Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Тонкопленочные композиции на основе диоксида гафния и оксида алюминия: синтез и характеризация

Диссертация: Тонкопленочные композиции на основе диоксида гафния и оксида алюминия: синтез и характеризация
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Рассмотренные литературные источники показывают, что к началу выполнения данной работы был известен широкий набор исходных летучих соединений и методов синтеза пленок оксидов. Имеющиеся литературные данные о зависимости состава, структуры и свойств пленок от метода и условий их получения фрагментарны, и часто противоречивы. Из литературных данных невозможно установить взаимосвязь свойств пленок… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Методы синтеза пленок простых и многокомпонентных оксидов металлов
      • 1. 1. 1. Физические методы
      • 1. 1. 2. Химические методы
    • 1. 2. Исходные соединения для синтеза пленок НГОг, А12Оз и композиций на их основе
      • 1. 2. 1. Исходные соединения для синтеза пленок НЮ
      • 1. 2. 2. Исходные соединения для синтеза пленок А
      • 1. 2. 3. Исходные соединения для синтеза пленок композиции (АЬОзХСНГО^х
    • 1. 3. Характеризация
      • 1. 3. 1. Скорость роста и толщина
      • 1. 3. 2. Химический состав (ИК-, КР-спектроскопия)
      • 1. 3. 3. Химический состав (РФЭ-спектроскопия)
      • 1. 3. 4. Фазовый состав пленок
      • 1. 3. 5. Диэлектрическая проницаемость
      • 1. 3. 6. Токи утечки

Тонкопленочные композиции на основе диоксида гафния и оксида алюминия: синтез и характеризация (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Возникший в последнее десятилетие научный и практический интерес к пленкам материалов с высокимзначением диэлектрической проницаемости^ к (<</и?/г-Ь>-диэлектрики, к=&-) обусловлен широкими возможностями их прикладного применения, в первую очередь в электронной технике. Переход к использованию таких материалов является ключевым, моментом для* продолжения генеральной линии развития полупроводниковой электроники, связанной с уменьшением топологических размеров. Среди оксидов металлов оксиды гафния и алюминия привлекают наибольшее внимание исследователей ввиду высоких значений диэлектрической проницаемости, и ширины запрещенной зоны. Термодинамическая стабильность НЮ2 в контакте с кремнием, а А1203 — с рядом полупроводников АшвУ делают эти материалы икомпозиции на их основе перспективными кандидатами для замены 8Ю2 (и8Юх№.х) в качестве затворного диэлектрика МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)-транзисторов и элементов флэш-памяти. Эти материалы могут быть полезны в создании приборов, на углеродных нанотрубках, оптических и сенсорных устройств, высокопрочных, коррозионностойких, износостойких покрытий и др.

Необходимость * создания новых материалов требует расширения круга используемых в процессах их получения исходных соединений (веществ-предшественников), природа которых играет ключевую роль при формировании материалов с заданными свойствами. В качестве перспективных рассматриваются комплексные соединения металлов. Достоинством этих веществ является совокупность физико-химических характеристик, необходимых для реализации СУБ-процессов, а также наличие в их молекулах готовых фрагментов для создания пленок с заданным химическим составом. Использование этих веществ существенно упрощает технологические процессы.

К началу данной работы в лаборатории химии летучих координационных и металлорганических соединений, ИНХ' СО РАН был накоплен опыт шу синтезу, глубокой очистке и исследованию физико-химических свойств летучих соединений, перспективных в качестве исходных веществ для СУО-процессов.

В связи с этим научную и практическую значимость представляет разработка новых способов получения пленок НГО2, А120з и композиций на их основе, способных реализовать совокупность функций диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. Корреляция условий получения с химическим и. фазовым составом, структурой и функциональными свойствами являются базовыми в разработке технологических процессов.

Цель работы. Разработка процессов получения слоев НЮ2, А1203 и (А120з)х (НЮ2)1-х с функцией диэлектриков с высоким значением диэлектрической проницаемости (?>10) на основе получения новых данных о зависимости функциональных свойств синтезируемых материалов от их химического строения, структуры.

В работе решались следующие задачи:

— выбор летучих комплексных соединений для синтеза слоев НЮ2, А1203 и (А1203)х (НЮ2)1-х в условиях, приближенных к кремниевой технологии;

— адаптация, метода газофазного химического осаждения к условиям ввода паров летучих соединенийразработка схемы процесса осаждения пленок в соответствии со свойствами веществ-предшественников: нахождение условий процесса осаждения (температура источников, подложки, величины газовых потоков), и получение образцов структур на с последующим исследованием химического, фазового состава, структуры, физических и электрофизических свойств;

— разработка подходов к исследованию химического, фазового состава и структуры, простых и сложных оксидных слоев на кремнии;

— исследование химического состава и: структуры композиций НГО2/81, АЬОз/Э! и (А1203)х (НЮ2)1.х /Б!- .

— получение данных о физических и электрофизических свойствах исследуемых пленок и тестовых МДП-струк гур.

Научная новизна;

Разработаны СУТ)-процессы осаждения пленою НЮ2, А1203 и композиций на их основе изЬЩШс!)^ и А1(асас)3 с контролируемой скоростью роста, составом и структурой:

Разработан способ синтеза пленок с изменяющимся по толщине составом, что позволило при использовании результатов послойного анализа таких образцов получить данные, подтверждающие образование трехкомпонентных пленок как результат химического взаимодействия оксидов гафния и шпоминия.

Проведены комплексные: исследования*, химического й фазового состава, структуры и свойств осажденных слоев НЮ2, А12Оз и композиций на их основе, впервые синтезированных из НГ (Шс1)4 и? А1(асас)з.

С использованием метода КР-спектроскопии впервые изучены химические и структурные формывключений! углеродав пленках «high-b>-диэлектриков, получаемых из металлоорганических соединений:

Практическая значимость.,.

Полученные данные о взаимосвязи условий' синтеза с составом, структурой и свойствами осаждаемых слоев могут быть использованы, для ОКР с целью разработки технологических процессов осаждения пленок НГО2, А1203 и (А12Оз)х (НЮ2)1-х. в качестве диэлектриков с высоким значением? диэлектрической проницаемости 18). .

Предложено использовать лазерную эллипсометрию в качестве экспрессного неразрушающего метода при оптимизации процессов получения сложных ламинатных и градиентных структур.

Основные принципы используемых подходов носят общий характер и могут быть применены, для исследования других тонкопленочных композиций.

На защиту выносятся:

— CVD-процессы осаждения как однородных, так и градиентных по составу и структуре пленок НЮг, А12Оз и композиций на их основе;

— результатыисследования зависимости скоростей роста от варьируемых параметров процесса осаждения;

— результаты исследования химического и фазового состава, структуры и свойств осаждаемых слоев.

Личный вклад автора.

Автор самостоятельно выполнял экспериментальную работу по осаждению: пленок, эллипсометрические и электрофизические измерения^ и расчеты. Соискатель, принимал участие в постановке цели и задач, а также планировании экспериментовв проведении ИК-, КР-, ЭД-спектроскопических измеренийв- компьютерной обработке всех экспериментальных и аналитических данныхв интерпретации и обсуждении полученных результатов и формулировке выводовв подготовке научных публикаций.

Апробация работы. Материалы работы представлялись на П-й Всероссийской конференции по наноматериалам «НАНО-2007» (Новосибирск, 2007) — на International Conference «Microand nanoelectronics -2007» (Москва-Звенигород, 2007) — на 9 International Workshops and Tutorials on Electron Devices and Materials EDM-2008 (Эрлагол, 2008) — на Региональном молодежном научно-техническом форуме Сиб-ХИТ-2008 (Новосибирск, 2008) — на Международномфоруме по нанотехнологиям (Москва, 2008) — на АРАМ General assembly and Conference «State of materials research and new trends in material science» (India, 2008) — на Международном молодежном научном форуме «Ломоносов-2009» (Москва, 2009) — на Ш-й Всероссийской конференции по наноматериалам «НАНО-2009″ (Екатеринбург, 2009) — на 10й Международной конференции-семинаре по микро/нанотехнологиям и электронным приборам EDM'2009 (Эрлагол, 2009) — на IV-й Международной конференции и V Школе молодых ученых и специалистов по актуальным» проблемам физики, материаловедения, технологиии диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его* основе- «Кремний-2009» (Новосибирск, 2009) — на Fourth Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductors Materials andDevices (Новосибирск, 2009) — на Russian-Japanese Workshop (review conference) «State of materials research and new trends in material science» (Новосибирск, 2009), на Конкурсе-конференции молодых ученых, посвященной 80-летию Б. И. Пещевицкого (Новосибирск, 2009), на VII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов» (Москва, 2010).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 4 статьи в рецензируемых журналах, 5 публикаций и 14 тезисов докладов в сборниках трудов конференций.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов, списка цитируемой литературы (194 наименования). Объем работы 122 страницы, в том числе 41 рисунок и 13 таблиц.

Основные результаты работы опубликованы в [168, 173, 188−194].

1.4.

Заключение

.

Рассмотренные литературные источники показывают, что к началу выполнения данной работы был известен широкий набор исходных летучих соединений и методов синтеза пленок оксидов. Имеющиеся литературные данные о зависимости состава, структуры и свойств пленок от метода и условий их получения фрагментарны, и часто противоречивы. Из литературных данных невозможно установить взаимосвязь свойств пленок с условиями их получения, так как в публикациях, как правило, не приводится детальное описание процессов и их параметров. Поэтому сложно выделить те факторы, которые определяют появление собственных и примесных дефектных состояний, влияющих на функциональные свойства пленок. До настоящего времени не удалось реализовать технологии получения «high-b>-диэлектриков с требуемыми характеристиками из летучих комплексных соединений металлов, которые имеют определенные преимущества по сравнению с используемыми в существующих технологиях исходными веществами. Поэтому исследования в данном направлении продолжают активно развиваться.

В литературе сравнительно мало данных о применении /?-дикетонатов в СVI) и А1Л} процессах осаждения пленок Н/02 и (А1203)х (Н/02) ихВ ИНХ СО РАН разработаны методики синтеза комплексных соединений гафния и алюминия с высоким процентом выхода, получены данные о температурной зависимости давления паров ряда исходных соединений, изучен механизм их термодеструкции [42−46, 156, 157, 193], что позволяет целенаправленно подойти к поиску условий синтеза пленок с контролируемой скоростью и заданного состава.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТ.

Проводимая в ходе данноШработы экспериментальная работа является? работой научно-исследовательской1 (НИР)), предполагающейсвоим" итогом? получение новых принципиальных данных о взаимосвязи условий процесса с составом, структурой и свойствамитонких пленок, синтезируемыхизкомплексных соединений Н/ к А1. Весь массив экспериментальнойработы можно условно, разделить на 2 этапа: На первом этапе, разработан! процесс осаждения тонких (20−500 нм) пленок Н/02, с использованием комплекса методов получены данные о взаимосвязи условий осаждения с химическим составом, структурой и свойствами. Полученная информация может быть, использована для дальнейшей оптимизациипроцесса: осаждения с целью получения пленок Н/02 с требуемым значением диэлектрической проницаемости и низкими. токами'утечки через диэлектрик./Второй эташбыл посвящен разработке процесса синтеза слоев (А1203)х (Н/02) 1-х и изучению составаструктуры и свойств этих пленок. Этот, эта! I включал в себя создание процесса осаждения пленок А1203, изучение их состава структуры и свойств, а также исследование свойств ламинатных структур со слоями Н/02 и А1203,.

Схема исследованийпроведенных в данной работе, показана на рис. 7. Полученные данные могут быть использованыпри проведении: опытно-конструкторскихработ (ОКР) для разработки технологических процессов получения диэлектрических. материалов различного, функционального назначения.

Ш"" 1ч й к."?—" а **? * § «*"**> & * ¦, ' >

Технологический процесс, прототипы приборов.

-¡-:Тонкопленрчныйк.:^1.,. л-.- :

Тонколленочный /.материал.

Тонкопленочный материал >

1-х.

ВК! У.!1!!!И1И1 Б.

Н о вы.

23″ ШгМШ яу ¦ Взаимосвязь: У ¦<�¦

Сусповитпр&фхщт—, состав — структура.

1 т г т т.

Электрофизика, Эллипсометрия РФА РФЭС СЭМ* АСМ, пэм:

КР-спектроскопия" ИК-спеетроскопияь.

Кинетика процесса".

ММ Г.

Ими." и .1 * .

Тонкая пленка ню2 е I I I.

II 1 I I I I I I н, а у ч н ы е да н н ы. е г-1-л^:.- Взаимосвязь:?' П-." :' хсдаеш. лроцес сф-У. ^ состав — структура 1ПО I.

Элеетрофизика Эллипсометрия.

РФА.

КР-спектроскопия.

ИК-спектроскопия Кинетикапроцесса.

I ¦ ¦ ¦ I.

Тонкая пленка м2о3.

Процесс СУР.

I I I I I I I I I.

Р< 1−1 I I I I I.

I*.

1? I I.

Iу ВЗаикшсвязь:: ¦ устёия! процесса:-?.Я*- состав — структура—¦•'•' -свойства ^ ^.

X г { т т.

Электрофизика ¦ Эллипсометрия".

РФА.

РФЭС.

КР-спектроскопия?

ИК-спектроскопия ¦ ЭД-спектроскопия.

Кинетика процесса?.

МЕ.

ШШтшШ*.

НИР (ДАННАЯ РАБОТА).

Рис. 7. Схема исследований в данной работе.

2.1. Объекты исследования.

Объектами исследования являлись:

— пленки Hf02;

— пленки А1203 ;

— двухслойные структуры Hf0/Al203 и Al20/Hf02.

— пленки (Al203)x (Hf02)j.x с различным соотношением компонентов.

2.2. Синтез тонких пленок 2.2.1. Исходные вещества.

В качестве исходных соединений для синтеза тонких пленок использованы следующие летучие координационные соединения (синтезированы и очищены по соответствующим методикам д.х.н. Морозовой Н. Б. и к.х.н. Жериковой К. В., лаборатория химии летучих координационных и металлорганических соединений ИНХ СО РАН):

1. Hf (thd)4 — 2,2,6,6-тетраметил-3,5 ,-гептандионат гафния (IV) [42]- Давление насыщенного пара Hf (thd)4 при температуре испарителя 100.

200 °C составляет 2×10″ 5 — 2×10″ 2 Topp. Вещество начинает разлагаться при 300−400°С, что приемлемо для технологии кремниевой электроники [42,46].

2. А1(асас)3 — трис-ацетилацетонат алюминия (III) [158];

Давление насыщенного пара А1(асас)3 при температуре испарителя.

О 1.

100−150°С составляет 2×10' - 8×10″ Topp [156]. Вещество начинает разлагаться при 300 °C.

3. Al (thd)3 — 2,2,6,6-тетраметил-3,5,-гептандионат алюминия (III) [158]- Данные для этого соединения более ограничены. Известно, что при атмосферном давлении парциальное давление Al (thd)3 задается зависимостью lg Р=5.77−3598/Т в диапазоне температур 264−334°С [158].

Чистота используемых исходных соединений составляла не менее 99.8%.

2.2.2. Осаждение пленок.

Осаждение пленок: Hf02, А1203, ламинатных структур Hf02/Al203, Al203! Hf02, и пленок (A^O^JHfO^ ¡-.х с различным соотношением компонентоввыполнялось по методике непрерывного CVD с: термической, активацией термораспада исходных соединений: Пленки осаждались на кремниевые подложки КЭФ-7.5 ориентации. (100), площадью 1−2 см2 после их химического^ полирующего травления, конечной! стадией' которого, являлась, обработка в 10%-ном водном растворе HF с последующей промывкой в деионизованной воде. После обработкислой естественного оксида контролировался эллипсометрическими измерениямиПри толщине Si02 d>1.5 нм процесс подготовки повторялся.

Процесс осаждения проводился на? экспериментальной установке синтеза, диэлектрических слоев, схема которойпоказана на рис. 8. Процесс осаждения включает в себя следующую последовательность действий:

— загрузка вреактор лодочки с исходным веществом, и подложки, подготовленнойшо описанной методике (dsi021−5 нм);

— герметизация реактора и откачка до уровня остаточного вакуума 4*10″ 2 Topp;

— нагрев подложки до заданной температуры;

— запуск потока газа-носителя (аргон);

— нагрев источника до заданной температуры;

— запуск потока кислорода;

— контроль параметров процесса в течение заданного времени;

— отключение потоков аргона и кислорода, выключение нагревателей^, прекращение откачки и разгерметизация реактора;

— выемка образца и охлаждение его до комнатной температуры.

При проведении осаждения условия процесса задавались диапазонах, указанных в табл. 6. Давление в реакторе в процессе синтезасоставляло (1−4)* Ю-1 Topp.

При синтезе пленок (А120з)^Н/0^их возникла необходимость использования двух разных источников исходных соединений, находящихся при разной температуре. Установка была реконструирована. Схема модернизированной установки показана на рис. 9. Порядок работы аналогичен.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.И., Юдин В .В. Технология производства" полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб! пособие для вузов: — 3-е изд!, перераб.идоп. — М-: Высш:.шк, 1986: — 368 с, ил.-:
  2. Suzuki K., Kato K. Sol-gel synthesis of high-k НГО2 thin films // J". Am. Ceram. Soc. 2009. -V.92. -N.S1. — S162-S164-
  3. Hoppe E.E., Sorbello R.S., Aita C.R. Near-edge optical absorption behavior of sputter deposited hafnium dioxide 7/ J. Appl. Phys. — 2007. V. 101. -123 534-
  4. Gilo* Mj, Groitoni- N. Study^ of Hf02 films prepared by ion-assistedi deposition using a gridless end-hall ion source // Thin Solid Films 1999. — V.350. -P. 203−208. .
  5. Pereira L., Barquinha P., Fortunate E., Martins R. Influence of the oxygen/argon ratio on the properties of sputtered hafnium oxide // Mater. Sci. Eng: В-2005: — V.118.-P. 210−213-,
  6. Lin C., Kang L., Han D., Tian D., Wang W., Zhang-J., Liu M., Liu X., Han R. Electrical properties of A1203 gate dielectrics // Microelectrom. Eng^ -2003.-V.66.-P. 830−834-
  7. He G., Zhang L.D., Meng G.W., Li G.H., Fang Q., Zhang J.P. Temperature-dependent structural stability and optical properties of ultrathin
  8. Hf-Al-O films grown by facing-target reactive sputtering // J. Appl. Phys. 2007. -V. 102.-94 103-
  9. Wang X.F., Li Q., Egerton R.F., Lee P: F., Dai J.Y., Hou Z.F., Gong-X.G. Effect of A1 addition’on* the microstructure’and electronic structure of НЮ2 films // J. Appl. Phys. 2007. — V.101. — 13 514-
  10. Park S.-S. Bae J.S., Park S. The growth-temperature-dependent interface structure of yttria-stabilized zirconia thin films grown on Si substrates // J. Phys.: Condens. Mater. 2010. — V.22, — 15 002-
  11. Khoshman J.M., KordeshM.E. Optical properties of а-НГО2 films // Surf. Coat. Tech. 2006. — V.201. — P. 3530−3535-
  12. Callegari A., Cartier E., Gribelyuk M., Okom-Schmidt H.F., Zabel T. Physical and electrical characterization of hafnium oxide and hafnium silicate sputtered films // J. Appl. Phys. 2001. — V.90, N. 12. — P. 6466−6475-
  13. Wong H., Zhan N., Ng K.L., Poon M.C., Kok C.W. Interface and oxide traps in high-к hafnium oxide films // Thin Solid Films. 2004. — V. 462−463. -P.96−100-
  14. Zhu J., LiuZ.G., Li Y.R. Thermal stability and electrical properties of pulsed laser deposited Hf-aluminate thin films for high-A: gate- dielectric applications // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2005. — V. 38. — P. 446−450-
  15. Robertson J. High dielectric constant oxides // Eur. Phys. J.: Appl. Phys. 2004. — V.28. — P. 265−291-
  16. A. P. Химические методы получения пленок и покрытий ВТСП // Ж. Всес. о-ва им. Д. И. Менделеева. Т. 34, № 4. — с.492−503-
  17. Crowell J.E. Chemical methods of thin film deposition: chemical vapor deposition, atomic layer deposition, and related technologies // J. Vac. Sci. Technol. A 2003. — V. 21, N.5. — S88-S95-
  18. Sneh O., Clark-Phelps R.B., Longergan A.R., Winkler J.,. Seidel Т.Е. Thin film atomic layer deposition equipment for semiconductor processing // Thin Solid Films 2002. — V. 402. — P. 248−261-
  19. Chan K.-Y., Bunte E., Knipp D, Stiebig H. Microcrystalline silicon thin film transistors for large area electronic applications // Semicond. Sci. Technol. — 2007. V.22. — P. 1213−1219-
  20. Miyano J., Yokotani A., Kurosawa K. Characteristics of thin film deposition by using a Xe2 eximer lamp // Electr. Eng. Jpn. — 2004. V. 147, N.3. -P. 43−50-
  21. .Г., Домрачев F.A., Жук Б.В. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений / Под ред. Г. А. Разуваева. М.: Наука, 1981. — 322 е.-
  22. Bessergenev V. The use of complex compounds in chemical vapor deposition // J. Phys.: Condens. Mater. 2004. — V. 16. — S531-S552-
  23. Kuhn W.S. A new hydrodynamic principle for CVD reactors: the boundary condition control // Semicond. Sci. Technol. — 1996. V. 11. -P. 783−796-
  24. Moscatelli D., Veneroni A., Cavalotti C., Masi M., Bosi M., Attolini G., Pelosi C. Designing a large scale CVD reactor for GaAs growth on Ge substrates by multi-hierachy modeling // Cryst. Res. Technol. 2005. — V. 40, N. 10−11. -P. 987−992-
  25. Fahlman B.D., Barron A.R. CVD of conformal alumina thin films via hydrolysis of an AlH3(NMe2Et) •// Adv. Mater. Opt. Electron. 2000. — V.10. -P. 135−144-
  26. Huttinger K.J. CVD in hot-wall reactors the interaction between homogeneous gas-phase and heterogeneous surface reactions // Chem. Vap. Deposition. — 1998. — V. 4, N. 4. — P. 151−158-
  27. Liu K. C, Maikap S., Wu C.H., Chang Y.S., Chen P. S. The impact of Hf metal pre-deposition on the physical and electrical properties of ultrathin НЮ2 films on Si0.9954C0.0046/Si heterolayers // Semicond. Sci. Technol. 2005. — V. 20. -P. 1016−1021-.
  28. Puurunen R.L. Surface chemistry of atomic layer deposition: a case study for the trimethylaluminum/water-process // J. Appl. Phys. 2005. — V. 97. -121 301-
  29. В.Б. О химии и технологии твердых веществ // Журн. прикл.химии.-1974!-Т.:47, Ж 10: -С:.2145−2157-
  30. Осаждение1изгазовой фазы7'подред., К. Пауэлла,.Дж. Оксли, Дж.-Блочерамл.-М'.: Атомиздат,.-1970. -472 С.-. .
  31. E.G. Синтез и физико-химическое исследование- (3-дикетонатов лития // Дис.. канд. хим. наук. Новосибирск: ИНХ СО РАН. -2006 г.,-117 е.-
  32. F.B., Кольцов С. И., Алесковский В. Б. Синтез слоя двуокиси кремния заданной толщины на поверхности кремния методом молекулярного наслаивания // Журн. прикл. химии. 1970. — Т. 43, № 5. -С. 1150−1152-
  33. С.И. Изменение структуры силикагеля при образовании на его поверхности слоя двуокиси титана // Журн. прикл. химии, — 1970. — Т. 43, № 9. С. 1956−1959-
  34. Puurunen R.L. Growth per cycle in atomic layer deposition: real application examples of a theoretical model // Chem. Vap. Deposition. — 2003.— V.9, N.6. P. 327−332
  35. K.B. Летучие соединения гафния (IV) и циркония (IV): синтез, структура, свойства // Дис.. канд. хим: наук. Новосибирск: ИНХ СО РАН.-2007 г., 156 с.-
  36. Н.Б. Химия летучих координационных и металлоорганических соединений- используемых: в процессах химического осаждения металлических, и оксидных^слоев из, паровой, фазы // Дис.. д-ра хим. наук. Новосибирск: ИНХ СО РАН. 2009 г., — 350 е.-
  37. К.В., Морозова Н.Б., Куратьева Н. В., Байдина И. А., Игуменов И. К. Синтез т рентгеноструктурное исследование комплексов гафния (Ш) — с ацетил ацетоном и трифторацетилацетоном // Журн. структ. химии. 2005. — Т. 46, № 6. — С. 1081−1088-
  38. К.В., Морозова Н. Б., Пересыпкина Е. В., Байдина И. А., Игуменов И. К. Синтез и- рентгеноструктурное исследование комплекса гафния(1У) с пивалоилтрифторацетилацетоном // Журн. структ. химии. -2006. Т. 47, № 3. — С. 581−584.
  39. Zherikova K. V, Morozova N.B., Zelenina L.N., Sysoev S.V., Chusova T.P., Igumenov I: K. Thermal properties of hafiiium (IV) and zirconium (IV) P-diketonates // J. Therm. Anal. Calorim. 2008. — V.92.-P. 729−734-
  40. Haussman D.M., Gordon R.G. Surface morphology and crystallinity control in the atomic layer deposition (ALD) of hafnium and zirconium oxide thin films // J. Cryst. Growth.- 2003.- V.249.- p.251−261-
  41. Conley J1 °F., Jr, Ono Y., Tweet D.J., Zhuang W., Solanki R. Atomic layer deposition of thin* hafnium oxide films using a carbon free precursor // J. Appl. Phys — 2003.- V.93.— N. 1.— P. 712−718-
  42. Manuory C., Dabertrand K., Martinez E., Saadoune M., Lafond D., Pierre F., Renault O., Bailey P., Noakes T.C.Q., Jalabert D. Chemical interface analysis of as grown Hf02 ultrathin films on Si02 // J. Appl. Phys.- 2007-V.101—34 112-
  43. Kukli K., Pivli T., Ritala M., Sajavara T., Lu J., Leskela M. Atomic layer deposition of hafnium dioxide thin films from hafnium tetrakis (dimethylamide) and water // Thin Solid Films.- 2005- V.491-P. 328−338-
  44. Frank M.M., Sayan S., Dormann S., Emge T.J., Wielunski L.S., Garfunkel E., Chabal Y.J. Hafnium oxide gate dielectrics grown from an alkoxide precursors: structure and’defects // Mater. Sci'. Eng. B 2004 — V. 109 — P. 6−10-
  45. Sindquist J., Harsta A., Aarik J. Kukli K., Aidla A. Atomic layer deposition of polycrystalline Hf02 films by the HfI4−02 precursors combination // Thin Solid Films.- 2003.- V.428.- P. 147−151-
  46. Milanov A., Thomas R., Hellwig M., Merz K., Becker H.-W., Ehrhart P., Fischer R.A., Waser R., Devi A. LI-MOCVD of Ilf02 films using engineered amide based Hf precursors // Surf. Coat. Technol.- 2007.- V.201.- P. 9109−9116-
  47. Moon T.-H., Myong J.-Mi Effects of oxygen flow rate on the properties of Hf02 layers grown by metalorganic molecular beam epitaxy // Appl. Surf. Sci.- 2005.- V.240 — P.197−203-
  48. Sayan S., Aravamudhan S., Busch B.W., Schulte W.H., Cosandey F., Wilk G.D., Gustafsson T., Garfunkel E. Chemical vapor deposition of Hf02 films on Si (100) // J. Vac. Sci. Technol. A.- 2002.- V. 20.- N.2.- P. 507−512-
  49. Dubourdieu C., Rauwel E., Millon C., Chaudouet P., Ducroquet F., Rochat N., Rushworth S., Cosnier V. Growth by liquid-injection MOCVD and properties of HfC>2 films for microelectronic applications // Chem. Vap. Deposition.- 2006.- V. 12.- P. 187−192-
  50. Potter RJ-, Chaker P.R., Manning T.D., Aspinall H.C., Loo Y.F., Jones A.C., Smith L.M., Critchlow G.W., Schumacher M. Deposition of Hf02, Gd203 and PrOx by liquid injection ALD techniques // Chem. Vap. Deposition — 2005.— V. 11.— N.3.— P. 159−169-
  51. Ohshita Y., Ogura A., Hoshino A., Hiiro S., Machida HI Hf02 growth by low-pressure chemical vapor deposition using the Hf (N (C2H5)2)4/02 gas system // J. Cryst. Growth.- 2001V.233 P.292−297-
  52. Pasko S.V., Hubert-Pfalzgraf L., Abrutis A., Richard P., Bartasyte A., Kazlauskiene V. New sterically hindered Hf, Zr and Y p-diketonates as MOCVD precursors for oxide films//J. Mater. Chem. -2004.-V. 14.-P. 1245−2151-
  53. Kukli K., Ritala M., Leskela M., Sajavaara T., Keinonen J., Jones A.C., Tobin N.L. Atomic layer deposition*, of hafnium dioxide films from hafnium hydroxylamide and water // Chem. Vap. Deposition 2004.-V. 10-P.91−96-
  54. ClurW., An K.-S., Chung T.-M., Kim C.G., So B.-S., You Y.-H, Hwang J.-H., Jung D., Kim Y. ALD of hafnium dioxide thin films using the new alkoxide precursor hafnium 3-methyl-3-pentoxide, Hf (mp)4 // Chem. Vap. Deposition-2006, V. 12.-P. 665−669-
  55. Dezelah C. L, IV, Niinisto J., Kukli K., Munnik F., Ritala Mi, Leskela M., Niinisto L. The atomic layer deposition* of Hf02 and Zr02 using advanced metallocene precursors and H20 as the oxygen sourse // Ghem. Vap. Deposition-2008.-V.14.-P. 358−365-
  56. Niinisto J., Pukonen M., Niinisto L., Stoll S., Kukli K., Sajavaara T., Ritala M., Leskela M. Controlled growth of Hf02 thin films by atomic layer deposition from cylopentadienyl-type precursors and water // J. Mater. Chem.-2005.- V.15- P:2271−2275-
  57. Triyoso, D. H, Hegde R.I.,. White B.E., Jr., Tobin P.J. Physical and electrical’characteristics of atomic-layer-deposited' hafnium dioxide formed, using-hafnium tetrachloride and tetrakis (ethylmethylaminohafhium) // J., Appl. Phys — 2005,-V.97.- 124 107-
  58. Balog M., Schieber M., Michman M., Patai S. Chemical vapor deposition and characterization of HfC>2 films from organo'-hafnium compounds // Thin Solid Films.- 1977.- V.41.- P. 247−259-
  59. Buiu O., Lu Y., Mitrovic I.Z., Hall S., «Calker P., Potter R.G. Spectroellipsometric assessment of Hf02 thin films // Thin Solid Films 2006-V.515.-P1623−626-
  60. Renault O., Samour D., Rouchon D-, Holliger Ph., Papon A.-M., Blin D, Marthon S. Interface properties of ultra-thin Hf02 films grown by atomic layer deposition on Si02/Si // Thin Solid Films.- 2003- V.428.- P. 190−194-
  61. Battiston G.A., Carta G., Cavinato G., Gerbasi R., Porchia M., Rosetto G. MOCVD of AI2O3 films using new> dialkylaluminum acetylacetonate precursors: growth kinetics and process yields // Chem. Vap. Deposition 2001 -V.7.-N.2.-P. 69−74-
  62. Gleizes A.N., Vahlas C., Sovar M.-M., Samelor D., Lafonf M.-C. CVD-fabricated aluminum oxide coatings from tri-iso-propoxide: correlation between processing conditions and composition // Chem. Vap. Deposition-2007.- V.13.-P.23−29-
  63. Blittersdorf S., Bahlawane N., Kohse-Hoinghaus K., Atakan B., Miiller J. CVD of A1203 thin films*using aluminum tri-isopropoxide // Chem: Vap. Deposition 2003.- V.9.-N.4.- P: 194−198-
  64. Min-Y.-S., Cho.YJ., Hwang C.S. Atomic layer deposition of Al203 thin films from a l-methoxy-2-methyl-2-propoxide complex of aluminum, and. water // Chem. Mater.- 2005.- V. 17.- P: 626−631-
  65. Bundesmann C., Buiu O., Hall S., Schubert M. Dielectric constants and phonon modes of amorphous hafnium aluminate deposited by metal organic chemical vapordeposition // Appl. Phys. Lett- 2007 V.97- 121 916-
  66. Kim S.-H., Rhee S.-W. Cyclic atomic layer deposition of hafnium aluminate thin films using tetrakis (diethylamido)hafiiium, trimethyl aluminum, and water//Chem. Vap. Deposition.- 2006.- V. 12- P. 125−129-
  67. Marshall P.A., Potter R.J., Jones A.C., Chalker P.R., Taylor S., Gritchlow G.W., Rushworth S.A. Growth- of hafnium aluminate thin films by liquid injection MOCVD using alkoxide precursors // Chem. Vap. Deposition-2004.- V. 10.- N.5.— P.275−279-
  68. Song M.-K., Kang S.-W., Rhee S.-W. Growth of hafnium aluminate thin films by direct liquid injection metallorganic CVD using HfN (C2H5)2.4 and Al (0[C3U7) II J. Electrochem. Soc.- 2005.-V.152.-N.2.-C108-C112-
  69. Park P.K., Kang S.W. Enhancement of dielectric constant in Hf02 thin films by the Al addition // Appl. Phys. Lett.- 2006.- V.89.- 192 905-
  70. Ahn K.Y. Forbes L. // US Patent 7 135 421 Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide, 2006-
  71. Jin H., Oh S.K., Kang H.J., Tougaard S. Electronic properties of ultrathin Hf02, A1203 and Hf-Al-0 dielectric films on Si (100) studied by quantitative analysis of reflection electron energy loss spectra // J. Appl. Phys — 2006.- V.100.- 83 713-
  72. Drimeier C., Bastols K.P., Miotti L., Baumvol I.J.R., Nguyen N.V., Sayan S., Krug C. Compositional stability of hafnium aluminates thin filmsdeposited on Si by atomic layer deposition // Appl. Phys. Lett 2005, — V.86−221 911-
  73. Koo J., Lee J., Kim S., Kim Y.D., Jeon H., Kim, D.-S., Kim Y. Characterictics of hafiiium-aluminum oxide thin films deposited, by using atomic layer deposition with various, aluminum compositions // J. Korean Phys. Soc-2005.- V.47 — N.3.- P.501−507-
  74. Ayupov В., Zherikova K., Gelfond N., Morozova N. Optical properties of MOCVD НЮ2 films // Phys. Stat. Sol. A 2009. — V. 206. -P. 281−286-
  75. B.A. Эллипсометрические исследования особенностей формирования пленок НГО2 на оптическом стекле // Оптический* журнал — 2009. Т.76, № 5. — С. 73−73-
  76. Bohra F., Jang В., Zuo J.-M. Textured crystallization of ultrathin hafnium oxide films on silicon substrate // Appl. Phys. Lett. 2007. — V.90. -161 917-
  77. Neumayer D.A., Cartier E. Materials characterization of Zr02-Si02 and Hf02-Si02 binary oxides deposited by chemical solution deposition // J. Appl. Phys. 2001. — V.90, N.4. — P. 1801−1808-
  78. Wang Y., Dai M., Ho M.-T., Wielunski L.S., Chabal YJ. Infrared characterization of hafnium oxide grown by atomic layer deposition using ozone as the oxygen precursor // Appl. Phys. Lett. 2007. — V.90. — 22 906-
  79. Tuinstra F., Koenig J.L. Raman spectrum of graphite // J. Chem. Phys. 1970. — V.53, N.3. — Pi 1126−1130-
  80. Ferrari A.C., Robertson J. Resonant Raman spectroscopy of disordered, amorphous, and diamondlike carbon // Phys. Rev. B. 2001. — V.64. -75 414-
  81. Pejakovic D.A., Marschal J.,. George M. R, Rogers B.R., Nieveen W.R., Pajcini V. Synthesis of carbon-rich hafnia thin films by pulsed laser deposition. // J: Eur. Ceram. Soc. 2010 (article in press).
  82. Kirsch P.D., Kang C.S., Lozano J., Lee J.C., Ekerdt J.G. Electrical and spectroscopic comparision of Hf02/Si interfaces on nitrided and un-nitrided Si (001) // J. Appl. Phys. 2002. — V.91, N.7. — P. 4353−4363-
  83. Kato H., Nango T., Miyagawa T., Katagiri T., Seol. K.S., Ohki Y. Plasma-enhanced chemical vapor deposition and» characterization of high-permitittivity hafnium and zirconium silicate films // J. Appl. Phys. 2002. — V.92, N.2.-PP. 1106−1111-
  84. Deshpande A., Inman R., Jursich G., Takoudis C. G. Annealing behavior of atomic layer deposited" hafnium oxide on silicon: changes at the interface // J. Appl. Phys. 2006. — V.99. — 94 102-
  85. Oh J.H., Park Y., An K.-S., Kim Y., Ahn J.R., Baik J.Y., Park C.Y. Chemical phase transitions of the Hf/SiON/Si nanolaminate by high-temperature thermal tretments in NO and 02 ambient // Appl. Phys. Lett. 2005. — V.86. -262 905-
  86. Tan R., Azuma' Y., Kojima I. Comparative study of the interfacial characteristics of sputter-deposited Hf02 on native Si02/Si (100) using in situ XPS, AES and GIXR // Surf. Interface Anal. 2006. — V.38. — P. 784−788-
  87. Lebedinskii Yu.Yu., Zenkevich A., Gusev E.P., Gribelyuk M. In situ investigation of growth and thermal stability of ultrathin Si layers on the Hf02/Si (100) high-k dielectric system // Appl. Phys. Lett. 2005. — V.86. — 191 904-
  88. Lebedinskii Y., Zenkevich A. Silicide formation at Hf02-Si and Zr02-Si interfaces induced by Ar+ ion bombardment // J. Vac. Sci. Technol. A. — 2004. V.22. — P. 2261−2264-
  89. Krug C., da Rosa E.B.O., de Almeida R.M.C., Morais j-, Baumvol I.J.R., Salgado T.D.M., Stedile F.C. Atomic transport and chemical stability during annealing of ultrathin A1203 films on Si // Phys. Rev. Lett. 2000. — V.85, N.19. -P. 4120−4123-
  90. Katamreddy R., Inman R., Jursich G., Soulet A.,. Takoudis C. Controlling interfacial reactions between Hf02 and Si using ultrathin A1203 diffusion barrier layer // Appl. Phys. Lett. 2006. — V.89. — 262 906-
  91. Lee P.F., Dai J. Y, Wong K.H., Chan H.L.W., Choy C.L. Growth and characterization of Hf-aluminate high-k gate dielectric ultrathin films with equivalent oxide thickness less than 10 A // J. Appl. Phys. 2003. — V.93, N. 6. -P. 3665−3667-
  92. Karavaev K., Kolanek K., Tallarida M., SchmeiBer D., Zschech E. In-situ studies of ALD grown of hafnium oxide films // Adv. Eng. Mater. 2009. -V.l 1, N.4. — P. 265−268-
  93. Tan T.-T., Liu Z.-T., Liu W.-T., Zhang W.-H. Chemical structure of Hf02/Si interface with angle-resolved synchrotron radiation photoemission spectroscopy // Chin. Phys. Lett. 2008. — V.25, N.10. — P. 3750−3752-
  94. Kukli K., Ritala M., Leskela M., Sajavaara T., Keinonen J., Jones A.C., Roberts J.L. Atomic layer deposition of hafnium dioxide films from 1methoxy-2-methyl-2-propanolate complex of hafnium // Chem. Mater. 2003. -V.15.-P. 1722−1727-
  95. Lee T., Ahn J., Oh J, Kim" J., Kim Y.-B., Choi D.-K., Jung J: Characterization- of ultra-thin Hf02 gate oxide prepared by using atomic layer deposition // J. Korean Phys. Soc. 2003. — V.42, N.2. — P. 272−275-
  96. Aarik J., Aidla A., Kiisler A.-A., Uustrate T., Sammelselg V. Influence of substrate temperature on atomic layer growth and properties of Hf02 thin films // Thin Solid Films. 1999i — V.340. — P. 110−116-
  97. Aarik J., Sundqvist J., Aidla A., Lu J., Sajavaara T., KulcliK., Harsta A. Hafnium tetraiodide and oxygen as precursors for atomic layer deposition of hafnium oxide thin films // Thin Solid Films. 2002. — V. 148. — P. 69−72-
  98. Lysaght P. S., Chen P.J., Bergmann R., Messina.T., MurtoR.W., Huff H.R. Experimental observation of the thermal stability of high-k gate dielectric materials on silicon// J. Non-Cryst. Solids. 2002. — V.303. — P.54−63-
  99. Tomida K., Kita K., Toriumi A. Dielectric constant enhancement due to Si incorporation into HfD2 // Appl. Phys. Lett. 2006. — V.89. — 142 902-
  100. Luo X., Demkov A.A., Trioso D., Fejes P., Gregory R., Zollner S. Combined experimental and theoretical study of thin hafnia films // Phys. Rev. B. -2008.-245 314-
  101. Levin I., Brandon D. Metastable alumina: polymorphs: crystal structures and transition sequences // J. Am. Ceram. Soc. 1998: V.81,N.8. -P.1995−2012- .
  102. Cho M:-H., Roh Y. S, Whang: e. N, Jeong K., ChoiiHiJ, Nam- S. W, Ko D.-H., Lee J.H., 1 .ee N.I., Eujihara K. Dielectric characteristics- of AI2O3- IlfOv nanolaminates on Si // Appl: Phys- Lett: -2002: V.81, N.6. -PM071−1073-:
  103. Wang X.E., Quan? Li, Moreno MiS. Effect of All and Y incorporation- on the structure of H102 // J. Appl. Phys. 2008. — V. 10.4. — 93 529-
  104. Zhao X., Vanderbilt Dr First-principles: study, of structural^ vibrational- and lattice dielectric. properties of hafnium oxide // Phys: Rev. B. 2002. — V.65. -233 106- -
  105. Tsui B.-Y., Chang H.-W. Formation of interfaciialV layer during reactive sputtering of hafnium oxide // J- Appl: Phys. 2003. — V.93, N.12. -P. 10 119−10 124:
  106. Kukli K., Ritala Ml, Sajavaara T., Keinonen J, Leskela- M. Comparison, of hafiiium oxide: films grown by atomic layer depositionjfrom iodide and chloride precursors // Thin Solid Eilms — 2002. —.V.416- — PI 72−79- .
  107. Groner- M. D, Elam J.W., Fabreguette F. H,. George S-M. Electrical characterization of thin AI2O3 films grown by atomic layer deposition on silicon arid various metal substrates // Tliin Solid Films 2002: — y.4131 — P: 186−197-
  108. Langereis E., Heil S.B.S., Knoops H.C.M., Keuning W., van de Sanden M.C.M., Kessels W.M.M. In situ spectroscopic ellipsometry as a versatile toll for studying atomic layer deposition // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. — V.42. -73 001-
  109. Novikov Yu.N., Gritsenko V.A., Nasyrov K.A. Charge transport mechanism in amorphous alumina // Appl: Phys. Lett. 2009. — V.94. — 222 904-
  110. Gong Y.-P., Li A.-D., Qian X., Zhao C., Wu D. Interfacial structure and electrical properties of ultrathin НГО2 dielectric films on Si substrates by surface sol-gel method // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. — V.42. — 15 405-
  111. Ikeda H., Goto Т., Sakashita M., Sakai A., Zaima S., Yasuda Y. Lokal leakage current of НГО2 thin films characterized by conducting atomic force microscopy // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. — V.42, N.4B. — P. 1949−1953-
  112. Lee B.H., Kang L., Nieh R., Qi W.-J., Lee J.C. Thermal stability and electrical characteristics of ultrathin hafnium oxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing // Appl. Phys. Lett. 2000. — V.76, N.14. — P. 1926−1928-
  113. Kim H., Marshall A., Mclntyre P.C., Saraswat K.C. Crystallization kinetics and microstructure-dependent leakage current behavior of ultrathin НЮ2 dielectrics: In situ annealing studies // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.84. -P. 2064−2066-
  114. А.Г., Захаров P.А., Орликовский А. А., Рогожин A.E., Сонин M.C., Хорин И. А. Электрофизические характеристики затворных структур с Hf02, сформированных методом электронно-лучевого испарения // Микроэлектроника 2009. — Т. 38, № 5. — С. 361−368-
  115. Takahashi K., Nakayama M., Yokoyama S., Kimura Т., Tokimitsu E., Funakubo H. Preparation of hafnium oxide films from oxigen-free HfN (C2Hs)2.4 precursor and their properties // Appl. Surf. Sci. 2003. — V.216. — P. 296−301-
  116. Nam S.-W., Yoo J.-H., Nam S., Choi H:-J., Lee D., Ко D:-H., Moon J.H., Ku J.-H., Choi S. Influence of annealing condition on the properties of sputteredhafiiium oxide // J: Non-Cryst. Solids. 2002. — V.303. — P. 139−143-
  117. Lee S., Kim W.-G., Rhee S.-W., Yong K. Resistance switching behaviors of hafnium oxide films grown by MOCVD for nonvolatile memory applications // J. Elelectrochem. Soc. 2008. — V.155. — H92-H96-
  118. Raisanen P.I., Ritala-M., Leskela M. Atomic layer deposition of А120з films using A1C13 and А1(0!Рг)3 as precursors // J. Mater. Chem., 2002, V.12, P.1415−1418-
  119. Wang-S.J., Lim P.C., Huan A.C.H., Liu C.L., Chai J.W., Chow S.Y., Pan J.S., Li Q., Ong C.K. Reaction of Si02 with hafnium-oxide in low oxygen pressure // Appl. Phys. Lett. 2003. — V.82- N.13. — P. 2047−2049-
  120. Semyannikov P.P., Igumenov I: K., Trubin S.V., Chusova T.P., Semenova Z.I. Thermodynamics of sublimation of aluminium triacetylacetonate // Thermochim. Acta. 2006. — V.451. — PL80−83-
  121. Bykov A.F., Turgambaeva-A.E., Igumenov I.K., Semyannikov P.P. Mass spectrometric study of-thermolysis mechanism of metal acetilacetonates vapor // J. de Physique IV. 1995. — V.5. — P. C5−191-C5−197-
  122. И.К., Чумаченко Ю. В., Земсков C.B. Тензиметрическое изучение летучих Р-дикетонатов металлов / В кн. «Проблемы химии и применения р-дикетонатов металлов» М. Наука. 1982.-С.100−120-
  123. C.D., Riggs W.M., Davis L.E., Moulder J.F., Muilenberg G.E. // Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Perkin-Elmer. Eden Prairie. Minnesota. USA. 1978-
  124. Shirley D.A. High-resolution x-ray photoemission spectrum of the valence bands of gold // Phys. Rev. B. 1972. — V.5. — P. 4709- 4714-
  125. Doniach S., Sanjic M. Many-electron singularity in X-ray photoemission and x-ray line spectra from metals // J. Phys. C. 1970. — V.3. — P. 285−291-
  126. Giannuzzi L.A. Stevie F.A. A review of focused ion beam milling techniques for ТЕМ specimen preparation // Micron. 1999. — V.30. — P. 197−204-
  127. Ayupov В. M. Determination of optical properties variation of silicon and glass surfaces after mechanical and plasma treatment by monochromatic ellipsometry // Optik. 1998. — V.109, N. 4. — P. 145−149-
  128. Д. Прикладное нелинейное программирование: Пер. с англ. М.: Мир, 1975, 534 с-
  129. .М., Титова Е. Ф., Сысоева Н. П. Программное обеспечение эллипсометрических измерений в системе пленка-подложка // Электрон, техника. Сер. микроэлектроника. 1985. — В'. 3, № 115. -С. 126−129-
  130. Nelder J. F., Mead R. A. A simplex method for function minimization // Сотр. J. 1964. — V7, No. 4. — P. 308−313-
  131. B.H. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984, с. 68−98.
  132. Smirnova Т.Р., Lebedev M.S., Morozova N.B., Semyannikov P.P., Zherikova K.V., Kaichev V.V., Dubinin Yu.V. MOCVD and physicochemical characterization of (НЮгХСАЬОз)^ thin films // Chem. Vap. Deposition. 2010. -V.16.-P. 185−190-
  133. Alam M.A., Green M.L. Mathematical description1 of atomic layer deposition and its application to the nucleation and growth of НЮ2 gate dielectric layers // J. Appl. Phys. 2003. — V.94, N.5. — P. 3403−3413-
  134. Rudy E., Stecher P. Contribution to the constitution of the system hafnium-oxygen // J. Less-Common Met. 1963. — V. 5. — P. 78−89-
  135. Domagala R.F., Ruh R. The Hafnium-Oxygen System // Am. Soc. Metals Trans. Quart. 1965. — V. 58. № 2. — P: 164−175- .
  136. Gutowsky M., Jaffe A.E., Liu C.L., Stoker Mi, Hegde R.J., Rai R.S., Tobin P.J. Termodinamic stability of high-k dielectric metal oxides Zr (c)2 and НЮ2 in contact with Si and SiOo // Appl. Phys. Lett- 2002. — V.80, N.ll. -P. 1897−1899-
  137. Смирнова- Т. П. Каичев B.B., Яковкина JI.В., Косяков В. И., Белошапкин С. А., Кузнецов Ф. А., Лебедев М. С., Гриценко- В. А. Состав и строение пленок оксида-гафния на кремнии // Неорг. матер, — 2008. Т.44, № 9. — С. 965−970- •
  138. Smirnova Т.Р., Yakovkina L.V., Beloshapkin S.A., Kaichev V.V., Alferova N.I., Jeong-Hwan S. Interfaces analysis of Hf02/Si02/Si structure // J. Phys. Chem. Solids. 2010.-V.71.-P.836−839- «
  139. Kundu M., Miyata N., Nabatame Т., Horikawa Т., lchikawa M., Toriumi A. Effect of A1203 capping* layer on suppression of interfacial Si02 growth in Hf02/ultrathin Si02/Si (001) structure // Appl. Phys. Lett. 2003. — V.82. -P. 3442−3444-,
  140. Л.М., Шевченко A.B., Герасимюк Г. И. Система НЮ2-А1203 // Изв. АН СССР: Неорганические материалы 1976. — Т. 12, № 9. -С. 1623−1626-
  141. Ferrari А.С., Robertson J. Interpretation of Raman spectra of disordered and amorphous carbon//Phys. Rev. В -2000:-V.61,N.20--P. 14 095
  142. Liao M., Feng Z., Yang S., Chai C., Liu Z., Yang J., Wang Z. Anomalous temperature dependence of photoluminescence from a-C:H filmdeposited by energetic hydrocarbon ion beam // Solid State Commun. 2002. -V. 121. — P.287−290-
  143. Henley S.J., Carey J. D, Silva S.R.P. Room temperature photoluminescence from nanostructured amorphous carbon // Appl.Phys.Lett. -2004. V.85, N.25). — P.6236−6238-
  144. Robertson J. Photoluminescence mechanism in amorphous hydrogenated carbon // Diam! Relat. Mater. 1996. — V.5. — P. 457−460- .
  145. Robertson J. Recombination and photoluminescence mechanism in hydrogenated amorphous carbon // Phys. Rev.B. 1996. — V.53. — P: 16 302-
  146. Robertson J. Diamond-like amorphous carbon // Mater. Sci. Eng. R. -2002.-V.37.-P: 129−281-
  147. Korotkov A.S., Atuchin V.V. Prediction of refractive index of inorganic compounds by chemical formula // Opt. Commun 2008. — V. 281-P. 2132−2138- ', '
  148. .М. Выбор моделей для . исследования систем диэлектрическая.пленка.- подложка эллипсометрическими и спектрофотометрическйми методами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования:-2000: — № 4-- С. 59−63-
  149. .М., Атучин B.Bi, Григорьева Т. И., Покровский Л. Д, Лебедев М. С. Оптические характеристики- тонких пленок: рутила на плавленом кварце //Изв: вузов. Физика. -2006.-5'. -С. 15 — 20-,
  150. Т., Kuznetsov F., Yakovkina L., Kaichev V., Kosyakov V., Lebedev M., Kichai V. НЮ2 high-k dielectric for nanoelectronics // ECS Transactions. — 2009. — V.25, N.8. — P.875−880-
Заполнить форму текущей работой

На отлично!