Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование условий получения и характеристик позиционно-чувствительных фотоприёмников на основе слоёв nCdTe: In

Диссертация: Исследование условий получения и характеристик позиционно-чувствительных фотоприёмников на основе слоёв nCdTe: In
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Установлено, что перенос носителей заряда в пленочных сэндвич — структурах 1п-пСс1Те:1п-8п02 при напряжённостях электрического поля Е > 10 В/см ограничивается объёмным зарядом инжектированных из 1п-контакта электронов, захваченных ловушечным уровнем Е1= Ес — 0,26 эВ с плотностью 1Чг=1014 см" 3, а токопрохождение в планарных структурах 1п-пСс1Те:1п-1п ограничивается до момента развития токовой… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИИ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЛЕНОК СсГГе И ФОТОПРИЕМНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПЧФ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИИ А2В6 (Краткий литературный обзор)
    • 1. 1. Основные кристаллографические и физические параметры кристаллов СсГГе
    • 1. 2. Условия получения пленок СсГГе методом термического напыления в вакууме на диэлектрических подложках
    • 1. 3. Примесно — дефектные состояния в кристаллах СсГГе
    • 1. 4. Результаты исследования электрической неустойчивости в кристаллах СсГГе
    • 1. 5. Модели позиционно-чувствительных устройств и перспективы их технической реализации на основе слоев полупроводниковых соединений А2В
  • Выводы и постановка задачи
  • ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ УСЛОВИЙ НАПЫЛЕНИЯ В КВАЗИЗАМКНУТОМ ОБЪЕМЕ НА СТРУКТУРУ И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ НЕ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЁВ СсГГе
    • 2. 1. Методика вакуумного напыления слоев СсГГе в квазизамкнутом объеме
      • 2. 1. 1. Конструктивные особенности реакционной камеры и технологические этапы осаждения
      • 2. 1. 2. Характеристики исходных материалов и подложек
    • 2. 2. Влияние технологических условий напыления в квазизамкнутом объеме на структуру слоев СсГГе
      • 2. 2. 1. Исследование начальных стадий формирования слоев СсГГе на стеклянных подложках
      • 2. 2. 2. Термодинамические границы роста поликристаллических слоёв СсГГе на стеклянных подложках
      • 2. 2. 3. Влияние условий термического напыления на структуру слоёв СсГГе
    • 2. 3. Зависимость скорости напыления слоёв Сс1Те от температуры стеклянных подложек
    • 2. 4. Зависимость темновой электропроводности нелегированных слоёв СсГГе от тепловых условий их получения на стеклянных подложках
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ СОИСПАРЕНИЯ ПРИМЕСИ ИНДИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЛОЁВ пСс1Те:1п В СЛАБЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
    • 3. 1. Методика исследования электрофизических свойств слоёв пСс1Те:1п
    • 3. 2. Зависимость темнового сопротивления слоёв пСсГГе:1п от температуры соиспарения примеси индия
    • 3. 3. Влияние температуры испарения примеси индия на концентрацию и подвижность равновесных носителей заряда в слоях пСс1Те:1п
    • 3. 4. Влияние температуры соиспарения примеси индия на спектральное распределение фототока слоёв пСс1Те:1п
    • 3. 5. Влияние температуры соиспарения примеси индия на фотоэлектрические параметры слоёв пСс1Те:1п
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВАХ СЛОЁВ пСс1Те:1п В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
    • 4. 1. Структура ВАХ слоёв пСс1Те:1п
      • 4. 1. 1. Стационарные ВАХ образцов 1п-пСс1Те:1п-1п
      • 4. 1. 2. Динамические ВАХ образцов 1п-пСс1Те:1п-1п
    • 4. 2. Исследование механизма токопрохождения в слоях пСс! Те:1п до развития токовой неустойчивости.904.2.1. Исследование механизма токопрохождения в образцах
    • 1. п-пСс1Те:1п-1п
      • 4. 2. 2. Исследование механизма токопрохождения в образцах 1п-пСс1Те:1п-8п
      • 4. 3. Механизм возникновения токовой неустойчивости Б-типа в слоях пСс1Те:1п
      • 4. 4. Зависимость параметров переключения Б-типа от толщины слоёв пС (1Те:1п
      • 4. 5. Связь параметров Б-переключения слоёв пСс! Те:1п с величиной их удельного сопротивления
      • 4. 6. Механизм токопрохождения в слоях пСсГГе:1п после электрического переключения 8-типа
      • 4. 7. Влияние освещения на параметры переключения слоёв пСс1Те:1п
  • Выводы
    • ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА И ИСЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПЧФ НА ОСНОВЕ СЛОЁВ пСёТе:1п, ПОЛУЧЕННЫХ В КВАЗИЗАМКНУТОМ ОБЪЕМЕ
  • 5. 1. Физические принципы функционирования ПЧФ на основе однородных фотопроводящих полупроводниковых слоёв
    • 5. 1. 1. Физические основы 4-х контактных ПЧФ
    • 5. 1. 2. Физические основы 5-ти контактных ПЧФ
  • 5. 2. Методики изготовления и исследования ПЧФ на основе слоёв пСс! Те:1п
  • 5. 3. Зависимость чувствительности 4-х контактных ПЧФ на основе слоев nCdTe: In от координат их локальной засветки
  • 5. 4. Влияние неоднородности слоев nCdTe: In на форму полярных диаграмм чувствительности 4-х контактных ПЧФ
  • 5. 5. Характеристики позиционной чувствительности 4-х контактных ПЧФ на основе однородных слоёв nCdTe: In
  • 5. 6. Зависимость выходного напряжения 4-х контактных ПЧФ от величины входного тока и интенсивности локальной засветки светоприёмного элемента nCdTe: In
  • 5. 7. Зависимость выходного напряжения 4-х контактных ПЧФ от толщины светоприёмного элемента nCdTe: In
  • 5. 8. Модельное представление координатной зависимости чувствительности 4-х контактных ПЧФ на основе слоёв nCdTe: In
  • 5. 9. Исследование характеристик 5-ти контактных ПЧФ на основе слоёв nCdTerln
    • 5. 9. 1. Зависимость выходных характеристик 5-ти контактных ПЧФ nCdTe: In от координат локальной засветки
    • 5. 9. 2. Зависимость выходных напряжений 5-ти контактного ПЧФ от величины входного тока и интенсивности локальной засветки светоприёмного элемента nCdTerln

Исследование условий получения и характеристик позиционно-чувствительных фотоприёмников на основе слоёв nCdTe: In (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В ряду важных задач, стоящих перед современной физикой полупроводников и полупроводниковой электроникой, имеются такие, которые связаны с научными разработками и исследованиями новых типов позиционно-чувствителъных фотоприёмников (ПЧФ), способных составить альтернативу или конкуренцию уже существующим ПЧФ. В данном случае речь идет о создании полупроводниковых фотоприёмников, обладающих возможностью не только обнаруживать наличие излучения, но и определять с высокой точностью в режиме реального времени местоположение (координаты) облучённой области. При этом важно, чтобы новые полупроводниковые ПЧФ отличались менее затратной технологией изготовления их светоприёмных элементов в сравнении с существующими [1−4] и характеризовались чувствительностью к оптическому излучению в более широком спектральном диапазоне.

К настоящему времени разработаны и используются ПЧФ на основе фоторезистивных слоёв [1], р-п переходов [2, 3], МОП — транзисторов [4]. Однако функциональные фоторезисторы [1] имеют сравнительно низкую разрешающую способность, а технология производства р-п переходов [2, 3] и МОП — транзисторов [4], используемых для ПЧФ, достаточно сложна. К тому же такие ПЧФ обладают чувствительностью к свету лишь в области собственного поглощения.

В работах [5−7] предложена конструкция ПЧФ на основе однородных полупроводниковых слоёв с нетрадиционной схемой расположения и коммутации электрических контактов. В зависимости от конструкции они позволяют фиксировать местоположение излучающего объекта по одной и двум координатам. Их спектральная область чувствительности может быть расширена за счет примесного поглощения.

Использование слоёв теллурида кадмия для создания на их основе светоприёмных элементов ПЧФ стимулируется, с одной стороны, тем, что кристаллы СсГГе, являясь прямозонными полупроводниками, обладают высокой чувствительностью к свету в спектральном диапазоне, соответствующем оптимальному значению для солнечных элементов. Кроме того, их свободные носители заряда имеют сравнительно высокие значения подвижности в области высоких температур. С другой стороны, из всех широкозонных соединений А2Вб кристаллы СсГГе можно с одинаковым успехом получать как п-, так и р-типа проводимости. Отмеченные достоинства СсГГе широко используются для создания солнечных элементов, детекторов радиационных излучений и ИКфотоприёмников. Однако отсутствуют данные о применении кристаллов СсГГе для изготовления на их основе светоприёмных элементов для ПЧФ.

Исходя из выше изложенного, разработка технологии получения и одновременного легирования мелкой донорной примесью фотопроводящих слоёв СсГГе для светоприёмных элементов ПЧФ и исследование влияния технологических факторов на их выходные характеристики с целью коррекции и оптимизации параметров является актуальной задачей.

Цель работы: Изучение условий получения и одновременного легирования в квазизамкнутом объёме (КО) слоёв СсГГе на стеклянных и (0001) АЬОз подложках как основы для светоприёмных элементов ПЧФисследование влияния технологических факторов на электрофизические свойства слоёв пСс! Те:1п и выходные характеристики созданных на их основе ПЧФустановление механизма токопрохождения через слои пСс! Те:1п при широкомасштабном изменении напряженности внешнего электрического поляразработка и изготовление на основе слоёв пСс! Те:1п светоприёмных элементов для 4-х и 5-ти контактных ПЧФисследование выходных характеристик ПЧФ с целью коррекции и оптимизации их параметров.

Научная новизна работы определяется следующими новыми результатами:

1. Определены оптимальные условия получения и одновременного легирования в квазизамкнутом объёме слоев пСс1Те:1п как основы для светопри-ёмных элементов ПЧФ.

2. Установлено, что перенос носителей заряда в пленочных сэндвич — структурах 1п-пСс1Те:1п-8п02 при напряжённостях электрического поля Е > 10 В/см ограничивается объёмным зарядом инжектированных из 1п-контакта электронов, захваченных ловушечным уровнем Е1= Ес — 0,26 эВ с плотностью 1Чг=1014 см" 3, а токопрохождение в планарных структурах 1п-пСс1Те:1п-1п ограничивается до момента развития токовой неустойчивости 8-типа межкристаллическими потенциальными барьерами высотой еФ = 0,3 эВ, располагаемыми вдоль линий тока на расстоянии «50 нм друг от друга.

3. Показано, что электрическое переключение 8-типа в слоях пСёТе:1п, наблюдаемое в диапазоне напряженностей электрического поля 103-т-104 В/см, имеет тепловую природу.

4. Впервые установлено, что светоприёмные элементы на основе однородных фотопроводящих слоёв пСс! Те:1п в форме диска с четырьмя квадратно расположенными электрическими контактами обладают позиционной чувствительностью к локальной засветке.

5. Показано, что распределение чувствительности по площадке светоприём-ного элемента 4-х контактных ПЧФ на основе однородных слоёв пСс! Те:1п по форме, знаку выходного напряжения, а также зависимости его величины от толщины слоёв, интенсивности их локальной засветки и величины входного тока соответствуют теоретическим расчётам.

6. Впервые установлена корреляция формы полярных диаграмм чувствительности 4-х контактных ПЧФ со степенью неоднородности слоёв пСс1Те:1п приёмных элементов, являющаяся основой способа неразру-шающего контроля однородности полупроводниковых слоёв.

7. Предложена физическая модель, объясняющая координатную зависимость выходного сигнала 4-х контактного ГТЧФ, основанная на представлении о возникновении под действием приложенного напряжения электрического диполя в области оптического возбуждения светоприёмного элемента пСс! Те:1п.

8. Впервые установлено, что светоприёмные элементы на основе однородных фотопроводящих слоёв пС (1Те:1п в форме диска с нанесёнными по определенной схеме пятью электрическими контактами позволяют регистрировать положение пятна локальной засветки по двум координатам.

9. Показано, что выходные напряжения 5-ти контактных ПЧФ на основе слоёв пСс! Те:1п линейно возрастают с величиной входного тока и интенсивностью локальной засветки светоприёмных элементов пС<1Те:1п и тем самым согласуются с теоретическими расчетами.

Практическая значимость работы состоит в том, что:

1. Определены оптимальные условия получения и одновременного легирования в квазизамкнутом объёме слоёв пС<1Те:1п для светоприёмной основы ПЧФ.

2. Из однородных слоёв пСс! Те:1п изготовлены светоприёмные элементы для 4-х и 5-ти контактных ПЧФ, позволяющие регистрировать положение пятна локальной засветки по одной и двум координатам и обладающие удельной интегральной чувствительностью до 0,63 В/(мкА-мВт) и.

ПО мВ.

172-соответственно. мм¦мкА •мВт.

3. На основе исследований выходных характеристик 4-х контактных ПЧФ, изготовленных из слоёв пСс! Те:1п, разработан на уровне изобретения способ неразрушающего контроля однородности полупроводниковых слоёв.

4. В результате исследования 8-переключения слоев пС<1Те:1п в низкоомное состояние разработан на уровне изобретения способ установления теплового механизма переключения полупроводниковых образцов в низкоомное состояние.

5. Установлена возможность управления параметрами Б-переключения слоев пСс1Те:1п в низкоомное состояние посредством изменения интенсивности света из спектральной области, соответствующей краю собственного поглощения, что может быть использовано для создания на их основе фотореле.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Оптимальными технологическими условиями получения слоев пСс1Те:1п в квазизамкнутом объёме на стеклянных подложках для светоприёмных элементов ПЧФ является температурный режим: Ти=550 °С, Тп=450 °С и Тл=450 °С.

2. Равновесная концентрация основных носителей заряда, их подвижность и время жизни, а также форма спектральных характеристик фототока светоприёмных элементов на основе слоев пСс1Те:1п определяется температурой источника легирующей 1п-примеси.

3. Слои пСс1Те:1п, полученные в квазизамкнутом объёме на стеклянных подложках, характеризуются существованием в них межкристаллических потенциальных барьеров высотой 0,3 эВ и ловушечных уровней Е^ Ес -0,26 эВ с концентрацией Н1=1014 см" 3.

4. Механизм развития токовой неустойчивости Б-типа в слоях пС<1Те:1п связан с тепловым разогревом образцов. Параметрами переключения образцов в низкоомное состояние можно управлять путем их возбуждения светом из спектральной области, соответствующей краю собственного поглощения.

5. Основой разработанного на уровне изобретения способа определения теплового механизма переключения полупроводникового материала в низ-коомное состояние является равенство пороговых значений напряжения и тока переключения в стационарном режиме с их эффективными значениями в динамическом режиме.

6. Светоприёмные элементы на основе однородных полупроводниковых слоев пСс! Те:1п в форме диска с квадратно расположенными четырьмя электрическими контактами обладают позиционной чувствительностью к локальной засветке и могут использоваться для изготовления однокоор-динатных ПЧФ.

7. Основой разработанного на уровне изобретения способа неразрушающего контроля однородности полупроводниковых слоев может служить зависимость от неё формы полярных диаграмм чувствительности 4-х контактных ПЧФ.

8. Координатная зависимость величины выходного сигнала 4-х контактного ПЧФ определяется влиянием электрического диполя, образующегося в области оптического возбуждения светоприёмного элемента пСсГГё:1п под действием приложенного напряжения.

9. Светоприёмные элементы на основе однородных полупроводниковых слоев пСсГГе:1п в форме диска с нанесёнными по определенной схеме пятью электрическими контактами позволяют регистрировать положение пятна локальной засветки по двум координатам и могут использоваться для изготовления двухкоординатных ПЧФ.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на 1-й Украинской научной конференции по физике полупроводников (с международным участием), Одесса, 10−14 сентября 2002 г.- III Международной научно-практической конференции, Математическое моделирование в образовании, науке и производстве, Тирасполь, 17−20 сентября 2003 г.- В1Т+ IV.

International Conference on Information Technologies 2004, Chisinau, 3−7 May, 2004 г.- Научной сессии МИФИ-2005, Москва, 24−28 января 2005 г.- IV Международной научно-практической конференции, Математическое моделирование в образовании, науке и производстве, Тирасполь, 5−9 июня 2005 г.- Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам «Ломоносов-2006», Москва, 12−15 апреля 2006 г.- 5-й Всероссийской молодежной научной школе, Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение, Саранск, 3−6 октября 2006 г.- V Международной конференции, Математическое моделирование в образовании, науке и производстве, Тирасполь, 3−6 июня 2007 гфизических семинарах физико-математического факультета Приднестровского государственного университета им. Т. Г. Шевченко и ежегодных конференциях профессорско-преподавательского коллектива, Тирасполь 2003 — 2008 г. г., научном семинаре Центра оптоэлектроники Академии наук Республики Молдова, Кишинёв, 14 марта 2008 г.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ:

1. Исследованы технико-технологические условия получения термическим напылением в квазизамкнутом объёме на аморфных стеклянных и кристаллических сапфировых подложках легированных слоёв пСсГГе:1п как основы для светоприёмных элементов ПЧФ.

2. Установлена связь основных электрофизических параметров слоёв пСс! Те:1п с технологической температурой Тл соиспарения 1п-примеси. Они в основном определяются особенностями формирования в СсГГе локальных центров на основе собственных дефектов и атомов индия: при Тл< 450 °C в слоях образуются преимущественно центры 1пссь.

часть из которых при Тл > 450 °C формирует комплексы (Ус<�Дпси) акцепторного типа, компенсирующие свободные центры мелких доноров 1пСс1.

3. На основании исследования В АХ пленочных планарных структур 1п-пСс!Те:1п- 1п установлено, что до развития в них токовой неустойчивости Б-типа перенос носителей заряда ограничивается межкристаллическими потенциальными барьерами высотой еФ = 0,3 эВ, располагаемыми вдоль линий тока на расстоянии «50 нм друг от друга.

4. На основании исследования ВАХ пленочных сэндвич — структур 1п-пСсГГе:1пБп02 установлено, что до развития в них токовой неустойчивости 8-типа перенос носителей заряда при напряжённостях электрического поля Е >

10″ В/см ограничивается объёмным зарядом электронов, инжектированных из 1п-контакта и захваченных ловушечным уровнем Е^ Ес — 0,26 эВ с концентрацией Н~1014 см" 3.

5. В области температур 20 -г- 120 °C и напряженностей электрического поля.

ЮЧЮ4 В/см на ВАХ слоёв пСсГГе:1п обнаружено и изучено переключение 8-типа. На основе зависимостей мощности и порогового поля переключения от толщины, удельного сопротивления и температуры слоёв, а также от теплопроводности подложечного материала обоснован тепловой механизм токовой неустойчивости в слоях пСёТе:1п. Параметрами переключения Э — типа образцов пСс! Те:1п можно управлять путем их возбуждения светом из спектральной области края собственного поглощения СсГГе.

6. Разработаны лабораторные макеты 4-х и 5-ти контактных ПЧФ на основе однородных полупроводниковых слоёв пСс! Те:1п с определённой схемой расположения и коммутации электрических контактов.

7. Показано, что 4-х контактные ПЧФ на основе однородных полупроводниковых слоёв пСс1Те:1п могут использоваться как датчики углового и линейного смещений светоизлучающих объектов с удельной интегральной чувствительностью 0,63 В/(мкА-мВт), входным сопротивлением 0,5ч-2 МОм и линейной зависимостью выходных напряжений от входного тока и интенсивности локальной засветки фотоприёмного элемента.

8. Установлена корреляция формы полярных диаграмм чувствительности 4-х контактных ПЧФ со степенью неоднородности слоёв пСс! Те:1п све-топриёмных элементов. На этой основе найдено техническое решение и зарегистрирован патент на изобретение «Способ неразрушающего контроля однородности полупроводниковых слоёв по составу и толщине» .

9. Предложена физическая модель, объясняющая координатную зависимость выходного сигнала 4-х контактного ПЧФ, основанная на представлении о возникновении под действием приложенного напряжения электрического диполя в области оптического возбуждения светопри-ёмного элемента пСс! Те:1п.

10.Показано, что 5-ти контактные ПЧФ на основе однородных полупроводниковых слоёв пСс! Те:1п в форме диска радиусом Я могут использоваться как двухкоординатные датчики линейных смещений светоизлучающих объектов с максимальной чувствительностью 172.

-—-в области светоприёмного элемента радиусом г0 = 0,2611, мм•мкА •мВт, а как однокоординатные датчики линейных смещений светоизлучаю-щих объектов — в области координат светового зонда у/Я = (-0,75 40,75). Выходные сигналы 11х и 11у линейно возрастают с величиной входного тока и интенсивностью локальной засветки светоприёмных элементов пСс! Те:1п.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Эдуарду Александровичу Сенокосову за постоянное внимание и помощь при выполнении данной работы.

Также выражаю искреннюю благодарность сотрудникам кафедры твердотельной электроники и микроэлектроники ПГУ им. Т. Г. Шевченко, кандидату физико-математических наук, доценту кафедры теоретической физики ПГУ им. Т. Г. Шевченко Рустаму Ангамовичу Хамидуллину и старшему научному сотруднику НИЛ «Физики полупроводников» Молдавского Госуниверситета, кандидату физико-математических наук Владимиру Михайловичу Фёдорову за помощь, оказанную при выполнении данной работы.

Основное содержание диссертации отражено в следующих работах:

1. Функциональные возможности фотоприёмников на основе низкоомных полупроводниковых плёнок / A.A. Клюканов, Э. А. Сенокосов, В.В. Со-рочан и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2003.-№ 1.-С. 49−51.

2. Двукоординатные фотодатчики на основе однородных проводящих полупроводниковых плёнок / A.A. Клюканов, Э. А. Сенокосов, В.В. Соро-чан и др. // ЖТФ. — 2003. — Т. 73, вып. 5. — С. 123−125.

3. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В., Бурдиян И. И. Электрическая модель и свойства фотоприёмников на основе низкоомных полупроводниковых плёнок nCdTe // Математическое моделирование в образовании, науке и производстве: Материалы III Международной научно-практической конференции. — Тирасполь, 2003. — С. 104−105.

4. Патент № 262 ПМР. Способ контроля качества полупроводниковой пленки / Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан, Л. Д. Цирулик. — 2004.

5. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В., Бурдиян И. И. Исследование эффекта электрического переключения в толстых слоях nCdTe: In // ABSTRACTS on BIT+ IV International Conference on Information Technologies. — Chisi-nau, 2004.-P. 159.

6. Сенокосов Э. А., Сорочан B.B. Позиционно-чувствительные фотоприемники на основе слоёв nCdTe: In // Вестник Приднестровского университета. — 2004. — № 1(19). — С. 13−16.

7. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В., Бурдиян И. И. Исследование эффекта электрического переключения в толстых слоях nCdTe: In // Вестник Приднестровского университета. — 2004. — № 1(19). — С. 9−12.

8. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В. Выходные характеристики позиционно-чувствительных фотоприемников на основе слоёв CdTe: In //Вестник Приднестровского университета. — 2004. — № 2(20). — С. 105−109.

9. Сенокосов Э. А., Макаревич А. Л., Сорочан В. В. Электрические переключатели на основе поликристаллических слоев пСсГГе:1п, управляемые ИК-светом //Научная сессия МИФИ-2005: Сборник научных трудов. -2005. — Т. 1. С. 86−87.

10. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В., Макаревич А. Л. Тепловая модель электрической неустойчивости с 8-образными вольт-амперными характеристиками в слоях пСсГГе:1п // Математическое моделирование в образовании, науке и производстве: Материалы IV Международной научно-практической конференции. — Тирасполь, 2005. — С. 103−104.

11. Патент № 298 ПМР. Способ отбора полупроводникового материала для тепловых переключающих элементов / Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан. — 2005.

12. Сенокосов Э. А., Макаревич А. Л., Сорочан В. В. Электрическая неустойчивость в слоях пСсГГе:1п с 8 -образными вольт — амперными характеристиками // Известия ВУЗов. Физика. — 2005. — № 6. — С. 28−30.

13. Сенокосов Э. А., Макаревич А. Л., Сорочан В. В. Исследование механизма переключения в слоях пСсГГе:1п // Известия вузов. Электроника. — 2005. -№ 6.-С. 41−45.

14. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В. Характеристики позиционно-чувствительных фотоприемников на основе слоёв пСс! Те:1п // Прикладная физика. — 2006. — № 2. — С. 77−80.

15. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В. О механизме электрического переключения Б-типа в слоях пСсГГе:1п // Ломоносов-2006: Сборник тезисов Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам. — М., 2006. — Т. 2. — С. 163−164.

16. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В. Позиционно-чувствительные фотоприемники на основе слоёв пСсГГе:1п // Ломоносов-2006: Сборник тезисов Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам. — М., 2006. — Т. 2. — С. 162−163.

17. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В. Координатно-чувствительные фотоприемники на основе полупроводниковых слоёв пСс1Те:1п // Материалы на-но-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: Сборник трудов 5-й Всероссийской молодежной научной школы. — Саранск, 2006. — С. 130.

18. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В. Модель токопрохождения в слоях пСёТе:1п до возникновения токовой неустойчивости // Математическое моделирование в образовании, науке и производстве: Тезисы V Международной конференции. — Тирасполь, 2007. — С. 107−108.

19. Сенокосов Э. А., Сорочан В. В. Позиционно-чувствительные фотоприёмники на основе однородных полупроводниковых слоёв // Социогуманитарные и естественнонаучные проблемы устойчивого развития: Приднестровье: Сб. статей. По РАЕН. — Издательство ПТУ, 2008. — вып. 2. — С. 87−96.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Н., Свечников С. В., Смовж А. К. Полупроводниковые сенсорные потенциометрические элементы. — М.: Радио и связь, 1988. — 192 с.
  2. Н.А., Меламид А. Е. Фотоэлектронные приборы. М.: Высшая школа, 1974.- 351 с.
  3. Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения / Под ред. А. И. Фримера, И. И. Таубкина. М.: Мир, 1965. — 215 с.
  4. A position-sensitive MOS device using lateral photovoltaic effect / H. Niu, C. Aoki, T. Matsuda et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1987. — V. 26, № 1. -P. L35-L37.
  5. A.C. № 1 436 796 СССР. Устройство для регистрации слабых световых сигналов / Э. А. Сенокосов, А. А. Клюканов, А. Н. Усатый и др. // Б.И. -1988.-№ 42.
  6. А.С. № 1 499 119 СССР. Устройство для определения координаты светового пятна / А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, А. Н. Усатый, В.М. Федоров//Б.И. 1989. — № 29.
  7. А.С. № 1 528 253 СССР. Способ измерения спектрального распределения стационарной фотопроводимости полупроводников / Э. А. Сенокосов, Д. А. Шербан, А. А. Клюканов и др. // Б.И. 1989. — № 46.
  8. К.В., Дмитриев В. А. Изменение типа стабильной структуры в ряду соединении АПВ1У// Кристаллография. 1972. — Т. 17, вып.З. — С. 541−544.
  9. Получение пленок теллурида кадмия гексагональной модификации / К. В. Шалимова, О. С. Булатов, Э. Н. Воронков и др. // Кристаллография. 1957. — Т. И, вып.З. — С. 480−483.
  10. Zanio К. Cadmium telluride // Semiconductors and semimetals. New York: Academic Press, 1978. — V.13.-235 p.
  11. Straus A.J. The physical properties of cadmium telluride // Rev. Phys. Appl. -1977.-V.12.-P. 167−184.
  12. Bhargava R.N. The role of impurities in refined ZnSe and other II VI semiconductors // J. Cryst. Growth. — 1982. — V.59. — P. 15 — 26.
  13. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник. -М.: Наука, 1979.-339 с.
  14. Основы оптоэлектроники / Я. Суэмацу, С. Катаока, К. Кисино и др. // М.: Мир, 1988.-288 с.
  15. П. И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника: Справочник. Киев: Наукова думка, 1975. — 704 с.
  16. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. -М.: Мир, 1975.-432 с.
  17. Straus A.J. The physical properties of cadmium telluride // Rev. Phys. Appl. — 1977.-V. 12.-P. 167−184.
  18. Samimi M., Biglari В., Hage-Ali M. About the origin of the 0,15 to 0,20 eV defect level in cadmium telluride // Phys. Status Solidi A. 1987. — V. 100. -P. 251−258.
  19. H. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. M.: Сов. радио, 1968.-268 с.
  20. А.Н. Получение и исследование толстых монокристаллических слоев ZnTe и пленочных гетеропереходов ZnTe CdSe: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. — Кишинев: КГУ, 1980. — 16 с.
  21. Seto S., Yamada S., Suzuki К. Structural and optical characterizations of CdTe on GdS grown by hot-wall vacuum evaporation // Sol. Energ. Mater. Sol. Cell. 2001. -V. 67. -P. 167−171.
  22. OMVPE growth of CdTe ZnTe superlattices / D.W. Kisker, P.H. Fuoss, J.J. Krajewaki et al. // J.Cryst.Growth. — 1988. — V. 86. — P. 210 — 216.
  23. Bicknell R.N., Myers Т.Н., Schetzina J.F. Growth of CdTe films on alternative substrates by molecular beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. A. -1984. -V.2. P. 423 — 426.
  24. Improved performance of CdTe thin film solar cells through controlling the initial stage of the CdTe layer deposition by close-spaced sublimation / T. Okamoto, Y. Harad, A. Yamada et al. // Sol. Energ. Mater. Sol. Cell. -2001.-V. 67.-P. 187−194.
  25. M., Иванов С., Олихов И. Полупроводниковые лазеры с электронно-лучевой накачкой // Электроника. 2006. — Вып.4. — С. 66−69.
  26. Suzuki К., Ema Y., Hayashi Т. Formation and properties of very high-conductivity CdTe film made by evaporation // J. Appl. Phys. 1986. -V. 60.-P. 4215−4217.
  27. JI.C., Сорокин Б. К. Влияние подложек на фотоэдс в пленках CdTe // ФТТ. 1966. — Т.8, вып.9. — С. 2795−2797.
  28. С.А., Темиров Ю. Ш. Получение монокристаллических пленок CdTe методом конденсации из паровой фазы в потоке водорода // Кристаллография. 1970. — Т. 15, вып.6. — С. 1057−1059.
  29. Bicknell R.N., Myers Т.Н., Schetzina J.F. Growth of CdTe films on alternative substrates by molecular beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. -V.2.-P. 423−426.
  30. Growth of CdTe films on sapphire by molecular beam epitaxy / Т.Н. Myers, Lo. Yawcheng, R.N. Bicknell et al. // Appl. Phys. Lett. 1983. — V.42. -P. 247 — 248.
  31. Properties and application of CdTe/sapphire epilayers grown by molecular beam epitaxy / Т.Н. Myers, N.C. Giles-Taylor, R.W. Yanka et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1985. -V. A3, № 1. -P. 71−75.
  32. Thickness-dependence of stoichiometry and microstructure characteristics in correlation with conductivity type of CdTe films / A.A. Ramadan, A. Abd-El
  33. Mongy, I.S. Ahmed Farag et al. // Thin Solid Films. 2003. — V. 423. -P. 146−152.
  34. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные пленки соединении А2В6. Ленинград: ЛГУ, 1978. — 312 с.
  35. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объёме / Ю. З. Бубнов, М. С. Лурье, Ф. Г. Старое и др. М.: Сов. радио, 1975. — 161 с.
  36. Синтез эпитаксиальных пленок CdTe / Ю. К. Ежовский, И. П. Калинкин, К. К. Муравьева и др. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1973. — Т. 9, вып.7.-С.1115−1120.
  37. А.П., Рубец В. П. Гетероэпитаксия полупроводниковых соединений AnBVI на охлажденной подложке // ФТП. 2001. — Т. 35, вып.З. -С. 294 -297.
  38. Э.А. Получение и физические процессы в монокристаллических слоях и пленочных гетеропереходах соединений А2В6 на сапфире: Дис. докт. физ.-мат. наук. Кишинев: КГУ, 1989. — 426 с.
  39. Rusu М., Nicolaescu I.I., Rusu G.G. Influence of deposition conditions on the structural characteristics of sublimated CdTe thin films // Appl. Phys. A. — 2000.-V.70.-P. 565−571.
  40. Jacome C.E., Florez J.M., Gordillo G. Study of electrical transport properties in polycrystalline CdTe thin films // Thin Solid Films. 2001. — V.396. -P. 255−261.
  41. Large grain size CdTe films grown on glass substrates / O. Zeiaya, F. Sunchez-Sineneio, J.G. Mendoza-Alvarez et al. // J. Appl. Phys. 1988. -V. 63, № 2.-P. 410−413.
  42. Structural characterization of CdTe thin films developed on metallic substrates by close spaced sublimation / G.P. Hernandez, X. Mathew, J.P. Enriquez et al.//J. Mater. Sci. 2004. — V. 39. -P. 1515−1518.
  43. Heavily doped CdTe films grown by close-spaced vapor transport technique combined with free evaporation / R. Castro-Rodriguez, M. Zapata-Torres, A. Zapata-Navarro et al. // J. Appl. Phys. 1996. — V. 79, № 1. — P. 184−187.
  44. О.Э., Фейчук П. И., Шербан Г. П. Электропроводность CdTe легированного индием при высоких температурах // Изв. АН СССР. Неорган. матер. 1983. -Т.19, вып.З. — С. 362−365.
  45. Deep level structure and compensation mechanism in In-doped CdTe crystals / T. Ido, A. Heurtel, R. Triboulet et al. // J. Phys. Chem. Sol. 1987. — V.48. -P. 781 -790.
  46. Suzuki Т., Ema Y., Hayashi T. In doping in CdTe films by co-evaporation of CdTe and In // Jap. J. Appl. Phys. 1987. — V.26. — P. 2009 — 2014.
  47. Лазерные экраны из монокристаллических пленок ZnSe и ZnTe, выращенных на сапфире / А. В. Дуденкова, А. С. Насибов, Э. А. Сенокосов и др. // Квантовая электроника. 1981. — Т. 8, № 6. — С. 1380−1382.
  48. Е. С. Электрофизика информационных систем. — М.: Высшая школа, 2001.-643 с.
  49. Об участии плазмонов в излучении ЭДП эпитаксиальных слоёв ZnSe /Мьен By Зоан, Э. А. Сенокосов, В. Г. Стойкова и др. // ФТП. 1985. I
  50. Т. 19, вып.9.-С. 1571 1576.
  51. А.А., Сенокосов Э. А. Многоплазмонная люминесценция невырожденной ЭДП в полупроводниках при высоком уровне возбуждения // ФТП. 1987. — Т.21, вып. 11. — С. 2103 — 2106.
  52. Многоплазмонные оптические переходы в невырожденной ЭДП прямо-зонных полупроводников / B.C. Вавилов, А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов и др. // ФТТ. 1988. — Т. ЗО, вып.2. — С. 614 — 617.
  53. А. П., Рубец В. П., Нуждин М. Ю. Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры // ФТП. 2003. — Т. 37, вып. 6. — С. 671−673.
  54. Rakhshani А.Е., Makdisi Y. Detailed Study of band-gap energy levels in CdTe films electrodeposited from chlorine-containing solutions // Phys. Stat. Sol. A. 2000. — V. 179. — P. 159 — 170.
  55. Rakhshani A.E. Photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) of deep levels in electrodeposited CdTe films // Phys. Stat. Sol. A. 1998. -V. 169.-P. 85−96.
  56. Kim M.D., Kang T.W., Kim T.W. Hydrogenation and annealing behaviors of deep levels in strained CdTe (l 1 l)/GaAs (100) heterostructures // J. Appl. Phys. 1998.-V. 83.-P. 349−352.
  57. Kim M.D., Kang T.W., Kim T.W. Hydrogenation behavior of deep levels in nominally undoped p-CdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy // Solid State Commun. 1996. — V. 99. — P. 117−121.
  58. Kim M.D., Kang T.W., Kim T.W. Hydrogenation and annealing effects on the deep levels and acceptor neutralization in p-CdTe // Appl. Surf. Sci. -1999.-V. 137.-P. 57−60.
  59. O.A., Терентьев А. И. Самокомпенсация в CdTe в условиях фазового равновесия кристалл-пар кадмия(теллура) // ФТП. 1998. — Т. 32, вып. 2.-С. 159−163.
  60. Defect engineering in CdTe, based on the total energies of elementary defects / V. Babentsov, V. Corregidor, K. Benz et al. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 2001. — V. A 458. — P. 85 — 89.
  61. Deep energy levels in CdTe and CdZnTe / A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni et al. // J. Appl. Phys. 1998. — V. 83. — P. 2121 — 2126.
  62. CdTe detectors response to irradiation with high-energy gamma-rays / P. Chirco, E. Caroli, A. Cavallini et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2000. -V. 47.-P. 2078−2083.
  63. Lewandowski A. C., McKeever S. W. S. Trapping parameters in CdTe single crystals determined by thermally stimulated conductivity // J. Appl. Phys. -1990. V.68, № 5. — P. 2196−2205.
  64. Defects in CdTe and CdbxZnxTe / D. M. Hofmann, W. Stadler, P. Christmann et al. //Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1996. — V. A 380. — P. 117−120.
  65. Chian-ping Ye, Joseph H. Chen. Studies of defects in n-type CdTe by charge transient spectroscopy // J. Appl. Phys. 1990. — V. 67, № 5. — P. 2475−2481.
  66. Rakhshani A.E. CdTe films electrodeposited from chlorine-containing solutions // J. Phys. Condens. Matter. 1999. — V. 11. — P. 9115−9126.
  67. Investigation of compensation defects in CdTe: Cl samples grown by different techniques / C. Eiche, D. Maier, D. Sinerius et al. // J. Appl. Phys. 1993. -V. 74.-P. 6667−6670.
  68. Thermally stimulated currents in CdTe polycrystalline films / R. Ramirez-Bon, F.J. Espinoza-Beltran, O. Vigil et al. // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. -P. 3908−3911.
  69. H. В., Аркадьева E. H., Матвеев О. А. Оптическое поглощение, связанное с дефектами решетки в кристаллах CdTe // ФТП. 1970. -Вып. 2. — С. 370−372.
  70. Time-resolved photocurrent and electric field measurement in high resistivity CdTe / G. Gghislotti, S. Pietralunga, L. Ripamonti et al. // J. Appl. Phys. -2000. V.87, № 1. — P. 322−228.
  71. Indium dopant behaviour in CdTe single crystals / P. Fochuk, O. Panchuk, P. Feychuk et al. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 2001. — V. A 458. -P. 104−112.
  72. Complex formation at indium donors in p-CdTe / U. Reislohner, N. Achtziger, M. Rub et al. // J. Cryst. Growth. 1996. — V. 159. — P. 372−375.
  73. Comparison of electrical and luminescence data for the A center in CdTe /A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. -V. 69.-P. 3510−3512.
  74. Compensation and deep levels in II-VI compounds / A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni et al. // Mater. Sci. Eng. B. 1996. — V. 42. — P. 302−305.
  75. Investigation of compensation defects in CdTeiCl samples grown by different techniques / C. Eiche, D. Maier, D. Sinerius et al. // J. Appl. Phys. 1993. -V. 74.-P. 6667−6670.
  76. Analysis of photoinduced current transient spectroscopy (PICTS) data by a regularization method / C. Eiche, D. Maier, M. Schneider et al. // J. Phys. Condens. Matter. 1992. — V. 4. — P. 6131−6140.
  77. Characterization of CdTeiCl crystals grown under microgravity conditions by time dependent charge measurements (TDCM) / C. Eiche, W. Joerger, M. Fiederle et al. // J. Cryst. Growth. 1996. — V. 166. — P. 245−250.
  78. Evidence of a deep donor in CdTe / T.A. Kuhn, W. Ossau, A. Waag et al. // J. Cryst. Growth. 1992. — V. 117. — P. 660−665.
  79. Hole traps in p-type electrochemically deposited CdTe thin films / S.S. Ou, A. Bindal, O.M. Stafsudd et al. // J. Appl. Phys. 1984. — V. 55. — P. 1020−1022.
  80. Shallow levels in the band gap of CdTe films deposited on metallic substrates / X. Mathew, J.R. Arizmendi, J. Campos et al. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells.-2001.-V. 70.-P. 379−393.
  81. Chian-ping Ye, Joseph H. Chen. Studies of defects in n-type CdTe by charge transient spectroscopy // J. Appl. Phys. 1990. — V.67, № 5. — P. 2475−2481.
  82. Investigation of defects in THM grown cadmium telluride after irradiation damaging / M. Samimi, B. Biglari, M. Hage-Ali et al. // J. Cryst. Growth. -1985.-V. 72.-P. 213−215.
  83. А., Власенко А. И., Мозоль П. Е. Влияние различных видов обработки поверхности на фотоэлектрические и оптические свойства CdTe // ФТП. 1997. — Т. 31, вып. 12.-С. 1428−1430.
  84. Oliver M.R., McWhorter A.L., Foyt A.G. Curent runaway and avalanche effects in nCdTe // Appl. Phys. Lett. 1967. — V. l 1, № 4. — P. 111−113.
  85. B.B., Спицына Л. Г. Физика полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1976. — 368 с.
  86. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. -М.: Наука, 1972. 414 с.
  87. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, 1977.-672 с.
  88. Л. Н., Кица М.С, Лихобабин Н. П. Исследование эффекта переключения в монокристаллах CdTe // Физическая электроника. 1987. -№ 34. — С. 33−36.
  89. Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe / А. Байдуллаева, А. И. Власенко, В. А. Гнатюк и др. // Техника и конструирование в электронной аппаратуре. 2001. — № 3. — С. 36−37.
  90. Л. С., Копач Т. И. Эффекты переключения и памяти в монокристаллических пленках CdTe // Микроэлектроника. 1977. — Т.6, № 2. -С. 193−195.
  91. А.П., Хиврич В. И. Эффекты переключения и памяти в CdTe // ФТП. 1974. — Т. 8, № 5. — С. 990—992.
  92. Н. В., Алексееенко М. В., Матвеев О. А. Явление формовки и переключения в кристаллах CdTe // ФТП. 1975. — Т. 9, № 10. — С. 1962—1965.
  93. Н. В., Алексееенко. М. В., Матвеев О. А. Эффект переключения в компенсированных монокристаллах теллурида кадмия // ФТП. -1975. Т. 9, № 3. — С. 519—523.
  94. Flexible large area thin film position sensitive detectors / E. Fortunato, I. Ferreira, F. Giuliani et al. // Sensors and Actuators. 2000. — V.86. -P. 182−186.
  95. New insights on large area flexible position sensitive detectors / D. Brida, E. Fortunato, H. Aguas et al. // J. Non-Crystalline Solids. 2002. — V.299−302. -P. 1272−1276.
  96. C.A. Получение и электрофизические свойства эпитаксиальныхслоев CdS/Al2C>3 и пленочных гетеропереходов pZnTe-nCdS: Дис.канд. физ.-мат. наук. Кишинев: КГУ, 1986. — 216 с.
  97. Дж. Современные датчики: Справочник. М.: Техносфера, 2005.-588 с.
  98. Lopez-Otero A. Hot wall epitaxy // Thin Solid Films. 1978. — V.49. — P. 357.
  99. Э.А., Сорочан B.B. Выходные характеристики позиционно-чувствительных фотоприемников на основе слоев CdTe:In // Вестник ПТУ. 2004. — № 2(20). — С.105−109.
  100. Физические величины: Справочник / Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.
  101. JI.C., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.-480 с.
  102. Рост кристаллов. Теория роста и методы выращивания кристаллов / Под ред. К. Гудмана. -М.: Мир, 1977. 363 с.
  103. К.В., Воронко Э. М. О вакуумной конденсации сильно диссоциирующих соединений // Ж. физ. химии. 1967. — Т.41, вып.7. -С. 1822−1823.
  104. Gordillo G., Florez J.M., Hernandez L. C. Preparation and characterization of CdTe thin films deposited by CSS // Solar Energy Materials and Solar Cells.- 1995.-V.37.-P. 273−281.
  105. Физика и химия соединений AnBVI / Пер. с англ. под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970. — 624 с.
  106. Э.А., Макаревич A.JL, Сорочан В. В. Исследование механизма переключения в слоях nCdTe: In // Известия вузов. Электроника. 2005. -№ 6.-С. 41−45.
  107. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. — 206 с.
  108. Функциональные возможности фотоприёмников на основе низкоомных полупроводниковых плёнок / А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 2003. — № 1. С. 49−51.
  109. Двукоординатные фото датчики на основе однородных проводящих полупроводниковых плёнок / А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан и др. // ЖТФ. 2003. — Т. 73, вып. 5. — С. 123−125.
  110. О. А., Терентьев А. И. Самокомпенсация в области собственной проводимости CdTe:Cl в условиях двухфазного равновесия системы кристалл-газ // ФТП. 1993. — Т. 27, вып. 11/12.-С. 1894−1903.
  111. Химия / Перевод с нем. В. А. Молочко, С. В. Крынкина. М.: Химия, 1989.-348 с.
  112. Л.А. Справочник по общей и неорганической химии. М.: Просвещение, 1997. — 256 с.
  113. Wei Su-Huai, Zang S.B. First-Principles study of doping limits of CdTe // Phys. Stat. Sol. (b). 2002. — V. 229, № 1. — P. 305−310.
  114. Marfaing Y. Self-compensation in II-IV compounds // Crystal Growth. -1981.-V. 4.-P. 317−343.
  115. Self-compensation studies in Cd-saturated In-doped CdTe / L. Shcherbak, P. Feichouk, P. Fochouk et al. // J. Crystal Growth. 1996. — V. 161. -P. 219−222.
  116. Compensating related defects in In-doped bulk CdTe / S. Seto, К. Suzuki, V.N. Abastillas et al. // J Cryst. Growth. 2000. — V. 214/215. — P. 974−978.
  117. В.Г., Шик А.Я., Шкловский Б. И. К теории эффекта холла в случайно-неоднородных полупроводниках // ФТП. 1982. — Т. 16, вып.8. -С. 1406−1410.
  118. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. — Т.1. -456 с.
  119. Е. Н., Матвеев O.A., Рудь Ю. В. Эффекты переноса в кристаллах n-CdTe при низких температурах // ФТП. 1968. — Т.2, № 6. — С. 830 833.
  120. Ю.Е., Марончук Э. Е., Шерстяков А. П. О гексагональной решетке в тонких слоях теллурида кадмия // Процессы синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводниковых материалов: Материалы симпозиума. Новосибирск: Наука, 1971. — 312 с.
  121. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. — М.: Мир, 1976.-432 с.
  122. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. — 494 с.
  123. Пленочные детекторы ядерных излучений из теллурида кадмия / Б. Н. Заверюхин, Ш. А. Мирсагатов, H.H. Заверюхина и др. // Письма в ЖТФ. 2003. — Т.29, вып.22. — С. 80−87.
  124. А. Основы теории фотопроводимости. -М.: Мир, 1966. 358 с.
  125. Э.А., Усатый А. Н. Особенности рекомбинационных процессов в эпитаксиальных фотопроводящих слоях ZnTe // ФТП. 1985. -Т. 19, вып.З.-С. 434−437.
  126. Petritz R.L. Theory of Photoconductivity in Semiconductor Films // Phys. Rev.- 1956.-V. 104, № 6.-P. 1508−1516.
  127. Rose A. Space charge — limited currents in solids // Phys. Rev. — 1955. -V.97.-P. 1538−1544.
  128. M., Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. М.: Мир, 1973.-416 с.
  129. Э.А., Сорочан В. В. О механизме электрического переключения S-типа в слоях nCdTeiln // Ломоносов-2006: Сборник тезисов Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам. М., 2006. — Т. 2. — С. 163−164.
  130. Э.А., Макаревич А. Л., Сорочан В. В. Электрическая неустойчивость в слоях nCdTeiln с S -образными вольт амперными характеристиками // Известия ВУЗов. Физика. — 2005. — № 6 — С. 28−30.
  131. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К. Д. Цендина. С.-Петербург: Наука, 1996. — 248 с.
  132. Патент № 298 ПМР. Способ отбора полупроводникового материала для тепловых переключающих элементов / Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан. -2005.
  133. Э. Н. Импульсный пробой пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в присутствии магнитного поля // ФТП. — 1999. Т. ЗЗ, вып. 8. — С. 996−1000.
  134. Датчики: Справочник / Под ред. З. Ю. Готры, О. И. Чайковского. Львов: Прапор, 1995.-312 с.
  135. И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. -М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
  136. Э.А., Сорочан В. В. Позиционно-чувствительные фотоприемники на основе слоев пСс! Те:1п // Вестник Приднестровского университета.-2004.-№ 1(19). С. 13−16.
  137. Патент № 262 ПМР. Способ контроля качества полупроводниковой пленки / Э. А. Сенокосов, В. В. Сорочан, Л. Д. Цирулик. 2004.
  138. Э.А., Сорочан В. В. Характеристики позиционно-чувствительных фотоприемников на основе слоев пСс1Те:1п //Прикладная физика. 2006. — № 2. — С. 77−80.
  139. Я.П., Рыбаков Ю. П. Электродинамика. М.: Высшая школа, 1990.-352 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!