Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Особенности спектров плазменного отражения монокристаллов твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3 в инфракрасной области спектра

Диссертация: Особенности спектров плазменного отражения монокристаллов твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3 в инфракрасной области спектра
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследование монокристаллов твердых растворов системы В12Те3−8Ь2Тез в спектральной области, характерной для края фундаментального поглощения, обусловлено необходимостью изучения закономерностей сближеиия энергий различных элементарных возбуждений электронной системы полупроводникового кристалла, что является одной из актуальных задач физики конденсированного состояния. Поскольку исследуемые… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Кристаллическая решетка и зонная структура теллурида висмута и твердых растворов на его основе
    • 1. 1. Кристаллическая структура твердых растворов В12Те3−8Ь2Те
    • 1. 2. Параметры зонной структуры системы твердых растворов ВьТе3−8Ь2Те
    • 1. 3. Поведение кинетических коэффициентов и коэффициента Холла в зависимости от состава твердого раствора В12Те3−8Ь2Те3 и температуры
  • Выводы к главе 1
  • Глава 2. Оптические свойства кристаллов твердых растворов В12Те3−8Ь2Те3 в инфракрасной области спектра
    • 2. 1. Взаимодействие электромагнитного излучения с кристаллической решеткой твердых растворов ВъТе3−8Ь2Те3 в инфракрасной области спектра
    • 2. 2. Край собственного поглощения в твердых растворах В12Те3−8Ь2Те
    • 2. 3. Плазма свободных носителей заряда твердых растворов В12Те3−8Ь2Те
  • Выводы к главе 2
  • Глава 3. Методика и техника эксперимента
    • 3. 1. Методика исследования оптических функций полупроводникового кристалла по спектрам отражения
    • 3. 2. Техника оптического эксперимента
    • 3. 3. Кристаллы и образцы
    • 3. 4. Подготовка образцов для оптических измерений
  • Выводы к главе 3
  • Глава 4. Особенности спектров плазменного отражения кристаллов твердых растворов В12Тез-8Ь2Те в инфракрасной области спектра
    • 4. 1. Описание полученных результатов
    • 4. 2. Анизотропия плазменного отражения кристаллов твердых растворов В12Те3−8Ь2Тез в диапазоне температур от 78 до 293 К
    • 4. 3. Определение параметров плазменных колебаний кристаллов твердых растворов В12Те3−8Ь2Тсз при помощи соотношений Крамерса-Кронига
    • 4. 4. Результаты моделирования действительной и мнимой частей комплексной функции диэлектрической проницаемости кристаллов твердых растворов В12Те3−8Ь2Те
    • 4. 5. Результаты расчета коэффициента поглощения и функции энергетических потерь твердых растворов В12Те3−8Ь2Те3 при помощи соотношений Крамерса-Кронига
  • Выводы к главе 4

Особенности спектров плазменного отражения монокристаллов твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3 в инфракрасной области спектра (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Исследование монокристаллов твердых растворов системы В12Те3−8Ь2Тез в спектральной области, характерной для края фундаментального поглощения, обусловлено необходимостью изучения закономерностей сближеиия энергий различных элементарных возбуждений электронной системы полупроводникового кристалла, что является одной из актуальных задач физики конденсированного состояния. Поскольку исследуемые материалы занимают промежуточное положение между полупроводниками и полуметаллами, диапазон наблюдения сближения энергий плазменных колебаний и межзонных переходов находится в спектральной области от 200 до 4000 см" 1, что позволяет использовать высококачественную технику Фурье-спектроскопии. Современные Фурье-спектрометры позволяют получать детальные представления о механизмах взаимодействия падающего электромагнитного излучения и электронной системы кристалла в средней ИК-области, что крайне затруднительно в спектральной области, выходящей за границы указанного диапазона. Таким образом, стандартная техника Фурье-спектроскопии и высокий уровень сигнала позволяют резко повысить качество получаемых результатов, что, в свою очередь, способствует более детальному описанию спектральных зависимостей коэффициента отражения.

Актуальным является исследование закономерностей изменения оптических свойств кристаллов твердых растворов системы Е^Тез-БЬгТез в зависимости от состава и температуры. Это позволит, с одной стороны, объяснить особенности, наблюдающиеся в спектрах плазменного отражения, а с другой — причину резкого увеличения ширины оптической запрещенной зоны, наблюдавшегося в более ранних работах.

Особенно актуальным является исследование зонной структуры и ее перестройки в зависимости от содержания 8ЬгТез в твердом растворе В12Те3−8Ь2Те3, поскольку исследуемые материалы являются эффективными термоэлектриками. Исследование их оптических свойств в области частот, характерных для края фундаментального поглощения, учитывающее существенное влияние плазмы свободных носителей заряда на процессы поглощения и экранировки электромагнитного излучения, а также наблюдающиеся межзон-пые переходы дают возможность проследить за изменением края фундаментального поглощения и перестройкой зонной структуры.

Необходимо подчеркнуть, что исследуемые соединения являются наиболее эффективным материалом для создания /з-ветвей термоэлектрических элементов, поскольку именно в них наблюдается максимальное сближение элементарных одночастичных и коллективных возбуждений электронной системы.

Предметом исследования являются закономерности поведения основных оптических параметров в зависимости от температуры и состава полупроводниковых кристаллов твердых растворов системы В12Те3−8Ь2Тез.

Объектом исследования являются монокристаллы твердых растворов системы ВьТе3−8Ь2Те3, выращенные методом Чохральского.

Цель работы. Цель настоящего диссертационного исследования состоит в экспериментальном исследовании спектров коэффициента отражения кристаллов твердых растворов В12Те3−8Ь2Те3 в области плазменных эффектовв определении значения основных оптических параметров и их изменения в зависимости от температуры и состава твердого раствора В12Те3−8Ь2Те3- в установлении закономерностей сближения энергий элементарных возбуждений в электронном и плазмонном спектрахв определении параметров анизотропии оптических свойствв установлении закономерностей изменения характера электронной системы от состава и температуры.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1) подготовить образцы для исследования спектров отражения от плоскости, перпендикулярной плоскости скола;

2) измерить коэффициент отражения поляризованного инфракрасного излучения на спектрофотометре IFS BRUKER и спектрофотометре SHIMADZU FTIR-8400S;

3) выявить закономерности изменения спектров коэффициента отражения кристаллов твердых растворов системы Bi2Te3-Sb2Te3 в зависимости от состава и температуры;

4) определить параметры электронной системы исследованных кристаллов Bi2Tc3-Sb2Te3 в результате расчета спектров оптических функций при помощи соотношений Крамерса-Кронига и последующего моделирования экспериментальных спектров отражения;

5) установить химический состав кристаллов, в которых наблюдается сближение энергий плазменных колебаний и межзонных переходов. Провести анализ условий, обеспечивающих такое сближение;

6) исследовать поведение оптических функций анизотропных кристаллов в условиях интенсивного электрон-плазмонного взаимодействия;

7) исследовать температурную зависимость плазменных колебаний свободных носителей заряда в указанных полупроводниковых соединениях.

Методы исследования:

1. Экспериментальное исследование спектральных зависимостей коэффициента отражения в зависимости от ориентации вектора напряженности электрического поля (Е) относительно тригоналыюй оси (С?), температуры и состава твердого раствора.

2. Анализ полученных результатов при помощи соотношений Крамер-са-Кронига с целью получения спектральных зависимостей основных оптических параметров, а также анализ влияния их поведения на электронный спектр свободных носителей заряда.

3. Моделирование поведения действительной и мнимой частей комплексной функции диэлектрической проницаемости в рамках модели Друде.

Лорепца, учитывающей вклад свободных носителей заряда, а также в рамках б аддитивной модели, учитывающей в адиабатическом приближении вклад свободных носителей заряда и межзонных переходов.

Научная новизна результатов исследования. Новыми, впервые полученными в ходе выполнения диссертационного исследования, являются следующие результаты:

1) впервые выполнены исследования плазменного отражения кристаллов, содержащих от 0 до 100% 8Ь2Те3 в твердом растворе ВьТе3−8Ь2Те3, выращенных методом Чохральского;

2) впервые выполнен расчет спектральных зависимостей коэффициента отражения кристаллов твердых растворов системы ВьТе3−8Ь2Тез при помощи соотношений Крамерса-Кронига. Получены значения основных оптических параметров. Произведен расчет спектральных зависимостей действительной ?1 и мнимой е2 частей комплексной функции диэлектрической проницаемости, функции энергетических потерьГте" 1, а также коэффициента поглощения а;

3) проведено моделирование спектров коэффициента отражения кристаллов твердых растворов системы ВьТез-8Ь2Те3 в рамках модели Друде, а также в рамках аддитивной модели, учитывающей в адиабатическом приближении вклад свободных носителей заряда и межзопных переходов;

4) определена температурная зависимость плазменной частоты в диапазоне 80.300 К в твердых растворах системы ВьТе3−8Ь2Те3;

5) установлена корреляция между температурным изменением плазменной частоты и аномальным поведением коэффициента Холла в составах, содержащих 25.50% 8Ь2Те3 в твердом растворе ВьТе3−8Ь2Те3;

6) впервые получены значения энергий межзонных переходов и их зависимость от состава для кристаллов, содержащих более 50% 8Ь2Те3 в твердом растворе В12Тез-8Ь2Те3.

Достоверность и обоснованность результатов и выводов обеспечивается применением многократно проверенной при исследовании оптических свойств полупроводников и металлов методикой проведения эксперимента, основанной на исследовании спектров отражения при малых углах падения излучения на образециспользованием высококачественных кристаллов В12Те3−8Ь2Тезиспользованием техники Фурье-спектроскопии. Достоверность наблюдения сближения энергий указанных элементарных возбуждений электронной системы обеспечивается комплексностью выполненной работы, обусловленной исследованием оптических и электрических свойств, а также результатами моделирования оптических функций.

Основные положении, выносимые на защиту:

1. Увеличение резонансных частот плазменных колебаний, наблюдающееся в кристаллах твердых растворов ВьТе3~8Ь2Те3 при уменьшении температуры от 290 до 80 К, коррелирующее с аномальным поведением температурной зависимости коэффициента Холла, обусловлено сложным строением валентной зоны.

2. В спектрах коэффициента отражения инфракрасного излучения кристаллов твердых растворов ВьТез-8Ь2Тез, содержащих до 80% 8Ь2Те3, наблюдаются особенности в диапазоне, соответствующем ширине запрещенной зоны, характер которых указывает на наличие, наряду с плазменными колебаниями свободных носителей заряда, дополнительного механизма взаимодействия излучения с кристаллом.

3. Особенности в поведении коэффициента отражения, а, соответственно, и в поведении действительной и мнимой частей комплексной функции диэлектрической проницаемости, а также функции энергетических потерь, достигающие наибольшей интенсивности при совпадении энергий плазменных колебаний Ер=Ьсор и оптической ширины запрещенной зоны Ееорь в совокупности с результатами моделирования диэлектрической функции, учитывающего в адиабатическом приближении вклад внутризонных и межзонных переходов, свидетельствует о том, что дополнительный механизм взаимодействия излучения с кристаллом обусловлен межзонными переходами.

4. При увеличении процентного содержания 8Ь2Те3 в кристаллах твердых растворов ВьТе3−8Ь2Те3 наблюдается сближение энергий возбуждений электронной подсистемы, обусловленное увеличением резонансной частоты плазменных колебаний и уменьшением частоты максимума интенсивности межзонных переходов.

Теоретическая значимость. Полученные результаты позволяют сделать следующие выводы, обусловливающие теоретическую значимость проведенных исследований.

1. В кристаллах твердых растворов системы ВьТе3−8Ь2Тез в диапазоне 400.4000 см'1 наблюдаются возбуждения свободных носителей заряда, а также межзонные переходы.

2. В исследуемых кристаллах увеличение содержания 8Ь2Те3 в твердом растворе системы В12Те3−8Ь2Те3 приводит к сближению энергий плазменных колебаний свободных носителей заряда и энергий межзонных переходов.

3. Исследование межзонных переходов в условиях максимального сближения их энергии с энергией плазменных колебаний позволит получить информацию о параметрах зонной структуры.

4. Наблюдающаяся анизотропия плазменных колебаний позволяет определить анизотропию эффективных масс свободных носителей заряда, которая согласуется с представлениями о шестиэллипсоидальной зонной структуре в модели Драббла-Вольфа.

5. Скорость изменения ширины запрещенной зоны в зависимости от температуры может быть определена при помощи соотношения Мосса.

Практическая значимость. Совокупность данных, полученных в результате диссертационного исследования, может быть использована для оптимизации термоэлектрических устройств и приборов на основе теллурида висмута и теллурида сурьмы. Интерпретация представлений о зонной структуре может быть положена в основу разработки перспективных технологий получения материалов с заданными свойствами для определенных целей. Исследование корреляции между сор (Т) и R (T) позволяет сделать выводы о сложности структуры валентной зоны. В результате исследования оптических свойств указанных полупроводниковых соединений определена динамика изменения соотношения концентрации свободных носителей заряда и их эффективных масс p/m*.

Апробация работы. Основные научные результаты докладывались на следующих конференциях и семинарах: Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела» (Минск, ФТТ-2007), XI Межгосударственном семинаре «Термоэлектрики и их применение» (Санкт-Петербург, 2008), Всероссийской научно-практической конференции «Физические явления в конденсированном состоянии вещества» (Чита, 2009), Всероссийской научно-практической конференции «Неравновесные процессы в природе» (Елец, 2010), XII Межгосударственном семинаре «Термоэлектрики и их применение» (Санкт-Петербург, 2010), IV Международной научно-практической конференции «Инновационные технологии в технике и образовании» (Чита, 2011), а также на научных семинарах лаборатории «Термоэлектрическое материаловедение» кафедры «ФТиМОФ» ЗабГТПУ им. Н. Г. Чернышевского.

Публикации: по теме диссертации опубликовано 17 работ, из них 4 — в журналах из списка ВАК.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Выводы к главе 4.

1. Увеличение температуры кристаллов твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3 приводит к уменьшению плазменных частот и увеличению высокочастотной диэлектрической проницаемости. Количественная оценка указанных изменений позволяет сделать вывод о том, что с ростом температуры от *.

80 до 300 К отношениер/т уменьшается приблизительно в 1,5 раза.

2. В спектрах отражения инфракрасного излучения кристаллов твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3, содержащих 50.80% Sb2Te3, наблюдаются особенности в диапазоне, соответствующем ширине запрещенной зоны, которые не описываются в рамках теории взаимодействия излучения с плазмой свободных носителей заряда.

3. Особенности в поведении оптических функций, достигающие наибольшей интенсивности в кристалле, содержащем 80% 8Ь2Те3 в твердом растворе В12Те3−8Ь2Те3, в совокупности с результатами моделирования диэлектрической функции, учитывающего в адиабатическом приближении вклад коллективных и одночастичных возбуждений электронной системы, свидетельствуют о том, что дополнительный механизм взаимодействия излучения с кристаллом обусловлен межзонными переходами.

4. Увеличение процентного содержания 8Ь2Те3 в твердом растворе В12Те3−8Ь2Те3 приводит к сближению энергий плазменных колебаний и наблюдающегося межзонного перехода.

Заключение

.

Кристаллы твердых растворов ВьТез-8Ь2Тез являются одними из немногих полупроводниковых соединений, в которых оказываются сопоставимы по величине резонансные частоты таких элементарных возбуждений электронной системы, как плазменные колебания свободных носителей заряда и межзонные переходы. Как установлено в ходе выполненного исследования, наблюдается сближение резонансных частот указанных элементарных возбуждений при увеличении содержания 8Ь2Те3 до 80% в составе твердого раствора ВьТе3−8Ь2Те3. Причем, это сближение обусловлено не только увеличением плазменной частоты (энергии плазмона), но и уменьшением энергии межзонного перехода, особенно отчетливо выраженным в кристаллах, содержащих 50.80% 8Ь2Те3. Именно это обстоятельство приводит к тому, что в кристаллах ВьТе3−8Ь2Тез, содержащих более 80% 8Ь2Те3, наблюдается ситуация, при которой энергия плазмона оказывается больше энергии межзонного перехода, вследствие чего спектральные зависимости коэффициента отражения, а следовательно, и других оптических функций, не содержат особенностей, характерных для межзонного перехода, и практически идеально описываются в рамках классической модели взаимодействия электромагнитного излучения с плазмой свободных носителей заряда. Таким образом, можно говорить о том, что в этих кристаллах, и в частности в теллуриде сурьмы 8Ь2Те3, происходит «экранировка» края фундаментального поглощения плазменными колебаниями свободных носителей заряда. На частотах, меньших о) р, действительная часть функции диэлектрической проницаемости оказывается отрицательной, вследствие чего преломленный луч исчезает и коэффициент отражения стремится к единице. Наиболее вероятно, что наблюдающееся в работе [140] резкое увеличение ширины оптической запрещенной зоны обусловлено именно этим обстоятельством.

Изложенное определяет результаты исследования особенностей взаимодействия электромагнитного излучения инфракрасного диапазона с кристаллами твердых растворов В12Те3−8Ь2Те3.

С другой стороны, представляет интерес факт уменьшения энергии межзонного перехода при увеличении содержания 8Ь2Те3 в составе твердого раствора. Существующие представления о перестройке зонной структуры ВьТе3−8Ь2Те3 при увеличении содержания 8Ь2Те3 основываются на утверждении о том, что рост концентрации дырок и электропроводности обусловлен смещением уровня химического потенциала в глубину валентной зоны, что неизбежно должно было бы привести не к уменьшению энергии межзонного перехода, а к ее увеличению. Таким образом, установление факта уменьшения энергии межзонпого перехода находится в явном противоречии с существующими представлениями о зонной структуре кристаллов ВьТе3−8Ь2Те3, обогащенных 8Ь2Те3, являющихся, как хорошо известно, одними из наиболее высокоэффективных термоэлектрических материалов. Установление истинных причин их повышенной термоэлектрической эффективности, на наш взгляд, сопряжено с объяснением наблюдающегося уменьшения энергии межзонного перехода.

В заключение выражаю искреннюю благодарность научному руководителю, доктору физико-математических наук, профессору кафедры Физики, Теории и Методики Обучения Физике ЗабГГГТУ Николаю Петровичу Степанову за постоянное внимание к работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н. X., Иванова Л. Д. и др. Получение и исследование пластинчатых монокристаллов твердых растворов на основе В12Те3 и БЬ2Тез // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1977. — Т. 13, № 4. -С. 641−644.
  2. Н. X., Иванова Л. Д. и др. Термоэлементы из монокристаллов твердых растворов на основе халькогенидов висмута и сурьмы // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1982. — Т. 18, № 12. -С. 1984−1988.
  3. С. В., Ефимова Б. А. Термоэлектрические свойства и характер связей системы В12Те3−8Ь2Тез // Журнал технической физики. -1958.-№ 28.-С. 1768−1774.
  4. А. А., Смирнов И. А., Кутасов В. А. Влияние сложной валентной зоны на тепловые и электрические свойства 8Ь2Те3 // ФТТ. 1968. -Т. 10, № 6.-С. 1782−1787.
  5. М. Г., Грабов В. М. Термоэлектрические свойства и механизмы рассеяния носителей заряда в монокристаллах висмута // Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей: тез. докл. Всесоюз. семинара ФТИ АН. Л., 1985. — 70 с.
  6. Н. М. // Известия АН СССР. Сер. Неорганические Материалы. 1966. — Т. 2.-С. 37.
  7. А. Н. Оптическое поглощение в Вь"х8ЬхТе3 (х<1.5): материалы междун. научн. сем. Термоэлектрики и их применения. СПб.: Изд-во ФТИ им. А. И. Иоффе, 2006. — 66 с.
  8. Р. Дж. Введение в Фурье-спектроскопию. М.: Мир, 1975.380 с.
  9. А. Д., Сологуб В. В., Шалыт С. С. Теплопроводность и термоэдс теллурида висмута при низких температурах // ФТП. 1971. — Т. 5, вып. З.-С. 477−480.
  10. . М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе ВьТе3. М.: Наука, 1972. — 321 с.
  11. . М., Кутасов В. А., Лукьянова Л. Н. Механизм формирования текстуры и ее влияние на прочность термоэлектрика p-Bio.5Sb1.5Te3 // ФТТ. 2009. — Т. 51, вып. 4. — С. 706−708.
  12. . М., Кутасов В. А., Лукьянова Л. Н. Подавление собственной проводимости в p-Bio.5Sb1.5Te3 пластической деформацией // ФТТ. -2008. Т. 50, вып. 2. — С. 227−228.
  13. В. М., Степанов Н. П. Особенности спектров отражения легированных кристаллов висмут-сурьма в длинноволновой инфракрасной области спектра // ФТП. 2001. — Т. 35, вып. 2. — С. 155−158.
  14. В. М., Степанов Н. П. Температурная зависимость спектров плазменного отражения кристаллов висмут-сурьма // ФТП. 2001. — Т. 35, вып. 6.-С. 734−738.
  15. П. Свободные электроны в твердых телах. М.: Мир, 1982. -270 с.
  16. . А. Исследование электрических и термоэлектрических свойств халькогенидов висмута и твердых растворов на его основе: автореф. дис.. канд. ф.-м.. наук.-Л.: ИПАН, 1961.-20 с.
  17. . А., Кельман Е. В., Стильбанс Л. С. О механизме рассеяния на ионах примеси в ВьТе3 // ФТТ. 1962. — Т. 4, вып. 1. — С. 152−156.
  18. . А., Новиков В. И., Остроумов А. Г. Анизотропия гальваномагнитных свойств р-В}2Тез // ФТТ. 1961. — Т. 3, вып. 9. — С. 27 462 760.
  19. М. К. Исследование гальваномагнитных и термомагнитных эффектов в моно- и поликристаллах теллурида свинца, теллуридависмута и твердых растворов на его основе: автореф.. дис. канд. ф.-м.. наук.-Л.: ЛГУ, 1977.- 16 с.
  20. М. К., Кайданов В. И., Немов С. А. Исследование поперченного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в монокристаллах теллурида висмута. М., 1976. — 23 с. — Деп. в ВИНИТИ, № 3628−76.
  21. М. К., Немов С. А., Иванова Л. Д. Эффекты Нернста-Эттингсгаузена, Зеебека и Холла в монокристаллах 8Ь2Те3 // ФТТ. 2002. -Т. 44, вып. 1.-С. 41−46.
  22. М. К., Немов С. А., Свечникова Т. Е. Влияние неодно-родностей кристаллов ВъТе3 на поперечный эффект Нернста-Эттингсгаузена // ФТП. 1997. — Т. 31, вып. 4. — С. 441−443.
  23. М. К., Немов С. А., Свечникова Т. Е. и др. Влияние резонансных состояний Бп на электрическую однородность монокристаллов ВьТе3 // ФТП. 2000. — Т. 34. вып. 12.-С. 1417−1419.
  24. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2 т. М.: Мир, 1984. -Т. 2.-455 с.
  25. Л. Д., Бровикова С. А. и др. Исследование однородности кристаллов твердого раствора системы В12Те3−8Ь2Те3, выращенных по методу Чохральского // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1994.-Т. 30, № 6.-С. 770−775.
  26. Л. Д., Гранаткина 10. В. и др. Анизотропия электрофизических свойств монокристаллов твердого раствора В10.88Ь1.2Те3 в интервале 100−400 К // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1993. -Т. 29, № 8.-С. 1093−1096.
  27. Л. Д., Гранаткина Ю. В. Монокристаллы твердых растворов халькогенидов висмута и сурьмы р-типа проводимости, предназначенныедля охлаждения до Т<150 К // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 2000. — Т. 37, № 2. — С. 199−202.
  28. Л. Д., Гранаткина Ю. В. Свойства монокристаллов твердых растворов системы ВьТе3−8Ь2Те3 // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1995.-Т. 31, № 6.-С. 735−738.
  29. Л. Д., Гранаткина Ю. В. Термоэлектрические свойства монокристаллов твердых растворов системы ВьТе3−8Ь2Те3 в области температур 100−700 К // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -2000. Т. 36, № 7. — С. 810−816.
  30. Л. Д., Гранаткина 10. В., Шеррер X. Влияние чистоты исходных материалов и степени совершенства монокристаллов В12Те3−8Ь2Тез на их свойства // Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -2000. Т. 36, № 7. — С. 817−8824.
  31. А. Ф. Полупроводниковые термоэлементы. М.: изд-во АН СССР, 1960.
  32. А. А. Исследование процессов переноса в системе твердых растворов В12Те3−8Ь2Те3: автореф. дис. канд. ф.-м.. наук. Рига: Латвийск. гос. ун., 1975. 23 с.
  33. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.
  34. Г. В., Синани С. С. // ФТТ. 1960. — С. 1118−1122.
  35. П. П. Электрические свойства теллурида висмута // Журнал технической физики. 1956. — Т. 26, № 5. — С. 1400−1405.
  36. И. Я. Гальваномагнитные эффекты в ВьТе3 при анизотропном рассеянии // ФТТ. 1960. — Т. 2, вып. 12. — С. 3083−3091.
  37. В. Н., Товстюк К. Д. Свойства симметрии энергетических зон кристаллов ромбоэдрической сингопии // Укр. физ. журн. 1972. -Т. 17, № 11.-С. 1819−1826.
  38. В. В. Плазменное отражение и энергетический спектр электронов в сплавах висмут-сурьма, легированных донорными примесями: дис.. канд. физ.-мат. наук. Л., 1986.
  39. В. Г., Палкина К. К. Диаграммы состояния и структуры сплавов в системах В128ез-8Ь2Те3 и В12Те3−8Ь28е3 // Журнал неорганической химии. 1963.-Т. 8, № 5.-С. 1204−1218.
  40. В. А., Каминский А. Ю., Тарасов П. М. и др. Поверхность Ферми и термоэдс смешанных кристаллов (В1|х8Ьх)Те3(А§, Эп) // ФТТ. 2006. — Т. 48, вып. 5. — С. 786−793.
  41. В. А., Лукьянова В. Н., Константинов П. П. Высокоэффективные термоэлектрические материалы я-(В1,8Ь)2Те3 для температур ниже 200 К // ФТП. 2000. — Т. 34, вып. 4. — С. 389−393.
  42. В. А., Мойжес Б. Я., Смирнов И. А. Тепловые, электрические свойства и ширина запрещенной зоны системы твердых растворов В12Те3−8Ь283 // ФТТ. 1965. — Т. 7, вып. 4. — С. 1065−1077.
  43. Л. П. Гальваномагнитные явления в слабых магнитных полях и расчет параметров зонной структуры твердых растворов на основе теллурида висмута: дис.. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1986.
  44. Л. Н., Кутасов В. А., Константинов П. П. Влияние анизотропии рассеяния заряда на термоэлектрические свойства твердых растворов (В1,8Ь)2(Те, 8е, 8)3 // ФТТ. 2008. — Т. 50, вып. 4. — С. 577−582.
  45. Л. Н., Кутасов В. А., Константинов П. П. Многокомпонентные твердые растворы я-(В1,8Ь)2(Те, 8е, 8)3 с различными замещениями атомов в подрешетках В1 и Те // ФТТ. 2008. — Т. 50, вып. 12. — С. 2143−2149.
  46. Л. Ы., Кутасов В. А., Константинов П. П. Эффективная масса и подвижность в твердых растворах /?-В12.х8ЬхТезу8еу для температур <300 К // ФТТ. 2005. — Т. 47, вып. 2. — С. 224−228.
  47. Л. Н., Кутасов В. А., Константинов П. П. и др. Особенности поведения эффективной массы и подвижности в твердых растворах я-(В1,8Ь)2(Те, 8е, 8)3 // ФТТ. 2006. — Т. 48, вып. 10.-С. 1751−1756.
  48. А. С. Анизотропия плазменного отражения и зонная структура висмута, легированного донорными и акцепторными примесями: дис.. канд. физ.-мат. наук.-Л., 1983.
  49. Т., Баррелл Г., Эллис Б. Полупроводниковая электроника. -М.: Мир, 1965.-382 с.
  50. Е. В., Королышин В. Н. Квазирелятивистская зонная структура теллурида висмута // ФТТ. 1985. — Т. 27, вып. 9. — С. 2856−2859.
  51. Р. В., Сологуб В. В., Гольцман Б. М. Квантовые осцилляции кинетических и фотоэлектрических коэффициентов п-ВьТе3 // ФТТ. -1968.-Т. 10, вып. 10.-С. 3087−3096.
  52. И. А., Шадричев Е. В., Кутасов В. А. Теплопроводность стехиометрических и сильнолегированных кристаллов теллурида висмута // ФТТ. 1969.-Т. 11, вып. 12.-С. 3311−3321.
  53. В. В., Немошкаленко В. В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Киев: Наукова думка, 1988. — 280 с.
  54. В. В., Галицкая А. Д., Парфеньев Р. В. Эффект Шубнико-ва-де Гааза в Сс1×1-^хТе при размерном квантовании спектра электронов на поверхности//ФТТ. 1972.-Т. 14.-915 с.
  55. В. В., Парфеньев Р. В. Структура валентной зоны теллурида висмута //Письма в ЖЭТФ. 1975.-Т. 21, вып. 12.-С. 711−715.
  56. Справочник химика. -М.: Госхимиздат, 1951. Т. 1. -286 с.
  57. Н. П. Оптические свойств полуметаллов висмут-сурьма в области плазменных эффектов: дис.. докт. физ.-мат. наук. СПб., 2004.
  58. Н. П. Электрон-плазмонное взаимодействие в висмуте, легированном акцепторной примесью // Известия высших учебных заведений. Физика. 2004. — № 3. — С. 33- 42.
  59. Н. П., Гильфанов А. К., Иванова Л. Д. и др. Магнитная восприимчивость твердых растворов В12Те3−8Ь2Те3 // ФТП. 2008. — Т. 42, № 4.-С. 410−414.
  60. Н. П., Грабов В. М. Оптические эффекты, обусловленные совпадением энергии плазменных колебаний и межзонпого перехода в легированных акцепторной примесыо кристаллах висмута // Оптика и спектроскопия. 2002. — Т. 92, № 5. — С. 794−798.
  61. Н. П., Грабов В. М. Температурная зависимость спектров плазменного отражения кристаллов висмут-сурьма // ФТП. 2001. — Т. 35, № 6.-С. 734−738.
  62. Н. П., Грабов В. М. Электрон-плазмонное взаимодействие в легированных акцепторной примесыо кристаллах висмута // ФТП. 2002. -Т. 36, вып. 9.-С. 1045−1048.
  63. Н. П., Житинская М. К., Немов С. А. и др. КИпЬх^гЫ свойства легированных кристаллов теллурида висмута в области плазменных эффектов//ФТП. 2007. — Т. 41, вып. 7.-С. 808−811.
  64. Н. П., Калашников А. А. Диэлектрическая функция монокристаллов твердых растворов В12Те3−8Ь2Те3 // Ученые записки ЗабГГПУ. Сер. Физика, математика, техника, технология. Чита: ЗабГГПУ. — 2010. -№ 2(31).-С. 97−101.
  65. Н. П., Калашников А. А. Оптические свойства монокристаллов твердых растворов теллурида висмута и теллурида сурьмы в инфракрасной области спектра. Чита: ЗабГГПУ, 2009. — 42 с. — Деп. в ВИНИТИ № 86-В2009.
  66. Н. П., Калашников А. А. Оптические свойства монокристаллов В12Те3−8Ь2Те3. Физические явления в конденсированном состоянии вещества: сб. материалов Всерос. науч.-практ. конф. Чита: ЗабГГПУ, 2009.
  67. Н. П., Калашников А. А. Особенности спектров отражения монокристаллов твердых растворов ВьТе3−8Ь2Те3 в области плазменных эффектов // ФТП. 2010. — Т. 44, вып. 9. — С. 1 165−1169.
  68. Н. П., Калашников А. А. Расчет оптических функций в рамках модели, учитывающей взаимодействие излучения с плазмой свободных носителей заряда // Моделирование. Системный анализ. Технологии: межвуз. сб. науч. тр. Чита: ЗабИЖТ, 2008.
  69. Н. П., Калашников А. А., Гильфанов А. К. и др. Анизотропия плазменного отражения твердых растворов (Вь.х8Ьх)Те3 (0<х<1) в диапазоне температур от 78 до 293 К // Оптика и спектроскопия. 2011. -Т. 111, № 6. -С. 955−961.
  70. Н. П., Калашников А. А., Гильфанов А. К. и др. Оптические и магнитные свойства легированных кристаллов теллурида висмута // Наука и предпринимательство. Чита: ЗИП СибУПК, 2007. — С. 199−204.
  71. II. П., Калашников А. А., Улашкевич 10. В. Оптические свойства твердых растворов В12Те3−8Ь2Те3 в области плазменных эффектов // Термоэлектрики и их применения: сб. ст. СПб.: Изд-во ФТИ (РАН), 2008. -С. 103−108.
  72. Н. П., Калашников А. А., Улашкевич Ю. В. Оптические функции кристаллов твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3 в области возбуждения плазмонов и межзонных переходов // Оптика и спектроскопия. 2010. -Т. 109, № 6.-С. 1138−1143.
  73. Ю. И. Оптика полупроводников: в 2 ч. Л.: ЛПИ, 1971— Ч. 2.-144 с.
  74. Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М: Наука, 1977.-366 с.
  75. К. В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976.
  76. Asworth Н. A., Rayne J. A. Transport Properties of Bi2Te3 // Physical Review B. 1971. — V. 3, No. 8. — P. 2646−2661.
  77. Austin I. G. Infra-red Faraday Rotation and Free Carrier Absorption in Bi2Te3 // Proceedings of the Physical Society. 1960. — V. 76, № 2. — P. 169−179.
  78. Austin I. G., Sheard A. Some optical properties of Bi2Te3-Bi2Se3 alloys //J. Electronics and Control. 1957. — V. 3, No. 2. — P. 236−237.
  79. Austin I. G. The Optical Properties of Bismuth Telluride // Proceedings of the Physical Society. 1958. — V. 72, No. 466. — P. 545−552.
  80. Goldsmid H.J. The Electrical Conductivity and Thermoelectric Power of Bismuth Telluride // Proceedings of the Physical Society. 1958. — V. 71, No. 4. -P. 633−646.
  81. Beckman O., Bergval P. Doping properties of Bi2Te2j7Se0,3 // Ark. for Fysic. 1963. — B. 24, hf. 2−3.-P. 113−122.
  82. Beckmann O., Bergval P., Tripathi K. Doping Studies of Bi2(TeSe)3 Alloys // Ark. for Fysik. 1965. — B. 28, hf. 3. — P. 215−221.
  83. Bekebrede W. R., Guentert O. J. Lattice Parameters in the System Antimony Telluride-Bismuth Telluride // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1962.-V. 23, P. 1023−1025.
  84. Benel H. Thermoelectric Properties of Sb2Te3-Bi2Te3 Solid Solutions // Compt. Rend. Acad. Sci. 1958. — V. 247, p. 584−587.
  85. Birkholz U., Ilaacke G. Der einflu? von Halogendotierung und die Thermoelektrischen Eigenschaften des Systems Bi2Te3. xSex // Zs Naturforsch. -1962. B. 17a, h. 2. — S. 161−164.
  86. Birkholz U., Ilaacke G. Thermoelektrische Eigenschaften von Eigenleitendem Bi2Te3xSex // Zs. Naturforsch. 1963. — B. 18a, h. 5. — S. 638−642.
  87. Birkholz U. Thermoelektrische Eigenschaften von Eigenleitendem Bi2. xSbxTe3 // Zs. Naturforsch 1958. — V. 13a, № 9. — p. 780−792.
  88. Black J., Conwell E. M., Seigle L., Spenser C.W. Electrical and optical properties of some M2V"BN3VI~B Semiconductors. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1957. — V. 2, № 2. — P. 240−251.
  89. Bocanek L. A. Contribution to the Measurement of Magnetoresistance of Inhomogeneous Semiconductors // Cesc. Cas. Fys. 1971. — V. 44, № 9, P. 12 231 225.
  90. Borgese F. Donato E. The electronic band structure of bismuth telluride // Nuovo Cimento. 1968. — V. LIIIB, No. 2. — P. 283−309.
  91. Broerman J. G. et al. On the Composition Dependence of the Lattice Dielectric Constant in Bismuth-Antimony Alloy Systems // Physical Review B. -1980.-V. 7. № 1. — P. 257−265.
  92. Burstein E. Anomalous Optical Absorption Limit in InSb // Physical Review.-1954. V. 93.-P. 632−633.
  93. Caillat T., Gailliard L., Scherrer H., Scherrer S. Transport properties analysis of single crystals (BixSbix)2Te3 grown by the traveling heater method // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1993. — V. 54, № 5. — P. 575−581.
  94. Caywood L. P., Miller G. R. Anisotropy of the constant energy surfaces in n-type Bi2Te3 and Bi2Se3 from galvanomagnetic coefficients // Physical Review 1970.-V. 2, № 8.-P. 3210−3220.
  95. Champness C., Kipling A. L. The Hall and Seebeck Effects in Nonstoi-chiometric Bismuth Telluride // Canad. J. Phys. 1966. — V. 44, No. 4. — P. 769 788.
  96. Dennis J. H. Anisotropy of thermoelectric power in bismuth telluride. Laboratory of electronics. Massachusetts Institute of Technology. — 1961, 52 s.
  97. Donges E., Anorg J. Preparing by heating a stoichiometric mixture at 475° in evacuated tube // Allg. Chem. 1951. — V. 265. — P. 56.
  98. Drabble J. R. Galvanomagnetic Effects in p-type Bismuth Telluride // Proc. Phys. Soc. 1958. — V. 72, No. 3. — P. 380−390.
  99. Drabble J. R. Strain-induced changes in the Seebeck coefficient on n-type germanium // Phys. Rev. Lett. 1959. — V. 2. — P. 451−452.
  100. Drabble J. R., Goodman C .H. L. Chemical Bonding in Bismuth Telluride // J. Phys. Chem. Sol. 1958. — V. 5, No. 2. — P. 142−144.
  101. Drabble J. R., Groves R. D., Wolfe R. Galvanomagnetic Effects in n-type Bismuth Telluride // Proc. Phys. Soc. 1958. — V. 71, No. 3. — P. 430143.
  102. Drabble J. R., Wolfe K. Anisotropy Galvanomagnetic Effects in Semiconductors // Proc. Phys. Soc. 1956. — V. 69B, No. 11. — P. 1101−1110.
  103. Dresselhaus G. Optical absorption band edge in anisotropic crystals // Phys. Rev. 1957,-V. 105.-P. 135−138.
  104. Dresselhaus M. S. Electronic Properties of the group V semimetals // J. Phys. Chem. Solids. 1971. -V. 32, № l.-P. 3−33.
  105. Fan H. Y., Spitzer W., Collins R. Infrared Absorption in n-Type Germanium//J. Phys. Rev. 1956. — V. 101.-P. 556.
  106. Francombe M.H. Structure-cell Data and Expansion Coefficients of Bismuth-Telluride // Brit. J. Appl. Phys. 1958. — V. 9, No. 10. — P. 415−417.
  107. Glatz A. C. An evaluation of the bismuth-tellurium phase system technical papers // Journal of the Electrochemical Society 1965. — V. 112. — P. 12 041 207.
  108. Gibson A.F., Moss T.S. The photoconductivity of bismuth sulphide and bismuth telluride // Proc. Phys. Soc. 1950. -V. 63A. — P. 176.
  109. Greenaway D. L., Harbeke G. Band structure of bismuth telluride, bismuth selenide and their respective alloys // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1965.-V. 26.-P. 1585−1604.
  110. Groth R., Schnabel P. Bestimmung der anisotropic der effektiven masse in n-Bi2Te3 durch reflexionsmessungen im ultraroten // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1964.-№ 25.-P. 1261−1267.
  111. Katsuki S. I. The band structure of bismuth telluride // J. phys. soc. Japan. 1969. — V. 26, № l.-P. 58−64.
  112. Kohler H. Anisotropic g-factor of Conduction Electrons in Bi2Te3 // Phys. Stat. Sol. (b).- 1976.-V. 75, № l.-P. 127−136.
  113. Kohler H. Non-parabolic E (k) Ralation of the lowest conduction band of Bi2Te3 // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. — V. 73, № 1. — P. 95−104.
  114. Kohler H. Non-parabolicity of the Highest Valence Band of Bi2Te3 from Shubnikov-de Haas effect // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. — V. 74, № 2. -P. 591−600.
  115. Kohler H., Fredenberger A. Investigation of the highest valence band in (Bi,.xSbx)2Te3 crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1977. — V. 84, № 1. — P. 195−203.
  116. Koster G.F. Space groups and their representations // Solid State Physics- 1957,-V. 5.-P. 174−252.
  117. Kulbachinskii V. A., Kaminsky A.Yu., Kindo K., Narumi Y., Suga K., Kawasaki S., Sasaki M., Miyajima N., Wu G. R., Lostak P., Hajek P. // Physica Status Solidi (b). 2002. — V. 229, № 3. — P. 1467−1480.
  118. Lagrenaudie J. Lattice Dynamics and Phonon Dispersion in the Narrow Gap Semiconductor Bi2Te3 with Sandwich Structure // Physica Status Solidi (b) -1990.-V. 162.-P. 125−140.
  119. Lange P.W. Ein vergleich zwischen Bi2Te3 und Bi2Te3S // Naturwissenschaften. 1939. — No.27. — P. 133−134.
  120. Langhammer H. T., Stordeur M., Sobotta H., Riede V. Optical and Electrical Investigations of the Anisotropy of Sb2Te3Single Crystals // Phys. Stat. Sol.(b). 1982. — V. 109.-P. 673−681.
  121. Langhammer H. T., Stordeur M., Sobotta H., Riede V. IR Transmission Investigations of Sb2Te3 Single Crystals // Phys. Stat. Sol.(b). 1984. — V. 123. -P. 47−51.
  122. Lee P. M., Pincherle L. The electronic band structure of bismuth telluride // Proc. Phys. Soc. 1963, V. 81, № 3. — P. 461−469.
  123. Mallinson R. B., Rayne J. A., Ure R. W. Concentration Dependence of the de Haas-van Alphen Effect in n-type Bi2Te3 // Phys. Lett. 1967. — V. 24A, № 14.-P. 713−714.
  124. Mallinson R. B., Rayne J. A., Ure R. W. De Haas-van Alphen Effect in n-type Bi2Te3 // Phys. Lett. 1965. — V. 19, № 2. — P. 545−546.
  125. Mallinson R. B., Rayne J. A., Ure R. W. De Haas-van Alphen Effect in n-type Bi2Te3//Phys. Rev. 1968. — V. 175, № 3.-P. 1049−1056.
  126. Mansfield R., Williams W. The electrical properties of Bismuth Tellu-ride//Proc. Phys. Soc. 1958. — V. 72, № 14.-P. 733−741.
  127. Middendorff A., Dietrich K., Landwehr G. Shubnikov-de Haas Effect inp-type Sb2Te3 // Sol. St. Com. 1973.-V. 13, № 14.-P. 443−446.
  128. Miller G. R., Che-Yu-Li, Spencer C. W. Properties of Bi3Te3-Bi2Se3 alloys //J. Appl. Phys. 1963. -V. 34. — 1398 p.
  129. Moss T. S. The interpretation of the properties of indium antimonide // Proc. Phys. Soc. 1954. — V. 67B. — P. 775−782.
  130. V., Kohler H., Becker C. R. // A Raman and far-infrared investigation of phonons in the rhombohedral V2-VI3 compounds Bi2Te3, Bi2Se3, Sb? Te3 and Bi^Te^Se^ (0
  131. Ronlund B., Beckman O., Levy H. Doping properties of Sb2Te3 indicating a two valence band model // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1965.-№ 26.-P. 1281−1286.
  132. Satterwaite C.B., Ure R.W. Electrical and Thermal Properties of Bi2Te3 //Phys. Rev. 1957,-V. 108, No. 5.-P. 1164−1170.
  133. Sehr R., Testardi L. R. Plasma edge in Bi2Te3 // J. Appl. Phys. 1963. -V. 34, № 9. — P. 2754−2756.
  134. Sehr R., Testardi L.R. The optical properties of p-type Bi2Te3-Sb2Te3 alloys between 2−15 microns // Journal Physics and Chemistry of Solids. 1962. -№ 23.-P. 1219−1224.
  135. Sehr R., Testardi L. R. Transport properties of p-type Bi2Te3-Sb2Te3 alloys in the temperature range 80−370 K // Journal Physics and Chemistry of Solids. 1962.-№ 23.-P. 1209−1217.
  136. Shigetomi S., Mori S. Electrical properties of Bi2Te3 // J. Phys. Soc. (Japan). 1956.-V. 11.-P. 915−919.
  137. Shogenia K., Sato T. Temperature Dependence of Hall Coefficient in p-type Bi2Te3 Crystals. // J. Phys. Soc. (Japan). 1962. — V. 17, № 4. — P. 727.
  138. Simon G., Eichler W. Galvanomagnetic und Thermoelctrische Trans-portersuchungen an Sb2Te3 // Phys. Stat. Sol. (b). 1981. — V. 103, № 1. — P. 289 295.
  139. Simon G., Eichler W. Investigations on a Two-Valence Band model for Sb2Te3 //Phys. Stat. Sol. (b). 1981. — V. 107, № 1. — P. 201−206.
  140. Smith M. J., Knight R. J., Spencer C. W. Properties of Bi2Te3-Sb2Te3 alloys // J. Appl. Phys. 1962. -V. 33. — P. 2186−2190.
  141. Spitzer W. G., Fan H. Y. Determination of optical constants and carrier effective mass of semiconductors // Phys. Rev. 1957. — V. 106. — P. 882−890.
  142. Stolzer M., Stordeur M., Sobotta H., Riede V. IR Transmission Investigations of (Bi,-xSbx)2Te3 Single Crystals// Phys. Stat. Sol.(b). 1986. — V. 138. -P. 259−266.
  143. Stordeur M. The thermoelectric figure of merit in the mixed crystal system p-(Bi,.xSbx)2Te3 // Phys. Stat. Sol.(b). 1990. — V. 161. — P. 831−835.
  144. Stordeur M., Langhammer H. T., Sobotta H., Riede V. Valence band structure of (Bi,.xSbx)2Te3 single crystals // Phys. Stat. Sol.(b). 1981. — V. 104. -P. 513−522.
  145. Stordeur M., Stolzer M., Sobotta H., Riede V. Investigation of the valence band structure of thermoelectric (Bi!xSbx)2Te3 // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. — № 150.-P. 165−176.
  146. Testardi L. R., Bierly J. N., Danahoe F. J. Lattice defects in manganese-doped Sb2Te3 crystals // Phys. Stat. Sol. 1975. — V. 27. — P. 621−626.
  147. Testardi L.R., Wiese J.R. Density Anomalies in the Bi2Te3-Sb2Te3 system // Trans. Met. Soc. 1961. — AIME 221 — P. 647−649.
  148. Unkelbach K. H., Becker Ch., Kohler H., Middendorff A.V. Optical phonons of Bi2Te3 // Phys. St. Sol. 1973. — V. 60, № 1. — P. 41−44.
  149. Tichovolsky E. J., Mavroides J. G. Magnetoreflection Studies of on the band structure of bismuth-antimony alloys // Solid. State Commun. 1969. — V. 7, № 13.-P. 927−931.
  150. Yates B. The electrical conductivity and Hall coefficient of Bismuth Telluride // J. Electronics and Control. 1959. — V. 6, № 1. — P. 26−38.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!