Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Магнитостимулированное движение дислокаций при импульсной деформации немагнитных кристаллов

Диссертация: Магнитостимулированное движение дислокаций при импульсной деформации немагнитных кристаллов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В третьей главе приводятся экспериментальные результаты исследования влияния формы импульса нагрузки на движение дислокаций в кристаллах №С1 в отсутствие магнитного поля. Обнаруженная нечувствительность среднего пробега дислокаций к временным характеристикам нагружающего импульса позволила предположить, что лимитирующую роль в их движении играют дальнодействующие внутренние напряжения… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Поведение индивидуальных дислокаций в кристаллах под действием механической нагрузки
      • 1. 1. 1. Динамика дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах
      • 1. 1. 2. Вклад атермической компоненты в пластическую деформацию 13 кристаллов
      • 1. 1. 3. Влияние параметров нагружающего импульса на движение 14 дислокаций
      • 1. 1. 4. Влияние внутренних дальнодействующих напряжений на 17 движение дислокаций
    • 1. 2. Влияние слабых магнитных полей на свойства немагнитных 20 материалов
      • 1. 2. 1. Изменение физических свойств диамагнитных материалов в 20 магнитном поле
      • 1. 2. 2. Влияние магнитного поля на спин-зависимые химические 21 реакции
      • 1. 2. 3. Влияние магнитного поля на механические свойства 24 немагнитных материалов
    • 1. 3. Магнитопластический эффект
      • 1. 3. 1. Движение дислокаций в магнитном поле в отсутствие внешних 27 напряжений
      • 1. 3. 2. Влияние внешних воздействий на магнитопластический 31 эффект
      • 1. 3. 3. Влияние магнитного поля на состояние точечных дефектов в 34 кристаллах
      • 1. 3. 4. Изменение механических свойств кристаллов в магнитном поле
  • Глава 2. Методика экспериментов
    • 2. 1. Установка для нагружения кристаллов механическими 39 импульсами с управляемыми параметрами в магнитном поле
      • 2. 1. 1. Механическая часть установки
      • 2. 1. 2. Электрическая часть установки. Управление пьезоблоком. 43 Измерение импульса нагрузки
    • 2. 2. Методика приготовления образцов и схема экспериментов
      • 2. 2. 1. Методика приготовления образцов
      • 2. 2. 2. Схема экспериментов
  • Глава 3. Особенности движения дислокаций в кристаллах ЫаС1 под 57 действием механической нагрузки в магнитном поле
    • 3. 1. Движение дислокаций под действием механического импульса в 58 кристаллах ЫаС
    • 3. 2. Квазистатическая релаксация дислокационной структуры
      • 3. 2. 1. Модель квазистатической релаксации
      • 3. 2. 2. Кинематическая схема движения дислокаций в потенциальном 77 рельефе дальнодействующих внутренних напряжений с сухим трением
      • 3. 2. 3. Роль неравновесности дислокационной структуры
    • 3. 3. Магнитостимулированное движение дислокаций в условиях 90 импульсной механической нагрузки
      • 3. 3. 1. Экспериментальные результаты
      • 3. 3. 2. Магнитостимулированная релаксация дислокационной 98 структуры под действием механического импульса
  • Глава 4. Упрочнение кристаллов №С1 (РЬ) в магнитном поле
    • 4. 1. Введение и методика экспериментов
    • 4. 2. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • Глава 5. Влияние магнитного поля на микротвердость кристаллов 119 бифталата калия
    • 5. 1. Введение и методика экспериментов
    • 5. 2. Экспериментальные результаты и их обсуждение
  • Выводы
  • Список литературы

Магнитостимулированное движение дислокаций при импульсной деформации немагнитных кристаллов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Движение дислокаций, являясь элементарным актом пластической деформации, весьма чувствительно к дополнительному воздействию электрического и магнитного полей, к облучению, что позволяет использовать дислокации как инструмент изучения физических свойств кристаллов. Особый интерес к исследованию поведения немагнитных материалов в слабых магнитных полях определяется уникальными возможностями изучения микромеханизмов взаимодействия дислокаций с точечными дефектами. Исследования магнитопластического эффекта, обнаруженного 15 лет назад как движение дислокаций в постоянном магнитном поле в отсутствие внешних напряжений, показали, насколько упрощены общепринятые механистические концепции, связанные с представлением о дилатационной природе взаимодействия между дислокациями и точечными дефектами. Совокупность полученных данных о природе магнитопластического эффекта указывает на ключевую роль спин-зависимых электронных переходов в процессе взаимодействия дислокации с точечным дефектом. Возможности практического применения магнитопластического эффекта обусловлены его проявлением на всех структурных уровнях в широком спектре немагнитных кристаллов.

К началу настоящей работы основные свойства магнитопластического эффекта в отсутствие внешних нагрузок и в условиях дополнительных внешних воздействий (облучение рентгеновскими лучами и видимым светом, электрическое поле) были достаточно хорошо изучены в ряде немагнитных кристаллов. Согласно проведенным исследованиям, слабое магнитное поле создает условия открепления дислокаций от локальных парамагнитных дефектов, а дальнейшее дислокационное движение обусловлено полями внутренних напряжений кристалла. Однако, внутренние напряжения являются неконтролируемой величиной. В связи с этим, целью данной работы является изучение движения Дислокаций в магнитном поле под действием управляемой внешней нагрузки. Использование в качестве нагрузки механического импульса потребовало создания специальной установки и детального изучения характера движения дислокаций под действием механических импульсов с различными параметрами в отсутствие магнитного поля. Кроме того, созданная установка позволила исследовать возможность упрочнения кристаллов в магнитном поле. С помощью индентирования удалось обнаружить чувствительность величины микротвердости в сложных кристаллах бифталата калия к предварительному воздействию магнитного поля. Вышесказанное и определяет актуальность работы.

В результате проведенных исследований впервые:

• создана экспериментальная установка, позволяющая воздействовать на кристалл импульсами одноосного сжатия-растяжения с управляемыми параметрами в магнитном поле;

• изучено влияние всех характеристик импульса сжатия на движение дислокаций на примере кристаллов NaCl;

• предложена кинематическая модель движения дислокаций под действием механических импульсов в отсутствие магнитного поля, позволяющая объяснить все экспериментально наблюдаемые особенности их движения;

• показано, что предварительная обработка кристалла магнитным полем или цугом импульсов сжатия приводит к релаксации дислокационной структуры;

• исследовано движение дислокаций в условиях комбинированного действия магнитного поля и механической нагрузки;

• предложена кинематическая модель магнитостимулированной релаксации дислокационной структуры под действием импульсов сжатия;

• обнаружено упрочнение кристаллов NaCl (Pb) в магнитном поле, проявляющееся в уменьшении пробегов дислокаций под действием механических импульсов при нагружении в магнитном поле.

• обнаружено уменьшение микротвердости кристаллов бифталата калия после выдержки образцов в магнитном поле.

По своей структуре диссертация состоит из пяти глав, введения и заключения.

В первой главе данной работы приведен обзор литературы, касающейся основных аспектов изучения движения дислокаций под действием механической нагрузки в отсутствие магнитного поля, влияния слабых магнитных полей на физические и химические свойства немагнитных материалов. Особое внимание уделено рассмотрению работ, посвященных изучению магнитопластического эффекта. В последнее время возрос интерес различных научных групп к этой проблеме, что связано с обнаружением влияния магнитных поле на пластические свойства немагнитных кристаллов на разных структурных уровнях. В обзоре рассмотрено большое количество публикаций по этой тематике.

Вторая глава посвящена методике проведения экспериментов. Представлена оригинальная установка для одноосного нагружения кристаллов в магнитном поле, главной отличительной особенностью которой является возможность программирования и измерения амплитуды и всех временных характеристик механического импульса в широком диапазоне как в магнитном поле, так и без него. Описаны методика приготовления образцов и схемы основных экспериментов по изучению движения индивидуальных дислокаций под действием механического импульса в магнитном поле.

В третьей главе приводятся экспериментальные результаты исследования влияния формы импульса нагрузки на движение дислокаций в кристаллах №С1 в отсутствие магнитного поля. Обнаруженная нечувствительность среднего пробега дислокаций к временным характеристикам нагружающего импульса позволила предположить, что лимитирующую роль в их движении играют дальнодействующие внутренние напряжения. Обсуждается предложенная модель движения дислокаций при малых нагрузках, связанная с представлениями о квазистатическом движении дислокации, закрепленной точечными дефектами в потенциальном рельефе внутреннихнапряжений, создаваемом параллельными б дислокациями. С помощью данной модели объясняются все наблюдаемые особенности движения дислокаций, дается оценка напряжения закрепления дислокации на точечных дефектах и масштаб внутренних дальнодействующих напряжений. При изучении движения индивидуальных дислокаций в кристаллах ЫаС1 при одновременном действии механических импульсов и магнитного поля исследованы зависимости пробегов дислокаций от амплитуды и длительности трапецеидального импульса сжатия в магнитном поле. Обсуждаются особенности движения дислокаций в условиях магнитостимулированной релаксации дислокационной структуры, эффективно усиливаемой внешней нагрузкой.

В четвертой главе представлены результаты изучения движения дислокаций в кристаллах КаС1(РЬ) в магнитном поле под действием трапецеидального механического импульса. Показано, что наличие диамагнитной примеси свинца является причиной упрочнения кристалла ЫаС1(РЬ) в магнитном поле.

В¦ пятой главе рассматриваются результаты влияния предварительной выдержки в магнитном поле кристаллов бифталата калия на величину микротвердости. Представлена кинетика микротвердости в отожженных и неотожженных кристаллах с момента выключения магнитного поля.

В заключении сформулированы основные выводы диссертационной работы.

На защиту выносятся следующие положения диссертации:

— создание установки одноосного нагружения кристаллов механическими импульсами с программируемыми параметрами в магнитном поле;

— результаты исследования движения дислокаций в кристаллах с низким пределом текучести под действием механических импульсов в отсутствие магнитного поля на примере кристаллов № 01;

— кинетическая модель движения дислокаций в кристаллах с низким пределом текучести, объясняющая наблюдаемые особенности движения дислокаций под действием механических импульсов и позволяющая 7 сформулировать условия наблюдения термофлуктуационного движения дислокацийрезультаты исследования движения дислокаций в кристаллах № 0 в условиях комбинированного воздействия магнитного поля и механической нагрузки и кинетический анализ магнитостимулированного открепления дислокаций от точечных препятствий в процессе релаксации дислокационной структуры в магнитном поле под действием импульсов сжатияэкспериментальное обнаружение упрочнения немагнитных кристаллов в магнитном поле в кристаллах ЫаС1 с диамагнитной примесью РЬобнаружение изменений величины микротвердости кристаллов бифталата калия после выдержки их в постоянном магнитном поле.

Выводы.

1. Создана экспериментальная установка, позволяющая производить одноосное деформирование (сжатие и растяжение) кристаллов механическими импульсами как в магнитном поле, так и в его отсутствие. Установка обеспечивает возможность программирования и измерения амплитуды и всех временных характеристик треугольных и трапецеидальных механических импульсов в широком диапазоне. Минимальная измеряемая сила составляет 0.05И Времена переднего и заднего фронтов импульса и длительность плато постоянной нагрузки можно варьировать от О. бтБ до 60тт.

2. Изучено влияние параметров импульса нагрузки на движение дислокаций в кристаллах ЫаС1 с низким пределом текучести (г/~0.4МРа, С=10ррш) без приложения магнитного поля. Показано, что дислокации движутся лишь на фронте нарастания механического импульса, поскольку средний пробег дислокаций не зависит ни от длительности фронта нарастания, ни от длительности плато постоянной нагрузки импульса и полностью определяется только амплитудой импульса. По мере нарастания нагрузки средний пробег монотонно увеличивается до уровня Ыр~2, далее следует стадия насыщения, сменяющаяся резким ростом величины Ыр с последующим выходом на новый уровень насыщения 2. Число движущихся дислокаций монотонно увеличивается с ростом амплитуды импульса вплоть до (80−90)% свежевведенных дислокаций.

3. Все наблюдаемые особенности движения дислокаций хорошо объясняются в модели квазистатической релаксации, исходя из условия равновесия действующих на дислокацию сил: внешнего напряжения внутренних напряжений т,(х) со стороны параллельных дислокаций и напряжения пиннинга тр закрепляющих дислокацию точечных дефектов. Модель позволяет из кривых зависимости среднего пробега дислокаций от амплитуды напряжения.

130 оценить как масштаб внутренних дальнодействующих напряжений ъ, так и напряжение пиннинга тр, а 0.05 МРа~0.1^. Согласно модели, описанные выше квазистатические аномалии должны наблюдаться лишь в мягких кристаллах, где тр"ту~т, В более жестких кристаллах, где ^"Тр-Ту, следует ожидать нормальную дислокационную динамику, когда среднее перемещение дислокаций пропорционально длительности импульса.

4. Изучено движение дислокаций в кристаллах ИаС1 в условиях комбинированного действия магнитного поля и механического импульса. Обнаружено, что в магнитном поле появляется движение дислокаций на плато постоянной нагрузки трапецеидального импульса, которого в отсутствие магнитного поля не было. Чувствительность длины пробега дислокаций ко времени длительности нагрузки, сопровождающаяся значительным ростом пробегов от амплитуды приложенного импульса, свидетельствует об усилении магнитостимулированной релаксации дислокационной структуры под действием механического импульса.

5. Предложена кинетическая схема магнитостимулированного движения дислокаций под действием механической силы, которая позволяет удовлетворительно объяснить экспериментальные зависимости перемещения дислокаций в кристаллах ЫаС1 в условиях комбинированного действия механического импульса и магнитного поля. В рамках этой схемы, одновременное действие магнитного поля и механической нагрузки в кристаллах ЫаС1(Са) стимулирует медленную перестройку полей дальнодействующих внутренних напряжений, что дает дополнительные возможности для движения дислокаций в этих кристаллах. Из экспериментальных кривых дается оценка масштаба изменений внутренних напряжений в процессе магнитостимулированной релаксации дислокационной структуры под действием внешней нагрузки.

6. Впервые обнаружено упрочнение кристаллов NaCl (Pb) в магнитном поле. Показано, что добавление примеси диамагнитного свинца является причиной уменьшения в магнитном поле подвижности дислокаций под действием механической нагрузки.

7. Изучено влияние магнитного поля на микротвердость кристалла бифталата калия. Обнаружено, что предварительная магнитная обработка монокристалла бифталата калия (БФК) в постоянном магнитном поле 0.9 Тл в течение 5 мин уменьшает их микротвердость на (15−18)%. Изучение кинетики изменения микротвердости неотожженных и отожженных кристаллов БФК с течением времени, прошедшего с момента приготовления скола, показало, что этот процесс идет неодинаково в обработанных и необработанных магнитным полем образцах. Однако, по прошествии 6 суток после магнитной обработки, микротвердость этих образцов выравнивается.

Результаты диссертации опубликованы в работах [144−150, 156, 159].

В заключение выражаю благодарность моим руководителям В. И. Альшицу и Е. В. Даринской за плодотворное научное сотрудничество и оказанную всестороннюю поддержкуВ.Н. Сытину, И. Е. Лифшицу и другим сотрудникам СКБ ИК РАН, а также А. Н. Чичинову и А. И. Савенкову за помощь при создании экспериментальной установкиВ.П. Киселю и Р. Б. Моргунову за помощь при отжиге кристалловТ.Н. Турской за предоставленные кристаллы бифталата калия и помощь в их подготовке к экспериментуЕ.А. Петржик, |А.А.Урусовской[, H.A. Тяпуниной, О. В. Клявину, О. В. Позднякову, Ю. И. Головину за интерес к работе, полезные обсуждения и ценные советывсем сотрудникам лаборатории механических свойств кристаллов и ИК РАН за оказанные помощь и содействие.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Gilman J J. and Johnston W.G. The Origin and Growth of Glide Bands in Lithium Fluoride Crystals II John Wiley & Sons Inc., New York 1957 p. l 16−163.
  2. Gilman J.J. Dislocation Sourses in Crystals // Journal of Applied Physics v.30, N 10 1959 p. 1584−1594.
  3. A.A., Рожанский B.H., and Степанова B.M. Дислокационная структура, возникающая в кристаллах NaCl при деформации их сосредоточенной нагрузкой // Кристаллография v.7, N 3 1962 р.418−424.
  4. Johnston W.G. and Gilman J.J. Dislocation Velocities, Dislocation Densities, and Plastic Flow in Lithium Fluoride Crystals // Journal of Applied Physics v.30, N 2 1959 p.129−144.
  5. В.Б., Лубенец С.В., and Старцев В. И. Подвижность дислокаций в монокристаллах бромистого калия // ФТТ v.8, N 4 1966 р. 1227−1237.
  6. Тяагараджан P. and Урусовская А. А. Движение и размножение дислокаций в кристаллах йодистого цезия // ФТТ v.7, N 1 1965 р.88−93.
  7. Э.Ю., Надгорный Э.М., and Степанов А. В. Изучение движения дислокаций в кристаллах хлористого натрия // ФТТ v.5, N 4 1963 р. 1021−1026.
  8. Gilman J.J. Dislocation Mobility in Crystals // Journal of Applied Physics v.36, N 10 196 $ p.3195−3206.
  9. Gilman J.J. Dislocation Dynamics and the Response of Materials to Impact // Transactions of the Iron and Steel Institute of Japan N 8 1968 p. 117−133.
  10. Gilman J.J. Dynamical Behavior of Dislocations // Springer-Verlag New York Inc., New York 1968 p.152−175.
  11. Хирт Дж. and Лоте И. Теория дислокаций // Атомиздат, Москва 1972 р.599.
  12. . Дислокации //Мир, Москва 1967 р.644.
  13. .И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов // Наука, Ленингадское отделение, Ленингад 1981 р.236.
  14. C.B. Подвижность дислокаций при низких температурах // В кн."Физические процессы пластической деформации при низких температурах" Наукова думка, Киев 1974 р.220−252.
  15. Инденбом В.Л. and Чернов В. М. Динамические волны вдоль дислокаций, преодолевающих локальные препятствия // ФТТ v.21, N 5 1979 р. 1311−1320.
  16. В.М. Подвижность дислокаций в кристаллах с центрами закрепления//ФТТ v. 15, N4 1973 р.1159−1166.
  17. J. // Journal of Applied Physics v.33, 1962 p.2116.
  18. Альшиц В.И. and Инденбом В. Л. // Успехи физических наук v. 18, 1975 р.1.
  19. Alshits V.l. The Phonon-Dislocation Interaction and its Role in Dislocation Dragging and Thermal Resistivity // In Elastic Strain Fields and Dislocation Mobility. Elsevier Science Publishers B.V., N 11 1992 p.625−697.
  20. O.B. Физика пластичности кристаллов при гелиевых температурах // Наука, Москва 1987 р.256.
  21. О.В., Никифоров A.B., and Лихачев В. А. // Вестник ЛГУ. Математика, астрономия v.7, N 2 1978 р.75−88.
  22. В.А. // Деп.в ВИНИТИ v.5423, 1982 р. 14.
  23. A.B., Швецова В. А., Клявин О.В., and Лихачев В. А. О пробегах дислокаций в кристаллах NaCl // ФТТ v. 18, N 7 1976 р.3152−3153.
  24. В.А., Новиков P.P., Руденко О.В., and Чумак С. М. Влияние длительности переднего фронта импульса рабочей нагрузки на кинетику перемещения дислокаций в кристаллах NaCl // ФТТ v.16, N 5 1974 р. 1505−1507.
  25. В.А., Новиков P.P., and Руденко O.B. Некоторые особенности кинетики перемещения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах // В кн."Динамика дислокаций", Киев, «Наукова думка» 1975 р.190−195.
  26. Г. Н., Ниненко С.И., and Урусовская A.A. Характер движения дислокаций в KCl на различных этапах импульсного нагружения // ФТТ v.31, N 2 1989 р.242−244.
  27. Г. Н., Ниненко С.И., and Урусовская A.A. Атермическая подвижность дислокаций в KCl при низких напряжениях // ФТТ v.31, N 4 1989 р.277−278.
  28. Г. Н. Атермическое движение дислокаций в кристаллах NaCl при низких импульсных напряжениях // ФТТ v.38, N 11 1996 р.3375−3380.
  29. Ермолаев Т.Н. and Ниненко С. И. Установка для исследования динамики дислокаций в кристаллах, находящихся под давлением до 1.5ГПа // Приборы и Техника Эксперимента N 1 1985 р. 178−180.
  30. Ниненко С.И. and Ермолаев Г. Н. Установка для изучения движения дислокаций на фронте нагружающего импульса // Приборы и Техника Эксперимента N2 1992 р, 232−235.
  31. Г. Н., Ниненко С.И., and Хегай С. В. Движение дислокаций в кристаллах KCl под действием постоянных напряжений // ФТТ v.35, N 1 1993 р. 114−119.
  32. Г. Н. Подвижность дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах на различных этапах импульсного нагружения // Материаловедение N 7 1999 р.2−8.
  33. Ракова Н.К. and Предводителев A.A. Движение дислокаций и релаксация напряжений в кристаллах хлористого натрия // ФТТ v.7, N 4 1965 р.1081−1085.
  34. Предводителев A.A.* Ракова Н. К., and Чеботарева Е. С. Исследование движения дислокаций в кристаллах NaCl при ползучести // ФТТ v.8, N 6 1966 р.1834−1838.
  35. В.Б., Ландау А.И., and Старцев В. И. // ФТТ v.5, 1963 р. 1377.
  36. В.Б., Ландау А.И., and Боржковская В. М. // ФТТ v.5, 1963 р.2570.
  37. A.A., Ракова Н.К., and Нан Хун-бинь Исследование движения краевых дислокаций при низких напряжениях в кристаллах хлористого натрия И ФТТ v.9, N 1 1967 р.299−308.
  38. И.В., Предводителев A.A., and Степанова В. М. Движение отдельных дислокаций в дислокационном ансамбле // ФТТ v. 12, N 3 1970 р.767−773.
  39. Стратан И.В. and Предводителев A.A. Моделирование процесса движения дислокации в дислокационном ансамбле // ФТТ v. 12, N 6 1970 p. l729−1733.
  40. .М. О распределении внутренних напряжений при случайном расположении дислокаций // ФТТ v.9, N 3 1967 р.805−812.
  41. Франкевич E.JI. and Балабанов Е. И. Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле // Письма в ЖЭТФ v. l, N 6 1965 р.33−37.
  42. Франкевич Е.Л. and Балабанов Е. И. // ФТТ v.8, 1966 р.855.
  43. М.С., Гуль В.Е., and Слонимский Г. Л. Научные поблемы переработки полимеров // Научные проблемы переработки полимеров. Журнал ВХО им. Д. И. Менделеева v.21, N 2 1976 р.486−506.
  44. Соколик И.А. and Франкевич E.JI. Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах // Успехи физических наук v. l 11, N 2 1953 р.261−288.
  45. Л.Н., Юшка Г., Арласкаус К., and Гутенев М. С. О влиянии магнитного поля на свойства жидкого и стеклообразного селена // Физика и химия стекла v.9, N 6 1983 р.748−751.
  46. Е.Л. О возможности механизма влияния магнитного поля на свойства диамагнитных тведых тел, кристаллизующихся из расплава // Журнал Теоретической и Экспериментальной Химии v. 14, N 5 1977 р.670−693.
  47. Е.Л. О природе нового эффекта изменения фотопроводимости органических полупроводников в магнитном поле // ЖЭТФ v.50, N 5 1966 р.1226−1234.
  48. С.А., Вихров С. П., Ампилогов В.Н., and Чечеткина Е. А. Влияние слабого магнитного поля на электрическое переключение вхальклгенидных стеклообразных полупроводниках // Письма в Журнал Технической Физики v. 11, N 20 20−10−1985 р. 1267−1271.
  49. С.Д. Влияние магнитных полей на стеклование халькогенидных расплавов // Физика и химия стекла v.12, N 4 1986 р.483−485.
  50. Street R.A. Recombination in a-Si:H: Spin-dependent effect // Physical Review В v.26, N 7 1−10−1982 p.3588−3605.
  51. Depinna S.P., Cavenett B.C., Austin I.G., and Searle T.M. On the role of the dangling bond as a radiative centre in a-Si:H // Solid State Communication v.41, N 3 1982 p.263−267.
  52. B.M., Дистлер Г. И., Смирнов A.E., and Герасимов Ю. М. Исследование влияния импульсного магнитного поля на аствоимость кисталлов NaCl // Известия РАН. Серия физическая v.48, N 12 1984 р.2408−2413.
  53. Франкевич E.JI. and Балабанов Е. И. Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле // Письма в ЖЭТФ v. 1, N 6 1965 р.33−37.
  54. Е.Л. О природе нового эффекта изменения фотопроводимости органических полупроводников в магнитном поле // ЖЭТФ v.50, N 5 1966 р. 1226−1234.
  55. Johnson R.C., Merrifield R.E., Alshits V.I., and Flippen R.B. Effects of magnetic fields on the mutual annihilation of triplet excitons in molecular crystals // Physical Review Letters v. 19, N 6 1967 p.285−287.
  56. А.Л. Химическая поляризация электронов и ядер // Наука, Москва 1974.
  57. Р.З., Салихов К. М., Лешина Т. В., Камха М. А., Шейн С.М., and Молин Ю. Н. // Письма в ЖЭТФ v.16 1972 р.599.
  58. А.Л., Галимов Е. М., Ершов В. В., Никифоров Г.А., and Першин А. Д. // Доклады Академии Наук СССР v.228, N? 1976 р.379-?
  59. Sagdeev R., Leshina Т., Kamkha М., and Molin Yu. // Chemical Physics Letters v.48 1977 p.89.
  60. Я.Б., Бучаченко A.JL, and Франкевич E.JI. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике // Успехи физических наук v. 155, N 1 1988 р.3−45.
  61. А.Д., Сагдеев Р.З., and Салихов К. М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. // Новосибирск, Наука 1978 р.497.
  62. Бучаченко A. J1. Магнитные взаимодействия в химических реакциях // В кн. Физическая химия. Современные проблемы. Химия, Москва N 1 1980 р.7−48.
  63. Brocklehurst В. Formation of Exited States by Recombining Organic ions, 1969, v.221, p.921−923 // Nature v.221 1969 p.921−923.
  64. Kaptein R. and Oosterhoff J.L. Chemically induced dynamic nuclear polarization. II. (Relation with anomalous ESR spectra) // Chemical Physics Letters v.4, 1969 p. 195−197.
  65. Kaptein R. and Oosterhoff J.L. Chemically induced dynamic nuclear polarization. III. (Anomalous multiplets of radical coupling and disproportionation products) // Chemical Physics Letters v.4 1969 p.214−216.
  66. H.B. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей на движение дислокаций в хлористом натрии // Кристаллография v.10, N 1 1965 р.81−86.
  67. Косевич A.M. and Шкловский В. А. Дислокационная модель ферромагнетизма в немагнитных кристаллах // ЖЭТФ v.55, N 3(9) 1968 р.1131−1141.
  68. Р.Х. Влияние магнитного поля на прочность твердых тел, содержащих парамагнитные центры // ФТТ v.26, N 9 1984 р.2804−2807.
  69. Sharp E.J. and Avery D.A. Magnetic Polarizations at Dislocations in Alkali Halides // Physucal Review В v. 158, N 2 1967 p.511−514.
  70. Galligan J.M., Lin Т.Н., and Pang C.S. Electron-dislocation interaction in copper // Physical Review Letters v.38, N 8 1977 p.405−407.
  71. Galligan J.M. and Pang C.S. The electron drag on mobile dislocations in copper and aluminimum at low temperatures. Strain rate, temperature and field dependence // Journal Applied Physics v.50, N 10 1979 p.6253−6256.
  72. Большуткин Д.Н. and Денисенко B.A. Об изменении деформирующих напряжений нормальных металлов при наложении и снятии магнитного поля // Физика Низких Температур v.7, N 10 1981 р.652−657.
  73. Лебедев В.П. and Крыловский B.C. Электронное торможение дислокаций в алюминии в магнитном поле // ФТТ v.27, N 5 1985 р. 1285−1290.
  74. Лебедев В.П. and Крыловский B.C. Электронное торможение дислокаций в тонкой пластине алюминия во внешнем магнитном поле // ФТТ v.32, N 2 1990 р.544−547.
  75. В.А., Перетурина И.А., and Печеркина И. Л. Влияние постоянного магнитного поля на механические свойства и дислокационную структуру ниобия и молибдена // Физика Металлов и Металловедение v.47, N 1 1979 р. 171 179.
  76. Н.И., Зилпмиани Д. О., Манджгаладзе П.В., and Похотелов O.A. Влияние магнитного поля на процессы разрушения монокристаллов LiF // ФТТ v.28, N 3 1986 р.708−712.
  77. H.H., Зилпмиани Д. О., Манджгаладзе П.В., and Похотелов O.A. Упрочнение монокристаллов LiF в постоянном магнитном поле // ФТТ v.30, N 7 1988 р.2209−2211.
  78. П.Ф., Гершензон Н. И., Зилпмиани Д. О., Манджгаладзе П. В., Похотелов O.A., Сгринья В., and Челидзе З. Т. Влияние магнитного поля на механические свойства ионных кристаллов в процессе их деформирования // ФТТ v.32, N 8 1990 р.2328−2331.
  79. Г. И., Каневский В. М., Москвин В. В., Постников С. Н., Рябинин Л. А., Сидоров В.П., and Шнырев Г. Д. О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел // Доклады Академии Наук СССР v.268, N 3 1983 р.591−593.
  80. В.И., Даринская Е. В., Перекалина Т.М., and Урусовская A.A. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // ФТТ v.29, N 2 1987 р.467−471.
  81. В.И., Даринская Е.В., and Петржик Е. А. Микропластичность диамагнитных кристаллов в постоянном магнитном поле // Известия вузов. Черная металлургия v. 10, N 0 1990 р.85−87.
  82. В.И., Даринская Е.В., and Петржик Е. А. «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления//ФТТ v.33,N 10 1991 р.3001−3010.
  83. В.И., Воска Р., Даринская Е.В., and Петржик Е. А. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и Al в переменном магнитном поле // ФТТ v.35, N 1 1993 р.70−72.
  84. В.И., Даринская Е.В., and Петржик Е. А. Магнитопластический эффект в кристаллах Csl и LiF // ФТТ v.35, N 2 1993 р.320−322.
  85. В.И., Даринская Е. В., Гектина И.В., and Лаврентьев Ф. Ф. Исследование магнитопластического эффекта в монокристаллах цинка // Кристаллография v.35, N 4 1990 р. 1014−1016.
  86. В.И., Даринская Е.В., and Петржик Е. А. Магнитопластический эффект в кристаллах алюминия // ФТТ v. 34, N 1 1992 р. 155−158.
  87. Е.В., Петржик Е. А., Ерофеева С.А., and Кисель В. П. Магнитопластический эффект в InSb // Письма в ЖЭТФ v.70, N 4 1999 р.298−302.
  88. Ю.И., Моргунов Р.Б., and Жуликов С. Е. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля // Известия РАН. Серия физическая v.61, N 5 1997 р.965−971.
  89. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е., Киперман В.А., and Лопатин Д. А. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // ФТТ v.39, N 4 1997 р.634−639.
  90. В.И., Даринская Е. В., Казакова О. Д., Михина Е.Ю., and Петржик Е. А. Магнитопластический эффект: релаксация дислокационной структуры в немагнитных кристаллах под действием магнитного поля И Известия РАН. Серия физическая v.57, N 11 1993 р.2−11.
  91. Alshits V.I., Darinskaya E.Y., and Petrzhik Е.А. Effects of magnetic fields on the dislocation unlocing from paramagnetic centers in non-magnetic crystals // Materials Science and Engineering v. A, N 164 1993 p.322−326.
  92. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Kazakova O.L., Mikhina E.Yu., and Petrzhik E.A. Magnetoplastic effect in non-magnetic crystals and internal friction // Journal of Alloys and Compaunds v.211, N /212 1994 p.548−553.
  93. В.И., Даринская E.B., and Казакова О. Л. Влияние рентгеновского облучения на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl // Письма в ЖЭТФ v.62, N 4 1995 р.352−357.
  94. В.И., Даринская Е. В., Казакова O.JL, Михина Е. Ю., and Петржик Е. А. Магнитопластический эффект и спин-решеточная релаксация в системе дислокация парамагнитный примесный центр // Письма в ЖЭТФ v.63, N 8 1996 р.628−633.
  95. Alshits V.I., Darinskaya E.V., Kazakova O.L., Mikhina E.Yu., and Petrzhik E.A. Magnetoplastic effect in nonmagnetic crystals // Materials Science and Engineering v. A, N 234−236 1997 p.617−620.
  96. В.И., Даринская E.B., and Казакова O. JL Влияние концентрации примеси Са на магнитный порог магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // ФТТ v.40, N 1 1998 р.81−84.
  97. Алылиц В.И. and Даринская Е. В. Магнитопластический эффект в кристаллах LiF и продольная релаксация спинов // Письма в ЖЭТФ v.70, N 11 1999 р.749−753.
  98. Ю.И., Казакова О.Л., and Моргунов Р. Б. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле // ФТТ v.35, N 5 1993 р.1384−1386.
  99. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl /У ФТТ v.37, N 5 1995 р.1352−1361.
  100. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl // Письма в ЖЭТФ v.58, N 3 1993 р. 189−192.
  101. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. Магнитная память монокристаллов NaCl с дислокациями // ФТТ v.35, N 9 1993 р.2582−2585.
  102. В.И., Даринская Е. В., Михина Е.Ю., and Петржик Е. А. О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl // ФТТ v. 35, N5 1993 р.1397−1399.
  103. В.И., Даринская Е. В., Михина Е.Ю., and Петржик Е. А. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле // ФТТ v.3 8, N 8 1996 р.2426−2430.
  104. Stepanov А. V. Uber den Mechanismus der plastischen Deformation I // Zs.Phys. v.81,N 7−8 1933 p.560−564.
  105. В.И., Даринская E.B., and Казакова О. Л. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах NaCl и LiF // ЖЭТФ v. Ill, N 2 1997 р.615−626.
  106. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов // Доклады Академии Наук СССР v.354, N 5 1997 р.632−634.
  107. Головин Ю.И. and Тютюнник A.B. Влияние переменного электрического поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl // Кристаллография v.41,N6 1996 р.1077−1081.
  108. Ю.И., Моргунов Р.Б., and Иванов В. Е. Дислокационная электрическая поляризация КС1: Са в постоянном магнитном поле // Вестник Тамбовского Государственного Университета v.2, N 3 1997 р.268−271.
  109. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние неравновесных дефектов и пластичность ионных кристаллов // Вестник Тамбовского Государственного Университета v.2, N 3 1997 р.243−253.
  110. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов // ЖЭТФ v. l 15, N 2 1999 р.605−623.
  111. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах // Известия РАН. Серия физическая v.61, N 5 1997 р.850−859.
  112. Ю.И., Моргунов Р.Б., and Жуликов С. Е. Влияние постоянного магнитного поля на преодоление дислокациями короткодействующих препятствий в монокристаллах LiF // ФТТ v.39, N 3 1997 р.459−460.
  113. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. Магниточувствительные реакции в ионных кристаллах в процессе их пластического деформирования // Известия РАН. Серия химическая v. N, N 4 1997 р.739−743.
  114. Ю.И., Моргунов Р. Б., Бадылевич М.В., and Шмурак С. З. Оптическое гашение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl // ФТТ v.39, N 8 1997 р.1389−1391.
  115. Ю.И., Моргунов Р. Б., Дмитриевский A.A., and Шмурак С. З. Влияние света на магнитостимулированную релаксацию внутренних напряжений в ионных кристаллах // Известия РАН. Серия физическая v.62, N 7 1998 р.1296−1302.
  116. Ю.А., Петренко В. Ф., Шихсаидов М. Ш. // Письма в ЖЭТФ, v.20 1974 р. 363.
  117. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Жуликов С.Е., and Дмитриевский A.A. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl // Письма в ЖЭТФ v.68, N 5 1998 р.400−405.
  118. В.И., Даринская Е. В., Легеньков М.А., and Морозов В. А. Движение дислокаций в кристаллах NaCl при комбинированном воздействии механических и электромагнитных импульсов, создаваемых электронным пучком // ФТТ v.41, N 11 1999 р.2004−2006.
  119. Моргунов Р.Б. and Баскаков A.A. Магниточувствительные промежуточные состояния комплексов точечных дефектов, возникающие после закаливания монокристаллов NaCl: Eu // ФТТ v.43, N 9 2001 р. 1632−1633.
  120. Molotskii М. and Fleurov V. Influence of static and alternative magnetic fields on plastisity of crystals // Phil.Mag.Letters v.73, N 1 1996 p. l 1−13.
  121. М.И. Отрицательный магнитопластический эффект // ФТТ v.35, N 1 1993 p. l 1−14.
  122. Э.П., Светашов A.A., and Красников В. Л. Влияние магнитного поля на амплитудную зависимости внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов // Известия РАН. Серия физическая v.61, N 2 1997 р.291−297.
  123. A.A., Красников В.Л., and Белозерова Э. П. Особенности размножения дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах при совместном действии магнитного и ультразвукового полей // Кристаллография v.42, N 3 1997 р.493−498.
  124. H.A., Красников В.Л., and Белозерова Э. П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов KCl // Вестник Тамбовского Государственного Университета v.3, N 3 2002 р.216−218.
  125. H.A., Красников B.JI., and Белозерова Э. П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства щелочно-галоидных кристаллов // Известия РАН. Серия физическая v.64, N 9 2000 р. 1776−1780.
  126. H.A., Красников В.Л., and Белозерова Э. П. Влияние магнитного поля на неупругие свойства кристаллов LiF // ФТТ v.41, N 6 1999 р. 1035−1040.
  127. О.И. Дислокационное внутреннее трение материала с вакансиями в импульсах слабого магнитного поля И ФТТ v.44, N 2 2002 р.289−290.
  128. A.A., Смирнов А.Е., and Беккауер H.H. Макроскопический магнитопластический эффект в кристаллах NaCl и LiF // Известия РАН. Серия физическая v.61, N 5 1997 р.937−940.
  129. A.A., Алыпиц В. И., Смирнов А.Е., and Беккауер H.H. О влиянии магнитного поля на предел текучести и кинетику макропластичности кристаллов LiF // Письма в ЖЭТФ v.65, N 6 1997 р.470−474.
  130. В.И., Урусовская A.A., Смирнов А.Е., and Беккауер H.H. Деформация кристаллов LiF в постоянном магнитном поле // ФТТ v.42, N 2 2000 р.270−273.
  131. Alshits V.l., Bekkauer N.N., Smirnov А.Е., and Urusovskaya A.A. Effect a magnetic field on the yield point of NaCl crystals // Journal of Experimental and Theorerical Physics v.88, N 3 1999 p.523−526.
  132. A.A., Алыпиц В. И., Смирнов A.E., and Беккауер H.H. Деформация щелочно-галоидных кристаллов в магнитном поле // Известия РАН. Серия физическая v.64, N 9 2000 р. 1781−1785.
  133. A.A., Дльшиц В. И., Беккауер H.H., and Смирнов А. Е. Деформация кристаллов NaCl в условиях совместного действия магнитного и электрического полей // ФТТ v.42, N 2 2000 р.267−269.
  134. Ю.И., Моргунов Р.Б., and Иванов В. Е. Термодинамические и кинетические аспекты разупрочнения ионных кристаллов импульсным магнитным полем//ФТТ v.39, N 11 1997 р.2016−2018.
  135. Головин Ю.И. and Моргунов Р. Б. Новый тип магнитопластических эффектов в линейных аморфных полимерах // ФТТ v.43, N 5 2001 р.827−832.
  136. .И., Песчанская H.H., and Николаев В. И. Магнитопластический эффект в сегнетоэлектрических кристаллах NaN02 // ФТТ v.43, N 12 2001 р.31−33.
  137. Смирнов А.Е. and Урусовская A.A. Влияние предварительной магнитной обработки на микротвердость кристаллов LiF: Ni // ФТТ v.29, N 3 1987 р.852−854.
  138. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Lopatin D.Y., and Baskakov A.A. Influence of a Strong Magnetic Field Pulse on NaCl Crystal Microhardness // Physic State Solidy v. a, N 160 1997 p. R3-R4.
  139. Ю.И., Моргунов Р.Б., and Ликсутин С. Ю. Изменение микротвердости полиметилметакрилата, вызванное импульсом магнитного поля 30 Т // Вестник Тамбовского Государственного Университета v.2, N 3 1997 р.283−285.
  140. A.A., Орлов A.M., Фролов В. А., Гончар Л.И., and Литвиненко О. В. Влияние магнитного поля на акустическую эмиссию в дислокационном кремнии при токовых воздействиях // ФТТ v.42, N 10 2000 рЛ 814−1817.
  141. В.А., Стебленко Л. П., Горидько Н. Я., Кравченко В.М., and Коломиец А. Н. О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния // ФТТ v.43, N 3 2001 р.462−465.
  142. Пинчук А.И. and Шаврей С. Д. Влияние постоянного магнитного поля и импульсного электрического така на среднюю линейную плотность двойникующих дислокаций//ФТТ v.43,N 8 2001 р.1416−1417.
  143. М.В. Колдаева, Е. В. Даринская, В. Н. Сытин Установка для одноосного сжатия в магнитном поле // Приборы и техника эксперимента, № 3, 1998, 151 154.
  144. М.В., Даринская Е. В., Альшиц В. И. Влияние формы импульса одноосного сжатия на подвижность дислокаций в кристаллах NaCl в постоянном магнитном поле"// Вестник Тамбовского Университета, т. З, в. З, 1998, с.247−249.
  145. В.И., Даринская Е. В., Казакова O.JI., Колдаева М. В., Михина Е. Ю., Петржик Е. А. Магнитостимулированная подвижность в немагнитных кристаллах // Материаловедение N12, 1999, 2−8.
  146. V.I.Alshits, E.V.Darinskaya, O.L.Kazakova, M.V.Koldaeva, T.Yu.Mikhina, E.A.Petrzhik. Magnetoinduced microplasticity of non-magnetic crystals// World Scientific', Singapore, New Jersey, London, Hong Kong, 1999, p.14−27.
  147. M.B., Даринская E.B., Альшиц В. И. Релаксация дислокационной структуры в кристаллах NaCl при совместном действии магнитного поля и механической нагрузки.// Конденсированные среды и межфазные границы. 2000. Т.2, № 3. С.229−232.
  148. В.И., Даринская Е. В., Колдаева М. В. Особенности дислокационной динамики при импульсном нагружении кристаллов NaCl // ФТТ, т.43, в.9, 2001, с.1635−1642.
  149. V.I.Alshits, V.L.Indenbom. Mechanisms of dislocation drag. In: «Dislocations in Crystals», Ed. F.R.N.Nabarro, North-Holland, Amsterdam, (1986), V.7, p.p.43−111.
  150. E.B.Даринская, А. А. Урусовская, В. И. Алыпиц, Ю. И. Мещеряков, В. А. Алехин, Р.Воска. ФТТ 25, 12, 3636 (1983).
  151. С.Й.Лубенец, В. И. Старцев. ФТТ 10,22 (1968).
  152. Г. А.Ермаков, Э. М. Надгорный. ФТТ 13, 513 (1971).147
  153. Э.М.Надгорный. В сб. «Несовершенства кристаллического строения и мартенситные превращения», «Наука», М., 1972, С. 151.
  154. Е.В., Колдаева М. В. Магнитостимулированное упрочнение кристаллов NaCl (Rb) // Письма в ЖЭТФ, т.70, в. З, 1999, с. 226−228.
  155. Ю. А. Осипьян, И. Б. Савченко, Письма в ЖЭТФ v.7, 1968 р. 130.
  156. Ю.А. Осипьян, М. Ш. Шахсаидов, ФТТ v. 15, 1973р.3711.
  157. М.В. Влияние постоянного магнитного поля на микротвердость кристаллов бифталата калия // В сб. тезисов докладов 1-ой Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению, Издательский дом «Манускрипт», Калуга, 2001, с.39−40.
  158. Okaya Y. The Crystal Structure of Potassium Acid Phthalate, КСбн4соон. соо // Acta Cryst. v. 19, 1965 p.879−882.
  159. Л.М., Беликова Г. С., Гильварр А.Б., and Сильверстова И. М. Выращивание кристаллов бифталата калия и их оптические, пьезоэлектрические и упругие свойства // Кристаллография v. 14, N 4 1969 р.645−651.
  160. Г. С., Гринева Ю. И., Корнеев В. В. и др. Аппаратура и методы рентгеновского анализа//Наука, Ленинград 1983 т.34, с. 171.
  161. В.И., Бирковский A.A., Регель В. Р., Сизова Н. Л., Беликова Г.С., and Турская Т. Н. Особенности сбросообразования в кристаллах бифталата калия, деформированных сжатием // ФТТ v.31, N 10 1989 р. 125−128.
  162. В.Р., Сизова Н. Л., Жданова В. В. // Кристаллография v.39, N 6 1994 р.1097.
  163. В.Р., Сизова Н.Л., and Турская Т. Н. Исследование релаксации механических напряжений в органических кристаллах бифталата калия и ортосульфабензоата цезия // Кристаллография v.41, N 5 1996 р.918−923.
  164. В.Р., Сизова H.JL, Беликова Г. С., and Турская Т. Н. Механические свойства органических монокристаллов гидрофталатов щелочных металлов и аммония // Кристаллография v.46, N 5 2001 р.894−899.
  165. Ю.С. Деформирование кристаллов пи испытаниях на микротвердость//"Штиинца" Кишинев 1972р.235.
  166. Мотт Н. and Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах // ИИЛ, Москва 1950.
  167. Лущик Ч.Б. and Лущик А. Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах // Наука, Москва 1989.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!