Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе

Диссертация: Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В магнитном поле, перпендикулярном плоскости гетероперехода, свободному движению электронов в указанной плоскости будет отвечать круговое движение носителей под действием силы Лоренца. Из-за квантования момента импульса энергия такого периодического движения также будет принимать только дискретные значения. Плотность состояний электронов при этом будет являться системой 5-функциональных пиков… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе в АЮаАзАЗаАз гетероструктурах
    • 1. 1. Основные свойства двумерного электронного газа в гетероструктурах АЮаАз/ОаАз
    • 1. 2. Основные положения теории электрон-фононного взаимодействия в двумерном газе
    • 1. 3. Электрон-фононное взаимодействие в двумерном электронном газе в магнитном поле В, перпендикулярном 20 слою
    • 1. 4. Обзор экспериментальных результатов
    • 1. 5. Выбор объекта исследования и постановка задачи
  • Глава II. Методика измерения времен энергетической релаксации электронов двумерного газа АЮаАэ/ОаАз гетероструктур и описание исследуемых образцов
    • 2. 1. Методика измерения времен энергетической релаксации в 20 газе АЮаАз/СаАз гетероструктур
    • 2. 2. Осцилляции Шубникова-де Гааза. Оценка условий квазиравновесности измерений времен энергетической релаксации в АЮаАз/ОаАэ гетероструктурах
    • 2. 3. Исследуемые структуры на основе одиночного гетероперехода АЮаАз/ОаАз
  • Глава III. Время энергетической релаксации на гетерогранице АЮаАзЛлаАз в квазиравновесных условиях
    • 3. 1. Время энергетической релаксации 2Э электронов в диапазоне температур 4.2 — 50 К
    • 3. 2. Время энергетической релаксации электронов в магнитном поле, перпендикулярном 2D слою
    • 3. 3. Выводы
  • Глава IV. Многократное андреевское отражение в гибридных структурах на основе сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода AlGaAs/GaAs
    • 4. 1. Обзор литературы и постановка задачи
    • 4. 2. Создание гибридных структур S-2D-S на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs и NbN в качестве сверхпроводника
    • 4. 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение
    • 4. 4. Выводы

Энергетическая релаксация электронов в 2D-канале гетеропереходов GAAS/ALGAAS и транспортные процессы в структурах полупроводник-сверхпроводник на их основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Физика систем с пониженной размерностью является одним из актуальных направлений современной науки. Это обусловлено тем, что исследование таких систем имеет как фундаментальное физическое значение, так и большое прикладное значение при создании различных приборов и устройств на их основе.

Началом систематического исследования двумерного электронного газа — системы электронов, движение которых свободно только в двух пространственных измерениях, а их движению в третьем измерении соответствует дискретный энергетический спектр, можно считать работы двух групп авторов: М. И. Елинсона, Д. Н. Корнева, В. Н. Луцкого, Ю. Ф. Огрина [1,2] и А. Фаулера, Ф. Фенга, У. Говарда, П. Стайлса [3]. Первая группа авторов исследовала явления переноса в тонких пленках висмута и из осциллирующего характера зависимостей был сделан вывод о квантовании энергии электронов в направлении, перпендикулярном пленке. Вторая группа авторов, исследовавших транзисторы на основе перехода металл-диэлектрик-полупроводник (МДП — транзисторы), сделала вывод о двумерном характере проводимости в этих структурах на основе наблюдений осцилляций Шубникова-де Гааза. Позднее были обнаружены и исследованы другие двумерные объекты: электронный газ на границе раздела полупроводников с модулированным легированием [4], электронный газ, образующийся над поверхностью жидкого гелия [5], на поверхности германия при скалывании последнего в жидком гелии [6] и др.

Развитие полупроводниковой технологии, и прежде всего молекулярнолучевой эпитаксии [7], при использовании которой возможно обеспечивать исключительно точное управление химическим составом и легированием, получение монокристаллических многослойных структур с толщиной слоя лишь в несколько атомных слоев, безусловно делает более перспективным использование полупроводниковых двумерных систем.

Наиболее ярким событием в физике двумерных систем, ставшим значительным стимулом для их дальнейшего исследования, является открытие фон Клитцингом в 1980 г. квантового эффекта Холла [8]. В сильных магнитных полях и при достаточно низких температурах в двумерных электронных слоях зависимость измеряемого поперечного холловского сопротивления RH от индукции магнитного поля В становится не линейной (как в случае обычного эффекта Холла), а имеет h ряд плоских ступенек, причем RH = —-, где Nцелое число. Таким.

Ne h h образом RH квантуется в единицах — (-т = 25 812.808.Ом). Справедливость е е данного выражения доказана экспериментально с относительной точностью порядка 10″ 7. Измерения показали также, что на точности квантования RH не сказываются такие, казалось бы, существенные параметры эксперимента, как размеры образцов, степень совершенства структур, сила измерительного тока, тип материала, в котором находится двумерный электронный газ, и др. Высокая экспериментальная точность квантования холловского сопротивления позволяет использовать квантовый эффект Холла в метрологии для создания нового эталона сопротивления. Учитывая высокую точность, стабильность и воспроизводимость квантованного холловского сопротивления возможно признание фундаментального сопротивления rh =~ международным е эталоном сопротивления. Другой важной особенностью величины ~ е является то, что она образована из тех же фундаментальных. физических постоянных, что и постоянная тонкой структуры Зоммерфельда а, в е2 которую входит и скорость света с (а = —). Постоянная тонкой структуры he, а является важнейшей фундаментальной константой, т.к. она не имеет размерности, а ее значение а"1/137 не зависит от системы единиц. Повышение точности измерения постоянной, а имеет принципиальное значение, т.к. любое изменение величины, а неизбежно затрагивает значения поправок в квантовой и релятивистской теориях и величину других фундаментальных констант (например, постоянной Фарадея ^ и др.). Таким образом, двумерные электронные системы и, в частности, наблюдаемый в них квантовый эффект Холла важны для повышения точности определения фундаментальных постоянных.

Другим важнейшим аспектом исследования двумерных электронных систем является возможность их практического применения для создания различных электронных приборов. К таким новым электронным приборам относятся биполярные транзисторы на гетеропереходах [9,10], селективно легированные транзисторы с высокой подвижностью электронов [11,12], детекторы на основе гетероструктур [13], светоизлучающие структуры [14,15] и др.

Одной из центральных проблем изучения двумерных электронных систем является исследование электрон-фононного взаимодействия. Многочисленные исследования показывают, что электрон-фононное взаимодействие значительно изменяется в низкоразмерных проводниках (квантовых ямах, гетеропереходах) и скорость энергетической релаксации электронов существенным образом отличается от случая объемных материалов. В основном, модификация электрон-фононного взаимодействия связана с изменением энергетического спектра электронов: становится существенным квантование энергии электронов в направлении перпендикулярном плоскости гетерограницы. Энергетический спектр фононов в гетероструктурах не меняется и сами фононы остаются трехмерными, т.к. для фононов практически полностью отсутствует граница между двумерным слоем и объемным материалом. Однако, из-за изменения энергетического спектра электронов законы сохранения энергии и импульса накладывают определенные ограничения на спектр фононов, участвующих во взаимодействии с электронами, что необходимо учитывать при изучении электрон-фононного взаимодействия.

В магнитном поле, перпендикулярном плоскости гетероперехода, свободному движению электронов в указанной плоскости будет отвечать круговое движение носителей под действием силы Лоренца. Из-за квантования момента импульса энергия такого периодического движения также будет принимать только дискретные значения. Плотность состояний электронов при этом будет являться системой 5-функциональных пиков (уровней Ландау). В реальной ситуации, при наличии в системе беспорядка, эти пики приобретают конечную ширину. В электронном энергетическом спектре для каждого уровня Ландау возникают связанные (локализованные) и свободные (делокализованные) состояния, определяемые по способности электронов участвовать в процессах проводимости. При исследовании скорости энергетической релаксации в данном случае необходимо учитывать переходы электронов как внутри уровня Ландау, так и межуровневые переходы, причем с участием носителей, находящихся как в области локализованных, так и делокализованных состояний. Кроме того, изменение энергетического спектра электронов в магнитном поле меняет и спектр фононов, способных участвовать в электрон-фононном взаимодействии.

Большой интерес представляют работы, связанные с изучением электрон-фононного взаимодействия в двумерном слое на границе гетероперехода АЮаАз/ОаАэ. В этом материале достигнуты максимально возможные подвижности по сравнению с другими двумерными структурами, что позволяет с большой точностью изучать электрон-фононное взаимодействие при энергетической релаксации двумерных носителей. Теоретические и экспериментальные исследования электронфононного взаимодействия в гетеропереходах АЮаАз/ОаАэ ведутся уже много лет. Однако, получаемые результаты зачастую противоречивы. Существующие экспериментальные методы определения времени энергетической релаксации основаны в основном на измерении подвижности двумерных носителей или мощности энергетических потерь и являются косвенными методами. Прямые измерения в квазиравновесных условиях времени энергетической релаксации, определяемого только неупругим взаимодействием электронов с фононами и не зависящего от упругого рассеяния на примесях, дают возможность повысить точность измерений и существенно улучшить понимание процессов электрон-фононного взаимодействия.

В последние годы резко возрос интерес также к гибридным двумерным структурам, в которых высокоподвижный электронный газ (2ЭЕО) заключен между двумя сверхпроводящими (8) контактами (структуры 8−2БЕО-8). В данных структурах появляется возможность наблюдения ряда мезоскопических явлений, имеющих как фундаментальное, так и прикладное значение [16,17]. В частности, применение гибридных структур в электронно-разогревных детекторах позволяет увеличить чуствительность последних вледствие низкой теплоемкости электронной подсистемы в гетероструктуре[ 18−20].

Основной проблемой, возникающей при создании таких структур, является создание прозрачной границы между сверхпроводником и полупроводником с 2БЕО. Эта проблема решается подбором соответствующих сверхпроводниковых и полупроводниковых материалов, граница между которыми обладает малыми барьерами Шоттки. Большинство работ такого рода представляют результаты изучения свойств структур, в которых 2БЕО с высокой подвижностью формируется в симметричной квантовой яме, что позволяет избежать проблемы обеднения краевых областей полупроводниковой меза-структуры. Однако, наиболее привлекательным полупроводниковым материалом для создания таких систем является гетеропереход АЮаАзЛлаАБ, на границе которого можно получать с максимально известной в настоящее время.

6 2 подвижностью (вплоть до //-10 см /Вс при гелиевых температурах), что позволяет реализовать режим баллистического транспорта в структурах с длинами Ь>10 мкм или, соответственно, более отчетливо наблюдать особенности такого транспорта при меньших размерах.

Таким образом, актуальность темы диссертационной работы определяется тем, что представляемые исследования двумерных систем на основе гетероперехода АЮаАзЛЗаАз имеют как фундаментальное, так и прикладное значение.

Целью данной работы является изучение электрон-фононного взаимодействия в двумерном электронном газе гетероструктур АЮаАзЛлаАБ, а также создание на основе АЮаАз/ваАз и сверхпроводника ММ гибридных структур 8−2Э-8 и изучение их электрофизических свойств.

Предметом работы является: измерение температурной зависимости времени энергетической релаксации двумерных носителей в гетероструктурах АЮаАз/ОаАэ в интервале температур 4.2 К<�Т<50 Квыделение температурных интервалов, отвечающих доминированию различных механизмов электрон-фононного взаимодействияизмерение времени энергетической релаксации двумерных носителей в гетероструктурах АЮаАз/ОаАБ в магнитном поле В, перпендикулярном 2D плоскостивыяснение роли локализованных и делокализованных состояний электронов в процессах энергетической релаксациисоздание гибридной структуры сверхпроводник — двумерный электронный газ — сверхпроводник на основе двумерного электронного газа в АЮаАв/ОаАБ гетероструктуре и ЫЬЫ в качестве сверхпроводникаизучение проводимости полученных структур, выявление влияния андреевского отражения на прозрачность перехода двумерный электронный газ — сверхпроводник.

Научная новизна проведенных исследований состоит в следующем:

1. Впервые методом миллиметровой спектроскопии в квазиравновесных условиях измерено время энергетической релаксации те двумерного электронного газа гетероструктур АЮаАзЛЗаАз в интервале температур Т=4.2−50 К. Полученная температурная зависимость позволила наблюдать переход от области сосуществования пьезоакустического и деформационного механизмов рассеяния к области доминирования рассеяния на деформационном потенциале, а при дальнейшем повышении температуры — переход от рассеяния на акустических фононах к рассеянию на оптических фононах. В области рассеяния с участием оптических фононов получено характерное время жизни оптического фонона. Показано, что во всем исследуемом нами интервале температур (4.2 К<�Т<50 К) скорость энергетической релаксации является функцией только электронной температуры.

2. Впервые методом миллиметровой спектроскопии в квазиравновесных условиях измерены времена энергетической релаксации двумерных электронов в магнитном поле В, перпендикулярном плоскости носителей. Показано, что квантование энергии электронов в магнитном поле приводит к снижению эффективности электрон-фононного взаимодействия и резкому уменьшению скорости энергетической релаксации. При В~1 Тл скорость энергетической релаксации уменьшается на порядок по сравнению со случаем В=0. Время энергетической релаксации в магнитном поле, большем 1 Тл, осциллирует, подобно осцилляциям сопротивления Шубникова-де Гааза. В условиях малой неравновесности энергетическая релаксация в гетероструктурах и.

АЮаАзЛлаАБ в магнитном поле, перпендикулярном 2D плоскости, реализуется как за счет электрон-фононных переходов внутри уровня Ландау, так и межуровневых переходов. Выделены интервалы магнитных полей, в которых доминируют различные механизмы энергетической релаксации.

3. Создана и исследована новая система сверхпроводник — двумерный электронный газ — сверхпроводник на основе двумерного электронного газа в АЮаАз/ОаАэ гетероструктуре с контактами из сверхпроводящего.

Изучена проводимость указанной гибридной структуры. Рассмотрено влияние процессов многократного андреевского отражения на рассеивающих центрах на прозрачность границы сверхпроводник-полупроводник при температурах ниже критической температуры в сверхпроводящих берегах.

Практическая значимость работы:

1. Полученные знания об электрон-фононном взаимодействии в двумерных структурах имеют фундаментальное физическое значение и могут быть использованы при разработке различных полупроводниковых приборов с 2БЕО.

2. Измеренные времена энергетической релаксации двумерных электронов на гетерогранице АЮаАзЛЗаАБ определяют инерционность детекторов, работающих на электронном разогреве, а также смесителей терагерцового диапазона.

3. Созданная гибридная структура 8−2Б-8 на основе гетероперехода АЮаАзЛлаАз и МэИ в качестве сверхпроводника может быть использована для создания детекторов и смесителей на эффекте электронного разогрева. Значительная нелинейность вольт-амперных характеристик полученных структур делает их весьма перспективными для использования в качестве быстродействующих детекторов субмиллиметрового и инфракрасного диапазонов. Такие детекторы будут обладать рядом преимуществ как перед чисто полупроводниковыми устройствами, так и перед детекторами, созданными на основе тонких сверхпроводниковых пленок.

Проведенные исследования позволили получить следующие результаты, которые выносятъся на защиту. в гетероструктурах АЮаАэ/СаАз в области температур, отвечающих релаксации энергии двумерных носителей на деформационном потенциале, скорость энергетической релаксации не зависит от электронной температурызначение те в этой области составляет те~0.6 не.

11 2 при поверхностной концентрации двумерных носителей п5=4.2−10 см — в электрон-фононном взаимодействии в гетероструктурах.

11 2.

АЮаАэ/ОаАз с концентрацией двумерных носителей п5=4.2−10 см рассеяние на оптических фононах проявляется при электронных температурах Те>25 Кдля гетероструктур АЮаАзЛЗаАБ с концентрацией двумерных.

11 2 носителей п8=4.2−10 см в области рассеяния электронов с участием оптических фононов характерное время жизни оптического фонона составляет тьо=4.5 псв интервале электронных температур 4.2 К<�Те<50 К в гетероструктурах АЮаАз/ОаАэ время энергетической релаксации двумерных носителей в квазиравновесных условиях совпадает со значением времени энергетической релаксации, полученным при разогреве электронного газа постоянным электрическим токомквантование энергии электронов в гетероструктурах АЮаАз/ОаАэ в магнитном поле приводит к снижению эффективности электрон-фононного взаимодействия и резкому уменьшению скорости энергетической релаксации. При В~1 Тл в исследуемых гетероструктурах скорость энергетической релаксации уменьшается на порядок по сравнению со случаем В=0, при температуре Т=4.2 Квремя энергетической релаксации двумерных носителей.

11 2 гетероструктур AlGaAs/GaAs с концентрацией ns=5.2−10 см при температуре Т=4.2 К в магнитном поле, большем 1 Тл, осциллирует, подобно осцилляциям сопротивления Шубникова-де Гаазав условиях слабой неравновесности энергетическая релаксация в гетероструктурах AlGaAs/GaAs в магнитном поле, перпендикулярном 2D плоскости, осуществляется как за счет электронных переходов внутри уровня Ландау, так и межуровневых переходовдля гетероструктур

11 2.

AlGaAs/GaAs с концентрацией п5=5.2−10 см при температуре Т=4.2 К электрон-фононные переходы внутри уровня Ландау преобладают в области больших магнитных полей (v<4) — вклад электрон-фононных переходов между уровнями Ландау проявляется в области магнитных полей соответствующих v>4- в созданных гибридных структурах сверхпроводник — двумерный электронный газ — сверхпроводник на основе двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs гетероструктуре с контактами из сверхпроводящего NbN, существенный вклад в результирующую величину прозрачности границы сверхпроводник — полупроводник при температурах ниже критической температуры в сверхпроводящих берегах, вносят процессы многократного андреевского отражения.

Основные результаты настоящего исследования опубликованы в 7 печатных работах и докладывались на:

1. III Всероссийская конференция по физике полупроводников «Полупроводники '97», Москва, 1997.

2. International semiconductor device research. symposium, Charlottesville, USA, 1997.

3. The 24th international conference on the physics of semiconductors, Jerusalem, Israel, 1998.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка публикаций автора и литературы. Объем работы составляет 132 страницы, включая 36 рисунков и 1 таблицу. Библиография включает 99 наименований.

Основные результаты работы могут быть сведены к следующим положениям:

1. Использованный нами прямой метод миллиметровой спектроскопии с высоким временным разрешением для определения времени энергетической релаксации в двумерном электронном газе гетероструктур ОаАз/АЮаАБ, позволил определить температурную зависимость те в интервале Т=4.2−50 К и наблюдать переход от области сосуществования РАи БАпроцессов (при 4.2К<�Т<10К) к области доминирования рассеяния на деформационном потенциале (при 10К<�Т<21 К), а при дальнейшем повышении температуры — переход от акустического рассеяния к рассеянию на оптических фононах (при Т>25 К). В области рассеяния на деформационном потенциале, отвечающей постоянству скорости энергетической релаксации, получено значение ге=0.6 не. В области рассеяния с участием оптических фононов получено характерное время жизни оптического фонона равное тю=4.5 пс. Также показано, что во всем исследуемом интервале температур скорость энергетической релаксации является функцией только электронной температуры.

2. Впервые прямым методом в квазиравновесных условиях измерены времена энергетической релаксации двумерных электронов в гетероструктурах АЮаАзЛЗаАз в магнитных полях, соответствующих квантовому эффекту Холла. Показано, что квантование энергии электронов в магнитном поле приводит к снижению эффективности электрон-фононного взаимодействия и резкому уменьшению скорости энергетической релаксации. В гетероструктурах АЮаАз/ОаАэ с.

11 2 концентрацией п8=5.2−10 см при температуре Т=4.2 К время энергетической релаксации в магнитном поле, соответствующем фактору заполнения v>8, осциллирует, подобно осцилляциям Шубникова-де Гааза. В условиях малой неравновесности энергетическая релаксация в гетероструктурах АЮаАзЛлаАз при влиянии магнитного поля, перпендикулярного 2Т) плоскости, реализуется как за счет электронных переходов внутри уровня Ландау, так и межуровневых переходов. Электрон-фононное взаимодействие внутри уровня Ландау преобладает в области больших магнитных полей. Вклад электрон-фононных переходов между уровнями Ландау проявляется в области промежуточных магнитных полей.

3. Создана и исследована новая система 8−20Е0−8 на основе двумерного электронного газа в АЮаАзЛЗаАз-гетероструктуре с контактами из сверхпроводящего №>1[. Наблюдаемые особенности проводимости указывают на существенный вклад процессов множественного андреевского отражения на рассеивающих центрах в результирующую величину прозрачности границы сверхпроводник-полупроводник при температурах ниже критической температуры в сверхпроводящих берегах. Показано, что применение нитрида ниобия в контактах в структурах типа 8−2В-8 имеет ряд преимуществ. Высокие его температура перехода и степень разупорядоченности могут создавать высокую прозрачность границ вследствие влияния процессов многократного Андреевского отражения (что было ранее теоретически предсказано), и как следствие, более высокие температуры сверхпроводящего перехода (при Т выше 4,2 К) и более существенные плотности критического тока, при тех же температурах, в сравнении с более высокоупорядоченными одноэлементными сверхпроводниками.

Значительная нелинейность вольт-амперных характеристик полученных структур делает их весьма перспективными для использования в качестве быстродействующих детекторов на эффекте электронного разогрева, например, субмиллиметрового и инфракрасного диапазонов. * *.

Работа выполнена в Проблемной радиофизической лаборатории МПГУ.

Автор считает своим долгом поблагодарить своих научных руководителей: доктора физ.-мат. наук, профессора Гольцмана Г. Н. и кандидата физ.-мат. наук, профессора Птицыну Н. Г., а также заведующего кафедрой общей и экспериментальной физики доктора физ.-мат. наук, профессора Гершензона Е.М.

Автор благодарит весь коллектив Проблемной радиофизической лаборатории за неизменное дружеское участие и помощь в работе.

Список публикаций автора.

1. Веревкин А. А., Птицина Н. Г., Смирнов К. В., Гольцман Г. Н., Гершензон Е. М., Ингвессон К. С., «Прямые измерения времен энергетической релаксации на гетерогранице AlGaAs/GaAs в диапазоне 4.2 — 50 К.», Письма в ЖЭТФ, т. 64(5), 371−375, 1996.

2. А. А. Веревкин, Н. Г. Птицина, К. В. Смирнов, Г. Н. Гольцман, Е. М. Гершензон, К. С. Ингвессон, «Время энергетической релаксации двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs-гетероконтакте в квазиравновесных условиях.», III Всероссийская конференция по физике полупроводников «Полупроводники '97», 229, 1997.

3. A.A.Verevkin, N.G.Ptitsina, K.V.Smirnov, G.N.Gol'tsman, E.M.Gershenzon, K.S.Yngvesson," Direct Measurements of Electron Energy Relaxation Times at an AlGaAs/GaAs Heterointerface in the Optical Phonon Scattering Range.", International semiconductor device research symposium, Charlottesville, USA, pp.55−58, 1997.

4. A.A.Verevkin, N.G.Ptitsina, K.V.Smirnov, G.N.Gol'tsman, E.M.Gershenzon, K.S.Yngvesson, «Hot electron bolometer detectors and mixers based on a superconducting-two-dimensional electron gas superconduktor strukture.», International semiconductor device research symposium, Charlottesville, USA, pp.163−166, 1997.

5. N.G.Ptitsina, «A.A.Verevkin, K.V.Smirnov, G.N.Gol'tsman,.

E.M.Gershenzon, and K.S.Yngvesson, «Energy relaxation of 2D-electrons in th • magnetic fields corresponding to filling factors v>3», The 24 international conference on the physics of semiconductors, Jerusalem, Israel, pp. 1−5, 1998.

6. А. А. Веревкин, Н. Г. Птицина, К. В. Смирнов, Г. Н. Гольцман, Е. М. Гершензон, К. С. Ингвессон, «Множественное андреевское отражение в гибридных структурах на основе сверхпроводящего нитрида ниобия и гетероперехода АЮаАз/ОаАз», Физика и техника полупроводников, т. ЗЗ, вып.5, с.590−593, 1999.

7. Смирнов К. В., Птицина Н. Г., Вахтомин Ю. Б., Веревкин А. А., Гольцман Г. Н, Гершензон Е. М. «Энергетическая релаксация двумерных электронов в области квантового эффекта Холла», Письма в ЖЭТФ, т.71, вып. 1, с.47−52, 2000.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.Ф., Луцкий В. Н., Елинсон М. И. «О наблюдении вантовых размерных эффектов в тонких пленках висмута», Письма в ЖЭТФ, т.З, с.114−118, (1966).
  2. В.Н., Корнеев В. Н., Елинсон М. И. " О наблюдении вантовых размерных эффектов в пленках висмута методом туннельной спектроскопии", Письма в ЖЭТФ, т.4, с.267−270, (1966).
  3. A., Fang F., Howard F., Stiles P. «Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces», Phys.Rev.Lett., v. 16, pp.901−903, (1966).
  4. A.A., Тагер A.C. «Гетероструктуры с селективным легированием и их применение в полевых транзисторах СВЧ», Электронная техника, т. 12(348), с.26−38, (1982).
  5. B.C. «Левитирующие электроны», УФН, т. 130, с.675−706,1980).
  6. Вул Б.М., Заварицкая Э. И., Сокол Е. Г. «Электронные явления на поверхности скола германия в жидком гелии», ЖЭТФ, т. 80, с. 1639−1644,1981).
  7. W.P., Woodall J.M., Rideout V.L. «GaAs-AlGaAs Heterojunction Transistor for High Frequency Operation», Solid State Electron, v. 15, pp. 1339−1343,(1972).
  8. McLevide W.V., Yuan H.T., Duncan W.M., Frensley W.R., Doerbeck F.H., Morkoc H., Drummond T.J. «GaAs/AlGaAs Heterojunction Bipolar Transistorsfor Integrated Circuit Applications», IEEE Electron Device Lett., v. EDL-3, pp.43−45, (1982).
  9. R., Stormer H.L., Gossard A.C., Wiegmann W. «Electron mobility in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices», Appl.Phys.Lett., v.33, pp.665−667, (1978).
  10. D., Delescluse P., Etienne P., Lavirov M., Chaplart J., Linh N.T. «Two-dimensional Electron Gas M.E.S.F.E.T. Structure», Electron.Lett., v. 16, pp.667−668, (1980).
  11. I-Yang, F. Agahi, D. Dai, C. Musante, W. Grammer, K.M.Lau, K.S.Yngvesson «Wide-bandwidth electron bolometric mixers: a 2Deg prototype and potential for low noise Thz receivers», IEEE Trans. Microwave Theory Tech., v. MTT 41, pp.581−589, (1993).
  12. Casey H.C.Jr., Panish M.B. «Heterostructure Lasers», Part A: «Fundamental Principles», 272p., Academic Press, New York, (1978).
  13. Cho A.Y., Dunn C.N., Kuvas R.L., Schroeder W.E. «GaAs IMP ATT diodes repaired by molecular beam epitaxy», Appl.Phys.Lett., v.25, pp.224, (1974).
  14. T.M.Klapwijk «Mesoscopic superconductor-semiconductor heterostructures», Physica B, v. 197, pp.481−499, (1994).
  15. Ф.Г.Басс, В. С. Бочков, Ю. Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, М., «Наука», 288с., (1984).
  16. E.M.Gershenzon, Yu.P.Gusev, G.N.Gol'tsman, A.D.Semenov, R.S.Nebosis, M.A.Heusinger, K.F.Renk «Broadband ultra-fast superconducting NbN detector for electromagnetic radiation», J.Appl.Phys., 75, pp.3695−3697, (1994).
  17. A.D.Semenov, I.G.Goghidze, G.N.Gol'tsman, A.V.Sergeev, and E.M.Gershenzon «Evidence for the spectral dependence of nonequilibriumpicosecond photoresponce of YbaCuO thin films», Appl.Phys.Lett., v.63, pp.681−683, (1993).
  18. R.F.S.Hearmon, in Elastic Piezoelectric and Related Constants of Crystals, edited by K.H. Hellwege and A.M. Hellwege, Landolt-Bornstein, New Series, Vol. III/11 (Springer-Verlag, Berlin, 1979), p. l 1.
  19. Batey J., Wright S.L., Di Maria D.J., «Energy Band-Gap Discontinuities in GaAs (Al, Ga) As Heterojunstions», Journal of Applied Physics, v.52, B2, pp.484−487, (1985).
  20. Pollmann I. and Mazur A., «Theory of Semiconductor Heterojunstions», Thin Solid Films, v. 104, pp. 257−276, (1983).
  21. T.Ando, A.B.Fowler, F. Stern «Electronic properties of two-dimentional systems», Rev. Mod. Phys., V.54, No.2, (1982).
  22. В.Ф.Гантмахер, И. Б. Левинсон «Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках», «Наука», Москва, (1984).
  23. P.J.Price, «Electron transport in polar heterolayers», Surf.Sci., v. 113, p. 199−210,(1982).
  24. P.J.Price, «Low temperature two dimensional mobility of a GaAs heterolayer», Surf. Sci, v. 143, p. 145−156, (1984).
  25. P.J.Price, «Hot electron in GaAs heterolayer at low temperature», J.Appl.Phys, v.53, 10, pp.6863−6866, (1982).
  26. C.Weisbuch, B. Vinter «Quantum semicomductor structures: Fundamentals and applications», edited by Academic Press, Inc. Harcourt Brace Jovanovich, Printed in the USA, pp. 19−21, (1991).
  27. J.J.Harris, J.A.Pals and R. Woltjer, «Electronic transport in low-dimensional structures», Rep.Prog.Phys., 52, pp. 1217−1266, (1989), Printed in the UK.
  28. В.Карпус «Энергетическая релаксация двумерных электронов при пьезоакустическом рассеянии», ФТП, т.22, с.439−449, (1988).
  29. В.Карпус, «Энергетическая и импульсная релаксация двумерных носителей заряда при взаимодействии с деформационными акустическими фононами», ФТП, т.20, вып.1, с. 12−19, (1986).
  30. В. Карпус «О подвижности двумерных носителей заряда при пьезоакустическом рассеянии», ФТП, т.21, вып11, с.1949−1956, (1987).
  31. V.Karpus «Theoretical limit of mobility of two dimensional electrons in GaAs», Semicond. Sci.Technol., v. 5, pp.691−694, (1990).
  32. Y.Ma, R. Fletcher, and E. Zaremba, M. D'Iorio, C.T.Foxon and J.J.Harris «Energy-loss rates of Two-dimensional electrons at a GaAs/AlxGaixAs interface», Phys.Rev. B, v. 43, pp. 9033−9044, (1991).
  33. H.Sakaki, K. Hirakawa, J. Yoshino et.al., «Effects of electron heating on the two dimensional magnetotransport in AlGaAs/GaAs heterostructures», Surf.Sci. 142, pp.306−313, (1984).
  34. K.Hirakawa, H. Sakaki «Energy relaxation of two-dimensional electrons and the deformation potential constant in selectivety doped AlGaAs/GaAs heterojunctions», Appl.Phys.Lett., v. 49(4), pp.889−891, (1986).
  35. B.K.Ridley «Hot electrons in low-dimensional structures», Rep.Prog.Phys., 54, pp. 169−256, (1991), Printed in the UK.
  36. B.K.Ridley «The electron-phonon interaction in quasi-twu-demensional semiconductor quantum-well structures», J.Phys. C: Solid State Phys., v. 15, pp.5899−5917, (1982).
  37. С.Э.Есипов, И. Б. Левинсон «Электронная температура в двумерном газе. Потери энергии на оптических фононах», ЖЭТФ, т.90, с.330−345, (1985).
  38. A.Straw, A.J.Vickers, N. Balkan and J.S.Roberts «Acoustic and Optic Energy Relaxation in Non-degenerate GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells», Superlattices and Microstructures, v. 10, pp.203−206, (1991).
  39. Jagdeep Shah «Hot Carriers in Quasi-2-D Polar Semiconductors», IEEE Journal of Quantum Electronics, v. QE-22, pp.1728−1741, (1986).
  40. N.G.Asmar, A.G.Markelz, E.G.Gwinn, J. Cerne, and M.S.Sherwin, K.L.Campman, P.F.Hopkins, and A.C.Gossard «Resonant-energy relaxation of terahertz-driven two-dimensional electron gases», Phys. Rev. B, v.51, pp. 18 041−18 044, (1995).
  41. D.C., Strormer H.L., Gossard A.C. «Two-Dimensional Magnetotransport in the Extreme Quantum Limit», Phys. Rev. Letters, v.48, 1559−1562,(1982).
  42. В.М.Пудалов «Квантовый эффект Холла: глобальная картина явления», Природа, № 2, с. 16−28, (1999).
  43. Е.Н.Бормонтов «Квантовый эффект Холла», Соросовский образовательный журнал, № 9, с.81−87, (1999).
  44. Э.И., Тимофеев В. Б. «Квантовый эффект Холла», ФТП, т.20, с.977−1024, (1986).
  45. D.R.Leadley, R.J.Nicholas, J.J.Harris and C.T.Foxon «Cyclotron phonon emission and electon energy loss rates in GaAs-AlGaAs heterojunctions», Semicond.Sci.Technol., v.4, pp.879−884, (1989).
  46. A.J.Kent, R.E.Strickland, K.R.Stpickland, and M. Henini «Photoconductivity measurement of the phonon absorption by a two-dimensional hole das in a GaAs heterojunction», Phys Rev B, v.54, pp.2019−2026, (1996).
  47. H.A.J.M.Reinen, T.T.J.M.Berendschot, R.J.H.Kappert, H.J.A.Bluyssen «Electron-Phonon Interaction of a Two-Dimensional Electron Gas in a Strong Magnetic Field», Sol. St. Com, v.65, pp.1495−1499, (1988).
  48. G.A.Toombs, F.W.Sheard, D. Neilson and L.J.Challis «Phonon Emission by a Hot Two-Dimensional Electron Gas in a Quantizing Magnetic Field», Sol. St. Com, v.64, pp.577−581, (1987).
  49. F.Dietzel, W. Dietsche, K. Ploog «Electron-phonon interaction in the quantum Hall affect regime», Phys. Rev. B, v.48, pp.4713−4720, (1993).
  50. K.Benedict «The frequency spectrum of phonon emission from a heated two-dimensional electron gas in a strong magnetic field», J. Phys. Condens Matter, v.4, pp.4083−4088, (1992).
  51. М.Г.Блюмина, А. Г. Денисов, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, А. П. Сеничкин, Ю. В. Шмарцев «Энергетическая релаксация двумерных электронов на гетерогранице AlGaAs/GaAs», Письма в ЖЭТФ, т.44, вып.5, с.257−260, (1986).
  52. J.F.Ryan, R.A.Taylor, A.J.Turberfield, Angela Maciel, J.M.Worlock, A.C.Gossard and W. Wiegmann «Time-Resolved Photoluminescence of Two-Dimensional Hot Carriers in GaAs-AlGaAs Heterostructures», Phys.Rev.Lett, v.53, p.1841−1844, (1984).
  53. W.Potz, P. Kocevar «Electronic power transfer in pulsed laser excitation of polar semiconductors», Phys.Rev.B, v.28, pp.7040−7047, (1983).
  54. U.Hohenester, P. Supancic and P. Kocevar, X.Q.Zhou, W. Kutt and H. Kurz «Subpicosecond thermalization and relaxation of highly photoexcited electrons and holes in intrinsic and p-type GaAs and InP», Phys.Rev.B, v.47, pp. 13 233−13 245,(1993).
  55. R.A., Weimann G. «Electron heating and free-carrier abcorption in AlGaAs/GaAs single heterostructures», Appl. Phys. Lett., v.46, N3, pp. 291−293,(1985).
  56. G.Bauer and H. Kahlert «Low-Temperature Non-Ohmic Galvanomagnetic Effects in Degenerate n-Type InAs», Phys.Rev.B, v.5, pp.566−579, (1972).
  57. С.С.Мурзин, В. Т. Долгополов «Нагрев и время релаксации по энергии электронов и дырок в висмуте», ЖЭТФ, т.79, с.2282−2290, (1980).
  58. В.Т.Долгополов, А. А. Шашкин, С. И. Дорожкин, Е. А. Выродов «Время энергетической релаксации в двумерном электронном газе у поверхности (001) кремния», ЖЭТФ, т.89, с.2113−2122, (1985).
  59. J. Lutz, F. Kuchar, К. Ismail, Н. Nickel, W. Schlapp «Time resolved measurements of the energy relaxation in the 2DEG of AlGaAs/GaAs», Semicond.Sci.Technol. 8, 399−402, (1993).
  60. B.R.A.Neves, N. Mori, P.H.Beton, L. Eaves, J. Wang, and M. Henini «Landaulevel populations and slow energy relaxation of a two-dimensional electron gas probed by tunneling spectroscopy», Phys Rev B, v.52, pp.4666−4669, (1995).
  61. Е.М.Гершензон, М. Е. Гершензон, Г. Н. Гольцман, А. М. Люлькин, А. Д. Семенов, А. В. Сергеев «Электрон-фононное взаимодействие в ультратонких пленках Nb», ЖЭТФ, т.96, вып. З, с.901−911, (1990).
  62. Н.М.Гродненский, К. В. Старетин, Д. В. Галченков «Отрицательная фотопроводимость двумерных электронов в полупроводниковых гетероструктурах», Письма ЖЭТФ 43, 54−56, (1986).
  63. T.D.Clark, R.J.Prance, and A.D.C.Grassie «Feasibility of hybrid Josephson field effect transistors», J.Appl.Phys., v.51, p.2736−2743, (1980).
  64. Ф.Г.Басс, В. С. Бочков, Ю. Г. Гуревич «Электроны и. фононы в ограниченных полупроводниках», 287.М.(1984).
  65. Г. Гулямов, Ю. Г. Гуревич, Н. Закиров «Тепловые размерные эффекты в проводящих каналах конечной длины», ФТП, т.28, с.522−528, (1994).
  66. Ю.Г.Гуревич, Г. Н. Логвинов, О. Ю. Титов «Энергетически неоднородная в пространстве функция распределения электронов в полупроводниковом субмикронном слое», ФТП, т.27, с. 1040−1046, (1993).
  67. Ю.Г.Гуревич, Г. Н. Логвинов, О. Ю. Титов «Теория термоэлектрических явлений в условиях некорректности температурного приближения», ФТП, т.28,с.113−119, (1994).
  68. Н.З.Вагидов, З. С. Грибников, А. Н. Коршак «Баллистические токи в тонких полупроводниковых пленках», ФТП, т.28, с. 1873−1883, (1994).
  69. С.В.Морозов, Ю. В. Дубровский «Нелинейное поведение осцилляций Шубникова де-Гааза в сильных электрических полях в короткоканальных AlxGai. xAs/GaAs-reTepocTpyKTypax», ФТП, т.27, с. 1484−1488, (1993).
  70. A.F.Volkov «The proximity effect and subgap conductivity in superconductor-barrier-normal metal contacts», Physica B, v.203, p.267−273, (1994).
  71. C.W.J.Beenakker «Quantum transport in semiconductor-superconductor microjunctions», Phys.Rev.B, v.46, p. 12 841−12 844 (1992).
  72. I.K.Marmorkos, C.W.J.Beenakker, and R.A.Jalabert «Three signatures of phase-coherent Andreev reflection», Phys.Rev.B, 48, 2811−2814, (1993).
  73. F. W. Hekking and Yu. V. Nazarov «Interference of Two Electrons Entering a Superconductor», Phys.Rev.Lett, 71, 1625−1628, (1993).
  74. F. W. Hekking and Yu. V. Nazarov «Subgap conductivity of a superconductor-normal-metal tunnel interface», Phys.Rev.B, 49, 6847−6852, (1994).
  75. C.Lambert «Phase coherent transport in mesoscopic superconducting structures», Physica B, v.203, p.201−213, (1994).
  76. A.Kastalsky, A.W.Kleinsasser, L.H.Greene, R. Bhat, F.P.Milliken, and J.P.Harbison «Observation of Pair Currents in Superconductor-Semiconductor Contacts», Phys. Rev. Lett., v.67, 3026−3029, (1991).
  77. A.W.Kleinsasser and A. Kastalsky «Excess voltage and resistance in superconductor-semiconductor junctions», Phys.Rev.B, 47, 8361−8364, (1993).
  78. J.Nitta, T. Akazaki, H. Takayanagi, and K. Arai «Transport properties in an InAs-inserdet-channel Ino.52Alo.48As/Ino.53Gao.47As heterostructure coupled superconducting junction», Phys.Rev.B, v.46, p.14 286−14 289, (1992).
  79. H.Takayanagi, T. Akazaki, J. Nitta, and T. Enoki, Jap.Journ.Appl.Phys., 34, 1391,(1995).
  80. А.Ф.Андреев «Теплопроводность промежуточного состояния сверхпроводников», ЖЭТФ, т.46, вып.5, с.1823−1828, (1964).
  81. В.В. «Введение в физику сверхпроводников», М., «Наука», 240с, (1982).
  82. A.M.Marsh, D.A.Williams, and H. Ahmed «Supercurrent transport through a high-mobility two-dimensional electron gas», Phys. Rev. B, v.50, pp.8118−8121, (1994).
  83. A.Scalare, W.R.McGrath, B. Bumble, H.G.LeDuc, P.J.Burke, A.A.Verheijen, and D.E.Prober «A Heterodyne Receiver at 533 GHz using a Diffusion-Cooled Superconducting Hot Electron Bolometer Mixer», IEEE Trans. Appl. Supercond, 5, pp.2236−2239, (1995).
  84. M.Nahum, P.L.Richards, and C.A.Mears «DESIGN ANALYSIS OF A NOVEL HOT-ELECTRON MICROBOLOMETER», IEEE Trans. Appl. Supercond, 3, pp.2124−2127, (1993).
  85. Е.Патли «Фотопроводимость в далекой инфракрасной области», УФН, т.90, с.85−127, (1966).
  86. J.-X. Yang, C.F.Musante, and K.S.Yngvesson «Microwave mixing and noise in the two-dimensional electron gas medium at low temperatures», Appl. Phys. Letters, 65, p.1983−1985, (1995).
  87. B.S.Karasik and A.I.Elantiev «Analysis of the Noise Perfomance of a Hot-Electron Supercondukting Bolometer Mixer», Proc. of the 6th International Symposium on Space Terahertz Technology, Caltech, Pasadena, (1995).
  88. A.M.Marsh, D.A.Williams, and H. Ahmed «Granular Superconducting Contacts to GaAs: AlGaAs Semiconductors Heterostructures», Semicond.Sci.Technol., v. 10, pp. 1694−1699, (1995).
  89. R.Taboryski, T. Clausen, J. Bindslev Hansen, J.L.Skov, J. Kutchinsky, C.B.Sorensen, and P.E.Lindelof «Andreev reflections at interfaces» between d-doped GaAs and superconducting A1 films", Appl.Phys.Letters, v.69, pp.656−658,(1996).
  90. Nahum M. and Martinis J.M. «Ultrasensitive-hot electron microbolometer», Appl.Phys.Lett., v.63, pp.3075−3077, (1993).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!