Изучение электронного и атомного строения межфазовых границ и нанослоев диэлектриков, синтезированных на кремнии

Наблюдаемая в течение многих лет тенденция уменьшения размеров металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) структур, составляющих основу интегральных схем, неизбежно требует уменьшения толщины подзатворных диэлектриков, что, в свою очередь, приводит к принципиальным ограничениям стандартных технологических процессов и круга материалов, используемых для изготовления МДП структур на кремнии. При уменьшении толщины слоя ЗЮг, применяемого в качестве подзатворного диэлектрика в МДП приборах до нескольких нанометров, резко возрастают туннельные токи утечки. Требования электрической прочности диктуют необходимость поиска диэлектриков с малой эквивалентной электрической толщиной и с существенно более высокой по сравнению с 8Ю2 диэлектрической постоянной (статическая диэлектрическая проницаемость 8Ю2 к = 3.9 [1 — 3]). Материалы с высокой диэлектрической постоянной (т.н. Ы§}1-к материалы), такие как А120з, Та205, ТЮ2, БгТЮз, 2Ю2 и НЮ2 широко исследуются в качестве альтернатив 8Ю2 для создания комплиментарных МДП структур уменьшенного размера (КМДП транзисторов размером менее 45нм).

Однако синтез предельно тонких слоистых структур сталкивается с серьезными проблемами, что обусловлено недостаточной изученностью качественно новых физических эффектов, наблюдаемых в предельно малых структурах. Ключевой проблемой становится сильная зависимость термической и химической стабильности, электрических свойств, плотности заряда на межфазовой границе и многих других параметров от химического состава и протяженности интерфейса на границе двух материалов. Динамика формирования межфазовой границы определяется целым рядом параметров, которые, безусловно, диктуются методом синтеза. Это, в свою очередь, обуславливает повышенные требования, как к технологиям формирования тонких пленок, так и к средствам исследования и диагностики их свойств.

Стала очевидной актуальность разработки новых и/или адаптации уже известных неразрушающих физических методов исследования атомной и электронной структуры поверхностной области твердых тел применительно к анализу тонких слоев диэлектрических материалов.

Среди методов получения тонких совершенных слоев твердых тел можно выделить метод магнетронного распыления, метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ), метод гидридной эпитаксии (МОСУЕ)) и метод молекулярного наслаивания (АЬО). Все перечисленные методы позволяют получать слои с точностью контроля, близкой к толщине моноатомного слоя. Каждый из них обладает своими особенностями, преимуществами и ограничениями. Возникает естественный вопрос о том, насколько различаются микроструктурой, атомным и электронным строением, фазовым химическим составом и протяженностью межфазовых границ структуры, характеризуемые одними и теми же параметрами (материал подложки, шероховатость подложки, толщина пленки, прекурсор), но синтезированные различными методами. Исследованию этого вопроса посвящена представляемая работа.

Базовым методом исследования выбрана спектроскопия отражения рентгеновских лучей, представляющая уникальные возможности для исследования структуры вещества на микроскопическом уровне. Возможность изменения глубины проникновения зондирующего пучка от нескольких нм в области полного внешнего отражения до нескольких мкм при увеличении угла скольжения позволяет проводить исследования вещества с высоким разрешением как по глубине (стратифицированные неоднородности), так и вдоль поверхности (шероховатость), что делает рентгеновское излучение незаменимым инструментом для контроля поверхностных и объемных неоднородностей нанометрового масштаба.

Для проверки, уточнения и углубления получаемых результатов использовались методы фотоэлектронной спектроскопии. Другие методы дифракционного рассеяния, рентгеновской эмиссионной спектроскопии) использовались как вспомогательные.

Целью работы было развитие и совершенствование неразрушающих методик спектроскопии отражения рентгеновских лучей и фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий для изучения электронного и атомного строения синтезированных различными методами на кремнии тонких нанослоев материалов с высокой диэлектрической постоянной, в том числе, строения и протяженности границы раздела пленка-подложка. Поэтому проведенные в работе систематические исследования нанопленок А12Оз, ТЮ2 и НГО2, синтезированных разными технологическими приемами на кремнии, представляют как фундаментальный, так и практический интерес.

Основными задачами данной работы являются:

• Анализ особенностей экстраполяции экспериментального спектра отражения оксидов на основе тяжелых металлов, для которых характерно большое количество краев поглощения. Адаптация методики расчета спектральной зависимости коэффициентов поглощения и преломления на основе экспериментальных спектров отражения при использовании дисперсионного соотношения Крамерса-Кронига на примере массивной пленки НЮ2.

• Изучение пределов чувствительности метода рентгеновской рефлектометрии к степени кристаллизации тонких диэлектрических слоев.

• Изучение влияния метода синтеза на микроструктуру пленки и химическое строение интерслоя на границе пленка-подложка.

• Изучение возможностей и применение метода фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий при изучении скрытых межфазовых границ.

• Разработка модели расчета толщин слоев, образующих многослойную структуру, на основе интенсивностей фотоэлектронных пиков.

• Систематические исследования нанопленок АЬОз, ТЮ2 и НЮ2, синтезированных разными технологическими приемами на кремнии.

Научная новизна работы во многом определяется актуальностью и новизной цели и задач, решаемых в данной работе. Основываясь на исследованиях нанослоев, проведенных неразрушающими методами спектроскопии отражения рентгеновских лучей и фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий, впервые были решены следующие задачи:

• Проанализированы особенности экстраполяции экспериментального спектра отражения в случае оксида тяжелого металла, для которого характерно большое количество краев поглощения. Произведена адаптация на случай тяжелых элементов методики расчета спектральной зависимости коэффициентов поглощения и преломления на основе экспериментальных спектров отражения при использовании дисперсионного соотношения Крамерса-Кронига на примере массивной пленки НГОг.

• Продемонстрирована возможность проведения методом рентгеновской рефлектометрии неразрушающего послойного, фазового химического анализа нанометровых пленок, включая анализ межфазовой границы пленки с подложкой.

• Показана чувствительность метода рентгеновской спектроскопии отражения к зерну кристаллизации размерами менее 2нм.

• Впервые продемонстрирована возможность проведения методом фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий неразрушающего послойного анализа многослойных структур.

• Предложена модель расчета, позволяющая устанавливать толщины слоев, входящих в состав многослойных структур, на основе измеренных интенсивностей фотоэлектронных пиков.

— 8 В результате проведения систематических исследований нанопленок А1203, ТЮ2 и НЮ2 различной толщины, синтезированных разными технологическими приемами на кремнии, были выявлены:

• Зависимость степени кристаллизации тонкой диэлектрической пленки от толщины пленки.

• Зависимость микроструктуры тонкой диэлектрической пленки, состава и протяженности межфазовой границы (пленка/подложка) от метода синтеза.

Научная и практическая ценность работы связана с тем, что проведенное развитие неразрушающих методик спектроскопии отражения рентгеновских лучей и фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий для изучения тонких нанослоев, крайне важно для их успешного применения в различных областях технологий.

Проведенные систематические исследования нанопленок А12Оз, ТЮ2 и НЮ2 различной толщины, синтезированных разными методами на кремнии позволили установить:

• С ростом толщины все исследованные аморфные пленки кристаллизуются, а в кристаллических пленках увеличивается размер зерна кристаллизации.

• Методом молекулярного наслаивания можно синтезировать слои НЮ2 в аморфной фазе толщиной порядка 20нм.

• Пленки НЮ2 имеют более резкий интерфейс в случае синтеза методом.

МН.

Также в работе продемонстрированы возможности методов рентгеновской рефлектометрии и фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий для проведения анализа нанометровых слоев. Продемонстрирована возможность выявления в тонких пленках методом спектроскопии отражения рентгеновских лучей признаков кристаллизации с размером зерна менее 2нм. Предложенная в работе модель расчета, позволяет производить оценку толщин слоев входящих в состав многослойных структур, на основе измеренных интенсивностей фотоэлектронных пиков.

В рамках данной работы были рассчитаны спектральные зависимости оптических постоянных НЮ2, в области энергий 143 — 927эВ. Как известно, спектральные зависимости оптических постоянных крайне необходимы для моделирования в рентгеновской оптике. Представлена усовершенствованная методика использования синхротронного излучения для получения спектров отражения, пригодных для проведения расчетов абсолютных значений оптических постоянных, и методика их расчета.

Достоверность полученных результатов в работе обеспечена следующими фактами:

Экспериментальные результаты получены автором с использованием, как лабораторных экспериментальных установок, так и экспериментальных станций в центре синхротронного излучения. Все использованное экспериментальное оборудование соответствуют технике современного эксперимента. Все искажения, вносимые экспериментальными установками, были учтены при измерениях и устранены в процессе обработки полученных данных. Экспериментальные результаты стабильны и воспроизводимы, вытекающие из них закономерности обоснованы и непротиворечивы.

Верность спектров поглощения, рассчитываемых на основе спектров отражения с использованием соотношения Крамерса-Кронига, подкреплена их сопоставлением со спектрами поглощения измеренными методом квантового выхода рентгеновского фотоэффекта.

Разработанная модель расчета толщины слоев, входящих в состав многослойных структур, на основе измеренных фотоэлектронных спектров, основывается на хорошо известном выражении для интенсивности фотоэлектронного пика. Полученные с помощью данной модели оценки толщин слоев хорошо согласуются со значениями, полученными другими методиками.

Всё вышеперечисленное в совокупности свидетельствует о достоверности полученных результатов и сделанных на их основании выводов.

Положения, выносимые на защиту.

1. Методика использования синхротронного излучения для получения спектров отражения, пригодных для проведения расчетов абсолютных значений оптических постоянных, и методика их расчета. Спектральные зависимости оптических постоянных НЮг, рассчитанные в области энергий 143 — 927эВ на основе экспериментальных спектров отражения.

2. Результаты систематических исследований нанопленок А1203, ТЮ2 и НЮ2 различной толщины, синтезированных разными технологическими приемами на кремнии, включая:

• Зависимость степени кристаллизации тонкой диэлектрической пленки от толщины пленки.

• Зависимость микроструктуры тонкой диэлектрической пленки, состава и протяженности межфазовой границы (пленка/подложка) от метода синтеза.

3. Чувствительность метода рентгеновской спектроскопии отражения к зерну кристаллизации размерами менее 2нм.

4. Возможность проведения методом рентгеновской рефлектометрии неразрушающего послойного, фазового химического анализа нанометровых пленок, включая межфазовую границу с подложкой.

5. Возможность проведения методом фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий неразрушающего послойного анализа многослойных структур.

— 116. Модель расчета, позволяющая устанавливать толщины слоев, входящих в состав многослойных структур, на основе измеренных интенсивностей фотоэлектронных пиков.

Апробация работы.

Материалы работы доложены и обсуждены: на Российских и Зарубежных конференциях:

• Молодежные научные конференции «Физика и прогресс» (Санкт-Петербург, 2005 и 2009).

• IV и VI Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов «РСНЭ-НАНО-2005» (Москва, 2005) и «РСНЭ-2007» (Москва, 2007), th.

• The 15 International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics «VUV15» (Berlin, 2007),.

• X-ray and Inner-Shell Processes «Х08», (Paris, 2008),.

• Int. Conference on Electronic Spectroscopy and Structure «ICESS-11», (Nara (Japan), 2009).

Основные положения диссертации опубликованы в 12-и работах.

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, «High-k gate dielectrics: Current status and materials properties considerations,» J. Appl. Phys. (2001), 89, 5243.

2. Giustino F., Bongiorno A., and Pasquarello A., J. Physics: Cond. Matter. (2005), 17, S2065.

3. Kingon A.I., Maria J.-P., and Streiffer S.K., Nature. (2000), 406, 1032.

4. Блохин MA. «Физика рентгеновских лучей.», M., Наука, (1973), 720 с.

5. Агранович В.M. Гинзбург B. J1. «Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов», М., Наука, (1979), 432 с.

6. Израилева Л. К. Боровский И.Б. Изв. АН СССР, сер.физ., (1978), 36, 438.

7. Томбулиан Д. Г. «Экспериментальные методы спектроскопиирентгеновских лучей и спектры полос валентных электронов легких элементов» Сб. Рентгеновские лучи.(1960), М., ИЛ, 468 с.

8. Немошкаленко В. В., Антонов В. Н. «Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов.» (1985), Киев, Наукова думка, 404 с.

9. Немошкаленко В. В., Алешин В. Г. «Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии.» (1974), Киев, Наукова думка, 380 с.

10. Ведринский Р. В. «Метод рассеянных волн в теории рентгеновских и электронных спектров.» Дис. докт. физ.-мат. наук., (1980), Свердловск.

11. Виноградов A.C. «Резонансы формы в ближней тонкой структуре ультрамягких рентгеновских спектров поглощения молекул и твердых тел.» Дис. докт. физ.-мат. наук., (1987), Л., ЛГУ.

12. Павлычев A.A., Виноградов A.C., Кондратьева И. В., ФТТ, (1986), 28, 2881.

13. Эйхенвальд Ф. Ф., ЖРФХО, (1909), 41, 131.

14. Ершов O.A., Чернова С. И., Опт. и спектр., (1969), 26 вып. З, 597.

15. Новожилов Ю. В., Яппа Ю. А. «Электродинамика», М., Наука, (1978), 351 с.

16. J. S. Toll, «Causality and the Dispersion Relation: Logical Foundations,» Phys. Rev., (1956), 104, 1760−1770.

17. Stern F., «Solid State Physics», (1963), 15 ed. Seitz F. and Turnbull D. (London, Academic).

18. Mansoor Sheik-Bahae, «Nonlinear Optics Basics. bCramers-Kronig Relations in Nonlinear Optics,» in Encyclopedia of Modern Optics, ed. R.D. Guenther, (2005), Academic Press, Amsterdam.

19. B.E. Асадчиков, И. В. Кожевников, Ю. С. Кривоносов, «Рентгеновские исследования поверхностных шероховатостей», Кристаллография, (2003), 48, 5, 909−924.

20. В. Е. Асадчиков, И. В. Кожевников, Ю. С. Кривоносов, «Рентгеновские исследования тонкопленочных покрытий и приповерхностных слоев твердых тел», Кристаллография, (2003), 48, 6, S1-S16.

21. Басс Ф. Г., Фукс И. М. «Рассеяние волн на статистически неровной поверхности.», (1984), М., Наука.

22. Beckmann P. and Spizzichino A. «The Scattering of Electromagnetic Waves From Rough Surfaces», (1963), Pergamon, New York.

23. Андреев A.B. «Рентгеновская оптика поверхности.» УФН, (1985), 145, вып. 1, 113.

24. Виноградов А. В., Зорев Н. Н., Кожевников И. В. и др. «Об особенностях диффузного рассеяния при отражении рентгеновского излучения.», ФИАН., (1986), № 316, 31 с.

25. Виноградов А. В., Зорев Н. Н., Кожевников И. В. и др., ЖЭТФ, (1988), 94, 203.

26. Виноградов А. В., Кожевников И. В., Труды ФИАН, (1989), 196, 1.

27. Виноградов А. В., Брытов И. А., Грудский А. Я., Коган М. Т., Кожевников И. В., Слемзин В. А., «Зеркалная ретгеновская оптика.», Ленинград, Машиностроение, (1989), 463 с.

28. Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц «Квантовая механика», Москва, Наука, (1989), 768 с.

29. J.J. Yeh, I. Lindau, Atomic Data and Nuclear Data Tables, (1985), 32, 1−155.

30. Фелдман Л., Майер Д., «Основы анализа поверхности и тонких пленок» (1989), Москва, Мир, 344 с.

31. Tanuma S., Powell C.J., Penn D.R., Surf. Interface Anal, (1993), 21, 165.

32. Tanuma S., Powell C.J., Penn D.R., Surf. Interface Anal., (2003), 35, 268−275.

33. W.H. Strehlow, E.L. Cook, J. Phys. Chem. Ref Data, (1973), 2, 163.

34. S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn, Surf. Interface Anal. (1993), 20, 77.

35. A. Jablonski, C.J. Powell, Surf Set Rep., (2002), 47, 33.

36. C.J. Powell, A. Jablonski, Surf Interface Anal., (2002), 33, 211.

37. A. Jablonski, C.J. Powell, J. Alloys Compd. (2004), 362, 26.

38. Hogrefe H., Kunz C., Appl. Opt., (1987), 26, 2851.

39. Elson J.M., Phys. Rev., (1984), B30, 5460.

40. Смирнов Л. А., Опт. и спектр (1977), 43, 3, 567.

41. A. Jablonski, S. Tougaard, J. Vac. Sci. Technol. A, (1990), 8, 106.

42. Смирнов Л. А., Сотникова Т. Д., Коган Ю. И., Опт. и спектр., (1985), 58, 400.

43. C.J. Powell, A. Jablonski, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A, (2009), 601, 54−65.

44. M. Ritala and M. Leskela, in Handbook of Thin Film Materials, edited by H. S. Nalwa, Academic Press, San Diego, (2002), vol. 1, 103−159.

45. R. L. Puurunen, Doctoral diss. «Preparation by Atomic Layer Deposition and characterization of catalyst supports surfaced with aluminum nitride», (2002).

46. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys., (2005), 97, 121 301.

47. Шевяков А. М., Кузнецова Г. Н. и Алесковский В. Б., «Химия высокотемпературных материалов», (1967), Ленинград, 149 155 с.

48. Т. Suntola and J. Antson, patent US 4 058 430, 15, (1977).

49. Фролов Ю. Г. «Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы.», М., Химия, (1989), 464 с.

50. Волкова А. Н., Малыгин А. А., Кольцов С. И. и Алесковский В. Б., Ж. Общая Химия, (1975), 3, 45.

51. S. Haukka, E.-L. Lakomaa, and A. Root, J. Phys. Chem., (1993), 97, 5085.

52. K.L. Choy, Progress in Materials Science, (2003), 48, 57−170.

53. G. B. Stringfellow, «Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice», Academic Press, New York, (1994).

54. P.J. Kelly, R.D. Arnell, Vacuum, (2000), 56, 159−172.

55. I. Safi, Surface and Coatings Technology, (2000), 127, 203−219.

56. Лукирский А. П., Брытов И. А., Комяк Н. И., Сб. Аппаратура и методы рентгеновского анализа., Вып. 2, СКБ РА, 4.

57. Лукирский А. П. «Развитие методов ультрамягкой рентгеновсксй спектроскопии и исследования различных спектров.» Дис. д. ф.-м. н., Ленинград., ЛГУ, (1964).

58. Optics beamline: http://www.bessv.de/upload/bitpdfs/D 08 lB2.pdf.

59. Reflectometer: http://www.bessy. de/iroload/bitpdfs/reflectometer .pdf.

60. F. Schafers, M. Mertin, М. Gorgoi, Rev. Sei. Instrum., (2007), 78, 123 102−1-14.

61. KMC-1: http://www.bessv.de/upload/bitpdfs/D 01 lB.pdf.

62. B.L. Henke, E.M. Gullikson, and J.C. Davis, «X-ray interactions: photoabsorption, scattering, transmission, and reflection at E=50−30 000 eV, Z=l-92», Atomic Data and Nuclear Data Tables, (1993), 54, 181−342.

63. E.M.J. Johansson et al., BESSY Annual Report, (2006), 508−509.

64. E. Holmstrom et al., Phys. Rev. Lett., (2006), 97, 266 106−1-4.

65. HIKE: http://www.bessy.de/upload/bitpdfs/hike.pdf.

66. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W. J. Qi, and J. C. Lee, «Thermal stability and electrical characteristics of ultrathin hafnium oxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing,» Appl. Phys. Lett., (2000), 76, 1926.

67. A. I. Kingon, J.-P. Maria and S. K. Streiffer, Nature, (2000), 406, 1032−1038.

68. V. V. Afanas’ev, A. Stesmans, F. Chen, X. Shi and S. A. Campbell, Appl. Phys. Lett., (2002), 81, 1053.

69. S. Capone, G. Leo, R. Rella, P. Siciliano, L. Vasanelli, M. Alvisi, L. Mirenghi and A. Rizo, J. Vac. Sci. Technol. A, (1998), 16, 3564−3568.

70. C. L. Piatt, B. Dieny and A. E. Berkowitz, Appl. Phys. Lett., (1996), 69, 2291.

71. M.L. Grilli, F. Menchini, A. Piegari, D. Alderighi, G. Toci, M. Vannini, Thin Solid Films, (2009), 517, 1731−1735.

72. P. Torchio, A. Gatto, M. Alvisi, G. Albrand, N. Kaiser and C. Amra, Appl. Opt., (2002), 41, 3256−3261.

73. E Filatova, V Lukyanov, R Barchewitz, J-M Andr’e, M Idir and Ph Stemmler, J. Phys.: Condens. Matter, (1999), 11, 3355−3370.

74. Henke B.L., American Inst, of Phys., Section IV Atomic Scattering Coefficients and Calculations, (1981), 146.

75. WebElements: http://www.webelements.com/.

76. A.M. James and M.P. Lord, «Macmillan's Chemical and Physical Data», Macmillan, London, UK, (1992).

77. E.O. Filatova, A.I. Stepanov, and V.A.Luk'yanov, Optics and Spectroscopy, (1996), 81,416−420.

78. E. O. Filatova, V. Lukyanov, C. Blessing and J. Friedrich, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., (1996), 79, 63−66.

79. Sayan S et al., 2005 Int. Conf. on Characterization and Metrology for ULSI Technology (Dallas), 92−101.

80. Ceresoli D. and Vanderbilt D., Physical Review B, (2006), 74, 125 108.

81. Lucovsky G. et al., «length scales of order and defects in nano-crystalline and non-crystalline Hf-based high/medium-k gate dielectrics», Power PointPresentation, (2007):http://isde.vanderbilt.edu/contentymuri 2007/lucovsky muri 2007.ppt.

82. McComb D.W., Physical Review B, (1996), 54, 7094.

83. Kremmer S, et al., J. Appl. Phys., (2005), 97, 74 315.

84. Stemmer S., Chen Z.Q., Zhu W.J. and Ma T. P., J. Microsc., (2003), 210, 74.

85. Lucovsky G., et al., J. Vac. Sci. Technol. B, (2004), 22, 2132.

86. Rusakov A. A., «The X-Ray Diffraction of Metals», Atomizdat, Moscow (1977).

87. Sasa Bajta, N.V. Edwardsb, Theodore E. Madey, Surface Science Reports, (2008), 63, 73−99.

88. B.V. Yakshinskiy, S. Zalkind, R.A. Bartynski and R. Caudillo, J. Phys.: Condens. Matter, (2010), 22, 84 004.

89. Guanglei Tian, et al., Optical Materials, (2006), 28, 1058−1063.

90. David P. Norton, Materials Science and Engineering R, (2004), 43, 139−247.

91. A. Fujishima, K. Hashimoto and T. Watanabe, «Ti02 Photocatalysis. Fundamentals and Applications», BKC Inc., Tokyo, (1999).

92. Jung H. S et al., Langmuir, (2008), 24, No. 6.

93. K. Eufinger et al., Applied Surface Science, (2007), 254, 148−152.

94. S.M. Karvinen, Ind. Eng. Chem. Res., (2003), 42, 1035.

95. Y. Gao, Y. Masuda, and K. Koumoto, (2004), Langmuir, 20, No. 8.

96. U. Fano and J. W. Cooper, Rev. Mod. Phys., (1968), 40, 441.

97. R. Ruus, A. Kikas, A. Saar, A. Ausmees, E. Ndmmiste, J. Aarik, A. Aidla, T. Uustared and I. Martinson., Solid State Communications, (1997), 104, No. 4, 199−203.

98. F.M.F. de Groot, et al., Phys. Rev. B, (1993), 48, 2074.

99. S. Rath, et al., Nucl. Instr. andMeth. in Phys. Res. B, (2003), 200, 248−254.

100. A. S. Vinogradov, et al., Phys. Rev. B, (2005), 71, 45 127.

101. R Brydson, et al., J. Phys.: Condens. Matter, (1989), 1797−812.

102. F.M.F. de Groot, J.C.Fuggle, B.T. Thole, G.A. Sawatzky., Phys. Rev. B, (1990), 41, 928.

103. R. W. G. Wyckoff, «Crystal Structures», New York, Wiley-Interscience, (1960).

104. J. Woning and R. A. Van Santen, Chem. Phys. Lett., (1983), 101, 541.

105. D. W. Fischer, Phys. Rev. B, (1972), 5, 11, 4219.

106. E. Stoyanov, F. Langenhorst and G. Steinle-Neumann, American Mineralogist, (2007), 92, 557.

107. E. O. Filatova, A. S. Shulakov, and V. A. Luk’yanov, Phys. Solid State, 40 (7) 1237−1240.

108. M. Abbate et al., Surface and Interface Analysis, (1992), 18, 65−69.

109. V. M. Jimenez et al., Surface and Interface Analysis, (1997), 25, 707−714.

110. D.H. Hill et al., J. Appl. Phys., (2008), 103, 93 712.

111. Downs R.T., and Hall-Wallace M., American Mineralogist, (2003), 88, 247 250.

112. I. V. Kozhevnikov, Nucl. Instrum. Methods A, (2003), 508, 519−541.

113. Patnaik P., «Handbook of inorganic chemicals», (2003).

114. G. Paglia «Determination of the Structure of y-Alumina using Empirical and First Principles Calculations Combined with Supporting Experiments», Curtin University of Technology, Perth. (2004).

115. E Filatova et al., J. Phys.: Condens. Matter, (1995), 7, 2 731 116. de Almeida RMC, Baumvol IJR. Surf. Sei. Rep., (2003), 49, 1−114.

116. Lu J, Aarik J, Sundqvist J, Kukli K, Harsta A, Carlsson JP., J. Cryst. Growth, (2005), 273,510−514.

117. Fukuda H, Yasuda M, Iwabuchi T, Ohno S., Appl. Surf Sei., (1992), 60/61, 359−366.

118. Schulmeister K, Mader W. J., Non-Cryst. Solids, (2003), 320, 143−150.

119. Stemmer S., Chen Z.Q., Zhu W.J., Ma T.P., J. Microscopy, (2003), 210, 74−792 002).

120. Parson G., Niu D., Gougoushi Т., Kelly M.J., Abatemarco Т., Proceedings of Atomic Layer Deposition Conference, (Seoul, 2002).

121. Jakschik S., et al., Appl. Surf Set, (2003), 211, 352−359.

122. Брытов И. А., Ромащенко Ю. H., ФТТ, (1978), 20, 664−672.

123. Фомичев В. А., ФТТ, (1966), 8, 2892−2899.

124. Balzarotti A., et al., Phys. Stat. Sol. (b), (1974), 63, 77−87.

125. Codling K., Madden R.P., Phys. Rev., (1968), 167, 587.

126. Swanson N, Powell CJ., Phys. Rev., (1968), 167, 592.

127. Боровский И. В, Рыдник В. И., Изв. АН СССР, сер. физ., (1967), 31, 10 091 015.

128. J.F.Moulder, W.F.Stickle, P.E.Sobol, and K.D.Bomben, «Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy», Eden Prairie, MN, USA, (1992).

129. F.J. Himpsel, F.R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J.A. Yarmoff and G. Hollinger, Phys. Rev. B, (1988), 38, 6084−6096.

130. O. Renault et al., Appl. Phys. Lett., (2002), 81(19), 3627−3629.

131. R. Tan et al., Applied Surface Science, (2005), 241, 135−140 134. «Анализ поверхности методами ожеи рентгеновской спектроскопии», ред. Бриггс Д. и Сих М. П. М., (1987), 600 с.

132. C.S. Fadley, R.J. Baird, W. Siekhaus, Т. Novakov and S.A.L. Bergstrom., J. Elec. Spectrosc., (1974), 4, 93−137.

133. P.J. Cumpson., J. Elec. Spectrosc., (1995), 73, 25−52.137. «Surface Analysis», D. Briggs and J. T. Grant, Eds., IM Publications and Surface Spectra Ltd., Chichester, (2003).

134. D. Gonbeau, et al., Surf. Sci., (1991), 254, 81.