Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах

Диссертация: Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Интерес к поверхностным явлениям и процессам в кристаллических материалах обусловлен общими тенденциями, определяющими развитие современной науки и техники. Известно, что свойства гетерогенных структур, к которым относится подавляющее большинство как уже внедренных, так и разрабатываемых материалов нового поколения, определяются, прежде всего, характером межфазных взаимодействий на внутренних… Читать ещё >

Содержание

  • 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Сверхгладкая и активная поверхность
    • 1. 2. Механохимнческий синтез соединений в гетерофазных системах
    • 1. 3. Объемные кристаллы и пленки CdTe
  • — полифункциональные материалы
    • 1. 4. Металлические пленки на диэлектриках
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Формирование свергладких поверхностей
    • 2. 2. Механохимнческий синтез шпинели
    • 2. 3. Методика выращивания объемных кристаллов и пленок CdTe
    • 2. 4. Выращивание металлических пленок на диэлектриках
  • 3. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ СВЕРХГЛАДКОЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ (ZNS, TTC, a-AL203)
    • 3. 1. Активность сверхгладкой поверхности кристаллов ZnS, ТГС
    • 3. 2. Размерные эффекты при формировании регулярных наноструктур на сверхгладкой поверхности а-А12Оз
  • 4. ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ И РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ТВЕРДОФАЗНОМ (МЕХАНОХИМИЧЕСКОМ) СИНТЕЗЕ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ MgAL
    • 4. 1. Модельная реакция MgO + А1203 —> MgAl204 и выбор режимов ее механоактивации
    • 4. 2. Исследование процесса совместной механоактивации порошков MgO и у-А
    • 4. 3. Разработка теоретической модели механохимического процесса фазообразования в квазибинарной системе MgO — А1203, выявление размерных эффектов
  • 5. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ СсПГе ИЗ РАСПЛАВА
  • 6. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ (ЭПИТАКСИИ) ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МЕТАЛЛОВ НА СВЕРХГЛАДКИХ И НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
    • 6. 1. Эпитаксия полупроводниковых пленок теллурида кадмия на сверхгладких и наноструктурированных поверхностях сапфира
    • 6. 2. Кристаллизация пленок Аи и
  • на активной поверхности щелочногалоидных кристаллов
    • 6. 3. Наноразмерные эффекты при формировании упорядоченных ансамблей частиц золота на наноструктурированной поверхности сапфира

Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Интерес к поверхностным явлениям и процессам в кристаллических материалах обусловлен общими тенденциями, определяющими развитие современной науки и техники. Известно, что свойства гетерогенных структур, к которым относится подавляющее большинство как уже внедренных, так и разрабатываемых материалов нового поколения, определяются, прежде всего, характером межфазных взаимодействий на внутренних поверхностях раздела. В большинстве случаев структура и свойства поверхности раздела закладываются в момент ее формирования, поэтому образование поверхности раздела, процессы, идущие при этом на атомно-молекулярном уровне и способы управления ими, являются ключевым моментом формирования гетерогенных материалов самого различного назначения.

В материалах полупроводниковой техники поверхность играет особую роль, не имеющую аналогов в каком-либо ином классе веществ. Одним из базовых процессов технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем является эпитаксия, реализация которой определяется в первую очередь свойствами поверхности монокристаллической подложки. Развитие полупроводниковой техники, на протяжении десятилетий определявшееся «борьбой за чистоту», увенчалось разработкой уникальных технологических процессов, обеспечивающих формирование сверхгладких и очищенных от примесей поверхностей монокристаллов. «Борьба за размер», которая в настоящее время определяет развитие технологии интегральных схем, несмотря на внушительные успехи (увеличение разрешения литографического оборудования с 130 до 28 нм за последнее десятилетие), несет в себе ряд проблем, не имеющих удовлетворительного решения. В частности, не решена проблема эпитаксии материалов, существенно различающихся по параметрам кристаллической ячейки. Кроме того, перспективная миниатюризация технологического процесса до кластерного (и даже атомарного) уровня неизбежно поставит вопрос о самоорганизации таких структур, реализуемость которой на сверхгладкой поверхности не очевидна.

Одним из направлений решения существующих проблем является формирование на поверхности монокристалла регулярного нанорельефа, который может не только обеспечивать реализацию эпитаксии на наноразмерном уровне, но и сформировать шаблон для самоорганизации на поверхности кластеров и отдельных атомов. Работы в этом направлении на протяжении последних пятнадцати лет интенсивно ведутся и, к настоящему времени накоплен значительный экспериментальный материал. Вместе с тем, большинство этих работ имеет сугубо прикладной характер (самоорганизация полимеров, белков, монои мультимолекулярных и полупроводниковых пленок). Механизм формирования поверхностных наноструктур обсуждается только в отдельных публикациях, работ, посвященных исследованию механизма взаимодействия наноструктурированной поверхности с наносимым веществом крайне мало. Сопоставление и анализ данных, полученных различными группами исследователей, затруднены даже для наиболее изученных материалов подложек, так как используемые для образования поверхностных наноструктур разориентировки и режимы термической обработки монокристаллов существенно разнятся от работы к работе. В связи с этим, безусловно актуальными, являются задачи систематического изучения процессов формирования наноструктурированных поверхностей и их взаимодействия с наносимым на поверхность веществом.

Качество массивных монокристаллов и керамики во многом определяется характеристиками исходной порошковой шихты, для получения которой широко используют твердофазную деформационную обработку. Этому этапу получения монокристаллов зачастую не уделяют должного внимания, рассматривая его как сугубо технологический процесс получения дисперсной однородной смеси. Вместе с тем, установленная к настоящему времени способность деформационного воздействия обеспечивать не только измельчение порошков, но и оказывать влияние на вещество на более глубоком уровне, вплоть до атомно-молекулярного, требует более фундаментального подхода к изучению этого процесса. Понимание движущих сил и механизмов процессов, приводящих к изменению структурно-фазового состояния вещества под механическим воздействием, необходимо для выработки научно-обоснованных подходов к приготовлению шихтовых материалов для выращивания монокристаллов различных, в том числе полупроводниковых, материалов. Вместе с тем, вопросы о механизме процессов, протекающих в веществе на атомарном уровне и о механизме массопереноса под воздействием интенсивной твердофазной деформации, удовлетворительного ответа к настоящему моменту не имеют, предлагаемые же различными авторами модели этих механизмов противоречивы и не подкреплены достаточными обоснованиями.

Наконец, поверхностные процессы и размерные эффекты играют существенную, определяющую роль в формировании реальной (дефектной) структуры объемных кристаллов, которые в процессе выращивания претерпевают полиморфные фазовые переходы.

В основу развиваемого в настоящей работе подхода положено представление об определяющем вкладе структурных неоднородностей поверхности в процесс формирования ее активных свойств. Основным результатом выполнения работы является выявление общих для широкого круга материалов и процессов закономерностей, определяющих связь между свойствами поверхности и характерными размерами ее структурных неоднородностей. Учет этих закономерностей позволит целенаправленно формировать поверхности с необходимыми характеристиками, обеспечивающими решение конкретных материаловедческих и технологических задач, в том числе и в области материалов микроэлектроники.

В основу развиваемого в настоящей работе подхода положено представление об определяющем вкладе структурных неоднородностей поверхности, обусловленных линейным размером объекта, в процесс формирования ее активных свойств.

Объектами исследований, наряду с модельными (кристаллы ШС1, ТГС, 2п8) выбраны материалы и системы, имеющие важное практическое значение:

• полупроводниковые кристаллы соединения СсГГе (материал для датчиков и детекторов ИК-излучения, рентгеновских и у-квантов, фоторефрактивный и фотоэлектрический материал);

• ультрадисперсные кристаллические порошки М^О, А1203, которые являются исходным материалом для получения шпинели М&А1204, которая используется, в свою очередь, как исходный материал для прозрачной керамики, отличающейся высокой ударо — и термостойскостьюкристаллы синтетического лейкосапфира (А1203) (материал подложек в эпитаксиальных технологиях полупроводников и нанотехнологиях, материал кристаллических элементов для оптики, включая рентгеновскую оптику).

Целью исследования является выявление закономерностей формирования активных поверхностей в результате различных внешних воздействий, исследование процессов, происходящих на поверхности и взаимодействия ее со второй фазой, а также выявление роли наноразмерных эффектов в поверхностных явлениях при кристаллизации в гетерофазных системах.

Для достижения поставленной цели были последовательно поставлены и решены следующие задачи, направленные на выявление закономерностей формирования активных поверхностей и их взаимодействия со второй фазой:

• Формирование активной поверхности различных материалов, способной эффективно взаимодействовать со второй фазой в гетерофазных системах: А12 03 — пленки СсГГеА12 03 — пленки Аи и Ag — А12 03 — М§-0- ЩГКпленки Аи, А§-, А§ С1, Си.

• Выявление размерных эффектов и общих закономерностей, определяющих активные свойства поверхности. Разработка методики наноструктурирования поверхности А12 03 с заданными параметрами и исследование влияния наноструктурированной поверхности на рост эпитаксиальных пленок СсГГе.

• Постановка модельного механохимического эксперимента синтеза новых фаз в системах оксидов и теоретический анализ полученных результатов. Выявление роли активной поверхности в механохимическом процессе.

• Изучение размерных эффектов при высокотемпературных фазовых переходах бинарного соединения Сс1Те и их влияния на формирование реальной (дефектной) структуры и свойства кристалла.

• Модифицирование поверхности щелочно-галлоидных кристаллов, изучение начальных стадий кристаллизации, получение сплошных сверхтонких эпитаксиальных пленок Аи, Ag, А§ С1, Си.

Получение упорядоченных частиц Аи на подложках лейкосапфира. Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложена и реализована оригинальная методика формирования регулярных наноразмерных структур на сверхгладких химически нейтральных поверхностях (лейкосапфире А1203).

2. Показано, что присутствие регулярного нанорельефа обеспечивает формирование монокристаллических слоев наносимого вещества, тогда как стохастически распределенная шероховатость препятствует монокристаллическому росту.

3. Установлено, что предварительная механоактивация исходных компонентов существенно повышает скорость твердофазных реакций при последующей совместной механоактивации.

4. Впервые предложена теоретическая модель, описывающая размерный эффект механохимического процесса. Показано, что механохимические твердофазные превращения локализованы на активной контактной поверхности раздела реагирующих соединений. Установлено, что механизм механохимического формирования новой фазы в наноструктурных материалах основан на зернограничном проскальзывании, сопровождаемом генерацией динамических вакансий с последующим фазообразованием по механизму диффузионно инициируемой миграции границ.

5. Выявлено определяющее влияние несоразмерности (метрической (объемной) и композиционной) полиморфных фаз бинарного соединения СсГГе на формирование реальной (дефектной) структуры кристалла при его выращивании из расплава.

6. Выявлено образование активных участков (ступени, домены и области нарушения стехиометрии) на сверхгладких поверхностях сколов кристаллов СсГГе, гпБ, ШО и ТГС. Показана роль ступеней в процессе переполяризации доменов кристаллов ТГС. Показано, что только при модификации поверхности внешним воздействием (парами газов или облучением электронами) происходит эпитаксиальный рост металлических пленок (А§-, Аи, Си).

Во всех исследованных случаях ключевым элементом, определяющим активные свойства поверхности, являются структурные неоднородности с характерным размером, соответствующим межатомному расстоянию.

Практическая значимость работы:

1. Разработан способ обработки сапфировых пластин, позволяющий получать сверхгладкую поверхность с шероховатостью 2А. Разработан метод формирования регулярного нанорельефа. Наличие нанорельефа благоприятствует эпитаксиальному росту полупроводниковых пленок. Разработанные экспериментальные приемы и установленные закономерности могут быть положены в основу технологии формирования высококачественных тонкопленочных материалов для микроэлектроники и полупроводниковой техники.

2. Калиброванные террасно-ступенчатые структуры на поверхности сапфира могут быть использованы в качестве тестовых образцов при метрологии в наноразмерном диапазоне.

3. Предложены способы получения сверхтонких пленок (толщиной в несколько нанометров) путем их выращивания через граничные (аморфные) слои или в результате обработки поверхности галогенами (С1, Вг, I). Разработанные подходы открывают возможности создания новых материалов для нелинейной оптики и сцинтилляционных детекторов.

4. Обнаруженный размерный эффект механохимии и связанные с ним пути интенсификации твердофазных деформационных превращений являются основой для разработки нового метода синтеза керамических соединений и получения шихт для роста кристаллов.

5. Доработана методика выращивания из расплава кристаллов бинарного соединения СсГГе, отличающихся повышенным значением цт (параметр качества кристаллов для рентгеновских детекторов) за счет резкого снижения плотности дислокаций и преципитатов Т. е.

Ценность научных работ соискателя также определяется их финансовой поддержкой грантами РФФИ и Минобрнауки РФ в рамках проектов, руководителем или исполнителем которых он являлся.

Положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальные подходы и способы формирования регулярных наноструктур на сверхгладких кристаллических поверхностях.

2. Связь между эпитаксиальным ростом наносимого из газовой фазы вещества и упорядоченностью нанорельефа поверхностипереход от поликристаллического роста к монокристаллическому при переходе от стохастического нанорельефа к регулярному.

3. Явление существенной интенсификации механохимического синтеза при использовании предварительно механоактивированных реагентов. Теоретическая модель механохимических твердофазных превращений, рассматривающая механохимическую реакцию как локализованный на активной контактной поверхности раздела реагирующих соединений процесс формирования новой фазы, основанный на зернограничном проскальзывании, сопровождаемом генерацией динамических вакансий с последующим фазообразованием по механизму диффузионно инициируемой миграции границ.

4. Представление о структурных неоднородностях с характерным размером, соответствующим межатомному расстоянию, как основном факторе, определяющем активные свойства поверхности.

5. Влияние несоразмерности (метрической и композиционной) полиморфных фаз бинарного соединения CdTe на формирование реальной (дефектной) структуры кристалла при его выращивании из расплава.

6. Способы образования активных участков (ступени, домены, нарушение стехиометрии) путем хрупкого разрушения (скол) кристаллов ZnS, NaCl и ТГС. Роль ступеней в процессе переполяризации доменов сегнетоэлектриков. Модификация поверхности внешними воздействиями (парами газов, облучением электронами) для эпитаксиального роста металлических пленок (Au, Ag, Cu).

7. Размерные эффекты в гетерофазных системах. Изменение их свойств при различных соотношениях: шероховатость-параметр ячейки, параметры различных фаз, размер зернадиффузионная длина компонентов, ширина террасыдиффузионная длина компонентов.

Личный вклад автора.

В исследованиях, представленных в настоящей диссертационной работе, автору принадлежит выбор направлений, постановка задач и интерпретация полученных результатов. Автором были разработаны основные концепции проведения экспериментов. Результаты экспериментальных исследований получены автором лично или при его определяющем участии, что нашло отражение в совместных публикациях с Асадчиковым В. Е., Буташиным A.B., Власовым В. П., Ивановым Ю. М., Михайловым В. И. и др. Автор принимал непосредственное участие в создании экспериментального оборудования и методик исследований.

Апробация работы.

Основные результаты работы доложены и обсуждены на 7-м Европейском конгрессе по электронной микроскопии (Гаага, Нидерланды, 1980), VIII Всесоюзном симпозиуме по механоэмиссии твердых тел (Таллин, 1981), VIII и IX Всесоюзных совещаниях по кинетике и механизму химических реакций в твердых телах (Черноголовка, 1982; Алма-Ата, 1986), Европейском совещании по росту кристаллов (Прага, Чехословакия, 1982), IV, VII, XII, XIII, XIV, XVI Всесоюзных (Российских) симпозиумах по растровой микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Черноголовка, 1984, 1991,.

2001, 2003, 2005, 2009), X Юбилейном Всесоюзном симпозиуме по механоэмиссии и механохимии твердых тел (Ростов-на-Дону, 1986), 2-м Всесоюзном семинаре «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках» (Павлодар, 1989), XIV, XVIII, XIX, XXI, XXII и ХХШ Всесоюзных (Российских) конференциях по электронной микроскопии (Черноголовка, 1990, 2000, 2002, 2006, 2008, 2010), 5-м Всесоюзном совещании по когерентному взаимодействию излучения с веществами (Симферополь, 1990), IX, X, XI, XII, XIII и XIV Национальных конференциях по росту кристаллов (Москва, 2000,.

2002, 2004, 2006, 2008, 2010), III, IV, V, VI, VII и VIII Национальных конференциях по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, 2001, 2003, 2005, 2007, 2009, 2011), 6-й и 8-й Международных конференциях «Экспертные оценки и контроль материалов и технологий полупроводниковых соединений» (Венгрия, Будапешт, 2002; Испания, Кадис, 2006), 10-й Международной конференции по дефектам (Франция, Бац-сюр-Мер, 2003), 1-м Международном совещании по нанокристаллическим полупроводникам (Венгрия, Будапешт, 2005), VII Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии» (Кисловодск-Ставрополь, 2007), 11-м Европейском симпозиуме по полупроводниковым детекторам (Германия, Вильдбад Кройт, 2009), IX Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск.

Томск, 2009), Совещании «Рентгеновская оптика-2010» (Черноголовка, 2010), VI Международной научно-технической конференции «Актуальные вопросы теоретической и прикладной биофизики, физики и химии» (Севастополь, 2010), 1У-м Международном форуме по нанотехнологиям (Москва, 2011), Конференции стран СНГ по росту кристаллов (Харьков, 2012).

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Экспериментально показано и теоретически обоснована и возможность перестройки параметров регулярных наноразмерных структур на сверхгладких химически нейтральных поверхностях (лейкосапфире А1203) и разработаны методы управления этими параметрами.

Экспериментально получены сверхгладкие поверхности лейкосапфира с шероховатостью <0,2 нм. Установлен размерный эффект при формировании сверхгладкой поверхности, выраженный в образовании террасно-ступенчатых структур.

Показано, что необходимым условием образования наноразмерных террасно-ступенчатых структур на вицинальной кристаллической поверхности является выполнение соотношения Яч<�а, где среднеквадратичная шероховатость поверхности, арасстояние между плотноупакованными слоями кислорода. Реализован метод получения регулярных наноструктур с заданными параметрами (с шириной террас 10-^500 нм и высотой ступеней 0.22-^7 нм) в зависимости от угла разориентации сапфировых пластин, при различных режимах отжига.

Показано, что формирование наноструктурированной кристаллической поверхности может быть описано теоретической моделью, основанной на представлении минимизации поверхностной энергии и кристаллического строения сапфира.

2. Экспериментально обнаружен новый размерный эффект: механохимический синтез предварительно механоактивированных порошков смеси оксидов М^О и А1203 с размером блоков около 80 нм приводит к образованию шпинели М§ А1204 при комнатной температуре.

Построена теоретическая модель, описывающая размерный эффект механохимического процесса. Показано, что механохимические твердофазные превращения локализованы на активной контактной поверхности раздела реагирующих соединений, механизм формирования новой фазы в таких материалах основан на зернограничном проскальзывании, сопровождаемом генерацией динамических вакансий с последующим фазообразованием по механизму диффузионно-инициируемой миграции границ. На этой основе разработана методика механохимического синтеза шпинели (MgAl204), повышающая выход реакции до 86%.

3. В гетерофазных системах с полиморфными превращениями и широкой областью гомогенности впервые установлен кинетический размерный эффект образования совершенных слабонапряженных и бездефектных фаз. С учетом выявленных размерных эффектов доработана методика выращивания CdTe из расплава с получением кристаллов высокого структурного совершенства с.

3 1 3 2 высокими оптическими (а=10″ см", Т=70%) и транспортными (ц =10″ см /в) характеристиками.

Получены опытные образцы кристаллов, на базе которых изготовлены подложки для эпитаксиальных структур, электрооптические модуляторы и детекторы рентгеновского излучения.

4. Показано влияние наноразмерного эффекта строения поверхности лейкосапфировых подложек ориентации (0001) на совершенство пленок CdTe. Установлено, что на подложках, отожженных на воздухе при температуре 1000 °C и выше и на поверхности которых имеется система гладких террас и ступеней, растут эпитаксиальные пленки CdTe с кубической структурой типа сфалерита, ориентированные плоскостью (111) параллельно подложке. На подложках без отжига или отожженных в вакууме растут поликристаллические пленки CdTe, что интерпретируется с позиции нарушения стехиометрии и дефектности поверхности подложки.

5. Разработан способ модификации поверхности кристаллов ЩГК, позволяющий выращивать на подложках этих кристаллов сверхтонкие эпитаксиальные пленки Au, Ag и Си. Установлена зависимость морфологии эпитаксиальных пленок Au и Ag от температуры в интервале 400−900°С.

Установлен критический размер кристаллита (менее 15 нм), достигающего ориентированного относительно подложки положения.

6. Показано, что для различных материалов эпитаксиальный рост начинается лишь при достижении критических значений размеров образующихся нанокристаллов по порядку величины близких к 10 нм. Обнаружено, что на начальных стадиях роста пленка поликристаллическая, и по достижении определенной толщины становится монокористаллической.

7. Обнаружено явление упорядочения ансамблей наночастиц золота на наноструктурированной поверхности лейкосапфира и обоснован механизм их формирования. Модифицирован метод фазового контраста в атомно-силовой микроскопии (сканирование в режиме фазового контраста в противоположных направлениях и последующее наложение изображений), позволяющий увеличить контраст изображения нанообъектов на рельефной поверхности в 1,5 раза.

БЛАГОДАРНОСТЬ.

Выражаю глубокую признательность и благодарность за помощь:

Ковальчуку Михаилу ВалентиновичуАсадчикову Виктору ЕвгеньевичуБуташину Андрею ВикторовичуИванову Юрию МихайловичуПисаревскому Юрию ВладимировичуВласову Василию ПлатоновичуМуслимову Арсену ЭмирбеговичуФейгину Льву АбрамовичуНосику Валерию ЛеонидовичуСпиридоновой Людмиле СеменовнеГолубевой Александре СергеевнеСкворцовой Ульяне Петровне.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Lique J.J., Maestro V., Lozar A., Cordoba A. Transient orient states in a modelreaction on a surface with active sites // International Journal of Modern Physics С 14(2003) 159−167.
  2. Declan Burke L., O’Mullane A.P. Generation of active surface states of gold and therole of such states in electrocatalysis // Journal of Solid State Electrochemistry 4 (2000) 285−297.
  3. В.Г., Корякова O.B., Хмара Е. Ф., Уймин М. А. Спектральныепроявления активных центров на поверхности наноразмерного оксида меди // Аналитический контроль 9 (2005) 423−427.
  4. Bezrodina Т., Puchkovska G., Shimanovska V., Chashechnokova I., Khalyavka Т., Baran J. Pyridine-Ti02 surface interaction as a probe for surface active centers analysis // Applied Surface Science 214 (2003) 222−231.
  5. Arabczyk W., Narkiewicz U. A new method for in situ determination of number of active sites in iron catalysts for ammonia synthesis and decomposition // Applied Surface Science 196 (2003) 423−428.
  6. Справочник технолога-оптика (ред. Окатов М.А.), Санкт-Петербург: Политехника, 2004.
  7. Cui J., Sun A., Reshichkov М., et. al. Preparation of sapphire for high quality Ill-nitride growth // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2000. — V. 5. — P. 7−13.
  8. Kurnosikov O., Pham Van L., Cousty J. About anisotropy of atomic-scale height step on (0001) sapphire surface // Surface Science. 2000. — V. 459. — P. 256−264.
  9. Shiratsuchi Y., Yamamoto M., Kamada Y. Surface structure of self-organized sapphire (0001) substrates with various inclined angles // Japanese J. Applied Physics. 2002. — V. 41. — P. 5719−5725.
  10. А.А. Процессы кристаллизации // Современная кристаллография М.: Наука, 1980. — Т. 3. — С. 5−232.
  11. Lee G.H. Realization of ultrasmooth surface with atomic scale step structure on LiNb03 and LiTa03 substrates // Optics Express. 2002. — V. 10. — P. 556−560.
  12. Cho G.B., Yamamoto M., Kamada Y. Morphology of Fe film grown on self-organized SrTi03 (001) substrates with inclined angles // Japanese J. Applied Physics. 2002. — V. 41. — P. 5713−5718.
  13. .К. Симметрия кристаллов, методы структурной кристаллографии // Современная кристаллография М.: Наука, 1979. — Т. 1. — 384 с.
  14. А.А. Лазерные кристаллы. М.: Наука. — 1975. — С. 189.
  15. Разработка технологий выращивания крупногабаритных монокристаллов со структурой граната для применения в оптоэлектронике и лазерной технике.: Технологическая документация АБШВ 10.00.000 / Институт кристаллографии РАН
  16. ИК РАН) — ГК от 13.05.2005 г. № 02.447.11.2001- Руководитель Каневский В.М.- Per. Номер 13 243.6904008332.06.1.001.6. Москва, 2006.
  17. .В., Буташин А. В. Особенности кристаллизаций кальций-галлий-германиевого граната // Труды ИНЭУМ. М., 1980. — вып. 82. — С. 44−56.
  18. Yoshimoto М., Maeda Т., Ohnishi Т., et. al. Atomic-scale formation of ultrasmooth surfaces on sapphire substrates for high-quality thin-film fabrication // Appl. Phys. Lett. -1995,-V. 67.-P. 2615−2620.
  19. Heffelfinger J.R., Carter C.B. Mechanism of surface faceting and coarsening // Surf. Sci. 1997. — V. 389. — P. 188−200.
  20. Van L.P., Kurnosikov O., Cousty J. Evolution of step on vicinal (0001) surfaces ofa-alumina // Surf. Sci. 1998. — V. 411. — P. 263−271.
  21. Ismach A., Kantorovich D., Joselevich E. Carbon nanotube graphoepitaxy: highlyoriented growth by faceted nanosteps // J. Am. Chem. Soc. 2005. — V. 127. — P. 11 554−11 555.
  22. Lintz M., Bouchiat M.-A. Oservation of the diffraction of helium-neon laser beam onthe monoatomic steps of vicinal sapphire surface // Surf. Sci. 2002. — V. 511. — P. L319-L324.
  23. Saw K.G. Surface recostraction of a-(0001) sapphire: an AFM, XPS, AES, and EELSinvestigations // J. Mater. Sci. 2004. — V. 39. — P. 1211−1214.
  24. Yu Q., Qin G., Li Y., et. al. Mechanism of horizontally aligned growth of single-wallcarbon nanotubes on R-Plane sapphire // J. Phys. Chem. B. 2006. — V. 110. — P. 22 676−22 680.
  25. Фундаментальные основы механической активации, механосинтеза имеханохимических технологий (ред. АввакумовЕ.Г.), Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2009.
  26. П.Ю. Проблемы и перспективы развития механохимии // Успехихимии. 63 (1994) 1031−1043.
  27. Boldyrev V.V. Mechanochemistryand mechanical activation //Materials Science
  28. Forum 225−227 (1996) 511−520.
  29. P. Физика разрушения. // Атомистика разрушения, М.: Мир, 1980, С. 104. 144.
  30. Е.Г., Косова И. В., Александров В. В. Дефектообразование примеханической активации оксидов титана, олова и вольфрама // Известия АН СССР. Неорганические материалы 19 (1984) 1118−1121.
  31. Н.З., Талако Т. Л., Григорьева Т. Ф. Влияние механоактивации напроцессы фазо- и структурообразования при СВС. Новосибирск: Параллель, 2008.
  32. Е.Г., Гусев А. А. Механические методы активации в переработкеприродного и техногенного сырья. Новосибирск: Гео, 2009.
  33. Kumar К., Kumar S., Mehrotra S.P. Towards sustainable solutions for fly ashthrough mechanical activation // Resources, Conservation and Recycling52 (2007) 157−179.
  34. K.A., Сулименко JI.M. Механохимическаяактивацияпигментированных цементов // Успехи химии и химической технологии 17(15)(2003) 48−50.
  35. Н.С., Коныгин Г. Н., Поздеев В. В., Максимов П. Н., Базина Н.Ю.,
  36. Lu L., Lai М.О. // Mechanical alloying. Kluwer Academic Publishers, Norwell, USA, 1998.
  37. Li L., Lai M. O., Gupta M., Chua B.W., Osman A. Improvement of microstructureand mechanical properties of AZ91/SiC composite by mechanical alloying// Journal of Materials Science 35 (2000) 5553−5561.
  38. Zhang D.L. Processing of advanced materials using high-energy ball milling //
  39. Progress in Materials Science 49 (2004) 537−560.
  40. Eckert J., Schurack F., Schultz L. Synthesis and mechanical properties of highstrength aluminum-based quasicrystalline composites// Journal of Metastable and Nanocrystalline Materials 15−16 (2003) 245−252.
  41. B.B., Калошкин С. Д., Томилин И. А., Шелехов Е. В., Лаптев А.И.,
  42. А.А., Данилов В. Д. Структура и свойства механоактивированных композиционных материалов А1 / квазикристалл Al-Cu-Fe // Физика металлов и металловедение 104 (2007) 517−524.
  43. Gorshenkov M.V., Kaloshkin S.D., Tcherdyntsev V.V., Danilov V.D., Gulbin V.N.
  44. Fabrication and microstructure of al-based hybrid composite reinforced by b4c and ultra-dispersed tungsten// Defect and Diffusion Forums 309−310 (2011) 249−254.
  45. Petrovsky V.Ya., Rak Z. S Densiflcation, microstructure and properties ofelectroconductive Si3N4-TaN composites. Part I: Densiflcation and microstructure // Journal of the European Ceramic Society 21 (2001) 219−235.
  46. Li J., Ни K., Zhou Y. Formation of TiB2/TiN nanocomposite powder by high energyball milling and subsequent heat treatment // Materials Science and Engineering A 325 (2002) 270−275.
  47. Suryanarayana C. Synthesis of nanocomposites by mechanical alloying // Journal of
  48. Alloys and Compounds 509 (2010) S229-S234.
  49. Wang G., Chen Y., Wang Q. Structure and properties of poly (ethyleneterephthalate)/Na±montmorillonite nanocomposites prepared by solid state shear milling (S3M) method // Journal of Polymer Science. Part B. Polymer Physics 46 (2008) 807−817.
  50. Hedayati M., Salehi M., Bagheri R., Panjepour M., Maghzian A. Bali millingpreparation and characterization of poly (ether ether ketone)/surface modified silica nanocomposite // Powder Technology 207 (2011) 296−303.
  51. ZhangG., SchlarbA.K., TriaS., ElkedimO. Tensile and tribological behaviors of
  52. PEEK/nano-Si02 composites compounded using a ball milling technique// Composites Science and Technology 68 (2008) 3073−3080.
  53. Kaloshkin S.D., Vandi L.-J., Tcherdyntsev V.V., Shelekhov E.V., Danilov V.D.
  54. Multi-scaled polymer-based composite materials synthesized by mechanical alloying // Journal of Alloys and Compounds 483 (2009) 195- 199.
  55. Benjamin J.S. Dispersion strengthened superalloys by mechanical alloying // Metallurgical Transactions 1 (1970) 2943−2951.
  56. Gilman P. S., Benjamin J.S. Mechanical alloying // Annual Review of Materials1. Science 13 (1983)279 300.
  57. B.B. Модель реакционной зоны при механической обработкепорошков в планетарной мельнице // Неорганические материалы 34 (1998) 1525−1534.
  58. Ohara S., Tan Z., Hanaici Т., Sato К, Abe H. Collision synthesis of unique carbonnanomaterials inspired by the Allende meteorite // Solid State Communications 150 (2010) 198−200.
  59. Ф.Х., Болдырев B.B. Расчет физико-химических параметров реакторовдля механохимических процессов // Неорганические материалы 35 (1999) 248−256.
  60. Ebadzadeh Т. Effect of mechanical activation and microwave heating on synthesisand sintering of nano-structure mullite //Journal of Alloys and Compounds 489 (2010) 125−129.
  61. Kong L.B., Zhang T.S., Ma J., Boey F. Anisotropic grain growth of mullite in highenergy ball milled powders doped with transition metal oxide // Journal of the European Ceramic Society 23 (2003) 2247−2256.
  62. Л.Г., Аввакумов Е. Г., Гусев A.A., Винокурова О. Б. Получениенанодисперсного муллита с применением механической активации // Материаловедение 10 (2008) 55−60.
  63. Temuujin J., Jadambaa T.S., Okada К., Mackenzie K.J.D. Preparation ofaluminosilicate precursor by mechanochemical method from gibbsite-fumed silica mixtures //Bulletin of Materials Science 21 (1998) 185−187.
  64. Temuujin J., Okada K., Mackenzie K.J.D. Effect of mechanochemical treatment on the crystallization behavior of diphasic mullite gel // Ceramics International 25 (1999) 85−90.
  65. КаракичевЛ.Г., АввакумовЕ.Г., ВинокуроваО.Б., ГусевА.А., ЗимаТ.М.,
  66. ЛяховН.З. Сравнение золь-гель и механохимического способов получения дисперсного Al2Ti05// Химия в интересах устойчивого развития 9 (2001) 2734.
  67. Kong L.B., Ma J., Huang H. MgAl204 spinel phase derived from oxide mixtureactivated by high-energy ball milling process // Materials Letters 56 (2002) 238 243.
  68. Bocanegra S.A., Ballarini A.D., Scelza O.A., de Miguel S.R. The influence ofsynthesis routes of MgAl204 on its properties and behavior as support of dehydridogenation catalysis // Materials Chemistry and Physics 111 (2008) 534 541.
  69. Stubicar N., Tonejic A., Stubicar M. Microstructural evolution of some Mg0-Ti02and Mg0-Al203 powder mixtures during high-energy ball milling and post-annealing studied by X-ray diffraction // Journal of Alloys and Compounds 370 (2004) 296−301.
  70. Mackenzie K.J.D., Temuujin J., Jadambaa T., Smith M.E., Angerer P.
  71. Mechanochemical synthesis and sintering behavior of magnesium aluminate spinel // Journal of Materials Science 35 (2000) 5529−5535.
  72. Plesingerova B., Stevulova N., Luxova M., Boldizarova E. Mechanochemicalsynthesis of magnesium spinel in oxide-hydroxide systems // Journal of Materials Synthesis and Processing 8 (2000) 287−293.
  73. Yalamac E., Akkurt S. Additive and intensive grinding effects on the synthesis ofcorderite // Ceramics International 32 (2006) 825−832.
  74. Pavlovic M., Jovalekic C., Nikolic A.S., Manojlovic D., Sojic N. Mechanochemicalsynthesis of stoichiometric MgFe204 spinel // Journal of Materials Science: Materials of Electronics 20 (2009) 782−787.
  75. Marincovic Z.V., Specovic T.V., Pertovic-Prelevic I., Ristic M.M. Structuralchanges of ZnO Cr2C>3 system during mechanical activation and their influence on the spinel synthesis // XHMHSBHHTepecaxycTonHHBoropa3BHTHJi 10 (2002) 155 160.
  76. Zhao Z.W., Ouyang K., Wang M. Structural macrokinetics of synthesizing ZnFe204by mechanical ball miling // Transactions of Nonferrous Metals Society of China 20 (2010) 1131−1135.
  77. Kim W., Saito F. Mechanochemical Synthesis of zinc ferrite from zinc oxide and a
  78. Fe203 // Powder Technology 114 (2001) 12−16.
  79. Jean M., Nachbaur V. Determination of milling parameters to obtainmechanosynthesized ZnFe204// Journal of Alloys and Compounds 454 (2008) 432 436.
  80. Nachbaur V., Tauvel G., Verdier T., Jean M., Juraszek J., Houvlet D.
  81. Mechanosynthesis of partially inversed zinc ferrite // Journal of Alloys and Compounds 473 (2009) 303−307.
  82. Yang H., Zhang X., Huang C., Yang W., Qiu G. Synthesis of ZnFe204nanocrystallites by mechanochemical reaction // Journal of Physics and Chemistry of Solids 65 (2004) 1329−1332.
  83. Botta P.M., Aglietti E.F., Porto Lopez J.M. Kinetic study of ZnFe204 formation frommechanochemically activated Zn-Fe203 mixtures // Materials Research Bulletin 41 (2006)714−723.
  84. Berbenni V., Milanese С., Bruni G., Marini A., Pallecchi I. Synthesis and magneticproperties of ZnFe204 obtained by mechanochemically assisted low-temperature annealing of mixtures of Zn and Fe oxalates // Thermochimica Acta 447 (2006) 184−189.
  85. Nikolic N.S., Specovic T.V., Ristic M.M. The influence of mechanical activation of
  86. ZnO and Sn02 powder mixtures on the obtaining of zinc stannate ceramics // Химия в интересах устойчивого развития 10 (2002) 213−217.
  87. Ivetic Т., Vukovic Z., Nikolic M.V., Pavlovic V.B., Nikolic N.S., Minic D., Ristic
  88. M.M. Morphology investigation of mechanically activated Zn0-Sn02 system // Ceramics International 34 (2008) 639−643.
  89. Suwanboon S., Amornpitoksuk P., Bangrak P. Synthesis, characterization andoptical properties of Zn!.xTixO nanoparticles prepared via a high-energy ball milling technique // Ceramics International 37 (2011) 333−340.
  90. B.H., Пещеренко С. И., Боброва C.H., Тимохова А. П. Механизм икинетика диссипации внешнего механического воздействия при дроблении порошковой смеси // Физика металлов и металловедение 81(2) (1996) 76−82.
  91. А.Н., Борунова А. Б., Козина Н. П., Лапшин В. И., Релушко П.Ф.
  92. Закономерности механохимического синтеза сложных оксидов в системе Pb0-Fe203-Nb203 // Механохимический синтез в неорганический химии (ред. АввкумовЕ.Г.). Новосибирск: Наука, Сибирскоеотделение (1991) 66−83.
  93. Fecht H.-J. Nanostructure formation by mechanical attrition // Nanostructured1. Materials 6 (1995) 33−42.
  94. Mohamed F.A. A dislocation model for the minimum grain sized obtainable bymilling // Acta Materialia 51(2003) 4107−4119.
  95. Balaz P., Dutkova E., Skorvanek I, Gock E., Kovac J., Satka A. Kinetics ofmechanochemical synthesis of Me/FeS (Me = Cu, Pb, Sb) nanoparticles // Journal of Alloys and Compounds 483 (2009) 195- 199.
  96. Mancheva M., Iordanova R., Dimitriev Y. Mechanochemical synthesis ofnanocrystalline ZnW03 at room temperature // Journal of Alloys and Compounds 509 (2011) 15−20.
  97. Л.Г., Аввакумов Е. Г., Винокурова О. Б., Гусев А. А., Ляхов Н.З.
  98. Мягкий механохимический синтез дисперсного титаната циркония // Химия в интересах устойчивого развития 11 (2003) 493−497.
  99. Е.Г., Чижевская С. В., Стоянов Е. С., Поветкина М.В., Чекмарев
  100. A.M., Шафиров В. Л., Винокурова О. Б. Влияние природы компонентов механически активированной смеси оксидов циркония и кремния на твердофазный синтез циркона // Журнал прикладной химии 73 (1999) 14 201 424.
  101. Sherif El-EskandaranyM., El-Banasawy H.N., Ahmed H.A., Essia N.A. Mechanicalsolid-state reduction of haematite with magnesium // Journal of Alloys and Compounds 314 (2001) 286−295.
  102. Sheibani S., Ataie A., Heshmati-Manesh S. Kinetics analysis of mechano-chemicallyand thermally synthesized Cu by Johnson-Mehl Avrami model // Journal of Alloys and Compounds 455 (2008) 447−453.
  103. Sheu H.-H., Hsiung L.-C., Sheu J.-R. Synthesis of multiphase intermetalliccompounds by mechanical alloying in Ni-Al-Ti system// Journal of Alloys and Compounds 469 (2009) 483−487.
  104. Shen Y., Hng H.H., Oh J.T. Formation kinetics of Ni 15% Fe — 5% Mo duringball milling // Materials Letters 58 (2004) 2824−2828.
  105. Louidi S., Bentayeb F.-Z., Sunol J.J., Escoda L. Formation study of the ball milled Cr20Cu80 alloy // Journal of Alloys and Compounds 493 (2010)110−115.
  106. Gupta R., Gupta A. Mechanical alloying of Fe-B powders // Materials Science and
  107. Engineering A 304−306 (2002) 270−275.
  108. Sherif El-Eskandarany, Bahgat A.A., Gomaa N.S., Eissa N.A. Kinetics andformation mechanism of amorphous Fe52Nb48 alloy powder fabricated by mechanical alloying // Journal of Alloys and Compounds 290 (1999) 181−190.
  109. Moumeni H., Alleg S., Greneche J.M. Formation of ball-milled Fe-Monanostructured powders // Journal of Alloys and Compounds 419 (2006) 140−144.
  110. Jiang H.G., Perez R.J., Lau M.L., Lavernia E.J. Formation kinetics of nanocrystalline
  111. Fe 4 wt. % A1 solid solution during ball milling // Journal of Materials Research 12 (1997) 1429−1432.
  112. Bab M.A., Mendoza-Zelis L., Damonte L.C. Nanocrystalline NfN produced bymechanical milling: kinetic aspects // Acta Materialia 49(2001) 4205−4213.
  113. M., Доллимор JI., Галвей A. // Реакции твердых тел. М.: Мир, 1983.
  114. Физическое материаловедение (ред. Кан Р.), М.: Мир, 1968.
  115. Toporov A.Yu., Kiselev M.R., Kaloshkin S.D., Tcherdyntsev V.V., Tomilin I.A.
  116. Changes of magnetic properties of Fe5oMn50composition by mechanical alloying// Journal of Magnetism and Magnetic Materials 203 (1999) 310−312.
  117. Minoru Funaki, Tsutomu Ozaki, Kazuyu Satoh, Ryoichi Ohno. Growth andcharacterization of CdTe single crystais for radiation detectors 7/ Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1999. V.436. P. 120−126.
  118. Khan A.A., Allred W. P, Dead B. et.al. Growth and structural propeties oflow defect, sub-grain free CdTe substrates growth by the horizonta. l bridgman technique.//J. Electronic Materials. 1986. V. 15, N 3. P. 181−184.
  119. Rudolph Peter and Muhlberg Manfred. Basic problems ofvertical Bridgmangrowth ofCdTe//Material Science and Engineering. В16. 1993. P. 8−16.
  120. Shen J., Aidun D.K., Regel L. and Wilcox W.R. Characterization ofprecipitates in CdTe and Cd, x ZnxTe grown by vertical Bridgman-Stockbarger Technique //J. Crystal Growth. 1993. V. 132. P. 250−260.
  121. Shiraki H., Funaki M., Ando J., at all //Nuclear Science Symp., Medical Imaging
  122. Conf., 16 Room Temperature Semicond. Detctor
  123. Workshop, 200 8, Dresden, Germany.
  124. Szeles Csaba, Eissler Elgin E. Current Issue of High-Pressure Bridgman
  125. Growth of Semi-Insulating CdZnTe // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. V. 484. P.309.
  126. Asahi Т., Oda 0., Taniguchi У., Koyama A. Characterization of 100 mmdiameter CdZnTe single crystals grown by vertical gradient freezing method // J. Crystal Growth. 1995. V. 149.P. 23−29.
  127. Sato К., Seki У., Matsuda У., Oda О. Recent developments ш П-Vlsubstrates //J. Crystal Growth. 1999. V.197. P. 413−422.
  128. Rozen G.J., Carlson M., Thomson J.E. and Wilcox W.R. Monitoring vertical
  129. Bridgman-Stockbarger growth of CdTe by an eddy current technique // J. Electron. Mater. 1995. — V.24. — P. 491−496.
  130. Ivanov Yu.M., Polyakov A.N., Kanevsky V.M. and Horvath Zs. Detection ofpolymorphous transformations in CdTe by dylatometry // J. Phys. Sol. ©. -2003.-№ 3.-P. 889−895.
  131. И.Х., Иванов Ю. М., Зорин A.B. Проблемы полиморфных переходов в
  132. CdTe // Поверхность. 2001. — № 10. — С. 82−89.
  133. Ivanov Yu.M. Growth and homogeneity region of CdTe // J. Crystal Growth. 1996.-V. 161.-P. 12−18.
  134. Ivanov Yu.M., Artemov V.V., Kanevsky V.M., Polyakov A.N., Chudakov V.S.,
  135. Pashaev E.M. and Semin R.A. Production of structurally perfect single crystals of CdTe and CdZnTe // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. — V.27. — P. 371−379.
  136. Sochinskii N.V., Munoz V., Bellani V., Vina L., Dieguez E., Alves E. da Silva,
  137. Soares J.C. and Bernardi S. Substrate effect on CdTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1997. — V.70, Is. 10. — P. 1314−1317.
  138. Sochinskii N. V., Bernardi S., Dieguez E., Franrosi P. and Kletskii S.V. Vapor phaseepitaxy of Hgi. xCdxTe on CdTe heteroepitaxial substrates // J. Crystal Growth. -1995. -V. 149. P. 35−39
  139. W. Физика и химия соединений А2В6 (Ред. С.А. Медведев). М.: Наука. — 1970. -С.173−198.
  140. Ю.М., Поляков А. Н., Зенкова М. Д., Каневский В. М., Артемов В. В. Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия. Патент на изобретение № 2 341 594С2 от 20.12.2008 г.
  141. Zuniga-Perez J., Tena-Zaera R., Munoz-Sanjose V. Structural characterization of
  142. CdTe layers grown on (0001) sapphire by MOCVD // J. Crystal Growth. 2004. -V. 270, Is. 3−4.-P. 309−314.
  143. Huerta-Ruelas J., Lopez-Lopez M. and Zelaya-Angel O. Observation of thermaldesorption and MBE growth rate using laser light scattering // Thin Solid Films. 2000. V. 373, Is. 1−2. — P. 239−243.
  144. Baetzner D.L., Romeo A., Zogg H., Endt R.W., Tiwari A.N. Development ofefficient and stable back contacts on CdTe/CdS solar cells // Thin Solid Films. 2001.- V.387. P. 151−156.
  145. Romeo N., Bosio A., Tedeschi R., Canevari V. Growth of polycrystalline CdS and
  146. CdTe thin layers for high efficiency thin film solar cells // Materials Chemistry and Physics. 2000. — V. 66, Is. 2−3. — P. 201−209.
  147. Demtsu S.H. and Sites J.R. Effect of back-contact barrier on thin-film CdTe solarcells // Thin Solid Films. 2006. — V. 510, Is. 1−3. — P. 320−324.
  148. Safran G., Geszti O., Barna P.B.// Phys. Status Sol. l995,v.l50,p.489 .
  149. А.А.Чернов, Л. И. Трусов. Кристаллография. J4, 218 (1969)
  150. Robins J.L., Mortlock H.S., Howard D.C.// Appl.Surf.Sci.1985, v.22/23,p.565
  151. Дж.П. хирт, С.Дж.Хруска, Г. М. Паунд. Сб. «Монокристаллическиепленки"//Мир, М. 1066
  152. Kozhevnikov I.V., Pyatakhi M.V. Use of DWBA and perturbation theory in X-raycontrol of the surface roughness // Journal of X-Ray Science and Technology. -1998.-V. 8. P.253 — 275.
  153. K.L.Chopra, M.R.Randlett//J.Appl.Phys. 39, 1874(1968).
  154. Гельман Ю А., Дымшиц Ю. М., Самохвалов Ю. Ф. и др. Установкамолекулярно-лучевой эпитаксии с двумя синхронизированными модулированными пучками // ПТЭ. 1994. — № 5. — С. 181−188.
  155. В.Е., Буташин А. В., Волков Ю. О. и др. // Зав. Лаб.- 2008. № 10.1. С. 21.
  156. Edwards S.T., Schreiner A.F., Myers Т.М., Schetzina J. F. Photoluminescence from
  157. CdTe/sapphire films prepared by molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. 1983. -V. 54, Is. 11.-P. 6785−6791.
  158. Myers Т.Н., Giles-TaylorN.C., Yanka R.W., Bicknell R.N., Cook J.W., Schetzina
  159. J.F., Jost S.R., Cole H.S. and Woodbury H.H. Properties and applications of CdTe/sapphire epilayers grown by molecular beam epitaxy. // J. Vac. Sci. & Techn. A. 1985. — V. 3, Is. 1. — P. 71−80.
  160. П.Ю., Стрелецкий A.H. Кинетика и энергетический баланс вмеханохимических превращениях // Физика твердого тела 47 (2005) 830−836.
  161. Г. И., Кортукова Е.И.Исследование электронной структуры зеркальныхсколов монокристаллов LiF, CaF2, MgO // Физика твердого тела 15 (1973) 2917−2923.
  162. Г. И., Власов В. П., Герасимов Ю. М., Кобзарева С. А., Кортукова Е.И.,
  163. В.Н., Москвин В. В., Шенявская Л. А. // Декорирование поверхности твердых тел М.: Наука, 1976.
  164. Е.Е., Mullins W.W. // J. Phys. Chem. Solids. 1967. V.28. P.875
  165. L.Pham Van, O. Kurnosikov and J. Cousty, Surf. Science, V.411, 1998, P.263.
  166. Stubicar N., Tonejic A., Stubicar M. Microstructural evolution of some Mg0-Ti02and Mg0-Al203 powder mixtures during high-energy ball milling and post-annealing studied by X-ray diffraction // Journal of Alloys and Compounds 370 (2004) 296−301.
  167. Manova E., Estournes C., Paneva D., Rehspringer J.L., Tsoncheva T., Kunev В.,
  168. Mitov I. Mossbauer study of nanodimensional nickel ferrite mechanochemical synthesis and catalytic properties // Hyperfine Interactions 165 (2005)215−220.
  169. B.A., Карнаухов А. П., Тарасова Д. В. // Физико-химические основысинтеза окисных катализаторов. Новосибирск: Наука, 1978.
  170. В.А. // Основы методов приготовления катализаторов. Новосибирск:1. Наука, 1983.
  171. А.А., Аптикашева А. Г., Егорова С. Р., Левин О. В., Гильманов Х. Х. Формирование морфологии гидроксидов алюминия непрерывного осаждения в процессе промышленного синтеза // Журнал прикладной химии 78 (2005) 177−183.
  172. Пакет прикладных программ для РФА. Версия JCPDS International Centre for
  173. Diffraction Data. Программа Ident. JI., 1997.
  174. Рентгенометрическая картотека ASTMDiffractiondatacardfile, 1970.
  175. LuH., SunH., Mao A., Yang H., Wang H., Ни X. Preparation of plate-like nano-a
  176. A1203 using nano-aluminium seeds by wet-chemikal methods //Materials Science and Engineering A 406 (2005) 19−23.
  177. Физико-химические свойства окислов. Спр. под ред. Самсонова Г. В. М.:1. Металлургия 1978.
  178. A.M., Тресветский С. Г. // Высокотемпературные материалы иизделия из оксидов. М.: Металлургия, 1964.
  179. Phasediagramsforceramics, TheAmericanCeramicSociety, Columbus, ОН, Vols. I1. XII (1964−1996).
  180. БалкевичВ.Л. // Техническаякерамика. М.: Стройиздат, 1984.
  181. Jebb М., Barron A.W. ICP-MS for Trace Metal Analysis // Connection Modulus
  182. M34666, IBC Plaza Houston, Houston, TX, 2010.
  183. Ковтуненко П.В.// Физическая химия твердого тела. М.: Высшая шклоа, 1993.
  184. Л.А. Магнезиальная шпинельная керамика, легированнаяоксидами редкоземельных элементов. ПИКВИНИТИЦИ- ОНТ№ 5, 1994.
  185. Dal Mascyio R., Fabbri В. Industrial applications of refractories containingmagnesium aluminate spinel //Industrial Ceramics 8 (1988) 121−126.
  186. Ю.Е. Новые огнеупорные бетоны и вяжущие системыосновополагающее направление в разработке, производстве и применении огнеупоров в XXI веке. Часть III. Шпинельные и литые бетоны // Огнеупоры и техническая керамика 4 (1998) 12−18.
  187. Gentilman R.L. Fusion-castingonransparent spinel //
  188. AmericanCeramicSocietyBulletin60(9) (1981) 906−909.
  189. Wu X.C., Tao Y.R., Han Z.J., Zhang B.D. Synthesis and characterization of MgAl204spinel nanowires // Journal of Materials Chemistry 13 (2003) 2649−2651.
  190. Г. И. Синтез алюминий-магниевой шпинели // Новые огнеупоры 12 003) 26−29.
  191. Tripathi H.S., Mukherjee В., Das S., Haldar M.K., Das S.K., Ghosh A. Synthesis anddensification of magnesium aluminate spinel: effect of MgO reactivity // Ceramics International 29 (2003) 915−918.
  192. Angappan S., John Berchmans L., Augustin C.O. Sitering behavior of MgAl204 -a prospective anode material // Materials Letters 58 (2004) 2283−2289.
  193. Mohapatra D., Sarkar D. Effect of in situ spinel seeding on synthesis of MgO-rich
  194. MgAl204 composite // Journal of Materials Science 42 (2007) 7286−7293.
  195. БеляковА.В., ФайковП.П., ЦвигуновА.Н., АндриановН.Т., ИвлеваЮ.В.
  196. СинтезМ§ А1204сизбытком 10 мол. % MgOnpn изменении скоростей массопотоков катионов // Стекло и керамика 2 (2006) 14−19.
  197. Т.В., Третьякова Н. С. Разработка составов огнеупорного материала, содержащего алюмомагнезиальную шпинель// Стекло и керамика 5 (2004) 20−22.
  198. Л.Д., Каменецких В. А., Земляной К. Г., Шатилов О. Ф., Коптелов В.Н.,
  199. Д.В. Синтез шпинели из каустического магензита и глиноземной пыли // Новые огнеупоры 8 (2003) 17−21.
  200. С.В., Крюкова Т. Н., Кригер Т. А., Цырульников П. Г. Структурныйаспект эффекта термоактивации в алюмомарганцевых катализаторах глубокого окисления // Кинетика и катализ 44 (2003) 311−321.
  201. Zhang Z., Li N. Effect of polymorphism of Al203on the synthesis of magnesiumaluminate spinel // Ceramics International 31 (2005) 583−589.
  202. LavatA.E., Grasselli M.C., Lovecchio E.G. Effectofa and у polymorphs of aluminaon the preparation of MgAl204 spinel — containing refractory cement // Ceramics International 36 (2010) 15−21.
  203. Mazzoni A.D., Sainz M.A., Caballero A., Aglietti E.F. Formation and sintering ofspinels (MgAl204) in reducing atmospheres // Materials Chemistry and Physics 78 (2002) 30−37.
  204. Ganeshl., Johnson R., Rao G.V.N., Mahajan Y.R., Madavendra S.S., Reddy B.M.
  205. Microwave-assisted combustion synthesis of nanocrystalline MgAl204 spinel powder // Ceramics International 31 (2005) 67−74.
  206. Gomez I., Hernandez M., Aguilar J., Hinojosa M. Comparative study of microwaveand conventional processing of MgAl204-based materials // Ceramics International 30 (2004) 893−900.
  207. Brooks D.J., Douthwaite R.E., Gillie L.J. Plasma-promouted dielectric heating in themicrowave synthesis of spinels // Chemical Communications (2005) 4857−4859.
  208. Horvitz D., Gotman I. Pressure-assisted SHS synthesis of MgAl204-TiAl in situcomposites with interpenetrating networks // Acta Materialia 50(2002) 1961−1971.
  209. Guo J., Lou H., Zhao H., Wang X., Zheng X. Novel synthesis of high surface area
  210. MgAl204 spinel as catalyst support // Materials Letters 58 (2004) 1920−1923.
  211. Kim W., Saito F. Effect of grinding on synthesis of MgAl204 spinel from a powdermixture of Mg (OH)2 and Al (OH)3 // Powder Technology 113 (2000) 109−113.
  212. Henkel L., Koch D., Grathwohl G. MgAl204 spinel synthesizing by high-energy ballmiiling and reaction sintering // Journal of the American Ceramic Society 92 (2009) 805−811.
  213. Zhihui Z., Nan L. Influence of mechanical activation of A1203 on synthesis ofmagnesium aluminate spinel // Science of sintering 36 (2004) 73−79.
  214. К. Дж. Металлы. Справочник. М.: Металлургия, 1980.
  215. Balluffi R.W., Mehl R.F. Grain boundary diffusion mechanisms in metals //
  216. Metallurgical Transactions A 13 (1982) 2069−2095.
  217. Yoon D.Y. Theories and observations of chemically induced interface migration //1.ternational Materials Review 40 (1995) 149−179.
  218. AlbertsW. Физика и химия соединений А2В6 (Ред. С.А. Медведев).
  219. М.: Наука. 1970. С.173−198.184.. Н. В. Белов. Структура ионных кристаллов и металлических фаз. М.:
  220. Изд. АН СССР. 1947. С. 60−62.
  221. L.Pham Van, О. Kurnosikov and J. Cousty, Surf. Science, V.411, 1998, P.263.
  222. Neretina S., Hughes R.A., Britten J.F. et al. The role of substrate surface188. termination in the deposition of (111) CdTe on (0001) sapphire. // Appl. Phys.A.2009. V. 96. P. 429.
  223. Godin T.J., LaFemina J.P. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. № 11. P. 7691.
  224. Дж.А. Стрэттон «Теорияэлектромагнетизма"//М.1948.поверхности твердых тел. М.: Наука, 1976. С. 111.
  225. Г. В., Дедкова Е. Г., Карамурзов Б. С., Хоконов Х. Б., Тегаев Р.И., Коков
  226. З.А.Исследование силовых взаимодействий зонда сканирующего микроскопа с проводящими и непроводящими образцами в атмосферных условиях // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 6 (2007) 93−98.
  227. Е.Г. Контактная атомно-силовая спектроскопия металлических плёнок и диэлектрических материалов // Дисс. .канд. физ.-мат. наук. -Нальчик, Кабардино-Балкарский государственный университет им. X. М. Бербекова, 2008.
  228. Основные публикации автора по теме диссертации:
  229. В.П., Дистлер Г. И., Каневский В. М. Исследование методом Оже-электронной спектроскопии элементов активной поверхности кристаллов ZnS, возникающих в процессе их хрупкого разрушения. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1980. Т. 44. № 6. С. 1226−1228.
  230. В.П., Дистлер Г. И. Каневский В.М. Влияние примесной структуры на хрупкое разрушение кристаллов ZnS и ZnO. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1980. Т. 44. № 6. С. 1303−1304.
  231. Дистлер Г. К, Герасимов Ю. М., Каневский В. М. Получение тонких пленок с гладкой поверхностью методом дальнодействующей кристаллизации. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1984. Т. 48. № 9. С. 1697−1702.
  232. Ю.М., Дистлер Г. И., Каневский В. М., Макаров В. П., ШныревГД. О твердофазных реакциях, инициированных термообработкой на поверхности кристаллов КС1, легированных SrCl2. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1986. Т. 50. № 3. С. 486−490.
  233. В.П., Каневский В. М. Электронная спектроскопия и электронография переходных слоев, образующихся при эпитаксии Au, Ag, Си на KCl. // Изв. РАН, сер.физич. 2001. Т. 65. № 9. С. 1288.
  234. Ю.М., Чудаков B.C., Каневский В. М., Поляков А. Н., Пашаев Э. М., Писаревский Ю. В., Абрамец Ю. В., Тихомиров С. А. Получение однородных монокристаллов теллурида кадмия. // Поверхность. 2001. № 10. С. 65−68.
  235. В.П., Каневский В. М. Исследование изменения доменной структуры кристаллов ТГС методом декорирования хлористым серебром// Поверхность. 2002. № 6. С. 38−41.
  236. В.П., Каневский В. М. О возможности получения сплошных монокристаллических пленок металлов нанометровой толщины на поверх-ностяхщелочногалоидных кристаллов.//Поверхность. 2002. № 9. С. 69−73.
  237. В.П., Каневский В. М. Электронно-микроскопические исследования эволюции ориентации первичных микрокристалллов при вакуумном осаждении Au, Ag, AgCl на поверхности (100) щелочногаллоидных кристаллов. //Поверхность. 2002. № 10. С.26−29.
  238. Ivanov Yu.M., Polyakov A.N., Kanevsky V.M., Pashaev E.M., Horvath Zs.J. Detection of Polymorphous Transformations in CdTe by Dilatometry. // Phys. Stat. Solid. © 2003. № 3. P. 889−892.
  239. В.В.Артемов, Каневский B.M., Ю. М. Иванов. Исследование структуры кристаллов CdTe методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии //Поверхность.2003. № 3. С. 96−98.
  240. Ю.М., Артемов В. В., Поляков А. Н., Каневский В. М., Чудаков B.C., Пашаев Э. М., Сенин P.A. Получение структурно-совершенных кристаллов CdTe //Поверхность. 2004. № 9. С. 12−16.
  241. Ivanov Yu.M., Artemov VV, Polyakov A.N., Kanevsky V.M., Chudakov VS., Pashaev E.M., Senin R.A. Production of Structurally Perfect Single Crystals of CdTe and CdZnTe // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 27. P. 371.
  242. М.В., Каневский В. М., Тихонов Е. О., Дерябин А. И. Установка для горизонтальной односторонней очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 53 592 от 27.05.2006.
  243. В.М., Михайлов В.К, Поляк JI.E. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe: часть 1. Cd, Те2 nCdTe. // Поверхность. 2007. № 6. С.53−58.
  244. В.М., Михайлов В.К, Поляк Л. Е. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe: часть 2. Cd, Те2nCdTe. //Поверхность. 2007. № 11. С.48−54.
  245. В.М., Тихонов Е. О., Дерябин А. Н. Установка для двухсторонней вертикальной очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 2 327 247 от 20.06.2008.
  246. М.В., Каневский В. М., Тихонов Е. О., Дерябин А. Н. Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 2 337 429 от 27.10.2008.
  247. В.И., Буташин A.B., Каневский В. М., Поляк Л. Е., Ракова Е. В., Муслимое А. Э., Кварталов В. Б. Исследование молекулярно-лучевой эпи-таксиителлурида кадмия на сапфире//Поверхность. 2011. № 6. С. 97−102.
  248. В.М. Размерные эффекты механохимии оксидов // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 4. С. 711−718.
  249. Ю.М., Поляков А. Н., Зенкова М. Д., Каневский В. М. Установка для выращивания кристаллов. Патент на изобретение № 51 030 от 27.01.2006 г
  250. Ю.М., Поляков А. Н., Зенкова М. Д., Каневский В. М., Артемов В. В. Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия. Патент на изобретение № 2 341 594С2 от 20.12.2008 г.
  251. V.E.Asadchikov, A. V. Butashin, V.M. Kanevsky, A.E. Muslimov and B.S.Roshchin Syntetic Sapphire: Growth and Surface Investigations.// Materials Science and technologies.(2013)P35−75.927.933.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!