Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, курсовая, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°
ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚

Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра ΠΈ коэффициСнт пСрСноса

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ напряТСний Π½Π° Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора: Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, инвСрсный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора Π² Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΉ стСпСни ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅: Vhe > 0; Vh< < 0. Из (IV. 1.6) слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΊ 1 коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π°Π›, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра ΠΈ коэффициСнт пСрСноса (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Из ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡ (IV. 1.3) с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ (IV.1.5) слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅.

Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра ΠΈ коэффициСнт пСрСноса.

ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π΄Π΅.

— ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ пСрСноса,

β€” ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра β€” доля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° нСосновных для Π±Π°Π·Ρ‹ носитСлСй заряда Π² ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ» (II.4.41Π°, Π±) Π² (IV. 1.8) понятиС эффСктивности эмиттСра Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈβ€”Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ 1Π•.

— ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра — доля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° нСосновных для Π±Π°Π·Ρ‹ носитСлСй заряда Π² ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ» (II.4.41Π°, Π±) Π² (IV. 1.8) понятиС эффСктивности эмиттСра Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ—Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ 1Π•

Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π½Π΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ывался. Π’ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅ 1.6.4 Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 1Π• ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сущСствСнным Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ пСрСноса ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ пСрСноса Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ элСктронов, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π΅Π· Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

Из (IV. 1.6) слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΠΊ 1 коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π°Π›, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ пСрСноса, ΠΈ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈ ΠΊ 1. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ условиС обСспСчиваСтся нСравСнством (IV. 1.1), Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ — нСравСнством (IV.1.2).

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹

  • 1. Биполярный транзистор прСдставляСт собой систСму Π΄Π²ΡƒΡ… Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ располоТСнных Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Вранзисторный эффСкт состоит Π² ΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ носитСлСй, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΈΠ· ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π°.
  • 2. Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ напряТСний Π½Π° Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора: Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, инвСрсный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора Π² Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΉ стСпСни ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅: Vhe > 0; Vh< < 0.
  • 3. Вранзисторы Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ проводимости (ΠΏ-Ρ€-ΠΏ ΠΈ Ρ€-ΠΏ-Ρ€), ΠΏΠΎ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Ρƒ лСгирования Π±Π°Π·Ρ‹ (Π±Π΅Π·Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈ Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„ΠΎΠ²Ρ‹Π΅), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ (сплавныС, Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅).
  • 4. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ транзистора, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эмиттСрноготока o.v ΠΈ ΠΊΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (3V =aN / (l-av). Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта aN Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊ 1.
  • 5. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдставлСн Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ произвСдСния коэффициСнта пСрСноса Π½Π° ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ пСрСноса Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ пСрСносС нСосновных носитСлСй Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСра Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, связанныС с ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ нСосновных носитСлСй ΠΈΠ· Π±Π°Π·Ρ‹ Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ с Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ носитСлСй Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.
  • 6. Π‘Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊ 1 значСния коэффициСнта пСрСноса ΠΈ ΡΡ„фСктивности эмиттСра ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ условий wB / LB <οΏ½ΠΊ 1 ΠΈ Ne/Nb" соотвСтствСнно.
ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ