2054.
  165. Lee К, Rhee B. R, Lee С. Leakage current-voltage characteristics of ferroelectric thin film capacitors // J. Korean Phys. Soc. 2001, Vol. 38, № 6, p. 723−728.
  166. .А., Леванюк А. П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1983. 240 с.
  167. А.В., Лалетин Р. А., Бурханов А. И., Сигов А. С., Воротилов К. А. Особенности низко- и инфранизкочастотной релаксации поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках ЦТС // Микросистемная техника, 4, 2002 г, с. 16−19.
  168. Kim D.-J., Kim S.-H., Maria J.-P., Kingon A.I. Influences on imprint failure of SrBi2Ta209 thin film capacitors // Integrated ferroelectrics. 1999, Vol. 25, p. 351−361.
  169. А.П. // Афтореф. канд. дис., 2002. ВолгГАСА, Волгоград.
  170. Unruh H.-G, Miiser Н.Е. // Z. Angew. Phys. 1962, Vol. 14, p. 121.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!