Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Спинозависимые кинетические явления в наноструктурах на основе фторида кадмия

Диссертация: Спинозависимые кинетические явления в наноструктурах на основе фторида кадмия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Показано, что внутри энергетического интервала сверхпроводящей щели ВАХ спинового транзистора и квантового спинового эффекта Холла определяются спектром многократного андреевского отражения дырок, возникающим при изменении напряжения вертикального затвора. Вне интервала сверхпроводящей щели обнаруженная ВАХ квантового спинового эффекта Холла представляет собой квантовую лестницу проводимости… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. CdF2 -ионный полупроводник
    • 1. 1. Фторидные кристаллы- содержащие ионы редких земель
    • 1. 2. Физико-химические аспекты получения полупроводниковых кристаллов CdF
    • 1. 3. Электронная структура бистабильных центров в CdF
  • Выводы
  • Постановка задачи
  • Глава 2. р±п переходы на поверхности кристалла CdF2 «-типа
  • Получение и идентификация
    • 2. 1. Легирование бором кристаллов фторида кадмия
    • 2. 2. Туннельный эффект и идентификация строения валентной зоны
  • CdF
  • Выводы
  • Глава 3. Сандвич-структуры CdBxF2x//7-CdF2-QW/CdBxF2x на поверхности кристалла «-CdF
    • 3. 1. Размерное квантование дырок в квантовой яме CdF
    • 3. 2. Характеристики 8-барьеров CdBxF2. x, ограничивающих квантовую яму CdF2 р -типа проводимости
  • Выводы
  • Глава 4. Квантовый эффект Холла в сандвич-структурах CdBxF2x//?
  • CdF2-QW/CdBxF2.x
    • 4. 1. Открытие и первые измерения эффекта Холла
    • 4. 2. Двумерный электронный газ в магнитном поле
    • 4. 3. Квантовый эффект Холла
    • 4. 4. Регистрация квантового эффекта Холла при комнатной температуре в наноструктурах на основе фторида кадмия
  • Выводы
  • Глава 5. Эффект спинового транзистора и квантовый спиновый эффект
  • Холла в сандвич-структурах CdBxF2-x//?-CdF2-QW/CdBxF2-x
    • 5. 1. Характеристики спинового транзистора на основе сандвич-структур CdBxF2-x//?-CdF2-QW/CdBxF2.x на поверхности кристалла п
  • CdF
    • 5. 2. ВАХ квантового спинового эффекта Холла в сандвич-структурах CdBxF2. x/p-CdF2-QW/CdBxF2-x на поверхности кристалла п
  • CdF
  • Выводы

Спинозависимые кинетические явления в наноструктурах на основе фторида кадмия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Создание широкозонных полупроводниковых материалов" и гетероструктур, обеспечивающих получение излучателейи* фотоприемников> в. широком диапазоне длин* волн ультрафиолетовой! и. видимойобластей1 спектра, а также — быстродействующих логических элементов вычислительной техники и дисплеев нового поколения, является важным направлением полупроводниковой нанои оптоэлектроники. Перспективным широкозонным полупроводником для этих целей является фторид кадмия (CdF2), ширина запрещенной зоны которого, 7.8 эВ, в 1,5 раза больше чем у алмаза. Тем не менее, несмотря на простоту и воспроизводимость технологии, кристаллический CdF2 до недавнего времени оставался вне поля зрения физики полупроводников из-за монополярного характера проводимости (я-типа) [Moser, 1969; Eisenbergre, 1968; Eisenbergre, 1971].

Впервые это ограничение было преодолено путем диффузии бора, которая позволила получить гетероструктуры р±Si — «-CdF2 в условиях осаждения поликремния из газовой фазы на поверхность кристалла п-CdF2, чему способствовало совпадение постоянных решеток (5.43 А — Si- 5.46 АCdF2) и электронного сродства (4 эВ — Si, CdF2) кремния и фторида кадмия [Баграев, 2005; Orlowski, 1983]. Поэтому получение сверхмелких р±п — переходов на поверхности кристалла п-CdF2 представляется экспериментально реализуемой задачей. Кроме того, идентификация гетеропереходов p±Si — п-СdF2 показала, что с помощью примесной диффузии из газовой фазы можно получить низкоразмерные структуры на основе фторида кадмия, которые являются достаточно перспективными для решения различных задач высокотемпературной нанои оптоэлектроники. Особенно интересным может оказаться использование сверхмелких р±пCdF2- переходов и наноструктур на их основе для экспериментальной реализации электронно-волновых аналогов электро-оптических модуляторов, наиболее ярким* представителем которых является спиновый транзистор [Datta, 1990].

Вышесказанное определяет актуальность темы настоящей* работы, в рамках которой диффузия бораиспользовалась дляполучения планарных сверхмелких //-«-переходов, представляющих собой сандвич-структуры CdBxF2-x/p-CdF2-QW/CdBxF2-x на поверхности кристаллов GdF2 и-типа проводимости. Впроцессе исследований полученных структур основное внимание уделялось изучению спиновой поляризации дырок, возникающей вследствие рассеяния на центрах бора, а также — возможностям ее использования в модельных приборных структурах спинтроники таких, как спиновый транзистор и холловский мостик для наблюдения квантового спинового эффекта Холла.

Цель работы заключалась в обнаружении и исследовании эффекта спинового транзистора и квантового спинового эффекта Холла в планарных наноструктурах на основе фторида кадмия.

В задачи работы входило изучение следующих вопросов:

1. Получение сверхузких квантовых ям CdF2 р-типа проводимости, ограниченных сильнолегированными бором 5-барьерами, на поверхности кристалла фторида кадмия «-типа.

2. Идентификация энергетических позиций подзон двумерных дырок в квантовой яме рCdF2.

3. Исследование электрических, магнитных и оптических свойств сильнолегированных бором 5 — барьеров, ограничивающих квантовую яму р-CdF2.

4. Регистрация ВАХ высокого разрешения при различных температурах для изучения взаимосвязанности характеристик размерного квантования дырок в квантовой яме рCdF2 и квантования сверхтока в 5 — барьерах, проявляющих свойства высокотемпературных сверхпроводников.

5. Обнаружение и исследование спиновой поляризации двумерных дырок с помощью измерений характеристик квантового эффекта Холла.

6. Идентификация ВАХ спинового транзистора и^ квантового эффекта, Холлас помощью исследований продольной и поперечной проводимости в зависимости* от напряжения вертикального" затвора', управляющего величиной спин-орбитального взаимодействия в валентной зоне квантовой ямы CdF2 р-типа.

Научная новизна работы.

1. Измерения туннельных ВАХ, температурных и полевых зависимостей сопротивления, статической магнитной восприимчивости и теплоемкости планарных сандвич-структур CdBxF2x//>CdF2-QW/CdBxF2-x, полученных на поверхности кристалла п-CdF2, позволили* идентифицировать сверхпроводящие свойства 5 — барьеров* CdBxF2-x, ограничивающих сверхузкую квантовую яму CdF2 р-типа проводимости.

2. Обнаружена взаимосвязанность квантования сверхтока и размерного квантования дырок в квантовой яме рCdF2, ограниченной сверхпроводящими 5 — барьерами CdBxF2x.

3. Впервые, при комнатной температуре, наблюдались осцилляции Шубникова — де Гааза и квантовая лестница холловского сопротивления в квантовой ямеСёР2 р-типа проводимости на поверхности кристалла п— CdF2.

4. Показано, что внутри энергетического интервала сверхпроводящей щели ВАХ спинового транзистора и квантового спинового эффекта Холла определяются спектром многократного андреевского отражения дырок, возникающим при изменении напряжения вертикального затвора.

5. Вне интервала сверхпроводящей щели обнаруженная ВАХ квантового спинового эффекта Холла представляет собой квантовую лестницу проводимости с амплитудой ступенек равной е /h, которая взаимосвязана с осцилляциями продольной проводимости в зависимости от напряжения вертикального затвора, контролирующего величину спин-орбитального взаимодействия Бычкова-Рашбы. Достоверность. полученных результатов подтверждается* сравнительным анализомэкспериментальных данных, полученных с помощью1 различных методик, а также* их соответствием с имеющимися* на сегодняшний^ день экспериментальными и теоретическими результатами" изучения^ спиновой интерференции в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Научная и практическая значимость диссертационного исследования определяется экспериментальной реализацией сверхмелких планарных р±п — переходов на поверхности кристалла «-CdF2 в условиях диффузии бораидентификацией квантоворазмерных сандвич-структур внутри р±п — переходов, которые представляют собой квантовые ямы р-С dF2, ограниченные сверхпроводящими 5 — барьерами, и демонстрируют взаимосвязанность размерного квантования дырок и квантования сверхтокаобнаружением квантового эффекта Холла в сандвич-структурах при комнатной температуреобнаружением спиновой поляризации двумерных дырок вследствие спинозависимого рассеяния на дипольных центрах борарегистрацией эффекта спинового транзистора и квантового спинового эффекта Холла в условиях спиновой поляризации дырок в краевых каналах квантовой ямы р-СdF2. Защищаемые положения;

1. Низкотемпературная диффузия бора позволяет получать сверхузкие квантовые ямы CdF2 р-типа проводимости, ограниченные 5 -барьерами на поверхности кристалла фторида кадмия л-типа.

2. Сильнолегированные бором 5 -барьеры, ограничивающие квантовую яму CdF2 р-типа проводимости проявляют свойства высокотемпературных сверхпроводников, вследствие чего энергетические позиции двумерных дырочных подзон определяют характеристики квантования сверхтока.

3: Спинозависимое рассеяние дырок на центрах бора^ в краевых каналах квантовых ям CdF2 /?-типа проводимости, ограниченных сверхпроводящими 5 -барьерами, приводит к их спиновойшоляризации, которая, отражается в характеристиках квантового эффекта Холла: 4*. Наличие-спиновой. поляризации в краевых каналах, квантовой ямы CdF2 р-типа проводимости позволяет наблюдать эффект спинового транзистора и квантовый спиновый эффект Холла, которые проявляются соответственно в осцилляциях продольной проводимости и квантовой лестнице поперечной проводимостиbj зависимости от напряжения вертикального затвора, управляющего величиной спин-орбитального взаимодействия. Причем энергетические позиции максимумов осцилляций продольной проводимости строго. совпадают с серединами квантовых ступеней поперечной проводимости, e2/h. Апробация результатов работы. Полученные в работе результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях: 9-й и 10-й Международных конференциях по нанофизике и нанотехнологии, ICN&T-9, ICN&T -10 (Базель, Швейцария, 2007, Стокгольм, Швеция, 2008) — 17-й и 18-й Международных конференциях по электронным свойствам двумерных систем, EP2DS-17, EP2DS-18 (Генуя, Италия, 2007; Кобе, Япония, 2009) — 6-й Международной конференции по квантовым вихрям в наноструктурированных сверхпроводниках, VORTEX-6 (Родос, Греция, 2009).

Публикации: по результатам исследований, изложенных в диссертации, имеется 6 публикаций в ведущих отечественных и международных журналах. Список публикаций приведен в конце диссертации. Структура диссертации: Диссертация состоит из Введения, пяти глав и Заключения.

Выводы.

Обнаруженорезонансное поведение продольной эдс в слабом магнитномполе, перпендикулярном' плоскостиквантовойямы, р—GdF2, которое свидетельствует о высокойстепениспиновой поляризации двумерных дырок. В рамках предлагаемой модели резонанс продольной эдс возникает в точке антипересечения магнитных подуровней дипольных центров бора в возбужденном триплетном состоянии.

Показано, что в. условиях многократного андреевского отражения* и спинозависимого рассеяния на дипольных центрах, бора, находящихсяв возбужденном триплетном состоянии, возникает высокая степень спиновой поляризации дырок в краевых каналах по периметру квантовой ямы р—GdF2. В свою очередь, наличие высокой степени спиновой поляризации дырок в краевых каналах позволило обнаружить отличную от нуля проводимость при нулевом напряжении, вертикального затвора в холловской геометрии эксперимента, которая свидетельствует о регистрации квантового спинового эффекта Холла.

Показано, что внутри энергетического интервала сверхпроводящей щели ВАХ спинового транзистора и квантового спинового эффекта Холла определяются спектром многократного андреевского отражения дырок, возникающим при изменении напряжения вертикального затвора. Вне интервала сверхпроводящей щели обнаруженная ВАХ квантового спинового эффекта Холла представляет собой квантовую лестницу проводимости с амплитудой ступенек равной e2/h, которая взаимосвязана с осцилляциями продольной проводимости в зависимости от напряжения вертикального затвора. Причем позиции пиков продольной проводимости в энергетической шкале вертикального затвора соответствуют середине квантовых ступенек в квантовой лестнице поперечной проводимости в холловской геометрии. Данный результат объясняется в рамках модели классического спинового транзистора в условиях спин-орбитального взаимодействия Бычкова-Рашбы с учетом наличия краевых каналов, в которых реализуется режим спинозависимого транспорта поляризованных дырок.

Заключение

.

1. Сверхмелкие //-«-переходы наповерхности кристаллов'"-GdF2 были получены с помощью диффузии бора из газовойфазы.

2. Прямые ветвдг вольт-амперных характеристик (ВАХ) //-«-переходов проявляют запрещенную зону, 7.8 эВ, а также позволяют идентифицировать строение валентной зоны кристаллов фторида кадмия. Наблюдаемая ВАХ высокого разрешения находится в хорошем согласии с данными, полученными с помощью методов оптической и фотоэлектронной спектроскопии.

3. Измерения туннельных ВАХ, температурных и полевых зависимостей сопротивления, статической магнитной восприимчивости и теплоемкости планарных сандвич-структур CdBxF2x/p-CdF2-QW/CdBxF2.x, полученных на поверхности кристалла «-CdF2, позволили идентифицировать сверхпроводящие свойства 5 — барьеров CdBxF2x, ограничивающих сверхузкую квантовую яму CdF2 р-типа проводимости.

4. Сравнительный анализ ч токовых ВАХ и ВАХ проводимости соответственно ниже и выше критической температуры сверхпроводящего перехода свидетельствует о взаимосвязанности квантования сверхтока и размерного квантования дырок в квантовой яме р-СdF2. Причем регистрация джозефсоновского пика тока в позиции каждой дырочной подзоны сопровождается наличием спектра многократного андреевского отражения.

5. Впервые наблюдались осцилляции Шубникова — де Гааза и квантовая лестница холловского сопротивления в квантовой яме р~CdF2, ограниченной 5-барьерами CdBxF2x, на поверхности «-CdF2. Благодаря низкой эффективной массе двумерных дырок, наблюдение квантового эффекта Холла стало возможным при комнатной температуре.

6. Обнаружено резонансное поведение продольной эдс в слабом магнитном поле, перпендикулярном плоскости квантовой ямы />-CdF2, которое свидетельствует о высокой степени спиновой поляризации двумерных дырок. В рамках предлагаемой модели, резонанс продольной эдс возникает в точке антипересечениямагнитных подуровней дипольных центров бора в возбужденном триплетном состоянии.

7. Показано, что в условиях многократного андреевского отражения и спинозависимого рассеяния на дипольных центрах бора, находящихся в возбужденном триплетном состоянии, возникает высокая степень спиновой поляризации дырок в краевых каналах по периметру квантовой ямы р-CdF2. В свою очередь, наличие высокой степени спиновой поляризации дырок в краевых каналах позволило обнаружить отличную от нуля проводимость при нулевом напряжении вертикального затвора в холловской геометрии эксперимента, которая свидетельствует о регистрации квантового спинового эффекта Холла.

8. Показано, что внутри энергетического интервала сверхпроводящей щели ВАХ спинового транзистора и квантового спинового «эффекта Холла определяются спектром многократного андреевского отражения дырок, возникающим при изменении напряжения вертикального затвора. Вне интервала сверхпроводящей щели обнаруженная ВАХ квантового спинового эффекта Холла представляет собой квантовую лестницу проводимости с амплитудой ступенек равной е //г, которая взаимосвязана с осцилляциями продольной проводимости в зависимости от напряжения вертикального затвора. Причем позиции пиков продольной проводимости в энергетической шкале вертикального затвора соответствуют середине квантовых ступенек в квантовой лестнице поперечной проводимости в холловской геометрии. Данный результат объясняется в рамках модели классического спинового транзистора в условиях изменения спинорбитального взаимодействия Бычкова-Рашбы с помощью напряжения вертикального затвора.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Т., Фаулер А., Стерн Ф., Электронные свойства двумерных систем- М. Мир, с. 386 (1985).
  2. Н.Т., Юсупов А., Метастабильные глубокие центры в Si.xGex, ФТП, т.28, 198 (1994а).
  3. Н.Т., Лебедев А. А., Мирсаатов P.M., Половцев И. С., Юсупов А., Оптически индуцированная самокомпенсация халкогенов в кремнии, ФТП, т.28, 213 (1994b).
  4. Н.Т., Клячкин Л. Е., Маляренко A.M., Щеулин А. С., Рыскин А. И., Гетеропереходы p±Si-n-CdF2, ФТП, т.39, с. 557 (2005).
  5. Н.Т., Клячкин Л. Е., Кудрявцев А. А., Маляренко A.M., Романов В. В., Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур, ФТП, т.43, с. 1481 (2009а).
  6. Н.Т., Гимбицкая О. Н., Клячкин Л. Е., Кудрявцев А. А., Маляренко A.M., Романов В. В., Рыскин А. И., Щеулин А. С., Спиновый транзистор на основе наноструктур фторида кадмия, ФТП, т.43, с. 85 (2009b).
  7. Н.Т., Клячкин Л. Е., Кудрявцев А. А., Маляренко A.M., Оганесян Г. А., Полоскин Д. С., Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах, ФТП, т.43, с. 1496 (2009с).
  8. Н.Т., Гимбицкая О. Н., Клячкин Л. Е., Кудрявцев А. А., Маляренко A.M., Романов В. В., Рыскин А. И., Щеулин А. С., Квантовый эффект Холла в наноструктурах на основе фторида кадмия, ФТП, т.43, с. 82 (2009d).
  9. Й., Введение в мезоскопическую физику, ФизМатЛит, (2002).
  10. С. А., Рыскин А. И., Романов В. В., Парамагнитная восприимчивость аддитивно окрашенных фотохромных кристаллов CdF2:In, ФТТ, т.39, с. 1205 (1997).
  11. Р.Б., Дробное квантование, УФН, т. 170, с. 292 (2000).
  12. В.М., Переход металл-диэлектрик в двумерной системе в нулевом магнитном поле, УФН, т.168, с. 227 (1998).
  13. X., Дробный квантовый эффект Холла, УФН, т.170, с. 304. (2000).
  14. Albert J1P., Jouanin С., Gout G., Electronic energy bands in the fluorite structure: CaF2 and GdF2, Phys. Rev. B- v.16, p:4619 (1977).
  15. Alexandrov A.S., Mott N.F.,. Bipolarons, Rep. Prog. Phys., v.57, p. 1197 (1994).
  16. Aronov A.G., Lyanda-Geller Y.B., Spin-orbit Berry phase in conducting rings, Phys. Rev. Lett., v.70, p.343 (1993)
  17. Awschalom D.D., Loss D., Samarth N., Semiconductor Spintronics and Quantum Computations, Springer-Verlag Berlin- (2002).
  18. Bagraev N.T., Mashkov V.A., Tunneling Negative-U centers and photo-induced reactions in Solids, Solid State Commun., v.51, p.515 (1984).
  19. Bagraev N.T., Mashkov V.A., A mechanism for two-electron capture at deep level defects in semiconductors, Solid State Commun., v.65, p. l 111 (1988).
  20. Bagraev N.T., Ivanov V.K., Klyachkin L.E., Shelykh I.A., Spin depolarization in quantum wires polarized spontaneously in a zero magnetic field, Phys. Rev. B, v.70, p. 155 315 (2004).
  21. Bagraev N.T., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Romanov V.V., Rykov S.A., Superconductivity in silicon nanostructures, Physica C, v.437−438, p.21 (2006a).
  22. Bagraev N.T., Galkin N.G., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Malyarenko A.M., Shelykh I.A., Spin interference in silicon one-dimensional rings, J. Phys.:Condens. Matter, v.18, p. L567 (2006b).
  23. Bagraev N.T., Gehlhoff W., Klyachkin L.E., Kudryavtsev A.A., Malyarenko A.M., Oganesyan G.A., Poloskin D.S., Romanov V.V., Spin-dependent transport of holes in silicon quantum wells confined by superconductor barriers, Physica C, v.468, p.840 (2008a).
  24. Bagraev N.T., Galkin N.G., Gehlhoff W., Klyachkin b.E., Malyarenko A.M., Phase and amplitude response of «0.7 feature» caused by holes in silicon one-dimensional wires and rings, J. Phys.iCondens. Matter, v.20, p. 164 202 (2008b).
  25. Beenakker C.W.J., van Houten H., Josephson current through a superconducting quantum point contact shorter than the coherence length, Phys. Rev. Letters, v.66, p.3056 (1991).
  26. Bergsten Т., Kobayashi Т., Sekine Y., Nitta J., Experimental Demonstration of the Time Reversal Aharonov-Casher Effect, Phys. Rev. Lett., v.91, p. 196 803 (2006).
  27. Brower K.L., Electron Paramagnetic Resonance of the Neutral (?=1) One-Vacancy-Oxygen Center in Irradiated Silicon, Phys. Rev. B, v.4, p. 1968 (1971).
  28. Chadi D.J., Chang K.J., Theory of the Atomic and Electronic Structure of DX Centers in GaAs and A^Ga^As Alloys, Phys. Rev. Lett., v.61, p.873 (1988).
  29. Chadi D.J., Chang K.J., Energetics of ZXY-center formation in GaAs and AlxGa,.xAs alloys, Phys. Rev. B, v.39, p. 10 063 (1989).
  30. Dabrowski J., Scheffler M., Isolated arsenic-antisite defect in GaAs and the properties of EL2, Phys. Rev. В, v.40, p.10 391 (1989).
  31. Datta S., Das В., Electronic analog of the electro-optic modulator, Appl. Phys. Lett., v.56, p.665 (1990)
  32. Dyakonov M.I., Magnetoresistance due to Edge Spin Accumulation, Phys. Rev. Lett. v.99, pl26601 (2007).
  33. Eisenbergre P., Pershan P. S., Electron-Spin-Resonance and Infrared-Studies of Semiconducting, Rare-Earth-Doped GdF2, Phys. Rev., v. 167, p.292'(1968).
  34. Eisenbergre P., Pershan P. S." Feldman В J., Microwave Magnetoabsorption at Low Temperatures in Semiconducting CdF2, Phys. Rev. B, v.4, p.3402'(1971).
  35. Geim A.K., Novoselov K. S., The rise of graphene, Nature Materials, v.6, p. 183 (2007).
  36. Ghosh A., Ford C.J.B., Pepper M., Beere H.E., Ritchie D.A., Possible Evidence of a Spontaneous Spin Polarization in. Mesoscopic Two-Dimensional Electron Systems, Phys. Rev. Lett., v92, pi 16 601 (2004).
  37. Jarillo-Herrero P., van Dam J.A., Kouwenhoven L.P., Quantum supercurrent transistors in carbon nanotubes, Nature, v.439, p.953 (2006).
  38. Jie Xiang, Vidan A., Tinkham M., Westervelt R.M., Lieber Ch., Ge-Si nanowire mesoscopic Josephson Junctions, Nature-nanotechnology, .v.l, p.208 (2006).
  39. Jung W., Newell G.S., Spin-1 Centers in Neutron-Irradiated Silicon, Phys. Rev, v.132, p.648 (1963).
  40. Johnson M., Silsbee R.H., Coupling of electronic charge and spin at a ferromagnetic-paramagnetic metal interface, Phys.Rev.B, v.37, p.5312 (1988)
  41. Kazanskii S.A., Ryskin, A.I., Romanov V.V., Paramagnetic susceptibility of semiconducting CdF2: In crystals: Direct evidence for the negative-U nature of the DX-like state, Appl.Phys.Lett., v.70, p.1272 (1997).
  42. Kazanskii S.A., Rumyantsev D.S., Ryskin A.I., Ionized donor pairs and microwave and far-infrared absorption in semiconducting CdF2, Phys. Rev. B, v.65, p.165 214 (2002).
  43. Khaetskii A. V., Nazarov Y. V., Spin relaxation in semiconductor quantum dots, Phys. Rev. B, v.61, p.12 639 (2000)
  44. Kingsley J.D., Prener J.S., Free Charge Carrier Effects in Cadmium Fluoride, Phys. Rev. Lett., v.8, p.315 (1962).
  45. Konig M., Tschetschetkin A., Hankiewicz E.M., Sinova J., Hock V., Daumer V., Schafer M., Becker C.R., Buhmann H., Molenkamp L.W., Direct Observation of the Aharonov-Casher Phase, Phys. Rev. Lett., v.96, p.76 804 (2006).
  46. Konig M., Wiedmann S., Brune C., Roth A., Buhmann H., Molenkamp L.W., Xiao-Liang Q., Shou-Cheng Z., Quantum Spin Hall Insulator State^in HgTe Quantum Wells, Science, v.318, p.766 (2007).
  47. Laiho R, Afanasjev M.M., Vlasenko M.P., Vlasenko L.S., Electron exchange interaction in S=1 defects observed by level crossing spin dependent microwave photoconductivity in irradiated silicon, Phys. Rev. Letters, v.80, p. 1489 (1998).
  48. Lang D.V., Logan R., Large-Lattice-Relaxation Model for Persistent Photoconductivity in Compound Semiconductors, Phys. Rev. Lett., v.39, p.635 (1977).
  49. Lang D.V., Logan R., Jaros M., Trapping characteristics and a donor-complex (.DX) model for the persistent-photoconductivity trapping center in Te-doped AlxGa,.xAs, Phys. Rev. B, v.19, p.1015 (1979).
  50. Langer J.M., Dmochowski J.M., Langer J.M., Kalinski Z., Jantsch W., CdF2: In—A Critical Positive Test of the Toyozawa Model of Impurity Self-Trapping, Phys. Rev. Lett., v.56, p.1735 (1986).
  51. Lee Т.Н. Moser F., Optical Properties and Donor States in Semiconducting CdF2, Phys. Rev. B, v. 3, p.347 (1971).
  52. Lee Y.-H., Corbett J., EPR studies of defects in electron-irradiated silicon: A triplet state of vacancy-oxygen complexes, Phys. Rev. B, v.13, p.2653 (1976).
  53. Meservey R., Paraskevopoulos D., Tedrow P.M., Correlation' between Spin Polarization/ of Tunnel Currents from 3d Ferromagnets and Their Magnetic Moments, Phys.Rev.Lett., v.37, p.858 (1976).
  54. Miller J.B., Zumbuhl D.M., Marcus C.M.,. Lyanda-Geller Y.B., Goldhaber-Gordon D., Campman K., Gossard-A.C., Gate-Controlled Spin-Orbit Quantum Interference Effects in Lateral Transport, Phys. Rev. Lett., v.90, p.76 807 (2003).
  55. Moser F., Matz D., Lyu S., Infrared Optical Absorption in Semiconducting CdF2: Y Crystals, Phys. Rev., v.182, p.808 (1969).
  56. Nitta J., Meijer F.E., Takayanagi H., Spin-interference device, Appl. Phys. Letters, v.75, p.695 (1999).
  57. Nissila J., Saarinen K., Hautojarvi P., Suchocki A., Langer J.M., Universality of the Bond-Breaking Mechanism in Defect Bistability: Observations of Open Volume in the Deep States of In and Ga in CdF2, Phys. Rev. Lett., v.82, p.32 761 999).
  58. Onopko D.E., Ryskin A.I., Donor impurities and DX centers in the ionic semiconductor CdF2: Influence of covalency, Phys. Rev. B, v.61, p.129 522 000).
  59. Orlowski B.A., Langer J.M., Band structure of CdF2 from photoemission measurements, Acta Physica Polonica, A v.63, p. 107 (1983).
  60. Orlowski B.A., Langer J.M., Determination of the CdF2 valence band structure by photoemission measurement, Phys.Stat.Sol., B, v.91, p. k53 (1979).
  61. Pare C.H., Chadi D.J., First-Principles Study of Structural Bistability in Ga-and In-Doped CdF2, Phys. Rev. Lett., v.82, p. l 13 (1999).
  62. Poole R.T., Nicholson J.A., Liesegang J., Jenkin J.G., Leckey R.C.G., Electronic structure of ZnF2, CdF2, and HgF2 studied by ultraviolet photoelectron spectroscopy, Phys. Rev. B, v.20, p. 1733 (1979).
  63. Rashba E.I., Looking Back, Journal of Superconductivity, Incorporating Novel Magnetism, v.16, p.599 (2003).
  64. Schuster R., Buks E., Heiblum M., Mahalu D., Umansky V., Shtrikman H., Phase measurement in a quantum dot via a double-slit interference experiment, Nature, v.385, p.417 (1997).
  65. Simanek E., Superconductivity at disordered interfaces, Solid State Community, v.32, p.731 (1979).
  66. Shelykh I. A, Bagraev N. T, Galkin N. G, Klyachkin L.E., Interplay of h/e and h/2e oscillations in gate-controlled Aharonov-Bohm rings, Phys. Rev. B, v.71, p. l 13 311 (2005a)
  67. Studenikin S.A., Coleridge P.T., Ahmed N., Poole P., Sachrajda A., Experimental study of weak antilocalization effects in a high-mobility In^Gaj. ^As/InP quantum well, Phys. Rev. B, v.68, p.35 317 (2003).
  68. Ting C. S., Talwar D. N., Ngai K. L., Possible mechanism of superconductivity in metal-semiconductor eutectic alloys, Phys. Rev. Letters, v.45, p. 1213 (1980).
  69. Toyozawa Y., Multiphonon recombination processes, Solid State Electronics, v.21, p.1313 (1978).
  70. Vodolazov D.Y., Golubovic D.S., Peeters F.M., Moshchalkov V.V., Enhancement and decrease of critical current due to suppression of superconductivity by a magnetic field, Phys. Rev. B, v.76, p.134 505 (2007).
  71. Watkins G.D., Defects in Irradiated Silicon: Electron Paramagnetic Resonance and Electron-Nuclear Double Resonance of the Aluminum-Vacancy Pair, Phys. Rev., v.155, p.802 (1967).
  72. Weisbuch C., Winter В., Quantum semiconductor structures, New York: Academic Press, (1991).
  73. Winkler R., Rashba spin splitting in two-dimensional electron and hole systems, Phys. Rev. B, v.62, p.4245 (2000).
  74. Winkler R., Anomalous Rashba spin splitting in two-dimensional hole systems, Phys. Rev. В, v.65, p. 1553 03 (2002).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!