Электрические свойства нанокомпозитов металл-диэлектрик и поликристаллических полупроводников с инверсно-легированными границами зерен
Гранулированные неупорядоченные материалы могут обладать электрическими свойствами, важными с точки зрения приборных применений в микрои нано-электронике. Важным достоинством неупорядоченных гранулированных материалов является то, что технологический процесс их получения относительно дешев и легко масштабируется, что определяет возможность широкого использования их в различных прикладных… Читать ещё >
Содержание
- 1. Физические свойства нанокомпозитов
- 1. 1. Моделирование структуры нанокомпозитов
- 1. 2. Электростатическая энергия системы металлических паногранул
- 1. 3. Прыжковая проводимость в системе металлических наногранул
- 1. 4. Эффект поля
- 2. Физические свойства и структура поликристаллических керамических полупроводников
- 2. 1. Свойства одиночной межзеренной границы
- 2. 2. Квазитрехмерная модель на основе сетки Вороного
- 2. 3. Двумерная диффузионно-дрейфовая модель
Электрические свойства нанокомпозитов металл-диэлектрик и поликристаллических полупроводников с инверсно-легированными границами зерен (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Актуальность темы
.
Одним из важных направлений современной физики твердого тела является исследование свойств новых материалов с неоднородной структурой. Значительное внимание уделяется исследованию электрических свойств различных гранулированных неупорядоченных сред, таких как нанокомиозиты металл-диэлектрик и поликристаллические полупроводники с инверсно-легированными границами зёрен. Эти гранулированные материалы представляют собой систему твердотельных проводящих кластеров, гранул или зёрен, разделенных зазорами, заполненными другим материалом или расположенных вплотную друг к другу. При этом размеры, форма частиц, их взаимное расположение носит, как правило, случайный характер. В таких системах возникают новые физические эффекты, принципиально связанные со статистическим разбросом указанных параметров. В то время, как структурные параметры гранулированной среды существенным образом определяют её электрические свойства, имеются значительные трудности в определении параметров микроструктуры этих материалов имеющимися методами диагностики. Поэтому разработка новых методов анализа и моделирования структуры является важной задачей.
Фундаментальная проблема, возникающая при анализе электрических свойств гранулированных сред связана с их нерегулярной природой. Несмотря на то, что во многих случаях элементарный процесс переноса заряда между двумя проводящими гранулами с фиксированными параметрами достаточно хорошо изучен, переход к макроскопическим электрическим свойствам материала в целом, представляющего собой статистический ансамбль гранул, является нетривиальной задачей.
В нанокомпозитах металл-диэлектрик — системах металлических кластеров манометрового размера, разделенных диэлектрическими барьерами, микроскопический механизм прыжкового транспорта связан с эффектом «кулоновской блокады», т. е. наличием энергетического барьера, препятствующего туннелированию электронов. При этом зарядовая энергия существенным образом зависит как от размеров гранул, так и от их взаимного расположения. Определение средней зарядовой энергии и её разброса в плотной системе металлических гранул, является актуальной задачей. Важным как с теоретической, так и прикладной точек зрения является анализ протекания макроскопического тока в металл-диэлектрическом нанокомпозите, зависимости электрической проводимости от структурных параметров материала, геометрии образца, температуры и приложенного внешнего электрического поля, в частности возможности её эффективной модуляции поперечным электрическим полем.
Как и для нанокомпозитов, для поликристаллических полупроводников с инверсно-легированными межзёренными границами в настоящее время разработаны аналитические и численные модели зарядового транспорта меж—у двумя отдельными гранулами — через потенциальный двойной барьер Шоттки, возникающий на стыке зёрен, в то же время вопрос о переходе от свойств одной межзе-ренной границы к свойствам образца, содержащего большое количество зёрен в настоящее время изучен плохо. В частности, актуальной задачей является анализ электрических свойств материалов, средний размер зёрен в которых сравним с шириной потенциального барьера на границе. В этом случае рассмотрение процесса электронного транспорта на основе модели одиночного барьера Шоттки вообще неприменимо, и для адекватного описания электрических свойств таких систем требуется разработка новых подходов с применением методов численного моделирования.
Гранулированные неупорядоченные материалы могут обладать электрическими свойствами, важными с точки зрения приборных применений в микрои нано-электронике. Важным достоинством неупорядоченных гранулированных материалов является то, что технологический процесс их получения относительно дешев и легко масштабируется, что определяет возможность широкого использования их в различных прикладных областях. С прикладной точки зрения актуальной задачей является изучение возможности создания на основе таких структур новых приборов с улучшенными характеристиками. В частности, представляет интерес создание на основе нанокомпозита металл-диэлектрик полевых транзисторов, использование поликристаллических керамических полупроводников в перспективных устройствах оперативной памяти, активных матрицах жидкокристаллических дисплеев, создание па их основе интегральных схем пассивных элементов и др.
Целью данной работы являлись
• Разработка методов анализа структурных параметров нанокомпозитов металл-диэлектрик с высокой плотностью металлических наночастиц, включая определение среднего размера частиц, дисперсии размеров, параметров распределения частиц в объеме. Построение адекватной численной модели структуры поликристаллических полупроводников на основе представлений о механизме формирования зёрен.
• Изучение зависимости макроскопического электрического тока в наноком-позитах металл-диэлектрик от параметров микроструктуры материала, геометрии образца, температуры и приложенного внешнего электрического поля. Изучение возможности модуляции электрической проводимости нано-комиозита поперечным электрическим полем. Для этого разработана новая численная модель электронного прыжкового транспорта в нанокомпозигах на основе подхода молекулярной динамики, т. е. путём моделирования прыжков электронов в системе металлических гранул, разделенных туинельно-прозрачными зазорами.
• Исследование электрических свойств поликристаллических полупроводников с инверсно-легированными границами зёрен, зависимости проводимости и емкости от геометрических параметров поликристаллической структуры материала и размера зёрен. При этом подход на основе решения уравнений диффузионно-дрейфового переноса заряда в полупроводниках впервые применяется совместно с моделью поликристаллической структуры на основе сетки Вороного. Такая модель позволяет проанализировать влияние геометрических параметров поликристаллической структуры на её электрические свойства, в частности впервые количественно описать переход от случая больших зёрен к случаю малых зёрен, когда средний размер зерна становится сравним с шириной потенциального барьера на межзёренпой границе.
• В задачу работы входило изучение возможности использования исследованных структур для создания новых типов электронных приборов: полевых транзисторов на основе нанокомпозитов металл-диэлектрик, варисторов и миниатюрных устройств оперативной памяти на основе поликристаллических керамических полупроводников.
Научная новизна работы заключается в следующем:
1. Разработана новая численная модель, описывающая когерентное рассеяние излучения в системе металлических частиц с учетом интерференционных эффектов. Данная модель хорошо описывает экспериментальные спектры малоуглового рентгеновского рассеяния в ианокомпозитах с содержанием металла выше 10 об. %
2. Впервые проведен расчет энергии кулоновского взаимодействия в плотной системе металлических гранул с учетом их взаимной поляризации. Установлена зависимость средней величины и дисперсии зарядовой энергии от объемной концентрации металлической фазы.
3. С помощью численного моделирования прыжкового транспорта методом Монте-Карло обнаружена возможность эффективной модуляции проводимости тонких пленок панокомпозитов металл-диэлектрик внешним электрическим полем (эффект поля). Исследованы зависимости глубины модуляции проводимости от параметров папокомпозитной плёнки и найдены условия, при которых такая модуляции может быть эффективной.
4. Предложена новая модель для анализа электрических свойств поликристаллических полупроводниковых материалов с инверсно-легированными границами зёрен, в которой структура поликристаллического полупроводника представлена в виде случайной трёхмерной сетки Вороного и транспорт носителей на каждой межхёренной границе описывается в рамках одномерной диффузионно-дрейфовой модели. С помощью этой модели установлены зависимости параметров вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик полупроводниковой поликристаллической структуры от легирования межзе-ренных границ, характера расположения зёрен.
5. Разработана двумерная диффузионно-дрейфовая модель зарядового транспорта в полупроводниковых поликристаллических материалах с субмикронными размерами зерен. С помощью данной модели впервые получена зависимость вольт-амперной характеристики и удельной емкости поликристаллического материала от среднего размера зёрен и количественно рассчитан эффект подавления электрической-емкости при уменьшении среднего размера зёрен.
Практическая ценность работы заключается в следующем:
1. Разработана методика, позволяющая с высокой точностью определять параметры структуры металл-диэлектрических нанокомпозитов (средний размер, дисперсию, степень упорядочения структуры) в широком диапазоне объемных концентраций частиц на основе анализа экспериментальных спектров малоуглового рентгеновского рассеяния.
2. Показано, что на основе тонких пленок нанокомпозитов могут быть созданы новые быстродействующие полевые транзисторы, в которых высокая эффективность модуляции тока достигается за счёт эффекта ноля при температурах вплоть до 300 К.
3. Разработаны численные модели для расчета электрических характеристик поликристаллических полупроводников с инверсно-легированными границами зёрен. Эти модели могут примененяться для расчета и оптимизации электрических свойств микроэлектронных устройств на основе поликристаллических материалов, а также для расчета интегральных схем пассивных элементов (резистор-варистор-емкость), устройствах оперативной памяти на основе поликристаллических керамических материалов.
На защиту выносятся следующие основные научные положения:
• В нанокомпозитах металл-диэлектрик, содержащих зародыши металлической фазы, распределение металлических частиц по размерам описывается
— нормальным законом. В нанокомпозитах Си: 5г02, полученных методом магнетронного сораспыления, в диапазоне концентраций металлической фазы 10−30%, средний радиус частиц составляет 1.5 ± 0.1 нм, а логарифмическая дисперсия 0.2 ± 0.025.
В нанокомпозитах металл-диэлектрик имеется сильная зависимость величины зарядовой энергии металлических частиц от концентрации металлической фазы. При увеличении объемной концентрации металлической фазы от 5% до 20% средняя величина зарядовой энергии частиц уменьшается в 1.5 раза.
Электрическая проводимость тонких пленок нанокомпозитов металл-диэлектрик увеличивается при приложении поперечного электрического ноля (эффект поля). В пленках, состоящих из одного слоя металлических нано-частиц диаметром 1.5 нм, глубина модуляции проводимости при комнатной температуре составляет более 3-х порядков при условии малой величины случайного потенциала в структуре.
В поликристаллическом полупроводнике с инверсно-легированными границами зерен электрические характеристики, такие как порог проводимости по напряжению, электрическая емкость и частотная зависимость проводимости, меняются в широких пределах при малом изменении концентрации легирующей примеси на границе, а также зависят от степени упорядоченности поликристаллической структуры.
В поликристаллическом полупроводнике уменьшение размеров зёрен приводит к росту порогового напряжения и уменьшению электрической емкости. Эффект становится значительным для материалов со средними размерами зёрен менее 5с1 (ё-ширина обедненного слоя с одной стороны от границы).
Этот эффект адекватно описывается двумерной диффузионно-дрейфовой моделью.
Апробация работы.
Основные результаты работы докладывались на 4-й и 7-й международных конференциях «Nanostructure: Physics and Technology», С.-Петербург, 1998,2001 гг., на международной конференции «International Conference on Physics of Semiconductors», Эдинбург, 2002 г, на Зимней Школе по физике полупроводников 2001,2003 гг., а также на научных семинарах лаборатории полупроводниковой квантовой электроники ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН.
Исследования в данном направлении были поддержаны Российским Фондом Фундаментальных Исследований (грант РФФИ N98−02−18 210), Программой «Физика Твердотельных Наноструктур» МН РФ (гранты 97−2014 и 97−1035), а также персональными грантами Конкурсного Центра Фундаментального Естествознания г. С.-Петербурга.
Публикации. По результатам исследований, выполненных в диссертационной работе, опубликовано 13 научных работ, из них G-в реферируемых изданиях. Список работ приведен в конце автореферата.
Структура и объем диссертации
.
Диссертация состоит из введения, двух глав, заключения и списка цитированной литературы. Общий объем диссертации составляет 109 страниц, в том числе 74 страницы основного текста, 24 рисунков на 24 страницах и 2 таблицы. Список цитированной литературы включает в себя 52 наименования и занимает 7 страниц.
Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:
• Разработана численная модель структуры нанокомпозита и методика определения параметров распределения наногранул по размерам на основе прямого численного моделировании интенсивности малоуглового рентгеновского рассеяния. Установлено, что в металл-диэлектрических нанокомпозитах Си: ЗЮ2, полученных методом магнетронного сораспыления имеется нормальное распределение гранул по размерам, средний радиус составляет 1.5±1 пш, а логарифмическая дисперсия 0.2±0.025.
• Создана численная модель электрической проводимости в нанокомпозитном материале, основанная на расчете вероятностей туннелирования электронов и моделировании электронных прыжков методом Мопте-Карло. Модель учитывает наличие в структуре случайного потенциала, дисперсию размеров гранул, корреляцию в их расположении, а также отличие кулоновского взаимодействия гранул от взаимодействия точечных зарядов. С помощью разработанной модели проведен расчет полевого эффекта в тонких пленках нанокомпозита, установлен критерий эффективности модуляции продольной проводимости пленки поперечным электрическим полем.
• Разработана новая двумерная диффузионно-дрейфовая модель электронного переноса в поликристаллических керамических полупроводниках. Поликристаллический полупроводник представлен как система двойных барьеров Шоттки, возникающих на границах монокристаллических зёрен.
• Впервые проведен расчет вольт-амперной характеристики и электрической емкости поликристаллического керамического образца, в том числе содержащего монокристаллические зёрна субмикронных размеров. Показано, что при отношении ширины обедненной области к размеру зерна? = 0.4 резко изменяется характер зависимости ВАХ и удельной емкости от числа межзе-ренных границ и происходит рост порогового напряжении.
• С помощью созданной двумерной модели теоретически установлены оптимальный размер зёрен и оптимальный уровень легирования межзеренных границ, необходимые для достижения максимальной электрической емкости образца.
Основные содержание диссертации опубликовано в следующих работах:
1. S.A.Gurevich, V.M.Kuznetsov, V.M.Kozhevin, D.A.Yavsin, D.A.Zakheim, V.V.Khorenko, I.V.Rozhansky, «Fabrication and electrical properties of the monolayer of oxidized nanometer-size met allie granules», Proc. of Int. Syrnp. «Nanostructures: Physics and Technology», St.-Petersburg, p.344 (1998)
2. Д. А. Закгейм, И. В. Рожанский, С. А. Гуревич, «Электростатическая энергия неупорядоченной системы металлических гранул», Письма в ЖЭТФ, 70, стр. 100 (1999)
3. Д. А. Закгейм, И. В. Рожанский, И. П. Смирнова, С. А. Гуревич, «Температурная зависимость проводимости композитных пленок Си: SiO2 — эксперимент и численное моделирование», ЖЭТФ, 91, 553 (2000)
4. Д. А. Закгейм, И. В. Рожанский, «Моделирование электрической проводимости гранулированных металлов — мезоскопический и макроскопические режимы», Тезисы докладов итогового семинара по физике и астрономии по результатам конкурса грантов для молодых ученых С.-Петербурга, стр. 13 (1999). •
5. И. В. Рожанский, Д. А. Закгейм, Т. Н. Василевская, С. А. Гуревич, «Анализ структуры композитных металл-диэлектрических материалов методом малоуглового рентгеновского рассеяния», ФТТ, 43 (2001).
6. D.A. Zakheim, I.V. Rozhansky, S.A. Gurevich Monte-Carlo simulation of electron transport and field effect in granular metal nanostructures, Microelectronic Engineering, G9 (2003), G46−652
Автор выражает благодарность Сергею Александровичу Гуревичу за руководство и внимание уделяемое работе, Дмитрию Александровичу Закгейму за непосредственное участие в исследованиях, обсуждение результатов, Никите Сергеевичу Аверкиеву за обсуждение результатов, представленных в диссертационной работе, С. П. Воскобойникову за ценные консультации по вопросам численного моделирования, а также моим коллегам — сотрудникам лаборатории полупроводниковой квантовой электроники.
Заключение
Список литературы
- W. Chen, H. Ahmed, K. Nakazoto, Appi. Phys. Lett, 66, 3383 (1995)
- K.Likharev, «Single-Electronics: Correlated transfer of single electrons in ultrasmall junctions, arrays, and systems», Granular Narwelectronics, ed. l) y D. Ferry et al., Plenum, New-York, p.371 (1991)
- T.Claeson, K. Likharev, «Single Electronics», Single Electroinc^. Scientific American, 266, p.80 (1992) 13.
- K.K.Likharev, IEEE Trans.Magn., 23, 1142 (1987) 23(2), p. ll38 (1987)
- N.J.Stone, H. Ahmed,"Silicon single electron memory cell", Appl. Phys. Lett., 73, 2134 (1998)
- B.Abeles, P. Sheng, M.D.Coutts, Y. Arie, Adv. Physics, 24, 407 (1975)
- P.Sheng, Philosophical Magazine B, 65, 357 (1992)
- Zakheim D.A., Rozhansky I.V., Smirnova LP., Gurevich S.A., JEIT, 91, 553 (2000).
- D.A. Zakheim, S.A. Gurevich, I.V. Rozhansky, LP. Smirnova, V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin Surface Science, 532, 1187 (2003)
- L.C.Shen, C. Liu, J. Korringa, K.J.Dunn J- of Appl. Phys.,
- Д.А.Закгейм, И. В. Рожанский, А. Гуревич, Письма в ЖЭГФ, 70,100 (1999)
- В.В.Батыгин, И. Н. Топтыгин, Сборник задач по электродинамике, М., Наука, 1970, 53.
- T.Chui, G. Dcutscher, P. Lindenfeld, W.L.McLean, «Conduction in granular aluminum near the metal-insulator transition», Phys. Rev. B, 23 (11), p. G172 (1981)
- S.Barzilai, Y. Goldstein, LBalberg, J.S.Helman, «Magnetic and transport properties of granular cobalt films», Phys. Rev. B, 23 (4), p. l809 (1981) 67, 7071 (1990).
- D.A.Zakheim, I.V.Rozhansky, S.A.Gurevich, Nanotechnology, 14, 366 (2003)
- N.Setter, R. Waser, Acta.mater. 48, 151 (2000)
- N.Setter, J.Europ.Ceram Soc, 21, 1279 (2001)
- R.Waser, R. Hagenbeck, Acta.mater. 48, 797 (2000)
- К.М.Дощано1!, Ф7^Я, 32, 6 (1998)
- Faruque M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, ./.Appl.Phys., 94, 7768 (2003)
- H.-Y.Lee, J.-S.Kim, S.-J. Kang,/nterf. Sci., 8, 223 (2000)
- LV. Rozhansky, D.A.Zakheim «Modeling of the electrical properties of polycrystalline semiconductor ceramics», Proc. of 26th International Confc^rcrnce on Physics of Semicondcutors (ICPS-26), P275 (2002)
- L.M.Levinson. H.R.Philipp, Am.Ceram.Soc.Bull. 65, 639 (1986) /ir f^
- G.E.Pike, Phys.Rev.B, 30, 795 (1984)
- G.Blatter, F. Greuter, Phys.Rev.B, 34, 8555 (1986)
- D.E.Kotecki et al., IBM J.Res.Develop, 3,1999
- R.Hagenbeck, et al. Mater.Sci.Eng. B, B39, 179 (1996)
- T.Holbing, R. Waser, J.Appl.Phys. 91, 3037 (2002)
- M.Bartkowiak, G.D.Mahaii, Phys. Rev., B51, 10 825 (1995)
- I.V.Rozhansky, D.A. Zakheim, Modeling of the electrical properties of polycrystalline semiconductor ceramics, Int. Coiif, Physics of Semiconductors ICPS, Edinburgh (UK), 2002
- M.Volmann, R. Waser, J. Electroceramics 1, 51 (1997)
- T.Shimizu, N. Gotoh, N. Shinozaki, H. Okushi Appl.Surf.Sci 117/118, 400 (1997)
- M.Kuwabara, H. Matsuda, Y. Ohba J.Mater.Sci. 34, 2635 (1999)
- I.V.Rozhansky, D.A. Zakheim, Modeling of the electrical properties of polycrystalline semiconductor ceramics, Int.Conf. Applied Physics APHYS, Badajos, Spain, 2003 j51. В.Л.Вонч-Бруевич, Г. Калашииков, Физика полупроводников. М.:"Наука", 1990
- Т. А. Davis, UMFPACK Version 4.1 User Guide, http://www.ci.se.ufl.edu/research/sparse/umfpack/ (2003)
- Р.П.Федоренко, Введение в вычислительную физику, М., 1994 0<.
- Н.Н.Медведев, Метод Вороного-Делоне в исследовании структуры некрти- сталлических систем, Новосибирск, 2000