Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация

Диссертация: Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящее время существует большой научный и практический интерес к карбиду кремния, как к материалу высокотемпературной электроники с повышенной радиационной стойкостью. Этот интерес связан со структурными особенностями, электрофизическими параметрами и возможностью использования промышленной кремниевой технологии при выращивании гетерострук-тур карбида кремния на подложках кремния. Достижения… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА И ЛЕГИРОВАНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР 81С/
    • 1. 1. Способы получения гетероструктур кубического карбида кремния на кремнии СШ — методом эпи- и эндотаксии
    • 1. 2. Моделирование процессов роста и легирования полупроводниковых гетероструктур карбида кремния на кремнии
      • 1. 2. 1. Основные легирующие примеси кубического карбида кремния
      • 1. 2. 2. Обзор основных моделей, описывающих процессы роста и легирования полупроводниковых структур
      • 1. 2. 3. Моделирование совместной диффузии ионизованных примесей в полупроводниках с учетом внутреннего электрического поля
  • Выводы
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР ЗС-8Ю
    • 2. 1. Постановка задачи, выбор объектов и методов исследования
    • 2. 2. Диффузионная технология создания гетероструктур ЗС-81С/ с использованием твердофазного кремния и углерода
    • 2. 3. Морфолого-геометрический и структурно-фазовый анализ 48 2.3.1. Ионно-лучевая технология исследования поверхностей и фазовый анализ структур ЗС-81С/
      • 2. 3. 2. Рентгеноструктурный анализ структур ЗС-81С/
      • 2. 3. 3. Электронографические исследования пленок ЗС-81С/
      • 2. 3. 4. Морфология поверхности гетероструктур ЗС-81С/
      • 2. 3. 5. Исследование структур ЗС-81С/81 методом отражательной ИК-Фурье спектроскопии
      • 2. 3. 6. Эллипсометрия пленок ЗС-81С/
      • 2. 3. 7. Исследование распределения примеси в гетероструктурах 3C-SiC/Si методом Оже-электронной спектроскопии
    • 2. 4. Анализ электрофизических свойств
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОВРЕМЕННОЙ ДИФФУЗИИ СОБСТВЕННОЙ И ПОСТОРОННИХ ПРИМЕСЕЙ ДЛЯ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИИ ГЕТЕРОЭНДОТАКСИИ 3C-SiC/S
    • 3. 1. Система диффузионных уравнений описывающих задачу
    • 3. 2. Математические преобразования системы уравнений для численного моделирования одновременной диффузии взаимодействующих примесей в полупроводниковой структуре SiC/S
    • 3. 3. Анализ полученных результатов
    • 3. 4. Сопоставление результатов экспериментальных исследований с теоретической моделью
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SiC/S
    • 4. 1. Методика изготовления образцов
    • 4. 2. Термометрические и тензометрические характеристики чувствительных элементов на основе гетероструктур ЗС—SiC/S
  • Выводы
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
  • Приложение 1
  • Приложение 2
  • Приложение

Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В последние годы постоянно совершенствуется технология формирования полупроводниковых структур и приборов, полученных на их основе [1]. Развитие происходит, в том числе и за счет моделирования физических явлений протекающих при проведении технологических процессов, что позволяет управлять свойствами получаемых полупроводниковых материалов. При проведении технологических операций в полупроводниковых материалах почти всегда неизбежно происходит диффузия и перераспределение примесей, и математическое моделирование диффузионных процессов является одним из эффективных методов оптимизации технологии получаемых материалов и приборов.

В настоящее время существует большой научный и практический интерес к карбиду кремния, как к материалу высокотемпературной электроники с повышенной радиационной стойкостью. Этот интерес связан со структурными особенностями, электрофизическими параметрами и возможностью использования промышленной кремниевой технологии при выращивании гетерострук-тур карбида кремния на подложках кремния [2,3,4]. Достижения в технологии роста кубического карбида кремния на кремнии делают эту структуру перспективной для создания приборов с гомои гетеропереходом [5−8].

Одним из наиболее перспективных методов получения карбида кремния считается его эпитаксия на подложках кремния [9]. Для CVD (chemical vapor deposition) процессов эпитаксии существуют развитые производственные технологии. Однако в данном методе слои карбида кремния, растущие непосредственно на кремнии, содержат большое количество дефектов, обусловленных несоответствием в параметрах кристаллических решеток и коэффициентах теплового расширения. Поэтому в настоящее времяведутся интенсивные исследования по созданию буферного слоя, который существенно уменьшил бы дефектность пленок карбида кремния. Одним из вариантов технического решения этой проблемы является использование процесса эндотаксии [102] при получении гетероструктур 81С/81 [9]. Интересной проблемой метода эндотаксии является исследование механизмов выращивания и одновременного легирования гетероструктур ЗС-81С/81 примесями с учетом внутреннего электрического поля. Для управления указанными процессами важную роль играет математическое моделирование, которое позволяет оптимизировать технологию.

Теоретическому исследованию влияния внутреннего электрического поля на одновременную диффузию донорной и акцепторной примесей в полупроводниках посвящено значительное количество работ [82—87]. Их анализ показывает, что модель внутреннего электрического поля активно используется для объяснения экспериментально наблюдаемых особенностей диффузии [92−97], однако математический анализ данных процессов выполняется, как правило, недостаточно полно. Подобные задачи решаются обычно только для некоторых частных случаев, например, часто рассматривается задача легирования полупроводниковой структуры двумя примесями, см. работу [98].

В большинстве работ при расчете диффузионного легирования на основе численных методов учитывались особенности физического механизма формирования тонких пленок. Эти особенности необходимо анализировать в каждом конкретном случае отдельно. В свою очередь, процесс эндотаксии. недостаточно изучен, как с позиции анализа диффузионных процессов, протекающих в процессе роста и легирования гетероструктур карбида кремния на кремнии, так и с позиции их комплексного анализа.

Таким образом, моделирование диффузионных процессов для случая эндотаксии, т. е. учет диффузионного преобразования 8ьфазы в 8Ю-фазу при одновременном легировании модифицирующими примесями разного типа проводимости, а также практическая реализация результатов моделирования в процессе получения гетероструктур ЗС-81С/81, работающих в области высоких температур, является актуальной задачей.

Целью работы оптимизация технологии получения тонкопленочных структур кубического карбида кремния на кремнии, исследование свойств гете-роструктур ЗС-81С/81, полученных методом эндотаксии, построение диффузионной модели легирования и создание чувствительных элементов с целью применения их для создания бифункциональных датчиков температура-деформация.

В соответствии с поставленной целью определены основные задачи исследования:

1. Получить пленки карбида кремния на кремнии методом эндотаксии и провести их морфолого-геометрический и структурно-фазовый анализ;

2. Экспериментально исследовать электрофизические свойства гетеропереходов ЗС-п^С/р-Б!, ЗС-р-81С/п-81;

3. Исследовать влияние совместной диффузии ионизованных примесей на процесс формирования гетероструктур ЗОБЮ/Б! методом эндотаксии и определить глубины залегания ^-«-перехода;

4. Разработать технологию создания чувствительных элементов, изготовить образцы на основе гетероструктур ЗС—81С/81 и провести электрофизические, термометрические и тензометрические исследования образцов.

Научная новизна работы.

1. В представленной работе проведен комплексный анализ свойств гетероструктур ЗС-81С/81, полученных методом эндотаксии, показавший, что пленки толщиной от 1,8 до 2,6 мкм монокристаллические, принадлежат кубическому карбиду кремния и имеют совершенную морфологию поверхности, объемный состав пленок ЗС-БЮ близок к стехиометрическому значению;

2. Составлена система дифференциальных уравнений, описывающих диффузионное легирование гетероструктур ЗС-81С/81 примесями с учетом внутреннего электрического поля, для численного решения которой разработана оригинальная программа, позволяющая получать решение в виде распределения концентраций легирующих примесей фосфора, бора, галлия, напряженности внутреннего электрического поля, электронов и дырок по структуре ЗС-81С/81 и глубины залегания /^-//-перехода;

3. Проведено сравнение экспериментальных значений глубины залегания р-п-перехода в гетероструктуре ЗС-81С, составивших 0,98 — 1,28 мкм (±0,15 мкм), и теоретически рассчитанных по диффузионной модели эн-дотаксии с учетом внутреннего электрического поля, 0,87 — 1,5 мкм. Установлено согласование теоретических и экспериментальных результатов;

4. Отработаны и оптимизированы основные режимы технологии изготовления чувствительного элемента бифункционального датчика температура-деформация, обладающего высокотемпературной стабильностью в области повышенных температур до 350 °C;

5. Исследован продольный коэффициент тензочувствительности, достигающий максимального значения 50 при комнатной температуре, показано, что сжимающие деформации приводят к уменьшению сопротивления, а деформация исследуемых образцов не выходит за пределы области упругих деформаций до 8 = 2,5-Ю-4 при указанных толщинах пленкикоэффициент тензочувствительности при уровне легирования карбида.

17 —3 кремния 10 см зависит от температуры, т.к. область объемного пространственного заряда смещена в область кремния.

Практическая значимость работы. Полученные данные о параметрах и свойствах гетероструктур ЗС-81С/81 могут использоваться как при разработке чувствительных элементов бифункциональногодатчика температура-деформация (работающего в условиях экстремальных температур до 350°С), так и при разработке высокотемпературных, радиационно-устойчивых преобразователей физических величин различного назначения.

Результаты моделирования диффузионных процессов могут служить основой для подбора и прогнозирования оптимальных технологических режимов проведения процесса легирования, что позволит получить структуру ЗС-81С/81 с необходимыми параметрами.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментального анализа свойств гетероструктур ЗО-БЮ/Б^ полученных методом эндотаксии.

2. Модель выращивания гетерструктур ЗС-БЮ/Б! методом эндотаксии при одновременном легировании данных структур примесями с учетом внутреннего электрического поля.

3. Результаты исследования тензометрической и термометрической составляющих чувствительного элемента бифункционального датчика температура-деформация.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были представлены на: Международной научно-практической конференции (Кемерово, 2007), VII Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро-и нанотехнологии» (Кисловодск-Ставрополь, 2007), IX Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2007), X Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП—10)» (Кемерово, 2007), Международной молодежной научной конференции XXXIV Гагаринские чтения (Москва, 2008), Харьковской нанотехнологической ассамблее-2008 «Нанотехнологии» (Харьков, 2008), выездном заседании X международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2008), XX Совещания по использованию рассеяния нейтронов в исследованиях конденсированного состояния (РНИКС-2008) (Гатчина, ПИЯФ, 2008), Десятой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2008) XI международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2009), Методологической школе-конференции «Математическая физика и нанотехнологии» (Самара, 2009).

В рамках выполнения НИР опубликован отчет (работа депонирована ВИНИТИ) Чепурнов В. И., Кузнецов К. В., Комов А. Н., Сивакова К. П. Разработка нового способа получения гетероструктур для приборов высокотемпературной электроники — 219 е., per. номер 0120.0 504 253 от 30.04.2008.

Предложенные в работе методы исследования, алгоритмы и технологии были использованы при разработке топологии и условий оптимизированного построения бифункционального датчика температура-деформация, способного функционировать до 350 °C в рамках НИР «Исследование путей создания компонентов многофункциональных цифровых датчиков на основе карбида кремния» по линии Министерства обороны РФ.

Публикации. По теме диссертационной работы опубликована 19 печатных работ, в том числе 4 статьи (2 из них входящих в Перечень периодических научных и научно-технических изданий, в которых рекомендуется публикация основных результатов диссертации на соискание ученой степени кандидата наук), 6 статей в сборниках трудов Международных и Всероссийских научных конференций, 7 докладов на научно-технических конференциях, 2 научно-технических отчета по НИР.

Объем и структура работы. Диссертация изложена на 135 с. печатного текста. Она состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 158 наименований, Общий объем работы составляет 155 с. (в том числе 60 рисунков, 4 таблицы).

Выводы.

1. Отработаны и оптимизированы основные режимы формирования топологии чувствительного элемента датчика, омических высокотемпературных контактов к функциональным компонентам структуры чувствительного элемента датчика температура-деформация, а также термокомпрессии выводов к контактным площадкам.

2. Исследован продольный коэффициент тензочувствительности, достигающий максимального значения 50 при комнатной температуре. Показано, что сжимающие деформации приводят к уменьшению сопротивления, а деформация исследуемых образцов не выходит за пределы области упругих деформаций до е = 2,5-Ю-4 при указанных толщинах пленки, температурный коэффициент сопротивления составил otRcp = 5,6−10″ 3 1/°С.

3. Для гетероструктур p-SiC/n-Si на подложке КЭФ-4,5 (111) температурный коэффициент напряжения при рабочем токе 1,5 мА составляclV ет — = 6,7 мВ/град. Преобразователь температуры обладает высокотем-dT пературной стабильностью, работает в области повышенных температур до 350 °C.

4. Выполненные испытания раздельных компонентов чувствительного элемента бифункционального датчика температура-деформация показали, что характер изменения тензои термометрической констант датчика не имеет особенностей и описываются классическими выражениями. Коэффициент тензочувствительности при уровне легирования карбида.

17 —1 кремния 10 см зависит от температуры, т.к. область объемного пространственного заряда смещена в область кремния, поэтому для исследований следует использовать структуры n-p—J3—SiC/p—Si (100), p-n-P-SiC/n-Si (111).

Заключение

.

1. Методом эндотаксии получены структуры кубического карбида кремния на кремнии следующих типов: п-81(Р)/п-81С (Р)/р-81С (В), р-81(В)/р-8Ю (В)/п-8Ю (Р) и п-8КР)/п-81С (Р)/р-8'1С (Оа), где легирующие примеси Р — фосфор, В — бор, Оа — галлий.

2. Проведены исследования атомно-кристаллической, морфологической структуры и количественного состава пленок карбида кремния методами ионно-лучевой технологии травления, рентгеноструктурного анализа, электронографии, атомносиловой и растровой микроскопии, ИК-Фурье спектроскопии, эллипсометрии, Оже—электронной спектроскопии показавшие, что пленки толщиной от 1,8 до 2,6 мкм принадлежат кубическому карбиду кремния, имеют совершенную морфологию поверхности, объемный состав пленок ЗС-8Ю близок к стехиометри-ческому значению.

3. Исследованы электрофизические свойства структур кубического карбида кремния на кремнии. Показано наличие в структуре ЗС-8Ю/81 резкого р-я-перехода, что достаточно для создания чувствительных элементов бифункционального датчика температура-деформация.

4. Составлена система дифференциальных уравнений, описывающих диффузионное легирование гетероструктур ЗС-8Ю/81 примесями с учетом внутреннего электрического поля, для численного решения которой разработана оригинальная программа, позволяющая получать решение в виде распределения концентраций легирующих примесей фосфора, бора, галлия, напряженности внутреннего электрического поля, электронов и дырок по структуре ЗС-81С/81 и глубины залегания р-и-перехода.

5. Приведены в сравнение экспериментальные значения глубины залегания р-я-перехода в гетероструктуре ЗС-8Ю, составившие.

0,98 — 1,28 мкм (± 0,15 мкм), и теоретически рассчитанные по диффузионной модели эндотаксии с учетом внутреннего электрического поля, 0,87 — 1,5 мкм, что говорит о согласовании теоретических и экспериментальных результатов;

6. Полученные в настоящей работе результаты по моделированию диффузионных процессов могут служить основой для подбора оптимальных технологических режимов проведения процесса легирования, что позволит получить структуру ЗС-8Ю/81 с необходимыми параметрами посредством модифицирования типа проводимости пленки.

7. Отработаны и оптимизированы основные режимы формирования топологии чувствительного элемента датчика, омических высокотемпературных контактов к функциональным компонентам структуры чувствительного элемента датчика температура-деформация, а также термокомпрессии выводов к контактным площадкам, представляющие собой принципиальную схему технологических операций, которые необходимы для изготовления чувствительного элемента бифункционального датчика температура-деформация.

8. Измерен продольный коэффициент тензочувствительности, достигающий максимального значения 50 при комнатной температуре. Показано, что сжимающие деформации приводят к уменьшению сопротивления, а деформация исследуемых образцов не выходит за пределы области упругих деформаций до е = 2,5 • 10−4 при указанных толщинах пленки, (ТКС) аКср = 5,6−10−3 1/°С.

9. Для гетероструктур р-81С/п-81 на подложке КЭФ-4,5(111) температурный коэффициент напряжения при рабочем токе 1,5 мА составляет с1У1с1Т = 6,7 мВ/град. Преобразователь температуры обладает высокотемпературной стабильностью, работает в области повышенных температур до 350 °C.

Ю.Выполнены испытания раздельных компонентов чувствительного элемента бифункционального датчика температура-деформация. Коэффициент тензочувствительности при уровне легирования карбида.

17 —3 кремния 10 см зависит от температуры, т.к. область объемного пространственного заряда смещена в область кремния, поэтому для испытаний и исследований следует использовать структуры n-p-p-SiC/p-Si (100), р-n-p-SiC/n-Si (111).

Показать весь текст

Список литературы

  1. .И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. Т. 1. № 6. 1998. С. 3−18.
  2. Growth at High Rates and Characterization of Bulk 3C-SiC Material / G. Ferro et al. // Silicon Carbide and Related Materials. 2002. P. 831−834.
  3. Properties of Free-Standing 3C-SiC Monocrystals Grown on Undulant-Si (001) Substrate / H. Nagasawa et al. // Silicon Carbide and Related Materials. 2002. P. 177−181.
  4. Исследование оптико-электрических свойств карбидосодержащих тонких пленок на основе кремния / А. П. Беляев и др. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. № 10. С. 1−6.
  5. Методика эпитаксиального наращивания кубического карбида кремния на кремнии по технологии CVD / А. В. Матузов и др. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2007. № 3. С. 22—26.
  6. Bittencourt С. Formation of a SiC buffer layer by reaction of Si (100) with methane and hydrogen plasma // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. V.32. P. 2478−2482.
  7. Sublimation-Grown Semi-Insulating SiC for High Frequency Devices / St. G. Muller et al. // Silicon Carbide and Related Materials. 2002. P. 216−219.
  8. A.C. Электрические свойства гетеропереходов 3C-SiC/Si // ФТП. 1994. Т. 28. №. 10. С. 1742−1749.
  9. Epitaxial growth and electrical characteristics of cubic SiC on silicon / S. Ni-shino et al. // J.Appl.Phys. 1987. V. 61. № ю. P. 4889−4893.
  10. Л.С., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964. 408 с.
  11. Baliga B.J. In: Proc. 6th Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials // Kyoto, Japan, 1995. V. 142. P. 1.
  12. А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния: обзор. // ФТП. 1999. Т. 33. №. 2. С. 129−155.
  13. A.A., Сбруев C.B. SiC-электроника: прошлое, настоящее, будущее // Элементная база электроники. 2006. № 5. С. 28−41.
  14. Ю.М., Цветков В. Ф. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л., 1980. 122 с.
  15. Transactions Second Int. High Temp. Electron. Conf. / B.M. Brown et al. // Sharlotte, NC, USA, 1994. V. 1. P. 11−17.
  16. B.B., Корогодский М. Л., Лебедев A.A. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния // ФТП. 2001. Т. 35. №. 10. С. 1169−1171.
  17. A.A., Челноков В. Е. Широкозонные полупроводники для силовой электроники // ФТП. 1999. Т. 33. № 9. С. 1096−1099.
  18. Vodakov Y.A. and Mokhov E.N., Patent USSR № 403 275. 1970. Patent France № 7 409 089.19. 3C-SiC /?-я-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / A.A. Лебедев и др. // ФТП. 2003. Т. 37. № 4. С. 499−501.
  19. Особенности роста жидкофазных эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме / Д. А. Бауман и др. // ФТП. 2001. Т. 35. № ю. С. 1184−1187.
  20. Tairov Y.M., Raithel F.I. and Tsvetkov V.F. Silicon carbide solubility in tan and gallium // Neorganicheskie Materiali. 1982. P. 1390−1391.
  21. Fissel A., Schroter В., Richter W. Low-temperature growth of SiC thin films on Si and 6H-SiC by solid-source molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3182−3184.
  22. Получение тонких пленок кубического карбида кремния термическим разложением метилтрихлорсилана в водороде / Л. М. Иванова и др. // Неорганические материалы. 2005. Т. 41. № 3. С. 1−4.
  23. Yoshinobu Т., Fuyuki Т., Matsunami Н. Interface modification by hydrocarbon gas molecular beams in heteroepitaxy of SiC on Si // Jpn. J.Appl.Phys. 1991. № 6 (B). P. L1086-L1088.
  24. Carbonization process for low-temperature growth of 3C-SiC by the gas-source molecular beam epitaxial method / S. Motoyama et al. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. № l.P. 101−106.
  25. M. 3C-SiC (001)/Si (001) interface formation by carbonization: simulations and experiments // Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials. ICSCRM-95, Kyoto, Japan, 1995. P. 329.
  26. Kitabatake M. Single phase 3C-SiC (001)/Si (001) growth by surface controlled epitaxy // Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials. ICSCRM-95. Kyoto, Japan, 1995. P. 177.
  27. Lilov D.S., Tairov Y.M. Tsetkov V.R. Study of silicon carbide epitaxial growth kinetics in the SiC-C system // Ciystal Growth. 1979. V. 46. P. 269.
  28. Neudek P.G. Powell J.A. Performance limiting micropipe defects in silicon carbide wafers // IEEE Electron Device Lett. 1994. V. 15. P. 63−65.
  29. High temperature chemical vapor deposition of SiC / O. Kordina et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V 69. P. 1496−1458.
  30. Allendorf M. D. Equilibrium predictions of the role of organosilicon compounds in the chemical vapor deposition of silicon carbide // Electrochem. Soc. 1993. V. 140. P. 747−753.
  31. Heteroepitaxial p-SiC on Si / Y. Furumura et al. // J. Electrochem. Soc. 1988. V. 135. № 5. P. 1255−1260.
  32. Nagasawa H., Yamaguchi Y. Suppression of etch pit and hillock formation on carbonization of Si substrate and low temperature growth of SiC // J. Cryst. Growth. 1991. V. 115. P. 612−616.
  33. Kim H.J., Davis R.F. Theoreticaly predicted and experimentally determined effects of the Si/(Si+C) gas phase ratio on the growth and' character of monocrystalline beta silicon carbide films // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. № 8. P. 2897−2902.
  34. Growth mechanism of 3C-SiC at a low temperature region in low-pressure-CVD / Y. Hattori et al. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 115. P. 607−611.
  35. Addamiano A., Klein P.H. Chemically formed buffer layers for growth of cubic silicon carbide on silicon single crystals //J. Cryst. Growth. 1984. V. 70. P. 291−294.
  36. Interface structures in beta-silicon carbide thin films / S.R. Nutt et al. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. № 4. P. 203−205.
  37. Electrical characterization of SiC/Si heterostructures formed by rapid thermal carbonization of Si / G. Stoykov et al. // Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials. ICSCRM-95. Kyoto, Japan, 1995. P. 326−327.
  38. Epitaxial Growth of SiC layers by sublimation Sendwich method 1 / Yu. A. Vo-dakov et al. // Cryst. Res. & Techn. 1979. № 14 (6). P. 729−741.
  39. Epitaxial Growth of SiC layers by sublimation Sandwich method II / E.N. Mok-hov et al. // Cryst. Res. & Techn. 1981. № 16 (8). P. 879−886.
  40. Kruangam D., Endo Т., Degushi M. Amorphous Silicon carbide thin film emitting diode // Opto-electron-Dev. and Technol. 1986. № 1. P. 67−84.
  41. Л.И., Власкина С. И., Ивашенко Л. А. Пленки карбида кремния, полученные плазмохимическим осаждением // Оптоэлектрон. и полупр. техн. 1990. № п. с. 46−51.
  42. Deguchi М., Kitabatake М., Hirao Т. Synthesis of р—SiC layer in Silicon by carbon ion «Hot» implantation // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. № 2 (A). P. 343−347.
  43. Исследование образования монокристаллических слоев р—SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования / П. А. Александров и др. // ФТП. 1987. № 5. С. 920−922.
  44. Kostjuhin I.M., Sotirchos S.V., Chemical Vapor Codeposition of SiC and С from Mixtures of Methyltrichlorosilane and Ethylene in Hydrogen // Ind. Eng. Chem. Res. 2001. № 40. P. 2586−2596.
  45. Nucleation and Growth of 3C-SiC Films on Si (100) Substrate / V. Radmilovic et al. // Diamond and Related Materials. 2007. № 16. P. 74−80.
  46. Single-source CVD of 3C-SiC films in a LPCVD Reactor Part II: Reactor Modeling and Chemical Kinetics / G. Valente et al. // Journal of the Electrochemical Society. 2004. № 151 (3). P. 215−219.
  47. Single-source chemical vapor deposition of ЗС-SiC films in a LPCVD Reactor Part I: Growth, Structure and Chemical Characterization / M. B J. Wijesundara et al. // Journal of the Electrochemical Society. 2004. № 151 (3). P. 210−214.
  48. А.Н., Чепурнов В. И. Способ получения эпитаксиальных пленок карбида кремния / АС СССР № 731 113 от 21.08.1980.
  49. А.Н., Чепурнов В. И., Фридман Т. П. Тензопреобразователи на основе гетероструктуры ?-SIC/SI // Материалы III международного семинара ISSCRM-2000 «Карбид кремния и родственные материалы». Великий Новгород. 2000. С. 108−109.
  50. В.И., Кузнецов К. В., Комов А. Н., Сивакова К. П. Разработка нового способа получения гетероструктур для приборов высокотемпературной электроники: Per. номер 0120.0 504 253 от 30.04.2008. 219 с.
  51. С.А., Осипов A.B. Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент // ФТТ. 2008. Т 50. № 7. С. 1188−1195.
  52. С.А., Осипов A.B., Феоктистов H.A. Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности. Заявка на патент РФ № 2 008 102 398 (приоритет 22.01.2008).
  53. В.И., Сивакова К. П. Анализ точечного дефектообразования в гомогенной фаза SiC формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC/Si // Вестник СамГУ № 9 (49). Самара: Самарский университет. 2006. С. 72−91.
  54. В.И., Сивакова К. П. Модель явлений переноса в системе Si-C-H при гетероэндотаксии структур SiC/Si // Вестник СамГУ № 6. Самара: Самарский университет. 2008. С. 367−378.
  55. Л.В. Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот: Диссертация кандидата физико-математических наук: 01.04.10. Самара.: СамГУ. 2009. 122 с.
  56. А.Н., Челноков И. Р. Полупроводниковый SiC — технология и приборы. //ФТП. 1995. Т. 29. № 11. С. 1921−1943.
  57. On the electronic conduction of a-SiC crystals between 300 and 1500 К / H. Van Daal et al. // J. Phys. Chem. Solids. 1963. V. 24. P. 109−127.
  58. Легирование карбида кремния элементами третьей подгруппы при росте кристаллов из паровой фазы / E.H. Мохов и др. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1984. Т. 20. № 8. С. 1383−1386.
  59. Ю.А., Ломакина Г. А., Мохов E.H. Нестехиометрия и политипизм карбида кремния // ФТТ. 1982. Т. 24. С. 1377−1383.
  60. Balandovich V.S., Mokhov E.N. Transactions Second Int. High Temp. Electron. Conf. // Charlotte NC, 5−10 USA, 1994. V. 2. P. 181.
  61. Electrical properties of a p-n-n+ structure formed in silicon carbide by implantation of aluminum ions / Yu.A. Vodakov et al. // Soviet Physics. Semiconductors. September 1987. V. 21.1. 9. P. 1017−1020.
  62. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials / T. Troffer et al. // Stockholm, Sweden, 1997. P. 601.
  63. Hall effect and infrared absorption measurements on nitrogen donors in 6H-silicon carbide / W. Suttrop et al. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. P. 3708.
  64. Swiderski I., Szczutowski W., Niemyski T. Preparation of nitrogen-doped and phosphorus-doped epitaxial a-SiC layers on silicon carbide crystals // J. Ciyst. Growth. 1974. V. 23. № 3. P. 185−189.
  65. Легирование карбида кремния фосфором и индием / Ю. А. Водаков и др. // Легирование полупроводников. М.: Наука, 1982. 89 с.
  66. Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу. М.: Мир, 1975. 246 с.
  67. Fair R.B. In: Impurity doping processes in silicon, ed by F.F.Y. Wang. North-Holland Publishing Company, 1981. ch. 7.
  68. Парамагнитные и электрические свойства трансмутационной примеси фосфора 6H-SiC / А. И. Вейнгер и др. // ФТТ. 1986. Т. 28. № 6. С. 1659−1664.
  69. Диффузия фосфора в карбиде кремния / Е. Н. Мохов и др. // ФТТ. 1992. Т. 34. № 6. С. 1956−1958.
  70. О.Л. Отображение физических процессов на их клеточно-автоматные модели II Вестник Томского государственного университета. 2008. № 2 (3). С. 5−17.
  71. Toffolli Т. Cellular automata as an alternative to (rather than approximation of) differential equations in modeling physics // Physica D. 1984. V. 10. P. 117−127.
  72. Wolfram S. A new kind of science. Champaign, 111., USA: Wolfram Media Inc., 2002. 1200 p.
  73. Kinetic Monte Carlo simulation of SiC nucleation on Si (111) / A.A. Schmidt et al. // J. Physica status solidi (A). 2004. V. 201. № 2. P. 333−337.
  74. Исследование начальных стадий роста нанокластеров карбида кремния на подложке кремния / Ю. В. Трушин и др. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. № 15. С. 48−54.
  75. А.И. Моделирование интегральных технологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1989. 320 с.
  76. VLSI Process Modeling-SUPREM III / C.P. Ho et al. // IEEE Transactions of Eelctron Devices. 1983. V. ED-30. № 11. P. 1438−1453.
  77. A.A., Давыдов С. Ю. Вакансионная модель процесса гетерополи-типной эпитаксии SiC // ФТП. 2005. Т. 39. № 3. С. 296−299.
  78. Г. В. Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации // ФТП. 1997. Т. 31. № 4. С. 385 389.
  79. О.В. Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму // ФТП. 2001. Т 35. № 11. С.1289−1298.
  80. О.В. Моделирование концентрационной зависимости диффузии бора в кремнии // ФТП. 2004. Т. 3. № 3. С. 270−273.
  81. Влияние внутреннего электрического поля на диффузию примесей в полупроводниках / В: В. Васькин и др. // ФТТ. 1966. Т. 8. № 12.
  82. Pokoeva V.A. Ionized Impurity diffusion in a semiconductor// Phys. stat. sol. (B) 169. 1992. kl. p. kl-k6.
  83. Lehovec К., Slobodskoy A. Diffusion of charged particles into a semiconductor under consideration of the built in field // Sol. St. Electr. 1961. V. 3. № 1. P. 4550.
  84. Р.Щ., Покоева B.A. Диффузия заряженной примеси в полупроводнике //ЖТФ. 1979. Т. 49. № 1. С. 47−54.
  85. Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках. СПб.: Наука, 1999. 390 с.
  86. Н.М., Васильев A.M., Попов Д. А. Влияние внутреннего поля на диффузию в полупроводниках // ФТТ. 1966. Т. 8. №. 7. С. 248−250.
  87. A.A., Петров В. М. Машинное моделирование оптимальных режимов диффузионных процессов // Электронная промышленность. 1984. № 9. С. 28−32.
  88. А.З., Ходунова A.B. Одновременное моделирование процессов ионного легирования и диффузионного перераспределения примесей в кремнии // Электронная промышленность. 1984. № 9. С. 41−45.
  89. Н.П., Малкович Р. Ш. Математическое моделирование диффузии двух заряженных примесей в полупроводнике с учетом внутреннего электрического поля // ФТП. 1995. Т. 20. № 5. С. 1451−1456.
  90. О.В., Криворучко A.A. Влияние внутреннего электрического поля на совместную диффузию примесей в полупроводниках // Изв. СПбГЭ-ТУ (ЛЭТИ). Сер. Физика тв. Тела и электроника. 2002. № 1. С. 20−24.
  91. A.A. Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях: Диссертация кандидата физико-математических наук: 01.04.10. СПб.: СПбГЭТУ (ЛЭТИ). 2006. 104 с.
  92. В.И. Способ получения карбида кремния / АС СССР № 1 436 544 от 08.07.1988.
  93. А.Н., Чепурнов В.И.' Способ получения эпитаксиальных пленок карбида кремния / АС СССР № 731 113 от 21.08.1980.
  94. Чепурнов В. И. Способ самоорганизующейся эндотаксии моно ЗС-SiC на
  95. Si подложке / РФ № 2 005 139 163/28 от 15.12.2005.
  96. Получение и исследование гетероструктур карбида кремния на кремнии с целью разработки высокотемпературных полупроводниковых датчиков / А. Н. Комов и др. //В сб. Технические средства исследования мирового океана. Владивосток, 1994. С. 43−46.
  97. Гетероэпитаксиальные слои ЗС-SiC на кремнии, полученные с использованием твердофазного кремния и углерода / Ш. Р. Атажанов и др. // Тез. докл. междунар. семинара Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе, Новгород, 1995. С. 25−26.
  98. А.Н., Чепурнов В. И., Фридман Т. П. Гетероструктуры ?-SiC/Si для высокотемпературной электроники // Материалы III межд. совещ. по карбиду кремния и сопутствующим материалам. Н. Новгород, 2000. С. 86−88.
  99. А.Н., Чепурнов В. И., Сивакова К. П. Влияние легирующей примеси на распределение точечных дефектов в гетероструктуре SiC/Si // Вестник Сам-ГУ № 6. Самара: Самарский университет. 2008. С. 352−366.
  100. А.Н., Чепурнов В. И., Фридман Т. П. Термопреобразователи на прямосмещенном барьере структуры ?-SiC/Si // Материалы III межд. семинара ISSCRM-2000 «Карбид кремния- и родственные материалы». Великий Новгород, 2000. С. 106−107.
  101. Jocobson К.A. Growth, texture and surface morphology of SiC layers // J.
  102. Electrochem. Soc.: Solid State Science. 1971. V. 118. № 6. P. 1001−1006.
  103. Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970. 384 с.
  104. Ferry D.K. High-field transport in wide-band-gap semiconductors // Phys. Rew. В1. 1975. V. 12. P. 2361−2369.
  105. High-temperature electrical properties of 3C-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition / K. Sasaki et al. // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 46. № 1. P. 72−73.
  106. Temperature dependence of electrical properties of n- and p-type 3C-SiC / M. Yamanaka et al. // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. № 2. P. 599−603.
  107. Temperature dependence of electrical properties of nitrogen-doped 3C-SiC / M. Yamanaka et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1987. V. 5. P. L533-L535.
  108. Shor J.S. High temperature ohmic contact metallizations for n-type 3C-SiC // J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. P. 579−582.
  109. Strata FIB 205 xP Manual Set. FEI Company. 2000.
  110. B.B., Савенко А. Ю., Тагаченков A.M. Методы микро- и нано-размерной обработки материалов и композиций // Петербургский Журнал Электроники. 2005. № 2. С. 3−14.
  111. Densification of ultrafine SiC powders / R. Vaben et al. // Journal of materials science. 1996. V. 31. P. 3623−3637.
  112. Controlled Synthesis of b-SiC Nanopowders with Variable Stoichiometry Using Inductively Coupled Plasma / Y. Leconte et al. // Plasma Chem Plasma Process, 2008. V. 28. P. 233−248.
  113. Surface and interface characteristics of SiC coatings by chemical vapor deposition / Liu Rong-Jun et al. // Journal of materials science. 2005. V. 40. P. 2109−2111.
  114. Ustin S.A., Long С. Ho W. Supersonic jet epitaxy of silicon carbide on silicon using methylsilane // Solid-State Electronics. 1998. V. 42. № 12. P: 2321−2327.
  115. К.А. Электронограммы и их интерпретация. М.: Мир, 1971. С. 256.
  116. В.И., Фридман Т. П. Высокочувствительный датчик температуры на основе гетероэпитаксиальной структуры SiC/Si // Микросистемная техника. 2002. № 2. С. 17−21.
  117. Гетероэпитаксиальные слои 3C-SiC на кремнии, полученные с использованием твердофазного кремния и углерода / Ш. Р. Атажанов и др. // Тез. докл. междунар. семинара «Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе». Новгород, 1995. С. 25−26.
  118. Пул Ч. мл., Оуэне Ф. Нанотехнологии. Москва. Техносфера, 2006. 336 с.
  119. Koleske D.D., Gates S.M. Atomic layer epitaxy of Si on Ge (100): Direct recoiling studies of film morphology // J Appl. Phys. 1994. V. 76 P. 1615.
  120. Структура и спектры комбинационного рассеяния света сверхрешеток Ge-Si, выращенных гидридным методом / Л. К. Орлов и др. // ФТТ. 1994. Т. 36. С. 726−821.
  121. Cunningham В., Chu J.O., Akbar S. Heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si by chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P: 3574.
  122. Proc. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond (ISCS-23) / L.K. Orlov et al. // St. Petersburg, Russia (1996). Inst, of Phys., ublishing, Bristol and Philadelphia (1997). V. 155. P- 205.
  123. Т., Икома Т., Такэиси E. Введение в микроэлектронику. Мир, М. 1988. 320 с.
  124. Kimura A., Lee С. А. // Solid-State Electron. 1975. V. 18. P. 901.
  125. Морфология гетероэпитаксиальных пленок (З-SiC, выращенных на Si (l 11) методом химической конверсии в вакууме из паров гексана / JI.K. Орлов и др. // ФТТ. 2007. Т. 49. № 4. С. 596 601.
  126. Pecz В. Proc. Xth Int. Workshop on Semiconductor Crystals (SEMINAN-2005). Budapest, Hungary, 2005. V. 1. P. 95.
  127. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 368 с.
  128. Е.А., Ватопедский А. Н., Селиверова А. Д. Спектроскопические методы исследования для анализа качества приборов // Вопросы атомной науки и техники. 2005. В. 1 (22). С. 2−8.
  129. Lysenko V., Barbier D., Champagnon В. Stress relaxation effect in porous 3C-SiC/Si heterostructure by micro-Raman spectroscopy // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. № 15. P. 2366−2368.
  130. P. Башара H. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.415 с.
  131. В.В., Панов М. Ф. Эллипсометрческий контроль параметров тонкослойных структур при создании приборов на основе системы SiC-AIN // Микроэлектроника. 2002. Т. 31. № 2. С.129−134.
  132. Л.Н. Вакуумная техника. M.: Советское радио, 1982. 152 с.
  133. Many Y., Goldstein A. Auger electron spectroscopy for quantitative analysis // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 3. P. 192−194.
  134. Handbook of auger electron spectroscopy / E. David et al. // Physical Electronics Industries Inc. 6509 Flying Cloud Drive Eden Praire, Minessota 55 343. 1976.
  135. Shar J.S. Zhang X.G., Osgood R.M. Laser-assisted photoelecrtochemical etching of n-type beta-SiC // J. Electrochem. Soc. 1992. V. 139. № 4. P. 1213−1216.
  136. Harris L A. Analysis of materials by electron-excited Auger electrons // J. Appl. Phys. 1968. V. 39. P. 1419−1427.
  137. Heterojunction Diodes in 3C-SiC/Si System Grown by Reactive Magnetron Sputtering: Effects of Growth Temperature on Diode Rectification and Breakdown / Q. Wahab et al. //Journal of Electronic Materials. 1996. V. 25. № 9. P. 1495−1500.
  138. Sze S.M. Physics of semiconductor devices, 2nd edn. New York: Wiley Interscience, 1981. 456 p.
  139. Hossain M., Yun M., Korampally V., Gangopadhyay S. Low temperature crystallization of amorphous silicon carbide thin films for p-n junction devices fabrication //J Mater Sci: Mater Electron. 2008. V. 19. p. 801−804.
  140. C.K., Рябенький B.C. Разностные схемы. M.: Наука, 1973. 400 с.
  141. А.А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1983. 616 с.
  142. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии: пер. с англ. / Д. Бриггс, М. П. Сиха. М.: Мир, 1987. 600 с.
  143. Диффузия бора в карбиде кремния / Е. Н. Мохов и др. // ФТП. 1972. Т. 6. № 3. С. 482−487.
  144. М.И., Пантелеев В. А. Влияние собственного электрического поля на диффузию элементов у группы в кремнии // ФТТ. 1984. Т. 26. № 1. С. 60−64.
  145. В.В., Усков В. А., Широбоков И. Я. Влияние внутреннего электрического поля на диффузию примесей в полупроводниках // ФТТ. 1965. Т. 7. № 11. С. 157−164.
  146. Т.П. Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе: Диссертация кандидата физико-математических наук: 01.04.10. Самара.: СамГУ, 2002. 150 с.
  147. Исследование путей создания компонентов многофункциональных цифровых, датчиков на основе карбида кремния / Г. П: Яровой // ДСП per. номер 1 603 714 от 06.06.2005. 126 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!