Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Влияние щелочноземельных примесей на пороги оптического разрушения и накопление лазерного повреждения при допороговом воздействии в кристаллах хлористого калия

Диссертация: Влияние щелочноземельных примесей на пороги оптического разрушения и накопление лазерного повреждения при допороговом воздействии в кристаллах хлористого калия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На прозрачность и прочность кристаллов в большой мере влияет наличие примесей и состояние, в котором находится примесь. Выбор примесей щелочноземельных ионов для легирования /Бг, Са, Ва, РЬ/ в данной работе обусловлен тем, что в кристаллах, выращенных из сырья марки х.ч. или ос.ч. всегда имеется некоторое количество таких примесей. Образуя комплексы, выделения метастабильных и стабильных фаз… Читать ещё >

Содержание

  • Содержание стр
  • 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Механизмы разрушения прозрачных диэлектриков мощным лазерным излучением
    • 1. 2. Несобственные механизмы лазерного разрушения
    • 1. 3. Накопление лазерного повреждения в прозрачных диэлектриках
    • 1. 4. Образование первичных дефектов под действием лазерного излучения и их роль в оптическом разрушении ЩГК
  • 2. Методы экспериментов
    • 2. 1. Выращивание кристаллов и приготовление образцов
    • 2. 2. Метод измерения рассеяния света
    • 2. 3. Оптоакустический метод изучения взаимодействия лазерного излучения с веществом и измерение порогов разрушения
  • 3. Влияние состояния примеси на пороги оптического разрушения KCl
    • 3. 1. Характеристики выращенных кристаллов KCl с щелочноземельными примесями
    • 3. 2. Исследование состояния щелочноземельных примесей в KCl методом рассеяния света
    • 3. 3. Влияние состояния примеси на порог оптического разрушения KCl
  • 4. Исследование накопления лазерного повреждения в хлористом калии
    • 4. 1. Исследование эффекта накопления в хлориде калия при облучении лазерными импульсами допороговой интенсивности
    • 4. 2. Зависимость амплитуды акустического сигнала от интенсивности лазерного излучения
    • 4. 3. Релаксация изменений, происходящих в веществе под действием лазерного излучения
    • 4. 4. Измерение оптических и ЭПР-спектров образцов KCl, подвергавшихся многократному облучению лазерными импульсами допороговой интенсивности
  • 5. Обсуждение результатов
    • 5. 1. Разрушение с одного импульса
    • 5. 2. Накопление лазерного повреждения
  • Выводы

Влияние щелочноземельных примесей на пороги оптического разрушения и накопление лазерного повреждения при допороговом воздействии в кристаллах хлористого калия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Создание технологических лазеров определило актуальность проблемы взаимодействия лазерного излучения с веществом. Лазерная техника требует применения материалов, способных выдержать высокие мощности излучения, что в значительной степени определяется прозрачностью материалов для лазерного излучения.

Прозрачность щелочно-галоидных кристаллов /ЩГК/ в широком интервале длин волн делает их перспективными материалами для проходной оптики мощных газовых лазеров. Однако недостаточная механическая прочность этих кристаллов существенно снижает возможности их применения. Выяснение механизмов лазерного разрушения, влияния на них факторов, определяющих прозрачность и прочность кристаллов, имеет не только научное, но и практическое значение.

Выбор КС1 для исследований обусловлен тем, что из класса ЩГК кристаллы хлористого калия менее гигроскопичны, более прозрачны и обладают меньшим значением коэффициента теплового линейного расширения, технологичны.

На прозрачность и прочность кристаллов в большой мере влияет наличие примесей и состояние, в котором находится примесь. Выбор примесей щелочноземельных ионов для легирования /Бг, Са, Ва, РЬ/ в данной работе обусловлен тем, что в кристаллах, выращенных из сырья марки х.ч. или ос.ч. всегда имеется некоторое количество таких примесей. Образуя комплексы, выделения метастабильных и стабильных фаз, а также комплексы с анионозамещающими двухвалентными примесями в процессе старения кристалла, они влияют на оптическое качество кристаллов. С другой стороны, известно, что добавление щелочноземельных примесей приводит к механическому упрочнению кристаллов ЩГК, что является немаловажным в связи с низкой механической прочностью этих кристаллов.

Цель и задачи работы. Целью работы является изучение влияния щелочноземельных примесей на оптическое разрушение и накопление лазерного повреждения в кристаллах хлористого калия.

Для достижения поставленной цели решались следующие основные задачи:

1. Провести моделирование процессов естественного старения кристаллов путем легирования щелочноземельными примесями, состояние которых изменяется термообработкой и контролируется методом рассеяния света. Такое моделирование позволяет получить образцы для исследования оптической прочности с контролируемой дефектностью, в малом облучаемом объеме получить достаточную концентрацию дефектов.

2. Изучить влияние дефектности кристалла, обусловленной процессами растворения и коагуляции примеси, на пороги оптического разрушения КС1.

3. Изучить оптоакустическим методом кинетику процесса накопления лазерного повреждения — изменение поглощения света в облучаемом объеме в процессе многократного лазерного воздействия допороговой интенсивности.

4. Исследовать влияние легирования и внешних воздействий (ультрафиолетового облучения и приложения постоянного электрического поля) на процессы накопления лазерного повреждения.

5. Изучить процессы релаксации дефектов, наведенных лазерным излучением допороговой интенсивности.

6. Исследовать природу дефектов, наведенных многократным лазерным воздействием допороговой интенсивности методами оптической и ЭПР — спектроскопии.

Научная новизна. В сравнении с известными результатами данная работа вносит в исследование проблемы оптического разрушения ЩГК следующее:

1. Впервые проведены систематические исследования влияния состояния, в котором находится щелочноземельная примесь в кристалле, на пороги оптического разрушения хлористого калия с контролем состояния примеси методом рассеяния света под действием импульсов излучения рубинового лазера (длина волны 0,69 мкм, длительность импульса 12 не, диаметр фокальной области 6 мкм).

2. Впервые получены концентрационные зависимости порогов оптического разрушения в данных условиях облучения для кристаллов хлористого калия с примесью стронция в широком интервале концентраций (10~3 -10″ 1 мол%) с контролем концентрации примеси методом атомной абсорбции и фотометрии пламени и состояния примеси методом рассеяния света.

Показано, что процессы коагуляции примеси приводят к снижению оптической прочности кристаллов в несколько раз, в то время как растворение примесных коагулянтов приводит к повышению оптической прочности с ростом концентрации примеси.

3. Показано, что в кристаллах КС1 наблюдается накопление лазерного повреждения при многократном воздействием импульсов лазерного излучения допороговой интенсивности наносекундной длительности длиной волны 1,06 мкм при диаметре пятна воздействия в несколько десятков микрометров.

4. В результате изучения кинетики процесса накопления лазерного повреждения кристаллов КС1 оптоакустическим методом, полученных зависимостей акустического отклика от количества импульсов облучения при постоянной интенсивности лазерного излучения для различных значений интенсивности допорогового лазерного воздействия длиной волны 1,06 мкм, показано, что накопление лазерного повреждения начинает проявляться при интенсивности света 0,4 1пор (где 1шр — порог лазерного разрушения с одного импульса), а число импульсов, которое образец выдерживает до разрушения, N ~ I" 4 .

5. Обнаружен гистерезисный характер зависимости акустического отклика от интенсивности лазерного излучения при облучении одного и того же объема кристалла, обусловленный накоплением лазерного повреждения.

6. Обнаружены и исследованы оптоакустическим методом процессы релаксации дефектов, наведенных лазерным излучением 1,06 мкм в облучаемом объеме.

7. Обнаружены изменения в спектрах оптического поглощения и ЭПРспектрах после многократного облучения лазерными импульсами допороговой интенсивности длиной волны 1,06 мкм, позволяющие оценить размеры коллоидных частиц, образующихся в процессе многократного лазерного воздействия допороговой интенсивности (до 100 нм в нелегированных и 400−500 нм в легированных щелочноземельными примесями).

Научная и практическая ценность работы. Исследования в области лазерного разрушения щелочногалоидных кристаллов имеют не только научное, но и практическое значение в связи с применением этих кристаллов в лазерной технике. Одним из факторов, ограничивающих применение оптических материалов в квантовой электронике, является процесс накопления лазерного повреждения, протекающий в оптических материалах, подвергающихся в процессе работы лазерному облучению. Накопление дефектов приводит к снижению оптической стойкости материалов и в конечном итоге к разрушению. Поэтому исследование эффекта накопления лазерного повреждения имеет практическое значение.

В работе предлагается метод неразрушающего контроля оптического качества кристаллов, основанный на измерении зависимости акустического отклика от интенсивности лазерного излучения при облучении одного и того же объема материала А (1). Сравнение оптического качества кристаллов при этом проводится не по пороговым значениям интенсивности, а по значениям, соответствующим выходу на нелинейный участок зависимости А (1).

Объекты исследования работы:

Кристаллы хлористого калия (KCl) из класса щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК), представляющие практический интерес для лазерной техники (активные кристаллические среды твердотельных перестраиваемых по частоте квантовых генераторов видимого и ближнего ИК-диапазона, проходная оптика мощных газовых лазеров).

На защиту выносятся следующие положения:

1. Пороги оптического разрушения кристаллов KCl определяются не общей концентрацией примеси, а состоянием, в котором находится примесь. Кристаллы, в которых примесь находится в состоянии твердого раствора, имеют высокие пороги разрушения, сравнимые с порогами разрушения нелегированных кристаллов.

Коагуляция примеси приводит к снижению порогов оптического разрушения на порядок по сравнению с чистыми кристаллами.

2. Пороги лазерного разрушения кристаллов KCl определяются главным образом наличием примесных коагулянтов, слабо зависят от их концентрации и размеров в пределах наблюдающегося изменения этих параметров, и не зависят от их преимущественной ориентации относительно главных кристаллографических направлений.

3. Полученные экспериментальные результаты для нелегированных кристаллов KCl и легированных кристаллов, содержащих примесь в состоянии твердого раствора, не противоречат лавинной модели оптического разрушения диэлектриков.

4. При многократном воздействии лазерного излучения (А, = 1,06 мкм, т «10~8 с, dk ~ 60 мкм) допороговой интенсивности происходит накопление лазерного повреждения в кристаллах КС 1, которое проявляется в увеличении поглощения света в облучаемом объеме. Увеличение поглощения света является обратимым. Накопившиеся изменения полностью релаксируют за время порядка суток при комнатной температуре и естественном освещении.

5. Процессы накопления лазерного повреждения протекают более эффективно в легированных щелочноземельными примесями кристаллах КС 1.

6. Полученные экспериментальные данные по эффекту накопления лазерного повреждения и изучению природы дефектов, образующихся в процессе многократного лазерного воздействия допороговой интенсивности в кристаллах KCl, методами оптической и ЭПР-спектроскопии не противоречат фотохимической модели процесса накопления лазерного повреждения.

Публикации и апробация работы. По результатам работы опубликовано 11 статей и тезисов выступлений на конференциях [186 196], в том числе 4 в центральной научной печати в журналах «Кристаллография» и Известия ВУЗов (Сер. «Материалы электронной техники»).

Результаты проведенных исследований докладывались на:

— VII и VIII конференциях по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград, 1988, 1992),.

— Федоровской сессии (Ленинград, 1982, 1985, 1986 гг.),.

— VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск,.

1988),.

— Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М. П. Шаскольской (Москва, 1998),.

— научных конференциях профессорско-преподавательского состава Московского института стали и сплавов и Волгоградской государственной архитектурно-строительной академии (1982;1998),.

— научных семинарах кафедры кристаллофизики МИСиС и кафедры физики ВолгГАСА.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Диссертация изложена на 183.

Выводы.

1. Теоретические модели лазерного разрушения — лавинная и многофотонная — в отдельности недостаточно согласуются с экспериментальными данными для ЩГК, а комбинированная лавинная и многофотонная модель лучше согласуется с экспериментальными данными.

2. Влияние примесей на лазерное разрушение ЩГК неоднозначно и зависит от вида и состояния, в котором находится примесь, но систематических исследований этой проблемы не проводилось и причины неоднозначного влияния примесей на лазерное разрушение неясны.

3. Эффекты многократного воздействия лазерного излучения связываются либо с вероятностным характером лазерного разрушения либо с накоплением лазерного повреждения. Второе может быть связано либо с накоплением микроразрушений вокруг поглощающих включений либо с образованием поглощающей неоднородности под действием лазерного излучения в результате протекания химических реакций.

4. Протекание фотохимических реакций под действием лазерного излучения хорошо изучено для воздействия ультрафиолетового лазерного излучения на ЩГК, но иногда появление окрашивания наблюдается и при облучении лазерным излучением видимой области спектра. Наличие в ЩГК центров окраски приводит к снижению лазерной прочности.

2. Методы экспериментов.

2.1. Выращивание кристаллов и приготовление образцов.

Кристаллы КС1 с примесями щелочноземельных металлов Бг, Са, Ва, РЬ и без примеси выращивались методом Киропулоса на воздухе из сырья марки ос.ч. в алундовых тиглях. Легирующая примесь добавлялась в шихту перед выращиванием в виде порошков соответствующих хлоридов. Для удаления воды шихта высушивалась в течение нескольких часов в сушильном шкафу при температуре 150° С.

После выращивания кристаллы подвергались медленному отжигу в ростовой печи для уменьшения внутренних напряжений, для чего температура печи медленно снижалась и кристалл остывал вместе с печью со скоростью 30 град/час.

Все исследуемые кристаллы, как с примесями, так и беспримесные, были выращены из одной партии сырья в одинаковых условиях, что позволяет сравнивать пороги оптического разрушения этих кристаллов между собой, не опасаясь влияния случайных факторов.

Общее содержание неконтролируемых примесей в сырье 10″ 4 мол%. Образцы для исследований выкалывались из центральной части були. Концентрация примеси в образцах определялась методом атомной абсорбции и фотометрии пламени.

Для исследований выбирались образцы с одинаковой плотностью дислокаций 10 4 см" 2. Плотность дислокаций в образцах определялась на свежем сколе методом избирательного травления в насыщенном растворе.

РЬС1г в этиловом спирте в течение 15−30 с с последующей промывкой в бутиловом спирте.

2.2. Метод измерения рассеяния света.

Для исследования процессов сегрегации примеси и контроля состояния примеси в кристалле применялся метод рассеяния света, удобный для регистрации примесных выделений, размер которых соизмерим с длиной волны рассеиваемого света.

Измерялись температурные зависимости интенсивности рассеяния света образцом, которые позволяют установить области температур, при которых происходит изменение состояния (образование или растворение) примесных ассоциаций, являющихся центрами рассеяния света в кристалле [151]. Температурные зависимости использовались для выбора режимов термообработки, фиксирующей определенное состояние примеси в кристалле. Термообработка проводилась следующим образом: образцы размером 10×10×10 мм3 медленно нагревали до определенной температуры и отжигали при данной температуре 1,5−2 часа, затем подвергали закалке на воздухе до комнатной температуры. В процессе термообработки состояние примеси контролировалось методом рассеяния света. На этих образцах измеряли диаграммы рассеяния светазависимости интенсивности рассеянного света от угла поворота образца 1Р (ф) при фиксированном направлении падающего луча и направлении наблюдения, которые позволяют получить информацию о форме, ориентации и размерах центров рассеяния [147].

Установка для изучения рассеяния света (рис. 1) включает источник света, термокамеру для измерения температурной зависимости рассеяния света, камеру для измерения диаграмм рассеяния в иммерсионной жидкости, а также приборы для измерения и автоматической записи регистрируемых сигналов. Оптическая схема установки решена таким образом, что поворотом оптической скамьи.

Рис. 2.1. Блок-схема установки для исследования образцов методом рассеяния света:

1 — лазер ОКГ-12,.

2 — термокамера или камера для измерения диаграмм рассеяния,.

10,11 -12.

63, фотодиоды, потенциометр ПП.

3 — образец,.

4 — термопара,.

13 — ВС-23,.

14 делитель напряжения,.

5 — фотоэлектронный умножитель.

ФЭУ-51,.

6 — усилитель У2−6,.

16 — стабилизатор СН-500,.

15 — автотрансформатор,.

7 — преобразователь напряжения В9- 17- модулятор, 2.

8 — самописец КВТ,.

18- источник света.

9 — самописец КСП, можно направить луч света на исследуемый образец, помещенный в одну из камер.

В качестве источника света применяется гелий-неоновый лазер ОКГ-12, дающий плоско поляризованный свет мощностью 12 мВт длиной волны 6328 А. Световой пучок отклоняющим зеркалом направляется к входному отверстию одной из камер через механический модулятор. Модулирование падающего светового пучка применяется для устранения влияния постороннего излучения. Частота модуляции 1,5 кГц. Для обеспечения постоянной скорости вращения модулятора, приводящий его в движение электродвигатель Г-31 А питается стабилизированным напряжением от стабилизатора напряжения СН-500. Термокамера представляет собой вертикальную электрическую печь сопротивления, закрытую с торцов асбестовыми крышками. Для уменьшения тепловых потерь в печи установлены два отражательных экрана. Корпус термокамеры имеет четыре окна, расположенных на одном уровне под углом 90° друг к другу. Одно окно служит для установки образца в рабочую зону термокамеры. Через противоположное окно на образец падает пучок света. Под углом 90° расположены окна для выхода рассеянного излучения и для подведения к образцу хромель-алюмелевой термопары, которая фиксируется у поверхности образца стопорным винтом. Как падающий, так и рассеянный свет ограничиваются двумя щелевыми диафрагмами сечением 1×3 мм2.

Мощность нагревателя термокамеры 250 Вт. Температура в рабочей зоне камеры изменяется от комнатной до 800 °C, градиент температуры в образце 0,3 — 0,5 град/см. Исследуемые образцы имеют форму куба размером 10×10×10 мм3.

В камере для измерения диаграмм рассеяния расположена кювета с иммерсионной жидкостью. Крепление образца в кювете осуществляется цанговым зажимом, который обеспечивает не только крепление, но и центровку образца. Вращение штока, на котором цангой закреплен образец, осуществляется от электродвигателя Д-218 через редуктор со скоростью 1 об/мин.

Исследуемый образец изготовляется в форме цилиндра высотой 10 -15 мм и диаметром 8 — 10 мм. Чтобы исключить влияние качества обработки поверхности образца на результаты измерений, образец помещается в иммерсионную жидкость, те есть жидкость, коэффициент преломления которой равен коэффициенту преломления исследуемого кристалла. Для подбора иммерсионной жидкости были взяты касторовое масло (п = 1,479), машинное масло (п = 1,5083), кедровое масло (п = 1.5123) и глицерин (п = 1,4744). Путем смешения и добавления того или иного компонента была получена иммерсионная жидкость с нужным коэффициентом преломления.

Рассеянный в образце свет попадае-г на фотокатод фотоэлектронного умножителя ФЭУ-51 и регистрируется самописцем через блоки синхронного детектора.

Диаграммы рассеяния света измерялись при радиальном освещении образца. Обработка диаграмм рассеяния проводилась по методике описанной в [147], где проведен расчет диаграмм рассеяния для выделений, имеющих форму стержня и пластины. Интенсивность света I, рассеянного на оптической неоднородности, связана с интенсивностью падающего света 10 соотношением.

I = Я2 (у, ф) 10 где К (у, ф) — фазовая функция рассеяния,.

2.1) у — угол рассеяния, ф — угол поворота образца. Для радиального освещения для осевого освещения.

В таблице 1 даны положения максимумов диаграммы рассеяния по отношению к направлению [ 100 ] и минимальный размер рассеивающего центра, а mm, соответствующий появлению данного максимума в кубических кристаллах для частиц в форме стержней .

Заключение

.

1. Пороги оптического разрушения кристаллов КС1 в данных условиях облучения (Я=0,69мкм, т=10″ 8с, острая фокусировка) определяются не общим содержанием щелочноземельной примеси, а состоянием, в котором находится примесь в кристалле. Кристаллы, в которых примесь находится в состоянии твердого раствора, имеют высокие пороги разрушения, сравнимые с порогами разрушения нелегированных кристаллов. Коагуляция примесей кристалла приводит к снижению порогов оптического разрушения в несколько раз (до порядка величины) по сравнению с нелегированным кристаллом.

2. Пороги оптического разрушения кристаллов KGI, содержащих относительно крупные примесные коагулянты, размером до 0.4мкм, определяются главным образом наличием примесных коагулянтов, слабо зависят от их концентрации и размеров и не зависят от их ориентации относительно главных кристаллографических направлений. Наличие в легированных кристаллах центров Нв (Ме2+)-типа (ион щелочноземельного металла с катионной вакансией, захвативший С{ -центр), обнаруженные методом электронного парамагнитного резонанса, позволяют заключить, что основой примесных коагулянтов являются частицы второй фазы МеСЬ.

3. Экспериментальные результаты для нелегированных кристаллов КС1 и легированных щелочноземельными примесями, содержащих примесь в состоянии твердого раствора, интерпретируются в рамках лавинной модели оптического разрушения диэлектриков, учитывающей энергетические потери и потери электронов на ловушках [8]. Экспериментальные результаты для легированных кристаллов KCl, содержащих примесь в виде относительно крупных примесных коагулянтов, интерпретируются в рамках модели разрушения на слабопоглощающем включении.

4. При многократном воздействии лазерного излучения допороговой интенсивности происходит накопление структурных дефектов в кристаллах KCl, которое проявляется в увеличении коэффициента поглощения света в облучаемом объеме. Накопление лазерного повреждения начинает проявляться при интенсивности света ~0,4 1пор (где 1пор — порог лазерного разрушения с одного импульса), а число импульсов, которое образец выдерживает до разрушения, N ~ I" 4 при частоте следования импульсов 12,5 Гц.

5. Частичная релаксация структурных дефектов происходит за время между импульсами, полная релаксация при комнатной температуре и естественном освещении происходит за время порядка суток и объясняется рекомбинацией дефектов и их миграцией из облучаемого объема.

6. Процессы накопления структурных дефектов протекают более эффективно в легированных щелочноземельными примесями кристаллах KCl. Изучение природы дефектов, образующихся в процессе многократного лазерного воздействия допороговой интенсивности, методами оптической и ЭПР-спектроскопии, показало наличие частиц коллоидного калия, имеющих размеры до 100 нм в нелегированных и 400−500нм в легированных щелочноземельными примесями кристаллах KCl.

7. Полученные экспериментальные данные по эффекту накопления при допороговом лазерном воздействии в кристаллах KCl интерпретируются фотохимической моделью [13], согласно которой под действием лазерного излучения происходит ионизация электронной подсистемы анионов с образованием экситонов, распадающихся на пары Fи Нцентров, часть которых остается в виде стабильных дефектов с последующей агрегацией F-центров и их коагуляцией в коллоиды. Щелочноземельная примесь оказывает катализирующее действие на эти процессы.

В заключение автор выражает благодарность проф. Шаскольской М. П., заинтересовавшей автора темой взаимодействия лазерного излучения с веществом, своему научному руководителю проф. Блистанову A.A., сотрудникам и преподавателям кафедры кристаллофизики Московского института стали и сплавов Кугаенко О. М. за постоянную помощь в работе, Гераськину В. В. за помощь в создании экспериментальной установки, Козловой Н. С. за измерения спектров оптического поглощения, Горну И. А. за измерения спектров ЭПР, Антипову В. А. за помощь при выращивании кристаллов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н. Электрический пробой в твердых телах под действием лазерного излучения/ЛСвант. электроника. 1974. т. 1. 4. с. 786 805.
  2. Zeitz F. On the theory of Electron Multiplication in Crystals/ZPhysical Review. 1949. v. 76. № 9. p. 1376−1393.
  3. А.Г. Развитие лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках под действием импульса света//ФТТ. 1970. т. 12. № 3. с. 954 956.
  4. П.М., Файн В. М. Возбуждение лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках сильным переменным электромагнитным полем//ЖЭТФ. 1972. т. 62. вып. 2. с. 812−819.
  5. А.И., Файн В. М. К теории лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках под действием сильного электромагнитного поля//ФТТ. 1973. т. 15. № 2. с. 470−478.
  6. P.A., Григорьев К. П., Канторович И. И., Романов Г. С. О механизме ударной ионизации при световом пробое прозрачных диэлектриков//ФТТ. 1973. т.15. № 2. с. 444−448.
  7. A.C. Процесс развития лавинной ионизации в твердых прозрачных диэлектриках под действием импульсов мощного лазерного излучения//ЖЭТФ. 1974. т. 67. вып.5 (И), с.1805−1817.
  8. С.И. О лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках при интенсивности оптического излучения, близкой к порогу пробоя//ЖЭТФ. 1975. т. 68. выл. 6. с. 2167−2176.
  9. A.C., Маненков A.A., Прохоров А. М. Частотная и температурная зависимости лавинной ионизации в твердых телах поддействием электромагнитного поля // Письма в ЖЭТФ.1975. т. 21. № 8. с. 483−486,
  10. .Г., Данилейко Ю. К., Епифанов А. С., Лобачев В. А., Маненков А. А., Сидорин А. В. Лазерное разрушение шелочногалоидных кристаллов. Физич. ин-т им. И. Н. Лебедева АН СССР. 1976. Препринт № 174. ^ .
  11. А.С., Маненков А. А., Прохоров A.M. Теория лавинной ионизации в твердых телах под действием электромагнитного поля//Труды ФИАН. М.: Наука, т. 101. 1978. с. 87−129.
  12. М. Bass and Н.Н. Barrett. Lazer-Induced Damage Probability at 1,06 pin and 0,69 jum //Applied Optics. 1973. v. 12. № 4. p 690−699.
  13. Yablonovitch Е. Optical Dielectric Strength of Alkali-Halide Crystals Obtained by Laser-Induced Breakdown //Applied. Physics Letters. 1971. v. 19. № 11. p. 495−497.
  14. Bass M., Barrett H.H. Avalanche Breakdown and the Probabilistic Nature of Laser-Induced Demage // IEEE J. Quant. Electr. 1972. v. QE-8. № 9. p. 338−343.
  15. Bass M., FradinD.W. Surface and Bulk Laser-Damage Statistics and the Identification of Intrinsic Breakdawn Process//IEEEJ. Quant. Electr., 1973. v. QE-9. № 9. p. 890−896.
  16. FradinD.W., Bloembergen N., Lettelier J.P. Dependence of Laser-Induced Breakdown field strength of pulse direction //Appl. Phys. Lett. 1973. v. 22. № 12. p. 635−637.
  17. Fradin D.W., Yablonovitch E., Bass M. Confirmation of an Electron Avalanch Causing Laser-Induced Bulk Damage at 1,06 jLun. //Appl. Opt. 1973. v. 12. № 4. p. 700−709.
  18. Fradin D.W., Bass M. Electron Avelanche Breakdown Induced by Ruby Laser Light//Appl. Phys. Lett. 1973. v.22. № 5. p.206−208.
  19. Leung K.M., Bass M., Balbin-Yillaverde A. Damage to 10.6 pm. Window Materials Due to CO 42 0-TEA Laser Pulses//Laser Induced Damage in Optical Materials: 1975. Proc. of Symp./NBS Spec. Publ. № 435. Wash., D.C., 1975.
  20. .Г., Данилейко Ю. К., Епифанов A.C., Лобачев В. А., Маненков А. А. К механизму лазерного разрушения шелочно-галоидных кристаллов: исследование температурной зависимости порогов разрушения//Письма в ЖТФ. 1976. т. 2. вып. 6. с. 284−287.
  21. .Г., Данилейко Ю. К., Епифанов А. С., Лобачев В. А., Маненков А. А., Сидорин А. В. Лазерное разрушение щелочногалоидных кристаллов //ЖЭТФ. 1977. т. 72. № 3. с. 1171−1181.
  22. И.В., Бонч-Бруевич A.M., Зинченко В. И., Имас Я. А., Комолов В. Л. Влияние на развитие оптического пробоя прозрачных диэлектриков распределения поглощающих неоднородностей в пределах облучаемого пятна //ЖТФ. 1973. т. 43. № 12. с. 2625−2629.
  23. M.J. Soilean, М. Bass. Optical Breakdown in NaCl and KC1 from 0.53 to 10.6 7m 0m //Appl.Phys Lett. 1979. v.35. № 5. p.370−371.
  24. M., Хотеенков B.A., Ходаков Г. С. О лавинном пробое и вероятностной природе лазерного разрушения //Оптикомех. пром-ть. 1976. № 6. с. 18−20.
  25. Г. В., Епифанов А. С., Маненков А. А., Прохоров А. М. Статистические особенности лавинной ионизации широкозонныхдиэлектриков лазерным излучением в условиях недостатка затравочных электронов//ЖЭТФ. 1980. т. 79. № 6. с. 2356−2363.
  26. .Г., Данилейко Ю. К., Маненков А. А., Прохоров A.M., Сидорин А. В. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения щелочногалоидных кристаллов на длине волны 10,6 мкм.// Квант, электр. 1981. т. 8. № I.e. 148−154.
  27. .Г., Данилейко Ю. К., Епифанов А. С., Маненков А. А., Прохоров А. М., Сидорин А. В. Влияние УФ подсветки на пробой щелочногалоидных кристаллов излучением СО2 лазера // Квант, электр. 1981. т. 8. № I.e. 155−156.
  28. Sparks М., Holstein Т., Warren R., Mills D.L., Maradudin A.A., Sham L. J., Loy E., King J.F. Theory of electron-avalanche breakdawn in solids //Laser-Induced Damade in Optical Materials. Tenth Anniversay ASTM Symposium. 1979.
  29. NBS Spec. Pabl. № 568. Boulder Colorado. 1980. p. 457−466.
  30. Л.В. Ионизация в поле сильной электромагнитной волны //ЖЭТФ. 1964. т. 47. вып. 5 (11). с. 1945−1957.
  31. И.Н., Перельман Н. Ф. Теория многофотонных переходов в диэлектрических кристаллах //ФТТ. 1980. т. 22. вып. 2. с. 631−633.
  32. Brounstain R. Nonlinear Optical Effects //Phys. Rev. 1962. v. 125. № 2. p. 475−477.
  33. Brounstain R. and Ockman N. Optical Double-Photon Absorption in CdS //Phys.Rev. 1964. v. 134. № 2A. p. A 499-A 507.
  34. Ан. В., Файзулов Ф. С. Роль многофотонной и ударной ионизации при пробое диэлектриков наносекундным лазерным импульсом // Квант, электр. 1977. т. 4. с. 1144−1146.
  35. Manenkov А.А. New results on avalanche ionisation as a laser damage mechanism in transparent dielectrics //Laser Induced Damage in Optical Materials. 1977. NBS Spesial Publication № 509. 1977. p. 455−464.
  36. H.B., Горшков Б. Г., Епифанов A.C., Маненков А. А. Исследование вариаций порогов разрушения в NAC1 //Квант, электр. 1979. т. 6. № 5. с. 1075−1076.
  37. Fradin D.W., Bua D.P. Laser-Induced Damage in ZnSe // Appl. Phys. Lett. 1974. v. 24. p. 555−557.
  38. Tang C.C., Leung K.M., Bass M. Re-examination of Laser Induced breakdown in the alkali halides at 10,6 jum //Laser-Induced Damage in Optical Materials: Proc. of Symp./NBS Spec. Publ. N 462. Wash. 1976. D C., p. 346−349.
  39. А.Б., Кормер С. Б., Павлов Д. Б. и др. Лучевая прочность некоторых оптических материалов при больших размерах пятна воздействия //Квант, электр. 1977. т. 4. № 2. с. 436−438.
  40. Soilean M.J., Bass М., Van Stryland E.W. Freguency dependence of Breakdown fields in singlecrystal NaCl and KCl-In //Laser-Induced Damage in Optical Materials: Proc. of Symp./NBS Spec. Publ. № 541. Wash. D.C. 1978. p. 309−317.
  41. Ю.К., Сидорин A.B. Связь статистики лазерного разрушения твердых прозрачных материалов со статистикой структурных дефектов//Квант, электр. 1979. т. 6. № 12. с. 2590−2596.
  42. .Г., Данилейко Ю. К., Маненков A.A. и др. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 10,6 мкм //Квант, электр. 1981. т. 8. № 1. с. 148−156.
  43. Ю.К., Минаев Ю. П., Николаев В. Н. и др. Определение характеристик микродефектов по статистическим закономерностям лазерного разрушения твердых прозрачных материалов //Квант, электр. 1981. т. 8. № 11. с. 2362−2370.
  44. A.C., Колдунов М. Ф., Уланов С. Ф., Хапланова Н. Е. Оптический пробой кристаллов KCl и NaCl при высоких температурах// ФТТ.1981. т. 23. вып. 6. с. 1859−1861.
  45. Bennet H.S. Proc. of a Symposium on Damage in Laser Materials. NBS Spec. Publ. № 341. 1970. p. 51.
  46. Hopper R.W., Uhlmann B.R. Mechanism of Inclusion Damage in Laser Glass I?. Appl. Phys. 1970. v. 41. № 10. p. 4023−4037.
  47. Ю.К., Маненков A.A., Нечитайло B.C., Прохоров A.M., Хаимов-Мальков В.Я. Роль поглощающих включений в механизме разрушения прозрачных диэлектриков лазерным излучением//ЖЭТФ. 1972. т. 63. вып. 3 (9). с. 1030−1035.
  48. С.И., Макшанцев Б. И. Роль поглощающих неоднородностей в оптическом пробое прозрачных сред //ФТТ.1973. т. 15. вып. 4. с. 1090−1095.
  49. И.В., Анисимов С. И., Бонч-Бруевич А.М., Имас Я. А., Комолов В. Л. Оптический пробой прозрачных сред, содержащих микронеоднородности//ЖЭТФ. 1976. т. 70. вып. 4. с. 1214−1224.
  50. Ю.К., Маненков A.A., Нечитайло B.C. О механизме лазерного разрушения прозрачных материалов, обусловленном тепловым взрывом поглощающих неоднородностей/ЯСвант. электр. 1978. т. 5. № 1. с. 194−195,
  51. М.И. Об установившемся движении волны непрозрачности при оптическом пробое конденсированных прозрачных сред// ФТТ. 1976. т. 18. вып. 5. с. 1347−1350.
  52. И.Е., Трибельский М. И., Фишер В. И. О волне ионизации, поддерживаемой мощным лазерным излучением //ЖЭТФ. 1982. т. 82. вып. 6. с. 1840−1852.
  53. Г. И. О роли ультрафиолетового излучения в формировании волны поглощения при воздействии ОКГ на прозрачный диэлектрик //ЖТФ. 1984. т. 54. вып. 12.
  54. .И., Леонов Р. К., Ямпольский П. Я. О разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением //Письма в ЖЭТФ. 1971. т. 14. вып. 3. с. 175−178.
  55. .И., Кондратенко П. С., Гандельман Г. М. Роль поглощающих неоднородностей в развитии лавинной ионизации //ФТТ. 1974. т. 16. вып. I.e. 173−179.
  56. .И., Ковалев A.A. О воздействии излучения ОКГ на твердые прозрачные диэлектрики //Квант, электр. 1975. т.2. № 7. с. 15 521 554.
  57. Hellwarth R.W. Damage in Laser Materials NBS Spec. Publ. № 341. 1970. p. 67.
  58. A.B. Исследование процессов воздействия импульсного С02 -лазера на ионные кристаллы: Дисс. канд. физ.-мат. наук Черноголовка. 1984.
  59. Nath G., Walda G. Strong reduction of Laser Produced Damage in Sapphire and Ruby by Doping with TiO// Zeit fur Naturforshung. 1968. v. 23a. № 4. p. 624−625.
  60. .М., Волкова H.B., Лихачев В. А., Рывкин С. М., Салманов В. М., Ярошедкий И. Д. Оптическая прочность прозрачных диэлектриков //ФТТ. 1967. т. 9. вып. 2. с. 476−479.
  61. А.А., Кугаенко О. М., Тагиева М. М. и др. Разрушение легированных кристаллов под действием импульсного лазерного излучения. В кн: Физика разрушения. Киев, ИПМ, 1980, ч. 2.с. 252−254.
  62. С.Н., Горбунов А. В., Ерофеев В. Н. Влияние примесей на свойства ШГК, используемых в конструкционной оптике ИК-диапазона. Ин-т физики тверд, тела АН СССР, Черноголовка, 1983, Препринт, 33 с.
  63. Н.В., Цирульник П. Н. Влияние растворимых примесей на оптическую прочность фтористого лития//Оптико-мех. пром-ть.1972. № 12. с. 35−36.
  64. Faizullov F.S., Kovalev V.I., Janszky J., Voszka R. The role of Ca and Pb dopants in pulsed 10,6 7m 0m Bulk damage of superpure NaCl and KC1 Crystals. Academy of Sciences of the USSR, P.N. Lebedev Physical Institute, preprint № 178.1. M. 1983, 11 c. 1
  65. М.П., Добржанский Г. Ф., Кугаенко O.M., Тагиева М. М., Сойфер Л. М., Уланов С. Ф. Влйяние состояния примеси на морфологию лазерного разрушения КС1:РЬ //ФТТ. 1981. т. 23. № 6. с. 1834−1837. '
  66. С.Ф., Шаскольская М. П. Оптический пробой кристаллов КС1:РЬ при различных температурах //ФТТ. 1981. т. 23. вып. 4. с. 1242−1243.
  67. Е.М., Данилейко Ю. К., Маненков A.A. и др. К механизму разрушения кристаллов рубина лазерным излучением //Письма в ЖЭТФ. 1972. т. 16. № 6. с. 336−339.
  68. .Г., Данилейко Ю. К., Николаев В. Н., Сидорин A.B. Эффект многократного воздействия в лазерном разрушении оптических материалов //Квант, электр. 1983. т.Ю. № 3. с. 640−643.
  69. Giuliano C.R. Laser-Induced Damage in Transparent Dielectrics: the Relationship Between Surface Damage and Surface Plasmas //IEEEJ Quantum Electronics. 1972. v. QE-8. № 9. p. 749−754.
  70. Ю.К., Маненков A.A., Нечитайло B.C. Предпороговые явления при лазерном разрушении оптических материалов //Квант, электр. 1976. т. 3. № 2. с. 438−441.
  71. Э.К. Эффекты необратимых изменений в стеклах под действием оптического излучения и их влияние на лучевое разрушение //Известия АН СССР. сер. физ. 1983. т. 47. № 1. с. 196−201.
  72. С.Б., Журков С. Н., Чмель А. Кинетика накопления повреждения в прозрачных диэлектриках при многократном лазерном облучении //ФТТ. 1978. т. 20. № 12. с. 3570−3574.
  73. Н.С., Еронько С. Б., Чмель А. Температурно-временная зависимость лучевой прочности прозрачных твердых тел //ФТТ. 1982. т. 22. вып. 10. с. 3040−3046.
  74. Н.С., Еронько С. Б., Чмель А. Термофлуктуационная природа лучевой прочности прозрачных диэлектриков //ФТТ. 1982. т. 24. вып. 3. с. 733−739. .
  75. И.Г., Кинбер Б. Е. Об усталостном разрушении стекол при лазерном облучении //Квант, электр. 1980. т. 7. № 11. с. 2427−2431.
  76. С.К., Малдутис Э. К. Объемное разрушение оптических стекол многократным лазерным излучением //Квант, электр. 1981. т.8.№ 4. с. 902−903.
  77. Ю.А., Азаров В. В., Богданова Т. И., Усольцев И. Ф. О кинетике накопления лазерных повреждений в прозрачных диэлектриках //Квант, электр. 1983. т. 10. № 5. с. 1041−1042.
  78. В.И., Миллер A.M., Всесоюзн. конф. Использование современных физических методов в неразрушающих исследованиях и контроле. Тезисы докл. ч.1, Хабаровск, 1981, с. 76.
  79. A.A., Беляева H.H., Бредихин В. И. и др. Старение кристаллов а-ЫЮз при лазерном облучении. Тез. докл. У Всесоюзн. совещ. по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 1981. с. 114−115.
  80. H.H., Бредихин В. И., Рубаха В. И., Фрейдман Г. И. Старение кристаллов а-1ЛОз при лазерном облучении//ЖЭТФ. 1982. т. 83. вып. 3(9). с. 1065−1071.
  81. H.H., Бредихин В. И. О роли самофокусировки в лазерном старении кристаллов КДР и a-LiI03 //Квант, электр. 1984. т. 11. № 3.
  82. H.H., Бредихин В. И. Морфология лазерного старения монокристаллов a-LiI03//Квант, электр. 1985. т.12. № 4. с.854−857.
  83. Ю.В., Глебова H.H., Голенищев-Кутузов В.А. и др. Кинетика оптического пробоя иодата лития //Письма в ЖТФ. 1984. т. 10. вып. 14. с. 840−843.
  84. Swain J., Stokowski S., Milam D., Rainer F. Improving the bulk laser damage resistence of potassium dihydrogen phosphate crystals by pulsed laser irradiation//Appl. Phys. Lett. 1982. v.40. № 4. p. 350−352.
  85. Swain J., Stokowski S., Milam D., Kennedy G.C. The effect of balking and pulsed Laser irradiation on the bulk laser damage threshold of potassium dihydrogen phosphate//Appl.Phys.Lett. 1982 v.41. № 1. p. 12−14.
  86. A.B., Коган Б. Я. Механизм разрушения проз рачных полимерных материалов при многократном воздействии импульсного лазерного излучения //Квант, электр. 1976. т.З. № 5. с. 1136−1138.
  87. М.Н. Плазменно-химическая модель оптического пробоя прозрачных диэлектриков//Письма в ЖТФ. 1977. т.З. с.446−450
  88. Я.А., Семенов А. А. Лучевая эррозия полуизолирующего арсеняда галлия //Письма в ЖТФ. 1977. т.З. № 16. с: 838−841.
  89. М.А., Трибельский М. И. Роль химических реакций в лазерном разрушении прозрачных полимеров //ЖЭТФ.1978. т.74. с. 194.
  90. А.А., Нечитайло B.C. Роль поглощающих дефектов в лазерном разрушении прозрачных полимеров //Квант, электр. 1980. т. 7. № 3. с. 616−619.
  91. Н.М. Начальный этап развития светотермохимической неустойчивости в твердых прозрачных диэлектриках//Квант. электр. 1983. т. 10. № 9. с. 1934−1936.
  92. JI.A., Поплавский A.A., Ферсман И. А., Хазов Л. Д. Зависимость порога разрушения прозрачного диэлектрика от длительности импульса лазера //ЖТФ. 1970. т. 40. вып. 3. с. 651−653.
  93. И.М., Поздняков А. Е. О связи между порогами разрушения стекла лазерными импульсами различной длительности //Квант, электр. 1975. т. 2. № 7. с. 1550−1552.
  94. М.Б., Красюк И. К., Новиков Н. П., Перминов В. П., Юдин Ю. И., Ямпольский П. Я. //ЖЭТФ. 1971. т. 60. с. 1748.
  95. A.A., Матюшин Г. А., Нечитайло B.C., Прохоров A.M., Цаприлов A.C. О природе эффекта накопления в лазерном разрушении оптических материалов//Квант, электр. 1983. т. 10 с. 2426.
  96. A.A., Нечитайло B.C., Цаприлов A.C. Анализ механизма лазерного разрушения прозрачных полимеров, связанного с их вязкоупругими свойствами //Квант, электр. 1981. т.8. № 4. с.838−843.
  97. K.M., Маненков A.A., Маслюков А. П., Матюшин Г. А., Нечитайло B.C., Цаприлов A.C. Влияние вязкоупругих свойств матрицы и типа пластификатора на лазерную прочность прозрачных полимеров //Квант, электр. 1982. т. 9. № 7. с. 1318−1322.
  98. B.C. Механизмы лазерного разрушения прозрачных полимерных материалов //Изв. АН СССР, сер. физ. 1982. т.46. № 6. с. 1194−1199.
  99. K.M., Маненков A.A., Маслюков А. П., Матюшин Г. А., Нечитайло B.C., Прохоров A.M. Прозрачные полимеры новый класс оптических материалов для лазеров //Квант, электр. 1983. т. 10. № 4. с. 810−818.
  100. A.A., Матюшин Г. А., Нечитайло В. С. Даприлов A.C. К механизму эффекта накопления в лазерном разрушении полимеров: возникновение макроразрушения вследствие ионизационной волны поглощения //Квант, электр. 1984. т. 11. № 4. с. 839−841.
  101. Н.М., Генкин В. Н., Соколов В. В. Эволюция наведенного поглощения в полимерах при различных механизмах фотостарения //Высокомолекулярные соединения А. 1982. т. 24. № 4. с. 748−754.
  102. Н.М., Генкин В. Н., Соколов В. В. Особенности динамики и пространственной структуры поглощения на фотохимической стадии деструкции диэлектриков//Изв. АН СССР, сер. физ. 1982.Т.46. № 6. с. 1052−1057.
  103. Ф.Б., Кириченко H.A., Лукьянчук Б. С. Термохимическое действие лазерного излучения//УФН. 1982. т. 138. вып.1. с.45−94.
  104. Wu S.-T., and Bass М. Laser induced irreversible absorption changes in alkali halides at 10,6 pm //Applied Physics Letters. 1981. v. 39. № 2. p. 948−950.
  105. В.П., Смирнов B.H. Эмиссия электронов при воздействии импульсов излучения СО2 -лазера на щелочно-галоидные кристаллы//ЖТФ. 1979. т. 49. № 9. с. 1928−1932.
  106. Т.П., Савченко А. Н., Свириденков Э. А. Поглощение света рубином в предпробойном состоянии //ЖЭТФ. 1970. т.58. вып.6. с. 1899−1903.
  107. Л.Б., Ефимов С. М., Петровский Г. Т., Роговцев П. Н. Оптический пробой силикатных стекол в условиях двухфотонного поглощения лазерного излучения //Квант, электр., 1983. т. 10. № 7. с. 1490−1492.
  108. Т.П., Свириденков Э. А. Фотопроводимость рубина при мощном облучении рубиновым ОКГ//Письма в ЖЭТФ. 1966. т.З. с.394−398.
  109. С.Г. Оптическая стойкость материалов окон широкоапертурных импульсно-периодических С02 -лазеров"Квантовая электроника"//1998.т.25.№ 6.с.555−557.
  110. В .П., Смирнов В. Н. Свечение щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с X =10,6 мкм. //ЖТФ. 1978. т. 48. № 4. с. 844−855.
  111. В.П., Смирнов В. Н. Сопоставление кинетики роста рассеяния и вспышек свечения в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов излучения СОг -лазера //ЖТФ. 1979. т. 49. № 12. с. 2647−2651.
  112. В.Е., Самойлова В. И., Тищенко H.A., Шаскольская М. П. О порообразовании в щелочно-галоидных монокристаллах под действием импульса электромагнитного излучения //ФТТ. 1980. т. 22. № 12. с. 3549−3553.
  113. В.Е., Самойлова Т. И., Шаскольская М. П. Кинетика отжига пор, возникающих при точечном микровзрыве в объеме кристалла//Кристаллография. 1980. т. 25. вып. 5. с. 1097−1098.
  114. Bass М., Leung K.M. The Dependence of the Pulsed 10,6 jum Laser Damage Threshold on the Manner in Which a Sample is Irradiated illEEEJ of QE. 1976. v. 12. № 1. p. 82−83.
  115. В .В., Беляев Л. М., Дыменко Н. Н. Окрашивание кристаллов КС1, КВт и К1 при их разрушении лазерным излучением //Тезисы докл. VII Всес. конф-и по когерентной и нелинейной оптике. Тбилиси. 1976. с. 127.
  116. С.Г. Акустические и электромагнитные эффекты, возникающие при короткоимпульсном облучении материалов проходной ИК оптики//Тезисы докл. Международной конференции по росту и физике кристаллов, поев. Памяти М. П. Шаскольской. М.1998. с. 263.
  117. Н.В., Лихачев В. А., Степанов М. И., Шестопалов Л. М. Исследование механизма оптического разрушения монокристаллов фтористого лития//ФТТ. 1967. т. 9. с. 778.
  118. В.В., Беляев Л. М., Дыменко Н. Н. Природа окраски, возникающей при разрушении кристаллов КС1, КВг и KI излучением рубинового лазера //ФТТ. 1981. т. 23. вып. 3. с. 933−935.
  119. Bradford J.N., Williams R.T., and Faust W.L. Study of F-center formation in KC1 on a picosecond time scale //Phys. Rev. Lett., 1975. v. 35. p. 300−303.
  120. Suzuki Y. and Hirai M. Formation of self-trapped excitons and F-centers in picosecond rand in KJ crystals //J. Phys. Soc. Japan. 1977. v. 43. p. 1679−1685.
  121. Williams R.T., Bradford J.N. and Faust W.L. Short-pulse optical studies of exciton relaxation and F-center formation in NaCl, KC1, and NaBr //Phys. Rev. B. 1978. v. 18. p. 7038−7058.
  122. Suzuki Y., OkumuraM., Hirai M. Relaxation of 2p Excitons and F-Center Formation in Picosecond Range in RbBr, Rbl and KBr// J. Rhys. Soc. Japan. 1979. v. 47. №l.p 184−192.
  123. D’hertoghe J. and Jacobs G. Self-trapped Exciton and F-Center Formation by Picosecond Laser Pulse in Alkali Bromides and Iodides //Pliys. Stat. Sol. 1979. v. 95. № 1. p. 291−300.
  124. Ortega J.M. Study of the Self-trapped Exciton and F-Center Formation on a Picosecond time scale in KBr //Phys. Rev. B. 1979. v. 19. № 6. P. 3222−3229.
  125. Ken-Ichi Kan’no and Yoshio Nakai. Defect Fonnation with UV-Laser Irradiation in Alkali Halides //Semiconductors and Insulators. 1983. v. 5. p. 493−504.
  126. П.Г., Данилов В. П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Нагли Л. Е., Прохоров A.M. Оптическое поглощение кристаллов KI-T1, наведенное интенсивным УФ лазерным излучением //ФТТ.1980. т.22. № 9. с. 2790−2796.
  127. П.Г., Данилов ВН., Жэков В. И., Мурина Т. М., Нагли Л. Е., Прохоров A.M., Романов Н. Г. //Тез. докл. 27 совещ. по люминесценции (кристаллофосфоры), Рига, Ин-т физики АН Лат. ССР. 1980. с. 101.
  128. П.Г., Данилов В. П., Жеков В. И., Мурина Т. М., Прохоров А. М., Образование центров окраски в кристаллах KClTn и NaCkln под действием интенсивного ультрафиолетового лазерного излучения//ФТТ. 1981. т. 23. вып. 6. с. 1829−1831.
  129. .Г., Епифанов А. С., Маненков А. А., Панов А. А. Экспериментальные исследования фотопроводимости широкозонных диэлектриков, возбуждаемой УФ лазерным излучением//ЖЭТФ. 1981. т. 81. вып. 4 (10). с. 1423−1434.
  130. А.С., Маненков А. А., Панов А. А., Шахвердиев Э. М. Кинетический анализ УФ лазерной фотопроводимости в ЩГК//Тезисы докл. VI Всес. конф. по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Вильнюс. 1984. с. 190−191.
  131. Yasojima Y., Inuiski Y. Effects of F-centers on Laser-Induced Breakdown in KC1 Single Crystals //Phys. Lett. 1971. v. 34A. № 2. p. 129 131.
  132. Г. С., Данилейко Ю. К., Николаев В. Н., Сидорин А. В. О лазерной прочности кристаллов LiF //Квант. электр. 1981. т. 8. № 10. с. 2262−2264.
  133. Lipson H.G., Ligor P., Martin J.J. The effect of Ionizing Radiation on the 10,6 7m 0m Absorption of KC1 and NaCl //Phys. Stat. Sol. 1976. v. 37. № 2. p. 547−552.
  134. A.B., Чаркина Т. А., Ширан H.B. Влияние у-облучения на коэффициент поглощения щелочно-галоидных кристаллов на длине волны излучения С02 -лазера //Квант, электр. 1981. т. 8. № 10. с. 2237−2239.
  135. В.П., Смирнов В. Н. Влияние центров окраски на оптические свойства и пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов С02 -лазера //Оптико-мех. пром-ть. 1984. № 2. с. 23−26.
  136. Ан. В., Трибельский М. И. Роль коллоидных частиц в оптическом пробое щелочно-галоидных кристаллов //Письма в ЖТФ. 1979. т. 5. № 10. с. 595−598.
  137. Kuzmany Н., Ritter G.J.Interaction of High-Power Ruby Laser Light Pulses with Metal Colloids in Transparent Crystals. // J. Appl. Phys. 1970. v. 41. № 4. p. 1682−1689.
  138. В.Е., Тищенко H.A., Шаскольская М. П. О взаимодействии импульса ИК-излучения с центрами окраски в NaCl //ЖТФ. 1980. т. 50. вып. 5. с. 1077−1078.
  139. Ю.А., Азаров В. В., Сидорюк O.E. и др. Полимодальные распределения лазерной прочности материалов //Изв. АН СССР. 1982. сер. физ.т. 45. № 6. с. 1075−1080.
  140. Peter F. Braunlich, George Brost, Ansgar Schmid and Paul J. Kelly. The Role of Laser-Induced Primary Defect Formation in Optical Breakdown of NaCl //EEEEJ of Quantum Electronics. 1981. v. QE-17. № 10. p. 2034−2041.
  141. A.A., Кугаенко O.M., Чуб Ф.С. Определение геометрических параметров примесных центров методом рассеяния света //Кристаллография. 1979. т. 24. вып. 2. с. 310−314.
  142. В.Н., Миллер A.M., Соустов JI.B. Динамика лазерного разрушения кристаллов КОР//ЖЭТФ. 1980, т. 79. вып. 5(11). с.1880−1887.
  143. JI.M., Седов JI.B. Оптическая генерация звука в жидкости. Тепловой механизм (обзор) // Акуст. журн. 1981. т. XXVII. вып. I. с. 25−29.
  144. Л.М., Наугольных К. А. Оптическая генерация звука. Нелинейные эффекты (обзор) //Акуст. журн. 1981. т. XXVII. вып. 5. с. 641−668.
  145. К., Блистанов A.A., Шаскольская М. П. Рассеяние света кристаллами хлористого калия //ФТТ. 1974. т. 16. № 4. с. 1036−1038.
  146. О.В., Тагиева М. М., Шаскольская М. П. Влияние состояния Примеси РЬ на механические свойства кристаллов KCl и NaCl //Кристаллография. 1969. т. 14. вып. 5. с. 948−951.
  147. И.М., Слезов В. В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов //ЖЭТФ. 1958. т. 35. вып. 2(8). с. 479−492.
  148. А.Ш., Дудникова В. Б., Лебедева В. Н., Розин К. М., Шаекольская М. П. Распад твердого раствора в системе КС1:РЬ//Изв. АН СССР. Неорганич. матер. 1978. т. 15. № 6. с.1074−1078.
  149. В.Б., Лебедева В. Н., Розин К. М., Шаскольская М. П. Оптические исследования распада твердого раствора КС1:РЪ //Изв. АН СССР. Неорганич. матер. 1979. т. 15. № 10. с. 1782−1786.
  150. А.С., Уланов С. Ф. Оптический пробой кристаллов КС1 на локализованных состояниях //ЖТФ. 1981. т. 51. №> 10. с. 2198−2200.
  151. И.А., ПензинаЭ.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск. Вост.-сиб. кн. изд-во. 1977. 208 с.:ил.
  152. А.И. Введение в теорию полупроводников. М. Наука. 1982.
  153. П.С. Физика полупроводников . М. «Высшая школа». 1975.
  154. Акустические кристаллы, под ред. Шаскольской М.П. М. Наука. 1982.
  155. Suzuki. X-ray Studies оп Precipitation of Metastable Centers in Mixed Crystals NaCl-CdCb //J. of the Physical Society of Japan. 1961. v. 16. № 1: p. 67−78.
  156. M.С., Попов В. К., Платоненко В. Т., Чугунов А. В. Зависимость параметров оптоакустического сигнала от радиуса возбуждаемой области//Квант, электр. 1984. т. 11. № 2. с. 414−416.
  157. Hughes А.Е., Jain S.C. Metal colloids in ionic crystals. //Adv. Phys. 1979. v. 28. № 6. p. 717−828.
  158. Buttet Т., Carr R., Myles C.W. Sise dependence of the conduction-electron spin-resonance g-shift in a small sodium particle. Orthogonalized standing-ware calculations //Phys. Rev. B: Condens. Matter. 1982. v. 26. № 5. p. 2414−2431.
  159. Webb R.H. Electron-spin-resonance line shape in spherical metal particles//Phys. Rev. 1967. v. 158. № 2. p. 225−233.
  160. Edmonds R.N., Edwards P.P., Cuy S.C., Johnson D.C. Electron Spin Resonance in Small Particles of Sodium, Potassium, and Rubidium Metalls //J. Phys. Chem. 1984. v. 88. p. 3764−3771.
  161. Дж. Вертц, Дж. Болтон. Теория и практические приложения метода ЭПР. М.: Мир. 1975. 548 с.
  162. Kawabata A. Electronic properties of line metallic particles. П1. E.S.R. absorption line shape //J. Phys. Soc. Japan. 1970. v. 29. № 4. p. 902 911.
  163. Ч.Б., Гиндина Р. И., Лущик H.E. и др. Электронные возбуждения и радиационные эффекты в кристаллах НаВг//Электронные возбуждения ионных кристаллов. Труды ин-та физики АН ЭССР, Тарту, 1975. т. 44. № 1. с. 3−43.
  164. А.А., Воробьев А. А., Ульянов В. Л. Радиационная физика ионных кристаллов. М. Атомиздат, 1980.
  165. О.М., Малинкович М. Д. Влияние растворенных двухвалентных примесей на порог оптического пробоя кристаллов КС1//Тезисы докл. Международной конференции по росту и физике кристаллов, поев. Памяти М. Ц. Шаскольской. М.1998. с. 266.
  166. B.C., Клышко Д. Н., Пенин А.Н. Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазерас
  167. Письма в ЖЭТФ. 1966. т. 3. с. 385−389.
  168. Catalano I.M., Cingolani A., Minafra A. Multiphoton conductivity in KBr //Opt. Commun. 1972. vol. 5. № 3. p. 212−214.
  169. Catalano I.M., Cingolani A., Ferrara M., Lugara M. Multiphoton cross-section determination by means of luminescence experiments //Opt. Acta. 1980. v. 27. p. 625−635.
  170. В.М., Савченко А. Н., Свириденков Э. А. Исследование пробоя рубина цугом и одиночными ультракороткими импульсами //ЖЭТФ. 1974. т. 66. с. 913−919.
  171. A.B., Файзулов Ф. С. Роль многофотонной и ударной ионизации при пробое диэлектриков наносекундным лазерным импульсом //Квант, электр. 1977. т. 4. с. 1144−1146.
  172. Schmid А., Braunlich P., Rol P. Multiphoton-induced directional emission of halogen atoms from alkali halides //Phys. Rev. Lett. 1975. v. 20. p. 1382−1385.
  173. Ю.А., Дыхне A.M. Пробой полупроводников в переменном электрическом поле //ЖЭТФ. 1970. т. 58. с. 1734−1743.
  174. Larson L.A., Oda Т., Braunlich P., Dickinson J.T. Emission of CI atoms fromNaCl during Vk -center decomposition //Solid State Commun. 1979. v. 32. p. 347−351.
  175. A.H., Седов B.B., Коренчук А. Ф. О механизме светочувствительности в кристаллах с квазиметаллическими центрами //Журн. научной и прикл. фотографии и кинематографии. 1985. № 1. с. 33−37.
  176. В.В. Фотохимические реакции в окрашенных кристаллах CsBr //ФТТ. 1968. т. 10. № 1. с. 183−187.
  177. Adlhart W., Bock W., Genrer G. and Wolfram.EPR of Ionized Z-Centers in KCl. Sr // Phys. stat. sol. 1969. v.34. № 2. p. kl43-kl47.
  178. H.J. Paus and K.M. Strohm. ESR on the triplet state of Fz centers in potassium chloride crystals doped with strontium//J.Phys. С: Solid St. Phys. 1980. v. 13. № 1. p. 57−69.
  179. W. Hayest and G.M. Nicholst. Paramagnetic Resonance and Optical Absorption of a V Center //Phys. Rev. 1960. v. 117. № 4. p. 993−998.
  180. W.V. Puymbroeck and D. Schoemaker. Electron-spin-resonance study of complex interstitial halogen Hd -type defects in KCl doped with divalent cations//Phys. Rev. 1981. v.23. № 4. p.1670−1684.
  181. A.A., Васильева JI.A., Кугаенко O.M., Шаскольская М. П. Влияние /Электрического поля на процессы образования и термоактивационного растворения примесных центров в ионных кристаллах //Кристаллография. 1986.т.31. вып.3. с.505−509.
  182. A.A., Васильева Л. А., Кугаенко О. М., УлановС.Ф., Шаскольская М. П. Влияние примесей Sr, Ca, Ва на пороги оптического разрушения кристаллов хлористого калия //Кристаллография. 1986.Т.31 .вып. 1 .с. 120−125.
  183. A.A., Васильева Л. А., Горн И. А., Кугаенко О. М., Козлова Н. С. Лазерное старение кристаллов хлористого калия. Деп. В ВИНИТИ 3.09.87 № 6474−6487.
  184. A.A., Васильева Л. А., Горн И. А. Кугаенко О.М. Накопительный эффект в щелочногалоидных кристаллах при лазерном облучении/ЛГезисы докладов 7 Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград. 1988.С.124.
  185. A.A., Васильева Л. А., Горн И. А., Кугаенко О. М. Допороговые эффекты в кристаллах хлористого калия // Тезисы докл. Всесоюзн. конф. по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1990.
  186. A.A., Васильева Л. А., Кугаенко О. М. Влияние примесных дефектов на оптический пробой кристаллов хлористого калия. Деп. в ВИНИТИ 25.07.95 № 2296-В95
  187. A.A., Васильева Л. А., Кугаенко О. М. Накопление лазерного повреждения в кристаллах KCl // Тезисы докл. Международной конф. по росту и физике кристаллов, поев, памяти М. П. Шаскольской. Москва. 1998. С. 251.
  188. A.A., Кугаенко О. М., Васильева Л. А. Накопление лазерного повреждения в хлориде калия // Известия ВУЗов. Сер. Материалы электронной техники. № 3. 1998. С.39−43.
  189. A.A., Кугаенко О. М., Горн И. А., Васильева Л. А. Природа дефектов, возникающих при допороговом лазерном облучении в KCl // Известия ВУЗов. Сер. Материалы электронной техники. (Принято к публикации).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!