Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Деструкция ионных соединений под действием ионизирующих излучений

Диссертация: Деструкция ионных соединений под действием ионизирующих излучений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В В Е Д Е Н И Е Исследование радиационных повреадений в кристаллической решетке твердых тел стало в настоящее врегля 0Д1Шм из актуальнейших Глава физики твердого тела. Повышение интереса радиационным эффектшл в твердых телах объясняется, преще всего, все возрастающиг-ш требованиягуШ, предъявляег. шгли к свойствам конструкционных материалов, эксплуатируемых в условиях сильного облучения… Читать ещё >

Содержание

  • I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II
    • 1. 1. Образование сложных радиационных дефектов в ионных кристаллах. II
      • 1. 1. 1. Механизмы создания первичных радиационных дефектов
      • 1. 1. 2. Конечные продукты радиолаза. Коллоидальные центры и методы их исследования
      • 1. 1. 3. Радиационные процессы при высоких температурах
      • 1. 1. 4. V -центры и их агрегаты
      • 1. 1. 5. Влияние примесей на процессы агрегатизадии центров окраски
      • 1. 1. 6. Другие протяженные дефекты
    • 1. 2. Распыление кристаллов ионных соединений под действием ионизирующих излучений
      • 1. 2. 1. Электронное распыление диэлектрических соединений
      • 1. 2. 2. Деструкция ЩГК под действием когерентного излучения
      • 1. 2. 3. Радиолиз ЩГК под действием рентгеновского и f -облучения
    • 1. 3. Проблема водородных центров в ЩГК
  • 2. ОБРАЗОВАНИЕ И КОАГУЛЯЦИЯ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В ЩГК
  • ПОД ДЕЙСТВИЕМ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 2. 1. Накопление и коагуляция F -центров в кристаллах NaCt, легированных ионами ОН" и 0″ под действием радиации
    • 2. 2. Высокодозное облучение кристаллов NaCl
    • 2. 3. Высокотемпературное облучение кристаллов NaC{-0~~
    • 2. 4. Превращение центров окраски в процессе термического отжига
  • Выводы 2 главы
  • 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ДЕСТРУКЦИИ КРИСТАЛЛОВ NaCl И CaF
    • 3. 1. Получение монокристаллических образцов для исследований
    • 3. 2. О влиянии ионов ОН" и 0"~ на процесс радиолиза кристаллов NaCl
    • 3. 3. Методика масс-спбктрометрических исследований процесса радиолиза
      • 3. 3. 1. Выделение продуктов радиолиза при термическом отжиге облученных кристаллов NaCl и Na. Br
      • 3. 3. 2. Термостимулированная эмиссия продуктов радиолиза монокристаллов NaCl и CaF
    • 3. 4. Количественный анализ процесса радиолиза кристаллов NaCl, NaCl-ОН'и NaCl-0″".Пб
    • 3. 5. Механизм выделения продуктов радиолиза из облучаемых ионных соединений
    • 3. 6. Микроскопические исследования радиационного распыления кристалла NaCl-О""
  • Выводы 3 главы
  • 4. ФОТОХИМИЧЕСКИЕ И ТЕРМИЧЕСКИЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ ВОДОРОДНЫХ ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛАХ NaCt, ЛЕГИРОВАННЫХ ИОНАМИ ОН"
    • 4. 1. ИК-спектры облученных кристаллов NaCl, NaCl-OH" и NaCl-O"
    • 4. 2. Фотохимические превращения водородных центров в кристаллах NaCt’P
    • 4. 3. Особенности высокотемпературного УФ-облучения и отжига облученных кристаллов Л/яСС" О
    • 4. 4. Масс-спектрометрические исследования выделения водорода из облученных кристаллов NaCl и NaBr, легированных водородсодержащими примесями
    • 4. 5. Влияние электрического поля и температуры на э’ффективность газовыделения из кристаллов при УФ-облучении
  • Выводы 4 главы

Деструкция ионных соединений под действием ионизирующих излучений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В В Е Д Е Н И Е Исследование радиационных повреадений в кристаллической решетке твердых тел стало в настоящее врегля 0Д1Шм из актуальнейших Глава физики твердого тела. Повышение интереса радиационным эффектшл в твердых телах объясняется, преще всего, все возрастающиг-ш требованиягуШ, предъявляег. шгли к свойствам конструкционных материалов, эксплуатируемых в условиях сильного облучения ионизирующиш! излучениягли (в ядерных реакторах, ускорителях, в лазерной технике, в космосе и т. д.). В большинстве случаев прогшшленного и научного использования конструкционных материалов существенно их радиационное поведение при теглпературах около комнатной иж! выше. Радиационное дефектообразование в этой области температур отличается от низкотемпературного дефектообразования, так как с повышением температуры становятся подвил (ны!.1И многие (в том числе и радиационные) дефекты кристаллической решетки и поэтоглу появляется возмолсность образования слош1ых устойчивых комбинаций элементарных радиационных дефектов, наличие которых значительно изменяет первоначальные свойства материала. В настоящее время еще мало изучены закономерности превращения, отлшга центров окраски после высокодозного и высокотемпературного облучения, не совсем понятна роль водородных примесей в фотохимических и тер1-шчес1шх превращениях дополнительные сведения о процессах радиолиза кристаллов. с участием водородных центров. Знание этих закономерностей даст к с практической точки зрения представляется актуальными провести сравнение воздействия различных видов ионизирующего излучения, особенно в случае совместного действия ряда факторов (высокий вакуум, повышенные температуры, радиационное воздействие). Наконец, с теоретической т о ш ш зрения своевременность таких исследований определяется необходимостью создания завершенной картины радиационного дефектообразования. Цель работы. 1. Изучить особенности влияния ионизирующего излучения IP УФи рентгеновские лучи, электронная бомбардировка) при температурах облучения от 80 до 770 К на образование радиационных дефектов и их эволюцию в чистых и легированных кристаллах NIQCI NaBr и CaFg 2. Исследовать кинетику выделения продуктов радиолиза и определить величину их радиационного выхода. ]1-ж достижения на1леченной цели в работе решались следующие основные задачи: исследование процессов накопления центров окраски под действием г УФи рентгеновсикх лучей в условиях высокого вакуума и повышенных температурахизучение кинетики выделения продуктов радиолиза из некоторых ионных соединений NQCI Na&r CaFg под воздействием электронного облученияисследование фотохжшческих и термических превращений в кристаллах NaCl легированных ионами гидроксила ОН" Эти задачи решались путем проведения оптических, массспектрометрических и электронно-микроскопических исследований. Для определения радиационного выхода продуктов радиолиза были проведены количественные анализы с применением физических и хигшческих методик. На защиту выносятся следующие пололсения. 1. Появление коллоидальных центров окраски и кластеров галогена в облученном кристалле является определяющим признаком начала процесса деструкции ионного соединения. 2. В результате фототер1шческих превращений в кристаллах с примесью ионов кислорода (О") образуются терьшчески стабильные коагуляты электронных и дырочных центров окраски, которые либо отлшгаются, либо выделяются из кристалла. 3. Выделение когшонентов кристалла в процессе его радиолиза в определенном тевлпературном интервале шлеет дискреишй характер. 4. Установлена зависимость величины радиационного выхода продуктов радиолиза ЩП{ от тегшературы облучения. Научная новизна и практическая значимость. 1. При помощи хмасс-спектрометрической методики обнаружено дискретное выделение водорода из облученных кристаллов NaCl содержащих определенное количество ионов гидроксила ОН" 2. Установлены закономерности выделения продуктов радиолиза Нг С (Na и F из кристаллов NaCl-0″ «и CaFg в зависимости от температуры, вида и интенсивности облучения, исходной дефектности облучаемых образцов. 3. Определена энергия радиационного выхода электронных продуктов радиолиза кристаллов NaCl |MQC (.-OH различных температур и видов облучения. МаС1−0для Практическая значимость работы обусловлена актуальностью проблем радиационной физики твердого тела, в частности, обеспечением надежности и долговечности работы устройств, в которых применяются исследуемые кристаллы в условиях одновременного действия радиации и температуры в вакууме. Результаты работы найдут применение при создании теории радиолиза твердых тел. Они расширяют представление о процессах возникновения радиационных дефектов и образования новой фазы в кристалле, и могут оказаться полезными при изучении газового разбухания (свеллинга) реакторного горючего, при конструировании дозиметрической аппаратуры и для улучшения качества работы электронно-лучевых приборов. Результаты изучения различных фрагментов водорода в кристалле NQCI представлшот интерес для проблемы водородной хрупкости металлов. На основе результатов изучения фотохимических и термических превращений центров окраски предложен способ очистки монокристаллов щелочногалоидных соединений от примеси водорода. Диссертация содержит 202 страницы, в том числе 127 страниц текста, 3 таблицы, 48 рисунков и библиографию из 182 наименований. Результаты работы изложены в четырех.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Установлена различная эффективность УФ-, рентгеновского и уизлучений в радиационном распылении ЩГК. Определены величины радиационного и энергетического выходов образования дефектов для применявшихся видов излучений, а также их температурная зависимость. Самый низкий энергетический выход образования радиационных дефектов — для кристаллов NaCl-0″, облученных рентгеновскими лучами.

2. При термическом отжиге высокодозно (В = 1*10^ рад) облученных кристаллов NaCl-O" и NaBr-0 обнаружено выделение галогена. При этом количествощелочного металла, выделившегося при отжиге, примерно на порядок меньше, чем галогена.

3. Показано, что в процессе облучения из кристаллов выделяется всего от 3 до 1% от общего количества нейтральных атомов натрия, образовавшихся в образце и существующих в виде элементарных и агрегатных центров окраски и коллоидальных частиц металла. в интервале температур 290−590 К.

4. Обнаружен дискретный характер выделения водорода при термическом отжиге облученных кристаллов NaCl-0 nNaBr-O", а также хлора и натрия при электронном облучении (Е = 2,0 кэВ,.

• 9 Т ?

J/= 5,0*10 4−7,0*10 А/иг) в соответствующих температурных диапазонах. Установлены основные закономерности этого процесса.

5. Выделение фтора из кристаллов CaF наблюдается лишь под воздействием электронного пучка высокой плотности (? >

2 А/иг) при температуре 630 К и выше.

6. Показано, что УФ-облучение кристаллов NaCi-0 при комнатной температуре приводит к выделению лишь галогена, в то время как выделение металлического натрия не зафиксировано. При высокотемпературном облучении интенсивность радиолиза резко возрастает и происходит выделение как электронного, так и дырочного компонентов соединения.

7. Изучена реакция превращения 17 -центров в Fцентры. Определена температура УФ-облучения кристаллов с Uцентрами (450 К), начиная с которой реакция превращения U-^Г становится необратимой. Сопоставление оптических и масс-спектро-метрических данных показало, что при термическом отжиге кристаллов, облученных при Т>450 К, часть водородных центров в виде молекулы Hz выделяется из кристалла.

8. Разработан способ очистки монокристаллов NaCi от примесей водорода, заключающийся в облучении кристаллов ионизирующим излучением при температуре 440−700 К в вакууме и защищенный авторским свидетельством № II09485.

9. Показано, что приложение к образпу электрического поля в процессе высокотемпературного УФ-облучения приводит к увеличению интенсивности выделения молекулярного водорода в 3−4 раза, при этом в масс-спектре появляется атомарный водород. Эти данные свидетельствуют о высокой подвижности ионов водорода по междоузлиям решетки кристалла.

10. Показано, что при облучении кристаллов NdCi-О начиная с температуры 450 К наблюдается выделение водорода, а при То5и> 590 К выделяется и хлор. Исследована топография выделения компонент.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Pooley D. F -center production in alkali halides by electron hole recombination and a subsequent 110. replacement seguens: a discussion of the electron of the electron-hole recombination. Proc.Phys.Soc., 1966, v. 87, p. 245−255.
  2. Hersh H.N. Proposed Excitonic Mechanism of Color-center formation in Alkali Halides. Phys. Rev., 1966, v. 148, Ш 2, p. 928−932.
  3. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Экситонный механизм создания F -центров в бездефектных участках ионных кристаллов. Физ. твердого тела, 1968, т. 10, с. 2753−2754.
  4. Ч.Б., Гиндина Р. И., Йыш Х.В., Плоом Л. А., Пунг Л. А., Тийелер Э. С., Эланго А. А., Лансон Н. А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочно-галоидных кристаллах. Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1975, вып. 43, с. 7−62.
  5. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. -Успехи физических наук, 1977, т. 122, вып. 2, с. 223−251.
  6. Balzer R., Peisl H., Waidelich W. Gutterfehlordnung in KCl mit Farbzentren. Zs. Phys., 1867, b. 204, s. 405−418.
  7. H.A., Гиндина P.И., Лущик Ч. Б. Создание анионных и катионных дефектов в нитевидных кристаллах КВг . Физ. твердого тела, 1974, т. 16, в. 2, с. 379−383.
  8. Williams R.T. Photochemistry of F -centre Formation in Halide Crystals. Semiconductors and Insulators, 1978, v. 3, p. 251−283.
  9. Saxena R.D., Soda K., Itoh N. Pulse Radiolysis Studies of Metastable Interstitial Centers in KBr at High Temperatures. Cryst. Lat. Def., 1979, v. 8, p. 155−157.
  10. Seitz F. Color centers in alkali halide crystals. Revs. Mod. Phys., 1954, v. 26, p. 7−94.
  11. H.A., Пашковский M.B., Дидык Р. И. Коагуляция F -центров в фотохимически окрашенных кристаллах NaCi и KClс анионными примесями. Физ. твердого тела, 1967, т. 9, в. I, с. 23 7−242.
  12. Ю.А., Чадаев В. А., Шварц К. К. Кинетика образования коллоидных центров в кристаллах LiF при электронном облучении. Изв. АН Латв. ССР, Сер.физ.и техн. наук, 1974,1. В 3, с. 66−69.
  13. Hobbs L.W., Hughes А.Е. Annealing of irradiated alkali halides. Comments on Solid State Phys., 1978, v. 8, p. 83−92.
  14. А.Е., Даль H.A. Об одной модели образования X-центров в щелочногалоидных кристаллах. Физ. твердого тела, 1968, т. 10, с. 935−937
  15. В.И., Кристапсон Я. И., Шварц К. К., Экманис Ю. А. Коллоидные центры и цроцесс радиолиза в щелочногалоидных кристаллах. В кн.: Радиационная физика УЛ. Рига, иЗи-натне", 1973, с. 143−196.
  16. Н.А., Пашковский М. В., Набитович И. Д. Исследование влияния анионных примесей на процесс коагуляции F -центров в кристаллах хлористого калия. Физ. твердого тела, 1964, т. 6, с. I828−1833.
  17. Mie G. Beitrage zur Optik truber Medieu, speziell lcol-loidaler Matellosungen, Ann. Phys., 1908, B.d. 25, № 3, s. 377−445.
  18. Savostianowa M. Uber die kolloidale Natur der farbenden Substanz in verfarbten Steinsalz. Z. Phys., 1930, B.d. 64, IB ¾, s. 262−278.
  19. Jain S.C., Jain V.K. Optical and Electrical Studies of Colloidal and F -Aggregate Centers in Highly Pure К Br Crystals. Phys.Rev., 1969, v. 181, US 3, p. 1312−1316.
  20. Jain S.C., Sootha G.D. Optical, ESR and electrical studies of colloidal and F -aggregate centers in highly pure KCi crystals. I. Colloidal centers. Phys. Rev., 1968, v. 171, Ю 3, p. 1075−1082.
  21. А.А., Рубан М. А., Шаталов А. А. Электронный парамагнитный резонанс некоторых центров окраски щелочногалоид-ных кристаллов. В кн.: Физика щелочногалоидных кристаллов. Рига, 1962, с. 432−436.
  22. Balzer R., Peusl Н., Waidelich W. Nachweis von Frenkel-defecten in rontgenverfarbten Nad. Phys. stat. sol., 1966, v. 15, P. 495−500.
  23. Kothari D.S., Jain S.C. Electron attinity, electron mobility and size of the colloidal particles in additively coloured KCi crystals. Phys. Lett., 1964, v. 13, p. 203−204.
  24. Guenther R.A., Weinstock H. Effect of colloids on the thermal conductivity of -irradiated KCI. J. Appl. Phys., 1971, v. 42, p. 3790−2796.
  25. Caffyn J.E., Freitas J.C., Goodfellow T.L. Charged Dislocations in sodium cloride crystals contaning sodium hid-rocloride. Phys. stat. sol., 1965, v. 9, c. 333.
  26. IO.E., Шварц K.K., Вихарева O.M. Химические методы исследования радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах. Изв. АН Латв. ССР, Сер.физ.- техн. наук, 1968, И, с, 71−74.
  27. Hobbs L.W., Hughes А.Е., Pooley D. Electron microscopical identification of interstitial clusters produced in alkali halides by ionizing radiation. Proc. Roy. Cos. London, 1973, v. 332, p. 167−185.
  28. М.Л. Общая химия, М., 1979. 608 с.
  29. К.К., Калниньш Д. О., Экманис Ю. А. Радиационные процессы в ионных кристаллах и проблема радиационного металловедения. Изв. АН Латв.ССР, Сер.физ.-и техн.наук., 1981, JC° 4 (405), с. 71−90.
  30. Sonder Е. Magnetism of KCi. Phys. Rev., 1962, v. 125, № 4, P. 1203−1208.
  31. Ф.В., Экманис Ю. А. Проблемы создания коллоидальных центров в облученных ЩЕК. Изв. АН Латв.ССР, Сер.физ. и техн. наук, 1981, 2, с. 7−15.
  32. Н.А., Павлык Б. В. Пульсирующее выделение водорода из облученных кристаллов NaCi, легированных ионами гидро-ксила ОН" . Физ. твердого тела, 1982, т. 24, вып. 6, с. 1897−1899.
  33. Я.С., Экманис Ю. А., Калниньш Д. О. Комплексные исследования радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах при высокотемпературном облучении, Изв. АН Латв. ССР, Сер.физ.и техн. наук, 1980, JS 5, с. 41−47.
  34. Winter Е.М., Wolfe D.R., Chricty R.W. Dichroism of V -bauds in potassium and rubidium halides. Phys. Rev., 1969, v. 186, 82 3, P. 949−952.
  35. H.C., Мелик-Гайказян И.Я., Шуралева Е. И. Коагуляция Уг -центров в кристаллах КС1. ДАН СССР, 1978, т. 243, с. I471−1474.
  36. В.Э., Зариня Г. Я., Круминып В.Я. V2~- и У3'-центры в ЩГК. 1У Всесоюзн. совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Тезисы докл., Рига, 1978, с. 121 122.
  37. Clark C.D., Newman D.H. V -centers produced in К Br and KCt at 290 К by electron irradiation. J. Phys. C: Sol. Stat. Phys., 1971, v. 4, № 10, p. 1130−1144.
  38. Мелик-Гайказян И.Я., Куракина Э. П. Радиационное образование бивакансий и катионных вакансий в KCt. Изв. АН СССР, Сер. физическая, 1971, т. 35, с. 1360−1363.
  39. А.Э., Дзелме Ю. Р., Тилликс Ю. Е. Вероятная модель центра, ответственного за поглощение в V3 -полосе спектра облученных кристаллов КС1 . Изв. АН Латв.ССР, Сер.физ.и техн. наук, 1978, $ 6, с. II5-II7.
  40. Т.Н., Эланго А. А. Катионные центры окраски в ЩГК. Ш Всесоюзн. совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Тезисы докл., Рига, 1975, с. 145 146.
  41. Sonder Е., Sibley W.A., Rowe J.E., Uelson C.M. Some properties of defects produced by ionizing radiation in
  42. КС1 between 80 and 300 К. Phys. Rev., 1967, v. 153, № 3″ P. 1000−1008.
  43. Р.И., Плоом Л. А., Маароос Н. А., Пыллусаар Ю. В. Центры окраски в кристаллах КС1 повышенной чистоты. -Журнал приклад.спектроск., 1977, т. 27, № 3, с. 520−527.
  44. Seretlo J.R. Annealing of defects produced by room temperature irradiation in nominally pure KCl crystals (I). Phys. Stat. sol. (a), 1972, v. 10, P 2, p. 639−650.
  45. Hobbs L.W. Point defect stabilization in ionic crystals at high defect concentrations. J.Phys. (France), 1976, collog. c7, Suppl. Ш 12, v. 37, P. C7−3-C7−26.
  46. H.C. Термостимулированная люминесценция и дырочные центры в нитевидных щелочногалоидных кристаллах. Авто-реф. дие.. канд.физ.-мат.наук, Львов, 197.6. — 18 с.
  47. Д.И., Матлис С. Б. Рекомбинационно-ударный механизм генерации френкелевских дефектов в катионной подре-шетке щелочногалоидных кристаллов. Изв.высш.учебн.заведений. Физика, 1977″, т. I, с. 135−136.
  48. Р.И. Влияние некоторых примесей на процессы образования электронных и коллоидных центров окраски в щелочногалоидных кристаллах. Дис.. канд.физ.-мат.наук, Львов, 1973. — 215 с.
  49. Ю.А., Чадаев В. А. Процесс образования металлических коллоидальных частиц в монокристаллах NaCl и NaBr при электронном облучении. Изв. АН Латв.ССР, Сер.физ.и техн. наук, 1974, т. I, с. 20−23.
  50. Compton W.D. Production of colloidal sodium in NaCl by ionizihg radiation. Phys. Rev., 1957, v. 107, № 1, p.1.7I-I275.
  51. Я.Ж., Калимулин С. С. Исследование радиационного создания и термического разрушения коллоидных центров окраски в кристаллах HqCI . Изв. АН Латв.ССР, Сер.физ. и техн. наук, 1971, 5, с. 14−19.
  52. Н.А., Дидык Р. И., Драган О. П. Влияние термической обработки кристаллов HcCi-0 на стабильность F -центров и образование их агрегатов. В кн.: Физическая электроника. Респ.межвед.научн.-техн.сб., 1975, вып.10, с. 55−56.
  53. Sander W. Elektronenspinresonanz von Kaliumchlorid mit sau-erstoffhaltigen Zusatzen.-Z.Phys., 1962, v.169,s.353−363.
  54. M.B., Даль H.A., Набитович И. Д. Коллоидная коагуляция F -центров в кристаллах KBг с примесями. -Укр.физический журнал, 1965, т. 10, с. 781−785.
  55. Itoh И. Interstitial and trapped-hole centers in alkali halides. Cryst.Latt.Defects, 1972, v.3, p. 115−148.
  56. Андроникашвили Э.I., Политов Н. Г., Гетия М. Ш. Влияние облучения в реакторе на структуру и твердость ЩГК.-В сб.'.Действие ядерных излучений на материалы.М., АН СССР, 1962, с.277−278.
  57. Г. П., Кекелидзе Н.П.и др. Физические процессы в ионно-имплантированном арсениде индия.- Всесоюзная конференция &bdquo-Радиационная физика полупроводников и родственных материалов" (Ташкент, 1984 г.): Тезисы докл. Ташкент, 1984, с. 162.
  58. Н.П., Квиникадзе З. В., Давитая З. Ф. Влияние радиационного дефектообразования на термоэлектрическую эффективность системы In Р~ In As . Труды ТГУ, 1981, т. 226, с. 160.
  59. Мелик-Гайказян И. Я. Кинетика радиационного накопления электронных центров в ЩГК. Автореф. диет.. докт.физ.-мат.наук. — Томск, 1966. — 33 с.
  60. Д.И. Кинетика накопления электронных центров в ЩГК под действием протонов. Автореф. дис.. канд.физ.-мат.наук. — Ташкент, 1966. — 18 с.
  61. К.К., Готлиб В. И. Диффузия и радиолиз в щелочногалоидных кристаллах. Изв. АН Латв.ССР, Сер.физ.и техн. наук, 1972, т. 2, с. II4-H7.
  62. Ю.Р. Колебательные спектры молекулярных центров в щелочногалоидных кристаллах. В сб.: Проблемы чистоты и совершенства ионных кристаллов (Материалы Прибалтийского семинара по ионным кристаллам, Вильянди, 22−25 января). Тарту, 1969, с. 28−37.
  63. НоЪЪа L.W. Transmission electroraicroscopy of extended, defects in alkali halide crystals. In: Surface and defect properties of colids (Chem. Soc. Spec. Periodic Reports, London), 1975, v. 4, p. 152−255.
  64. .В., Козлов Ю. В. О некоторых особенностях обесцвечивания щелочногалоидных кристаллов, при изотермическом отжиге. Физ. твердого тела, 1964, т.6, с.1573−1578.
  65. М.И. К вопросу о кинетике радиолиза поликристаллов ВаС(2 в поле jf -облучения. Изв. АН Уз.ССР, Сер. физ.-мат.наук, 1961, $ 4, с. 94−95.
  66. В.А., Бешенекова Т. А., Завялов Н. А., Чолах С. О. Процессы радиационного дефектообразования в монокристаллах гидрида и дейтерия лития. Физ. твердого тела, 1982, т. 25, вып. 8, с. 2283−2285.
  67. С.М. Радиационные процессы в азидах тяжелых металлов. У Всесоюзн. совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига-Саласпилс, 1983 г.): Тезисы докл., ч. I — Рига, 1983, с. III-II4.
  68. Т.И., Канте Л. К., Лея Г.В. и др. Продукты радиолиза порошков неорганических фторидов. У Всесоюзн. совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига-Саласпилс, 1983 г.): Тезисы докл., ч. I — Рига, 1983, с. 190−193.
  69. Ю.Р. Образование равновесных и квазиравновесных фаз из структурных дефектов ионного кристалла. 1У Всесоюзн. совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 3−5 октября 1978 г.): Тезисы докл., — Рига, 1978, с. 227.
  70. Mannami М., Akisue 0., Tanaka К. Defect-clusters in electrons and in neutron irradiated lithium fluoride. Jap. J. Appl. Phys., 1967, v. 6, p. 283−289.
  71. T.B., Нацвлишвили Г. И., Черкешвили М. И. Газовые поры продуктов ядерной и радиолиза в кристаллах LIF . -В ст.: Ядерно-химические явления в твердых телах, Мецние-реба, Тбилиси, 1972, с. 14−27.
  72. Я.Е., Кривоглаз М. А. Движение макроскопических включений в твердых телах. М.: Металлургия, 1971. -244 с.
  73. Н.А., Дидык Р. И., Романюк Н. Н. Электронно-микроскопическое наблюдение дефектов, возникающих при радиационном разрушении щелочногалоидных кристаллов. ДАН СССР, 1979, т. 244, с. 574−575.
  74. Х.В., Малышева А. Ф. Электронно-микроскопическое и оптическое исследования кристаллов КВг . Сб. йнститу-та физики АН Эст. ССР, 1972, т. 39, с. II2-I22.
  75. Hobbs L.W., Hughes А.Е., Chassagne G. Direct observation of alkali metal colloids in alkali halide crystals. -Nature, 1974, v. 252, p. 383−385.
  76. Palmberg P.W., Rhodin Т.Н. Surface dissociation of potassium chloride by low-energy electron bombardment. J. Phys. and Chem. Sol., 1968. v. 2бА, p. 1917−1929.
  77. Tokutaka H., Prutton M., Higginbotham I.G., Gallon Т.Е. The (100) surface of alkali halides. II. Electron stimulated dissociation. Surf. Sci., 1970, v. 21, p. 233−240.
  78. Carriere B. Auger electron spectroscopy of insulating silicon compounds. Vacuum, 1972, v. 22, p. 485−487.
  79. Bandet-Fanre J., Toutiller L. Etude lune surface de sous bombardement electronique de energies influence de lirradiation sur la charge de la surface. Surf. Sci., 1974, v. 43, В 1, p. 183−197.
  80. Elliott D., Townsend P. Defect Formation and Sputtering of Alkali Halides with Low Energy Irradiation. Phil. Mag., 1971, v. 23, p. 249−259.
  81. Townsend P., Kelly I. Slow electron induce defects in alkali halides. Phys. Lett., 1968, v. 2бА, p. 138−139.
  82. Townsend P. Electron sputtering of alkali halides. -Symp. Srytter. Proc., Symp. Perchtoldsdat, Wien, 1980, P. 757−760.
  83. Jammal Y. A1., Pooley D., Townsend P.D. The role of exci-ton diffusion in the electron induced sputtering ofalkali halides. J. Phys., 1973″ v. C6, p. 147−254.
  84. H.A. Деструкция диэлектрических соединений под действием электронной бомбардировки. Сб.: Зарубежная электронная техника, 1979, № 3, с. 1−48.
  85. Hobbs L.W., Hughes A. Radiation damage in diatomic materials at high doses. AERE, 1975, R 8092, p. 1−10.
  86. Friedenberg A., Shapira У. Electron-induced sputtering of KC1 and NaCl. J. Phys. C: Sol. Stat. Phys., 1982, v. 15, P. 4763−4768.
  87. Ю.М., Столяренко В. Ф., Франгулян T.C., Гала-ков Ю.И., Лабыкина Т. Р. Особенности влияния плотных электронных пучков на радиационное дефектообразование в
  88. Кб г. Томск, Докл. ВИНИТИ, 1982, JS 3428−82, с. 1−7.
  89. Crawford J.H. Radiolysis of alkali halides. Adv. Phys., 1968, v. 17, p. 93−151.
  90. Rabin H, Klick C. Formation of F -centers at low and room temperatures. Phys. Rev., 1960, v. 117, p. 10 051 010.
  91. Evans T. Decomposition at calcium fluoride and stroutium fluoride in the electron microscopy. Phil. Mag., 1963, v. 8, p. 1235.
  92. Murr Z.E. Transmission electron microscope study of crystal defects in natural fluoride. Phys. Stat. Sol. (a), 1974, v. 22, p. 239−251.
  93. Call P., Hayes W., Statt J., Hughes A.E. Radidysis of alkaline-earth fluorides. J. Phys. C: Col. Stat. Phys., 1974, v. 7, p. 2417−2428.
  94. H.A., Антонив И. П. Диссоциация щелочногалоидных соединений под действием электронного облучения. Укр. физический журнал., 1980, т. 25, JS 9, с. I5I9-I523.
  95. Н.А., Еловиков С. С. Металлизация поверхности тонких слоев диэлектрических соединений под действием электронного облучения. Журнал техн. физики, 1980, т. 50, с. 1572−1574.
  96. Mollenauer L.F., Olsin D.H. Thermal bleaching of additi-vely colored К CI. J. Appl. Phys., 1975, v. 46, p. 3109.
  97. Л.Ф., Мумладзе B.B., Хулордова Т. Г. Действие лазерного излучения на F -центры окраски в облученных кристаллах NaCl . Опт. и спектроск., 1972, т. 47, вып. 4, с. 716−718.
  98. Alger R.S., Jordan R.D. F -centers in pure and Hydride Containing Alakali Halide Crystals. Phys. Rev., 1955, v. 87, II" 52, p. 277−287.
  99. В.E., Самойлова Т. И., Тищенко Н. А., Шаскольс-кая М.П. 0 преобразовании в щелочногалоидных монокристаллах под действием импульса электромагнитного излучения. -Физ.твердого тела, 1980, т. 22, в. 12, с. 3549−3554.
  100. Schmid A., Braunlich P. Multiphoton-induced directional emission of halogen atoms from alkali halides. Phys.
  101. Rev. Lett., 1975, v. 35, p. 1382−13S5.
  102. Н.А., Шаблий И.Ю. .Допороговое" дефектообразо-ваяие в монокристаллах CdS. Физ. твердого тела, 1982, т. 24, & 5, с. 1547−1548.
  103. Н.А., Шаблий И. Ю. Образование низкоомного приповерхностного слоя в кристалле CdS при лазерном облучении. ДАН УССР, 1982, A, 4, с. 52−54.
  104. Р.И., Цаль Н. А. Образование F -центров в кристаллах NaCl с примесью кислорода. Физ. твердого тела, 1972, т. 14, с. 1840−1843.
  105. Р.И., Караван Ю. В., Стасюк З. В., Даль Н. А. Масс-спектрометрическое изучение разложения кристалловпри радиационном облучении. Физ. твердого тела, 1970, т. 12, с. 3629−3631.
  106. ПО. Цаль Н. А., Караван Ю. В., Дидык Р. И., Драган О. П. Масс-спектрометрическое исследование выделения хлора при радиолизе кристаллов NaCl. ДАН СССР, 1974, т. 219, 2, с. 333−335.
  107. Н.А., Караван Ю.В, Дидык Р. И., Драган О. П. К вопросу о радиолизе кристаллов Na.Br. Физ. твердого тела, 1974, т. 16, с. 2440−2441.
  108. Н.А., Караван Ю. В., Дидык Р. И., Драган О. П. Пульсирующий характер выделения галогена и металла из щелочногалоидных кристаллов в процессе их рентгеновского облучения, В сб.: Активная поверхность твердых тел, М., 1976, с. 323−328.
  109. ИЗ. Даль Н. А., Караван Ю. В., Дидык Р. И., Драган О. П. Выделение газообразных компонент щелочногалоидных кристаллов при радиолизе. ДАН СССР, 1975, т. 220, с. 658−661.
  110. А.Я., Попов Ю. М. Возможность использования щелочногалоидных кристаллов для усиления света. Физ. твердого тела, 1968, т. 10, в. II, с. 3148−3150.
  111. А.Б., Голубцов В. В., Лукашук С. Б. Фотохром-ные свойства аддитивно окрашенных кристаллов NaCl, сенсибилизированных кислородом. Опт. и спектроск., 1978, т. 44, в. 5, с. 942−946.
  112. Morato S.P., Luty P., Fritz В. Photochemistry and reactions at OH defects and F-centers in alkali halides. J. Phys. and Chem. Solids., 1980, v. 41, Ю 11, p. 1181−1186.
  113. Д.И., Григорчук JI.B., Лельчук Л. Ю. Эволюция пространственного разделения дефектов за счет актов рождения и уничтожения пар идефект-антидефект". Физ. твердого тела, 1975, т. 17, в. 9, с. 2808−2810.
  114. А.И., Левчиков П. Г. Электронная структура V-центров окраски в кристаллах КС1 на основе метода расширенной элементарной ячейки. Опт. и спектроск., 1977, т. 43, Jfc 3, с. 580−582.
  115. З.Г. Локальные колебания в кристаллах LiFс водородными центрами. Письма в ЗКЭТФ, 1969, т. 10, с. 249−253.
  116. Hilach R., Pohl R.W. Zur Photochemie der Alkalihalo-genid kristallen. Ann. Phys., 1934, 5 Folge, b. 21, s. 1−15.
  117. А.Г., Баранов П. Г. Анионные атомы водорода и дейтерия в оптически облученных кристаллах KCi . -Физ.твердого тела, 1978, т. 20, в. 12, с. 3727−3730.
  118. З.Г., Политов И. Г. Высокочастотные локальные колебания в кристаллах LlF с водородными и тритиевы-ми центрами окраски. Изв. АН СССР, Сер.физ., 1971, т. 35, с. 1414−1418.
  119. С.М., Мурадова М. Х., Яансон Н. А., Эланго М. А. Экситонный механизм создания Г -центров в гидрированных кристаллах KCi . Физ. твердого тела, 1969, т. II, в. 6, с. 1582−1586.
  120. Muradov S., Elango М. Color centers in alkali halides. -Inter. Symp., 1968, Rome, p. 205.
  121. Morato S.P., Luty P. Hydrogen defects from UV photodis-sociation at дн" centers in alkali halides. Phys. Rev., 1980, v. 22, W 10, p. 4980−4991.
  122. Gomes L.M., Morato P. Hydrogen transport process in OH doped KCl and KBr. Sol. Stat. Comm., 1982, v. 41, is 9, p. 653−655.
  123. А.А. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах. Изв. Томск. университета, Томск, 1968, с. 343.
  124. Kerkhoff F. Zum photochemischen Verhalten sanerstoffhal-figer Komplexc in Alaklihalogenidkristallen. Zs. Phys., 1960, Ъ. 158, s. 595−606.
  125. A.A., Абаренков И. В. Оптические переходы в V -центре в кристаллах NaCi . Опт. и спектроск., I960, т. 9, в. 6, с. 765−771.
  126. А.Г., Баранов Л. Г., Житников Р. А. Образование ионных центров и автолокализованных дырок при световом облучении щелочногалоидных кристаллов с примесями. -Физ.твердого тела, 1977, т. 19, В 12, с. 3575−3579.
  127. Newman R. Infra-red Absorption due to Localized Modesof Vibration of Impurity Complexes in Jonic and Semiconductor Crystals. Adv. Phys., 1969, v. 18, p. 545−658.
  128. Lohse F., Renter G., Spaeth J. Optical Investigation of Atomic Hydrogen Centers in Alkali Chlorides Doped with
  129. J" or Br. Phys. Stat. Sol., 1978, v. 89, p. 109−116.
  130. А.И., Максимова Т. Н. Комбинационное рассеяние и инфракрасное поглощение в щелочногалоидных кристаллах с дефектами. Изв. АН СССР, Сер.физ., 1967, т. 31, № 12, с. 2017 -2024.
  131. В.М., Заика В. И., Ковалев Г. М., Тупилко Т. В. Импульсный характер выделения водорода из готового проката при комнатной температуре. Физ.-хим.мех.материа-лов, 1977, т. I, ст. 25−27.
  132. А.И., Малишенко Е. М. Исследование эмиссии при взаимодействии атомов водорода с поверхностью щелочногалоид-ннх кристаллов. В сб.: Физ.хим. мех. материалов, 1977,1. I, с. 102−103.
  133. С.Я. Электронные продукты высокотемпературного радиолиза ЩИС. Автореф. дис.. канд.физ.-мат.наук, Са-ласпилс, 1981.
  134. G. О -Lucken-Dipole in Alkalihalogenidkristalien. Zs. Phys., 1968, v. 215, s. 256−278.
  135. Dryden J.S., Morimoto Setsu, Cook J.S. The hardness of alkali halide crystals containing divalent ion impurities. Phil. Mag., 1965, v. 12, Ш 116, p. 379−391.
  136. А.Б., Голубцов B.B., Скогарев В. Г. Спектры поглощения и диэлектрические потери в кристаллах NaCl с кислородсодержащими примесями. Физ. твердого тела, 1977, т. 19, в. 5, с. I428−1431.
  137. Tsal N.A., Didyk R.I. On the nature of X -centers in NaCl crystals with anionic impurities. Phys. Stat. Sol., 1970, v. 40, p. 409−416.
  138. .В., Сухоребрый С. П., Цаль Н. А. Температурные особенности радиационно-стимулированного выделения водорода из кристаллов NaCl, содержащих водородные центры. Укр. физический журнал, 1984, т. 29, № 7, с. 1062−1066.
  139. Даль Н. А. Образование пор и двойных электрических слоев вокруг металлических включений в облученных кристаллах
  140. NaCt-. Тезисы докл. XI Всесоюзн.конф.по электронной микроскопии (Таллин, 17−19 октября 1979 г.): т.1, Москва, 1979, с. 173.
  141. В.Я. Накопление, превращение и отжиг центров окраски в щелочногалоидных кристаллах, облученных большими дозами электронов. Дис.. канд.физ.-мат.наук, Саласпилс, 1980. — 204 с.
  142. К.К., Экманис Ю. А., Удод В. В., Люшина А. Ф., Ти-ликс Ю.Е., Кан Р. А. Спектры поглощения и размер коллоидальных центров в кристаллах NaCl и КС!. Физ. твердого тела, 1970, т. 12, с. 879−884.
  143. И.В., Феофилов П. П. Искусственный флюорит. -В кн.: Сборник докладов на Первом совещании по росту кристаллов, М., Изд. АН СССР, 1957, с. 229−291.
  144. Ю.Р., Зейкатс В.П. Кинетика процесса захвата анионных вакансий примесными сульфат-ионами в кристаллах
  145. KBг. Ученые записки Латв. госуниверситета им. П. Стучки, 1975, т. 234, с. 138−143.
  146. И.Л., Девятых Г. Г. Масс-спектрометрический анализ газов и паров особой чистоты. Изд. Паука, М., 1980. — 334 с.
  147. Материалы Второго международного симпозиума (Под ред. Глебова Г. Д.). В сб.: Остаточные газы в электронных лампах, Изд. Энергия, М., 1967. — 288 с.
  148. Tsal К.A., Didyk R.I., Pavlyk B.V., Sukhorebrya S.P. The discharge of radiolysis products under the thermal annealing of single crystals NaCl. Abstr. Int. Conf. «Deffects in insulating crystals», Riga, may 18−29, 1981, p. 64−65, Zinatne, Riga.
  149. Шварц К. К, Тиликс Ю. Е., Тоне Д. К., Улмане И. М. Радиа-ционно-химические процессы в ионных кристаллах. В сб.: Радиационная физика, 1966, $ 4, Изд. Зинатне, Рига.
  150. Н.А., Сухоребрый О. П., Павлык Б. В. Исследование газовыделения из кристалла NaCl, содержащего водородные центры. Тезисы докл. Всесоюзн.конф.по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Ташкент, 30 октября-3 ноября 1984 г.):
  151. Н.А., Павлык Б. В. Выделение молекулярного водорода из облученных кристаллов NaCl, легированных ионами ОН при термическом нагреве. Тезисы докл. Ш Всесоюзн.конф. по масс-спектрометрии, Л., 1981, с. 156−157.
  152. .В., Сухоребрый С. П., Цаль Н. А. Способ обработки монокристаллов хлорида натрия. Решение № 3 536 708/23−26 от 27.10.1983 г. на выдачу авторского свидетельства.
  153. Н.А., Павлык Б. В. Деструкция монокристаллов NaCl под действием электронов низких энергий. Физ. твердого тела, 1984, т. 26, в. 5, с. 1523−1525.
  154. Е.И., Бугаенко Л. Т., Трощилова Т. Ф. Влияние катиона на выход молекулярного водорода при радиолизе концентрированных растворов хлоридов. ХВЭ, 1982, т. 16, в. 2, с. II7−120.
  155. B.C., Блаунштейн И. М. К вопросу о кинетике радиолиза поликристаллов ВаС1г в поле у*-облучения. -Труды П Всесоюзн. совещания по радиационной химии, М., Изд. АН СССР, 1962, с. 683.
  156. Н.А., Павлык Б. В., Зинчук В. К. Распыление кристаллов NaCl с примесью кислорода под воздействием различных видов ионизирующего излучения. Укр. физический журнал, 1984, т. 29, в. 2, с. 230−235.
  157. В.М., Лаврентович Я. И., Пеньковский .. Химическая дозиметрия ионизирующих излучений. Киев: Изд. АН УССР, 1965. — 155 с.
  158. Л.Т., Тиликс Ю. Е., Шварц К. К. Возможность изучения электронных и дырочных дефектов в щелочногалоидных кристаллах методом растворения. В кн.: Радиационная физика. Сер. Миграция энергии и дефекты в ионных кристаллах, Рига, 1973, № 7, с. 197−203.
  159. Itoh К. Sputtering and interstitial motion alkali halides. Nuclear instruments and methods, 1976, v. 132, p. 201−211,
  160. K.K., Подыль A.B., Балтмугур K.K. Энергия создания
  161. F -центров в кристаллах L.IF. В сб.: Радиационная физика, Рига, 1966, 4, с. IIT-I24.
  162. Эланго М. А. Температурная зависимость процессов создания
  163. F -центров в монокристаллах NaCl рентгеновскими лучами. Труды ИФ АН ЭССР, 1964, с. 182−193.
  164. Л.В. О связи концентрации центров окраски в рентгенизованном NaCt-Mr с распределением активатора в кристалле. В сб.: Оптика и спектроскопия, Изд. АН СССР, М., 1963, ч. I, с. 178−179.
  165. О.П., Караван Ю. В. Вплив об*ему поверхШ. криста-лу хлористого калио на к1нетику його рад1ол1зу. В1сник IbBiB. ун-ту, Сер. ф1з., в. 17, Льв1в: Вища школа. Вид. при Лъв1 В.ун-т, 1983, с. 46−48.
  166. Send о P. Square bubble in irradiated and annealed lithium fluoride crystals. Sci., 1957, v. 126, p. 208−209.
  167. Звенигород, 1983 г.): М., 1983, с. 133.
  168. .С., Чолоков К. С. Ионная проводимость и оптическое поглощение NaCONaOH". В сб.: Физические свойства ионных кристаллов, ч. I, Фрунзе, Изд. ИЛИМ, 1978.
  169. .В., Сухоребрый С. П., Даль Н. А. Фотохимические и термические реакции в кристаллах NaCi с водородными центрами. Тезисы докл.1У Всесоюзн. симпозиума «Люминесцентные приемники и преобразователи рентгеновского излучения», Иркутск, 1982, с. 47.
  170. К.С., Шалпыков А. Ш. ИК-поглощение и электропроводность ЩПС с кислородсодержащими примесями. Изв. АН Узб. ССР, Сер.физ.-мат.наук, 1981, № 3, с. 67−69.
  171. Izvekov V.B., Watterich A., Gy<5rgyi Т., Pungor Е. Intara-red Properties of Doped and Irradiated NaCi. crystals. Phys. Stat, Sol. (b), v. Ill, 1982, p. K153−156.
  172. Spaeth J.M. Atomic hydrogen as a model defects in alkali halides. Proceeding of the International Conference Defects in Insulating Crystals, Riga, may 18−23,' 1981, p. 232−252, Zinatne, Riga.
  173. Smakula A. Uber Erzeugung und Entiarbong lichtelekt-risch leitender Alaklihalohenide. Zs. Phys., 1930,1. Ъ. 59, s. 603.
  174. Л. Г., Миллере Д. К. Край фундаментального поглощения облученных ЩЕК. Изв. АН Латв.ССР, Сер.физ.и техн. наук, 1983, IS 4, с. 60−62.
  175. Tsal N.A., Didyk R.I., Pavlyk B.V., Sulchorebryi S, P. Sputtering of NaC{ single crystals by UV-, X- and y-irradiation. Abstr. Intern.confer. «Defects in insulating crystals», August 20−24, 1984, Salt Lake Giti,
Заполнить форму текущей работой

На отлично!