Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии: 2D-дырки на поверхности монокристаллического теллура

Те является одним из четырех элементарных полупроводников (81″, ве, 8е,.

Те).

Уникальные физические свойства теллура являются основной причиной, продолжающей привлекать внимание физиков к исследованию этого материала. К числу таких физических свойств относятся: дихроизм межзоиного и внутри-зонного поглощения, расположение края полосы фундаментального поглощения в области ближнего инфракрасного диапазона, наличие пика поглощения в области среднего инфракрасного диапазона (11 мкм пик межзопного поглощения), высокая пьезоакгивность этого полупроводника. Особенно важно, что на перечисленные выше свойства можно влиять, например, различными внешними воздействиями (температурой, излучением в разных диапазонах длин волн, магнитным полем, изменением уровня легирования, механической деформацией). Возможность реализовать в технических устройствах перечисленные выше качества поддерживают интерес к теллуру, как полупроводниковому материалу перспективному с точки зрения технического применения.

К настоящему времени можно считать, что основные характеристики Те и параметры энергетической структуры разрешенных зон этого полупроводника установлены и сделано это было благодаря исследованиям легированных монокристаллов. Анализ экспериментальных и теоретических работ по исследованию теллура, выполненных за последние 2−3 десятилетия, показывает возрастающий интерес к изучению низкотемпературных физических свойств монокристаллов теллура предельной чистоты, в которых проявляются уникальные свойства, связанные с образованием слоя, обогащенного дырками, па поверхности монокристаллов. Одной из целей таких исследований является выяснение механизмов, приводящих к появлению необычных электрофизических свойств этого материала. Примером таких свойств может служить отсутствие вымораживания свободных носителей заряда в сверхчистых (невырожденных) кристаллах Те при низких, вплоть до 0,05 К [1], температурах, которое противоречит сегодняшним представлениям о свойствах полупроводников. Кроме того, к настоящему времени существует еще целый ряд необычных свойств этого материала, которые не нашли еще надежного физического объяснения. Это, прежде всего, исключительно дырочный тип проводимости теллура при низких температурах, аномальная зависимость сопротивления от магнитного поля при низких температурах [2], сильное влияние способа обработки поверхности образцов па их электрофизические параметры [3].

Изучение свойств сверхчистого теллура очень важно и для совершенствования технологии создания сложных полупроводниковых соединений (Ь^Те, СёТе, РЬ1. х, 8пх, Те, Сс11. х, Н§ х, Те и т. д.), имеющих широкое практическое применение при производстве полупроводниковых приборов. Теллур в таких соединениях является одной из компонент, поэтому он должен быть максимально чистым при формировании этих соединений, ииаче на результат будут оказывать влияние примеси, входящие в состав теллура, а конечные результаты (свойства соединений) плохо воспроизводимыми.

Большой интерес представляют исследования края полосы фундаментального поглощения (ближний инфракрасный диапазон — ширина запрещенной зоны теллура составляет приблизительно 0,34мэВ), исследование кинетических свойств носителей тока в Те при размерном квантовании энергетического спектра этих носителей, а также исследование пьезоэффекта. Часто, по результатам таких исследований, появляются возможности дать физическую интерпретацию экспериментальным фактам, ранее не нашедшим надежного объяснения.

Особо следует отметить интерес к исследованию этого материала со стороны теоретиков. Причина такого внимания обусловлена уникальным строением кристаллов Те, когда при его строго гексагональной внешней форме (см. рис.2), на самом деле, он оказывается кристаллом более низкой, тригональпой симметрии, без центра инверсии со снятым спиновым вырождением верхней валентной зоны из-за сильного спин-орбитального взаимодействия. Такая особенность строения кристалла теллура привлекает к нему внимание, как к модельному материалу при теоретических исследованиях.

Подводя итог, можно сформулировать цели и задачи данной работы. Целью работы являлось изучение свойств особых состояний носителей тока в Те, расположенных вблизи естественной поверхности монокристаллов, путем исследования участия этих состояний в гальвапомагнитных эффектах.

10°.

0,5 <0 Е о.

0,2.

0,1.

Е 0,05 с со со е> о.

— о-О-о—ОО.

1−1-1-Г д^оооо^.

И**-Ч.

К^зз.

•о—о.

Стзз.

0ооооО^°0—.

— о.

Рис Л. Аномальное поведение гальваномагнитных коэффициентов от температуры на предельно чистом образце Те [1].

Рис. 2. Продольные монокристаллы теллура, выращенные по методу Чохральско-го (метод выращивания из расплава). Ось Сз направлена вдоль оси кристалла.

Для достижения этой цели решались следующие задачи.

1. Разработка принципов и технологических приемов бездефектной обработки самых совершенных и предельно чистых по содержанию электроактивных примесей монокристаллов Те с целыо приготовления образцов для исследований.

2. Проведение исследований компонент тензора электропроводности таких образцов с целью обнаружить необычное поведение их в экстремальных условиях эксперимента. Идентификация обнаруженных свойств и доказательство их связи с существованием на поверхности образцов разрешенных проводящих состояний.

3. Исследование вклада таких носителей заряда в полную проводимость образцов, изучение их энергетического спектра, исследование механизма образования этих особых состояний.

4. Прогнозирование и наблюдение новых эффектов, обусловленных существованием изучаемых поверхностных проводящих состояний на образцах Те, приготовленных из экстремально чистых и совершенных монокристаллов.

5. Сопоставление уже известных аномальных свойств компонент тензора электропроводности Те с результатами исследований поверхностной проводимости в Т. е.

В качестве метода исследования было выбрано измерение гальваномагнитных коэффициентов на образцах Те, приготовленных из рекордно чистых (р 77К ~ Ю13 сш'3) монокристаллов Те, выращенных на мопокристаллической затравке методом вытягивания из расплава (метод Чохральского). Монокристаллы выращивались в лаборатории кинетических явлений в твердых телах при низких температурах ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. Для изготовлении образцов исследования параметры монокристаллов Те должны были удовлетворять следующим требованиям: минимальная величина концентрации носителей заряда (при Т=77К), определенная экспериментально из эффекта Холла (типичные значения Ри77 ~ (4-ь6)х1013ст" 3) и максимальная величина холловской подвижности носителей тока (Яст = (5-г7)х103ст2/У-с). Специально разработанной технологией, исключающей механические способы обработки, из таких монокристаллов приготавливались образцы в форме прямоугольных призм, широкая грань которых имела по отношению к оси третьего порядка Те (винтовая ось С3) две взаимные ориентации: перпендикулярно оси С3- ориентация (0001) и параллельно оси С3-ориеитация (юю) (плоскость естественного скола). Широкая грань образцов тщательно обрабатывалась до зеркального блеска химическими полирующими травителями разных составов. Толщина образцов была меньше миллиметра, а ширина составляла несколько миллиметров. К узким боковым граням приваривались методом искровой сварки измерительные электроды (золотая проволока диаметром 20-г50 цт).

На приготовленных описанным выше способом образцах проводились измерения гальвапомагнитных эффектов (эффекта Холла и магпетосопротивле-пия). Измерения гальваномагнитных эффектов проводились при низких (l, 5-f4 К) и сверхнизких (до 74 гпК) температурах с использованием разных источников магнитных полей: магнитные поля до 15 Т создавались сверхпроводящим соленоидом, а до 32 Т — в установке импульсного поля. В ходе измерений ориентация широкой грани образцов относительно вектора индукции магнитного поля В могла плавно изменяться в пределах от перпендикулярной? l (0001) до параллельной ?||(l0 ю). В качестве фактора дополнительного воздействия па гальва-помагнитные эффекты к широкой плоскости образцов можно было прикладывать сильное (до 106 V/cm) электростатическое поле (эффект поля) или осуществлять гидростатическое сжатие образцов (до 12 кбар) в автономных немагнитных камерах высокого давления. Для регистрации результатов измерений применялась автономная запись и обработка сигналов.

Полученные в ходе выполнения экспериментов результаты подвергались математической обработке с применением математических выражений, полученных в ходе теоретических исследований Те — полупроводника низкой симметрии. На основании комплексного исследования низкотемпературных электрофизических свойств исследуемых образцов были определены основные характеристики поверхностных носителей заряда, их происхождение, связь обнаруженных эффектов с параметрами закона дисперсии дырок, полученными ранее при исследовании сильно легированного Т. е. Для интерпретации результатов исследований компонент тензора проводимости в классически слабых магнитных полях потребовалось развитие теории квантовых поправок к проводимости двумерных и трехмерных носителей заряда на случай полупроводника низкой (тригональной) симметрии.

На основании анализа результатов исследований, полученных в ходе работы, па защиту выносятся следующие основные результаты и научные положения:

1. Обнаруженные в ходе исследований чистых образцов Те осцилляции диссипативпой и недиссипативной компонент тензора проводимости в магнитном поле являются осцилляциями Шубникова-де Газа, обусловленные квантованием, но Ландау энергетического спектра вырожденных дырочных носителей тока в приповерхностном аккумулирующем слое теллура.

2. Установлено, что АС на кристаллографических поверхностях теллура расположен в узкой (~10 нм) одномерной потенциальной яме, размеры которой соизмеримы с длиной волны де Бройля носителей тока в теллуре. Вследствие этого энергетический спектр дырок в АС размерно квантован в направлении перпендикулярно поверхности образца с АС. Установлено, что закон дисперсии дырок в АС соответствует закону дисперсии в трехмерном случае без учета членов, описывающих зависимость энергии дырок от волнового вектора в направлении размерного квантования.

3. Разработан метод определения параметров дырок (концентрации, подвижности, эффективной массы) в АС на основании компьютерного анализа результатов измерений гальваномагнитных эффектов в квантующих магнитных полях при температурах жидкого гелия. Показано, что 2£-дырки в АС па различных кристаллографических плоскостях теллура имеют повышенную, по сравнению с объемными носителями тока, концентрацию и подвижность. При оценке электропроводности АС методом эффекта поля установлен нижний оценочный предел вклада АС в полную проводимость образца. Доказано, что электропроводность АС соизмерима или превосходит электропроводность объемных носителей тока относительно топких образцов.

4. Обнаружен эффект внутриподзониого магнитного пробоя для двумерных дырок, возникающий из-за гантелеобразной формы поверхности Ферми Ю-дырок в Те на поверхности (юТо). Показано, что обнаруженный эффект влияет на осцилляционную картину и должен учитываться при идентификации 2й-подзои на поверхности (ю 1 о).

5. Установлено, что подвижности носителей заряда в каждой из заполненных подзон в АС заметно превышают значения подвижности дырок в легированных образцах теллура, что связано с различием механизмов рассеяния вырожденных 2?) — и 3£)-дырок.

6. Предложена модель механизма формирования АС па поверхностях Т. е.

7. Обнаружен эффект аномального магнетосопротивления на образцах Те с АС, ориентированном в разных кристаллографических плоскостях, и выявлены зависимости этого эффекта от концентрации двумерных дырок, температуры эксперимента и кристаллографической ориентации поверхности с АС. Сделай вывод, что обнаруженный эффект является следствием существования квантовой поправки к проводимости 2£)-дырок в Т. е.

8. Численный анализ обнаруженного эффекта квантовой поправки выполнен с учетом особенностей кристаллического строения Те: низкой симметрии, со снятым спиновым вырождением и особой ролью г-симметрии. В результате анализа механизм эффекта поправки к проводимости АС на плоскости (0001) объяснен в представлении об интерференции волновых функций невзаимодействующих носителей тока, в то время как для ориентации (юТо) доказано, что необходим учет электрон-электронного взаимодействия и сильного межподзонно-го рассеяния 2£>-дырок в Т. е.

9. Обнаружено влияние гидростатического давления на гальваномагнитные эффекты образцов теллура с АС па кристаллографической плоскости (0001). Установлено, что концентрация дырок в АС и электропроводность слоя с 2й-дырками растут экспоненциально с давлением. Более быстрый рост электропроводности объяснен уменьшением эффективной массы 2й-дырок с давлением.

10. Обнаружена зависимость знака квантовой поправки к проводимости АС и ее величины от давления (поверхность (0001)). На основании выводов микроскопической теории квантовой поправки к двумерной проводимости в Те определены зависимости коэффициента тригональпого искажения эпергетического спектра и величины спин-орбитального расщепления валентной зоны теллура от давления.

11. Впервые созданы кластерные кристаллы Те разного уровня легирова-иия в диэлектрической матрице опала и исследованы гальвапомагнитные эффекты в таких композитных образцах. В результате обнаружен эффект АПМС и дано качественное и количественное объяснение обнаруженному эффекту.

12. Обнаружен эффект квантовой поправки к объемной проводимости сильно легированного монокристаллического Тс и зависимость знака эффекта от температуры.

В результате проведенного исследования развито повое научное направление в физике полупроводников — квантовые гальвапомагнитные явления в гиро-троппых полупроводниках и двумерных слоях на их основе.

В первой главе диссертации рассмотрены основные свойства и параметры энергетического спектра теллура, установленные, в основном, к моменту начала данных исследований. Отмечается, что эти параметры были установлены при исследовании легированных монокристаллов Т. е. Подчеркивается, что при исследовании свойств невырожденных дырок в Те с помощью измерений гальва-номагнитпых эффектов возникали сложности с приготовлением образцов, поскольку измеряемые зависимости и определяемые параметры (концентрация и подвижность) сильно зависели от технологии обработки монокристаллов Т. е.

Вторая глава посвящена описанию способов бездефектной обработки поверхности мопокристаллического теллура при изготовлении образцов для исследований. Отмечается, что принцип, положенный в основу разработанной технологии, состоял в исключении механических способов обработки кристаллов и замены их химической обработкой. В этой главе подробно описаны технологические приемы резки монокристаллов, формирования поверхностей исследуемых образцов, условия травления поверхности образцов в полирующих травите-лях и указан химический состав этих травителей.

В этой же главе дано описание оригинальных методик и приведены основные параметры измерительных установок и схем, которые использовались в ходе исследований. В частности, приведены некоторые принципиальные схемные решения при изготовлении электронных блоков для реализации модуляционной методики измерения сигнала, пропорционального второй производной от исследуемых магиетополевых зависимостей.

В третьей главе диссертации описаны результаты исследований гальва-номагпитпых эффектов, проведенных па образцах Те, приготовленных из монокристаллов с наивысшим на сегодняшний день классом чистоты (0,999 999 999). Оказалось, что на таких образцах макроскопического размера и при значениях концентраций дырочных носителей тока, соответствующих невырожденной статистике, наблюдается хорошо различимая и зависящая от величины магнитного поля немонотонная зависимость сигнала магпетосопротивления. При анализе эти колебания оказались осцилляциями типа Шубникова-дс Газа (ШГ). В этой главе устанавливается причина столь необычного поведения гальваномагнитных коэффициентов и предлагается модель формирования слоя сильно вырожденных носителей заряда (аккумулирующего слоя (АС)), имеющими только две степени свободы — двумерные или, иначе, размерно-квантованные носители заряда.

В этой же главе диссертации приводятся результаты измерений гальваномагнитных коэффициентов, выполненных на сверхчистых мопокристаллических образцах теллура с АС, расположенным в двух основных кристаллографических плоскостях: (0001) и (юТо). Приведены методы численной обработки экспериментальных данных и определения параметров носителей заряда (концентрации размерно-квантованных носителей заряда, методы определений и результаты вычислений их подпижностей, энергии Ферми и эффективных масс). Проводится сравнение с результатами исследований, полученными в разных научных центрах (Вюртсбургский университет в Германии и Высшая Школа Николь Нормаль во Франции). Особо отмечается, что при сопоставлении полученных результатов измерений периодов осцилляций ШГ с результатами других исследователей, оказалось, что при ориентации АС с 2Л-дырками в кристаллографической плоскости (0001), наблюдается хорошее совпадение, в то время как для плоскости (юю) наши результаты полнее отражают особенности строения энергетического спектра теллура, чем в работах зарубежных коллег. Благодаря более совершенной технологии обработки поверхности образцов и более чувствительной (модуляционной) методике выделения осцилляций удалось обпаружить особенности в поведения осцилляционных экстремумов при росте концентрации 2D-дырок в АС. В результате количественного анализа был идентифицирован эффект внутриподзопиого магнитного пробоя для двумерных носителей заряда на плоскости (1010), ранее наблюдавшегося только для трехмерного случая при ориентации BICj. Внутриподзопный магнитный пробой представляет собой эффект замыкания туннельным образом квазиклассических циклотронных траекторий на энергетической поверхности в окрестностях особых точек в к-пространстве, вблизи которых такое движение запрещено (пунктир 2 на вставке рис. 35.III). Эффект в Те возникает, когда энергия Ферми носителей тока оказывается близкой к значению энергии седловой точки (As) спектра дырок. Этот эффект проявляется в осцилляциях ШГ в виде дополнительных экстремумов и ошибочно может быть интерпретирован, как результат появления новой размер-но-квантованпой подзоны в АС при возрастании концентрации дырок в приповерхностном слое. Учитывая обнаруженный эффект внутриподзопиого магнитного пробоя, удалось исправить уже предложенную в литературе картину эволюции двумерных подзон с ростом полной концентрации носителей заряда в приповерхностной потенциальной яме и обт. яснить особенности формирования разрешенных подзон по мере роста концентрации дырок в АС.

Четвертая глава диссертации посвящена исследованию обнаруженного в ходе работы эффекта квантовых поправок к проводимости 2Dдырок па разных кристаллографических плоскостях кристаллического теллура. Эффект состоит в аномальном поведении магнетосопротивления в классически слабых (сот" 1, где ш-циклотроппая частота, а сот — холловский угол) магнитных полях, причем, оказалось, что знак эффекта зависит и от концентрации и от температуры эксперимента. Обнаружение эффекта по времени совпало с появлением обобщающей теоретической статьи [5] о природе квантовых поправок к проводимости в вырожденных системах («грязные» металлы, сильно легированные полупроводники). Для интерпретации всей совокупности обнаруженных зависимостей разработанная ранее теория [5], была дополнена учетом случая, когда в полупровод-пиках низкой симметрии эффект сбоя фазы волновой функции может быть следствием именно низкой симметрии кристалла. Например, упругий механизм рассеяния, характерный для высоко симметричных кристаллов (зеркальное отражение), становиться в полупроводнике низкой симметрии пеупругим, если в законе дисперсии с{к) ф е (-к) (в теллуре такое неравенство возникает из-за тригональ-ного искажения аксиальной симметрии изоэнергетической поверхности Ферми в плоскости (0001)). Кроме того, теория квантовых поправок к проводимости при усреднении вкладов в проводимость от диффузного движения носителей заряда по траекториям без сбоя фазы, существенным образом использует инвариантность уравнения движения относительно операции обращения времени (замены г паг). В Те с этой операцией связаны переходы в А-пространстве между долинами в углах зоны Бриллюэиа, причем состояния в этих долинах неэквивалентны по спипу. Таким образом, междолинное рассеяние в Те играет такую же, что и переворот спина при спин-орбитальном рассеянии, при котором изменение спинового состояния влияет па знак поправки к проводимости. При численном анализе экспериментальных данных, полученных для таких низко симметричных систем, среди определяемых параметров сбоя фазы могут появиться константы закона дисперсии носителей заряда, которые и возникли в законе дисперсии вследствие низкой симметрии.

В пятой главе диссертации приведены результаты экспериментальных исследований влияния гидростатического сжатия па гальваномагнитные свойства сверхчистых образцов теллура, на поверхности (0001) которых естественным образом был сформирован аккумулирующий слой двумерных (2П) дырок. Такой подход к исследованию влияния давления на гальваиомагнитные коэффициенты стал возможен благодаря использованию методов, описанных в предыдущих главах диссертации, где показано, как вклад 2£-дырок в проводимость образца можно оценить на фоне измерения полных гальваномагнитпых коэффициентов образца в целом. Он имеет существенные преимущества перед методом, применявшимся ранее, когда исследование влияния давления на сверхчистые образцы не сопровождались контролем изменения параметров слоя 20 дырок под давлением. Отсутствие раздельного контроля приводило к смешиванию эффектов, а при сравнении результатов исследований наблюдался большой разброс параметров, определяемых разными экспериментаторами, поскольку существование АС не детектировалось и его свойства поэтому просто не учитывали.

В этой же главе эффект квантовых поправок исследуется в условиях приложения гидростатического сжатия. Эти исследования очень важны, поскольку, влияя на расположение атомов в кристаллической решетке, можно вызвать изменения параметров энергетического спектра носителей тока. Выбор ориентации ЛС в плоскости (0001) в экспериментах был связан с предполагаемым уменьшением расстояний между цепочками атомов в кристалле Те с ростом давления, что должно было привести к более симметричной структуре упаковки атомов Те в кристалле (симметризация кристалла). В пределе, переход к более высокой группе симметрии должен повлиять па величину коэффициента триго-нального искажения спектра (коэффициент у должен уменьшаться с давлением) и вызвать, уменьшение обратной величины характерного времени сбоя фазы при учете механизма внутриподзонпого рассеяния. Такие изменения должны были создать условия для наблюдения перехода от АПМС к ОМС под давлением.

Результаты исследований подтвердили не только надежность разработанной теории, но и позволили оценить влияние давление на коэффициент / в законе дисперсии, существование которого и было обусловлено низкой симметрией. Полученные результаты влияния давления на коэффициент тригонального искажения спектра дырочных носителей тока — уникальны. Кроме того, используя выводы микроскопической теории квантовых поправок к 2£>-проводимости в теллуре, была получена эмпирическая зависимость величины спин-орбитального расщепления верхних валентных зон и нижней дважды вырожденной валентной зоны от давления.

В шестой главе приводятся результаты исследования гальваномагиитных эффектов на искусственно созданных объектах: теллур — диэлектрическая матрица опала (кластерные кристаллы теллура с разным уровнем легирования акцепторной примесью в диэлектрической матрице опала). Исследования были инициированы выводами микроскопической теории квантовых поправок в теллуре [8,9]. Согласно этой теории эффект отрицательного магпетосопротивлепия и аномального положительного магнетосопротивления должен существовать как для случая двумерной (АС на поверхности невырожденных образцов теллура), так и для случая трехмерной, т. е. объемной, проводимости сильно легированного монокристалла теллура. Тогда, обнаруженный более 50 лет назад эффект отрицательного магпетосопротивления [3], тоже может быть результатом проявления эффекта квантовых поправок к проводимости, а, следовательно, в соответствии с микроскопической теорией квантовых поправок, можно создать такие условия, при которых знак поправки может зависеть от условий эксперимента, как это уже наблюдалось для случая двумерной проводимости. Другими словами, на образце с объемной проводимостью можно будет наблюдать переход от ОМС (хорошо изученного экспериментально) к АПМС (никогда ранее не наблюдаемого), например, изменяя температуру. Иначе говоря, эффект отрицательного магпетосопротивления, открытый па теллуре более 50 лет назад, может изменить знак полевой зависимости, если удастся изменить соотношение частот рассеяния, приводящих к сбою фаз. волновых функции подвижных носителей заряда. Создание кластерной структуры стало первым шагом в попытке изменить механизм рассеяния (рассеяние на границах опалТе), который, как и в двумерном случае АС, должен был привести к усилению роли междолинных и внутри-долинных переходов в Те, которое, в свою очередь, должно было вызвать смену знака магпетосопротивления (подробней ниже). Предсказанное изменение знака было наблюдено и подтвердило предположение, что природа аномального отрицательного магпетосопротивления в Те возможно связана, с эффектом квантовых поправок. Кроме того, исследования кластерных кристаллов теллура в диэлектрической матрице опала иривели к обнаружению нового класса двумерной проводящей системы: — 2й-слоя па внутреннем интерфейсе кластеры Те — диэлектрическая матрица (опал). Результаты исследования гальваномагнитных эффектов на таком объекте тоже удалось связать с эффектом квантовых поправок к проводимости двумерных носителей заряда в теллуре.

Согласно выводам теории [8,9] другим параметром, изменение которого может влиять на знак эффекта магпетосопротивления в объемном кристалле является температура. Идея состояла в том, что при существенном понижении температуры образцов, приготовленных из сильно легированных монокристаллов теллура, существенно уменьшиться частота сбоя фазы при неупругом рассеянии. Такое уменьшение может привести к тому, что частоты междолинных и внутри-долинных переходов в Те, от температуры независящих, превысят частоту сбоя фазы при пеупругом рассеянии, т. е. опять в эксперименте на смену обычно паблюдаемому с понижением температуры абсолютному росту эффекта ОМС придет эффект уменьшения ОМС при достижении определенных значений температуры, а затем при дальнейшем снижении температуры и смена знака эффекта, т. е. произойдет переход к АПМС. Такой тип поведения AMC мы уже наблюдали (см. выше ni. IV) для случая двумерной проводимости в Т. е.

В шестой главе описаны результаты экспериментов по измерению магне.

1Я Ч тосопротивления сильно легированных (р77<10 cm") образцов Те при сверхнизких (до 74 мК) температурах. Эксперимент подтвердил выводы теории квантовых поправок к обт>емной проводимости Т. е. В установке-режрижераторе Не3 при температурах до 0,6 К на образце р77к~1017ст" 3 наблюдался широко известный эффект ОМС, который, как обычно, нарастал с понижением температуры, но при Т"0,4К эффект ОМС уменьшился по сравнению с предыдущим значением температуры. Дальнейшее понижение температуры (установка — рефрижератор растворения Не3- Не4) ниже 400 мК привело к переходу от ОМС к эффекту аномального положительного магнетосопротивления. На более легиро.

IЯ Ч ванном образце р77К"10 сш" впервые экспериментально наблюдался эффект положительного и отрицательного магнетосопротивления одновременно (Т<300 тК), аналогично тому, что наблюдался нами в двумерном случае. Понижение температуры до 74 гпК привело к полному исчезновению отрицательной составляющей магнетосопротивления объемной проводимости образца и переходу к эффекту АПМС.

Подводя итог этой главе, следует особо отметить, что распространение теории квантовых поправок к проводимости в Те на трехмерный случай предсказало температурные и магнетополевые зависимости аналогичные обнаруженным эффектам для 2D-случая, причем выводы теории указали направление исследований, при которых эффект ОМС, известный на теллуре с 1948 года, должен превратиться в АПМС с понижением температуры, что и было обнаружено в эксперименте.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

I. В результате измерений гальваномагпитпых коэффициентов на образцах, приготовленных из предельно чистого (невырожденного) монокристаллического теллура, в сильных (квантующих) магнитных полях и при низких (гелиевых) температурах обнаружена сложная картина осцилляции магнетосопротив-леиия и эффекта Холла, представляющая собой суперпозицию нескольких ос-цилляций разных периодов. Доказано, что обнаруженные осцилляции являются осцилляциями Шубникова-де Гааза, вследствие квантования по Ландау энергетического спектра дырочных носителей тока. Определено количество периодов, их значения и сделай вывод о невозможности наблюдения таких осцилляций от дырочных носителей тока в объеме образцов.

1.1. При исследовании зависимости положения обнаруженных осцилляций на шкале магнитных полей от ориентации оси индукции магнитного поля по отношению к поверхности образца с АС установлено, что в квантовании магнитным полем энергетического спектра носителей заряда участвует только нормальная составляющая вектора индукции, т. е. форма поверхности Ферми вырожденных носителей тока плоская (двумерная) и не имеет протяжения вдоль нормали к поверхности образцов.

1.2. Исследовано влияние эффекта поля на обнаруженные осцилляции ШГ. Установлено, что приложение электростатического поля к поверхности образца приводит к смещению положения осцилляционных экстремумов на шкале магнитных нолей в зависимости от величины и знака приложенного напряжения. Сделан вывод, что обнаруженные осцилляции ШГ связаны с квантованием по Ландау энергетического спектра дырок, расположенных в узком приповерхностном слое образцов (толщина слоя порядка длины экранирования), в потенциальной одномерной яме, поперечный размер которой соизмеримым с длиной волны де Бройля, поэтому энергетический спектр дырок в ней размерно квантован. Носители заряда (дырки) в этом слое вырождены, концентрация их в пересчете на объемную превышает на несколько порядков концентрацию дырок в объеме (поэтому название: аккумулирующий слой (АС)). Установлено, что в АС на кристаллографической плоскости (0001) Те существует 3, а для ориентации АС в плоскости (loio) — 2 подзоны размерного квантования. При оценке электропроводности по АС методом эффекта поля сделана оценка нижний предела вклада от АС в полную электропроводность образца: электропроводность АС соизмерима или превосходит электропроводность объемных носителей тока при относительно небольших размерах толщин образцов (d< 1 mm).

II. Определены циклотронные массы, подвижности, концентрации в подзонах и энергии Ферми для всех 2£)-дырок в АС. Установлено, что закон дисперсии и циклотронная масса дырочных носителей заряда в АС соответствуют закону дисперсии в трехмерном случае без учета членов, описывающих параметры дырок в направлении размерного квантования. Эффект аномально больших ос-цилляций ШГ эффекта Холла объяснен в рамках теории Аидо с привлечением дополнительных механизмов, усиливающих амплитуду осцилляции иедиссипа-тивной компоненты тензора проводимости.

ПЛ. При измерении гальваномагнитных коэффициентов двумерных дырок в АС, ориентированном в плоскости (юТо), и анализе результатов обнаружен эффект впутриподзоппого магнитного пробоя на двумерных дырках. Эффект пробоя состоит в топологическом переходе в^{-пространстве} от одной формы поверхности Ферми к другой и является следствием замыкания квазиклассических траекторий методом туннелироваиия через области, в которых существует потенциальный барьер, препятствующий замыканию квазиклассических траекторий при циклотронном движении в магнитном поле. Роль барьера играет сед-ловая точка в законе дисперсии.

III. Установлено, что подвижности носителей заряда в размерно-квантованных подзонах АС превосходят этот параметр для объемных носителей в исследуемых образцах и заметно превышают значения подвижности, определяемые для легированных образцов теллура, концентрация дырок в которых соизмерима с концентрацией двумерных дырок, пересчитанной на объемную величину. Причина такого соотношения кроется в различии основных механизмом рассеяния: для 20-дырок это рассеяние па короткодействующих флуктуациях поверхностного потенциала, а в трехмерном случае — рассеяние па ионизированных примесях, концентрация которых велика в случае сильного легирования.

IV. На основании анализа влияния технологических факторов па характеристики АС и анализа состава поверхностного слоя образцов предложен следующий механизм формирования АС на поверхности невырожденного Те: на поверхности образцов Те всегда существует естественный окисел Те02, а в переходном слое Те-ТеОг из-за структурных дефектов образуются ловушки акцепторного типа (концентрация 1012 cm'2), которые захватывают электроны из валентной зоны Т. е. Захват электронов в приповерхностной области образцов приводит к появлению дырок, которые локализуются в одномерной потенциальной яме, возникшей вследствие изгиба краев разрешенных зон у границы Те-Те02.

V. В классически слабых магнитных полях при сверхнизких температурах проведены измерения гальвапомагиитных коэффициентов проводящего АС, ориентированного в различных кристаллографических плоскостях. Обнаружен эффект аномального магпетосопротивления, величина и знак которого зависит от температуры, концентрации дырок в АС и ориентации АС относительно кристаллографических осей Т. е.

V.l. В результате численного анализа результатов измерений установлено, что удельная проводимость АС линейно зависит от логарифма магнитного поля или от логарифма значения температуры, а знак наклона лилейной зависимости определятся величиной проводимости, рассчитанной на квадрат поверхности образца с АС. Такой тип зависимости является необходимым признаком проявления эффекта квантовых поправок к проводимости. Обнаруженный эффект и зависимость его от параметров эксперимента (концентрации двумерных дырок, температуры эксперимента, кристаллографической ориентации поверхности с АС) стимулировали развитие теории квантовых поправок к проводимости теллура — полупроводника без центра инверсии, со снятым спиновым вырождением из-за сильного спин-орбитальпого взаимодействия и особой ролью г-симметрии. Для случая квантовых поправок к проводимости АС на плоскости (0001) теоретические формулы, полученные, как па основании полуфеноменологичеекого подхода, так и при точном микроскопическом решении совпали. Выражение содержит слагаемые разных знаков, а степень влияния этих слагаемых на конечный результат зависит от частоты рассеяния, вызывающего сбой фазы волновой функции дырочных носителей тока в АС. Установлено, что частота рассеяния для одного из механизмов связанна с концентрацией носителей тока в АС и коэффициентом тригонального искажения в законе дисперсии Т. е.

V.2. Для ориентации АС в плоскости (юТо), разработанная на основании микроскопического подхода, теория показала более тонкую роль тригонального искажения энергетического спектра дырок в этом эффекте, которая была не очевидна при полуфеноменологическом подходе. При микроскопическом подходе была выявлена функциональная связь величины спин-орбитального расщепления валентной зоны (Ai) с коэффициентом тригонального искажения энергетического спектра у в законе дисперсии.

VI. В результате сравнения экспериментальных результатов с теоретическими формулами сделан вывод, что для ориентации (0001) все особенности проявления квантовой поправки хорошо описываются теорией слабой локализации невзаимодействующих частиц с учетом особенностей проявления низкой симметрии кристалла теллура. Для ориентации АС в плоскости (юю) Те по результатам численного анализа экспериментальных данных сделан вывод, что при описании квантовых поправок к проводимости необходимо учитывать электрон-электронное взаимодействие 20-иосителей, а тригональное искажение спектра слабо влияет на механизм сбоя фаз волновых функций дырок в АС.

VII. Исследовано влияние гидростатического давления па гальваномагнитные эффекты образцов теллура с АС па кристаллографической плоскости (0001). В квантующих магнитных полях обнаружены: рост концентрации дырок в подзонах АС, рост числа подзон и электропроводности 20-дырок с увеличением давления. В результате численного анализа экспериментальных данных установлен экспоненциальный рост с давлением суммарной концентрации 20-дырок в АС. Более быстрый рост электропроводности по сравнению с концентрацией объяснен процессом уменьшения эффективной массы с давлением. Рост концентрации с давлением объяснен в рамках модели, учитывающей изменение диэлектрической проницаемости теллура с давлением, что позволило дать качественное объяснение обнаруженному эффекту.

VIII. Исследовано влияния давления на квантовую поправку к проводимости 2D-Hырок в АС на поверхности (0001) Т. е. Обнаружена зависимость величииы и знака квантовой поправки от давления. Эффект объяснен в рамках микроскопической теории эффекта квантовой поправки к проводимости в Т. е. Определена функциональная зависимость коэффициента тригонального искажения энергетического спектра дырок в теллуре (у) от давления.

IX. В результате численного анализа проведенных измерений, получена формула зависимости величины спин-орбитального расщепления (Д]) валентной зоны теллура от давления. Оказалось, что спин-орбиталыюе расщепление валентной зоны экспоненциально растет с давлением.

X. Проведены исследования кластерного кристалла Те в диэлектрической матрице (опал) и обнаружен эффект АПМС. Для случая кластерного кристалла, приготовленного из нелегироваппого теллура, установлено, что решающий вклад в проводимость такой системы вносит АС на границе Те- 8Ю2. При обработке результатов было проведено усреднение ориентации АС сферической формы по отношению к направлению магнитного поля, что улучшило согласие параметров СЛ с ранее определенными.

X.1. При исследовании кластерного кристалла, приготовленного из сильно легированного Те, обнаружен эффект АПМС. Учитывая, что электропроводность сильно легированного теллура посит объемный характер, сделан вывод о том, что впервые для легированного теллура при объемном характере проводимости экспериментально наблюдался эффект АПМС.

XI. На основании микроскопической теории квантовой поправки к проводимости сделано предположение о существовании такой поправки к проводимости и в трехмерном случае. Проведены исследования при сверхнизких температурах эффекта ОМС в Те, известного с 1948 года, и показано, что теория квантовых поправок, расширенная на трехмерный случай, дает правильную трактовку условий, при которых эффект ОМС может измелить знак. Проведены исследования температурной зависимости магиетосопротивлепия сильно легированных образцов Те и установлено, что при гелиевых температурах наблюдается эффект ОМС, который растет с понижением температуры. После достижения определенных значений температуры, рост ОМС прекращается, а дальнейшее понижение температуры приводит сначала к уменьшению эффекта ОМС, а затем и к смене знака эффекта (переходом к АПМС). Экспериментально установлено, что такой переход наблюдается в области Т<300 гпК и внешне эффект полностью соответствует АПМС при двумерной проводимости. Причина столь необычного поведения эффекта квантовой поправки кроется в совершенстве кристаллов Те, из-за которого сбой фазы при впутридолинпом и междолинпом рассеянии происходит очень редко (частота таких переходов мала), по сравнению с пеупругим рассеянием. Понижая температуру и, тем самым, уменьшая частоту пеупругого рассеяния (~5Р) можно восстановить соотношение Тф"!, & ту, при котором наблюдается АПМС. Таким образом, эффект ОМС, обнаруженный в Те почти 60 лет назад, получил падежное объяснение в рамках теории квантовых поправок к проводимости, разработанной с учетом особенностей строения этого полупроводника: низкой кристаллической симметрии, снятого спинового вырождения, отсутствия центра инверсии и особой роли г-симметрии.

В заключение хочу выразить искреннюю благодарность моим учителям, коллегам по работе, всем сотрудникам на разных этапах, принимавших участие в проведении экспериментов. Особую благодарность выражаю моим старшим товарищам, совместная работа с которыми была для меня настоящей школой экспериментатора и чыо поддержку я всегда ощущал и к советам которых я всегда прислушивался. Я благодарен сотрудникам теоретического отдела за плодотворное взаимодействие и успешное развитие теоретических представлений об эффекте, начало которому положили эксперименты при сверхнизких температурах. Без такого сотрудничества, представленная работа не имела бы идейного фундамента, а связь обнаруженных эффектов с особенностями строения исследуемого материала осталась бы не выявленной. Пример с объяснением эффекта ОМС в легированном Те — замечательный итог всего цикла работ.

Сердечная благодарность руководителю лаборатории профессору Пар-феньеву Роберту Васильевичу за постоянный интерес к работе.

В заключение выражаю благодарность и признательность доктору физ.-мат. наук Фарбштейну Иосифу Ильичу — моему первому учителю.

МАТЕРИАЛЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ ТРУДАХ.

1Л]. В. А. Березовец, А. Д. Галецкая, И. И. Фарбштейп. «Обнаружение квантовых осцилляции эффекта Холла в обогащенном слое на поверхности теллура». Сборник тезисов докладов на ХХП Всесоюзной конференции, но физике полупроводников Кишинев, т.2, с. 58−59, (1982).

2А]. В. А. Березовец, А. Д. Галецкая, И. И. Фарбштейп, А. Л. Шелапков. «Квантовые осцилляции эффекта Холла в размерно-квантованном аккумулирующем слое па поверхности теллура», Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Баку, т 2, с. 82−83, (1982).

ЗА]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейп, А. Л. Шеланков. Осцилляции холловской проводимости в 20 аккумулирующем слое па теллуре. //ФТТ 25, в.5, 1526,.

1983).

4А]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейп, А. Л. Шелапков. Квантовые кинетические явления в размерно-квантованном аккумулирующем слое на поверхности теллура. //ФТТ 25, в.5, 2988−2994, (1983).

5А]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейп, А. Л. Шеланков. Слабая локализация в условиях снятого спинового вырождения (двумерный слой па поверхности теллура). //Письма в ЖЭТФ 39, в.2, 64−66, (1984).

6А]. В. А. Березовец «Исследование электронных состояний на поверхности теллура при иизкнз температурах», Кандидатская диссертация, с. 183,.

1984).

7А]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейп, А. Л. Шеланков. «Аномальное магпегосопротивлеиие двумерных дырок па поверхности теллура при низких температурах.» Тезисы докладов па XXIV Международной конференции стран СЭВ, но физике и технике низких температур, г. Берлин,.

1985).

8А]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейп, М. Л. Шубников. Проводимость размерно-квантованных дырок па поверхности теллура в условиях гидростатического сжатия. //ФТТ 28, в.5 1516−1518, (1986).

9А]. В. А. Березовец, В. В. Косарев, И. И. Фарбштейп. «Влияние гидростатического давления на свойства 20-дырок па поверхности теллура — полупроводника низкой симметрии.» Тезисы доклада VI Международной конференции МАРИВД г. Киев, е.73, (1987).

10А]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейп, М. Л. Шубников. Влияние гидростатического давления па проводимость двумерных носителей заряда (20-дырки па поверхности теллура). Физика и техника высоких давлений, 28, 27−29,(1988).

ПА]. В. А. Березовец, Д. В. Машовец, А. О. Смирнов, Д. В. Смирнов, И. И. Фарбштейн. Свойства размерно-квантованных дырок в аккумулирующем слое па поверхности (юТо) теллура. //ФТТЗЗ, в.12, 3502−3509, (1991).

12AJ. В. А. Березовец, А. О. Смирнов, И. И. Фарбштейн. Обнаружение магнитного пробоя в двумерном слое па поверхности (юТо) теллура. //ФТТ 30, в.7, 2218,(1988).

13А]. В. А. Березовец, Ю.Б. Ляпда-Геллер, А. О. Смирнов, И. И. Фарбштейн. Особенности эффекта слабой локализации 2Э-дырок на поверхности (ЮТО) теллура (роль анизотропии энергетического спектра). //Письма в ЖЭТФ, 58, в. 10, с. 822−825, (1993).

14А]. В. А. Березовец, Ю.Б. Ляпда-Геллер, А. О. Смирнов, И. И. Фарбштейн. «Слабая локализация 2D дырок на поверхности (юТо) теллура при низких температурах.» 1-я Российская конференция по физике полупроводников, Н. Новгород, Тезисы докладов. Т.1, с. 95, (1993).

15А]. В. А. Березовец, А. О. Смирнов, И. И. Фарбштейн, М. Л. Шубников. «Слабая локализация 2-D дырок на поверхности (юТо) теллура при низких температурах.» 30-е совещание по физике низких температур Дубна, Тезисы докладов. 4.2, с. 203, (1994).

16А]. В. А. Березовец, А. О. Смирнов, И. И. Фарбштейн, Д. Шнайдер. Спектроскопия размерно-квантованных подзон на поверхности (юТо) теллура в условиях магнитного пробоя. //ФТТ 37, в.5, 1438−1444, (1995).

17А]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейн. Энергетический спектр 3-х и 2-мерпых дырок со снятым спиновым вырождением. (Исследование теллура). Обзор. //ФТП 29. №. 5/6. 965−993 (1995). Semiconductors 1.29, No.5, 500−513, (1995).

18А]. V.A. Berezovets, А.О. Smirnov, I.I. Farbshtein, D. Schneider. Identification of 2D holes subbands on (юТо) Те surface. //Sol. Stat. Communs. 96, No6, 349, (1995).

19А]. В. А. Березовец, А. О. Смирнов, И. И. Фарбштейн. «Влияние гидростатического сжатия на анизотропию спектра двумерных дырок па поверхности (0001) теллура. (Исследование эффекта слабой локализации)». 5 международный симпозиум «Неоднородные электронные состояния». Новосибирск, Тезисы докладов, с.204−205, (1995).

20А]. V.A. Berezovets, I.I. Farbshtein, А.О. Smirnov. «The Weak Localization of 2D Carrier with Pronounced Anisotropy (2D Holes on Different Surfaces of Tellurium).» 2nd International Conference «Physics of low-dimensional structures-2». Dubna, Russia, Abstracts, p. 73, (1995).

21AJ. V.A. Berezovcts, I.I. Farbshtein, A.O. Smirnov. The Weak Localization of 2D Carrier with Pronounced Anisotropy (2D Holes on Different Surfaces of Tellurium). //Phys. Low-Dim. Struct. 12, 301−304, (1995).

22А]. B.A. Березовец, A.O. Смирнов, И. И. Фарбштейи, Д. Шнайдер. «Идентификация 20-подзон па поверхности (|010) теллура.» 2-ая Российская конференция по физике полупроводников. Зеленогорск, Тезисы. 2, е.38, (1996).

23А]. V.A. Berezovets, A.O. Smirnov, LI. Farbstein, D. Schneider. Das Energispek-trum des zweidimensionalen Sistems von Lochern auf der (loTo)-Oberflache von Tellur. Wiss. Ber. HMFA Braunschweig 12, № 55, s.55−57, (1991/92).

24А]. V.A. Berezovets, D. Schneider. Einflus? von hydrostatischem Druck auf die kinetischen Eingeschaftcn des zweidimensionalen Systems von Loch-Ladungen auf (lolo) -Oberflache von Tellur. Wiss. Ber. HMFA Braunschweig 13, № 63 (1993/94).

25А]. B.A. Березовец, A.O. Смирнов, И. И. Фарбштейи, M.Jl. Шубников. Слабая локализация 20-дырок на поверхности (0001) теллура в условиях гидростатического сжатия. //ФТТ, 39, в. З, 568−572, (1997).

26А]. N.S. Avcrkiev, G.E. Pikus, V.A. Berezovets, LI. Farbshtein. «PECULIARITIES OF THE WEAK LOCALISATION OF THE 2D HOLES IN THE QUANTUM WELL ON (lolo) SURFACE OF TELLURIUM.» Int. Symp.: Nanostructures, St.-Petersburg, Proceedings, p. 498, (1997).

27А]. H.C. Аверкиев, B.A. Березовец, И. И. Фарбштейи, Г. Е. Пикус, Н. И. Саблина. Квантовые поправки к проводимости 2D дырок в квантовой яме па кристаллографической поверхности теллура (юТо). //ФТТ 40 в.8, 1554, (1998).

28А]. N.S. Averkiev, V.A. Berezovets, I.A. Bespalov, LI. Farbshtein, G.E. Pikus, N.I. Sablina. «WEAK LOCALIZATION UNDER SPECIAL t-SYMMETRY CONDITIONEDAND 3DHOLES IN TELLURIUM).» Int. Conf. Physics at the turn of the 21st century. St. Petersburg, Summaries, p.53, (1998).

29А]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейи, Д. Шнайдер. «Обнаружение комбинированных частот спектра осцилляций Шубииковаде Гааза в квазидвумерпом аккумулирующем слое (2D дырки па поверхности скола теллура).» XXXI Совещание по физике низких температур, Москва, Тезисы, с. 62, (1998).

ЗОЛ]. В. А. Березовец, В. Н. Богомолов, Р. В. Парфеиьсв, И. И. Фарбштейи. «Низкотемпературные квантовые явления в пространствен по модулированном кластерном теллуре.» XXXI Совещание по физике низких температур. Москва, Тезисы, с. 60, (1998).

31 А]. В. А. Березовец, И. И. Фарбштейн, Д. Шнайдер. Особенности спектрального состава осцилляций магиетонроводимости двумерного аккумулирующего слоя на поверхности теллура (юТо) //ФТТ 41, в. З, 537−539, (1999).

32А]. Н. С. Аверкиев, В. А. Березовец. Н. И. Саблина, И. И. Фарбштейн. Слабая локализация в условиях особой роли /-симметрии (2Dи ЗЭ-дырки в теллуре). //ФТТ, 41, в.5, 879- 881, (1999).

ЗЗА]. Н. С. Аверкиев, В. А. Березовец, JI.E. Голуб, С. А. Гараеенко, И. И. Фарбштейн, Д. Шнайдер. «Эффект Шубниковаде Гааза в квазидвумерных системах в условиях сильного межподзоиного рассеяния.» IV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, Тезисы с. 174, (1999).

34А]. В. А. Березовец, В. Н. Богомолов, И. И. Фарбштейн. «Низкотемпературные квантовые явления в пространственно модулированном кластерном кристалле теллура.» IV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, Тезисы, с. 180, (1999).

35А]. В. А. Березовец, В. Н. Богомолов, И. И. Фарбштейн, В. И. Нижапковский. «11изкотемпературная электропроводность пространственно модулированного кластерного кристалла теллура.» IIT-32 Казань, Тезисы докладов секции NS, с. 63−64, (2000).

36А]. В. А. Березовец, В. Н. Богомолов, И. И. Фарбштейн, В. И. Нижапковский. Электрические свойства кластеров теллура в иодрешетке пустот кристаллов опала. Роль интерфейса Те — Si02. //ФТТ 44, в.9, 1695−1699, (2002).

37А]. V.A. Berezovets, V.N. Bogomolov, I.I. Farbstein, and V.I. Nizhankovskii. «Interface phenomenon effect on the electrical properties of the Tellurium nano-clustcr crystals in the opal host.» RUSSIA, St. PETERSBURG, PROSCEED-INGS of 1 llh International Symposium NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY 396−397, (2003).

38А]. Н. С. Аверкиев, В.II. Богомолов, В. А. Березовец, В. И. Нижапковский, К. С. Романов, И. И. Фарбштейн. Квантовый транспорт в новом папообъекте: внутренний интерфейс теллур-матрица. //ФТТ 48, в. 12, 2204−2207, (2006).

39А]. N.S. Averkiev, V.N. Bogomolov, V.A. Berezovets, K.S. Romanov and I.I. Farbstein. «Spin-dependent phenomena in new nanoobject — 2d layer on the internal interface Te-Si02.» RUSSIA, St. PETERSBURG, PROSCEEDINGS of 14, h International Symposium NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY 53−54 (2006).