Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe

Диссертация: Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на III международной конференции ЕХМАТЕС-96 (г. Фрейбург, Германия, 1996 г.) — на международной конференции «Квантовый эффект Холла и гетероструктуры» (г. Вюрцбург, Германия, 2001 г.) — на 1-ой украинской конференции по физике полупроводников (г. Одесса, Украина, 2002 г.) — на совещании Фотоника-2003 (Новосибирск, 2003 г… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Электрофизические и фотоэлектромагнитные свойства объёмных кристаллах и эпитаксиальных плёнках p-CdHgTe
  • KPT) (Литературный обзор)
    • 1. 1. Методы роста тройного раствора КРТ
    • 1. 2. Структура кристаллической решетки и зонная диаграмма
    • 1. 3. Физические свойства
      • 1. 3. 1. Поглощение излучения
      • 1. 3. 2. Время жизни носителей заряда
      • 1. 3. 3. Концентрация носителей заряда
      • 1. 3. 4. Подвижность носителей заряда
    • 1. 4. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном поле
    • 1. 5. Фотопроводимость и фотомагнитный эффект в варизонных полу- 39 проводниках
    • 1. 6. Выводы к главе и постановка задачи
  • 2. Методика проведения исследований
    • 2. 1. Экспериментальная установка
    • 2. 2. Образцы и методика измерений
    • 2. 3. Определения концентрации и подвижности носителей заряда методом «спектра подвижности». ,
    • 2. 4. Подгонка теоретических выражений под экспериментальные данные с использованием подгоночных параметров
  • 3. Фотопроводимость в магнитном поле в геометрии Фарадея
    • 3. 1. Изменение проводимости образца в магнитном поле при освещении
    • 3. 2. Уравнение электронейтральности в случае доминирующей рекомбинации Шокли-Рида
    • 3. 3. Фотопроводимость в р-КРТ при низких температурах
    • 3. 4. Анализ экспериментальных результатов исследования ФП в геометрии Фарадея при низких температурах
    • 3. 5. Влияние рекомбинационных центров на ФП в геометрии Фарадея
    • 3. 6. Определение параметров глубоких центров в МЛЭ КРТ
    • 3. 7. Фотопроводимость в геометрии Фарадея в условиях смешанной проводимости
    • 3. 8. Анализ экспериментальных результатов ФП в геометрии Фарадея при смешанной проводимости
    • 3. 9. Выводы к главе
  • 4. Фотопроводимость в магнитном поле в геометрии Фойгта и фотомагнитный эффект
    • 4. 1. Поведение неравновесного электронно-дырочного газа в скрещенных электрическом и магнитном полях в плёнках МЛЭ р-КРТ с ва-ризонными приграничными областями
    • 4. 2. Зависимости от индукции магнитного поля фотопроводимости в 114 геометрии Фойгта и фотомагнитного эффекта
    • 4. 3. Анализ результатов исследования ФП в геометрии Фойгта и ФМЭ на плёнках МЛЭ р-КРТ
    • 4. 4. Исследование магнитополевых зависимостей ФП в геометрии Фойгта и ФМЭ на плёнках МЛЭ р-КРТ при разных температурах
    • 4. 5. Выводы к главе
  • Основные положения и результаты (выводы)
  • Публикации по теме диссертации

Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

: В настоящее время тройной раствор CdxHgi. xTe (КРТ), где хмольное содержание Cd, является основным материалом для создания фотоприёмных устройств (ФПУ) инфракрасной (ИК) области спектра [1]. Практически линейная зависимость ширины запрещённой зоны ЮРТ от х позволяет управлять длинноволновой границей чувствительности таких ФПУ в широких пределах — от 2 мкм до 20 мкм. Особый интерес в этом диапазоне представляют окна прозрачности атмосферы 3^-5 мкм (х = 0.3 -ь 0.4) и 8-ь14 мкм (х = 0.2 * 0.25).

В ИФП СО РАН разработана оригинальная технология выращивания методом моле-кулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) плёнок КРТ со сложным профилем мольного содержания Cd на подложках GaAs ориентации (013) [2]. На границах плёнок выращиваются варизонные слои, в которых х увеличивается от однородной по составу центральной области структуры к её границам. Такие слои уменьшают влияние поверхностной рекомбинации на время жизни носителей заряда.

Для изготовления ФПУ с большим количеством элементов (>Ю3-И04)в виде n-р переходов используются преимущественно плёнки КРТ р-типа. Характеристики полученных ФПУ в большой степени определяются качеством используемого материала. При выборе плёнок КРТ для изготовления фотоприёмников с нужными характеристиками необходимо знать не только концентрацию и подвижность основных носителей заряда, но и рекомбипа-ционно-диффузионные параметры материала. К этим параметрам относятся время жизни носителей заряда в объёме ту, подвижность неосновных носителей заряда //", скорости поверхностной рекомбинации на свободной и связанной с подложкой границей плёнки Si и S2. В свою очередь значение ту определяются параметрами рекомбинационных центров: концентрацией Nt, энергией залегания глубокого уровня Еь коэффициентами захвата электронов С&bdquoи дырок Ср. ч*.

При изучении процессов рекомбинации и диффузии неосновных носителей заряда наиболее информативными являются такие эффекты, как фотопроводимость (ФП) в магнитном поле в геометрии Фойгта {кLB и kLE, к — волновой вектор излучения) и в геометрии Фарадея (? || В и JcLE), а также фотомагнитный эффект (ФМЭ).

Изучению ФМЭ и ФП в геометрии Фойгта посвящен ряд работ. Данные эффекты исследовались на объёмных образцах КРТ [3], на эпитаксиальных пленках, выращенных жид-кофазной эпитаксией (ЖФЭ) [4] и эпитаксией из газовой фазы с использованием металлоор-ганических соединений (МОСГФЭ) [5]. ФМЭ и ФП в геометрии Фойгта изучались также на жидкофазных варизонных плёнках р-КРТ, в которых ширина запрещённой зоны почти линейно менялась по толщине [4, 6].

Однако на плёнках МЛЭ р-КРТ с варизонными приграничными областями ФМЭ и ФП в магнитном поле в геометрии Фойгта не исследовались. При анализе результатов ФП и ФМЭ в р-КРТ не учитывался механизм рекомбинации Шокли-Рида, который является доминирующим для вакансионного КРТ р-типа при Т"77 К [7]. На момент начала выполнения диссертационной работы в литературе отсутствовали результаты исследования ФП в геометрии Фарадея на р-КРТ.

Целью работы являлось изучение особенностей магнитополевой зависимости фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в плёнках КРТ р-типа, выращенных методом молеку-лярно-лучевой эпитаксии, с варизонными приграничными областями.

Объекты и методы исследования. Исследовались плёнки КРТ р-типа толщиной 9 -ИЗ мкм, выращенные методом МЛЭ на подложках из GaAs ориентации (013) с варизонными приграничными областями. Значение х рабочего (среднего) слоя образцов лежало в диапазоне 0.21^-0.23, в варизонных слоях плавно увеличивалось до 0.4ч-0.6 на расстоянии 0.5-^2 мкм.

Методы исследования вкшочали ФП в геометриях Фойгта и Фарадея, а также ФМЭ в магнитных полях с индукцией до 2 Тл в температурном диапазоне 77 300 К. Рекомбинацион-но-диффузионные параметры образцов находились из соответствия теоретических выражений экспериментальным данным методом наименьших квадратов совместно с численным методом нелинейной оптимизации Хука-Дживса. Концентрации и подвижности носителей заряда определялись по результатам измерений магнитополевых зависимостей эффекта Холла и магнитосопротивления методом «спектра подвижности» и так называемой многозонной подгонкой. Исследования проводились в ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН и в Сибирской Государственной Геодезической Академии. Научная новизна работы состоит в следующем:

• Впервые показано, что для р-КРТ при температурах 77-г125 К вклады в ФП электронов и дырок можно раздельно определить при измерении магнитополевой зависимости ФП в геометрии Фарадея. Получено выражение, описывающее магнитополевую зависимость сигнала ФП в геометрии Фарадея. Показано, что величина независящей от магнитного поля дырочной компоненты ФП прямо пропорциональна концентрации рекомбинационных центров.

• Впервые обнаружено, что в области смешанной проводимости (Т = 135-И 75 К) на магнитополевой зависимости ФП в геометрии Фарадея на р-КРТ появляется максимум при отличном от нуля значении индукции магнитного поля bmwi, обусловленный сильным магнитосо-противлением равновесных носителей заряда.

• Показано, что действие варизонных приграничных областей на ФП в геометрии Фойгта и ФМЭ можно учесть, введя эффективные скорости поверхностной рекомбинации на границах варизонных слоев и рабочей области, а также эффективный темп поверхностной генерации на границе освещенного варизонного слоя и рабочей области. При доминирующей рекомбинации Шокли-Рида получены выражения, описывающие магнитополевую зависимость ФП в геометрии Фойгта и ФМЭ на структурах с варизонными приграничными областями.

• Определено, что величина отношения коэффициентов захвата на рекомбинационные уровни электронов и дырок Сп/Ср для узкозонных плёнок (Eg -100 мэВ) МЛЭ р-КРТ в.

102-ь 103 превышает значения, характерные для широкозонных (Е%~ 400 мэВ) объёмных кристаллов р-КРТ.

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

1. Зависимость фотопроводимости в геометрии Фарадея от магнитного поля на плёнках МЛЭ р-КРТ для температур 77-г125 К подобна зависимости продольного компонента тензора проводимости: AUa (в) я Дnjin/(1 + /и^В2) 1 + Д рцр.

2. Независящая от магнитного поля компонента фотопроводимости в геометрии Фарадея прямо пропорциональна концентрации рекомбинационных центров Nt в плёнках МЛЭ р

9П ^.

КРТ. Для Л^ «10 м» её величина составляет до 20% от величины сигнала фотопроводимости при отсутствии магнитного поля.

3. Максимум при отличном от нуля значении индукции магнитного поля Ятах на-магнито-полевой зависимости фотопроводимости в геометрии Фарадея на плёнках МЛЭ р-КРТ возникает при условии, когда вклад равновесных электронов в проводимость превышает более чем в два раза вклад равновесных тяжелых дырок (cr" >ар j2). Причиной появления максимума является то, что в данном случае магнитосопротивление равновесных носителей заряда вплоть до Втах возрастает быстрее, чем уменьшается проводимость неравновесных электронов.

4. Действие приграничных варизонных областей на неравновесные электроны может быть учтено введением эффективных скоростей поверхностной рекомбинации Б]Эфф и $ 2эфф при условии, что сила Лоренца, действующая на неравновесные электроны в скрещенных тянущем электрическом и магнитном полях, много меньше силы Кулона в варизонной области. В этом случае величины Б^фф и обратно пропорциональны напряженностям встроенного: электрического поля и времени жизни в варизонных слоях, и не зависят от магнитного поля. •.

Практическая значимость работы. Предложен метод определения подвижности неосновных электронов по магнитополевой зависимости ФП в геометрии Фарадея. На основе анализа постоянной составляющей ФП в геометрии Фарадея предложен метод определения концентрации рекомбинационных центров, а также отношения времён жизни-основных и неосновных носителей заряда. Создан диагностический комплекс для определения рекомбинаци-, онно-диффузионных параметров образцов КРТ. Данный комплекс включает в себя такие методы^ как: ФП в геометриях^ Фойгта и Фарадея, ФМЭ, «спектр .подвижности» в>сочетании с. так называемой многозонной подгонкой. Создан пакет программ-для обработки результатов измерений. Определены рекомбинационно-диффузионные параметры плёнок МЛЭ р-КРТ с варизонными приграничными областями. — ' ;

Результаты «работы использовались при выполнении тем ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН «Продукт», «КаскадЗ» и госбюджетной НИР при СГГА М1.8.94Д «Разработка фотомагнитной методики. и создание установки для диагностики рекомбинационных параметров в пленочных структурах узкозонных полупроводников».

Достоверность полученных результатов и выдвигаемых на защиту положений определяется тем, что экспериментальные данные получены с использованием апробированных методик измерений на большом числе образцов и апробацией представленных результатов на отечественных и зарубежных конференциях.

Личный вклад автора в диссертационную работу заключается в: создании экспериментальной установки, проведении измерений, в активном участии при анализе и интерпретации полученных результатов.

Часть результатов по ФП в геометрииФойгта и ФМЭполучена совместно с к.ф.-м.н. Студеникиным С. А. и к.ф.-м.н. Костюченко В. Я. Результаты по ФП в геометрии Фарадея получены совместно с д.ф.-м.н. Овсюком В. Н. и к.ф.-м.н. Костюченко В-Я. На этапах работы в исследованиях принимали участие научные сотрудники различных подразделений ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН.

Соавторы не возражают против использования в диссертации совместно полученных результатов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на III международной конференции ЕХМАТЕС-96 (г. Фрейбург, Германия, 1996 г.) — на международной конференции «Квантовый эффект Холла и гетероструктуры» (г. Вюрцбург, Германия, 2001 г.) — на 1-ой украинской конференции по физике полупроводников (г. Одесса, Украина, 2002 г.) — на совещании Фотоника-2003 (Новосибирск, 2003 г), на XIX Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2006), на Всероссийской научно-технической конференции «Наука. Промышленность. Оборона» (Новосибирск, НГТУ, 2007 г.), на Международной Сибирской Школе-Семинаре по Электронным Приборам и Материалам EDM-2004, EDM-2005 и EDM-2007 (Эрлагол, Россия, 2004, 2005 и 2007).

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 11 печатных работ. Список основных работ приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. В конце каждой главы приводятся выводы по главе. Работа содержит 148 страниц текста, 38 рисунков и 9 таблиц.

Список литературы

включает 120 наименований.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Kostuchenko V.Ya., Studenikin S.A., Varavin V.S., Protasov D.Yu. Characterization of MBE p-CdxHgi.xTe layers via photo conductive effect in crossed EJLB fieldsII Material Science and Engineering B. — 1997. — V.44. — P. 288−291.

2. Kostyuchenko V.Ya., Ovsyuk V.N., Protasov D.Yu., Skok E.M., Varavin V.S. Characterization of recombination properties of MBE p-HgCdTe/GaAs structures by photoelectromagnetics methods: Abstract book of the «Quantum-Hall Effect and Heterostructures». (10−15 December 2001, Wurzburg, Germany).

3. Варавин B.C., Костюченко В. Я., Овсюк B.H., Протасов Д. Ю., Талипов Н. Х. Влияние серебра на фотоэлектрические свойства пленок МЛЭ HgCdTe: Тезисы докладов. 1-ая Украинская научная конференция по физике полупроводников (10−14 сентября 2002 Украина, Одесса). — С. 250.

4. Протасов Д. Ю, Васильев В. В., Овсюк В. Н., Варавин, B.C., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Дворецкий С. А., Костюченко В. Я. Длина диффузии в ГЭС КРТ МЛЭ р-типа проводимости: Тезисы докладов. Совещание Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2003». (28−31 августа 2003 Новосибирск), — С. 60.

5. Protasov D.Yu., Kostyuchenko V.Ya., Ovsyuk V.N. Determination of Charge Carriers Mobility in p-HgCdTe by Magnetophotoconductivity Method: Abstract book of the 5th International Ssiberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (l-5 july 2004, Erlagol, Russia). — P. 54−57.

6. Варавин B.C., Дворецкий C.A., Костюченко В. Я., Овсюк B.H., Протасов Д. Ю. Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTell ФТП. — 2004. — Т. 38, — №. 5, -С. 532−537.

7. Protasov D.Yu., Kostyuchenko V.Ya., Ovsyuk V.N. Influence 'of Traps on magnetophotoconductivity in p-HgCdTe: Abstract book of the 6th International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1−5 july 2005 Erlagol, Russia). — P. 47−48.

8. Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я. и Овсюк В. Н. Немонотонное поведение магнитофо-топроводимости в HgCdTe p-munall ФТП. — 2006. — Т. 40. — №. 6, — С. 663 — 666.

9. Костюченко В. Я., Москвин В. Н., Протасов Д. Ю. Фотоэлектромагнитные методы исследования и контроля рекомбинационных параметров полупроводниковых материалов для ИК-техники: Труды всероссийской научно-технической конференции «Наука. Промышленность. Оборона» (18−20 апреля 2007, Новосибирск, Россия). — С. 305−309.

10. Protasov D.Yu., Kostuchenko V.Ya. Surface Recombination and Charge Carriers Generation by Radiations in MBE p-HgCdTe films with Graded-Gap Near-Border Layers: Abstract book of the 8th International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM-2007 (1−5 july 2007, Erlagol, Russia). — P. 53−55.

11. Протасов Д. Ю., Костюченко В. Я., Крылов B.C., Овсюк B.H. Определение времени жизни основных и неосновных носителей заряда в HgCdTe р-типа методом фотопроводимости в магнитном полеП Прикладная Физика. — 2007, — № 6. — С. 27−30.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Инфракрасные детекторы/ Пер. с англ. — Новосибирск.: Наука, 2003. — 636 с.
  2. Varavin V.S., Vasiliev V.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N. Ovsyuk V.N., Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O., Yakushev M.V., Aseev A.L. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devicesll Proceedings SPIE. -2003. V.5136. — P.381−395.
  3. Finkman E., Schacham S.E. Surface recombination velocity of anodic sulfide and ZnS coated p-HgCdTeH J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — V. 7. — N. 2. — P. 464−468.
  4. Studenikin S.A. and Panaev I.A. Recombination parameters of epitaxial CdxHgi. xTe/CdTe layers from photoelectromagnetic and photoconductivity effects! Sem. Sci. Technol. -1993. V. 8. — P. 1324−1330.
  5. Cohen-Solal G., Marfaing Y. Transport of photocarriers in CdxHg}~xTe graded-gap structures!!, Sol. St. Electr. 1968. — V. 11.-N. 12.-P. 1131−1147.
  6. Lopes V.C., Syllaios A.S. and Chen M.C. Minority carrier lifetime in mercury cadmium tellu-ridel! Sem. Sci. Technol. 1993. — V. 8. — P. 824 841.
  7. . Инфракрасная термография. Основы, техника, применение! Пер. с франц., М.: Мир, 1988,-416 с.
  8. И.М. Зонная структура полупроводников! М.: Наука, 1978. 328 с.
  9. Lawson W.D., Nielsen S., Putley E.H. and Young A.S. Preparation and properties of HgTe-CdTeH J. Phys. Chem. Sol. 1959, — V. 9. — P. 325−329.
  10. Физика соединений AIIBVI /Под ред. A.H. Георгобиани, M.K. Шейнкмана, М.: Наука, 1986, 320 с.
  11. Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds/ EMIS Datareviews Series., edited by P. Capper. IEE, London. 1994. — No. 10.
  12. Colombo L., Chang R.B., Chang C.J. and Baird B.A. Growth of Hg-based alloys by the travelling heater method! I J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. — V. 6. — P. 2795−2799.
  13. Elliot C.T., Day D., and Wilson D .J. An integrating detector for serial scan thermal imaging// Infrared Phys. 1982. — V. 22. — P. 31−42.
  14. Edwall D.D., Gertner E.R. and Tennant W.E. Liquid-phase epitaxy of Hgj. xCdxTe epitaxial layers// J. Appl. Phys. -1984. V. 55. — P. 1453 -1459.
  15. Tung Т., Kalisher M.H., Stevens A.P. and. Herning P.E. Liquid-phase epitaxy of Hg. xCdxTe from Hg solution: A route to infrared detector structures/7 Mat. Res. Symp. Proc, 1987. — V. 90. -P. 321 -356.
  16. Castro C.A. Review of key trends in HgCdTe materials for IR focal plane arrays!7 Proc. SPIE. -1993.-V.2021.-P. 2−9.
  17. Djuric Z. Isothermal vapor-phase epitaxy of mercury-cadmium-telluride (Hg, Cd) TeH J. Mat. Sci. -1995.-V. 5.-P. 187−218.
  18. Irvine J.C. Recent development in MOCVD ofHgi. xCdxTell Proc. SPIE., 1992. — V. 1735. — P. 92−99.
  19. Summers C.J., Wagner B.K., Benz R.G. and Conte Matos A. Recent advances in metalorganic molecular beam epitaxy of HgCdTe! Proc. SPIE. 1993. — V. 2021. — P. 56−66.
  20. Edwall D.D., Zandian M., Chen A.C., Arias J.M. Improving Material Characteristics and Reproducibility of MBE HgCdTe! J. of Electron. Mater. 1997. V. 26. — No. 6. — P. 493−497.
  21. Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Varavin V.S., Liberman V.I. Peculiarities of the MBE growth physics and technology of narrow-gap II-VI-vi compounds!/ Thin Solid Films. 1997. — V. 306. — № 2. — P.253−266.
  22. Ferret P., Zanatta J.P., Hamelin R., Cremer S., Million A., Wolny M., and Destefanis G. Status of the MBE Technology at Leti LIR for the Manufacturing of HgCdTe Focal Plane ArraysII J. Electron. Mater. -2000. V. 29. — № 6. — P. 641−647.
  23. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. The molecular beam epitaxy of high quality Hgj. xCdxTe films with control the composition distribution! I J. Cryst. Growth.- 1996.-V.l59.-P. 1161−1166.
  24. H.H., Мищенко A.M., Ремесник В. Г. Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов CdxHgi.xTe.H ГК по делам изобретений и открытий. Патент № 2 022 402, приоритет от 14.04.98, публ. 30.10.94. БИ. № 20 с. 310.
  25. В. М., Сусляков А. О., Васильев В. В., Дворецкий С. А. Эффективное время жизни носителей заряда в варизонных структурах на основе CdHgTellФТП. 1999. — Т. 33. -№. 3. — С. 293.
  26. В.В., Придеин А. В. Влияние потенциального барьера варизонного Р-р-гетероперехода на характеристики трехмерного фотодиода на основе Hgl-xCdxTe/! Прикладная физика. -2005. № 6. — С. 118 — 124.
  27. В. С., Васильев В. В., Захарьяш Т. И. и др. Фотодиоды с низким последовательным сопротивлением на основе варизонных эпитаксиалъных слоев CdxHdi-xTellОптический журнал. 1999. — Т. 66.-№ 12. — С. 69.
  28. Groves S. and Paul W. Band Structure of Gray TinII Phys. Rev. Lett., 1963. — V.11, — P. 194 196.
  29. Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in Hgl-xCdxTell J. Appl. Phys. 1982. — V. 53. — P. 7099−7101.
  30. Kane E. Band structure of induim antimonidell J. Phys. Chem. Sol. 1957. — V. 1. — P. 249−261.
  31. Weiler M. H. Magnetoopticalproperties of Hgi. xCdxTe alloys! I Semiconductors and Semimetals. 1981. -У.16. — P. 119−191.
  32. Anderson W.W. Absorption constant of Pbl-xSnxTe and Hgl-xCdxTe alloys/1 Infr. Phys. -1980.-V. 20.-P. 363−372.
  33. Finkman E. and Schacham S.E. The exponential optical absorption band tail of Hgi. xCd^Tel! J. Appl. Phys, 1984. — V. 56. — P. 2896−2900.
  34. Schacham S. E. and Finkman E. Recombination mechanisms in p-type HgCdTe: Freezeout and background flux effects! I J. Appl. Phys. 1985. — V. 57. — P. 2001−2009.
  35. Casselman T.N. Calculation of the Auger lifetime in p-type Hgi. xCdxTeH J. Appl. Phys. — 1981. -V. 52. P. 848−854.
  36. Fastow R. and Nemirovsky Y The excess carrier lifetime in vacancy- and impurity-doped HgCdTe! J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. — V. 8. — P. 1245 — 1250.
  37. Ю.В., Добровольский B.H., Стриха В. И. Методы исследования полупроводников! Киев.: Выща Школа, 1988. 232 с.
  38. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках! М.: Физматгиз, 1963. 496 с.
  39. Nimitz G., Bauer G., Dornhaus R. and Muller K.H. Transient carrier decay and transport properties in Hgj. xCdxTe!/ Phys.Rev. B. 1974. — V. 10. — P. 3302−3310.
  40. Lopes V.C., Wright W.H. and Syllaios A.J. Characterization of (Hg, Cd) Te by the photoconduc-tive decay technique! I J.Vac.Sci.Technol. A. 1990. — V. 8. — P. 1167.
  41. Zucca R., Edwall D.D., Chen J.S., Johnson S.L. and Younger C.R. Minority carrier lifetimes of metalorganic chemical vapor deposition long-wavelength infrared HgCdfe on GaAsll J.Vac.Sci.Technol. B. 1991. — V. 9. — P. 1823.
  42. Kunst N., Beck G. The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements!/J. Appl. Phys. 1986. — V. 60. — N 10. — P.945−947.
  43. Chen M. C. Photoconductivity lifetime measurements on HgCdTe using a contactless microwave technique! J. Appl. Phys. 1988. — V. 6. — N. 2. — P. 3558−3566.
  44. П. А., Булдыгин А. Ф., Студеникин С. А. СВЧ-методы измерения параметров эпитаксиалъных пленок КРТ// Автометрия. 1996. — N. 4. — С.59 — 72.
  45. Kinch М.А., Brau M.J. and Simmons A. Recombination mechanisms in 8−14-ц HgCdTe! J. Appl. Phys. 1973, — V. 44. — P. 1649 — 1663.
  46. Nemirovsky Y., Margalit S., Finkman E., Shacham-Diamand Y and Kidron I. Growth and properties of Hg. xCdxTe epitaxial layers! J. Electron. Mater. 1982. — V. 11. — P. 133−153.
  47. Fastow R. and Nemirovsky Y. Transient and steady-state excess carriers lifetimes in p-type HgCdTe! Appl. Phys. Letters. 1989. — V. 55. — P. 1882 — 1884.
  48. Schacham S.E. and Finkman E. Light-modulated Hall effect for extending characterization of semiconductors materials//J. Appl. Phys. 1986. — V. 60. — № 8. — P. 2860−2865.
  49. Fastow R., Goren D. and Nemirovsky Y. Shockley-Read recombination and trapping in p-type HgCdTe!/1. Appl. Phys. 1990. — V. 68. — P. 3405 — 3412.
  50. Barton S.C., Capper P., Jones С .J., Metcalfe N. and Duffon D. Determination of Shockley-Read trap perametersjn n- and p-type epitaxial CdxHgi. xTell Sem. Sci. Technol. 1996. — V. 11. — P. 1163−1167.
  51. Gopal V. Surface recombination inphotoconductorsll Infr. Phys. 1985. — V. 25. — P. 615−618.
  52. Mroczkowski J.A. and Nelson D.A. Optical absorption below the absorption edge in Hgj. xCdxTeH J. Appl. Phys. 1983. — V. 54. — P. 20 416−2051.
  53. Schmit J.L. Intrinsic Carrier Concentration of IIgi-xCdxTe as a Function of x and T Using k-p Calculations! I J. Appl. Phys. 1970. — V. 41. — P. 2876−2879.
  54. Hansen G.L., Schmit J.L. Calculation of intrinsic carrier concentration in Hgi. xCdxTe!/ J. Appl. Phys. 1983. — V. 54. — P. 1639−1640.
  55. Chattopadhyay D., Nag B. Mobility of electrons in Hgi. xCdxTell J. Appl. Phys. -1974. V. 45. -N. 3.-P. 1463−1465.
  56. Yadava R.D.S., Gupta A.K. and Warrier A.Y.R. Hole scattering mechanisms in Hgj. xCdxTe! J. Electron. Mater. 1994. — V. 23. — N. 12, — P. 1359 — 1378.
  57. Gold M.C. and Nelson D.A. J. Variable magnetic-field hall-effect measurements and analyses of high-purity, Hg vacancy (p-type) HgCdTe! Vac. Sci. Technol. A. 1986. — V. 4. — P. 2040−2046.
  58. Talipov N.Z., Ovsyuk V.N., Remesnik V.G., Schaschkin V.V. Method for the characterization of electron, light- and heavy-hole concentrations and mobilities in narrow-gap p-type HgCdTe/! Materials Science and Engineering B. 1997. — V. B44. — P. 278−282
  59. Moravec P., Grill R., Franc J., Varghova R., Hoschl P. and Belas E. Galvanomagnetic and thermoelectric properties of p-Hgi.xCdxTe (x approximate to 0.22)// Sem. Sci. Technol. 2001. — V. 16. -P. 7−13.
  60. Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах! М.: Мир, 1971 г. 470 с.
  61. Beck W.A., Anderson J.R. Determination of electrical transport properties using a novel magnetic field-dependent Hall technique! J. Appl. Phys. 1987. — V. 62. — P. 541 — 554.
  62. Antoszewski J. and Faraone L. Analysis of magnetic field dependent Hall data in narrow band-gap Hgi xCdxTe grown by molecular beam epitaxy// J. Appl. Phys. 1996. — V. 80. — N. 7. — P. 38 813 892.
  63. Meyer J.R. and Hoffman C.A., Antoszewski J. and Faraone L. Quantitative mobility spectrum analysis of multicarrier conduction in semiconductors!/ J. Appl. Phys. 1997. — V. 81. — N. 2. — P. 709−713.
  64. Baturina T.I., Borodovski P.A., Studenikin S.A. Microwave waveguide method for the measurement of electron mobility and conductivity in GaAs/AlGaAs heterostructuresll Appl. Phys. A. — 1996.-V. 63.-P. 293−298.
  65. Baturina T.I., Borodovski P.A., Buldygin S.A., Studenikin S.A. Microwave method for the characterization of transport parameters ofheterostructures and narrow gap semiconductor films// Mat. Sci.&Engineering B. 1997. — V. B44. — P.283−287.
  66. Schacham S.E. and Finkman E. Magnetic filed effect on the RqA product of HgCdTe diodes// J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — V. 7. — № 2. — P. 387−390.
  67. Gordon N.T., Barton S., Capper P., Jones C.L. and Metcalfe N. Electron-mobility in p-type epi-taxially grown Hg,.xCdxTe// Sem. Sci. Technol. 1993. — V. 8. — P. S221-S224.
  68. Chen M.C., Turner A., Colombo L. and Chandra D. The magnetic field dependence of RoA products in n-on-p homojuncions and p-on-n heterojunctions from Hg0 jgCdo 22Te liquid phase epitaxy films//. Elect. Mater. 1995. — V. 24. — № 9. — P. 1249−1253.
  69. Barton S., Capper P., Jones C.L., Metcalfe N. and Gordon N.T. Electron-mobility in p-type epi-taxially grown CdxHgi. xTeH Sem. Sci. Technol. 1995. — V. 10. — P. 56−60.
  70. C.A., Панаев И. А., Костюченко В. Я., Торчинов Х.-М.З. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев CdxHgj. xTe/CdTe// ФТП. 1993. -Т. 27.-N. 5. — С.744−756.
  71. Sang Dong Yoo and Kae Dal Kwack. Analysis of carrier concentration, lifetime, and electron mobility on p-type HgCdTe! J. Appl. Phys. 1998. — V. 83. — № 5. — P. 2586 — 2592.
  72. И.К., Носков M.M. О новом фотоэлектрическом эффекте в закиси меди// Phys. Zs. Sow. Un. 1934. — N. 5. — С. 586.
  73. Я.И. Объяснение фотоэлектромагнитного эффекта в полупроводниках/7 Phys. Zs. ol. Sow. Un. 1934. — N. 5. — С. 597.
  74. W. van Roosbroeck. Theory of the Photoelectromagnetic Effect in Semiconductors/ Phys. Rev. -1956. -V. 101. -N. 6. P. 1713−1725.
  75. Ю.И. Фотоэлектромагнитный эффект в полупроводниках и его применение/ М.: Сов. Радио, 1967.-93 с.
  76. Nowak М. Photoelectromagnetic effect in semiconductors and its application! I Prog. Quant. Electr. 1987. — V. 11. — P. 205−346.
  77. A.A. Фотомагнитный эффект в изотропных полупроводниках и его использование для измерения времени эюизни неосновных носителей тока! ФТТ. 1960. — Т. 11. — N. 5. -С. 836−847.
  78. Lile D.L. Generalized photoelectromagnetic effect in semiconductors!7 Phys. Rev. B. 1973. -V. 8.-N. 10.-P. 4708−4722.
  79. P.И., Яссиевич И. Н. Фотомагнитный эффект эффект в квантующем магнитном поле при разогреве электронов светом! ЖЭТФ. 1969. — Т. 56. — N. 4. — С. 1432 -1440.
  80. Гасан-заде С.Г., Жадько И. П., Зинченко Э. А., Фридрих Е. С., Шепельский Г. А. Влияние анодного окисления поверхности на характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах CdxHgj. xTe! ФТП. -1991. Т. 25. — N. 5. — С. 871−875.
  81. Гасан-заде С.Г., Жадько И. П., Зинченко Э. А., Романов В. А., Сальков Е. А., Шепельский Г. А. Влияние пластической деформации на фотомагнитный эффект и фотопроводимость в кристаллах CdxHgi. xTeH ФТП. -1989. Т. 23. — N. 1. — С. 85 — 89.
  82. Konczak S. and Nowak М. Some comments on the photoelectromagnetic effect// Surf. Sci. — 1979.-87.-P. 228−238.
  83. Mordovich D., Zemel A., Zussman A., Eger D. Photoelectromagnetic effect in p-type HgCdTe layers grown by liquid phase epitaxyll J. Appl. Phys. 1987. — V. 51, — N. 26. — P. 2239 -2241.
  84. Schneider W. and Behler K. Application of photoconductivity mesurements in n-InSb under crossed field! I Appl. Phys. 1978. — V. 17. — P. 249−256.
  85. Cristoloveanu S. and Kang K.N. The field-assisted photoelectromagnetic effect: theory and experiment in semi-insulating GaAsI J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. — V. 17. — P. 699−712.
  86. Kurnick S. W. and Zitter R. N. Photoconductive and Photoelectromagnetic Effects in InSbll J. Appl. Phys. 1956. — V. 27. — N. 3. — P. 278−285.
  87. Goodwin P.W. Reports of Meeting on Semiconductors! Phys. Soc. London. 1956. — P. 137.
  88. Konczak S. and Nowak M. The estimation of semiconductors parameters using least squares in photomagnetoelectric investigations! У Phys. Stat. Sol. (a). 1981. — V. 63. — P. 305−311.
  89. Г. К., Коваленко В. Ф., Смоляр A.H. Варизонные полупроводники/ Киев: Выща школа, 1989.-251 с.
  90. Kroemer Н. Quasi-electric and quasi-magnetic fields in nonuniform semiconductors! RCA Review. 1957. — V. XVIII. — N. 3. — P. 332- 342.
  91. Г. В. Фотоэффект в варизонной р-п структуре! ФТП. 1975. — Т. 9. — N. 2. — С. 253−262.
  92. О.В., Царенков Г. В. Фотопроводимость и эффект Дембера в варизонных полупроводниках! I ФТП. 1976. — Т. 10. -N. 4. — С. 720−728.
  93. А.Я., Петросян С. Г., Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. О фоточувствительности варизонной структуры! I ФТП. 1976. — Т. 10. — N. 4. — С. 673−676.
  94. В.А., Волков А. С., Гольдберг Ю. А., Дмитриев А. Г., Царенков Б. В. Фотоэлектрический эффект в варизонных поверхностно-барьерных структурах (теоретическое рассмотрение)!! ФТП. 1979. — Т. 13. — N. 6. — С. 1110−1115.
  95. С.В. Спектральные характеристики варизонных структур с нелинейным профилем состава! ФТП. 1992. — Т. 26. — N. 9. — С. 1631−1634.
  96. С.Г. Теоретическое исследование фотомагнитного эффекта в варизонных по-лупроводниках//ФШ 1977. — Т. И. -N. 5. — С. 886−891.
  97. Р.С., Калухов В. А., Чикичев С. И. Особенности фотомагнитного эффекта в варизонных структурах GaA,.x.ySbxPy// ФТП. 1985. — Т. 19. — N. 4. — С. 742−744.
  98. Kasprzak J.F., Pawlikowski J.M., Besla P., Maychrowska H. Spectral characteristic of the PEM-effect in graded-gap CdxHg,.xTe/! Acta. Phys. Polon. 1980. — V. A57. — P. 311−322.
  99. Genzow D., Jozwikowska A., Jozwikowski K., Niedzeila T. and Piotrovski J. Photoelectromagnetic effete in CdxHgi. xTe graded-gap structures! Infrared Phys. 1984. — V. 24. — N. 1. — P. 2124.
  100. A.B., Шалыгин B.A., Стафеев В. И. Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом! ФТП. 1995. -Т. 29.-N. 11.-С. 2039−2052.
  101. Spicer W.E. Metal contacts on Hgl-xCdxTef/ J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. — V. 8. — P. 11 741 176.
  102. Achard J., Varenne-Guillot C., Barbarin F., Dugay M. Comments on the appearance of «mirror» peaks in mobility spectrum analysis of semiconducting devices!'/ Appl. Surf. Sci. 2000. -V. 158.-P. 345−352.
  103. Шуп Т. E. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство/ М.:Мир, 1982.-235 с.
  104. Jones С.Е., Nair V., Lindquist J., Polla D.L. Effects of deep-level defects in Hgl-xCdxTe provided by DLTSH J. Vac. Sci. Technol. 1982. — V. 21. — N. 1. — P. 187−190.
  105. Nemirovsky Y., Fastow R., Meyassed M. and Unikovsky A. Trapping effect in HgCdTe// J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. — V. 9. — N. 3. — P. 1829 — 1839.
  106. B.H., Протасов Д. Ю., Талипов H.X. Метод дифференциального магнитосопротивления для определения концентрации и подвижности электронов и легких дырок в CdxHgi-xTeр-типа// Автометрия. -1998. № 5. — С. 99 -107.
  107. Дж. Блатт. Теория подвижности электронов в твердых телах/ JL, Физматгиз, 1963.-224 с.
  108. Lou L.F. and Frye W.H. Hall effect and resistivity in liquid-phase-epitaxial layers of HgCdTe// J.Appl. Phys. 1984. — V. 56. — N. 8. — P. 2253−2267.
  109. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors.//J. Appl. Phys. -1974. V. 45. — N. 7. — P. 3023−3032.
  110. Tanaka M., Ozaki K., Nishino H., Ebe H. and Miyamoto Y. Electrical Properties of HgCdTe epilayers doped with silver using an AgN03 solution// J. Electron. Mater. 1998. — V. 27. — N. 6. -P. 579−582.
  111. Nishino H., Ozaki К., Tanaka M., Saito Т., Ebe H., Miyamoto Y. Acceptor level related Shockley-Read-Hall centers inp-HgCdTe// J. Cryst. Growth. 2000. — V. 214/215. — P. 275 — 279.
  112. Bratt P.R. and Casselman T.M. Barrier formation in graded Hgl-xCdxTe heterostructuresll J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. — V. 3. — P. 238−245.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!