Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации

Диссертация: Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на Международной конференции «Лазеры. Измерения. Информация», 2009, 2 — 4 июня, Санкт-Петербургна II симпозиуме по «Когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур». Москва-Звенигород, 16−18 ноября 2009 г.- на Конференции «Физика и астрономия», 2009, 29 — 30 октября, Санкт-Петербургна 2-ом… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Обзор литературы. Мощные полупроводниковые лазеры на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения АЮаАзЛпОаАзЛЗаАз
    • 1. 1. Концепция мощных полупроводниковых лазеров
    • 1. 2. Обзор литературных данных по мощным непрерывным полупроводниковым лазерам
    • 1. 3. Выводы по обзору литературы
  • Глава 2. Квантово-размерные асимметричные лазерные АЮаАзЛпОаАБ/ОаАБ гетероструктуры и полупроводниковые лазеры на их основе: изготовление и характеризация
    • 2. 1. Параметры исследуемых лазерных гетероструктур и технология их изготовления
    • 2. 2. Изготовление полупроводниковых лазеров постростовые технологии)
      • 2. 2. 1. Конструкция «мелкая меза»
      • 2. 2. 2. Конструкция «глубокая меза»
    • 2. 3. Выводы к главе 2

    Глава 3. Исследование фундаментальных причин ограничения мощности многомодовых лазеров на основе квантово-размерных асимметричных двойных гетероструктур раздельного ограничения в системе твёрдых растворов АЮаАзЛпОаАБ/ОаАБ при работе в непрерывном режиме генерации.

    § 3.1 Разогрев активной области полупроводникового лазера при работе в непрерывном режиме генерации.

    § 3.2 Температурная зависимость пороговой плотности тока и пороговой концентрации.

    § 3.3 Температурная делокализация носителей заряда.

    § 3.4 Температурная зависимость внутренних оптических потерь.

    § 3.5 Зависимость пороговой концентрации от количества квантовых ям в активной области.

    § 3.6 Выводы по результатам исследований фундаментальных причин, ограничивающих максимальную мощность многомодового полупроводникового лазера.

    Глава 4. Исследование излучательных и электрических характеристик полупроводниковых лазеров на основе оптимизированной конструкции квантово-размерной асимметричной двойной гетероструктуры раздельного ограничения в системе твёрдых растворов АЮаАзЛпОаАзЛлаАз при работе в непрерывном режиме генерации.

    § 4.1 Лазерные гетероструктуры мощных полупроводниковых лазеров в системе твёрдых растворов

    АЮаАз/ЬЮаАз/ОаАз.

    § 4.2 Внутренние оптические потери и температурная делокализация в полупроводниковых лазерах на основе лазеных гетероструктур в системе твёрдых растворов

    АЮаАв/ЬЮаАз/ОаАз.

    § 4.3 Основные оптические и электрические характеристики полупроводниковых лазеров на основе лазерных гетероструктур в системе твёрдых растворов АЮаАзЯпОаАБ/ОаАв.

    § 4.4 Температурная стабильность характеристик полупроводниковых лазеров на основе лазерных гетероструктур в системе твёрдых растворов

    АЮаАзЯпОаАз/ОаАэ.

Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Лазер является одним из наиболее интересных научно-технических достижений XX века. Создание полупроводниковых лазеров [1] и гетеролазеров [2], работающих в непрерывном режиме генерации при комнатной температуре привело к рождению совершенно новых отраслей промышленности. К ним относятся применения: в технологии обработки материалов, в системах записи и передачи информации, в медицине, в научных исследованиях и системах специального назначения.

Полупроводниковые лазеры неуклонно вытесняют газовые, твердотельные и другие источники когерентного излучения из всех областей их практического применения. За последние годы, в физике и технологии полупроводников, сформировалось направление мощных полупроводниковых лазеров на базе концепции асимметричных лазерных гетероструктур раздельного ограничения с малыми внутренними оптическими потерями [3]. Успехи, достигнутые в развитии мощных полупроводниковых лазеров трудно переоценить: мощность оптического излучения из одиночного источника превышает 16 Вт, а кпд достигает 75% в непрерывном режиме генерации [4 — 6]. Достигнутые характеристики ставят вне конкуренции мощные полупроводниковые лазеры в системах оптической накачки волоконных и твердотельных квантовых генераторов, и технологических применениях по обработке материалов. Непрерывное развитие подобных лазерных систем требует постоянного совершенствования и улучшения мощностных характеристик полупроводниковых источников излучения. Прогресс в развитии эпитаксиальных и постростовых технологий привел к тому, что максимально достижимую мощность полупроводникового лазера стали ограничивать главным образом фундаментальные причины, ведущие к насыщению ватт-амперных характеристик, а не свойства, зависящие от уровня технологического исполнения лазера. Поэтому увеличение оптической мощности требует ясного понимания не только конструктивных и технологических, но также фундаментальных причин, ограничивающих оптическую мощность излучения полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме генерации.

Таким образом, исследование свойств асимметричных гетероструктур раздельного ограничения и определение физических принципов повышения мощности полупроводниковых лазеров является актуальной задачей.

Основная цель работы заключалась в исследовании свойств квантово-размерных, асимметричных АЮаАзЛпОаАзЛлаАз гетероструктур раздельного ограничения и определении физических принципов повышения оптической мощности в непрерывном режиме генерации полупроводниковых лазеров на их основе.

Для достижения поставленной цели решался следующий комплекс задач.

1. Разработка асимметричных АЮаАзЛпОаАз/ОаАБ гетероструктур раздельного ограничения с минимальной пороговой концентрацией носителей заряда и низкими внутренними оптическими потерями.

2. Определение факторов, приводящих к снижению дифференциальной квантовой эффективности и ограничивающих максимально достижимую мощность полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме генерации.

3. Достижение высокой температурной стабильности характеристик мощных полупроводниковых лазеров на основе АЮаАзЛпОаАзАлаАз гетероструктур раздельного ограничения.

4. Исследование свойств мощных многомодовых непрерывных источников излучения на основе квантово-размерных, асимметричных АЮаАзЛпОаАзАлаАз гетероструктур раздельного ограничения.

Представляемые к защите научные положения и результаты.

Положения.

1. Снижение дифференциальной квантовой эффективности мощного полупроводникового лазера с увеличением тока накачки в непрерывном режиме генерации происходит в результате увеличения внутренних оптических потерь при сохранении величины внутреннего квантового выхода стимулированного излучения близкой к 100%.

2. Температурная делокализация носителей заряда в волноводный слой гетероструктуры раздельного ограничения является основной причиной роста внутренних оптических потерь, и ее подавление исключает снижение дифференциальной квантовой эффективности полупроводникового лазера.

3. Увеличение концентрации делокализованных носителей заряда в расширенном волноводном слое гетероструктуры раздельного.

17 3 ограничения до величины п ~ 3−10 см" ведет к резкому снижению дифференциальной квантовой эффективности и полному насыщению ватт-амперной характеристики мощных непрерывных полупроводниковых лазеров.

4.. Снижение пороговой концентрации в квантово-размерных активных областях непрерывного полупроводникового лазера при сохранении низких внутренних оптических потерь ведет к максимальной линейности ватт-амперной характеристики и достижению максимальной мощности в непрерывном режиме генерации.

Результаты.

1. Созданы асимметричные АЮаАз/ТпОаАзЛЗаАз гетероструктуры раздельного ограничения с длиной волны излучения X — 1060 нм, величиной внутренних оптических потерь, а -0,17 см" 1 и характеристическим параметром температурной стабильности пороговой плотности тока Т0 = 220 К.

2. Созданы одиночные многомодовые лазеры на основе асимметричных гетероструктур в системе твердых растворов, А Юа АзЛпОа АэЛлаАз с непрерывной выходной мощностью оптического излучения 21 Вт при комнатной температуре и сохраняющие 5 Вт излучаемой оптической мощности при увеличении температуры до 140 °C.

Научная новизна.

1. Исследован эффект температурной делокализации носителей заряда в волноводный слой полупроводникового лазера на основе асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения в зависимости от параметров активной области.

2. Установлено, что увеличение температуры активной области мощного полупроводникового лазера за порогом генерации приводит к росту внутренних оптических потерь при сохранении величины внутреннего квантового выхода стимулированного излучения близкой к 100%.

3. Показано, что внутренние оптические потери растут в результате увеличения концентрации делокализованных носителей заряда в волновод, и подавление температурной делокализации исключает рост внутренних потерь и снижение дифференциальной квантовой эффективности.

Практическая ценность.

1. Экспериментально установлены факторы, снижающие температурную делокализацию носителей заряда в волновод асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения (пороговая концентрация носителей заряда, температурная стабильность пороговой концентрации носителей заряда, энергетическая глубина активной области, толщина и число квантовых ям активной области).

2. Созданы асимметричные АЮаАзЛпОаАз/ОаАБ гетеро-структуры раздельного ограничения с характеристическим параметром температурной стабильности пороговой плотности тока Т0 — 220 К и величиной внутренних оптических потерь 0,17 см" 1. 3. В одиночных многомодовых лазерах на основе асимметричных гетероструктур в системе твердых растворов AlGaAs/InGaAs/GaAs достигнута непрерывная выходная мощность оптического излучения 21 Вт при комнатной температуре и 5 Вт излучаемой оптической мощности при увеличении температуры до 140 °C.

Приоритет результатов. В диссертации впервые определены и практически применены физические и технологические принципы увеличения оптической мощности полупроводниковых лазеров на основе асимметричных AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур раздельного ограничения. Достигнутые оптические характеристики полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме генерации (внутренние оптические потери — 0,17 см" 1- непрерывная выходная мощность оптического излучения — 21 Втхарактеристический параметр Т0 = 220 К), находятся на уровне лучших мировых результатов на момент написания работы.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на Международной конференции «Лазеры. Измерения. Информация», 2009, 2 — 4 июня, Санкт-Петербургна II симпозиуме по «Когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур». Москва-Звенигород, 16−18 ноября 2009 г.- на Конференции «Физика и астрономия», 2009, 29 — 30 октября, Санкт-Петербургна 2-ом Симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», 2010, 10 -12 ноябряСанкт-Петербургна конференции «Scientific and applied conf. Opto-nano electronics and renewable energy sources», 2010, Varna, Bulgariaна международном симпозиуме «XVIII Int. Symp. on Gas Flow and Chemical Lasers & High Power Lasers», 2010, 30 aug.-3 sept., Sofia, Bulgaria.

Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 5 работ, список которых приведен в конце реферата.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитированной литературы. Общий объем диссертации составляет: количество страниц 114, в том числе страниц основного текста 78, 48 рисунков на 28 страницах и 4 таблицы. Список цитированной литературы включает в себя 52 наименования.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему.

1. Определены и практически реализованы физические и технологические принципы увеличения оптической мощности полупроводниковых лазеров на основе асимметричных АЮаАзЛпваАз/ОаАБ гетероструктур раздельного ограничения.

2. Экспериментально показано, что снижение дифференциальной квантовой эффективности полупроводникового лазера с увеличением тока накачки в непрерывном режиме генерации происходит в результате увеличения внутренних оптических потерь при сохранении величины внутреннего квантового выхода стимулированного излучения близкой к 100%.

3. Экспериментально продемонстрировано, что увеличение концентрации делокализованных носителей заряда в расширенном волноводном слое.

17 3 гетероструктуры раздельного ограничения до величины п ~ 3−10 см" ведет к резкому снижению дифференциальной квантовой эффективности и полному насыщению ватт-амперной характеристики мощных непрерывных полупроводниковых лазеров.

4. Созданы и исследованы асимметричные АЮаАзЯпОаАз/ОаАБ гетероструктуры раздельного ограничения с длиной волны излучения Я~ 1060нм, величиной внутренних оптических потерь, а -0,17 см" 1 и характеристическим параметром температурной стабильности пороговой плотности тока Т0 = 220 К.

5. Созданы и исследованы одиночные многомодовые лазеры на основе асимметричных гетероструктур в системе твердых растворов АЮаАзЛпОаАБ/ОаАБ с непрерывной выходной мощностью оптического излучения 21 Вт при комнатной температуре и сохраняющие 5 Вт излучаемой оптической мощности при увеличении температуры до 140 °C.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. С. О. Слипченко, И. С. Шашкин, Л. С. Вавилова, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, И. С. Тарасов. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах. IIФТП 44 (5), 688 (2010).

2. H.A. Пихтин, С. О. Слипченко, И. С. Шашкин, М. А. Ладугин, A.A. Мармалюк, A.A. Подоскин, И. С. Тарасов. Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах (X =900−920 нм). II ФТП 44 (10), 1411 (2010).

3. М. А. Ладугин, A.B. Лютецкий, A.A. Мармалюк, A.A. Падалица, H.A. Пихтин, A.A. Подоскин, H.A. Рудова, С. О. Слипченко, И. С. Шашкин, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов. Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах (X =900−920 нм). // ФТП 44(10), 1417(2010).

4. И. С. Шашкин, Д. А. Винокуров, A.B. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, H.A. Рудова, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, К. В. Бахвалов, И. С. Тарасов. Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах (X = 1050−1070 нм). II ФТП 46 (10), в печати (2012).

5. И. С. Шашкин, Д. А. Винокуров, A.B. Лютецкий, Д. Н. Николаев, H.A. Пихтин, М. Г. Растегаева, З. Н. Соколова, С. О. Слипченко, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, Д. А. Веселов, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (X = 1050−1070 нм). // ФТП 46 (10), в печати (2012).

В заключение автор выражает глубокую благодарность научному руководителю И.С.ТарасовуН.А.Пихтину, С. О. Слипченко и.

A.А.Подоскину за плодотворные дискуссииЗ.Н.Соколовой и.

B.В.Шамахову за помощь в проведении теоретических расчетовсотрудникам А. В. Лютецкому, Д. А. Веселову, В. А. Капитонову за помощь при выполнении исследованийсотрудникам технологических групп Д. А. Винокурову, А. Л. Станкевичу, А. Ю. Лешко, Д. Н. Николаеву за огромную работу по изготовлению гетероструктур и всем сотрудникам лаборатории за всестороннюю поддержку и помощь.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.О. Слипченко, Д. А. Винокуров, H.A. Пихтин, З. Н. Соколова, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, Ж. И. Алферов. Сверхнизкие внутренние оптические потери в квантово-размерных лазерных гетероструктурах раздельного ограничения. II ФТП 38 (12), 1477 (2004).
  2. И.С. Тарасов. Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения. Обзор. II Квантовая электроника 40 (8), 661 (2010).
  3. D. Botez. Design consideration and analytical approximations for high continuous-wave power, broad-waveguide diode lasers. II Appl. Phys. Lett. 74, 3102(1999).
  4. M. Arai, T. Fujisawa, W. Kobayashi, K. Nakashima, M. Yuda, and Y. Kondo. High-temperature operation of 1.26 ?am Fabry-Perot laser with InGaAs metamorphic buffer on GaAs substrate. // Electron. Lett. 44, 1359 (2008).
  5. X. He, S. Srinivasan, S. Wilson, C. Mitchell, R. Patel. 10.9W continuous-wave optical power from 100 jim aperture InGaAs/AlGaAs (915 nm) laser diodes. II Electron. Lett. 34, 2126 (1998).
  6. S. O’Brien, H. Zhao, A. Schoenfelder, R. J. Lang. 9.3W CW (In)AlGaAs 100 fxm wide lasers at 970 nm. II Electron. Lett. 33, 1869 (1997).
  7. A. Al-Muhanna, L. J. Mawst, D. Botez, D. Z. Garbuzov, R. U. Martinelli, J. C. Conolly. High-power (> 10W) continuous-wave operation from 100? nm aperture 0.97 ?im emitting Alfree diode lasers. II Appl. Phys. Lett. 73, 1182 (1998).
  8. F. Bugge, G. Erbert, J. Fricke, S. Gramlich, R. Staske, H. Wenzel, U. Zeimer, and M. Weyers. 12 W CW diode lasers at 1120 nm with InGaAs QWs. II Appl. Phys. Lett. 79, 1965−1967 (2001).
  9. G. Erbert, F. Bugge, J. Fricke, P. Ressel, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle. High-power high-efficiency 1150-nm quantum-well laser. // IEEE J. Sei. Top. Quantum Electron. 11 (5), 1217−1222 (2005).
  10. B. Sumpf, A. Ginolas, G. Erbert, A. Knauer, K. Paschke, W Pittroff- R. Staske, G. Trankle. 10 W reliable operation of 100? um stripe width broad area lasers at 930 nm with small vertical far field. II CLEO, 111 (2005).
  11. P. Crump, A. Pietrzak, F. Bugge, H. Wenzel, G. Erbert, and G. Trankle. 975 nm high power diode lasers with high efficiency and narrow vertical far field enabled by low index quantum barriers. II Appl. Phys. Lett. 96, 131 110 (2010).
  12. G. Erbert, F. Bugge, B. Eppich, J. Fricke, K. Hasler, K. Paschke, A. Pietrzak, H. Wenzel, G. Trankle. High brightness diode lasers with very narrow vertical divergence. II Proc. of SPIE 6909, 69090P (2008).
  13. F. Bugge, H. Wenzel, B. Sumpf, G. Erbert, M. Weyers. High-performance laser diodes with emission wavelengths above 1100 nm and very small vertical divergence of the far field. II IEEE Photon. Technol. Lett. 17 (6), (2005).
  14. P. Crump, C.M. Schultz, A. Pietrzak, S. Knigge, O. Brox, A. Maa? dorf, F. Bugge, H. Wenzel, G. Erbert. 975-nm high-power broad area diode lasers optimized for narrow spectral linewidth applications. II Proc. of SPIE 7583, 75 83 ON (2010)
  15. G. Lin, S. T. Yen, Ch. P. Lee, and D. Ch. Liu. Extremely small vertical far-field angle of InGaAs-AlGaAs quantum-well lasers with specially designed cladding structure. II IEEE Photon. Technol. Lett. 8 (12), 1588 (1996).
  16. A. E. Жуков. Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур. II СПб.: ООО «Техномедиа», Изд-во «Элмор», 304 с. (2007).
  17. М. Gasser and Е. Е. Latta. Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes. II U.S. Patent 5 144 634, Sep. 1, (1992).
  18. S. Pawlik, J. Mueller, N. Lichtenstein, D. Jaeggi, and В. E. Schmidt. Reliable 808-nm high power laser diodes. II in 19th IEEE Int. Semiconductor Laser Conf., Matsue-shi, Japan, Sep. 21−25, Paper ThP3 (2004).
  19. Z. Kawazu, Y. Tashiro, A. Shima, D. Suzuki, H. Nishiguchi, T. Yagi, and E. Omura. Over 200-mW operation of single-lateral mode 780-nm laser diodes with window-mirror structure. II IEEE J. Sei. Topics Quantum Electron. 7 (2) 184 (2001).
  20. O. Hirotaka, H. Hideyoshi, and F. Toshinari. Compound semiconductor light emitting device. II European Patent EP1 006 629, Jul. 7 (2000).
  21. C. Silfvenius, P. Blixt, C. Lindstrom, and A. Feitisch. Native-nitride passivation eliminates facet failure. 11 Laser Focus World, pp. 69−73, Nov. (2003).
  22. К. W. Koh, M. W. Cho, Z. Zhu, T. Hanada, К. H. Yoo, M. Isshiki, and T. Yao. Growth of ZnSe on GaAs (110) surfaces by molecular beam epitaxy. II J. Cryst. Growth, 186, 528 (1998).
  23. H.A. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов. Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах./1 ФТП 38 (3), 374 (2004).
  24. А.В. Лютецкий, К. С. Борщев, А. Д. Бондарев, Т. А. Налет, Н. А. Пихтин,
  25. C.О. Слипченко, Н. В. Фетисова, М. А. Хомылев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, И. С. Тарасов. 1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур. II ФТП, 41 (7), 883 (2007).
  26. A. Komissarov, М. Maiorov, R. Menna, S. Todorov, J. Connolly,
  27. D. Garbuzov, V. Khalfin, A. Tsekoun. Waveguide collapse in InGaAsP ridge-waveguide lasers with weak lateral optical confinement. И CLEO'2001, Conference Proceedings, paper CMG1, 31 (2001).
  28. А.Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Н. В. Фетисова, Е. Г. Голикова, Ю. А. Рябоштан, И.С.
  29. Тарасов. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/ InP гетероструктур (lambda = 1.3−1.6 мкм). II ФТП 36(11), 1393 (2002).
  30. С.О. Слипченко, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов. Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах. II ФТП 43 (10), 1409 (2009).
  31. М. Ziegler, F. Weik, J.W. Tomm, Т. Elsaesser, W. Nakwaski, R. P. Sarzala, D. Lorenzen, J. Meusel, and A. Kozlowska. Transient thermal properties of high-power diode laser bars. II Appl. Phys. Lett., 89, 263 506 (2006).
  32. R. Puchert, A. Barwolff, M. Voss, U. Menzel, J. W. Tomm, and J. Luft. Transient thermal behavior of high-power diode-laser arrays. II IEEE Trans. Compon., Packag. Manuf. Technol., Part A, 23 (1), 95 (2000).
  33. M. Voss, C. Lier, U. Menzel, A. Barwolff, and T. Elsaesser. Time-resolved emission studies of GaAs/AlGaAs laser diode arrays on different heat sinks. II J. Appl. Phys., 79, 1170(1996).
  34. Ronald Diehl. High-Power Diode Lasers: Fundamentals, Technology, Applications, Topics in Applied Physics, 78, (Springer publishing Co., 2001).
  35. X. Кейси, M. Паниш. Лазеры на гетероструктурах. II М.: Мир, т.1 (1981).
  36. A.B. Савельев, И. И. Новиков, A.B. Чунарева, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, A.C. Паюсов, Е. М. Аракчеева В.А. Щукин, H.H. Леденцов. Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов. // ФТП 45 (4), 560 (2011).
  37. М Р С М Krijn. Heterojunction band offsets and effective masses in III-V quaternary alloys. II Semicond. Sei. Nechnol., 6 (1), 27 (1991).
  38. Л.В. Асрян. Спонтанная излучательная рекомбинация и безызлучательная оже-рекомбинация в квантоворазмерных гетероструктурах. // Квантовая электроника, 35 (12), 1117 (2005).
  39. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits. II John Wiley & Sons Inc. (1995).
  40. S. Adachi. Physical properties of III V Semiconductor Compounds. II John Wiley & Sons Inc. (1992).
  41. З.Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян. Захват носителей заряда и выходная мощность лазера на квантовой яме. II ФТП 45 (11), 1553 (2011).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!