Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TlxAl1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждения

Диссертация: Исследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TlxAl1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Экспериментально установлены с помощью методов рентгено-фотоэлектронной спектроскопии химические состояния атомов титана, алюминия и кислорода в аморфных пленках гПхА11хОу. Положения рефлексов от титана соответствует состоянию ТГ'', положение рефлексов от алюминия — А13+, при этом рефлекс, полученный от атомов кислорода, занимает собственное положение, не отвечающее положению атомов кислорода… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1.
    • 1. 1. Обзор свойств и особенностей осаждения диоксида титана и его области применения
    • 1. 2. Обзор данных о свойствах композитных материалов на основе

Исследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TlxAl1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Одной из наиболее перспективных технологий является метод атомарно-слоевого осаждения, основанный на последовательности самонасыщаемых химических реакций реактивов (прекурсоров) с поверхностью. Такой метод позволяет контролировать толщину нанесения пленки с точностью 0.3 -0.5 монослоя. Подобный способ осаждения применяется для бинарных соединений, преимущественно оксидов, в честности, оксиды титана и алюминия. Диоксид титана находит свое применение в области биомедицинского материаловедения, как покрытие имплантатов, стимулирующее за счет своей кристаллической структуры рост костной ткани.

В тоже время для микроэлектроники ТЮг является уникальным диэлектриком с высокой диэлектрической постоянной ~ 100. Однако, свойства диоксида титана, полученного методом атомарно-слоевого осаждения, для этих целей не изучены.

К материалу подзатворного диэлектрика предъявляется ряд технологических требований, таких как высокая температура кристаллизации 1000°С) и др. Известно, что аморфный диоксид титана кристаллизуется при более низких температурах, что сдерживает его применение в микроэлектронной промышленности. Внедрение аморфизующего компонента в ТЮ2 является одним из методов увеличения температуры кристаллизации. В качестве аморфизирующей примеси предполагается использовать АЬОз для создания методом атомарно-слоевого осаждения новой системы А1-ТьО. Система А1−11−0 реализована методом атомарно-слоевого осаждения только в виде наноламинатов — послойного осаждения ТЮг и АЬОз. Возможность получения методом атомарно-слоевого осаждения аморфного оксида 'ПхА11хОу (х? [0,1]), и структурные, физико-химические и электро-физические свойства на данный момент не изучены. Такие оксиды представляют интерес для применения в качестве активного и пассивного диэлектрического слоя в картах памяти, элементах логических схем, подзатворных диэлектриков в МДП-структурах и др.

Целыо работы являлось создание методики создания тонких пленок двух и трехкомпонентных оксидов Т1хА11-хОу по средством атомарно-слоевого осаждения в широком диапазоне концентраций, изучение их физико-химических, электрофизических свойств и биосовместимости.

Для достижения цели автором были поставлены и решены следующие основные научно-технические задачи:

• Изучение влияния толщины пленки ТЮ2 и температуры осаждения на ее кристалличность.

• Изучение влияния структурных особенностей на биоактивные свойства пленок.

ТЮ2.

• Разработка методики осаждения гомогенных аморфных трехкомпонентных оксидов тлха^-хоу.

• Изучение химического состояния, кристаллической структуры и изменения физических характеристик (толщины, плотности, показателя преломления) пленок ТлхАП-хОу до и после быстрого термического отжига.

• Изучение химического состояния границы раздела пленки Т1хА11. хОу — подложки 81 и толщины переходного слоя.

• Изучение электро-физических свойств системы А1/Т1хА11-хОу/81/1п-Оа до и после быстрого термического отжига.

Научная новизна работы состоит в следующем:

• Впервые исследованы биоактивные свойства диоксида титана 'ПСЬ кристаллической структуры анатаз, полученного методом атомарно-слоевого осаждения.

• Впервые методом атомарно-слоевого осаждения получены пленки Т1хА11. хОу в широком диапазоне концентраций с использованием тетраэтоксититана, триметилалюминия и воды.

• Впервые изучены структурные, физико-химические, электро-физическне свойства пленок многокомпонентных оксидов Т]ХА1 ¡—хОу в зависимости от химического состава до и после быстрого термического отжига.

• Впервые для системы А1/Т1 хА11 -хОу/81 (х=0.3) при физической толщине оксидного слоя 3.7 нм получен емкостной эквивалент толщины 8Ю2 равный 1.2 нм. При быстром термическом отжиге системы А1/Т1ХА11 .хОу/81 (х=0.3) емкостной эквивалент толщины 8102 увеличился на 0.2 нм, при этом плотности токов утечек уменьшились в 103 раза и составили 3><10″ 6А/см2.

Научные результаты выносимые на защиту:

• Установлена зависимость кристаллического состояния (аморфное/анатаз) пленок ТЮг от условий их получения методом атомарно-слоевого осаждения. Обнаружена возможность управления размерами кристаллитов ТЮ2 посредствам температуры осаждения и числом реакционных циклов.

Методом атомарно-слоевого осаждения получен в широком диапазоне концентраций в пленках гПхА11-хО> неравновесных для тройной системы Т1-А1−0 аморфный твердый раствор ТЧхА11хО> при х = 0.2 — 0.85.

• Зависимость изменения величины диэлектрической проницаемости к (11.6.

2 2.

30.0) и плотности токов утечек J (0.8×10″ —1.7 А/см) при напряженности электрического поля 1 МВ/см от химического состава пленок Т1хА11хОу и их структуры.

Быстрый термический отжиг тонких пленок ПхА11хОу при температуре 680−720°С в среде азота увеличивает плотность пленок, их показатели преломления, приводит к увеличению толщины переходного слоя и изменению его элементного состава, образуя систему АЬБьО. Величины плотностей токов утечек У для системы А1 / Т1хА11-чОу / при воздействии быстрого термического отжига при температуре 680−700°С в среде азота уменьшаются в 103 раз для всех пленок Тлх А11×05 вне зависимости от их химического состава, при этом значения диэлектрических постоянных к сохраняется.

Практическая значимость. Разработанная методика управления размерами кристаллитов при осаждении диоксида титана ТЮг (анатаз) позволяет регулировать тем самым биоактивные свойства материала и дает возможность сокращения сроков остеоинтеграции имплантатов в костную ткать. Методика формирования пленок ТЮ2 анатаза с помощью атомарно-слоевого осаждения позволяет наносить покрытие на медицинские изделия любой геометрии и уже успешно интегрируется в технологическую линейку производства дентальных имплантатов компании ООО «Конмет».

Возможность использования полученных тонких пленок «ПхА11хОу в качестве кщк-к диэлектриков, заменив в качестве альтернативы использующегося в настоящее время промышленностью НГОг и Н^Юу благодаря достигнутым значениям диэлектрической постоянной к в диапазоне 11−30 по сравнению с 9−10 для НГОг. В зависимости от соотношения параметров значения диэлектрической постоянной к и величин токов 7 утечек J слои TixAlixOy могут использоваться как изоляторы в МДП структурах, как активные диэлектрики в логических устройствах и картах памяти.

Апробация работы. В основе диссертации лежат результаты, опубликованные в 4-х печатных источниках и 14 докладах (тезисах докладов) на научных конференциях.

Основные результаты работы обсуждались на следующих конференциях:

51^-53^ научная конференция МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук». Долгопрудный, 2008 — 2010 г.

1ая, 2 М, 4 м международная конференция «Современные достижения бионаноскопии». Москва, 2007, 2008, 2010 г. th.

16Ш Workshop on dielectrics in microelectronics. Bratislava, Slovakia, 2010 r. 4ая всероссийская конференция (с международным участием) «Химия поверхности и нанотехнология». Санкт-Петербург — Хилово, 2009 г. Научно-практическая конференция: актуальные вопросы, ключевые моменты и инновации в дентальной имплантации, Санкт-Петербург, 2010 г. IX научно-практическая конференция «Опыт и перспективы клинического применения имплантатов „Конмет“», Москва — Отрадное, 2010 г.

Структура и объем диссертации

Работа состоит из пяти глав, введения, заключения и списка литературыизложена на 137 листах машинописного текста, содержит 94 рисунка и б таблицсписок литературы включает 108 наименования.

Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Получены зависимости свойств диоксида титана от условий атомарно-слоевого осаждения из тетраэтоксититана и воды, в том числе, скорости роста пленок, кристаллическая природа, размеры кристаллитов, показатели преломления, их химическое состояние.

2. Разработана и апробирована методика оценки биоактивных свойств поверхности имплантатов с покрытием диоксидом титана посредством исследования взаимодействия поверхности ТЮг с раствором, моделирующим тканевую жидкость. Критерием биоактивности поверхности диоксида титана служит образование гидрокспаппагита на поверхности имплантата.

3. Разработана методика осаждения трехкомпонентного гомогенного твердого раствора Т1хА1[.хОу в широком диапазоне концентраций х = 0.2−0.85 методом атомарно-слоевого осаждения из тетраэтоксититана, триметилалюминия и воды.

4. Экспериментально установлены с помощью методов рентгено-фотоэлектронной спектроскопии химические состояния атомов титана, алюминия и кислорода в аморфных пленках гПхА11хОу. Положения рефлексов от титана соответствует состоянию ТГ'', положение рефлексов от алюминия — А13+, при этом рефлекс, полученный от атомов кислорода, занимает собственное положение, не отвечающее положению атомов кислорода в соединениях диоксида титана, оксида алюминия, что служит подтверждением гомогенности пленок Т1хЛ1]хОу.

5. Экспериментально установлена кристаллическая природа, зависимости скоростей роста, показателей преломления, микрорельефа поверхности от химического состава пленок Т1хА1[.хОу до и после быстрого термического отжига при 700 °C в среде азота.

6. Определены химические составы и толщины переходных слоев между пленкой Т1хА1ьхОу и подложкой до и после быстрого термического отжига при 700 °C в среде азота. До отжига переходный слой представлял собой БЮх толщиной ~ 0.8 нм, после отжига произошла диффузия алюминия и переходный слой представляется как А1 — БЮХ, толщиной 2.5 нм.

7. Получены зависимости электро-физических характеристик, в том числе величины диэлектрических проницаемостей 11.9−30, величины плотностей.

3 2, токов утечек при плотности поля 1 МВ/см 8×10″ — 1.7 А/см, МДП-структуры с диэлектрическим слоем TixAli-xOy от химического состава диэлектрика х = 0.2=0.85.

8. Определены значения диэлектрических постоянных для переходных слоев между пленкой Tio.3Alo.7Oy и подложкой кремния Si до быстрого термического отжига при температуре 700 °C в среде азота k (SiOx) = 4.2, и после — к (AISiOx) = 10.9.

9. Установлены зависимости электро-физических характеристик, в том числе величин диэлектрических проницаемостей 12.5 — 30, величин плотностей токов утечек при плотности поля 1 MB/см достигающие значения 2.7×10 А/см, МДП-структуры с диэлектрическим слоем TixAlixOy от химического состава диэлектрика х = 0.2=0.85 в результате быстрого термического отжига в среде азота при 700 °C.

10. Получено значение емкостного эквивалента толщины (СЕТ) равное 1.2 нм для пленки Tio.3Alo.7Oy толщиной 3.7 нм при величине плотности токов утечек при 1 МВ/см 1×10″ 3 А/см для МДП-структуры In-Ga / Si-sub / Tio.3Alo.7Oy / AI и СЕТ равный 1.4 нм для пленки Tio.3Alo.7Oy толщиной 5.7 нм при величине плотности токов утечек при.

1 МВ/см 3×10″ 6 А/см.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Izumi T., Teraji T., Ito T. Room-temperature growth of single-crystalline TiC>2 thin films on nanometer-scaled substrates by dc magnetron sputtering deposition //Journal of crystal growth. 2007, Vol. 299, p. 349−357.
  2. Song H.-J., Park S.-H., Jeong S.-H., Park Y.-J. Surface characteristics and bioactivity of oxide films formed by anodic spark oxidation on titanium in different electrolytes // Journal of materials processing technology. 2009, Vol. 209, p. 864−870.
  3. Sun H., Wang C., Pang S., Li X., Tao Y., Tang H., Liu M. Photocatalytic Ti02 films prepared by chemical vapor deposition at atmosphere pressure // Journal of noncrystalline solids. 2008, Vol. 354, p. 1440−1443.
  4. Peszczek P. Thermal behaviour of hexanuclear titanium (IV) oxo isopropoxide carboxylates, and their usability as a single-source Ti02 CVD precursors // Polyhedron. -2007, Vol. 26, p.93−100.
  5. Heikkila M., Puukilainen E., Ritala M., Leskela M. Effect of thickness of ALD grown Ti02 films on photoelectrocatalysis // Journal of photochemistry and photobiology A: chemistry. 2009, Vol. 204, p. 200−208.
  6. Shan C.X., Hou X., Choy K.-L. Corrosion resistance of Ti02 films grown on stainless steel by atomic layer deposition // Surface and technology. 2008, Vol. 202, p.2399−2402.
  7. Mitchell D.R.G., Attard D.J., Finnie K.S., Triani G., Barbe C.J., Depagne C., Barlett J.R. TEM and ellipsometry studies of nanolaminate oxide films prepared using atomic layer deposition // Applied surface science. 2005, Vol. 243, p. 265−277.
  8. Albrektsson T., Wennerberg. Oral implant surface: Part I — review focusing on topographic and chemical properties of different surfaces and in vivo responses to them // The international journal of prosthodontics. -2004, Vol. 17, No. 5, p. 536−543.
  9. Huang C.-F., Cheng H.-C., Liu C.-M., ChenC.-C., Ou K.-L. Microstructure and phase transition of biocompatible titanium oxide film on titanium by plasma discharging // Journal of alloys and compounds. 2009, Vol. 476, p. 683−688.
  10. Iwaya Y. Machigashira M., Kanbara K., Miyamoto M., Noguchi K., Izumi Y., Ban S. Surface properties and biocompatibility of acid-etched titanium // Dental materials journal. -2008, Vol. 27, No. 3, p. 415−421.
  11. Heinrichs J., Jarmar T., Rooth M., Enqvist H. In vitro bioactivity of atomic layer deposition titanium dioxide on titanium and silicon substrates // Key engineering materials. 2008, Vol. 361−363. p. 689−692.
  12. Lampin M., Warocquier C., Legris C., Degrange M., Sigot-Luizard M.F. Correlation between substratum roughness and wettability, cell adhesion, and cell migration // Journal of biomedical materials research. 1997, Vol. 36. p. 99−108.
  13. Rupp F., Scheideler L., Rehbein D., Axmann D., Geis-Gerstorfer J. Riughness induced dynamic changes of wettability of acid etched titanium implants modifications // Biomaterials. 2004, Vol. 25, p. 1429−1438.
  14. Superhydrophilic SLActive implants M. de Wild Published 06/2005, Straumann document 151.527/dand 152.527/e
  15. Zhao G., Schwartz Z. Wieland M., Rupp F., Geis-Gerstorfer J., Cochran D.L., Boyan B.D. High surface energy enhances cell response to titanium substrate microstructure // Journal of biomedical material research. 2005, Vol. 74A, p. 49−58.
  16. Balaur E., Macak J.M., Tsuchiya H., Schmuki P. Wetting behaviour of layer of Ti02 nanotubes with different diameters // Journal of materials chemistry. 2005, Vol. 15, p. 4488−4491.
  17. Frank M.M., Kim S.B., Brown S.L., Braley J., Copel M., Hopstaken M., Chudzik M., Narayanan V. Scaling the MOSFET gate dielectric: From high-k to higher-k? // Microelectronic Engineering. 2009, Vol. 86, p. 1603−1608.
  18. Kukli K., Ihanus J., Ritala M., Leskela M. Tailoring the dielectric properties of PlfCh-Ta205 nanolaminates// Applied physics letters. 1996, Vol. 68, p. 3737−3739.
  19. Kukli K., Ihanus J., Ritala M., Leskela M. Properties of Ta^Oj-Based Dielectric Nanolaminates Deposited by Atomic Layer Epitaxy // Journal of electrochemical society. 1997, Vol. 144. p. 300−306.
  20. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2001 edition, ITRS Home Page, http://public.itrs.net 2001
  21. Wallace R. M., Wilk G. Alternative Gate Dielectrics for Microelectronics // Materials Research Bulletin. 2002, Vol. 27, No. 3, p. 206−211.
  22. Dover R. B. V. Amorphous lanthanide-doped TiOjc dielectric films // Applied physics letters. 1999, Vol. 74, p. 3041−3044.
  23. Jogi I., Pars M., Aarik J., Aidla A., Laan M., Sundqvist J., Oberbeck L., Heitmann J., Kukli K. Conformity and structure of titanium oxide films grown by atomic layer deposition on silicon substrates // Thin Solid Films. 2008, Vol. 516, p.4855−4862.
  24. Stamate M.D. On the dielectric properties of dc magnetron Ti02 thin films // Applied surface science. 2003, Vol. 218, p. 317−322.
  25. Huber B., Gnaser H., Ziegler C. Electrical properties of nanicrystalline anatase Ti02 thin films with different crystallite size // Surface science. 2004, Vol. 566−568, p. 419 424.
  26. Chakraborty S., Bera M.K., Bhattacharya S., Maili C.K. Current conduction mechanism in Ti02 gate dielectrics // Microelecronics engineering. 2005, Vol. 81, No. 2−4, p. 188 193.
  27. Rowlette P.C., Wolden C.A. Pulsed plasma-enhanced chemical vapor deposition of A1203 ТЮ2 nanolaminates // Thin Solid Films. 2010. Vol. 518. No. 12, p. 3337−3341.
  28. Omari M. A., Sorbello R. S., Aita C. R. Crystallization and (Al, Ti)-oxide growth in annealed ТЮ2-А120з multilayers // Journal of vacuum science and technology A. 2006, No.24, p. 317−323.
  29. Mikhelashvili V., Eisenstein G. Composition, surface morphology and electrical characteristics of А120з-ТЮ2 nanolaminates nd AlTiO films on silicon // Thin Solid Films. 2006, Vol. 515, p. 346−352.
  30. Shi L., Xia Y.D., Xu В., Yin J., Liu Z.G. Thermal stability and electrical properties of titaniumOaluminum oxide ultrathin films as high-k gate dielectric materials // Journal of applied physics. 2007, No. 101, p. 34 102−1-4.
  31. Shi L., Xia Y., Yin K., Liu Z. Electrical hysteresis of the Ti0.25Alo 7sOx dielectrical films after high-temperature treatment // Applied physics letters. 2008, No. 92, p. 132 912−1-3.
  32. Puurunen R.L. Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process // Journal of applied physics. 2005, Vol. 97, p.121 301−121 356
  33. Puurunen R.L. Growth per cycle in atomic layer deposition: a theoretical model // Chemical vapor deposition. 2003, Vol. 9, No. 5, 2003. p.249−257.
  34. Puurunen R.L. Growth per cycle in atomic layer deposition: real application examplesof a theoretical model // Chemical vapor deposition. 2003, Vol. 9, No. 6,2003. p. 327−332.
  35. C.A. Малков A.A., Малыгин A.A.// Журнал прикладной химии. 2003, Т.76, с. 9.
  36. Ritala М., Leskela М., Rauhala Е. Atomic layer epitaxy growth of titanium dioxide thin films from titanium ethoxide // Chemical materials. — 1994, Vol. 6, p. 556- 561.
  37. Ylilammi M. Monolayer thickness in atomic layer deposition // Thin Solid Films. -1996, Vol. 279, p. 124−130.
  38. Siimon H., Aarik J. Thickness profiles of thin films caused by secondary reactions in flow-type atomic layer deposition reactors // Journal of physics D: Applied physics. -1997, Vol.30, p. 1725−1728.
  39. M., Ritala M. // Angew. Chem. Int. Ed. 2003, Vol. 42(45), 2003, p. 5548.
  40. Couteau T. Dilute RCA cleaning chemistries // Semiconductor international 1998, Vol. 21, No. 11, p.95−100.
  41. Puri S., Medeiros J. Particle removal by ultra-dilute ammonia // European semiconductor. 2000, Vol. 22, No. 3, p. 35−40.
  42. Christenson K., Smith S. The effects of SC-1 dilution and temperature variations on etch rate and surface haze // Technical report. 1995, No. 1060-TRS-0897, p. 1−7.
  43. Merteus P.W. Opdebeeck A. The IMEC clean: a new concept for particle and metal removal on Si surfaces // Solid State Technology. 1995. Vol. 38, No. 7, p. 109−111.
  44. Wolke K. Marangoni wafer drying avoids disadvantages // Solid State Technology. V. 39. No. 8. Aug. 1996. P. 87−90.
  45. Britten J. A. A moving-zone Marangoni drying process for critical cleaning and wet processing // Solid State Technology. V. 40. No. 10. Oct. 1997. P. 143−148.
  46. B.B. Эффективность применения в производстве кислотного процессора «Mercury МР» // Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-97″. Москва. 1997. С. 168.
  47. Weygand J. F. Cleaning silicon wafers with an argon/nitrogen cryogenic aerosol process // MICRO. 1997, Vol. 15, No. 4, p. 47−54.
  48. А.П. // Физико-химические основы субмикронной технологии: Учебное пособие М.: МФТИ, 2007, 45 с.
  49. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ // Под ред. Петрова В. И. М.: МИР, 1984, 348 с.
  50. Фельдман Л, Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок М.: МИР, 1989,344 с.
  51. Рентгенофлуоресцентный анализ // Под ред. Эрхардта X. М.: Металлургия, 1985. 255 с.
  52. Д., Сих М. П. „Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии“, М.: „Мир“, 1987
  53. Jin H., Oh S.K., Cho Y.J., Kang H.J., Tougaard S. Electronic properties of ultrathin (Hf02)x (Si02)i-x dielectrics on Si (100) // Journal of applied physics. 2007, Vol. 102, p. 53 709−1-6.
  54. В. „Основы сканирующей зондовой микроскопии“, М.: „Техносфера“, 2004
  55. В.А. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей. Докторская диссертация. Москва. -2000. С. 393
  56. А.А., Овчинников Д. В., Бухараева А. А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор). Заводская лаборатория. -1997, Т. 5, с. 10−27.
  57. В.А., Спесивцев Е. В., Рыхлицкий С. В., Михайлов Н. Н. Эллипсометрия -прецизионнаый метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением // Российские нанотехнологии. 2009, Т.4, № 3−4, с. 106−118.
  58. А., Чижов П. // Применение методов рентгеновской дифракции в исследованиях тонких пленок и приповерхностных слоев твердых тел», учебно-методическое руководство. -М.: МФТИ, 2010, с. 67.
  59. В.А. // Твердотельная электроника — М.: Техносфера, 2008, 510с.
  60. Bauer Т., Smith S. Bioactive materials in orthopaedis surgery: overview and regulatory considerations // Clinical orthopaedics and related research. 2002, Vol. 395, p. 11−22.
  61. N. // Atlas of neuropathology. — University of California press.: California, 1957, p. 470.
  62. С.А., Алехин А. П., Маркеев A.M. Структура и свойства тонких пленок диоксида титана, формируемых методом атомно-слоевого осаждения // Труды 51-й научной конференции МФТИ, 2008, часть 5, с. 37−40.
  63. M.Jl. Атомно-силовая микроскопия в исследовании шероховатости наноструктурированных поверхностей. Диссертация. ИК РАН Москва — 2008. — С. 129
  64. Alekhin А.P., Gudkova S.A. Influence of synchrotron radiation on morphological features of a polymethylmetacrilate thin film // Journal of surface investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques. 2010, Vol. 4, No. 4, pp. 572−575.
  65. П. А., Толстихина А. Л., Демидов В. Н. Система параметров для анализа шероховатости и микрорельефа поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 1998. -№ 9.-Т. 65.-С. 27−37
  66. Senthilkumar М., Sahoo N.K., Thakur S., Tokas R.B. Characterization of microroughness parameters in gadolinium oxide thin films: A study based on extended power spectral density analyses // Appl. surface science.- 2005. — V.252. -N. 5. P. 16 081 619
  67. Методы анализа поверхностей // Под ред. А. Зандерны.- М.: Мир, 1979.- 582 с.
  68. Д., Делчар Т., «Современные методы исследования поверхности».- М.: Мир, 1989, 568 с.
  69. Ю.А., Вилков Л. В. // Физические методы исследования в химии.- М.: Мир, 2006, — 683 с.
  70. А.А., Овчинников Д. В., Бухараева А. А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор). Заводская лаборатория -1997.- Т. 5.-С. 10−27.
  71. В. Неволин // Зондовые нанотехнологии в электронике.- М.: Техносфера, 2004,147 с.
  72. В.А., Осауленко Р. Н. // Физика твердого тела для инженеров. М.: Техносфера, 2007. — 520с.
  73. В.П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. // Основы наноэлектроники. М.: Логос, 2006. — 496с.
  74. А.П., Маркеев A.M., Гудкова С. А., Тетюхин Д. В., Козлов Е. Н. Использование атомарно-слоевого осаждения диоксида титана для придания биоактивных свойств поверхности титановых имплантатов // Институт стоматологии. -2010, № 2, с. 1−2.
  75. А.П., Григал И. П., Гудкова С. А., Маркеев A.M., Митяев А. С. Биоактивные свойства диоксида титана, сформированного методом атомарно-слоевого осаждения // Современные достижения бионаноскопии, 2010, с. 20.
  76. Г. П. // Химия титана.-М.: Химия, 1971 г. 471 с
  77. А.П., Маркеев A.M.// Известия вузов. Электроника. 2009. Т.75. № 1. С. 87.
  78. К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин, А. В. Зотов, М. Катаяма, // Введение в физику поверхности.- М.: Наука, 2006.- 490 с.
  79. А. А. Нанотехнология молекулярного наслаивания // Российские нанотехнологии 2007. — Т. 2. — № 3−4. — С.87−100
  80. Sarkar D.K., Desbiens Е., Khakani М.А.Е. high-k titanium silicate dielectric thin film grown by pulsed-laser deposition // Applied surface science. 2002, Vol. 80, No. 2, p. 294−296.
  81. Callenas A., Johansson L.I., Christensen A.N., Schwarz K., Redinger J. Energy-band-structure study of the (100), (110) and (111) surfaces of TiC // Physical Review B. 1983, Vol. 27, No. 10, p. 5934−5937.
  82. Lusvardi V.S., Barteau М.А., Dolinger W.R., Farneth W.E.// J. Phys. Chem. 1996. V.100. P.18 183
  83. Trasferetti B.C., Davanzo C.U., Zoppi R.A., CruzN.C., Moraes M.A.B.// Phys. Rev. B. 2001. V.64. P. 125 404.
  84. Michael Kolbe *, Burkhard Beckhoff, Michael Kramrey, Gerhard Ulm //Comparison of reference-free X-ray fluorescence analysis and X-ray reilectometry for thickness determination in the nanometer range Applied Surfacc Science 252 (2005) 49−52
  85. Jin H., Shinotsuka H., Yoshikawa H., Iwai H., Tanuma S., Tougaard S. Measurement of optical constant of Si and Si02 from reflection electron energy loss spectra using factor analysis // Journal of applied physics. -2010, Vol. 107, p. 8 3709(8)/
  86. Jin H., Oh S.K., Kang H.J., Lee S.W., Lee Y.S., Cho M.-H. Band alignment in ultrathin Hf-Al-O/Si interface // Applied physics letters. 2005, Vol. 87, p. 212 902−1-3
  87. Schamm S., Zanchi G. Study of the dielectric properties near the band gap by VEELS: gap measurement in bulk materials // Ultramicroscopy. 2003, Vol. 96, p. 559−564.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!