Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии и изучение свойств метастабильных фаз в гетероструктурах на основе фторидов и металлов на кремнии

Диссертация: Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии и изучение свойств метастабильных фаз в гетероструктурах на основе фторидов и металлов на кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты диссертации являются качественно новыми и интересны как с точки зрения практического применения, так и с точки зрения фундаментальных исследований. Эти результаты не только вносят вклад в разработку новых магнитных носителей информации и электролюминесцентных приборов, но и расширяют понимание процессов стабилизации метастабильных структурных модификаций с помощью гетероэпитаксии… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Эпитаксиальные диэлектрики
    • 1. 2. Свойства объемных кристаллов МпРг и
    • 1. 3. Свойства объемных кристаллов Сс1Рг
    • 1. 4. Эпитаксиальное выращивание МпР2,12 и С<�ЗР2 на различных подложках
    • 1. 5. Применение ферромагнитных и антиферромагнитных эпитаксиальных пленок в области цифровых технологий
    • 1. 6. Свойства объемных кристаллов и эпитаксиальных пленок кобальта и никеля
  • Глава 2. Подготовка образцов и экспериментальные методики
    • 2. 1. Физико-химическая подготовка подложек и СаРг
    • 2. 2. Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии
    • 2. 3. Дифракция быстрых электронов
    • 2. 4. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
    • 2. 5. Прочие методики, используемые в работе
  • Глава 3. Изучение процессов роста и свойств эпитаксиальных слоев МпРг на
    • 3. 1. Буферные слои СаРг на кремнии
      • 3. 1. 1. Анизотропный рельеф поверхности СаРг (110)
      • 3. 1. 2. Выглаживание поверхности СаРг (001) с помощью быстрого термического отжига
      • 3. 1. 3. Планарная поверхность СаРг (111), способы получения
    • 3. 2. Эффект гетероэпитаксиальной стабилизации ромбической кристаллической модификации типа а-РЬОг фторида марганца
      • 3. 2. 1. Фасетированные нано- и микрокристаллы МпРг на анизотропной поверхности (110).буферного слоя СаР
      • 3. 2. 2. Наноразмерные островки на поверхности (001) буферного слоя СаРг
      • 3. 2. 3. Особенности роста толстых слоев МпРг на поверхности (111) буферного слоя СаРг
    • 3. 3. Формирование флюоритоподобного окружения на начальных стадиях роста фторида марганца на поверхности (111) буферного слоя СаРг
      • 3. 3. 1. Осцилляции зеркального рефлекса ДБЭ
      • 3. 3. 2. Результаты измерений ДМЭ
      • 3. 3. 3. Исследование фотоэлектронной эмиссии и поглощения в слоях МпРг/СаРг (111)
      • 3. 3. 4. Результаты измерений фотоэлектронной дифракции
      • 3. 3. 5. Исследование кристаллической структуры фторида марганца в короткопериодных сверхрешетках на основе МпРг-СаРг
    • 3. 4. Пленки МпРг с кристаллической структурой типа рутила, выращенные на кремнии
    • 3. 5. Фотолюминесценция ромбической модификации фторида марганца
      • 3. 5. 1. Особенности фотолюминесценции нелегированных слоев МпРг
      • 3. 5. 2. Возникновение различных типов центров люминесценции в зависимости от структурной модификации слоя МпРг^тРз/СаРг
    • 3. 6. Оценка температуры Нееля ромбической модификации фторида марганца путем анализа температурной зависимости постоянных решетки
  • Выводы
  • Глава 4. Эпитаксиальное выращивание и исследование свойств слоев фторидов металлов группы IIb
    • 4. 1. Структурные исследования слоев ZrF2 и CdF
      • 4. 1. 1. Стабилизация метастабильной ромбической структуры типа а-РЬОг на СаРг (110)
      • 4. 1. 2. Образование полиморфных структурных модификаций при выращивании на CaF2(001)
      • 4. 1. 3. Доминирование тетрагональной кристаллической структуры типа рутила при выращивании на CaF2(111)
      • 4. 1. 4. Эффект выглаживания рельефа поверхности в гетероструктурах CdF2/CaF2(001)
    • 4. 2. Исследование полупроводниковых свойств ZnF2 и CdF
      • 4. 2. 1. Результаты электрозондовой диагностики эпитаксиальных слоев ZnF2: Sm
      • 4. 2. 2. Результаты электрозондовой диагностики эпитаксиальных слоев CdF2: Er
    • 4. 3. Примесные центры ФЛ с участием редкоземельных ионов в слоях ZnF
      • 4. 3. 1. Возникновение различных центров люминесценции в зависимости от структурной модификации слоя. Различие люминесценции MnF2: SmF3 и ZnF2: SmF
      • 4. 3. 2. Различие способов компенсации заряда при легировании ZnF2: SmF3 и ZnF2: Sm
    • 4. 4. Особенности стабилизации метастабильных структурных модификаций МпРгИ ZnF2C помощью гетероэпитаксии
  • Выводы
  • Глава 5. Процессы эпитаксиального роста и свойства наноструктур кобальта на кремнии
    • 5. 1. Структурные исследования эпитаксиальных слоев Co/CaF2/Si и Co/MnF2/S
      • 5. 1. 1. Со на гофрированном буферном слое CaF
      • 5. 1. 2. Со на планарной поверхности CaF2(111)
      • 5. 1. 3. Особенности морфологии эпитаксиальной пары Co-MnF2, нанесенной на гетероструктуру MnF2(110)/CaF2(110)/S
    • 5. 2. Электронные свойства гетероструктур на основе Со
      • 5. 2. 1. Гетероструткуры Co/CaF2(110)/Si и Co/CaF2(111)/Si. Особенности K-края поглощения
      • 5. 2. 2. Гетероструктуры Co/MnF2(110)/CaF2(110)/S
      • 5. 2. 3. Рентгеновский магнитно-циркулярный дихроизм в гетероструктурах Co/CaF2(110)/S
    • 5. 3. Магнитооптический эффект Керра в гетероструктурах Co/CaF2/S
      • 5. 3. 1. Связь магнитооптического эффекта Керра с анизотропией поверхности CaF2(110)
      • 5. 3. 2. Интерференционное усиление магнитооптического эффекта Керра в гетероструктурах Co/CaF2(111)/S
  • Выводы

Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии и изучение свойств метастабильных фаз в гетероструктурах на основе фторидов и металлов на кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы.

С помощью гетероэпитаксиального наращивания тонких пленок на какую-либо подложку возможно формирование в этих пленках кристаллической структуры, метастабильной в объемных кристаллах. В тонких пленках эта структура может быть стабильна в нормальных условиях. Примером осуществленной таким образом гетероэпитаксиальной стабилизации может служить, в частности, псевдоморфный эпитаксиальный слой HoF3, выращенный1 на поверхности Si (111) и имеющий тригональную кристаллическую структуру, стабильную в объемных кристаллах лишь при температурах выше 1070 °C. Гетероэпитаксиальная стабилизация ромбической структурной модификации фторидов марганца и цинка впервые исследована в предлагаемой диссертационной работе. Фторид марганца представляет особый интерес для исследований, поскольку его рутиловая структурная модификация, характерная для объемных кристаллов, является классическим антиферромагнетизм с хорошо изученными как магнитными, так и оптическими свойствами. Фторид цинка привлекателен в силу выраженной люминесции при легировании редкоземельными элементами. Кристаллическая структура, электронные и люминесцентные свойства ромбической модификации MnF2 и ZrF2 исследованы с помощью разнообразных методик. Стабилизированная метастабильная структура обладает высоким кристаллическим качеством и представляет собой новый материал, обладающий интересными физическими свойствами.

Эпитаксиальные пары на основе металлов и фторидов, в частности Co-CaF2 и Co-MnF2, впервые выращенные в данной работе, представляют интерес с точки зрения применения в микроэлектронике. Известно, что в слоях и наноструктурах на основе ферромагнетиков, а также в системах ферромагнетик-антиферромагнетик наблюдается ряд интересных физических эффектов, в том числе эффекты гигантского магнитоспротивления и обменного смещения. На основе этих эффектов возможна разработка новых высокоплотных магнитных носителей информации, а также считывающих устройств на основе спиновых клапанов.

В диссертационной работе также были созданы и изучены легированные редкоземельными ионами эпитаксиальные слои фторидов цинка и кадмия, обладающие полупроводниковыми свойствами. Эффективная люминесценция в сочетании с высокими достижимыми концентрациями свободных электронов делает эти материалы многообещающими соединениями для создания электролюминесцентных приборов.

Исходя из вышеизложенного, тема представленной диссертации является весьма актуальной, имеется достаточно оснований рассматривать практическое применение гетероструктур на основе указанных материалов.

Цель работы, основные задачи.

Целью данной работы является исследование процессов эпитаксиального роста и изучение свойств стабильных и метастабильных фаз в гетероструктурах на основе CdF2, MnF2 и ZnF2, а также Со и Ni на Si (111) и Si (001) с использованием буферного слоя CaF2.

Основные задачи, поставленные в данной работе, следующие.

• Исследование процессов роста MnF2 и ZnF2 на подложках кремния с ориентациями (111) и (001) поверхности и нахождение оптимальных режимов роста,.

• Исследование морфологии поверхности и кристаллической структуры полученных эпитаксиальных слоев, подробная диагностика возможных метастабильных фаз,.

• Выращивание и изучение фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных слоев МпРг и 1пр2, легированных самарием,.

• Изучение проводимости эпитаксиальных слоев Сс1Рг: Ег и 7пРг:5т,.

• Выращивание, изучение кристаллической структуры, электронных и магнитных свойств эпитаксиальных слоев на основе СаР2, Со и N1 на кремнии.

Научная новизна и практическая значимость.

Новизна проведенной работы состоит в получении с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии новых материалов на основе МпРг и, а также в проведении комплексных исследований структурных, магнитных и оптических свойств этих материалов и гетероструктур на их основе. Впервые изучены режимы роста и свойства гетероэпитаксиальных пар Со-СаРг и Со-МпРг. Ромбическая структурная модификация МпРг и типа а-РЬОг на кремниевых подложках с поверхностью (111) и (001) с использованием буферного слоя СаРг также стабилизирована впервые. Толщина эпитаксиальных слоев МпРг и при этом может достигать микрона и более, что существенно больше толщин, характерных для эпитаксиально стабилизированных метастабильных фаз. Тщательно исследована морфология поверхности слоев МпРг и 1пРг, показана ее существенная зависимость от условий зпитзксиалыюго роста. Кроме того, исследованы неизвестные ранее особенности кристаллической структуры первых монослоев МпРг, нанесенных на поверхность (111) СаРг при комнатной температуре. Впервые исследована зависимость фотолюминесцентных свойств МпР2 и от кристаллической структуры. Исследована возможность получения проводящих эпитаксиальных слоев на основе 2пРг и Сс1р2, легированных редкоземельными ионами.

Метастабильная ГЦК структура Со стабилизирована на подложках 51(001) и 51(111) с использованием буферного слоя СаРг. В зависимости от режимов роста возможно получение эпитаксиальных слоев, имеющих разнообразную контролируемую морфологию поверхности. В прямой зависимости от морфологии находятся магнито-оптические свойства эпитаксиальной пары Со-СаРг. Проведено сравнение кристаллических структур Со/СаР2(110)и№/СаРг (110).

Результаты диссертации являются качественно новыми и интересны как с точки зрения практического применения, так и с точки зрения фундаментальных исследований. Эти результаты не только вносят вклад в разработку новых магнитных носителей информации и электролюминесцентных приборов, но и расширяют понимание процессов стабилизации метастабильных структурных модификаций с помощью гетероэпитаксии, а также влияния структурных переходов на магнитное упорядочение, оптические и электронные свойства исследованных материалов.

Основные положения, выносимые на защиту.

• В процессе эпитаксиального роста МпРг, имеющего в объемных кристаллах структуру типа рутила, на подложках Б'! возможно формирование двух его метастабильных кристаллических модификаций: флюоритоподобной кубической, наблюдаемой на начальных стадиях роста, и ромбической со структурой типа а-РЬОг. При этом кубическая модификация доминирует до толщин 3−4 монослоя, а затем переходит в ромбическую, которая остается преобладающей вплоть до толщин более 1 микрона.

• В слоях ZnF2 на Si эффект гетероэпитаксиальной стабилизации выражен менее ярко, что в некоторых случаях может проявляться в одновременном сосуществовании метастабильной ромбической и стабильной тетрагональной фаз. Путем легирования в процессе выращивания ионами Sm3t и Er3t эпитаксиальные пленки 1и?2 (а также CdF2) могут быть превращены из широкозонных диэлектриков в полупроводники п-типа с минимальным удельным сопротивленем, не превышающим единиц Омсм.

• В слоях метастабильной ромбической фазы MnF2 и ионы Sm3t образуют новые, характерные для этой фазы центры люминесценции. В проводящих слоях 1п? г доминирует центр люминесценции Sm3f, в котором компенсация избыточного положительного заряда осуществляется за счет электрона проводимости, в отличие от остальных центров, имеющих в качестве компенсатора ион фтора. В ромбической кристаллической структуре MnF2, также как и в рутиловой, наблюдается эффективный механизм передачи энергии фотонов трехвалентным примесям за счет возбуждения и релаксации экситонов. Вид спектров собственной фотолюминесценции ромбической модификации MnF2, а также рентгенодифракционные измерения указывают на ее антиферромагнитную природу.

• Кобальт на подложках кремния с буферным слоем CaF2 кристаллизуется в метастабильной кубической гранецентрированной структуре с ориентацией основных кристаллографических осей параллельно соответствующим направлениям фторида кальция. Путем выбора условий роста могут быть получены массивы упорядоченных наночастиц, квазиодномерные структуры, а также сплошные эпитаксиальные слои кобальта.

• В эпитаксиальных слоях кобальта на буферном слое CaF2(110) наблюдается существенная анизотропия магнитных свойств, обусловленная особенностями их морфологии. Наблюдаемое интерференционное усиление магнитооптического эффекта Керра в гетероструктурах Co/CaF2/S? позволяет существенно расширить область применимости этой методики для изучения магнитных свойств ферромагнитных наноструктур.

Апробация работы.

По результатам диссертации опубликовано 11 печатных работ. Результаты диссертационной работы докладывались более, чем на 20 международных научных конференциях:

• 10: h International Conference on Solid Films and Structures (ICSFS), Princeton, 2000;

• International Conference on Matreials for Advanced Technologies (ICMAT), Singapore, 2001,2003,2005;

• International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 2002,2004,2005;

• 5-h Seminar on Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology, St. Petersburg, 2002;

• 12th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE), San Francisco, 2002;

• 2nd International Conference on Luminescence (ICL), Budapest, 2002;

• International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology (AMN), Wellington, 2003; Queenstown, 2005.

• Symposium on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC-14, 15), Christchurch, 2003; Shanghai, 2005.

• Seminar ELETTRA, Trieste, 2003,2004;

• Xll-th Feofilov symposium on spectroscopy of crystals activated by rare earth and transition metal ions, Ekaterinburg, 2004;

• 1st Nano-Engineering and Nano-Science Congress, Singapore, July 7−9,2004.

• 10-l1 International Conference on Formation of Structural Interfaces (ICFSI), Aix-en-Provence, 2005;

• 23'd European Conference on Surface Science (ECOSS), Berlin, 2005;

• 8: l1 International Symposium: Order, Disorder and Properties of Oxides (ODPO), Sochi, 2005;

• 13: l1 International Symposium on Itinerant and Localized States (SILS), Modena, 2005.

Перечень публикаций, раскрывающий основное содержание диссертационной работы, представлен в конце диссертационной работы.

Основные результаты и выводы.

Проведенные исследования позволяют сформулировать основные результаты работы.

• Структурные исследования эпитаксиальных слоев MnF2, выращенных на подложках Si с использованием буферного слоя CaF2, показали наличие эффективной эпитаксиальной стабилизации метастабильных в объемных кристаллах фаз фторида марганца.

• На начальных стадиях роста MnF2 на поверхности CaF2(111) обнаружено формирование метастабильного флюоритоподобного кристаллического окружения, которое при увеличении толщины слоя до 3−4 монослоев переходит в ромбическую кристаллическую фазу со структурой типа а-РЬ02.

• Показано, что критическая толщина стабилизации ромбической фазы MnF2 в ряде случаев превышает 1−1.5 микрона, что значительно превосходит соответствующую величину для ранее изученных систем.

• Продемонстрирована возможность выращивания эпитаксиально упорядоченных микрокристаллов ромбической фазы MnF2 с размерами, превышающими 1 микрон. С помощью измерений рентгеновской дифракции и дифракции быстрых электронов, а также атомно-силовой микроскопии установлены эпитаксиальные соотношения на гетерогранице MnF2/CaF2 и идентифицирована огранка микрокристаллов, выращенных на гофрированном буферном слое CaF2.

• Показано, что в эпитаксиальных слоях ZnF2 в ряде случаев помимо метастабильной ромбической фазы также формируется и стабильная тетрагональная фаза. Проведенное термодинамическое рассмотрение позволяет объяснить это явление, а также сопоставить эффективность эпитаксиальной стабилизации в системах MnF2/CaF2 и ZnF2/CaF2.

• Впервые исследованы фотолюминесцентные свойства ромбической структуры MnF2 и ZnF2. Вид спектров экситонной фотолюминесценции ромбической фазы MnF2 указывает на антиферромагнитную природу этой фазы. Измерение температурной зависимости постоянных решетки с помощью рентгеновской дифрактометрии позволило оценить температуру Нееля данной фазы как близкую к значению, известному для тетрагональной фазы.

• При легировании самарием эпитаксиальных слоев MnF2 и ZnF2, имеющих ромбическую структуру, обнаружено два вида излучательных центров, характерных для этой фазы и имеющих в качестве компенсатора избыточного положительного заряда ион фтора. Помимо этого в слоях ZnF2 обнаружен дополнительный тип центров, имеющий в качестве компенсатора электрон, заряд которого распределен между ионом самария и ближайшими катионами.

• Путем легирования в процессе выращивания ионами Sm3t и Ег3+ эпитаксиальные пленки ZnF2 и CdF2 превращены из широкозонных диэлектриков в полупроводники n-типа с минимальным удельным сопротивлением, не превышающим единиц Ом-см.

• Метастабильная в объемных кристаллах ГЦК структура Со стабилизирована на подложках Si (001) и Si (111) с использованием буферного слоя CaF2. Ориентации кристаллических решеток Со и CaF2 совпадают. Показано, что в зависимости от морфологии поверхности буферного слоя и режимов роста материалов возможно получение как сплошных пленок, так и нитевидных наноструктур.

• Выявлена преимущественная одноосная анизотропия магнитных свойств кобальта в гетероструктуре Co/CaF2(110)/Si (001). Легкая ось намагничивания направлена вдоль гофр буферного слоя и определяется морфологической анизотропией слоя Со. Показано, что величина полярного эффекта Керра для структуры.

Со/Сар2(111)/31(111) с планарным буфером более чем в три раза превосходит величину, характерную для объемных кристаллов кобальта, в сипу интерференционного усиления в гетероструктурах с прозрачным буферным слоем.

Список печатных работ, вошедших в диссертацию.

Статьи и сборники расширенных тезисов:

• A.K.Kaveev, R.N.Kyutt, M.M.Moisseeva, L.J.Showalter, Yu. V. Shusterman, N.S.Sokolov, S.M.Suturin, N.L.Yakovlev «Molecular beam epitaxy and characterisation of CdF2 layers on CaF2(111)», J. Cryst. Growth, 201/202(1999) 1105−1108.

• АХКавеев, M. M. Моисеева, H. С. Соколов, «Эпитаксиальное выращивание проводящих слоев CdF2: Er», Письма в ЖТФ, Том. 28, вып. 6,2002, стр. 75−80 (Tech. Phys. Lett., 28/3,2002,250−252).

• А. К. Кавеев, Н. С. Соколов, «Выращивание и рентгеноструктурные исследования эпитаксиапьных слоев ZnF2 на Si», Научно-технические ведомости СПбГТУ, 2,2003,85−188.

• K.R. Hoffman, S.V. Gastev, А.К. Kaveev, N.S. Sokolov, and R.J. Reeves, «Optically Probing the Crystalline Phases of MnF2 and ZnF2 utilizing Sm3* defect ions», J. Lumin., 108,11−4 (2004) pp25−30.

• S.V. Gastev, K.R. Hoffman, A.K. Kaveev, R.J. Reeves and N.S. Sokolov, «Laser spectroscopy of epitaxial manganese and zinc fluoride films on silicon», J. Cryst. Growth, 268 (2004) 536−542.

• A. G. Banshchikov, N. F. Kartenko, A. K. Kaveev, M. M. Moisseeva and N. S. Sokolov, «Growth and structural characterization of ZnF2 epitaxial layers on Si», Proc. of 10th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, June 17−21, (2002), p. 22.

• L. Pasquali, G. Selvaggi, M. Montecchi, A. Banshchikov, A. Kaveev, S. Suturin, N. Sokolov et al. «X-ray absorption and reflectivity studies of MnF2 initial growth on CaF2/Si (111)», Proc. of 12th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, June 21−25, (2004), p. 48.

• A.K.Kaveev, O.V.Anisimov, A.G.Banshchikov, N.F.Kartenko, N.S.Sokolov, V.P.Ulin, N. LYakovlev, «Epitaxial growth on silicon and characterization of MnF2 and ZnF2 layers with metastable orthorhombic structure», J. Appl. Phys, 98(1), 13 519, (2005).

• K.M.Pavlov, Ya.l.Nesterets, C.M.Kewlsh, J.R.Hester, A.K.Kaveev, N.S.Sokolov, H. Ofuchi, M. Tabuchi, Y. Takeda, «Cobalt nanostructures grown by MBE on CaF2: RHEED, X-ray diffraction and EXAFS studies», Proc of 13: h Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, June 20−25, (2005), p. 330.

• N.L.Yakovlev, A. Balanev, A.K.Kaveev, B.B.Krichevtsov, N.S.Sokolov, J. Camarero, and R. Miranda, «Magneto-optical studies of epitaxial cobalt films on CaF2/Si», Proc. of 13* Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, June 20−25, (2005), p. 302.

• A.K. Kaveev, R.N. Kyutt, N.S. Sokolov, M. Tabuchi, and Y. Takeda, «MBE growth and structural characterization of MnF2-CaF2 short-period superlattices on Si (111)», Proc. of 13'h Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, June 20−25, (2005), p. 324.

Доклады и труды международных конференций:

• A. Banshchikov, A. Kaveev, R. Kyutt, М. Moisseeva, N. Sokolov, «Novel MnF2-CdF2 superlattices on Si (111)», Abstr. of Tenth International Conference on Solid Films and Surfaces, Princeton, We-P-26, (2000).

• A. Banshchikov, 0. Anisimov, S. Gastev, N. Kartenko, A. Kaveev, M. Moisseeva, N. S. Sokolov, «Stabilization of a-Pb02 phase by heteroepitaxial growth of rutile structure fluorides», Abstr. of International Conference on Materials for Advanced Technologies, Singapore, 428 (2001).

• A. Kaveev, A. Banshchikov, N. Kartenko, N. Sokolov, N. Yakovlev, «MBE growth and structural characterization of MnF2 and ZnF2 epitaxial layers and nanostructures on silicon», Abstr. of International Conference on Materials for Advanced Technologies, Singapore, 652 (2003).

• S. Gastev, K. Hoffman, A. Kaveev, R. Reeves, N. Sokolov, «Laser spectroscopy of epitaxial manganese and zinc fluoride films on silicon», Abstr. of International Conference on Materials for Advanced Technologies, Singapore, 368 (2003).

• N. Sokolov, 0. Anisimov, A. Banshchikov, S. Gastev, A. Kaveev, A. Krupin, S. Suturin, «Fluoride nanostructures on silicon: formation, properties and potential applications», Abstr. of 5th Seminar on Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology, St. Petersburg, 56 (2002).

• 0. Anisimov, A. Banshchikov, S. Gastev, N. Kartenko, A. Kaveev, N. Sokolov, «MBE-growth and characterization of MeF2 (Me=Mn, Zn)/Si heterostructures», Abstr. of 12: h International Conference on Molecular Beam Epitaxy, San Francisco, 337 (2002).

• S. Gastev, 0. Anisimov, A. Banshchikov, A. Kaveev, A. Knyazev, N. Sokolov, «Photoluminescence of Sm3t ions in novel MnF2 and ZnF2 epitaxial structures on Si», Abstr. of 2nd International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter, Budapest, 96 (2002).

• S. Gastev, A. Kaveev, R. Reeves, N. Sokolov, «Photoluminescence of Sm3t ions in ZnF2 epitaxial films on Si», Abstr. of 1st International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology, Wellington, P-68 (2003).

• S. Gastev, K. Hoffman, A. Kaveev, R. Reeves, N. Sokolov, «Optically probing the distinct crystalline phases of MnF2 and ZnF2 epitaxial layers with Er3+ and Sm3f defects», Abstr. of 14-h International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids, Christchurch, 20 (2003).

• S. Gastev, S. Choi, K. Hoffman, A. Kaveev, R. Reeves, N. Sokolov, «Luminescence of Sm3t ions in MnF2 epitaxial films», 12-h Feofilov Symposium on Spectroscopy of Crystals Activated by rare Earth and Transition Metal Ions, Ekaterinburg, 11 (2004).

• A. Banshcikov, A. Kaveev, S. Suturin, N. Sokolov, N. Yakovlev, F. Borgatti, B. Doyle, A. Giglia, N. Mahne, M. Pedio, S. Nannarone, L. Pasquali, «Structure and electronic properties of MnF2 grown on CaF2/Sl (111)», Abstr. of ICFSI-10, Aix en Provence, (2005) PI-18.

• S. Suturin, A. Balanev, A. Kaveev, N. Sokolov, F. Borgatti, B. Doyle, A. Giglia, N. Mahne, M. Pedio, S. Nannarone, L. Pasquali, «Structural and photoemission studies of SrF2 adsorption on Si (001)», Abstr. of ICFSI-10, Aix en Provence, (2005) Tu. B-9.45.

• L. Pasquali, G. Selvaggi, M. Montecchi, A. Kaveev, S. Suturin, N. Sokolov, «MnF2 growth on CaF2/Si (111): a X ray absorption and reflectivity studies», 11е1 ELETTRA Users Meeting, Trieste, (2003).

• S. Suturin, A. Balanev, A. Kaveev, N. Sokolov, L. Pasquali, F. Borgatti, B. Doyle, A. Giglia, N. Mahne, M. Pedio, S. Nannarone, «Structural and photoemission studies of SrF2 adsorption on Si», 12: h ELETTRA Users Meeting, Trieste, (2004).

• A. Banshchikov, A. Kaveev, S. Suturin, N. Sokolov, N. Yakovlev, L. Pasquali, G. Selvaggi, M. Montecchi, F. Borgatti, B. Doyle, A. Giglia, N. Mahne, M. Pedio, S. Nannarone, «X-ray absorption and reflectivity studies of MnF2 initial growth on CaF2/Si (111)», 12: h ELETTRA Users Meeting, Trieste, (2004).

• R. J. Reeves, S. Gastev, J. Choi, K. Hoffman, A. Kaveev, N. Sokolov, «Optical characterization of epitaxial MnF2 thin films», 1st Nano-Engineering and Nano-science Congress, Singapore, July 7−9 (2004).

• N. Yakovlev, A. Kaveev, N. Sokolov, B. Krichevtsov and A. Huan, «Novel Magnetic Nanostructures: Epitaxial Cobalt Films and Wires in Transparent Fluoride Matrix», Abstr. of 2nd International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology, Queenstown, New Zealand, Feb. 6−11 (2005).

• S. V. Gastev, J. K. Choi, K. R. Hoffman, A. K. Kaveev, R. J. Reeves and N. S. Sokolov, «Sm3* ions as an optical probe in MnF2 epitaxial films», 2nd International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology, Queenstown, New Zealand, February 6−11, PG12.9 (2005).

• Gastev S.V., R. J. Reeves, J. K. Choi, K. R. Hoffman, A. K. Kaveev, N. S. Sokolov, «Mn2t exciton and Sm3+ energy exchange in epitaxial MnF2 films on silicon», 15th Int. Conf. on Dynamical Processes in Excited States of Solids, Shanghai, China, August 1−5, FRA-2 (2005).

• L. Pasquali, B.P. Doyle, F. Borgatti, A. Giglia, N. Mahne, M. Pedio, S. Nannarone, A.K. Kaveev, A.S. Balanev, B.B. Krichevtsov, S.M. Suturin and N.S. Sokolov, «Cobalt on calcium fluoride: initial stages of growth and magnetic properties», 23'd European Conference on Surface Science, Sept. 4−9 Berlin, p. 294 (2005).

В заключение автор благодарит сотрудников лаборатории А. А. Каплянского, оказавших неоценимую помощь при выполнении данной работы: научного руководителя Н. С. Соколова за постановку ряда интересных задач и обсуждение результатов работы, А. Г. Банщикова, Н. Л. Яковлева и С. М. Сутурина за ценные консультации и советы по технологии молекулярно-лучевой эпитаксии, А. Баланева, Л. Швец, Т. Б. Попову и Е. А. Исаченкову — за помощь в проведении экспериментов. Часть работы, связанная с изучением ФЛ эпитаксиальных слоев, была выполнена во взаимодействии С. В. Гастевым частично во время его командировки в Кентерберийский Университет г. Крайстчерч, а измерения магнито-оптического эффекта Керра — с Б. Б. Кричевцовым. Автор выражает благодарность Р. Н. Кютту и Н. Ф. Картенко за консультации по ряду вопросов и эффективную совместную работу, связанную с рентгенодифракционным анализом. Исследования РФЭС были проведены совместно с итальянскими коллегами L. Pasquali, S. Nannarone, М. Montekki и В. Doyle во время ряда плодотворных командировок в г. Триест. Автор также благодарен В. П. Улину за ряд обсуждений и ценных комментариев относительно данной работы, и О. В. Анисимову, принимавшему участие в экспериментах по эпитаксиальному выращиванию слоев MnF2.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С. Griffiths, J. Macdonald, R. Williams, J. Appl. Phys., 70(3), 1858 (1991).
  2. R. F. C. Farrow, P. W. Sullivan, G. M. Williams, G. R. Jones and D. C. Cameron., J. Vac. Sci. Tcchnol. 19 (3), 415 (1981).
  3. L.J.Schowalter, R.W.Fathaucr, J. Vac. Sci.Tcchnol. A4(3), 1026(1986).
  4. J.M.Phillips, J.M.Gibson, Mat. Res. Soc. Symp.Proc. 25, 381 (1984).
  5. A.Munoz-Yague, C. Fontain, Surf. Sci. 168(1−3), 626 (1986).
  6. L.J.Schowalter, R.W.Fathaucr, CRC Crit. Rev. in Solid State and Mater.Sci.(USA) 15(4), 367 (1989).
  7. Л.Л.Величко, С. К. Поак, Структура и свойства эпитакеиальных пленок фторидов, полученных методом молскулярно-лучсвой эпитаксии. М.-ЦШШ «Электроника», (1988) (Обзоры по электронной технике. Серия 3. Вып. 7).
  8. J. Vassiliou, J. Appl. Phys. V59, N4 (1986), pi 125
  9. Ч. Киттель, «Введение в физику твердого тела», N1. Наука, (1978), стр. 543.
  10. P. Heller, Phys. Rev., 146, 403 (1966).
  11. D. Sell, G. Greene, R. White, Phys. Rev., 158 (2), 489 (1966).
  12. S. Sugano, Y. Tanabc, H. Kamimura, «Multiplets of transition-metal ions in crystals», Academic Press, NY and London, (1970), p8.
  13. M H. Bethc, Ann. Physik, 3, 135 (1929).
  14. R. Dietz, A. Meixner, H. Guggenheim, A. Nlisetich, Phys. Rev. Lett., 21, 1067 (1968).
  15. R. Loudon, Adv. in Phys., 17, 243 (1968).
  16. D. Sell, J. Appl. Phys., 39, 1030 (1968).
  17. R. Greene, D. Sell, W. Yen, A. Schawlow, R. White, Phys. Rev. Lett., 15, 656 (1965).
  18. A. Matsui, W. Walker, J. Opt. Soc. of America, 60 (3), 358 (1970).
  19. S. Hufner, J. de Physique, 32, 710 (1971).
  20. R. Greene, D. Sell, R. Feigelson, G. Imbusch, H. Guggenheim, Phys. Rev, 171, 600 (1968).
  21. B. Wilson, W. Yen, J. Hegarty, G. Imbush, Phys.Rcv.B., 19,4238 (1979).
  22. Jl. Литягина, С. Кабалкина, JI. Верещагин, ЖЭТФ, 62 (2), 669 (1972).
  23. С. Кабалкина, JI. Верещагин, JI. Литягина, ФТТ, II, 1040 (1969).2511. Федоров, М. Сатарова, Л. Ольховая, А. Матков, Б. Соболев, Д. Икрами, Высоком, в-ва, 3, 191 (1991).
  24. L. Azzaria and F. Dachille, J. Phys. Chem., 65, 889 (1961).
  25. K. Seifert, Fortschr. Miner., 45,214 (1968).
  26. R. McQueen, J. Jamioson, S. Marsh, Science, 155, 1401 (1967).
  27. S.-Y. Chen, P. Shcn, Phys. Rev. l^tt., 89 (9), 96 106−1 (2002). 10 F. Dachille, R. Roy, Nature, 186, 34 (1960).
  28. M. Buerger. Crystallographic aspects of phase transformations. Phase transformations in solids, New York, pl83 (1951).
  29. С. Кабалкина, JI. Верещагин, Jl. Jl ¡-гяпша, ФГ1 11(1969), стр. 1040.
  30. С. Кабалкина, С. Попова, Доклады Академии Наук СССР, 1963, Том. 153, N6, стр. 1310.
  31. С. Кабалкина, С. Попова, Доклады Академии Наук СССР, 1964, Том. 8, стр. 1141.• 35 N. Miura, T. hhikawa, T. Sasaki, T. Oka, II. Ohata, H. Matsumoto and R. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) Pt.2, No, 1A/B.L46.
  32. D. Morton, P. Williams, Appl. Phys. Lett. V35, N9 (1979), p671
  33. R.P.Khosla, Phys.Rev. 183 (3), 695 (1969).
  34. N.S.Sokolov, E. Vigil, S.V.Gastcv, S.V.Novikov, N.L.Yakovlev, Fiz.Tverd.Tela 31(2) 75 (19S9)
  35. N.S.Sokolov, N.L.Yakovlev, J. Almeida, Solid State Commun. 76, 883 (1990)
  36. N.S.Sokolov, S.V.Novikov, N.L.Yakovlev, Proc. of Insulating Films on Semiconductors conf. 203 (1991)
  37. N. Yamashita, T. Sumi, K. Nakamura, S. Asano, J. of the Phys. Soc. of Jpn, V60 (1991) No3, pi 105
  38. B. Kowalski, V. Chab, B. Orlowski, Phys. Rev. B, 36 (14), 7642 (1987).
  39. S. Kowalczyk, L. Ley, F. McFeely, D. Shirley, Phys. Rev. B, 15 (10), 4997 (1977).
  40. R. Poole, J. Nicholson, J. Liescgang, J. Jenkin, R. Lcckey, Phys. Rev. B, 20 (4), 1733 (1979). 451. Morcira, R. Dovesi, C. Roetti, V. Saunders, R. Orlando, Phys. Rev. B, 62 (12), 7816 (2000).
  41. S. Nakai, A. Kawata, M. Ohashi, M. Kitamura, C. Sugiura, T. Mitsuishi, Phys. Rev. B, 37 (18), 10 895 (1988).
  42. J. Kawai, T. J. Kawai, T. Yamamoto, Y. Harada, S. Shin, Solid St. Comm, 105 (6), 381 (1998).
  43. J. Kawai, Y. Mizutani, T. Sugimura, M. Sai, T. Higuchi etc, Spectrochimica Acta B, 55, 1385 (2000). f. 49 A. Cox, J. Beaumont, Phil. Mag. B, 42 (1), 115 (1980).
  44. N. Vogt, J. Mol. Struct., 570, 189 (2001).
  45. T. Lee, F. Moser, Phys. Rev. B" 3 (2), 347 (1970).
  46. B. C. Lee, A. Yu. Khilko, Yu. V. Shusterman, N. L. Yakovlev, N. S. Sokolov, R. N. Kyutt, S. M. Suturin, L.J. Schowalter, Appl. Surf. Sci. 123/124 (1998) 590−594.
  47. J. Prener, J. Kingsley, J. Chcm. Phys., 38 (3), 667 (1963).
  48. T.Langer, B. Krukowska-Fulde, J.M.Langer, Appl.Phys.Lett 34(3), 216 (1979).
  49. J.Langer, T. Langer, B. Krukowska-Fulde, Appl.Phys. 12, L95 (1979).
  50. J. Nogues, I. Schuller, J. Magn. Nlagn. Mater. 192,203 (1999).
  51. V. Jaccarino, A. King, D. Lederman, M. Lui, C. Ramos, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 221, 3 (1991).
  52. C. Leighton, J. Nogues, B. Jonsson-Akerman, I. Schuller, Phys. Rev. Lett., 84 (15), 3466 (2000).
  53. M. Lui, J. Drucker, A. King, J. Kotthaus, P. Hansma, V. Jaccarino, Phys. Rev. B, 33 (11), 7720 (1986). 00 II. Yamazaki, J. Satooka, RIKEN Rev., 38, 14 (2001).
  54. H. Yamazaki, J. Satooka, J. Magn. Magn. Mater. 240,442 (2002).
  55. Xuan-Zhang Wang, D. Tilley, Phys. Rev. B, V52, N18 (1995−2), pl3353
  56. D. Lederman, C. Ramos, V. Jaccarino and J. Cardy, Phys. Rev. B, V48, N11 (1993−1), p8365 M C. Ramos, M. Cacercs, D. Lederman, Phys. Rev. B, V53, N12 (1996), p7890
  57. C. Ramos, D. Lederman, A. King, V. Jaccarino, Phys. Rev. Lett. V65, N23 (1990), p2913
  58. M. Lui, A. King, V. Jaccarino, G. Snider, Phys. Rev. B, V40, N7 (19S9), p4898
  59. M. Shojiya, S. Takahashi, M. Tcramoto, A. Konishi, Y. Kawamoto, J. Non-Cryst. Sol., 284, 153 (2001). c, s N. Miura, T. Sasaki, H. Matsumoto and R. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys., V31 Parti, N1 (1992) p51
  60. J. Crawford, Jr and F. Williams, J. Chcm. Phys. V18, N6 (1950), p775
  61. T. Senda, Y.-J. Cho, T. Hirakawa, II. Okamoto, H. Takakura, Y. Hamakawa, Jpn. J. Appl. Phys. V39 (2000) p4716
  62. R. McFarlane, M. Lui and I). Yap, IEEE J. of Sel. Top. in Q. Electr., 1 (1), 82 (1995).
  63. M. Lui, R. McFarlane, D. Yap and D. Lederman, Electr. Lett., 29 (2), 172 (1993). • 73 D. Lederman and A. Nikroo, to be published.
  64. N.S.Sokolov, S.V.Gastcv, N.L.Yakovlev, A. Izumi, S. Furukawa, Appl.Phys.Lett. 64(22), 2964 (1994).
  65. N. Sokolov, S. Gastev, A. Khilko, R. Kyutt, S. Suturin, M. Zamoryanskaya, J. Cryst. Gr., 201/202, 1053 (1999).• 76 N. Sokolov, S. Gastcv, Л. Khilko, S. Suturin, I. Yassievieh, J. Langer, Л. Kozanezcki, Phys. Rev. B, 59, 2525 (1999).
  66. N. Sokolov, S. Suturin, Appl. Surf. Sei., 175−176, 619 (2001).
  67. Л. zu mi, Y. Hirai, К. Tsutsui, N. Sokolov, Appl. Phys. Lett., 67 (19), 2792 (1995).
  68. N. Sokolov, S. Suturin, Thin Solid Films, 367, 112 (2000).
  69. U. Gradmann and J. Muller, Phys. Stat. Sol., 27, 313 (1968).
  70. P. Carcia, Л. Meinhaldt, Л. Suna, Appl. Phys. Lett., 47, 178 (1985).
  71. N1. Baibich, J. Broto, A. Fert, F. Nguen Van Dau, F. Petroff etc, Phys. Rev. Lett., 61, 2472 (1988).
  72. G. Binaseh, P. Grunberg, F. Saurenbaeh, W. Zinn, Phys. Rev. B, 39,4828 (1989).
  73. N.March, P. Lambin, F. Herman, J. Magn. Mgn. Mater., 44, 1 (1984).
  74. V. Skumryev, S. Stoyanov, Y. Zhang, G. Hadjipanayls, D. Givord, J. Nogues, Nature, 423, 850 (2003).
  75. J. Eiscnmcngcr, 1. Schuller, Nature, 2,437 (2003).
  76. J. Hurst, Jr., W. Kozlovsky, Jpn. J. Appl. Phys., 32, 5301 (1993).
  77. B. Dieny, V. Spcriosu, S. Parkin, B. Gurney, D. Wilhoit, D. Mauri, Phys. Rev. B, 43, 1279 (1991).
  78. C. Tsang, R. Fontana, Jr., T. Lin, D. Heim, V. Speriosu, B. Gurney, M. Williams, IEEE Trans. Magn., 30, 3801 (1994).ф yuJ. Daughton, Thin Solid Films, 216, 162 (1992).
  79. D. Tang, P. Wang, V. Spcriosu, S. Le, K. Kung, IEEE trans. Magn., 31, 3206 (1995).
  80. J. Moodera, L. Kinder, T. Wong, R. Meservey, Phys. Rev. Lett., 74, 3273 (1995).
  81. K. Ileim, S. Coyle, G. Hembrce, J. Venables, M. Scheinfein, J. Appl. Phys., 80 (2), 1161 (1996).
  82. H. Ашкрофг, H. Мермин, Физика твердого тела, 1. 306.
  83. Е. Wohlfarth, Ferromagnetic materials, Amsterdam: North-Holland Publ. Сотр., 1, 1 (1980).
  84. A. Clarke, G. Jennings, R. Willis, P. Rous and J. Pendry, Surf. Sei., 187, 327 (1987).
  85. L. Gonzalez, R. Miranda, M. Salmeron, J. Verges and F. Yndurain, Phys. Rev. B, 24, 3245 (1981).
  86. G. Prinz, Phys. Rev. Lett. 54, 1051 (1985).
  87. G. Gazzadi, F. Bruno, R. Capelli, L. Pasquali and S. Nannarone, Phys. Rev. B, 65, 205 417−1 (2002).
  88. D. Sander, Rep. Prog. Phys., 62, 809 (1999).
  89. S. Lu, C. Nieh, L. Chen, Appl. Phys. Lett., 49 (26), 1770 (1986).
  90. N1. Sacehi, M. Sancrotti, O. Sakho, G. Rossi, Surf. Sei., 251/252, 301 (1991).
  91. А. Долбак, Б. Ольшанский, С. Тийс, Р. Жачук, ФТТ, 41 (8), 1489 (1999).
  92. Y. Hayashi, Т. Katon, Н. Ikeda, A. Sakai, S. Zaima, Y. Yasuda, Jpn. J. Appl. Phys., 40, 269 (2001). 105 H. Tsunematsu, Y. Goton, Jpn. J. Appl. Phys., 38, 2899 (1999).
  93. H. Takeshita, Y. Suzuki, H. Akinaga, W. Mizutani, K. Tanaka, T. Katayama, A. Itoli, Appl. Phys. Lett., 68 (21), 3040(1996).
  94. A. Barbier, G. Renaud, O. Robach, J. Appl. Phys., 84 (8), 4259 (1998). ll, s H. Xu, Л. Huan, Л. Wee, D. Tong, Sol. St. Comm., 126, 659 (2003).m K. Amemiya, T. Yokoyama, Y. Yonamoto, M. Miyaehi, Y. Kitajima, T. Ohta, Jpn. J. Appl. Phys., 39, L63 (2000).
  95. Y. Yonamoto, T. Yokoyama, K. Amemiya, D. Matsumura etc, J. Phys. Soc. Of Jpn., 71 (2), 607 (2002).
  96. R. de Masi, D. Reinicke, F. Muller, P. Steiner, S. Hufner, Surf. Sei., 515, 523 (2002). 1,2 T. Ichimori, N. Hirashita, Jpn. J. Appl. Phys., 40, L1019 (2001).
  97. F. van Loenen, J. Frenkcn, J. van der Veen, Appl. Phys. Lett., 45 (1), 41 (1984). • 114 W. Chen, F. Chen, L. Clien, Appl. Phys. Lett., 60 (18), 2201 (1992).
  98. Y. Tsuchiya, A. Tobioka, O. Nakatsuka, H. Ikeda etc, Jpn. J. Appl. Phys., 41, 2450 (2002).
  99. N. Sokolov, S. Gastcv, S. Novikov, N. Yakovlev, A. Izumi, S. Furukavva, Appl. Phys. Lett., 64 (22), 2964 (1994).
  100. A. Izumi, K. Tsutsui, N. Sokolov, N. Falccv, S. Gastcv, S. Novikov, N. Yakovlcv, J. Cryst. Gr., 150, 1115 (1995).
  101. W.Kern, J.Electrochcm.Soc. 137, 1887 (1990).
  102. A.Ishizaka, Y. Shiraki, J.Electrochcm.Soc. 133(4), 666 (19S6).
  103. R. Vcrucchi, S. Nannaronc, Rev. Sei. Instr., 71 (9), 3444 (2000).
  104. J.H.Ncavc, B.A.Joycc, P.J.Dobson, J.Appl.Phys. A34(2), 179 (1984).
  105. T.Sakamoto, N.J.Kawai, T. Nakagawa, K. Olita, T. Kojima, Appl.Phys.Lett. 47(6), 617 (1985).
  106. T.Yao, H. Tancda ct al, Jpn.J.Appl.Phys. 25(12), L952 (1986).
  107. P.Chen, J.Y.Kim, A. Madhukar, N.M.Cho, J.Vac.Sci.Tcchnol. B4(4), 890 (1986).
  108. P.J.Dobson, J.H.Neave, B.A.Joyce, J. Zhang, J.Cryst.Growth 81(1), 13 (1987).
  109. L. Kubler, F. Lutz, J. Bischoff, D. Bolmont, Surf. Sei., 251/252, 305 (1991).
  110. S. Chambers, Surf. Sei. Reports, 16, 261 (1992).
  111. J. Stohr, R. Nakajima, IBM J. Res. Develop., 42(1), 73(1998).
  112. J. Stohr, J. Magn. Magn. Mater., 200,470 (1999).
  113. H. Ebert, J. Stohr, S. Parkin, M. Samant, A. Nilsson, Phys. Rev. B, 53 (16), 067 (1996).
  114. B. Thole, P. Carra, F. Sette, G. Van der Laan, Phys. Rev. Lett., 68, 1943 (1992).
  115. P. Carra, B. Thole, N1. Altarelli, X. Wang, Phys. Rev. Lett., 70, 694 (1993).
  116. O’Brien and Tonner, Phys. Rev. B, 50, 12 672 (1994).
  117. A. Kimura, S. Suga, T. Shishidou, S. Imada, T. Muro etc, Phys. Rev. B, 56 (10), 6021 (1997).
  118. A. Kimura, S. Suga, S. Imada, T. Muro, T. Shishidou etc, J. Electr. Spec, and Rel. Plien., 78, 287 (1996).
  119. T. Xie, A. Kimura. T. Kanbe, S. Qiao etc, Jpn. J. Appl. Phys., 42,4695 (2003).
  120. I. K. Robinson, in Surface Crystallography, Handbook on Synchrotron Radiation Vol. 3, edited by D. E. Monctonand G. S. Brown (Springer-Verlag, New York, 1986). 133 Kyutt R.N., Petrashen P.V., Sorokin L.M. Phys.stat.sol.(a), v.60 (1980) 381.
  121. P. van der Sluis, Appl. Phys. A, 58, 129 (1994).
  122. P. Fewster, Appl. Phys. A, 58, 121 (1994).
  123. A.K.Zvezdin, V.A.Kotov «Modern magnetooptics and magnetoopticalmaterials», IoP Publishing, Bristol&Philadelphia, 1997, 386 pages. ISBN 0 75 030 362.X
  124. R. Kyutt, V. Ulin, A. Dyshekov, Yu. Khapachev, Tech. Phys., 41(12), 1220 (1996).
  125. T. Ho, Jpn. J. Appl. Phys., 30 (8A), L1349 (1991).
  126. R. W. Fathauer, L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 45 (5), 519 (1984).
  127. N. Sokolov, J. Alvarez, S. Gastev, Y. Sfiusterman etc, J. Cryst. Gr., 169, 40 (1996).
  128. W. K. Liu, X. M. Fang and P. J. McCann, Appl. Phys. Lett. 67 (12) pi695 (1995).
  129. N. Sokolov, S. Suturin, Appl. Surf. Sei., 175−176, 619 (2001).
  130. D.Loretto, F.M.Ross, C.A.Lucas, Appl.Phys.Lett. 68, 2363 (1996).149T. Asano, II. Ishiwara, and S. Furukavva, Jpn. J. Appl. Phys., V27, N7 pi 193 (1988).
  131. J.J. Gilman, J.Appl.Phys. 31, 2208 (1960).
  132. F.J. Himpsel, F.U.Hillcbranht, G. Hughes, J.L. Jordan, U.O. Karlsson, F.R.McFeely, J.F.Morar, D. Riegcr, Appl.Phys.Lett. 43, 596 (19S6).
  133. D. Ricger, F.J. Himpsel, U.O. Karlsson, F.R.McFeely, J.F.Morar, J.A.Yarmoff, Phys.Rev.B 34, 7295 (19S6).
  134. M.A.Olmstcad, R.I.G.Urhberg, R.D.Bringans, R.Z.Bachrach, J.Vac.Sci.Tcchnol. B, 4, 1123 (1986).
  135. M.A.Olmstcad, R.D.Bringans, R.I.G.Urhberg, R.Z.Bachrach, Phys.Rev.B 35, 7526 (1987).
  136. J.Zcgenhagen, J.R.Palel, Phys.Rev.B, 41, 5315 (1990).
  137. J.D.Denlinger, E. Rotenberg, U. Hessingcr, M. Lcskovar, M.A.Olmstcad, Appl.Phys.Lett. 62, 2057 (1993).
  138. U.Hessinger, M. Lcskovar, M.A.OImstcad, Phys.Rev.Lett. 75, 2380 (1995).
  139. J.D.Denlingcr, E. Rotenberg, U. IIcssinger, M. Lcskovar, M.A.OImstcad, Froc. of Common Themes and Mcchanisms of Epitaxial Growth Symp. p. 207. (1993).
  140. G.C.L. Wong, D. Lorclto, L. Rotenberg, M.A.OImstcad, C.A.Lucas, Phys.Rev.B, 48, 5716 (1993).1(, u J.D.Denlingcr, E. Rotenberg, U. IIcssinger, M. Lcskovar, M.A.OImstcad, Phys.Rev.B, 51, 5352 (1995).
  141. H.Ishiwara, T. Asano, Appl.Phys.Lctt. 40, 66 (1982)
  142. M.A.OImstcad, R.I.G.Uhrbcrg, R.D.Bringans, R.Z.Bachrach., Phys.Rev., 35 (14), (1987). 161 H. Zogg, S. Blunicr, A. Fach, C. Maissen etc, Phys. Rev. В, 50 (15), 10S0I (1994).
  143. N. S. Sokolov, S. V. Gastev, S. V. Novikov, N. L. Yakovlcv, A. Izumi and S. Furukava, Appl. Phys. Lett. 64 (22), 2964 (1994).
  144. L. M. Azzaria and F. Dachille, J. Phys. Chem. 65 (1961) 889.
  145. F.M.E. de Groot et al., Phys.Rev.B 42 (1990) 5459.
  146. R. Greene, D. Sell, R. Feigclson, G. Imbush. H. Guggenheim, Phys. Rev. 171(2), 600 (1968).
  147. R. Dictz, A. Mcixncr, H. Guggenheim, J. Lum., 1(2), 297 (1970).
  148. D. Seil, R. Greene, R. White, Phys. Rev., 158(2), 489 (1967).
  149. S. Erwin, II. Weitering, Phys. Rev. Lett., 81/11 (1998) 2296.
  150. С. Lucas, D. Lorctto, G. Wong, Phys. Rev. В, 5/19, (1994) 14 340.
  151. О. Ю. Горбенко, диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук, МГУ им. М. В. Ломоносова, Москва (2003).
  152. S. Samoylcnkov, О. Gorbcnko, I. Graboy, A. Kaul, О. Stadel, G. Wahl, H. Zandbergen, J. Phys IV France, 9, 621 (1999).
  153. A. Sutton, R. Balluffi, Interfaces in crystalline materials, Calcndron Press, Oxford, 1995.
  154. K. Heim, G. Hcmbrce, K. Shmidt, M. Scheinfein, Appl. Phys. Lett., 67 (19), 2878 (1995).
  155. E. Bauer, J. Van der Merwe, Phys. Rev. B, 33, 3657 (1986).
  156. K. Kcmner, W. Elam, V. Harris, Y. Idzerda, J. Wolf, J. Vac. Sei. Technol. B, 14, 3207 (1996).
  157. K. Kemner, W. Elam, Y. Idzerda, J. Wolf, G. Prinz, Appl. Phys. Lett., 68 (24), 3391 (1996).
  158. A.Bettac, J. Bansmann, V. Senz, K.H.Meiwes-Broer, Surf. Sei., 454−456, 936 (2000).
  159. O’Brien, Tonner, Phys. Rev. В 50, 12 672 (1994).
  160. R. Pcntchcva, M. Schcffler, Phys. Rev. B, 61 (3), 2211 (2000).
  161. Y. Wu, J. Tsay, S. Chen, Т. Fu, С. Shern, Jpn. J. Appl. Phys., 40 (12), 6825 (2001).
  162. A. Sugawara, G. Hcmbrec, M. Scheinfein, J. Appl. Phys., 82 (II), 5662 (1997).
  163. S.Sugano, N. Kojima (Eds.). «Magneto-optics», Springer, 2000, p334.
  164. M. Inouc, K. Arai, T. Fujii, M. Abe, J. Appl. Phys., 85 (8), 5768 (1999).
  165. R. Wyckoff, Crystal structures, R. Krieger publishing Co., Malabar, Florida, 1,261 (1982).
  166. D. Rez, P. Rez, I. Grant, Acta Cryst. A, 50,481 (1994).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!