Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот

Диссертация: Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наиболее востребованным прибором СВЧ является измеритель мощности, так как мощность — это единственный параметр, характеризующий источник СВЧ излучения. Среди полупроводниковых приборов, пригодных для измерения СВЧ мощности можно выделить термисторы и гальваномагнитные преобразователи., Первые используются давно и служат основным элементом для. серийно выпускаемых измерителей СВЧ мощности. Как… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Процессы формирования структур SiC/Si и SiC на изолирующих подложках
    • 1. 1. Сублимационная эпитаксия
    • 1. 2. Газофазная эпитаксия
    • 1. 3. Эндотаксия
    • 1. 4. Термическое испарение материала, пленки в вакууме
    • 1. 5. Ионно-плазменное распыление
    • 1. 6. Катодное распыление
    • 1. 7. Магнетронное распыление
  • Глава 2. Кинетические явления в полупроводниках на сверхвысоких частотах
    • 2. 1. Высокочастотный эффект Холла
    • 2. 2. Понятие магниторезистивного явления в полупроводниках
      • 2. 2. 1. Эффект магнетосопротивления (Гаусса)
      • 2. 2. 2. Магниторезистивный эффект на СВЧ
      • 2. 2. 3. Методы исследования магниторезистивных свойств в полупроводниках
      • 2. 2. 4. Методы исследования магниторезистивного эффекта на СВЧ
    • 2. 3. Инерционные явления в полупроводниках на сверхвысоких частотах
      • 2. 3. 1. Механизм проявления инерции электронного газа
      • 2. 3. 2. Явление инерции в гальваномагнитных эффектах
    • 2. 4. Термоэдс «горячих» носителей тока в полупроводниках
    • 2. 5. Радиоэлектрический эффект
  • Глава 3. Преобразователи СВЧ мощности на основе гетероструктур п
  • SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках
    • 3. 1. Контролируемые параметры материала для преобразователей сверхвысоких частот
    • 3. 2. Преобразователи n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках, полученные методом магнетронного напыления для исследования на сверхвысоких частотах
      • 3. 2. 1. Получение гетероструктур n-3C-SiC на кремниевых и изолирующих подложках
      • 3. 2. 3. Технология получения преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур n SiC/p-Si и п SiC/изолятор
      • 3. 2. 4. Измерение В АХ гетероструктур SiC/Si, поликор, ситал.83)
    • 3. 3. Преобразователи n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках для исследования магнетосопротивления
      • 3. 3. 1. Исследование свойств гетероструктур n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках
  • Глава 4. Электрофизические свойства и исследование в СВЧ дипазоне преобразователей на основе гетероструктур n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках
    • 4. 1. Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах карбида кремния в 3-х см диапазоне длины волны
    • 4. 2. Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах карбида кремния в 8 мм диапазоне длины волны
    • 4. 3. Исследование радиоЭДС в области температур от +20° С до +300° С
    • 4. 4. Определение коэффициента стоячей волны и оценка влияния термоЭДС
    • 4. 5. Явление инерционности носителей заряда в электромагнитном поле СВЧ волны
    • 4. 6. Исследование магниторезистивного эффекта на постоянном токе
    • 4. 7. Исследование магниторезистивного эффекта на СВЧ

Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Широкое использование электромагнитного излучения сверхвысоких частот в различных областях науки и техники требует непрерывного совершенствования существующих и создания новых приборов СВЧ диапазона. Развитие средств космической радиосвязи и радиолокации предъявляет особые требования к мощности и миниатюрности СВЧ устройств. В связи с этим особого внимания заслуживает создание полупроводниковых приборов СВЧ, функционирующих при высоких уровнях СВЧ мощности и повышенных температурах окружающей среды. Создание подобных приборов предполагает использование широкозонных полупроводников с высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью. Этим требованиям в большой' степени отвечает полупроводниковый карбид кремния. Этот материал обладает также высокой радиационной стойкостью, высокой температурой Дебая и большой напряженностью поля пробоя.

Существующая технология получения объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния достаточно сложна и экономически неэффективна при серийном производстве полупроводниковых приборов, поэтому внимание исследователей направлено на создание пленок карбида кремния на каких-либо подложках. Свойства пленок отличаются от свойств объемных кристаллов, а также зависят от способа их получения. Поэтому разработка новых способов получения пленок карбида кремния и всестороннее исследование их свойств является весьма актуальной задачей. Одним из новых направлений в этой области является, получение карбида кремния на изолирующих подложках (ситалл, поликор). Особено это важно для приборов сверхвысоких частот, так как изолирующая^ подложка очень слабо возмущает СВЧ волны, то есть такая подложка будет в минимальной степени влиять на работу прибора.

Наиболее востребованным прибором СВЧ является измеритель мощности, так как мощность — это единственный параметр, характеризующий источник СВЧ излучения. Среди полупроводниковых приборов, пригодных для измерения СВЧ мощности можно выделить термисторы и гальваномагнитные преобразователи., Первые используются давно и служат основным элементом для. серийно выпускаемых измерителей СВЧ мощности. Как правило, термисторные преобразователи обладают высокой чувствительностью и большой инерционностью. Динамический диапазон работы таких преобразователей ограничен сотнями милливатт.

В основе действия гальваномагнитных преобразователей лежит высокочастотный эффект Холла или радиоэлектрический эффект, учитывающий наряду с эффектом Холла другие сопутствующие эффекты, например, термоэлектрический эффект, возникающий в результате неоднородного разогрева преобразователя полем СВЧ волны [1]1.

Высокочастотный эффект Холла характеризуется очень малой постоянной.

12 времени (время максвелловской релаксации, ~ 10″ с), поэтому гальваномагнитные преобразователи практически безынерционны. С другой стороны, гальваномагнитные эффекты традиционно используются для исследования свойств и параметров полупроводниковых материалов.

В данной работе разработана технология получения тонких пленок карбида кремния методом магнетронного распыления. Показано, что пленки могут быть получены на полупроводниковых (кремний) и изолирующих (ситалл, поликор) подложках. Исследованы электрофизические свойства полученных пленок карбида кремния на постоянном токе и в области сверхвысоких частот.

Актуальность.

Развитие средств космической радиосвязи и радиолокации предъявляет особые требования к мощности и миниатюрности СВЧ устройств. В связи с этим особого внимания заслуживает создание полупроводниковых приборов СВЧ, функционирующих при высоких уровнях СВЧ мощности и повышенных температурах окружающей среды. Подобными свойствами обладает такой материал, как карбид кремния. Поэтому разработка новых способов получения пленок карбида кремния и всестороннее исследование их свойств является весьма актуальной задачей.

Научная новизна.

Впервые для преобразователей СВЧ мощности, работающих на радиоэлектрическом эффекте, были получены и использованы пленки карбида кремния на изолирующих подложках (n-SiC/Al203, n-SiC/Si02), полученные методом магнетронного распыления. Определено влияние необходимых параметров магнетронного распыления на электрофизические свойства пленок карбида кремния. Установлены оптимальные режимы роста пленок карбида кремния на изолирующих и полупроводниковых подложках.

Разработана и освоена технология получения тонких поликристаллических пленок (0,5-КЗ, 0 мкм) карбида кремния, позволяющая получать гетероструктуры n-SiC/Al203, n-SiC/SiC>2, n-SiC/Si, способные функционировать в области высоких температур (до 300°С). Для получения гетероструктур n-SiC/Si, п-SiC/Al203, n-SiC/Si02 использовалась технология магнетронного распыления.

Получены образцы преобразователей СВЧ мощности. Установлена зависимость величины радиоэлектрического эффекта в поликристаллических пленках карбида кремния на изолирующих и кремниевых подложках от уровня СВЧ мощности в диапазонах 10 ГГц и 40 ГГц в интервале температур от 20 °C до 300 °C.

Проведен сравнительный анализ полученных вольт-ваттных характеристик преобразователей СВЧ-мощности на полупроводниковых (n-SiC/Si) и изолирующих подложках (n-SiC/Al2C)3, n-SiC/Si02). Показано, что для преобразователей на основе карбида кремния на изоляторе, максимально допустимая непрерывная мощность СВЧ излучения, как минимум, в 10 раз больше значений мощности преобразователей на основе кремния.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Методы исследования электрофизических свойств тонких пленок SiC на изолирующих и полупроводниковых подложках, полученных методом магнетронного распыления.

2. Результаты исследования радиоэдс от уровня проходящей в тракте непрерывной СВЧ мощности в диапазоне от 0 до 10 Вт на частоте ЮГГц и в диапазоне от 0 до 1 Вт непрерывной мощности на частоте 40ГГц в гетероструктурах n-SiC/Al203, n-SiC/Si02, n-SiC/Si.

3. Результаты анализа чувствительности карбидокремниевых преобразователей при увеличении температуры от 20 °C до 300 °C, оценка влияния побочных эффектов: термоэдс в объеме образца, контактная термоэдс.

4. Инерционность носителей заряда в гетероструктурах n-SiC/Al203, п-SiC/Si02, n-SiC/Si на частотах до 40 ГГц не' проявляется, таким образом, они могут быть использованы для создания различных приборов экстремальной электроники.

Цель работы:

Разработка технологии получения тонких поликристаллических пленок карбида кремния на изолирующих и полупроводниковых подложках методом магнетронного распыления, создание на их основе гальваномагнитных преобразователей для сверхвысоких частот.

Основные задачи диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Определить оптимальные параметры процесса получения пленок карбида кремния методом магнетронного. распыления на изолирующих и полупроводниковых подложках.

2. Разработать экспериментальные образцы высокотемпературных преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур n-SiC/Al203, n-SiC/Si02, n-SiC/Si. Исследовать электрофизические параметры полученных гетероструктур.

3. Исследовать в полученных преобразователях СВЧ мощности радиоэлектрический эффект в диапазонах сверхвысоких частот (10 ГГц и 40<ГТц), гальваномагнитные явления на постоянном токе и на СВЧ.

4. Оценить влияние сопутствующих эффектов в пленках карбида кремния1 в диапазоне температур от +20° С до +300° С при различных уровнях непрерывной мощности от 0 до 10 Вт.

5. Изучить инерционные свойства носителей заряда в гетероструктурах карбида кремния на изолирующих и полупроводниковых подложках.

Научно-практическое значение.

Результаты работы могут быть использованы для практического получения преобразователей на основе пленок карбида кремния с заданными параметрами методом магнетронного распыления на полупроводниковых и изолирующих подложках, на основе которых могут быть созданы приборы для измерения СВЧ-мощности больших уровней сигнала.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих международных конференциях: Международной молодежной научной школе «Материалы нано-, микрои оптоэлектроники: физические свойства и применение» (г.Саранск, 2005 г.) — Демидовских чтениях.

Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики" (г. Москва, 2006 г.) — XXXIV Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых (г. Кемерово, 2007 г.) — 6 Национальной конференции по применению рентгеновского синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (г. Москва, 2007 г.) — VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (г. Кисловодск, 2008 г.) — XX Совещании по использованию рассеяния нейтронов в исследованиях конденсированного состояния (г. Гатчина, 2008 г.).

Предложенные в работе методы исследования карбидокремниевых гетероструктур на сверхвысоких частотах были использованы при выполнении договора по линии Министерства обороны РФ.

Публикации.

Основные материалы диссертации опубликованы в 17 научных работах, в том числе 5 статей (3 из них опубликованы в издании, рекомендованных ВАК) и 12 тезисов докладов.

Структура и объем диссертации

.

Структура работы определена поставленной целью. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, и списка литературы. Общий объем составляет 122 страницы, включая 52 рисунка и 4 таблицы.

Список литературы

содержит 104 наименования.

Заключение

.

1. Разработанна технология получения тонких поликристаллических пленок карбида кремния на различных подложках методом магнетронного распыления.

2. Получены экспериментальные образцы на основе гетероструктур п-SiC/АЬОз, n-SiC/Si02, n-SiC/Si, способные работать на постоянном токе и в диапазонах частот от 10 до 40 ГГц с непрерывной мощностью от 1 до 10 Вт. Показано, что в гетероструктурах n-SiC/Al203, n-SiC/Si02, n-SiC/Si при воздействии электромагнитной волны, возникает эдс радиоэлектрического эффекта.

3. Установлено, что ЭДС радиоэлектрического эффекта линейно зависит от уровня проходящей в тракте СВЧ мощности в динамическом диапазоне от 0 до 10 Вт непрерывной мощности на частоте ЮГГц и в диапазоне от 0 до 1 Вт непрерывной мощности на частоте 40ГГц.

4. Показано, что инерционность носителей заряда на частоте 10 ГГц и 40 ГГц менее 0,5%, следовательно, инерционные явления можно не учитывать.

5. Явление термоэдс в гетероструктурах n-SiC/AbC^, n-SiC/SiC>2, n-SiC/Si существенно уменьшается путем выбора оптимальных параметров образцов.

6. Проведено исследование зависимости радиоэдс от уровня СВЧ мощности в диапазоне температур от +20° С до +300° С при различных уровнях непрерывной мощности от 0 до 10 Вт. Установлено, что в данном интервале температур значения радиоЭДС изменяются не более, чем на 20%.

7. Результаты исследований показали, что преобразователи СВЧ мощности на основе гетероструктур n-SiC/Al203, n-SiC/Si02, n-SiC/Si можно использовать для работы в области высоких температур и создания на их основе приборов для измерения и контроля больших уровней СВЧ сигнала.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A.M., Курганская JI.B., Щербак А. В. Безынерционные и высокочувствительные измерители СВЧ мощности больших уровней на базе гетеросфуктур SiC/Si // Нано и микросистемная техника. — 2006. № 2. С. 28−35. (автор-50%)
  2. JT.B. Технология получения гетероструктур п-SiC/ p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8 миллиметровом свч — диапазоне. // Нано и микросистемная техника. — 2008. № 5. С. 37−40. (автор — 100%)
  3. Курганская JLB. Исследование гетероструктур карбида кремния в области сверхвысоких частот до 40 ГГц. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2009. Т. 12., № 1. С. 88−90. (автор — 100%)
  4. Комов A. I-L, Колесникова А. А., Курганская JI.B., Щербак А. В. Полупроводниковые преобразователи больших уровней СВЧ мощности. // Материалы нано-, микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение, Саранск, 2005 г. С. 93. (автор — 25%)
  5. А.Н., Колесникова А. А., Курганская JI.B., Щербак А. В. Тонкопленочпая технология для получения преобразователей СВЧ излучения на основе SiC/Si. // Харьковская нанотехнологическая Ассамблея. 2006. С. 121−126. (автор-40%)
  6. JI.B. Технология получения тонких пленок карбида кремния на изолирующих подложках методом магнетронного напыления. // Материалы XI международной конференции, Санкт-Петербург. 2008. С. 369−370. (автор 100%)
  7. Л.В., А.В. Щербак. Измерители СВЧ-мощности на основе пленок SiC. Самарский государственный университет. Самара, 2008. 18 е., 11 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН (автор 70%)
  8. JI.B., А.В. Щербак. Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах SiC/Si в диапазоне 40 ГГц. Самарский государственный университет. Самара, 2008. 9 е., 4 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН (автор 60%)
  9. , З.Ю. Л.Я. Ильницкий. Датчики. Львов: Каменяр, 1995. — 312 с.
  10. Чопра Н. Л. Электрические явления в тонких пленках. — М.: Мир, 1972. С.253−254.
  11. С.Н., Панфилов Ю. В. Кластерное оборудование в микроэлектронике и обзоры по электронной технике. — М.: «Электроника», 2005.
  12. V.Shenoy and A. Shamia, Phys. Rev. Lett. 86 (2001) 119.
  13. M.K., Билалов Б. А. Исследование гетероструктур SiC/(SiC)i X (A1N)K методом вольт-фарадных характеристик // ФТП. 2001. Т. 35. № 2. С. 216−218.
  14. R., Ciechonski R. // Comparison of SiC sublimation epitaxial growth in graphite and TaC coated crucibles (International Conference of New Diamond Science and Technology, Melbourne, 2002), p. 1936−1939.
  15. Vodakov, Yu.A., Mokhov, E.N., Ramm, M.G., Roenkov, A.D. // Kristal und Technik. 1979, 14.-p. 729.
  16. , M.M., Гусева, Н.Б., Дмитриев, B.A., Сыркин, А.Л. // Изо, АН СССР. Неорг. матер., 20, 1768 (1984).
  17. Konstantinov, А.О., Ivanov, Р.А. // Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (inst. Phys.: Conf. Ser. N 137- Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 37.
  18. Ю.А., Мохов E.H. Прогресс в выращивании кристаллов и изучение широкозонных полупроводниковых материалов // ФТТ. 1999. Т. 41. № 5. С. 822−825.
  19. Yoo W., Nishino S., Matsunami H. Epitaxial Growth of Thick Single Crystal in Cubic Silicon Carbide by Sublimation Method. // Mem. Fac. Eng. Univ. 1987, V.49, No l.-p. 21−31.
  20. Davis, R.F., Kelner, G., Shur, M., Palmour, J.W., Edmond, J.A. // Proc. IEEE. -1991, 79.-p. 677.
  21. С., Хонг Я. Пленки SiC, выращенные методом химического газофазного осаждения с горячей нитью, и их фотолюминесценция при комнатной температуре // ТИИЭР (русский перевод). 2004. Т. 19. № 6. С. 455−457.
  22. В.В., Корогодский M.JI. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния // ФТП. 2001. Т. 35. № 10. С. 1169−1171.
  23. Nishino S., Suhara Н., Ono Н., Matsunami Н. Epitaxial Growth and electric characteristics of cubic SiC on Silicon. // J. Appl. Phys. V.61, 1987, p.p. 48 894 892
  24. Kong, H.S., Glass, J. T, Davis, R.F. // J. Appl. Phys. 1988, 64. — p. 2672
  25. Saidov, Kh.A. Shamuratov, M.A. Kadyrov Study of Growth conditions of Silicon Epitaxial layers. M.S. // Crystal Growth, V.87, 1988, p.p. 519−522
  26. , H. // Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137- Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 45.
  27. JI. Э., Мезрин О. А. Свето- и термоэлектрические эффекты, создаваемые электромагнитной волной в проводящей среде // ФТТ. 1974. Т.16. № 3. С.773−384.
  28. В.И., Колесникова А. А. Дефектообразования при эндотаксии (3-SiC на Si подложках для датчиков физичеких величин // Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии. VI межд. конф. Кисловодск: СевКавГТУ, 2006. 510 с.
  29. А.Н., Колесникова А. А., Чепурнов В. И., Щербак А. В. Технология датчиков физических величин на карбиде кремния. // Оптика. Оптоэлектропика. Технология. Ульяновск, 2003г
  30. Комов A. I-L, Чепурнов В. И., Воловик А. Н., Щербак А. В. Моделирование диффузиоиногою. механизма формирования эпитаксиального P-SiC/Si Самарский государственный университет. Самара, 2003. 5 е., 3 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН
  31. А.В. Радиоэлектрического эффект в гетероструктурах карбид кремния па кремнии.: дис. канд. ф.-м. наук: 01.04.10, 2005. 110 с.
  32. А. V. Mitin, Proc. of the XIV Ural Int. Winter School on the Physics of Semiconductors, (Ekaterinburg, 18−22 Febr. 2002), L10.
  33. JI., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М: Мир, 2001. — 344 с.
  34. P. Konsin and В. Sorkin, Phys. Rev. В 58, 1998. p. 30.
  35. А.Ф., Пащенко П. В. и др.// Тр. ХП Междунар. симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Харьков, 2001. С. 96−105.
  36. А. А., Филимонов А. В. // Особенности анализа слоистых структур с использованием ионного распыления. ЖТФ. 1997. Т. 67.№ 9. С. 257−259.
  37. Растворные пленочные технологии: Учеб. пособие / Т. Н. Патрушева. Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2002. 140с.
  38. Н. Д., Катодное распыление, «Успехи физических наук», 1946, т. 28, в. 2−3, с. 202.
  39. DeLouise L.A. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. Vol. 11. P. 609.
  40. H.B. Катодное распыление. M.: Атомиздат, 1991. с. 25 32.
  41. А.П. Источник ионов (с полым катодом) на основе разряда // Приборы и техника эксперимента. 1991. № 1. С. 177−178.
  42. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. Сборник статей. Составитель Е. С. Машкова. М.: Мир. 1998.
  43. Cheblukov Yu.N., ICoshkarev D.G., Peuto A.R. et al. // Part. Accel. 1992. V. 37. P. 351.
  44. Electronic and ionic impact phenomena/Ed. H.S.W. Massey, Burhop. Oxford. Clarendon press, 1997.
  45. Ю.П. Особенности катодного распыления // Вакуумная техника и технология. 1998. Т.2. № 4. С. 154.
  46. С.В. Магнетронное распыление. М.:"Радио и связь", 1995. 73 с.
  47. Я.А., «Техника высокого вакуума», М., Мир, 1991, с.46−60.
  48. Т. Е. Sheridan, М. J. Goeckner, J. Goree. Electron distribution Functions in a sputtering Magnetron Disharge. Jap. J. Appl. Phys., vol. 34, P. 1, 1995, pp. 49 774 982.
  49. B.C., Сырчин B.H. Магнетронные распылительные системы. M., Радио и связь. 1989. 72 с.
  50. Технология топких пленок. Справочник. Т. 1 / Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга. М.: Сов. радио. 1977. 664 с.
  51. А.И. Костржицкий, В. Ф. Карпов. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме. М.: «Машинострение», 1991.
  52. Kataolca S. The measurement of lOGc/s microwave power, employing the Hall effect in semiconductors // Res/ electrotechn. Lab. Vol. 61. № 626 — 1962. — P. 713.
  53. Д. Ш. Исследование магниторезистивного эффекта в полупроводпике в высокочастотном магнитном поле и возможность его применения для измерения высоких уровней СВЧ мощности // Дис. канд. физ.- мат. наук. Саратов, 1974.-120 с.
  54. Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., 1. М., 1971.
  55. М. А., Комов А. Н. Измерительные полупроводниковые СВЧ преобразователи. М.: Радио и связь, 1984, 152 с.
  56. К.Зеегер Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, — С. 616.
  57. А.Н.Марчсико. Полупроводниковые магниторезисторы на основе антимонида индия // Электронная техника. № 7 1997. -С.67−72.
  58. А.Н. Комов, В. М. Трещев, Г. П. Яровой. Гальваномагнитные СВЧ -преобразователи. М.: Радио и связь. -2000. — С. 11−14.
  59. Э.М., Фистуль В. И. Определение холл-фактора в атомных полупроводниках. «Заводская лаборатория», 1964. № 5. С. 559−562.
  60. А.Кобус, Я.Тушинский. Датчики Холла и магниторезисторы. М.: Энергия, 1971, — с. 198.
  61. А.А., Субашиев В. К. Гальваномагнитные кинетичекие коэффициенты при произвольном магнитном поле // ФТТ. 1971. Т. 13. № 8. С. 2258−2260.
  62. Э.А., Коврижных Ю. Т. Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках с неравномерным распределением примесей // ФТТ. 1965. Т. 7. № 12. С. 3582−3587.
  63. Е. И., Кондратьев А. С, Уздин В. М. Физика: Учеб. пособие: в 3 кн. Кн.З. Строение и свойства вещества. — М.: Физматлит, 2004 — 336 с.
  64. Ивин, А. Н. Марчеико. Магниторезистор и способ его изготовления // Электронная техника. № 3 1989. -С.84−86.
  65. Н.В. К методике измерения кинетических эффектов в полупроводниках // Труды педагогич. вузов Северного Кавказа. Орджоникидзе, Ростовский на — Дону Гос. пед. институт. 1968. С. 59−62.
  66. Т.А.Татур Основы теории электромагнитного поля. М.: Высшая школа. -1995,-С.348
  67. И.П.Жеребцов. Введение в технику дециметровых и сантиметровых волн. -Л.: Энергия.-1989. С. 184.
  68. Н.В. Использование физических явлений в полупроводниках для анализа тонкой структуры СВЧ-поля. Воронеж, Воронежский университет. 1971.
  69. B.JI. Бопч-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников. М.: Наука.-1990, — С. 262.
  70. , E.IT., Водаков, Ю.А., Ломакина, Г. А. // Проблемы физики и технологии широкозоппых полупроводников. — 1991. С. 136.
  71. Комов A. I-L, Колесникова А. А., Чепурнов В. И., Щербак А. В. Инерционные явления в гетероструктурах SiC/Si // Оптика. Оптоэлектроника. Технология. Ульяновск, 2003 г.
  72. Воловик ATI., Колесникова А. А., Комов А. Н., Щербак А. В. Инерция носителей заряда в гетероструктурах SiC/Si Самарский государственный университет. Самара, 2003. 5 е., 3 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН.
  73. Ю. В. О возникновении постоянной ЭДС при распространении электромагнитной волны в проводящей среде // Радиотехника и электропика. 1968. Т. 13. № 4. С.688−694.
  74. Leavenworth, Marzuk I., Schwartz R. F. The application of Hall-effect devices to the measurement of power density // lap. I. Appl. Phys.- 1962. Pt. 2−23, — № 11.-P.862−890.
  75. К., Амстронг Д., Гандерсон П. Инерция носителей заряда в полупроводниках // ТИИЭР (русский перевод). 1964. Т. 52. № 6. С. 720−728.
  76. G. Е., Gartner W. W. Microwave Hall effect in Germanium and Silicon at 70 kmc. Presented at the symposium on millimeter waves //Polytechnic Inst, of Brooklyn. 1959. P.87−94.
  77. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1993.
  78. К., Роуз-Инс А. Полупроводники типа AmBv. М.: Иностр. Лит-ра, 1989. С. 323.
  79. Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1998.
  80. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969.
  81. Дж. Блотт. Теория подвижности электронов в твердых телах. M.-JI.: Физматгиз, 1963.
  82. О. Теория твердого тела— М.: Наука, 1980- 416 е.- Физика твердого тела. Локализованные состояния-М.: Наука, 1985 — 184 с.
  83. Г. Введение в физику твердого тела. М.: Физматгиз, 1962.
  84. Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970.
  85. Г. Ю. Справочное пособие по магнитным явлениям— М.: Энергоатомиздат, 1991.-384 с.
  86. Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.
  87. Ю. В. О возникновении постоянной ЭДС при распространении электромагнитной волны в проводящей среде // Радиотехника и электроника. 1968.- т. 13. вып.4. — с. 688−695.
  88. Е. В. Методы исследования эффекта Холла. — М.: Советское радио, 1975.-С. 328.
  89. Ф.А. Радиоизмерения на сверхвысоких частотах. М.: Воениздат, 1996.
  90. А.Н. О термоэдс, возникающей при измерении СВЧ-мощности. — Саратов: СГУ, Вып.7, 1999.
  91. В.В., Кац Л.И. Преобразователи СВЧ-мощности высокого уровня // Измерит, техника. 1980. № 6. С. 61.
  92. М.И., Шапиро А. А. О возникновении термоэлектрических сил на радиоэлектрический эффект в полупроводниках // ФТТ.Т.12.№ 10−1991.-С.3019−3021.
  93. И.И., Касиян А. И. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах. Кишенев «Штица», 1992.
  94. В.И., Пинский Я. М. Постоянный ток в проводящей среде, обусловленный высокочастотным электромагнитным полем // ФТТ. Т. 15. № 4 1973. — С.996−1003.
  95. JI. Э., Мезрин О. А. Свето- и термоэлектрические эффекты, создаваемые электромагнитной волной в проводящей среде // ФТТ. Т.16. № 3 — 1974. С.773−384.
  96. Sikorsky S. Kobus A. Influence of the skin-effect on Hall voltage in semiconductors // Solid-State Electronics Pergamon Press. Vol. 10 — 1968. — P. 1063−1068.
  97. Ю.А., Ломакина Г. А., Мохов Е. Н. Карбид кремния, легированный алюминием и галлием // Свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1977.-С. 48−53.
  98. Swiderski L, szczutowski W., Niemyski Т. Preparation of nitrogen-doped and phosphorus-doped epitaxial a-SiC layers on silicon carbide crystals // J. Cryst. Growth 1974, 23, № 3. p. 185−189.
  99. E.H., Усманова M.M., Юлдашев Г. Ф. и др. // Изв. АН СССР. Неорг. Мат. 1981, т. 17, № 2.-С. 258−261.
  100. Ю.А., Махмудов Б. С., Мохов Е. Н. и др. Легирование карбида кремния фосфором и индием // Легирование полупроводников. — М.: Наука, 1982, 89с.
  101. А.Н., Колесникова А. А., Щербак А. В. Электрофизические свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии в области сверхвысоких частот. // «Кремний-2003», Москва, 2003 г. С. 227.
  102. Anikin М.М., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Chuico I.V. Ohmic contacts to silicon carbide devises. // Proc. of 3-rd Int. Conf. of Amorth. and Crystalline SiC, ed. by G.L. Harris et al, Springer-Verlag. Berlin. 1992. P. 183−189.
  103. С., Туе S., Wyczisk F., Brylinski С. Nickel and molybdenum ohmic contacts on silicon carbide // Silicon carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. 1996. Ser. N 142. P.577.
  104. Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Chuico I.V. Ohmic contacts to silicon carbide devises. // Abstr. of 3-rd Int. Conf. of Amorph. and Crystalline SiC. USA. Washington. 1990. P.53.
  105. Шур M. Физика полупроводниковых приборов. M.: Мир, 1992.
  106. М.Н. Фейгинов, В. А. Волков. Скин эффект и отклик полупроводниковых барьерных структур // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т. 69. № 4. С. 307−312.
  107. В.П., Пантелеев В. А. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления полупроводников: Описание лабораторной работы. Нижний Новгород: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2002. — 12 с.
  108. Л. Д., Зерно в Н. В. Электромагнитные поля и волны. Изд. 2-е, перераб. и дополненное. М. Изд-во «Советское радио», 1971, С. 664.
  109. И.М. Электроны и дырки в поле сил инерции // Успехи физических наук.- 1975.- Т. 115, № 2.- С. 321−331.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!