Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Методы создания СВЧ-модулей систем космической связи

Диссертация: Методы создания СВЧ-модулей систем космической связи
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На момент выполнения данной работы отсутствовал промышленный выпуск арсенид-галлиевых интегральных схем СВЧ диапазона, удовлетворяющих требованиям, предъявляемым к бортовой аппаратуре связи нового поколения. Не существовало комплексного подхода к проектированию арсенид-галлиевых интегральных схем, позволяющего реализовать всю номенклатуру функциональных схем, требуемых для построения АФАР… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ СВЧ МОДУЛЕЙ СИСТЕМ КОСМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
  • ГЛАВА II. ПРОЕКТИРОВАНИЕ СВЧ МОДУЛЕЙ НА ОСНОВЕ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫХ СХЕМ
    • 2. 1. Анализ работы арсенид-галлиевого ПТШ в ключевом режиме
    • 2. 2. Реализация СВЧ фазовращателей в виде арсенид-галлиевых ИС
    • 2. 3. Особенности проектирования интегральных схем усилителей мощности
    • 2. 4. Эффективность использования арсенид-галлиевых интегральных схем в СВЧ аппаратуре
  • ГЛАВА III. ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА ПАРАМЕТРЫ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И СВЧ МОДУЛЕЙ НА ИХ ОСНОВЕ
    • 3. 1. Базовая технология изготовления арсенид-галлиевых интегральных схем для аппаратуры систем связи
    • 3. 2. Технология изготовления бескорпусных и герметичных модулей на основе арсенид-галлиевых интегральных схем
    • 3. 3. Оценка надежности СВЧ модулей на основе арсенид-галлиевых интегральных схем
  • ГЛАВА IV. ПОСТРОЕНИЕ СВЧ МОДУЛЕЙ НА ОСНОВЕ ДИСКРЕТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
    • 4. 1. Проектирование приемных конверторов СВЧ диапазона на зарубежной элементной базе
    • 4. 2. Использование в приемных модулях полосно-пропускающих фильтров на диэлектрических резонаторах
    • 4. 3. Построение приемных трактов с распределенной фильтрацией
    • 4. 4. Принципы построения многоканальных приемных модулей многолучевых АФАР
    • 4. 5. Оптимизация конструкции СВЧ модулей для серийного производства
  • ГЛАВА V. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ В СВЧ МОДУЛЯХ
    • 5. 1. Анализ работы микроэлектромеханического переключателя в СВЧ диапазоне
    • 5. 2. Построение СВЧ фазовращателей на основе микроэлектромеханических переключателей
    • 5. 3. Элементы
  • МЭМС СВЧ диапазона для систем связи и радиолокации

Методы создания СВЧ-модулей систем космической связи (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Повышение степени интеграции СВЧ модулей радиоэлектронной аппаратуры имеет особое значение для бортовой аппаратуры космической связи и носимой, перевозимой и стационарной наземной аппаратуры. Под модулем СВЧ понимается радиоэлектронное изделие СВЧ диапазона, имеющее законченное схемное и конструктивное исполнение, состоящее из одного или нескольких функциональных узлов, неремонтопригодное в условиях эксплуатации, взаимозаменяемое. Функциональный узел СВЧсборочная единица или деталь, выполняющая одну или несколько радиотехнических функций и предназначенная для работы в СВЧ диапазоне в составе модуля СВЧ [1].

По конструктивно-технологическому исполнению СВЧ модули разделяются на коаксиально-волноводные, интегральные и комбинированные. Другим признаком разделения модулей является выполняемая обобщенная радиотехническая функция. Так различают модули генераторные, усилительные, преобразовательные и комбинированные. На более низком уровне разделяют изделия, отличающиеся выполняемой конкретной радиотехнической функцией: автогенераторы, малошумящие усилители, усилители мощности и др. По количеству выполняемых функций модули подразделяются на однофункциональные и многофункциональные. Используемый в модуле активный комплектующий элемент или функциональный узел на его основе дает наименование модулю в целом [2].

Модули СВЧ характеризуются большим числом электрических параметров, важнейшими из которых являются рабочий диапазон частот, полоса рабочих частот, коэффициент передачи, выходная мощность, коэффициент шума и коэффициент стоячей волны по напряжению (КСВН) по входу и выходу. К модулям, используемым в системах космической связи, предъявляются дополнительные технические требования, обусловленные размещением модулей в составе бортовой аппаратуры космического аппарата. Надежность модулей определяет срок активного существования.

GАС) бортового радиотехнического комплекса (БРТК) и характеризуется временем безотказной работы. Требования по радиационной стойкости модулей определяются условиями эксплуатации в открытом космическом пространстве без дополнительной радиационной защиты. При совместной, работе приемной и передающей аппаратуры близких частотных диапазонов в условиях ограниченного пространственного разноса антенных систем необходимо решать проблему помехозащищенности’приемных трактов, т. е. решать задачу электромагнитной совместимости (ЭМС). Устойчивость к воздействию климатических и механических факторов при минимальных массогабаритных характеристиках модулей является важнейшим требованием бортовой аппаратуры. Используемые технические решения и технология изготовления модулей должны. обеспечить повторяемость параметров модулей в условиях промышленного серийного производства при оптимальных стоимостных характеристиках. Для наземной аппаратуры. систем космической связи в меньшей степени важны вопросы радиационной стойкости, зато более актуальны вопросы снижения стоимости изготовления в условиях серийного производства.

Федеральная целевая Программа «Национальная технологическая база на 2007 — 2011 г. г.» предусматривает разработку базовых технологий и базовых конструкций электронных компонентов и приборов для-сверхвысокочастотной электроники на основе последних достижений микроэлектроники.

При помощи сложных • радиоэлектронных систем решаются вопросы обеспечения жизнедеятельности и безопасности современных высокоразвитых государств, поэтому «Основы политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу», утвержденные Президентом Российской Федерации 11 апреля 2002 года, предусматривают концентрацию усилий и ресурсов на критических направлениях развития электронной компонентной базы, к числу которых отнесено и создание сложных функциональных блоков, в том числе СВЧ диапазона.

Вопросам актуальности микроминиатюризации аппаратуры связи и радиолокации посвящены многочисленные работы Гуськова Г. Я., Блинова Г. А., Коледова JLA., Панасенко П. В., Реброва С. И., Сестрорецкого Б. В., Чистякова Н. И. и других.

На момент выполнения данной работы отсутствовал промышленный выпуск арсенид-галлиевых интегральных схем СВЧ диапазона, удовлетворяющих требованиям, предъявляемым к бортовой аппаратуре связи нового поколения. Не существовало комплексного подхода к проектированию арсенид-галлиевых интегральных схем, позволяющего реализовать всю номенклатуру функциональных схем, требуемых для построения АФАР, на основе полупроводниковых структур арсенида галлия промышленного изготовления. Задача построения сложных многофункциональных модулей для серийного производства, способных работать в сложной электромагнитной обстановке, в том числе приемных модулей для многолучевых АФАР, не ставилась до начала 80-х годов по причине отсутствия в разработке подобных систем, Решению научно-технической проблемы создания СВЧ модулей для систем космической связи нового поколения и посвящена данная работа.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. В первой главе рассмотрены принципы построения СВЧ модулей в зависимости от назначения и условий эксплуатации. Показана зависимость параметров модуля от характеристик и типа применяемых активных элементов.

Основные результаты работы:

1. Реализован комплексный подход к проектированию арсенид-галлиевых ИС различного функционального назначения в СВЧ диапазоне для использования в приемных и передающих модулях космических систем связи 17Р53, В-200, 17Р78РП, В-400М.

2. Определены и сформулированы общие и частные конструктивно-технологические требования при проектировании активных элементов арсенид-галлиевых ИС. Получены зависимости характеристик переключателя на основе арсенид-галлиевого ПТШ в пассивном включении от ширины транзистора, способа включения в СВЧ тракт и рабочей частоты для получения требуемых прямых потерь и запирания. Показана возможность достижения требуемых характеристик при использовании промышленных эпитаксиальных структур арсенида галлия.

3. Проведена оценка радиационной стойкости арсенид-галлиевых ИС и их надежностные характеристики для построения на их основе аппаратуры для космических аппаратов со сроком активного существования более 10 лет. Предложена методика оценки времени потери работоспособности СВЧ арснид-галлиевых ИС во время импульсного воздействия факторов ядерного взрыва.

4. Подтверждена целесообразность проектирования топологии кристаллов усилителей мощности на основе непосредственного измерения параметров ПТШ на большом уровне сигнале методом тестовых плат. Данный подход сокращает число итераций при проектировании и обеспечивает высокое совпадение параметров, заданных и полученных экспериментально.

5. Показана эффективность сквозных металлизированных отверстий для заземления элементов СВЧ интегральной схемы в произвольном месте кристалла и обеспечении отвода тепла от активной зоны транзистора. Проведен сравнительный анализ влияния на параметры арсенид-галлиевых ИС проволочных выводов и плоских проводников. Показано, что на частотах выше 10 ГГц плоские проводники имеют меньшее влияние на параметры интегральных усилителей.

6. Показана возможность построения функциональных узлов СВЧ диапазона и сложных многофункциональных устройств, таких как регулятор комплексных амплитуд, на основе однокаскадных усилителей в монолитном исполнении для повышения унификации аппаратуры.

7. Предложена схема унифицированного переключательного кристалла, позволяющая реализовать на его основе многоразрядный фазовращатель, фазовый модулятор, согласованный ключ и плавный аттенюатор в диапазоне частот до 5 ГГц.

8. Разработана схема построения многоканальных приемных модулей многолучевых АФАР на основе синфазной двухуровневой разводки, позволяющая получать в полосе частот минимальный фазовый разброс каналов без взаимного влияния каналов. Построение модулей с использованием данной концепции позволило реализовать бортовую приемную АФАР изделия 14Р512 с высокими техническими и массогабаритными характеристиками.

9. Предложен и апробирован метод проектирования приемных трактов АФАР с распределенной фильтрацией. Использование распределенной фильтрации в приемных трактах АФАР обеспечивает помехозащищенность и способность функционирования в сложной электромагнитной обстановке при минимальных шумовых характеристиках.

10. Обосновано и практически подтверждено использование полосно-пропускающих фильтров на диэлектрических резонаторах в конструкции СВЧ модулей с технологией поверхностного монтажа элементов, что позволило спроектировать ряд блоков для носимых станций космической связи ИПС-АП, ППС2Г1 и ППС2Г 1.01. Блоки имеют высокую технологичность, малую трудоемкость сборки и регулировки. Использование технологии поверхностного монтажа позволило в короткие сроки спроектировать, изготовить и испытать приемные конверторы Кии Хдиапазонов для станций приема информации с космических аппаратов дистанционного зондирования Земли 11Ф664 № 2 и «Метеор-ЗМ», соответственно.

11. Промоделированы и спроектированы микромеханические переключатели, что позволило получить СВЧ характеристики первых отечественных МЭМ переключателей на основе алмазоподобных пленок, как основы перспективных многофункциональных схем. По результатам испытаний определены основные направления схемотехнических и технологических работ для улучшения функциональных свойств МЭМ переключателей для использования в СВЧ диапазоне.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Анализ тенденций повышения степени интеграции СВЧ аппаратуры при одновременном улучшении ее функциональных и эксплутационных характеристик показал, что эффективность решения этого вопроса определяется повышением степени интеграции элементной базы, применением новых принципов проектирования, схемотехнических подходов и использованием элементов, полученных с использованием принципиально новых технологий.

Показано, что актуальным и перспективным является использование арсенид-галлиевых интегральных схем в СВЧ аппаратуре космических систем связи. Наиболее оптимальным решением в этом направлении является разработка схем средней степени интеграции, что позволяет реализовать на их основе узлы различного функционального назначения.

Разработанные арсенид-галлиевые ИС и модули на их основе в ряде изделий использовались более десяти лет до полного прекращения эксплуатации. Полученные в работе зависимости и выводы могут быть востребованы и в наши дни принципиально на новом уровне. Так, например, измерения параметров на большом сигнале уже возможно проводить с помощью автоматизированных анализаторов цепей. Возможно создание библиотек активных и пассивных элементов интегральных схем и использование услуг зарубежных фабрик для изготовления СВЧ интегральных схем.

Предложенные конструктивные решения могут быть использованы при проектировании модулей аналогичного назначения с учетом особенностей частотного диапазона.

Апробированные схемотехнические решения возможно использовать для новых полупроводниковых материалов с учетом индивидуальных особенностей активных элементов и новых технологий их изготовления.

Показать весь текст

Список литературы

  1. ГОСТ 23 221–78. Модули СВЧ, блоки СВЧ. Термины и определения, буквенные обозначения.
  2. Модули СВЧ/ Л. М. Арутюнов, И. П. Блудов, В. Д. Давыдов и др. М.: Радио и связь, 1984. — 72 с.
  3. Kilby J. S. Invention of the integrated circuit. IEEE Trans. 1976. vol. ED-23. № 7. p. 648−654.
  4. McQuiddy D. N., Wassel J. W., Lagrange J. B. Monolithic microwave Integrated circuits: An Historical perspective.
  5. EE Trans. 1984. vol. MTT-32, № 9, p.997−1006.
  6. К. Коммерческие английские приборы из GaAs. Электроника, 1985, № 5, с.36−39.
  7. Г. Я., Контарев В. Я., Панасенко П. В., Ахмадеев Р. Г., Панин В. Ф. Монолитный усилитель на основе арсенида галлия. Спецэлектроника. Сер. 10 Микроэлектронные устройства, 1982, Вып.1, с. 20.
  8. Разработка технологии изготовления монолитных ИС СВЧ малошумящего усилителя на арсениде галлия. Научно-технический отчет по НИР «Стриж». /Ефимов А.Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1982. Гос. Регистр. №-У82 937.
  9. Pucel R. A. Design consideration for monolithic microwave circuits. IEEE Trans. 1981. vol. MTT-29, № 6, p. 513−534.
  10. Cronin G.R., Haisty R.W. The preparation of semiinsulating gallium arsenide tychromium doping. J. Electrochem. Soc. Vol. Ill, July 1964, p. 674−877.
  11. Kodowaki Y. et al. Effect of Gamma Ray Irradiation on GaAs MMICs. GsAs 1С Symposium Digest (New Orleans LA) 1982.
  12. Г. В. Радиационная стойкость приборов с барьером Шоттки. Зарубежная электронная техника, 1976, № 9, с.3−37.
  13. Pengelly R. S., Turner J.A. Monolithic broad band GaAs FET Amplifier. Electron Lett., vol. 12, May 1976, p. 251−252.
  14. Экспресс-информация. Вып.23 от 1 февраля 1985 г.
  15. Chen D.R. DBS High Volume Market for GaAs MMICs. Microwave J., vol.26, № 2, 1983, p. l 16−160.
  16. Мэнгин Ч.-Г., Макклелланд С. Технология поверхностного монтажа: Пер. с англ. М.- Мир, 1990 — 276 с.
  17. К., Кищинский А. Взгляд специалистов в области СВЧ — техники. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 4, 2002, с.74−75.
  18. С. Применение технологии поверхностного монтажа в производстве гибридно интегральных модулей. Компоненты и технологии, № 7, 2006, с.66−67.
  19. В.В., Мальцев П. П. О термине «Микросистемная техника» в русском и английском языках./"Нано- и микросистемная техника", № 2, 2006. с.39−41.21. MST News № 5, 2001
  20. Ф. Интегральный датчик ускорения для автомобильных подушек безопасности // Электроника 1991, № 16, с. 7−14.
  21. Е.С., Зайцев Н. А., Равилов М. Ф., Романов И. М. Моделирование элементов микромеханики. «Микросистемная техника» № 10, 2002.
  22. Перспективы применения МЭМС -компонентов в сотовых телефонах нового поколения. Новости СВЧ техники, 2006, № 12, с.1−3.
  23. B.JI., Гринева К. И., Тусов В. Н. Вопросы проектирования активных ФАР с использованием ЭВМ. М. Радио и связью 1983.
  24. Tayrani R., Bartle D.C., Barett N.J. GaAs surface oriented microwave PINT diodes. GaAs 1С Symposium Digest. 1984, p.85−88.
  25. Walker J.L.B., McDermott M.G., Niholas J.M.C., Hyghes A.G. Monolithic mixers and phase shifters for X-band.
  26. Electronic Engineering, June 1985, p. 179−186.
  27. Wilson K., Niholas J.M.C., McDermott M.G., Burns J.W. Novel MMIC X-band phase shifter. IEEE Trans. 1985. vol. MTT-33, № 12, p. 1572−1578.
  28. Ulriksson B. Continues varactor diode phase shifter with optimized frequency response. IEEE Trans. 1979, vol. MTT-27, № 7, p.650.
  29. Mains R.K., Haddad G.I., Peterson D.F. Investigation of broad-band linear phase shifter using optimum varactor diode doping profiles.
  30. EE Trans. 1981, vol. MTT-29, № 11, p. 1158−1164.
  31. Dawson D.E., Conti A.L., Lee S.H. et al. An analog X-band phase shifter. IEEE Monolithic circuits Symposiums Digest 1984, p.610.
  32. Mondal J.P., Menes A.G., Oakes J.G., Shing-Kuo Wana Phase shifts an single-and dual gate GaAs MESFETs for 2−4 GHz quadrature phase shifter.
  33. EE Trans. 1984, vol. MTT-32, № 10, p.1280−1287.
  34. Tsironics C., Harrop P. Dual gate GaAs MESFET phase shifter with gain at 12 GHz. Electronics Lett., vol. 16, 1980, № 14, p.553−554.
  35. Bears S.V. New GaAs FET applications weighed as material processing matures. Microwave J., 1981, № 2, p.24.
  36. Lamb F.D., Kiss S., Krueger Т.К. Phase shifting amplifier. Патент США 34 398 191 от 9 августа 1983 г.
  37. Mitchell В. UK scientist describe GaAs FET applications. Microwaves&RF, March 1983, p.39.
  38. Kumar M., Menna R.J., Ho-Chung Huang Broad-band active phase shifter using dual gate MESFET. IEEE Trans. 1981, vol. MTT-29, № 10, p. 1098−1101.
  39. Vorhause J.L., Pucel R.A., Tajima Y. Monolithic dual gate GaAs FET digital phase shifter. IEEE Trans. 1982, vol. ED-29, № 7, p. l078−1087.
  40. Naster R.J. MMIC technology for microwave radar and communication systems. Microwave J., vol.24, № 2, 1983, p. 109−113.
  41. Ayasli Y. Microwave switching with GaAs FETs. Microwave J., vol.25, № 11, 1982, p.61−74.
  42. Fukui H. Determination of the basic devices parameters of the GaAs MESFET. Bell Syst. Tech. J. 1979, vol.58, № 3, p.771−797.
  43. Дж. Пассивные и активные цепи СВЧ. М. Радио и связь, 1981.
  44. Suckling C.W., Pengelly R.S., Cockrile J.R. S-band phase shifter using monolithic GaAs circuits.1982 IEEE International Solid State Circuits Conferens, p. 134−135.
  45. Pengelly R.S. Integrated T/R-modules employ ICs. Microwaves&RF, Dec. 1985, № 2, p.77−84. ' ,
  46. Ayasli Y., Miller S.W., Mozzi R., Hanes L.K. Wide-band monolithic phase shifter. IEEE Trans. 1984, vol. MTT-32, № 12, p.1710−1714.
  47. Ayasli Y., Miller S.W., Mozzi R., Hanes L.K. Wide-band monolithic phase shifter. IEEE Trans. 1984, vol. MTT-32, № 12, p.1710−1714.
  48. Andricos C., Bahe I. C-band 6 bit GaAs monolithic phase shifter. IEEE 1985 Microwave and millimeter wave monolithic circuits symposium, p. 8−10.
  49. H.H., Пашинцев Ю. И. Модель полевого транзистора с затвором Шоттки для машинного проектирования сверхбыстродействующих ИС на арсениде галлия. Микроэлектроника, 1984, т. 10, Вып.4, с.321−326.
  50. Н.Н., Пашинцев Ю. И. Математическая модель полевого транзистора на основе арсенида галлия, учитывающая накопление носителей в канале. Микроэлектроника, 1982, т.11, Вып.5, с.457−460.
  51. Н.Н., Пашинцев Ю. И. Анализ работы базового элемента на нормально открытых полевых транзисторах с затвором Шоттки. Электронная техника, Сер. З, Микроэлектроника, 1984, Вып.4.
  52. Н.Н., Ефимов А. Г., Мартынова В. П., Панасенко П. В. СВЧ ключ на арсенид-галлиевом полевом транзисторе.
  53. Электронная техника. Сер. 10 Микроэлектронные устройства Вып.2(56) 1986. с.31−35.
  54. Н.Н., Ефимов А. Г., Мартынов В. П., Панасенко П. В. Машинный анализ работы коммутационного ключа на основе арсенид-галлиевого транзистора с затвором Шоттки.
  55. Электронная техника Сер. 10 Микроэлектронные устройства Вып.2(56) 1986, с.28−32.
  56. Г. С., Вендик И. Б., Серебрякова Е. А. СВЧ фазовращатели и переключатели. М., Радио и связь, 1984, 184 с.
  57. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет/ Под ред. И. В. Мальского и Б. В. Сестрорецкого. М., Сов. Радио, 1969.
  58. Д. СВЧ полупроводниковые фазовращатели. ТИИЭР, № 11, 1968, с. 184−192.
  59. Н.Т., Ефремов Ю. Г., Конин В. В. и др. Микроэлектронные устройства СВЧ. К., Техника, 1984, 184 с.
  60. Н.Т., Стукало П. А., Храмов В. А. Управляющие устройства СВЧ. К., Техника, 1973, 164 с.
  61. Антенны и устройства СВЧ/ Под ред. Д. И. Воскресенского. М., Радио и связь, 1981, 432 с.
  62. СВЧ полупроводниковые приборы и их применение. Пер. с англ. /Под ред. B.C. Эткина. М., Мир, 1972.
  63. Atwater Н.А. Circuit design of load-line phase shifter. IEEE Trans. 1985, vol. MTT-33, № 7, p.626−634.
  64. Atwater H.A. Reflection coefficient transformation for phase shift circuit. IEEE Trans. 1980, vol. MTT-28, № 6, p.563−568.
  65. Bharj S.S. Cal aided Lange coupler synthesis. Microwave J., 1983, vol. 26, № 1, p.122−123.
  66. Mitchell B. Hybrids spotlighted at IEEE meeting on MICs.
  67. Microwaves&RF, Dec. 1983, p.38.
  68. Lange J. Interdigitated stripline quadrature hybrid. IEEE Trans. 1969, vol. MTT-17,№ 12, p. l 150−1151.
  69. Waterman R.C., Fabian W., Pucel R.A. et al GaAs monolithic Lange and Wilkinson couplers. IEEE Trans. 1981, vol. ED-28, № 2, p.121−216.
  70. Справочник по элементам полосковой техники. Под ред.
  71. A.Л. Фельдштейна. М., Связь, 1979.
  72. Р.Ж., Ефимов А. Г., Панасенко П. В., Панин В. Ф. Монолитная схема плавного фазовращателя сантиметрового диапазона.
  73. Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства Вып. 1(189) ч.1. 1983. с. 40.
  74. Г. Я., Панасенко П. В., Мартынов В. П., Панин В. Ф., Ержанов Р. Ж., Ефимов А. Г. Опыт создания МИП на GaAs и аппаратуры на их основе. Спец. Электроника. Сер.1. Устройства СВЧ. Вып.2. 1987.
  75. D. М. Krafcsik S. A. Tmhoff, D. Е. Dawson, and A. L. Conti «А dual-varactor analog phase shifter operating 6 to 18 GHz «IEEE 1988 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. pp. 83−86.
  76. Ayasli Y., Platzker A., Vorhaus J., Reynolds L.D. A monolithic single-chip X-band four-bit phase shifter. IEEE Trans. 1982, vol. MTT-30, № 12, p.2201−2205.
  77. McLevige W.V., Sokolov V. Resonated GaAs FET device for microwave switching. IEEE Trans. 1981, vol. ED-28, p. 198−203.
  78. Р.Г., ЕфимовА.Г., Кочлашвили Г. И., Панасенко П. В., Панин
  79. B.Ф. Трехсантиметровый усилитель мощности.
  80. Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(189) ч.1. 1983. с. 41.
  81. Р.Ж., Ефимов А. Г., Панасенко П. В. и др. Резистор арсенид-галлиевой интегральной схемы.
  82. Авт. Св-во по заявке № 3 638 169/24−25 кл. Н01/06 от 2.09.83г.
  83. Исследование возможности создания СВЧ фазовращателя на монолитной арсенид-галлиевой ИС. Научно-технический отчет по НИР
  84. Спираль». /Ефимов А.Г. — отв. исполнитель, НИИМП, Москва, 1985. Гос. Регистр.№Ф22 431.
  85. З.П., Буянов Н. Н., Ефимов А. Г. и др. Трехразрядный фазовращатель Х- диапазона на арсенид-галлиевых монолитных ИС. Спец. Электроника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(230) 1986. с. 12
  86. А.Г., Мартынов В. П., Мартынова В. П., Панасенко П. В., Панин В. Ф. Арсенид-галлиевые ИС СВЧ фазовращателей.
  87. Спец. Электроника. Сер. 10 Микроэлектронные устройства. Вып. 1(21) 1987. с.17−19.
  88. MAMF-2 DIE00 www.macom.com.
  89. В.Я., Гусев А. Н., Руссков Д. А. МИС фазовращателей L и S диапазона в приемниках АФАР. Вопросы радиоэлектроники, Сер. PJ1T, Вып. З, 2008, с. 63−68.
  90. А.Г. СВЧ фазовращатели сантиметрового диапазона на основе арсенид-галлиевых интегральных схем- Автореф. дисс. канд. техн. наук- 05.27.01. Защищена 29.01.88- Утв. 20.07.88 ТН № 111 235. -М., 1988.
  91. В.П. Управляющие устройства СВЧ для многофункционального использования в системах радиолокации и спутниковой связи. Диссертация доктора технических наук, М., 1998.
  92. О.С. Микроминиатюризация и качество твердотельных устройств СВЧ. Электронная техника. Сер.1 Электроника СВЧ. Вып. 10(104) 1987, с.29−34.
  93. О.С., Чижов А. И., Фефелов А. Г., Прудовский В. И. Выключатели СВЧ на полевых транзисторах с барьером Шоттки. Сер.1 Электроника СВЧ. Вып. 3(387) 1987, с.50−54.
  94. Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ. М., Сов. Радио, 1980.
  95. Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах. М., Радио и связь, 1987.
  96. В.Н., Кушниренко А. И., Петров Г. В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. М., Радио и связь, 1985.
  97. К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств- пер. с англ./Под ред. В. Г. Шейнкмана. М., Радио и связь, 1987.
  98. Ф.И., Бабак Л. И., Баров А. А., Вьюшков В. А. Проектирование монолитного усилителя мощности диапазона 8−12 ГГц с помощью программы автоматизированного синтеза. Тезисы докладов конференции «Электронные средства и системы управления», Томск, 2005.
  99. Вай Кайчэнь Теория и проектирование широкополосных согласующих цепей- пер с англ. /Под ред. Ю. Л. Хотунцева. М., Связь, 1979.
  100. В.М. Предельные широкополосные согласования произвольных импедансов. Радиотехника и электроника, 1984, т.29, № 9, с. 1772−1784.
  101. В.М. Синтез цепей связи для широкополосных усилителей. М., МЭИ, 1980.
  102. И.А. Модифицированный метод синтеза согласующих цепей усилителей мощности с помощью ЭВМ.
  103. В кн. Широкополосные радиотехнические цепи и устройства СВЧ и ВЧ. Новосибирск, 1987, с.91−98.
  104. .Е., Романов И. А. Синтез широкополосных согласующих цепей транзисторных усилителей СВЧ с помощью ЭВМ.
  105. Радиотехника, 1989, № 1, т.29, с.77−80.
  106. Г. Н., Шауро Г. С. Измерение импедансов транзисторов КТ-919 в диапазоне 1−2 ГГц методом тест-плат.
  107. Электронная техника, 1978, Сер.1, Вып.7, с.93−99.95. Ефимов А. Г., Романов И.А.
  108. Синтез с помощью ЭВМ согласующих цепей усилителей мощности на основе полупроводниковых интегральных схем. Семинар «Современная технология производства СВЧ схем». Минск. 1989.
  109. А.Г., Панасенко П. В., Панин В. Ф., Романов И. А. Усилитель средней мощности десятисантиметрового диапазона на арсенид-галлиевой ИС. Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(270) 1988. С.83−84.
  110. Разработка базовой конструкции усилителей средней мощности на основе арсенид-галлиевых ИС. Научно-технический отчет по НИР «Сюжет». /Ефимов А.Г. научный руководитель, НИИМП, Москва, 1994.
  111. Каталог фирмы Agilent Technologies. 2006.
  112. Разработка технологии изготовления СВЧ усилителей средней мощности на монолитной арсенид-галлиевой ИС. Научно-технический отчет по НИР «Струг-1» ./ Ефимов А. Г. отв. исполнитель, НИИМП, Москва, 1986. Гос. Регистр. № М15 394.
  113. А. Г. Мартынов В.П., Панасенко П. В., Панин В.Ф.
  114. Модуль усилителя средней мощности трехсантиметрового диапазона на арсенид-галлиевых ИС. Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(270) 1988. С.82−83.
  115. Ю., Гуляев В., Журавлев К. Квазимонолитные интегральные СВЧ-схемы: технология и приборы. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 6, 2006, с.84−86.
  116. Разработка бескорпусной микросборки СВЧ малошумящего усилителя на монолитной арсенид-галлиевой ИС. Научно-технический отчет по ОКР «Стриж-1». /Ефимов А.Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1984. Гос. Регистр.№У93 873.
  117. Г. Я., Ефимов А. Г., Мартынов В. П., Панасенко П. В., Панин В. Ф., Поздняков А. Г. Малошумящий усилитель на основе монолитной арсенид-галлиевой ИС. Спец. Электроника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(21) 1987. С. 19−23.
  118. Novel passive FET mixers provide superior dynamic range. www.minicircuits.com
  119. А.П., Черепухин В. И. Генератор СВЧ на полевом транзисторе трехсантиметрового диапазона, стабилизируемый диэлектрическим резонатором. -Изв. Вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника, 1984, т.27, № 12, с. 26−30.
  120. Gerber E.A., Lukaszek Т., Ballato A. Advances in microwave acoustic frequency sources. IEEE Trans. 1986, vol. MTT-34, № 10, p. 1002−1016.
  121. Разработка и исследование многоканальных радиометрических бортовых приемных комплексов КВЧ. Научно-технический отчет по НИР «Радиометр»./ Ефимов А. Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1989.
  122. А.Г., Панин В. Ф., Панцов В. Ю., Черный И. В. Многоканальный радиометр-спектрометр миллиметрового диапазона/2-я Крымская конференция «СВЧ -техника и спутниковый прием». Материалы конференции. Севастополь, 1992, с.417−422.
  123. П.В. СВЧ монолитные схемы на арсениде галлия и модули на их основе, Диссертация доктора технических наук, М., 1988.
  124. А.Г., Романов И. А. Арсенид-галлиевые ИС усилителей мощности СВЧ диапазона /2-я Крымская конференция «СВЧ -техника и спутниковый прием». Материалы конференции. Севастополь, 1992, с.267−272.
  125. П.В., Нарнов Б. А., Ионов Б. В., Ефимов А.Г.
  126. Технология изготовления МПТШ на GaAs с улучшенным теплоотводом и безындуктивным выводом. Спец. Электроника. Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып.1(230) 1986. С.14
  127. Разработка лабораторной технологии формирования металлизированных сквозных отверстий в подложках арсенид-галлиевых ИС. Научно-технический отчет по НИР «Скань"/ Ефимов А. Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1987. Гос. регистр.№−1153.
  128. Ю.Б., Барладян К. Д., Ожерельева Л. Ю. Интегральная схема СВЧ Авт. Св-во по заявке 4 394 522/25 от 28.12.1987 г.
  129. Т.С., Григорьева Л. В., Гроо Е. П. Уменьшение индуктивности истокового вывода в ПТШ на GaAs и интегральных схем на их основе. Материалы Всероссийской Научно-технической конференции ТУ СУР, 2005, Томск.
  130. Исследование и разработка технологических процессов для создания базовой технологии изготовления СВЧ монолитных интегральных приборов на арсениде галлия.- Научно-технический отчет по НИР «База
  131. ЭЛАС». /Ефимов А.Г. исполнитель, НИИМП, Москва, 1997.
  132. КалантаровП.Л., Цейтлин Л. А. Расчет индуктивностей: Справочнаякнига. Л., Энергоатомиздат., 1986. — 488 с.
  133. Разработка технологии изготовления СВЧ ИС УМ на GaAs сулучшенным теплоотводом и безиндуктивным заземлением выводов.
  134. Научно-технический отчет по НИР «Сеанс-Т"/ Ефимов А. Г. исполнитель, 1. НИИМП, Москва, 1993.
  135. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.
  136. А.Г., Панасенко П. В., Поздняков А.Г.
  137. Оценка надежности ИС МШУ на GaAs по результатам ускоренного термовоздействия. Спец. Электроника Сер.10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(21) 1987. С.23−27.
  138. А.Г., Иванов Ю. Н., Макаревич А. Л. и др.
  139. Особенности реакции арсенид-галлиевой ИС малошумящего усилителя на воздействие ионизирующих излучений.
  140. Специальные вопросы науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Вып. З 1986. С.70−74.
  141. В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник. М.- Рикел. Радио и связь, 1994.- 232 с.
  142. Ю.М., Гассанов Л. Г., Липатов А. А., Нарытник Т. Н., Федоров В. Б. Диэлектрические резонаторы в микроэлектронике СВЧ (обзор). Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. Вып. 4(768).
  143. М., ЦНИИ Электроника. 1981.
  144. Ю.М., Нарытник Т. Н., Федоров В. Б. Фильтры СВЧ на диэлектрических резонаторах. К.: Техника, 1989.-184 с.
  145. М.И., Кудинов Е. В. Ферритовые и диэлектрические резонаторы СВЧ. Издательство Киевского университета, 1973.-175 с.
  146. Е.А. Состояние дел в области разработок и производства микроволновых керамических материалов и элементов СВЧ техники. Материалы конференции «Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем. Омск, 2006, с. 189−195.
  147. Nenasheva Ye.A., Kartenko N.F. High dielectric constant microwave ceramics Journal of the European Ceramics Society, v.21, 2001, p. 2647−2701.
  148. П.В., Нагурский С. Б., Ефимов А. Г., Панин В. Ф. Селективный усилитель для формирователя частоты.
  149. Спец. Электроника сер. 10. Микроэлектронные устройства. Вып. 1(71) 1985.
  150. В.Ф. Селективный малошумящий усилитель на основе монолитных интегральных схем на арсениде галлия, Автореф. дисс. канд. техн. наук- М. 1987.
  151. И.Н., Дмитриев С. Д., Панин В. Ф. Вопросы микроминиатюризации диэлектрических фильтров. Электронная техника, Сер. 10, Микроэлектронные устройства, 1977, Вып.5.
  152. ОСТ11 0309−86 Материалы керамические для изделий электронной техники. Технические условия.
  153. Л.Г., Ротенберг Б. А., Нарытник Т. Н. и др. Термостабильные высокодобротные диэлектрические резонаторы для СВЧ-микроэлектроники Электронная техника, сер. Электроника СВЧ, 1981, вып. 6(330), с. 21−25.
  154. А.Г., Гассанов Л. Г., Зелявский В. Б., Нарытник Т. Н. Многоканальные СВЧ частотные разделители на диэлектрических резонаторах Радиоэлектроника, 1984, т.27, вып. 12, с. 62−65.
  155. А.Г., Панин В. Ф., Петров В. Г. Использование в приемных модулях полосно-пропускающих фильтров на диэлектрических резонаторах. Вопросы радиоэлектроники, Сер. ЭВТ, Вып.5, 2008,1. С. 160−164.
  156. А.Г., Панин В.Ф. Полосно-пропускающие фильтры на диэлектрических резонаторах с высокой проницаемостью,
  157. Изв. Вузов. Электроника, 2008, № 6, С.79−80.
  158. М.В., Бобнев М. П., Кривицкий Б. Х. и др. Защита от радиопомех. /Под ред. Максимова М. В. М., Сов. Радио, 1976, 496 с.
  159. О.В., Головков А. А., Полевой В. В., Соловьев А. А. Широкополосные радиопередающие устройства./ Под ред. О. В. Алексеева. М., Связь, 1978.
  160. Дж., Карр Дж. Карманный справочник радиоинженера/ Пер. с англ. — М.- Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2002. 544с.
  161. Р.С. Сканирующие антенные системы СВЧ: Пер. с англ. / Под ред. Г. Т. Маркова и А. Ф. Чаплина. -М., Сов. Радио, 1971. -т.З.- 464 с.
  162. А.Г., Олесов С. И. Приемная многолучевая активная фазированная антенная решетка.
  163. Заявка № 2 007 135 144/09(38 427) от 24.09.2007 г. Решение о выдаче патента РФ от 29.09.2008 г.
  164. А.Г. Построение приемного тракта многолучевой АФАР с распределенной фильтрацией. Вопросы радиоэлектроники, Сер. PJIT, Вып.1, 2008, с. 41−45.
  165. А.Г. Конструкция многоканального приемного модуля многолучевой АФАР. Вопросы радиоэлектроники, Сер. PJIT, Вып. 1, 2008, с. 38−41.
  166. JI. Переключатели сверхвысокочастотных сигналов Электроника: Наука, Технология, Бизнес 1/2006 с.20−25.
  167. В. Высокочастотные реле компании OMRON. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 5, 2006, с.60−62.
  168. De Los Santos H.J. «MEMS A Wireless Vision» 2001 International MEMS Work-Shop, Singopure, July 4−6, 2001.
  169. Richards R.J., De Los Santos H.J. MEMS for RF/Wireless Application: The Next Wave. Microwave J/, March 2001.
  170. P., Де JIoc Сантос Г. MEMS-устройства для СВЧ приложений: новая волна Chip news № 1, 2007 с. 1−9.
  171. В., Виной К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применение Москва: Техносфера, 2004.-528 с.
  172. Л., Житникова М. Микромеханические компоненты радиочастотного диапазона. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 8, 2006, с. 18−25.
  173. А. Микроэлектромеханические реле: технология ближайшего будущего. // Электронные компоненты, 2003, № 7, с.38−40.
  174. A.JI. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой технологии.
  175. Российские нанотехнолоогии, 2006, т.1, № 1−2, с.97−110.
  176. Разработка технологии получения нанокарбидных материалов, ' интегрированных в технологию изготовления устройств бесконтактной радиочастотной идентификации. Научно-технический отчет по НИР' «Радиометка»./ Ефимов А. Г. исполнитель, НИИФП, Москва, 2006
  177. G.M. Rebeir. «RF MEMS Theory, Design and Technology». Wiley 2003.
  178. A.B., Власенко В. А., Беляев C.H., Ефимов А. Г., Ильичев Э. А. и др. MEMS переключатели для RF систем на основе алмазоподобных углеродных пленок /Материалы конференции «Нанотехнологии производству 2007». Фрязино, 2007.
  179. Патент США US6714169 ВА от 30.03.2004.
  180. Peroulis D., Pacheco S.P., Sarabandi К., Katehi L.P.B. Electromehanical considerations in developing low-voltage RF MEMS switches.
  181. EE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.259−269.
  182. P., Butter C., Sokolov V., Contolatis A. 30 GHz multi bit monolithic phase shifters.
  183. EE 1985 Microwave and millimeter wave monolithic circuits symposium, p.4−7.
  184. B.M., Малышев B.A., Перевощиков И. В. Широкополосные устройства СВЧ на элементах с сосредоточенными параметрами -М.: Радио и связь, 1984. .-с. 57−61.
  185. Испытание МЭМС -переключателей на надежность. Новости СВЧ техники, 2006, № 12, с. 18−22.
  186. Предварительные результаты исследования надежности МЭМС СВЧ -приборов. Новости СВЧ техники, 2003, № 11, с. 17−18.
  187. Guan Leng Tan, Mihailovich R.E., Hacker J.B. et al Low-loss 2- and 4-bit TTD MEMS phase shifters based on SP4T switches.
  188. EE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.297−304.
  189. Hacker J.B., Mihailovich R.E., Kim M., DeNatale J.F. A Ka-band 3-bit RF MEMS true-time-delay network. IEEE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.305−308.
  190. Lee J., Je C.H., Kang S. A low-loss single-pole six-throw switch based on compact RF MEMS switches, IEEE Tran. 2005, vol.53, № 11, p.3335−3343.
  191. Johnson J., Adams G.G., McGruer N.E. Determination of intermodulation distortion in a contact-type MEMS microswitch.
  192. EE Tran. 2005, vol.53, № 11, p.3615−3622.
  193. Lu Y., Katehi L.P.B., Peroulis D. High-power MEMS Varactors and Impedans Tuners for Millimeter-Wave Applications
  194. EE Tran. 2005, vol.53, № 11, p.3672−3678.
  195. Смеситель диапазона 94 ГГц с кольцевым МЭМС -делителем мощности Новости СВЧ техники, 2006, № 11, с.14−18.
  196. Eun-Chul Park, Yun-Seok Choi, Jun-Bo Yoon, Hong C., Yoon E. Fully Integrated Low Noise VCOs with On-chip MEMS Inductor
  197. EE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.289−295.
  198. МЭМС генератор новый конкурент кварцевому генератору Новости СВЧ техники, 2003, № 11, с. 12−14.
  199. А., Сбруев С. SiC электроника. Прошлое, настоящее, будущее. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 5, 2006, с.28−41.
  200. Патент США US 6 909 346В1 от 21.06.2005 г.
  201. Chang WookBack, Song S., Lee S., Jung-Mu Kim A V-Band Micromachined 2-D Beam-Steering Antenna Driven by Magnetic Force With polimer-based Hings
  202. EE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.325−331.
  203. Cetiner B.F., Qian J.Y., Chang H.P. Bachman P. Monolithic Interation of MEMS Switches with a Diversity Antenna on PCB Substrate IEEE Tran. 2003, vol.51, № 1, p.332−335.208
Заполнить форму текущей работой

На отлично!