Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Формирование ионных потоков из плазмы короткоимпульсными потенциалами смещения

Диссертация: Формирование ионных потоков из плазмы короткоимпульсными потенциалами смещения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научная новизна работы заключается в том, что: 1. Проведено моделирование магнитных полей системы ваккумно-дуговой испаритель — плазменный фильтр с целью оптимизации распределения магнитных полей. Экспериментально показано, что применение дополнительной магнитной катушки обеспечивает возможность снижения тока по электродам электромагнитного плазменного фильтра жалюзийного типа в 3 раза… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ПО ФОРМИРОВАНИЮ ИОННЫХ ПОТОКОВ ИЗ ПЛАЗМЫ В УСЛОВИЯХ ЭРОЗИИ ЭМИССИОНОЙ ГРАНИЦЫ
    • 1. 1. Исследования по формированию сильноточных пучков заряженных частиц в плазмонаполненных системах
    • 1. 2. Плазменно-иммерсионная имплантация
    • 1. 3. Плазменно-иммерсионная ионная имплантация и осаждение покрытий с использованием плазмы вакуумной дуги
  • ГЛАВА 2. ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Установка для проведения исследований
    • 2. 2. Импульсно-периодический источник ионных пучков и плазмы «Радуга 5» на основе непрерывной вакуумной дуги
    • 2. 3. Электромагнитный плазменный фильтр для очистки плазмы ВДР от микрокапельной фракции
    • 2. 4. Диагностика параметров ионного пучка и плазмы
    • 2. 5. Оборудование для исследования свойств материалов и покрытий
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ПРОЦЕССОВ, СОПРОВОЖДАЮЩИХ ПРИМЕНЕНИЕ КОРОТКИХ ПОТЕНЦИАЛОВ СМЕЩЕНИЯ К ОБРАЗЦАМ, ПОГРУЖЁННЫМ В ПОТОК ПЛАЗМЫ
    • 3. 1. Физическая модель
    • 3. 2. Проводящие мишени
    • 3. 3. Диэлектрические мишени
    • 3. 4. Использование биполярных импульсов смещения
    • 3. 5. Экспериментальное исследование энергетических спектров потоков ионов, формирующихся в плазмонаполненной системе при короткоимпульсиых потенциалах смещения
    • 3. 6. Применение короткоимпульсиых потенциалов смещения для случая абляционной плазмы
    • 3. 7. Численное моделирование процессов
  • ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МЕТОДА ДИАГНОСТИКИ ПЛАЗМЫ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КОРОТКОИМПУЛЬСИЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ СМЕЩЕНИЯ В ПЛАЗМЕННО-ИММЕРСИОННОМ ПОДХОДЕ
    • 4. 1. Концепция плазменно-иммерсионного времяпролётиого спектрометра зарядового и массового состава плазмы
    • 4. 2. Исследование влияния амплитуды импульса потенциала смещения па энергетический спектр ионов
    • 4. 3. Исследование влияния длительности импульса потенциала смещения на энергетический спектр ионов
    • 4. 4. Исследование возможности улучшения характеристик плазменно-иммерсионного времяпролётиого спектрометра
    • 4. 5. Анализ влияния различных факторов на разрешающую способность плазмепио-иммерсионного времяпролётиого спектрометра
  • ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДА ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ КОРОТКОИМПУЛЬСНОЙ ПЛАЗМЕННО-ИММЕРСИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ (ВКПИИИ) И (ИЛИ) ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ
    • 5. 1. Метод высокочастотной короткоимпульспой плазменно-иммерсионной имплантации ионов и (или) осаждения покрытий
    • 5. 2. Режимы ВКПИИИ и области применимости
    • 5. 3. Исследования закономерностей изменения поверхностных свойств материалов при различных режимах ионной и плазменной обработки

Формирование ионных потоков из плазмы короткоимпульсными потенциалами смещения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Ионные пучки и плазменные потоки находят всё более широкое приме.

• нение в технологиях модификации поверхностных свойств материалов. Так, например, ионная имплантация (ИИ) в промышленных масштабах используется для управляемого изменения свойств полупроводников. В то же время применение ионной имплантации для модификации свойств металлических и диэлектрических материалов ограничивается малой толщиной модифицируемого слоя и сложностью технической реализации обработки промышленных изделий с развитой поверхностью.

Практически значимые результаты применения ионной имплантации для ^ направленного изменения свойств материалов появились в результате развития метода плазменно-иммерсионной ионной имплантации (ПИИИ, или ПИ3) [1]. Сущность метода заключается в погружении изделия в плазму, подаче на него отрицательного потенциала смещения, ускорении ионов из плазмы и их имплантации в поверхность твёрдого тела. Преимущества метода ПИ3 по сравнег нию с обычной ИИ обусловлены, прежде всего, простотой реализации технологического процесса и возможностью почти равномерной ионной обработки деталей сложных форм, в том числе и внутренних поверхностей протяжённых отверстий. Для реализации ПИ3, в основном, используется плазма различных га-Ш зов. Металлическая плазма непрерывной вакуумной дуги, обеспечивающая возможность ионной имплантации многих элементов периодической системы и их композиций, в силу ряда причин пока не получила должного развития в плазменно-иммерсионном подходе. Ограничения связаны, как с наличием в плазме вакуумной дуги значительного количества микрокапель, существенно снижающих эффективность ионной имплантации, так и с ростом покрытий, обусловленным взаимодействием металлической плазмы с поверхностью мишени в промежутках между импульсами потенциала смещения. щ Применение длинных импульсов значительных по амплитуде потенциа.

1 лов смещения на образцы, погружённые в плазму, сопровождается уходом эмиссионной границы на значительные расстояния, что нивелирует эффект трёхмерной обработки изделий в режиме ПИИИ.

Использование относительно коротких по длительности импульсов потенциалов смещения (0,1-И0 мкс) на образцы, погружённые в поток плазмы вакуумной дуги, при условии варьирования коэффициента заполнения импульса в широких пределах (0,1-Ю, 99) может при определённых условиях обеспечить реализацию режимов имплантации ионов металлов, сплавов, ионную имплантацию с компенсацией распыления поверхности осаждением плазмы и ионно-ассистированное осаждение металлической плазмы.

Исследование процессов формирования ионных потоков из плазмы ко-роткоимпульсными потенциалами смещения, энергетического спектра ускоренных ионов и динамики формирования ускоряющего промежутка у поверхности диэлектрических и проводящих мишеней, погружённых в поток плотной металлической плазмы, представляет интерес для многих прикладных задач. К этим задачам относится, например, нанесение вакуумно-дуговым методом ал-мазоподобных покрытий, где необходимо обеспечить энергию ионов в несколько сотен электронвольт, сохраняя при этом диэлектрические свойства осаждаемого алмазоподобного покрытия. Актуальной также является задача разработки достаточно простого метода ионной и плазменной обработки диэлектриков, не требующего применения ионных имплантеров и сложных систем перемещения мишеней с развитой поверхностью.

Таким образом, численное и экспериментальное исследование закономерностей формирования ионных потоков короткоимпульсными потенциалами смещения в плазменно-иммерсионном подходе, изучение динамики изменения энергетического спектра ионов, разработка и исследование методов коротко-импульсной высокочастотной плазменно-иммерсионной имплантации и (или) осаждения покрытий на основе вакуумно-дугового разряда и методов измерения зарядового и массового состава ионов в плазменно-иммерсионном подходе, представляется актуальной задачей.

Цель работы заключается в установлении основных закономерностей процессов формирования ускоряющего зазора вблизи поверхности потенциального электрода, погружённого в поток плотной металлической плазмы и характеристик формируемого ионного потока для широкого диапазона изменения параметров плазмы (концентрации и скорости плазменного потока, зарядового и массового состава ионов) и системы извлечения ионов (длительности, амплитуды и частоты следования импульсов ускоряющего напряжения, диэлектрических свойств мишени, геометрических параметров и др.), а также в разработке новых методов ионной и плазменной обработки материалов и диагностики плазмы.

Для достижения поставленной цели необходимо выполнение комплекса численных и экспериментальных исследований, к основным из которых можно отнести следующие:

1. Численные и экспериментальные исследования эффективности плазменного фильтра жалюзийной конструкции и возможностей оптимизации его параметров.

2. Численные и экспериментальные исследования динамики формирования ускоряющего промежутка у поверхности потенциального электрода, погружённого в поток плазмы непрерывного вакуумно-дугового разряда, динамики изменения потенциала смещения на поверхности мишени.

3. Численные и экспериментальные времяпролётные исследования динамики изменения энергетического спектра ионов, ускоряемых в плазменно-иммерсионном подходе из плазмы вакуумной дуги.

Научная новизна работы заключается в том, что: 1. Проведено моделирование магнитных полей системы ваккумно-дуговой испаритель — плазменный фильтр с целью оптимизации распределения магнитных полей. Экспериментально показано, что применение дополнительной магнитной катушки обеспечивает возможность снижения тока по электродам электромагнитного плазменного фильтра жалюзийного типа в 3 раза с соответствующим снижением энергозатрат при одновременном увеличении эффективности прохождения плазменного потока через фильтр на 30%. Экспериментально и численным моделированием установлены закономерности динамики изменения ускоряющего зазора и энергетического спектра ионов в зависимости от амплитуды импульса отрицательного потенциала смещения, его длительности, частоты следования и параметров плазменного потока.

Предложен и разработан метод короткоимпульсной высокочастотной плазменно-иммерсионной ионной и плазменной обработки проводящих и диэлектрических материалов в условиях компенсации накапливаемого на поверхности мишени положительного заряда в паузах между импульсами потенциала смещения электронным потоком из плазмы. Показано, что использование высокой частоты следования импульсов (fx—>1) обеспечивает не только увеличение интенсивности ионной обработки мишени, но и позволяет применять короткие по длительности (порядка десятков и сотен наносекунд) импульсы потенциала смещения без существенного снижения эффективности использования ускоряющего потенциала.

Предложены способ измерения спектра ионов и времяпролётный плазменно-иммерсионный спектрометр ионов. Экспериментально показана возможность исследования зарядового и массового состава плазмы практически любых элементов. Экспериментально исследовано влияние длительности и амплитуды импульса ускоряющего напряжения, геометрических и других параметров системы на чувствительность и разрешающую способность спектрометра. Определены условия, обеспечивающие наилучшее разрешение спектрометра.

5. Показана возможность использования метода короткоимпульсной высокочастотной плазменно-иммерсионной ионной и плазменной обработки материалов для реализации режимов ионно-ассистированного осаждения плазмы, высококонцентрационной ионной имплантации и «чистой» ионной имплантации, а также для реализации всех этапов технологического процесса ионной и плазменной обработки материалов, включая очистку, активацию поверхности, обеспечение необходимого температурного режима, формирование переходного слоя и осаждения малодефектных покрытий с ионным ассистированием на любые материалы, включая диэлектрики.

6. На основании комплекса проведённых исследований создана установка нового поколения для ионно-лучевой и плазменной обработки материалов, включающая в себя импульсно-периодический источник ионов и плазмы «Радуга-5», 6 вакуумно-дуговых испарителей, оснащённых модернизированными электромагнитными плазменными фильтрами, высокочастотный короткоимпульсный генератор потенциалов отрицательного смещения.

Основные результаты работы, выносимые на защиту:

1. Оптимизация конструкции электромагнитного плазменного фильтра, позволяющая повысить эффективность транспортировки плазменного потока на 30% при снижении потребляемой мощности в 3 раза.

2. Зависимости энергетического спектра ионов, динамики формирования ускоряющего зазора от амплитуды импульса отрицательного потенциала смещения, его длительности и частоты следования, параметров плазмы и характеристик мишени.

3. Метод короткоимпульсной высокочастотной плазменно-иммерсионной ионной и плазменной обработки проводящих и диэлектрических материалов.

4. Применения метода короткоимпульсной высокочастотной плазменно-иммерсионной ионной и плазменной обработки проводящих и диэлек трических материалов.

5. Способ измерения спектра ионов и времяпролётный плазменно-иммерсионный спектрометр ионов.

6. Установка нового поколения для ионно-лучевой и плазменной обработки материалов.

Научная и практическая значимость работы:

1. Оптимизация конструкции электромагнитного плазменного фильтра позволила повысить эффективность транспортировки плазменного по тока на 30% при снижении потребляемой мощности в 3 раза.

2. Полученные зависимости энергетического спектра ионов, динамики формирования ускоряющего зазора от амплитуды импульса отрицательного потенциала смещения, его длительности и частоты следования, параметров плазмы и характеристик мишени вносят сущеествен-ный вклад в создание общей картины процессов формирования потоков ионов в плазменно-иммерсионном подходе и позволяют сформулировать условия реализации технологических процессов модификации поверхности проводящих и диэлектрических материалов.

3. Предложенный и разработанный метод короткоимпульсной высокочастотной плазменно-иммерсионной ионной и плазменной обработки материалов позволяет реализовать режимы ионной имплантации, высококонцентрационной ионной имплантации, а также ионно-ассистированного осаждения покрытий из плазмы как на проводящие так и на диэлектрические мишени.

4. Предложенный и разработанный способ измерения спектра ионов и времяпролётный плазменно-иммерсионный спектрометр ионов позво ляет исследовать зарядовый и массовый состав плазмы практически любых материалов.

5. Созданная установка нового поколения для ионно-лучевой и плазменной обработки материалов обеспечивает реализацию широкого спектра технологических режимов модификации поверхностных свойств материалов ионной имплантацией и плазменным осаждением малодефектных покрытий.

Работа состоит из введения, пяти глав и заключения. Полный объём диссертации составляет 149 страниц, работа содержит 72 рисунка и одну таблицу. Список цитируемой литературы включает 136 источников.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Настоящая работа посвящена разработке и исследованию новых методов ионной и плазменной обработки материалов и диагностики плазмы, основанных на применении коротких по длительности импульсов отрицательного потенциала смещения на проводящие и диэлектрические системы, погружённые в плазму.

При этом получены следующие результаты:

1. Предложен и разработан метод короткоимпульсной высокочастотной плазменно-иммерсионной ионной и плазменной обработки проводящих и диэлектрических материалов. Экспериментально и численным моделированием установлены закономерности динамики изменения ускоряющего зазора и энергетического спектра ионов в зависимости от амплитуды импульса отрицательного потенциала смещения, его длительности, частоты следования и параметров плазменного потока. Экспериментально и численно продемонстрирована возможность применения короткоимпульсных потенциалов смещения для ионной обработки диэлектрических мишеней в уело-виях компенсации накапливаемого на поверхности мишени положительного заряда в паузах между импульсами потенциала смещения электронным потоком из плазмы. Показано, что использование высокой частоты следования импульсов (fx—>1) обеспечивает не только увеличение интенсивности ионной обработки мишени, но и позволяет применять короткие по длительности (порядка десятков и сотен наносекунд) импульсы потенциала смещения без существенного снижения эффективности использования ускоряющего потенциала. На примере титановой плазмы исследовано влияние режимов короткоимпульсной высокочастотной плазменно-иммерсионной ионной и плазменной обработки материалов на макроскопические характеристики покрытия, наносимого на диэлектриктрические и проводящие мишени. Показана возможность использования метода для реализации режимов ионно-ассистированного осаждения плазмы, высококонцентрационной ионной имплантации и «чистой» ионной имплантации, а также для реализации всех этапов технологического процесса ионной и плазменной обработки материалов, включая очистку, активацию поверхности, обеспечение необходимого температурного режима, формирование переходного слоя и осаждения малодефектных покрытий с ионным ассистированием.

2. Предложен способ измерения спектра ионов и времяпролётный плазменно-иммерсионный спектрометр ионов. Экспериментально показана возможность исследования зарядового и массового состава плазмы практически любых элементов. Экспериментально исследовано влияние длительности и амплитуды импульса ускоряющего напряжения, геометрических и других параметров системы на чувствительность и разрешающую способность спектрометра. Определены условия, обеспечивающие наилучшее разрешение спектрометра.

3. Проведено моделирование магнитных полей системы ваккумно-дуговой испаритель — плазменный фильтр с целью оптимизации распределения магнитных полей. Экспериментально показано, что применение дополнительной магнитной катушки обеспечивает возможность снижения тока по электродам электромагнитного плазменного фильтра жалюзийного типа в 3 раза с соответствующим снижением энергозатрат при одновременном увеличении эффективности прохождения плазменного потока через фильтр до 30%.

4. На основании комплекса проведённых исследований создана установка нового поколения для ионно-лучевой и плазменной обработки материалов, включающая в себя импульсно-периодический источник ионов и плазмы «Радуга-5», 6 вакуумно-дуговых испарителей, оснащённых модернизированными электромагнитными плаз> менными фильтрами, высокочастотный короткоимпульсный генератор с током нагрузки до 20 А в импульсе и автоматизированную систему управления параметрами технологического процесса. Достоверность и обоснованность результатов работы подтверждается систематическим характером исследований, использованием независимых дублирующих экспериментальных методик, сопоставлением результатов экспериментов и численного моделирования, а также сравнением с результатами других исследователей, как в нашей стране, так и за рубежом, практической реа-^ лизацией научных положений и выводов при создании и модернизации устройств и установок. Предложенные методы и новые устройства, созданные в результате исследований, выполненных в рамках настоящей работы, используются в настоящее время для проведения физических экспериментов и отработки технологических процессов ионной и плазменной модификации металлов и диэлектриков с целью улучшения их эксплуатационных свойств в ФГНУ НИИ Ядерной Физики. Результаты проведённых исследований применялись для улучшения характеристик покрытий. Личный вклад автора состоит в разработке численной модели расчета динамики формирования ускоряюще-Ш го промежутка, проведении комплекса модельных исследований, создании экспериментальной установки, выбора методик эксперимента, проведении экспериментальных исследований, анализе и обобщении их результатов. Автором самостоятельно выдвинуты защищаемые научные положения, сделаны выводы и даны рекомендации по результатам исследований. Обсуждение задач исследований, методов их решения и результатов осуществлялось совместно с соавторами, фамилии которых указаны в опубликованных по теме диссертации работах.

В заключение автор искренне благодарит Ю. П. Усова, под руководством которого была выполнена данная работа. Автор благодарит сотрудников лаборатории Степанова И. Б., Дектярёва С. В., Луконина Е. И., Сивина Д. О., Синеб-рюхова А. А, Шулепова И. А. за полезные обсуждения и помощь в работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A. Anders, Handbook of plasma immersion ion implantation and deposition, (U.S.: John Wiley & Sons, 2000).
  2. И.С. Абрамов, Ю. А. Быстров, В. Г. Вильдгрубе, «Плазменные ускорители и их применение в технологии», Обзоры по электронной технике. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы, (М.: ЦНИИ Электроника. -1986) В. 3.
  3. I.G. Brown In: The Physics and Technology of Ion Sources, edited by I.G.Brown (New York: Wiley & Sons, 1989), p. 331.
  4. M.A. Завьялов, Ю. Е. Крейндель, А. А. Новиков и др., «Плазменные процессы в технологических электронных пушках», (М.: Энергоатомиздат, 1989), 256 с.
  5. В.М. Быстрицкий, А. Н. Диденко, Мощные ионные пучки (М.: Энергоатомиздат, 1984), 152 с.
  6. N.V. Gavrilov, G.A. Mesyats, G.V. Radkovskii and V.V. Bersenev, «Development of technological sources of gas ions on the basis of hollow-cathode glow discharges», Surf Coat. Technol. 96 (1997), 81−88.
  7. E.M. Oks, «Development of vacuum arc ion sources for heavy ion accelerator injectors and ion implantation technology», Rev. Sci. Instrum. 67 (1996), 12 131 215.
  8. А.И. Рябчиков, С. В. Дектярев, И. Б. Степанов, «Источники „Радуга“ и методы импульсно-периодической ионно-лучевой и ионно-плазменной обработки материалов», Известия ВУЗов. Физика № 4 (1998), 193−207.
  9. Г. А. Месяц, Эктоны, (Екатеринбург: УИФ «Наука», 1993), 184 с.
  10. А.Н. Диденко, В. П. Григорьев, Ю. П. Усов, Мощные электронные пучки и их применение, (Москва: Атомиздат, 1977), 94.
  11. Е.И. Логачёв, Г. Е. Ремнёв, Ю. П. Усов, «Ускорение ионов из взрывоэмис-сионной плазмы», Письма в ЖТФ, 6 в. 22 (1980), 1401.
  12. А.И. Рябчиков, A.B. Петров, H.M. Полковникова, В. Г. Толмачёва, И.A. Шулепов, «Эрозия и модификация поверхности нержавеющей стали под действием мощных ионных пучков», Труды 3 Меэ/сд. Конф. по Рад. Физ. Т. е. Тела, 2 (1999), 90−93.
  13. T.J. Renk, P.P. Provencio, S.V. Prasad, A.S. Shlapakovsky, A.V. Petrov and others, «Material modification using intense ion beams», Proc. of the IEEE, V 92, 7(2004), 1057−1077.
  14. A.H. Диденко, C.H. Волков, Я. Е. Красик, А. И. Рябчиков, «Исследование режимов генерации МИП с использованием предимпульса ускорителя», ЖТФ В. 4 т.54 (1984), 816−819.
  15. A.N. Bastrikov, A.A. Zherlitsyn, В.М. Kovalchuk, S.V. Loginov, V.P. Yakov-lev, «GIT-4 Experiments with Plasma Opening Switch», Proc. of the 12th Symp. On High Current Elect., Tomsk, Russia (2002), 360−362.
  16. N.U. Barinov, G.I. Dolgachev, D.D. Maslennikov, «Plasma opening switch with isolation by extrinsic magnetic field», Proc. of the 12th Symp. On High Current Elect., Tomsk, Russia (2002), 274−276.
  17. R.J. Adler, S.T. Picraux, «Repeatitively pulsed metal ion beams for ion implantation», Nucl. lustrum. Methods Phys. Res. В 6 (1985), 151−157.
  18. A.C. 1 412 517 СССР. Способ ионной имплантации. Н. А. Арзубов, В. А. Ваулин, А. И. Рябчиков и др. Приоритет от 26.03.86., БИ 1990, № 33.
  19. Н.М. Арзубов, Г. П. Исаев, А. И. Рябчиков, «Вакуумно-дуговой частотно-импульсный источник ионов», VI Всесоюз. симп. по сильноточной электропике. Тез. Докл., Томск (1986), 184−186.
  20. Н.М. Арзубов, Г. П. Исаев, А. И. Рябчиков, «Использование вакуумно-дугового частотно-импульсного ускорителя ионов в технологии», Всесоюз. конф. по плазменным ускорителям и ионным инэ/секторам. Тез. докл. Днепропетровск (1986), 224−245.
  21. J.R. Conrad, «Method and apparatus for plasma source ion implantation», U.S. patent 4,764,394, Wisconsin Alumni Research Foundation, Madicon, WI, 1988.
  22. J.R. Conrad, R.A. Dodd, F.J. Worzala, X. Qiu, Surf. Coat. Technol 36, 927 (1988).
  23. M.A. Lieberman, «Model of plasma immersion ion implantation», J. Appl. Phys. 66 (1989), 2926−2929.
  24. J.T. Scheuer, M. Shamim, J.R. Conrad, «Model of plasma source ion implantation in planar, cylindrical and spherical geometries», J. Appl. Phys. 67 (1990), 1241−1245.
  25. J. Conrad, «Sheath thickness and potential profiles of ion-matrix sheaths for cylindrical and spherical electrodes», J. Appl. Phys. 62, (1987), 777−779.
  26. R. Giinzel, J. Brutscher, S. Mandl, W. Moller, Surf Coat. Technol. 96, 16 (1997).31 .K.-U. Riemann, «The Bohm criterion and sheath formation», J. Phys. D: Appl. Phys. 24(1991)493−518.
  27. R.A. Stewart, M.A. Lieberman, «Model of plasma immersion ion implantation for voltage pulses with finite rise and fall times», J. Appl. Phys. 70 (1991), 3481−3487.
  28. H.E. Holt, R.E. Haskell, Plasma Dynamics, (New York: Macmillan, 1965).
  29. N.A. Krall, A.W. Trivelpiece, Principles of plasma physics, (New York: McGraw-Hill, 1973).
  30. V. Vahedi, M.A. Lieberman, M.V. Alves et. al., «A one-dimensional collisional model for plasma-immersion ion implantation», J. Appl. Phys. 69 (1991), 20 082 014.
  31. B.P. Wood, «Displacement current and multiple pulse effects in plasma source ion implantation», J. Appl. Phys. 73 (1993), 4770−4778.
  32. M. Shamim, J.T. Scheuer, R.P. Fetherston, J.R. Conrad, «Measurement of electron emission due to energetic ion bombardment in Plasma Source Ion Implantation», J. Appl. Phys. 70 (1991), 4756−4759.
  33. S. Qin, C. Chan, Z.J. Jin, «Plasma immersion ion implantation model including multiple charge state», J. Appl. Phys. 79 (1996), 3432−3437.
  34. J.N. Matossian, J.D. Williams, «Confinement of secondary electrons in plasma ions processing», U.S. patent 5,498,290, Hughes Aircraft Company, Los Angeles, CA, 1996.
  35. D.J. Rej, B.P. Wood, R.J. Faehl, H.H. Fleischmann, «Magnetic insulation of secondary electrons in plasma source ion implantation», J. Vac. Sci. Technol. В 12(1994), 861−866.
  36. Т.Е. Sheridan, «Ion-matrix sheath in a cylindrical bore», J. Appl. Phys. 74 (1993), 4903−4906.
  37. А.И. Рябчиков, «Импульсно-периодические многофункциональные источники ионов на основе вакуумной дуги и нетрадиционные методы ионно-лучевой, ионно-плазменной обработки материалов», Дисс. док. физ.-мат. Наук, Томск (1994), 257 с.
  38. Е.Н. Lee, G.R. Rao, M.B. Lewis, L.K. Mansur, «Ion Beam Application for improve polymer surface properties», Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. В 741 993), 326−330.
  39. L. Calcagno, G. Campagnini, G. Foti, «Structural modification of polymer filmsby ion irradiation», Nucl Instrum. Methods Phys. Res. В 65 (1992), 413−422.
  40. G.A. Emmert, «Model for expanding sheaths and surface charging at dielectric surfaces during plasma source ion implantation», J. Vac. Sci. Technol. В 121 994), 880−883.
  41. B.P. Linder, N.W. Cheung, «Plasma immersion ion implantation with dielectric substrates», IEEE Trans. Plasma Sci. 24 (1996), 1383−1388.
  42. J.N. Matossian, R.W. Shumacher, D.M. Pepper, «Surface potential control in plasma processing of materials», U.S. patent 5,374,456, Hughes Aircraft Company, Los Angeles, CA, 1994.
  43. J.N. Matossian, R. Wei, «Operating characteristic of a 100 kV, 100 kW plasma ion implantation facility», Surf. Coat. Technol. 85 (1996), 92−97.
  44. R.W. Shumacher, J.N. Matossian, D.M. Goebel, «High impedance plasma ion implantation apparatus», U.S. patent 5,607,509, Hudges Electronics, Los Angeles, С A, 1997.
  45. F.M. Penning, «Coating by cathode disintegration», U.S. patent 2,146,025, N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, The Netherlands, 1939.• 51.A.G. Nikolaev, G.Y. Yushkov, E.M. Oks, R.A. McGill, M.R. Dickinson, I.G.
  46. Brown, «Vacuum arc trigger based on ExB discharges», Rev. Sci. Instrum. 67 (1996), 3095−3098.
  47. B.P. Wood, I. Henins, R.J. Gribble, W.A. Reass, R.J. Faehl, M.A. Nastasi, D.J. Rej, «Initial operation of a large-scale plasma source ion implantation experiment», J. Vac. Sci. Technol. В 12 (1994), 870−874.
  48. V.A. Godyak, R.B. Piejak, «Abnormally low electron energy and heating-mode transition in a low-pressure argon RF discharge at 13.56 MHz», Phys. Rev. Lett. ш 65 (1990), 996−999.
  49. M.V. Alves, M.A. Lieberman, V. Vahedi, C.K. Birdsall, «Sheath voltage ratio for asymmetric RF discharges», J. Appl. Phys. 69 (1991), 3823−3829.
  50. M.A. Lieberman, «Analytical solution for capacitive RF sheath», IEEE Trans.
  51. Plasma Sci. 16 (1988), 638−644.
  52. M.A. Lieberman, «Dynamics of collisional, capacitive RF sheath», IEEE Trans. Plasma Sci. 17 (1989), 338−341.
  53. J.S. Ogle, «Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma», U.S. patent 4,948,458, LAM Research corporation, Fremont, CA, 1990.
  54. Y.X. Wu, M.A. Liebermann, «A traveling wave-driven, inductively coupled large area plasma source», Appl Phys. Lett. 72 (1998), 777−779.
  55. C.M. Ferreira, M. Moisan, Z. Zakrzewski, «Physical principles of microwave plasma generation», in Microwave Excited Plasmas, M. Moisan and J. Pelletier, Eds. (Amsterdam: Elsevier, 1992), 181−212.
  56. M. Moisan, Z. Zakrzewski, «Surface-wave plasma sources», in Microwave Excited Plasmas, M. Moisan and J. Pelletier, Eds. (Amsterdam: Elsevier, 1992),• 123−180.
  57. J. Marec, P. Leprince, «Microwave discharges: structures and stability», in Microwave discharges: Fundamentals and Applications, C.M. Ferrera and M. Moisan, Eds. (New York: Plenum, 1993), 34−63.
  58. L.G. Vintizenko, N.N. Koval, V.S. Tolkachev, P.M. Schanin, «Elongated Arc Plasma Generator», Proc. of the 5th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. Proc. (2000), 578−582.
  59. D. Wolf, Handbook of Ion Sources, (Boca Raton, FL: CRC press, 1995).
  60. H.R. Kaufman, R.S. Robinson, R.I. Seddon, «End-hall ion source», J. Vac. Sci. Technol. A 5 (1987), 2081−2084.
  61. S.-H. Lin, B.J. Feldman, D. Li, Appl. Phys. Lett. 69 (1996), 2373.
  62. K. Holmberg, A. Matthews, Coatings Tribology: Properties, Techniques and Applications in Surface Engeneering, (Amsterdam: Elsevier, 1994), 53.
  63. K.C. Walter, M. Nastasi, N.P. Baker et al., Surf Coat. Technol. 103−104 (1998), 205.
  64. C. Кузьмин, A.E. Лигачёв, H.B. Пирогов, Г. В. Потёмкин, А. И. Рябчиков, «Установка ионной имплантации на 50 кэВ для упрочнения металлоизделий», Изв. ВУЗов, Физика, 8 (1987), 94−96.
  65. A. Anders, «Metal plasma immersion ion implantation and deposition: a review»,^/ Coat. Technol. 93 (1997), 157−167.
  66. M. Nahenow, Ion Implantation: Equipment and Techniques, Springer Series in Electrophysics, Vol. 11, H Ryssel and H. Glavischnig, Eds. (Berlin: Springer-Verlag, 1983), 31.
  67. М.Д. Габович, Физика и технология плазменных ионных источников (Москва: Атомиздат, 1972).
  68. Т. Sheng, S.B. Felch, С.В. Cooper, J. Vac. Sci. Technol. B12, 969 (1994).
  69. J.B. Liu, S.S. Iyer, R. Gronsky, C. Hu, N.W. Cheung, Appl Phys. Lett. 67, 2361 (1995).
  70. А.И. Рябчиков, Е. И. Луконин, Д. А. Карпов, «Импульсно-периодические методы формирования ионно-плазменных потоков и их технологическое применение», IX Симпозиум по сильноточной электронике, Тез. Докл. Екатеринбург Т. 3. (1992), 86−88.
  71. A.I. Ryabchikov, R.A. Nasyrov, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B61, 48 (1991).
  72. I.G. Brown, A. Anders, M.R. Dickinson, R.A. MacGill, O.R. Monteiro, Surf. Coat. Technol. 112,271 (1999).
  73. T.Zhang, B.Y. Tang, Z.M. Zeng et al, Surf. Coat. Technol. 128−129, 231 (2000).
  74. A.I. Ryabchikov, Surf. Coat. Technol.96, 9 (1997).
  75. И.И. Аксенов, В. А. Белоус, В. Г. Падалка, В. М. Хороших, «Транспортировка плазменных потоков в криволинейной плазмооптической системе», Физика плазмы т.4 вып. 4 (1978), 758 763.
  76. М. Keidar, I.I. Beilis, R. Aharonov, D. Arbilly, R.L. Boxman, S. Goldsmith, «Macroparticle distribution in a quarter-torus plasma duct of a filtered vacuum arc deposition system», J.Phys. D: Appl. Phys. № 30 (1997), 2972−2978.
  77. I.G. Brown, «Metal vapor vacuum arc ion sources», Rev. Sci. Instrum. v. 63 № 4 (1992), 2351 -2356.
  78. A.I. Ryabchikov, I.B. Stepanov, «Investigations of forming metal-plasma flows filtered from micropaticle fraction in vacuum-arc evaporators», Rev. Sci. Instrum. v. 69(1998), 893.
  79. А.И. Рябчиков, И. Б. Степанов, «Устройство для очистки плазмы дугового испарителя от микрочастиц (его варианты)» Патент России RU 2 097 868 С1.- 1998.
  80. I.G. Brown, X. Godechot, K.M. Yu, Appl. Phys. Lett. 58 (1991), 1392.
  81. Д.П. Борисов, H.H. Коваль, П. М. Щанин, «Генерация объёмной плазмы дуговым разрядом с накаливаемым катодом», Изв. Вузов. Физика, 3 (1994), 115−120.
  82. Plasma Flows, Томск (2002), 649−653.
  83. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, «Recent advances in surface processing with filtered DC vacuum-arc plasma», J. Vacuum 78 (2005), 445 449.
  84. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, «Development of filtered DC metal plasma ion implantation and coating deposition methods based on high frequency short-pulsed bias voltage application», J. Vacuum 78 (2005), 331 336.
  85. М. Sano, К. Yukimura, Т. Maruyama et al., Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. В 148 (1999), 37.
  86. Weidong Yu, Lifang Xia, Yue Sun et al., Surf. Coat. Technol 240 (2000), 128 129.
  87. Z.M. Zeng, T. Zhang, B.Y. Tang, X.B. Tian, P.K. Chu, Surf. Coat. Technol. 115(1999), 234.
  88. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, «Experimental Investigation Of Repetitively-Pulsed And Plasma Material Treatment Using A Dc Vacuum Arc», International Workshop on Plasma Based Ion Implantation, San Antonio, USA (2003).
  89. И.А. Рябчиков, Ю. П. Усов, «Метод высокочастотной короткоимпульсной плазменно-иммерсионной ионной имплантации», Сборник материалов I Всероссийской конференции молодых ученых «Физика и химия высокоэнергетических систем», Томск (2005), 333−335.
  90. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, «Pulsed plasma-immersion surface processing», Proceedings of V-th International Conference «Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons» Poland, Kazimierz Dolny (2004), 235.
  91. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, YU.P. Usov, «High-Frequency Short-Pulsed Metal Plasma-Immersion Ion Implantation Using Filtered DC Vacuum-Arc Plasma», J. Vacuum в печати.
  92. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, A.A. Sinebryukhov, «Plasma Immersion Ion Charge State and Mass Spectrometer», Rev. Sci. Instrum. 77 (2006).
  93. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, YU.P. Usov, «New approaches to Plasma Diagnostics», Book ofAbstracts of the 8th International Workshop on Plasma-Based Ion Implantation and Deposition. Chengdu, China (2005).
  94. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, YU.P. Usov, «New approaches to Plasma Diagnostics», J. Vacuum в печати.
  95. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, A.A. Sinebryukhov, «Plasma Immersion Ion Charge State and Mass Spectrometer», Books of Abstracts of the 11th International Conference on Ion Sources, Caen, France (2005), 205.
  96. К. Yatsui, W. Jiang, N. Harada, T. Sonega, «Application of intense pulsed light ion beams to material science», Pres. At 12th Int. Conf. on High-Power Part. Beams, Israel (1998).
  97. I.G. Brown, J.E. Galvin, R.A. MacGill, R.T. Wrigth, Rev. Sci. Instrum. 58(1987), 1589.
  98. B.M. Лунев, В. Г. Падалко, B.M. Хороших, «Исследование некоторых характеристик плазмы вакуумной металлической дуги», ЖТФ т.7 (1977), 1486−1495.
  99. A.A. Plyutto, V.N. Ryzhov, А.Т. Kapin, Sov. Phys. JETP 20(0) (1965), 328.
  100. А.И. Рябчиков, И. А. Рябчиков, И. Б. Степанов, «Способ измерения спектра ионов и времяпролётный спектрометр ионов», патент RU № 2 266 587, приоритет от 23 июля 2004, БИ 20 декабря 2005, № 35.
  101. А.А. Плютто, «Ускорение положительных ионов в расширяющейся плазме вакуумных искр», ЖЭТФ В 6 т.39 (1960), 1589−1592.
  102. D.M. Sanders, A. Anders, «Review of cathodic arc deposition technology at the start of the new millennium», Surf. Coat. Technol. 133−134 (2000), 78−90.
  103. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, A.A. Sinebryukhov, S.V. Dektyarev, «High-Current Vacuum Arc Ion source for Ion Implantation and Coating Deposition Technologies», Rev. Sci. Instrum. 77 (2006).
  104. Распыление тел ионной бомбардировкой. Под. ред. Р. Бериша // М: Мир, 1984.-336 с.
  105. I.B. Stepanov, I.A. Ryabchikov, S.V. Dektyarev, «Investigation of Tungsten DC Vacuum Arc Characteristics Technological Application», J. Vacuum — в печати.
  106. A.I. Ryabchikov, I.A. Ryabchikov, I.B. Stepanov, «High Frequency Short-Pulsed Plasma-Immersion Ion Implantation and Deposition», J. Vacuum в печати.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!