Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Транспортные и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок силицидов хрома и железа на Si (III)

Диссертация: Транспортные и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок силицидов хрома и железа на Si (III)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработана и изготовлена вакууммированная приставка для низкотемпературных спектральных измерений фотоэдс (фотопроводимости) и автоматизированная система сбора и обработки фотоспектральных данных на базе монохроматора МДР-3. Проведена апробация установки на известных тест-структурах. По данным оптических и температурных электрических измерений установлено, что двумерные эпитаксиальные пленки… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. МЕХАНИЗМЫ ПРОВОДИМОСТИ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СИЛИЦИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ И ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ
    • 1. 1. Транспортные свойства и механизмы проводимости в силицидах переходных металлов
    • 1. 2. Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых силицидов переходных металлов
    • 1. 3. Гетероструктуры кремний — силицид переходного металла 23 1.4 Выводы
  • ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, АППАРАТУРА И МЕТОДИКИ
    • 2. 1. Методы исследования
      • 2. 1. 1. Электронная оже — спектроскопия
      • 2. 1. 2. Дифракция медленных электронов
      • 2. 1. 3. Спектральные измерения фотоэффектов
      • 2. 1. 4. Измерения электрических параметров полупроводников и гетероструктур
    • 2. 2. Экспериментальная аппаратура. 31 2.2.1 Сверхвысоковакуумная установка «VARIAN»
      • 2. 2. 2. Сверхвысоковакуумная установка с автоматизированной приставкой для холловских измерений
      • 2. 2. 3. Установка для регистрации спектральных зависимостей фотоэффектов в полупроводниках на базе монохроматора МДР
    • 2. 3. Методики и схемы экспериментов
      • 2. 3. 1. Методики приготовления образцов и источников
      • 2. 3. 2. Схемы ростовых, электрических и фотоэлектрических экспериментов
      • 2. 3. 3. Методика расчета параметров полупроводниковых пленок с учетом шунтирования
  • ГЛАВА 3. ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК СИЛИЦИДОВ ХРОМА И ЖЕЛЕЗА НА Sl (111)
    • 3. 1. Влияние удельного сопротивления кремниевой подложки на шунтирование параметров пленки полупроводникового силицида
    • 3. 2. Рост и структура эпитаксиальных пленок CrSi2 и (3-FeSi2 на Si (lll)
    • 3. 3. Транспортные свойства тонких эпитаксиальных пленок CrSi2 на Si (lll)
    • 3. 4. Формирование и транспортные свойства сверхтонких эпитаксиальных пленок моносилицида хрома на Si (lll)
    • 3. 5. Формирование и транспортные свойства сверхтонких пленок моносилицида железа на Si (lll)
    • 3. 6. Выводы
  • ГЛАВА 4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК И ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИЛИЦИДОВ ХРОМА И ЖЕЛЕЗА НА КРЕМНИИ
    • 4. 1. Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома на Si (lll)
    • 4. 2. Фотоэлектрические, вольтамперные и вольтфарадные характеристики гетероструктур CrSi2/Si (lll)
    • 4. 3. Фотоэлектрические, вольтамперные и вольтфарадные характеристики гетероструктур P-FeSi2/Si (lll)
    • 4. 4. Выводы

Транспортные и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок силицидов хрома и железа на Si (III) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Развитие физики твердого тела и физики полупроводников в последние 10−15 лет привело к созданию нового направления науки — наноэлектроники. Основными задачами наноэлектроники являются создание материалов с пониженной размерностью (двумерных, одномерных, нульмерных), исследование их электрических, фотоэлектрических и оптических свойств, а также разработка новых видов полупроводниковых приборов на их основе. Кремний является базовым материалом в технологии современных интегральных микросхем, но активные элементы интегральных микросхем, выполненные по субмикронной технологии, приближаются к физическому пределу по своим электрическим параметрам. Создание элементов кремниевой гетероэлектроники на базе силицидов металлов (транзисторы с проницаемой базой, гетероструктурные биполярные транзисторы) может расширить указанные пределы.

Известно, что дисилициды хрома (CrSi2) и железа ((3-FeSi2) являются узкозонными полупроводниками перспективными в создании фотодетекторов, чувствительных в инфракрасной области спектра. Применение силицидов хрома и железа в качестве новых материалов зависит от успехов гетероэпитаксиального роста на кремнии и изученности их транспортных и оптических свойств в виде тонких и сверхтонких пленок на кремнии. Известно, что эпитаксиальные пленки дисилицида хрома растут на Si (lll) в двух ориентациях CrSio Аи В-типа. При этом эпитаксиальные CrSii А-типа пленки толщиной от 10 до 100 нм имеют напряженную структуру из-за малого (0.1%) несоответствия кристаллических решеток Si (lll) и CrSi2(0001), а эпитаксиальные пленки CrSi2 В-типа толщиной более 5 нм имеют упорядоченную сетку дислокаций из-за большого несоответствия (около 17%) параметров кристаллических решеток. Эпитаксиальные пленки ((3-FeSi2) также имеют несоответствие с решеткой Si (lll) порядка 6%, что усложняет рост толстых эпитаксиальных пленок. Однако задачи эпитаксиального роста тонких (10−100 нм) эпитаксиальных пленок данных дисилицидов на Si (lll) решены в значительной степени за счет технологии создания затравочных слоев в условиях сверхвысокого вакуума и их дальнейшего доращивания методами молекулярно-лучевой и твердофазной эпитаксии. Данная технология обеспечивает возможность получения эпитаксиальных пленок хорошего кристаллического качества. Однако, транспортные свойства тонких эпитаксиальных пленок дисилицидов хрома и железа были изучены недостаточно подробно. Кроме того, не было изучено влияние ориентации пленок дисилицидов хрома на их электрические и фотоэлектрические свойства. Несомненный интерес для развития кремниевой гетероэлектроники представляют пленки моносилицидов хрома и железа, поскольку они обладают металлическими свойствами и могут расти эпитаксиально на кремнии. Тем не менее, рост сверхтонких (5−10 нм) пленок моносилицидов хрома и железа на Si (lll) и исследования их транспортных свойств в процессе роста ранее не проводились. Остается также неисследованной область спектральной чувствительности эпитаксиальных пленок дисилицида хрома, а также приборные свойства гетероструктур на основе кремния и эпитаксиальных пленок дисилицидов хрома и железа на подложках с разным типом проводимости в видимой и инфракрасной областях спектра.

Таким образом, основными задачами настоящей работы являлись:

1. Исследование механизмов проводимости в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома на Si (l 11) в зависимости от условий роста и толщины пленки.

2. Исследование транспортных свойств сверхтонких эпитаксиальных пленок моносилицидов хрома и железа на Si (lll) в процессе их роста в условиях сверхвысокого вакуума.

3. Исследование спектральной фоточувствительности гетероструктур CrSi2/Si (l 11) и (3-FeSi2/Si (l 11) в зависимости от толщины пленок силицидов и типа проводимости подложки и построение зонных энергетических диаграмм гетероструктур.

4. Разработка и изготовление вакууммированной приставки для низкотемпературных спектральных измерений фотоэдс (фотопроводимости) и автоматизированной системы сбора и обработки фотоспектральных данных на базе монохроматора МДР-3.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Основные результаты работы:

Показано, что эпитаксиальные пленки CrSi2 являются невырожденными.

17 3 полупроводниками с малой концентрацией дырок (1−10 см"), высокой о подвижностью (>2000 см /В-сек) и шириной запрещенной зоны Eg=0.34 эВ. Обнаружен новый вид температурной зависимости холловской подвижности дырок (|1н~Т3). На температурных зависимостях концентрации дырок обнаружены три активационных участка, соответствующих энергии активации дырок (Еа=0.01 эВ), ширине запрещенной зоны Eg=0.34 эВ и второму межзонному переходу Е1=0.84 эВ.

По данным оптических и температурных электрических измерений установлено, что двумерные эпитаксиальные пленки моносилицидов хрома и железа обладают полуметаллическими свойствами и низкой концентрацией дырок при толщинах металла 1.5 — 2.4 нм.

Показано, что фотоспектральная чувствительность всех типов гетероструктур определяется несколькими прямыми межзонными переходами в CrSi2, (3-FeSi2 и фундаментальным переходом в кремнии. В гетероструктурах со встроенным р-п переходом фотовыход определяется глубиной залегания р-n перехода, толщиной пленки и плотностью поверхностных состояний на границе раздела. Обнаружено, что направления полей гетероперехода и р-n перехода совпадают для гетероструктур CrSi2-p/Si-p/Si-n, (3-FeSi2-p/Si-p/Si-n. Установлено, что максимальный фотовыход имеют гетероструктуры CrSi2-p/Si-n и (3-FeSi2-p/Si-n с толстыми эпитаксиальными пленками дисилицидов хрома и железа. Построены зонные диаграммы для всех типов гетероструктур.

Разработана и изготовлена вакууммированная приставка для низкотемпературных спектральных измерений фотоэдс (фотопроводимости) и автоматизированная система сбора и обработки фотоспектральных данных на базе монохроматора МДР-3. Проведена апробация установки на известных тест-структурах.

Заключение

.

В заключение автор выражает глубокую признательность за научное руководство работой заведующему лабораторией оптики и электрофизики, к.ф.-м.н. Галкину Николаю Геннадьевичу и заведующему отделом НТЦ полупроводниковой микроэлектроники чл.-корр. РАН профессору Виктору Григорьевичу Лифшицу, за помощь в изготовлении блоков электроники и автоматизацию экспериментов — к.ф.-м.н., доценту кафедры «Электроника» ИФИТ ДВГУ Виталию Александровичу Иванову. Также автор глубоко благодарен за помощь в проведении и обсуждении экспериментов н.с. Маслову Андрею, Ян Дмитрию, аспирантам Горошко Дмитрию, Доценко Сергею, Полярному Вячеславу, Вавановой Светлане и всем сотрудникам НТЦ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.А., Васильев А. Г., Васильев А. Л., Киселев Н. А., Орликовский А. А., Сидельников А. Э. Кинетика фазообразования в пленках, полученных осаждением из молекулярных пучков. //Высокочистые вещества. 1988, — № 1.- С.61−68.
  2. Malhotra V., Martin T.L., Mahan J.E. Electronic transport properties of TiSi2 thin films. II J. Vac. Sci. Technol. B. 1984- 2, — № 1.- P. 10−15.
  3. Ottoviani G., Nobili C. Silicide formation. // Thin Solid Films.- 1988.- 163.- P. 111−121.
  4. A.E., Ржанов A.B., Черепов Е. И. Образование пленок силицидов на кремнии. //Поверхность, — 1982.- № 2, — С. 1−12.
  5. А.Е., Асеев А. Е., Тимофеева Т. В., Черепов Е. П. О взаимодействии тонких пленок никеля с монокристаллическим кремнием. // Поверхность, — 1983.- № 9.- С.83−86.
  6. Henzler М., Adamski С., Roner К. Conductivity and mobility in very thin epitaxial NiSi2 layers. II J. Vac. Sci. Technol. A.- 1987, — 5, — № 4, — P.2127−2130.
  7. Badoz P.A., Briggs A., Rosencher E., d’Avitaya F.A., dAtterroches C. Low temperature transport properties of ultrathin CoSi2 epitaxial films. // Appl. Phys. Lett.- 1987.- 51.- № 3, — P.169−171.
  8. Phillips J.M., Batstone J.L., Hensel J.C., Cerullo M. Electrical and structural characterization of ultrathin epitaxial CoSi2 on SI (lll). // Appl. Phys. Lett.- 1987, — 51.-№ 23,-P. 1895.
  9. Г. В., Дворина Л. А., Рудь Б. М. Силициды. Москва: Металлургия, 1979.-С.271.
  10. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции, под. ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера.- Москва: Мир, 1982.- 576 с.
  11. Malhotra V., Martin T.L., Huang М.Т., Mahan J.E. Summary abstract: electronic transport properties of refractory metal disilicides. // J.Vac.Sci.Technol.- 1984, — 2, — Pt.l.-P.271−272.
  12. Murarka S.P. Transition metal silicides low resistivity alternatives for polysilicon and metals in integrated circuits. // J. Metals.- 1984, — 36, — № 7, — P.57−60.
  13. Bisi O., Chiao L.W. Electronic structure of vanadium silicides.// Phys. Rew. В.- 1982.25, — P.4943−4948.
  14. Bost M.C., Mahan J.E. Summary abstract: semiconducting silicides as potential materials for electro-optic very large scale integrated circuit interconnects.// J.Vac.Sci.Technol-1986.- 4.- № 6.- P. l336−1338.
  15. Henrion W" Lange H. Optical properties of CrSi2.// Phys. Stat. Sol. (b).- 1984, — 123-P.K69-K73.
  16. Bost M.C., Mahan J.E. Optical properties of semiconducting iron disilicides thin films.// J.Appl.Phys- 1985, — 58, — № 7, — P.2696−2703.
  17. Krontiras Ch., Pomani K., Roilos M. Resistivity and Hall effect for thin MnSii.73 films.// J. Phys. D: Appl.Phys.- 1988, — 21- № 3, — P. 509−512.
  18. Bozler C.O., Alley G.D. The permeable base transistor and its application to logic circuits.// Proc. IEEE.- 1982, — 70.- № 1.- P.46−52.
  19. Glastre A.B., Rosencher E., d’Avitaya F.A., Puissant C., Pone M., Vincent G., Pfister J.C. CoSi2 and Si epitaxial growth in 111 Si submicron lines with application to a permeable base transistor.// Appl.Phys.Lett.- 1988.- 52.- № 11.- P.898−900.
  20. Derrien J., d’Avitaya F.A. Thin metallic silicides films epitaxially grown on Si (lll) and their role in Si-metal-Si devices.// J. Vac.Sci.Technol. A.- 1987, — 5, — № 4, — P.2111−2120.
  21. Rosencher E., Delage S., Campidelli Y., d’Avitaya F.A. Transistor effect in monolitic Si/CoSi2/Si epitaxial structures.// Electron.Lett.- 1984, — 20, — № 19, — P.762−764
  22. П., Ортон. Дж. В., Методы измерения электрических свойств полупроводников.// Зарубежная радиоэлектроника.- 1.- 1981.-С.5−7.
  23. В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур.// Москва: Радио и связь.- 1985.- С.72−75.
  24. I. Nishida, The crystal growth and thermoelectric properties of chromium disilicide.// J.Mater. ScL- 1972, — 7(10).- P. 1119−1124.
  25. T. Hirano, M. Kaise, Electrical resistivities of single-crystalline transition-metal disilicides.///. Appl. Phys.- 1990.- 68(2).- P.627−633.
  26. D. Shinoda, S. Asanabe, Y. Sasaki. Semiconducting properties of chromium disilicide.// J.Phys. Soc. Jap.- 1964, — 19(3).- P.269−272.
  27. S.F. Gong, X.-H. Li, H.T.G. Hentzell, J. Strandberg. Electrical and structural properties of thin film of sputtered CrSi2.// Thin Solid Films.- 1992, — 208(1), 91−95.
  28. F.Nava, T. Tien, K.N.Tu Temperature dependence of semiconducting and structural properties of Cr-Si thin films.// J.Appl.Phys.-9%5.- 57(6).- P.2018−2025.
  29. V.E. Borisenko, L.I. Ivanenko, S.Yu. Nikitin Semiconducting properties of chromium disilicide.// Mikroelektronika.-1992.-21(2).- P.61−77.
  30. M.C. Bost, J.E. Mahan. An investigation of the optical constants and band gap of chromium disilicide.// J.Appl.Phys.63(3).- P.839−844.
  31. S.P. Murarka, M.H. Read, C.J. Doherty, D.B. Fraser. Resistivity of thin film transition metal silicides.// J.Electrochem. Soc.- 1982, — 129(2).- P.293−301.
  32. I.J. Ohsugi, T. Kojima, I.A. Nishida. Temperature dependence of the magnetic susceptibility of a CrSi2 single crystals.// Phys. Rev. В.- 1990, — 42(16).- P. 10 761−10 764.
  33. I. Nishida, T. Sakata. Semiconducting properties of pure and Mn-doped chromium disilicides.// J.Phys. Chem. Solids.-Ш.- 39(5).- 499−505.
  34. A.E. White, K.T. Short, D.J. Eaglesham. Electrical and structural properties of Si/CrSi2/Si heterostructures fabricated using ion implantation.// Appl. Phys. Lett.- 1990.-56(13).- P.1260−1262.
  35. E. Arushanov, Ch. Kloc, E. Bucher. Impurity band in p-type P-FeSi^V/P/z^. Rev. B.-1994.- 50(4).- P.2653−2656.
  36. G. Behr, J. Werner, G. Weise, A. Heinrich, A. Burkov, C. Gladun Preparation and properties of high-purity 3-FeSi2 single crystals.// Phys.Stat.Sol.(a).-1997.- 160(2).-P.549−556.
  37. O. Valassiades, C.A. Dimitriadis, J.H. Werner. Galvanomagnetic behavior of semiconducting FeSi2 films.// J. Appl. Phys. A99l.- 70(2).- P.890−893.
  38. C.A. Dimitriadis, J.H. Werner, S. Logothetidis, M. Stutzmann, J. Weber, R. Nesper, Electronic properties of semiconducting FeSi2 films.// J. Appl. Phys.-1990, — 68(4).-P. 1726−1734.
  39. A. Rizzi, B.N.E. Rosen, D. Freundt, Ch. Dieker, H. Liith, D. Gerthsen. Heteroepitaxy of P-FeSi2 on Si by gas-source MBE.// Phys. Rev. В.- 1995.-51(24).- P. 17 780−17 794.
  40. K. Radermacher, R. Carius, S. Mantl. Optical and electrical properties of buried semiconducting p-FeSi2.// Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. В -1994.-84(1).- P. 163−167.
  41. J.-I. Tani, H. Kido. Electrical properties of Co-doped and Ni-doped P~FeSi2.// J. Appl. Phys.- 1998, — 84(3).- P.1408−1411.
  42. M. Komabayashi, K. Hijikata, S. Ido. Effects of some additives on thermoelectric properties of FeSi2 thin films.// Jpn. J. Appl. Phys.-1991.- 30(2).- P.331−234.
  43. T. Kojima. Semiconducting and thermoelectric properties of sintered iron disilicide.// Phys. Stat. Sol. (a) 111(1).-1989.- P.233−242.
  44. U. Birkholz, J.Schelm. Mechanism of electrical conduction in p-FeSi2.// Phys. Stat. Sol.-1968, — 27.- P.413−425.
  45. N.G. Galkin, T.V. Velitchko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev. Semiconducting and structural properties of CrSi2 A-type epitaxial films on Si (l 11).// Thin Solid Films.-1996.-280(1−2).-P.211−220.
  46. Y. Tomm, L. Ivanenko, K. Irmscher, St. Brehme, W. Henrion, I. Sieber, H. Lange. Effects of doping on the electronic properties of semiconducting iron disilicide.// Mat. Sci. Eng.-1996.- В 37, — P.215−218.
  47. S. Brehme, P. Lengsfeld, P. Stauss, H. Lange, W. Fuhs. Hall effect and resistivity of P-FeSi2 thin films and single crystals.///. Appl. Phys.-1998.- 84(6).- P.3187−3196.
  48. K.G. Lisunov, E. K. Arushanov, Ch. Kloc, U. Malang, E. Bucher. Hopping conductivity in p-type p-FeSi2 // Phys. Stat. Sol.(b). 1996.- 195(1).- P.227−236.
  49. N.F. Mott, E.A. Davies. Electron Processes in Non-Crystalline Materials.// (Clarendon Press, Oxford, 1979).
  50. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors.// Springer, Berlin, 1984.
  51. D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, O. Valassiades. The Meyer-Neldel rule in the conductivity of polycrystalline semiconducting FeSi2 films.// J.Appl. Phys.-1998.- 84(5).- P.2960−2962.
  52. N.E. Christensen Electronic structure of p-FeSi2.// Phys. Rev. В.-1990, — 42(11).- P.7148−7153.
  53. DJ. Oostra, C.W.T. Bulle-Lieuwma, D.E.W. Vandenhoudt, F. Felten, J.C. Jans. P-FeSi2 in (111) Si and in (001) Si formed by ion-beam synthesis.// J.Appl. Phys.-1993.- 74(7).-P.4347−4353.
  54. E. Arushanov, Ch. Kloc, H. Hohl, E. Bucher. The Hall effect in (3-FeSi2 single crystals.// J. Appl. Phys.-1994, — 75(10).- P.5106−5109.
  55. J.L. Regolini, F. Trincat, I. Sagnes, Y. Shapira, G. Bremond, D. Bensahel Characterization of semiconducting iron disilicide obtained by LRP/CVD.// IEEE Trans. Electron Devices.- 1992.-39(1).- P.200−201.
  56. A.B. Filonov, I.E. Tralle, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko.// Transport properties simulation of p-type p-FeSi2.// Phys. Stat. Sol. (b).- 1997.- 203(1), P. 183−187.
  57. M. Pauli, M. Diicker, M. Doscher, J. Miiller, W. Henrion, H. Lange. Characterization of the heterostructure between heteroepitaxially grown P~FeSi2 and (111) silicon.// Mater. Sci. Eng.-1993.- В21, — P.270−273.
  58. P. Muret, I.Ali. Transport properties of unintentionally doped iron silicide thin films on silicon (111).///.Vac.Sci. Technol. B.-1998.- 16(3).- P.1663−1666.
  59. M. Eizenberg, K.N. Tu. Formation and Schottky behavior of manganese silicides on n-type silicon.// J. Appl. Phys.-9S2.- 53(10).- P.6885−6890.
  60. I. Nishida. Semiconducting properties of nonstoichiometric manganese silicides.// J. Mater. Sci.-1972.-7.- P.435−440.
  61. I. Kawasumi, M. Sakata, I. Nishida, K. Masumoto. Crystal growth of manganese silicide, MnSii.73 and semiconducting properties of Mni5Si26.// J. Mater. Sd.-1981.- 16(2).-P.355−366.
  62. V.K. Zaitsev. Thermoelectric properties of anisotropic MnSii.75. in: CRC Handbook on Thennoelectrics, edited by D.M. Rowe (CRC Press, New York, 1994) P.299−309.
  63. S. Teichert, R. Kilper, J. Erben, D. Franke, B. Gebhard, T. Franke, P. Haussler, W. Henrion, H. Lange. Preparation and properties of thin polycrystalline MnSii.73 films.// Appl. Surf. Sci. -1996.- 104/105,-P.679−684.
  64. K. Lefki, P. Muret, N. Cherief and R. C. Cinti. Optical and electrical characterization of P-FeSi2 epitaxial thin films on silicon substrates.// J.Appl.Phys.-1991.- 69(1).- P.352−357.
  65. K. Lefki and P. Muret. Photoelectric study of P-FeSi2 on silicon: Optical threshold as a function of temperature.//J.Appl.Phys.- 1993, — 74(2).- P.1138−1142.
  66. W. Henrion, H. Lange, E. Jaime and M. Giehler. Optical properties of chromium and iron disilicide layers.//Appl. Surf. Sci.- 1993, — 70/71, — P.569−572.
  67. K. Lefki and P. Muret. Internal photoemission in metal/ P-FeSi?/Si heterojuntions.// Appl. Surf. Sci.-1993, — 65/66, — P.772−776.
  68. M.P.C.M. Krijn, R. Eppenga. First-principles electronic structure and optical properties of CrSi2.//Phys. Rev. В.- 1991.-44(16).- P.9042−9044.
  69. M.C. Bost, J.E. Mahan. An optical determination on the bandgap of the most silicon-rich manganese silicide phase.///. Electron. Mater.- 1987, — 16(6).- P.389−395.
  70. A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, G.V. Petrov, V.E. Borisenko, W. Henrion, H. Lange. Electronic and related properties of crystalline semiconducting iron disilicide.// J. Appl. Phys.-1996, — 79(10).- P.7708−7712.
  71. P. Смит. Полупроводники, M. «Мир» 1982.
  72. Н.Г., Величко Т. В., Скрипка С. В., Хрусталев А. Б. Эпитаксиальные пленки CrSi2 А-типа на Si(l 11): структура и электрические свойства.// Микроэлектроника.-1996, — Т. 25. № 3, — С.216−220.
  73. A. Martinez, D. Esteve, A. Guivarc’h, P. Auvray, P. Henoc, G. Pelous. Metallurgical and electrical properties of chromium silicon interfaces.// Solid-State Electron.-1980.- 23(1).-P.55−64.
  74. N. Benouattas, B. Tamaarat, A. Bouabellou, R. Halimi, A. Mosser. Electrical properties of Cr/Si (p) structures.// Solid State Electronics.- 1999.- V. 3, — P.439−446.
  75. N.I. Plusnin, A.P. Milenin, T.V. Velichko, V.U. Soldatov. Schottky barrier in contacts of (V3xV3)R30°-Cr surface structures and CrSi2(001) epitaxial films with the Si (lll) substrate.// Phys. Low-Dim. Struct.- 1997, — V. 5/6, — P. 1−12.
  76. J.Derrien, J. Chevrier, Le Thanh and J.E. Mahan. Semiconducting silicide-silicon heterostructures: growth, properties and applications.// Appl. Surf. Science.- 1992.- V. 56−58, — P.382−393.
  77. J.Derrien, J. Chevrier, Le Thanh Vinh, I. Berbezier, C. Giannini, S. Lagomarsino and M.G.Grimaldi. Synthesis and properties of epitaxial semiconducting silicides.// Appl. Surf. Science.- 1993, — V. 73.- P.90−101.
  78. D.H. Tassis, C.A. Dimitriadis, J. Brini, G. Kamarinos, M. Andelakeris and N.Flevaris. Low frequency noise in P-FeSii/n-Si heterojunctions.// Appl. Phys. Lett.- 1998, — V. 72, — N 6,-P.713−715.
  79. C.A. Dimitriadis. Electrical properties of (3-FeSi2/Si heterojunctions.// J. Appl. Phys.-1991, — 70(10).-P.5423−5426.
  80. N.I.Plusnin, N.G.Galkin, V.G.Lifshits, S.A.Lobachev. Formation of interfaces and templates in the Si (l 11)-Cr system.// Surf. Rev. and Lett.-1995.- V.24.- P.439−449.
  81. S.P.Murarka, Silicides for VLSI Applications (Academic Press, New York, 1983).
  82. О.В., Сидоренко Ф. А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М.: Металлургия, 1971. 584 с.
  83. N.G.Galkin, A.M.Maslov, A.V.Konchenko. Optical and photospectral properties of CrSi2 A-type epitaxial films on Si (lll).// Thin Solid Films.-1997.- 311(1−2).- P.230−238.
  84. L.N. Aleksandrov, R.N. Lovyagin, P.A. Simonov and I.S. Bzinkovskaya. р-n Junctions in the surface region of silicon obtained by evaporation of silicon in ultrahigh vacuum.// Phys. Stat. Sol. (a).- 1978, — V.45.- P.521−527.
  85. V. G. Lifshits, V.G. Zavodinskii and N.I. Plusnin, Poverchnost, 3 (1983) 82
  86. N.I. Plusnin, N.G. Galkin, A.N. Kamenev, V.G. Lifshits and S.A. Lobachev.// Phys. Chem.Mech. Surf.-1989, — V.9.-P.55.
  87. L. Miglio and G. Malegori. Origin and nature of the band gap in (3-FeSi2.// Phys. Rev.-1995.- В 52, — P.1448−1451.
  88. L. Miglio, V. Meregalli. Theory of FeSi2 direct gap semiconductor on Si (100).// J. Vac. Sci. Technol. В -1998.- 16(3).- P. 1604−1609.
  89. R. Eppenga. Ab initio band-structure calculation of semiconductor |3-FeSi2.// J. Appl. Phys.-1990, — 68(6).- P.3027−3029.
  90. S, J. Clark, H.M. Al-Allak, S. Brandt, and R.A. Abram. Structure and electronic properties of p-FeSi2.// Phys. Rev. В.- 1998.- 58.- P.10 389−10 393.
  91. H. Lange, W. Henrion, B. Selle, G.-U. Reinsperger, G. Oertel, H. Von Kanel. Optical properties of P-FeSi2 films grown on Si substrates with different degree of structural perfection.//Appl. Surf. Sci.- 1996.- 102(1).- P.169−172.
  92. H. Katsumata, Y. Makita, N. Kobayashi, M. Hasegawa, H. Shibata, S. Uekusa. Synthesis of 3-FcS i2 for optical applications by Fe triple-energy ion implantation into Si (100) and Si (lll) substrates.// Thin Solid Films.-1996.- 281−282.- P.252−255.
  93. L. Wang, L. Qin, Y. Zheng, W. Shen, X. Chen, X. Lin, C. Lin, S. Zou. Optical transition properties of P-FeSi2 film Л Appl. Phys. Lett.- 1994.- 65(24).-P.3105−3107.
  94. M. Ozvold, V. Bohac, V. Casparfk, G. Leggieri, S. Luby, A. Luches, E. Majkova, P. Mrafko. The optical band gap of semiconducting iron disilicide thin films.// Thin Solid Films.-1995.- 263(1).- P.92−98.
  95. E. Arushanov, E. Bucher, Ch. Kloc, O. Kulikova, L. Kulyuk, A. Siminel. Photoconductivity in n-type P-FeSi2 single crystals.// Phys. Rev. B.-1995.- 52(1).- P.20−23.
  96. M. De Crescenzi, G. Gaggiotti, N. Motta, F. Patella, A. Balzarotti, G. Mattogno, J. Derrien. Electronic structure of epitaxial P-FeSi2 on Si (111).// Surf. Sci.-1991.- 251/252,-P.175−179.
  97. C. Giannini, S. Lagomarsino, F. Scarinci, P. Castrucci. Nature of the band gap of polycrystalline P-FeSi2 films.// Phys. Rev. B.-1992.-45(15).- P.8822−8824.
  98. M. Ozvold, V. Gasparfk, M. Dubnicka. The temperature dependence of the direct gap of P-FeSi2 films.// The Solid Films.-1997.-295(1−2).- P. 147−150.
  99. V.E. Borisenko, D.I. Zarovskii, G.V. Litvinovich, V.A. Samuilov. Optical spectroscopy of chromium silicide formed by a flash heat treatment of chromium films on silicon.// Zurn. Prikl. Spectrosk.-m6.- 44(2).- P.314−317.
  100. V. Bellani, G. Guizzetti, F. Marabelli, A. Piaggi, A. Borghesi, F. Nava, V.N. Antonov, Vl.N. Antonov, O. Jepsen, O.K. Andersen, V.V. Nemoshkalenko. Theory and experiment on the optical properties of CrSi2.// Phys. Rev. B.-1992.-46(15).- P.9380−9389.
  101. S. Halilov, E. Kulatov. Electron and optical spectra in the indirect-gap semiconductor CrSi2-H Semicond. Sci. Technol.-992.- 7(3).- P.368−372.
  102. E.N. Nikitin, V.I. Tarasov, V.K. Zaitsev. Electrical properties of some solid solutions of 3d-transition metal silicides.// Fiz. Tverdogo Tela.-1973.- 15(4).- P. 1254−1256.
  103. L.F. Mattheiss. Structural effects on the calculated semiconductor gap of CrSi2.// Phys. Rev. B.-1991.- 43(2).- P.1863−1866.
  104. H. Lange, M. Giehler, W. Henrion, F. Fenske, I. Sieber, G. Oertel. Growth and optical characterization of CrSi2 thin films.// Phys. Stat. Sol. (b).-1992.- 171.- P.63.
  105. L.Zhang, D.G. Ivey. Reaction kinetics and opticals properties of semiconducting MnSii.73 grown on <001> oriented silicon.// J. Mater. Scz'.-1991.- 2(2).- P. 116−123.
  106. А. Введение // Методы анализа поверхности / Под. Ред. А. Задерны. Пер. с англ. В .В Кораблева, Н. Н. Петрова, М.: Мир, 1979, С. 13.
  107. А., Девис Л., Палмберг П. Электронная оже-спектроскопия // Методы анализа поверхности / Под. Ред. А. Задерны, М., Мир, 1979, С.200 275.
  108. В. Г., Электронная спектроскопия и процессы на поверхности кремния, М&bdquo- Наука, 1985, 200 с.
  109. В. В., Алешин В. Г. Электронная спектроскопия кристаллов.// Киев, Наукова Думка.- 1976.-С.272−275.
  110. В.Ф., Митягин А. Ю. Дифракция медленных электронов метод исследования атомной структуры поверхностей.// Кристаллография.- 1967.- Т. 12.-№ 6, — С.1112−1134.
  111. В.Ф.Кулешов, Ю. А. Кухаренко, С. А. Фридрихов, В. И. Запорожченко, В. И. Раховский, А. Г. Наумовец, А. Е. Городецкий. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел.// М.: Наука.- 1985, — 290 с.
  112. Pendry J.B. Low electron energy diffraction. London: Acad. Press, 1974. 407 p.
  113. Palmberg P.W. Quantitative analysis of solid surfaces by Auger electron spectroscopy.// AnaLChem.- 1973, — V. 45, — № 6, — P.549A.
  114. M. Электронная дифракция и дефекты поверхности // Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности.// Под ред. Х.Ибаха. Пер. с англ. Рига: Зинатне, — 1980, — С. 153−193.
  115. Ю.А. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 252 с.
  116. Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. Радио, 1974. 252 с.
  117. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1975. 207 с.
  118. Н.Г., Иванов В. А., Конченко А. В., Горошко Д. Л. Установка для автоматизированных холловских измерений параметров двумерных материалов в условиях сверхвысокого вакуума.// Приборы и техника эксперимента.- 1999.- N 2,-С. 153−158.
  119. В.Г., Плюснин Н. И. Электронное взаимодействие и силицидообразование в системе Cr-Si(lll) на начальной стадии роста.// Поверхность.- 1984, — № 8.- С.78−85.
  120. Н.И. Измерение проводимости и холловской подвижности неоднородных полупроводниковых слоев произвольной формы.// ФТП, — 1970.- т.4 № 10.
  121. А.И. Емельянов, В. Л. Коньков. Влияние проводящего слоя полупроводниковых пленок на результаты зондовых измерений постоянной Холла.// Заводская лаборатория, — 1968, — Т.34, — № 7, — С.804−806.
  122. Н.Г., Лифшиц В. Г. и Плюснин Н.И. Упорядоченные поверхностные фазы в системе Cr-Si (l 11).// Поверхность. Физика, химия и механика.- 1987.- № 12, — С.50−58.
  123. Н.И., Галкин П. Г., Каменев А. Н., Лифшиц В.Г, и Лобачев С. А. Атомное перемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные стадии эпитаксии CrSi2.// Поверхность. Физика, химия и механика.- 1989.- № 9.- С.55−61.
  124. Semiconducting silicides. Ed. By V.E. Borisenko (Springer-Verlag, Berlin, 2000, 362 p.).
  125. R.W.Fathauer, P.J. Grunthaner, T.L. Lin, K.T. Chang, J.H. Mazur, D.N. Jamieson, Molecular-beam epitaxy of CrSi2 on Si (lll).// J. Vac. Sci. Technol. B.-1998.- 6(2).-P.708−712.
  126. A. Vantomme, M.-A. Nicolet, R.G. Long, J.E. Mahan. Reactive deposition epitaxy of CrSiгЛ Appl Surf. Sci.-1993, — 73.- P. 146−152.
  127. X. Chen, L. Wang, Q. Chen, R. Ni, and C. Lin. Characterization of FeSix film by codeposition on (3-FeSi2 template.// Appl. Phys. Lett.- 1996.- 68.- P.2858−2860.
  128. Ch. Stuhlmann, J. Schmidt, H. Ibach. Semiconducting iron disilicide films on silicon (111): A high-resolution electron energy loss spectroscopy study.// J. Appl. Phys.-1992.-72(12).- P.5905−5911.
  129. N.G. Galkin and N.I. Plusnin. Poverkhnost-89, Russian Symp. Proceed., V. 2, P.199−200.
  130. P. Wetzel, С. Pirri, J.С. Peruchetti, D. Bolmont, G. Gewinner. Epitaxial growth of CrSi and CrSi2 on Si (l 11).// Solid State Commun.- 1988.-65(10).- P. 1217−1220.
  131. J. Chevrier, V. Le Thanh, S. Nittsche and J. Derrien. Epitaxial growth of |3-FeSi2 on silicon (111): a real-time RHEED analysis.// Appl. Surf. Sci.- 1992, — V. 56−58, — P. 438 -443.
  132. Alvarez J., Vazquez de Parga A.L., Hinarejos J.J., de la Figuera J., Michel E.G., Ocal C., Miranda R. Initial stages of the growth of Fe on Si (l 11)7×7.// Phys.Rev.B.-1993.- 47.-P. 16 048−16 051.
  133. F.Sirotti, M. DeSantis, X. Jin, G. Rossi. Electron states of interface iron silicides on Si (l 11)7×7.//Phys. Rev. В.- 1994,-V. 49,-N. 16,-P. 11 134−11 143.
  134. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, A.V. Konchenko, V.A. Ivanov and A.S. Gouralnik. In situ Hall measurements of macroscopic electrical properties of chromium-covered Si (lll) surfaces.// Surface Review and Letters.- 1999.- V. 6, — N 1, — P.7−12.
  135. Handbook of Optical Constant of Solids, Ed. By Palik D.E.< New York, 1985
  136. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975, 432 с.
  137. Н.Г., Конченко А. В., Маслов А. М. Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома.// Физика и техника полупроводников, — 1997.- Т. 31, — № 8, — С. 969−972.
  138. С. van Opdorp, N.K.J. Kanerva. Voltage- current caracteristics and capacity of isotype heterojunctions.// Sol. St. Electron.- 1967, — V. 10, — P.401−409.
  139. В.В., Немошкаленко В. В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная теория полупроводников. Киев. Наукова Думка, 1988, 287 с.
  140. J. Szczyrbovski. Determination of optical constants of real thin films.// J.Phys. D: — 1978.-V.l 1, — P.583−593.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!