Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ

Диссертация: Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Переход от микрок наноразмерным элементам электронной техники приводит к увеличению потребности в объективной информации о процессах, протекающих на границе твердых тел и активных газов. Данная информация имеет прямое отношение к физико-химическим основам производства и работы новейших электронных приборов, к таким их характеристикам, как точность, бесперебойность, долговечность. Повышенный… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
    • 1. 1. Поверхностные электронные состояния
    • 1. 2. Гетерогенные химические реакции на поверхности твердых тел
    • 1. 3. Адсорбция и десорбция атомов и молекул
    • 1. 4. Гетерогенная рекомбинация атомов
    • 1. 5. Методы исследования поверхности и процессов на границе твердых тел и активных газов
    • 1. 6. Горячие электроны в металлах и полупроводниках
    • 1. 7. Аккомодация энергии атомных частиц тепловых энергий твердым телом
    • 1. 8. Хемоэмиссия электронов с поверхности твердых тел в газовую среду
    • 1. 9. Неравновесная хемопроводимость полупроводников
    • 1. 10. Ограничение тока пространственным зарядом в полупроводниках
    • 1. 11. Эффект Шотки для систем твердое тело-газ и металл-полупроводник
    • 1. 12. Постановка задачи
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Экспериментальная установка
    • 2. 2. Образцы
    • 2. 3. Методика эксперимента
    • 2. 4. Погрешности и статистическая обработка результатов измерений
  • ГЛАВА 3. ЯВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ КАТАЛИЗАТОРА В
  • ХОДЕ ГЕТЕРОГЕННОЙ ХИМИЧЕСКОЙ РЕАКЦИИ И СОПУТСТВУЮЩИЕ ЭФФЕКТЫ
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Явление увеличения тока стимулированной электрическим полем эмиссии электронов вследствие электронного возбуждения катода в результате гетерогенного химического процесса
    • 3. 3. Хемоэмиссия горячих электронов из металла в полупроводник
    • 3. 4. Зависимость тока эмиссии горячих электронов из металла в полупроводник от времени выдержки образцов в среде атомарного водорода
    • 3. 5. Распыление золота атомарным водородом

Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность проблемы. В настоящее время конструирование новых материалов для микроэлектронной промышленности требует качественного понимания гетерогенных процессов, происходящих на так называемом «наноуровне" — к ним относятся рост нанотрубок, наночастиц и кристаллов, эпитаксия, катализ, плазменная обработка материалов и т. д. Перечисленные процессы служат основой современных наукоемких производств, но механизмы их протекания во многом остаются гипотетическими.

Переход от микрок наноразмерным элементам электронной техники приводит к увеличению потребности в объективной информации о процессах, протекающих на границе твердых тел и активных газов. Данная информация имеет прямое отношение к физико-химическим основам производства и работы новейших электронных приборов, к таким их характеристикам, как точность, бесперебойность, долговечность. Повышенный интерес к исследованиям чистых поверхностей, пленок, наноструктур объясняется нуждами химической, космической, микроэлектронной промышленности.

Физико-химические процессы, происходящие при взаимодействии поверхности твердых тел с молекулами и радикалами активной газовой смеси, сложны и многообразны. Влияние на них внешних факторов, состояния поверхности и природа самих процессов в полной мере еще не раскрыты.

Явления адсорбции, десорбции, эмиссии электронов, распыления поверхности при протекании гетерогенной химической реакции сопровождаются активным энергообменом между кристаллической решеткой и электронами твердого тела с одной стороны и частицами газовой смеси с другой. Процессы энергообмена на границе твердых тел и газов играют важную роль в гетерогенных явлениях. Если рассеяние выделяющейся на границе твердое тело — газ энергии затруднено, возможны процессы деградации и распыления кристаллов.

При столкновении атома или молекулы газа с поверхностью твердого тела в результате образования или переключения химических связей выделяется энергия порядка 1эВ. Релаксация возбужденных химических связей на поверхности обусловлена генерацией фононов и возникновением электронно-возбужденных состояний в твердом теле. О возбуждении электронной подсистемы поверхности свидетельствует люминесценция, неравновесная электропроводность, эмиссия электронов в газовую среду.

В настоящее время недостаточно изучено влияние физически адсорбированных частиц на процессы электронного возбуждения поверхности катализатора при протекании гетерогенной химической реакции. Актуальным является развития релаксационных методов исследования, основанных на прохождении возбужденными в ходе реакции электронами межфазных границ. На решение указанной проблемы и направлена данная работа, которая выполнялась при финансовой поддержке РФФИ (грант 05−03−96 403).

Цель работы — изучение процессов прохождения горячими электронами, возбужденными при протекании гетерогенной химической реакции Н+Н-«Н2, потенциальных барьеров на межфазных границах а) металл-полупроводникб) катализатор-газовая среда.

Научная новизна. Исследован процесс прохождения горячих электронов через межфазную границу металл-полупроводник. Установлено, что вероятность прохождения горячих электронов через межфазную границу металлическая пленка-полупроводник возрастает с ростом величины ускоряющего электроны электрического поля.

Обнаружен эффект распыления тонких пленок золота атомарным водородом. Установлено, что механизм распыления связан с электронным возбуждением металла в ходе гетерогенной реакции Н + Н Н2. Распыление атомов Аи происходит по ударному механизму в результате рекомбинации на поверхности электронов с дырками.

Изучено влияние длительной выдержки образцов металл-полупроводник в среде атомарного водорода на характеристики процессов электронного возбуждения (ЭДС хемоэмиссии, неравновесную проводимость образцов). Оно может быть обусловлено процессами на межфазных границах — адсорбцией атомов водорода на поверхности металла, диффузией протонов сквозь пленку золота и адсорбцией их на границе металл-полупроводник, приводящей к уменьшению потенциального барьера на границе для электронов.

Исследовано влияния очистки поверхностей, а также восстановления атомами Н поверхностных оксидов на эффект резкого увеличения тока стимулированной электрическим полем эмиссии горячих электронов через промежуток между твердым телом и иглой, расположенной перпендикулярно к поверхности, вследствие электронного возбуждения катода в результате гетерогенного химического процесса. В течение (1−5) ч выдержки образцов в среде атомарного водорода ток эмиссии электронов с их поверхности возрастает (до нескольких порядков). В тех же условиях ток эмиссии электронов с поверхности иглы со временем изменяется существенно меньше.

Достоверность полученных результатов. Особое внимание было уделено защите средств измерения и экспериментальной установки электрическими экранами от воздействия электромагнитных полей. Проводились «холостые» опыты. При этом в измерениях тока автоэлектронной эмиссии уровень электромагнитного 7 фона по току составлял не более 10″ А, при измерении хемоЭДС — 10″ В. В опытах использовался водород чистотой 99.995%, отсутствие примесей контролировали по спектру свечения высокочастотного разряда в газе. Подтверждением достаточно глубокой очистки поверхности образцов от адсорбционных загрязнений в условиях опытов и достоверности результатов служит получение воспроизводимых экспериментальных кривых. С целью проверки воспроизводимости экспериментальных данных неоднократно производилась повторная замена образцов в различной последовательности. Были получены идентичные результаты для одних и тех же образцов. Полученные экспериментальные данные допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Практическая значимость. Разработан метод изучения процесса прохождения горячих электронов через межфазную границу металл-полупроводник. Развит метод изучения электронной аккомодации при взаимодействии атомных частиц с поверхностью твердых тел с использованием структур металл-полупроводник. Применение методов исследования гетерогенных химических процессов, заключающихся в изучении возникающих при протекании реакции электронно-возбужденных состояний путем вывода горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и твердое тело-газ, позволило получить новую информацию о механизмах электронного возбуждения поверхности в ходе химической реакции, о роли электронной аккомодации в каталитическом ускорении реакции металлами, о механизмах распыления атомов твердых тел при гетерогенной рекомбинации атомов. Эта информация способствует развитию теории изучаемых явлений.

Защищаемые положения.

1. Вероятность прохождения горячих электронов металла через межфазную границу металл-полупроводник возрастает с ростом величины ускоряющего электроны электрического поля в связи с эффектом Шоттки и ограничением тока пространственным зарядом в полупроводниках.

2. При возбуждении золота в ходе гетерогенной химической реакции Н+Н—>Н2 плотность тока эмиссии горячих электронов из металлической пленки (Аи) в полупроводник (81) сложным образом зависит от времени выдержки структуры металл-полупроводник в среде атомарного водорода (часы), испытывая осцилляции.

3. Плотность тока стимулированной электрическим полем эмиссии с поверхности в газовую среду горячих электронов, возбужденных в ходе гетерогенной рекомбинации Н+Н—>Н2, зависит от природы материала катода и при прочих равных условиях убывает в ряду: МаОНБц СаваАБРЬТь.

4. В среде атомарного водорода наблюдается распыление тонких пленок.

12 золота, нанесенных на кристаллы кремния, со средней скоростью 5−10 ато-мов/(см2-с) — вероятность выбивания атома Аи с поверхности пленки в акте рекомбинации атомов Н составляет в среднем величину 5−10'5. Механизм эффекта включает электронное возбуждение поверхности атомарным водородом и ударную релаксацию этих возбуждений.

Личный вклад автора. Развиты методы исследований процессов энергообмена при гетерогенных химических реакциях с помощью вывода возбужденных электронов через межфазные границы. Исследован эффект эмиссии горячих электронов из тонкой металлической пленки в полупроводник и эффект стимулированной электрическим полем эмиссии горячих электронов с поверхности металлических и полупроводниковых образцов. Обнаружен и исследован эффект распыления атомарным водородом золотых пленок, нанесенных на поверхность полупроводника. Предложена интерпретация полученных результатов.

Структура и объем диссертации

Диссертация изложена на 116 страницах, иллюстрируется 48 рисунками и состоит из введения, трех глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 119 наименований.

Выводы. Распыление золота атомарным водородом обусловлено возбуждением электронной подсистемы металла при рекомбинации атомов Н на его поверхности, вероятно, что оно происходит в результате ударной рекомбинации на поверхности электронов с дырками.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. При протекании гетерогенной реакции Н + Н Н2 на поверхности зоо лотой пленки толщиной с/ ~ 10″ м, нанесенной на поверхность кремния п — типа, происходит электронное возбуждение металла с последующей диффузией горячих электронов через пленку и межфазную границу металл-полупроводник. Вероятность прохождения горячих электронов металла через межфазную границу металлическая пленка-полупроводник возрастает с ростом величины ускоряющего электроны электрического поля в связи с эффектом Шоттки и ограничением тока пространственным зарядом.

2. Характеристики процесса электронного возбуждения поверхности катализатора реакции и эмиссии горячих электронов через межфазную границу металл-полупроводник сильно зависят от длительности выдержки (на интервалах г ~ 104 с) структуры металл-полупроводник в среде атомарного водорода: изменяясь симбатно, их зависимости проходят через максимум, затем со временем уменьшаются до нуля. Эффект, вероятно, обусловлен диффузией протонов и их адсорбцией на границе металл-полупроводник. В тех же условиях сопротивление структуры металл-полупроводник (величин и Яр) от длительности т ее выдержки в среде атомов Я зависит незначительно.

3. В среде атомарного водорода наблюдается распыление тонких пленок золота, нанесенных на кристаллы кремния и германия. Механизм распыления, вероятно, связан с релаксацией электронно-дырочных возбуждений металла, возникших в ходе гетерогенной реакции Н + Н -> Н2.

4. Эмиссия горячих электронов через межфазную границу катализатор реакции-активный газ зависит от природы материала катализатора и степени его очистки от адсорбированных молекул.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , В. Ф. Основы физики поверхности твердого тела Текст. / С. Н. Козлов, А. В. Зотеев В. Ф. Киселев. М.: Изд-во Московского ун-та. Физический факультет МГУ, 1999. — 284 с.
  2. , Л. С. Физика полупроводников Текст. / Л. С. Стильбанс. -М.: Советское радио, 1967. 452 с.
  3. , И. А. Основы материаловедения и технологии полупроводников Текст. / И. А. Случинская. М.: МИФИ, 2002. — 378 с.
  4. , Г. Электроника дефектов в полупроводниках Текст. / Г. Матаре. М.: Мир, 1974. — 464 с.
  5. , К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии Текст. / К. Рейви. М.: Мир, 1984. — 475 с.
  6. , Б. И. Электронные ловушки на поверхности полупроводников Текст. / Б. И. Бедный // Соросовский образовательный журнал. 1998. — № 7. — С. 114−121.
  7. , К. Физика полупроводников Текст. / К. Зеегер. М.: Мир, 1977. -615с.
  8. , Э. Физика поверхности Текст. / Э. Зенгуил. М.: Мир, 1989.440 с.
  9. , В. Г. Процессы на поверхности твердых тел Текст. / В. Г. Лифшиц, С. М. Репинский. Владивосток: Дальнаука, 2003. — 704 с.
  10. , Г. П. Физические явления на поверхности полупроводников Текст. / Г. П. Пека. Киев: Вища шк., 1984. — 214 с.
  11. , П. В. Физика твердого тела Текст.: учебник / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского ун-та, 1993. — 491 с.
  12. , В. Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты Текст. / В. Ф. Харламов. Томск: Изд-во Томского ун-та, 1994.-207 с.
  13. Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников Текст. / Ф. Ф. Волькенштейн. М.: Наука, 1973. — 399 с.
  14. , С. Химическая физика поверхности твердого тела Текст. / С. Моррисон — под ред. Ф. Ф. Волькенштейна — пер. с англ. А. Я. Шульмана. М.: Мир, 1980.-488 с.
  15. Теория хемосорбции Текст. / под ред. Дж. Смита. М.: Мир, 1983.492 с.
  16. , В. П. Скорость химической реакции Текст. / В. П. Жданов. -Новосибирск: Наука, 1986. 101 с.
  17. , В. П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности Текст. / В. П. Жданов. Новосибирск: Наука, 1988. — 320 с.
  18. , Ю. Г. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов Текст. / Ю. Г. Птушинский, Б. А. Чуйков // Поверхность. 1992. — № 9.- С. 5−26.
  19. Кинетика адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности твердых тел Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Письма в ЖТФ. 1998. — Т. 24, N 5.- С. 23−27.
  20. , Г. С. Кинетика модельных реакций гетерогенного катализа Текст. / Г. С. Яблонский, В. И. Быков, В. И. Елохин. Новосибирск: Наука. 1984.-223 с.
  21. , В. П. Электронные состояния на поверхности цинк-сульфидных кристаллофосфоров Текст. / В. П. Гранкин // Журнал прикладной спектроскопии. 1998. — Т. 63, № 3. — С. 403−406.
  22. , В. П. Возбуждение неравновесной проводимости при адсорбции атомов водорода на окиси цинка Текст. / В. П. Гранкин // ПЖТФ. 1980.-Т. 31, Вып. 7.-С. 608−612.
  23. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел по данным хемолюминесценции Текст. / В. П. Гранкин [и др.] // Журнал физической химии. 1996. — Т. 70, №. 10. — С. 1863−1868.
  24. Kharlamov, V. F. Field and intensity of radical-recombination luminescence Text. / V. F. Kharlamov, M. D. Nurshanov // React. Kinet. Catal. Lett. 1982 — Vol. 21.-№ 1−2. -P 151−155.
  25. , В. Ф. Механизм возбуждения оксида кальция атомарным водородом Текст. / В. Ф. Харламов // Химическая физика. 1991. — Т. 10, № 8. -С. 1084−1090.
  26. , В. Ф. Влияние захвата атомов в предадсорбционные состояния на кинетику их гетерогенной рекомбинации на поверхности твердых тел Текст. / В. Ф. Харламов // Журнал физической химии. 1997. — Т. 71, N 4. — С 672−676.
  27. Предсорбционные состояния атомов водорода и кислорода на поверхности твердых тел Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Тезисы докладов IV Всероссийского симпозиума «Актуальные проблемы адсорбционных процессов». -М. :ИХФРАН, 1998.-С. 132.
  28. , В. Ф. Динамический эффект при рекомбинации атомов на поверхности полупроводников Текст. / В. Ф. Харламов, В. Н. Лисецкий, Г. Г. Савельев // Химическая физика. 1990. — Т. 9, № 5. — С. 603−610.
  29. Начальный пик на зависимости от времени скорости гетерогенной рекомбинации атомов водорода на поверхности кристаллофосфоров Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Письма в ЖТФ. 1998. — Т. 24, N 3. — С. 54−59.
  30. Kharlamov, V. F. Micromechanizm of hydrogen atoms recombination on the (111) face of germanium Text. / V. F. Kharlamov // React.Kinet. Catal. Lett. 1980. -Vol. 15. — N 3. — P. 333−338.
  31. , В. Ф. Рекомбинация предадсорбированных атомов кислорода на поверхности твердых тел. Текст. / В. Ф. Харламов, К. М. Ануфриев // Письма в ЖТФ. 1999. — Т. 25, № 15. — С. 27−32.
  32. Метод релаксационных измерений в гетерогенном катализе. Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Тезисы докладов V-ro Международного совещания-семинара «Инженерно-физические проблемы новой техники». -М.: МГТУ, 1998. С. 269.
  33. , Ю. В. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы Текст. :дис.. канд. физ.-мат. наук: защищена 22.01.98: утв. 15.07.98. / Ю. В. Мосин. -Курск, 1998.-97 с.
  34. , О. А. Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом Текст.: дис.. канд. физ.-мат. наук: защищена 13.02.98: утв. 25.06.98. / О. А. Иващук. Курск, 1998. -139 с.
  35. Фроленкова, J1. Ю. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами Текст.: дис. канд. физ.-мат. наук: защищена 17.03.01.: утв. 18.08.01. / JI. Ю. Фроленкова. Курск, 2001.- 102 с.
  36. , А. В. Релаксационные методы контроля состояния частиц газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях Текст.: автореф. дис. канд. тех. Наук / А. В. Бармин. Орел, 2003. — 19 с.
  37. , И. А. Возбуждение радикалорекомбинационной люминисценции кристаллофосфоров «пакетами» активных частиц газа большой плотности Текст.: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / И. А. Макушев. Курск, 2003.- 19 с.
  38. , С. Н. Неравновесная хемопроводимость полупроводников и структур металл-полупроводник-металл Текст.: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / С. Н. Ромашин. Курск, 2005. — 19 с.
  39. , А. В. Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией Текст.: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / А. В. Седов. Курск, 2005. — 19 с.
  40. , В. Ф. Распыление свинца атомами водорода тепловых энергий Текст. / В. Ф. Харламов, А. Ф. Горбачев, О. И. Клыков // Химическая физика. 1986. — № 5. — С. 708−710.
  41. , В. И. Введение в физику полупроводников Текст. / В. И. Фистуль. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1984. — 352 с.: ил.
  42. , Д. Современные методы исследования поверхности Текст. / Д. Вудраф, Т. Делчар — пер. с англ. М.: Мир, 1989. — 564 с.
  43. , Л. В. Физические методы исследования в химии Текст. / Л. В. Вилков, Ю. А. Пентин. М.: Высш. шк., 1989. — 288 с.
  44. , В. Ф. Физико-химические методы анализа Текст. / В. Ф. Барковский, С. М. Горелик Т. Б. Городенцева. М.: Высш. шк., 1972. — 272 с.
  45. Экспериментальные методы химической кинетики Текст. / под ред. Н. М. Эмануэля, М. Г. Кузьмина. // Изд-во Московского ун-та, 1985. 429 с.
  46. Методы исследования катализаторов Текст.: пер. с англ. / под ред. Томас Дж., Р. Лемберта. М.: Мир, 1983. — 304 с.
  47. , П. Физическая химия Текст. / П. Эткинс — пер. с англ. К. П. Бутина. М.: Мир, 1980. — 584 с.
  48. , М. Химия поверхности раздела металл-газ Текст. / М. Роберте, Ч. Макки. М.: Мир, 1981. — 317 с.
  49. , А. Г. Физическая химия Текст. / А. Г. Стромберг, Д. П. Семченко — под ред. А. Г. Стромберга. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1988.-496 с.
  50. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников Текст. / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. -М.: Наука, 1990. 686 с.
  51. Релаксационный метод исследования гетерогенных химических реакций с временным разрешением 10"5 с. Текст. / В. Ф. Харламов // Тезисы докладов Всероссийской школы-симпозиума молодых ученых «Современная химическая физика», Туапсе, 2003. — С. 65.
  52. , В. И. Физические методы исследования поверхности твердых тел Текст. / В. И. Нефедов, В. Т. Черепин. -М.: Наука, 1983. 296 с.
  53. Исследование глубоких ловушек на интерфейсе БЮг/бН-БЮ методом неравновесного эффекта поля Текст. / Т. П. Самсонов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2001. — Т. 35, Вып. 4. — С. 482−488.
  54. , А. П. Применение метода поверхностной фото-ЭДС для анализа процессов химической обработки арсенида галлия Текст. / А. П. Штейегарт // Вестник Новгородского ГУ. Сер. З, Техн. науки. 2004. — № 26. — С. 173−174.
  55. , М. М. Эллипсометрия Текст. / М. М. Горшкова. М.: Мир, 1974.-388 с.
  56. , А. В. Основы эллипсометрии Текст. / А. В. Ржанов, К. К. Свиташев, А. И. Семененко. Новосибирск: Наука, 1979. — 426 с.
  57. , Р. Эллипсометрия и поляризованный свет Текст.: пер. с англ. / Р. Азаам, Н. Башира. М.: Мир, 1981.-342 с.
  58. , Р. Р. Эллипсометрия в микроэлектронике Текст. / Р. Р. Резвый. М.: Радио и связь, 1983. — 294 с.
  59. С.С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок Текст. /: Учеб. пособие. М.: Изд-во МГУ, 1992. — 94 с.
  60. , Л. Основы анализа поверхности и тонких пленок Текст. / Л. Фельдман, Д. Майер. М.: Мир, 1989. — 344 с.
  61. , И. Б. Физические основы рентгеноспектральных исследований Текст. / И. Б. Боровский. М.: Изд-во МГУ, 1956. — 482 с.
  62. , А. Л. Автономия микроскопия радиационных дефектов в металлах Текст. / А. Л. Суворов. М.: Энергоиздат, 1982. — 161 с.
  63. , М. Зондовый анализ в автономной микроскопии Текст. — пер. с англ. / М. Миллер, Г. Смит. М.: Мир, 1999. — 301 с.
  64. , В. Ф. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел Текст. / В. Ф. Кулешов, Ю. А. Кухаренко, С. А. Фридрихов. М.: Наука, 1985. — 290 с.
  65. , А. Н. Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ) Текст.: учеб. пособие / А. Н. Андронов, Н. А. Пронина. СПб.: Изд-во СПб ГТУ, 1997. — 45 с.
  66. , Ю. А. Резонансное упругое рассеяние медленных электронов в твердых телах вблизи порогов неупругих каналов Текст. / Ю. А. Кухаренко, С. А. Фридрихов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982.-№ 1. — С. 43−57.
  67. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. М.: Мир, 1987. — 600 с.
  68. , Н. П. Актуальные вопросы вторично-эмиссионной спектроскопии Текст. / Н. П. Бажанова, В. В. Кораблев, Ю. А. Кудинов. Л.: ЛПИ, 1985.-88 с.
  69. Физическая энциклопедия Текст. Т. 1. Ааронова-Длинные / гл. ред. А. М. Прохоров. М.: Большая Российская энциклопедия, 1992. — 704 с.
  70. К. К. Люминесценция ртутеподобных ионов Текст. / К. К. Ребане, П. М. Саари, Т. X. Мауринг // Изв. АН СССР. Сер., физика. 1973. — Т. 37,№ 4.-С. 848−852.
  71. , М. А. Природа уширения спектров Текст. / М. А. Кривоглаз // ЖЭТФ. 1961. — Т. 40, № 5. — С. 567−573.
  72. , В. Ф. Фононное возбуждение в твердом теле в простых химических реакциях на поверхности Текст. / В. Ф. Харламов // Журнал физической химии. 1976. — Т. 50, № 9. — С. 2325−2330.
  73. , Ю. И. Десорбция молекул водорода, стимулированная рекомбинацией атомов Текст. / Ю. И. Тюрин, В. П. Гранкин // Химическая физика. 1982. — № 11. — С. 1529−1538.
  74. , А. Ф. Люминесценция при взаимодействии атомарно-чистой поверхности сульфида цинка с атомарным водородом Текст. / А. Ф. Горбачев,
  75. B. М. Толмачев, В. Ф. Харламов // Известия вузов. Сер., физика. 1987, № 3. — С. 120−121.
  76. , В. В. Эмиссия заряженных частиц и фотонов при взаимодействии атомов с твердыми телами Текст. / В. В. Стыров, В. Ф. Харламов, Л. И. Ягново. М.: Наука, 1972, С. 72−73.
  77. , А. Н. Эмиссия электронов с поверхности фосфора при радикалерекомбинационной люминесценции Текст. / А. Н. Горбань, В. П. Пинчук, В. Г. Корнич. // Известия АН СССР. Сер, физика. 1974. — Т. 38, № 6.1. C. 1341−1343.
  78. , В. Ф. Эмиссия электронов в актах рекомбинации атомов на поверхности диэлектриков Текст. / В. Ф. Харламов // Кинетика и катализ. 1979. -Т 20, № 4. — С. 946−950.
  79. Электронное возбуждение металлов активным газом и сопутствующие эффекты Текст. / С. Н. Ромашин [и др.] // Доклады XVI Всероссийского симпозиума «Современная химическая физика». Туапсе, 2004. — С. 158−159.
  80. , В. Ф. Хемоэмиссия электронов из металла в полупроводник Текст. / В. Ф. Харламов, С. Н. Ромашин, А. В. Седов // Письма в ЖТФ. 2004. -Т. 30, Вып. 17. — С. 48−54.
  81. , Ф. Ф. Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников Текст. / Ф. Ф. Волькенштейн, А. Н. Горбань, В. А. Соколов. -М.: Наука, 1973.-399 с.
  82. , Е. П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов Текст. / Е. П. Шешин. М.: Издательство МФТИ, 2001. -288 с.
  83. , В. Ф. Эмиссия положительных ионов при взаимодействии диссоциированных газов с щелочно-галлоидными кристаллами Текст. / В. Ф. Харламов, В. В. Стыров // Известия вузов. Сер., Физика. — 1975. — Т 46, № 5. -С. 54−59.
  84. , В. Ф. Химическая эмиссия положительных ионов с поверхности оксида кальция. Текст. / В. Ф. Харламов // Журнал Физической Химии. 1990. — Т 64, Вып. 2. — С. 566−568.
  85. Микроэлектроника Текст.: учеб. пособие для втузов. В 9 кн. Кн. 1. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники / О. В. Митрофанов, Б. М. Симонов, Л. А. Коледов — под ред. Л. А. Коледова. М.: Высш. шк., 1987.- 168 с.
  86. , Л. Н. Эмиссионная электроника Текст. / Л. Н. Добрецов, М. В. Гомоюнова. М., 1966. — 564 с.
  87. , Г. И. Физические основы микроэлектроники Текст. / Г. И. Епифанов.-М.: Советское радио, 1971.-375 с.
  88. , И. П. Основы микроэлектроники Текст. / И. П. Степаненко. М.: Советское радио, 1980. — 424 с.
  89. Borrell. Molecular Relaxation Processes Text. London: The Chemical Society, 1966.-263 P.
  90. , Г. Экспериментальные методы в неорганической химии Текст. / Г. Луке — под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой — пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой. М.: Мир, 1965. — 656 с.
  91. , В. Ф. Химическая эмиссия электронов и фотонов с поверхности кристаллофосфоров Текст.: автореф. дис. докт. физ.-мат. наук / В. Ф. Харламов. Новосибирск, 1990. — 31 с.
  92. , В. Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами Текст.: дис.. канд. физ.-мат. наук / В. Ф. Харламов. Томск., 1976. — 177 с.
  93. , И. Н. Процессы при высоком напряжении в вакууме Текст. / И. Н. Сливков. М.: Энергоатомиздат, 1986. -256 с.
  94. , Н. В. Основы очистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике Текст. /Н. В. Черепнин. М.: Атомиздат, 1967. -408 с.
  95. , А. Н. Ошибки измерений физических величин Текст. / А. Н. Зайдель. Л.: Наука, 1974. — 108 с.
  96. , В. Е. Теория вероятностей и математическая статистика Текст.: учеб. пособ. для втузов / В. Е. Гмурман. М.: Выс. шк., 1977. — 479 с.
  97. , Дж. Прикладной анализ случайных данных Текст. / Дж. Бендат, А. Пирсол. М.: Мир, 1989. — 540 с.
  98. , Г. Справочник по математике Текст. (для научных работников и инженеров / Г. Корн, Т. Корн. М.: Наука, 1978. — 832 с.
  99. , О. Н. Обработка результатов наблюдений / О. Н. Кассандрова, В. В. Лебедев. М.: Наука, 1970. — 104 с.
  100. , В. П. Высокоэффективная электронная аккомодация при взаимодействии атомов водорода с поверхностью монокристалла сульфида цинка Текст. / В. П. Гранкин, В. Ю. Шаламов // Журнал технической физики. -2000.-Т. 26, Вып. 5.-С. 57−61.
  101. McCreerv, I. H. A model potention for chemisorbtion: H2+W (001) Text. / I. H. McCreerv, G. Wolker // J. Chem. Phys. 1975. — Vol. 63, № 6. — P. 2340−2349.
  102. , Ю. П. Хемилюминесценция с позиций термодинамики Текст. / Ю. П. Чукова // Изв. АН СССР, Сер., физика. 1987. — Т. 51, № 3. — С. 531−539.
  103. Kettle, Sydney. Structure of the ZnS Text. / Sydney Kettle // J. Crystallogr. and Spectrosc. Res. 1990. — Vol. 20, № 1. — P. 59−67.
  104. Механизмы и эффективность электронного возбуждения полупроводников в актах химических превращений на поверхности Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Теор. и экспер. химия. 1978. — Т. 14. — С. 788−795.
  105. , В. В. Высокоэффективная электронная аккомодация при взаимодействии атомарного водорода с монокристаллом германия Текст. / В. В. Стыров, А. Е. Кабанский // ЖЭТФ. 1979. — Т. 76. — С. 1803−1807.
  106. , В. Ф. Релаксационные методы для определения механизма образования продукта в ходе каталитических реакций Текст. / В. Ф. Харламов // Кинетика и катализ. 2005. — Т. 46. — С. 297.
  107. , В. В. Гетерогенная хемолюминесценция на границе газ-твердое тело Текст. / В. В. Стыров // Изв. АН СССР, Сер., физика. 1987. — Т. 51, № 3.-С. 524−530.
  108. Измайлов, III. JI. Взаимодействие атомарного и молекулярного водорода с ZnS и СаО Текст. / Ш. Л. Измайлов, В. Ф. Харламов // Кинетика и катализ. 1982. — Т. 23, Вып. 5. — С. 1179−1182.
  109. , А. И. Ионная эмиссия и распыление при рекомбинации радикалов на поверхности твердого тела Текст. / А. И. Бажин, Е. М. Малиенко // Журнал физической химии. 1976. — Т. 50, № 7. — С. 1732−1734.
  110. Взаимодействие атомов водорода с поверхностью, обработанной солями щелочных металлов Текст. / И. М. Рубцов [и др.] // Химическая физика. 1984. — Т. 3, № 12. — С. 1719−1723.
  111. Ансамбли наночастиц в катализе превращений галогенуглеводородов Текст. / В. М. Кожевин [и др.] // Доклады академии наук. 2002. — Т. 387, № 6. -С. 785−789.
  112. , В. И. Вторичная ионная эмиссия металлов Текст. / В. И. Векслер. -М.: Наука, 1978. 145 с.
  113. , В. А. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел Текст. / В. А. Лавренко. Киев: Наукова думка, 1973. — 203 с.
  114. Метод определения состояний молекул и радикалов газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Письма в журнал технической физики. 2002. — Т. 28, Вып. 13.-С. 67−73.
  115. , Д. Хемосорбция водорода Текст. / Д. Хориути, Т. Тоя // Поверхностные свойства твердых тел. М.: Мир, 1972. — С. 11−103.
  116. , В. Ф. Концентрационные колебания атомарного водорода, адсорбированного на поверхности сульфида цинка Текст. / В. Ф. Харламов // Журнал физической химии. 1985. — Т. 59, № 12. — С. 3017−3021.
  117. Chemisorptive emission and luminescence Text. / M. P. Cox, J. S. Foord, R. M. Lambert, R. H. Prince // Surf. Sei. 1983. — Vol. 129, N 2−3. — P. 375−418.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!