Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью

Диссертация: Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В рамках модели простых растворов для системы Оа-1п-Р-А5−8Ь осуществлен анализ фазовых равновесий в диапазоне температур и составов гетероэпитаксиального процесса. Рассчитаны температуры и составы ликвидуса и солидуса вдоль изопериодов 1пА$ и ваБЬ. Проведено экспериментальное исследование поверхности ликвидуса указанной системы, получено хорошее соответствие расчетных и экспериментальных данных… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Получение, основные свойства и применение многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 (обзор литературы)
    • 1. 1. Закономерности изменения основных свойств многокомпонентных твердых растворов
    • 1. 2. Термодинамика многокомпонентных твердых растворов
      • 1. 2. 1. Особенности термодинамического описания фазовых диаграмм изоморфных многокомпонентных твердых растворов
      • 1. 2. 2. Определение границ существования многокомпонентных твердых растворов
      • 1. 2. 3. Межфазная поверхностная энергия границы раздела «жидкость — твердое»
    • 1. 3. Геропереходы I и II рода на основе многокомпонентных антимонидов
    • 1. 4. Применение гетероструктур на основе изоморфных многокомпонентных твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью
  • Выводы к главе 1
  • Глава 2. Фазовые превращения при жидкофазной эпитаксии пятерных твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью
    • 2. 1. Проектирование эпитаксиальных гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов с заданными свойствами
    • 2. 2. Когерентная диаграмма состояния пятерных систем
    • 2. 3. Стабилизирующее влияние упругих напряжений на период решетки пятерных твердых растворов
    • 2. 4. Термодинамические ограничения при получении полупроводниковых изоморфных систем пятерных твердых растворов
  • Выводы к главе 2
  • Глава 3. Особенности кристаллизации многокомпонентных твердых растворов А3В
    • 3. 1. Анализ фазовых равновесий в системе Са-1п-Р-А
    • 3. 2. Определение температуры ликвидуса пятерных систем на основе соединений А3В
    • 3. 3. Методы исследования гетероструктур многокомпонентных антимонидов А3В
    • 3. 4. Жидкофазная гетероэпитаксия многокомпонентных твердых растворов антимонидов
      • 3. 4. 1. Получение эпитаксиальных слоев из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
      • 3. 4. 2. Получение эпитаксиальных слоев из растворов-расплавов, обогащенных индием
  • Вывод к главе 3
  • Глава 4. Исследование свойств твердых растворов многокомпонентных * антимонидов
    • 4. 1. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава (GalnAsSb)
    • 4. 2. Структурное совершенство эпитаксиальных слоев
    • 4. 3. Фотолюминесцентные свойства твердых растворов GalnPAsSb, изопериодных GaSbHlnAs
    • 4. 4. Электролюминесценция гетероструктур GalnPAsSb/InAs
      • 4. 4. 1. Электролюминесценция изотипного Р-р гетероперехода
      • 4. 4. 2. Электролюминесценция изотипного N-n гетероперехода
      • 4. 4. 3. Электролюминесценция гомо р-n перехода в объеме твердого раствора
      • 4. 4. 4. Фотоответ roMO-P-N-перехода в объеме твердого раствора
  • Выводы к главе 4

Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Разработка волоконно-оптических линий связи третьего поколения на основе флюоридных волокон с минимальной дисперсией и минимальными оптическими потерями [1] диктует необходимость освоения средней ИК — области спектра (2−5 мкм). В этой спектральной области располагается большинство линий поглощения промышленных и природных газов, т. е. этот спектральный диапазон становится наиболее перспективным для создания медицинских приборов [2], систем лазерной спектроскопии и локации [3, 4], аппаратуры экспресс-мониторинга окружающей среды [5, 6] и т. д.

Перспективными материалами для разработки оптоэлектронной элементной базы в диапазоне 2 — 5-мкм являются узкозонные твердые растворы (TP) на основе соединений.

О с.

А В. К ним, прежде всего, относятся четырехкомпонентные твердые растворы GalnAsSb и InPAsSb. Характерной их особенностью является возможность широкого варьирования фундаментальными, а, следовательно, и функциональными свойствами в зависимости от состава и условий синтеза. Существенно меньше внимания уделяется исследованию и получению пятикомпонентных твердых растворов (ПТР), в частности GalnPAsSb, хотя их несомненное достоинство — возможность независимого изменения трех параметров: ширины запрещенной зоны, периода кристаллической решетки и коэффициента термического расширения — является определяющим при выборе материалов гетеропары для формирования гетероперехода со свойствами идеального контакта.

К началу выполнения настоящей работы в литературе имелась ограниченная.

Ч в информация по ПТР, А В в основном теоретического характера. Противоречивы и неполны сведения по термодинамике ПТР, закономерностям изменения их электрофизических свойств. Широкая область термодинамической нестабильности ПТР вносит серьезные ограничения на возможность их синтеза в заданном диапазоне составов. В диссертационной работе установлены взаимосвязи между термодинамическими параметрами компонентов, составляющих твердый раствор, фазовыми границами, условиями синтеза, исследованы закономерности эпитаксиального роста при получении гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5.

Цель работы: разработка методики получения пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5 с заданными свойствами и новых гетероструктур Са1пРАз5Ь/Са5Ь,.

Оа1пРА55Ь/1пА$ для формирования оптоэлектронных приборов (светодиодов, фотодиодов) в спектральном диапазоне 2−5 мкм.

Достижение поставленной цели осуществляли посредством:

1. Применения корректной термодинамической модели описания фазовых диаграмм ПТР;

2. Разработки термодинамического описания упругодеформированных метастабильных.

9 г систем на основе ПТР, А В и прогнозирования их параметров;

3. Исследования фазовых равновесий в системе Оа-1п-Р-А$-5Ь;

4. Анализа распределения компонентов в эпитаксиальных гетероструктурах Са1пРА55ЬЮа5Ь, Оа1пРА85Ь/1пА8;

5. Экспериментального исследования спектральных характеристик гетероструктур Са1пРА55Ь/Са8Ь, Са^РАзБЬЛпАз;

Научная новизна.

1. В рамках модели простых растворов выведены уравнения когерентной диаграммы состояния для пятерных изоморфных систем на основе соединений А3В5;

2. Рассчитано ограничение по плавкости для твердых растворов GaxIni.xPyAszSbi.y-z — изопериодных ваЗЬ, 1пАз и А1хСау1п1.х.уА5г5Ь1.2/Оа5Ь;

3. Рассмотрено стабилизирующее влияние упругих напряжений на период кристаллической решетки ПТР;

4. Выведено выражение для фактора стабилизации ПТР типа АхВ1. хСу02Е]. у2 и проведен его расчет для Са1пРА55Ь и АЮа1пРАз, изопериодных СаБЬ и ¡-пАб;

5. Обнаружено смещение максимума фотолюминесценции на 110 мэВ в сторону меньших энергий (Ьу = 580 мэВ) для Сао, 921по. о8Ро, 05А5о, о85Ьо, 87, легированного теллуром, по сравнению с нелегированным твердым раствором, что связано с переходами «зона проводимости — двукратно ионизированный акцептор».

Практическая ценность работы.

1. Разработано программное обеспечение для расчета параметров технологического процесса жидкофазной эпитаксии многокомпонентных систем А3В5;

2. Получены эпитаксиальные слои твердых растворов Gaxlni.xPyAszSbi.y.z изопериодные с: GaSb (lOO) в диапазоне составов 0.03 <х <0.05, 0.03 < у <0.1, 0.74 <0.92, 0.01 < у < 0.05, 0.15 < z < 0.16 и 0.07 < х < 0.1, 0.07 < у < 0.13, 0.77 < z < 0.81.

3. В структуре Gao.92In0.08Po.o5As0.08Sb0.87/InAs реализован гетеропереход II рода. На основе указанной системы разработана гетероструктура с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1,9 мкм.

Научные положения, вносимые на защиту.

1. Протяженность областей термодинамической нестабильности пятерных твердых растворов симбатна областям протяженности отрицательных значений величин контактного переохлаждения и фактора стабилизации, что определяется изменением кривизны зависимости свободной энергии пятерного твердого раствора от состава.

2. Область действия ограничения по плавкости изменяется в зависимости от знака упругой составляющей свободной энергии гетеросистемы. Отрицательное значение дилатационной реакции кристаллической решетки твердого раствора в системе «пленка-подложка» расширяет область действия ограничения;

3 5.

3. Ограничение по плавкости в пятерных системах на основе антимонидов, А В становится существенным, когда содержание металлического компонента (А3) в жидкой фазе снижается до 0.5 ат. дол., а концентрация одного из металлоидных компонентов (В5) увеличивается до 0.5 ат. дол.

Апробация работы.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на II Городской научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике Санкт-Петербург, 1998 г., 12th, 14th — International Conference on Crystal Growth — Jerusalem — Israel, 1998 г., Grenoble — France, 2004 г., 5th, 6th — International Conference on Intermolecular Interactions in Matter Lublin. — Poland, 1999 г., Gdansk — Poland, 2001 r. Third.

International Conference Mid-infrared Optoelectronics materials and Device (MIOMD) Aachen. — Germany, 1999 г., 2ой научной молодежной школе «Поверхность и границы раздела структур микрои наноэлектроники», Санкт-Петербург — 1999 г., Third International Workshop on Modeling in Crystal Growth. New York. — USA, 2000 г., IX, X, XI — Национальной конференции по росту кристаллов. Москва — 2000 г., 2002 г., 2004 г., 7th International Conference on Intermolecular and Magnetic Interactions in Matter. Miedzyzdroje — Poland, 2003 г., IV Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» Кисловодск-Ставрополь, 2004 г.

Публикации.

По материалам диссертации опубликована 21 печатная работа, из них — 4 статьи, тезисы к 16-ти докладам на международных, российских научно-технических конференциях, 1 учебное пособие.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения, списка литературы, включающего 225 наименований. Основная часть работы изложена на 139 страницах машинописного текста. Работа содержит 47 рисунков и 9 таблиц.

Выводы к главе 4.

1. Проведено математическое моделирование ширины запретной зоны в зависимости от состава для системы Ga-In-As-Sb. Рассчитаны параметры нелинейности интерполяционной зависимости Eg (x, y).

2. Показано, что интенсивность излучения ПТР GalnPAsSb/GaSb заметно превышает таковую для полученных ранее четверных TP GalnAsSb, имеющих близкие значения ширины запрещенной зоны. Улучшение люминесцентных свойств ПТР связано с подавлением процессов CHHS оже — рекомбинации за счет изменения зонной структуры. Это обусловлено тем, что константа спин-орбитального расщепления Aso в этих структурах больше ширины запрещенной зоны Eg. При этом процесс оже-рекомбинации с участием so-дырок подавлен. В результате резко возрастает внутренний квантовый выход излучения.

3. Данные двухкристальной рентгеновской дифрактометрии показали, что поверхность полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов GalnPAsSb, AlGaAsSb, AlInGaAsSb, изопериодные GaSb, была зеркально-гладкой, а сами гетероструктуры, имели хорошее кристаллическое совершенство.

4. Показано, что максимум фотолюминесценции ПТР Gao, 92lno, o8Po, 05Aso, o8Sbo, 87^nAs, легированного теллуром, сдвигается в сторону меньших энергий (hv = 580 мэВ) по сравнению с нелегированным ПТР на 110 мэВ, что связано с переходами «зона проводимости — двукратно ионизированный акцептор»;

5. Исследования электролюминесценции в гетероструктурах: n-InAs/P-GalnPAsSb/N-GalnPAsSb показали, что вольтамперные характеристики р-Р, p-N, n-N и n-Р структур слабо изменяются в интервале температур 77-ЗООК, что указывает на туннельный механизм протекания тока.

6. В структуре Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87/InAs реализуется разъединенный гетеропереход II рода. Об этом свидетельствует отсутствие в данной Р-n структуре выпрямляющих вольтамперных характеристик и сигнала ЭЛ в интервале температур 77-ЗООК.

7. На основе системы Ga0.92In0.08P0.05As0.0sSb0.87/InAs разработана гетероструктура с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1,9 мкм.

Заключение

.

1. Предложена методика проектирования эпитаксиальных гетероструктур на основе многокомпонентных твердых растворов соединений А3В5.

2. Выведены уравнения когерентной фазовой диаграммы и получено выражение для фактора стабилизации изоморфных твердых растворов типа AxBi.xCyDzEi.y-z. Проведен расчет величин контактного переохлаждения и фактора стабилизации для систем Са^РАвБЬ, АЮа1пАз5Ь, изопериодных ¡-пАв и ва5Ь в диапазоне температур и составов гетероэпитаксиального процесса. Показано, что значительную часть фазового пространства занимают области отрицательных значений величин контактного переохлаждения, положение которых совпадает с положением областей термодинамической неустойчивости пятикомпонентных твердых растворов, в которых фактор стабилизации также отрицателен. Это связано с изменением кривизны зависимости свободной энергии от состава твердого раствора.

3. Анализ диапазона составов, на который распространяется ограничение по плавкости, проведенный для систем Са1пРА55Ь/Са5Ь (¡-пАб) и АЮа1пА58Ь/Оа8Ь показал, что с ростом температуры область составов на которую, накладывается указанное ограничение, расширяется, а диапазон составов термодинамической неустойчивости сужается. Ограничение по плавкости может проявляться при температурах ниже температуры плавления самого легкоплавкого компонента твердого раствора, что подтверждает положение изотермы солидуса в системе АЮаТпАэЗЬ/ОаЗЬ (Т=793). Знак упругой составляющей влияет на диапазон составов твердых растворов, на который действует ограничение по плавкости: при отрицательном рассогласовании в гетеропаре Г < 0 — диапазон составов сужается, а при положительном — { >0 расширяется.

4. В рамках модели простых растворов для системы Оа-1п-Р-А5−8Ь осуществлен анализ фазовых равновесий в диапазоне температур и составов гетероэпитаксиального процесса. Рассчитаны температуры и составы ликвидуса и солидуса вдоль изопериодов 1пА$ и ваБЬ. Проведено экспериментальное исследование поверхности ликвидуса указанной системы, получено хорошее соответствие расчетных и экспериментальных данных. ф 5. Правила сингулярной полиэдрации многокомпонентных систем позволяют формировать твердые растворы Са^АвБЬ, АЮаАвЗЬ, АЮа1п8ЬА8, Са1пРА88Ь на подложке ваБЬ из растворов — расплавов, обогащенных сурьмой и твердые растворы Оа! пРА55Ь/1пА5 из растворов-расплавов, обогащенных индием. Смену области фазового пространства, из которой осуществляли кристаллизацию проводили с целью увеличения термодинамической устойчивости гетерограницы «многокомпонентный растворрасплав — бинарная подложка».

6. Проведено математическое моделирование ширины запретной зоны в зависимости от состава для системы Са1пАз8Ь/Оа8Ь при температурах 77 и 300К. Рассчитаны параметры нелинейности интерполяционной зависимости Её (х, у).

7. В гетероструктурах Са1пРА88Ь/Са8Ь интенсивность фотолюминесценции превышает аналогичную для полученных ранее гетероструктур на основе четверных твердых растворов СаЬАзБЬ/СаЗЬ, имеющих близкие значения ширины запрещенной зоны. Улучшение люминесцентных свойств ПТР связано с подавлением процессов СННБ ожерекомбинации за счет изменения зонной структуры.

8. Исследования фотолюминесценции пятерного твердого раствора Оао, 921по, о8Ро, 05А5о, о83Ьо, 87/1пА8 показали, что при легировании теллуром максимум излучения сдвигается в сторону меньших энергий по сравнению с нелегированным ПТР на 110 мэВ, что связано с переходами «зона проводимости — двукратно ионизированный акцептор».

9. Исследованы процессы электролюминесценции как для гетеропереходов подложка (1пАз) — эпитаксиальный слой (Са1пРА88Ь), так и структур с гомор-п переходами в объеме твердого раствора: п-1пА5/Р-Оа1пРА58Ь/К-Оа1пРА58Ь. Вольтамперные характеристики р-Р, р-И, п-И и п-Р структур, слабо изменялись в интервале температур 77−300К, что говорит о туннельном механизме протекания тока.

10. В Р-п гетероструктуре Gao.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87/InAs реализован разъединенный гетеропереход II рода, на что указывают вид вольт-амперных характеристик и отсутствие сигнала электролюминесценции в интервале температур 77−300К. На основе указанной системы разработана гетероструктура с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1,9 мкм.

В заключении мне бы хотелось выразить благодарность за руководство и помощь на всех этапах работы моему научному руководителю, профессору Кузнецову В.В.

Настоящая работа была бы невозможна без участия доц. Рубцова Э. Р., внесшего неоценимый вклад в разработку интерфейсов программного обеспечения.

Хочется выразить благодарность с.н.с. Васильеву В. И. за помощь в проведении экспериментов и обсуждении результатов.

Искренне признательна научной группе лаборатории инфракрасной оптоэлектроники ФТИ им. А. Ф. Иоффе — с.н.с. Матвееву Б. А., Стусю Н. М. и В. В. Шустову за совместную работу и помощь в обсуждении полученных результатов.

Я весьма признательна проф. Зегре Г. Г. за полезные обсуждения результатов диссертации.

Благодарю всех своих коллег за техническую и моральную поддержку в процессе работы над диссертацией.

Показать весь текст

Список литературы

  1. D.C. Tran, G.H. Sigel and B. Bendow Heavy metal fluoride glasses and fibers: A Review. // J. of Lightwave Technology. — 1984. — v.2 — N 5. — p. 566 — 586.
  2. Lucas J. Infrared fibers // Infr. Phys. 1985. — v.25. — N ½. — p. 277 — 281.
  3. Kavaya M. Coherent laser radar provides eye-safe operation. // Laser Focus World. 1991. -N 1. — p. 27−28.
  4. Andreev O.I., Lukin A.B., Lubchenko V.V. et al. Multipurpose miniature solid-state lasers. // J. of Optics. 1995. — № 7. — p. 71 — 77.
  5. Martinelli R.U. Mid-infrared wavelengths enhance tragegas sensing. // Laser Focus World. -1996. v.32. — N 3. — p. 77−81.
  6. Popov A.A., Sherstnev V.V., Yakovlev Yu.P., Baranov A.N. and Alibert C. Powerful mid-infrared light emitting diodes for pollution monitoring. // Electr. Lett. 1997. — v. 33, N 1. — p. 86 -88.
  7. H.C. Введение в физико-химический анализ. М.: Л.: Изд-во АН СССР, 1990. -420 с.
  8. В.Н., Селин А. А., Ханин В. А. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов // Неорг. материалы. 1982. — т. 18. — № 10. — с. 16 971 699.
  9. B.C. Сорокин, Э. Р. Рубцов Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах А3В5 // Неорг. материалы. 1993. — т. 29. — № 1. — с. 28 — 32.
  10. A.M. Многокомпонентные металлические системы с промежуточными фазами. -М.: Металлургия, 1985. 129 с.
  11. П.Захаров A.M. О полиэдрации многокомпонентных систем с изоморфными промежуточными фазами. // ЖФХ. 1978. — т. 52. — № 10. — с. 2467.
  12. В.М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. Радио, 1975 — 223 с.
  13. В.И., Кузнецов В. В., Мишурный В. А. Эпитаксия GaxIni.xAsySbi.y с использованием сурьмы в качестве рестворителя // Неорг. материалы. 1990. — т. 26. — № 1.-с. 23 — 27.
  14. Vasil’ev V.I., Deryagin A.G., Kuchinskii V.I. et. al. Low-threshold lasers based on GaSb/GalnAsSb/AlGalnAsSb double heterostructures prepared by liquid-phase epitaxy from antimony-rich fluxes //Tech. Phys. Lett. 1996. — v. 22. — p. 52 — 53.
  15. В.И., Дерягин А. Г., Кучинский В. И. и др. Свойства твердых растворов GalnAsSb в области спинодального распада, полученных из сурьмянистых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ. 1998. — т. 24. — № 6. — с. 58 -62.
  16. Долгинов J1.M., Елисеев П. Г., Исмайлов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. / Итоги науки и техники ВИНИТИ. Сер. Радиотехника, Москва. 1980. — т.21. — с. 3 — 115.
  17. В.В., Москвин П. П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия. — 1991. — 176 с.
  18. Э.Р., Сорокин B.C., Кузнецов В. В. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов А3В5. // ЖФХ. 1997. — т.71. — N 3. — с. 415 420.
  19. Adachi S. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2 4 цш optoelectronic device applications // J. Appl. Phys. — 1987.-v. 61.-N10.-p. 4869−4876.
  20. A.T., Москвин П. П., Сорокин B.C. и др. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов. // ФТП. 1981. — т.15. — N 12. — с. 2410 — 2413.
  21. Dutta P. S. and Bhat H.L. The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material // J. Appl. Phys. 1997. — v. 81. — N9. — p. 5821 — 5870.
  22. Mikhailova M.P., Titkov A.N. Type II heterojunction in the GalnAsSb/GaAs system. // Sem.Sci.Techn. 1994. — v.9. — p. 1279−1295.
  23. JI.M., Дракин A.E., Дружинина Л. В. и др. Инжекционные лазеры на основе гетероструктур AlGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/GaSb. // Труды ФИАН. 1983. — т.141. — с. 46−61.
  24. Т.И., Джуртанов Б. Е., Лагунова Т. С. и др. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава // ФТП. 1998. -т.32. — N3. — с. 278 — 284.
  25. Kranzer D. Mobility of holes of Zine-Blende III-V and II-VI compounds // Phys.Stat.Solidi (a). -1974.-v.26.-Nl.-p. 11−52.
  26. Jakovetz W., Ruhle W., Breeuningen K., et. al. Luminescence and photoconductivity of undoped p-GaSb // Phys.Stat.Sol.(a). 1980. — v. 12. — N 1. — p. 169 — 174.
  27. Brigss AG., Challis LJ. Photon scattering by acceptor defects in GaSb and GaSb-InSb alloys // J.Phys.C.Sol.St.Phys. 1969. — v.2. — N 7. — p. 1353 — 1356.
  28. Van der Meulen Y.J. Growth properties of GaSb: the struture of the residual centers 11 J.Phys.Chem.Sol. 1967.- v.28. — N 1. — p. 25 — 32.
  29. Chidley E.T., Hauwood S.К., Henriques А.В. et al. Photoluminescence of GaSb grown by metalorganic vapour phase epitaxy // Semicond.Sci.Technol. -1991. v.6. — № 1. — p. 45 — 53.
  30. Effer D.E., Effer P.J. Investigation into the apparent purity limit in GaSb // J.Phys.Chem.Sol. -1964.-v. 25.-p. 451 -460.
  31. Nakashima K. Electrical and optical studies in gallium antimonide // Jap J.Appl.Phys. 1981. -v.20. — № 4.-p. 1085- 1094.
  32. Ichimura M., Higuchi K., Wada T. et. al. Native defects in the AlxGaixSb alloy semiconductor // J Appl.Phys. 1990. — v.68. — № 12. — p. 6153 — 6158.
  33. P.X., Жегалин B.A., Чалдышев ВВ. Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb и GaSb, полученных из висмутовых растворов // ФТП. 1992. — т.26. — вып.8. — с. 1409 — 1414.
  34. Ruble W., Bimberg D. Linear and quadratic Zeeman effect of excitons bound to neutral acceptors in GaSb // Phys.Rev.B. 1975. — v. 12. — № 06. — p. 2382 — 2390.
  35. Johnson EL, Fan H. Y Impurity and exiton effects on the infrared absorption edges of III-V compounds // Phys.Rev.A.- 1965. v.139. — № 6. — p. 1991 — 2001.
  36. Guggenheim E.A. Thermodynamics. North-Holland. 3-th ed. Amsterdam.- 1957. p. 250.
  37. T.T., Крюков И. И., Лидейкис Т. П. и др. Фазовая диаграмма Ga-In-Sb для жидкостной эпитаксии. // ЖТФ. 1978. — т.48. — в.З. — с. 599 — 605.
  38. Jordan A.S., Ilegems M. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solution approximation. // J. Phys. Chem. Solids. 1975. -v.36. — N 14. — p. 329 — 342.
  39. Blom G.M., Plaskett T.S. Indium-gallium-antimonide ternary phase diagram. // J. Electrochem. Soc.- 1971.-V.118.-N ll.-p. 1831 1834.
  40. Stmgfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams. // J. Cryst. Growth. 1974. — v.27. — p. 21−34.
  41. Wu T.Y., Pearson G.L. Phase diagram, crystal growth and band structure of InxGaixAs. // J. Phys. Chem. Solids. 1972. — v.33. — N 2. — p. 409.
  42. Dolginov L.M., Eliseev P.G., Lapshin A.N. et. al. A study of phase equilibria and heterojunction in Ga-In-As-Sb quaternary system // Krist. und Technik. 1978. — v. 13. — N6. — p. 631.
  43. Jordan A.S. Activity coefficients for a regular multicomponent solution // J. Electrochem. Soc. 1972. — v. 119. — N. 1. — p. 123 — 124.
  44. Sankaran R., Antypas G.A. Liquid phase epitaxial growth of GalnAsSb on (111) GaSb // J. Cryst. Growth. 1976. — v. 36. — N.l. — p. 198.
  45. Капо Н., Miyzawa S., Sugiyama К. Liquid-phase epitaxy of GaiyInyAsxSbi. x quaternary alloyson GaSb //Jap. J. Appl. Phys. 1979. — v. 18. — N. 11. — p. 2183.
  46. Kabayashy N., Horikoshy, J. Uemura C. Liquid phase epitaxial growth of InGaAsSb/GaSb and InGaAsSb/AlGaAsSb DN wafers // Jap. J. Appl. Phys. 1979. — v. l8. — N. 11. — p. 2169 — 2170.
  47. А.Э., Гульгазов B.H., Долгинов JI.M. и др. Кристаллизация твердых растворов GaxIm.xAsySbi.y на подложках из GaSb и InAs // Неорг. материалы. 1987. — т. 23. — № 10. — с. 1610−1614.
  48. А.Н., Литвак A.M., Чернева Т. В. и др. Анализ фазовых равновесий в системе 1п-As-Sb с использованием модели квазирегулярных ассоциированных растворов // Неорг. материалы. 1990 — т. 26. — № 10. — с. 2021 — 2025.
  49. A.M., Чарыков Н. А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Неорг. материалы. 1991. — т. 27. -№ 2.-с. 225−230.
  50. Antypas G.A., Edgecumbs J. Distribution coefficientes of Ga, As and P during growth of InGaAsP laers by liquid-phase epitaxy. // J. Cryst. Growth. 1976. — v.34. — p. 132.
  51. Astles M., Hill H., Williams A.J. et. al. Studies of the InxGai.xSbyAsi.y quaternary alloy system. Liuid-phase growth and assessment. // J. Electr. Mater. 1986. — v.15. — N 1. — p. 41 — 49.
  52. A.M., Чарыков Н. А. Новый термодинамический метод расчета фазовых1 сравновесий расплав-твердое тело системы, А В // ЖФХ. 1990. — т.64. — № 9. — с. 2331 — 2337.
  53. А.А., Джуртанов Б. Е., Литвак A.M. и др. Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав твердое тело в системах А3В5 (на примере In-Ga-As-Sb) // Письма в ЖТФ. — 1989. — т. 15. — № 12. — с. 67 — 72.
  54. А.Н., Литвак A.M., Моисеев К. Д. и др. Получение твердых растворов InGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/InAs в области составов, прилегающих к InAs // ЖПХ. 1994. -т. 67.-В12.-с. 1951−1956.
  55. А.Н., Литвак A.M., Моисеев К. Д. и др. Фазовые равновесия расплав твердое тело в четырехкомпонентных системах In-Ga-As-Sb и In-As-P-Sb // ЖФХ. — 1990. — т. 64. -В.б.-с. 1651−1654.
  56. Э.Р., Кузнецов В. В., Лебедев О. А. Фазовые равновесия пятерных систем из А3В5. // Неорг. материалы. 1998. — т.34. — N 5. — с. 525 — 530.
  57. А.А., Ханин В. А. Метод расчета составов равновесных жидких и твердых фаз в многокомпонентных полупроводниковых системах // ЖФХ. 1979. — т. 53. — № 11. — с. 2734 -2740.
  58. Muller Е.К., Richards J.L. Miscibility of III-V semiconductors studied by flash evaporation. // J. Apll. Phys. 1964. — v.35. — № 4. — p. 1233.
  59. Cratton M.F., Wooley J.C. Phase diagram and lattice parameter data for GaAsySbiy system. // J. of Electr. Mater. 1973. — v.2. — № 3. — p. 455 — 463.
  60. Cratton M.F., Goondchild R.C., Juravel L.Y., Wooley J.C. Miscibility gap in the GaAsySbi. y system. // J. of Electr. Mater. 1979. — v.8. — № 1. — p. 25.
  61. Lazzari J.L., Tournie E., Piterd F. at. al. Growth limitations by the miscibility gap in liquid phase epitaxy of Gai.xInxAsySbi.y on GaSb // Meteriais Science and Engineering. 1991. — B9. — p. 125 -128.
  62. J.L.Lazzari, J.L. Lecberc, P. Grunberg at. al. Liquid phase epitaxial growth of AlGaAsSb on GaSb // J. Cryst. Growth. 1992. — v. 123. — p. 465 — 478.
  63. Onabe K. Unstabe regien quaternary InxGai.xAsySbi.y calculated using strictby regular solution approximation. // Japan J. Apll. Phys. 1982. — v.21. — № 6. — p. 964.
  64. Stringfellow G.B. Calculation of ternary phase diagrams of III-V systems // J.Phys.Chem.Solids.- 1972. -v.33. № 3. — p. 665 — 667.
  65. Stringfellow GB. Immiscibility and spinodal decomposition in III/V alloys // J. of Crystal Growth. 1983. — v.65. — p. 454 — 462.
  66. Stringfellow G.B. Miscibility gaps and spinodal decomposition in III-V quaternary alloys of the type AxByCi.x.yD //J. Appl.Phys. 1983. — v.54. — № 1. — p. 404 — 409.
  67. Karouta F., Marbeuf A., Joullie A. et. al. Low temperature phase diagram of the Gai.xInxAsySbi.y system // J. Crystal Growth. 1986. — v.79. — p. 445 — 450.
  68. Stringfellow G.B. Miscibility gaps in quaternary III-V alloys. // J. Cryst. Growth. 1982. -v.58. — p. 194 — 202.
  69. Pesseto J.R. and Stringfellow G.B. AlxGai.xAsySbi.y phase diagram. // J. Cryst. Growth. 1983.- v.62. № l.-p. 1 -6.
  70. Nakajama K., Osamura K., Yasuda K. et. al. The pseudoquaternary phase diagram calculation of Gai.xInxAsySbi.y quaternary system // J. Cryst. Growth. 1977. — v. 41. — N 1. — p. 87 — 92.
  71. А.Н., Гусейнов А. А., Литвак A.M. и др. Получение твердых растворов InGaAsSb, изопериодных с GaSb, вблизи границы области несмешиваемости // Письма в ЖТФ. 1990. -т. 16.- № 5.-с. 33−38.
  72. А.Н., Капранчик О. П., Литвак A.M. и др. Длинноволновые светодиоды на основе GalnAsSb вблизи области несмешиваемости (А=2.4−2.6 мкм, Т=300 К). // Письма в ЖТФ. 1990. — т.16. — в.24. — с. 19 — 24.
  73. И.П., Малышкин В.Г.,.Щукин В. А Спинодальный распад полупроводников А3В5 в упругоанизотропных эпитаксиальных пленках // Известия АН физическая серия. 1994. -т.58. — № 7. — с. 105 -117.
  74. A.M., Чарыков НА. Экстремальные свойства молекулярных твердых растворов, находящихся в равновесии с расплавами молекулярного состава // ЖФХ. 1992. — т.66. — В.4. — с. 923 — 929.
  75. В.Г., Щукин В. А. Развитие неоднородностей состава при послойном росте эпитаксиальной пленки твердого раствора полупроводников А3В5 // ФТП. 1993. — т.27. -№.11/12.-с. 1932- 1943.
  76. Sorokin V.S., Sorokin S.V., Semenov A. N et. al. Novel approach to the calculation of instability regions in GalnAsSb alloys // J. of Crystal Growth. 2000. — v. 216. — p. 97 — 103.
  77. Panish M.B., Ilegems M. Progress in Solid State Chemistry, eds H. Reiss, J.O. McCalolin.: Pergamon Press. 7. 1972. — 39 p.
  78. Asomoza R., Elyukhin V.A., Pena-Sierra R. Spinodal decomposition in the Ахш quaternary alloys // J. of Crystal Growth. 2001. — v. 222. — p. 58 — 63.
  79. Dewinter J.C., Pollack M.A., Srivastava A.K. et. al. Liquid phase epitaxial InxGai-xAsySbi.y lattice-matched to (100) GaSb over the 1.71 to 2.33 цт wavelength range. // J. Electr. Mater. -1985. v. 14. — N 6. — p. 729 — 747.
  80. Tournie E., Lazzari J.-L., Pitard F. et. al. 2.5 цт GalnAsSb lattice-matched to GaSb by liquid phase epitaxy. // J. Apll. Phys. 1990. — v.68. — № 11. — p. 5936 — 5938.
  81. Tournie E., Pitard F., Joullie A. et. al. High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GalnAsSb near the miscibility gap boundary. // J. Cryst. Growth. 1990. — v. 104. — p. 683 — 694.
  82. В.И., Ахмедов Д., Дерягин А. Г. и др. Гетероструктуры GalnAsSb/GaSb, выращенные в области спинодального распада методом жидкофазной эпитаксии из растворов-расплавов, обогащенных Sb // ФТП. 1999. — т. 33. — вып. 9.-е. 1134 — 1136.
  83. И.Р., Дефей Р. Химическая термодинамика. Новосибирск: Наука, 1966. — 509 с.
  84. Alperovich V.L., Bolkhovityanov Yu.B., Chikichev S.I. at. al. Strained Pseudomorphic InGaAsP/GaAs Layers: Epitaxial Growth, Electronic Properties and Photocathode Applications //
  85. P and Related Compounds Materials, Applications and Devices. (Optoelectronic properties of semiconductors and superlattices: v.9-ISSN 1023−6619, edited by M.O. Manasreh, University of New mexico, Albuquerque, USA). — 2000. — p. 652 — 723.
  86. Ilegems M., Panish M.B. Phase equilibria in III V quaternary systems application to Al-Ga-As-P. // J. Phys. Chem. Solids. — 1974. — v. 35. — N 2. — p. 409 — 420.
  87. Onabe K. Thermodynamics of the type AixBxCi. yDy III V quaternary solid solutions // J. Phys. Chem. Solids.- 1982. — v. 43. — N 11. — p. 1071 — 1086.
  88. Nahory R.E., Pollack M.A., Beebe E.D. at. al. // J. Electrochem. Soc.- 1978. v. 125. — p. 1053 -1058.
  89. Bhattacharya P.B., Srinivasa S. The role of lattice straine in the phase equilibria of III V ternary and quaternary semiconductirs // J. Appl. Phys. — 1983. — v. 54. — N 9. — p. 5090 — 5095.
  90. J. du Plessis, G. N. van Wyk, A model for surface segregation in multicomponent alloys part I: equilibrium segregation // J. Phys. Chem. Solids. — 1988. — v.49. — N 12. — p. 1441 — 1450.
  91. J. du Plessis, G. N. van Wyk, A model for surface segregation in multicomponent alloys part II: comment on other segregation analyses // J. Phys. Chem. Solids. — 1988. — V. 49. — N 12. — p. 1451 — 1458.
  92. А.И. Фазовые равновесия и поверхностные явления.: JL, Химия, — 1967.
  93. Tmar M., Gabriel A., Chatillon С. et. al. Critical analysis and optimization of the thermodynamic properties and phase diagrams in the III V compounds: the In — P and Ga — P systems // J. Crystal Growth. — 1984. — v. 68. — p. 557 — 580.
  94. Tmar M., Gabriel A., Chatillon C. et. al. Critical analysis and optimization of the thermodynamic properties and phase diagrams in the III V compounds II. The Ga — As and In -As systems // J. Crystal Growth. — 1984. — v. 69. — p. 421 — 441.
  95. Oscherin B.N. On surface energies of ANB8"N semiconducting compounds // Phys. Stat. Sol (a). 1976. — v. 34. — K181 — K186.
  96. О.Г., Здравомыслов M.B. Поверхностное натяжение сплавов галлий висмут // Поверхность. — 1996. -№ 11. — с. 15 — 19.
  97. Konig U., Keck W., Less J. Measurement of the surface tension of gallium and indium in a hydrogen atmosphere by the sessile drop method // Common Metals. 1983. — v. 90. — p. 299 — 303.
  98. T.P. (ed) GalnAsP Alloy semiconductors. 1982. — New York: Wiley
  99. Haase M., Emanuel M.A., Smith S.C. et. al. Band discontinuities in GaAs/AlxGai.xAs heterojunction photodiodes // Appl. Phys. Lett. 1987. — v. 50. — p. 404.
  100. Wilson В., Carrier dynamics and recombination mechanisms on staggered-alignment heterostructures // IEEE J. Quantum. Electron. 1988. — v. 24. — p. 1763.
  101. Ю.С. // ФТП. 1980. — т. 14. — с. 357.
  102. Kroemer Н. and Griffits G. // Electron Device Lett. 1983. — v. 4. — p. 20.
  103. Dohler G. Electron-hole subbands at the GaSb InAs interface // Surf. Sci. — 1980. — v. 98. -p. 108−116.
  104. Caine E.Y., Subbana H., Kromer H. et. al. Staggered-lineup heterojunctions as sources of tunable below-gap radiation: Experimental verification // Appl. Phys. Lett. 1984. — v. 45. — p. 1123.
  105. A.H., Чебан B.H., Баранов A.H. и др. Природа спонтанной электролюминесценции гатероструктур II типа GalnAsSb/GaSb // ФПТ. 1990. — т. 24. — с. 1056−1061.
  106. Baranov A.N., Imenkov A.N., Mikhailova М.Р. et. al. Staggered-lineup heterojunction in the system of GaSb InAs // Superlatt. Microstruct. — 1990. — v. 8. — p. 375.
  107. A.H., Джуртанов Б. Е., Именков A.H. и др. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе // ФТП. 1986. — т. 20. — в. 12. — с. 2217−2221.
  108. Андаспаева А, Баранов А. Н., Гусейнов А. и др. Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb (к = 2,2 мкм, ц = 4%, Т = 300К) // Письма в ЖТФ. 1988. — т. 14. — в. 9. — с. 845 — 849.
  109. Dawson P., Wilson В.А., Tu C. W at. al. Staggered band alignments in AlGaAs heteroj unctions and the determination of valence-band offsets // Appl. Phys. Lett. 1986. — v. 48 (8). — p. 541 — 543.
  110. Lugagne-Delpon E., Voisin P., Voos M. et. al. Observation of laser emission in an InP -AlInAs type II superlattice // Appl. Phys. Lett. 1992. — v. 60. — p. 3087.
  111. Oho H, Esaki L., Mendez E.E. Optoelectronic devices based on type II polytype Tunnel heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1992. — v. 60. — p. 3153.
  112. Lui L., Lee G.S., Marshak A.N. Band structure of InAsSb strained-layer superlattices // J. Appl. Phys. 1992. — v. 71. — p. 1842.
  113. M.A., Баранов A.H., Дмитриев А. П. и др. Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs // ФТП. 1990. — т. 24. — в. 8. — с. 1397 — 1406.
  114. А.Н., Гусейнов А. А., Рогачев А. А. и др. Локализация электронов на гетерогранице второго типа // Письма ЖЭТФ. 1988. — т.48. — В.6. — с. 342 — 344.
  115. И.А., Баранов А. Н., Мирсагатаров М. А. и др. Усиление фототока в изотипной структуре n-n GaSb-GalnAsSb // Письма ЖТФ. 1988. — т. 14. — В.5. — с. 389 — 393.
  116. Sai-Halasz G.A., Esaki L., Harrison W. InAs-GaSb superlattice energy structure and 1st semiconductor semimetal transition// Phys. Rev. 1978. — v. 18. — N6. — p. 2812 — 2816.
  117. Sasaki H., Chang L.L., Ludeke R., at. al. Ini. xGaxAs-GaSbi.yAsy heterojunction by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1977. — v. 31. — N3. — p. 212 — 213.
  118. Nakao N., Yoshida S., Gonda S Heterojunction band discontinuities of quaternary semiconductor alloys // Solid. State Commun. 1984. — v. 49. — N7. — p. 663 — 666.
  119. Srivastava A.K., Zyskind J.L., Lum R.M. et. al. Electrical characteristics of InAsSb/GaSb heterojunctions // Appl. Phys. Lett. 1986. — v. 49. — N.2. — p. 41 -43.
  120. Esaki L. A bird’s-eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells // IEEE J. Quantum Electron. 1987. — v. 22. — p. 1611 — 1624.
  121. Munekata H., Mendez E.E., lye Y. at. al. Densities and mobilities of coexisting electrons and holes in GaSb/InAs/GaSb quantum wells // Surf. Sci. 1986. — v. 174. — p. 449.
  122. Baranov A.N., Imenkov A.N., Sherstnev V.V., at. al. 2,7 3,9 цт InAsSb (P)/InAsSbP low threshold diode lasers // Appl. Phys. Lett. — 1994. — v. 64. — p. 2480 — 2482.
  123. Т.И., Лагунова T.C., Михайлова М. П. и др. «Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GalnAsSb/p-InAs» // ФТП. 1996. — т. 30. — в. 6. — с. 985 — 991.
  124. М.Р. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya et. al. Interface electroluminescence of confined carried in type-II broken-gap p-GalnAsSb/p-InAs single heterojunction // Sol. St. Electron. 1996. — v. 40. — № 1. — 8. — p. 673 — 677.
  125. H.K., Turner C.W., Liau Z.L. 3,9-|im InAsSb/AlAsSb double-heterostricture diode lasers with high output power and temperature characteristics // Appl. Phys. Lett. 1994. — 65. — p. 2251.
  126. Zegrya G.G., Andreev A.D. Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1995. — v. 67. — p. 2681 — 2683.
  127. Meyer J.R., Hoffman C.A., Bartoli at. al. Type-II quantum-well lasers for the mid-wavelength infrared // Appl. Phys. Lett. 1995. — v. 67. — p. 757 — 759.
  128. Г. Г., Михайлова М. П., Данилова Т. Н. и др. Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и InAs/GalnAsSb // ФТП. 1999. — т. 33. — в. 3. — с. 351 — 356.
  129. М., Зотова Н. В., Карандашев С. А. и др. Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP, работающих в диапазоне 3,0−3,6 мкм. // ФТП. 1999. — т. 33. — в. 2. — с. 233 — 238.
  130. Bazhenov N.L., Zegrya G.G., Mikhailova M.P. et. al. Numerical analysis of the energy-band diagram of type-II p-GalnAsSb/p-InAs heterojunction and size-quantization levels at the interface // Semicond. Sci. Technol. 2001. — v. 16. — p. 812 — 815.
  131. Moiseev K.D., Krier A., Mikhailova M.P. at. al. Interface-induced electroluminescence in the type II P-Gao.84Ino.i6Aso.22Sbo.78/n-Ino.83Gao.17Aso.82Sbo.i8 single heterojunction // J. Phys. D: Appl. Phys. -2002. v. 35 — p. 631 — 636.
  132. X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981. — т. 1, 2.
  133. Я.А., Долгинов JI.M., Дракин А. Е. и др. Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1.4 1.68 мкм. // Квантовая электроника. -1980. — т.7. — с. 91 — 96.
  134. Н.В., Бочкарев А. Э., Долгинов JI.M. и др. Инжекционные лазеры спектрального диапазона 2.0−2.4 мкм, работающие при комнатной температуре. // ЖТФ. -1988. т.58. — в.4. — с. 701 — 707.
  135. А.И., Стрельников И. А., Юнович А. Э. Исследование фотолюминесценции тройных твердых растворов Gai.xInxSb. // ФТП. 1977. — т.11. — в.11. — с. 2123 — 2127.
  136. Caneau С., Srivastava J.L., Sulhoff J.W. et. al. 2.2 цт GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers with low threshold current density. // Appl. Phys. Lett. 1987. — v.51. — N 10. — p. 764 — 766.
  137. Joullie A., Alibert C., Mani H. et. al. Characteristic temperature to of Gao.83Ino.17Aso.15Sbo.85/Alo.27Gao.73Aso.02Sbo.98 injection lasers. // Electr. Lett. 1988. — v.24. — N 17. — p. 1076 — 1077.
  138. Choi H.K. and Eglash S.J. Room temperature cw operation at 2.2 jxm of GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers growth by molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. Lett. 1991 -v.59.-N 10.-p. 1165- 1166.
  139. Caneau C., Srivastava A.K., Dentai A.G. at. al. Reduction of threshold current density of 2.2 цт GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers. // Electr. Lett. 1986. — v.22. — p. 992 — 993.
  140. Brosson P., Benoit J., Joullie A. Sermage Analysis of threshold current density in 2.2 Jim GalnAsSb/AlGaAsSb DH lasers. // Electr. Lett. 1987 — v.23. — p. 418 — 419.
  141. Grunberg P., Baranov A., Fouilant G. et. al. High-power low-threshold Gao.88ln0.12As0.10Sb0.90/Al0.47Gao.53As0.04Sb0.96 double heterostructure lasers grown by liquid phese epitaxy. // Electr. Lett. 1994. — v.30. — p. 312 — 314.
  142. Morosini M., Herrera-Peres J.-L., Loural M. et. al. A Low-threshold GalnAsSb/AlGaAsSb double heterostructure lasers grown by LPE. // IEEE J. Quantum Electron. 1993. — v.29. — p. 2103 -2108.
  143. А.Н., Джуртанов Б. Е., Именков А. Н. и др. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом // Письма в ЖТФ, 1986, т.12, в. 11, с. 664 668.
  144. Lee Н., York Р.К., Menna R.J., et. al. Connolly Room-temperature 2.78 цт AlGaAsSb/GalnAsSb quantum-well lasers. // J. Appl. Phys. Lett., 1995, v.66, N 15, pp. 1942−1944.
  145. A.A., Баранов A.H., Гусейнов A.A. и др. Высокоэффективные светодиоды на основе GalnAsSb для спектрального диапазона 1.8−2.5 мкм. // Письма в ЖТФ. 1989. -т.15.-в.18.-с. 71 -75.
  146. Г. В., Зегря Г. Г., Пихтин Н. А. и др. О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP гетеролазеров (к = 1,55 мкм) // ФТП. — 2003. — т. 37.-в. 2.-с. 243−248.
  147. Malinen J., Kansakoski М., Rikola R. et. al. LED-based NIR spectrometer module for handheld and process analyzer applications // Sensors and Actuators B. 1998. — v. 51. — p. 220 — 224.
  148. McCabe S., MacCraith B.D. Novel mid-infrared LED as a source for optical fiber gas sensing//Electron Lett. 1993. — v. 29. — p. 1719−1721.
  149. Aldridge P.K. Noninvasive monitoring of bulk polymerization using short-wavelength near-infrared spectroscopy// Anal. Chem. 1993. — v. 65. — p. 3581 — 3585.
  150. Mikhailova M.P., Litvak A.M., Andreev I. A et. al. Novel portable optical analyzers based on light emitting diodes and photodiodes in the 2−5 |im spectral range// SPIE. 1994. — v. 2504. — p. 571 -576.
  151. A.A., Баранов A.H., Гусейнов A.A. и др. Природа спонтанной электролюминесценции в гетеропереходах на основе GalnAsSb для спектрального диапазона 1,8−2,4 мкм // ФПТ. 1990. — т. 24.-в. 10.-с. 1708−1714.
  152. А.А., Степанов М. В., Шерстнев В. В. и др. Светодиоды, излучающие на 3,3 мкм для измерения метана// Письма в ЖТФ. 1997. — т. 23. — стр. 24−31.
  153. Krier A., Gao Н.Н., Sherstnev V.V. et. al. High power 4.6 |im light emitting diodes for CO detection //J. Phys. D.: Appl. Phys. 1999. — v. 32. — p. 3117 — 3121.
  154. Krier A., Sherstnev V.V. Powerful interface light emitting diodes for methane detection // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. — v. 33. — p. 101 -106.
  155. Gong X.Y., Kan H., Makino T. et. al. Yamaguchi Room temperature mid-infrared light emitting diodes from liquid-phase epitaxial InAs/InAso.89Sbo.n/InAso.8oPo.i2Sbo.o8 heterostrucrures // Japan J. Appl. Phys. 2000. — v. 39. — p. 5039 — 5043.
  156. H.B., Ильинская Н. Д., Карандашев С. А. и др. Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух // ФПТ. 2004. — т. 38. — вып. 10. — с. 1270 — 1274.
  157. В.И., Дерягин А. Г., Кучинский В. И. и др. Низкопороговые лазерные двойные гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/AlGalnAsSb, полученные методом ЖФЭ из сурьмянистых растворов-расплавов. // Письма в ЖТФ. — 1996. т.22. — в.2. — с. 15 -18.
  158. Tomasseta L.R., Law H.D., Nakano К. et. al. 1.0−1.4 jxm high speed avalanche photodiodes. //J. Appl. Phys. Lett. 1978. — v.33. — p. 416 — 417.
  159. И.А., Афраилов M.A., Баранов A.H. и др. Особенности лавинного умножения фототока в диодных структурах на основе GalnAsSb. // Сб. «Полупроводники и гетеропереходы». Таллин. — 1987. — с. 51 — 53.
  160. И.А., Афраилов М. А., Баранов А. Н. и др. Фотодиоды на основе твердых растворов GalnAsSb/GaAlAsSb.//Письма в ЖТФ. 1986.-т.12.-в.21.-с. 1311 — 1315.
  161. Baranov A.N., Imenkov A.N., Mikhailova М.Р. et. al. Lasers and avalanche photodiodes for IR fiber optic in the spectral range 2.0−2.5 цт. // Proc. SPIE. 1989. — v. 1048. — p. 188 — 194.
  162. И.А., Афраилов M.A., Баранов A.H. и др. Сверхбыстродействующий p-i-n фотодиод на основе GalnAsSb для спектрального диапазона 1.5−2.3 мкм. // Письма в ЖТФ. -1989. т.15. — в.7. — с. 15−19.
  163. Baranov A.N., Imenkov A.N., Mikhailova М.Р. et. al. Type II heterojunctions in GaSb-InAs solid solutions: physics and applications. // Proc. SPIE. 1990. — v. 1361. — p. 675 — 685.
  164. И.А., Баранов A.H., Михайлова М. П. и др. Длинноволновое излучение в фотодиодах InGaAsSb/AlGaAsSb. // Письма в ЖТФ. 1992. — т.18. — в. 17. — с. 50 — 54.
  165. Kuznetsov V.V., Rubtsov E.R., Kognovitskaya Е.А. Methodology of formation of epitaxial heterostricture with given properties // The 12th International Conf. on Crystal Growth. 1998. -Jerusalem. — 1998.-p. 480.
  166. К. Химическая термодинамика материалов. М.: Металлургия, 1989.
  167. Дж. Теория превращений в металлах и сплавах: Пер. с англ./ Под ред. А. Л. Ройтбурта. М.: Мир. — 1978, 806 с.
  168. Sonomura Н., Uda Н., Suqimura A. Acorrelation between the enthalpy of mixing and the internal strain energy in the III -V alloy semiconductor system // J. Appl. Phys. 1987. — v. 62. — N 70. — p. 4142.
  169. Martin R.M. Elastic properties of ZnS structure semiconductors //Phys. Rev.В. 1970. -v.l.-NlO.-p. 4005−4011.
  170. Mattews J.W., Mader S., Light T.B. Accommodation of misfit across the interface between crystals of semiconducting elements or compounds // J. Appl. Phys. 1970. — v. 41. — N9. — p. 3800 — 3804.
  171. В.В., Москвин П. П., Сорокин B.C. Когерентная диаграмма состояния четырехкомпонентных систем на основе соединений А3В5 // ЖФХ. № 6. — 1986. — с. 1376 -1381.
  172. В.В., Москвин П. П., Сорокин B.C. Взаимосвязь моделей массопереноса при жидкофазной эпитаксии твердых растворов // Неорган, материалы. 1988. — т.24. — № 11.-е. 1773 — 1777.
  173. Small М.В., Chez R. Growth and dissolution kinetics of ternary III-V heterostructures formed by LPE // J, Appl. Phys. — 1979. — v.50. — N8. — p. 5322 — 5330.
  174. Kuznetsov V.V., Rubtsov E.R., Ratushny V.I. et. al. On the prediction of properties of heterostructures based on quinary A3B5 solid solutions. // 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors. 1996. St Petersburg. — 1997 IOP Publishing Ltd. — P. 335 — 338.
  175. Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., Sorokin V.S. Coherent phase diagram and interface relaxation processes during LPE of A3B5 solid solutions // J. of Crystal Growth. 1988. — v.88. — p. 241.
  176. В.В., Рубцов Э. Р., Ратушный В. И., Когновицкая Е. А. Фазовые равновесия пятерных систем А3В5 с упруго-напряженной твердой фазой / Тез. докл. десятой нац. конф. по росту кристаллов. Москва. — 2002. — с. 541.
  177. В.В., Рубцов Э. Р., Ратушный В. И., Когновицкая Е. А. Фазовые равновесия пятерных систем А3В5 с упруго напряженной твердой фазой. // Кристаллография. 2004. — т. 49. — № 2. — с. 249 — 252.
  178. Э.Р., Кузнецов В. В., Ратушный В. И., Когновицкая Е. А. Когерентная фазовая диаграмма пятерных систем на основе соединений А3В5 // ЖФХ. 2003. — т. 77. — № 2. — с. 250−254.
  179. Chen А.В., Sher A., Berding М.А. Semiconductor alloy theory: internal train energy and bulk modulus. // Phys. Rev. B. 1988. — v.37. — N11. — p. 6285 — 6289.
  180. В.В., Долгинов JI.M., Лапшин А. Н. и др. Эффект стабилизации состава в эпитаксиальном слое твердого раствора. // Кристаллография. 1977. — т.22. — в.2. — с. 375 -378. ^
  181. B.C. Эффект стабилизации периода решетки в четверных твердых растворах. // Кристаллография. 1986. — т.31. — в.5. — с. 844 — 850.
  182. , Э.Р. Рубцов, Е.А. Когновицкая Эффект стабилизации периода решетки в пятерных твердых растворах А3В5 / Тез. докл. одиннадцатой нац. конф. по росту кристаллов. Москва. — 2004. — с. 432.
  183. Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной эпитаксией соединений А3В5. // Препринт 2−82. Новосибирск. — 1982. — 51 С.
  184. В.В., Рубцов Э. Р., Парфенова И. И. Определение областей нестабильности в пятерных твердых растворах на основе соединений типа А3В5// Известия ВУЗов. Цветная металлургия. 1997. — № 3. — с. 57 — 62.
  185. В.В., Когновицкая Е. А., Рубцов Э. Р. и др. Моделирование эпитаксии из жидкой фазы пятерных твердых растворов // Тез. докл. девятой нац. конф. по росту кристаллов. Москва. — 2000. с. 236.
  186. Kuznetsov V.V., Kognovitskaya Е.А., Rubtsov E.R. et. al. Modeling of epitaxial crystallization of GalnPAsSb quinary solid solutions // Third International Workshop on Modeling in Crystal Growth. New York. — 2000. — p. 98.
  187. Kognovitskaya E.A., Kuznetsov V.V. Features of the thermodynamic description of the isomorphic A3B5 solid solutions // 7th International Conference on Intermolecular and Magnetic Interactions in Matter. Miedzyzdroje. — 2003. — p. 8.
  188. В.В., Рубцов Э. Р. Эпитаксия из жидкой фазы в системе AlGalnAsSb/GaSb // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 1998. — N2. — с. 48 — 51.
  189. М.Б., Илегемс М. Фазовые равновесия в тройных системах III-V/ Материалы для оптоэлектроники, М.: Мир, 1976. с. 39 — 92.
  190. DeWinter J.C., Pollack М.А. Liquidus measurement of Ga-Sb and In-As in the 375−650°C// J. Appl. Phys. 1986. — v. 59. — N10. — p. 3593 — 3595.
  191. A.H., Кузнецов В. В., Яковлев Ю. П. и др. Жидкофазная эпитаксия изопериодических гетероструктур GaxIni.xAsySbi.y/GaSb // Неорган, материалы. 1991. т. 27. — № 4. — с. 684 — 687.
  192. Dolginov М., Druzhinina L.V., Eliseev P.G. at al // J. Quant. Electron. 1976. — v. 6. — p. 507.
  193. , В.В., Рубцов Э. Р., Когновицкая E.A Введение в физико-химический анализ: учебное пособие / СПб.: Изд-во СПбГЭТУ (ЛЭТИ), 1998. 44 с.
  194. В.П., Вигдорович В. Н. и др. Методика определения температуры ликвидуса полупроводниковых твердых растворов. // Заводе, лаборатория. 1981. — т. 47. — № 6. — с. 62 -63.
  195. В.В., Ольховик Я., Сорокин B.C. Установка для прецизионного определения температуры ликвидуса в условиях жидкофазной эпитаксии // Электронная техника, сер. 6. Материалы. 1986. — вып. 4 (215) — с. 59 — 61.
  196. А.В., Арсентьев И. Н., Мишурный В. А. и др. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов GaxIni.xP. // Письма в ЖТФ. 1976. — т. 2. — вып. 5. — с. 204 — 207.
  197. Skelton J.К., Knight J.R. Liquid-phase epitaxy of In (As, Sb) on GaSb substrates using antimony-rich melts. // Sol. St. Electron. 1985. — v. 28. — p. 1166 — 1168.
  198. H.T., Баранов A.H., Воронина Т. И. и др. Подавление природных акцепторов в GaSb. // Письма в ЖТФ. 1985. — т. 11. — вып. 2. — с. 117 — 121.
  199. В.И., Когновицкая Е. А., Кучинский В. И., и др. Получение эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов GalnAsSbP изопериодических с GaSb / IX Национальная конференция по росту кристаллов, тез. докл. Москва. — 2000. — с. 109.
  200. Kuznetsov V.V., Kognovitskaya Е.А., Rubtsov E.R. About heteroepitaxial crystallization of solid solutions GalnPAsSb / 6th International Conference on Intermolecular Interactions in Matter -Gdansk.-2001.-p. 3.
  201. В.И., Гагис Г. С., Когновицкая Е. А. и др. Смирнов Получение эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов GalnAsPSb изопериодических с GaSb // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. -№ 3.-с. 81−87.
  202. В.В., Ольховик Я., Соловьев И. В., Сорокин B.C. Кинетика гомогенного зародышеобразования в растворе-расплаве системы In-P // Неорган, материалы. 1988. — т 24. — № 5. — с. 859 — 860.
  203. Е.А., Кузнецов В. В., Рубцов Э. Р., Стусь Н. М. Особенности эпитаксии из жидкой фазы GalnPAsSb на подложках InAs и GaSb / IX Национальная конференция по росту кристаллов, тез. докл. Москва. — 2000. — с. 349.
  204. М., Зотова Н. В., Карандашев С. А. и др. Изопериодные структуры GalnPAsSb/InAs для приборов ИК оптоэлектроники // ФТП. 2002. — т.36. — вып.8. — с. 1010 -1015.
  205. Akhemedov D., Deryagin A.G., Karandashov S.A. et. al. GalnAsSb/ GaSb double heterostructure light emitting diodes fabricated by LPE from Sb-rich melts // Ninth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices. Delhi. — 1997. — pp. 65
  206. Karouta F., Mavi H., Bhan J., et. al. // Revue Phys. Appl. 1987. — v. 22. — p. 1459 — 1467.
  207. Akhmedov D., Deryagin A.G., Karandashov S. A et al. // Proc.SPIE. 1998. — v. 3316. — p. 162.
  208. Agrawal G.P., Dutta N.K. Long-Wavelength Semiconductor Lasers. Van Nostrand Reinhold, N.Y. — 1993.
  209. Quantum Well Lasers, ed. By P. S. Zory, Jr. Academic Press, Inc. — 1993.
  210. B.H., Перель В. И., Яссиевич И. Н. Безизлучательная рекомбинация в полупроводниках: СПб, Изд-во ПЙЯФ РАН. 1997. — 375 с.
  211. М. // Phys. Rev. В. 1983. — v. 28. — p. 2039.
  212. Г. Г., Полковников А. С. Механизмы оже-рекомбинации в квантовых ямах // ЖЭТФ. 1998. — т. 113.-в. 4.-с. 1491- 1521.
  213. Dutta N.K., Nelson R.J. The case for Auger recombination in Ini.xGaxAsyPj.y // J. Appl. Phys. 1982.-53.-p. 74−92.
  214. Mikhailova M.P., Moiseev K.D., Berezovets Y.A. et. al. // IEEE Proc. Optoelectron. 1998. -v. 145.-p. 269.
  215. К.Д., Торопов A.A., Терентьев Я. В. и др. Фотолюминесценция твердых растворов Gai.xInxAsySbi-y (0.08<х<0.22), изопериодных с InAs // ФТП. 2000. — т.34. — в. 12. -с. 1432 — 1437.
  216. C.L., Esaki L. // Surf. Sci. 1980. — v. 98. — p. 70.
  217. М.П., Зегря Г. Г., Моисеев К. Д. и др. Обнаружение электролюминесценции локализованных носителей в одиночных разъединенных гетеропереходах II типа р-Оа1пА83Ь/р-1пА5 // ФТП. 1995- т.29. — в. 4. — с. 687 — 696.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!