Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Туннельная микроскопия/спектроскопия гетерогенных электродных и электроосажденных материалов

Диссертация: Туннельная микроскопия/спектроскопия гетерогенных электродных и электроосажденных материалов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Настоящая работа посвящена обоснованию высокоинформативных версий метода СТМ для разносторонней характеристики электродных материалов различной природы. Центральным аспектом работы является адаптация метода туннельной спектроскопии для исчерпывающего анализа локальных свойств материала и последующей интерпретации особенностей их электрохимического поведения, в том числе коррозии (деградации) при… Читать ещё >

Содержание

  • Список основных обозначений

Глава 1. Сканирующая туннельная микроскопия. Спектроскопические подходы, реализуемые в различных конфигурациях.

1.1. Истинный туннельный перенос электрона (высоковакуумная и криогенная конфигурации).

1.1.1. Локальные туннельные спектры.

1.1.2. Картирование свойств поверхности.

1.1.3. Специализированные спектроскопические подходы.

1.2. Особенности туннельной спектроскопии в электрохимической in situ конфигурации.

1.2.1. Вольтвысотные зависимости I (U).

1.2.2. Токвысотные зависимости 1(H).

1.3. Особенности строения «туннельного» зазора при измерениях в ex situ конфигурации.

1.4. Подходы к изучению электрических свойств материала, реализуемые в конфигурации атомно-силового микроскопа.

1.4.1. Контактные методы.

1.4.2. Бесконтактные методы.

1.5. Сканирующая электрохимическая микроскопия.

Глава 2. Разработка методических подходов.

2.1. Локальные туннельные спектры в ex situ конфигурации.

2.1.1. Вольтамперные зависимости.

2.1.2. Токвысотные спектры.

2.1.3. Вольтвысотные спектры.

2.2. Дифференциальные туннельные спектры. Импеданс туннельного зазора.

2.3. Искажение топографических данных, связанное с не идеальностью формы зонда в условиях нелокального переноса электрона.

2.4. Анализ различных методик электрохимического травления зонда. Тест-система для оценки формы острия.

2.5. Электрохимический и молекулярный дизайн модифицированных зондов.

Глава 3. Гетерогенные оксидные электродные материалы.

3.1. Керамические материалы на основе S11O2.

3.1.1. Методические особенности проведения электрохимических измерений.

3.1.2. Электрохимическое поведение оловосодержащих частиц в расплаве.

3.1.3. Электрохимическое поведение меди.

3.1.4. Электрохимическое поведение керамики Sn02+1.5 мас.% СиО+1.5мас.% Sb203.

3.1.5. Особенности деградации керамики в ходе длительной анодной поляризации.

3.1.6. Формулировка гипотезы о причинах деградации керамики.

3.1.7. Изменение объемной проводимости керамики после анодной поляризации.

3.1.8. Туннелъно-спектроскопическое исследование локальной проводимости.

3.1.9. Роль меди в процессах деградации керамического анода.

3.1.10. Влияние природы допантов на локальную проводимость керамики.

3.1.11. Электрохимическое и деградационное поведение керамики

Sn02 + 1.5% Мп02 + 1.5% Sb203.

Туннельная микроскопия/спектроскопия гетерогенных электродных и электроосажденных материалов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Метод сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), изобретенный Биннигом и Рорером в 80-х годах прошлого столетия [1−4], прочно вошел в обиход современных научных лабораторий, на рынке появились десятки моделей серийно выпускаемых микроскопов. В то же время, подавляющее большинство исследователей использует данный метод лишь для получения топографической информации на микрои нано-уровне не задумываясь, как правило, о природе процессов, которые приводят к появлению перепадов высот (контрастов) на топографических изображениях. В ряде случаев такой подход приводит к неправильной интерпретации наблюдаемых изображений. Лишь ограниченный круг исследователей, как правило, физиков, которые профессионально занимаются изучением процессов туннельного переноса электрона и электронного строения вещества, использует возможности метода СТМ для получения информации сверх топографической. Во многом такая ситуация закономерна, так как при проведении СТМ исследований в большинстве конфигураций, за исключением высоковакуумной или криогенной, не удается реализовать непосредственно туннельный перенос электрона, не осложненный параллельным переносом по другим механизмам. Во всех других конфигурациях анализ туннельно-спектроскопической информации в рамках строгих подходов становится невозможным. С другой стороны, очень внимательного анализа требуют именно отклонения в поведении туннельного зазора от предсказаний моделей, составляющих основу метода. Это относится как к спектрам, так и к получаемой топографической информации. При наличии в зазоре той или иной среды ток между зондом и образцом зависит от расстояния между ними (как и истинно туннельный). Однако эта зависимость, как правило, гораздо менее резкая, что приводит к снижению локальности переноса и ухудшению общего контраста изображения. С другой стороны, если условия переноса электрона в различных точках поверхности значительно отличаются, возможно появление ложного топографического контраста на гладких поверхностях.

В настоящей работе предпринята попытка показать, что использование туннель-но-спектроскопических подходов позволяет значительно расширить информативность метода СТМ при комнатной температуре и произвольном составе туннельного зазора, а в некоторых случаях получить уникальную информацию о локальных свойствах гетерогенного материала. Подчеркнем, что особенностью ex situ конфигурации туннельного микроскопа (при проведении измерений на воздухе) является существование на поверхности образца тонкой пленки конденсированной влаги, которая одновременно контактирует и с зондом микроскопа. В этих условиях ток через зазор отвечает, по сути, электрохимическим процессам, а измерительная конфигурация представляет собой тонкопленочную двухэлектродную электрохимическую ячейку, работающую в гальваностатическом режиме. Поэтому анализ поведения «туннельного» зазора в этих условиях необходимо проводить с привлечением количественных представлений об электрохимических системах и процессах.

Большинство электродных материалов, используемых в электрохимических исследованиях и технологиях, представляют собой сложные гетерогенные объекты с малыми характеристическими размерами фрагментов. Поэтому при анализе их электрохимического поведения необходимо хорошо представлять себе распределение фаз в электродном материале и их локальные свойства. Для гетерогенных материалов топографическое исследование, как правило, не позволяет однозначно идентифицировать различные компоненты материала. В то же время, туннельно-спектроскопические подходы в некоторых случаях могут оказаться уникальными для характеристики свойств материала с локальностью не хуже десятков-сотен нанометров.

Настоящая работа посвящена обоснованию высокоинформативных версий метода СТМ для разносторонней характеристики электродных материалов различной природы. Центральным аспектом работы является адаптация метода туннельной спектроскопии для исчерпывающего анализа локальных свойств материала и последующей интерпретации особенностей их электрохимического поведения, в том числе коррозии (деградации) при функционировании в электрохимических системах. В главе 1 рассматриваются основные спектроскопические подходы, реализуемые в конфигурации СТМ. Они были разработаны, в основном, для не осложненного туннельного переноса электрона в зазоре. Обсуждаются также значительно более широко распространенные методики локального исследования свойств материалов в конфигурации атомно-силового микроскопа. В связи с применением этих методик для материалов электрохимических систем большое внимание уделено особенностям строения «туннельного» зазора в ex situ конфигурации. В следующей главе 2 рассматриваются исследования, проведенные с целью разработки методических подходов к спектроскопической характеристике свойств материала в конфигурации ex situ СТМ микроскопа, а также для корректного анализа топографической информации, получаемой в условиях нелокального переноса электрона. Также в этой главе рассматриваются и электрохимические методы создания модифицированных туннельно-микроскопических зондов с особыми свойствами. В главе 3 представлены результаты исследования гетерогенных оксидных материалов, имеющих практическое значение, для которых именно использование разработанных автором подходов к локальному картированию свойств материала позволило не только объяснить особенности их деградационного поведения при анодной поляризации, но и осуществить направленное изменение свойств электродного материала с целью повышения его коррозионной устойчивости. В той же главе представлены результаты исследований близкой по составу системы с иным характерным размером неоднородности, для которых анализ туннельно-спектроскопических откликов также внес существенный вклад в понимание их структуры и свойств. В главе 4 рассмотрены результаты исследования свойств наноструктурированных электроосажденных металлических материалов. Для них наиболее сильно проявляются искажения топографической информации, связанные с низкой локальностью переноса электрона в ex situ условиях. И, наконец, в главе 5 представлены результаты исследования свойств перезаряжаемых материалов различных типов (электроосажденных электропроводящих полимеров, неорганических электрохромных материалов и протонных проводников), для которых спектроскопические режимы также позволяют получить дополнительную информацию о структуре и свойствах материала.

Список основных обозначений.

Ажст к?

А —-у—-постоянная Ричардсона к й — толщина барьера схр, с/геа1 — «кажущийся» и «реальный» диаметры наночастицы на поверхности Ер — энергия уровня Ферми и и.

Ет= — = — — напряженность электрического поля й Н.

Ецр, Ештрс — электродные потенциалы зонда и образца в — заряд электрона Р—число Фарадея.

Ре — электростатическая сила в зазоре функции распределения Ферми для образца и зонда С — туннельная проводимость.

Со=2е2/к — фундаментальная дискретность проводимости Я—расстояние между электродами, эффективное расстояние туннелирования, Но — среднее расстояние между зондом и образцом #1 — амплитуда колебаний зонда.

Нъ — «базовое» значение расстояния зонд/образец (отвечающее 1ь и 1/ь) к, % = И / 2л — постоянная Планка ер, АГса1 — «кажущаяся» и «реальная» высота наночастицы на поверхности I— ток, туннельный ток.

1ь — «базовое» значение туннельного тока (заданное в настройках петли обратной связи микроскопа) — ток перезарядки емкости туннельного зазора к— постоянная Больцмана эффективный диаметр электронного пучка т — масса электрона т,—эффективная масса электрона в полупроводнике.

По — количество избыточных электронов на частице в зазоре.

Пъ Рх — концентрация носителей (электронов и дырок, соответственно) в полупроводнике.

N0 — число носителей заряда в полупроводнике q — заряд носителя тока.

Qo — избыточный дробный заряд на частице в зазоре R — электрическое сопротивление (туннельного зазора и т. п.) г — радиус кривизны острия зонда гсff— «эффективный» радиус кривизны острия зонда С — электрическая емкость (туннельного зазора и т. д).

Su, So, Sea — удельные (истинные) поверхности платиновых металлов, определенные по адсорбции водорода, кислорода и адатомов меди, соответственно Т— абсолютная температура.

U, Uo, UШп — разность потенциалов между электродами, туннельное напряжение Ub — «базовое» значение туннельного напряжения (заданное в настройках петли обратной связи микроскопа) Ud — поверхностный потенциал полупроводника.

Udo—поверхностный потенциал полупроводника при нулевом напряжении Um0d — среднеквадратичная амплитуда переменного сигнала, используемого для модуляции туннельного напряжения USp — падение напряжения в объеме материала за счет сопротивления растекания Usurf— разность поверхностных (контактных) потенциалов образца и зонда W —— толщина обедненного (запирающего) слоя.

Woтолщина обедненного (запирающего) слоя при нулевом напряжении W? — собственная характеристическая полуширина пика и у — модельные параметры, определяющие зависимость эффективного потенциала в точке, отвечающей положению молекулы, от перенапряжения и туннельного напряжения, соответственно (0 <? < 1 и 0 < у < 1) so — диэлектрическая проницаемость вакуума si5 ?/ — статические диэлектрические проницаемости полупроводника и диэлектрика ф — эффективная высота туннельного барьера фь — высота барьера Шоттки при нулевом напряжении.

А фу, Л02 — контактные разности потенциалов для соответствующих пар металлов /с = 1 / Ь • y¡-2тф — коэффициент затухания туннельного тока с расстоянием к—трансмиссионный коэффициент.

Я — энергия реорганизации растворителя (среды).

И-е, Mh — подвижности электронов и дырок, соответственно.

V — частота.

V = ЕштР, г — Е° — перенапряжение г) а— фактор идеальности туннельного диода ж —число ж р, р5 — плотности электронных состояний зонда и образца Ф/, Фл — работа выхода электрона для зонда и образца со = 2лл> — циклическая частота колебаний ш&bdquo- — характеристическая частота ядерных колебаний.

Выводы.

1) Реализованы в ex situ конфигурации методики измерения локальных спектров и дифференциального картирования свойств поверхности, не требующие аппаратной модификации серийно выпускаемых СТМ-устройств, с соответствующим программным обеспечением.

2) На примере различных типов электродных материалов продемонстрирована высокая информативность вольтвысотных спектров и дифференциального картирования локальной проводимости в ex situ конфигурации СТМ для характеристики гетерогенных материалов.

3) Проанализированы искажения, связанные с нелокальностью переноса электрона в ех situ конфигурации СТМ, и сформулированы требования к проведению корректного количественного анализа размерных распределений высокодисперсных материалов.

4) Разработаны оригинальные подходы к электрохимическому получению на поверхности острия зонда гетероструктур, демонстрирующих спектроскопические отклики с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

5) Показана возможность визуализации протонпроводящих материалов, не обладающих электронной проводимостью, в конфигурации ex situ СТМ при целенаправленном подборе параметров зазора с использованием спектроскопических подходов. Стабилизация петли обратной связи микроскопа достигается благодаря протеканию электрохимических процессов в тонкой пленке конденсата, формирующейся на воздухе.

6) Выявлена существенная неоднородность локальных электрофизических свойств керамических материалов на основе SnCb, получаемых методом твердофазного спекания. Установлена связь между неоднородностью локальной проводимости и дегра-дационными процессами, протекающими при анодной поляризации материала в криолит-глиноземном расплаве. Предложены принципы оптимизации электрофизических свойств и деградационного поведения керамики на основе БпОг в расплаве на основе локальных спектроскопических данных. Благодаря применению предложенных подходов на основании сравнительного анализа эффективности большого числа спекающих и легирующих добавок разработан материал, демонстрирующий рекордную стабильность в ходе долговременных ресурсных испытаний в расплавах.

7) Установлена природа электрохимических процессов, протекающих в криолит-глиноземном расплаве с участием растворенных оловосодержащих частиц, а также формальные потенциалы различных редокс-систем в этой среде. Выявлена существенная замедленность процесса восстановления олова до металла, которая создает предпосылки для контроля уровня загрязнения алюминия, получаемого в ходе электролиза с использованием инертных анодов на основе БпСЬ.

8) На основании данных измерений в конфигурации СТМ предложено модельное описание строения тонких пленок допированного 8пОг, являющихся потенциальными заряд-аккумулирующими материалами.

9) Показана значимая роль эффектов срастания в ходе электроосаждения частиц платиновых металлов для их электрокаталитических и сорбционных свойств. Продемонстрирован определяющий вклад процессов вторичной нуклеации и срастания в ходе электросинтеза в формирование катализаторов с определенными свойствами.

10) Предложены подходы к управлению структурой осадков путем варьирования условий осаждения, использования внешних и самоформирующихся матриц. Выявлено существенное различие в кинетике нуклеации и роста индивидуальных кластеров металлов для платины, демонстрирующей высокую склонность к вторичной нуклеации, и серебра.

11) Проанализированы закономерности нуклеации и роста проводящих полимеров различной природы, в том числе их зависимость от природы заместителей в молекуле мономера. Показано, что этот фактор может оказывать влияние на микроструктуру материала, кинетику электроосаждения, количество образующихся побочных продуктов, как вследствие стерических затруднений, так и вследствие изменения распределения электронной плотности в мономере при введении в него тех или иных заместителей.

12) Достигнуто значительное повышение электрохромной эффективности электрооса-жденных оксовольфраматных пленок при допировании их ванадием и молибденом. Установлена природа смешанных изополикомплексов, образующихся в растворах осаждения и выступающих в качестве молекулярных прекурсоров электроосажден-ного электрохромного покрытия. Показано, что выраженная неоднородность оксовольфраматных пленок может приводить к их быстрой деградации.

Заключение

.

Разнообразие объектов, охарактеризованных в настоящей работе, позволяет в достаточно общем виде провести анализ применимости туннельно-микроскопических и спектроскопических методик в конфигурации ex situ СТМ к исследованию различных электродных материалов. Керамические оксидные материалы являются примером систем с существенно неоднородной проводимостью, в которых наряду с размерами характеристических областей удается оценить их локальную проводимость. Дисперсные материалы для электрокатализа ярко выявляют проблему искажения на СТМ-изображениях малых частиц. Перезаряжаемые полимерные пленки позволяют проиллюстрировать проблему использования СТМ для мягких и вязких материалов, в том числе неоднородных материалов с жидкими включениями. Неорганические пленки представляют пример неоднофазных нанокристаллических материалов, для которых невозможно применение традиционного локального микроанализа. Наконец, материалы с протонной проводимостью, которые в общем случае не позволяют проводить СТМ исследования, удается охарактеризовать благодаря специфике ex situ СТМ с влажным зазором. Значительная часть работы посвящена развитию методических аспектов спектроскопических измерений во влажном зазоре в ex situ конфигурации СТМ для анализа локальных свойств материала. При проведении измерений в ex situ конфигурации закономерности переноса электрона в зазоре значительно отличаются от зависимостей, отвечающих туннельному переносу в вакууме, из-за присутствия на поверхности тонкой пленки конденсата. Поэтому в большинстве случаев в ex situ условиях возможно только качественное сопоставление локальных свойств поверхности в различных точках. Но даже такой ограниченный анализ локальной неоднородности позволяет лучше понять строение гетерогенных материалов и особенности их электрохимического поведения. В работе продемонстрированы возможности комбинирования электрохимических методов и метода СТМ с рентгеновской дифракцией, спектроскопией комбинационного рассеяния, резистометрией, а также методами электронной микроскопии для детальной интерпретации электрохимических откликов как при электроосаждении, так и при функционировании различных материалов.

Широкий спектр объектов, рассматриваемый в настоящей работе, возможно, привел к избыточной краткости и некоторой отрывочности изложения, связанной в первую очередь с ограниченным объемом диссертации. Многие материалы и их классы, рассмотренные выше, конечно, требуют более подробного рассмотрения. Однако разносторонний анализ различных аспектов туннельно-микроскопических исследований.

352 электродных материалов ранее не проводился, а он имеет принципиальное значение для развития дальнейших исследований в области электрохимического материаловедения. Это и определило расстановку акцентов в диссертации.

Новые подходы, развитые в настоящей работе, определили принципы разработки ключевой оригинальной методики: измерения полного комплексного импеданса воздушного зазора СТМ и реализацию на этой основе квазитопографического картирования локальных свойств поверхности (например, локальной проводимости) в ex situ конфигурации (глава 2). Это оказалось возможным без существенной модификации аппаратной базы туннельного микроскопа. Результативность новых методик в исследовании процессов коррозии при анодной поляризации керамических материалов в расплавах проиллюстрирована в главе 3. Благодаря спектроскопическим исследованиям в конфигурации СТМ для данного типа объектов не только удалось прояснить природу деградационных процессов (в частности, межзеренной коррозии), но и предложить новый подход к принципиальному улучшению коррозионной стойкости керамики — спрогнозировать способы направленного изменения ее полупроводниковых свойств путем изменения природы допанта. Реализованные методики измерения локальных спектров, в частности, вольтвысотных зависимостей, не нашедших до настоящего времени широкого применения в конфигурации ex situ СТМ, также продемонстрировали высокую информативность при изучении самых различных гетерогенных электродных материалов. Во многих случаях информация, получаемая с помощью этих методик, являлась уникальной и определяющей для корректной интерпретации особенностей строения и электрохимического поведения изучаемых объектов. Новым является также подробное рассмотрение искажений топографических данных, в условиях нелокального переноса электрона в ex situ конфигурации (в присутствии на поверхности образца тонкой пленки конденсированной влаги) при сравнимых радиусах кривизны фрагментов исследуемого электродного материала и острия зонда. Корректность разработанных подходов к количественному анализу топографических изображений наноразмерных материалов была подтверждена в ходе исследования электролитических осадков платины и палладия, формируемых в различных условиях (глава 4).

Все представленные методические подходы могут найти широкое применение при оптимизации и научном исследовании материалов электрохимических систем, имеющих разнообразное практическое значение. Спектроскопические исследования в конфигурации ex situ СТМ, особенно информативны в случае полупроводниковых материалов и композиций, включающих наноразмерные фрагменты с существенно различными электрофизическими свойствами. Корректность количественного анализа туннельно-микроскопической топографической информации имеет принципиальное значение для материалов многих электрохимических систем, а также для любых нано-гетерогенных материалов, поскольку на воздухе и в жидкой фазе альтернативных не-разрушающих методов, как правило, использовать не удается. Практическая ценность полученных результатов подтверждается заявкой на патент Российской Федерации на разработанный керамический анодный материал для получения алюминия электролизом криолит-глиноземных расплавов (заявка № 2 009 144 327 от 30.11.2009).

Частные результаты, полученные при исследовании различных групп электродных материалов, также являются новыми.

Так, в работе впервые подробно и систематически изучена природа деградацион-ных процессов, протекающих при анодной поляризации малорасходуемых анодов для получения алюминия на основе керамики ЭпОг, в том числе электрохимических процессов с участием 8п (П) и 8п (1У) в криолит-глиноземных расплавах. Определены величины формальных потенциалов редокс-превращений растворенных соединений олова в расплавах различного состава. В результате удалось осуществить направленное модифицирование анодного материала и существенно снизить скорость коррозии и уровень загрязнения получаемого алюминия, используя не применявшиеся ранее в коррозионных исследованиях для таких анодов принципы прогнозирования.

Для электроосажденных платины и палладия впервые экспериментально обосновано определяющее влияние срастания кристаллитов на функциональные свойства дисперсных материалов. Срастание происходит вследствие вторичной нуклеации при осаждении, поэтому соотношение скоростей вторичной нуклеации и роста кристаллитов в условиях локального обеднения раствора по реагенту непосредственно определяет микрои наноструктуру металлов и, косвенным образом, кинетику электрокаталитических процессов на них. Разработаны новые подходы к управленшо наноструктурой таких осадков, основанные на варьировании режимов осаждения, а также на использовании твердых и самоформирующихся в растворе матриц.

На примере производных анилина и пиррола в работе выявлено существенное влияние, как стерического фактора, так и электронного строения мономера на кинетику электрополимеризации, количество параллельно формирующихся низкомолекулярных продуктов, микроструктуру полимера. Впервые систематическим образом проанализированы закономерности нуклеации и роста титаноцен-замещенного полипиррола.

При исследовании перезаряжения электроосажденных оксовольфраматных пленок обнаружено существенное увеличение их электрохромной эффективности при допировании ванадием и молибденом, а также установлена природа смешанных изополианионов, присутствующих в растворах осаждения и равновесий с их участием. Таким образом, реализован имеющий универсальное значение подход к дизайну электроосаж-денных материалов сложного состава, основанный на использовании молекулярных прекурсоров.

Представленные ниже выводы являются одновременно положениями, выносимыми на защиту.

Показать весь текст

Список литературы

  1. G.Binnig, H. Rohrer, Scanning Tunneling Microscopy, Helv.Phys.Acta 55(1982) 726 735
  2. G.Binnig, H. Rohrer, Scanning tunneling microscopy, Surface Science 126 (1983) 236 244
  3. G.Binnig, H. Rohrer, Scanning tunneling microscopy, IBM J. Res. Develop. 44 (2000) 279−293, reprinted from IBM J. Res. Develop. 30 (1986) No 4
  4. G.Binnig, H. Rohrer, Scanning tunneling microscopy from birth to adolescence (Nobel Prize lecture), Reviews of Modern Physics, 59 (1987) 615−625
  5. J.G.Simmons, Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film, J.Appl.Phys. 34(1963) 1793−1803
  6. P.K.Hansma, J. Tersoff, Scanning Tunneling Microscopy, J.Appl.Phys. 61(1987)R1-R23
  7. D.Drakova, Theoretical modelling of scanning tunneling microscopy, scanning tunneling spectroscopy and atomic force microscopy, Reports on Progress in Physics 64(2001)205−290
  8. W.A.Hofer, A.S.Foster, A.L.Shluger, Theory of scanning probe microscopes at the atomic scale, Reviews of Modern Physics, 75 (2003) 1287−1331
  9. J.Tersoff, D.R.Hamann, Theory and Application for the Scanning Tunneling Microscope, Phys.Rev.Lett. 50 (1983) 1998−2001
  10. R.R.Nazmutdinov, J. Zhang, T.T.Zinkicheva, I.R.Manyurov, J. Ulstrup, Adsorbtion and In Situ Scanning Tunneling Microscopy of Cysteine on Au (l 11): Structure, Energy, and Tunneling Contrasts, Langmuir 22(2006)7556−7567
  11. J.Tersoff, D. RHamann, Theory of the scanning tunneling microscope, Phys.Rev.B 31 (1985)805−813
  12. N.D.Lang, Vacuum Tunneling Current from an Adsorbed Atom, Phys.Rev.Lett. 55 (1985)230−233
  13. N.D.Lang, Theory of Single-Atom Imaging in the Scanning Tunneling Microscope, Phys.Rev.Lett. 56(1986)1164−1167
  14. P.Sautet, Atomic adsorbate identification with the STM: a theoretical approach, Surf.Sci. 374(1997)406−417
  15. J.A.Stroscio, R.M.Feenstra, Scanning tunneling spectroscopy of oxygen adsorbates on the GaAs (l 10) surface, J.Vac.Sci.Technol.B 6(1988)1472−1478
  16. P.Sautet, Images of Adsorbates with the Scanning Tunneling Microscope: Theoretical Approaches to the Contrast Mechanism, Chem.Rev. 97(1997)1097−1116
  17. R.M.Tromp, R.J.Hamers, J.E.Demuth, Atomic and electronic contributions to Si (lll)-(7×7) scanning-tunneling-microscopy images, Phys.Rev.B 34(1986)1388−1391
  18. J.Tersoff, Anomalous Corrugation in Scanning Tunneling Microscopy: Imaging of Individual States, Phys.Rev.Lett. 57(1986)440−443
  19. J.A.Stroscio, R.M.Feenstra, A.P.Fein, Electronic Structure of the Si (l 11)2×1 Surface by Scanning-Tunneling Microscopy, Phys.Rev.Lett. 57(1986)2579−2582
  20. R.M.Feenstra, J.A.Stroscio, J. Tersoff, A.P.Fein, Atom-Selective Imaging of the GaAs (llO) Surface, Phys.Rev.Lett. 58(1987)1192−1195
  21. RJ.Hamers, Atomic-resolution surface spectroscopy with the scanning tunneling microscope, Annu.Rev.Phys.Chem. 40(1989)531−559
  22. A.V.Zotov, D.V.Gruznev, O.A.Utas, V.G.Kotlyar, A.A.Saranin, Multi-mode growth in Cu/Si (lll) system: Magic nanoclustering, layer-by-layer epitaxy and nanowire formation, Surf.Sci. 602(2008)391−398
  23. A.V.Zotov, O.A.Utas, V.G.Kotlyar, I.A.Kuyanov, A.A.Saranin, Pb-modified In/Si (l00)4×3 magic clusters: Scanning tunneling microscopy and first-principles total-energy calculations, Phys. Rev. B- 76(2007)115310−1-115 310−5
  24. A.V.Zotov, A.A.Saranin, V.G.Kotlyar, O.A.Utas, Y.L.Wang, Diverse magic nanoclustering in submonolayer Tl/Si (lll) system, Surf. Sci. 600(2006)1936−1941.
  25. N.Garcia, Theory of scanning tunneling microscopy and spectroscopy: Resolution, image and field states, and thin oxide layers, IBM J.Res.Develop. 30(1986)533−542
  26. G.Binnig, N. Garcia, H. Rohrer, J.M.Soler, F. Flores, Electron-metal-surface interaction potential with vacuum tunneling: Observation of the image force, Phys.Rev.B 30(1984)4816−4818
  27. E.StoIl, Resolution of the scanning tunnel microscope, Surf.Sci. 143(1984)L411-L416
  28. B.C.Stipe, M.A.Rezaei, W. Ho, Localization of Inelastic Tunneling and the Determination of Atomic-Scale Structure with Chemical Specificity, Phys.Rev.Lett. 82(1999)1724−1727
  29. M.Herz, FJ. Giessibl, J. Mannhart, Probing the shape of atoms in real space, Phys.Rev.B 68(2003)045301−1-45 301−7
  30. R.H.Fowler, L. Nordheim, Electron Emission in Intense Electric Fields, Proc.R.Soc.Lond.A 119(1928)173−181
  31. K.Kitagawa, T. Morita, S. Kimura, Molecular Rectification of a Helical Peptide with a Redox Group in the Metal-Molecule-Metal Junction, J.Phys.Chem.B 109(2005)13906−13 911
  32. J.Bardeen, Tunnelling from a many-particle point of view, Phys.Rev.Lett. 6(1961)57−59
  33. A.Selloni, P. Carnevali, E. Tosatti, C.D.Chen, Voltage-dependent scanning-tunneling microscopy of a crystal surface: Graphite, Phys.Rev.B. 31(1985)2602−2605
  34. N.D.Lang, Spectroscopy of single atoms in the scanning tunneling microscope, Phys.Rev.B 34(1986)5947−5950
  35. R.M.Feenstra, J.A.Stroscio, A.P.Fein, Tunneling spectroscopy of the Si (l 11)2×1 surface, Surf.Sci. 181(1987)295−306
  36. W.J.Kaiser, R.C.Jaklevic, Spectroscopy of electronic states of metals with a scanning tunneling microscope, IBM J.Res.Develop. 30 (1986)411−416
  37. J.Bono, R.H.Good Jr., Theoretical discussion of the scanning tunneling microscope, Surf.Sci. 151(1985)543−552
  38. J.Bono, R.H.Good Jr., Theoretical discussion of the scanning tunneling microscope applied to a semiconductor surface, Surf.Sci. 175(1986)415−420
  39. M.Prietsch, A. Samsavar, R. Ludeke, Structural and electronic properties of the Bi/GaP (110) interface, Phys.Rev.B 43(1991)11850−11 856
  40. W.J.Kaiser, L.D.Bell, M.H.Hecht, F.J.Grunthaner, Scanning tunneling microscopy characterization of the geometric and electronic structure of hydrogen-terminated silicon surfaces, J.Vac.Sci.Technol.A 6(1988)519−523
  41. L.D.Bell, W.J.Kaiser, M.H.Hecht, F.J.Grunthaner, Direct control and characterization of a Schottky barrier by scanning tunneling microscopy, Appl.Phys.Lett. 52(1988)278−280
  42. K.M.Rosso, M.F.Hochella Jr., A UHV STM/STS and ab initio investigation of covellite {001} surfaces, Surf.Sci. 423(1999) 364−374
  43. Ch.Sommerhalter, Th.W.Matthes, J. Boneberg, P. Leiderer, M.Ch.Lux-Steiner, Tunneling spectroscopy on semiconductors with a low surface state density, J.Vac.Sci.Technol.B 15(1997)1876−1883
  44. M.L.Hildner, RJ. Phaneuf, E.D.Williams, Imaging the depletion zone in a Si lateral pn iunction with scanning tunneling microscopy, Appl.Phys.Lett. 72(1998)3314−3316
  45. J.Y.Park, E.D.Williams, RJ. Phaneuf, Direct Imaging on a biased p-n junction with conductance mapping, J.Appl.Phys. 91(2002)3745−3749
  46. J.Y.Park, RJ. Phaneuf, Time response in tunneling to a pn junction, Appl.Phys.Lett. 82(2003)64−66
  47. H.C.Card, E.H.Rhoderick, Studies of tunnel MOS diodes. I. Interface effects in silicon Schottky diodes, J.Phys.D:Appl.Phys. 4(1971)1589−1601
  48. D.A.Bonnell, I. Solomon, G.S.Rohrer, C. Warner, Direct measurements of local properties of interfaces with scanning tunneling microscopy, Acta metall. mater. 40(1992)S161-S171
  49. R.S.Becker, J.A.Golovchenko, B.S.Swartzentruber, Electron Interferometry at Crystal Surfaces, Phys.Rev.Lett. 55(1985)987−990
  50. H.C.Card, E.H.Rhoderic, Studies of tunnel MOS diodes. II. Thermal equilibrium consideration, J.Phys.D: Appl.Phys. 4(1971)1602−1611
  51. F.Flores, N. Garcia, Voltage drop in the experiments of scanning tunneling microscopy for Si, Phys.Rev.B 30(1984)2289−2291
  52. K.H.Gundlach, Zur bereclinung des tunnelstroms durch eine trapezformige potentialstufe, Solid-State Electronics 9(1966)949−957
  53. A.J.Jason, Field-Induced Resonance States at a Surface, Phys.Rev. 156(1967)266−285
  54. M.E.Alferieff, C.B.Duke, Field Ionization near Nonuniform Metal Surfaces, J.Chem.Phys. 46(1967)938−943
  55. G.Binnig, K.H.Frank, H. Fuchs, N. Garcia, B. Reihl, H. Rohrer, F. Salvan, A.R.Williams, Tunneling Spectroscopy and Inverse Photoemission: Image and Field States, Phys.Rev.Lett. 55(1985)991−994
  56. М.В.Гришин, Ф. И. Далидчик, С. А. Ковалевский, Н. Н. Колченко, Б. Р. Шуб, Изотопический эффект в колебательных спектрах воды, измеренных в экспериментах со сканирующим туннельным микроскопом, Письма в ЖЭТФ 66(1997)37−39
  57. F.I.Dalidchik, M.V.Grishin, S.A.Kovalevskii, N.N.Kolchenko, B.R.Shub, Scanning tunneling vibrational spectroscopy, Spectroscopy letters 30(1997)1429−1440
  58. M.Grishin, F. Dalidchik, S. Kovalevckii, N. Kolchenko, Adsorbate-determined field emission resonances in STM current/voltage characteristics, Ultramicroscopy 79(1999)203−207
  59. E.M.Balashov, S.O.Gladkov, F.I.Dalidchik, M.A.Kozhushner, B.R.Shub, Singlet-triplet transitions of physisorbed molecule O2 in scanning tunneling microscope, Phys.Lett.A 282(2001)47−52
  60. P.Kowalczyk, High temperature STM/STS investigations of resonant image states on Au (lll), Appl.Surf.Sci. 253(2007)4036−4040
  61. P.Kowalczyk, W. Kozlowski, W. Olejniczak, P.K.Datta, STS investigations of temperature dependence of Au (lll) surface state energy position, Surf.Sci. 600(2006)1604−1607
  62. B.KosIowski, C. Dietrich, P. Ziemann, Studying the bulk band structure of niobium by scanning tunneling spectroscopy, Surf.Sci. 557 (2004)255−262
  63. H.Watanabe, K. Fujita, M. Ichikawa, Observation and creation of current leakage sites in ultrathin silicon dioxide films using scanning tunneling microscopy, Appl.Phys.Lett. 72(1998)1987−1989
  64. H.Watanabe, T. Baba, M. Ichikawa, Characterization of local dielectric breakdown in ultrathin Si02 films using scanning tunneling microscopy and spectroscopy, J.Appl.Phys. 85(1999)6704−6710
  65. K.Jordan, A. Cazacu, G. Manai, S.F.Ceballos, S. Murphy, I.V.Shvets, Scanning tunneling spectroscopy study of the electronic structure of Fe304 surfaces, Phys.Rev.B 74(2006)085416−1-85 416−6
  66. C.Corriol, J. Hager, R. Matzdorf, A. Arnau, Surface electronic structure of 0(2xl)/Cu (110): Role of the surface state at the zone boundary Y-point in STS, Surf.Sci. 600(2006)4310−4314
  67. Ch.Dietrich, B. KosIowski, P. Ziemann, Ultrathin epitaxial A1203 films grown on Nb (110)/sapphire (0001) investigated by tunneling spectroscopy and microscopy, J. Appl.Phys. 97(2005)083515−1-83 515−6
  68. S.A.Elrod, A.L.de Lozanne, C.F.Quate, Low-temperature vacuum tunneling microscopy, Appl.Phys.Lett. 45(1984)1240−1242
  69. A.Troyanovskiy, T. Nishizaki, E. Ekimov, STM/STS study of superconducting diamond, Science and Technol. of Adv.Mater. 7(2006)S27-S30
  70. A.Hashimoto, N. Momono, M. Oda, M. Ido, Scanning tunneling microscopy and spectroscopy study of 4ax4a electronic charge order and the inhomogeneous pairing gap in superconducting Bi2Sr2CaCu2Og+5, Phys.Rev.B 74(2006)064508−1-64 508−11
  71. A.Kohen, T. Cren, Y. Noat, T. Proslier, F. Giubileo, F. Bobba, A.M.Cucolo, N. Zhigadlo, S.M.Kazakov, J. Karpinski, W. Sacks, D. Roditchev, Recent progress in vortex studies by tunneling spectroscopy, Physica C 437−438(2006)145−148
  72. A.Kohen, Th. Proslier, T. Chen, Y. Noat, W. Sacks, H. Berger, D. Roditchev, Probing the Superfluid Velocity with a Superconducting Tip: The Doppler Shift Effect, Phys.Rev.Lett. 97(2006)027001 -1 -27 001 -4
  73. J.A.Kubby, J.J.Bolland, Scanning tunneling microscopy of semiconductor surfaces, Surf.Sci.Rep. 26(1996)61−204
  74. E.T.Yu, Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy, Chem.Rev. 97(1997)1017−1044
  75. P.Bedrossian, D.M.Chen, K. Mortensen, J.A.Golovchenko, Demonstration of the tunneldiode effect on an atomic scale, Nature 342(1989)258−260
  76. In-Whan Lyo, Ph. Avouris, Negative Differential Resistance on the Atomic Scale: Implication for Atomic Scale Devices, Science 245(1989)1369−1371
  77. Ph.Avouris, In-Whan Lyo, F. Bozso, E. Kaxiras, Adsorbtion of boron on Si (l 11): Physics, chemistry, and atomic-scale electronic devices, J.Vac.Sci.Technol.A 8(1990)3405−3411
  78. J.Kraft, M.G.Ramsey, F.P.Netzer, Surface reconstruction of In on Si (lll), Phys.Rev.B 55(1997)5384−5393
  79. V.A.Gasparov, M. Riehl-Chudoba, B. Schroter, W. Richter, Scanning tunneling spectroscopy on the 6H-SiC (0001)(3×3) surface, Europhys.Lett. 51(2000)527−533
  80. M.Kuzmin, P. Laukkanen, R.E.Perala, M. Ahola-Tuomi, I.J.Vayrynen, Atomic geometry and electronic properties of the Ge (lll)2xl-Sb surface studied by scanning tunneling microscopy/spectroscopy and core-level photoemission, Surf.Sci. 601(2007)837−843
  81. Y.Niimi, K. Kanisawa, H. Kojima, H. Kambara, Y. Hirayama, S. Tarucha, H. Fukuyama, STM/STS Measurements of Two-Dimensional Electronic States in Magnetic Fields at Epitaxially Grown InAs (lll)A Surfaces, Journal of Physics: Conference Series 61(2007)874−878
  82. N.S.Maslova, S.I.Oreshkin, V.I.Panov, S.V.Savinov, A. Depuydt, C- Van Haesendonck, Scanning tunneling spectroscopy of charge effects on semiconductor surfaces and atomic clusters, Письма в ЖЭТФ, 67(1998)130−135
  83. A.Depuydt, C. Van Haesendonck, N.S.Maslova, V.I.Panov, S.V.Savinov, P.I.Arseev, Scanning tunneling microscopy and spectroscopy at low temperatures of the (110) surface of Te-doped GaAs single crystals, Phys.Rev.B 60(1999)2619−2626
  84. А.В.Картавых, Н. С. Маслова, В. И. Панов, В. В. Раков, С. В. Савинов, Туннельная спектроскопия атомов примесей в монокристаллической полупроводниковой матрице, Физика и техника полупроводников, 34(2000)394−398
  85. Н.С.Маслова, В. И. Панов, С. В. Савинов, Туннельная спектроскопия локализованных состояний единичных примесных атомов на поверхности полупроводников, Успехи Физических Наук, 170(2000)575−578
  86. N.S.Maslova, A.I.Oreshkin, S.I.Oreshkin, V.I.Panov, S.V.Savinov, A.A.Kalachev, The influence of Coulomb interaction of localized charges on low-temperature scanning tunneling spectra of surface nanodefects, J.Phys.:Condens. Matter 13(2001)3941−3948
  87. P.I.Arseev, N.S.Maslova, V.I.Panov, S.V.Savinov, Nonequilibrium tunneling effects of interacting Hubbard-Anderson impurities, ЖЭТФ 121(2002)225−234
  88. N.S.Maslova, V.I.Panov, K. Wu, Q.Z.Xue, T. Nagao, A.I.Oreshkin, Tunneling conductivity features of the new reconstructed phases on the GaN (0001) surface, Письма в ЖЭТФ 78(2003)1068−1072
  89. P.I.Arseev, N.S.Maslova, V.I.Panov, S.V.Savinov, C. Van Haesendock, Many particle interaction in tunneling spectroscopy of impurity states on the InAs (llO) surface, Письма в ЖЭТФ 77(2003)202−207
  90. P.I.Arseev, N.S.Maslova, V.I.Panov, S.V.Savinov, Many-particle interaction in the tunneling nanostructures and STM/STS measurements, Proc. of SPIE 5023(2003)140−142
  91. P.I.Arseyev, N.S.Maslova, V.I.Panov, S.V.Savinov, C. Van Haesendonck, Identifying the electronic properties of the Ge (l 1 l)-(2xl) surface by low temperature scanning tunneling microscopy, Письма в ЖЭТФ 82(2005)312−316
  92. N.S.Maslova, A.I.Oreshkin, S.I.Oreshkin, V.I.Panov, I.V.Radchenko, S.V.Savinov, Ag-induced atomic structures on the Si (l 10) surface, Письма в ЖЭТФ 84(2006)381−384
  93. G.S.Rohrer, D.A. Bonnell, Electrical Properties of Individual Zinc Oxide Grain Boundaries Determined by Spatially Resolved Tunneling Spectroscopy, J.Am.Ceram.Soc. 73(1990) 3026−3032
  94. U.Mazur, K.W.Hipps, Resonant Tunneling Bands and Electrochemical Reduction Potential, J.Phys.Chem. 99(1995)6684−6688
  95. D.E.Barlow, K.W.Hipps, A Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy Study of Vanadil Phthalocyanine on Au (lll): the effect of Oxygen Binding and Orbital Mediated Tunneling on the Apparent Corrugation, J.Phys.Chem.B, 104(2000)5993−6000
  96. K.W.Hipps, U. Mazur, Unoccupied Orbital Mediated Tunneling: Resonance-like Structures in the Tunneling Spectra of Polyacenes, J.Phys.Chem. 98(1994)5824−5829
  97. U.Mazur, K.W.Hipps, Resonant Tunneling in Metal Phtalocyanines, J.Phys.Chem. 98(1994)8169−8172
  98. K.W.Hipps, D.E.Barlow, U. Mazur, Orbital Mediated Tunneling in Vanadyl Phtalocya-nine Observed in both Tunnel Diode and STM Environments, J.Phys.Chem.B 104(2000)2444−2447
  99. L.Scudiero, D.E.Barlow, U. Mazur, K.W.Hipps, Scanning Tunneling Microscopy, Orbital-Mediated Tunneling Spectroscopy, and Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy of Metal (II) Tetraphenylporphyrins Deposited from Vapor, J.Am.Chem.Soc. 123(2001)4073−4080
  100. L.Scudiero, D.E.Barlow, K.W.Hipps, Scanning Tunneling Microscopy, OrbitalMediated Tunneling Spectroscopy, and Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy of Ni (II) Octaethylporphyrin Deposited from Vapor, J.Phys.Chem.B 106(2002)996−1003
  101. W.Deng, K.W.Hipps, Tip-Sample Distance Dependence in the STM-Based OrbitalMediated Tunneling Spectrum of Nickel (II) TetraPhenylporphyrin Deposited on Au (lll), J.Phys.Chem.B 107(2003)10736−10 740
  102. Y.Xue, S. Datta, S. Hong, R. Reifenberger, J.I.Henderson, C.P.Kubiak, Negative differential resistance in the scanning-tunneling spectroscopy of organic molecules, Phys.Rev.B 59(1999)R7852-R7855
  103. M.Manimaran, G.L.Snider, C.S.Lent, V. Sarveswaran, M. Lieberman, Z. Li, T.P.Fehlner, Scanning tunneling microscopy and spectroscopy investigation of QCA molecules, Ul-tramicroscopy 97 (2003) 55−63
  104. N.P.Guisinger, M.E.Greene, R. Basu, A.S.Baluch, M.C.Hersam, Room Temperature Negative Differential Resistance through Individual Organic. Molecules on Silicon Surfaces, Nanoletters 4(2004)55−59
  105. A.S.Hallback, B. Poelsema, H.J.W.Zandvliet, Negative differential resistance of TEMPO molecules on Si (lll), Appl.Surf.Sci. 253(2007)4066−4071
  106. C.Zeng, H. Wang, B. Wang, J. Yang, J.G.Hou, Negative differential-resistance device involving two C60 molecules, Appl.Phys.Lett. 77(2000)3595−3597
  107. N.S.Lee, H.K.Shin, Y.S.Kwon, Investigation of negative differential resistance properties of self-assembled dipiridinium using STM, Colloids and Surfaces A: Physicochem. Eng. Aspects 290(2006)77−81
  108. N.S.Lee, H.K.Shin, Y.S.Kwon, Current-voltage properties of self-assembly monolayers on Au (lll) substrate using scanning tunneling microscopy, International Journal of Nanoscience 5(2006)907−911
  109. N.D.Lang, Negative differential resistance at atomic contacts, Phys.Rev.B 55(1997)9364−9366
  110. C.Schonenberger, H. van Houten, H.C.Donkersloot, Single-Electron Tunnelling Observed at Room Temperature by Scanning-Tunneling Microscopy, Europhys.Lett. 20(1992)249−254
  111. H.Graf, J. Vancea, H. Hoffmann, Single-electron tunneling at room temperature in cobalt nanoparticles, Appl.Phys.Lett. 80(2002)1264−1266
  112. R.P.Andres, T. Bein, M. Dorogi, S. Feng, J.I.Henderson, C.P.Kubiak, W. Mahoney, R.G.Osifchin, R. Reifenberger, «Coulomb Staircase» at Room Temperature in a Self-Assembled Molecular Nanostructure, Science 272(1996)1323−1325
  113. M.Dorogi, J. Gomez, R. Osifchin, R.P.Andres, R. Reifenberger, Room-temperature Coulomb blockade from a self-assembled molecular nanostructure, Phys.Rev.B 52(1995)9071−9077
  114. U.Banin, Y.W.Cao, D. Katz, O. Millo, Identification of atomic-like electronic states in indium arsenide nanocrystal quantum dots, Nature 400(1999)542−544
  115. E.P.A.M.Bakkers, Z. Hens, L.P.Kouwenhoven, L. Gurevich, D. Vanmaekelbergh, A tunneling spectroscopy study on the single-particle energy levels and electron-electron interactions in CdSe quantum dots, Nanotechnology 13(2002)258−262
  116. H.Zhang, Y. Yasutake, Y. Shichibu, T. Teranishi, Y. Majima, Tunneling resistance of double-barrier tunneling structures with an alkanethiol-protected Au nanoparticle, Phys.Rev.B 72(2005)205441−1-205 441−7
  117. D.Porath, Y. Levi, M. Tarabiah, O. Millo, Tunneling spectroscopy of isolated Ceo molecules in the presence of charging effects, Phys.Rev.B 56(1997)9829−9833
  118. J.Morimoto, H. Tanaka, T. Kawai, Direct measurement of electron transport features in cytochrome c via V-I characteristics of STM currents, Surf.Sci. 580(2005)L103-L108
  119. P.J.M. van Bentum, R.T.M.Smokers, H. van Kempen, Incremental Charging of Single Small Particles, Phys.Rev.Lett. 60(1988)2543−2546
  120. A.E.Hanna, M. Tinkham, Variation of the Coulomb staircase in a two-junction system by fractional electron charge, Phys.Rev.B 44(1991)5919−5922
  121. M.Amman, R. Wilkins, E. Ben-Jacob, P.D.Maker, R.C.Jaklevic, Analytic solution for the current-voltage characteristic of two mesoscopic tunnel junctions coupled in series, Phys.Rev.B. 43(1991)1146−1149
  122. L.Wang, M.E.Taylor, M.E.Welland, Charging effects observed by low-temperature scanning tunnelling microscopy of gold islands, Surf.Sci. 322(1995)325−336
  123. B.Li, C. Zeng, J. Zhao, J. Yang, J.G.Hou, Q. Zhu, Single-electron tunneling spectroscopy of single C60 in double-barrier tunnel junction, J.Chem.Phys. 124(2006)064709−1-64 709−11
  124. F.F.Fan, A.J.Bard, An Electrochemical Coulomb Staircase: Detection of Single Electron-Transfer Events at Nanometer Electrodes, Science 277(1997)1791−1793
  125. S.Chen, R. W. Murray, Electrochemical Quantized Capacitance Charging of Surface Ensembles of Gold Nanoparticles, J.Phys.Chem.B 103(1999)9996−10 000
  126. S.Chen, R.W.Murray, S.W.Feldberg, Quantized Capacitance Charging of Monolayer-Protected Au Cluster, J.Phys.Chem.B 102(1998)9898−9907
  127. S.Chen, R.S.Ingram, M.J.Hostetler, J.J.Pietron, R.W.Murray, T.G.Schaaff, J.T.Khoury, M.M.Alvarez, R.L.Whetten, Gold Nanoelectrodes of Varied Size: Transition to Molecular-Like Charging, Science 280(1998)2098−2101
  128. G.Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel, Tunneling through a controllable vacuum gap, Appl.Phys.Lett. 40(1982)178−180
  129. L.Olesen, M. Brandbyge, M.R.Sorensen, K.W.Jacobsen, E. Laegsgaard, I. Stensgaard, F. Besenbacher, Apparent barrier Height in Scanning Tunneling Microscopy Revisited, Phys.Rev.Lett. 76(1996)1485−1488
  130. J.Frenkel, On the electrical resistance of contacts between solid conductors, Phys.Rev. 36(1930)1604−1618
  131. M.C.Payne, J.C.Inkson, Measurement of workfimktions by tunnelling and the effect of the image potential, Surf.Sci. 159(1985)485−495
  132. J.H.Coombs, M.E.Welland, J.B.Pethica, Experimental barrier heights and the image potential in scanning tunneling microscopy, Surf.Sci. 198(1988)L353-L358
  133. R.Berthe, J. Halbritter, Coulomb barriers and adsorbate effects in scanning tunneling microscopy, Phys.Rev.B 43(1991)6880−6884
  134. J.H.Coombs, J.B.Pethica, Properties of vacuum tunneling currents: Anomalous barrier heights, IBM J.Res.Develop. 30(1986)455−459
  135. H.J.Mamin, E. Ganz, D.W.Abraham, R.E.Thomson, J. Clarke, Contamination-mediated deformation of graphite by the scanning tunneling microscope, Phys.Rev.B 34(1986)9015−9018
  136. L.Olesen, E. Laegsgaard, I. Stensgaard, F. Besenbacher, Comparative study of methods for measuring the apparent barrier height on an atomic scale, Appl.Phys.A 66(1998)S157-S160
  137. S.Yagyu, M. Yoshitake, Distinguishing the dependence of the apparent local barrier height on measurement condition, Surf. Interface Anal. 36(2004)1110−1113
  138. J.F.Jia, K. Inoue, Y. Hasegawa, W.S.Yang, T. Sakurai, Local work function for Cu (lll)-Au surface studied by scanning tunneling microscopy, J.Vac.Sci.Technol.B 15(1997)1861−1864
  139. Y.Hasegawa, J.F.Jia, K. Inoue, A. Sakai, T. Sakurai, Elemental contrast of local work function studied by scanning tunneling microscopy, Surf.Sci. 386(1997)328−334
  140. J.F.Jia, Y. Hasegawa, T. Sakurai, H. Zhang, Local work function measurement on BI2Sr2CaCu20j, single crystal with STM, Solid State Comm. 105(1998)533−535
  141. J.F.Jia, K. Inoue, Y. Hasegawa, W.S.Yang, T. Sakurai, Variation of the local work function at steps on metal surfaces studied with STM, Phys.Rev.B 58(1998)1193−1196
  142. J.F.Jia, Y. Hasegawa, K. Inoue, W.S.Yang, T. Sakurai, Steps on the Au/Cu (lll) surface studied by local work function measurement with STM, Appl.Phys.A 66(1998)S1125-S1128
  143. R.B.Sharma, C.P.Vinod, G.U.Kulkarni, A method employing STM for the estimation of relative changes in the work function on modified metal tips, Bull.Mater.Sci. 25(2002)247−249
  144. M.Weimer, J. Kramar, J.D.Baldeschwieler, Band bending and the apparent barrier height in scanning tunneling microscopy, Phys.Rev.B. 39(1989)5572−5575
  145. S.Yoshida, J. Kikuchi, Y. Kanitani, O. Takeuchi, H. Oigawa, H. Shigekawa, Tip-induced band bending and its effect on local barrier height measurement studied by light-modulated scanning tunneling spectroscopy, e-J.Surf.Sci.Nanotech. 4(2006)192−196
  146. M.McEllistrem, G. Haase, D. Chen, R.J.Hamers, Electrostatic Sample-Tip Interactions in the Scanning Tunneling Microscope, Phys.Rev.Lett. 70(1993)2471−2474
  147. RJ.Hamers, K. Markert, Atomically Resolved Carrier Recombination at Si (lll)-(7×7) Surfaces, Phys.Rev.Lett. 64(1990)1051−1054
  148. Y.Kuk, R.S.Becker, P.J.Silverman, G.P.Kochanski, Optical Interactions in the Junction of a Scanning Tunneling Microscope, Phys.Rev.Lett. 65(1990)456−459
  149. J.K.Gimzewski, R. Moller, Transition from the tunneling regime to point contact studied using scanning tunneling microscopy, Phys.Rev.B. 36(1987)1284−1287
  150. J.M.Krans, J.M.van Rultenbeek, V.V.Fisun, I.K.Yanson, L. J. de Jongh, The signature of conductance quantization in metallic point contacts, Nature, 375(1995)767−769
  151. J.I.Pascual, J. Mendez, J. Gomez-Herrero, A.M.Baro, N. Garcia, U. Landman, W.D.Luedtke, E.N.Bogachek, H.P.Cheng, Properties of Metallic Nanowires: From Conductance Quantization to Localization, Science 267(1995)1793−1795
  152. C Joachim, J.K.Gimzewski, R.R.Schlittler, C. Chavy, Electronic transparence of a Single C60 Molecule, Phys.Rev.Lett. 74(1995)2102−2105
  153. Y.Hasegawa, I.W.Lyo, P. Avouris, Measurement of surface state conductance using STM point contacts, Surf.Sci. 357−358(1996)32−37
  154. R.Garcia, J.J.Saenz, J.M.Soler, N. Garcia, Distance-voltage characteristics in scanning tunneling microscopy, J.Phys.C:Solid State Phys. 19(1986)L131-L134
  155. W.B.Su, S.M.Lu, C.L.Jiang, H.T.Shih, C.S.Chang, T.T.Tsong, Stark shift of transmission resonance in scanning tunneling spectroscopy, Phys.Rev.B 74(2006)155330−1-155 330−4
  156. M.D.Pashley, J.B.Pethica, J. Coombs, Scanning Tunneling Microscope Studies, Surf.Sci. 152/153 (1985) 27−32
  157. G.Seine, R. Coratger, A. Carladous, F. Ajustron, R. Pechou, J. Beauvillain, Tip-to-surface distance variations vs voltage in scanning tunneling microscopy, Phys.Rev.B 60(1999)11045−11 050
  158. R. Garcia, J.J.Saenz, N. Garcia, Conductivity and structure of thin oxide layers grown on a metal substrate: scanning-tunneling microscopy in NiO on Ni (100), Phys.Rev.B 33(1986)4439−4442
  159. N.P.Magtoto, C. Niu, B.M.Ekstrom, S. Addepalli, J.A.Kelber, Dielectric breakdown of ultrathin aluminum oxide films induced by scanning tunneling microscopy, Appl.Phys.Lett. 77(2000)2228−2230
  160. W.Haiss, H. van Zalinge, D. Bethell, J. Ulstrup, D.J.Schiffrin, RJ. Nichols, Thermal gating of the single molecule conductance of alkanedithiols, Faradey Discuss. 131(2006)253−264
  161. J.L.Pitters, R.A.Wolkow, Detailed Studies of Molecular Conductance Using Atomic Resolution Scanning Tunneling Microscopy, Nanoletters 6(2006)390−397
  162. J.Gaudioso, H.J.Lee, W. Ho, Vibrational Analysis of Single Molecule Chemistry: Ethylene Dehydrogenation onNi (l 10), J.Am.Chem.Soc. 121(1999)8479−8485
  163. B.C.Stipe, M.A.Rezaei, W. Ho, Coupling of Vibrational Excitation to the Rotational Motion of a Single Adsorbed Molecule, Phys.Rev.Lett. 81(1998)1263−1266
  164. Z.Nussinov, J.X.Zhu, A.V.Balatsky, M.F.Crommie, Y. Manassen, Single spin detection and noise spectroscopy, Proc. of SPIE 5472(2004)116−130
  165. Z.Nussinov, M.F.Crommie, A.V.Balatsky, Noise spectroscopy of a single spin with spin-polarized STM, Phys.Rev.B 68(2003)085402−1 085 402−6
  166. RJ.Hamers, R.M.Tromp, J.E.Demuth, Surface Electronic Structure of Si (lll)-(7×7) Resolved in Real Space, Phys.Rev.Lett. 56(1986)1972−1975
  167. RJ.Hamers, R.M.Tromp, J.E.Demuth, Electronic and geometric structure of Si (lll)-(7×7) and Si (001) surfaces, Surf.Sci. 181(1987)346−355
  168. K.S.Nakayama, T. Sugano, K. Ohmori, A.W.Signor, J.H.Weaver, Chemical fingerprints at the atomic level with scanning tunneling spectroscopy, Surf.Sci. 600(2006)716−723
  169. A.I.Oreshkin, V.N.Mantsevich, N.S.Maslova, D.A.Muzychenko, S.I.Oreshkin, V.I.Panov, S.V.Savinov, P.I.Arseev, The influence of different imputity atoms on 1/fa tunneling current noise characteristics on InAs (llO) surface, Письма в ЖЭТФ 85(2007)46−51
  170. M.S.Alam, S. Stromsdorfer, V. Dremov, P. Muller, J. Kortus, M. Ruben, J.M.Lehn, Addressing the Metall Centers of 2×2.Co"4 Grid-Type Complexes by STM/STS, Angew.Chem.Int.Ed. 44(2005)7896−7900
  171. M.Morgenstern, Probing the local density of states of dilute electron systems in different dimensions, Surface Review and Letters 10(2003)933−962
  172. P.Avouris, I.W.Lyo, Observation of Quantum-Size Effects at Room Temperature on Metal Surfaces With STM, Science 264(1994)942−945
  173. J.Li, W.D.Schneider, R. Berndt, Local density of states from spectroscopic scanning-tunneling-microscope images: Ag (lll), Phys.Rev.B 56(1997)7656−7659
  174. W.Chen, V. Madhavan, T. Jamneala, M.F.Crommie, Scanning Tunneling Microscopy Observation of an Electronic Superlattice at the Surface of Clean Gold, Phys.Rev.Lett. 80(1998)1469−1472
  175. J.Li, W.D.Schneider, R. Berndt, S. Crampin, Electron Confinement to Nanoscale Ag Islands on Ag (l 11): A Quantitative Study, Phys.Rev.Lett. 80(1998)3332−3335
  176. L.Burgi, O. Jeandupeux, H. Brune, K. Kern, Probing Hot-Electron Dynamics at Surfaces with a Cold Scanning Tunneling Microscope, Phys.Rev.Lett. 82(1999)4516−4519
  177. H.C.Manoharan, C.P.Lutz, D.M.Eigler, Quantum mirages formed by coherent projection of electronic structure, Nature 403(2000)512−515
  178. L.Niebergall, G. Rodary, H.F.Ding, D. Sander, V.S.Stepanyuk, P. Bruno, J. Kischner, Electron confinement in hexagonal vacancy islands: Theory and experiment, Phys.Rev.B 74(2006) 195 436−1-195 436−6
  179. J.I.Pascual, A. Dick, M. Hansmann, H.P.Rust, J. Neugebauer, K. Horn, Bulk Electronic Structure of Metals Resolved with Scanning Tunneling Microscopy, Phys.Rev.Lett. 96(2006)046801−1-46 801−4
  180. M.L.Harland, L. Li, Observation of standing waves at steps on the GaN (0001) pseude-(lxl) surface by scanning tunneling spectroscopy at room temperature, Appl.Phys.Lett. 89(2006)132104−1-132 104−3
  181. C.R.Ast, G. Wittich, P. Wahl, R. Vogelgesang, D. Pacile, M.C.Falub, L. Moreschini, M. Papagno, M. Grioni, K. Kern, Phys.Rev.B 75(2007)201401−1-201 401−4
  182. A.L.de Lozanne, S.A.Elrod, C.F.Quate, Spatial Variation in the Superconductivity of Nb3Sn Measured by Low-Temperature Tunneling Microscopy, Phys.Rev.Lett. 54(1985)2433−2436
  183. O.Fisher, M. Kugler, I. Maggio-Aprile, C. Berthod, Scanning tunneling spectroscopy of high-temperature superconductors, Review of Modern Physics, 79(2007)353−419
  184. A.Yazdani, B.A.Jones, C.P.Lutz, M.F.Crommie, D.M.Eigler, Probing the Local Effects of Magnetic Impurities on Superconductivity, Science 275(1997)1767−1770
  185. П.И.Арсеев, Н. С. Маслова, С. И. Орешкин, В. И. Панов, С. В. Савинов, Сканирующая туннельная спектроскопия неравновесного взаимодействия примесных состояний на поверхности полупроводников, Письма в ЖЭТФ 72(2000)819−824
  186. M.F.Crommie, C.P.Lutz, D.M.Eigler, Confinement of Electrons to Quantum Corrals on a Metal Surface, Science 262(1993)218−220
  187. M.F.Crommie, Observing electronic scattering in atomic-scale structures on metals, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 109(2000)1−17
  188. D.Fujita, K. Amemiya, T. Yakabe, H. Nejoh, T. Sato, M. Iwatsuki, Anisotropic Standing-Wave Formation on an Au (111)-(23xa/3 Reconstructed Surface, Phys.Rev.Lett. 78(1997)3904−3907
  189. J.G.Hou, K. Wang, Study of single molecules and their assemblies by scanning tunneling microscopy, Pure Appl.Chem. 78(2006)905−933
  190. R.Wiesendanger, L. Eng, H.R.Hidber, P. Oelhafen, L. Rosenthaler, U. Staufer, H.J.Guntherodt, Local tunneling barrier height images obtained with the scanning tunneling microscope, Surf.Sci. 189−190(1987)24−28
  191. R.Schuster, J.V.Barth, J. Wintterlin, RJ. Behm, G. Ertl, Distance dependence and corrugation in barrier-height measurements on metal surfaces, Ultramicroscopy, 42−44(1992)533−540
  192. M.Yoon, H. Mai, R.F.Willis, Large modulation-amplitude, local barrier-height, scanning tunneling microscopy, Europhys.Lett. 54(2001)626−632
  193. S.Kurokawa, Y. Yamashita, A. Sakai, Y. Hasegawa, Scanning Tunneling Microscopy Barrier-Height Imaging of Shockley Dislocations on a Au (lll) reconstructed Surface, JpnJ.Appl.Phys: 40(2001)4277−4280
  194. R.Wiesendanger, M. Ringger, L. Rosenthaler, H.R.Hidber, P. Oelhafen, H. Rudin, H.J.Guntherodt, Application of scanning tunneling microscopy to disordered systems, Surf.Sci. 181(1987)46−54
  195. R.Akiyama, T. Matsumoto, T. Kawai, Capacitance of a molecular overlayer on the silicon surface measured by scanning tunneling microscopy, Phys.Rev.B 62(2000)2034−2038
  196. G.Seine, R. Coratger, A. Carladous, F. Ajustron, R. Pechou, J. Beauvillain, Imaging using tip-surface distance variations vs. voltage in scanning tunneling microscopy, Surf.Sci. 465(2000)219−226
  197. R.C.Jaklevic, J. Lambe, Molecular Vibration Spectra by Electron Tunneling, Phys.Rev.Lett. 17(1966)1139−1140
  198. C.Petit, G. Salace, Inelastic electron tunneling spectrometer to characterize metal-oxide-semiconductor devices with ultrathin oxides, Review of Scientific Instruments, 74(2003)4462−4467
  199. K.W.Hipps, Copper (II)Phtalocyanine: Electronic and Vibrational Tunneling Spectra, J.Phys.Chem. 93(1989)5958−5960
  200. K.W.Hipps, U. Mazur, An Experimental Study of the Line Shape of Orbital Mediated Tunneling Band Seen in Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy, J.Phys.Chem.B 104(2000)4707−4710
  201. W.Wang, T. Lee, I. Kretzschmar, M.A.Reed, Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of an Alkanedithiol Self-Assembled Monolayer, Nanolett. 4(2004)643−646
  202. J.Kirtley, J.T.Hall, Theory of intensities in inelastic-electron tunneling spectroscopy orientation of adsorbed molecules, Phys.Rev.B 22(1980)848−856
  203. G.Binnig, N. Garcia, H. Rohrer, Conductivity sensitivity of inelastic scanning tunneling microscopy, Phys.Rev.B, 32(1985)1336−1338
  204. H.J.Lee, W. Ho, Single-Bond Formation and Characterization with a Scanning Tunneling Microscope, Science 286(1999)1719−1722
  205. T.Komeda, Y. Kim, M. Kawai, B.N.J.Persson, H. Ueba, Lateral Hopping of Molecules Induced by Excitation of Internal Vibration Mode, Science 295(2002)2055−2058
  206. B.C.Stipe, M.A.Rezaei, W. Ho, Single-Molecule Vibrational Spectroscopy and Microscopy, Science, 280(1998)1732−1735
  207. J.R.Hahn, H.J.Lee, W. Ho, Electronic Resonance and Symmetry in Single-Molecule Inelastic Electron Tunneling, Phys.Rev.Lett. 85(2000)1914−1917
  208. A.S.Hallback, N. Oncel, J. Huskens, H.J.W.Zandvliet, B. Poelsema, Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy on Decanethiol at Elevated Temperatures, Nanolett. 4(2004)2393−2395
  209. Y.Sainoo, Y. Kim, T. Komeda, M. Kawai, Inelastic tunneling spectroscopy using scanning tunneling microscopy on trans-2-butene molecule: Spectroscopy and mapping of vibrational feature, J.Chem.Phys. 120(2004)7249−7251
  210. B.N.J.Persson, A. Baratoff, Inelastic Electron Tunneling from a Metal Tip: The Contribution from Resonant Processes, Phys.Rev.Lett. 59(1987)339−342
  211. P.Muralt, D.W.Pohl, W. Denk, Wide-range, low-operating-voltage, bimorph STM: Application as potentiometer, IBM J.Res.Develop. 30(1986)443−450
  212. P.Muralt, D.W.Pohl, Scanning tunneling potentiometry, Appl.Phys.Lett. 48(1986)514−516
  213. P.Muralt, GaAs pn junction studied by scanning tunneling potentiometry, Appl.Phys.Lett. 49(1986)1441−1443
  214. P.Muralt, H. Meier, D.W.Pohl, H.W.M.Salemink, Scanning tunneling microscopy and potentiometry on a semiconductor heterojunction, Appl.Phys.Lett. 50(1987)1352−1354
  215. J.R.Kirtley, S. Washburn, M.J.Brady, Scanning tunneling measurements of potential steps at grain boundaries in the presence of current flow, IBM J.Res.Develop. 32(1988)414−418
  216. J.R.Kirtley, S. Washburn, M.J.Brady, Direct Measurement of Potential Steps at Grain Boundaries in the Presence of Current Flow, Phys.Rev.Lett. 60(1988)1546−1549
  217. J.P.Pelz, R.H.Koch, Extremely low-noise potentiometry with a scanning tunneling microscope, Rev.Sci.Instrum. 60(1989)301−305
  218. G.P.Kochanski, Nonlinear Alternating-Current Tunneling Microscopy, Phys.Rev.Lett. 62(1989)2285−2288
  219. B.Michel, W. Mizutani, RSchierle, A. Jarosch, W. Knop, H. Benedickter, W. Bachtold, H. Rohrer, Scanning surface harmonic microscopy: Scanning probe microscopy based on microwave field-induced harmonic generation, Rev.Sci.Instrum. 63(1992)4080−4085
  220. S.J.Stranick, P. S.Weiss, Alternating Current Scanning Tunneling Microscopy and Nonlinear Spectroscopy, J.Phys.Chem. 98(1994)1762−1764
  221. S.J.Stranick, P. S.Weiss, A versalite microwave-frequency-compatible scanning tunneling microscope, Rev.Sci.Instrum. 64(1993)1232−1234
  222. S.J.Stranick, P. S.Weiss, A tunable microwave frequency alternating current scanning tunneling microscope, Rev.Sci.Instrum. 65(1994)918−921
  223. J.Schmidt, D.H.Rapoport, H.J.Frohlich, Microwave-frequency alternating current scanning tunneling microscopy by difference frequency detection: Atomic resolution imaging on graphite, Rev.Sci.Instrum., 70(1999)3377−3380
  224. A.S.Blum, A.J.D.Schafer, T. Engel, An AC-STM Study of Mineral Sulfides and the Tip Induced Oxidation of PbS, J.Phys.Chem.B 106(2002)8197−8205
  225. J.P.Bourgoin, M.B.Johnson, B. Michel, Scanning surface harmonic microscopy: Application to silicon and Langmuir-Blodgett films on silicon, Microsc. Microanal. Micro-struct. 5(1994)535−543
  226. J.P.Bourgoin, M.B.Johnson, B. Michel, Semiconductor characterization with the scanning surface harmonic microscope, Appl.Phys.Lett. 65(1994)2045−2047
  227. M.B.Johnson, J.P.Bourgoin, B. Michel, Doping Profiling with Scanning Surface Harmonic Microscopy, Microelectronic Engineering 27(1995)539−542
  228. W.Seifert, E. Gerner, M. Stachel, K. Dransfeld, Scanning tunneling microscopy at microwave frequencies, Ultramicroscopy 42−44(1992)379−387
  229. L.A.Bumm, J.J.Arnold, M.T.Cygan, T.D.Dunbar, T.P.Burgin, L. Jones II, D.L.AUara, J.M.Tour, P. S.Weiss, Are Single Molecular Wires Conducting?, Science 271(1996)1705−1707
  230. S.Kurokawa, M. Yuasa, Y. Hasegawa, A. Sakai, Measurement of the tip-sample capacitance for Si surfaces, Surf.Sci. 357−358(1996)532−535
  231. A.Sakai, S. Kurokawa, Y. Hasegawa, Geometrical capacitance of the tip-semiconductor junction, J.Vac.Sci.Technol.A 14(1996)1219−1222
  232. S.Kurokawa, A. Sakai, Tip-Sample Capacitance in STM, Sci.Rep.RITU A44(1997)173−179
  233. S.Kurokawa, A. Sakai, Gap dependence of the tip-sample capacitance, J.Appl.Phys. 83(1998)7416−7423
  234. H.Arakawa, R. Nishitani, Spatially resolved measurements of the capacitance by scanning tunneling microscope combined with a capacitance bridge, J.Vac.Sci.Technol.B 19(2001)1150−1153
  235. H.P.Kleinknecht, J.R.Sandercock, H. Meier, An experimental scanning capacitance microscope, Scanning Microscopy 2(1988)1839−1844
  236. H.Yokoyama, T. Inoue, J. Itoh, Nonresonant detection of electric force gradients by dynamic force microscopy, Appl.Phys.Lett. 65(1994)3143−3145
  237. J.G.Hou, B. Wang, J. Yang, X.R.Wang, H.Q.Wang, Q. Zhu, X. Xiao, Nonclassical Behavior in the Capacitance of a Nanojunction, Phys.Rev.Lett. 86(2001)5321−5324
  238. S.Weiss, D. Botkin, D.F.Ogletree, M. Salmeron, D.S.Chemla, The Ultrafast Response of a Scanning Tunneling Microscope, Phys.Stat.SoI.(b) 188(1995)343−359
  239. N.Nakaoka, K. Watanabe, Density-functional calculation of self-capacitances of carbon nanostructures, Thin Solid Films 464−465(2004)346−349
  240. J.Wang, H. Guo, J.L.Mozos, C.C.Wan, G. Taraschi, Q. Zheng, Capacitance of Atomic Junctions, Phys.Rev.Lett. 80(1998)4277−4280
  241. P.Pomorski, L. Pastewka, C. Roland, H. Guo, J. Wang, Capacitance, induced charges, and bond states of biased carbon nanotube systems, Phys.Rev.B 69(2004)115418−1-115 418−16
  242. M.Buttiker, Capacitance, admittance, and rectification properties of small conductors, J.Phys.: Condens. Matter 5(1993)9361−9378
  243. T.Christen, M. Buttiker, Low Frequency Admitance of a Quantum Point Contact, Phys.Rev.Lett. 77(1996)143−146
  244. R.Nishitani, F. Begum, H. Iwasaki, Alternating Current of Scanning Tunneling Microscope for Organic Molecules Adsorbed on Metal in Terms of Equivalent Circuit of Scanning Tunneling Microscope, Japanese Journal of Applied Physics 45(2006)1962−1965
  245. F.Muller, A.D.Muller, O. Meissner, A. Heilmann, M. Hietschold, Enhanced local surface conductivity measurements by scanning tunneling microscopy, Rev.Sci.Instrum. 68(1997)3104−3107
  246. Y.Majima, S.I.Miyamoto, Y. Oyama, M. Iwamoto, Tunneling current and surface potential simultaneous measurement using a scanning probe, Japanese Journal of Applied Physics 37(1998)4557−4560
  247. Y.Oyama, Y. Majima, M. Iwamoto, Analysis of scanning probe used for simultaneous measurement of tunneling current and surface potential, J.Appl.Phys. 86(1999)7087−7093
  248. Y.Majima, Y. Oyama, M. Iwamoto, Measurement of semiconductor local carrier concentration from displacement current-voltage curves with a scanning vibrating probe, Phys.Rev.B 62(2000)1971−1977
  249. Y.Majima, S. Uehara, T. Masuda, A. Okuda, M. Iwamoto, The waveform separation of displacement current and tunneling current using a scanning vibrating probe, Thin Solid Films 393(2001)204−209
  250. A.D.Muller, F. Muller, M. Hietschold, Detecting work-function differences in scanning tunneling microscopy, Appl.Phys.Lett. 74(1999)2963−2965
  251. M.Herz, Dynamische Tunnel-, Kraft- und Reibungsmicroscopie mit atomarer und subatomarer Auflosung, Dissertation, Lehmanns Media, Berlin, 2004, 117 S.
  252. M.Herz, C. Schiller, F.J.Giessibl, J. Mannhart, Simultaneous current-, force-, and work-function measurement with atomic resolution, Appl.Phys.Lett. 86(2005)153101−1-153 101−3
  253. L.A.Zotti, W.A.Hofer, F.J.Giessibl, Electron Scattering in scanning probe microscopy experiments, Chem.Phys.Lett. 420(2006)177−182
  254. F.J.Giessibl, S. Hembacher, H. Bielefeldt, J. Mannhart, Subatomic Features on the Silicon (lll)-(7×7) Surface Observed by Atomic Force Microscopy, Science 289(2000)422425
  255. F.J.Giessibl, M. Herz, J. Mannhart, Friction traced to the single atom, Proceedings of the National Academy of Sciences, 99(2002)12006−12 010
  256. L.Y.Gorelic, A. Isacsson, M.V.Voinova, B. Kasemo, R.I.Shekhter, M. Jonson, Shuttle Mechanism for Charge Transfer in coulomb Blockade Nanostructures, Phys.Rev.Lett. 80(1998)4526−4529
  257. Y.Majima, K. Nagano, A. Okuda, Displacement current staircase in mechanical single-electron turnstiles, Japanese Journal of Applied Physics, 41(2002)5381−5385
  258. Y.Majima, A. Azuma, K. Nagano, Anomalous negative differential conductance in nanomechanical double barrier tunneling structures, Appl.Phys.Lett. 87(2005)163110−1-163 110−3
  259. R.Sonnenfeld, P.K.Hansma, Atomic-Resolution Microscopy in Water, Science 232(1986)211−213
  260. H.Y.Liu, F.R.F.Fan, C.W.Lin, A.J.Bard, Scanning Electrochemical and Tunneling Ul-tramicroelectrode Microscope for High-Resolution Examination of Electrode Surfaces in Solution, J.Am.Chem.Soc. 108(1986)3838−3839
  261. N.J.Tao, C.Z.Li, H.X.He, Scanning tunneling microscopy applications in electrochemistry beyond imaging, J.Electroanal. Chem. 492(2000)81−93
  262. J.E.T.Andersen, J.D.Zhang, Q. Chi, A.G.Hansen, J.U.Nielsen, E.P.Friis, J. Ulstrup, A. Boisen, H. Jensenius, In situ scanning probe microscopy and new perspectives in analytical chemistry, Trends in Analytical Chemistry, 18(1999)665−674
  263. D.M.Kolb, Structure studies of metal electrodes by in-situ scanning tunneling microscopy, Electrochim. Acta 45(2000)2387−2402
  264. K.ltaya, In situ scanning tunneling microscopy in electrolyte solutions, Progress in Surface Science 58(1998)121−248
  265. A.A.Gewirth, B.K.Niece, Electrochemical Applications of in Situ Scanning Probe Microscopy, Chem.Rev. 97(1997)1129−1162
  266. O.M.Magnussen, Ordered Anion Adlayers on Metal Electrode Surfaces, Chem.Rev. 102(2002)679−725
  267. A.J.Bard, H.D.Abruna, C.E.Chidsey, L.R.Faulkner, S.W.Feldberg, K. Itaya, M. Majda, O. Melroy, R.W.Murray, M.D.Porter, M.P.Soriaga, H.S.White, The Electrode / Electrolyte Interface A Status Report, J.Phys.Chem. 97(1993)7147−7173
  268. N.J.Tao, Probing Potential-Tuned Resonant Tunneling through Redox Molecules with Scanning Tunneling Microscopy, Phys.Rev.Lett. 76(1996)4066−4069
  269. M.Hugelmann, P. Hugelmann, W.J.Lorenz, W. Schindler, Nanoelectrochemistry and nanophysics at electrochemical interfaces, Surf.Sci. 597(2005)156−172
  270. P.Hugelmann, W. Schindler, In-situ Voltage Tunneling Spectroscopy at Electrochemical Interfaces, J.Phys.Chem.B 109(2005)6262−6267
  271. W.Schmickler, D. Henderson, A model for the scanning tunneling microscope operating in an electrolyte solution, J.Electroanal.Chem. 290(1990)283−291
  272. A.M.Kuznetsov, M.D.Vigdorovich, J. Ulstrup, Self-consistent environmental fluctuation effects on the electronic tunnel factor and the activation Gibbs energy in long-range electron transfer, Chem.Phys. 176(1993)539−554
  273. G.Repphun, J. Halbritter, Tunnel chanels, charge transfer, and imaging mechanisms in scanning tunneling microscopy, J.Vac.Sci.Technol.A 13(1995)1693−1698
  274. J.K.Sass, J.K.Gimzewski, Solvent dynamical effects in scanning tunneling microscopy with a polar liquid in the gap, J.Electroanal.Chem. 308(1991)333−337
  275. W.Schmickler, Tunneling of electrons through thin layers of water, Surf.Sci. 335(1995)416−421
  276. A.Nitzan, Electron Transmission through Molecules and Molecular Interfaces, Annu. Rev.Phys.Chem. 52(2001)681−750
  277. A.M.Kuznetsov, P. Sommer-Larsen, J. Ulstrup, Resonance and environmental fluctuation effects in STM currents through large adsorbed molecules, Surf.Sci. 275 (1992) 52−64
  278. J.E.T.Andersen, A.A.Kornyshev, A.M.Kuznetsov, L.L.Madsen, P. Moller, J. Ulstrup, Electron tunneling in electrochemical processes and in situ scanning tunnel microscopy of structurally organized systems, Electrochim. Acta 42(1997)819−831
  279. A.M.Kuznetsov, J. Ulstrup, Theory of electron transfer at electrified interfaces, Electrochim. Acta 45(2000)2339−2361
  280. W.Schmickler, On the possibility of measuring the adsorbate density of states with a scanning tunneling microscope, J.Electroanal.Chem. 296(1990)283−289
  281. W.Schmickler, C. Widrig, The investigation of redox reactions with a scanning tunneling microscope. Experimental and theoretical aspects, J.Electroanal.Chem. 336(1992)213−221
  282. H.Sumi, V-I Characteristics of STM processes as a Probe Detecting Vibronic Interactions at a Redox State in Large Molecular Adsorbates Such as Electron-Transfer Metalloproteins, J.Phys.Chem.B 102(1998)1833−1844
  283. J.Zhang, A.M.Kuznetsov, I.G.Medvedev, Q. Chi, T. Albrecht, P. S.Jensen, J. Ulstrup, Single-Molecule Electron Transfer in Electrochemical Environments, Chem.Rev. 108(2008)2737−2791
  284. A.Alessandrini, S. Corni, P. Facci, Unravelling single metalloprotein electron transfer by scanning probe techniques, Phys.Chem.Chem.Phys. 8(2006)4383−4397
  285. W.Schmickler, Investigation of electrochemical electron transfer reactions with a scanning tunneling microscope: a theoretical study, Surf.Sci. 295(1993)43−56
  286. W.Schindler, M. Huggelmann, P. Hugelmann, In situ scanning probe spectroscopy at nanoscale solid/liquid interfaces, Electrochim. Acta 50(2005)3077−3083
  287. G.Abadal, F. Perez-Murano, N. Barniol, X. Borrise, X. Aymerich, A new method to perform in situ current voltage curves with an electrochemical scanning tunneling microscope, Ultramicroscopy 66(1996)133−139
  288. R.Hiesgen, M. Krause, D. Meissner, STM measurement of current-potential curves at a semiconductor surface, Electrochim. Acta 45(2000)3213−3223
  289. S.R.Snyder, H.S.White, The role of redox chemistry in scanning tunneling microscopy imaging of electroactive films, J.Electroanal.Chem. 394(1995)177−185
  290. W.Han, E.N.Durantini, T.A.Moore, A.L.Moore, D. Gust, P. Rez, G. Leatherman, G.R.Seely, N. Tao, S.M.Lindsay, STM Contrast, Electron-Transfer Chemistry, and Conduction in Molecules, J.Phys.Chem.B 101(1997)10719−10 725
  291. G.E.Engelmann, D.M.Kolb, Tunnel spectroscopy of tip-generated copper clusters on Au (ll 1), Electrochim. Acta 48(2003)2897−2901
  292. M.Hugelmann, W. Schindler, Schottky diode characteristics of electrodeposited Au/n-Si (l 11) nanocontacts, Appl.Phys.Lett. 85(2004)3608−3610
  293. K.Azumi, K. Araki, M. Seo, Tunneling spectroscopy of passive films on iron and titanium, J.Electroanal.Chem. 427(1997)15−21
  294. W.Haiss, RJ. Nichols, S.J.Higgins, D. Bethell, H. Hobenreich, D.J.Schiffrin, Wiring nanoparticles with redox molecules, Faraday Discuss. 125(2004)179−194
  295. A.Alessandrini, M. Salerno, S. Frabboni, P. Facci, Single-metalloprotein wet biotransistor, Appl.Phys.Lett. 86(2005)133902−1-133 902−3
  296. C.A.Zell, W. Freyland, In situ STM and STS study of NixAIl-x alloy formation on Au (lll) by electrodeposition from a molten salt electrolyte, Chem.Phys.Lett. 337(2001)293−298
  297. F.Jackel, M.D.Watson, K. Mullen, J.P.Rabe, Tunneling through nanographene stacks, Phys.Rev.B 73(2006)045423−1 -45 423−6
  298. N.J.Tao, Electron transport in molecular junctions, Nature Nanotechnology 1(2006)173−181
  299. J.Zhang, Q. Chi, A.M.Kuznetsov, A.G.Hansen, H. Wackerbarth, H.E.M.Christensen, J.E.T.Andersen, J. Ulstrup, Electronic Properties of Functional Biomolecules at Metal/Aqueous Solution Interfaces, J.Phys.Chem.B 106(2002)1131−1152
  300. A.M.Kuznetsov, I.G.Medvedev, J. Ulstrup, Electric double layer effect on observable characteristics of the tunnel current through a bridged electrochemical contact, J.Chem.Phys. 127(2007)104708−1-104 708−11
  301. A.M.Kuznetsov, J. Ulstrup, Dissipative relaxation of a low-energy intermediate electronic state in three-level electron transfer, Chem.Phys. 157(1991)25−33
  302. A.M.Kuznetsov, J. Ulstrup, Scanning tunneling microscopy currents through large adsorbate molecules as a molecular three-centre electronic process, Surf. Coat.Technol. 67(1994)193−200
  303. A.M.Kuznetsov, J. Ulstrup, Mechanism of in Situ Scanning Tunneling Microscopy of Organized Redox Molecular Assemblies, J.Phys.Chem.A 104(2000)11531−11 540
  304. J.Zhang, A.M.Kuznetsov, J. Ulstrup, In situ scanning tunneling microscopy of redox molecules, Coherent electron transfer at large bias voltages, J.Electroanal.Chem. 541(2003)133−146
  305. J.Zhang, Q. Chi, T. Albrecht, A.M.Kuznetsov, M. Grubb, A.G.Hansen, H. Wackerbarth, A.C.Welinder, J. Ulstrup, Electrochemistry and bioelectrochemistry towards the single-molecule level: Theoretical notions and systems, ElectrochimiActa 50(2005)3143−3159
  306. A.M.Kuznetsov, Negative differential resistance and switching behavior of redox-mediated tunnel contact, J.Chem.Phys. 127(2007)084710−1-84 710−8
  307. A.M.Kuznetsov, J. Ulstrup, Mechanism of molecular electronic rectification through electronic levels with strong vibrational coupling, J.Chem.Phys. 116(2002)2149−2165
  308. A.A.Kornyshev, A.M.Kuznetsov, J.U.Nielsen, J. Ulstrup, Overpotential-induced lability of the electronic overlap factor in long-range electrochemical electron transfer: charge and distance dependence, Phys.Chem.Chem.Phys. 2(2000)141−144
  309. E.P.Friis, Y.I.Kharkats, A.M.Kuznetsov, J. Ulstrup, In Situ Scanning Tunneling Microscopy of a Redox Molecule as a Vibrationally Coherent Electronic Three-Level Process, J.Phys.Chem. A 102(1998)7851−7859
  310. A.M.Kuznetsov, J. Ulstrup, Single-molecule electron tunneling through multiple redox levels with environmental relaxation, J.Electroanal.Chem. 564(2004)209−222
  311. Z.Li, B. Han, G. Meszaros, I. Pobelov, Th. Wandlowski, A. Blaszczyk, M. Mayor, Two-dimensional assembly and local redox-activity of molecular hybrid structures in an electrochemical environment, Faraday Discuss. 131(2006)121−143
  312. T.Albrecht, A. Guckian, J. Ulstrup, J.G.Vos, Transistor-like Behavior of Transition Metal Complexes, NanoLett. 5(2005)1451−1455
  313. T.Albrecht, A. Guckian, A.M.Kuznetsov, J.G.Vos, J. Ulstrup, Mechanism of Electrochemical Charge Transport in Individual Transition Metal Complexes, J.Am.Chem.Soc. 128(2006)17132−17 138
  314. T.Albrecht, K. Moth-Poulsen, J.B.Christensen, J. Hjelm, T. Bjrnholm, J. Ulstrup, Scanning Tunneling Spectroscopy in an Ionic Liquid, J.Am.Chem.Soc. 128(2006)6574−6575
  315. T.Albrecht, K. Moth-Poulsen, J.B.Christensen, A. Guckian, T. Bjornholm, J.G.Vos, J. Ulstrup, In situ scanning tunneling spectroscopy of inorganic metal complexes, Faraday Discuss. 131(2006)265−279
  316. A.Alessandrini, M. Salerno, S. Frabboni, P. Facci, Single-metalloprotein wet biotransistor, Appl.Phys.Lett. 86(2005)133902−1-133 902−3
  317. Q.Chi, O. Farver, J. Ulstrup, Long-range protein electron transfer observed at the single-molecule level: In situ mapping of redox-gated tunneling resonance, Proceedings of the National Academy of Sciences 102(2005)16203−16 208
  318. Q.Chi, J. Zhang, P. S.Jensen, H.E.M.Christensen, J. Ulstrup, Long-range interfacial electron transfer of metalloproteins based on molecular wiring assemblies, Faraday Discuss. 131(2006)181−195
  319. R.A.Wassel, G.M.Credo, R.R.Fuierer, D.L.Feldheim, C.B.Gorman, Attenuating Negative Differential Resistance in an Electroactive Self-Assembled Monolayer-Based Junction, J.Am.Chem.Soc. 126(2004)295−300
  320. W.Schmickler, N. Tao, Measuring the inverted region of an electron transfer reaction with a scanning tunneling microscope, Electrochim. Acta 42(1997)2809−2815
  321. A.N.Kuznetsov, W. Schmickler, Mediated electron exchange between an electrode and the tip of a scanning tunneling microscope a stochastic approach, Chem.Phys. 282(2002)371−377
  322. J.Halbritter, G. Repphun, S. Vinzelberg, G. Staikov, W.J.Lorenz, Tunneling mechanisms in electrochemical STM distance and voltage tunneling spectroscopy, Electro-chim.Acta 40(1995)1385−1394
  323. X.D.Cui, A. Primak, X. Zarate, J. Tomfohr, O.F.Sankey, A.L.Moore, T.A.Moore, D. Gust, G. Harris, S.M.Lindsay, Reproducible Measurement of Single-Molecule Conductivity, Science 294(2001)571−574
  324. C.B.Gorman, R.L.Carroll, R.R.Fuierer, Negative Differential Resistance in Patterned Electroactive Self-Assembled Monolayers, Langmuir 17(2001)6923−6930
  325. S.M.Lindsay, B. Barris, Imaging deoxyribose nucleic acid molecules on a metal surface under water by scanning tunneling microscopy, J.Vac.Sci.Technol.A 6(1988)544−547
  326. J.Wiechers, T. Twomey, D.M.Kolb, RJ. Behm, An in-situ scanning tunneling microscopy study of Au (l 11) with atomic scale resolution, J.Electroanal.Chem. 248(1988)451−460
  327. R.Christoph, H. Siegenthaler, H. Rohrer, H. Wiese, In situ scanning tunneling microscopy at potential controlled Ag (100) substrates, Electrochim. Acta 34(1989)1011−1022
  328. J.Pan, T.W.Jing, S.M.Lindsay, Tunneling Barriers in Electrochemical Scanning Tunneling Microscopy, J.Phys.Chem. 98(1994)4205−4208
  329. A.Vaught, T.W.Jing, S.M.Lindsay, Non-exponential tunneling in water near an electrode, Chem.Phys.Lett. 236(1995)306−310
  330. G.Nagy, Structure of platinum/water interface as reflected by STM measurements, Electrochim. Acta 40(1995)1417−1420
  331. G.Nagy, Water structure at the graphite (0001) surface by STM measurements, J.Electroanal.Chem. 409(1996)19−23
  332. J.Ahn, M. Pyo, Comparison of STM Barrier Heights on HOPG in Air and Water, Bull. Korean Chem.Soc. 21(2000)644−646
  333. B.Xu, N.J.Tao, Measurement of Single-Molecule Resistance by Repeated Formation of Molecular Junctions, Science 301(2003)1221−1223
  334. W.Haiss, R.J.Nichols, H. van Zalinge, S.J.Higgins, D. Bethell, D.J.Schiffrin, Measurement of single molecule conductivity using the spontaneous formation of molecular wires, Phys.Chem.Chem.Phys. 6(2004)4330−4337
  335. E.Wierzbinski, J. Arndt, W. Hammond, K. Slowinski, In Situ Electrochemical Distance Tunneling Spectroscopy of ds-DNA Molecules, Langmuir 22(2006)2426−2429
  336. G.J.Su, RAguilar-Sanchez, Z. Li, Ilya Pobelov, M. Homberger, U. Simon, T. Wandlowski, Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy Studies of 4-Methyl-4'-(n-mercaptoalkyl)biphenyls on Au (l 1 l)-(lxl), Chem.Phys.Chem. 8(2007)1037−1048
  337. M.Hugelmann, W. Schindler, Tunnel barrier height oscillations at the solid/liquid interface, Surf.Sci. 541 (2003)L643-L648
  338. M.Hugelmann, W. Schindler, In situ Sistance Tunneling Spectroscopy at Au (lll)/0.02 M HCIO4. From Faradaic Regime to Quantized Conductance Channels, J.Electrochem.Soc. 151 (2004)E97-E 101
  339. G.Nagy, D. Mayer, T. Wandlowski, Distance tunneling characteristics of solid/liquid interfaces: Au (l 1 l)/Cu2+/H2S04, Phys.Chem.Comm. 5(2002)112−116
  340. G.Nagy, T. Wandlowski, Double Layer Properties of Au (lll)/H2S04(Cl)+Cu2+ from Distance Tunneling Spectroscopy, Langmuir 19(2003)10271−10 280
  341. A.Schreyer, L. Eng, H. Bohni, In situ scanning tunneling microscope investigation of passivation and stainless steels and iron, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996)1162−1166
  342. M.F.Toney, J.N.Howard, J. Richer, G.L.Borges, J.G.Gordon, O.R.Melroy, D.G.Wiesler, D. Yee, L.B.Sorensen, Voltage-dependent ordering of water molecules at an electrode-electrolyte interface, Nature 368(1994)444−446
  343. J.D.Porter, A.S.Zinn, Ordering of liquid water at metal surfaces in tunnel junction devices, J.Phys.Chem. 97(1993)1190−1203
  344. Y.Ando, T. Itoh, Calculation of transmission tunneling current across arbitrary potential barriers, J.Appl.Phys. 61(1987)1497−1502
  345. Sang-II Park, C.F.Quate, Tunneling microscopy of graphite in air, Appl.Phys.Lett. 48(1986)112−114
  346. R.J.Colton, S.M.Baker, RJ. Driscoll, M.G.Youngquist, J.D.Baldeschwieler, W.J.Kaiser, Imaging graphite in air by scanning tunneling microscopy: Role of the tip, J.Vac.Sci.Technol.A 6(1988)349−353
  347. T.Tiedje, J. Varon, H. Deckman, J. Stokes, Tip contamination effects in ambient pressure scanning tunneling microscopy imaging of graphite, J.Vac.Sci.Technol.A 6(1988)372−375
  348. D.A.Grigg, P.E.Russel, J.E.Griffith, Tip-sample forces in scanning probe microscopy in air and vacuum, J.Vac.Sci.Technol.A 10(1992)680−683
  349. S.C.Meepagala, F. Real, Detailed experimental investigation of the barrier-height lowering and the tip-sample force gradient during STM operation in air, Phys.Rev.B 49(1994)10761−10 763
  350. T.R.Albrecht, M.M.Dovek, M.D.Kirk, C.A.Lang, C.F.Quate, D.P.E.Smith, Nanometer-scale hole formation on graphite using scanning tunneling microscope, Appl.Phys.Lett. 55(1989)1727−1730
  351. R.L.McCarley, S.A.Hendricks, A.J.Bard, Controlled Nanofabrication of Highly Oriented Pyrolytic Graphite with the Scanning Tunneling Microscope, J.Phys.Chem. 96(1992)10089−10 092
  352. H.Sugimura, T. Uchida, N. Kitamura, H. Masuhara, Tip-induced anodization of titanium surfaces by scanning tunneling microscopy: A humidity effect on nanolithography, Appl.Phys.Lett. 63(1993)1288−1290
  353. H.Sugimura, T. Uchida, N. Kitamura, H. Masuhara, Scanning Tunneling Microscope Tip-Induced Anodization for Nanofabrication of Titanium, J.Phys.Chem. 98(1994)4352−4357
  354. J.K.Schoer, F.P.Zamborini, R.M.Crooks, Scanning Probe Litography. 3. Nanometer-Scale Electrochemical Patterning of Au and Organic Resists in the Absence of Intentionally Added Solvents or Electrolytes, J.Phys. Chem. 100(1996)11086−11 091
  355. F.P.Zamborini, R.M.Crooks, Nanometer-Scale Patterning of Metals by Electrodeposi-tion from an STM Tip in Air, J.Am.Chem.Soc. 120(1998)9700−9701
  356. G.J.Leggett, M.C.Davies, D.E.Jackson, C.J.Roberts, S.J.B.Tendler, P.M.Williams, Studies of Covalently Immobilized Protein Molecules by Scanning Tunneling Microscopy: The Role of Water in Image Contrast Formation, J.Phys.Chem. 97(1993)8852−8854
  357. M.C.Parker, M.C.Davies, S.J.B.Tendler, Effect of Controlled Hydration on Scanning Tunneling Microscopy Images of Covalently Immobilized Proteins, J.Phys.Chem. 99(1995)16155−16 161
  358. N.Patel, M.C.Davies, M. Lomas, C.J.Roberts, S.J.B.Tendler, P.M.Williams, STM of Insulators with the Probe in Contact with an Aqueous Layer, J.Phys.Chem.B 101(1997)5138−5142
  359. V.Guenebaut, M. Maaloum, M. Bonhivers, R. Wepf, K. Leonard, J.K.H.Horber, TEM moire patterns explain STM images of bacteriophage T5 tails, Ultramicroscopy 69(1997)129−137
  360. S.Carrara, V. Erokhin, C. Nicolini, STM Image Formation of Organic Thin Films: The Role of Water Shell, Langmuir 16(2000)6577−6582
  361. J.Y. Yuan, Z. Shao, C. Gao, Alternative Method of Imaging Surface Topologies of Nonconducting Bulk Specimens by Scanning Tunneling Microscopy, Phys.Rev.Lett. 67(1991)863−866
  362. R.Guckenberger, M. Heim, G. Cevc, H.F.Knapp, W. Wiegrabe, A. Hillebrand, Scanning Tunneling Microscopy of Insulators and Biological Specimens Based on Lateral Conductivity of Ultrathin Water Films, Science 266(1994)1538−1540
  363. F.R.F.Fan, A.J.Bard, STM on Wet Insulators: Electrochemistry or Tunneling? Science 270(1995)1849−1851
  364. F.Forouzan, A.J.Bard, Evidence for Faradeic Processes in Scanning Probe Microscopy on Mica in Humid Air, J.Phys.Chem.B 101(1997)10876−10 879
  365. J.Freund, J. Halbritter, J.K.H.Horber, How Diy Are Dried Samples? Water Adsorbtion Measured by STM, Microscopy Research and Technique 44(1999)327−338
  366. M.B.Song, J.M.Jang, C.W.Lee, Electron Tunneling and Electrochemical Currents through Interfacial Water Inside an STM Junction, Bull. Korean Chem.Soc. 23(2002)71−74
  367. M.B.Song, J.M.Jang, S.E.Bae, C.W.Lee, Charge Transfer through Thin Layers of Water Investigated by STM, AFM, and QCM, Langmuir 18(2002)2780−2784
  368. J.S.Yoon, S.E.Bae, J.H.Yoon, M.B.Song, C.W.J.Lee, Charge transfer through interfacial water inside an STM Junction, Electrochim. Acta 50(2005)4230−4233
  369. D.Alliata, L. Andolfi, S. Cannistraro, Tip to substrate distances in STM imaging of bio-molecules, Ultramicroscopy 101(2004)231−240
  370. S.Gomez-Monivas, J.J.Saenz, M. Calleja, R. Garcia, Field-Induced Formation of Nanometer-Sized Water Bridges, Phys.Rev.Lett. 91(2003)056101−1-56 101−4
  371. R.D.Piner, C.A.Mirkin, Effect of Water on Lateral Force Microscopy in Air, Langmuir 13(1997)6864−6868
  372. P.B.Miranda, L. Xu, Y.R.Shen, M. Salmeron, Icelike Water Monolayer Adsorbed on Mica at Room Temperature, Phys.Rev.Lett. 81(1998)5876−5879
  373. M.Luna, J. Colchero, A.M.Baro, Study of Water Droplets and Films on Graphite by Noncontact Scanning Force Microscopy, J.Phys.Chem.B 103(1999)9576−9581
  374. A.Gil, J. Colchero, M. Luna, J. Gomez-Herrero, A.M.Baro, Adsorbtion of Water on Solid Surfaces Studied by Scanning Force Microscopy, Langmuir 16(2000)5086−5092
  375. M.Luna, J. Colchero, A. Gil, J. Gomez-Herrero, A.M.Baro, Application of non-contact scanning force microscopy to the study of water adsorption on graphite, gold and mica, Appl.Surf.Sci. 157(2000)393−397
  376. A.Gil, J. Colchero, J. Gomez-Herrero, A.M.Baro, Macroscopic water deposits on poly-crystalline gold measured by scanning force microscopy, Ultramicroscopy 86(2001)1−9
  377. Z.Wei, C. Wang, Z. Wang, D. Liu, C. Bai, Topography investigation of water layer and self-assembled monolayer with OTS-modified AFM tips, Surf. Interface Anal. 32(2001)275−277
  378. A.L.Weisenhorn, P.K.Hansma, T.R.Albrecht, C.F.Quate, Forces in atomic force microscopy in air and water, Appl.Phys.Lett. 54(1989)2651−2654
  379. Y.Sugawara, M. Ohta, T. Konishi, S. Morita, M. Suzuki, Y. Enomoto, Effects of humidity and tip radius on the adhesive force measured with atomic force microscopy, Wear 168(1993)13−16
  380. T.Thundat, X.Y.Zheng, G.Y.Chen, RJ. Warmack, Role of relative humidity in atomic force microscopy imaging, Surf.Sci.Lett. 294(1993)L939-L943
  381. M.Binggeli, C.M.Mate, Influence of capillary condensation of water on nanotribology studied by force microscopy, Appl.Phys.Lett. 65(1994)415−417
  382. T.Thundat, R.J.Warmack, G.Y.Chen, D.P.Allison, Thermal and ambient-induced deflections of scanning force microscope cantilevers, Appl.Phys.Lett. 64(1994)2894−2896
  383. M.Fujihira, D. Aoki, Y. Okabe, H. Takano, H. Hokari, J. Frommer, Y. Nagatani, F. Sakai, Effect of Capillary Force on Friction Force Microscopy: A Scanning Hydrophilicity Microscope, Chem.Lett. 1996(1996)499−500
  384. T.Eastman, D.M.Zhu, Adhesion Forces between Surface-Modified AFM Tips and a Mica Surface, Langmuir 12(1996)2859−2862
  385. M.Luna, J. Colchero, A.M.Baro, Intermittent contact scanning force microscopy: The role of the liquid neck, Appl.Phys.Lett. 72(1998)3461−3463
  386. J.Colchero, A. Storch, M. Luna, J. Gomez Herrero, A.M.Baro, Observation of Liquid Neck Formation with Scanning Force Microscopy Techniques, Langmuir 14(1998)2230−2234
  387. R.F.Hariadi, S.C.Langford, J.T.Dickinson, Scanning force microscope observations of particle detachment from substrates: The role of water vapor in tribological debonding, J.Appl.Phys. 86(1999)4885−4891
  388. D.L.Sedin, K.L.Rowlen, Adhesion Forces Measured by Atomic Force Microscopy in Humid Air, Anal.Chem. 72(2000)2183−2189
  389. N.H.Thomson, Imaging the substructure of antibodies with tapping-mode AFM in air: the importance of a water layer on mica, Journal of Microscopy, 217(2005)193−199
  390. A.J.Bard, F.R.F.Fan, J. Kwak, O. Lev, Scanning Electrochemical Microscopy. Introduction and Principles, Anal.Chem. 61(1989)132−138
  391. Y.Selzer, D. Mandler, Scanning Electrochemical Microscopy. Theory of the Feedback Mode for Hemispherical Ultramicroelectrodes: Steady-State and Transient Behaviour, Anal.Chem. 72(2000)2383−2390
  392. M.V.Mirkin, B.R.Horrocks, Electroanalytical measurements using the scanning electrochemical microscope, Analytica Chimica Acta 406(2000)119−146
  393. S.T.Yau, P. Mulvaney, W. Xu, G.M.Spinks, Nonlinear single-electron tunneling through individually coated colloid particles at room temperature, Phys.Rev.B. 57(1998)R15124-R15127
  394. T.Ohgi, H.Y.Sheng, Z.C.Dong, H. Nejoh, D. Fujita, Charging effects in gold nano-clusters grown on actanedithiol layers, Appl.Phys.Lett. 79(2001)2453−2454
  395. T.Ohgi, D. Fujita, Single electron charging effects in gold nanoclusters on alkanedithiol layers with different molecular lengths, Surf.Sci. 532−535(2003)294−299
  396. P.G.Collins, A. Zettl, H. Bando, A, Thess, R.E.Smalley, Nanotube Nanodevice, Science 278(1997)100−103
  397. F.R.F.Fan, A.J.Bard, Scanning tunneling microscopy and tunneling spectroscopy of the titania (OOl) surface, J.Phys.Chem. 94(1990)3761−3766
  398. F.R.Fan, A.J.Bard, Scanning tunneling microscopy and tunneling spectroscopy of n-type iron pyrite (n-FeS2) single crystals, J.Phys.Chem. 95(1991)1969−1976
  399. M.Jobin, R. Emch, F. Zenhausern, S. Steinemann, P. Descouts, Characterization of oxide film on titanium by scanning tunneling microscopy/spectroscopy: Influence of the tip composition, J.Vac.Sci.Technol.B 9(1991)1263−1267
  400. F.R.F.Fan, A.J.Bard, Photoassisted Scanning Tunneling Microscopy and Tunneling Spectroscopy of n-Type Tungsten Diselenide (n-WSe2) Single Crystals, J.Phys.Chem. 97(1993)1431−1436
  401. C.Kobush, J.W.Schultze, Problems of tunneling spectroscopy at oxide covered Ti, Elec-trochim.Acta 40(1995)1395−1399
  402. E.Menard, A. Marchenko, V. Podzorov, M.E.Gershenson, D. Fichou, J.A.Rogers, Nano-scale Surface Morphology and Rectifying Behaviour of a Bulk Single-Crystal Organic Semiconductor, Adv.Mater. 18(2006)1552−1556
  403. A.R.Bizzarri, S. Cannistraro, SERS and Tunneling Spectroscopy Investigation of Iron-Protoporphyrin IX Adsorbed on a Silver Tip, J.Phys.Chem.B 109(2005)16571−16 574
  404. A.Stabel, P. Herwig, K. Mullen, J.P.Rabe, Diodelike Current-Voltage Curves for a Single Molecule Tunneling Spectroscopy with Submolecular Resolution of an Alkylated, peri-condensed Hexabenzocoronene, Angew.Chem.Int.Ed.Eng. 34(1995)1609−1611
  405. A.Dhirani, P.H.Lin, P. Guyot-Sionnest, R.W.Zehner, L.R.Sita, Self-assembled molecular rectifiers, J.Chem.Phys. 106(1997)5249−5253
  406. A.I.Onipko, K.F.Berggren, Yu.O.Klymenko, L.I.Malysheva, J.J.W.M.Rosink, L.J.Geerligs, E. van der Drift, S. Radelaar, Scanning tunneling spectroscopy on n-conjugated phenil-based oligomers: A simple physical model, Phys.Rev.B 61(2000)11118−11 124
  407. J.J.W.M.Rosink, M.A.Blauw, L.J.Geerligs, E. van der Drift, S. Radelaar, Tunneling spectroscopy study and modelling of electron transport in small conjugated azomethine molecules, Phys.Rev.B. 62(2000)10459−10 466
  408. M.S.Kaba, I.K.Song, M.A.Barteau, Ordered Array Formation and Negative Differential Resistance Behaviour of Cation-Exchanged Heteropoly Acids Probed by Scanning Tunneling Microscopy, J.Phys.Chem. 100(1996)19577−19 581
  409. I.K.Song, M.S.Kaba, G. Coulston, K. Kourtakis, M.A.Barteau, Scanning Tunneling Microscopy of Ordered Arrays of Heteropolyacids Deposited on a Graphite Surface, Chem.Mater. 8(1996)2352−2358
  410. M.S.Kaba, I. KSong, M.A.Barteau, Investigation of framework and cation substitution in Keggin-type heteropoly acids probed by scanning tunneling microscopy and tunneling spectroscopy, J.Vac.Sci.Technol.A 15(1997)1299−1304
  411. G.Binnig, C.F.Quate, Ch. Gerber, Atomic Force Microscope, Phys.Rev.Lett. 56 (1986) 930−933
  412. G.Meyer, N.M.Amer, Novel optical approach to atomic force microscopy, Appl.Phys.Lett. 53(1988) 1045−1047
  413. J.Loos, The Art of SPM: Scanning Probe Microscopy in Materials Science, Adv.Mater. 17(2005)1821−1833
  414. H.Takano, J.R.Kenseth, S.S.Wong, J.C.O'Brien, M.D.Porter, Chemical and Biochemical Analysis Using Scanning Force Microscopy, Chem.Rev. 99(1999)2845−2890
  415. B.Cappella, G. Dietler, Force-distance curves by atomic force microscopy, Surf.Sci.Rep. 34(1999)1−104
  416. R.Garcia, R. Perez, Dynamic atomic force microscopy methods, Surf.Sci.Rep. 47(2002)197−301
  417. D.A.Bonnell, R. Shao, Local behaviour of complex materials: scanning probes and nano structure, Current Opinion in Solid State and Materials Science 7(2003)161−171
  418. S.V.Kalinin, R. Shao, D.A.Bonnell, Local Phenomena in Oxides by Advanced Scanning Probe Microscopy, J.Am.Ceram.Soc. 88(2005)1077−1098
  419. FJ.Giessibl, AFM’s path to atomic resolution, Materials Today (2005)32−41
  420. P.De Wolf, J. Snauwaert, L. Hellemans, T. Clarysse, W. Vandervorst, M. D'Olieslaeger, D. Quaeyhaegens, Lateral and vertical dopant profiling in semiconductors by atomic force microscopy using conducting tips, J.Vac.Sci.Technol.A 13(1995)1699−1704
  421. K.M.Lang, D.A.Hite, R.W.Simmonds, R. McDermott, D.P.Pappas, J.M.Martinis, Conducting atomic force microscopy for nanoscale tunnel barrier characterization, Review of Scientific Instruments, 75(2004)2726−2731
  422. P.De Wolf, T. Clarysse, W. Vandervorst, L. Hellemans, Ph. Niedermann, W. Hanni, Cross-Sectional nano-spreading resistance profiling, J.Vac.Sci.Technol. B 16(1998)355−361
  423. P.De Wolf, M. Geva, T. Hantschel, W. Vandervorst, R.B.Bylsma, Two-dimentional carrier profiling of InP structures using scanning spreading resistance microscopy, Appl.Phys.Lett. 73(1998)2155−2157
  424. S.J.O'Shea, R.M.Atta, M.P.Murrell, M.E.Welland, Conducting atomic force microscopy study of silicon dioxide breakdown, J.Vac.Sci.Technol.B 13(1995)1945−1952
  425. M.Gadenne, O. Schneegans, F. Houze, P. Chretien, C. Desmarest, J. Sztern, P. Gadenne, First AFM observation of thin cermet films close to the percolation threshold using a conducting tip, Physica B 279(2000)94−97
  426. J.Planes, F. Houze, P. Chretien, O. Schneegans, Conducting probe atomic force microscopy applied to organic conducting blends, Appl.Phys.Lett. 79(2001)2993−2995
  427. A.Alexeev, J. Loos, M.M.Koetse, Nanoscale electrical characterization of semiconducting polymer blends by conductive atomic force microscopy (C-AFM), Ultramicroscopy 106(2006)191−199
  428. S.V.Kalinin, D.A.Bonnell, Local electronic transport at grain boundaries in Nb-doped SrTi03, Phys.Rev.B 70(2004)235304−1-235 304−10
  429. Г. Б.Мешков, В. Ф. Иванов, И. В. Ямннскнй, Сканирующая резистивная микроскопия полианилина, Высокомолекулярные соединения, Серия Б, 47(2005)2060−2063.
  430. T.W.Kelley, E.L.Granstrom, C.D.Friesbie, Conducting Probe Atomic Force Microscopy: A Characterization Tool for Molecular Electronics, Adv.Mater. 11(1999)261−264
  431. H.Dai, E.W.Wong, C.M.Lieber, Probing Electrical Transport in Nanomaterials: Conductivity of Individual Carbon Nanotubes, Science, 272(1996)523−526
  432. P.J.de Pablo, C. Gomez-Navarro, J. Colchero, P.A.Serena, J. Gomez-Herrero, A.M.Baro, Nonlinear Resistance versus Length in Single-Walled Carbon Nanotubes, Phys.Rev.Lett. 88(2002)036804−1-36 804−4
  433. H.Sakaguchi, A. Hirai, F. Iwata, A. Sasaki, T. Nagamura, E. Kawata, S. Nakabayashi, Determination of perfomance on tunnel conduction through molecular wire using a conductive atomic force microscope, Appl.Phys.Lett. 79(2001)3708−3710
  434. G.Leatherman, E.N.Durantini, D. Gust, T.A.Moore, A.L.Moore, S. Stone, Z. Zhou, P. Rez, Y.Z.Liu, S.M.Lindsay, Carotene as a Molecular Wire: Conducting Atomic Force Microscopy, J.Phys.Chem.B 103(1999)4006−4010
  435. X.D.Cui, X. Zarate, J. Tomfohr, O.F.Sankey, A. Primak, A.L.Moore, D. Gust, G. Harris, S.M.Lindsay, Making electrical contacts to molecular monolayers, Nanotechnology 13(2002)5−14
  436. D.J.Wold, C.D.Frisbie, Fabrication and Characterization of Metal-Molecule-Metal Junctions by Conducting Probe Atomic Force Microscopy, J.Am.Chem.Soc. 123(2001)5549−5556
  437. B.S.Kim, J.M.Beebe, Y. Jun, X.Y.Zhu, C.D.Friesbie, Correlation between HOMO Alignment and Contact Resistance in Molecular Junctions: Aromatic Thiols versus Aromatic Isocyanides, J.Am.Chem.Soc. 128(2006)4970−4971
  438. J.V.Macpherson, C. E Jones, A.L.Barker, P.R.Unwin, Electrochemical Imaging of Diffusion through Single Nanoscale Pores, Anal.Chem. 74(2002)1841−1848
  439. E.Aleksandrova, R. Hiesgen, K.A.Friedrich, E. Roduner, Electrochemical atomic force microscopy study of proton conductivity in a Nafion membrane, Phys.Chem.Chem.Phys. 9(2007)2735−2743
  440. X.Xie, O. Kwon, D.M.Zhu, T.V.Nguyen, G. Lin, Local Probe and Conduction Distribution of Proton Exchange Membranes, J.Phys.Chem.B 111(2007)6134−6140
  441. D.A.Bussian, J.R.O'Dea, H. Metiu, S.K.Buratto, Nanoscale Current Imaging of the Conducting Channels in Proton Exchange Membrane Fuel Cells, NanoLett. 7(2007)227−232
  442. J.R.Matey, J. Blanc, Scanning capacitance microscopy, J.Appl.Phys. 57(1985)1437−1444
  443. C.C.Williams, W.P.Hough, S.A.Rishton, Scanning capacitance microscopy on a 25 nm scale, Appl.Phys.Lett. 55(1989)203−205
  444. C.C.Williams, J. Stinkman, W.P.Hough, H.K.Wickramasinghe, Lateral dopant profiling with 200 nm resolution by scanning capacitance microscopy, Appl.Phys.Lett. 55(1989)1662−1664
  445. H.Tomiye, H. Kawami, M. Izawa, M. Yoshimura, T. Yao, Scanning Capacitance Microscope/Atomic Force Microscope/Scanning Tunneling Microscope Study of Ion-Implanted Silicon Surfaces, Jpn.J.Appl.Phys. 34(1995)3376−3379
  446. H.Tomiye, T. Yao, H. Kawami, T. Hayashi, Nanometer-scale characterization of Si02/Si with a scanning capacitance microscope, Appl.Phys.Lett. 69(1996)4050−4052
  447. K.M.Mang, Y. Khang, Y.J.Park, Y. Kuk, S.M.Lee, C.C.Williams, Direct imaging of Si02 thickness variation on Si using modified atomic force microscope, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996)1536−1539
  448. H.Tomiye, T. Yao, Investigation of Charge Trapping in a Si02/Si System with a Scanning Capacitance Microscope, Jpn.J.Appl.Phys. 37(1998)3812−3815
  449. K.Goto, K. Hane, Application of a semiconductor tip to capacitance microscopy, Appl.Phys.Lett. 73(1998)544−546
  450. C.Y.Nakakura, D.L.Hetherington, M.R.Shaneyfelt, A.N.Erickson, Observation of metal-oxide-semiconductor transistor operation using scanning capacitance microscopy, Appl.Phys.Lett. 75(1999)2319−2321
  451. C.Y.Nakakura, P. Tangyunyong, D.L.Hetherington, M.R.Shaneyfelt, Method for the study of semiconductor device operation using scanning capacitance microscopy, Rev.Sci.Instrum. 74(2003)127−133
  452. E.Bussmann, C.C.Williams, Sub-10nm lateral spatial resolution in scanning capacitance microscopy achieved with solid platinum probes, Rev.Sci.Instrum. 75(2004)422−425
  453. D.T.Lee, J.P.Pelz, B. Brushan, Instrumentation for direct, low frequency scanning capacitance microscopy, and analysis of position dependent stray capacitance, Rev.Sci.Instrum. 73(2002)3525−3533
  454. S.Lanyi, J. Torok, P. Rehurek, Imaging conducting surfaces and dielectric films by a scanning capacitance microscope, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996)892−896
  455. K.Goto, K. Hane, Tip-Sample capacitance in capacitance microscopy of dielectric films, J.Appl.Phys. 84(1998)4043−4048
  456. E.S.Kang, J.W.Kang, H.J.Hwang, J.H.Lee, Nondestructive one-dimensional scanning capacitance microscope dopant profile determination method and its application to three-dimensional dopant profiles, J.Vac.Sci.Technol.A 18(2000)1338−1344
  457. S.Lanyi, Assessment of sensitivity and resolution limits of scanning capacitance microscopes, Acta Physica Slovaca 52(2002)55−64
  458. H.E.Ruda, A. Shik, Theoretical analysis of scanning capacitance microscopy, Phys.Rev.B 67(2003)235309−1-235 309−7
  459. N.Nakagiri, T. Yamamoto, H. Sugimura, Y. Suzuki, Imaging mechanism and effects of adsorbed water in contact-type scanning capacitance microscopy, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996)887−891
  460. T.Tran, D.R.01iver, D.J.Thomson, G.E.Bridges, «Zeptofarad» (10'21 F) resolution capacitance sensor for scanning capacitance microscopy, Rev.Sci.Instrum. 72(2001)2618−2623
  461. J.Schmidt, D.H.Rapoport, G. Behme, H.J.Frohlich, Microwave-mixing scanning capacitance microscopy of pn junction, J.Appl.Phys. 86(1999)7094−7099
  462. B.J.Rodriguez, S. Jesse, V. Meunier, S.V.Kalinin, Scanning frequency mixing microscopy of high-frequency transport behavior at electroactive interfaces, Appl.Phys.Lett. 88(2006) 143 128−1-143 128−3
  463. L.S.C.Pingree, M.C.Hersam, Bridge-enhanced nanoscale impedance microscopy, Appl.Phys.Lett. 87(2005)233117−1-233 117−3
  464. L.Fumagalli, G. Ferrari, M. Sampietro, I. Casuso, E. Martinez, J. Samitier, G. Gomila, Nanoscale capacitance imaging with attofarad resolution using ac current sensing atomic force microscopy, Nanotechnology 17(2006)4581−4587
  465. O.Schneegans, P. Chretien, F. Houze, R. Meyer, Capacitance measurements on small parallel plate capacitors using nanoscale impedance microscopy, Appl.Phys.Lett. 90(2007)043116−1 043 116−3
  466. L.S.C.Pingree, E.F.Martin, K.R.Shull, M.C.Hersam, Nanoscale impedance microscopy -a characterization tool for nanoelectronic devices and circuits, IEEE Transactions on Nanotechnology 4(2005)255−259
  467. K.Darowicki, A. Zielinski, KJ. Kurzydlowski, Application of dynamic impedance spectroscopy to atomic force microscopy, Sci.Technol.Adv.Mater. 9(2008)045006−1-45 006−5
  468. A.Guadarrama-Santana, A. Garcia-Valenzuela, Determination of the dielectric constant of coatings with a capacitance probe, Proceedings of SPIE 6422(2007)64221N-1−64221N-9
  469. L.Fumagalli, G. Ferrari, M. Sampietro, G. Gomila, Dielectric-constant measurement of thin insulating films at low frequency by nanoscale capacitance microscopy, Appl.Phys.Lett. 91 (2007)243110−1 -243 110−3
  470. G.Gomila, J. Toset, L. Fumagalli, Nanoscale capacitance microscopy of thin dielectric films, J.Appl.Phys. 104(2008)024315−1-24 315−8
  471. H.Yamamoto, T. Takahashi, I. Kamiya, Local capacitance measurements on InAs dot-covered GaAs surfaces by scanning capacitance microscopy, Appl.Phys.Lett. 77(2000)1994−1996
  472. R.Shao, S.V.Kalinin, D.A.Bonnell, Local impedance imaging and spectroscopy of poly-crystalline ZnO using contact atomic force microscopy, Appl.Phys.Lett. 82(2003)1869−1871
  473. X.D.Ding, G. Fu, X.M.Xiong, J.X.Zhang, Characterization Method of Polycrystalline Materials Using Conductive Atomic Force Microscopy, Chin.Phys.Lett. 25(2008)3597−3600
  474. R.O'Hayre, M.Lee. F.B.Prinz, Ionic and electronic impedance imaging using atomic force microscopy, J.Appl.Phys. 95(2004)8382−8392
  475. A.Layson, S. Gadad, D. Teeters, Resistance measurements at the nanoscale: scanning probe AC impedance spectroscopy, Electrochim. Acta 48(2003)2207−2213
  476. A.R.Layson, D. Teeters, Polymer electrolytes confined in nanopores: using water as a means to explore the interfacial impedance at the nanoscale, Solid State Ionics 175(2004)773−780
  477. A.J.Bhattacharyya, J. Fleig, Y.G.Guo, J. Maier, Local Conductivity Effects in Polymer Electrolytes, Adv.Mater. 17(2005)2630−2634
  478. R.I.MacCuspie, N. Nuraje, S.Y.Lee, A. Runge, H. Matsui, Comparison of Electrical Properties of Viruses Studied by AC Capacitance Scanning Probe Microscopy, J.Am.Chem.Soc. 130(2008)887−891
  479. R.O'Hayre, G. Feng, W.D.Nix, F.B.Prinz, Quantitative impedance measurements using atomic force microscopy, J.Appl.Phys. 96(2004)3540−3549
  480. K.Eckhard, H. Shin, B. Mizaikov, W. Schuhmann, C. Kranz, Alternating current (AC) impedance imaging with combined atomic force scanning electrochemical microscopy (AFM-SECM) Electrochem.Comm. 9(2007)1311−1315
  481. M.Fujihira, Kelvin probe force microscopy of molecular surfaces, Annu.Rev.Mater.Sci. 29(1999)353−380
  482. Y.Martin, D.W.Abraham, H.K.Wickramasinghe, High-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy, Appl.Phys.Lett. 52(1988)1103−1105
  483. B.D.Terris, J.E.Stern, D. Rugar, H.J.Mamin, Contact Electrification Using Force Microscopy, Phys.Rev.Lett. 63(1989)2669−2672
  484. C.H.Lei, A. Das, M. Elliott, J.E.Macdonald, Quantitative electrostatic force microscopy-phase measurements, Nanotechnology 15(2004)627−634
  485. A.Gil, J. Colchero, J. Gomez-Herrero, A.M.Baro, Electrostatic force gradient signal: resolution enhancement in electrostatic force microscopy and improved Kelvin probe microscopy, Nanotechnology 14(2003)332−340
  486. E.Tevaarwerk, D.G.Keppel, P. Rugheimer, M.G.Lagally, M.A.Eriksson, Quantitative analysis of electric force microscopy: The role of sample geometry, Rev.Sci. Instrum. 76(2005)053707−1-53 707−5
  487. S.Belaidi, P. Girard, G. Leveque, Electrostatic forces acting on the tip in atomic force microscopy: Modelization and comparison with analytic expressions, J.Appl.Phys.81(1997)1023−1030
  488. F.R.Zypman, S.J.Eppell, Electrostatic tip-surface interaction in scanning force microscopy: A convenient expression useful for arbitrary tip and sample geometries, J. Vac.Sci.Technol.B 15(1997) 1853−1860
  489. Z.Y.Li, B.Y.Gu, G.Z.Yang, Scanning-electrostatic-force microscopy: Self-consistent method for mesoscopic surface structures, Phys.Rev.B. 57(1998)9225−9233
  490. S.Cunningham, I.A.Larkin, J.H.Davis, Noncontact scanning probe microscope potenti-ometry of surface charge patches: Origin and interpretation of time-dependent signals, Appl.Phys.Lett. 73(1998)123−125
  491. S.Gomez-Monivas, J.J.Saenz, R. Carminati, J.J.Greffet, Theory of electrostatic probe microscopy: A simple perturbative approach, Appl.Phys.Lett. 76(2000)2955−2957
  492. S.Gomez-Monivas, L.S.Froufe-Perez, A.J.Caamano, J.J.Saenz, Electrostatic forces between sharp tips and metallic and dielectric samples, Appl.Phys.Lett. 79(2001)4048−4050
  493. E.Strassburg, A. Boag, Y. Rosenwanks, Reconstruction of electrostatic force microscopy images, Rev.Sci.Instrum. 76(2005)083705−1-83 705−5
  494. G.M.Sacha, A. Verdaguer, J. Martinez, J.J.Saenz, D.F.Ogletree, M. Salmeron, Effective tip radius in electrostatic force microscopy, Appl.Phys.Lett. 86(2005)123101−1-123 101−3
  495. S.Gomez-Monivas, L.S.Froufe, R. Carminati, J.J.Greffet, J.J.Saenz, Tip-shape effects on electrostatic force microscopy resolution, Nanotechnology 12(2001)496−499
  496. P.M.Bridger, Z.Z.Bandic, E.C.Piquette, T.C.McGill, Measurement of induced surface charges, contact potentials, and surface states in GaN by electric force microscopy, Appl.Phys.Lett. 74(1999)3522−3524
  497. P.Girard, P. Cadet, M. Ramonda, N. Shmidt, A.N.Usikov, W.V.Lundin, M.S.Dunaevskii, A.N.Titkov, Atomic and electrostatic force microscopy observations on gallium nitride, Phys. Status Solidi A 195(2003)508−515
  498. А.В.Анкудинов, А. Н. Титков, R. Laiho, В. А. Козлов, Исследование распределений потенциала в прямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии, Физика и техника полупроводников 36(2002)1138−1143
  499. A.Ankudinov, V. Marushchak, A. Titkov, V. Evtikhiev, E. Kotelnikov, A. Egorov, H. Riechert, H. Huhtinen, R Laiho, Fine structure of the inner electric field in semiconductor laser diodes studied by EFM, Phys. Low-Dimens. Struct. 3−4(2001)9−16
  500. А.В.Анкудинов, Е. Ю. Котельников, А. А. Канцельсон, В. П. Евтихиев, А. Н. Титков, Микроскопия электростатических сил на сколах полупроводниковых лазерных диодов, Физика и техника полупроводников 35(2001)874−880
  501. E.Bussmann, D.J.Kim, C.C.Williams, Single-electron tunneling to insulator surfaces measured by frequency detection electrostatic force microscopy, Appl.Phys.Lett. 85(2004)2538−2540
  502. М.С.Дунаевский, А. Н. Титков, С. Ю. Ларкин, А. Б. Спешилова, С. Е. Александров, C. Bonafos, A. Claverie, R Laiho, Нанолокальная зарядовая запись в тонких слоях Si02 с встроенными Si нанокристаллами под зондом атомно-силового микроскопа, Письма ЖТФ 33(2007)80−87
  503. S.V.Kalinin, D.A.Bonnell, Local potential and polarization screening on ferroelectric surfaces, Phys.Rev.B 63(2001)125411−1-125 411−13
  504. А.В.Анкудинов, А. Н. Титков, Атомно-силовая микроскопия поляризационных доменов в сегнетоэлектрических пленках, Физика и техника полупроводников 47(2005)1110−1117
  505. A.Bachtold, M.S.Fuhrer, S. Plyasunov, M. Forero, E.H.Anderson, A. Zettl, P.L.McEuen, Scanned Probe Microscopy of Electronic Transport in Carbon Nanotubes, Phys.Rev.Lett. 84(2000)6082−6085
  506. S.Kalinin, D.A.Bonnell, M. Freitag, A.T.Johnson, Carbon nanotubes as a tip calibration standard for electrostatic scanning probe microscopies, Appl.Phys.Lett. 81(2002)754−756
  507. E.Palacios-Lidon, J. Abellan, J. Colchero, C. Munuera, C. Ocal, Quantitative electrostatic force microscopy on heterogeneous nanoscale samples, Appl.Phys.Lett. 87(2005)154106−1-154 106−3
  508. M.Bockrath, N. Markovic, A. Shepard, M. Tinkham, L. Gurevich, L.P.Kouwenhoven, M.W.Wu, L.L.Sohn, Scanned Conductance Microscopy of Carbon Nanotubes and g-DNA, Nanolett. 2(2002)187−190
  509. Y.Zhou, M. Freitag, J, Hone, C. Staii, A.T.Johnson Jr., N.J.Pinto, A.G.MacDiarmid, Fabrication and electrical characterization of polyaniline-based nanofibers with diameter below 30 nm, Appl.Phys.Lett. 83(2003)3800−3802
  510. C.Staii, A.T.Johnson Jr., N.J.Pinto, Quantitative Analysis of Scanning Conductance Microscopy, Nanolett. 4(2004)859−862
  511. J.Hu, X.D.Xiao, M. Salmeron, Scanning polarization force microscopy: A technique for imaging liquids and weakly adsorbed layers, Appl.Phys.Lett. 67(1995)476−478
  512. M.Salmeron, Scanning Polarization Force Microscopy. A Technique for Studies of Wetting Phenomena at the Nanometer Scale, Oil & Gas Science and Technology, 56(2001)63−75
  513. X.Li, J. Sun, X. Zhou, G. Li, P. He, Y. Fang, M. Li, J. Hu, Height measurement of dsDNA and antibodies adsorbed on solid substrates in air by vibrating mode scanning polarization force microscopy, J.Vac.Sci.Technol.B 21(2003)1070−1073
  514. Y.Chen, X. Li, X. Zhou, J. Sun, W. Huang, J. Hu, Analysis of vibrating mode scanning polarization force microscope, Rev.Sci.Instrum. 75(2004)4721−4746
  515. M.Fujihira, H. Kawate, M. Yasutake, Scanning Surface Potential Microscopy for Local Surface Analysis, Chemistry Lett. (1992)2223−2226
  516. S.Kitamura, M. Iwatsuki, High-resolution imaging of contact potential difference with ultrahigh vacuum noncontact atomic force microscope, Appl.Phys.Lett. 72(1998)3154−3156
  517. Ch.Sommerhalter, Th.W.Matthes, Th. Glatzel, A. Jager-Waldau, M.Ch.Lux-Steiner, High-sensitivity quantitative Kelvin probe microscopy by noncontact ultra-high-vacuum atomic force microscopy, Appl.Phys.Lett. 75(1999)286−288
  518. U.Zerweck, C. Loppacher, T. Otto, S. Grafstrom, L.M.Eng, Accuracy and resolution limits of Kelvin probe force microscopy, Phys.Rev.B 71(2005)125424−1-125 424−9
  519. T.Fukuma, K. Kobayashi, H. Yamada, K. Matsushige, Surface potential measurements by the dissipative force modulation method, Rev.Sci.Instrum. 75(2004)4589−4594
  520. M.Nonnemacher, M.P.O'Boyle, H.K.Wickramasinghe, Kelvin probe force microscopy, Appl.Phys.Lett. 58(1991)2921−2923
  521. J.M.Palau, J. Bonnet, Design and perfomance of a Kelvin probe for the study of topographic work functions, J.Phys.E 21(1988)674−679
  522. H.O.Jacobs, H.F.Knapp, S. Muller, A. Stemmer, Surface potential mapping: A qualitative material contrast in SPM, Ultramicroscopy 69(1997)39−49
  523. H.O.Jacobs, P. Leuchtmann, O.J.Homan, A. Stemmer, Resolution and contrast in Kelvin probe force microscopy, J.Appl.Phys. 84(1998)1168−1173
  524. H.O.Jacobs, H.F.Knapp, A. Stemmer, Practical aspects of Kelvin probe force microscopy, Rev.Sci.Instrum. 70(1999)1756−1760
  525. O.Vatel, M. Tanimoto, Kelvin probe force microscopy for potential distribution measurement of semiconductor devices, J.Appl.Phys. 77(1995)2358−2362
  526. A.Efimov, S.R.Cohen, Simulation and correction of geometric distortions in, scanning Kelvin probe microscopy, J.Vac.Sci.Technol.A 18(2000)1051−1055
  527. T.Takahashi, S. Ono, Tip-to-sample distance dependence of an electrostatic force in KFM measurements, Ultramicroscopy, 100(2004)287−292
  528. Y.Wu, M.A.Shannon, ас driving amplitude dependent systematic error in scanning Kelvin probe microscope measurements: Detection and correction, Rev.Sci.Instrum. 77(2006)043711−1-43 711−9
  529. O.A.Semenikhin, L. Jiang, T. Iyoda, K. Hashimoto, A. Fujishima, A Kelvin probe force microscopic study of the local dopant distribution in conducting polybithiophene, Elec-trochim.Acta 42(1997)3321−3326
  530. N.Nakagiri, H. Sugimura, Y. Ishida, K. Hayashi, O. Takai, Effects of an adsorbed water layer and self-assembled organosilane monolayers on scanning probe microscopy of silicon pn structures, Surf.Sci. 532−535(2003)999−1003
  531. B.S.Simpkins, E.T.Yu, P. Waltereit, J.S.Speck, Correlated scanning Kelvin probe and conductive atomic force microscopy studies of dislocations in gallium nitride, J.Appl.Phys. 94(2003)1448−1453
  532. H.Ishii, N. Hayashi, E. Ito, Y. Washizu, K. Sugi, Y. Kimura, M. Niwano, Y. Ouchi, K. Seki, Kelvin probe study of band bending at organic semiconductor/metal interfaces: examination of Fermi level alignment, Phys.Stat.Sol.(a) 201(2004)1075−1094
  533. R.Bozek, K. Pakula, J.M.Baranowski, Light induced contrast in Kelvin Force Microscopy of GaN epilayers, Phys.Stat.Sol.© 1(2004)364−367
  534. A.Doukkali, S. Ledain, C. Guasch, J. Bonnet, Surface potential mapping on biased pn junction with kelvin probe force microscopy: application to cross-section devices, Appl.Surf.Sci. 235(2004)507−512
  535. К.С.Ладутенко, А. В. Анкудинов, В. П. Евтихиев, Прямое наблюдение утечек неосновных носителей заряда в действующем, лазерном диоде методом сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии, Письма ЖТФ 35(2009)74−80
  536. А.В.Анкудинов, В. П. Евтихиев, К. С. Ладутенко, А. Н. Титков, R. Laiho, Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода, Физика и техника полупроводников 40(2006)1009−1016
  537. A.V.Ankudinov, V.P.Evtikhiev, E.Y.Kotelnikov, A.N.Titkov, R. Laiho, Voltage distributions and nonoptieal catastrophic mirror degradation in high power In-GaAs/AlGaAs/GaAs lasers studied by Kelvin probe force microscopy, J. Appl. Phys. 93(2003)432−437
  538. M.Fujihira, H. Kawate, Scanning surface potential microscope for characterization of Langmuir-Blodgett films, Thin Solid Films, 242(1994)163−169
  539. M.Pfeiffer, K. Leo, N. Karl, Fermi level determination in organic thin films by the Kelvin probe method, J.Appl.Phys. 80(1996)6880−6883
  540. J.Lu, E. Delamarche, L. Eng, R. Bennewitz, E. Meyer, H.J.Guntherodt, Kelvin Probe Force Microscopy on Surfaces: Investigation of the Surface Potential of Self-Assembled Monolayers on Gold, Langmuir, 15(1999)8184−8188
  541. K.P.Puntambekar, P.V.Pesavento, C.D.Frisbie, Surface potential profiling and contact resistance measurements on operating pentacene thin-film transistors by Kelvin probe force microscopy, Appl.Phys.Lett. 83(2003)5539−5541
  542. J.N.Barisci, RStella, G.M.Spinks, G.G.Wallace, Study of the surface potential and photovoltage of conducting polymers using electric force microscopy, Synthetic Metals 124(2001)407−414
  543. J.N.Barisci, R. Stella, G.M.Spinks, G.G.Wallace, Characterization of the topography and surface potential of electrodeposited conducting polymer films using atomic force and electric force microscopies, Electrochim. Acta 46(2000)519−531
  544. В.Ф. Иванов, О. JT. Грибкова, А. В. Ванников, Регулирование в широких пределах проводимости полианилина при межфазном допировании полианилинового слоя, Электрохимия 42(2006)304−309
  545. V.F.Ivanov, O.L.Gribkova, S.V.Novikov, A.A.Nekrasov, A.A.Isakova, A.V.Vannikov, G.B.Meshkov, I.V.Yaminsky, Redox heterogeneity in polyaniline films: From molecular to macroscopic scale, Synthetic Metals 152(2005)153−156
  546. S.V.Kalinin, D.A.Bonnell, Scanning impedance microscopy of electroactive interfaces, Appl.Phys.Lett. 78(2001)1306−1308
  547. S.V.Kalinin, D.A.Bonnell, Scanning impedance microscopy of an active Schottky barrier diode, J.Appl.Phys. 91(2002)832−839
  548. S.V.Kalinin, D.A.Bonnell, Local electronic transport at grain boundaries in Nb-doped SrTi03, Phys.Rev.B 70(2004)235304−1-235 304−10
  549. J.Shih, V. Meunier, A.P.Baddorf, S.V.Kalinin, Nonlinear transport imaging by scanning impedance microscopy, Appl.Phys.Lett. 85(2004)4240−4242
  550. C.W.Lin, F.R.F.Fan, A.J.Bard, High Resolution Photoelectrochemical Etching of n-GaAs with the Scanning Electrochemical and Tunneling Microscope, J.Electrochem.Soc. 134(1987) 103 8−1039
  551. D.H.Craston, C.W.Lin, A.J.Bard, High Resolution Deposition of Silver in Nafion Films with the Scanning Tunneling Microscope, J.Electrochem.Soc. 135(1988)785−786
  552. O.E.Husser, D.H.Craston, A.J.Bard, Scanning Electrochemical Microscopy, HighResolution Deposition and Etching of Metals, J.Electrochem.Soc. 136(1989)3222−3229
  553. S.E.Pust, W. Maier, G. Wittstock, Investigation of Localized Catalytic and Electrocata-lytic Processes and Corrosion Reactions with Scanning Electrochemical Microscopy (SECM), Z.Phys.Chem. 222(2008)1463−1517
  554. K.Eckhard, W. Schuhmann, Alternating current techniques in scanning electrochemical microscopy (AC-SECM), Analyst 133(2008)1486−1497
  555. W.S.Roberts, D.J.Lonsdale, J. Griffiths, S.P.J.Higson, Advances in the application of scanning electrochemical microscopy to bioanalytical systems, Biosensors and Bioelec-tronics 23(2007)301−318
  556. X.Lu, Q. Wang, X. Liu, Review: Recent applications of scanning electrochemical microscopy to the study of charge transfer kinetics, Analytica Chimica Acta 601(2007)10−25
  557. A.L.Whitworth, D. Mandler, P.R.Unwin, Theory of scanning electrochemical microscopy (SECM) as a probe of surface conductivity, Phys.Chem.Chem.Phys. 7(2005)356−365
  558. G.Nagy, L. Nagy, Scanning electrochemical microscopy: a new way of making electrochemical experiments, Fresenius J.Anal.Chem. 366(2000)735−744
  559. A.J.Bard, F.R.F.Fan, Electrochemical Detection of Single Molecules, Acc.Chem.Res. 29(1996)572−578
  560. F.R.F.Fan, J. Kwak, A.J.Bard, Single Molecule Electrochemistry, J.Am.Chem.Soc. 118(1996)9669−9675
  561. J.Meier, K.A.Friedrich, U. Stimming, Novel method for the investigation of single nanoparticle reactivity, Faradey Discuss. 121(2002)365−372
  562. J.V.Macpherson, J.P.Gueneau de Mussy, J.L.Delplancke, High-Resolution Electrochemical, Electrical, and Structural Characterization, of a Dimensionally Stable Ti/Ti02/Pt Electrode, J.Electrochem.Soc. 149(2002)B306-B313
  563. Г. К.Будников, Н. А. Улахович, Э. П. Медянцева, Основы электроаналитической химии. Издательство Казанского университета, 1986 г., 288 с.
  564. S.M.Sze, Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, 2007, 763p
  565. G.Binnig, H. Fuchs, Ch. Gerber, H. Rohrer, E. StoIl, E. Tosatti, Energy-Dependent State-Density Corrugation of a Graphite Surface as Seen by Scanning Tunneling Microscopy, Europhys.Lett. 1(1986)31−36
  566. J.E.Griffith, D.A.Grigg, Dimensional metrology with scanning probe microscopes, J.Appl.Phys. 74(1993)R83-R109
  567. K.F.Jarausch, T.J.Stark, P.E.Russell, Silicon structures for in situ characterization of atomic force microscope probe geometry, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996)3425−3430
  568. H.Itoh, T. Fujimoto, S. Ichimura, Tip characterizer for atomic force microscopy, Review of Scientific Instruments, 77(2006)103704−1-103 704−4
  569. S.Heike, T. Hashizume, Y. Wada, In situ control and analysis of the scanning tunneling microscope tip by formation of sharp needles on the Si sample and W tip, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996) 1522−1526
  570. M.Sumetskii, A.A.Kornyshev, U. Stimming, The shape of a nanoprobe determined by imaging spherical clusters, Appl.Phys.Lett. 68(1996)2436−2438
  571. A.W.Marczewski, K. Higashitani, Modeling and analysis of experimental atomic force microscope images of hard colloidal particles, Computers Chem. 21(1997)129−142
  572. K.A.Ramirez-Aguilar, K.L.Rowlen, Tip Characterization from AFM Images of Nanometric Spherical Particles, Langmuir 14(1998)2562−2566
  573. J.A.Derose, J.P.Revel, A comparative study of colloidal particles as imaging standards for microscopy, Journal of Microscopy, 195(1999)64−78
  574. J.W.Carlson, B.J.Godfrey, S.G.Sligar, Metal Binding Colloidal Gold Particles: A Ver-salite Scanning Force Microscope Tip Calibrator for Fluid Imaging, Langmuir 15(1999)3086−3090
  575. F.Mizuno, I. Misumi, S. Gonda, T. Kurosawa, Impacts of probe-tip tilt on scanning probe microscopy, J.Vac.Sci.Technol.B 22(2004)3394−3398
  576. J.S.Villarrubia, Algoritms for Scanned Probe Microscope Image Simulation, Surface Reconstruction, and Tip Estimation, J.Res.Natl. Stand. Technol. 102(1997)425−454
  577. D J. Keller, F.S.Franke, Envelope reconstruction of probe microscopy images, Surf.Sci. 294(1993)409−419
  578. J.S.Villarrubia, Morphological estimation of tip geometry for scanned probe microscopy, Surf.Sci. 321(1994)287−300
  579. J.S.Villarrubia, Scanned probe microscope tip characterization without calibrated tip characterizes, J.Vac. Sci.Technol.B 14(1996) 1518−1521
  580. S.Dongmo, M. Troyon, P. Vautrot, E. Delain, N. Bonnet, Blind restoration method of scanning tunneling and atomic force microscopy images, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996)1552−1556
  581. P.M.Williams, K.M.Shakesheff, M.C.Davies, D. E Jackson, С J. Roberts, S.J.B.Tendler, Blind reconstruction of scanning probe image data, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996)1557−1562
  582. J.S.Villarrubia, A strategy for faster blind reconstruction of tip geometry for scanned probe microscopy, Proc. SPIE 3332(1998)10−18
  583. L.S.Dongmo, J.S.Villarrubia, S.N.Jones, T.B.Renegar, M.T.Postek, J.F.Song, Experimental test of blind tip reconstruction for scanning probe microscopy, Ultramicroscopy 85(2000)141−153
  584. B.A.Todd, S.J.Eppell, A method to improve the quantitative analysis of SFM images at the nanoscale, Surface Science 491(2001)473−483
  585. B.D.Aumond, K. Youcef-Toumi, High precision metrology by means of a novel stereo imaging technique based on Atomic Force Microscopy, Proc. SPIE 4344(2001)46−57
  586. P.E.Mazeran, L. Odoni, J.L.Loubet, Curvature radius analysis for scanning probe microscopy, Surf.Sci. 585(2005) 25−37
  587. A.J.Nam, A. Teran, T.A.Lusly, A.J.Melmed, Benign making of sharp tips for STM and FIM: Pt, Ir, Au, Pd, and Rh, J. Vac. Sci. Technol. B. 13(1995)1556−1556
  588. О.В.Шерстюк, С. Н. Пронькин, А. Л. Чувилин, А. Н. Саланов, Е. Р. Савинова, Г. А. Цирлина, О. А. Петрий, Электролитические осадки платины на стеклоуглеро-де— закономерности формирования, морфология и адсорбционные свойства, Электрохимия 36(2000) 836−847
  589. A.J.Melmed, The art and science and other aspects of making sharp tips, J.Vac.Sci.Technol.B 9(1991)601−608
  590. R.Morgan, An automatic electropolishing supervisor for preparing field ion microscope specimens, J.Sci.Instrum. 44(1967)808−809
  591. A.P Janssen, J. P Jones, The sharpening of field emitter tips by ion sputtering, J.Phys.D:Appl.Phys. 4(1971)118−124
  592. A.J.Melmed, J.J.Carroll, An approach to realism in field ion microscopy via zone electropolishing, J.Vac.Sci.Technol.A 2(1984)1388−1389
  593. H.W.Fink, Mono-atomic tips for scanning tunneling microscopy, IBM J.Res.Develop. 30(1986)460−465
  594. D.K.Biegelsen, F.A.Ponce, J.C.Tramontana, S.M.Koch, Ion milled tips for scanning tunneling microscopy, Appl.Phys.Lett. 50(1987)696−698
  595. D.K.Biegelsen, F.A.Ponce, J.C.Tramontana, Simple ion milling preparation of (111) tungsten tips, Appl.Phys.Lett. 54(1989)1223−1225
  596. J.Mendez, M. Luna, A.M.Baro, Preparation of STM W tips and characterization by FEM, TEM and SEM, Surf.Sci. 266(1992)294−298
  597. H.S.Kim, M.L.Yu, U. Staufer, L.P.Muray, D.P.Kern, T.H.P.Chang, Oxygen processed field emission tips for microcolumn application, J.Vac.Sci.Technol.B 11(1993)2327−2331
  598. O.Albrektsen, H.W.M.Salemink, K.A.Morch, A.R.Tholen, Reliable tip preparation for high-resolution scanning tunneling microscopy, J.Vac.Sci.Technol.B 12(1994)3187−3190
  599. C.Schiller, A.A.Koomans, T.L.van Rooy, C. Schonenberger, H.B.Elswijk, Decapitation of tungsten field emitter tips during sputter sharpening, Surf.Sci. 339(1995)L925-L930
  600. P.Hoffrogge, H. Kopf, R. Reichelt, Nanostructuring of tips for scanning probe microscopy by ion sputtering: Control of the apex ratio and the tip radius, J.Appl.Phys. 90(2001)5322−5327
  601. Y.Akama, E. Nishimura, A. Sakai, H. Murakami, New scanning tunneling microscopy tip for measuring surface topography, J.Vac.Sci.Technol.A 8(1990)429−433
  602. P.J.Bryant, H.S.Kim, Y.C.Zheng, R. Yang, Technique for shaping scanning tunneling microscope tips, Rev.Sci.Instrum. 58(1987)1115
  603. R.Nicolaides, Y. Liang, W.E.Packard, Z.W.Fu, H.A.Blackstead, K.K.Chin, J.D.Dow, J.K.Furdyna, W.M.Hu, R.C.Jaklevic, W.J.Kaiser, A.R.Pelton, M.V.Zeller, J. Belina Jr., Scanning tunneling microscope tip structures, J.Vac.Sci.Technol.A 6(1988)445−447
  604. Y.Chen, W. Xu, J. Huang, A simple new technique for preparing STM tips, J.Phys.E:Sci.Instrum. 22(1989)455−457
  605. A.Cricenti, S. Selci, R. Generosi, E. Gori, G. Chiarotti, Sharpening of tungsten tips for scanning tunneling microscope, Solid State Commun. 70(1989)897−898
  606. J.P.Ibe, P.P.Bey, Jr., S.L.Brandow, R.A.Brizzolara, N.A.Burnham, D.P.DiLella, K.P.Lee, C.R.K.Marrian, RJ. Colton, On electrochemical etching of tips for scanning tunneling microscopy, J.Vac.Sci.Technol.A 8(1990)3570−3575
  607. A.Cricenti, E. Paparazzo, M.A.Scarselli, L. Moretto, S. Selci, Preparation and characterization of tungsten tips for scanning tunneling microscopy, Rev.Sci.Instrum. 65(1994)1558−1560
  608. R.Zhang, D.G.Ivey, Preparation of sharp polycrystalline tungsten tips for scanning tunneling microscopy imaging, J.Vac.Sci.Technol.B 14(1996)1−10
  609. Y.Nakamura, Y. Mera, K. Maeda, A reproducible method to fabricate atomically sharp tips for scanning tunneling microscopy, Rev.Sci.Instrum. 70(1999)3373−3376
  610. L.Anwei, H. Xiaotang, L. Wenhui, J. Guijun, An improved control technique for the electrochemical fabrication of scanning tunneling microscopy microtips, Rev.Sci.Instrum.68(l 997)3 811−3813
  611. Y.G.Kim, E.H.Choi, S.O.Kang, G. Cho, Computer-controlled fabrication of ultra-sharp tungsten tips, J.Vac.Sci.Technol.B 16(1998)2079−2081
  612. D.I.Kim, H.S.Ahn, Etching voltage control technique for electrochemical fabrication of scanning probe microscope tips, Rev.Sci.Instrum. 73(2002)1337−1339
  613. W.X.Sun, Z.X.Shen, F.C.Cheong, G.Y.Yu, K.Y.Lim, J.Y.Lin, Preparation of cantiliv-ered W tips for atomic force microscopy and apertureless near-field scanning optical microscopy, Rev.Sci.Instrum. 73(2002)2942−2947
  614. P.Kim, J.H.Kim, M.S.Jeong, D.K.Ko, J. Lee, S. Jeong, Efficient electrochemical etching method to fabricate sharp metallic tips for scanning probe microscopes, Rev.Sci.Instrum. 77(2006)103706−1-103 706−5
  615. H.Morikawa, K. Goto, Reproducible sharp-pointed tip preparation for field ion microscopy by controlled ac polishing, Rev.Sci.Instrum. 59(1988)2195−2197
  616. R.Fainchtein, P.R.Zarriello, A computer-controlled technique for electrochemical STM tip fabrication, Ultramicroscopy 42−44(1992)1533−1537
  617. M.Fotino, Nanotips by reverse electrochemical etching, Appl.Phys.Lett. 60(1992)2935−2937
  618. A.A.Gorbunov, B. Wolf, J. Edelmann, The use of silver tips in scanning tunneling microscopy, Rev.Sci.Instrum. 64(1993)2393−2394
  619. M.Klein, G. Schwitzgebel, An improved lamellae drop-off technique for sharp tip preparation in scanning tunneling microscopy, Rev.Sci.Instrum. 68(1997)3099−3103
  620. S.Kerfriden, A.H.Nahle, S.A.Campbell, F.C.Walsh, J.R.Smith, The electrochemical etching of tungsten STM tips, Electrochimica Acta 43(1998)1939−1944
  621. A.D.Muller, F. Muller, M. Hietschold, F. Demming, J. Jersch, K. Dickmann, Characterization of electrochemically etched tungsten tips for scanning tunneling microscopy, Rev.Sci.Instrum. 70(1999)3970−3972
  622. H.Lemke, T. Goddenhenrich, H.P.Bochem, U. Hartmann, C. Heiden, Improved microtips for scanning probe microscopy, Rev.Sci.Instrum. 61(1990)2538−2341
  623. J.P.Song, N.H.Pryds, K. Glejbol, K.A.Morch, A.R.Tholen, L.N.Christensen, A development in the preparation of sharp scanning tunneling microscopy tips, Rev.Sci.Instrum. 64(1993)900−903
  624. M.Greiner, P. Kruse, Recrystallization of tungsten wire for fabrication of sharp and stable nanoprobe and field-emitter tips, Rev.Sci.Instrum. 78(2007)026104−1-26 104−3
  625. L.A.Hocket, S.E.Creager, A convenient method for removing surface oxides from tungsten STM tips, Rev.Sci.Instrum. 64(1993)263−264
  626. L.Ottaviano, L. Lozzi, S. Santucci, Scanning Auger microscopy study of W tips for scanning tunneling microscopy, Rev.Sci.Instrum. 74(2003)3368−3378
  627. E.Paparazzo, L. Moretto, S. Selci, M. Righini, I. Farne, Effects of HF attack on the surface and interface microchemistry of W tips for use in the STM microscope: a scanning Auger microscopy (SAM) study, Vacuum 52(1999)421−426
  628. J.E.Fasth, B. Loberg, H. Norden, Preparation of contamination-free tungsten specimens for the field-ion microscope, J.Sci.Instrum. 44(1967)1044−1045
  629. B. Zhang, E. Wang, Fabrication of STM tips with controlled geometry by electrochemical etching and ECSTM tips coated with paraffin, Electrochim. Acta, 39(1994)103−106
  630. C.E.Bach, RJ. Nichols, W. Beckmann, H. Meyer, A. Schulte, J.O.Besenhard, P.D.Jannakoudakis, Effective Insulation of Scanning Tunneling Microscopy Tips for Electrochemical Studies Using an Electropainting Method, J.Electrochem.Soc. 140(1993)1281−1284
  631. D.E.Stilwell, S.M.Park, Electrochemistry of Conductive Polymers. II. Electrochemical Studies on Growth Properties of Polyaniline, J.Electrochem.Soc. 135(1988)2254−2262
  632. М.Поуп, Изополи- и гетерополиоксометаллаты. М., Наука, Новосибирк, 1990, С. 112.
  633. Inert Anodes for Aluminium Elecrolysis, 1st edition, I. Galasiu, R. Galasiu, J. Thonstad, Aluminium-Verlag, Germany, 2007
  634. R P. Pawlek, Inert anodes: an update, Light Metals, 2008, 1039−1045
  635. Д.А.Симаков, П. В. Поляков, В. А. Блинов, Ю. Н. Попов, Инертные аноды в электролитическом производстве алюминия, Цветные металлы № 12 (2001) 95
  636. Y.X.Liu, J. Thondstad, Oxygen overvoltage on Sn02-based anodes in NaF-AlF3-Al203 melts. Electrocatalytic effects of doping agents, Electrochim. Acta 28(1983)113−116.
  637. A.M.Vecchio-Sadus, D.C.Constable, R. Dorin, E.J.Frazer, I. Fernandez, G.S.Neal, S. Lathabai, M.B.Trigg, Tin dioxide-based ceramics as inert anodes for aluminium smelting: a laboratory study, Light Metals, 1996,259−265.
  638. H. Xiao. R. Hovland, S. Rolseth, J. Thonstad, Studies on the Corrosion and the Behavior of Inert Anodes in Aluminum Electrolysis, Metallur Mater Trans B, 27 (1996)185−194.
  639. R.Keller, S. Rolseth, J. Thondstad, Mass transport considerations for the development of oxygen-evolving anodes in aluminum electrolysis, Electrochim. Acta 42(1997)1809−1817.
  640. A.-M.Popescu, S. Michaiu, S. Zuca, Microstructure and Electrochemical Behaviour of some Sn02-based Inert Electrodes in Aluminium Electrolysis, Z.Naturforsch. A 57(2002) 71−75.
  641. I.Galasiu, D. Popescu, R. Galasiu, M. Modan, P. Stanciu, Results of 100 hours electrolysis test of inert anodes in a pilot cell, Light Metals 1997,273−280.
  642. K.Uematsu, N. Mizutani, M. Kato, Electrical properties of high purity tin dioxide doped with antimony, J.Mater.Sci. 22(1987)915−918
  643. J.A.Cerri, E.R.Leite, D. Gouvea, E. Longo, J.A.Varela, Effect of Cobalt (II) oxide and Manganese (IV) oxide on Sintering of Tin (IV) Oxide, J.Am.Ceram.Soc. 79(1996)799−804
  644. N. Dolet, J.-M. Heintz, M. Onillon, J.-P. Bonnet, Densification of 0.99sn02−0.0icu0 Mixture: Evidence for Liquid Phase Sintering, J. Eur. Ceram. Soc., 9 (1992) 19 25.
  645. M.R.Cassia-Santos, V.C.Sousa, M.M.Oliveira, F.R.Sensato, W.K.Bacelar, J.W.Gomesa, E. Longoa, E.R.Leite, J.A.Varela, Recent research developments in SnC^-based varistors, Materials Chemistry and Physics 90 (2005) 1−9
  646. R.Metz, J. Morel, M. Houabes, J. Pansiot, M. Hassanzadeh, High voltage characterization of tin oxide varistors, J.Mater.Sci 42 (2007) 10 284−10 287
  647. P.R.Bueno, J.A.Varela, E. Longo, БпОг, ZnO and related polycrystalline compound semiconductors: An overview and review on the voltage-dependent resistance (non-ohmic) feature, Journal of the European Ceramic Society 28 (2008) 505−529
  648. S. Zuca, M. Terzi, M. Zaharescu, K. Matiasovsky, Contribution to the study of SnC>2-based ceramics. Part II. Effect of various oxide additives on the sintering capacity and electrical conductivity of Sn02, J. Mater. Sci., 26 (1991) 1673 1676.
  649. J.Thonstad, P. Fellner, G.M.Haarberg, J. Hives, H. Kvande, A. Sterten, Aluminium Electrolysis. Fundamentals of the Hall-Heroult Process, 3rd edition, Aluminium-Verlag, Germany, 2001
  650. Ю.Г.Михалев, В. А. Блинов, П. В. Поляков, О некоторых особенностях электрохимических полярйзационных измерениях в системе жидкий металлический электрод солевой расплав, Расплавы, № 4 (1991) 8—13
  651. H.Xiao, J. Thonstad, S. Rolseth, The Solubility of Sn02 in NaF-AlF3-Al203 Melts, Acta Chemica Scandinavica, 49 (1995) 96−102
  652. J.-H.Yang, J. Thonstad, On the behaviour of tin-containing species in cryolite-alumina melts, J.Appl.Electrochem. 27 (1997) 422−427
  653. L.Issaeva, J, Yang, G.M.Haarberg, J. Thonstad, N. Aalberg, Electrochemical behaviour of tin species dissolved in cryolite-alumina melts, Electrochim. Acta 42 (1997) 1011−1018
  654. B.Scharifker, G. Hills, Theoretical and experimental studies of multiple nucleation, Elec-trochim.Acta 28 (1983) 879−889
  655. K.S.Osen, C. Rosenkilde, A. Solheim, E. Skybakmoen, The behaviour of moisture in cryolite melts, Light Metals 2009, 395−400
  656. C.F. Windish Jr., S.C. Marschman, Electrochemical polarization studies on Cu and Cu-containing cermet anodes for the aluminium industry, Light Metals 1987, R.D. Zabreznik ed., Light Metals (1987) 351−355
  657. P.G. Russell, Activity of anodic oxide films on metal and cermet anodes in cryolite-alumina melts, J.Appl. Electrochem, 16 (1986) 147−155
  658. S.Pietrzyk, Electrochemical testing of inert anodes for alu-minium electrolysis, World of Metallurgy ERZMETALL 60 (2007) 255−259
  659. S.Zuca, A. Popescu, N. Ene, V. Constantin, Studiul anozilor inerti pe baza de Sn02 in topiturile criolit-alumina, Revista de Chimie 50 (1999) 42−47
  660. O. Scarlat, M. Susana-Mihaiu, M. Zaharescu, Semiconducting densified SnCVceramics obtained by a novel sintering technique, J. Eur. Ceram. Soc., 22 (2002) 1839−1846
  661. C.Li, J. Wang, W. Su, H. Chen, W. Wang, D. Zhuang, Investigation of electrical properties ofSn02-Co203'Sb203 varistor system, PhysicaB 307 (2001) 1−8
  662. C.Wang, J. Wang, W. Su, Microstructural Morphology and Electrical Properties of Copper- and Niobium-Doped Tin Dioxide Polycrystalline Varistors, J. Am. Ceram. Soc., 89 (2006) 2502−2508
  663. C.Wang, J. Wang, W. Su, G. Zang, P. Qi, Electrical properties of Sn02'CuOTa205 varistor system, Materials Letters 59 (2005) 201−204
  664. H.R.Kokabi, J. Provost, G. Desgardin, A new device for electrical resistivity measurements as a function of temperature (86−700K) under controlled atmosphere by the four-probe method, Rev.Sci.Instrum. 64 (1993) 1549−1553
  665. M.Rumyantseva, M. Labeau, G. Delabouglise, L. Ryabova, I. Kutsenok, A. Gaskov, Copper and nickel doping effect on interaction of Sn02 with H2S, J. Mater. Chem., 7 (1997) 1785−1790
  666. R.S.Niranjan, K.R.Patil, S.R.Sainkar, J.S.Mulla, High H2S-sensitive copper-doped tin oxide thin films, Materials Chemistry and Physics 80 (2003) 250−256
  667. J.Ni, X. Zhao, X. Zheng, J. Zhao, B. Liu, Electrical, structural, photoluminescence and optical properties of p-type conducting, antimony-doped Sn02 thin films, Acta Materialia 57(2009)278−285
  668. S.Ji, Z. He, Y. Song, K. Liu, Z. Ye, Fabrication and characterization of indium-doped p-type Sn02 thin films, J.Cryst.Growth 259(2003)282−285
  669. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с.
  670. Б.И.Шкловский, А. Л. Эфрос, Электронные свойства сильно легированных полупроводников. М., Наука, 1979
  671. S.Mihaiu, О. Scarlat, G. Aldica, M. Zaharescu, Electronic conduction of the Sni. x Cux/3Sb2x/302 (x < ½) rutile type structures, J.Optoelectr. Adv. Mater. 5(2003)913−918
  672. M.K.Paria, H.S.Maiti, Electrical conductivity and defect structure of polycrystalline tin dioxide doped with antimony oxide, J.Mater.Sci. 17(1982)3275−3280
  673. T.Sahm, A. Gurlo, N. Barsan, U. Weimar, Basics of oxygen and Sn02 interaction- work function change and conductivity measurements, Sensors and Actuators В 118 (2006) 78−83
  674. Encyclopedia of Electrochemistry, Volume 6, Semiconductor Electrodes and Photo-electrochemistry. Editors: A.J. Bard, M. Stratmann, S. Licht, Wiley-VCH:2002
  675. V.S.Bagotsky, Fundamentals of Electrochemistry, Second Edition, Wiley, 2006
  676. J.C.Tranchart, L. Hollan, R. Memming, Localized Avalance Breakdown on GaAs Electrodes in Aqueous Electrolytes, J.Electrochem.Soc. 125 (1978) 1185−1187
  677. M.S.Castro, C.M.Aldao, Characterization of Sn02-Varistors with Different Additives, J.Europ.Ceram.Soc. 18(1998)2233−2239
  678. A.P.Rizzato, C.V.Santilli, S.H.Pulcinelli, D. Stuerga, D. Chaumont, V. Briois, Densifica-tion of Mn-Doped Tin Oxide Films by Conventional Heating and Microwave Heating Treatment, Physica Scripta, 115(2005)291 -293
  679. Г. А. Цирлина, Ю. Е. Рогинская, Г. Г. Постовалова, Электрохимическое поведение Sn02-Ti02 оксидных наноструктур на стеклоуглеродных подложках, Электрохимия 34(1998) 569−574
  680. Г. Г.Постовалова, О. В. Морозова, Б. Ш. Галямов, Е. Н. Лубнин, С. Г. Прутченко, Н. В. Козлова, Ю. Е. Рогинская, Наноструктурированные пленки на основе смешанных оксидов олова и титана, Журнал неорганической химии, 43(1998)36−46
  681. Т.Л.Кулова, А. М. Скундин, Ю. Е. Рогинская, Ф. Х. Чибирова, Интеркаляция лития в наноструктурированные пленки на основе оксидов олова и титана, Электрохимия, 40 (2004) 484−492
  682. М. Pourbaix, Atlas d’Equilibres Electrochemiques, Gauthier-Villars, Paris, 1963.
  683. M.Metikos-Hukovic, A. Resetic, V. Gvozdic, Behaviour of tin as a valve metal, Electro-chim.Acta 40(1995)1777−1779
  684. R.Diaz, S. Joiret, A. Cuesta, I. Diez-Perez, P. Allongue, C. Gutierrez, P. Gorostiza, F. Sanz, Electrochemically Grown Tin Oxide Thin Films: In Situ Characterization of Electronic Properties and Growth Mechanism, J.Phys.Chem.B 108(2004)8173−8181
  685. I.A.Courtney, J.R.Dahn, Key Factors Controlling the Reversibility of the Reaction of Lithium with Sn02 and Sn2BP06 Glass, J.Electrochem.Soc. 144(1997)2943−2948
  686. I.A.Courtney, J.R.Dahn, Electrochemical and In Situ X-Ray Diffraction Studies of the Reaction of Lithium with Tin Oxide Composities, J.Electrochem.Soc. 144(1997)2045−2052
  687. M.Aguilar, A.I.Oliva, E. Anguiano, Imaging in scanning tunneling microscopy and its relationship with surface roughness, Europhys.Lett. 46(1999)442−447
  688. M.Aguilar, A.I.Oliva, E. Anguiano, The importance of imaging conditions in scanning tunneling microscopy for the determination of surface texture and roughness, Surf.Sci. 420(1999)275−284
  689. V.Lakshminarayanan, R. Srinivasan, D. Chu, S. Gilman, Area determination in fractal surfaces of Pt and Pt-Ru electrodes, Surface Science 392(1997)44−51
  690. H.M.Saffarian, R. Srinivasan, D. Chu, S. Gilman, Area determination in fractal surfaces of Pt and Pt-Ru catalysts for methanol oxidation, Electrochimica Acta 44 (1998) 14 471 454
  691. P.Klapetek, I. Ohlidal, J. Bilek, Influence of the atomic force microscope tip on the mul-tifractal analysis of rough surfaces, Ultamicroscopy 102(2004)51−59
  692. J.B.da Silva Jr., E.A.de Vasconcelos, B.E.C.A.dos Santos, J.A.K.Freire, V.N.Freire, G.A.Farias, E.F.da Silva Jr., Statistical analysis of topographic images of nanoporous silicon and model surfaces, Microelectronics Journal, 36(2005)1011−1015
  693. P.Falaras, A.P.Xagas, Roughness and fractality of nanostructured Ti02 films prepared via sol-gel technique, J.Mater.Sci. 37(2002)3855−3860
  694. M.Khaneghie, A. Zendehnam, M. Mirzaei, Statistical characteristics of fluctuation of heights, surface roughness and fractal properties of Cu thin films, J.Phys.:Conf.Ser. 61(2007)529−533
  695. M.C.Lafouresse, P.J.Heard, W. Schwarzaeher, Surface roughness analysis of electroplated Cu, Electrochim. Acta 53(2007)229−232
  696. A. Harriman, G. R. Millward, P. Neta, M. C. Richoux, J. M. Thomas, Interfacial electron-transfer reactions between platinum colloids and reducing radicals in aqueous solution, J. Phys. Chem., 92(1988)1286−1290
  697. D.N.Furlong, A. Launikonis, W.H.F.Sasse, J.V.Sanders, Colloidal platinum sols. Preparation, characterization and stability towards salt, J. Chem. Soc., Faraday Trans. 80(1984)571−588
  698. K.A.Friedrich, F. Henglein, U. Stimming, W. Unkauf, Investigation of Pt particles on gold substrates by IR spectroscopy. Particle structure and catalytic activity, Colloids and Surfaces A 134(1998)193−206
  699. K.A.Friedrich, F. Henglein, U. Stimming, W. Unkauf, Size dependence of the CO monolayer oxidation on nanosized Pt particles supported on gold, Electrochim. Acta 45(2000)3283−3293
  700. Sh. K. Shaikhutdinov, F. A. Moller, G. Mestl, R. J. Behm, Electrochemical Deposition of Platinum Hydrosol on Graphite Observed by Scanning Tunneling Microscopy, Journal of Catalysis, 163(1996)492−495
  701. E. Rach, J. Heitbaum, Electrochemically induced surface modifications of Pt-Au alloy, Electrochimica Acta, 32(1987)1173−1180
  702. L.M. Plyasova, I.Yu. Molina, A.N. Gavrilov, S.V. Cherepanova, O.V. Cherstiouk, N.A. Rudina, E.R. Savinova, G.A. Tsirlina, Electrodeposited platinum revisited: Tuning nanostructure via the deposition potential, Electrochimica Acta (2006) 51,4477−4488
  703. O.V.Cherstiouk, A.N.Gavrilov, L.M.Plyasova, I.Yu.Molina, G.A.Tsirlina, E.R.Savinova, Influence of structural defects on the electrocatalytic activity of platinum, J. Solid State Electrochem 12(2008)497−509
  704. Р. G. Allen, S. D. Conradson, М. S. Wilson, S. Gottesfeld, I. D. Raistrick, J. Valerio, M. Lovato, In situ structural characterization of a platinum electrocatalyst by dispersive x-ray absorption spectroscopy, Electrochim. Acta, 39(1994)2415−2418
  705. Y. Takasu, N. Ohashi, X. -G. Zhang, Y. Murakami, H. Minagawa, S. Sato, K. Yahiko-zawa, Size effects of platinum particles on the electroreduction of oxygen, Electrochim. Acta, 41(1996)2595−2600
  706. Ю.М.Максимов, A.C.JIana, Б. И. Подловченко, Адсорбция атомов меди на палла-диевых электродах, Электрохимия 25(1989) 712−714
  707. M.W.Breiter, Dissolution and adsorption of hydrogen at smooth Pd wires at potentials of the alpha phase in sulfuric acid solution, J.ElectroanalytChem. 81(1977)275−284
  708. Е.А.Колядко, Jly Шиган, Б. И. Подловченко, Использование адатомов металлов для исследования растворения водорода в а-фазе Pd (H), Электрохимия, 28 (1992) 385−390
  709. Г. А.Цирлина, М. Ю. Русанова, О. А. Петрий, Сравнительное изучение сорбции дейтерия и протия палладием из кислых растворов, Электрохимия, 29(1993)469−471
  710. Г. А.Цирлина, М.Ю.Русанова-Бердоносова, В. А. Рознятовский, О. А. Петрий, Сорбция дейтерия и протия палладием в равновесных условиях из растворов смешанного изотопного состава, Электрохимия, 31(1995)25−29
  711. Ю.Д.Гамбург, Электрохимическая кристаллизация металлов и сплавов. М.:Янус-К, 1997, 320 с.
  712. О.А.Петрий, Г. А. Цирлина, С. Н. Пронькин, Ф. М. Спиридонов, М. Л. Хрущева, Платинированная платина: зависимость размера частиц и текстуры от условий приготовления, Электрохимия 35(1999)12−22
  713. Б.И.Подловченко, Р. П. Петухова, Е. А. Колядко, А. Д. Лифшиц, Исследование электролитических осадков палладия, полученных при разных потенциалах, Электрохимия 12(1976)813−816
  714. B.I. Podlovchenko, E.A.Kolyadko, Lu Shigan, Specific features of hydrogen sorption by palladium dispersed forms at a-phase potentials, J. Electroanalyt.Chem. 399(1995)21−27
  715. Лу Шиган, Е. А. Колядко, Б. И. Подловченко, Получение и свойства осадков палладия на угольной ткани, Электрохимия 29(1993)465−468
  716. D.Rand, R. Woods, A study of the dissolution of platinum, palladium, rhodium and gold electrodes in 1 M sulphuric acid by cyclic voltammetry, J. Electroanalyt. Chem. 35(1972)209−218
  717. Ю.Е.Рогинская, E. Лубнин, Т. Я. Сафонова, А. Л. Чувилин, Г. А. Цирлина, Структурные особенности аномальных электролитических осадков палладия, образующихся в условиях гидридообразования, Электрохимия 39(2003)253−262
  718. R.V.Bucur, Effect of trapping on the solubility and diffusivity of hydrogen in palladium (a-phase), J.Mater.Sci. 22(1987)3402−3406
  719. H.Masuda, K. Fukuda, Ordered metal nanohole arrays made by a two-step replication of honeycomb structures of anodic alumina, Science 268 (1995) 1466−1 468 411
  720. S.Shingubara, Fabrication of nanomaterials using porous alumina templates, J. Nanoparticle Res. 5(2003)17−30
  721. O.Jessensky, F. Muller, U. Gosele, Self-organized formation of hexagonal pore arrays in anodic alumina, Appl.Phys.Lett. 72(1998)1173−1175
  722. K.Nielsch, J. Choi, K. Schwirn, R.B.Wehrspohn, U. Gosele, Self-ordering Regimes of Porous Alumina: The 10% Porosity Rule, NanoLett. 2(2002)677−680
  723. R.E. Benfield, J.C.Dore, D. Grandjean, M. Kroll, Structural studies of metallic nanowires with synchrotron radiation, J. Alloy Compd. 362 (2004) 48−55
  724. A. Jagminas, S. Lichusina, M. Kurtinaitiene, A. Selskis, Concentration effect of the solutions for alumina template ac filling by metal arrays, Appl. Surf. Sci. 211 (2003) 194 202.
  725. K.S. Napolskii, A.A. Eliseev, N.V. Yesin, A.V. Lukashin, Yu.D. Tretyakov, N.A. Grig-orieva, S.V. Grigoriev, H. Eckerlebe, Ordered arrays of Ni magnetic nanowires: Synthesis and investigation, Physica E 37 (2007) 178−183.
  726. H. Wang, Y. Wu, L. Zhang, X. Hu, Fabrication and magnetic properties of FePt multi-layered nanowires, Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 232 508−1-232 508−3
  727. Y. Piao, H. Lim, J. Chang, W.-Y. Lee, H. Kim, Nanostructured materials prepared by use of ordered porous alumina membranes, Electrochim. Acta 50 (2005) 2997−3013
  728. S. Trasatti, O.A. Petrii, Real surface area measurements in electrochemistry, Pure Appl. Chem. 5(1991)711−734
  729. O. V. Cherstiouk, A. N. Gavrilov, L. M. Plyasova, I. Yu. Molina, G. A. Tsirlina, E.R.Savinova, Influence of structural defects on the electrocatalytic activity of platinum, J. Solid State Electrochem. 12 (2008) 497−509
  730. G.S.Attard, C.G.Goltner, J.M.Corker, S. Henke, R.H.Templer, Liquid-Crystal Templates for Nanostructured Metals, Angew. Chem. Int. Edn. 36 (1997) 1315−1317
  731. H. Hirai, N. Yakura, Y. Seta, S. Hodoshima, Characterization of palladium nanoparti-cles protected with polymer as hydrogenation catalyst, React. Funct. Polym. 37 (1998) 121−131
  732. H. Hirai, N. Yakura, Protecting polymers in suspension of metal nanoparticles, Polymers for Advanced Technologies 12 (2001) 724−733
  733. И.М.Паписов, Матричная полимеризация и другие матричные и псевдоматричные процессы как путь получения композиционных материалов, Высокомолекулярные соединения Б, 39(1997)562−574
  734. S.T. Payne, The separation and determination of the platinum metals, Analyst 85 (1960) 698−714
  735. O.A. Petrii, T.Y. Safonova, G.A. Tsirlina, M.Y. Rusanova, Nanoheterogeneous electro-catalysts fabricated by palladizing of platinum, Electrochim. Acta 45 (2000) 4117−4126
  736. M.Y. Rusanova, M. Grden, A. Czerwinski, G.A. Tsirlina, O.A. Petrii, Isotope effects in a-PdH (D) as an instrument for diagnosing bulk defects, J. Solid-State Electrochem. 5 (2001)212−220.
  737. O.A. Petrii, T.Y. Safonova, Electroreduction of nitrate and nitrite anions on platinum metals: A model process for elucidating the nature of the passivation by hydrogen adsorption, J. Electroanal. Chem. 331 (1992) 897−912
  738. G. Trejo, H. Ruiz, R. Ortega Borges, Y. Meas, Influence of polyethoxylated additives on zinc electrodeposition from acidic solutions, J. Appl. Electrochem. 31 (2001) 685 692
  739. P.F. Bahena, Y.M. Mendez, R. Ortega, L. Salgano, G. Trejo, An EQCM study of poly-ethyleneglycol 8000 adsorption and its coadsorption with CI- ions on Pt in perchloric acid solutions, Electrochim. Acta 49 (2004) 989−997
  740. J.J. Kelly, A.C. West, Copper deposition in the presence of polyethylene glycol: I. Quartz crystal microbalance study, J. Electrochem. Soc. 145 (1998) 3472−3476
  741. B.I. Podlovchenko, O.A. Petrii, A.N. Frumkin, H. Lai, The behaviour of a platinized-platinum electrode in solutions of alcohols containing more than one carbon atom, aldehydes and formic acid, J. Electroanal. Chem. 11 (1966) 12−25
  742. R. A. Horch, T. D. Golden, N. A. D’Souza, L. Riester, Electrodeposition of nickel/montmorillonite layered silicate nanocomposite thin films, Chem. Matter. 14 (2002)3531−3538
  743. M. Alexandre, P. Dubois, Polymer-layered silicate nanocomposites: Preparation, properties and uses of a new class of materials, Materials Sci. Eng. 28 (2000) 1−63
  744. K.-S. Choi, E.W. McFarland, G.D.Stucky, Electro catalytic Properties of Thin Mesopor-ous Platinum Films Synthesized Utilizing Potential-Controlled Surfactant Assembly, Adv. Mater. 15 (2003) 2018−2021
  745. R.Delhez, T. H. Keijser, J. I. Langford, D. Louer, E. J. Mittemeijer, E. J. Sonneveld, in: R.A. Young (Ed.), The Rietveld Method, IUCr Monograph No.5, Oxford University Press, New York, 1993, Ch. 8.
  746. S. N. Pron’kin, O. A. Petrii, G. A. Tsirlina, D. J. Schiffrin, Size effects on the electrochemical oxidation of oxalic acid on nanocrystalline platinum, J. Electroanal. Chem. 480(2000) 112−119
  747. A. N. Gavrilov, A. O. Petrii, A. A. Mukovnin, N.V. Smirnova, T.V. Levchenko, G.A. Tsirlina, Pt-Ru electrodeposited on gold from chloride electrolytes, Electrochim. Acta 52 (2007) 2775−2784
  748. R.M.Penner, Mesoscopic Metal Particles and Wires by Electrodeposition, J.Phys.Chem.B 106(2002)3339−3353
  749. H.Liu, R.M.Penner, Size-Selective Electrodeposition of Mesoscale Metal Particles in the Uncoupled Limit, J.Phys.Chem.B 104(2000)9131−9139
  750. H.Liu, F. Favier, K. Ng, M.P.Zach, R.M.Penner, Size-Selective electrodeposition of meso-scale metal particles: a general method, Electrochim. Acta 47(2001)671−677
  751. J.L.Fransaer, RM. Penner, Brownian Dynamics Simulation of the Growth of Metal Nanocrystal Ensembles on Electrode Surfaces from Solution. I. Instantaneous Nuclea-tion and Diffusion-controlled Growth, J.Phys.Chem.B 103(1999)7643−7653
  752. R.M.Penner, Brownian Dynamics Simulations of the Growth of Metal Nanocrystal Ensembles on Electrode Surfaces in Solutions: 2. The Effect of Deposition Rate on Particle Size Dispersion, J.Phys.Chem.B 105(2001)8672−8678
  753. J.V.Zoval, R.M.Stiger, P.R.Biernacki, RM. Penner, Electrochemical Deposition of Silver Nanocrystallities on the Atomically Smooth Graphite Basal Plane, J.Phys.Chem. 100(1996)837−844
  754. J.V.Zoval, J.Lee. S. Gorer, R.M.Penner, Electrochemical Preparation of Platinum Nanocrystallities with Size Selectivity on Basal Plane Oriented Graphite Surfaces, J.Phys.Chem.B 102(1998)1166−1175
  755. M.A.Anderson, S. Gorer, R.M.Penner, A Hybrid Electrochemical/Chemical Synthesis of Supported, Luminescent Cadmium Sulfide Nanocrystals, J.Phys.Chem.B 101(1997)5895−5899
  756. S.Gorer, R.M.Penner, «Multipulse» Electrochemical/Chemical Synthesis of CdS/S Core/Shell Nanocrystals Exhibiting Ultranarrow Photoluminescence Emission Lines, J.Phys.Chem.B 103(1999)5750−5753
  757. F.Atamny, A. Baiker, Platinum Particles Supported on Carbon: Potential and Limitations of Characterization by STM, Surf. Interface Anal. 27(1999)512−516
  758. C.R.K.Rao, D.C.Trivedi, Chemical and electrochemical depositions of platinum group metals and their applications, Coord.Chem.Rev. 249(2005)613−631
  759. P.Shen, N. Chi, K.Y.Chan, D.L.Phillips, Platinum nanoparticles spontaneously formed on HOPG, Appl.Suif.Sci. 172(2001)159−166
  760. M.Miranda-Hernandez, I. Gonzales, N. Batina, Silver Electrocrystallization onto Carbon Electrodes with Different Surface Morfology: Active Sites vs Surface Features, J.Phys.Chem.B 105(2001)4214−4223
  761. A.Milchev, Electrocrystallization. Fundamentals of Nucleation and Growth. -Kluwer 2002,280 p.
  762. G. Lu, G. Zangari, Electrodeposition of Platinum on Highly Oriented Pyrolytic Graphite. Parti: Electrochemical Characterization, J. Phys. Chem. B, 109(2005) 7998−8007
  763. F. Gloaguen, J.M. Leger, C. Lamy, A. Marmann, U. Stimming, R. Vogel, Platinum electro-deposition on graphite: electrochemical study and STM imaging, Electrochim. Acta, 44(1999)1805−1816
  764. D.Stoychev, A. Papoutsis, A. Kelaidopoulou, G. Kokkinidis, A. Milchev, Electrodeposi-tion of platinum on metallic and nonmetallic substrates selection of experimental conditions, Mater.Chem.Phys. 72(2001)360−365
  765. J.Widera, W. Grochala, K. Jackowska, J. Bukowska, Electrooxidation of o-methoxyaniline as studied by electrochemical and SERS methods, Synth. Metals 89(1997)29−37
  766. В.В.Малев, В. В. Кондратьев, Процессы переноса заряда в пленках проводящих полимеров, Успехи химии, 75(2006) 166−182
  767. E.M.Genies, M. Lapkowski, J.F.Penneau, Cyclic voltammetry of polyaniline: interpretation of the middle peak, J.Electroanal.Chem. 249(1988)97−107
  768. J.Widera, B. Palys, J. Bukowska, K. Yackowska, Effect of anions on the electrosynthesis, electroactivity and molecular structure of poly (o-metoxyaniline), Synth. Metals 94(1998)265−272
  769. В.В.Кондратьев, Е. Г. Толстопятова, Я. В. Трофимова, В. В. Малев, Влияние концентрации электролита и природы алкильного заместителя на электрохимическое поведение политиофеновых пленок, Электрохимия 39(2003)1097−1106
  770. M.A.Vorotyntsev, M. Graczyk, A. Lisowska-Oleksiak, J. Goux, C. Moise, Reactions of solute species at an electrode modified with titanocene functionalized polypyrrole film: ferrocene and titanocene dichloride, J. Solid State Electrochem. 8(2004)818−827
  771. M.A.Vorotyntsev, M. Casalta, E. Pousson, L. Roullier, G. Boni, C. Moise, Redox properties of titanocene-pyrrole derivative and its electropolymerization, Electrochim. Acta 46(2001)4017−4033
  772. J.P.Correia, M. Graczyk, L.M.Abrantes, M.A.Vorotyntsev, Polypyrrole films functionalized with pendant titanocene dichloride complexes: Ellipsometric study of the electropolymerization process, Electrochim. Acta 53(2007)1195−1205
  773. S. Asavapiriyanont, G. K. Chandler, G. A. Gunawardena, D. Pletcher, The electrode-position of polypyrrole films from aqueous solutions, J.Electroanal.Chem. 177(1984)229−244
  774. S. Asavapiriyanont, G. K. Chandler, G. A. Gunawardena, D. Pletcher, The electrode-position of poly-N-methylpyrrole films from aqueous solutions, J.Electroanal.Chem. 177(1984)245−251
  775. Y.T.Kim, R.W.Collins, K. Vedam, D.L.Allara, Real time spectroscopic ellipsometry. In situ characterization of pyrrole electropolimerization, J.Electrochem.Soc. 138(1991)3266−3275
  776. A.J.Downard, D. Pletcher, The influence of water on the electrodeposition of polypyrrole in acetonitrile, J.Electroanal.Chem. 206(1986)139−145
  777. A.J.Downard, D. Pletcher, A study of the conditions for the electrodeposition of polythiophen in acetonitrile, J.Electroanal.Chem. 206(1986)147−152
  778. A.Hamnett, A. RHillman, Ellipsometric study of the nucleation and growth of polythio-phene films, J.Electrochem.Soc. 135(1988)2517−2524
  779. P. Soubiran, S. Aeiyach, P. C. Lacaze, Formation of polyparaphenylene (PPP) films by electrooxidation of biphenyl in CH2C12: A study of the nucleation process at a platinum electrode, J.Electroanal.Chem.303(1991)125−137
  780. K. Bade, V. Tsakova, J. W. Schultze, Nucleation, growth and branching of polyaniline from microelectrode experiments, Electrochim. Acta 37(1992)2255−2261
  781. R.E.Noftle, D. Pletcher, The mechanism of electrodeposition of composite polymers including polypyrrole, J.Electroanal.Chem. 227(1987)229−235
  782. A.Hamnett, S.J.Higgins, P.R.Fisk, W.J.Albery, An ellipsometric study of polypyrrole films on platinum, J.Electroanal.Chem. 270(1989)479−488
  783. M.A.Vorotyntsev, M. Skompska, E. Pousson, J. Goux, C. Moise, Memory effects in func-tionalized conducting polymer films: titanocene derivatized polypyrrole in contact with THF solutions, J.Electroanal.Chem. 552(2003)307−317
  784. A.R.Hillman, E.F.Mallen, Nucleation and growth of polythiophene films on gold electrodes, J.Electroanal.Chem. 220(1987)351−367
  785. J.Rishpon, A. Redondo, C. Derouin, S. Gotttesfeld, Simultaneous ellipsometric and mi-crogravimetric measurements during the electrochemical growth of polyaniline, J.Electroanal.Chem. 294(1990)73−85
  786. A.A.Syed, M.K.Dinesan, Review: Polyaniline A novel polymeric material, Talanta 38(1991)815−837
  787. Ю.М.Максимов, Б. И. Подловченко, Т. Д. Гладышева, Е. А. Колядко, Структурно-сорбционные свойства систем Pt-полианилин и Pd-полианилин, полученных методом циклирования потенциала электрода, Электрохимия 35(1999)1388−1394
  788. Ю.М.Максимов, Е. А. Колядко, А. В. Шишлова, Б. И. Подловченко, Особенности электрокаталитического поведения системы Pd-полианилин, полученной электроосаждением металла в предварительно сформированную полимерную пленку, Электрохимия 37(2001)907−911
  789. J.Wang, K.G.Neoh, E.T.Kang, Preparation of nanosized metallic particles in polyaniline, J. Colloid Interf. Sci. 239(2001)78−86
  790. С.Н.Елисеева, В. В. Малев, В. В. Кондратьев, Исследование электрохимических свойств композитных пленок на основе поли-3,4-этилендиокситиофена с включениями металлического палладия, Электрохимия 45(2009)1122−1128
  791. T.Kobayashi, H. Yoneyama, H. Tamura, Oxidative degradation pathway of polyaniline film electrodes, J.Electroanal.Chem. 177(1984)293−297
  792. E.M.Genies, C. Tsintavis, Redox mechanism and electrochemical behaviour of polyaniline deposits, J.Electroanal.Chem. 195(1985)109−128
  793. J.W.Sobczak, E. Sobczak, A. Kosinski, A. Bilinski, XANES investigations of Pd-doped polyaniline, J. Alloy Сотр. 328(2001)132−134
  794. J.E.Park, S.G.Park, A. Koukitu, O. Hatozaki, N. Oyama, Electrochemical and chemical interactions between polyaniline and palladium nanoparticles, Synth. Metals 141(2004)265−269
  795. A.Mourato, A.S.Viana, J.P.Correia, H. Siegenthaler, L.M.Abrantes, Polyaniline films containing electrolessly precipitated palladium, Electrochim. Acta 49(2004)2249−2257
  796. C.G.Granquist, Electrochromic tungsten oxide films: Review of progress 1993−1998, Solar Energy Materials & Solar Cells 60(2000)201−262
  797. Е.В. Тимофеева, Г. А. Цирлина, О. А. Петрий, Образование перезаряжаемых пленок на платине в сернокислых растворах изополивольфраматов, Электрохимия 39 (2003) 795−806
  798. E.V.Timofeeva, M.I. Borzenko, G.A. Tsirlina, E.A.Astafev, O.A. Petrii, Mutual indirect probing of platinized platinum/tungstate nanostructural features, J. Solid State Electrochem. 8 (2004) 778−785
  799. W.P. Griffith, T.D. Wickins, Raman Studies on Species in Aqueous Solutions. Part II. Oxy-species of Metals of Groups VIA, VA, and IVA, J. Chem. Soc. (A), 1967, 675−679
  800. M.T. Pope, Heteropoly and. Isopoly Oxometalates, Springer, New York, 1983.
  801. B. Palys, M.I. Borzenko, G.A. Tsirlina, K. Jackowska, E.V.Timofeeva, O.A. Petrii, Raman spectroscopic evidence of the bronze-like recharging behavior for conducting films deposited from isopolytungstates, Electrochim. Acta 50 (2005) 1693−1702
  802. K.Y.Simon NG, E. Gulari, Spectroscopic and scattering investigation of isopoly-molybdate and tungstate solutions, Polyhedron 3 (1984) 1001−1011
  803. C.M. Flynn Jr., M.T. Pope, Tungstovanadate Heteropoly Complexes. I. Vanadium (V) Complexes with the Constitution M60i9n" and V: W<1:2, Inorg. Chem. 10 (1971) 25 242 529.
  804. C.M. Flynn Jr., M.T. Pope, S. O' Donnel, Tungstovanadate Heteropoly Complexes. V. The Ion H2WiiVv04o7″ and the Oxidation and Reduction of Tungstovanadates, Inorg. Chem. 13 (1974) 831−833.
  805. C.M. Flynn Jr., M.T. Pope, Tungstovanadate Heteropoly Complexes. II. Products of Acidification ofV2W4Oi94″, Inorg. Chem. 10 (1971) 2745−2750.
  806. Л.А.Глинская, Е. Н. Юрченко, Р. Ф. Клевцова, Л. В. Деркач, А. М. Риос, Т. П. Лазаренко, Структура и колебательные спектры вольфрам-ванадиевого соединения с Кеггин-анионом. Структура соли (C2N2Hio)2VWiiV04o.*6H20, Журнал Структурной Химии, 30(1989)82−87.
  807. C.M. Flynn Jr., M.T. Pope, Tungstovanadate Heteropoly Complexes. III. The Ion V5W804o7″, Inorg. Chem. 11 (1972) 1950−1952.
  808. S.Himeno, M. Yoshihara, M. Maekawa, Formation of voltammetrically-active isopolytungstate complexes in aqueous CH3CN media, Inorg.Chim.Acta. 298(2000)165−171
  809. J.J.Cruywagen, J.B.B.Heyns, Equilibria and UV spectra of mono- and polynuclear molybdenum (VI) species, Inorg. Chem. 26 (1987) 2569−2572.
  810. J.J.Cruywagen, J.B.B.Heyns, E.F.C.H.Rohwer, Dimeric cations of molybdenum (VI), J. Inorg. Nucl. Chem. 40 (1978) 53−59.8641. Andersson, J.J. Hastings, O.W. Howarth, L. Pettersson, Aqueous Molybdotungstates, J. Chem. Soc. Dalton Trans., 1994, 1061−1066.
  811. J.J. Hastings, O.W. Howarth, 183W Nuclear Magnetic Resonance of a-H2W12V04o.7″ and a-[H2Wi 1M0O40]6″, Polyhedron, 12 (1993) 847−849.
  812. J. Livage, D. Ganguli, Sol-gel electrochromic coatings and devices: A review, Solar Energy Materials and Solar Cells 68 (2001) 365−381
  813. A. Rougier, A. Blyr, Electrochromic properties of vanadium tungsten oxide thin films grown by pulsed laser deposition, Electrochim. Acta 46 (2001) 1945−1950
  814. P.R. Patil, P. S. Patil, Preparation of mixed oxide M0O3-WO3 thin films by spray pyro-lysis technique and their characterisation, Thin Solid Films 382 (2001) 13−22
  815. Y.M. Li, M. Hibino, M. Miyayania, T. Kudo, Proton conductivity of tungsten trioxide hydrates at intermediate temperature, Solid State Ionics 134 (2000) 271−279
  816. M.L. Freedman, The Tungstic Acids, J. Am. Chem. Soc. 81 (1959) 3834−3839
  817. G.A. Tsirlina, K. Miecznikowski, P. Kulesza, M.I. Borzenko, A.N. Gavrilov, L.M. Plyasova, I.Yu. Molina, Electrochromic behavior of oxotungstates fabricated by means of cathodic electrocrystallization, Solid State Ionics 176 (2005) 1681−1686
  818. W. Cheng, E. Baudrin, B. Dunn, J.I. Zink, Synthesis and electrochromic properties of mesoporous tungsten oxide, J. Mater. Chem. 11 (2001) 92−97
  819. A. Rougier. A. Blyr, J. Garcia, Q. Zhang, S.A. Impey, Electrochromic W-M-0 (M=V, Nb) sol-gel thin films: a way to neutral colour, Solar Energy Materials & Solar Cells 71 (2002) 343−357
  820. A. Rougier, A. Blyr, and A. Quede, Electrochromism of Mixed Tungsten-Vanadium Oxide Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition, J. Electrochem. Soc. 148 (2001) H7-H12
  821. A.Rougier, F. Portemer, A. Quede, M. El Marssi, Characterization of pulsed laser deposited WO3 thin films for electrochromic devices, Appl. Surf. Sci., 153(1999) 1−9
  822. K.A.Gesheva, A. Cziraki, T. Ivanova, A. Szekeres, Crystallization of chemically vapor deposited molybdenum and mixed tungsten/molybdenum oxide. films for electrochromic application, Thin Solid Films 515 (2007) 4609−4613
  823. K.A.Gesheva, T. Ivanova, F. Hamelmann, Optical coatings of CVD-transition metal oxides as functional layers in «smart windows» and X-ray mirrors, J. Optoelectr. Adv. Mater. 7 (2005) 1243−1252
  824. A.Vakulenko, Yu. Dobrovolsky, L. Leonova, A. Karelin, A. Kolesnikova, N. Bukun, Protonic conductivity of neutral and acidic silicotungstates, Solid State Ionics 136−137(2000) 285−290
  825. А.И.Карелин, Л. С. Леонова, А. М. Колесникова, А. М. Вакуленко, Строение проводящего протонгидратного комплекса кремневольфрамовой кислоты, Журнал Не-орг. Химии 48(2003) 984−996
  826. Т.С.Зюбина, Ю. А. Добровольский, С. Е. Надхина, Квантово—химическое моделирование взаимовлияния протонов при движении по поверхности кристалла диоксида олова, Журнал Неорг. Химии 44(1999) 624−629
Заполнить форму текущей работой

На отлично!