Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Механизмы ускорения перестройки атомных структур под действием света

Диссертация: Механизмы ускорения перестройки атомных структур под действием света
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В случае термического отжига образец помещается в печь при определенной температуре кристаллизации — критической температуре. В результате чего образец послойно, от поверхностных слоев, кристаллизуется к более глубинным. При этом требуется достаточно большое количество времени на процесс фазового перехода, и всегда есть вероятность технологического брака ввиду лишь частичной (поверхностной… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПЕРЕСТРУКТУРИРОВАНИЕ АТОМНЫХ КЛАСТЕРОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ СВЕТА
    • 1. 1. Экспериментальные исследования влияния оптического облучения на процесс кристаллизации аморфного вещества
    • 1. 2. Механизмы импульсного фотонного отжига
    • 1. 3. Принцип Франка-Кондона при поглощении фотона
    • 1. 4. Безызлучательные переходы в атомах и молекулах
  • ГЛАВА 2. МОДЕЛЬ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ АМОРФНОГО ВЕЩЕСТВА НА ОСНОВАНИИ ПРИНЦИПА ФРАНКА-КОНДОНА
    • 2. 1. Механизм кристаллизации аморфного вещества на основании принципа Франка-Кондона
    • 2. 2. Расчет параметров упругой ударной волны кристаллизации
    • 2. 3. Верификация модели кристаллизации аморфного вещества на основании принципа Франка-Кондона
  • ГЛАВА 3. КВАНТОВО-МЕХАНИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ АМОРФНОГО ВЕЩЕСТВА ПРИ БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНОМ ПЕРЕХОДЕ
    • 3. 1. Механизмы кристаллизации аморфного вещества при безызлучательном переходе
      • 3. 1. 1. Решение уравнения Шрёдингера для случая покоящихся ядер
      • 3. 1. 2. Решение уравнения Шрёдингера для случая подвижных ядер
    • 3. 2. Верификация квантово-механической модели кристаллизации аморфного вещества при безызлучательном переходе
    • 3. 3. Численное моделирование процесса перестройки атомного кластера под действием света

Механизмы ускорения перестройки атомных структур под действием света (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

исследования.

Явление перестройки атомных структур под действием света, имеющее широкое практическое применение и исследованное экспериментально, в физико-химической литературе до сих пор еще не получило должного теоретического объяснения ввиду сложности многокомпонентного процесса кристаллизации кластерных структур. Атомные структуры могут быть перестроены как в результате хорошо изученного термического отжига вещества, так и импульсного фотонного отжига (ИФО), привлекающего всё более пристальное внимание исследователей.

В настоящее время механизмы термического отжига достаточно полно исследованы и широко применяются в технологическом процессе. Например, после проката, литья, ковки, обработки резаньем и прочих видов производства промышленных материалов происходит неравномерное охлаждение заготовок. В результате чего появляются неоднородность их структуры и свойств, а также внутренние напряжения. Более того, отливки при затвердевании получаются неоднородными по химическому составу. Для устранения таких дефектов применяется отжиг [1], который представляет собой вид термической обработки, состоящий в нагреве металла, имеющего неустойчивое аморфное состояние в результате предшествующей обработки, и приводящий металл в более устойчивое твердое состояние [2]. При этом процессе заготовки и изделия получают устойчивую структуру без остаточных напряжений. Основными целями отжига являются снятие внутренних напряжений, устранение структурной и химической неоднородности, снижение твердости и улучшение обрабатываемости, а также подготовка изделия к последующим операциям.

Для получения наноматериалов из аморфного состояния используются два вида отжига: температурный, путем нагревания образца, и фотонный — с помощью облучения электромагнитными импульсами. Оба вида отжига имеют свои преимущества и недостатки при технологическом процессе, однако, с точки зрения материаловедения, импульсный фотонный отжиг (ИФО) более предпочтителен при производстве наноматериалов с заданными физическими свойствами [3].

В случае термического отжига образец помещается в печь при определенной температуре кристаллизации — критической температуре. В результате чего образец послойно, от поверхностных слоев, кристаллизуется к более глубинным. При этом требуется достаточно большое количество времени на процесс фазового перехода, и всегда есть вероятность технологического брака ввиду лишь частичной (поверхностной) кристаллизации образца [3]. Физические механизмы термического отжига наноматериалов хорошо изучены, проверены многочисленными экспериментами и нашли отражение в технологическом процессе [2], о чём говорит обширное количество научной литературы по данной тематике [1−4].

Второй вид отжига — импульсный — можно осуществить разнообразными способами, самый простой из которых заключается в пропускании электрического тока через образцы или в использовании малоинерционных печей [5]. Нагрев с помощью источников излучения представляет собой практический интерес, поскольку здесь открываются возможности отжига, локального по глубине и площади, достижения плавления тонких слоев, отжига слоев, имплантированных ионами, без нагрева матрицы, отжига через прозрачные диэлектрические слои и многое другое. Основными источниками излучения для импульсного отжига являются лампы накаливания, импульсные газоразрядные лампы, лазеры различных типов, электронные пушки достаточной мощности [5]. Каждый источник, каждая система имеют присущие ей достоинства для достижения цели, а выбор излучателей и условий их использования делается на основе анализа их характеристик и особенностей поставленной задачи.

Кристаллизация аморфного образца путем лазерного облучения происходит при температурах, меньших критической температуры кристаллизации, и имеет ряд преимуществ по сравнению с хорошо изученным термическим отжигом аморфных сплавов [6−9]. Это, прежде всего, а) более короткое время кристаллизации [10] (согласно [3], в 2 раза короче), б) возможность перехода в кристаллическую фазу любой области аморфного сплава, в том числе и находящейся вдали от поверхности образца [3]. Таким образом, кристаллизация в случае ИФО может идти не послойно, а во всём объеме образца.

Однако, несмотря на практические преимущества метода кристаллизации путем импульсного фотонного отжига, его широкое практическое применение и накопленный обширный экспериментальный материал [5, 7−17], теоретическое описание такого процесса в настоящее время отсутствует. В работе [9] высказывается предположение о возникновении ударной сверхзвуковой волны в области поглощения атомом фотона. Однако оно сделано на качественном уровне, при этом механизмы и причины возникновения такой волны в указанной работе не предлагаются и не анализируются.

С другой стороны, явления подобного рода (поглощение света и изменение состояния молекул) достаточно хорошо исследованы в оптической химии [18, 19], где было показано, что свет оказывает каталитическое воздействие, влияя на состояние молекулы и процесс перестройки ее атомного строения. В химических исследованиях имеется теоретическое описание кристаллизации под действием света для случая молекулярных структур, однако специфика аналогичных процессов взаимодействия света с конденсированными средами в современной научной литературе не описана.

Таким образом, проблема диссертационного исследования заключается в разрешении противоречия между наличием обширного экспериментального материала явления перестройки атомных структур под действием света и его недостаточным теоретическим обобщением в физической науке.

Целью работы является развитие представлений о физических механизмах процессов, активируемых светом, в конденсированных средах, изучение их специфики, а также создание модели фазовых переходов под действием фотонов, на основе которой становится возможной интерпретация экспериментально наблюдаемых особенностей перехода аморфных сплавов в поликристаллическое состояние.

Объектом исследования является оптоиндуцированная реконструкция атомных кластеров в твердых телах. Выбор явления переструктурирования вещества для детального фундаментального исследования был обусловлен увеличением числа экспериментальных работ по данной тематике и потребностью модернизации технологического процесса производства материалов с заданными характеристиками наноструктур. Предмет исследования — механизмы ускорения перестройки атомных структур под действием лазерного облучения.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы основные задачи научной работы:

— проанализировать теоретические модели и экспериментальные данные эффекта кристаллизации аморфных сплавов под действием света;

— определить роль и вклад различных взаимодействий внутри изучаемой системы;

— исследовать физические механизмы и описать стадии оптохи-мических процессов под действием света;

— разработать модель переструктурирования аморфных атомных структур под действием света;

— выявить совокупность критериев, определяющих достоверность предлагаемой модели кристаллизации, и соотнести их с известными экспериментальными данными.

Научная новизна исследования.

Основные результаты исследований механизма оптокинетических процессов под действием света получены впервые и заключаются в следующем:

— на основе принципа Франка-Кондона предложена модель перехода энергии фотонов в колебания решетки;

— предложена модель превращения энергии возбужденного состояния в энергию атомов решетки при безызлучательных переходах, рассмотрен механизм таких переходов;

— показано, что в аморфном веществе при взаимодействии со светом, возникают возмущения типа расходящейся ударной волны, локализованной около центра электронного возбуждения. Исследованы основные характеристики такой волны и оценена область влияния возбуждения решетки на процесс перестройки атомных кластеров.

Практическая значимость работы.

Полученные в диссертации результаты и разработанные модели, изложенные в главах 2 и 3, могут быть использованы для последующего развития физических основ теории оптохимических процессов, а также для интерпретации экспериментально наблюдаемых эффектов кристаллизации аморфных сплавов под действием света. На основании полученных теоретических представлений могут быть оптимизированы технологические процессы получения наноматериалов с заданными свойствами атомной структуры.

Положения, выносимые на защиту.

1. Наряду с тепловым, существует прямое воздействие света на конденсированное вещество, основанное на принципе Франка-Кон-дона и механизме безызлучательных переходов, способствующее пе-рестроике атомной структуры кластеров. В частности, перестройки из аморфного в кристаллическое состояние.

2. Механизм процесса перестройки связан с частичной или полной передачей энергии фотона локальному электронному возбуждению и последующей передачей атомному кластеру, в котором инициируется перестройка. В результате релаксации электронного возбуждения в области этого возбуждения возникает расходящаяся волна, также инициирующая перестройку атомных кластеров.

3. В отличие от теплового отжига, при импульсном фотонном отжиге, структурная перестройка конденсированного материала локализуется в пределах малоатомных кластеров.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на II Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов, молодых ученых и специалистов «Физика и технология аморфных и наноструктурированных материалов и систем» (Рязань, 2009), V Всероссийской конференции ФАГРАН «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах» (Воронеж, 2010), III Всероссийской школе-семинаре для студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноматериа-лы» (Рязань, 2010), X Международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» (Ставрополь, 2010), XII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (С.-Петербург, 2010), а также на научных сессиях Воронежского госуниверситета.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 8 печатных работ, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

Личный вклад автора.

Автор являлся фактическим исполнителем всех поставленных задач, участвовал в обсуждении результатов и проводил подготовку научной публикации для печати.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы, включающего 110 наименований.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Разработанная модель оптоиндуцированоой рекристаллизации аморфного вещества под действием света с использованием принципа Франка-Кондона и механизма безизлучательных переходов позволяет дать качественную интерпретацию экспериментальных закономерностей кристаллизации аморфных металлических сплавов.

2. При облучении светом аморфного вещества происходит прямое воздействие фотонов на процесс рекристаллизации до перехода его энергии в энергию тепловых колебаний.

3. Механизм прямого воздействия энергии фотонов на процесс рекристаллизации аморфного вещества основан на принципе Франка-Кондона, как при поглощении света, так и при гашении колебания по механизму безызлучательных переходов.

4. В отличие от молекулы, где так же применим принцип Франка-Кондона, в аморфном веществе при взаимодействии со светом, возникают возмущения типа ударной волны. В диссертации показано, что амплитуда такой волны быстро спадает от центра распространения, в результате чего атомная перестройка происходит в относительно малой области (нм). Поэтому облучение светом аморфных образцов является удобным методом получения наноструктурирован-ных материалов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе дано теоретическое объяснение ранее наблюдавшимся экспериментам по кристаллизации аморфных веществ под действием света. Предложены две модели, описывающие физические механизмы перестройки атомных кластеров под действием электромагнитного облучения. Первая модель, основанная на принципе Франка-Кондона, показывает вид и основные физические параметры упругой ударной волны, под действием которой происходит перестройка атомных кластеров в веществе. Вторая модель, использующая предлагаемый механизм безызлучательных переходов, учитывает взаимодействие электронной и фононной систем в процессе оптоиндуцированной кристаллизации. Обе модели в диссертации подверглись процедуре верификации, а полученные в них физические величины сопоставлялись с экспериментальными работами, которые подтверждают возможность теоретического объяснения ускорения перестройки атомных кластеров под действием света с помощью предлагаемых механизмов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. Н. Материаловедение и технология конструкционных материалов / А. Н. Пейсхахов, А. М. Кучер. — М.: Изд-во Михайлова, 2003. — 465 с.
  2. Ю. П. Материаловедение и технология металлов. -М.: Наука, 1988.-320 с.
  3. С. Б. Исследование фазового состава и субструктуры силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением пленок металлов на кремнии : автореф. дис.. д-ра физ.-мат. наук. Воронеж, 2000. — 32 с.
  4. О. В. Материаловедение / О, В. Травин, Н. Т. Травина. М.: Наука, 1989. — 405 с.
  5. А. В. Импульсный отжиг полупрводниковых материалов / А. В. Двуреченский, Г. А. Качурин, Е. В. Нидаев, Л. С. Смирнов. М.: Наука, 1982. — 384 с.
  6. А. А. Металловедение. М.: Металлургиздат, 1956. -495 с.
  7. Arutyunyan R. V. Investigation of regimes of repetitively pulsed XeCl-laser action on metals // R. V. Arutyunyan, L. A. Bolshov, V. M. Borisov et al. // Preprint of Kurchatov Institute of atomic energy. 1989. -V. 5958/9.-P. 1−48.
  8. Gurevich M. E. Laser-stimulated mass transfer in metals / M. E. Gurevich, L. N. Larikov, V. G, Novitskii et al. // Physica status solidi A. 1983. — V. 76, № 2. — P. 479−484.
  9. В. M. Влияние фотонного облучения на процесс рекристаллизации тонких металлических пленок / В. М. Иевлев, Т. Л.
  10. , А. H. Латышев и др. // Физика металлов и металловедение. -2007.-Т. 103, № 1. с. 61−72.
  11. Д. С. Импульсная обработка и массоперенос в металлах при низких температурах / 'Д. С. Герцрикен, В. Ф. Мазанко, В. М. Фальченко. Киев — Наукова думка, 1991. — 176 с.
  12. Таблицы физических величин / под ред. И. К. Кикоина. -М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.
  13. Г. М. Инициирование твердофазной химической реакции с помощью оптического и микроволнового облучения / Г. М. Батанов, Н. К. Бережецкая, И. А. Коссый, А. М. Магунов // Письма в ЖТФ. 2007. — Т. 33, № 12. — С. 76−82.
  14. А. У. Use of laser technology for modification of material properties (a review) / A. V. Paustovsky, У. E. Shelud’ko // Functional Materials. 1999. — У. 6, № 5. — P. 964−976.
  15. Ernst H. ./. Interband electronic excitation-assisted atomic scale restructuring of metal surfaces by nanosecond pulsed laser light / H.-J. Ernst, F. Charra, L. Douillar// Science. 1998. — V. 279 (5351). -P. 679−681.
  16. Вавилов В, С. Действие излучений на полупроводники/ В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С, Смирнов. М.: Наука, 1988. -192 с.
  17. А. Г. Лазерная обработка неметаллических материалов / А. Г. Григорянц, А. А. Соколов М.: Высшая школа, 1988. -191 с.
  18. Kobayashi Y, Improvement of Crystalline Quality of SOS with Laser Irradiation Techniques / Y. Kobayashi, T. Suzuki, M. Tamura // Jap. J. of Applied Physics. 1981. — V. 20, № 4. — P. 1249−1252.
  19. Л. Т. Химия высоких энергий/ Л. Т. Бугаенко,
  20. М. Г. Кузьмин, Л. С. Полак. М.: Химия, 1988. — 368 с.
  21. Н. Молекулярная фотохимия. М.: Мир, 1967.328 с.
  22. В. М. Твердофазный синтез силицидов при импульсной фотонной обработке гетеросистем Si-Me (Me: Pt, Pd, Ni, Mo, Ti) / В. M. Иевлев, С. Б. Куще в. В. Н. Санин // Физика и химия обработки материалов. 2002. — № 1. — С. 27−31.
  23. В.М. Синтез пленок карбидов вольфрама при импульсной обработке пленочных гетероструктур W-C / В. М. Иевлев, О. В. Сербии, С. Б. Кущев и др. // Вестник ВГТУ, сер. Материаловедение. 2002. — Вып. 1.11.-С. 87−93.
  24. Ditchfield R. Nonthermal effects of photon illumination on surface diffusion / R. Ditchfield, D. Llera-Rodriguez, E. G. Seebauer // Physical Review Letters. 1998. — V. 81, № 6. — P. 1259−1262.
  25. А. И. Упрочнение металлов под воздействием УФ-излучения // Письма в ЖТФ. 1998. — Т. 24, № 23. — С. 14−18.
  26. Д. И. Дальнодействующее влияние слабого фотонного облучения (с длиной волны 0,95 мкм) на механические свойства металлов / Д. И. Тетельбаум, А. А. Трофимов, А. Ю. Азов и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, № 23. — С. 9−13.
  27. А. Б, Влияние света на микротвердость металлов / А. Б. Герасимов, Э. Р. Кутелия, Г. Д. Чирадзе и др. // Физика и химия обработки материалов. 2003. — № 4. — С. 5−8.
  28. А. А. Физико-технологические основы электроники / А. А. Барыбин, В. Г. Сидоров. СПб.: Лань, 2001. — 268 с.
  29. . С. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах / Б. С. Бокштейн, Ч. В. Копецкий, Л. С. Швиндлерман. М.: Металлургия, 1986. — 224 с.
  30. А. В. Оптические свойства металлов. М.: Физ-матлит, 1961. -463 с.
  31. Э. С. Теория безызлучательных переходов в многоатомных молекулах / Э. С. Медведев, В. И. Ошеров. М.: Наука, 1983.-280 с.
  32. В. А, Кинетика безызлучательных процессов. -Кишинев: Изд-во АН МССР, 1968. 256 с.
  33. Л. Д, Квантовая механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. М.: Физматлит, 1963. — 346 с,
  34. Г. А. Влияние подпороговых излучений на диффузию в металлических системах / Г. А. Гуманский, Э. М. Шпилев-ский // Ядерно-радиационная физика и технология. Тула: Тульский политехнич. ин-т, 1976. — С, 8−12.
  35. Г. В. Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин «Оникс» / Г. В. Савицкий, А. Ю. Бончик, И, И. Ижнин и др. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002. — № 6. — С. 45−47.
  36. Готра 3. Ю. Импульсный лазерный отжиг ионно-имплан-тированных полупроводниковых материалов / 3. Ю. Готра, С. А. Осе-редько, Я. В. Бобицкий // Зарубежная электронная техника. 1983. -№ 3. — С. 3−48.
  37. R. Р, Macroscopic theory of pulsed laser annealing. Thermal transport and melting / R. P. Wood, G. E. Giles // Physical Review B. 1981. — V, 23, № 6. — P. 923−926.
  38. Wantelet H, Carrier diffusion in semiconductor subject to large gradients of excited carrier density / H. Wantelet, J. A. van Vechten // Physical Review B. 1981. — V. 23, № 10. — P. 5551−5557.
  39. Джибути 3. В. Механизмы импульсного фотонного отжигав полупроводниках с ковалентными и смешанными связями: автореф. дис.. д-ра физ.-мат. наук. Тбилиси, 2006. — 41 с.
  40. Foti G. Amorphous-polycrystal: transition induced by laser pulse in self-ion implanted silicon / G. Foti, E. Rimini, G. Vitali, M. Bertolotti // Applied Physics. 1977. — V. 14. — P. 189−191.
  41. Bertolotti M. Structure transitions in amorphous Si under laser irradiation / M. Bertolotti, G. Vitali, E. Rimini, G. Foil // J. of Applied Physics. 1979. — V. 51. — P. 259−265.
  42. Г. А. Об эффективности отжига имплантированных слоев миллисекундными лазерными импульсами / Г. А. Качурин, Е. В. Нидаев// Физика и техника полупроводников. 1977. — Т. 11, вып. 10.-С. 2012−2014.
  43. Sigmon Т. W. Crystallization of ion implanted silicon using a multiple pulse ruby laser / T. W. Sigmon, J. F. Gibbons // Ion implantation: the second USA-USSR seminar. Puschino, 1979. — P. 122−139.
  44. С. А. Динамика перекристаллизации кремниевых слоев импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности / С. А. Батищев, Н. И. Данилович, А. В. Демчук и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. — Вып. 1. — С. 115−123.
  45. Е. В. Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением / Е. В. Нидаев, A. JL
  46. Васильев // Физика и техника полупроводников. -1988. Т. 22, вып. 7. -С. 1190−1195.
  47. Romanov S, I. Crystallization of ion-implanted silicon layers by the nanosecond laser pulses / S.I. Romanov, G. A. Kachurin, L. S. Smirnov et al. // Radiation Effects. 1980. — V. 48, № ¼. — P. 191−194.
  48. Foti G. Amorphous thickness dependence in the transition to single crystal induced by laser pulse / G. Foti, E. Rimini, M. Bertolotti, G. Vitali // Physics Letters A. 1978. — V. 65, № 5−6. — P. 430−432.
  49. Foti G, Structure of crystallized layers by laser annealing of <100> and <111> self-implanted silicon samples / G. Foti, E. Rimini, W. S. Tseng, J. W. Mayer// Applied Physics A. 1978. — V. 15, № 4. -P. 365−369.
  50. Auston D. H. Time resolved reflectivity of ion-implanted silicon during laser annealing / D. H. Auston, С. M. Surko, T. N. C. Venkatesan et al.// Applied Physics Letters. 1978. — V. 33, № 5. -P. 437−440.
  51. Murakami K. Dynamic behavior of pulsed-laser annealing in ion-implanted silicon: measurement of the time dependent optical reflectance / K. Murakami, M. Kawabe, K. Gamo et al,. // Physics Letters A.1979. V. 70, № 4. — P. 332−334.
  52. Gibson J. M. Evidence for partial solid-state regrowth during pulsed-laser annealing / J. M. Gibson, R. Tsu // Applied Physics Letters.1980. V. 37, № 2. — P. 197−200.
  53. P.M. Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния // P.M. Баязитов, Г. Д. Ивлев, И. Б. Хайбулин и др. // Физика и техника полупроводников. 1988. — Т. 22, вып. 1. -С. 79−83.
  54. Г. Д. Кристаллизация аморфизированного слоя кремния при наносекундном воздействии лазерного излучения / Г. Д. Ивлев, Н. И. Романова// Поверхность, Физика, химия, механика. 1989. -№ 4.-С. 145−147.
  55. В. Ю. Плазменный эффект при импульсном наносекундном отжиге аморфных слоев кремния / В. Ю. Баландин, А. В. Двуреченский, JL Н. Александров // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. — № 7. — С. 79−86.
  56. Г. Д. Фазовые превращения, инициируемые в тонких слоях аморфного кремния наносекундным воздействием излучения эксимерного лазера / Г. Д. Ивлев, Е. И. Гацкевич // Физика и техника полупроводников. 2003. — Т. 37, вып. 5. — С. 622−628.
  57. М. Д Влияние имплантации ионов фосфора на кристаллизацию пленок аморфного кремния при воздействии импульсов излучения эксимерного лазера / М. Д. Ефремов, В. А. Володин, С. А. Аржанникова и др.// Письма в ЖТФ. 2005. — Т. 31, вып. 3. — С. 86−94.
  58. В. II. Лазерный отжиг имплантированного GaAs роль имплантированных дефектов / В. Н. Якимкин, В. В. Ушаков,
  59. A. А. Гиппиус и др. // Физика и техника полупроводников. 1988. -Т. 22, вып. 9. — С. 1563−1568.
  60. Грибов Б, Г. Эволюция электрофизических и структурных свойств c-GaAs при импульсном лазерном облучении / Б. Г. Грибов, Г. М. Гусаков, Т. Н, Кодратова и др. // Доклады АН СССР. 1990. -Т. 314, № 3.-С. 618−621.
  61. Sealy В, J. Laser annealing of ion implanted GaAs / В. J. Sealy,
  62. Kolobov А. V. Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media / A. V. Kolobov, P. Fons, A. I. Frenkel, A. L. Ankundinov et al. // Nature material. 2004. — V. 3. — P. 703−708.
  63. Kolobov A. V. Around the phase-change cycle // Nature material. 2008. — V. 7. — P. 351−353.
  64. Friedrich I. Morphology, structure of laser-modified Ge2Sb2Te5 films studied by transmission electron microscopy / I. Friedrich, V. Weidenhof, S. Lenk, M. Wuttig // Thin Solid Films. 2001. — V. 389. -P. 239−244.
  65. И. Б. Физические основы лазерного отжига полупроводников // Материалы полупроводниковой электроники: те-мат. сб. Л.: Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе, 1984. — С. 52−98.
  66. И. Б. Импульсный отжиг полупроводников, состояние, проблемы и нерешенные вопросы / И. Б. Хайбулин, Л. С. Смирнов // Физика и техника полупроводников. 1985. — Т. 19, вып. 4.-С. 569−591.
  67. В. Н. К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников / В. Н. Абакумов, Ж. И. Алфёров, Ю. В. Ковальчук, Е. Л. Портной // Физика и техника полупроводников. 1983. — Т. 17, вып. 12. — С. 2224−2227.
  68. X. Ионная имплантация / X. Риссел, Н. Круге. М.: Наука, 1983. — 360 с.
  69. Капаев В, В. Нетепловой механизм лазерного отжига полупроводников и образование сверхструктуры / В. В. Капаев, Ю. В. Ко-паев, С. Н. Молотков // Микроэлектроника. 1983. — Т. 12, вып. 6. -С. 499−511.
  70. Ю. В. Неравновесные фазовые переходы в кова-лентных полупроводниках под воздействием лазерного излучения / Ю. В. Копаев, В. В. Меняйленко, G. Н. Молотков // Физика твердого тела. 1985. — Т. 27, вып. И. — С. 3288−3294.
  71. А. Б. Механизм низкотемпературного лазерного отжига полупроводников / А. Б. Герасимов, 3. В. Джибути, М. А. Куправа и др.// Сообщения АН ГССР. 1992. — Т. 45, вып. 1. -С. 67−70.
  72. Bowen Е. J. The dissociation theory and photochemical thresholds // Transactions of the Faraday Society. 1926. — V. 21. — P. 543−546.
  73. Condon E. A theory of intensity distribution in band systems // Physical Review. 1926. — Y. 28, № 6. — P. 1182−1201.
  74. M. А. Атомная и молекулярная спектроскопия. -M.: Эдиториал УРСС, 2000. 894 с.
  75. А. К. Методы биофизических исследований. Оптические свойства молекул. М.: Изд-во Московского ун-та, 1999. -162 с.
  76. А. С. Квантовая механика / А. С. Давыдов. М.: Мир, 1981.-702 с.
  77. С. Фотолюминесценция растворов. М.: Мир, 1972.-512 с.
  78. М. Я, Экспериментальные методы химическойкинетики. Фотохимия / M. Я. Мельников, В. JI. Иванов. М.: Изд-во Московского ун-та, 2004. — 125 с.
  79. . Безызлучательные молекулярные электронные переходы / Б. Генри, М. Каша // Успехи физич. наук. 1972. — Т. 108, вып. 1.-С. 113−141.
  80. Zener С. Non-adiabatic crossing of energy levels // Proceed, of the Royal Society A. 1932. — V. 137. — P. 696−702.
  81. Landau L. Zur Theorie der Energieubertragung. II // Physikalische Z. der Sowjetunion. 1932. — B. 2. — S. 46−51- перевод: Ландау JI. Д. К теории передачи энергии при столкновениях. II // Собрание трудов. Т. 1. — М.: Наука, 1969. — С. 81−85.
  82. StuecKelberg Е. G. С. Theorie der unelastischen Sto? e zwischen Atomen // Helvetica Physica Acta. 1932. — V. 5. — P. 369122.
  83. Oppenheimer J. R. On the interaction of mesotrons and nuclei / J. R. Oppenheimer, J. Schwinger 11 Physical Review. 1941. — V. 60, № 2. -P. 150−152.
  84. Kasha M. Characterization of electronic transitions in complex molecules // Discussions of the Faraday Society. 1950. — V. 9. — P. 1419.
  85. Э. В. Современная фотохимия// Успехи физич. наук. 1936. — Т. 16, вып. 2. — С. 165−198.
  86. Sponer Я, Intra- and intermolecular radiationless quantum transitions in complex molecules // Radiation Research, Suppl. 1959. — V. 1. -P. 558−576.
  87. Robinson G. W. Spectra and energy transfer phenomena in crystalline rare gas solvents 11 J. of Molecular Spectroscopy. 1961. — V. 6. -P. 58−83.
  88. Seybold P, Radiationless transitions in gases and liquids / P.
  89. Seybold, M. Gouterman // Chemical Reviews. 1965. — V. 65, № 4. -P. 413−433.
  90. Lover S. K. The triplet state and molecular electronic processes in organic molecules / S. K. Lover, M. A. El-Sayed // Chemical Reviews. -1966.-V. 66, № 2.-P. 199−241.
  91. Gouterman M. Radiationless transitions: a semiclassical model // J. of Chemical Physics. 1962. — V. 36, № 11. — p. 2846−2853.
  92. Lin S. H, Rate of interconversion of electronic and vibrational energy // J. of Chemical Physics. 1966. — V. 44, № 10. — P. 3759−3767.
  93. Coulson C. A. Internal conversion and the crossing of molecular potential energy surfaces / C. A. Coulson, K. Zalewskii // Proceed, of the Royal Society A. 1962, — V. 268. — P. 437−451.
  94. Teller E. The crossing of potential surfaces// J. of Physical Chemistry. 1937. -V. 41, № l.-P. 109−116.
  95. Robinson G. W. Theory of electronic energy relaxation in the solid phase / G. W. Robinson, R. P. Frosch // J. of Chemical Physics. -1962. V. 37, № 9. — P. 1962−1974.
  96. Robinson G. W. Electronic excitation transfer and relaxation / G. W. Robinson, R. P. Frosch // J. of Chemical Physics. 1963. — V. 38, № 5.-P. 1187−1203.
  97. Hunt G, R. Excited States of Aromatic Hydrocarbons: Pathways of Internal Conversion // G. R. Hunt, E. F. McCoy, I. G. Ross // Australian J. of Chemistry. 1962, — V. 15, № 4. — P. 591−604.
  98. Siebrand W, Mechanism of radiationless triplet decay in aromatic hydrocarbons and the magnitude of the Franck-Condon factors // J. of Chemical Physics. 1966. — V. 44, № 10. — P. 4055−4057.
  99. Williams R. Fluorescence of naphthacene vapor / R. Williams, G. J. Goldsmith // J. of Chemical Physics. 1963. — V. 39, № 8. — P. 20 082 011.
  100. Watts R. J. Fluorescence and internal conversion in naphthalene vapor / R.J. Watts, S.J. Strickler// J. of Chemical Physics. 1966. -V. 44, № 6. — P. 2423−2426.
  101. Byrne J. P. Internal conversion in aromatic and N-heteroaroma-tic molecules / J. P. Byrne, E. F. McCoy, I. G. Ross // Australian J. of Chemistry. 1965. -V. 18, № 10. — P. 1589−1603.
  102. . M. Механизмы ускорения кристаллизации аморфных сплавов при облучении светом / Б. М. Даринский, JI. Ю. Юдин // Известия РАН. Серия физическая. 2010. — Т. 74, № 9. -С.1355−1359.
  103. Диаграммы состояний двойных металлических систем. Т. 1 / под ред. Н. П. Лякишева, М.: Машиностроение, 1996. — 76 с.
  104. М. Б. Квантовая механика: новые эксперименты, новые приложения и новые формулировки старых вопросов // Успехи физич. наук. 2000. — Т. 170, № 6. — С. 631−648.
  105. Л. Д. Гидродинамика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лившиц — под ред. Л. П. Питаевского. М.: Физматлит, 2006. — 736 с.
  106. П. В. Физика твердого тела/ П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. М.: Высшая школа, 2000. — 318 с.
  107. Ч. Введение в физику твердого тела / Ч. Киттель. -М.: Наука, 1978.-224 с.
  108. Дж. Принципы теории твердого тела / Дж. Займан. -М.: Мир, 1974.-468 с.
  109. .М. Ускорение перестройки атомных кластеров при безызлучателыюм переходе / Б. М. Даринский, Л. Ю. Юдин // Известия РАН. Серия физическая. 2011. — Т. 75, № Ю. — С. 13 901 393.
  110. В. В. Действие импульсного фотонного облучения на образование нанокристаллической структуры в аморфных сплавах Ее-Р-№> / В. В. Вавилова, В. М. Иевлев, Б. М. Даринский, Л. Ю. Юдин и др. // Металлы. 2011. — № 3. — С. 85.
  111. М. Е. Компьютерная химия/ М. Е. Соловьёв, М. М. Соловьёв. М.: Солон-Пресс, 2005. — 536 с.
  112. ПО. Паркер С, Фотолюминесценция растворов. М.: Мир, 1972.-512 с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!