Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Лазерное возбуждение неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках

Диссертация: Лазерное возбуждение неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Среди различных экспериментальных методов исследования электронных процессов в твердых телах одним из наиболее эффективных является метод, основанный на изучении фотопроводимости. Являясь прямым методом, в котором непосредственно детектируются неравновесные носители, он позволяет получить информацию о процессах возбуждения и рекомбинации, о концентрациях и подвижностях носителей /16/. Поэтому… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. Краткий обзор работ по фотопроводимости диэлектриков
  • Введение
    • 1. 1. Ранние работы по фотопроводимости диэлектриков ц
    • 1. 2. Лазерная фотопроводимость диэлектриков
  • Вывода к главе I
  • ГЛАВА. 2. Экспериментальная установка, условия и методика проведения экспериментов по лазерной фотопроводимости
    • 2. 1. Лазерная установка
    • 2. 2. Установка для измерений фотопроводимости
    • 2. 3. Методика измерений фотопроводимости
    • 2. 4. Исследуемые кристаллы
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты по лазерной фотопроводимости широкозонных диэлектриков
    • 3. 1. Фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 0,27 мкм
    • 3. 2. Фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 0,35 мкм
    • 3. 3. Фотопроводимость кристаллов ЩР и ДКДР
    • 3. 4. Фотопроводимость кристаллов рубина и флюорита
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. Исследование эффекта фотоувлечения носителей и нелинейного поглощения излучения в щелочно-галоидных кристаллах при УФ возбуждении
    • 4. 1. Эффект увлечения электронов фотонами в щелочно-галоидных кристаллах
    • 4. 2. Нелинейное поглощение в щелочно-галоидных кристаллах лазерного излучения на длинах волн 0,35 мкм и 0,27 мкм
  • Выводы к главе 4
  • ГЛАВА 5. Кинетическая модель фотопроводимости, наблюдаемой в щелочно-галоидных кристаллах
    • 5. 1. Роль «мелких» ловушек в наблвдаемых явлениях лазерной фотопроводимости
    • 5. 2. Анализ явлений лазерной фотопроводимости при больших интенсивностях лазерного излучения
    • 5. 3. Роль дефектов в наблюдаемых явлениях лазерной фотопроводимости
  • Выводы к главе 5
  • ЗА1ШЗЧЕНИЕ.'

Лазерное возбуждение неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В последнее время вызывают большой интерес явления, обусловленные взаимодействием мощного лазерного излучения с прозрачными твердыми телами. Значение этих явлений для фундаментальной физики твердого тела несомненно, благодаря их связи со многими проблемами, такими, как многофотонные переходы, процессы генерации и рекомбинации неравновесных носителей, образование радиационных дефектов.

С прикладной точки зрения этот интерес связан, в частности, с проблемой лазерного разрушения оптических материалов, используемых в качестве активных и пассивных элементов лазерных установок.

В ряде теоретических и экспериментальных работ последних лет (см., например, /1−7/) были выяснены основные механизмы, приводящие к пробою прозрачных твердых диэлектриков в поле интенсивной электромагнитной волны. Было показано, что в большинстве практически реализуемых случаев за разрушение ответственны поглощающие включения, однако, в наиболее чистых образцах разрушение может быть связано с электронными процессами: ударной и многофотонной ионизацией. Взаимодействие между процессами многофотонного поглощения энергии и механизмами лавинного разрушения в твердых телах обсуждалось, в частности, в работах /8−11/. В недавних работах /12−14/ лазерное разрушение вследствие ударной ионизации (электронной лавины) было экспериментально обнаружено в щелочно-галоидных кристаллах.

В связи с этим детальное исследование электронных процессов, обусловливающих лазерное разрушение и определяющих предельную стойкость оптических материалов к мощному лазерному излучению, представляется весьма актуальным. Сюда относятся такие вопросы, как механизмы фотовозбуждения и рекомбинации неравновесных носителей, оценка их концентрации при различных интенсивностях и на различных частотах лазерного излучения, выяснение источников затравочных электронов /12,14,15/, включая роль многофотонной ионизации основных атомов решетки, а также роль ионизации примесей и дефектов.

Среди различных экспериментальных методов исследования электронных процессов в твердых телах одним из наиболее эффективных является метод, основанный на изучении фотопроводимости. Являясь прямым методом, в котором непосредственно детектируются неравновесные носители, он позволяет получить информацию о процессах возбуждения и рекомбинации, о концентрациях и подвижностях носителей /16/. Поэтому в настоящей работе мы использовали этот метод в качестве основного при исследовании механизмов фотовозбуждения и рекомбинации носителей в широкозонных диэлектриках в УФ диапазоне.

Отметим, что при исследовании механизмов оптического разрушения прозрачных диэлектриков явление фотопроводимости практически не рассматривалось. Нам известны лишь две работы /17, 18/, где в очень небольшом интервале интенсивностей лазерного излучения, почти на самом пороге оптического разрушения наблюдалась объемная фотопроводимость рубина на длине волны 0,69 мкм, и более поздняя работа /19/, где на длине волны не од игрового лазера в результате исследования фотоотклика была выявлена динамика лазерного разрушения кристалла КДР.

Для более надежной интерпретации представляемых в настоящей работе результатов по фотопроводимости и выводов относительно механизмов фотовозбуждения и рекомбинации неравновесных носителей мы провели исследования (в щелочно-галоидных кристаллах в УФ диапазоне) эффекта фотонного увлечения носителей, до этого в диэлектрических кристаллах не наблюдавшегося, и нелинейного поглощения лазерного излучения.

Для изучения особенностей эффекта увлечения была разработана оригинальная методика, позволяющая измерять величину напряженности поля эффекта и получать ее зависимость от интенсивности лазерного излучения. Путем применения в наших экспериментах оптоакустического метода, обладающего высокой чувствительностью, нелинейное поглощение энергии, связанное с многофотонными переходами, удалось наблюдать при интенсивностях излучения, которые на несколько порядков ниже, чем пороговые для лазерного разрушения /12,20/.

Следует подчеркнуть, что исследования эффекта увлечения носителей светом и нелинейного поглощения были проведены на тех же длинах волн и на тех же образцах, на которых изучалась фотопроводимость, что позволило корректно сопоставить результаты этих независимых исследований и, благодаря этому, сделать обоснованные выводы о механизмах фотовозбуждения и рекомбинации носителей.

Другой вопрос, относящийся к проблеме взаимодействия мощного лазерного излучения с твердыми прозрачными диэлектриками, связан с исследованиями радиационных дефектов и центров окраски. Выяснение механизмов образования дефектов под действием мощного лазерного излучения представляет очень большой интерес как для фундаментальной физики твердого тела, так и для многих практических задач. В частности, такие дефекты могут играть существенную роль в процессах деградации лазерных элементов (активных и пассивных), влиять на кинетику лазерной генерации, а с другой стороны, могут быть использованы для создания перестраиваемых лазеров на центрах окраски.

В связи с вышеизложенным, целью настоящей работы было проведение всесторонних исследований процессов фотовозбуждения неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках: под действием лазерных импульсов наносекундной длительности в УФ диапазоне путем иэ учения фотопроводимости, эффекта увлечения и нелинейного поглощения.

В качестве основных объектов исследования были выбраны нелегированные, без специально введенных примесей щелочно-га-лоидные кристаллы (j/аСв, , HBt (к!J ', CsJ ,.

СиВг. мсе), а также кристаллы КДР, ДКДР, рубин, флюорит. Этот выбор обусловлен тем, что ширина запрещенной зоны энергетических состояний для указанных кристаллов варьирует в значительных пределах (6 — 9 эВ), что позволяет проследить закономерности фотовозбуждения на частотах УФ диапазона, а с практической стороны — тем, что эти кристаллы широко используются в лазерной оптике: щелочно-галоидные кристаллы в качестве пассивных (модуляторы, окна и т. п.) и активных (лазеры на центрах окраски) элементов лазерных систем, кристаллы КДР и ДКДР в качестве нелинейных оптических преобразователей частоты, рубин и флюорит — в качестве активных лазерных элементов.

На сегодняшний день большинство экспериментальных работ по исследованию явления фотопроводимости выполнено на полупроводниковых материалах, хотя исторически сначала изучались ще-лочно-галоидные соединения, поскольку в 20−30-х годах нашего века методы синтеза монокристаллов полупроводников были еще не развиты, а использование исследуемых веществ в виде порошков вело к тому, что на их фотопроводимость оказывали сильное влияние различные контактные явления /21/.

Изучение фотопроводимости в прозрачных материалах, особенно в широкозонных кристаллах, представляет значительные экспериментальные трудности. Практическое отсутствие темновой проводимости препятствует применению обычных для полупроводников измерений фототока с использованием омических контактов. Небольшие величины коэффициентов многофотонного поглощения, глубокое залегание в запрещенной зоне ионизируемых дефектов приводят к весьма малой величине фотоотклика. Соответственно этому возрастает роль мешающих, паразитных эффектов, таких, например, как инжекция носителей из электродов или влияние поверхностной фотопроводимости. Все это, видимо, и привело к относительно небольшому числу работ, посвященных фотопроводимости широкозонных диэлектриков.

В настоящей работе большое внимание было уделено технике эксперимента и отработке методик исследования фотопроводимости, эффекта увлечения и нелинейного поглощения. Всестороннее изучение указанных явлений потребовало создания мощного одномодо-вого лазера, дающего возможность оперативно пользоваться излучением на длинах волн 1,06 мкм, 0,53 мкм, 0,35 мкм и 0,27 мкм.

Диссертационная работа состоит из Введения, пяти глав и Заключения. В конце каждой главы сформулированы краткие выводы.

Выводы к Главе 5.

В настоящей главе проведен теоретический анализ явлений лазерной фотопроводимости, наблюдаемых в щелочно-галоидных кристаллах в УФ диапазоне.

1. Подробно исследована роль ловушек с глубиной залегания в зоне, меньшей или порядка кТ и показано, что эта роль, в основном, сводится к увеличению «видимого» времени процесса линейной рекомбинации, хотя при определенных предположениях приводит к уменьшению концентрации неравновесных носителей.

2. Проанализированы экспериментальные данные по лазерной фотопроводимости при высоких интенсивноетях излучения (J > IO^Bt/cm2), в результате чего выяснена роль радиационного образования дефектов в наблюдаемых явлениях.

3. Приведена система кинетических уравнений, отражающих протекающие процессы фотовозбуждения и рекомбинации неравновесных носителей: однофотонной ионизации примесей, двухфотонной ионизации атомов кристаллической решетки, линейной и квадратичной рекомбинации, образования дефектов.

4. На основе проведенного анализа решения системы кинетических уравнений приведены зависимости, характеризующие динамику неравновесных носителей и вновь созданных дефектов во всем. f диапазоне исследуемых интенсивностей. Результаты анализа хорошо согласуются со всей совокупностью экспериментальных данных.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

С целью выяснения механизмов фотовозбуждения и рекомбинации неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках под действием лазерных импульсов наносекундной длительности в УФ диапазоне (длины волн 0,27 мкм и 0,35 мкм) проведены комплексные исследования фотопроводимости, нелинейного поглощения и эффекта увлечения носителей в не легированных щелочно-галоидных кристаллах, а также исследования фотопроводимости кристаллов КДР, ДКДР, рубина, флюорита. При этом большое внимание было уделено вопросам корректного измерения сигналов.

В результате этих исследований:

1. В щелочно-галоидных кристаллах (tictCC, КС6, KBt, К7, Csl, CsBl, R&C6), являвшихся основным, модельным объектом исследований обнаружена фотопроводимость, возбуждаемая импульсным лазерным излучением на длинах волн 0,27 мкм и 0,35 мкм. На обширном экспериментальном материале получена и детально исследована зависимость фотопроводимости от интенсивности возбуждающего лазерного излучения (3) в широком ее диапазоне 103−10®Вт/см^). Установлено, что указанная зависимость обладает рядом специфических особенностей и носит сложный характер, переходя от линейной к нелинейной, близкой к квадратичной, при Ю4-Ю5 Вт/см2 и вновь к линейной при 3~I06-I07 Вт/см2. Исходя из данных экспериментов по лазерной фотопроводимости широкозонных диэлектриков, сделана оценка величины концентрации неравновесных носителей.

2. В щелочно-галоидных кристаллах впервые обнаружен эффект необратимого увеличения проводимости после предварительного воздействия на исследуемые образцы лазерного излучения с высокой интенсивностью (3 ^ Ю7 Вт/см2). Этот эффект интерпретирован как результат образования в кристаллах устойчивых дефектов.

3. В щелочно-галоидных кристаллах (на длине волны 0,27 мкм) впервые наблюдался эффект увлечения свободных носителей светом, связанный с межзонными переходами. На основе изучения характеристик указанного эффекта экспериментально обоснован вывод о.

ТО &bdquo-О том, что при концентрациях носителей И. > 10 см существенную роль начинают играть процессы их квадратичной рекомбинации.

Получены аналитические выражения, позволяющие из данных эксперимента оценить время рекомбинации неравновесных носителей в диэлектрических кристаллах.

4. Путем исследования нелинейного поглощения энергии методами оптоакустики получено экспериментальное обоснование двухфотонного рождения электронно-дырочных пар в щелочно-галоидных кристаллах при высоких уровнях возбуждения С J > Ю^Вт/см2). Генерация акустических волн в условиях нелинейного поглощения света набдкщалась при интенсивностях излучения, которые существенно ниже пороговых для лазерного разрушения в УФ диапазоне.

Исходя из данных эксперимента, оценена величина коэффициента двухфотонного поглощения, хорошо совпадающая с результатами, полученными другими методами.

5. Сопоставление результатов исследований эффекта увлечения свободных носителей светом и нелинейного поглощения в УФ диапазоне с экспериментальными данными по лазерной фотопроводимости щелочно-галоидных кристаллов позволило выяснить, что основным механизмом фотовозбуждения неравновесных носителей при высоких интенсивностях излучения является двухфотонная ионизация (зона-зона) в присутствии квадратичной рекомбинации.

6. Проанализирована совокупность экспериментальных данных по лазерной фотопроводимости щелочно-галоидных кристаллов, в результате чего создана кинетическая модель наблюдаемых явлений, включающая процессы однофотонной ионизации примесей, двух-фотонной ионизации атомов кристаллической решетки, квадратичной и линейной рекомбинации носителей, образования дефектов. Модель хорошо объясняет всю совокупность экспериментальных данных.

7. В кристаллах КДР и ЖДР впервые наблюдалась фотопроводимость на длине волны 0,27 мкм. Получена и исследована зависимость фотопроводимости от интенсивности возбуждающего лазерного излучения в широком диапазоне значений. Показано, что характер этой зависимости свидетельствует о реализации в КДР (ДКДР) двух-фотонных процессов возбуждения носителей при Л ^ 5"10® Вт/см2.

Исходя из экспериментальных результатов по лазерной фотопроводимости, для КДР сделана оценка величины коэффициента двух-фотонного поглощения энергии, которая по порядку величины совпадает с данными, полученными другими авторами.

8. В кристаллах рубина (на длине волны 0,27 мкм) обнаружено падение фотопроводимости при многократном воздействии лазерного излучения постоянной интенсивности, обусловленное образованием объемного заряда. Предложен способ определения удельной объемной проводимости диэлектрических кристаллов с достаточно о большим временем максвелловской релаксации (> 10 с).

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.С. Процесс развития лавинной ионизации в твердых прозрачных диэлектриках под действием импульсов мощного лазерного излучения. — ЖЭТФ, 1974, т.67, вып.5(1.), с.1805−1817.
  2. С.И. 0 лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках, при интенсивности оптического излучения, близкой к порогу пробоя. ЖЭТФ, 1975, т.68, вып.6, с.2167−2176.
  3. А.С., Маленков А. А., Прохоров A.M. Частотная и температурная зависимости лавинной ионизации в твердых телах под действием электромагнитного поля. ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1976, т.70, вып.2, с.728−737.
  4. Manenkov A. A. New results on avalanche ionization as a laser damage mechanism in transparent solids* — Laser induced damage in Optical materials: 1977 (NBS special publication509, 455−464)" U.S.Government printing office, Washington, 1978,
  5. Liu P., Yen R., Bloembergen N. Dielectric breakdown threshold, two photon absorbtion and other optical damage mechanisms in diamond. -IEEE, J. Quant-Electron., 1978, QE-14, v, 1, № 8, p.574−576.
  6. .Г., Данилейко Ю. К., Епифанов А. С., Лобачев В. А., Маненков А. А. К механизму лазерного разрушения щелочно-галоидных кристаллов: исследование температурной зависимости порогов разрушения. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, $ 6, с.284−287.
  7. .Г., Данилейко 10. К., Епифанов А. С., Лобачев В. А., Маненков А. А., Сидорин А. В. Лазерное разрушение щелочно-га-лоидных кристаллов. ЖЭТФ, 1977, т.72, вып. З, с.1171−1181.
  8. Braunlich P,, Schmid A., Kelly P. Contribution of multi-photon absorbtion to laser intrinsic damage in NaCl. -Appl.Phys.Lett., 1975, vol.26, p.150−153*
  9. Bloembergen N. Laser-induced electric breakdown in solids.-IEEE. J.Quant.Electron., QE-10, 1975, p.375−386.
  10. Braunlich P., Schmid A., Kelly P. Starting times of laser-induced intrinsic damage in NaCl. Appl.Phys.Lett., 1975, vol.26, p.223−226.
  11. Boling N.L., Braunlich P., Schmid A., Kelly P. Statistics in laser induced dielectric breakdown. Appl.Phys.Lett., 1975, vol.27, № 3, p.191−194.
  12. Г. В., Епифанов А. С., Маненков А. А., Прохоров A.M. Статистические особенности лавинной ионизации широкозонных диэлектриков лазерным излучением в условиях недостатка затравочных электронов. ЖЭТФ, 1980, т.79, вып.6(12), с.2356−2363.
  13. .Г., Данилейко 10.К., Маненков А. А., Прохоров A.M., Сидорин А. В. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 10,6 мкм. Квантовая электроника, 1981, т.8, вып.1, с.148−153.
  14. .Г., Данилейко Ю. К., Епифанов А. С., Маненков А. А., Прохоров A.M., Сидорин А. В. Влияние УФ подсветки на пробой щелочно-галоидных кристаллов излучением С02-лазера. Квантовая электроника, 1981, т.8, вып.1, с.155−156.
  15. .Г., Е пифанов А.С., Маненков А. А., Панов А. А. Разрушение оптических материалов в скрещенных лазерных пучках на различных частотах. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1980, т.44, вып.10, с.2062−2065.
  16. Р. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЯ, 1962, 558 с.
  17. Т.П., Свириденков Э. Л. Фотопроводимость рубина при мощном облучении рубиновым ОКГ. ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1966, т. З, вып.10, с.394−398.
  18. Т.П., Савченко А. Н., Свирцденков Э. А. Световой пробой в рубине и связанные с ним эффекты. ЖЭТФ, 1968, т.54, вып.1, с.37−45.
  19. В.Н., Миллер A.M., Соустов Л. В. Динамика лазерного разрушения кристаллов КДР. ЖЭТФ, 1980, т.79, вып.5(II), с.1880−1887.
  20. .Г., Епифанов А. С., Маненков А. А., Панов А. А. Разрушение широкозонных диэлектриков УФ лазерным излучением. Квантовая электроника, 1979, т.6, & II, с.2415−2419.
  21. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., ГИФМ1, 1963, 494 с.
  22. B.C., Клышко Д. Н., Пенин А. Н. Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазера. ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1966, т. З, вып.10, с.385−389.
  23. Г. И., Кац М.Л., Никольский В. К. Многофотонное возбуждение фотопроводимости в щелочно-галоидных кристаллах лазерным излучением. ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1968, т.8, вып.4, с.174−177.
  24. Catalano I.M., Cingolani A. and Minafra A. Multiphoton transitions in ionic crystal s. Phys.Rev.B., 1972, vol.5, № 4, p.1629−1632.
  25. Ю.П. Фотопроводимость алмаза в полосе поглощения гё 2. ФН1, 1979, т.13, с.347−350.
  26. B.C., Конорова Е. А., Степанова Е. Б., Трухан Э. М. Фотопроводимость алмаза, ионно-легированного литием в НК области. ФШ, 1979, т. 13, с.1033−1036.
  27. Jain S.G., Arora N.D. Photoconductivity of potassium colloids in KBr crystals. J.Phys. and Chem. of Solids, 1976, vol.37, № 4, p.363−367.
  28. Callija J.M., Agullo-Lopez P. Photoconductivity of potassium colloids in KC1 single crystals. J.Phys.Soc. of Japan, 1974, vol.36, № 3, p.739−742.
  29. Ю.И., Писарева E.В. Кинетика фотопроводимости NaCi с агрегатными центрами окраски. ФТТ, 1977, т.19, вып.4,с.1169−1171.
  30. Кац М.Л., Гюнсбург К. Е., Голубенцева Л. И., Звездова Н. П. Влияние кислородных ионов на фотопроводимость монокристаллов KG1 И КВг. ФТТ, 1973, т.15, вып. I, с.303−305.
  31. Г. И., Кац М.Л., Никольский В. К., Медведев Б. А., Силкина Т. Г. Учет эффекта насыщения в процессах многофотонной ионизации активированных ЩПС. ФТТ, 1974, т.16, вып.1, с.293−295.
  32. Г. И., Кац М.Л. Многофотонное возбуждение и ионизация примесных центров Т1+ в ЩГК. ФТТ, 1972, т. 14, вып.5, с.1365−1368.
  33. Г. й., Кац М.Л., Никольский В. К. Многофотонная ионизация примесных центров Ag+ в кристалле kci в поле излучения ОКГ. ФТТ, 1970, т.12, вып.12, с.3393−3399.
  34. Г. И., Кац М.Л., Никольский В. К., Елистратов В. А. Многофотонное возбуждение люминесценции и фотопроводимости монокристаллов kci: ей рубиновым и неодимовым лазерами.-Изв.АН СССР, Сер.физ., 1969, т. ЗЗ, с.858−862.
  35. В.В., Карнаухов Е. Н. Фотопроводимость и запасание светосуммы, возбуждаемые в длинноволновых полосах примесного поглощения щелочно-галоидных кристаллов. ФТТ, 1981, т.23, вып.10, с.3033−3037.
  36. Bradford J.N., Williams R.T. and Faust W.L. Study of F-cen-ter formation in KCI on a picosecond time scale. Phys. Rev.Lett., 1975, vol.35, p.300−303.
  37. Williams R.T., Bradford J.N. and Faust W.L. Short-pulse optical stydies of exiton relaxation in F-center formationin NaCl, KC1 and NaBr. Phys.Rev.B., 1978, vol.18, № 12, p.7038−7057.
  38. В.И., Генкин В. Н., Миллер A.M., Соустов I.B., Экспериментальное исследование природы фотоэлектрических явлений в кристаллах КДР и ДКДР. ЖЭТФ, 1978, т.75, вып.5 (II), с.1763−1770.
  39. В.И., Генкин В. Н., Миллер A.M., Соустов JI.B. Фотоэлектрические эффекты в кристаллах КДР и ДКДР при воздействии лазерного излучения. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1979, т.43, J&2, с.309−312.
  40. .Г., Епифанов А. С., Маненков А. А., Панов А. А. Экспериментальные исследования фотопроводимости широкозонных диэлектриков, возбуждаемой УФ лазерным излучением. -ЖЭТФ, 198I, т.81, вып.4(10), с.1423−1434.
  41. Ю.П. Лазерная искра и распространение разрядов. М., Наука, 1974, 308 с.
  42. Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов. М., Наука, 1980, 415 с.
  43. И.А., Хазов Л. Д. О механизме разрушения поверхности прозрачного диэлектрика при облучении коротким световым импульсом. Квантовая электроника, 1972, Jl 4(10), с.25−31.
  44. Ohmori Y., Yasojima Y., Imuishi Y. Photoconduction, thermally stimulated liminescence and optical damage in single crystal of LiNbO^. J.Appl.Phys.of Japan, 1975, vol.14, p.1291−1300.
  45. В.A., Соловьева H.M., Уюкин Е. М. Фото- и темновая проводимости в кристаллах ниобата лития. ФТТ, 1979, т.21, вып.6, с.1879−1882.
  46. Kabler M.N., Williams R.T. Vacancy-interstitual pair production via electron-hole recombination in halide crystals.-Phys.Rev.B., 1978, vol.18, № 4, p.1948−1960.
  47. Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. М., Мир, 1970, 696 с.
  48. Liu P., Smith W., Lotern Н, Bechtel J.H., Bloembergen N. and Adhav R.S. Absolute two-photon absorbtion coefficients at 355 and 266 nm. Phys.Rev.B., 1978, vol.17,p.4620−4632.
  49. Smith W.L. Laser induced breakdown in optical materials.-Optical Engineering, 1978, vol.17, № 5, p.489−503.
  50. Л.В. Ионизация в поле сильной электромагнитной волны. ЖЭТФ, 1964, т.47, вып.5, с.1945−1957.
  51. Л.М., Дорошенко B.C. и др. Регистрация импульсного излучения тонкопленочными пироэлектрическими приемниками. В сб.: Импульсная фотометрия. Л., Машиностроение, 1979, с.64−67.
  52. Ю.К., Маненков А. А., Прохоров A.M., Хаимов-Мальков В.Я. Поверхностное разрушение кристаллов рубина лазерным излучением. ЖЭТФ, 1970, т.58, вып.1, с.31−36.
  53. Kepler R. G-. Charge carrier production and mobility in anthracene crystals. Phys.Rev., I960, vol.119, p.1226−1229.
  54. Дж., Донжон Ж. Монокристаллические сегнетоэлектрики и их применение в светоклаланных устройствах отображения информации. ТШЭР, 1973, т.61, № 7, с. 178−197.
  55. .Г. Исследование механизмов разрушения ионных кристаллов под действием импульсного лазерного излучения наносекундного диапазона. АН СССР. Труды ордена Ленина Физического института им. П. Н. Лебедева, 1982, т.137,с.81−134.
  56. Е.М., Гречушников Б. Н., Дистлер Г. И., Петров И. П. Оптические материалы для инфракрасной техники. М.: Наука, 1965, 335 с.
  57. Miuta Т., Tomiki Т. Optical studies of NaCl single crystals in 10 eV region. II J.Phys.Soc.Japan, 1968, vol.24, № 6, p. 1286−1301.
  58. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радио люминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979, 251 с.
  59. Piacentini M., Lynch D.M., Olson C.J. Thermoreflectance of LiP between 12 and 30 eV. Phys.Rev.B., 1976, vol.13, № 12, p.5530−5543.
  60. Tomiki Т., Miyata T. Tsukamoto H. Temperature dependence of the fundamental spectra of potassium halides in the Schuman ultraviolet region (4.4 13.5 eV). — J.Phys.Soc.Japan, 1973, vol.35, № 2, p.495−507.
  61. Hopfield J.J., Worlock J.M. Two quantum absorption spectra of KJ and CsJ. Phys.Rev., 1965, vol.137A, № 5, p. 1455−1464.
  62. Frohlich D., Stuginnuss B. New assignments of the band gap in alkali bromides by two-photon spectroscopy. Phys.Rev. Lett., 1967, vol.19, № 9, p.496−498.
  63. Frohlich D., Stuginnuss B., Onadera Y. Two-photon spectroscopy in CsJ and CsBr. Phys.stat.sol., 1970, vol.40, № 2, p.547−556.
  64. Pong W., Smith J.A. Photoemission studies of LiCl, NaCl and КС1. Phys.Rev.B., 1974, vol.9, № 6, p.2674−2677.
  65. Poole R.T., Jenkin J.G., Liesegang J., Leckey R.C.G. Electronic band structure of the alkali halides. 1. Experimental parameters. Phys.Rev.B., 1975, vol.11, № 12, p.5179−5189.
  66. Poole R.T., Liesegang J., Leckey R.C.G., Jenkin J.G. Electronic band structure of the alkali halides. II. Crytical sur. vey of the theoretical calculations. Phys.Rev.B., 1975, vol.11, № 12, p.5190−5196.
  67. H.B. Влияние коротковолнового поглощения на порог разрушения оптических кристаллов световым излучением. ФТТ, 1974, т.16, вып.1, с.307−308.
  68. Blechsmidt D., Skibowski M., Steimann W. Photоemission from potassium halides in the photon energy range 7 to 30 eV. -Phys.Stat.Sol.(b), 1970, vol.42, № 1, p.61−70.
  69. Roesler D.M., Walker W. C* Electronic spectra of crystalline NaCl and КС 1. Phys.Rev., 1968, vol.166, № 3, p.599−606.
  70. Baldini G., Bosacchi B. Optical properties of alkali halide crystals. Phys.Rev., 1968, vol.166, № 3, p.863−870.
  71. Teegarden K., Baldini G. Optical absorption spectra of alkali halides at 10°K. Phys.Rev., 1967, vol.155, № 3,p.896−907.
  72. Kunz A.B. Electronic bands for rubidium chloride and face centered cubic alkali bromides. Phys.stat.sol., 1968, vol.29, № 1, p.115−120.
  73. Д.Н. Кристаллы для нелинейной оптики (справочный обзор). Квантовая электроника, 1977, т.4, № I, с.5−26.
  74. А.А., Ибрагимов Э. А., Редкоречев В. И., Усманов Т. Предельная эффективность генерации второй и третьей гармоники излучения неодимового лазера. Квантовая электроника, 1983, т.10, № 7, с.1305−1306.
  75. Saito S., Onaka R. Electronic structures of KDP and its family. Perroelectrics, 1978, vol.21, № 2, p.553−554.
  76. Ahrenkiel R.K., Brown P.O. Electron Hall mobility in the alkali halides. Phys.Rev., 1964, vol. A136, № 1, p.223−231.
  77. Bass M., Pranken P.A., Ward J.P. Optical rectification. -Phys.Rev., 1965, vol.138A, № 2, p.534−542.
  78. Hochuli U.E. Photoconductivity measurements in ruby and sapphire. Phys.Rev., 1964, vol.133 A, № 2, p.468−471.
  79. П.М., Данишевский A.M., Кастальский А. А., Рывкин Б. С., Рыбкин С. М., Ярошецкий И. Д. Увлечение электронов фотонами при внутризонном поглощении света свободными носителями тока в полупроводниках. ЖЭТФ, 1970, т.59, вып.6(12), с.1919−1925.
  80. A.M., Кастальский А. А., Рывкин С. М., Ярошецкий И. Д. Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах в полупроводниках. ЖЭТФ, 1970, т.58, вып.2, с.544−550.
  81. П.М., Рывкин Б. С., Рыбкин С. М., Титова Е. В., Ярошецкий И. Д. Увлечение электронов светом при фотоионизации примесных центров. ФШ, 1971, т.5, вып.9, с.1772−1775.
  82. .Г., Панов А. А. Эффект увлечения электронов фотонами в щелочно-галоидных кристаллах. ФТТ, 198I, т.23, вып.12, с.3597−3601.
  83. Smith W.L., Bechtel J.H., Bloembergen N. Dielectric-breakdown threshold and nonlinear-refractive-index measurements with picosecond laser pulses. Phys.Rev.B., 1975, vol.12, p.706−717.
  84. Scinner D.K., Witcher R.E. Measurements of the radius of a high power laser beam near the focus of a lens. J.Phys.E., 1972, vol.5, p.237−238.
  85. А.А., Маковский Л. Л. Теория фото электрического и фотомагнитного эффектов, обусловленных импульсом фотонов при фотоионизации примесных центров в полупроводниках. Ш1, 1970, т.4, вып.6, с.1162−1167.
  86. Harper P.G., Hodby J.W., Stradling R.A. Electrons and optic phonons electronic exitation in solids the effects of longitudunal optical lattice vibrations on the electronic exitations of solids. — Rep.Progr.Phys., 1973″ vol.36, № 1, p.1−102.
  87. Ф.М., Рывкин C.M. Чувствительность герланиевых и кремниевых элементов в области примесного возбуждения.' -ФТТ, 1962, т.4, вып.2, с.366−375.
  88. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М., Наука, 1977, 672 с.
  89. А.С., Маненков А. А., Панов А. А., Шахвердиев Э. М. Кинетический анализ УФ лазерной фотопроводимости в ЩГК. -Тезисы докладов У1. Всесоюзной конференции по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Вильнюс, 1984, с. I90-I9I.
  90. В.Е., Мадвалиев У., Шихлинская Р. Э. Фотоакустическая спектроскопия твердых тел. Акустический вдшал, 1979, т.25, № 3, с.427−433.
  91. Rosencwaig A., Gersho A. Theory of photoacoustic effect with solids. J.Appl.Phys., 1976, vol.47, № 1, p.64−69.
  92. Inagaki Т., Kagami К., Arakawa E.T. Photoacoustic study of surface plasmons inmmetals. Appl.Opt., 1982, vol.21, № 5, p.949−954.
  93. Ф.Ф., Чернышева Е. В., Гончарова В. А. Упругие свойства монокристалла Naci при давлениях до 9 ГПа и температуре 293 К. ФТТ, 1979, т.21, вып.1, с.100−105.
  94. Л.Н., Кротов Ю.И. Влияние давления на теплоемкость
  95. NaCl, КС1″ RbCl. ФТТ, 1978, т.20, ВЫП. З, с.654−657.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!