Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi

Диссертация: Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Кроме того, результаты по фотоэлектрическим явлениях открывают две различных возможности управления спектром фоточувствительности. В одном случае frSiC/Si f>-U?-t$Si) изменением свойств границы удается достигать получение фотоответа в сильно легированном полупроводнике и за счет этого контролировать расширение спектрального диапазона фоточувствительности. Во втором (. В то же время, эти Ш можно 0… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ НЕИДЕАЛЬНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
    • 1. 1. Основные определения
    • 1. 2. Зонная диаграмма гетероперехода (Ш)
    • 1. 3. Пограничные состояния (ПС) б гетеропереходах (ГП)
    • 1. 4. Гетеропереходы (ГП) GttF-SL
    • 1. 5. Гетеропереходы (ГП) S&As — SI
    • 1. 6. Гетероперехода (Ш) j3-SlC-SL
    • 1. 7. Выводы
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Сведения о полупроводниках: Si, fiaAs, SaP, p-SlC .4?
    • 2. 2. Технология re те po структур
    • 2. 3. Подготовка образцов к измерениям
    • 2. 4. Особенности измерительных методик
  • ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ
    • 3. 1. Основные теоретические модели
    • 3. 2. Результаты эксперимента (ВАХ и ВФХ)
    • 3. 3. Анализ эксперимента
      • 3. 3. 1. Механизм тока в гетероструктурах п-GaP/p-SL-l и n-GaAs/p-Si.о
      • 3. 3. 2. Зонные диаграммы гетеропереходов (ГП) a-GaAs-p-SL и n-GaP-p-S
    • 3. 4. Выводы.Ill
  • ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ИЗ
    • 4. 1. Общие представления
    • 4. 2. Спектральные характеристики гетероструктур п-/-Sifc/p-Si' и nf№-(SiOzyp-Sl.ГГ
    • 4. 3. Фотоэлектрические явления в гетеропереходах vn) Gafc/Si и Gap/S
    • 4. 4. Выводы

Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В настоящее время полупроводниковые гетеропереходы (ГП) получили широкое распространение в электронике [х]. Прогнозы на ближайшие годы [2] предполагают все более интенсивное использование Ш в существующих приборах, а также создание новых типов приборов на их основе.

Развитие физики и техники полупроводниковых приборов с Ш идет по двум направлениям в зависимости от того, рассматривается ли движение носителей тока поперек гетерограницы (гетеролазеры, биполярные транзисторы, фотодетекторы, солнечные фотоэлементы) или вдоль нее (например, транзистор с высокой подвижностью электронов в двумерном электронном газе [з]). Однако, в обоих случаях современный уровень разработки полупроводниковых приборов требует изучения электрофизических свойств гетерограницы.

С практической точки зрения во всем многообразии реальных и гипотетических ГП особое место занимают те из них, в которых один из компонентов — кремний, так как кремний является базовым материалом современной микроэлектроники, и развитая на кремнии планар-ная технология привела к созданию больших и сверхбольших интегральных схем. Сочетание технологических и экономических преимуществ кремния с функциональными особенностями других полупроводниковых материалов в единых структурах и приборах позволяет рассчитывать на решение ряда принципиальных задач микроэлектроники [4,5]. В связи с этим проблема получения и исследования ГП на основе Si становится практически важной. В первую очередь это относится к Ш А3В5 — SL, а из этого класса структур — к G&As/Sl и GftP/Si. т.к. технология материалов Gft AS и GftP, особенно эпи-таксиальная, развита хорошо, и они нашли широкое применение в раз

— 8 личных полупроводниковых приборах [б, 7,8]. Изучение ГП Ah5-Si, кроме того привлекает и с чисто научной точки зрения: в Ш типа «полярный — неполярный полупроводник» наиболее ярко проявляются специфические свойства гетерограницы" связанные с расположением атомов и природой химической связи [э].

Карбид кремния также относится к числу материалов, перспективных для полупроводниковой электроники, поскольку находит применение как в области силовой техники, так и в оптоэлектронике [ю]. По-видимому, SLC является одним из немногих перспективных материалов для создания источников излучения в коротковолновой части видимого спектра [и]. По этим причинам и привлекает к себе внимание raJb-SlC /St.

Таким образом, задача исследования электрофизических свойств га Get Лфи SqP/Sl, j&-SiC/Si является актуальной.

В то же время, эти Ш можно 0 pKOri считать неидеальными: первые два — в силу различия химической связи в полупроводниках — компонентах, рассогласования решеток (малого — 0,36 $ для 6aP~$i и значительного — 4,0% для ба/15-SL) и различия термических коэффициентов линейного расширенияпоследний — вследствие очень сильного (10,9 $) рассогласования решеток.

К моменту начала работы имевшиеся в литературе экспериментальные данные по Ш G& h 8- Si, 8q РSi, JrSiCSi. носили в основном технологический характер, и отсутствовало систематическое изучение их электрофизических свойств.

Целью работы являлось исследование электрических и фотоэлектрических явлений в ГП на основе выявление специфических особенностей и общих закономерностей, рассмотрение их с точки зрения зонной диаграммы (для ГП G&P-SL и Gft/lS'Si^H интерпретация в рамках теории неидеального ГП.

Диссертационная работа выполнена в лаборатории физики легированных полупроводников Физико-Технического института им. А.Ф"Иоффе АН СССР. Она включает, помимо введения. четыре главы и заключение.

Основные результаты работы опубликованы в 8 статьях и доложены в 6 докладах на 4 конференциях (тезисы опубликованы):

1. Буль А. Я., Герасименко Н. Н., Лежейко Л. В., Шаронова Л. В., Шмарцев Ю. В., Особенности спектра фоточуствительности в гетеропереходах Sl-?aP. -ФТП, 1978, т.12, в.6, с.1232−1234.

2. Кадыров М. А., Кунина Н. В., Саидов А. Я., Шамуратов Х. А., Щаро-нова Л.В., Шик А. Я., Шмарцев Ю. В. Исследование неидеальных гетеропереходов кремний-карбид кремния.- ФТП, 1980, т.14, в.8, с.1591−1595.

3. Герасименко Н. Н., Лежейко Л. В., Любопытова Е. В., Шаронова Л. В., Шаршунов А. Г., Шик А. Я., Шмарцев Ю. В. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Sir GftP.- ФТП, 1981, т.15,в.6, с.1088−1092.

4. Карлина Л. Б., Леонов Е. И., Шаронова Л. В., Шмарцев Ю. В. О свойствах гетероперехода Si-GflP. — ФТП, 1981, т.15,в.6,е.1202−1204.

5. ЗЗуль А.Я., Кадыров М. А., Саидов А. С., Шамуратов Х. А., Шаронова Л. В., Шмарцев Ю. В. О фоточувствительности структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник. — Письма в ЖТФДО82? т.8,в. 10, с.583−586.

6. Дорджин Г. С., Садофьев Ю. Г., Сеничкина Р. С., Шаронова Л. В., Шик А. Я. Шмарцев Ю.В. Гетеропереходы 31- fiftflS, полученные методом моле кулярно-луче во й эпитаксии. — ФТП, 1982, т.16,в.9,с.1654−1656.

7. Денивов А. Г. Дорджин Г. С., Садофьев Ю. Г., Шаронова Л. В., Шик А. Я., Шмарцев Ю. В. Спектры фоточувствительности неидеального гетероперехода p-SiftSfl .-ФТП, 1982, т. 16, Ш2, с.2152−2157.

8. Макарова Т. Л., Шаронова Л. В., Шмарцев Ю. В. Электрические свойства неидеальных гетеропереходов П-fiftP/p-St и Л’ШHipS{-ФТП, т.18, в. 9, с.1612−1616.

9. Буль А. Я., Кадаров М. А., Кунина Н. В., Саидов А. С., Шамуратов Х. А. Шаронова Л.В., Шмарцев Ю. В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов кремний-карбид кремния. В кн.: Тез.докл.респ.конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ужгород, 1979, с. 81.

10. Герасименко Н. Н., Лежейко Л. В., Шаронова Л. В., Шик А. Я., 111мар-цев Ю.В., ПолучениеИисследование тонких пленок Sft? И ft Si. В кн.: Тез.докл.1 Всесоюзн.конф.по физике и технологии тонких пленок. Ивано-Франковск, 1981, с. 132.

П. Бойко М. Е., Карлина !.Б., Шаронова Л. В., Шмарцев Ю. В. Свойства пленок GftP, выращенных на Si — подложках методом изотермической жвдкофазной эпитаксии. В кн.: Тез.докл.1 Всесоюзн. конф. по физике и технологии тонких пленок. Ивано-Франковск, I98I, c. II7.

12. Бойко М. Е. Дарлина Л.Б., Леонов Е. И., Шаронова Л. В., Шмарцев Ю. В. Физические явления в гетероэпитаксиальных структурах 6ftP-Sl. В кн.: Тез.докл.Всесоюзн.конф.по физике соединений Новосибирск, 1981, с.18−19.

13. Герасименко Н. Н., Лежейко Л. В., Любопытова Е. В. .Шаронова Л. В., Шик А. Я., 111марцев Ю. В. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода Si-GftP. В кн. Г Тез.докл.Всесоюзн.конф. по о с физике соединений А°В. Новосибирск, 1981, с.50−51.

14. Шаронова Л. В., Шик А. Я., Шмарцев Ю. В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов St-8ftA$. В кн.: Тез.докл. П Респ.конф.по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса, 1982, с.231−232.

В заключение: я считаю своим приятным долгом выразить глубокую признательность и благодарность научному руководителю Юрию Васильевичу Шмарцеву за внимание и постоянную поддержку в работе.

Благодарю А. Я. Шика за многочисленные плодотворные обсуждения результатов работы и консультации в теоретических вопросах, Т. А. Полянскую, А. Я. Буля, Ю. Ф. Бирюлина, И. И. Сайдашева за помощь в решении организационных, методических и научных вопросов при постановке и проведении эксперимента, Л. А. Тимохину за помощь при оформлении рукописи и всех сотрудников лаборатории физики легированных полупроводников Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе АН СССР за постоянно доброжелательное отношение.

Благодарю всех своих соавторов.

ЗШЮЧЕНИЕ

Таким образом, в данной работе проведено исследование электрических и фотоэлектрических явлений в трех ГП на основе St: i, Sa P /&, p~ Si. Основные результаты сводятся к следующему:

1. Выявлены общие закономерности электрических свойств (ВФХ и ВАХ), характерные для гетероструктур ПGaP/p-Si-l, n-Sa P/p-Si-tt, n-6ci/l$/p-§ L, p-Gafis/n-S'^n-ft-Ut f p-§ i .полученных различными способами. Общий характер явлений указывает на то, что они связаны со специфическими свойствами гетерограницы с 91, а не являются следствием использования того или иного метода (или режима) при изготовлении структуры.

2. Для гетероструктур Л~ SaP/p-Si-I и h-&0ih%jp-^i получены температурные зависимости параметров Jo, Jb «используемых при описании ВАХ, и на основании их анализа в соспоставлении с теорией установлен активационно-туннельно-рекомбинационный механизм тока в условиях перезарядки ПС.

3. В ГП n-SCLp/p'Si-1 U п~ Rate/p-Si оцределены значения энергетических параметров A Vg.^ определяющих соответственно ВАХ и ВФХ? и показан их разброс, обусловленный локальными свойствами гетерограницы.

4. На примере гетероструктур jb-Sie/s i и &~2i&fSi0o) — Sl показано изменение спектров фоточувствительности с изменением свойств гетерофазной границы.

5. Исследованы особенности (сложная структура) спектральной зависимости фоточувствительности в ГП 6йAt/Si, GctP/&, и совокупность экспериментальных фактов интерепретирована на основании иодели, предполагающей большую скорость рекомбинации на гетерогра-нице.

Приведенные в работе результаты в силу их комплексного характера позволяют оценить потенциальные возможности ГП на основе с точки зрения их практического применения.

Естественно, что, являясь неидеальными, эти ГП не могут конкурировать с идеальными ГП в традиционных областях применения. В частности, высокая концентрация локализованных состояний на гете-рогранице приводит к тому, что инжекция, как правило, отсутствует.

Вместе с тем, в них проявляется ряд особенностей, которые могут быть использованы практически.

Неидеальные ГП на основе Sl (и, в первую очередь, ddP/Si I) могут найти применение во всех случаях, когда можно поступиться потерями сигнала на гетерогранице при необходимости сочетания в монолитной структуре кремниевых интегральных схем с фотоприемниками или излучателями на других полупроводниковых материалах, то есть в системах обработки и (или) отображения оптической информации.

Кроме того, результаты по фотоэлектрическим явлениях открывают две различных возможности управления спектром фоточувствительности. В одном случае frSiC/Si f>-U?-t$Si) изменением свойств границы удается достигать получение фотоответа в сильно легированном полупроводнике и за счет этого контролировать расширение спектрального диапазона фоточувствительности. Во втором (

Q.P/Sl) — управление спектром осуществляется функциональным образом путем изменения геометрии освещения, что представляется перспективным .для систем координатно-чувствительных фотоприемников.

Научная значимость работы определяется тем, что

— во-первых, установлен ряд особенностей и закономерностей электрофизических свойств ГП A3 B5-Sl (ffflP/Sl U KOTO рые являясь ГП типа «полярный — не полярный полупроводник», рассматриваются как модельные для изучения явлений, связанных с микроскопическим строением границы [9J ;

— во-вторых, экспериментальные результаты объясняются с единой точки зрения в модели неидеального ГП, учитывающего ПС и ди-польные слои на гетерогранице;

— в-третьих, результаты работы можно рассматривать в качестве экспериментального подтверждения справедливости теории неидеальных Ш, изложенной в цикле работе А. Я. Шика и Ю. В. Шмарцева l44, 159−162] .

Показать весь текст

Список литературы

  1. Алфёров 1.И. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе. В кн.: Наука и человечество. М., 1976, с.276−289.
  2. Кгоеюег Н. Heterostructures for Everything- Device Principle of the 1980, s.
  3. Jap, J.Appl. Phys., v.20, supply 20−1, p. 9−13.
  4. В.А., Гродненский И. М. Двумерный электронный газ в гетеропереходе: свойства и применения. Микроэлектроника, 1982, т- 11, в. 3, с. 195−207.
  5. А.В., Свиташев К Д. Полупроводниковая микроэлектроника и технический прогресс. Микроэлектроника, 1982, т.1 11, вып. 6, с. 499−511.
  6. В.И., Привалов В. И., Тихоненко О. Я. Оптоэлектрон-ные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск, 1981. 172 с.
  7. А., Дин П. Светодиоды. М., 1979.
  8. X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М^, 1981.
  9. Кэролл Дж.' СВЧ-генераторы на горних электронах. М., 1972. 9″ Kroemer Н. Heterostructure devices: a device physicist looks at interfaces. Surf. Sci#, 1982, v.132, N 1−3,p.543−576.
  10. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (П Всесоюзное совещание по иирокозонным полупроводникам). Ленинград, 1979-
  11. Шарма Б.Л.) Цурохит Р. К. Полупроводниковые гетеропереходы. '1979
  12. Anderson B.L. Experiments on Ge-GaAs heterоjunctions. Solid State Electron., 1962, v.5, sept.-oct., p.341−351.
  13. Adams M.J., Nussbaum A. A proposal for a new approach to heterojunction theory. Solid State Electron., 1979, v.22, N9, 783−791.
  14. Nussbaum A, Direct verification of heterojunction rules. -Solid State Electron., 1982, v.25, N12, p. I20I-I204.
  15. Von Ross 0. Theory of extrinsic and intrinsic heterojuncti-ons in thermal equilibrium. Solid State Electron., 1980, v.23, NI0, p. Io69-I075.
  16. Kroemer H. Critique of two recent theories of heterojuncti-on lineups. IEEE El. Dev. Letters, 1983, v. EDL-4, N2, p.25−26.
  17. Katnani A.D., Margaritondo G. Microscopic study of semiconductor heterojunctions: Photoemission measurement of the valence band discontinuity and of the potential barriers. -Phijs. Rev. В., 1983, v.28, N4, p.1944−1956.
  18. Dingle R., Wiegmann W., Henry C.H. Quantum states of confined carriers in very thin A^Gaj^As-GaAs-A^Gaj^As hetero-structures. Phys. Rev. Letters, 1976, v.33, N14, p.827−830.
  19. Harrison W.A.ljSlementary theory of heterojunctions. J.Vac. Sei"Teohnol., 1977″ v. I4, N4, p.1016−1021.
  20. У. Электронная структура и свойства твердых тел, т.1. М^, 1983. с.325−330.
  21. Frensley W.R., Kroemer H. Prediction of semiconductor hete-rojunction discontinuities from bulk band structures. J. Vac.Sci.Technol., 1976, v, I3, N4, p.810−815.
  22. Shay J.L., Wagner S., Phillips J.C. Heterojunction band discontinuities. Appl. Phys. Letters, 1976, v.28, N1, p.31−33.
  23. Madhukar A. Modulated semiconductor structures: An overview of some basic considerations for growth and desired electronic structure. J. Vac. Sci. Technol., 1982, v, 20, N2, p.149−161.
  24. Guichar G.M., Balkanski M., Slbenne C.A. Semiconductor surface state spectroscopy. Surf. Sci., 1979, v.86, p.874−887.
  25. Gobeli G.W., Allen P.G. Photoelectric threshold and work function, In: Semiconductors and semimetals (eds Willard-son R.K., Beer A.C.), v.2, N.Y., 1966, p.263−280.
  26. Guichar G.M., Garry G.A., Sebenne C.A. Photoemission yield spectroscopy of electronic surface states on germanium (III) surfaces. Surf. Sci., 1979, v.85, N2, p.326−334.
  27. Zurcher R", Bauer R.S. Photoemission determination of di-pole layer and VB-discontinuity formation during the MBE growth of GaAs on Ge (IIO). J. Vac. Sci. Technol., 1983, V. AI, N2, p.695−700.
  28. Guichar G.M., Sebenne C.A., Garry G.A. Intrinsic and defect-induced surface states of cleaved GaAs (IIO). Phys. Rev. Letters, 1976, v.37, N17, p.1158−1161.
  29. Spicer W.E., Bell R.L. The 1 -V photocathode: A major detector development. Publ. Astron. Soc. Pacific, 1972, v.84, N497, p. IIO-122.
  30. Van Laar J., Huijser A., Contact potential differences for Шcompound surfaces. J. V§ c, Sci.fechnol., 1976, v.13, N4, p.769−772.
  31. Guichar G.M., S^benne C.A., Thualt C.D. Electronic surface states on cleaved GaP (IIOj: Initial steps of the oxygen chemi-sorption. J. Vac. Sci. Technol., 1979, v. I6, N5, p. I2I2−1215.
  32. A.H. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах. Ш1, 1977, Т. И, в. З, с.425−455.
  33. Grant R.W., Waldrop J.R., Kraut Б.A. XPS measurements of abrupt Ge-GaAs hetегоjunction interfaces. J. Vac, Sci. Technol., 1978, V. I5, N4, p.1451−1455.
  34. Waldrop J.R., Kowalczyk S.P., Grant R.W., Kraut E.A., Miller D.L. XPS measurements of GaAs?-AlAs heterojunction band discontinuitiesGrowth sequence dependence. J. Vac. Sci. Technol., 1981, v. I9, N3, p.573—575.
  35. Monch W., Gant H. Combined LEEDt AES, and work function studies during the formation of Ge: GaAs (IIO) heterostructures. -J. Vac.§ ci. Technol., 1980, v.17, N5, p.1094−1100.
  36. Kraut E.A., Grant R.W., Waldrop J.R., Kowalczyk S.P. Precise determination of the valence-band edge in X-ray photoemxission spectra- Application to measurement of semiconductor interface potentials. Phys. Rev. Letters- 1980, v.44, N24, p.1620−1623.
  37. Kowalczyk S.P., Kraut E.A., Waldrop J*R., Grant R.W.- Measurement of ZnSe-GaAs (IIO) and ZnSe-Ge (IIO) heterojunction banddiscontinuities by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). -J. Vac. Sci. Technol., 1982, v.21, N2, p.482−486.
  38. Waldrop J.R., Grant Semiconductor heterojunction interfaces: Nontransitivity of energy-band discontinuities* -Phys. Rev. Letters, 1979, v.43, N22, p. I686-I689.
  39. Katnati A.D., Stoffel N.G., Daniels R.R., Te-Xiu Zhao, Mar-garitondo G. Heterojunction interface formation: Si on Ge, GaAs, CdS. J. Vac. Sci. Technol., 1983, v. Al, N2, p.692 -694.
  40. Monoh W., Bauer R.S., Gant H., Murschall R. The electronic structure of Ge: GaAs (II0) interfaces. J. Vac. Sci.Technol., 1982, v.2I, N2, p.498—506.
  41. Katnani A.D.t Margaritondo G. Empirical rule to predict heterojunction band discontinuities. J. Appl. Phys., 1983, v.54, N5, p.2522−2525.
  42. Margaritondo G. The heterojunction parameters from a microscopic point of view. Surf. Sci., 1983, v.132, NI~3,p.469~ 478.
  43. Herring C., Nichols M.H. Thermionic emission. Rev. Mod. Phys., 1949, v.2I, N2, p.185−270.
  44. Pickett W.E., Cohen M.L. Theoretical trends in the abrupt (110) AlAs-GaAse Ge-GaAs, and Ge-ZnSe interfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1978, v.15, N4, p.1437−1443.
  45. Schulman J.N., McGill Т.О. Tight-binding calculation for the AlAs-GaAs (100) interface. J. Vac. Technol., 1978, v.15, N4, p.1456—1458.
  46. Lang D.V., Logan P.A. A search for interface states in an LPE GaAs/AlxGaI-xAs heterojunctions. Appl. Phys. Letters, 1977, v, 3I, N10, p.683−684.
  47. Nelson R.J. Interfacial recombination in GaAlAs-GaAs heterostructures" J. Vac. Sci. Technol., 1978, v.15, N4, p.1474−1477.
  48. Madhukar A., Das Sarma S. Intrinsic and extrinsic interface states at lattice matched interface between Ц -V compound semiconductors. The In As/GaSb (IIO) system. J. Vac. Sci. Technol., 1980, v. I7, N5, p. II20-II27.
  49. Taylor A., Jones R.M. The crystal structure and thermal expansion of cubic and hexagonal silicon carbide. In: Silicon carbide. A high temperature semiconductor (eds. O’Connor J.R., Smiltens J.). Oxford, L^N.Y., Paris, i960, p.147−154.
  50. С.И. Тепловое расширение твердых тел. М.-, 1974.
  51. Holt D.B. Misfit dislocations in semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, 1966, v.27, N6−7, p. I053-I067.
  52. Ba yaff G.A., Appelbaum J.A., Hamann D.R. Electronic structure .at an abrupt GaAs>-Ge interface. J. Vao. Sci. Technol., 1977, V. I4, N4, p.999−1005.
  53. Pickett W.E., Louie S.G., Cohen M.L. Self consistent calculations of interface states and electronic structure of the (110) interfaces of Ge-GaAs and AlAs-GaAs. — Phys. Rev. В., 1978, v. I7, N2, p.815−828.
  54. Madhukar A., Delgado J. The electronic structure of Si/Gap (110) interface and superlattice. Solid State Comm., 1981, v.37, N3, p.199−203.
  55. Kroemer H., Polasko K.J., Wright S.C. On the (110) orientations the preferred orientation for the molecular beam epitaxial growth of GaA$ on Ge, GaP on Si, and similar zinc-blende-on-diamond systems. Appl. Phys. Letters, 1980, v.36, N9, p.763−765.
  56. Sahai R., Milnes A.G. Heterojunction solar cell calculations. Solid State Electron., 1970, v.13, N9, p. I289-I299.1. Г 155
  57. Sreedhar А.К., Sharma B.L., Purohit R.K. Efficiency calculations of heterojunction solar energy coverters. IEEE Trans. Electron Devices, 1965, v. ED-16, N3, p.309=312.
  58. Zeidenbergs G., Anderson R.L. A proposed heterojunction field-effect transistor. Proc. IEEE, 1966, v"54, p.1960−1961.
  59. Zeidenbergs G., Anderson R.L. Si-GaP heterojunctions. Solid State Electron* 1967, v.10, N2, p. II3-I23.
  60. И.С., Ловягин Р.Н^ Исследование условий синтеза тонких монокристаллических пленок фосфида галлия^ Препринт 4^-80, ИФПСО АН СССР, 19 805
  61. Feucht D.L. Preparation and properties of Ge-Ge Si, Ge1. A X Ja"
  62. GaAs and Si-GaP heterojunctions. Int Proc. Intern, Conf. on Phys. Chem. Semicond. Heterojunctions and Layer Structures, / v.I. Budapest, 1970, p.39−62.
  63. М.М., Расулов К., Турсунов М. Н., Искавдеров А, Бус-танов Х.Х. Получение и исследование некоторых электрофизических и фотоэлектрических свойств гетероструктур GaAsT Р -GaAs, 1. JL —X Зь
  64. AixGa (f^|As-GaAs, GaP-Si. В сб.^Полупроводниковые арсениды и фосфвды элементов Ш группы*'Ташкент, 1981, с.68−101.
  65. Jong Т., Douma W.A.S., van der Veen J.F., Saris F.W., Haisma J. / Silicon molecular beam epitaxy on gallium phosphide. Appl.
  66. Phys. Letters, 1983, v.42, N12, p. I037-I039.
  67. Noack J., Mohling W. Epitaxial layers of gallium phosphide on silicon. Phys. Stat. Sol.(a), 1970, vi3, N4, p. K229-K23I.
  68. Katoda J., Kishi M. Heteroepitaxial growth of gallium phosphide on silicon. J. Electron. Mat., 1980, v.9, N4, p.783−797.
  69. Wang C.C., McFarlane S.H. Epitaxial growth and characterization of GaP on insolating substrates. J. Cryst. Growth, 1972, v.13/14, p. 262−267.
  70. Andre J.P., Hallais J., Schiller C. Heteroepitaxial growth of GaP on silicon. J. Cryst. Growth, 1975, v.31, p.147−157.
  71. Tsui R.K., GerschenzonM. Plastic deformation and fracture resulting from stresses causetf by differential thermal contraction in GaP/Si heterostructures. Appl. Phys. Letters, 1980, v.37, N2, p.218−220.
  72. НаЦца Г. А., Иванютин JI.А., Соколов Е. Б., %льшцкий Н.А., Арендаренко А. В. Гетероэпитаксия фосфида галлия на кремнии. В кн.: Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников (ред. Александров Л.Н.). Новосибирск, 1981, с.105−107.
  73. Thomas R.W. Growth of single crystal GaP from organo-metal-iic sources. J. Electrochem. Soc., 1969, v.116, n10, p.1449−1450.
  74. Yan-Kuin Su. The growth of a GaP epilayer on Si substrates by metalloorganic CVD. J. Phys, D: Appl. Phys., 1982, v.15, N11, p.2325−2330.
  75. Igarashi 0. Heteroepitaxial growth of GaP on Si substrates', by evaporation method. J. Appl. Phys., 1970, v.4I, N7, p.3190−3192.a
  76. Igarashi 0. Measurement of misaligments between the (III) axes of GaP deposits on Si substrates by the X-ray divergent beam method. Jap. J. Appl. Phys., 1976, v. I5, N8, p.1435−1444.
  77. Igarashi 0. Effects of substrate misorientation on heteroepitaxial growth of GaP on Si. Jap. J. Appl. Phys., 1977, v, I6, N10, p.1865−1866.
  78. Igarashi 0. Two-stage epitaxial growth of GaP on Si. Jap. J. Appl. Phys., 1977, v. I6, N10, p. I863-I865.
  79. Rosztoczy F.E., Stein W.W. The growth of Ge-GaAs and GaP-Si heterojunctions by liquid phase epitaxy. J. Eleetroohem. Soe., 1972, v.119, N8, p. III9-II2I.
  80. Beneking H., Roehle H., Mischel P., Schul G. Growth and properties of GaP liquid phase epitaxial layers on Si substrates" In: Gallium arsenide and related compounds Bristol. -L., 1977, p.51−57.
  81. Завадский B. A-, Мокрицкий B.A., Шоби? с B.C. Гетероэштакси$ слоев из многокомпонентных растворов. Физика и химия обработки материалов, 1977, № 4, c. l37-l43i
  82. И.А., Шшкин С.Л-, Федосеев С. А- Спектральная фоточувствительность гетеропереходов Sir GdPf полученных методом лазерной вакуумной эпитаксии. В кн.: П Респ. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Тез. докл. Одесса, 1982, с.ЮЗ.
  83. Morimoto К., Watanabe Н., Iton S. Ionized-cluster beam epitaxial growth of GaP films on Si substrates. J.Cryst. Growth, 1978, v.45, MI, p.334−339.
  84. Gonda Sh., Matsushims Yu., Mukai S., Makita Yu., Igarashi O. Heteroepitaxial growth of GaP on silicon by molecular beam epitaxy. Jap. J. Appl. Phus., 1978, v.17, N6, p. I043-Io48.
  85. Kawanami H., Sakamoto Т., Takahashi Т., Suzuki Б", Nagai K. Heteroepitaxial growth of GaP on a Si (100) substrate by Molecular Beam epitaxy. Jap. J. Phys., 1982, v.21, N2, p. L68-L70.
  86. Wright S.L., Inada M., Kroener H. Polar-on-nonpolar epitaxy: sublattioe ordering in the nucleation and growth of GaP on Si (211) surfaces. J. Vac. Technol., 1982, v.2I, N2, p.534−539.
  87. Э.А., Шварцман Л. Я., Янковский В. М. Получение гетеро-структур кремний-ареенвд галлия и их свойства. ЭТ, сер.2, Полупр- приборы, 1978, в.1(119), с.91−96*
  88. Matsumoto N., Kumabe К. Amorphous GaAs films by molecular beam deposition. Jap. J. Appl. Phys., 1980, v. I9, N9, p. 1583—1590.
  89. B.A., Казаков А. И., Бровкин B.H., Шобик B.C. Гете-роэпитаксия арсенцца галлия на кремний. Кристаллография, w 1978, т.23, вД, с.222−223.
  90. В.М., Преснов В. А., Савин П. Т., Терлецкая Л. А. Спектральные характеристики фототиристоров на основе гетероперехода кремний-ареенид галлия, ФТП, 1977, т.ЗИ, в.5,с.929−932.
  91. Л.А., Преснов В. А., Бровкин В. Н. Гетероструктура арсенид галлия-кремний в приемниках ИК-излучения. В кн.: Ш Всесоюзн. конф. по физическим процессам в гетероструктурах, т-1, Одесса, 1982, с.111−413.
  92. В.П., Пантелеев В. И., Хухрянский Ю. В. Гетероэпитак-сия арсенида галлия и его твердых растворов на кремний. В сб.: Физико-технологические вопросы кибернетики (ред. Деркач В.П.), Киев, 1973, с.153−158.
  93. Nakano Т. reparation and properties of GaAs-Si heterojunoti-ons by solution growth method. Jap. J. Appl. Phys., 1967, v. 6, N7, p.834−863.
  94. И.Н., Гнесин Г. Г., Зубкова C.M., Кравец В. А., Романова В. З. Карбид кремния, свойства и области применения. Киев, 1975, с.23−28.
  95. Spitzer W.G., Kleinman D.A., Frosch C.J. Infrared properties of cubic silicon carbide films. Phys. Rev., 1959, v. II3, N1, p.133−136.
  96. Balog M., Reisman A., Berkenblit M. The formation of jb -SiC on Si. J. Electron. Mat., 1980, v. S, N3, p.669−683.
  97. Learn A.J., Khan I.H. Growth morphology and crjrstallogra-phic orientation of J5 -SiC films formed by chemical conversion. Thin Solid Films, 1970, v.$, N2, p.145−155.
  98. Mogab C.J., Leamy H.J. Conversion of Si to epitaxial SiC by reaction with C2H2. J. Appl. Phys., 1974, v.45, N3, p.1075—1084.
  99. Khan I.N., Summergrad R.N. The growth of single-crystal films of cubio silicon carbide on silicon. Appl. Phys. Letters, 1967, v. II, N1, p. I2-I3.
  100. Nakashima H., Sugano J., Yanai H. Epitaxial growth of SiC film on silicon substrate and its crystal structure. Jap. J. Appl. Phys., 1966, v.5, N10, p.874−878.
  101. Graul J., Wagner E. Growth mechanism of polycrystalline SiC layers on silicon substrate. — Appl. Phys. Letters, 1972. v.2I, N2, p.67−69.
  102. Nagatomo M., Ishiwara H., Furukawa S. Studies on formation characteristics and mechanism of SiC on Si and metal silici-des by using ion backscattering techniques. Jap. J. Appl. Phys., 1979, v. I8, N4, p.765−770.
  103. И.П., Каздаев Х. Р., Каменских И. А., Краснопевцев"В. В .-В. Оптические и фотоэлектрические свойства структуре sic-si, полученной при имплантации ионов углерода в Si.
  104. ФГП, 1979, т.13, № 2, с.375−378.
  105. Nishino Sh., Matsunami Н., Odaka М., Tanaka Т. Preparation of Ji-SiC films by r.f. sputtering. Thin Solid Films, 1977, v.40, P. L27-L29.
  106. Rai-Choudhury P., Formigoni N.P. Jb-silicon carbide films. J. Electrochem. Soc., 1969, v.116, N10, p.1440−1443.
  107. Nishino Sh., Matsunami Н., Tanaka Т. Optical properties of J5-SiC crystals prepared by chemical vapor deposition. Jap. J. Appl., Phys., 1975, v. I4, N11, p.1833−1834.
  108. Э., Неймане И. П., Фелтынь И. А., Фрейберга Л. А. Исследование поликристаллических пленок J& ~ карбида кремния на кремний. Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и техн. наук, 1969, в. б, е., 62−67.
  109. Jackson D.M., Howard R.W. Fabrication of epitaxial SiC films on silicon. Trans. Met. Soc. ABIE, 1965, v.233, N3, p.468−473.
  110. Jacobson K.A. Growth texture and surface morphology ofгЫ
  111. SiC layers. J. Electrocbem. Soc., 1971, v.118, N6, P. I00I-I006.
  112. Learn A.J., Hag К.Б. Reactive deposition of cubic silicon carbide. J. Appl. Phys., 1969, v.40, N1, p.430.
  113. Hag K.E., Learn A.J. Chemical. processes in SiC formation by reactive deposition and chemical conversion. J. Appl* Phys., 1969, v.40, N1, p.431.
  114. Miller D.P., Watelski S.B., Moore C.R. Structure defects in pyrolitic silicon epitaxial films. J. Appl. Phys., 1963, v.34, N9, p.2813−2821.
  115. Yoshihara H., Mori H., Kikuehi M. Synthesis of SiC films by plasma deposition process. Jap. J. Appl. Phys., 1977, V. I6, N11, p.2047−2048.
  116. M.C., Шамуратов X.A-, Миртаяипов M. К вопросу о росте карбида кремния кубической модификации* Изв. АН Уз. ССР" сер. физ.-мат. наук, 1973, вД, с.56−58.
  117. Саидов М. С-, Шамуратов Х. А., Миртаяипов М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов кремний-карбид кремния. -Изв. АН Уз- ССР, сер. физ. мат. наук, 1973, в. 2, с.62−64i
  118. М.С., Шамуратов Х. А., Мирталипов М. О некоторвх свойствах гетеропереходов кремний-карбид кремния. Доклады АН Уз. ССР, 1973, в.2, с.28−29.
  119. Kuroiwa К., Sugano Т. Vapor deposition of beta-silioon carbide on silicon substrates. J. Electrochem.^oo., 1973, V. I20, N1, p.138−140.
  120. Murayama Т., Takao T. Structure of a silicon carbide film synthesized by r.f. reactive ion plating. Thin Solid Films, 1977, v.40, N4, p.309−317.
  121. Nishino Sh., Hazuki Y., Matsunami H., Tanaka T. Chemical vapor deposition of single crystalline j?>-SiC films on silicon substrate with sputtered SiC intermediate lager* J. Electrochem. Soc." 1980, v.127, N12, p.2674−2680*
  122. Таблицы физических величин (ред.Кикоин ИД,). M., 1976v
  123. Tairov Y.M., Vodakov Y.A. Group-IV materials (Mainly SiC). Topics in Appl. Phys*, 1977, v. I7, p.31−61*
  124. Dean P.G., Choyke W.G., Patrick L. The location and shape of the conduction band minima in cubic silicon carbide. J. Luminescence, 1977, v. I5, N3, p.299−314.
  125. Stillman G.E., Wolfe C. M*, Dimmock J.O. Far-infrared photoconductivity in high purity GaAs. In: Semiconductors and Se-mimetals (eds. Wi1lardson R. K*, Beer A.C.), v.12. Infrared
  126. Detectors N.Y.-San Francisko- L., 1977, p. I69−290.
  127. А.Г., Дорджин Г. С., Садофьев Ю. Г., Шаронова Л. В., Шик А.Я., Шмарцев ЮЛ*., Спектры фоточувствитепьности нецде-ального гетероперехода p-Si-n-GaAs.-.-ФТП, 1982, т.16, в.12, с*2152−2157,
  128. М.А., Кунина Н. В., Саидов А. С., Шамуратов Х. А., Шаронова Л. В., Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. Исследование неидеальных гетеропереходов кремний-карбид кремния. ФТП, 1980, т.14, в.8, с.1591−1595.
  129. Anderson R.L.Germanium-gallium arsenide heterojunctions. -IBM.J. Res. Dev., I960, v.4, N3, p.283−287.
  130. Perlman S.S., Feueht D.L. p-n-heterojunctions. Solid State Electron., 1964, v.7, N12, p.911−923.
  131. Von Dolega U* Theorie des p-n Kontartes zwischen Halblei-tern mit verschiedenen Kristallgittern. Z. Naturforsch., 1963, v. I8a, N5, p.653−666.
  132. Newman P.C. Forward characteristics of hetero junctions. -Electron. Letters, 1965, v. I, N9, p.265.
  133. Rediker R.H., Stopek S, Ward J.H.R. Interface alloy epitaxial heterojunctions. Solid State Electron., 1964, v.7, p.621−629.
  134. Riben A.R., Feuoht D.L. n-Ge- p-GaAs heterojunctions. Solid State Electron., 1966, v.9, Nil/IB, p.1055−1065.
  135. Tansley T.L. Forward bias current voltage characteristics for a heterоjunction in which tunneling dominates. -Phys. Stat. Sol., 1966, v.18, N1, p. I05-II2.
  136. Riben A.R., Feucht D. L, Electrical transport in nGe-p GaAs heterojunctions. Int. J. Electronics, 1966, v.20, N6, p.583−599.
  137. ВД., Климов Б. Н. Исследование полной дифференциальной проводимости гетеропереходов с целью определения параметров промежуточных состояний. ФТП, 1976, т. 10, в.6, с. 1035−1037.
  138. Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. 0 влиянии состояний на границе раздела на свойства гетероперехода. ФТП, 1980, т.14, в.9, с. 1724 — 17 271,
  139. Шик АД. Вольтамперная и вольтфарадная характеристики реальных гетеропереходов. ФТП, 1980, т.14, в.9, c. l728−1738v
  140. Shik A.Ya., Shmartsev Yu.y. On the theory of non-ideal heterojunctions. Phys, Stat. Sol.(a), 1981, v.64, N2, p.723−734.- №
  141. Шик А.Я. Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетеропереходах. ФТП, 1983, т.17, в-7, с.1295−1299.
  142. Р. Туннелирование в выпрямителях с барьером Шоттки- В KHi-: Туннельные явления в твердых телах (ред. Бурштейн Э., Лундквист С.) М., 1973, с-106−124-
  143. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1977, 12 с.
  144. Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М., 1964.166.#истуль В. И. Сильно легированные полупроводники. М., 1967-
  145. Bauer H.S., Sang H.W. On the adjustability of the «abrupt» heterojunction band-gap discontinuity. Surf. Sci., 1983, V. I32, N1−3, p.479−504.
  146. Harrison W.A., Kraut E.A., Waldrop J.R., Grant R.W. Polar heterojunction interfaces. Phys. Rev.B., 1978, v.18, N8, p.4402−4406.
  147. Zur A., McGill T.C., Smith D.L. Dipoles, defects and interfaces" Surf. Sci"4 1983, v.132, p.456−464.
  148. Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. 1С теории фотодиода на основе неидеального гетероперехода. ФТП, 1981, т.15, в.6, с.1242−1244
  149. Шик А-Я., Шмарцев Ю. В. Фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов. ФТП, 1981, т.15, в.7, с.1385−1394.172. 1акуева Л.Г., Винчаков В. Н-, 3|убкова Т. Н. Неидеальные гетеропереходы на основе сульфида свинца. ФТП, 1978, т.12, в.4, с.820−822.
  150. Coluzza C., Garozzo М., Maletta G. Margadonna D., Tomaciello R., Migliorato P. n-CdS/p -Si heterojunction solar cells.-Appl. Phys. Letters, 1980, v.37, N6, p.569−572.
  151. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник (ред. Рка-нов А.В.). М., 1976. 273 с.
  152. Hovel H.J. Solar oells. Semiconductors and Semimetals (eds Willardson R.K., Beer A.C.), v. II, KY. San Francisko — L., 1975. 25 p.
  153. Будя ну B.A., Дамаскин И. А-., Зенченко В. П., Насакин А. А., /
  154. С.Л., Федосеев С. А., Чечуй С. Н. Свойства гетеропереходов р-si-n-GaAs, полученных методом лазерной вакуумной эпитаксии. ФТП, 1984, т.18, в.4, с.619−623-
  155. Fan H.Y., Shepherd M.L., Spitzer W. Infrared absorption and energy-band structure of germanlun and silicon. Ins Proc. of Atlantic City Conference on Photoconductivity. N.Y.-L., 1956, p.184−203.
  156. А.Я., Круковская Л. П. К вопросу об измерении диффузионной длины неосновных носителей заряда в n-GaSb(s).-$Tn, 1981, т.15, вЛ, c.793~795i
Заполнить форму текущей работой

На отлично!