Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках

Диссертация: Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Обнаруженое нелинейное изменение пропускания мощных ультракоротких импульсов лазера квантовыми точками С<18е/^п8 (коллоидный раствор в толуоле) при двухфотонном резонансном возбуждении основного экситонного перехода, объяснено двухфотонным резонансным поглощением и явлением самодефокусировки. Анализ экспериментальных результатов позволил разделить процессы самодефокусировки, определяемые… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Экситонные состояния в квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структурах (обзор литературы)
    • 1. 1. Экситоны в полупроводниковых структурах с пониженной размерностью
  • Эффект диэлектрического усиления
    • 1. 2. Нелинейные оптические эффекты при высоких уровнях оптического возбуждения в объемных полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах
    • 1. 3. Эффекты двухфотонного поглощения и самодефокусировки в объемных полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах
    • 1. 4. Методы получения полупроводниковых квазиодномерных и квазинульмерных структур
  • Глава II. Нелинейное поглощение и преломление света в коллоидном растворе квантовых точек СбБе/глЯ при резонансном двухфотонном возбуждении
    • 2. 1. Схема установки и исследуемые образцы
    • 2. 2. Спектры пропускания, фотолюминесценции и возбуждения фотолюминесценции квантовых точек Сс18е/2п
    • 2. 3. Измерение коэффициента двухфотонного поглощения в квантовых точках
  • Ссйе/Тлв при резонансном возбуждении
    • 2. 4. Измерение нелинейного изменения показателя преломления в коллоидном растворе квантовых точек Сс18е/гп8 в толуоле
  • Глава III. Аномальное поглощение в коллоидном растворе квантовых точек
  • С (18е/2п8 при высоких уровнях возбуждения
    • 3. 1. Схема установки
    • 3. 2. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • Глава IV. Нелинейно-оптические свойства экситонов в квантовых нитях полупроводник (СёБе) — диэлектрик (АЬОз)
    • 4. 1. Исследуемые образцы и экспериментальная установка
    • 4. 2. Спектры фотолюминесценции квантовых нитей СёБе, кристаллизованных в наноканалах АЬОз, при высоких уровнях оптического возбуждения

Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность работы. Нелинейные оптические явления в квантовых точках (КТ) и нитях (КН) представляют интерес, как с точки зрения определения различных физических свойств наноструктур, так и с точки зрения их возможного применения в оптоэлектронике (оптические переключатели, ограничители интенсивности света, насыщающиеся поглотители для модуляции добротности и синхронизации мод лазеров и т. д.). Следует отметить, что именно изучение нелинейных оптических свойств КТ Сёве в стеклянной матрице позволило впервые обнаружить усиление и лазерную генерацию на квантовых точках.

При взаимодействии ультракоротких импульсов света с экситонами в полупроводниковых КТ могут возникать два вида нелинейности, определяемые связанными и свободными электронами. При взаимодействии световых полей высокой напряженности со связанными электронами безынерционные (классические) нелинейности в прозрачной среде (квадратичные, кубические и т. д.), определяющие зависимость поляризации от амплитуды светового поля, ответственны за процессы генерации гармоник в КТ, многофотонное поглощение, фокусировку и дефокусировку лазерного луча. Динамические, резонансные, гигантские нелинейности, возникающие при возбуждении носителей за счет резонансного поглощения света в квантовых точках, связаны с доминирующим эффектом заполнения состояний. При этом значительные нелинейные изменения поглощения и преломления могут быть использованы для управления светом с помощью света, например для создания оптических бистабильных систем.

В полупроводниковых КН, структурах, в которых экситоны и электроны могут двигаться только в одном направлении, экситоны начинают доминировать в спектрах поглощения и люминесценции. В квантовых нитях, вследствие ограничения движения, уменьшается среднее растояние между электроном и дыркой, что приводит к увеличению энергии их кулоновского взаимодействия и таким образом, увеличению энергии связи экситонов. В типичных полупроводниковых КН размерное квантование может приводить к увеличению энергии связи экситона в несколько раз (до 20−30 мэВ) по сравнению с соответствующим объемным полупроводником. Энергию связи экситона можно значительно увеличить, если заменить барьерный полупроводниковый материал.

КН на изолятор с малой диэлектрической проницаемостью. В такой системе «диэлектрическое усиление» экситонов связано с концентрацией кулоновской энергии взаимодействия электрона и дырки в диэлектрике (силовые линии электрического поля, соединяющие электрон и дырку, частично, а для тонких нитей в основном, проходят через диэлектрик). Диэлектрическая матрица, окружающая полупроводниковую наноструктуру способна также существенно повлиять на процессы релаксации носителей и экситонов в самой КН или КТ из-за большого числа поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик. Таким образом, изучение полупроводниковых наноструктур, окруженных диэлектриком, привлекательно не только с точки зрения фундаментальных исследований особенностей электронных и экситонных свойств, но и из-за перспективности их прикладного использования в электронике и оптоэлектронике: подбирая материал полупроводниковой наноструктуры и окружающей ее барьера, возможно в широких пределах менять положение экситонных уровней энергии в наноструктурах — осуществлять «инженерию кулоновского взаимодействия» [1].

Основные цели работы заключалась в следующем:

1. Изучение особенностей двухфотонного поглощения и нелинейного преломления в квантовых точках СёБе/ТлЗ при резонансном двухфотонном возбуждении основного экситонного состояния мощными ультракороткими импульсами лазерного излучения.

2. Установление механизмов инерционных оптических нелинейностей, определяющих пропускание коллоидного раствора квантовых точках СёБе^пБ в условиях однофотонного резонансного возбуждения основного экситонного состояния мощными ультракороткими импульсами лазерного излучения.

3. Исследование особенностей нелинейных оптических свойств полупроводниковых квантовых нитей (С<18е) с диэлектрическими барьерами (А^Оз).

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Обнаружено значительное резонансное увеличение нелинейной восприимчивости третьего порядка и увеличение коэффициента двухфотонного поглощения при двухфотонном резонансном возбуждении квантовых точек СбБе^пЗ, относительно значений этих величин в объемном полупроводнике.

2. Впервые обнаружено аномальное поведение нелинейного поглощения в коллоидных квантовых точках СёБе^пБ при высоких уровнях резонансного однофотонного возбуждения основного экситонного перехода мощными ультракороткими импульсами лазера — переход от уменьшения поглощения к увеличению поглощения с ростом уровня возбуждения — обусловленное уменьшением времени жизни возбужденного состояния экситонов при таких уровнях накачки.

3. Впервые при высоких уровнях оптического возбуждения в квантовых нитях (СсКе) с диэлектрическим барьером (АЬОз) обнаружена нелинейная зависимость интенсивности фотолюминесценции от мощности накачки с ростом уровня возбуждения, и изменением параметра «насыщения» на различных участках спектра, объясненные заполнением фазового пространства экситонов в квантовых нитях различного диаметра.

Научная и практическая значимость работы состоит в том, что в ней получен ряд новых результатов, важных для понимания процессов резонансного взаимодействия ультракоротких импульсов света большой интенсивности с экситонами в квантовых точках, процессов экситонной рекомбинации в полупроводниковых наноструктурах, а также влияния процессов внутризонной релаксации носителей при их большой плотности на оптические свойства полупроводниковых наноструктур. Данные исследования приобретают дополнительное значение в свете возможного широкого практического применения полупроводниковых наноструктур в приборах оптоэлектроники (активные среды лазеров, быстродействующие переключатели и т. д.).

На защиту выносятся следующие положения:

Обнаруженное аномальное поведение нелинейного поглощения в квантовых точках Сёве^пБ при однофотонном резонансном возбуждении экситонов мощными ультракороткими импульсами лазера — переход от уменьшения поглощения к увеличению поглощения с ростом уровня возбужденияобъяснено с помощью модели насыщения двухуровневой системы с уменьшающимся временем жизни возбужденного состояния при увеличении интенсивности накачки.

Обнаруженое нелинейное изменение пропускания мощных ультракоротких импульсов лазера квантовыми точками С<18е/^п8 (коллоидный раствор в толуоле) при двухфотонном резонансном возбуждении основного экситонного перехода, объяснено двухфотонным резонансным поглощением и явлением самодефокусировки. Анализ экспериментальных результатов позволил разделить процессы самодефокусировки, определяемые безынерционным изменением показателя преломления за счет взаимодействия мощных импульсов света со связанными электронами и нелинейным изменением показателя преломления за счет поглощения двухфотонно-возбужденными носителями в квантовой точке. Измеренное значение коэффициента двухфотонного поглощения р сопоставимо с величиной р в объемном полупроводнике. Измеренная величина нелинейной кубической восприимчивость третьего порядка Яе-^ коллоидного раствора квантовых точек Ссйе/ТлЗ на порядок и более превосходит значения кубической восприимчивости, как в толуоле, так и в объёмном полупроводнике, что объяснено резонансным увеличением нелинейной кубической восприимчивости в квантовых точках.

Обнаруженные изменения в спектрах люминесценции квантовых нитей с диэлектрическим барьером СёБе/АЬОз при высоких уровнях фотовозбуждения (асимметричное уширение, сопровождающееся сдвигом максимума спектра люминесценции в коротковолновую область спектра), нелинейная зависимость интенсивности люминесценции от интенсивности накачки («насыщение» интенсивности люминесценции), зависимость мощности насыщения от поперечных размеров квантовых нитей и температуры образцов объяснены доминирующим эффектом заполнения фазового пространства экситонов в квантовых нитях, зависимостью этого эффекта и, соответственно, мощности насыщения от боровской длины экситона и от времени его рекомбинации.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на семинарах кафедры полупроводников Физического факультета МГУ им. М.В. ЛомоносоваInternational Conference for Young Scientists and Engineers (IQEC/LAT-YS) (Moscow, Russia, 2002) — Международной Конференции Студентов, Аспирантов и Молодых Ученых по Фундаментальным наукам «Ломоносов» (Москва, Россия, 2003, 2005) — 11th and 14й1 International Symposiums «Nanostructures: Physics and Technology» (St.Petersburg, Russie, 2003,.

2005) — VII Российской конференции по физике полупроводников (Москва, Россия, 2005) — Научной конференции «Ломоносовские чтения» (Москва, Россия,.

2006) — Russian — Swiss Seminar «Excitons and exciton condensates in confined semiconductor systems» (Moscow, Russia, 2006).

Основные результаты были опубликованы в следующих работах:

1. B.C. Днепровский, Е. А. Жуков, О. А. Шалыгина, В. Л. Лясковский, Е. А. Муляров, С. А. Гаврилов, И. Масумото, «Экситоны в полупроводниковых квантовых нитях CdS и CdSe с диэлектрическими барьерами», ЖЭТФ, 121. № 6, с. 1362−1369,2002.

2. О.А. Shaligina, Е.А. Zhukov, V.L. Lyaskovskii, «Laser Spectroscopy of Semiconductor (CdSe) Quantum Wires and Quantum Dots», Book of Abstracts of International Conference for Young Scientists and Engineers (IQEC/LAT-YS), Moscow, Russia, June 22−27, p. 53,2002.

3. В. Л. Лясковский, И. В. Толпейкин, А. И. Шаталин, «Спектры люминесценции полупроводниковых квантовых нитей CdSe/A^Os при высоких уровнях возбуждения», сборник тезисов Международной Конференции Студентов, Аспирантов и Молодых Ученых по Фундаментальным наукам «Ломоносов-2003» секция Физика, с. 275−276,2003.

4. V.S. Dneprovskii, V.P. Evtikhiev, V.L. Lyaskovskii, A.I. Shatalin, E.A. Zhukov, «Photoluminescence of CdSe/ZnSe quantum dots and CdSe/A^Oa wires at high excitation», Proceedings of 11th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology» St. Petersburg, Russie, June 23−28, p. 362,2003.

5. B.C. Днепровский, E.A. Жуков, B.JI. Лясковский, М. В. Рыжков, И. В. Толпейкин, А. И. Шаталин, «Люминесценция квантовых нитей CdSe/AhC^ при высоких уровнях фотовозбуждения», ФТТ, 46, № 9, с. 17 001 705,2004.

6. А. В. Косых, В. Л. Лясковский, М. А. Ластовкина, «Одно и двухфотонное поглощение в квантовых точках CdSe при различных уровнях возбуждения», сборник тезисов Международной Конференции Студентов, Аспирантов и Молодых Ученых по Фундаментальным наукам «Ломоносов-2005» секция Физика, с. 59,2005.

7. B.C. Днепровский, Е. А. Жуков, В. Л. Лясковский, А. В. Косых, М. А. Ластовкина, Erik Herz, «Нелинейное пропускание ультракоротких импульсов света при однои двухфотонном резонансе в квантовых точках CdSe/ZnS», Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 18−23 сентября, с. 265,2005.

8. Е. А. Жуков, Д. А. Кабанин, В. Л. Лясковский, Т. Умайер «Нелинейное пропукание ультракоротких импульсов света квантовыми точками CdSe/ZnS при двухфотонном зезонансном возбуждении», сборник тезисов докладов научной конференции «Ломоносовские чтения» секция Физика, 17−27 апреля, с. 73−76,2006.

9. V.S. Dneprovskii, D.A. Kabanin, V.L. Lyskovskii, T. Wumaier and E.A. Zhukov «Nonlinear absorbtion and refraction of CdSe/ZnS quantum dots at two-photon resonant excitation», Proceedings of 14th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology» StPetersburg, Russie, June 26−30, p. 42,2006.

10. V.S. Dneprovskii, V.L. Lyaskovskii, T. Wumaier and E.A. Zhukov, «Nonlinear absorption and reflection of CdSe/ZnS quantum dots at oneand two-photon resonant excitation of excitons», Abstracts of Russian — Swiss Seminar «Excitons and exciton condensates in confined semiconductor systems» Moscow, Russia, September 10−15, p. 18,2006.

11. B.C. Днепровский, E.A. Жуков, Д. А. Кабанин, В. Л. Лясковский, А. В. Ракова, Tuerdi Wumaier, «Нелинейное поглощение и преломление света в коллоидном растворе квантовых точек С (18е/2л8 при резонансном двухфотонном возбуждении» ФТТ, 49, № 2, с. 352−356,2007.

Заключение

.

1. Обнаруженные особенности нелинейного изменения пропускания ультракоротких мощных импульсов лазера кюветой с коллоидным раствором КТ С (18е/2п8 в толуоле при двухфотонном резонансном возбуждении основного оптического перехода в КТ СёЗе/гпв с радиусом 2,6±0,4 нм объяснены процессом двухфотонного резонансного поглощения в КТ и явлением самовоздействия — самодефокусировки. Измеренное значение коэффициента двухфотонного поглощения в образце с концентрацией КТ около 1015см" 3 Р=1,6 см/ГВт сопоставимо с величинами в объёмном полупроводнике. Экспериментальные результаты по наблюдению явления самодефокусировки удаётся объяснить, если учесть, линейную и квадратичную зависимость нелинейного изменения показателя преломления от интенсивности ультракоротких импульсов лазера на входе в образец коллоидного раствора КТ С (18е/2п8 в толуоле. Мы связываем линейную по интенсивности добавку с безынерционным изменением показателя преломления при взаимодействии мощных импульсов света со связанными носителями и квадратичную — с нелинейным изменением показателя преломления при поглощении двухфотонно возбуждёнными носителями в КТ. Величина нелинейной кубической восприимчивости коллоидного раствора КТ Сс18е^п8 в толуоле на порядок и более превосходит значения кубической восприимчивости объёмных полупроводников. По-видимому, это связано с резонансным увеличением нелинейной кубической восприимчивости в КТ.

2. Особенности поглощения в КТ Сс18е/гп8 при однофотонном резонансном возбуждении — переход от уменьшения поглощения (эффект насыщения) к увеличению поглощения с ростом уровня возбуждения объяснен явлением насыщения в среде с уменьшающимся с ростом уровня возбуждения временем жизни возбужденного состояния.

3. Обнаруженные изменения спектров люминесценции квантовых нитей Сс^е/АЬОз при высоких уровнях фотовозбуждения (асимметричное уширение, сопровождающееся сдвигом максимума спектра люминесценции в коротковолновую область спектра), нелинейная зависимость интенсивности люминесценции от интенсивности накачки («насыщение» интенсивности люминесценции), зависимость параметра насыщения от энергии соответствующего участка спектра люминесценции (от поперечных размеров квантовых нитей) и температуры образцов объяснены доминирующим эффектом заполнения фазового пространства для экситонов, зависимостью этого эффекта и, соответственно, параметра насыщения от боровской длины экситона и от времени его рекомбинации.

В заключении выражаю искреннюю признательность своим научным руководителям B.C. Днепровскому и Е. А. Жукову за предоставленную возможность заниматься интересной и актуальной проблемой, за большую помощь, которую они оказали мне при получении и осмыслении результатов. Я очень благодарен М. В. Краевскому, O.A. Шалыгиной, Д. А. Кабанину, Умайеру Туэрди и A.B. Раковой за помощь при проведении экспериментов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. L.V.Keldysh «Excitons in semiconductor dielectric nanostructures», Phys. Stat.
  2. Sol. (a) 164, № 1,3−12 (1997).
  3. Ал.Л.Эфрос, АЛ. Эфрос «Межзонное поглощение света в полупроводниковомшаре», ФТП16, № 7,1209−1214 (1982).
  4. J. Littinger, W. Kohn, «Quantum Theory of Cyclotron Resonance in
  5. Semiconductors: General Theory», Phys. Rev. 102,1030−1041 (1955)
  6. ALL. Efros, M. Rosen, «The electronic structure of semiconductor nanocrystals»,
  7. Annu. Rev. Mater. Sci. 30,475−521 (2000)
  8. G.B. Grigoryan, E. Kazaiyan, Al.L. Efros, T.V. Yazeva, Sov. Phys. Solid State 321 031 (1990)
  9. A.E. Ekimov, F. Hache, M.C. Schanne-Klein, D. Ricard, C. Flytzanis, I.A.
  10. Kudryavtsev, T.V. Yazeva, A.V. Rodina, and A.L. Efros," Absorption and intensity-dependent photoluminescence measurements on CdSe quantum dots: assignment of the first electronic transitions" J. Opt. Soc. Am. В 10,100−107 (1993)
  11. D.J. Norris, M.G. Bawendi, «Measurement and assignment of the size-dependentoptical spectrum in CdSe quantum dots», Phys. Rev. В 53,16 338−16 346 (1996)
  12. D.J. Norris, A. Sacra, C.B. Murray, M.G. Bawendi «Measurement of the sizedependent hole spectrum in CdSe quantum dots», Phys. Rev. Lett. 72,2612−2615(1994)
  13. C.R. Pidgeon, R.N. Brown, «Interband Magneto-Absorption and Faraday Rotationin InSb», Phys. Rev. 146,575−583 (1966)
  14. U. Banin, J.C. Lee, A. A. Guzelian, A.V. Kadavanich, A.P. Alivisatos, et al. J.1. Chem. Solids 1,249 (1998)
  15. R.Zimmermann «Excitonic Spectra in Semiconductor Nanostructures», Jpn. J. of Appl. Phys. 34,228−231, (1995).
  16. S.Glutsch and D.S.Chemla «Transition to one-dimensional behavior in the optical absorption of quantum-well wires», Phys. Rev. В 53,15 902−15 908 (1996).
  17. S.Glutsch, F. Bechstedt «Effects of the Coulomb interaction on the optical spectra of quantum wires», Phys. Rev. В 47,4315−4326 (1993).
  18. F.Rossi and E. Molinari «Coulomb-Induced Suppression of Band-Edge Singularities in the Optical Spectra of Realistic Quantum-Wires Structures», Phys. Rev. Lett. 76,3642−3645, (1996).
  19. V.D.Kulakovskii, «Linear polarization of photoluminescence and Raman scattering iv open InGaAs/InP quantum well wires», Phys.Stat.Sol. (b), 188, 269−273 (1995).
  20. P.Ils, Ch. Greus, A. Forchel, V.D.Kulakovskii, N.A.Gippius, S.D.Tikhodeev «Linear polarization of photoluminescence emission and absorption in quantumwell wire structures: Experiment ant theory», Phys. Rev. В 51,4272−4277 (1995).
  21. N.A.Gippius, S.G.Tikhodeev, A. Forchel, V.D.Kulakovskii «Polarization-Dependent Optical Properties in Open Quantum Well Wires», Superlatt. and Microstruct. 16, 165−168 (1994).
  22. Н.С.Рытова «Кулоновское взаимодействие электронов в тонкой пленке», Доклады АН СССР 163,1118 (1995).
  23. А.В.Чаплик, М. В. Эптин «Заряженные примеси в очень тонких слоях», ЖЭТФ 61,2469−2475 (1971)
  24. Л.В.Келдыш «Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов», Письма в ЖЭТФ 29,176 (1979).
  25. L.V.Keldysh «Excitons and polaritons in semiconductor/insulator quantum wellsand superlattices», Superlatt. and Microstruct. 4,637−642 (1988).
  26. E.A. Муляров, С. Г. Тиходеев, «Диэлектрическое усиление экситонов вполупроводниковых квантовых нитях», ЖЭТФ, 111,274−282 (1997).
  27. E.A.Muljarov, E.A.Zhukov, V.S.Dneprovskii, Y. Masumoto, «Dielectricallyenhanced excitons in semiconductor-insulator quantum wires: Theory and experiment», Phys. Rev. В 62,7420−7432 (2000).
  28. В.С.Бабиченко, Л. В. Келдыш, А. П. Силин «Кулоновское взаимодействие в тонких полупроводниковых и полуметаллических нитях», Ф’ГГ 22,1238 (1980).
  29. L.V.Keldysh «Excitons in semiconductor dielectric nanostructures», Phys. Stat. Sol. (a) 164, № 1,3−12 (1997).
  30. N. Mott, Metal-Insulator Transitions (Taylor and Francis, London, 1979)
  31. W. Ebeling, W. Kraeft, and D. kremp, Teory of Bound States and ionization in Plasmas and Solids (Akademi-Verlag, Berlin, 1976)
  32. H. Haug and S. Schmitt-Rink, «Basic mechanisms of the optical nonlinearities of semiconductors near the band edge» J. Opt. Soc. Am. B 2,1135−1142 (1985)
  33. D. Chemla and D. Miller, «Room-temperature excitonic nonlinear-optical effects in semiconductor quantum-well structures» J. Opt. Soc. Am. B 2,1155−1173 (1985)
  34. S. Smitt-Rink, D. Chemla, and D. Miller, «Theory of transient excitonic optical nonlinearities in semiconductor quantum-well structures», Phys. Rev. B 32, 6601−6609 (1985)
  35. S. Koch, N. Peyghambarian and M. Lindberg," Transient and steady-state optical nonlinearities in semiconductors" J. Phys. C 21,5229−5249 (1988)
  36. V. Klimov and D. McBranch, «Auger-process-induced charge separation in semiconductor nanocrystals», Phys. Rev. B 55,13 173−13 179 (1997)
  37. Y. Vandyshev, V. Dneprovskii and V. Klimov, Sov. Phys. JETP 74,144 (1992)
  38. V.Klimov, S. Hunsche and H. Kurz, «Biexciton effects in femtosecond nonlinear transmission of semiconductor quantum dots», Phys. Rev. B 50, 8110−8113 (1994)
  39. Y. Hu, S. Koch, M. Linberg, N. Peyghambarian, E. Pollock, and F. Abraham, «Biexcitons in semiconductor quantum dots», Phys. Rev. Lett. 64,1805−1807 (1990)
  40. T. Takagahara, «Biexciton states in semiconductor quantum dots and their nonlinear optical properties», Phys. Rev. В 39,10 206−10 231 (1989)
  41. S.Benner, H. Haug, «Plasma-density dependence of the optical spectra for quasi-one-dimensional quantum well wires», Europhys. Lett., 16, 579 (1991).
  42. K.H.Wang, M. Bayer, A. Forchel, P. Ils, S. Benner, H. Haug, Ph. Pagnod-Rossiaux,
  43. Goldstein, «Subband renormalization in dense electron-hole plasmas in InO, 53GaO, 47As/InP quantum wires», Phys.Rev.B, 53, R10505- R10508 (1996).
  44. R.Cingolani, H. Lage, L. Tapfer, H. Kalt, D. Heitmann, K. Ploog, «Quantumconfined one-dimensional electron-hole plasma in semiconductor quantum wires», Phys.Rev.Lett., 67, 891−894 (1991).
  45. В.С.Днепровский, Е. А. Жуков, Е. А. Муляров, С. Г. Тиходеев, «Линейное и нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице», ЖЭТФ, 114, 700−710 (1998).
  46. A. Shimizu, T. Ogawa, H. Sakaki, «Two-photon absorption spectra of quasi-low-dimensional exciton systems», Phys. Rev. В 45,11 338−11 341 (1992).
  47. A.V. Fedorov, A.V. Baranov, K. Inoue, 'Two-photon transitions in systems with semiconductor quantum dots", Phys. Rev. В 54, 8627−8632 (1996).
  48. G.P. Banfi, V. Degiorgio, M. Ghigliazza, H.M. Tan, and A. Tomaselli, «Two-photon absorption in semiconductor nano crystals», Phys. Rev. В 50,5699−5702 (1994).
  49. B.LJustus, RJ. Tonucci, A.D. Berry, «Nonlinear optical properties of quantum-confined GaAs nanocrystals in Vycor glass», Appl. Phys. Lett. 61,3151−3153 (1992).
  50. A.I.Ekimov, Al.L.Efros, A.A.Onushchenco, «Quantum size effect in semiconductor microcrystals», Solid State Commun., 56,921−924 (1986).
  51. S.Sasa, T. Ikeda, C. Dohno, M. Inoue «InAs/AlGaSb nanoscale device fabrication using AFM oxidation process», Physica E 2, 858−861 (1998).
  52. L.T.Canham «Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers», Appl. Phys. Lett. 57, 1046−1048 (1990).
  53. M.I.J.Beale, J.D.Benjamin, MJ. Uren, N.G.Chew, A.G.Gullis «An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon», J.Cryst.Growth 73,622−636 (1975).
  54. DJ.Lockwood, P. Schmuki, HJ. Labbe, J.W.Fraser «Optical properties of porous GaAs», Physica E 4,102−110 (1999).
  55. P.Schmuki, J.W.Fraser, C.M.Vitus, MJ. Graham, and H.S.Isaacs «Initiation and Formation of Porous GaAs.» J.Electrochem. Soc. 143,3316−3322 (1996).
  56. P.Schmuki, DJ. Lockwood, HJ. Labbe, J.W.Fraser «Visible photoluminescence from porous GaAs», Appl. Phys. Lett. 69,1620−1622 (1996).
  57. A.Anedda, A. Sepri, V.A.Karavanskii, I.M.Tiginyanu, V.M.Ichizli «Time resolved and ultraviolet photoluminescence in porous GaP», Appl. Phys. Lett. 67, 3316−3318(1995).58. А. И. Белогорохов, В. А. Караванский, А. Н. Образцов, В. Ю. Тимошенко,
  58. Интенсивная фотолюминесценция в пористом фосфиде галлия", Письма в ЖЭТФ 60, 262−266 (1994).
  59. B.H.Erne, D. Vanmaekelbergh, J.J.Kelly, «Morphology and strongly enhanced photoresponse of GaP electrodes made porous by anodic etching.» J. Electrochem. Soc., 143,305−314 (1996).
  60. N.G.Ferreira, D. Soltz, F. Decker, L. Cescato, «Evolution of Surface Textures on n-InP Samples Etched Photoelectrochemically», J.Electrochem. Soc. 142,13 481 352 (1995).
  61. B.H. Богомолов и Ю. А. Кумзеров, «Флуктуация в ртутных нитяхпятиатомного диаметра», Письма в ЖЭТФ, 21,434−437 (1975)
  62. V. Dneprovskii, N. Gushuna, О. Pavlov, V. Poborchii, I Salamatina, and
  63. E.Zhukov, «Nonlinear optical absorption of GaAs quantum wires», Phys. Lett. A 204,59−62 (1995)
  64. B.C. Днепровский, E.A. Жуков, E.A. Муляров, С. Г. Тиходеев, «Линейное инелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице», ЖЭТФ, 114,700−710 (1998).
  65. С.Г. Романов, Н. М. Йатс, М. П. Пембл, Д. Р. Аггер, М. В. Андерсон,
  66. К.М. Сотомайор Торрес, В. Ю. Будко, Ю. А. Кумзеров, «Интерфейсныеэффекты и формирование оптических свойств ансамблей структурно изолированных квантовых нитей 1пР», ФТТ, 39,727−734 (1997)
  67. D.Routkevich, А.А. Tager, J. Haruyama, D. Almawlawi, M. Moskovits, and
  68. J.M.Xu, «Nonlithographic nano-wire array: fabrication, physics and device application» IEEE Transaction on Electron Device, 43,1646−1658 (1996)
  69. C.B.Murray, DJ. Norris, and M.G.Bawendi, «Synthesis and characterization ofnearly monodisperse CdE (E = sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites» J. Am. Chem. Soc., 115,8706−8715 (1993).
  70. O.I.Micic, CJ. Curtis, K. MJones, J.R.Sprague, and A.J.Nozik," Synthesis and
  71. Characterization of InP Quantum Dots" J. Phys. Chem., 98,4966−4969 (1994).
  72. O.I.Micic, J.R.Sprague, C.J.Curtis, K. MJones, J.L.Machol, and AJ. Nozik,
  73. H.Giessen, B. Fluegel, G. Mohs, and N. Peyghambarian, «Synthesis and Characterization of InP, GaP, and GaInP2 Quantum Dots» J. Phys. Chem., 99, 7754−7759 (1995).
  74. A. I. Ekimov, F. Hache, M. C. Schanne-Klein, D. Ricard, C. Flytzanis, I. A.
  75. Kudryavtsev, Т. V. Yazeva, A. V. Rodina, and Al. L. Efros, «Absorption and intensity-dependent photoluminescence measurements on CdSe quantum dots: assignment of the first electronic transitions», J.OptSoc.Am. В 10,100−107 (1993)
  76. M. Nirmal, D. Norris, M. Kuno, M. Bawendi, A.L. Efros, M. Rosen,
  77. Observation of the «Dark Exciton» in CdSe Quantum Dots", Phys. Rev. Lett. 75,3728−3731 (1995).
  78. B.I. Justus, RJ. Tonucci, A.D. Berry, «Nonlinear optical properties of quantumconfined GaAs nanocrystals in Vycor glass», Appl. Phys.Lett. 61,3151−3153 (1992)
  79. X. Гиббс. «Оптическая бистабильиость. Управление светом с помощьюсвета.», Мир, М. (1988).
  80. I. Gerdova, A. Hache, «Third-order non-linear spectroscopy of CdSe and
  81. CdSe/ZnS core shell quantum dots», Opt. Commun. 246,205−212 (2005)
  82. Chepic D.I., Efros ALL., Ekimov A.I., Ivanov M.G., Kharchenko V.A.,
  83. I.A., Yazeva T.V., «Auger ionization of semiconductor quantum drops in a glass matrix», J. of Luminescence, 47,113−127 (1990)
  84. Dneprovskii V.S., Efros ALL., Ekimov A. I, Klimov V.I., Kudriavtsev I.A.,
  85. M.G. «Time-resolved luminescence of CdSe microcrystals», Solid State Commun., 74,555−557 (1990)
  86. Klimov V., Mihkailovsky A., McBranch D., Leatherdale C., Bawendi M.,
  87. Е.А. Муляров, С. Г. Тиходеев, «Диэлектрическое усиление экситонов вполупроводниковых квантовых нитях», ЖЭТФ, 111,274−282 (1997).
  88. G.A. Boiko, V.S. Dneprovskii, M.V. Kraevskii, К. Mironova, S.M. Oak,
  89. E.A.Muljarov, E.A.Zhukov, V.S.Dneprovskii, Y. Masumoto, «Dielectricallyenhanced excitons in semiconductor-insulator quantum wires: Theory and experiment», Phys. Rev. В 62,7420−7432 (2000).
  90. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. Мир, М. (1973)
  91. H.M.Gibbs, G. Khitrova, N. Peighambarian, «Nonlinear Photonics» Ed. SpringerVerlag, Berlin-Heidelberg (1990).
  92. R.Zimmermann, «Nonlinear optics and the mott transition in semiconductors»,
  93. Phys. Stat. Sol. В146,371−384 (1988)
Заполнить форму текущей работой

На отлично!