Полупроводниковые органические пленки на поверхности твердого тела

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Содержание

Список часто употребляемых сокращений
Глава 1. Полупроводниковые органические пленки
- 1. 1. Химический состав, геометрическая структура и электронные свойства
- 1. 2. Электронные процессы при формировании интерфейсов органических пленок и поверхностей твердых тел
- 1. 3. Электронная энергетическая структура полупроводниковых органических пленок
- 1. 4. Явление проводимости и фотовольтаический эффект в структурах на основе полупроводниковых органических пленок

Полупроводниковые органические пленки на поверхности твердого тела (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Электронные свойства полупроводниковых органических пленок и их интерфейсов привлекают значительный интерес научного сообщества, что связано с поиском новых материалов в плане развития микрои нано-электроники и разработки новых светоизлучающих, сенсорных и фотовольтаических устройств. Фундаментальной причиной электропроводности и полупроводниковых свойств в органических материалах является наличие в молекулах сопряженных химических связей. Открытие явления электропроводности в полимерах было удостоено Нобелевской премии по химии в 2000 г [57]. Свойства полупроводниковых органических пленок, в значительной степени, определяются свойствами отдельных молекул в их составе, имеющих характерный размер порядка 1 нм. Поэтому полупроводниковые органические пленки и их интерфейсы с поверхностями твердых тел являются перспективными для исследований в плане разработки нано-размерных электронных устройств на основе нескольких или одной молекулы [58]. С технологической точки зрения привлекательными в полупроводниковых органических пленках являются относительная простота в изготовлении и механическая эластичность. Это выгодно отличает их от кристаллических пленок.

В результате проведенных ранее исследований не было разработано классификации электронных процессов на интерфейсах между органическими пленками и поверхностями металлов и полупроводников в зависимости от характера химического взаимодействия на интерфейсе и протяженности переходного интерфейсного слоя. Оставалась неясной картина формирования спектра электронных состояний при взаимодействии органических молекул с поверхностью неорганических полупроводников. В первую очередь, это касается электронных состояний в приинтерфейсной области, структура которых может быть подвережена модификации в результате такого взаимодействия. Недостаточно внимания уделялось исследованию незаполненных электронных состояний в зоне проводимости, хотя их энергетическая структура наиболее чувствительна ко внешним воздействиям. Результаты таких исследований в значительной степени могут дополнить информацию об электронных свойствах органических пленок и их интерфейсов, полученную в результате исследований остовных и валентных электронных состояний. Практически отсутствовал анализ результатов исследований электронной энергетической структуры интерфейсов совместно с результатами исследований фотовольтаических свойств и диагностики химического состава и структуры.

Данная диссертационная работа имеет целью решение фундаментальной проблемы физики конденсированного состояния, заключающейся в установлении структурных и электронных свойств полупроводниковых органических пленок и их интерфейсов с поверхностью твердых тел. Актуальность работы определяется новыми фундаментальными научными знаниями, полученными при решении этой проблемы, необходимостью выработки научно-обоснованных рекомендаций для проектирования и разработки новых светоизлучающих, сенсорных и фотовольтаических устройств на основе тонких и сверх-тонких органических пленок, молекулярных агрегатов и отдельных молекул в микрои нано-электронике.

В работе решались следующие основные задачи:

• Исследование особенностей формирования полупроводниковых органических пленок на поверхности металлов и полупроводников путем проведения диагностики химического состава, структуры и морфологии поверхности непосредственно в процессе формирования исследуемых структур для контроля их свойств и для нахождения оптимальных условий формирования.

• Экспериментальное исследование электронной энергетической структуры органических пленок и их интерфейсов методами низкоэнергетической электронной спектроскопии при послойном осаждении серии характерных органических молекул на поверхности металлов и полупроводников с целью установления условий стыковки энергетических диаграмм и нахождения структуры незаполненных электронных состояний в зоне проводимости.

• Теоретическое исследование плотности незаполненных электронных состояний для модельных аналогов исследованных экспериментально органических пленок и электронных процессов их модификации вследствие взаимодействия на интерфейсах с поверхностями твердых тел.

• Исследование вольтаических и фотовольтаических характеристик тонкопленочных структур и анализ результатов на основе зонных энергетических диаграмм, построенных с учетом результатов исследований электронных процессов на интерфейсах полупроводниковых органических пленок с поверхностью твердого тела. Объектами исследования являлись структуры типа пленка/подложка и внешний электрод/пленка/подложка на основе нескольких характерных типов молекул полупроводниковых полимеров и олигомеров и малых молекул с сопряженными химическими связями. Пленки молекул октадецил-аминометилдегидро-корбатина (КРБ) наносились методом Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ). Пленки молекул поли (З-додецилтиофена) (ПДДТ) наносились методом осаждения из раствора. Пленки молекул Cu-фталоцианина (СиРс), три-олиго (фенилен-винилена), замещенного ди-бутил-тиолом (tOPV), 4-кватерфенила (4-QP), молекул 3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic acid dianhydride (PTCDA), смеси равного количества молекул СиРс и PTCDA, молекул 1,4,5,8-naphthalene-tetracarboxylic acid dianhydride (NTCDA), молекул N, N'-Bis (benzyl)-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide (BPTCDI) и молекул N, N'-Bis (benzyl)-1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic diimide (BNTCDI) наносились путем термического осаждения в вакууме. Для серии выбранных молекул характерно наличие относительно простых молекул таких, как 4-QP, состоящих из четырех бензольных колец, и постепенное увеличение размера и усложнение структуры молекул путем добавления одиночных и двойных связей с участием атомов углерода, азота, серы и кислорода. В каждой из пар: PTCDA и BPTCDI, и NTCDA и BNTCDI — молекулы имеют одинаковую структуру ароматического остова и различные функциональные группы, которые по разному влияют на свойства исследованных пленок. Молекулы КРБ, tOPV, BPTCDI, BNTCDI были синтезированы относительно недавно, и исследований электронных свойств пленок на основе этих молекул ранее не было проведено. При исследованиях процессов формирования интерфейсов методами электронной спектроскопии толщины пленок достигали 10−12 нм, а измерения проводились в течение всего процесса осаждения. В тонкопленочных структурах типичная толщина пленок составляла 100 нм.

Исследование формирования интерфейсов органических пленок проводилось при термическом осаждении на следующие подложки: поликристаллический Аи, высокоупорядоченный пиролитический графит (HOPG), (Si02)p-Si, (Si02)n-Si, Zn0(0 0 0 1), Si (l 0 0), Ge (l 1 1), CdS (0 0 0 -1) и GaAs (l 0 0). Для других измерений, проведенных в данной работе, использовались подложки из поликристаллического Аи и Al, (Si02)p-Si, (Si02)n-Si, проводящего стекла (ITO или In203. Sn02), изолирующего стекла, а также слюда и HOPG. Для фотовольтаических измерений на поверхность пленок через маски специальной формы термически осаждались полупрозрачные слои Аи и А1, которые играли роль внешних электродов.

Методики и методические подходы.

1. В целях диагностики характеристик объектов исследования использовались следующие методики: микроскопия атомных сил, сканирующая туннельная микроскопия, дифракция медленных электронов, электронная спектроскопия для химического анализа, Оже электронная спектроскопия и спектроскопия оптического поглощения.

2. С целью нахождения структуры незаполненных электронных состояний в зоне проводимости в полупроводниковых органических пленках и установления условий стыковки энергетических диаграмм на их интерфейсах использовалась методика низкоэнергетической электронной спектроскопии в процессе осаждения органических молекул на поверхности металлов и полупроводников. Для установления условий стыковки энергетических диаграмм на интерфейсах органических пленок автором разработан методический подход, основанный на совместном независимом определении изменений компонент интерфейсного барьера: потенциала поверхности, изгиба зон в полупроводниковой подложке и поляризации в органической пленке.

3. Для анализа результатов экспериментов автором проведены теоретические расчеты незаполненных электронных состояний в полупроводниковых органических пленках в приближении обобщенного градиента (GGA) метода теории функционала плотности (DFT) с использованием присоединенных плоских волн в качестве базисных функций. Для расчетов использовались модельные структуры на основе исследуемых молекул, в которых молекулы и расположены периодично, и удалены друг от друга достаточно далеко для того, чтобы межмолекулярное взаимодействие было относительно слабым, как и в случае неупорядоченных органических пленок, исследованных экспериментально. Также предложены модельные структуры исследованных органических пленок, модифицированных в результате взаимодействия на интерфейсе.

4. Автором разработана методика, экспериментальная установка и проведена серия вольтаических и фотовольтаических измерений в структурах на основе полупроводниковых органических пленок. Исследования фото-индуцированного изменения потенциала поверхности также проводились и с помощью тестирующего пучка медленных электронов в рамках методики низкоэнергетической электронной спектроскопии.

Помимо этого, автором был решен целый ряд практических и методических задач. Введено в эксплуатацию новое оборудование для микроскопии атомных сил и сканирующей туннельной микроскопии, и проведена серия экспериментов по определению шероховатости поверхности пленок полимеров и определения размеров возможных молекулярных агрегатов в них. Разработано программное обеспечение, и приведены в действие модули компьютерного управления для методик фотовольтаических измерений и низкоэнергетической электронной спектроскопии, а также проведен ряд технических модификаций оборудования, необходимых для изготовления и измерений на органических пленках. Определены пороги стабильности органических пленок под действием электронного пучка и под действием светового излучения. Проведен цикл экспериментов по определению длины свободного пробега медленных электронов в органических пленках, основанный на измерениях в рамках методики низкоэнергетической электронной спектроскопии при осаждении органических пленок на поверхность кварцевого резонатора, в качестве подложки. Введено в эксплуатацию программное обеспечение для теоретических расчетов электронных свойств.

Научная новизна работы.

1. Установлены закономерности роста, структура поверхности и элементный состав пленок ЛБ КРБ, ПДДТ, CuPc, ЮРУ, 4-QP и PTCDA на металлических и полупроводниковых подложках в диапазоне толщин от субмонослойных покрытий до массивных пленок.

2. Впервые прослежено формирование электронной энергетической структуры интерфейсов при осаждении органических пленок молекул CuPc, tOPV, 4-QP, PTCDA, NTCDA, BPTCDI и BNTCDI на поверхностях поликристаллического золота, высокоупорядоченного пиролитического графита (HOPG) и ряда неорганических полупроводников: (Si02)p-Si, (Si02)n-Si, Zn0(0 0 0 1), Si (l 0 0), Ge (l 1 1), CdS (0 0 0 -1) и GaAs (l 0 0). Результаты включают свойства интерфейсного потенциального барьера и структуру незаполненных электронных состояний зоны проводимости.

3. Получены характеристики проводимости, фотопроводимости, фотоЭДС и фото-индуцированного изменения потенциала поверхности пленок в тонкопленочных структурах на основе гетеропереходов пленок ПДДТ, ЛБ КРБ, СиРс и PTCDA с поверхностями металлов и полупроводников.

4. В тонкопленочных структурах с межмолекулярными интерфейсами в составе смешанных пленок СиРс и PTCDA обнаружено явление увеличения фотовольтаической чувствительности и расширения ее спектрального оптического диапазона.

5. Определены пределы устойчивости исследованных пленок под воздействием электронного пучка и под воздействием оптического излучения. Определены пороги фрагментации пленок СиРс под воздействием импульсного лазерного излучения, а также химический состав и структура характерных десорбированных фрагментов.

6. Проведено непосредственное определение длины свободного пробега медленных электронов с энергиями 5−30 эВ полупроводниковых пленках СиРс.

7. Результаты теоретических расчетов плотности незаполненных электронных состояний в зоне проводимости модельных полупроводниковых органических пленках в диапазоне энергий 0−30 эВ выше уровня Ферми и применение этих результатов для анализа экспериментально измеренных спектров плотности состояний. При этом проведена идентификация я* и а* зон плотности состояний и прослежены изменения их структуры при взаимодействии на интерфейсе и под влиянием дополнительных функциональных групп.

8. Установлено, что формированию интерфейсного потенциального барьера сопутствуют следующие электронные процессы: перенос заряда в результате химического взаимодействия на интерфейсе, изгиб зон в полупроводниковой подложке и образование протяженного поляризационного слоя в органической пленке.

9. Обнаружено явление формирования переходных слоев в органических пленках на интерфейсе с подложкой толщиной 2−3 нм, состоящих из фрагментов органических молекул, наряду с целыми молекулами.

10. Обнаружено явление миграции атомных компонент подложек ZnO, Si02, CdS, GaAs и InAs в термически осажденную на них пленку СиРс, миграция атомов подложек CdS и GaAs в пленку ЮРУ и миграция атомов подложки CdS в пленку PTCDA. Концентрации мигрировавших атомов составляли порядка одного на одну молекулу.

11. Впервые предложена классификация гетеропереходов в области интерфейсов полупроводниковых органических пленок с поверхностями металлов и полупроводников в зависимости от характера химического взаимодействия на интерфейсе и протяженности переходного интерфейсного слоя.

На защиту выносятся:

1. Установлены общие закономерности роста органических пленок ПДДТ при осаждении из раствора и роста пленок CuPc, tOPV, 4-QP, PTCDA, NTCDA, BPTCDI и BNTCDI при термическом осаждении в вакууме на поверхность твердых тел. На начальной стадии при толщине пленки до 10 нм характерный размер неоднородностей органического покрытия не превосходит 1 нм, что сравнимо с размерами одной молекулы. При дальнейшем осаждении пленки происходит формирование кластеров, размер которых достигает десятков нм.

2. Совокупность новых экспериментальных данных по формированию электронной энергетической структуры интерфейсов при взаимодействии органических молекул CuPc, tOPV, 4-QP, PTCDA, NTCDA, BPTCDI и BNTCDI с поверхностями поликристаллического золота, высокоупорядоченного пиролитического графита (HOPG) и ряда неорганических полупроводников: (Si02)p-Si, (Si02)n-Si, ZnO (OOOl), Si (100), Ge (l 11), CdS (OOO-l) и GaAs (lOO).

3. Результаты расчета спектров плотности незаполненных электронных состояний в зоне проводимости модельных полупроводниковых органических пленок в диапазоне энергий 0−30 эВ выше уровня Ферми и применение этих результатов для анализа экспериментально измеренных спектров плотности состояний. Проведена идентификация п* и <т* зон плотности состояний в исследованных органических пленках и прослежены изменения их структуры при взаимодействии на интерфейсе и под влиянием дополнительных функциональных групп.

4. Установлена структура потенциальных барьеров в формируемых интерфейсах органическая пленка/неорганический полупроводник. При этом профиль потенциального барьера определяется изгибом зон в полупроводниковой подложке, перераспределением электрического заряда в приинтерфейсной области пленки и поляризацией органических молекул в пленке. Предложенная в работе модель потенциального барьера органическая пленка/неорганический полупроводник существенно дополняет используемую ранее модель резкого интерфейсного барьера.

5. Обнаружено формирование переходных слоев толщиной 2−3 нм в органических пленках на интерфейсе с подложкой, состоящих из фрагментов органических молекул, наряду с целыми молекулами. Формирование переходных слоев обусловлено химическим взаимодействием с подложкой. В случае бинарных полупроводников происходит и миграция атомных компонент подложек в органическую пленку в концентрации порядка одного примесного атома на молекулу.

6. Предложена классификация гетеропереходов в области интерфейсов полупроводниковых органических пленок с поверхностями металлов и полупроводников в зависимости от характера химического взаимодействия на интерфейсе и протяженности переходного интерфейсного слоя.

7. Совокупность новых экспериментальных результатов исследований электрических и фотоэлектрических характеристик тонкопленочных структур на основе пленок ПДДТ, ЛБ КРБ, СиРс и PTCDA и применение предложенных в работе модельных зонных энергетических диаграмм для объяснения наблюдаемых закономерностей. Общей закономерностью наблюдаемых фотоэффектов является обнаружение фото-чувствительности как в спектральной области фундаментального поглощения излучения в органических пленках, так и в спектральной области поглощения в полупроводниковой подложке.

Личный вклад автора является основным на всех этапах работы и заключается в выборе фундаментальной научной проблемы и путей ее решения, непосредственном выполнении основной части экспериментальных и теоретических исследований, научном руководстве и непосредственном участии в части работы, выполненной в соавторстве, анализе и обобщении результатов исследований. Научная и практическая значимость работы.

Представленные в работе методические приемы и результаты экспериментальных и теоретических исследований электронных процессов при формировании интерфейсов в полупроводниковых структурах на основе полупроводниковых органических пленок совместно с результатами исследований фото-вольтаических характеристик этих структур являются крупным новым достижением в физике конденсированного состояния. Решена фундаментальная проблема установления электронных свойств полупроводниковых органических пленок и их интерфейсов с поверхностью твердых тел. В работе получены рекомендации по формированию эффективных гетеропереходов органический — неорганический полупроводник, что может найти практическое применение при разработке новых светоизлучающих, сенсорных и фотовольтаических устройств в микрои нано-электронике.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на 15 Российских и международных научных конференциях. В том числе: 27-ая европейская конференция «Химия на интерфейсах» (Владимир, Россия, 2003), International conference on solid films and surfaces (ICSFS-9: Copenhagen, Denmark 1998; ICSFS11: Marseille, France, 2002; ICSFS-12: Hamamatsu, Japan, 2004), European conference on molecular electronics (Linkoping, Sweden, 1999; Rolduc, Kerkrade, The Netherlands, 2001; Avignon, France, 2003), 2-ой Каргинский Симпозиум с международным участием «Химия и физика полимеров на рубеже XXI века» (Черноголовка, Россия 2000), Nano-science and european conference of solid surfaces NAN07/EC0SS21 (Malmo, Sweden, 2002), European metarials research society spring meeting (Strasbourg, France, 2002), 27th European Congress on Molecular Spectroscopy (Krakow, Poland, 2004), 2-ая международная конференция «Физика электронных материалов» (Калуга, Россия, 2005), 2-ая Санкт-Петербургская Конференция молодых ученых «Современные проблемы науки о полимерах» (Санкт-Петербург, Россия, 2006). С приглашенными докладами автор выступал на 4-ой международной конференции «Аморфные и поликристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, Россия, 2004) и на семинарах в ведущих мировых научных организациях: Danish Chemical Society and the University of Copenhagen.

Copenhagen, Denmark, 1999), Linkoepings Univerisity (Linkoeping, Sweden, 2001) и Technical University of Chemnitz (Chemnitz, Germany, 2003). Работа была поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (99−03−33 427, 02−03−32 751, 05−03−33 237), Российской научной программой «Поверхностные атомные структуры» и Датским научным агентством. Ряд исследований выполнен во время научных стажировок в Nano Science Centre университета г. Копенгагена.

Публикации. По материалам диссертации автором опубликовано 56 научных работ, которые приводятся в начале списка используемой литературы. Из них 14 являются тезисами конференций, упомянутых в разделе апробация работы, и 42 являются научными статьями в ведущих российских и международных журналах таких, как Журнал Технической Физики, Физика Твердого Тела, Физика Низко-Размерных Структур, Journal of Polymer Science В, Thin Solid Films, Journal of Molecular Spectroscopy, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, Synthetic Metals, Surface Science, Applied Surface Science. Среди публикаций 9 являются авторскими работами.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения. Общий объем диссертации составляет 420 страниц, включая 21 таблицу, 124 рисунка и библиографию из 354 названий.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом.

2. Определены пределы устойчивости исследованных пленок под воздействием электронного пучка и под воздействием оптического излучения. Определены пороги фрагментации пленок СиРс под воздействием импульсного лазерного излучения, а также химический состав и структура характерных десорбированных фрагментов.

3. Проведено непосредственное определение длины свободного пробега медленных электронов с энергиями 5−30 эВ полупроводниковых пленках СиРс.

4. С помощью Ожеэлектронной, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии ИК поглощения и лазерно-десорбционной массспектрометрии показано, что элементный и молекулярный состав исследуемых пленок соответствует их химическим формулам. Исключением является превышение экспериментально наблюдаемой относительной концентрации атомов углерода примерно на 10%, что следует связывать с наличием в пленках лишь углерод содержащих фрагментов молекул.

5. Впервые обнаружено явление миграции атомов подложек ZnO, SiC>2, CdS, GaAs и InAs в термически осажденную на них пленку СиРс. Впервые обнаружена миграция атомов подложек CdS и GaAs в пленку tOPV, и миграция атомов подложки CdS в пленку PTCDA. Концентрации мигрировавших атомов составляли порядка одного на одну молекулу при толщине пленки до 10 нм.

6. Получены новые данные о формировании электронной энергетической структуры в процессе термического осаждения в вакууме пленок СиРс, толщиной до 10−12 нм на серию поверхностей подложек, со следующими характеристиками: Au и HOPG — слабо взаимодействующие подложки, (Si02)p-Si, (Si02)n-Si, Zn0(0 0 0 1) — поверхности окислов, Si (l 0 0) и Ge (l 1 1) -полупроводники четвертой группы и CdS (OOOl), GaAs (lOO) и InAs — бинарные полупроводники. Проведены аналогичные исследования интерфейсов пленок tOPV, PTCDA и 4-QP с некоторыми из этой серии подложек.

7. С помощью теоретических расчетов определены спектры плотности незаполненных электронных состояний в зоне проводимости модельных полупроводниковых органических пленок в диапазоне энергий 0−30 эВ выше уровня Ферми. Результаты расчетов использовались для анализа экспериментально измеренных спектров электронной энергетической структуры незаполненных состояний. Проведена идентификация тс* и а* зон плотности состояний в исследованных органических пленках и прослежены изменения их структуры при взаимодействии на интерфейсе и под влиянием дополнительных функциональных групп.

8. Обнаружено формирование переходных слоев толщиной 2−3 нм в органических пленках на интерфейсе с подложкой, состоящих из фрагментов органических молекул, наряду с целыми молекулами. Формирование переходных слоев обусловлено химическим взаимодействием с подложкой.

9. Установлена структура потенциальных барьеров в формируемых интерфейсах органическая пленка/неорганический полупроводник. При этом профиль потенциального барьера определяется изгибом зон в полупроводниковой подложке, перераспределением электрического заряда в приинтерфейсной области пленки и поляризацией органических молекул в пленке. Предложенная в работе модель потенциального барьера органическая пленка/неорганический полупроводник существенно дополняет используемую ранее модель резкого интерфейсного барьера.

10. Предложена классификация гетеропереходов в области интерфейсов полупроводниковых органических пленок с поверхностями металлов и полупроводников в зависимости от характера химического взаимодействия на интерфейсе и протяженности переходного интерфейсного слоя. Выработаны рекомендации по формированию гетеропереходов органический неорганический полупроводник, обладающих эффективными диодными и фотовольтаическими характеристиками.

11. Удалось различить два компонента фото-индуцированного изменения потенциала поверхности в структурах на основе пленок CuPc, ПДДТ, ЮРУ, PTCDA и смешанной пленки CuPc/PTCDA в вакууме. Компоненты различаются по величине и по релаксационным характеристикам. Компоненты связаны с фото-чувствительностью в спектральной области фундаментального поглощения излучения в органических пленках и с фото-чувствительностью в спектральной области поглощения в полупроводниковой подложке.

12. В тонкопленочных структурах с межмолекулярными интерфейсами в составе смешанных пленок CuPc и PTCDA обнаружено явление увеличения фотовольтаической чувствительности и расширения ее спектрального оптического диапазона.

Автор работы благодарит сотрудников физического факультета и института физики им. В. А. Фока СПбГУ научного консультанта профессора Артамонова О. М., доцента Монахова В. В., сотрудников Герасимову Н. Б, Аляева Ю. Г., аспирантов Козлова Ф. Ю., Андрееву Н. А., Ахремчик С. Н. за интерес и содействие в работе. Автор благодарит всех сотрудников и преподавателей кафедр электроники твердого тела, вычислительной физики и физики полимеров физического факультета СПбГУ за рекомендации, данные в ходе выполнения работы. Автор благодарит сотрудников института химии и Nano Science Centre университета г. Копенгагена проф. Меллер П. Дж., Шамбург К. и Бьернхолм Т. за содействие в работе во время стажировок автора в университете г. Копенгагена. Автор благодарит за финансовую поддержку Российский фонд фундаментальных исследований (99−03−33 427, 02−03−32 751, 05−03−33 237), Российскую научную программу «Поверхностные атомные структуры» и Датское научное агентство, а также Люндбекфонден за признание и премирование цикла работ по обнаружению явления протяженного интерфейсного диполя в полупроводниковых органических пленках (14.01.2003).

Заключение

Несмотря на большой объем научных знаний, накопленных в результате исследований электронных свойств полупроводниковых органических пленок, нерешенной является фундаментальная проблема установления структурных и электронных свойств полупроводниковых органических пленок и интерфейсов, формируемых при осаждении органических молекул на поверхности твердых тел. В результате проведенных ранее исследований не было разработано классификации электронных процессов на интерфейсах между органическими пленками и поверхностями металлов и полупроводников в зависимости от характера химического взаимодействия на интерфейсе и протяженности переходного интерфейсного слоя. Оставалась неясной картина формирования спектра электронных состояний при взаимодействии органических молекул с поверхностью неорганических полупроводников. В первую очередь, это касается электронных состояний в приинтерфейсной области, структура которых может быть подвережена модификации в результате такого взаимодействия. Недостаточно внимания уделялось исследованию незаполненных электронных состояний в зоне проводимости, хотя их энергетическая структура наиболее чувствительна ко внешним воздействиям. Результаты таких исследований в значительной степени могут дополнить информацию об электронных свойствах органических пленок и их интерфейсов, полученную в результате исследований остовных и валентных электронных состояний. Практически отсутствовал анализ результатов исследований электронной энергетической структуры интерфейсов совместно с результатами исследований фотовольтаических свойств и диагностики химического состава и структуры.

В работе решались следующие основные задачи:

• Исследование особенностей формирования полупроводниковых органических пленок на поверхности металлов и полупроводников путем проведения диагностики химического состава, структуры и морфологии поверхности непосредственно в процессе формирования исследуемых структур для контроля их свойств и нахождения оптимальных условий формирования.

Глава 2. Объекты исследования и используемые экспериментальные методики.

2.1 Изготовление полупроводниковых структур на основе тонких органических пленок.

Для проведения исследований по теме работы были изготовлены структуры на основе нескольких типов молекул, представленных на Рис. 1.1. Пленки молекул октадецил-аминометилдегидро-корбатина (КРБ) наносились методом Ленгмюра-Блоджетт (ЛБ). Пленки молекул поли (З-додецилтиофена) (ПДДТ) наносились методом осаждения из раствора. Пленки молекул Си-фталоцианина (СиРс), три-олиго (фенилен-винилена), замещенного ди-бутил-тиолом (ЮРУ), 4-кватерфенила (4-QP), молекул 3,4,9,10-peiylene-tetracarboxylic acid dianhydride (PTCDA), смеси равного количества молекул СиРс и PTCDA, молекул 1,4,5,8-naphthalene-tetracarboxylic acid dianhydride (NTCDA), молекул N, N'-Bis (benzyl)-3,4,9,10-peiylenetetracarboxylic diimide (BPTCDI) и молекул N, N'-Bis (benzyl)-l, 4,5,8-naphthalenetetracarboxylic diimide (BNTCDI) наносились путем термического осаждения в вакууме. Режимы приготовления образцов требуемого качества подбирались на основе непосредственного контроля их химического состава и геометрической морфологии.

В основу ЛБ метода [61,81] заложено то, что молекулы, имеющие ароматический (гидрофильный) остов и алифатическую (гидрофобную) цепь, располагаются упорядоченно на поверхности воды (слой Ленгмюра). После этого возможно нанесение молекул с поверхности воды на подложку слоями путем перемещения подложки вдоль нормали к поверхности воды, поочередно погружая и вынимая подложку. Молекулы КРБ наносились в специальной ЛБ ванне KSV-5000−3 аналогично процедуре опубликованной в работах [92,93]. При нанесении пленок поверхностное давление 15 мН/м создавалось и поддерживалось с помощью подвижного барьера. Скорость нанесения пленки составляла 10 мм/мин. В течение процесса площадь нанесенного слоя пленки была равна изменению площади слоя Ленгмюра. Были приготовлены пленки, состоящие из 50 слоев и 20 слоев молекул. Толщина каждого слоя составляла 2 нм [93]. Толщина 50 слойной пленки ЛБ КРБ была независимо измерена с помощью интерференционного микроскопа. Полученные значения составляли 100±20 нм, что хорошо соответствует толщине пленки, рассчитываемой исходя из данных ЛБ процедуры (100 нм). Значение толщины 20-слойной пленки ЛБ КРБ находится на границе применимости интерференционной микроскопии.

Используемые молекулы ПДДТ имели 95% «голова — хвост» соединений соседних мономеров, как было показано в работах [301−303]. Пленки ПДДТ приготовлялись путем осаждения молекул из раствора в ксилоле. Процедура состояла в испарении растворителя при температуре 45 °C с подложки после ее погружения и изъятия из раствора. Использовались растворы молекул двух концентраций: 17 мг/мл и 3.4 мг/мл. Толщина изготовленных таким образом пленок составила 500+20 нм и 100+20 нм, соответственно. Толщина пленок определялась с помощью интерференционного микроскопа Nikon-5 на границе пленки и подложки (пленка с части поверхности удалялась механическим путем).

CuPc, PTCDA и NTCDA были приобретены в компании Aldrich, a 4-QP были приобретены в Acros Organics в виде порошков. BPTCDI и BNTCDI были синтезированы F. Kamounah и К. Schaumburg. О синтезе молекул tOPV сообщалось в работе [304]. Молекулы КРБ, tOPV, BPTCDI, BNTCDI были синтезированы относительно недавно, и исследований электронных свойств пленок на основе этих молекул ранее не проводилось. Все исходные молекулярные материалы были очищены в течение нескольких часов путем прогрева при 100 °C в высоком вакууме непосредственно перед нанесением пленок. Термическое осаждение пленок проводилось на основе приемов опубликованных в работе [305]. Распыление молекул производилось в условиях вакуума так, что давление не превышало 5*10″ 5 Ра, из ячейки Кнудсена, расположенной на расстоянии 10 см от подложки, под углом 45°, со скоростью 0.1 нм/мин. Одновременно производилось осаждение пленок на поверхность кварцевого резонатора с целью контроля толщины органического покрытия с типичной погрешностью 0.1 нм. Для повышения точности определения толщины проводилась дополнительная калибровка системы напыления путем напыления на поверхность кварцевого резонатора, передвинутого на место расположения образца. Толщины термически осажденных пленок выбирались с учетом требований экспериментальных методик исследования. При исследованиях методами электронной спектроскопии толщины пленок достигали 10−12 нм, а измерения проводились в течение всего процесса осаждения. При фотовольтаических и других измерениях типичная толщина термически осажденных молекулярных слоев составляла 100−200 нм. Напыление пленок проводилось при комнатной температуре подложек, и не проводилось отжига пленок после напыления. На основе литературных данных для аналогичных типов пленок следует полагать, что изготовленные пленки являлись аморфными [102−106].

Исследование процессов формирования интерфейсов методами электронной спектроскопии проводилось для серий образцов термически осажденных пленок на следующие подложки: поликристаллический Аи, высокоупорядоченный пиролитический графит (HOPG), (Si02)p-Si, (Si02)n-Si, Zn0(0 0 0 1), Si (l 0 0), Ge (l 1 1), CdS (0 0 0 -1) и GaAs (l 0 0). Для других измерений, проведенных в данной работе, использовались подложки из поликристаллического Аи и Al, (Si02)p-Si, (Si02)n-Si, проводящего стекла (ITO или In203. Sn02), изолирующего стекла, а также слюда и HOPG. При исследованиях свойств интерфейсов типа органическая пленка/органическая пленка в структурах BPTCDI/PTCDA и BNTCDI/NTCDA в роли подложки выступал слой органической пленки, нанесенный на поверхность кремния или металла. Для фотовольтаических измерений на поверхность пленок через маски специальной формы термически осаждались полупрозрачные слои Аи и А1, которые играли роль внешних электродов.

Для получения Au и А1 подложек эти металлы термически напылялись на поверхность стекла или кремния под углом 90° в условиях вакуума при давлении не выше 104 Ра. Аналогично проводилось напыление полупрозрачных Au и А1 слоев толщиной 18−25 нм на поверхность пленок. При этом расстояние от источника напыления до поверхности пленок составляло около 20 см, в то время, как характерный размер области поверхности для напыления составлял 1 см х 1 см. Это обеспечивало равномерность по толщине напыленного слоя. Одновременно проводилось напыление металлов на стеклянную подложку, расположенную в непосредственной близости от образца. Данные по спектру поглощения в этом напыленном слое позволяли учитывать ослабление интенсивности излучения в нем при измерениях фотоэлектрических характеристик. Пластины n-Si (l 0 0), легированные фосфором, и p-Si (l 0 0), легированные бором, имели удельное сопротивление 2 Ом см и 6 Ом см, соответственно. Это соответствует концентрации легирующей примеси в них порядка 21 015 см" 3. Непосредственно перед нанесением пленок пластины были погружены на 10 сек в 10% раствор HF, кипятились в течение 30 мин в смеси H2O2/H2SO4 и были промыты спиртом. После такой процедуры очистки на поверхности кремния формируется слой реального оксида толщиной около 3−5 нм, который имеет отличающийся от стехиометрического усредненный состав SiOx, где х принимает значения от 1.5 до 2 [143,306]. Оксид кремния такого типа находился в составе подложек окисленного кремния, используемых в работе, однако, для них было решено использовать более простые обозначения: (Si02)p-Si и (Si02)n-Si. Поверхность Ge (lll) подложки была обработана в смеси HF/HNCb/AgNCb до внесения в вакуум. Пластины из изолирующего стекла и ITO были промыты деконаксом и спиртом. ITO обладает металлическими свойствами и имеет удельное сопротивление порядка 0.01 Ом см. Атомночистая поверхность слюды и HOPG получалась методом скола путем прикладывания и отрывания адгезионного пластика. После достижения рабочего давления в вакуумной камере поверхности монокристаллических подложек были подвергнуты действию сфокусированного излучения ксеноновой лампы высокого давления с номинальной мощностью 800 Ватт. Чистота поверхностей определялась с помощью Ожэ электронной спектроскопии.

2.2. Методики, используемые для контроля качества изготовленных структур

2.2.1 Микроскопия атомных сил (MAC) и сканирующая туннельная микроскопия (СТМ).

При формировании тонкопленочных слоистых структур важно контролировать геометрическую однородность поверхности пленок, наличие уступов и сквозных пор. Контроль геометрической структуры следует проводить с разрешением, лежащем в диапазоне от единиц микрон до долей нанометров. Для этой цели в работе использовалась методика MAC. Принципы MAC [307] основаны на том, что между атомами и молекулами существуют силы взаимного притяжения и отталкивания. Сканирующее острие микроскопа испытывает взаимодействие с неровностями поверхности. При расстояниях г порядка одного атомного радиуса между острием и поверхностью существенный вклад во взаимодействие вносят только крайние атомы острия и ближайшие к нему атомы поверхности. Отталкивающая сила F® в этом случае может быть представлена как.

F® = 12B/r13−6D/r7 (2.1), где В и D — константы, зависящие от используемых материалов [307].

Описанный режим измерений называют контактной модой. При измерениях в бесконтактном режиме, на расстояниях порядка 100 нм, необходимо учитывать силы притяжения Ван Дер Ваальса. При этом сила многоатомного взаимодействия F^r) выражается в интегральном виде [307]:

FM® = VjjA/(rt-rs)6 drtdrs (2.2), где rt и rs — координаты острия и поверхности, Аконстанта, зависящая от используемых материалов.

Принцип работы Микроскопа Атомных Сил проиллюстрирован на Рис.

2.1. Острие располагается на специальном держателе (кантеливере).

Относительное движение острия и поверхности в дух или трех измерениях сканирование) производится с помощью работы транслятора, на котором закреплен образец. Держатель отклоняется пропорционально действующей на него силе в каждой точке сканирования. Падающий пучок лазерного излучения отражается от держателя и регистрируется XY чувствительным фотодетектором.

Расстояние до поверхности от неотклоненного острия, нм.

Рис. 2.2. Настройка силы воздействия на образец в Nanoscope 3. Показано периодическое движения острия относительно образца по стадиям 1−4. 1 и 4 — большое расстояние, нет взаимодействия, 2- отклонение острия, отталкивание, 3- отклонение острия (обратно), притягивание. *- одно из исходных положений острия (см текст).

MAC измерения в данной работе производились на микроскопах марки Nanoscope 3 (Digital Instruments) и СММ2000 («Протон-МИЭТ»). В измерениях использовались острия из SisN4 на металлическом держателе, изготовленные в заводских условиях и имеющие следующие характеристики (радиус — 20−60 нм, коэффициент упругости держателя 0.06 Н/м). Измерения производились в атмосферных лабораторных условиях. Наиболее надежный метод борьбы с погрешностями при MAC измерениях — закрепление микроскопа на резиновых подвесах, что и было реализовано в используемой установке. В ходе работы была проведена калибровка приборов путем тестовых измерений на хорошо упорядоченных известных структурах, таких, как тестовые дифракционные решетки, слюда и графит (HOPG).

Основной сложностью при MAC измерениях на мягких поверхностях таких, как полимеры и органические пленки, является то, что под действием острия может произойти механическое разрушение образца [307,308]. Поэтому нужно особо тщательно настраивать значение прикладываемой к поверхности образца силы. Схема настройки силы в приборе Nanoscope 3 проиллюстрирована на Рис. 2.2. Непосредственно перед сканированием проводилась настройка силы, и исходное положение острия фиксировалось в областях малых значений прикладываемой силы (около положения «0» показаний фотодетектора, например, на Рис. 2.2 отмечено звездочкой *).

При СТМ измерениях регистрируются значения туннельного тока между сканирующим острием и исследуемой поверхностью. Значения измеряемого туннельного тока пропорциональны плотности электронных состояний на EF образца и локальной плотности электронных состояний на Ер исследуемой поверхности [307]. В первом приближении можно полагать, что локальная плотность электронных состояний на Ер поверхности имеет сходные значения в области атомных узлов и уменьшается при удалении от атомных узлов [307]. Таким образом, результаты СТМ измерений несут информацию о топографии исследуемой поверхности. В данной работе СТМ измерения проводились на аппарате Rasterscope 3000 (Danish Micro Engineering Co.). В отличие от MAC эксперимента (Рис. 2.2), при СТМ измерениях нет необходимости использования кантеливера, и СТМ острие устанавливалось прямо на держателе. Проволока сплава Pt: Ir (90:10) использовалась в качестве материала острия. СТМ измерения можно проводить и при сканировании поверхности, покрытой жидкостью [309], при этом и сканирующее острие находится в жидкости. Для поверхностей, не смачиваемых конкретной жидкостью, можно проводить измерения в капле жидкости, нанесенной на поверхность.

2.2.2 Оже электронная спектроскопия (ОЭС) и электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА).

Для контроля элементного состава приготовленных тонкопленочных образцов, для обнаружения нежелательных примесей в них были использованы методики ОЭС и ЭСХА. Исследования с помощью ЭСХА проводятся с использованием измерений методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). В начале кратко рассмотрим физические механизмы процессов, лежащих в основе этих методик. Процесс Оже электронной эмиссии возбуждается путем создания вакансии на внутреннем уровне атома образца с использованием пучка падающих электронов с энергией порядка 3 КэВ. Электрон с выше лежащего уровня переходит на вакансию, и одновременно эмитируется Оже электрон (Рис 2.3) [82]. Измеряемая кинетическая энергия Оже электрона Екин является функцией атомного номера химического элемента и, в соответствие с рис. 2.5, может быть представлена в виде:

Екин-ЕуEx-(Evac-Ez)-(pH3M-AE (2.3), где (Eyac-Ez) — энергия связи электрона в атоме, фщм — работа выхода измерительной части спектрометра, АЕ — член, включающий различие энергий связи ионизированного и нейтрального атома, взаимодействие двух вакансий в заключительной стадии процесса, а также энергии релаксаций. Интенсивность.

Оже сигнала можно представить в виде произведения концентрации Ni атомов данного химического элемента на фактор чувствительности So*e:

Io"rNi*So" (2.4), где Боже зависит от вероятностей переходов в системе трех уровней X, Y и Z.

Рис. 2.5), величины сечения ионизации внутреннего уровня и геометрических параметров экспериментальной установки.

РФЭС основана на эмиссии электронов, находившихся на глубоких уровнях, из твердого тела. Необходимую для этого энергию электрон получает при взаимодействии с квантом падающего рентгеновского излучения [310].

Ожэ электрон Е Е vac.

Падающий электрон.

Рис. 2.3. Схематическая диаграмма Оже процесса в системе атомных уровней X, Y и Z. 1 и 2 — создание вакансии на глубоком уровне атома X, 3 и 4 — релаксация иона и выход Оже электрона.

PHI схема управления.

PHI схема регистрации.

Рис. 2.4. Схема установки для ОЭС и РФЭС измерений, включающей двух-пролетный цилиндрический зеркальный анализатор для регистрации электронов PHI Perkin-Elmer. 1- образец, 2 — источник пучка электронов энергией 3 кэВ, 3 — путь прохождения электронов в анализаторе, 4 — внутренний цилиндр анализатора (г), 5 -внешний цилиндр анализатора ®, 6 — источник монохроматического рентгеновского излучения (Mg Ка=1253.6 эВ с фильтром), 7 — полусферическая металлическая сетка для создания задерживающего потенциала.

Кинетическую энергию регистрируемого электрона Е^ можно представить как:

Екин^У-Есв-физм (2.5), где hv — энергия падающего кванта, Есв — энергия связи электрона на данном уровне в атоме, фшм — работа выхода измерительной части спектрометра.

Интенсивность РФЭС сигнала 1рфэс можно представить в виде произведения концентрации Nатомов данного химического элемента на фактор чувствительности Spox:

Ip3c (2−6), где Брфэс зависит от эффективности активации эмиссии электрона на данном уровне и геометрии эксперимента. Q.

Измерения проводились в высоковакуумной камере, давление 10″ Тор. Образцы пленок ПДДТ и ЛБ КРБ на проводящих подложках помещались в камеру непосредственно перед откачкой, а пленки CuPc, tOPV, 4-QP и PTCDA осаждались in situ, то есть по достижении в камере рабочего давления. Схема экспериментальной установки, используемой в работе, представлена на Рис. 2.4. При Оже спектрометрических исследованиях плотность электронного тока на образец составляла 110″ 5 А/см2. Энергии проходящих через анализатор (отверстия внутреннего цилиндра 4) электронов регулировались с помощью подачи напряжения развертки между цилиндрами 4 и 5. Управление измерениями и регистрация сигнала производилась с помощью компьютера посредством специальных электронных схем. Спектральное разрешение установки при ОЭС измерениях составляло 2 эВ. Частота измерения экспериментальных точек по спектру составляла 0.5 эВ. Шкала энергий измеряемых спектров была предварительно откалибрована по пику меди, Си, 63.3 эВ..

При РФЭС измерениях для монохроматизации падающего излучения применялся А1 фильтр, который пропускал основную линию источника Mg Ка=1253.6 эВ полушириной 0.7 эВ. Спектры измерялись в режиме постоянной энергии анализатора 100 В. Энергии электронов, достигающих входного отверстия внутреннего цилиндра анализатора, варьировались путем подачи развертки задерживающего потенциала на металлическую сетку 7. Спектральное разрешение установки при РФЭС измерениях с учетом энергетической и геометрической ширины возбуждающего рентгеновского пучка и разрешения анализатора составляло 2 эВ. Частота измерения экспериментальных точек по спектру составляла 0.25 эВ. Шкала энергий измеряемых спектров была предварительно откалибрована по пику меди, Сизр, 75.13 эВ. Для интерпретации экспериментальных спектров ОЭС и РФЭС в соответствие с формулами (2.4 и 2.6) использовались значения факторов чувствительности So"e и Spo3c, определенные специально для используемой установки и затабулированные в работах [82,310]..

Толщина приповерхностного слоя образца, анализируемого методами ОЭС и РФЭС связана со значениями длины свободного пробега электронов в материале этого образца. Большое количество экспериментальных данных относительно длины свободного пробега электронов в твердых телах опубликовано в работах [311,312], а также предложены варианты оценки длины свободного пробега электронов с помощью расчетов. На основе этих данных можно оценить длину свободного пробега электронов в органических пленках как показано в таблице 2.1..

Показать весь текст

Список литературы

Монахов В. В., Кашин А. Н., Комолов А. С, Метелев С. В. Привязка к зонам поверхностной емкости полупроводниковых структур, Вестник СПбГУ, 1995, Сер. 4., Вып. 4, С. 96−99.
Монахов В. В., Уткин А. Б., Клочков И. В., Комолов А. С., Кожедуб А.В, Кашин А. Н. Компьютерная установка для измерения параметров полупроводников. Вестник СПбГУ, 1997, Сер.4., Вып. 1, С. 106−109.
Комолов А. С., Лазнева Э. Ф. Фотопроводимость пленок Ленгмюра-Блоджетт корбатина, Письма вЖТФ, 1996, Том. 22, С. 54−56.
Komolov A. S., Schaumburg К. and Harrit N. Photoconductivity of Langmuir-Blodgett films of Corbathiene, Thin Solid Films, 1997, Vol. 293, p. 159−162.
Komolov A. S., Schaumburg K. and Monakhov V. V. Photovoltage properties of semiconductor LB films on n-Si in contact with metal electrode. Thin Solid Films, 1997, Vol. 311, p. 259−261.
Komolov A. S., Sinichenko V. V. and Monakhov V. V. Laser Desorption of Neutral Fragments from Thin Corbathiene and Polythiophene Films. Phys. Low-Dim. Struct., 1997, Vol. 7, p. 49−54.
Komolov A. S., Monakhov V. V. and Schaumburg K. Auger Electron Spectroscopy Study of Thin Corbathiene and Polythiophene Organic Films, Phys. Low-Dim. Struct., 1997, Vol. 8/9, p. 81−86.
Komolov A. S., Andreeva N., Monakhov V. V., Schaumburg K. and Bjornholm T. Photovoltage properties of thin polythiophene films on Silicon Substrate. Phys. Low-Dim. Struct., 1997, Vol. 10, p. 71−76.
Komolov A., Schaumburg K. and Monakhov V. Charge injection and photoconductivity in sandwich and in-plane devices made of conjugated molecular films. Phys. Low-Dim. Struct., 1999, Vol. ½, p. 135−144.
Komolov A., Schaumburg K., Moller P. J. and Monakhov V. Characterization of conducting molecular films on Silicon: AFM, AES, XPS and surface photovoltage, Appl. Surf. Sci., 1999, Vol. 142, p. 591- 597.
Shibaev P.V., Arzakov M., Schaumburg K., Vinokur R., Bjernholm T. and Komolov A., Conformation of polythiophene derivatives in methaciylic polymer matrix. J. Polymer Sci. В 1999, Vol. 37, p. 2909−2917.
Komolov A. S., Schaumburg K. and Monakhov V. V. Photovoltage and photoconductivity in Si/organic film/metal structures with films made of poly (3-alkylthiophene) molecules and polycyclic conjugated molecules, Synth. Met., 1999, Vol. 105, p. 29−34.
Komolov A. S. and Schaumburg K. Role of Si/film interface in photovoltaic devices based on aromatic molecular films, Synth. Met., 2000, Vol. 113, p. 217 221.
Komolov A., Sinichenko V. and Kozlov Ph. Yu. Laser induced desorption of molecular fragments from the surface of thin Cu-phthalocyanine films, Phys. Low-Dim. Struct., 2000, Vol. 9/10, p. 67−74.
Komolov A. S., Schaumburg K. and Moller P. J. Formation of an ordered Cu-phtalocyanine molecular layer on a pyrolytic graphite surface, Phys. Low-Dim. Struct., 2000, Vol. 11/12, p. 37−44.
Shabanova E.S., Komolov A.S. and Schaumburg K., Self-Assembled Fullerene Derivatives on Quartz Glass Surfaces, Phys. Low-Dim. Struct., 2000, Vol. ¾, p. 37−44.
Комолов А. С. Фотовольтаический эффект в пленках поли(апкилтиофена) на кремниевой подложке, ФТТ, 2001, Том 43, Вып. 2, С. 379−382.
Komolov A. S. and Medler P. J. Photo- and gas sensitivity of thin Cu-phtalocyanine films studied by spectroscopy of unoccupied electron states, Synth. Met., 2001, Vol. 123, p. 359−363.
Komolov A. S. and Aliaev Yu. G. Interface formation between ZnO (OOOl) surface and thin organic molecular films, Phys. Low-Dim. Struct., 2001, Vol. 5/6, p. 37−44.
Komolov S. A., Lazneva E. F. and Komolov A. S. Interface formation during Cu-Phthalocyanine organic molecules deposition on ZnO (OOOl) surface, Phys. Low-Dim. Struct., 2001, Vol. 11/12 p. 211−216.
Gerasimova N. В., Komolov A. S., Aliaev Y. G. and Sidorenko A. G. Electronic structure of unoccupied electronic states of PTCDA, NTCDA and perylene thin films. Phys. Low-Dim. Struct., 2001, Vol. ½, p. 119−126.
Komolov A. S. and Moller P. J. Interface formation between thin Cu-phthalocyanine films and crystalline and oxidized silicon surfaces, Synth. Met., 2002, Vol. 128, p. 205−210.
Комолов A.C., Мельников А. Б., Schaumburg К., Рюмцев E. И. и Лезов А.В., Размеры и конформация молекул комплексов ДНК-ПАВ в разбавленных растворах и на атомно-гладких подложках. Коллоидный журнал, 2002, Том. 64, Вып. 2, С. 176−181.
Komolov A. S. and Moller P. J. Unoccupied electronic states and energy level alignment at interfaces between Cu-phthalocyanine films and semiconductor surfaces, Synth. Met., 2003, Vol. 138, p. 119−123.
Komolov A. S. and M0ller P. J. Electronic charge distribution at interfaces between Cu-phthalocyanine films and semiconductor surfaces, Surf. Sci., 2003, Vol. 532−535, p. 1004−1010.
Komolov A. S. and Moller P. J. Photoconductivity and oxygen adsorption on Cu-phthalocyanine films on cadmium sulphide, Appl. Surf. Sci., 2003, Vol. 212 215, p. 497−500.
Komolov A.S., Moller P. J. and Lazneva E. F. Interface formation between oligo (phenylene-vinylene) films and highly ordered pyrolytic graphite and Ge (l 1 1) surfaces, J. Electr. Spec. Rel. Phen., 2003, Vol. 131/132, p. 67−75.
Комолов С. А., Лазнева Э. Ф., Комолов А. С. Длина свободного пробега электронов низких энергий в тонких пленках фталоцианина, Письма в ЖТФ, 2003, Том. 29, Вып. 23,2003, С. 13−19.
Komolov A. Interface formation between organic and inorganic semiconductors: Cu-phthalocyanine films on Ge and InAs surfaces, Phys. Low-Dim. Struct., 2003, Vol.9/10, p. 89−98.
Komolov A. S. and Moller P. J. Interface formation between Cu-phthalocyanine films and CdS and GaAs semiconductor surfaces, Colloids and Surfaces A, 2003, Vol. 239, p. 49−54.
Комолов А.С. Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса между пленками олиго(фенилен-винилена) и поверхностью Ge (l 1 1), ЖТФ, 2004, Том. 74, Вып. 5, С. 113−117.
Komolov A.S., Interface formation between Copper Phthalocyanne films and solid surfaces, Phys. Low-Dim. Struct., 2004, Vol. ¾, p. 103−126.
Komolov A. S. and Moller P. J. Unoccupied electronic band structure of conjugated molecular films interfacing polycrystalline gold surface, Appl. Surf. Sci., 2005, Vol. 244, p. 573−577.
Komolov A. S., Moller P. J., Aliaev Y. G., Akhremtchik S. et al., Organic-organic interfaces and unoccupied electronic states of thin films of perylene and naphthalene derivatives, J. Molec. Spectr., 2005, Vol. 744−747, p. 145−149.
Komolov A. S., Moller P. J., Mortensen J. et al., Electronic properties of zinc oxide surface modified by ultra thin films of conjugated molecular films. Surf. Sci., 2005, Vol. 586, p. 129−136.
Комолов А. С., Ахремчик C.H. и Moller P.J. Незаполненные электронные состояния на интерфейсе пленки олиго (фенилен-винилена) с окисленным кремнием, Физика Низкоразмерных Структур, 2006, Вып. 2, С. 58−63.
Комолов А.С. Незаполненные электронные состояния пленки олигомера кватерфенила и ее интерфейса с поверхностями золота и окисленного кремния, ЖТФ 2006, Том. 76, Вып. 3, С. 70−74.
Комолов С.А., Лазнева Э. Ф. и Комолов А. С. Электронные свойства тонких пленок олиго (фенилен-винилена) на CdS подложке, Физика Низкоразмерных Структур, 2006, Вып. 1, С. 62−65.
Комолов А. С., Герасимова Н. Б., Аляев Ю. Г., Логинов Б. А., и др., Фотоэлектронные свойства органических пленок на поверхности кремния, ЖТФ, 2006, Том 36, Вып. 7, С. 76−80.
Комолов А, Логинов Б. А., Рюмцев Е. И. и Лезов А. В. Конформация комплекса соли поли (глутаминовой) кислоты и сурфактанта на твердотельной поверхности, Физика Низкоразмерных Структур, 2006, Вып. 2, С. 53−57.
Комолов А.С. Фотовольтаические свойства интерфейсов органических молекулярных пленок на поверхности кремния, ПЖТФ, 2006, Том. 32, Вып. 12, С. 34−40.
Komolov A. S. and Moller P. J. Interface formation between thin CuPc films and crystalline and oxidized silicon. Proceedings of European conference on molecular electronics ECME2001, Rolduc, Kerkrade, The Netherlands, 12−16 September 2001, p. B27.
Komolov A. S. and Moller P. J. Photoconductivity and oxygen adsorption on Cu-phthalocyanine films on cadmium sulphide, Proceedings of XI international conference on Solidfilms and surfaces, Marseille, France, 8−12 July 2002, p. IV-15.
Komolov A. S. and Moller P. J. Interface formation between thin CuPc films and crystalline and oxidized silicon. Proceedings of European conference on molecular electronics ECME2003, Avignon, France, 9−14 September, 2003, p. 101.
Komolov A. S. and Moller P. J., Interface formation between Cu-phthalocyanine films and CdS and GaAs semiconductor surfaces, Proceedings of XVI European Chemistry at Interfaces Conference, Vladimir, Russia, 14−18 May, 2003 p. 113
Комолов А. С., Фотовольтаические свойства и электронная структура интерфейсов пленок фталоцианина и перилена IV международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, Россия, 5−7 Июля 2004, С. 15−16.
Комолов А. С., Электронная структура полупроводниковых пленок олиго(фенилен-винилена), в тезисах Второй Санкт-Петербургской Конференции молодых ученых «Современные проблемы науки о полимерах, Санкт-Петербург, Россия, 31 января 2 февраля 2006, С. 73.
Norden В. Krutmeijer Е. The Nobel Prize in Chemistry, 2000: Conductive polymers, The Royal Swedish Academy of Sciences, Stockholm 2000.
Kubatkin S., Danilov A., Hjort M. et al., Single electron transistor with a single conjugated molecule, Curr. Appl. Phys. 2004, Vol. 4, p. 554−558.
Schott M. and Nechtstein M. Introduction to conjugated and conducting polymers in: Organic conductors, Ed. by: Farges J.P. Marcel Dekker: New-York, 1994, p. 495−538.
Menon R. Charge transport in conducting polymers in: Handbook of organic conductive molecules and polymers, Ed. by: Nalwa H.S. Wiley: New-York, 1997, p. 47−140.
Petty M.C. LB films: an introduction, Cambridge University Press: Cambridge, 1996,-230 p.
McKeown N.B., Phtalocyanine materials: synthesis, structure and function. Cambridge University Press, Cambridge, 1998, -224 p.
Springborg M., Schmidt K., Meider H., amd De Maria L., Theoretical studies of electronic properties of conjugated polymers, in: Organic Electronic Metarials, Ed. by: Farchioni R. and Grosso G., Springer, Berline, 2001, p. 39−88.
Spanggaard H., Krebs F. C., A brief history of the development of organic and polymeric photovoltaics, Sol. Energy Mat. Sol. Cells 2004, Vol. 83, p. 125−146.
Malinauskas A., Malinauskien J. and Ramanavicius A., Conducting polymer-based nanostructurized materials: electrochemical aspects. Nanotech. 2005, Vol. 16, p. R51-R62.
Hill I., Milliron D., Schwartz J. and Kahn A., Organic semiconductor interfaces: electronic structure and transport properties, Appl. Surf. Sci., 2000, Vol. 166, p. 354−362.
Fahlman M. and Salaneck W.R., Surfaces and interfaces in polymer-based electronics. Surf. Sci. 2002, Vol. 500, p. 904−922.
Dillingham T.R., Cornelison D.M. and Townsend S.W. Structural and chemical characterization of vapor-deposited polythiophene films. J. Vac. Sci. Technol. A, 1996, Vol. 14, p. 1494−1498.
Luzni W., Trznadel M. and Pron A. X-Ray diffraction study of regioregular poly (3-alkylthiophenes). Synth. Met., 1996, Vol. 81, p. 71−74.
Salaneck W.R., Statsfrom S. and Bredas J.L. Electronic and chemical structure of interfaces for polymer light emitting devices in: Conjugated polymer surfaces and interfaces, Cambridge University Press: Cambridge, 1996, p. 1−160.
Petty M.C. Characterization and properties in: LB Films, Ed. by: Roberts G. Plenum Press: New-York, 1990, p. 133−222.
Abdou M.S.A. and Holdcroft S. Photochemical processes of conductive polymers in: Handbook of organic conductive molecules and polymers, Ed. by: Nalwa H.S. Wiley: Ney-York, 1997, p. 173−235.
Abdou M.S.A. and Holdcroft S. Mechanisms of photodegradation of p (3-alkylthiophenes) in solution. Macromolecules, 1993, Vol. 26, p. 2954−2962.
Williams D.H. and Fleming I. Infrared spectra in: Spectroscopic methods in organic chemistry, McGraw-Hill: London, 1987, p. 29−62.
Jones J.P. and Webby G.M. Thermal desorption of LB monolayers. Thin Solid Films, 1989, Vol. 178, p. 211−219.
Voumard P., Zenoby R., Zhan Q. Laser-induced thermal desorption of aniline from quartz surface, Surf. Sci., 1994, Vol. 307/309, p.360−367.
Grim D.M. and Allison J. Identification of colorants as used in watercolor and oil paintings by UV laser desorption mass spectrometry, Int. J. Mass. Spectr. 2003, Vol.222, p. 85−99.
Royo E. and Brintzinger H. H., Mass spectrometry of polystyrene and polypropene ruthenium complexes. A new tool for polymer characterization. J. Organometal. Chem. 2002, Vol. 663, p. 213−220.
McWeeny R. Coulson’s Valence, Oxford University Press: Oxford, 1991, -400 p.
Roberts G.G. Potential applications of LB films in: LB films, Ed. by: Roberts G. Plenum Press: New-York, 1990, p. 317−412.
Hedberg C.L. Handbook of Auger Electron Spectroscopy, Perkin-Elmer Physical Electronics: Eden Prairie, 1995, -407 p.
Dhez O., Ade H. and Urquhart S. G., Calibrated NEXAFS spectra of some common polymers, J. Electr. Spec. Rel. Phen., 2003, Vol. 128, p. 85−96.
Stohr Y., NEXAFS Spectroscopy, Springer: Berlin, 2003, -403 p.
Hitchcock A. P., Fischer P., Gedanken A. and Robin M. В., Antibonding.sigma.* valence MOs in the inner-shell and outer-shell spectra of the fluorobenzenes, J. Phys. Chem. 1987, Vol. 91, p. 531−540.
Sommers J., X-ray absorption spectroscopy of small molecules, free and adsorbed on surfaces, in: Unoccupied electronic states, Ed. by: Fuggle J.C. and Inglesfield J.E., Springer, Berline, 1992, p. 177−201.
Taborski J., Vaterlein P., Zimmermann U. and Umbach E. NEXAFS investigations on ordered adsorbate layers of large aromatic molecules. J. Electr. Spec. Rel. Phen., 1995, Vol. 75, p. 129−147.
Yoshida H., Tsutsumi K., Sato N., Unoccupied electronic states of 3d-transition metal phthalocyanines (MPc: M=Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn) studied by inverse photoemission spectroscopy. J. El. Spectr. Rel. Phen. 2001, Vol. 121, p. 83−91.
Samuelsen E.J. and Mardalen J. Structure of polythiophenes in: Handbook of organic conductive molecules and polymers, Ed. by: Nalwa H.S. Wiley: New-York, 1997, p. 87−120.
Burroughes J.H., Bradley D.D.C., Brown A.R. et al., Light emitting diodes based upon conjugated polymers. Nature 1990, Vol. 347, p. 539−540.
Forrest S.R. Ultrathin Organic Films Grown by Organic Molecular Beam Deposition and Related Techniques. Chem. Rev., 1997, Vol. 97, p. 1793−1896.
Larsen N., Bjornholm Т., Garnaes J., Als-Nielsen J. and Kjaer K. Structural studies of Langmuir and LB films of functionalyzed surfactants. Synth. Met, 1995, Vol. 77, p. 1985−1988.
Schott M. Undoped (semiconducting) conjugated polymers in: Organic conductors, Ed. by: Farges J.P. Marcel Dekker: New-York, 1994, p. 539−646.
Winokur M.J., Wamsley P., Moulton J., Smith P. and Heeger A.J. Structural Evolution in Iodine-doped Poly (3alkylthiophenes). Macromolecules, 1991, Vol. 224, p. 3812−3815.
McCullough R.D. and Lowe R.D. Enhanced electrical conductivity in regioselectively synthesized Poly (3-alkylthiophenes). J. Chem. Soc., С hem. Commun., 1992, p. 70−72.
Wusten J., Ertl Th., Lach S. and Ziegler Ch. Post deposition purification of PTCDA thin films, Appl. Surf. Sci. 2005, Vol. 252, p. 104−107.
Alfredsson Y., Brena В., Nilson K. et al., Electronic structure of a vapor-deposited metal-free phthalocyanine thin film. J. Chem. Phys. 2005, Vol. 122, p. 214 723−214 728.
Forrest S.R., Burrows P.E., Haskal E.I. and So F.F., Ultrahigh-vacuum quasiepitaxial growth of model van der Waals thin films. 2. Experiment. Phys. Rev. В 1994, Vol. 49, No. 16, p. 11 309−11 322.
Evans D. A., Steiner H. J., Middleton R. et al., In-situ monitoring of the growth of copper phthalocyanine films on InSb by organic molecular beam deposition. Appl. Surf. Sci. 2001, Vol. 175−176, p. 374−378.
Park K.T., Miller A., Klier K. et al., Heteroepitaxial copper phthalocyanine on Au (0 0 1) studied by high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy. Surf Sci. 2003, Vol. 529, p. L285-L292.
Jungyoon E., Kim S., Lim E. et al. Efects of substrate temperature on CuPc thin films, Appl. Surf. Sci., 2003, Vol. 205, p. 274−279.
Heutz S., Ferguson A. J., Rumbles G. and Jones T. S. Morphology, structure and photophysics of thin films of perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride, Organic Electr., 2002, Vol. 3, p. 119−127.
Snow A. W. and Barger W. R. Phthalocyanine films in chemical sensors, in: Phthalocyanines. Properties and applications, Ed. by: Leznoff С. C. and Lever A.B.P., VCH: New-York, 1989, p. 345−392.
Kobayashi S., Haga Y., Organic electroluminescent devices using deposited poly (p-phenylene) film as hole transport layer. Synth. Met. 1997, Vol. 87, p. 3136.
Athouel L., Resel R., Koch N. et al., Orientation of molecules in phenylene oligomer thin films: influence of substrate temperature. Synth. Met. 1999, Vol. 101, p. 627−628.
Liu G., Natarajan S. and Kim S.H., Photochemical production of oligothiophene and polythiophene micropatterns from 2,5-diiodothiophene on Au in UHV. Surf. Sci. 2005, Vol. 592, p. L305-L309.
Peisert H., Schwieger Т., Auerhammer J. M. et al., Order on disorder: Copper phthalocyanine thin films on technical substrates. J. Appl. Phys. 2001, Vol. 90(1), p. 467−469.
DeRose J.A. and Leblanc R.M. Scanning tunneling and atomic force microscopy studies of LB films. Surf. Sci. Reports, 1995, Vol. 22, p. 73−126.
Frommer J. STM and AFM in organic chemistiy, Angew. Chem. Int. Ed., 1992, Vol. 37, p. 1298−1328.
Rasmusson J.R., Kugler Т., Erlandsson R. et al., Thin poly (3,3'-phthalidylidene-4,4' biphenylene) films studied by scanning force microscopy. Synth. Met., 1996, Vol. 76, p. 195−200.
Bredas J. L., Calbert J. P., da Silva Filho D. A. and Cornil J. Organic semiconductors: A theoretical characterization of the basic parameters governing charge transport. Proc. Nat. Acad. Sci., 2002, Vol. 99, p. 5804−5809.
Cornil J., Beljonne D., Calbert J.-P.and Bredas J.-L. Interchain Interactions in Organic pi-Conjugated Materials: Impact on Electronic Structure, Optical
Response, and Charge Transport. Advanced materials, 2001, Vol. 13(14), p. 1053−1067.
Keiss H.G. Conjugated conducting polymers, Springer-Verlag: Berlin, 1992, -300p.
Mott H.F. and Davis E.A. Electron processes in non-crtystaline materials, Clarendon Press: Oxford, 1979, -374 p.
Bube R.H. Photoelectronic properties of semiconductors, Cambridge University Press: Cambridge, 1992, -318 p.
Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. Москва: изд. Наука, 1985, -184 с.
Ziegler С. Thin film properties of oligothiophenes in: Handbook of organic conductive molecules and polymers, Ed. by: Nalwa H.S. Wiley: New-York, 1997, p. 677−740.
Harrison M.G. and Friend R.H. Optical applications in: Electronic materials: the oligomeric approach, Ed. by: Mullen K. and Wegner G. Wiley: New-York, 1998, p. 518−558.
Yang Y. Polymer electroluminescent devices. MRS Bulletin, 1997, Vol. June, p. 31−38.
Salaneck W.R. and Bredas J.L. Electronic band structure of conjugated polymers. Synth. Met., 1994, Vol. 67, p. 15−22.
Gotou Y., Kakinoki I., Noto M. and Era M., Efficient polarized blue electroluminescent device using oriented p-sexiphenyl thin film. Curr. Appl. Phys. 2005, Vol. 5, p. 19−22.
Chasse Т., Wu СЛ., Hill I.G. and Kahn A., Band alignment at organic-inorganic semiconductor interfaces: д-NPD and CuPc on InP (llO), J. Appl. Phys., 1999, Vol. 85, p. 6589−6592.
Hill I., Kahn A., Soos Z.G. and Pascal R. Charge-separation energy in films of p-conjugated organic molecules. Chem. Phys. Lett., 2000, Vol. 327, p. 181−188.
Sato Y., Yoshida H., Tsutsimi K. Photoemission and inverse photoemission studies on a thin film of dimethylperylene-3,4,9,10-bis (dicarboximide). J. Electr. Spec. Rel. Phen., 1998, Vol. 88−91, p. 861−865.
Hill I., Kahn A., Cornil J., dos Santos D., and Bredas J.L. Occupied and unoccupied electronic levels in organic p-conjugated molecules: comparison between experiment and theory. Chem. Phys. Lett., 2000, Vol. 317, p. 444−450.
Hirose Y., Wu С. I., Aristov V., Soukiassian P. and Kahn A. Chemistry and electronic properties of metal contacts on an organic molecular semiconductor., App. Surf. Sci., 1997, Vol. 113/114, p. 291−298.
Cornil J., Beljonne D., Heller C., et al. Photoluminescence spectra of oligo-paraphenylenevinylenes: a joint theoretical and experimental characterization. Chem. Phys. Lett., 1997, Vol. 278, p. 139−145.
Gill R. E., Hilberer A., Van Hutten P. F., et al. Model compounds for light-emitting PPV’s: Optical and structural data of substituted oligomers. Synth. Met., 1997, Vol. 84, p. 637−638.
Tao Y., Donat-Bouillud A., D’lorio M., et al. Organic light emitting diodes based on end-substituted oligo (phenylenevinylene)s. Thin Solid Films, 2000, Vol. 363, p. 298−301.
Ishii H., Oji H., Ito E., Hayashi N., Yoshimura D. and Seki K., Energy level alignment and band bending at model interfaces of organic electroluminescent devices, J. Luminescence, 2000, Vol. 87−89, p. 61−65.
Yan L. and Gao Y., Interfaces in organic semiconductor devices, Thin Solid Films, 2002, Vol. 417, p. 101−106.
Blochwitz J., Fritz Т., Pfeiffer M. et al., Interface electronic structure of organic semiconductor interfaces with controlled doping levels. Organic Electronics 2001, Vol. 2, p. 97−104.
Gorgoi M. and Zahn D.R.T., «Band bending» in copper phthalocyanine on hydrogen-passivated Si (l 1 1). Organic Electronics 2005, Vol. 6, p. 168−174.
Seki K., Tani T. and Ishii H., Electronic structures of organic-inorganic interfaces studied by UV photoemission. Thin Solid Films, 1996, Vol. 213, p. 20−26.
Shimada Т., Hamaguchi K. and Ohuchi F.S. Electronic structures at the interfaces between copper phthalocyanine and layered materials. Appl. Phys. Lett., 1998, Vol. 72, p. 1869−1871.
Lozzi L., Ottaviano L. and Santucci S., High resolution XPS studies on hexadecafluoro-copper-phthalocyanine deposited onto Si (l 1 1)7×7 surface. Surf. Sci. 2001, Vol. 470, p. 265−274.
Dick S., Peisert H., Dini D. et al., Influence of the alkyl-chains length on the electronic structure and interface properties of 1,4-octasubstituted zinc phthalocyanines on gold. J. App. Phys. 2005, Vol. 97, p. 73 715−73 722.
Salaneck W.R., Logdlund M., Fahlman M., et al., The electronic structure of polymer-metal interfaces studed by ultraviolet potoelectron spectroscopy. Mater. Sci. Engineering.• R 2001, Vol. 34, p. 121−146.
Siokou A., Papaefthimiou V. and Kennou S. A study of the conjugated Ooct-OPV5 oligomer/gold interface using photoelectron spectroscopy. Surf. Sci. 2001, Vol. 482−485, p. 1186−1191.
Papaefthimiou V., Siokou A., and S. Kennou, A photoemission study of the 00ct-0PV5/Si02/Si (l 11) interface: Effect of the Si02 interlayer thickness, Surf. Sci., 2004, Vol. 569, p. 207−218.
Greczynski G., Kugler T. and Salaneck W. R., Photoelectron spectroscopy study of the energy level alignment at polymer/electrode interfaces in light emitting devices, Cur. Appl. Phys., 2001, Vol. 1, p. 98−106.
Laagel В., Beerbom M. M., Doran В. V. et al., Investigation of the poly2-methoxy-5-(2-ethyl-hexyloxy)-l, 4-phenylene vinylene./indium tin oxide interface using photoemission spectroscopy. J. App. Phys. 2005, Vol. 98, p. 23 512−23 518.
Papaefthimiou V. and Kennou S., Electronic properties of a semiconducting oligomer/silicon (111) interface: Influence of silicon doping, App. Phys. Lett. 2005, Vol. 86, p. 222 105−222 107.
Ivanco J., Krenn J. R., Ramsey M. G., Sexithiophene films on clean and oxidized Si (lll) surfaces: Growth and electronic structure. J. App. Phys. 2004, Vol. 96, p. 2716−2724.
Hill I.G., Schwartz J. and A. Kahn. Metal-dependent charge transfer and chemical interaction at interfaces between 3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic bisimidazole and gold, silver and magnesium. Organic Electr., 2000, Vol. I, p. 5−13.
Gustafsson J. В., Moons E., Widstrand S. M. and Johansson L. S. O., Thin PTCDA films on Si (0 0 1): 1. Growth mode, Surf. Sci. 2004, Vol. 572, p. 23−31.
Vazquez H., Flores F., Oszwaldowski R., Barrier formation at metal-organic interfaces: dipole formation and the charge neutrality level. App. Surf. Sci. 2004, Vol. 234, p. 107−112.
Kampen T. U., Das A., Park S. et al., Relation between morphology and work function of metals deposited on organic substrates. App. Surf. Sci. 2004, Vol. 234, p. 333−340.
Ito E., Oji H., Furuta M., et al., Electronic structure of p-sexiphenyl metal interfaces studied by electron spectroscopies. Synth. Met. 1999, Vol. 101, p. 654−655.
Koch N., Heimel G., Wu J. et al., Influence of molecular conformation on organic/metal interface energetics, Chem. Phys. Lett. 2005, Vol. 413, p. 390 395.
Resel R., Salzmann I., Hlawacek G., Structure and morphology of sexiphenyl thin films grown on aluminium (111), Organic Electr. 2004, Vol. 5, p. 45−51.
Ghijsen J., Johnsonb R. L., Elschnerc A. and Koch N., VUV photoemission using synchrotron light: a tool for characterising surfaces and interfaces occurring in OLEDs. J. Alloys Compounds 2004, Vol. 382, p. 179−186.
Koch N., JaackelF., Ghijsen J., Observation of filled states at the Fermi-level in alkali-metal intercalated organic films: dependence on substrate work function. J. Ellectr. Spec. Rel. Phen. 2005, Vol. 144−147, p. 495−498.
Molodtsova O.V., Schwieger Т., and M. Knupfer, Electronic properties of the organic semiconductor hetero-interface CuPc/C6o, App. Surf. Sci. 2005, Vol. 252, p. 143−147.
Schlaf R., Schroeder P. G., Nelson M. W., et al. Determination of interface dipole and band bending at the Ag/tris (8-hydroxyquinolinato) gallium organic Schottky contact by ultraviolet photoemission spectroscopy. Surf. Sci. 2000, Vol. 450, p.142−152.
Peisert H., Knupfer M., Schwieger Т., et al., Full characterization of the interface between the organic semiconductor copper phthalocyanine and gold. J. Appl. Phys. 2002, Vol. 91, p. 4872−4878.
Auerhammer J. M., Knupfer M., Peisert H. and Fink J., The copper phthalocyanine/Au (l 00) interface studied using high resolution electron energy-loss spectroscopy. Surf. Sci. 2002 Vol. 506, p. 333−338.
Hill I. G., Makinen A. J., Kafa Z. H., Distinguishing between interface dipoles and band bending at metal/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum interfaces. Appl. Phys. Lett. 2000, Vol. 77, p. 1825−1827 .
Sze S.M., Physics of semiconductor devices, Wiley, New-York, 1981, -868 p.
Chowdhury K., Wilkins C. L., Reactions of atomic gold ions with aliphatic and aromatic hydrocarbons and alkyl halides. J. Am. Chem. Soc. 1987, Vol. 109, p. 5336−5343.
Bauschlicher W., Partridge H., Langho S. R., Theoretical study of transition-metal ions bound to benzene. J. Phys. Chem. 1992, Vol. 96, p. 3273−3278.
Papaefthimiou V., Siokou A., Kennou S., The electronic properties of the interface between a thin conjugated oligomer film and Si02/Si (lll), studied by photoemission spectroscopies. Thin Solid Films 2004, Vol. 459, p. 32−36.
Barancok D., Cirak J., Tomcik P., Nespurek S. and Brynda E. U-shaped distribution of interface states in metal-LB-Si structures with phthalocyanine LB films. Thin Solid Films, 1994, Vol. 243, p. 463−467.
McCaldin J.O. Semiconductors interfacing polymers for light emission. Prog, in Solid St. Chem., 1998, Vol. 26, p. 241−265.
Bent S. F. Organic fimctionalization of group IV semiconductor surfaces: principles, examples, applications and prospects. Surf. Sci., 2002, Vol. 500, p. 879−903.
Bermudez V. M. Functionalizing the GaN (0 0 0 l)-(lxl) surface I. The chemisorption of aniline. Surf. Sci., 2002, Vol. 499, p. 109−123.
Lin R., Galili M., Quaade U. J., Brandbyge M., Bjornholm T. et al. Spontaneous dissociation of a conjugated molecule on the Si (100) surface. J. Chem. Phys., 2002, Vol. 117, p. 321−330.
Kong M. J., Teplyakov A. V., Lyubovitsky J. G. and Bent S. F., NEXAFS studies of adsorption and reaction of benzene on Si (100)-2xl. Surf. Sci., 1998, Vol. 411, p. 286−293.
Lopinski G. P., Moffatt D. J., Wayner D. D. M. and Wolkow R. A., How stereoselective are alkene addition reactions on Si (100)?, J. Am. Chem. Soc. 2000, Vol. 122, p. 3548−3549.
Xu S. H., Keeffe M., Yang Y. et al., Photoelectron diffraction imaging for C2H2 and C2H4 chemisorbed on Si (100) reveals a new bonding configuration. Phys. Rev. Lett. 2000, Vol. 84, p. 939−942.
Sorescu D. C., Jordan K. D., Theoretical study of the adsorption of acetylene on the Si (100) surface. J. Phys. Chem. В 2000, Vol. 104, p. 8259−8267.
Lai P., Teplyakov A.V., Noah Y., et al., Adsorption of ethylene on the Ge (100)-2×1 surface: coverage and time-dependent behavior, J. Chem. Phys. 1999, Vol. 110, p. 10 545−10 553.
Vaschetto M. E., Retamal B. A. and Monkman A. P., Density functional studies of aniline and substituted anilines. J. Mol. Struct. Theochem 1999, Vol. 468, p. 209−221.
Bermudez V. M., Chemisorption of NH3 on GaN (0001)-(lxl). Chem. Phys. Lett. im, Vol. 317, p. 290−295.
Kugler Т., Thibaut U., Abraham M., Folkers G. and Gopel W. Chemicaly modified semiconductor surfaces: 1,4-phenylenediamine on Si (100). Surf. Sci., 1992, Vol. 260, p. 64−74.
Piancastelli M.N., Zanoni R., Niles D.W. and Margaritondo G. Ethylene and acetylene adsorption on cleaved Si: a photoemission study with synchrotron radiation. Solid State Communications, 1989, Vol. 72, p. 635−638.
Salvan G., Tenne D. A., Das A. et al., Influence of deposition temperature on the structure of 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic dianhydride thin films on H-passivated silicon probed by Raman spectroscopy. Organic Electr., 2000, Vol. 1, p. 49−56.
MacPherson C. D. and Leung К. Т., Adsorption-state-specific С Is core-level chemical shifts of thiophene on Si (lll)7×7 by photoemission spectroscopy at 340 eV. Phys. Rev. B, 1995, Vol. 51, p. 17 995−17 998.
Birgerson J., Fahlman M., Broms P. and Salaneck W.R. Conjugated polymer surfaces and interfaces: a mini-review and some new results. Synth. Met., 1996, Vol. 80, p. 125−130.
Lachkar A., Selmani A., Sacher E., et al., Metallization of polythiophenes I. Interaction of vapor-deposited Cu, Ag and Au with poly (3-hexylthiophene) (P3HT). Synth. Met. 1994, Vol. 66, p. 209−215.
Lachkar A., Selmani A. and Sacher E., Metallization of polythiophenes II. Interaction of vapor-deposited Cr, V and Ti with poly (3-hexylthiophene) (P3HT). Synth. Met. 1995, Vol. 72, p. 73−80.
Rajagopal A., Dhanabalan A. and Major S.S. The effect of different metal cation incorporation in arachidic acid LB monolayer films. Appl. Surf. Sci. 1998, Vol. 725, p. 178−186.
Ettendgui E., Razafitrimo H., Gao Y., Hsieh B. and Ruckman M.W. Schottky barrier formation at the Ca/poly (p-phenylene vinylene) interface and its role in tunneling at the interface. Synth. Met., 1996, Vol. 78, p. 247−252.
Salaneck W.R. and Bredas J.L. Electronic and chemical structure of conjugated polymers and their interfaces: experiment, theory and glance toward future. Synth. Met., 1994, Vol. 67, p. 11−14.
Greczynski G., Salaneck W.R. and Fahlman M., Hybrid interfaces in polymer-based electronics. Synth. Meth. 2001, Vol. 121, p. 1625−1628.
Hirose Y., Kahn A., Aristov V., et al., Chemistry and electronic properties of metal-organic semiconductor interfaces: Al, Ti, In, Sn, Ag, and Au on PTCDA. Phys. Rev. В 1996, Vol. 54, p. 13 748−13 758.
Azuma Y., Akatsuka S., Okudaira К. K. et. al, Angle-resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy of In-(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride) system. J. Appl. Phys. 2000, Vol. 87, p. 766−769.
Sauer G., Kilo M., Hund M. et al., Characterization of polymeric light emitting diodes by SIMS depth profiling analysis, Fresenius J. Anal. Chem. 1995, Vol. 353, p. 5−8.
Schlatmann A. R., Floet D. W., Hilberer A. at al., Indium contamination from the indium-tin-oxide electrode in polymer light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 1996, Vol. 69,1764−1766.
Scott J. C., Kaufman J. H., Brock P. J., et al., Degradation and failure of MEH-PPV light-emitting diodes, J. Appl. Phys. 1996, Vol. 79 p. 2745−2751.
Harrison W. A, Electronic structure and the properties of solids, Freeman W. H. and Co., San Francisco, 1980, 582-p.
Fuggle J.C. and Inglesfield J.E., Introduction, in: Unoccupied electronic states, Ed. by: Fuggle J.C. and Inglesfield J.E., Springer, Berline, 1992, p. 1−23.
Бразовский С. А. и Кирова H. Н. Экситоны, поляроны и биполяроны в проводящих полимерах. Письма вЖЭТФ, 1981, Том 33, В. 1,6−10, С. 4−8.
Kirova N. and Brazovskii S. Contact kinetics in conducting polymers. Synth. Met., 1996, Vol. 76, p. 229−232.
Fahlman M., Bredas J. L. and Salaneck W. R. Experimental and Theoretical Studies of the pi-electronic Structure of Conjugated Polymers and the Low Work Function metal/Conjugated Polymer Interaction. Synth. Met., 1996, Vol. 78, p. 237−246.
Oji H., Mitsumoto R., Ito E. et al., Core hole effect in NEXAFS spectroscopy of polycyclic aromatic hydrocarbons: Benzene, chrysene, perylene and coronene, J. Chem. Phys. 1998, Vol. 109, No. 23, p. 10 409−10 418.
Panchenko O.F. and Panchenko L.K., Fine structure of secondary-electron, target-current, and electron transmission spectra for slow electrons incident on solids, J. El. Spectr. Rel. Phen., 2004, Vol. 137−140, p. 547−551.
Panchenko O.F., Unoccupied electronic band structure effects in low-energy SEES and TCS of some d-metals, J. El. Spectr. Rel. Phen., 2002, Vol. 127, p. 11−16.
Strocov V. N., Starnberg H. I. and Nilsson P. 0., Very-low-energy electron diffraction as a direct probe for unoccupied band structure: principles, results, implications in photoemission, Appl. Surf. Sci., 1999, Vol. 142, p. 311−315.
Komolov S.A., Total current spectroscopy of surfaces, Gordon&Breach, Philadelphia, 1992, -257p.
Strocov V. N. and Starnberg H. I., Absolute band structure determination by target current spectroscopy, Phys. Rev. В., 1995, Vol. 52, p. 8759−8765.
Moller P.J., Komolov S.A., Lazneva E.F. and Komolov A.S., Unoccupied states evolution with oxidation of ultrathin Mg, Zn and Cd layers on SrTi03(100) substrates, Appl. Surf. Sci., 2001, Vol. 175−176, p. 663−669.
Peetz J.V., Schattke W., Carstensen H., Manke R. and Skibowski M., Analysis of TCS data of GaAs (l 0 0) with VLEED calculations, Phys. Rev. В., 1992, Vol. 46, p. 10 127−10 133
Schafer A.M., Schluter M. and Skibowski M., Conduction-band structure of graphite studied by combined angle-resolved inverse photoemission and target current spectroscopy, Phys. Rev. B, 1987, Vol. 35/14 p. 7663−7670.
Moller P.J., Komolov S.A. and Lazneva E.F., A total current spectroscopy study of metal oxide surfaces: II. Unoccupied electronic states of Ti02(110) and SrTi03 (lOO)ZnO surfaces, J. Phys.: Cond. Mater., 2000, Vol. 12, p. 7705−7711.
Ландау Л. Д., Лившиц Е. М., Квантовая механика, Физматгиз: Москва, 1963, Глава 7. Квазиклассический случай, стр. 194−223.
Jensen F. Introduction to Computational Chemistry, Wiley: New York, 1999, -429 p.
Clark T. A Handbook of Computational Chemistry, Wiley: New York, 1985, -352 p.
Springborg M. Methods of electronic-structure calculations: from molecules to solids, Wiley: New-York, 2000, -501 p.
Luders M., Ernst A., Temmerman W. M., et al., Ab initio angle-resolved photoemission in multiple-scattering formulation. J. Phys. Cond. Mat. 2001, Vol. 13, p. 8587−8606.
Muskat J., Wander A. and Harrison N. M., On the prediction of band gaps from hybrid functional theory. Chem. Phys. Lett. 2001, Vol. 342, p. 397−401.
Laird В. В., Ross R. B. and Ziegler T. (Eds.), Chemical Applications of Density Functional Theory, American Chemical Society Symposium Series 629, American Chemical Society: Washington, D. C, 1996.
Lein M., Dobson J. F. and Gross E. K. U., Toward the description of van der Waals interactions within density functional theoiy. J. Сотр. Chem. 1999, Vol. 20, p. 12−22.
Tao J. and Perdew J. P., Test of a nonempirical density functional: Short-range part of the van der Waals interaction in rare-gas dimers. J. Chem. Phys. 2005, Vol. 122, p. 114 102−114 108.
Capelle K. and Vignale G., Nonuniqueness of the Potentials of Spin-Density-Functional Theoiy. Phys. Rev. Lett. 2001, Vol. 86, p. 5546−5549.
Springborg M., Electronic and Structural Properties of Extended-Chain Compounds and Polymers, Int. J. Quant. Chem., 2000, Vol. 77, p. 843−858.
Zeller E., Band-structure methods, in: Unoccupied electronic states, Ed. by: Fuggle J.C. and Inglesfield J.E., Springer, Berline, 1992, p. 25−49.
Arai M., Kohiki S. Yoshikaw H. et al., Photoelectron energy-loss functions of SrTi03, ВаТЮЗ and ТЮ2: Theoiy and experiment. Phys. Rev. B. 2002, Vol. 65, p. 85 101−85 106.
Samthein J., Pasquaraello A. and Car R., Structural and electronic properties of liquid and amorphous Si02: an ab initio molecular dynamics study. Phys. Rev. Lett. 1995, Vol. 74, p. 4682−4685.
Sing M., Schwingenschlogl U., R. Claessen et al., Electronic structure of the quasi-one-dimensional organic conductor TTF-TCNQ. Phys. Rev. B. 2003, Vol. 68, p. 125 111−125 120.
Horsley J.A., Stohr J., Hitchcock A.P. et.al., Resonances in the К shell excitation spectra of benzene and pyridine: Gas phase, solid, and chemisorbed states. J. Chem. Phys. 1985, Vol. 83, p. 6099−6107
McLaren R., Clarck S. A. C., Ishii I. and Hitchcock A.P., Absolute oscillator strengths from K-shell electron-energy-loss spectra of the fluoroethenes and 1,3-perfluorobutadiene. Phys. Rev. A. 1987, Vol. 36, p. 1683−1701.
Solomon J. L., Madix R. J. and Stohr J., Orientation and absolute coverage of benzene, aniline, and phenol on Ag (110) determined by NEXAFS and XPS. Surf. SciA991, Vol. 255, p. 12−30.
Sohnchen S., Lukas S. and Witte G., Epitaxial growth of pentacene films on Cu (l 10). J. Chem. Phys. 2004, Vol. 121, p. 525−534.
Iucci G., Carravetta V., Altamura P. et al., XPS, NEXAFS and theoretical study of phenylacetylene adsorbed on Cu (l 0 0). Chem. Phys. 2004, Vol. 302, p. 4352.
Rockey T. J., Yang M. and Dai H.-L., Aniline on Ag (l 1 1): Adsorption configuration, adsorbate-substrate bond, and inter-adsorbate interactions. Surf. Sci. 2005, Vol. 589, p. 42−51.
Wastberg В., Lunell S., Enkvist C., et al., Is x-ray-absorption spectroscopy of C60: The effects of screening and core-hole relaxation. Phys. Rev. В 1994, Vol. 50, p. 13 031−13 034.
Nyberg M., Luo Y., Triguero L. et al., Core-hole effects in x-ray-absorption spectra of fiillerenes. Phys. Rev. В 1999, Vol. 60, p. 7956−7960.
Narioka S., Ishii H., Ouchi Y. et al., XANES Spectroscopic Studies of Evaporated Porphyrin Films: Molecular Orientation and Electronic Structure. J. Phys. Chem. 1995, Vol. 99, p. 1332−1337.
Gieber R., Schultz В., Reiche J. et. al., Near-edge X-ray absorption fine structure spectroscopy on ordered films of an amphiphilic derivate of 2,5 -Diphenyl-1,3,4-oxadiazole. Langmuir, 1999, Vol. 15, p. 1291−1298.
Hitchcock A. P., Newbury D.C., Ishii I., Stohr J. et al., Carbon K-shell excitation of gaseous and condensed cyclic hydrocarbons, J. Phys. Chem., 1986, Vol. 85, p. 4849−4862.
Sette. F, Stohr J. and Hitchcock A. P., Determination of intramolecular bond lengths in gas phase molecules from К shell shape resonances. J. Chem. Phys. 1984, Vol. 81, p. 4906−4914.
Rocco M., Frank K., Yannoulis P. and Koch E., Unoccupied electronic structure of phthalocyanine films. J. Chem. Phys. 1990, Vol. 93(9), p. 6859−6864.
Kutzler F.W. and Ellis D.E., A comparison between one-dimentional band structures of Ni- TPP and NiPc. J. Chem. Phys. 1986, Vol. 84, p. 1033−1038.
Li X. Y., Tang X. S. and He F. C., Electron transfer in poly p-phenylene oligomers: effect of external electric field and application of Koopmans theorem. Chem. Phys. 1999, Vol. 248, p. 137−146.
Hohnholz D., Steinbrecher S. and Hanack M., Applications of phthalocyanines in organic light emitting devices, J. Molec. Struc. 2000, Vol. 521 p. 231−237.
Ванников А. В., Органические полимерные светоизлучащие устройства. Российский Химический Журнал 2001, louXLV, Вып. 5−6, С. 41−50.
Журавлев К.П., Яковлев Ю. О., Свойства тонкопленочного электролюминесцентного диода на основе поли-(ТЧ-винилкарбазола), легированного Eu (DBM)3phen. Ф7Т2005, Том. 47, Вып. 8, С. 1518−1521.
Юрре Т.А., Рудая Л. И., Климова Н. В., ШаманинВ.В. Органические материалы для фотовольтаических и светоизлучающих устройств. ФТП 2003, Том. 37, Вып. 7, С. 835−845.
Hwang В. J., Yang J. Y. and Lin C.W. Recognition of alcohol vapor molecules by simultaneous measurements of resistance changes on polypyrrole-based composite thin films and mass changes on a piezoelectric crystal. Sens. Act. В 2001, Vol. 75, p. 67−75.
Assadi A., Spetz A., Willander M., et al., Interaction of Planar Polymer Schottky Barrier Diodes with Gaseous Substances. Sensors and Actuators B, 1994, Vol. 20, p. 71−77.
Luer L., Egelhaaf H.-J., Oelkrug D., et al., Oxygen diffusion in alkyl-substituted titanium oxophthalocyanine films, Synth. Met. 2003, Vol. 138, p. 305−310.
Kanincki J. Polymeric semiconductor contacts and photovoltaic applications in: Handbook conducting polymers, Ed. by: Skotheim T.A. Marcel Dekker: New-York, 1986, p. 544−550.
Nelson J., Organic photovoltaic films. Curr. Opinion Sol. St. Mat. Sci. 2002, Vol. 6, p. 87−95.
Al-Mohamad A. Solar cells based on two organic layers. Energy Corners. Management 2004, Vol. 45, p. 2661−2665.
Chirvase D., Chiguvare Z., Knipper M., et. al., Electrical and optical design and characterisation of regioregular poly (3-hexylthiophene-2,5diyl)/fullerene-based heterojunction polymer solar cells. Synth. Met. 2003, Vol. 138, p. 299−304.
Ильчук Г. А., Климова H.B., Коньков О. И., и др. Фоточувствительные структуры на основе монокристаллического кремния и пленок фталоцианина CuPc. Получение и свойства. ФТП 2004, Том. 38, Вып. 9, С. 1056−1060.
Ильчук Г. А., Никитин С. Е., Николаев Ю. А., и др. Механизмы протекания тока и фоточувствительность структур n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu (In, Ga) Se2. ФТП 2005, Том. 39, Вып. 3, С. 349−353.
Бирюлин Ю.Ф., Меленевская Е. Ю., Миков С. Н., и др. Оптические свойства фуллеренсодержащих свободных пленок полидиметилфениленоксида. ФТП 2003, Том. 37, Вып. 1, С. 110−113.
Balzer F. and Rubahn H.-G., Growth of optically active p-phenylene needles on mica. Surf. Sci. 2002, Vol. 507−510, p. 588−592.
Conwell E.M. Transport in conducting polymers in: Handbook of organic conductive molecules and polymers, Ed. by: Nalwa H.S. Wiley: New-York, 1997, p. 1−45.
Lee C.H., Yu G. and Heeger A.J. Persistent photoconductivity in poly (p-phenylenevinylene): Spectral response and slow relaxation. Physical Review B, 1993, Vol. 47, p. 15 543−15 553.
Vincett P. S. and Roberts G.G. Electrical and Photoelectrical Transport Properties of Langmuir-Blodgett Films and a Discussion of Possible Device Applications. Thin Solid Films, 1980, Vol. 68, p. 135−171.
Emin D. Basic issues of electronic transport in insulating polymers in: Handbook conducting polymers, Ed. by: Skotheim T.A. Marcel Dekker: New-York, 1986, p. 915−940.
Chance R.R., Bredas J.L. and Silbey R. Bipolaron transport in doped conjugated polymers. Physical Review B, 1984, Vol. 29, p. 4491−4495.
Karl N., Charge carrier transport in organic semiconductors. Synth. Met. 2003, Vol. 133−134, p. 649−657.
Sugi M. and Izima S. Anisitropic Photoconduction in Dye-Sesitized Langmuir Films. Thin Solid Films, 1980, Vol. 68, p. 199−204.
Shimidzu Т., Iyoda Т., Ando M., Ohtani A., Kaneko T. and Honda K. A novel anisotropic conducting thin film having a conducting and insulating layered structure. Thin Solid Films, 1988, Vol. 160, p. 67−79.
Kim T.W., Kang D., Hong E. and Kwon Y. I-V and pi-A chatacteristics of ultrathin LB films. Thin Solid Films, 1994, Vol. 243, p. 484−488.
Donovan K.J., Scott K., Sudiwala R.V., Wilson E.G., Bonnet R., Wilkins R.F. and Paradiso R. Determination of the parallel and perpendicular intermolecular tunjneling rates in two LB quantum well systems. Thin Solid Films, 1994, Vol. 244, p. 923−927.
Lahti P., Punkka E., Stubb H., Kuivalainen P. and Laakso J. Conductive LB multilayer films of poly-(3-octylthiophene). Thin Solid Films, 1989, Vol. 179, p. 221−224.
Panero S., Passerini S. and Scorasati B. Conducting polymers: New electrochromic materials for advanced optical devices. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1993, Vol. 229, p. 97−109.
Williams G., Moore A.J., Bryce M.R. and Petty M.C. Conductivity and electroluminiscence in organometallic LB film/anthracene structure. Thin Solid Films, 1994, Vol. 244, p. 936−938.
Garten F., Vrijmoeth J., Schlatmann A.R. and Gill R.E. Light-emitting diodes based on polytiophene: influence of the metal workfunction on rectification properties. Synth. Met., 1996, Vol. 76, p. 85−89.
Gamier F., Horowitz G. and Fichou D. Conjugated polymers and oligomers as active material for electronic devices. Synth. Met., 1989, Vol. 28, p. C705-C714.
Haga Y., An H., Ishizawa R. and Yosomiya R. The junction properties of the anionic surfactant doped polypyrrole with indium. Synth. Met., 1995, Vol. 69, p. 385−386.
Parker I.D. Carrier tunneling and device characteristics in polymer light-emitting diodes./. Appl. Phys., 1994, Vol. 75, p. 1656−1666.
Heeger A.J., Parker I.D. and Yang Y. Carrier injection into semiconducting polymers: Fowler-Nordheim field-emission tunneling. Synth. Met., 1994, Vol. 67, p. 23−29.
Rendu P., Nguyen Т., Gasudin O. and Tran V. Electrical properties of phenylene vinilene oligomer thin films. Synth. Met., 1996, Vol. 76, p. 187−190.
Braun D. and Heeger A.J. Visible light emission from semiconducting polymer diodes. Appl Phys Lett, 1991, Vol. 58, p. 1982−1984.
Raikh M. and Wei X. Current-Voltage characteristics of polymer light-emitting diode at low voltages. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1994, Vol. 256, p. 563−569.
Marks R.N., Halls J., Bradley D. and et.al. The photovoltaic responce in poly (p-phenylene vinilene) thin film devices. J. Phys. C: Cond. Matter, 1994, Vol. 6, p. 1379−1394.
Karg S., Riess W., Dyakonov V. and Schwoerer M. Electrical and optical characterization of PPV light emitting diodes. Synth. Met., 1993, Vol. 54, p. 427−433.
Ohmori Y., Uchida M. and Muro K. Visible light electroluminescent diodes utilizing poly (3-alkylthiophene). Jpn. J. Appl. Phys., 1991, Vol. 30, p. L1938-L1940.
Baigent D.R., Greenham N.C., Gruner J., Marks R.N., Friend R.H., Moratti S.C. and Holmes A.B. Light-emitting diodes fabricated with conjugated polymers -recent progress. Synth. Met., 1994, Vol. 67, p. 3−10.
Horowitz G., Fichou D., Peng X. and Gamier F. Thin-film transistors based on alpha-conjugated oligomers. Synth. Met., 1991, Vol. 41−43, p. 1127−1130.
Forrest, S.R., Exciton formation statistics under electrical injection in organic semiconductor thin films. J. Luminescence, 2004, Vol. 110, p. 378−383 .
Reese C., Roberts M., Ling, M. and Bao, Z., Organic thin film transistors. Materials Today, 2004, Vol. 7(9), p. 20−27.
Lee S. Т., Wang Y. M., and Hou X. Y. and Tang C. W., Interfacial electronic structures in an organic light-emitting diode. Appl. Phys. Lett. 1999, Vol. 74, p. 670−672.
Inganas O., Roman L. S., Zhang F. L., et al., Recent progress in thin film organic photodiodes. Synth. Met. 2001, Vol. 121, p. 1525−1528.
Brabec C. J., Organic photovoltaics: technology and market. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2004, Vol. 83, p. 273−292.
Nsengiyumva S., Hotchandani S. and Leblanc R.M. Photovoltaic and photoelectric properties of Al/mixed monolayers of Chi a SQDC sandwich cells. Thin Solid Films, 1994, Vol. 243, p. 505−509.
Kvarnstrom С. and Ivaska A. Characterization and applications of poly (p-phenylene) and poly (p-phenylenevinylene) in: Handbook of organic conductive molecules and polymers, Ed. by: Nalwa H.S. Wiley: New-York, 1997, p. 487 515.
Furund Т., Takimoto K., Kouyama Т., Ikegami A. and Sasabe H. Photovoltaic properties of purple membrane LB films. Thin Solid Films, 1988, Vol. 160, p. 145−151.
Kalvoda L., Back R., Ferencz A., Neher D. and Wegner G. Photoconductivity in sandwich cells with LB films of phthalocyaninatod-polysiloxanes. Mol. Cryst. Liq. Cryst, 1994, Vol. 252, p. 223−232.
Liu W., Yang W. and Li T. A study if light-induced charge transfer at interface of cooper tetrasulphonatophtalocyanine molecular films and p-Si (lll). Thin Solid Films, 1989, Vol. 179, p. 309−312.
Pankow J.W., Arbour C., Dodelet J.P., Collins G.E. and Armstrong N.R. Photoconductivity/Dark Conductivity Studies of Chlorogallium Phthalocyanine Thin Films on Integrated Microcircuit Arrays. J. Phys. Chem., 1993, Vol. 97, p. 8485−8494.
Kohler A., Wittmann H.F., Frind R.H., Khan R.H. and Lewis J. The photovoltaic effect in a platinum poly-yne. Synth. Met., 1994, Vol. 67, p. 245 249.
Nevin W. and Chamberlain G. Dark and photovoltaic properties of doped tetraphenylporphyrin sandwich cells. Part 1 -Doping effects and dark electrical properties. J. Chem. Soc., Faraday Trans., 1989, Vol. 85, p. 1729−1745.
Karl N., Bauer A., Holzapfel J., Marktanner J., Mobius M. and Stolzle F. Efficient organic photovoltaic cells. Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1994, Vol. 252, p. 243−258.
Shaheen S. E., Brabec C. J., Sariciftci N. S., et al., 2.5% efficient organic plastic solar cells. Appl. Phys. Lett. 2001, Vol. 78, p.841−843.
Schon J. H., Kloc C. and Batlogg В., Pentacene based photovoltaic devices. Synth. Met. 2001, Vol. 124, p. 95−97.
Peumans P. and Forrest S. R., Very-high-efficiency double-heterostructure copper phthalocyanine /С-60 photovoltaic cells. Appl. Phys. Lett. 2001, Vol. 79, p. 126−128.
Loi M. A., Denk P., Hoppe H. et al., A fulleropyrrolidine-phthalocyanine dyad for photovoltaic applications. Synth. Met. 2003, Vol. 137, p. 1491−1492.
Sylvester-Hvid К. O. and Ratner M. A., Simplified Charge Separation Energetics in a Two-Dimensional Model for Polymer-Based Photovoltaic Cells. J. Phys. Chem. В 2005, Vol. 109, p. 200−208.
McCullough R.D., Lowe R.D., Jayaraman M. and Anderson D.L. Design, Synthesis, and controll of conducting polymer architectures: Structurally homogenious Poly (3-alkylthiophenes). J. Org Chem, 1993, Vol. 58, p. 904−912.
McCullough R.D., Williams S.P., Tristram-Nagle S., Jayaraman M., Ewbank P.C. and Miller L. The first synthesis and new properties of regioregular, head-to-tail coupled polythiophenes. Synth. Met., 1995, Vol. 69, p. 279−282.
Prosa T.J., Winokur M.J. and McCullough R.D. Evidence of a novel side chain structure in regioregular poly (3-alkylthiophenes). Macromolecules, 1996, Vol. 29, p. 3654−3656.
Stuhr-Hansen N., Christensen J. В., Harrit N. and Bjornholm Т., Novel Synthesis of Protected Thiol End-capped Stilbenes and 01igo (phenylenevinylene)s (OPVs), J. Org. Chem., 2003, Vol. 68/4, p. 12 751 282.
Holland L. Vacuum Deposition of Thin Films, Chapman and Hall: London, 1966, -540 p.
Монахов B.B., Романов O.B., Кириллов C.H. и др. Физ. и техн. полупроводников. 1986. Том 20, вып. З, С.477−480.
DeRose J.A. and Leblanc R.M. Scanning tunneling and atomic force microscopy studies of LB films. Surf. Sci. Reports, 1995, Vol. 22, p. 73−126.
Frommer J. STM and AFM in organic chemistry, Angew. Chem. Int. Ed., 1992, Vol. 31, p. 1298−1328.
Chastian J. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, Perkin-Elmer Physical Electronics: Eden Prairie, 1992, -261 p.
Powell C.J. Attenuation lengths of low-energy electrons in solids. Surf. Sci., 1974, Vol. 44, p. 29−46.
Seah M. P. and Dench W. A., Quantitative electron spectroscopy of surfaces. Surface and Interface Analysis, 1979, Vol. 1, p. 2−11.
Лазнева Э.Ф. Лазерная десорбция. Ленинград.:изд. ЛГУ, 1990, -183 с.
Bartos I., Electron structure of crystals via VLEED, Progr. Surf. Sci., 1998, Vol. 59, p. 197−206.
Riviere J. C., Work function: measurements and results in Solid State Surface Science, Vol. 1, M. Green Ed., Marcel Dekker, 1969, p. 179.
Yamane H., Setoyama H., Kera S., Okudaira K.K., Ueno N., Low-energy electron transmission experiments on graphite, Phys. Rev. B, 2001, Vol. 64, p. 113 407−113 410.
Tamura E., Feder R. and Krewer J., Energy depence of inner potential in Fe from low-energy electron absorption (target current), Solid State Commun., 2003, Vol. 55/6, p. 543−547.
Karstens T. Rhodamine В and Rhodamine 101 as Reference Substances for Fluorecsence Quantum Yield Measurements. J. Phys. Chem. 1980, Vol. 84, p. 1871−1872.
Kugler Т., Rasmusson J.R., Osterholm J., Monkman A.P. and Salaneck W.R. Atomic force microscopy investigations of morphologies in ultrathin polyanilene films. Synth. Met., 1996, Vol. 76, p. 181−185.
Gimzewski J. К., Stoll E. and Schlittler R. R., Scanning tunneling microscopy of individual molecules of copper phthalocyanine adsorbed on polycrystalline silver surfaces, Surf. Sci., 2000, Vol. 181, p. 267−277.
Ludwig C., Strohmaier R., Petersen J., et al., Epitaxy and scanning tunneling microscopy image contrast of copper phthalocyanine on graphite and MoS2, J. Vac. Sci. Tech. В., 1994, Vol. 12, p. 1963−1966.
Salaneck W.R. Photoelectron spectroscopy of electrically conducting organic polymers in: Handbook conducting polymers, Ed. by: Skotheim T.A. Marcel Dekker: New-York, 1986, p. 1337−1365.
Xing K., Fahlman M., Logdlund M., Berggren M., Inganas 0. and Salaneck W.R. The electronic structure of neutral and alkali metal-doped poly3-(4-octylphenyl)thiophene. studies by photoelectron spectroscopy. Synth. Met., 1996, Vol. 80, p. 59−66.
Лазнева Э.Ф. Лазерная десорбция. Л.:изд ЛГУ, 1990, -183 с.
Moller P. J., Lazneva Е. F., Komolov S. A. and Komolov A. S. Laser-induced 02 desorption from ТЮ2 Surfaces. Surf. Sci., 1998, Vol. 395, p. 82−87.
Jiang L., Bai Y., Wang D., Tian K. and Li T. Structure and electrical properties of heteromultilayers onp-Si (lll). Thin Solid Films, 1994, Vol. 243, p. 459−462.
Bjornholm Т., Greve D., Geisler T. and et.al. Third Harmonic generation of regio-regular and regio-irregular poly (3-dodecylthiophenes). Adv. Mater., 1996, Vol. 8, p. 920−923
Qu S., Gao Y., Zhao C., et al. Optical limiting properties in phthalocyanines with different substituent groups. Chem. Phys. Lett., 2003, Vol. 367, p. 767−770.
Forrest S.R., Leu L.Y., So F.F. and Yoon W.Y. Optical and electrical properties of isotope crystalline molecular organic heterojunctions. J. Appl. Phys., 1989, Vol. 66, p. 5908−5914.
Toccoloi Т., Boschetti A., Corradi C. et al. Co-deposition of phthalocyanines and fullerene by SuMBE: cherecterization of prototype devices, Synth. Met., 2003, Vol. 138, p. 3−7.
Seki K., Hayashi N., Oji H., Ito E., Ouchi Y. and Ishii H. Electronic structure of organic/metal interfaces. Thin Solid Films, 2001, Vol. 393, p. 298−303.
Moller P.J., Komolov S.A. and Lazneva E.F., A total current spectroscopy study of metal oxide surfaces: I. Unoccupied electronic states of ZnO and MgO, J. Phys.: Cond. Mater., 1999, Vol. 11, p. 9581−9588.
Hirose Y., Chen W., Haskal E.I., Forrest S.R. and Kahn A., Structural and electronic properties of an organic/inorganic semiconductor interface: PTCDA/GaAs (100). J. Vac. Sci. Tech. B. 1994, Vol. 12, No. 4, p. 2616−2620.
Hill I.G., Rajagopal A., Kahn A., Hu Y., Molecular level alignment at organic semiconductor metal interfaces. App. Phys. Lett. 1998, Vol. 73, p. 662−664.
Gador D., Zou Y., Buchberger C. et al., NEXAFS investigations of NTCDA monolayers on different metal substrates. J. Electr. Spec. 1999, Vol. 101−103, p. 523−528.
Gador D., Buchberger C., Fink R. and Umbach E., Characterization of high-quality NTCDA films on metal substrates. J. Electr. Spec. 1998, Vol. 96, p. 1117.
Kohn W. and Sham L.J., Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects, Phys. Rev., 1965, Vo 1140, p. Al 133-A1138.
Perdew J. P., Chevary J.A., Vosko S.H., Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications of the generalized gradient approximation for exchange and correlation, Phys. Rev. В., 1992, Vol. 46., p. 6671−6687.
Schwarz К. and Blaha P., Description of an LAPW DF Program (Wien 95) in: Quantum-Mechanical Ab-initio Calculation of the Properties of Crystalline Materials, Pisani C. Ed. by Pisani C., Springer, Berline, 1996, p. 139−184.
Blohl P. E., Jepsen 0. and Andersen O.K., Improved tetrahedron method for Brillouin-zone integrations, Phys. Rev. В., 1994, Vol. 49, p. 16 223−16 233.
Endo M., Kim C., Karaki T. and Dresselhaus M.S., Structural analysis of the B-doped mesophase pitch-based graphite fibers by Raman spectroscopy, Phys. Rev. В., 1998, Vol.58/14., p. 8991−8996.
Strocov V. N., Blaha P., Starnberg I., et al., The 3D unoccupied band structure of graphite by very-low-energy electron diffraction, App. Surf. Sci., 2000, Vol.162−163, p.508−512.
Guo J. H., Magnuson M., Sathe C. et al., Resonant and nonresonant x-ray scattering spectra of some poly (phenylenevinylene)s. J. Chem. Phys. 1998, Vol. 108, p. 5990−5996.
Guo J. H. and Nordgren J., Resonant С Ka x-ray emission of some carbon allotropes and organic compounds. J. Electr. Spec. Rel. Phen. 2000, Vol. 110 111, p. 105−134.
Ettedgui E., Razafitrimo H., Gao. Y. Et al., Schottky barrier formation at the Ca/poly (p-phenylene vinylene) interface and its role in tunneling at the interface. Synth. Met. 1996, Vol. 78, p. 247−252.
Lee D. W., Kim K., Jin J-I. and Park Y., Interface formation between Ca and poly (p-phenylene vinylene) derivatives. Synth. Met. 2004, Vol. 143, p. 181−185.
Chen J. G., NEXAFS investigations of transition metal oxides, nitrides, carbides, sulfides and other interstitial compounds. Surf. Sci. Reports 1997, Vol. 30(1−3), p. 1−152.
Szczepaniak B. and Bragiel P., The influence of oxygen adsorption on the electronic structure of copper phthalocyanine. Vacuum 1995, Vol. 46 (5/6), p. 465−467.
Schwieger Т., Liu X., Peisert H., et.al., Electronic properties of interfaces between different sexithiophenes and gold. J. App. Phys. 2005, Vol. 97, p. 123 712−123 716.
Ottaviano L., Lozzi L. and Santucci S., Interaction of naphthalocyanine with oxygen and with Si (l 11)7×7: an in-situ X-ray photoelectron spectroscopy study. Surf. Sci. 1999, Vol. 431, p. 242−251.
Kendrick C., Semancik S., Doping effects and reversibility studies on gas-exposed a-sexithiophene thin films. J. Vac. Sci. Tech. A. 1998, Vol. 16(5), p. 3068−3075.
Jivkov I., Nedkov Т., Nespurek S., et.al., Space-charge effect in vacuum-evaporated phthalocyanine films. Vacuum., Vacuum 2000, Vol. 58, p. 340−343.
Laubender J., Chkoda L., Sokolowski M. and Umbach E., The influence of oxygen and air on the characteristics of organic light-emitting devices studied by in vacuo measurements. Syn. Met. 2000, Vol. 111−112, p. 373−376.

Заполнить форму текущей работой