Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Диагностические методы оценки надежности интегральных схем с использованием шумовых параметров

Диссертация: Диагностические методы оценки надежности интегральных схем с использованием шумовых параметров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградацион-ные процессы в полупроводниковых приборах «(Москва, 2002; 2003; 2005 гг.) — десятой международной научно — технической конференции &bdquo-Радиолокация, навигация, связь» (13−15 апреля. Воронеж. 2004) — десятой международной научно-технической конференции студентов… Читать ещё >

Содержание

  • Общая характеристика работы
  • Глава 1. СОБСТВЕННЫЕ ШУМЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ
    • 1. 1. Виды шумов
    • 1. 2. Физические модели возникновения низкочастотных шумов
    • 1. 3. Шумы полупроводниковых изделий
      • 1. 3. 1. Шумы интегральных резисторов
      • 1. 3. 2. Шумы интегральных диодов
      • 1. 3. 3. Шумы биполярных транзисторов
      • 1. 3. 4. Шумы МДП транзисторов
      • 1. 3. 5. Влияние конструктивно-технологических факторов на уровень НЧ шума
      • 1. 3. 6. Влияние внешних дестабилизирующих факторов на значение НЧ шума ИС
    • 1. 4. Возможности НЧ шума как прогнозирующего параметра надежности полупроводниковых изделий
  • Выводы к главе 1
  • Глава 2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НИЗКОЧАСТОТНОГО ШУМА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ И ИХ РЕАЛИЗАЦИЯ
    • 2. 1. Установка для измерения низкочастотного шума
    • 2. 2. Устройство для измерения коэффициента у
    • 2. 3. Устройство для разбраковки полупроводниковых изделий по ампер- шумовым характеристикам
    • 2. 4. Установка для имитации воздействия электростатических разрядов
  • Выводы к главе 2
  • Глава 3. СПОСОБЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПО ПАРАМЕТРАМ НИЗКОЧАСТОТНОГО ШУМА
    • 3. 1. Разделение аналоговых ИС по надежности с использованием
  • НЧ шума
    • 3. 2. Разделение цифровых ИС по надежности с использованием НЧ шума
    • 3. 3. Разделение ИС по надежности с использованием НЧ шума и термоциклирования
    • 3. 4. Использование коэффициента, а для диагностики ППИ
  • Выводы к главе 3
  • Глава 4. ДИАГНОСТИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ НАДЕЖНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ШУМОВ И ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ РАЗРЯДОВ
    • 4. 1. Разделение аналоговых ИС по надежности с использованием
  • НЧ шума и ЭСР
    • 4. 2. Разделение цифровых ИС по надежности с использованием
  • НЧ шума и ЭСР
  • Выводы к главе 4

Диагностические методы оценки надежности интегральных схем с использованием шумовых параметров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Совершенствование современных электронных устройств, содержащих сотни интегральных схем (ИС), невозможно без увеличения их надежности. К качеству и надежности ИС предъявляются очень высокие требования независимо от того, в какой радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) они будут применены: для комплектации ракет, авиационных объектов, атомных электростанций или сотовой связи и бытовой техники. Подсчитано, что при доле дефектности партий ИС в пределах 0,01%, то есть одна дефектная схема на 10 000 или 100 дефектных на 1 млн. схем, процент отказов печатных плат, на которых смонтировано по 100 ИС, составит 1%. При дефектности партий ИС в пределах одного процента выход годных печатных плат составит 63,4%, то есть процент дефектных плат будет равен 36,6 [1]. По этой причине среди множества проблем современной полупроводниковой электроники особое место занимает проблема качества и надежности выпускаемых изделий. На производстве в странах с развитой электронной промышленностью (США, Япония и др.) затрачиваются огромные средства на обеспечение повышенного качества и надежности готовых изделий [2].

Современные технологические процессы изготовления ИС очень сложны. Анализ процессов показывает, что они проводятся при температурах, изменяющихся в диапазоне от -100°С (криогенное травление) до +1100°С (окисление, диффузия, отжиг после ионной имплантации и др.), при давлении от атмосферного до 10″ мм рт.ст. Столь широкие диапазоны вызваны необходимостью проведения с исходными материалами различных физических и химических процессов для получения необходимых технических характеристик ИС [3]. Известно, что на ряде технологических операциях возникают внутренние механические напряжения, изменяется структура и подвижность внутренних микродефектов, а также образуются макродефекты, наличие которых резко ухудшает надежностные характеристики ИС [1].

Исследование принципиальных основ обеспечения качества и надежности больших интегральных схем (БИС) показывает, что катастрофические причины отказов БИС и ИС малой и средней степени интеграции имеют одинаковый характер. Это дефекты кристалла (неоднородности, включения в кристалл, дефекты диффузии), утонения металлизации на ступеньках окисла, дефекты оксидного слоя, некачественная приварка проводников к контактным площадкам на кристалле и на траверсах, негерметичность и др. По сравнению с ИС малой и средней степени интеграции элементы БИС имеют меньшие размеры и расположены более плотно, поэтому БИС более чувствительны к деградационным процессам, дефектам кристалла и оксидного слоя. По этим причинам в каждой выпускаемой партии приборов, полностью соответствующей по качеству требованиям нормативно-технической документации, то есть техническим условиям (ТУ) и конструкторской документации (КД), имеются схемы, различающиеся по надежности на два и более порядка, то есть присутствуют схемы со скрытыми дефектами, которые могут отказать как в период приработки, так и в период нормальной работы, и схемы, которые обладают повышенной по сравнению с основной массой схем надежностью. Для устранения из партии потенциально ненадежных ИС проводятся сплошные отбраковочные испытания, включающие испытания при повышенной и пониженной температурах, термоциклирование, электротермотренировку (ЭТТ) и т. п.

Одной из целей производства является нахождение такого метода отбраковки полупроводниковых изделий (ППИ) в процессе их изготовления, который позволял бы, во-первых, отбраковывать потенциально ненадежные изделия, т. е. такие изделия, которые соответствуют на момент проверки всем техническим требованиям на них, но, будучи установленными в аппаратуру, через какое-то время, меньше установленного в технических условиях времени гарантийной работы, отказали. Во-вторых, заменить длительные и дорогостоящие отбраковочные испытания, в первую очередь электротермотренировку (ЭТТ), на диагностические методы контроля, которые были бы не менее эффективными, но менее трудоемкими [4].

В последние десятилетия большое применение получили неразрушающие методы диагностики надежности различных ППИ на основе измерений их низкочастотных (НЧ) шумов [5, 6, 7]. Под неразрушающими методами диагностики обычно понимают методы, которые, не изменяя качества, параметров и характеристик изделия, позволяют по косвенным признакам обнаруживать потенциально ненадежные изделия. Неразрушаю-щий контроль имеет множество преимуществ по сравнению с другими видами контроля и может непосредственно вводиться в технологические процессы производства и испытаний ИС.

В процессе производства зачастую возникает необходимость не только отбраковки потенциально ненадежных ИС, но и выделения из партии группы схем с повышенным уровнем надежности.

Поэтому считаем, что разработка новых диагностических методов с использованием НЧ шумов с целью применения их для отбраковки потенциально ненадежных ИС с высокой достоверностью, что позволило бы внедрить их в производство вместо ЭТТ, с одновременной возможностью диагностического выделения из партии ИС группы схем, имеющих повышенный уровень надежности, является в настоящее время весьма актуальным.

Работа выполнялась по теме ГБ2004;34 «Исследование полупроводниковых материалов, приборов и технологии их изготовления» раздела «Исследование надежности полупроводниковых изделий» .

Цели и задачи работы.

Целью настоящей диссертации является разработка новых диагностических способов отбраковки потенциально ненадежных логических и аналоговых ИС, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, на основе измерения параметров НЧ шумов способных заменять дорогостоящие и длительные отбраковочные испытания как при их производстве, так и на входном контроле предприятий — изготовителей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а также выделять из партии ИС группу высоконадежных схем. Для достижения этой цели в работе поставлены следующие задачи:

1. Спроектировать и разработать установки для измерения параметров НЧ шумов полупроводниковых изделий и для имитации воздействия электростатических разрядов.

2. Разработать новые способы диагностирования потенциально ненадежных ИС, основанные на измерении параметров НЧ шума.

3. Разработать способы диагностирования потенциально ненадежных ИС и выделения группы ИС повышенной надежности с использованием измерения параметров НЧ шумов до и после воздействия электростатических разрядов (ЭСР).

Научная новизна работы.

В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. На основе измерения НЧ шумов логических и аналоговых ИС, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, разработаны новые диагностические методы:

— два способа разделения ИС по надежности на основе измерения шума в цепи &bdquo-питание — общая точка" при различных напряжениях питания и различных температурах;

— два способа разделения ИС по надежности, основанных на измерении шума в цепи &bdquo-вход — общая точка" при различных напряжениях питания и различных температурах;

— два способа разделения ИС по надежности, на основе измерения показателя формы спектра НЧ шума у;

— способ разбраковки ИС с использованием НЧ шума и термоциклирования;

2. На основе измерения НЧ шумов до и после воздействии ЭСР и последующего отжига логических и аналоговых ИС, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, разработаны следующие диагностические методы:

— способ разделения ИС по надежности, основанный на измерении шума по выводам &bdquo-питание — общая точка" с воздействием ЭСР на вход ИС;

— способ разделения ИС по надежности, основанный на измерении шума по выводам &bdquo-питание — общая точка" с воздействием ЭСР в цепи питания ИС;

— способ разделения ИС по надежности, основанный на измерении шума по выводам &bdquo-вход — общая точка" с воздействием ЭСР на вход ИС;

Реализация результатов работы, практическая ценность.

1. Разработано устройство для разбраковки полупроводниковых изделий по ампер-шумовым характеристикам. На данное устройство получен патент № 2 263 326, опубл. 27.10.2005.

2. Разработано устройство для измерения показателя формы спектра НЧ шума у. На принцип, положенный в основу, подана заявка на изобретение.

3. Разработаны способы разделения полупроводниковых приборов по надежности и способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов. Получены патенты: № 2 258 234, опубл. 10.08.2005; № 2 242 018, опубл. 10.12.2004; № 2 234 104, опубл. 10.08.2004.

4. На основе измерения интенсивности шума при двух значениях прямого тока разработан способ, позволяющий отбраковать потенциально ненадежные ИС. На данный способ получен патент на изобретение № 2 278 392, опубл. 20.06.2006.

5. Разработан способ разбраковки ППИ по сравнению значений интенсивности шумов до и после термоциклирования. На данный способ подана заявка на изобретение.

6. Разработаны три новых способа разделения ИС по надежности с использованием напряжения шума при номинальном и критическом напряжениях питания, а также с использованием входных прямых рабочих токов, измеренных при разных температурах. На способы поданы заявки на изобретения.

7. Разработаны два способа разделения ИС с использованием напряжения шума и показателя формы спектра у при трех различных температурах. На разработанные способы поданы заявки на изобретения.

8. Разработаны три новых способа диагностического контроля надежности ИС с измерением напряжения шума по выводам &bdquo-питание — общая точка" и &bdquo-вход — общая точка" до и после воздействия ЭСР и последующего термического отжига.

Достоверность разработанных новых способов диагностирования подтверждена последующими испытаниями на безотказность в течение 500ч.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Принцип работы устройства для разбраковки полупроводниковых изделий по ампер-шумовым характеристикам и устройства для измерения показателя формы спектра у.

2. Два способа разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, основанных на измерении напряжения шума в цепи &bdquo-питание — общая точка" .

3. Два способа разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, с использованием напряжения шума, измеренного в цепи &bdquo-вход — общая точка" .

4. Два способа разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, на основе измерений показателя формы спектра НЧ шума у при разных температурах.

5. Способ разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, с использованием НЧ шума и термоциклирования.

6. Три способа разделения ИС по надежности, изготовленных по биполярной и МДП технологиям, с использованием напряжения шума до и после воздействии ЭСР и последующего отжига.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградацион-ные процессы в полупроводниковых приборах „(Москва, 2002; 2003; 2005 гг.) — десятой международной научно — технической конференции &bdquo-Радиолокация, навигация, связь“ (13−15 апреля. Воронеж. 2004) — десятой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов &bdquo-Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (2−3 марта Москва. 2004) — тринадцатой всероссийской межвузовской научно-технической конференции &bdquo-Микроэлектроника и информатика — 2006″ (19−21 апреля Зеленоград. 2006) — научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 2003 — 2006 гг.).

Публикации.

Основные результаты работы изложены в 18 публикациях, в том числе в 5 работах, опубликованных в реферируемых журналах, и 5 патентах РФ.

В совместных работах автору принадлежит проведение экспериментов и измерение параметров НЧ шума при различных внешних воздействиях, анализ и обобщение результатов, разработка и оформление заявок на патенты.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 125 страниц текста, включая 59 рисунков, 17 таблиц и список литературы из 102 наименований.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ.

В настоящей диссертации изложена научно-техническая разработка, обеспечивающая решение важной прикладной задачи — замене длительных и дорогостоящих отбраковочных испытаний новыми диагностическими методами контроля качества и надежности партий ИС, основанными на измерении собственных шумов, как при производстве, так и на входном контроле у изготовителей радиоэлектронной аппаратуры. В работе рассмотрены НЧ шумы логических и аналоговых ИС, выполненных по биполярной и МОП технологиям.

В диссертации получены следующие научно — технические результаты:

1. Разработана установка для разбраковки ППИ по ампер — шумовым характеристикам. На принцип, положенный в основу установки, получен патент на изобретение № 2 263 326, опуб. 27.10.2005.

2. Разработана установка для автоматического измерения показателя формы спектра НЧ шума у. На принцип, положенный в основу установки, подана заявка на изобретение.

3. По результатам составных испытаний &bdquo-контроль уровня НЧ шума + термоциклирование + контроль уровня НЧ шума" разработан способ выявления потенциально ненадежных ППИ в партии и подана заявка на изобретение.

4. Исследование зависимости уровня НЧ шума и показателя формы спектра у аналоговых и цифровых ИС, выполненных по биполярной и КМОП технологии, от разных режимов работы позволило разработать новые способы разделения партий схем по надежности. На способы поданы 6 заявок на изобретения и уже получен один патент (№ 2 278 392, опуб. 20.06.2006).

5. Разработан способ неразрушающего контроля устойчивости к вторичному пробою мощных МДП-транзисторов, на который подана заявка на изобретение.

6. На основе исследования интенсивности шума до и после воздействия ЭСР и последующего отжига предложены три новых способа разделения ИС по надежности. Данные способы позволяют не только отбраковывать потенциально ненадежные ИС, но и выделить группу ИС повышенной надежности.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.И., Ануфриев Л. П., Бордюжа О. Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства.- Мн.:Из-во «Интеграл», 1997.-390 с.
  2. М.И., Королев С. Ю., Бордюжа О. Л. Повышение надежности интегральных микросхем в процессе серийного производства // Матер, докл. науч.-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1996. С. 250−260.
  3. Rubloff G.W. Integrated processing for microelectronics science and technology // J. Research and Develop. 1992. № 2. P. 233−276.
  4. М.И., Емельянов B.A., Адамян А. Г. Диагностические методы контроля и прогнозирующей оценки надежности полупроводниковых изделий. Минск. Бел. навука 2003. — 96 с.
  5. A., Verdier F., Herrve Y. // Proc. Int. Conf. «Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations» / Eds T. Musha, S. Sato, M. Yamamoto. Kyoto, Japan, 1991. P. 73.
  6. ZhigaPskii G.P., Gal’chenko V.R. // Proc. 17th Int. Conf. «Noise and Fluctuation» / Ed. J. Sikula. Brno University of Technology, 2003. P. 749.
  7. А.П. Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума: Автореф. диссерт. на соиск. степ, к.т.н. / ВГТУ. Воронеж, 2005. 16 С.
  8. А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Радио и связь, 1988. С. 180 — 184.
  9. Ван дер Зил А. Шум (источники, описание, измерение) Пер. с англ. Под ред. А. К. Нарышкина. М.: &bdquo-Сов. радио", 1973. 228 с.
  10. Исследование и разработка методов неразрушающего контроля качества и метод их анализа отказов изделий микроэлектроники /
  11. Отчет о НИР РТ 359. Ленинград, 1984. Per. № 1 840 010 239. Науч. руков. Ю. С. Карпов (Северо — западный заочный политехнический институт).
  12. М.С. Тепловой шум в нелинейных резистивных приборах и его эквивалентное схемное представление // ТИИЭР. 1982. Т.70 № 8. С. 5 -23.
  13. Г. П. Неразрушающий контроль качества и предсказание надежности интегральных микросхем по электрическим шумам и параметрам надежности // Радиотехника и электроника. 2005. № 5. С. 1 -35.
  14. B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия. 1978 — 324 с.
  15. Ш. М. Низкочастотный токовый шум со спектром типа 1/f в твердых телах // Успехи физических наук. 1985. т. 145. Вып. 2. С. 285 -328.
  16. А.С. Низкочастотный шум свойство диссипативных систем // Мат. докл. научн. — техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1995 С. 43 — 56.
  17. Jonson J.B. The Shottky effect in low frequency circuit // Phys. Rev. 1925. V.26. P. 71−85.
  18. A.M., Кукуев И. В., Мирошникова И. Н. Фликкер эффект фликкер шума // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 2001. С. 21 -31.
  19. Т.А. Модели формирования НЧ шума в полупроводниковых приборах и определение парметров глубоких центров на их основе // Мат. докл. научн. — техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах „. М.: 2000. С. 25 — 29.
  20. Sholz. F., Hwang J.M., Schroder D.K. Low fequency noise and DLTS as semiconductor device characterization tools // Sholid. State Electron. 1988. № 6 P.205 -218.
  21. E.A., Zijstra J.J. 1/f noise in (100) n channel Si — MOSFEETs from T = 4,2K to T=295K // Sholid. State Electron. 1988. № 31. № 6. P. 1105 —1111.
  22. П.Т., Денисов A.JI., Кордюков С. И. Низкочастотные шумы диодов Шоттки // Радиотехника и электроника. 1985. Т. XXX. Вып 7. С. 1449- 1450.
  23. Pellegrini В. On mobility Auction origin of 1/f noise // Solid. State Electron. 1986, № 12. P.1279- 1287.
  24. Hsu S.T. Low frequency excess noise in metal — silicon Schottky barrier diodes // IEEE Trans. Electron Devices. 1970. № 17. P. 496 — 506.
  25. Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь. 1990. 295 с.
  26. Т.А. Обобщенная активационно дрейфовая модель формирования низкочастотного шума // Сб. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах“. М.: 1999. С. 76−81.
  27. Ambrozy A., Variance of 1/f noice // Solid. State Electron. 1988, № 9. P.1391 1396.
  28. Schiebel R.A. a model for 1/f noise of diffusion current based on surface recombination velocity and insulator trapping // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. № 5. P. 768 778.
  29. Starikov E., Shiktorov P., Grusinsky V. et // Appl. Phys. Lett. 1995. № 18. P.2361 -2363.
  30. Chen X.Y., Leys M.R. Study of 1/f noise in InP grown by CBE // Solid -State Electron. 1996, № 8. P. 1149 1153.
  31. Lauritzen P.O. Noise due to generation and recombination of carriers in p-n junction transition regions // IEEE Trans. Electron. Devices. 1966. № 10. P. 770−771.
  32. Van Vliet K.M. Noise and adminitanse of the generation recombination current involving SRH centers in the spase — charge region of junction devices // IEEE Trans. Electron. Devices. 1976. № 11. P. 1236 — 1246.
  33. A.K. Врачев A.C. Теория низкочастотных шумов M.: Энергия. 1972.- 153 с.
  34. П.Т., Холомина Т. А., Кордюков С. И. Волны объемного заряда и низкочастотный шум в барьерных слоях // В сб. &bdquo-Физика полупроводников и микроэлектроника». Рязань, 1995. С. 13 24.
  35. С.Ф. Принципы фликкер шумовой спектроскопии // Мат. докл. научн. — техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1995 С. 5 — 19.
  36. С.Ф. Что такое фликкер шум в электровакуумных системах? // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1999. С. 239 — 260.
  37. Мак Уортер. Шум 1 /f- типа и свойства поверхности — В кн.: &bdquo-Физика поверхности полупроводников». М.: Изд — во иностр. лит., 1959. 157с.
  38. F.N. 1/f noise is no surface effect // Phys. Lett. A. 1969. № 29. P. 139-140.
  39. Г. П. Избыточные шумы в структурах металл — диэлектрик — полупроводник // Радиотехника и электроника. 1999. № 12. С. 1413- 1430.
  40. Потемкин В.В. XIII Международная конференция по шумам. Паланга, май июнь 1995 // Мат. докл. научн. — техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1996. С. 5−17.
  41. А.С. О связи низкочастотного шума с устойчивостью неравновесных структур // Известия вузов. Радиофизика. 1989. № 7. С. 885−890.
  42. В.В., Степанов А. В. Шумы в физических системах и 1/f флуктуации. Обзор материалов 15-й международной конференции // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 2000. С. 5 — 15.
  43. Г. Е. Характеристики объемного и поверхностного 1/f шума в биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1996. С. 72−76.
  44. Г. Е. Импульсный шум в биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1998. С. 45 — 49.
  45. А.С. Синтез сигнала со спектром 1/f типа на основании механической модели износа // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1997. С. 114 — 121.
  46. А.А., Крутяков Л. Н. Шумы интегральных резисторов // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 2000. С. 142 — 145.
  47. Г. Е. Шумы в р-п-переходах и биполярных транзисторах, сформированных на кремниевых пластинах, имеющих свирлиевые дефекты // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1995. С. 89 — 94.
  48. Г. Е. Экспериментальное исследование рекомбинационного шума в легированных золотом кремниевых р-п-переходах // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 2001. С. 60 — 63.
  49. А.А., Крутиков JI.H. Шумы интегральных диодов // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 2001. С. 116−121.
  50. Г. Е. 1/f шум в биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1999. С. 18−25.
  51. A. Van der Ziel. Proposed discrimination between 1/f noise source in transistors // Sol. State Electron. 1982. № 2. P. 141.
  52. Г. Е., Армонавичюс В. П. 1 /f шум в кремниевых p-n-переходах и биполярных транзисторах // Сб. тез. докл. V всесоюзн. конф. &bdquo-Флуктуационные явления в физических системах». Вильнюс. 1988 С. 143−145.
  53. Сах С. Новый полупроводниковый тетрод-транзистор с управляемым поверхностным потенциалом // ТИРИ. 1961. Т. 49 № 11. С. 1883 1895.
  54. Л.А., Ткаченко Н. Н., Шемендюк А. Н. Взрывной шум в биполярных транзисторах КТЗ102 // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1991 С. 111 — 114.
  55. Л.П., Ульман Н. Н. О выборе шумовых параметров для прогнозирования отказов транзисторов // Электронная техника. Сер. 8. 1978. Вып. 7. С. 14−19.
  56. Н.Н., Паничкин А. В. Влияние гамма излучения на шумовые характеристики КМОП структур // Мат. докл. научн. — техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1995 С. 247 — 257.
  57. Meisenheimer T.L., FLeetwood D.M. Effect of radiation-induced charge on 1 If noise in MOS devices // IEEE Trans on Nuclear Science. 1990. № 6. P. 1696- 1702.
  58. H.H., Лукашев H.B. О механизме генерации избыточного шума в полупроводниковых структурах // Мат. докл. научн. техн.сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1998. С. 305 308.
  59. Г. Е. Модель 1/f шума в р-п-переходах и биполярных транзисторах // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1997 С. 50−51.
  60. Л.А., Ткаченко Н. Н., Шемендюк А. П. Дефектообразование в эпитаксиальных слоях и шумовые свойства биполярных транзисторов // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1996 С. 103- 105.
  61. А.П., Ткаченко Н. Н., Серов Л. А. Влияние технологических условий изготовления эмиттера на низкочастотные шумы биполярных транзисторов // Микроэлектроника. 1995. Т.24. № 1. С. 42−44.
  62. Т.П. Избыточные шумы МДП структур в сильных электрических полях // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1999 С. 300−312.
  63. Г. П. Избыточные шумы в конденсаторах металл -диэлектрик — полупроводник // Мат. докл. научн. — техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1998 С. 90 — 102.
  64. М.И., Ерохин В. С., Некрасов В. А. Характер изменения шумовых свойств интегральных схем типа ДТП от вида испытаний // Сб. трудов по полупроводниковым материалам, приборам и их применению. Воронеж: ВПИ, 1971. С. 182- 188.
  65. М.И., Жарких А. П. Влияние электростатических разрядов на величину низкочастотного шума однопереходных транзисторов // Техника машиностроения. 2002. № 5. С. 126.
  66. М.И., Кисурин А. А., Некрасов В. А. Информативность некоторых шумовых параметров о качестве полупроводниковых приборов // Сб. трудов по полупроводниковым материалам и их применению. Воронеж. ВПИ. 1973. С. 97−102
  67. А.И., Гуляев A.M., Короневский И. М. и др. Шумовые методы контроля высоковольтных силовых кремниевых диодов // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1996. С. 185 — 190.
  68. A.M., Короневский И. М., Кукуев И. Ю. Прогнозирование отказов диодов по шумовым и вольтфарадным характеристикам // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1997. С. 98 — 139.
  69. Гоц С. С. Динамика формирования спектров шума 1/f в субмикронных электронных системах // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах М.: 1999. С. 135 — 139.
  70. Jones В.К., Zhigal’skii G.P. // Proc. 16th Int. Conf. «Noise and Fluctuation» / Ed. J. Bosman. Florida: World Scientific, 2001. P. 73.
  71. М.И., Жарких А. П., Смирнов Д. Ю. Устройство для разбраковки полупроводниковых изделий по ампер-шумовым характеристикам // Патент РФ № 2 263 326. Опубл. 27.10.2005. Бюл. № 30.
  72. Wait J.V., Huelsman L.P., Korn G.A. Introduction to operational amplifier theory and applicatoins. New York.: McGraw-Hill. 1999. — 298 C.
  73. Horowits P., Hill W. The art of electronics. New York.: Cambridge press. 1993.-355 C.
  74. М.И., Смирнов Д. Ю., Козьяков H.H. Устройство для измерения параметра низкочастотного шума у // Мат. докл. научн. -техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 2006 С. 65 67.
  75. М.Д., Кармазин С. В., Коханов Н. Г., Склизнев С. М., Смирнов Л. П. Способ определения коэффициента шума полевых транзисторов и транзисторных структур // Патент РФ № 2 012 006. Опубл. 30.04.64. Бюл. № 8.
  76. Н.Н., Лукашев Н. В. Устройство для быстрой оценки МОП транзисторов // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1997. С. 111−113.
  77. В.А. Прибор для измерения шумовых характеристик полевых транзисторов // Авт. свид. СССР № 291 172. Опуб. 06.01.71. Бюл. № 3.
  78. С.О., Асадуллина В. Р. Устройство для измерения шумов контактов резисторов // Авт. свид. СССР № 421 942. Опуб. 30.03.74. Бюл. № 12.
  79. О.Л. Сравнение спектрального и фрактального анализа при обработке случайных процессов с интенсивностью 1/f //
  80. Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1997. С. 234 — 235.
  81. СЛ. Автоматизированная установка для измерения СПМ низкочастотных шумов // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 2004. С. 106- 109.
  82. М.И., Андреев А. В., Воронцов И. В. Воздействие электростатических разрядов на изделия электронной техники и радиоэлектронную аппаратуру. Воронеж: изд-во ВГУ. 1997 — 160 с.
  83. М.И., Емельянов В. А., Смирнов Д. Ю. Возможность отбраковки полупроводниковых приборов по уровню низкочастотного шума // Компоненты и технологии 2005. № 8. С. 198 201.
  84. Д.Ю. Разделение интегральных схем по надежности с использованием низкочастотного шума // Мат. докл. научн. техн. конф. «Микроэлектроника и информатика — 2006». 19−21 апреля Зеленоград. 2006. С. 110.
  85. М.И., Смирнов Д. Ю., Ануфриев Д. Л. Разделение интегральных схем по надежности с использованием 1/f шума // Известия вузов. Электроника. 2006. № 1. С. 84 — 89.
  86. М.И., Смирнов Д. Ю., Ануфриев Д. Л. Разделение интегральных схем по надежности с использованием шумовых параметров // Техника машиностроения. 2006. № 1. С. 17 22.
  87. Yibing S., Guangju С., Houjun W. Substrate noise coupling in mixed-signal integrated circuits // Dianzi keji daxue xuebau. Univ. electron, and Technol. China. 2000. № 2. C. 174 177.
  88. М.И., Рубцевич И. И., Смирнов Д. Ю. Способ разделения интегральных схем // Патент РФ № 2 278 392. Опубл. 20.06.2006. Бюл. № 17.
  89. Денисюк В. А, Копыл А. С. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов // Авт. свид. СССР № 490 047. Опуб. 30.10.75. Бюл.№ 40.
  90. М.И., Смирнов Д. Ю., Сегал Ю. Е., Емельянов А. В. Использование уровня шумов для контроля полупроводниковых изделий при термоциклировании // Известия вузов. Электроника. 2005. № 6. С. 89 -92.
  91. Н.Г., Врачев А. С., Чарыков Н. А. Шумовые свойства и устойчивость мощных биполярных транзисторов ко вторичному пробою // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 1995. С. 229 — 234.
  92. М.И., Ануфриев Д. Л., Смирнов Д. Ю., Николаева Е. П. Неразрушающий метод контроля устойчивости к вторичному пробою // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 2006 С. 68 — 71.
  93. М.И., Николаева Е. П., Смирнов Д. Ю. Влияние электростатических разрядов на электрические параметры ИС типа KA1034HP3 // Мат. докл. научн. техн. сем. &bdquo-Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах «. М.: 2003 С. 160 -161.
  94. Д.Ю., Горлов М. И. Влияние электростатических воздействий на интегральные схемы типа КА1034HP3 // Мат. докл. научн. техн. конф. &bdquo-Радиоэлектроника, электротехника и энергетика». 2−3 марта Москва. 2004. С. 243.
  95. .К., Горлов М. И., Смирнов Д. Ю. Расчет термических эффектов при воздействии ЭСР на биполярные транзисторы // Мат. докл. научн. техн. конф. &bdquo-Радиолокация, навигация, связь». Воронеж. 2004. С. 665−672.
  96. М.И., Строганов А. В., Смирнов Д. Ю. Прогнозирование деградации транзисторов с использованием методов теории и анализа временных рядов // Микроэлектроника. 2006. Том 35. № 3. С. 259 267.
  97. М.И., Емельянов В. А., Рубцевич И. И., Смирнов Д. Ю. Методы диагностики полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов // Микроэлектроника. 2005. Том 34. № 3. С. 27−36.
  98. М.И., Андреев А. В., Емельянов А. В., Литвиненко ДА., Смирнов Д. Ю. Способ разделения биполярных транзисторов по стабильности обратных токов // Патент РФ № 2 242 018. Опубл. 10.12.2004. Бюл. № 34.
  99. М.И., Жарких А. П., Емельянов А. В., Смирнов Д. Ю. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов // Патент РФ № 2 234 104. Опубл. 10.08.2004. Бюл. № 22.
  100. М.И., Жарких А. П., Шишкин И. А., Смирнов Д. Ю. Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности // Патент РФ № 2 258 234. Опубл. 10.08.2005. Бюл. № 22.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!