Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Релаксация доменной структуры водородсодержащих сегнетоэлектриков, стимулированная термическим и полевыми воздействиями

Диссертация: Релаксация доменной структуры водородсодержащих сегнетоэлектриков, стимулированная термическим и полевыми воздействиями
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи: изучение процессов формирования квазиравновесной доменной структуры в кристаллах группы ТГС из неравновесного состояния, возникающего после выдержки состаренного кристалла в параэлектрической фазеизучение релаксационного поведения доменной структуры кристаллов группы ТГС, KDP и сегнетовой соли, стимулированного внешним постоянным… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. РЕЛАКСАЦИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ТГС, СТИМУЛИРОВАННАЯ ТЕРМИЧЕСКИМ ВОЗДЕЙСТВИЕМ
    • 1. 1. Формирование и релаксация доменной структуры в реальных кристаллах группы ТГС. (Обзор литературы)
    • 1. 2. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС в процессе ее формирования
    • 1. 3. Выводы к Главе 1
  • ГЛАВА 2. РЕЛАКСАЦИЯ В СЕП^ТОЭЛЕКГРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ ГРУПП ТГС, KDP И СЕГНЕТОВОЙ СОЛИ, СТИМУЛИРОВАННАЯ ВНЕШНИМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ
    • 2. 1. Релаксационные процессы в сегнетоэлектриках, обусловленные действием электрических полей. (Обзор литературы)
    • 2. 2. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС, KDP и сегнетовой соли, стимулированная действием внешнего электрического поля
      • 2. 2. 1. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС. (Постоянное поле)
      • 2. 2. 2. Релаксация доменной структуры кристаллов группы ТГС. (Переменное поле)
      • 2. 2. 3. Релаксация доменной структуры кристалла сегнетовой соли. (Постоянное поле)
      • 2. 2. 4. Релаксация доменной структуры кристаллов группы KDP. (Переменное поле)
    • 2. 3. Выводы к Главе 2
  • ГЛАВА 3. ПОРОГОВОЕ ПОВЕДЕНИЕ И РЕЛАКСАЦИЯ ЭФФЕКТИВНОЙ НЕЛИНЕЙНОСТИ В КРИСТАЛЛАХ ГРУППЫ ТГС
    • 3. 1. Нелинейные свойства сегнетоэлектриков. Характеристики диэлектрической нелинейности. (Обзор литературы)
    • 3. 2. Эффективная диэлектрическая нелинейность кристаллов группы ТГС
      • 3. 2. 1. Эффективная диэлектрическая нелинейность номинально чистого и примесных кристаллов триглицинсульфата
      • 3. 2. 2. Нелинейные свойства облученных кристаллов ТГС
      • 3. 2. 3. Оценка энергии взаимодействия доменных стенок с дефектами в кристаллах группы ТГС
    • 3. 3. Релаксация эффективной диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС с дефектами

Релаксация доменной структуры водородсодержащих сегнетоэлектриков, стимулированная термическим и полевыми воздействиями (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

Сегнетоэлектрические материалы, являющиеся одними из самых интересных объектов исследований в физике конденсированных сред, находят все более широкое практическое применение во многих областях современной техники — радиотехнике, оптоэлектронике, акустике и т. п. На физические свойства сегнетоэлектриков, существенное влияние оказывает состояние их доменной структуры, и усилия многих исследователей направлены на изучение закономерностей формирования, статических и динамических свойств доменной структуры, на поиск надежных способов управления ее параметрами, и в конечном итоге, на создание сегнетоэлектрических материалов с заданными свойствами.

Наибольший научный и практический интерес представляют процессы изменения доменной структуры, стимулированные внешними воздействиями, так как и при исследованиях, и при практическом применении сегнетоэлектриков к ним всегда прикладывается какое-либо воздействие. К настоящему времени накоплен обширный экспериментальный материал, посвященный вопросам релаксационной динамики доменной структуры сегнетоэлектриков, однако существующие результаты не дают единой картины даже для кристаллов одного структурного типа. Одной из основных причин такого положения дел является то, что на физические свойства реальных сегнетоэлектриков значительное влияние оказывают структурные дефекты. Несмотря на огромное количество экспериментальных и теоретических работ, посвященных доменной структуре реальных сегнетоэлектриков, остается нерешенным главный вопрос: как точно поведет себя такой сегнетоэлектрик при каком-либо внешнем воздействии, каким точно будет его состояние по истечении определенного времени после внешнего воздействия. Поэтому задача разностороннего и глубокого изучения физических свойств и процессов, связанных с динамикой доменной структуры реальных сегнетоэлектриков, релаксационного поведения доменной структуры остается актуальной. В частности, актуальным является сопоставление данных прямого наблюдения эволюции доменной структуры с характером временных зависимостей основных макроскопических характеристик сегнетоэлектрических материалов.

Цель и задачи работы. Основной целью настоящей работы являлось экспериментальное исследование релаксационного поведения доменной структуры реальных сегнетоэлектрических кристаллов семейств триглицинсульфата (ТГС), дигидрофосфата калия (KDP), а также кристаллов сегнетовой соли (RS), стимулированного тепловыми и электрическими воздействиями.

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи: изучение процессов формирования квазиравновесной доменной структуры в кристаллах группы ТГС из неравновесного состояния, возникающего после выдержки состаренного кристалла в параэлектрической фазеизучение релаксационного поведения доменной структуры кристаллов группы ТГС, KDP и сегнетовой соли, стимулированного внешним постоянным и переменным электрическим полемизучение влияния дефектов разного типа на диэлектрическую нелинейность кристаллов группы ТГС и релаксационного поведения этих кристаллов при переполяризации переменным электрическим полем.

Объекты исследований. Объектами исследования в настоящей работе являлись сегнетоэлектрические монокристаллы номинально чистого триглицинсульфата (NH2CH2C00H)3H2S04 — ТГС, кристаллы ТГС с примесью молекул L-a-аланина — АТГС, ионов хрома — ТГС+ Сг, фосфораТГСФ, с двойной примесью L-a-аланина и фосфора — АТГСФ, дейтерированный ТГС — ДТГСмонокристаллы дигидрофосфатов калия КН2Р04 — KDP, цезия CsH2P04 — CDP, рубидия RbH2P04 — RDP, а также сегнетовой соли (ЮЧаС4Н4Об) 4Н20 — RS.

Выбор кристаллов был продиктован: 1) их принадлежностью к кругу модельных одноосных сегнетоэлектриков с простой 180°-ой доменной структурой, что облегчает анализ и интерпретацию полученных результатов- 2) высокой подвижностью и аномально большой чувствительностью доменной структуры к внешним воздействиям и влиянию дефектов- 3) непревзойденностью кристаллов группы ТГС по их пироэлектрической эффективности в практике создания пироэлектрических преобразователей разного типа- 4) крайне слабой изученностью релаксационного поведения доменной структуры кристаллов сегнетовой соли и кристаллов группы KDP.

Научная новизна.

В работе впервые экспериментально установлены следующие закономерности:

1. Пироэлектрическая униполярность реальных кристаллов ТГС, выдержанных в параэлектрической фазе и охлажденных с конечной скоростью в полярную фазу, со временем растет, стремясь к значениям, пропорциональным величине внутреннего поля кристалла.

2. В реальных кристаллах ТГС, независимо от типа внешнего воздействия, общим в температурных зависимостях времен релаксации, отвечающих разным этапам эволюции доменной структуры, является наличие аномалий, вызванных спонтанными перестройками доменной структуры.

3. В кристаллах группы KDP релаксационные зависимости диэлектрической проницаемости после воздействия сильного переменного электрического поля являются экспоненциально спадающими функциями времени с двумя временами релаксациинаибольшие изменения доменной структуры в процессе ее релаксации происходят в характерной для этих кристаллов температурной области «плато».

4. В кристалле сегнетовой соли температурная зависимость времени релаксации, отвечающего боковому движению доменных границ, немонотонна и несимметрична относительно обеих точек Кюри, что связано с разным типом движения доменных стенок вблизи этих температур.

5. Вид релаксационных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС с примесными и радиационными дефектами определяется соотношением амплитуды переполяризующего поля и величины порогового поля, при котором начинается лавинообразный отрыв доменных стенок от дефектов.

Практическая ценность.

Практическая ценность полученных в диссертационной работе экспериментальных результатов заключается в том, что на примере модельных водородсодержащих сегнетоэлектрических кристаллов продемонстрирована возможность направленного изменения состояния доменной структуры сегнетоэлектриков путем соответствующей комбинации внешнего теплового и полевого воздействий. Такой подход лежит в рамках «доменной инженерии» — нового направления в физике и технике сегнетоэлектрических материалов.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Укрупнение доменной структуры кристаллов ТГС, выдержанных в параэлектрической фазе и переведенных с конечной скоростью в сегнетоэлектрическую фазу, сопровождается увеличением пироэлектрической униполярности до уровня, зависящего от величины внутреннего поля кристалла и от температуры.

2. Релаксационному поведению доменной структуры кристаллов ТГС под действием постоянного электрического поля отвечает набор времен релаксации, соответствующих всем стадиям процесса переполяризации — от начального зародышеобразования до слияния соседних доменов. Независимо от причин, вызывающих релаксацию, температурные зависимости времен релаксации немонотонны вследствие спонтанных перестроек доменной структуры в этих кристаллах.

3. В кристалле сегнетовой соли температурная зависимость времени релаксации, отвечающего боковому движению доменных стенок, качественно противоположна вблизи температур фазовых переходов вследствие различия механизмов движения доменных стенок: гистерезисного вблизи нижней точки Кюри и релаксационного — вблизи верхней.

4. Релаксационные процессы в кристаллах RDP, KDP, CDP после воздействия переменного электрического поля характеризуются двумя временами релаксации. Первое отвечает процессу укрупнения доменной структуры, освобожденной электрическим полем от дефектов. Второе — большее на порядок — соответствует более медленному процессу движения доменных стенок и дефектов к положениям устойчивого равновесия с последующим закреплением стенок дефектами. Наибольшие релаксационные изменения доменной структуры происходят в температурной области аномальной подвижности доменных границ — области «плато».

5. Величина порогового поля, соответствующего началу интенсивного переключения поляризации в кристаллах ТГС с дефектами, зависит от концентрации дефектов и увеличивается пропорционально величине внутреннего поля кристалла. Эффективная диэлектрическая проницаемость со временем растет или убывает в зависимости от соотношения амплитуды переполяризующего поля и величины порогового поля.

Апробация результатов работы. Результаты диссертационной работы были представлены на Международной научно-технической конференции «Полиматериалы-2003» (ноябрь 2003, Москва), на XXI Международной конференции по релаксационным явлениям в твердом теле (октябрь 2004, Воронеж), на XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (июнь-июль 2005, Пенза), на 5 Международном семинаре по физике сегнетоэластиков (сентябрь 2006, Воронеж), на Международной конференции ISFD-07 (август 2007, Екатеринбург).

Личный вклад автора. Настоящая работа выполнена на кафедре экспериментальной физики Воронежского госуниверситета в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры. Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Формулировка задач исследования, выбор экспериментальных методик и объектов исследования, обсуждение полученных результатов проводились совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. С. Н. Дрождиным. Обсуждение результатов второй главы диссертации проводилось при участии к.ф.-м.н. О. М. Голицыной.

Публикации. Основные результаты исследований опубликованы в 17 печатных работах, из которых 5 статей опубликованы в реферируемых научных журналах: «Известия РАН, серия физическая», «Физика твердого тела», «Ferroelectrics».

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из Введения, трех глав, Заключения, списка цитируемой литературы из 148 наименований и содержит 149 страниц печатного текста, 80 рисунков, 8 таблиц.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Укрупнение доменной структуры кристаллов ТГС, выдержанных в параэлектрической фазе и переведенных с конечной скоростью в сегнетоэлектрическую фазу, сопровождается увеличением пироэлектрической униполярности до уровня, увеличивающегося с ростом температуры и пропорционального величине внутреннего поля кристалла.

2. Релаксационные зависимости диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС и ДТГС в постоянном электрическом поле характеризуются временами релаксации, отвечающими всем стадиям процесса переполяризации — от начального зародышеобразования до слияния соседних доменов. Для релаксации, стимулированной переменным электрическим полем, характерно одно время релаксации, совпадающее по порядку величины со временем релаксации, отвечающим боковому движению доменных стенок в постоянном поле.

3. Немонотонность температурных зависимостей времен релаксации доменной структуры кристаллов ТГС, независимо от причин, вызывающих релаксацию, есть следствие спонтанных перестроек доменной структуры, увеличивающих число релаксаторов — доменных стенок. Различие температурных зависимостей времен релаксации для всех исследованных кристаллов исчезает вблизи фазового перехода, где тi (T)—*0.

4. Для кристалла сегнетовой соли температурная зависимость времени релаксации, соответствующего боковому движению доменных границ в постоянном электрическом поле, немонотонна и неодинакова вблизи нижней и верхней точек Кюри (г растет при приближении к нижней Тс и уменьшается при приближении к верхней) из-за разного механизма движения доменных стенок вблизи этих температур: гистерезисного вблизи нижней точки Кюри, и релаксационного — вблизи верхней.

5. В кристаллах KDP, RDP и CDP после воздействия переменного электрического поля наибольшие релаксационные изменения доменной структуры происходят в характерной для этих кристаллов температурной области «плато». Релаксационные процессы характеризуются двумя временами релаксации: т/ отвечает процессу укрупнения доменной структуры, освобожденной электрическим полем от дефектовт2 — большее на порядок — соответствует процессу движения доменных стенок и дефектов к положениям устойчивого равновесия с последующим закреплением стенок дефектами.

6. Значение порогового поля, разделяющего участки слабой и сильной амплитудной зависимости эффективной диэлектрической проницаемости, а также энергия взаимодействия доменных стенок с дефектами увеличиваются с ростом дозы рентгеновского облучения в ТГС и ДТГС, но практически не изменяются в АТГС и ТГС+Сг3+, что указывает на ведущую роль примесных дефектов в легированных кристаллах.

7. Релаксационное поведение эффективной диэлектрической проницаемости исследованных кристаллов ТГС качественно различно в зависимости от соотношения амплитуды переполяризующего поля iL и величины порогового поля Elh эффективная диэлектрическая проницаемость при неизменной амплитуде переполяризующего поля растет со временем, если EJ>Eth и убывает, если E^.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / А. С. Сидоркин. — М.: Физматлит, 2000. — 240 с.
  2. И.С. Основы сегнетоэлектричества / И. С. Желудев. М.: Атомиздат, 1973. — 472 с.
  3. А.С. Введение в сегнетоэлектричество / А. С. Сонин, Б. А. Струков. М.: Высшая школа, 1970. — 271 с.
  4. .А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б. А. Струков, А. П. Леванюк. М: Наука, 1983. — 240 с.
  5. Лайнс М Сегнетоэлектрики и родственные материалы / М Лайнс, А. Гласс. М.:Мир, 1981. — 736 с.
  6. Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане. -М.: Мир, 1965.-723 с.
  7. Ф. Изменение ширины доменов в кристаллах триглицинсульфата со временем / Ф. Моравец, В. П. Константинова // Кристаллография. 1968. — Т. 13, № 2. — С. 284−289.
  8. В.П. Исследование доменной структуры кристалла триглицинсульфата при старении / В. П. Константинова, Я. Станковская // Кристаллография. 1971. — Т. 16, № 1. — С. 158−163.
  9. Dabrowska К. The evolution of the layered domain structure of TGS and RS single crystals / K. Dabrowska, W. Daszczynska, A. Jaskiewicz //Acta Physica. Polonica. 1977. — V. A51, № 4. — P. 539−548.
  10. Fousek J. On the ferroelectric domain wall in triglycinesulphate / J. Fousek // Jap. J. Appl. Phys. 1967. — V. 6, № 8. — P. 950−953.
  11. Л.И. Доменная структура и процессы 180°-ойпереполяризации модельных сегнетоэлектриков: дис. д-ра физ.-мат. наук:10 407 / Л. И. Донцова. Воронеж, 1991.-460 с.
  12. JI.И. Плотность поверхностной энергии и спонтанное движение доменных стенок в кристаллах ТГС / Л. И. Донцова, Э. С. Попов // Изв. АН СССР, сер.физ. 1975. — Т. 39, № 4. — С. 854−856.
  13. Tomita N. Ferroelectric domain pattern evolution in quenched triglycine sulphate / N. Tomita, H. Orihara, Y. Ishibashi // Journ. Phys. Soc. Jap. 1989. -V. 58, № 4.-P. 1190−1198.
  14. Orihara H. Pattern evolution of ferroelectric domain structure in TGS quenched below phase transition point / H. Orihara, N. Tomita, Y. Ishibashi // Ferroelectrics. 1989. — V. 95. — P. 45−48.
  15. Szczesniak L. Effect of thermal cycling on the width of ferroelectric domains / L. Szczesniak, L. Szczepanska // Ferroelectrics. 1990. — V. 111. — P. 167−170.
  16. Likodimos V. Kinetics of ferroelectric domains investigated by scanning force microscopy / V. Likodimos, M. Labardi, M. Allergini // Phys.Ref.B. 2000. — V. 61, № 21. -P. 14 440−14 447.
  17. Likodimos V. Thermally activated ferroelectric domain growth due to random defects / V. Likodimos, M. Labardi, X. K Orlik., L. Pardi, M. Allergini // Phys.Ref.B. 2001. -Y. 63, № 6. — P. 64 104−1-64 104−4.
  18. Likodimos Y. Domain pattern formation and kinetics on ferroelectric surface under thermal cycling using scanning force microscopy / V. Likodimos, M. Labardi, M. Allergini // Phys.Ref.B. 2002. — Y. 66, № 2. — P. 24 104−1-24 104−7.
  19. B.K. Пироэлектрические преобразователи/ B.K. Новик, Н. Д. Гаврилова, Н. Б. Фельдман. М.: Сов. Радио, 1979. — 177 с.
  20. В.Ф. Пироэлектрический эффект и его практические применения / В. Ф. Косоротов, Л. С. Кременчугский. Киев, 1989. — 222 с.
  21. Н.Н. Процессы перестройки доменной структуры и эффект Баркгаузена в чистых и примесных кристаллах триглицинсульфата / Н. Н. Большакова, В. М. Рудяк // Изв. АН СССР, сер.физ. 1991. — Т. 55, № 3. -С. 606−612.
  22. Н.Д. Спонтанная поляризация и внутреннее поле в легированном триглицинсульфате / Н. Д. Гаврилова, В. К. Новик, Е. А. Сорокина, Л. Б. Хрусталева // ФТТ. 1981. — Т. 23, № 6. — С. 1775−1778.
  23. В.К. О механизме стабилизации лигандами (L-a-аланин и L-a-аланин +Сг3+) полярного состояния триглицинсульфата / В. К. Новик, Н. Д. Гаврилова, Г. Т. Галстян // Кристаллография. 1983. — Т. 28, вып. 6. — С. 1165−1171.
  24. Г. Т. О природе примесной униполярности кристаллов ТГС / Г. Т. Галстян, И. С. Рез, М. Ю. Рейзер, // ФТТ. 1982. — Т. 24, № 7. — С. 21 862 190.
  25. Bettcher R. ENDOR investigation on Cu2+ doped TGS and DTGS singl crystals / R. Bettcher, D. Heinhold, W. Windsch // Chem. Phys. Lett. 1977. — V. 49, № i.-p. 148−151.
  26. H.A. Кинетика процесса переполяризации кристаллов ТГС с примесью L-a-аланина / Н. А. Тихомирова, Л. И. Донцова, А. В. Гинзберг // ФТТ. 1988. — Т. 30, № 3. — С. 724−729.
  27. О.М. Частотная и температурная зависимости внутреннего поля дефектных кристаллов ТГС / О. М. Сердюк, Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин // ФТТ. 1990. — Т. 32, вып. 1. — С. 298−300.
  28. М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата / М. С. Цедрик. Минск.: Наука и техника, 1986. — 215 с.
  29. С.Д. Формирование внутреннего поля триглицинсульфата дефектами кристаллической структуры / С. Д. Миловидова, А. С. Сидоркин, Н. А. Бурданина, Л. А. Гришаева // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. — Калинин, 1987. — С. 91−95.
  30. Л.Н. Исследование свойств триглицинсульфата, легированного хромом и а- аланином / Л. Н. Камышева, О. А. Годованная, С. Д. Миловидова, В. П. Константинова // Изв. АН СССР, сер.физ. 1975. — Т. 39, № 4, — С. 857−860.
  31. Н.Д. Спонтанная поляризация и внутренние поля в легированном триглицинсульфате / Н. Д. Гаврилова, В. К. Новик, Е. А. Сорокина, Л. Б. Хрусталева // ФТТ. 1981. — Т. 23, № 6. — С. 1775−1778.
  32. .М. Аномалии физических свойств сегнетоэлектриков, содержащих заряженные примеси / Б. М. Даринский, В. Н. Нечаев, В. Н. Федосов // ФТТ. 1980. — Т. 22, № 10. — С. 3129−3132.
  33. Bhalla A.S. Pyroelectric properties of the modified TGS single crystals / A.S. Bhalla, C.S. Fang, L.E. Cross // Ferroelectrics. 1983. — V.54. — P. 151−154.
  34. Fang C.S. The growth and properties of a new alanine and phosphate substituted TGS crystal / C.S. Fang, Xi Yao, A.S. Bhalla // Ferroelectrics. 1983. -V. 51.-P. 9−13.
  35. Drozhdin S. N. Polarization reversal induced in LATGSP crystals by thermal annealing in paraelectric phase / S.N. Drozhdin, L.N. Kamysheva // Ferroelectrics. 1996. — V. 175. — P. 137−143.
  36. H.C. Процессы перестройки доменной структуры кристаллов триглицинсульфата с примесями, а аланина и фосфора / Н. С. Комлякова, Р. В. Корина, О. В. Испалатова, Н. А. Тихомирова // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. — Тверь, 1993. — С. 115−120.
  37. A.M. Исследование временного изменения униполярности кристаллов ТГС / A.M. Саввинов, Н. Д. Гаврилова, В. К. Новик // Изв. АН СССР, сер. физ. 1970. — Т. 34, № 12. — С. 2601−2603.
  38. Э.С. Поверхностное натяжение 180-градусных доменных стенок и некоторые явления в кристаллах триглицинсульфата и с-доменного титаната бария / Э. С. Попов, Л. А. Шувалов // Кристаллография. 1973. — Т. 18, вып.З.-С. 642−644.
  39. Р.В. Атомно-силовая микроскопиясегнетоэлектрических кристаллов ТГС : автореф. дис. к-та физ.-мат. наук /
  40. Р. В. Гайнутдинов. Москва, 2005. — 24 с.
  41. Kopsik V.A. Pyroelectric investigation of the domain structure stability in ferroelectrics / V.A. Kopsik, N.D. Gavrilova, V.K. Novik // Journal of the Physical Society of Japan. 1970. — V. 28, suppl. — P. 382.
  42. В.В. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата / В. В. Иванов, М. В. Колышева, Е.А. Клевцова// Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. — Тверь, 1999. С. 134.
  43. Zhang J. Dynamical Property of Domain Walls of Triglycine Sulfate in the Vicinity of Tc TGS / J. Zhang // Ferroelectrics. 2002. — V.281. — P. 105−122.
  44. Volk T.R. Unipolarity of TGS-crystals induced in paraelectric phase / T.R. Volk, S.V. Mednikov, L.A. Shuvalov // Ferroelectrics. 1983. — V. 47. — P. 15−23.
  45. Rosenman G. Switching Time of Ferroelectrics with Free Surface / G. Rosenman, V.D. Kugel // ISAF 94. Zacopane, 1994. — P. 17.
  46. A.A. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью / А. А. Сидоркин, А. С. Сидоркин, О. В. Рогазинская, С. Д. Миловидова // ФТТ. 2002. — Т. 44, № 2. — С. 344−345.
  47. Л.И. Дефекты и их роль в процессах переполяризации и формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках / Л. И. Донцова, Н. А. Тихомирова, Л. А. Шувалов // Кристаллография. 1994. — Т. 39, № 1.-С. 158−175.
  48. Н.Д. Исследование температурных зависимостей пироэлектрических коэффициентов кристаллов статическим методом / Н. Д. Гаврилова // Кристаллография. 1965. — Т. 10, № 3. — С. 346−650.
  49. Н.Д. Влияние условий предварительной поляризации на пироэлектрические свойства некоторых сегнетоэлектриков / Н. Д. Гаврилова, В. К. Новик, В. А. Копцик, С. В. Иванова // Изв. АН СССР, сер.физ. 1969. -Т. 33, № 2. — С. 306−308.
  50. В.П. Исследование теплового эффекта Баркгаузена в монокристаллах триглицинсульфата и триглицинселената / В. П. Константинова, Н. Н. Минюшкина, B.C. Румянцев и др. // Кристаллография. 1975. — Т. 20, № 6. — С. 1296−1299.
  51. Drozhdin S.N. Investigation of the internal field of doped TGS crystals / S.N. Drozhdin, L.N. Kamysheva, Z.A. Liberman // Phys Stat. Sol. 1986. — V. 94. — P. 69−73.
  52. A.M. Экзоэлектронная эмиссия из поверхностных состояний в сегнетоэлектрике / A.M. Косцов, А. С. Сидоркин, B.C. Зальцберг, С. П. Грибков // ФТТ. 1982. — Т. 24, № 11. — С. 3436−3438.
  53. А.С. Кинетика экзоэлектронной эмиссии кристалла триглицинсульфата / А. С. Сидоркин, A.M. Косцов, B.C. Зальцберг // ФТТ. -1985. Т. 27, № 7. — С. 2200−2203.
  54. Л.Н. Особенности импульсной переполяризации в униполярных кристаллах триглицинсульфата / Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин, О. А. Косарева // ФТТ. 1993. — Т. 35, № 3. — С. 854−856.
  55. С.Н. Динамика макроскопической поляризации спонтанно-поляризованных диэлектриков: дис. д-ра физ.-мат. наук: 10 407: защищена 05.07.93: утверждена 02.02.94 / С. Н. Дрождин. Воронеж, 1993. — 332 с.
  56. Stankovska J. Correlation between the domain structure and dielectric properties of TGS crystal / J. Stankovska // Ferroelectrics. 1978. — V. 22. — P. 753−754.
  57. .В. Доменные перестройки триглицинсульфате / Б.В. Селюк- Смол. гос. пед. ин-т им. К Маркса. Смоленск, 1988. — 11 с. — Деп. в ВИНИТИ 05.05.88, № 3446.
  58. Kamysheva L.N. The influence of defects on the processes of polarization relaxation in TGS crystals / L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin, O.M. Serdyuk // Phys Stat. Sol. 1986. — V. 97. — P. 29−34.
  59. В.В. Распределение времен релаксации в монокристаллах ТГС / В. В. Иванов, Е. А. Клевцова, В. В. Макаров // Изв. РАН, сер. физ. -2003. Т. 67, № 8. — С. 1127−1128.
  60. С.А. Процессы медленной релаксации в монокристаллах триглицинсульфата / С. А. Гриднев, В. М. Попов, J1.A. Шувалов // Изв. АН СССР, сер. физ. 1984. — Т. 48, № 6. — С. 1226−1229.
  61. JI.H. Влияние радиационных дефектов на процессы релаксации макроскопической поляризации в кристалле ТГС / JI.H. Камышева, С. Н. Дрождин, О. М. Сердюк // Журнал технической физики, 1988. Т. 58, вып. 8. — С. 1607−1609.
  62. С.Ю. Внутреннее поле и диэлектрическая вязкость кристаллов ТГС, легированных различными катионами металлов / С. Ю. Жаров, В. М. Рудяк // Изв. АН СССР, сер. физ. 1984. — Т. 48, № 6. — С. 12 211 225.
  63. С.Ю. Роль вязкостных явлений в релаксации пироотклика сегнетоэлектрических кристаллов / С. Ю. Жаров, В. М. Рудяк // ФТТ. 1983. -Т. 25, № 9.-С. 2610−2612.
  64. В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах / В. М. Рудяк. М.: Наука, 1986. — 243 с.
  65. В.В. Исследование релаксационных процессов переключения в монокристаллах дейтерированного триглицинсульфата / В. В. Иванов, М. В. Колышева, Е. А. Клевцова // Известия вузов. Материалы электронной техники, 2000. -№ 1.-С. 23−26.
  66. С.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата / С. Н. Дрождин, М. А. Куянцев // ФТТ. 1998. — Т. 40, № 8. — С. 1542−1545.
  67. Дж. Полярные диэлектрики и их применение / Дж. Барфут, Дж. Тейлор. М.: Мир, 1981.-526 с.
  68. Л.И. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС / Л. И. Донцова, Л. Г. Булатова, Э. С. Попов и др. // Кристаллография. 1982. — Т. 27, вып. 2. — С. 305−312.
  69. Н.Н. Процессы перестройки доменной структуры кристаллов триглицинсульфата в синусоидальных электрических полях /
  70. Н.Н. Большакова, С. А. Павлов, В. М. Рудяк // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, 1985. — С. 3−7.
  71. Н.А. Особенности процесса переполяризации тонких пластин кристалла ТГС / Н. А. Тихомирова, Л. И. Донцова, А. В. Гинзберг, А. А. Чеботарев, Л. А. Шувалов // ФТТ. 1986. — Т. 28, вып. 11. — С. 33 193 328.
  72. Schlemmbach Н. Study of the relaxation of the permittivity in doped and gamma-irradiated TGS single crystals / H. Schlemmbach, W. Windsch, L. Gawrisch // Ferroelectrics Letters. 1983. — V. 1. — P. 43−49.
  73. H.C. Влияние рентгеновского облучения на процессы переполяризации в примесных кристаллах ТГС / Н. С. Комлякова, Р. В. Корина // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. — Калинин, 1982. — С. 112−115.
  74. Н.А. Динамика доменной структуры коллинеарных сегнетоэлектрических кристаллов ТГС и ГАСГ / Н. А. Тихомирова, Л. А. Шувалов, Л. И. Донцова, Л. Г. Булатова, Л.З., Потиха // Кристаллография. -1986. Т. 31, вып. 6.-С. 1152−1159.
  75. И.А. Диэлектрическая релаксация в сегнетоэлектриках с водородными связями, обусловленная динамикой доменных границ: автореф. дис. к-та физ.-мат. наук/И.А. Сафонова. — Воронеж, 1996. 16 с.
  76. Kamysheva L.N. Dielectric relaxation in Ferroelectric TGS / L.N. Kamysheva, A.S. Sidorkin, S.D. Milovidova // Phys Stat. Sol. 1984. — V. 84. -P. 115−120.
  77. Л.Н. Температурная зависимость времени релаксации поляризации в кристалле ТГС / Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин, Т. Н. Панкова // Вопросы физики формообразования и фазовых превращений. — Калинин, 1985.-С. 151−156.
  78. Kamysheva L.N. Dielectric relaxation in crystals of KH2PO4 group / L.N. Kamysheva, A.S. Sidorkin // Ferroelectrics. 1984. — V. 55. — P. 205−208.
  79. JI.H. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2Р04 / Л. Н. Камышева, А. С. Сидоркин, И. Н. Зиновьева // Изв. АН СССР, сер. физ. 1984. — Т. 48, № 6. — С. 1057−1060.
  80. Gawrisch L. Relaxation of the dielectric permittivity in pure and doped TGS / L. Gawrisch, W. Windsch // Acta Univer. Wratislav. 1984. — V. 38, № 580.-P. 49−55.
  81. Т.И. Влияние температуры на релаксационные процессы переполяризации и коэффициент диэлектрической вязкости кристаллов ТГС / Т. И. Иванова, Н. Е. Руднев // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, 1982.-С. 100−105.
  82. О.М. Роль внутреннего поля в процессах релаксации макроскопической поляризации кристаллов ТГС / О. М. Сердюк, Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин, А. Б. Барбашина // ФТТ. 1988. — Т. 30, вып. 2. -С. 540−544.
  83. О.М. Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате / О. М. Голицына, Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин // ФТТ. 1998.-Т. 40, № 1.-С. 116−117.
  84. .Н. Эффекты взаимодействия доменных границ с подвижными точечными дефектами в кристаллах ТГС / Б. Н. Прасолов, И. А. Сафонова // Изв. РАН, сер.физ. 1995. — Т. 59, № 9. — С. 69−72.
  85. Л.Н. Подвижность доменных стенок облученного триглицинсульфата / Л. Н. Камышева, О. М. Голицына, Т. Н. Подгорная // ФТТ. 1998. — Т. 40, № 7. — С. 1321−1323.
  86. М.С. Механизмы нелинейности диэлектрической проницаемости монокристаллов группы триглицинсульфата / М. С. Цедрик, Г. А. Заборовский // Структура и свойства сегнетоэлектриков: сб. / Минск, пед. ин.-т. Минск, 1982. — С. 3−13.
  87. Л.Н. Подвижность доменных стенок в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата / Л. Н. Камышева, Т. Н. Подгорная // Кристаллография. 1999. — Т. 44, №. 2. — С. 304−307.
  88. С.Н. Особенности процессов переполяризации монокристаллов триглицинсульфата / С. Н. Дрождин, Л. Н. Камышева, О. М. Сердюк, Н. Н. Шевченко // Релаксационные процессы в диэлектриках: сб. / Воронеж, пед. ин-т. Воронеж, 1990. — С. 16−21. 7
  89. Л.Н. Особенности электрофизических свойств сегнетоэлектрического триглицинсульфата, обусловленные внутренним полем / Л. Н. Камышева, С. Н. Дрождин, О.М. Сердюк- Воронеж, гос. ун-т. -Воронеж, 1988. 43 с. — Деп. в ВИНИТИ 20.04.88, № 3043 — В 88.
  90. С.Д. Особенности электропроводности кристаллов ТГС в сегнетофазе / С. Д. Миловидова, А. С. Сидоркин, A.M. Саввинов, А. И. Маслаков // ФТТ. 1986. — Т. 28, вып. 8. — С. 2541−2543.л
  91. Э.С. Электрические свойства сегнетовой соли при двухчастотном воздействии / Э. С. Попов, С. Л. Рапопорт, А. В. Шильников // Изв. АН СССР, сер. физ. 1967. — Т. 31, № 7. — С. 1199−1201.
  92. А.В. Простейшая классификация механизмов движения доменных стенок в низко- и инфранизкочастотных полях / А. В. Шильников, Н. М. Галиярова, С. В. Горин, Д. Г. Васильев, Л. Х. Вологирова // Изв. АН СССР, сер. физ. 1991. — Т. 55, № 3. — С. 89−95.
  93. А.В. Процессы переполяризации кристаллов группы сегнетовой соли в слабых, средних, и сильных низко- и инфранизкочастотных электрических полях / А. В. Шильников, А.П.
  94. , Н.М. Галиярова, JI.A. Шувалов // Изв. РАН, сер.физ. 2003. — Т. 67,№ 8.-С. 1117−1123.
  95. А.В. Реверсивные зависимости е дейтерированной сегнетовой соли вблизи верхней и нижней точек Кюри / А. В. Шильников, Э. С. Попов, Е. Г. Надолинская, Н. М. Щагина // Кристаллография. 1985. — Т. 30, вып. 4.-С. 729−733.
  96. А.В. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах сегнетовой соли / А. В. Шильников, Э. С. Попов, C.JI. Рапопорт, JT.A. Шувалов // Кристаллография. 1970. — Т. 15, вып. 6. — С. 1176−1181.
  97. Н.М. Диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков, Iфрактальность и механизмы движения доменных и межфазных границ: дис. .д-ра физ.-мат. наук: 10 407 / Н. М. Галиярова. Воронеж, 2006. — 399 с.
  98. И.А. Физика кристаллических диэлектриков / И. А. Желудев. М.: Наука, 1968. — 463 с.
  99. Kamysheva L.N. The peculiarities of the electrophysical properties of the KDP group crystals connected with the domain structure dynamics / L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin // Ferroelectrics. 1987. — V. 71. — P.281−296.
  100. Mueller Y. Dielectric dispersion due to weak domain wall pinning in RbH2P04 / V. Mueller, Y. Shchur, H. Beige // Phys.Rev.B. 2002. — V. 65, № 13. -P. 134 102−1-134 102−6.
  101. Shur V.Ya. Domain nanotechnology in ferroelectrics: nano-domain engineering in lithium niobate crystals / V.Ya. Shur // ISDSD 07, Russia, Yekaterinburg, 22−26 august, 2007. P. 20−21.
  102. Kapsch R-P. Determination of the dynamical properties of ferroelectrics using nonlinear time series analysis / R-P. Kapsch, H. Kantz, R. Hegger // International Journal of Bifurcation and Chaos. 2001. — V. 11, № 4. — P. 10 191 034.
  103. Diestelhorst M. What can we learn about ferroelectrics using methods of nonlinear dynamics? / M. Diestelhorst // Condensed matter physics. 2003. — V. 6, № 2(34)-P. 189−196.
  104. Diestelhorst M. Chaos and stochastic resonance in ferroelectrics two effects related to switching / M. Diestelhorst // Ferroelectrics. — 2005. — V. 316. -P. 67−70.
  105. Rogazinskaya O.V. Electrophysic properties of TGS crystals grown at the temperatures below 0 °C / O.V. Rogazinskaya, S.D. Milovidova, A. S, Sidorkin, O.V. Yatsenko, A.N. Yuryev, Zh. Stekhanova // Ferroelectrics. 2004. — V. 307. -P. 251−254.
  106. Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, Н. Н. Крайник. М.: Наука, 1968. — 184 с.
  107. Gilletta F. Relaxation dielectrique daus les sulfate de glycogole multidomains / F. Gilletta, P. Lauginie, L. Taurl //C.R. Acad. Sci. 1970. — V. 270, № l.-P. B94-B96.
  108. А.С. Влияние подвижных точечных дефектов на процессы переполяризации сегнетоэлектриков / А. С. Сидоркин, В. Н. Федосов // ФТТ. -1977. Т. 19, № 6. — С. 1756−1759.
  109. В.Н. Нелинейность диэлектрической проницаемости в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами / В. Н. Федосов, А. С. Сидоркин // ФТТ. 1977. — Т. 19, № 6. — С. 1632−1637.
  110. Bornarel J.J. Experimental evidence for the longrange interaction of domains in ferroelectric KH2P04 / J.J. Bornarel, J. Lajzerowicz // Appl.Phys. — 1968. V. 39, № 9. — P. 4339−4341.
  111. Bornarel J.J. Interdomain and domain defect interactions in kdp / J.J. Bornarel, J. Lajzerowicz // Ferroelectrics. 1972. — V.4. — P. 177−186.
  112. Пешиков Е. В. Действие радиации на сегнетоэлектрики / Е. В. Пешиков. Ташкент: ФАН, 1986. — 138 с.
  113. С. А. Температурные изменения порогового поля диэлектрических потерь триглицинсульфата вблизи Тк / С. А. Гриднев, В. М. Попов, JI.A. Шувалов, В. Н. Нечаев // ФТТ. 1985. — Т. 27, вып. 1. — С. 3−7.
  114. Л.Н. Взаимодействие точечных дефектов с доменными стенками в водородсодержащих сегнетоэлектриках / Л. Н. Камышева, О. М. Сердюк, С. Н. Дрождин, О. А. Зайцева // ФТТ. 1990. — Т. 32, № 6. — С. 16 671 671.
  115. Mitsui Т. Domain structure of Rochelle salt and KH2P04 / T. Mitsui, J. Furuichi // Phys.Rev. 1953. — V. 90, № 2. — P. 193−202.
  116. Mitsui T. Kinetic properties of the domains in Rochelle salt / T. Mitsui, J. Furuichi // Phys.Rev. 1954. — V. 95, № 2. — P. 558.
  117. В.М. Об особенностях эффекта Баркгаузена в кристаллах сегнетовой соли и триглицинсульфата / В. М. Рудяк, Л. А. Шувалов, В. Е. Камаев // Изв. РАН, сер. физ. 1965. — Т. 29, № 6. — С. 943−947.
  118. А.В. О закономерностях переполяризации кристаллов ДТГС в синусоидальных электрических полях / А. В. Шильников, Н. М. Галиярова, А. П. Поздняков, В. А. Федорихин, JI.A. Шувалов // Изв. РАН. сер. физ. 2003. — Т. 67, № 8. — С. 1113−1116.
  119. В. Н. Нелинейность диэлектрической проницаемости в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами / В. Н. Федосов, А. С. Сидоркин // ФТТ. 1977. — Т. 19, № 6. — С. 87−92.
  120. JI.A. Импульсная переполяризация, кристаллов дейтерированного триглицинсульфата / JI.A. Шувалов // Кристаллография. -1960. Т. 5, вып. 3. — С. 409−414.
  121. Е.В. Влияние структурных дефектов на величину порога подвижности доменных границ в кристаллах КН2РО4 / Е. В. Пешиков // Кристаллография. 1980. — Т. 25, вып. 5. — С. 1080−1083.
  122. Fletcher S.R. Structural studies of triglicinesulphate Part I: low radiation dose (structure A) / S.R. Fletcher, E.T. Keve, A.C. Skapski // Ferroelectrics. -1976.-V. 14.-P. 775−787.
  123. В. Исследование легированных и облученных рентгеном монокристаллов ТГС методами ЭПР и ENDOR / В. Виндш // Изв. АН СССР, сер. физ. 1975. — Т. 39, № 5. — С. 914−918.
  124. С.З. Процессы образования и стабилизации парамагнитных радиационных дефектов в у-облученных кристаллах триглицинсульфата / С. З. Шульга, А. П. Демьянчук // Журнал прикладной спектроскопии. 1980. -Т. 32, вып. 2. -С. 307−312.
  125. Н.С. Влияние рентгеновского облучения на переполяризационные характеристики и доменную структуру в монокристаллах титаната бария / Н. С. Комлякова, Г. М. Некрасова // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. — Калинин, 1977. — С. 40−44.
  126. Л.Н. Особенности импульсной переполяризации облученных кристаллов триглицинсульфата / Л. Н. Камышева, О. М. Голицына, С. Н. Дрождин, А. Д. Масликов, А. Б. Барбашина // ФТТ. 1995. -Т. 37,№ 2. -С. 388−394.
  127. Е.В. Влияние внешних воздействий и дейтерирования на релаксацию доменных границ в кристаллах триглицинсульфата / Е. В. Пешиков // Кристаллография. 1975. — Т. 20, вып. 6. — С. 1230−1234.
  128. Л.И. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата / Л. И. Донцова, Н. А. Тихомирова,
  129. A.В. Гинзберг // ФТТ. 1980. — Т. 30, вып. 9. — С. 2692−2697.
  130. С. А. Диэлектрические и механические потери в сегнетокерамике цорконата-титаната свинца / С. А. Гриднев, Б. М. Даринский,
  131. B.C. Постников // Механизмы релаксационных явлений в твердых телах. -Москва, 1972. С. 206−211.
  132. А.П. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов / А. П. Леванюк, В. В. Осипов, А. С. Сигов, А. А. Собянин // ЖЭТФ. 1979. — Т. 76, № 1. — С. 345−368.
  133. А.С. Происхождение и спектральный состав люминесценции при перестройке доменной структуры сегнетоэлектриков / А. С. Сидоркин, Б. М. Даринский, Т. Н. Панкова // Изв. АН СССР, сер. физ. -1984. Т. 48, № 6. — С. 1135−1142.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!