Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах

Диссертация: Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Результаты исследований, вошедших в диссертацию, докладывались на 28-ой Международной конференции по физике полупроводников (ICPS-28, Vienna, 2006), 12-ой Международной конференции по сверхбыстрым явлениям в полупроводниках (UFPS-12, Vilnius, 2004), 35-ом Международном совещании по физике и технологии ТГц фотоники (Erice, Italy, 2005), 4-ой Международной конференции… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Фотогальванический эффект в полупроводниках (на примере соединений АЗВ5)
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Линейный фотогальванический эффект (ЛФГЭ) на свободных носителях в p-GaAs
    • 1. 3. ЛФГЭ при фотоионизации примесных центров. -33 1.3.1 ЛФГЭ в кристаллах p-GaAs (Zn) при низких температурах. — 33 1.3.2. ЛФГЭ в кристаллах n-InAs
    • 1. 4. Индуцированный магнитным полем ЛФГЭ
    • 1. 5. Циркулярный фотогальванический эффект, индуцированный магнитным полем
    • 1. 6. Быстродействующие измерители поляризационных характеристик инфракрасного и терагерцового лазерного излучения
  • 2. Оптические явления в пористом кремнии
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Быстрая полоса фотолюминесценции (ФЛ) и спектрально-временная трансформация излучения пористого кремния
    • 2. 3. Эффект поляризационной памяти в ФЛ пористого кремния
    • 2. 4. Анизотропия поляризационной памяти ФЛ пористого кремния, стимулированная светом
    • 2. 5. Усиленное комбинационное рассеяние света в пористом кремнии
  • 3. Терагерцовые излучательные переходы в низкоразмерных структурах и легированных полупроводниках (на примере Се (Са) и квантово-каскадных структур СаАз/АЮаАв)
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Электролюминесценция многопериодных структур с квантовыми ямами СаАБ/АЮаАБ в области 1.0−1.8 ТГц
    • 3. 3. Энергетический спектр и вероятности межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре СаАз/АЮаАз
    • 3. 4. Терагерцовое (ТГц) излучение при электрическом пробое мелкого акцептора в германии
      • 3. 4. 1. Спектр ТГц излучения вблизи порога примесного пробоя в Се (Са)
      • 3. 4. 2. Линейно поляризованная ТГц электролюминесценция в одноосно деформированном Се (Са)

Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Исследование неравновесных процессов, возникающих в кристалле в результате внешнего воздействия, занимает центральное место в физике полупроводников и мотивируется многочисленными техническими применениями полупроводниковых материалов. Важнейший раздел твердотельной электроники — оптоэлектроника — целиком базируется на неравновесных процессах, обусловленных взаимодействием электромагнитного излучения (света) с электронами в кристалле. Все многообразие таких процессов сводится либо к поглощению излучения и изменению состояния электронной подсистемы либо, наоборот, к генерации излучения при релаксации возбужденного состояния в электронной подсистеме, созданного электронным потоком внутри кристалла или в результате фотовозбуждения. Поляризация, наряду с интенсивностью и спектральным составом, является одной из основных характеристик излучения. В процессах взаимодействия электронной подсистемы кристалла с поляризованным излучением проявляются ее микроскопические особенности и свойства симметрии. Исследования поляризационных оптических явлений позволяют изучать как микроскопические свойства электронной подсистемы, так и детали взаимодействия света с веществом.

С развитием техники мощных лазеров, в процессе освоения оптоэлектроникой новых областей спектра, а также новых систем материалов и низкоразмерных структур возник целый ряд вопросов, касающихся механизмов формирования оптических и фотоэлектрических явлений, требующих детального изучения и которым посвящена диссертация. Среди них механизм фотогальванического эффекта (ФГЭ) в полупроводниковых кристаллах без центра инверсии. ФГЭ является следствием асимметрии элементарных электронных процессов, присущей нецентросимметричным средам [1], а направление тока ФГЭ полностью определяется поляризацией света и ориентацией кристалла. Несмотря на то, что эффект наблюдался в ряде полупроводников [2−4], механизм его формирования не был установлен и данная работа в значительной мере восполняет этот пробел. Исследования ФГЭ позволяют непосредственно изучать асимметрию элементарных электронных процессов, а, кроме того, свойства фотогальванического тока дают возможность анализировать поляризационный состав излучения. Фотогальванические токи, возбуждаемые ультракороткими световым импульсами в нецентросимметричных кристаллах, представляются интересными также для генерации широкополосного электромагнитного излучения терагерцового диапазона (0.1−10 ТГц) [5]. Терагерцовое излучение (ТГц) в настоящее время интенсивно исследуется в связи с перспективами его применения для решения многочисленных диагностических задач химии, биологии и медицины. Для практического применения ТГц излучения крайне необходимы источники ТГц излучения различного типа. Особый интерес представляют источники излучения с электрическим возбуждением.

Релаксация возбужденного состояния в полупроводниках и низкоразмерных структурах может сопровождаться квантовыми переходами, результатом которых является испускание ТГц излучения. Примером таких процессов может служить рекомбинация свободных носителей с ионизованными примесями, а также переходы между уровнями размерного квантования в структурах с квантовыми ямами. Спектральные исследования (в том числе поляризационная спектроскопия) в этой области сопряжены со значительными экспериментальными трудностями и вплоть до настоящего времени были ограничены лишь единичными работами. Однако именно такие исследования позволяют идентифицировать излучательные процессы, знание которых необходимо для построения реальных твердотельных ТГц излучателей, составляющих основу ТГц оптоэлектроники.

Уменьшение размеров элементов в твердотельной электронике привело к созданию низкоразмерных структур — двумерных, одномерных, нульмерных. Понижение симметрии низкоразмерных структур по сравнению с объемными кристаллами приводит к новым оптическим свойствам, не имеющим место в объемных полупроводниках, среди них поляризация рекомбинационного излучения в таких структурах, которая является следствием правил отбора для оптических переходов, характерных для систем с пониженной размерностью [6]. Одним из направлений физики низкоразмерных систем является исследование нанокристаллического кремния. Нанокристаллиты обладают рядом уникальных свойств, среди которых эффективная люминесценция в видимой области спектра. Такие нанокристаллиты могут быть приготовлены различными способами, например, в коллоидной форме или в виде кластеров Б! в матрице ЗЮ2 [7]. Пористый кремний, который получают путем электрохимического травления объемного Б!, также содержит нанокристаллиты различных размеров и форм. Люминесценция пористого кремния во многом аналогична излучению, наблюдаемому в системах нанокристаллитов 81, полученных другими методами. Благодаря простоте приготовления пористого кремния и высокой эффективности рекомбинационного излучения этот материал представляет интерес для оптоэлектроники, поскольку, реализация эффективных светоизлучающих приборов на его основе позволит создавать оптические интегральные схемы в рамках единой кремниевой технологии. Это обуславливает необходимость изучения оптических свойств пористого кремния и рекомбинационных явлений в этом материале. К моменту начала настоящей работы временные и поляризационные свойства излучения пористого кремния были практически не исследованы, что и вызвало необходимость проведения таких исследований.

Целью настоящей работы стало исследование и выявление микроскопических механизмов формирования новых оптических и фотоэлектрических явлений, связанных с поляризацией света, обусловленных неравновесными процессами в полупроводниковых материалах и структурах.

Объекты и методы исследований. В качестве объектов исследований использованы кристаллы р-ваАз^п), п-1пАз (Те), Се (Са) — пористый кремний, приготовленный на подложках ри п-кремниямногопериодные структуры с туннельно-связанными квантовыми ямами ваАз/АЮаАз. В работе применены разнообразные методы экспериментальной физики, среди которых: измерение быстрых фототоков, генерируемых импульсным лазерным излучением в твердом теле, спектроскопия фотолюминесценции как стационарная, так и с разрешением во времени, комбинационное рассеяние света, Фурье-спектроскопия. Анализ свойств электрических сигналов, генерируемых лазерным излучением, спектров и кинетики излучения, а также анализ поляризации излучения и отклика изучаемого объекта на поляризованное световое воздействие позволяет изучать детали физических процессов в исследуемых системах.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые: идентифицированы механизмы формирования линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках при монополярном фотовозбужденииобнаружен индуцированный магнитным полем циркулярный фотогальванический эффект в полупроводникахобнаружен эффект поляризационной памяти фотолюминесценции пористого кремнияобнаружена анизотропия поляризационной памяти фотолюминесценции пористого кремния, обусловленная формированием упорядоченного распределения нанокристаллитов в процессе электрохимического травления кремния в условиях линейно поляризованной подсветкиобнаружено усиление интенсивности комбинационного рассеяния порядка двадцати раз в пористом кремнии в сравнении с объемным кремниемобнаружена ТГц (1−1.8 ТГц) электролюминесценция за счет пространственно непрямых оптических переходов размерно-квантованных электронов между соседними квантовыми ямами в многопериодных структурах с туннельно-связанными квантовыми ямами СаАз/АЮаАзустановлено, что ТГц излучение, обусловленное электрическим пробоем мелкого акцептора в германии, вблизи порога пробоя формируется главным образом за счет внутрицентровых оптических переходов дырокобнаружена линейная поляризация ТГц излучения в одноосно деформированном германии в условиях пробоя мелкого акцептора электрическим полем.

Практическая ценность работы заключается в том, что полученные в ней результаты имеют принципиальное значение для построения нового типа фотоприемников одиночных и редко повторяющихся импульсов инфракрасных и ТГц лазеров, анализирующих наряду с временными и энергетическими характеристиками также и поляризационный состав излучениядля создания твердотельных источников ТГц излучения на область 1−2 ТГц. Кроме того, исследования, выполненные в диссертации, имеют принципиальное значение для понимания природы люминесценции пористого кремния.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Линейный фотогальванический эффект (ЛФГЭ) в полупроводниках типа р-ваАв при возбуждении в области X ~ 10 мкм в области высоких температур (Т>200 К) обусловлен оптическими переходами дырок между подзонами валентной зоны с одновременным рассеянием на оптических фононах. При низких температурах (Т<150 К) ЛФГЭ связан с фотоионизацией мелких акцепторов, а асимметрия вероятности фотоионизации примеси, обуславливающая фототок, объяснятся искажением волновой функции > свободной дырки полем октупольного момента примесного центра.

2. При фотоионизации глубоких центров типа структурных дефектов в кристаллах п-ШАв величина асимметрии вероятности фотоионизации оказывается существенно выше по сравнению с величиной асимметрии, характерной для мелких центров, обусловленными примесями замещения в кристаллах А3В5, что приводит к высокому квантовому выходу примесного ЛФГЭ.

3. Возбуждение циркулярно поляризованным светом негиротропного ц пьезоэлектрика во внешнем магнитном поле приводит к фототоку, величина и направление которого зависят от знака степени циркулярной поляризации накачки.

4. Фотолюминесценция пористого кремния в видимой области спектра имеет две полосы, значительно отличающиеся по спектральному положению и временам затухания. Две перекрывающиеся полосы фотолюминесценции пористого кремния обуславливают сильную спектрально-временную трансформацию излучения, наблюдаемого при импульсном фотовозбуждении.

5. При линейно поляризованном фотовозбуждении излучение пористого кремния в видимой области спектра поляризовано преимущественно вдоль вектора поляризации накачки. Фотолюминесценция поляризована во всей полосе излучения, а величина степени линейной поляризации достигает ~ 30% на её коротковолновом краю. Эффект объясняется анизотропной формой (квазиодномерностью) и хаотическим распределением кремниевых нанокристаллитов, рекомбинация в которых ответственна за видимое излучение пористого кремния.

6. Основной вклад в терагерцовую (ТГц) электролюминесценцию вблизи порога пробоя мелкого акцептора в германии вносят внутрицентровые оптические переходы. В спектре излучения доминирует переход из второго возбужденного состояния в основное состояние акцептора.

7. При одноосной деформации германия в направлении [111] происходит изменение в соотношениях сил осциллятора для перехода из первого и второго возбужденных состояний акцептора. При высоких давлениях (~ 3 кбар и выше) доминирующим становится оптический переход из первого возбужденного состояния, что сопровождается появлением сильной линейной поляризации в спектре ТГц электролюминесценции деформированного германия.

Публикации. Основные результаты диссертации отражены в 37 публикациях, список которых приведен в конце диссертации.

Апробация работы. Результаты исследований, вошедших в диссертацию, докладывались на 28-ой Международной конференции по физике полупроводников (ICPS-28, Vienna, 2006), 12-ой Международной конференции по сверхбыстрым явлениям в полупроводниках (UFPS-12, Vilnius, 2004), 35-ом Международном совещании по физике и технологии ТГц фотоники (Erice, Italy, 2005), 4-ой Международной конференции по оптоэлектронным материалам и приборам ИК диапазона (MIOMD-VI, St. Petersburg, 2004), конференциях Международного и Европейского обществ по материаловедению (San Fransicco, 1995; Strasbourg, 1995), 185-ом симпозиуме Американского электрохимического общества (ECS) (Chicago, 1995), на конференции Международного Оптического Инженерного общества (SPIE) (Trieste, 1993), на Международной конференции по свойствам люминесцирующего кремния (LESill, Munich, 1992), Международной конференции по технологии миллиметровых и инфракрасных волн (Beijing, 1989), Всесоюзных и.

Всероссийских конференциях по физике полупроводников (Баку, 1982; Минск, 1985; Нижний Новгород, 1993, 2001), Республиканской и Всесоюзной конференциях по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982; Ташкент, 1989), на 5-ом Всесоюзном совещании по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград, 1981), на 12-ом Всесоюзном семинаре «Импульсная фотометрия» (Ленинград, 1985). Результаты также докладывались на семинарах ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Технического университета г. Мюнхен (Германия) (Physics Department El6), Университета г. Ноттингем (Великобритания) (Electrical and Electronic Engineering Department).

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, трех частей, заключения, списка основных работ автора и списка цитированной литературы. Объем диссертации — 267 страницы, 62 рисунка, 4 таблицы и 245 ссылки на литературные источники.

Основные результаты и выводы работы:

1. Показано, что линейный фотогальванический эффект (ЛФГЭ) в кристаллах p-GaAs при температурах выше 250 К при возбуждении в области X 10 мкм вызван оптическими переходами между подзонами тяжелых и легких дырок, а роль рассеяния, ответственного за формирование фототока при этом, играет рассеяние на оптических фононах.

2. Исследован ЛФГЭ при фотоионизации мелких и глубоких примесных центров в полупроводниках. На примере мелкой примеси замещения в р-ОаАБ^п) и глубокого центра, обусловленного структурным дефектом в п-1пАз, показано существенное увеличение параметра асимметрии вероятности фотоионизации глубокого центра по сравнению с мелким.

3. Обнаружены и исследованы нехолловская и холловская компоненты индуциророванного магнитным полем ЛФГЭ в кристаллах р-ваЛв в области X -10 мкм. Показано, что эти составляющие ЛФГЭ тока сравнимы по величине, а их отличие от фототока в нулевом магнитном поле характеризуется параметром равным произведению циклотронной частоты на время релаксации импульса дырок.

4. Обнаружен индуцированный магнитным полем циркулярный фотогальванический эффект в негиротропном пьезоэлектрике. На примере кристаллов р-ваАБ в области X ~ 10 мкм показано что, циркулярный фототок почти на порядок превосходит холловскую и нехолловскую компоненты линейного фотогальванического тока. Эффект обусловлен кубическим по волновому вектору спиновым расщеплением энергетических зон носителей заряда в кристаллах без центра инверсии, возникновением корреляции между импульсом и спином носителей заряда при поглощении циркулярно поляризованного света и видоизменением этой корреляции в магнитном поле.

5. Предложены и созданы фотоприемники-анализаторы поляризациионых характеристик импульсного ИК и ТГц лазерного излучения на основе фотогальванического эффекта в полупроводниках.

6. Обнаружено, что фотолюминесценция пористого кремния в видимой области спектра имеет две полосы, значительно отличающиеся по спектральному положению и временам затухания, — быструю, с характерным временем затухания в наносекундном диапазоне и максимумом при -2.5 эВ, и медленную полосы, со временем затухания в микросекундном диапазоне при Т=300 К и максимумом при -2−1.6 эВ, положение которого зависит от момента регистрации спектра по отношению к максимуму импульса возбуждения.

7. Обнаружен эффект поляризационной памяти фотолюминесценции пористого кремния в видимой области спектра, состоящий в сохранении линейной поляризации возбуждения в излучении. Явление обусловлено хаотическим распределением и анизотропной формой нанокристаллитов пористого кремния, излучательная рекомбинация в которых ответственна за эффективную видимую ФЛ этого материала.

8. Обнаружено, что линейно поляризованная подсветка в процессе электрохимического травления приводит к возникновению анизотропии поляризационной памяти фотолюминесценции пористого кремния. Явление обусловлено формированием упорядоченного распределения квазиодномерных кремниевых нанокристаллитов в слоях пористого кремния.

9. Обнаружено усиление интегральной интенсивности КРС порядка 20 раз в пористом кремнии, полученном на кремнии n-типа, в сравнении с объемным кремнием. Явление обусловлено усилением электромагнитного поля на грубой поверхности макропористого подслоя пористого кремния.

10. Обнаружена полоса терагерцовой (ТГц) электролюминесценции с максимумом в области 33.7−59.4 см" 1 в многопериодных структурах с туннельно-связанными квантовьши ямами GaAs/AlGaAs (40 периодов, по 4 квантовых ямы разной ширины в каждом периоде). Показано, что ТГц излучение обусловлено пространственно непрямыми оптическими переходами электронов между состояниями, локализованными в соседних квантовых ямах (160 и 150 A) и которым соответствуют минимумы подзон размерного квантования.

11. Показано, что в спектре ТГц электролюминесценции, наблюдаемой вблизи порога пробоя мелкого акцептора в германии, доминируют узкие линии внутрицентровых переходов, обусловленные переходами дырок между возбужденными состояниями и основным состоянием мелкого акцептора. При этом основной вклад вносят переходы из второго возбужденного состояния акцептора. В спектре излучения обнаружены также особенности, связанные с переходами дырок внутри валентной зоны и переходами из состояний в валентной зоне на основное состояние примеси, вклады которых возрастают с ростом напряженности электрического поля.

12. Обнаружена линейная поляризация ТГц излучения, связанного с пробоем мелкого акцептора (Ga) в одноосно деформированном германии. Вблизи порога примесного пробоя степень линейной поляризации достигает ~ 80−90% на основных линиях излучения при давлении ~ 3 кбар в направлении [111]. 13. Показано, что в спектре ТГц излучения одноосно деформированного германия вблизи порога примесного пробоя в поляризации перпендикулярно оси давления при высоких давлениях 3 кбар и выше) доминирует переходы из первого возбужденного состояния в основное состояние акцептора, сила осциллятора которых крайне мала в случае отсутствия деформации.

В заключении я считаю своим долгом выразить благодарность своему учителю И. Д. Ярошецкому, многолетняя работа с которым в значительной степени определила мою научную судьбу и о котором я храню светлую память. Хочу выразить также благодарность П. М. Валову, многому научившему меня в начале моей научной деятельности. Я благодарен H.H. Зиновьеву, повседневное общение с которым во многом сформировало мое отношение к физическому эксперименту как к искусству, за постоянное внимание, поддержку и сотрудничество во многих этапах работы. Я искренне благодарен E. J1. Ивченко и Г. Е. Пикусу, сотрудничество с которыми было очень плодотворно и поучительно для меня. Я благодарен моим коллегам Ю.Б. Лянда-Геллеру, Д. И. Ковалеву, О. М. Сресели, И. Н. Яссиевич за плодотворное сотрудничество в отдельных этапах работы. Я признателен G. Polisskii, В. Ю. Некрасову и А. О. Захарьину, которые внесли вклад в работу на различных её этапах. Хочу также поблагодарить всех сотрудников лаборатории нелинейно-оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках и соседней лабораториинеравновесных процессов в полупроводниках ФТИ им. А. Ф. Иоффе, тем или иным образом способствовавших выполнению работы. Я благодарен моей жене Марине за терпение и неоценимую поддержку, без которой выполнение этой диссертационной работы было бы невозможным.

Заключение

.

В диссертационной работе проведены исследования широкого круга неравновесных процессов в полупроводниках и низкоразмерных структурах, обуславливающих новые фотоэлектрические и оптические явления. Исследования объединены единым подходом, основанном на анализе взаимодействия исследуемых объектов с поляризованным излучением. Исследования проведены в спектральном диапазоне, охватывающем видимую, инфракрасную (ИК) и терагерцовую (ТГц) области и включают процессы, • обусловленные оптическим или электрическим возбуждением.

Совокупность результатов, полученных в работе, представляет собой решение целого ряда проблем, имеющих важное научное и практическое значение, среди которых выявление природы баллистических фототоков, обусловленных асимметрией элементарных электронных процессов, в нецентросимметричных полупроводниках, а также установление новых типов излучательных переходов в полупроводниковых эмиттерах ТГц диапазона. Кроме того, в работе установлен и исследован ряд новых оптических свойств пористого кремния.

Показать весь текст

Список литературы

  1. AI. Андрианов A.B., Валов П. М., Ярошецкий И. Д. Инверсия знака линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках.// Письма в ЖЭТФ -1980-т. 31 -С. 532−535.
  2. A3. Андрианов A.B., Ивченко Ё. Л., Пикус Г. Е., Расулов Р. Я., Ярошецкий И. Д. Линейный фотогальванический эффект в дырочном арсениде галлия.// ЖЭТФ 1981 — т. 81 — С. 2080−2094.
  3. A4. Андрианов A.B., Ярошецкий И. Д. Обнаружение и исследование линейного фотогальванического эффекта в кристаллах InAs п-типа проводимости.// Тезисы Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса, 1982 — С. 20.
  4. А5. Andrianov A.V., Ivchenko E.L., Pikus G.E., Rasulov R. Ya, Yaroshertskii I.D. Linear photogalvanic effect in p-type A3B5 crystals.// Ferroelectrics 1983 -V. 43-P. 177−179.
  5. A6. Андрианов A.B., Ивченко Е. Л., Пикус Г. Е., Расулов Р. Я., Ярошецкий И. Д. Линейный фотогальванический эффект в кристаллах А3В5.// Тезисы докладов IX Всесоюзной конференции по физике полупроводников.1. Баку, 1982-С. 90−91.
  6. А7. Андрианов А. В. Детектор поляризации лазерных импульсов.// Тезисы докладов XII Всесоюзного семинара «Импульсная фотометрия». -Ленинград, 1985-С.ЗЗ.
  7. А8. Андрианов А. В., Берегулин Е. В., Ганичев С. Д., Глух К. Ю., Ярошецкий И. Д. Быстродействующий измеритель поляризационных характеристик лазерного ИК и субмиллиметрового излучения.// Письма в ЖТФ 1988 -Т. 14-С. 1326−1329.
  8. А9. Авторское свидетельство N 1 232 008 от 29.04.1984. Способ определения поляризационных характеристик одиночного лазерного импульса и устройство для его реализации./ Андрианов А. В., Берегулин Е. В., Ярошецкий И.Д.
  9. А10. Авторское свидетельство N 1 383 981 от 05.01.1986. Способ определения характеристик циркулярно поляризованной компоненты лазерного импульса и устройство для его реализации. / Андрианов А. В., Берегулин Е. В., Ярошецкий И.Д.
  10. А11. Андрианов А. В., Ярошецкий И. Д. Индуцированный магнитным полемциркулярный фотогальванический эффект в полупроводниках.// Письма в ЖЭТФ 1984 — Т. 40 — С. 131−133.
  11. И.Д. Магнитоиндуцированный циркулярный фототок в р-GaAs.// Тезисы X Всесоюзной конференции по физике полупроводников.- Минск, 1985-С. 79−80.
  12. А14. Андрианов А. В., Берегулин Е. В., Ивченко Е. Л., Лянда-Геллер Ю.Б.,
  13. Короткоживущая зеленая полоса и временная эволюция спектра фотолюминесценции пористого кремния.// Письма в ЖЭТФ 1992 — т. 56- С. 242−245.
  14. А19. Andrianov A.V., Kovalev D.I., Shuman V.B., Yaroshetskii I.D.
  15. Аномальная поляризация фотолюминесценции пористого кремния.// Письма в ЖЭТФ 1993 — Т. 58 — С. 417−420. А22. Андрианов А. В., Ковалев Д. И., Ярошецкий И. Д. Поляризованнаяфотолюминесценция пористого кремния.// ФТТ 1993 — Т. 35 — С. 26 772 683.
  16. А25. Polisski G., Andrianov A.V., Kovalev D., Koch F. Polarization memoryinduced by polarized light-assisted anodization of n-type Si.// Thin Solid Films 1996-V. 276-P. 235−237.
  17. А29. Зиновьев Н. Н., Андрианов А. В., Некрасов В. Ю., Беляков Л. В., Сресели О. М., Chamberlain J.M., Hill G. Электролюминесценция квантово-каскадных структурAlGaAs/GaAs в терагерцовом диапазоне.// ФТП -2002-Т. 36-С. 234−237.
  18. А30. Зиновьев Н. Н., Андрианов А. В., Некрасов В. Ю., Петровский В. А.,
  19. О.М., Chamberlain J.M., Hill G. Терагерцовая электролюминесценция квантово-каскадных структур.// Материалы совещания Нанофотоника-2002 Нижний Новгород, 2002 -С. 124−126.
  20. A32. Глинский Г. Ф., Андрианов A.B., Сресели O.M., Зиновьев Н.Н.
  21. Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs.// ФТП 2005 — Т. 39 — С. 1224−1229.
  22. АЗЗ. Андрианов А. В., Захарьин А. О., Яссиевич И. Н., Зиновьев Н. Н. Терагерцовая электролюминесценция в условиях пробоя мелкого акцептора в германии.// Письма в ЖЭТФ 2004−1.19-С. 448−451.
  23. А34. Andrianov A.V., Zakharin А.О., Yassoievich I.N., Zinovev N.N. Spontaneous Terahertz emission under electrical breakdown of a shallow acceptor in Ge.// Acta Physica Polonica A 2005 — V. 107 — P. 142−146.
  24. A35. Andrianov A.V., Zakharin A.O., Yassievich I.N., Zinov’ev N.N. Far Infrared Electroluminescence under Impact Ionization of a Shallow Acceptor in Ge.// Abstracts of VI International conference on Mid-infrared Optoelectronic
  25. Cote D., Fraser J.M., DeCamp M., Bucksbaum P.H., van Driel H.M. Thz emission from coherently controlled photocurrents in GaAs.// Appl. Phys. Lett. -1999-V. 75-P. 3959−3961.
  26. Cote D., Laman L., van Driel H.M. Rectification and shift currents in GaAs.// Appl. Phys. Lett. 2002 — V. 80 — P. 905−907.
  27. Weisbuch C., Vinter B. Quantum semiconductor structures. Boston, San Diego, New York, London, Sydney, Tokyo, Toronto: Academic Press, Inc., 1991 — 252 P.
  28. Bettotti P., Cazzanelli M., Dal Negro L., Danese В., Gaburro Z., Oton C.J., Vijaya Prakash G., Pavesi L. Silicon nanostructures for photonics.// J. Phys.:
  29. Condens. Matter 2002 — V.14 — P. 8253−8281.
  30. Pavesi L. Will silicon be the photonic material of third millennium?// J. Phys.: Condens. Matter 2003 — V. 15 — P. R 1169−1196.
  31. Л.Д. Собрание трудов. M: Наука, 1969, — 1 т., — С. 157−180.
  32. А.Ф. Избранные труды. Л: Наука, 1975, — 2 т. — С.133−192.
  33. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М: Физматгиз, 1963, — 496 С.
  34. A.M., Кастальский А. А., Рыбкин С. М., Ярошецкий И. Д. Увлечение свободных носителей тока фотонами при межзонных переходах в полупроводниках.// ЖЭТФ 1970 — Т. 58 — С. 544−550.
  35. Gibson A.F., Kimit М.Е., Walker А.С. Photon drag effect in germanium.// Appl. Phys. Lett. 1970 — V. 17 — P. 75−77.
  36. Е.Л., Пикус Г. Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках.// В кн.: Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980 -С. 275−293.
  37. Chen F.S. Optically induced change of refractive indexes in LiNb03 and LiBa03.//J. Appl. Phys. 1969 — V. 40 — P. 3389−3396.
  38. T.P., Греков A.A., Косоногов H.A., Фридкин В. М. Влияние освещения на доменную структуру и температуру Кюри в ВаТЮз.//ФТП 1972 — Т. 14 -С. 3214−3218.
  39. Ф., Мидвинтер Д. Прикладная нелинейная оптика. М: Мир, 1976 -256 С.
  40. Glass A.M., von der Linde D., Negran T.J. High-voltage bulk photovoltaic effect and photorefractive process in LiNb03.// Appl. Phys. Lett. 1974 — V. 25 — P. 233−235.
  41. Glass A.M., von der Linde D., Negran T.J., Auston D.H. Excited state polarization, bulk photovoltaic effect and the refractive effect in electrically polarized media.// J. Electron. Matter. 1975 — V. 4 — P. 915−943.
  42. В.И., Канаев' И.Ф., Малиновский B.K., Стурман Б. И. Фотоиндуцированные токи в сегнетоэлектриках.// Автометрия 1976 — N4 — С. 23−28.
  43. В.И., Малиновский В. К., Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в кристаллах с полярной осью.// ЖЭТФ 1977 — Т. 72 — С. 692−699.
  44. У. Применение тензоров и теории групп для описания физических свойств кристаллов. М: Мир, 1977 — 378 С.
  45. Ивченко E. JL, Пикус Г. Е. Новый фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах.// Письма в ЖЭТФ 1978 — Т. 28 — С. 640−643.
  46. Belinicher V.I. Space oscillating photocurrent in crystal without symmetry center.// Phys. Lett. 1978 — V. 66 — P. 213−214.
  47. В.И. Влияние спина электрона на фотогальванический эффект.// ФТТ 1978 — Т. 20 — С. 2955−2958.
  48. В.М., Бакун А. А., Данишевский A.M., Ивченко E.JL, Пикус Г. Е., Рогачев А. А., Обнаружение фотоэдс, зависящей от знака циркулярной поляризации света.// Письма в ЖЭТФ 1978 — Т. 28 — С. 80−84.
  49. М.П., Грачев А. И., Фотогальванические эффекты в селикате висмута Bii2SiO20.// Письма в ЖЭТФ 1979 — Т. ЗО — С. 18−21.
  50. М.П., Грачев А. И. Фотогальванические эффекты в кристаллах типа селенита.//ФТТ 1981 — Т. 22 — С. 1671 -1673.
  51. В.В., Есаян С. Х., Максимов А. Ю., Габриэлян В. Т. Циркулярный фотогальванический эффект в сегнетоэлектрике PbsGeOn.// Письма в ЖЭТФ 1981 — Т. 34 — С. 423−425.
  52. Ganichev S.D., Ketterl Н., Prettl W., Ivchemko E.L., Vorobjev L.E., Circular photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation in p-GaAs/AlGaAs multiple-quantum wells.//Appl. Phys. Lett. 2000 — V. 77 — P. 3146−3148.
  53. Ganichev S.D., Ivchenko E.L., Danilov S.D., Eroms J., Wegscheider W., Weiss D., Conversion of spin into direct electrical current in quantum wells.// Phys. Rev. Lett. 2001 — V. 86 — P. 4358−4361.
  54. Е.Л., Пикус Г. Е. Фотогальванические эффекты в кристаллах без центра инверсии.// В тем. Сборнике: Вопросы физики полупроводников (Мат. XI Зимней школы по физ. полупров.). Л: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1984 — С. 3−59.
  55. В.И., Ивченко Е. Л., Стурман Б. И. Кинетическая теория сдвигового фотогальванического эффекта в пьезоэлектриках.// ЖЭТФ -1982-Т. 83 N2(8) — С. 649:661.
  56. В.И., Филонов А. Н. Модели примесных центров в теории фотогальванического эффекта.// Автометрия 1978 — N1 — С. 46−50.
  57. Э.М., Магарилл Л. И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект в кристаллах без центра симметрии.// ФТТ- 1978 Т. 20 — С.2432−2436.
  58. Белиничер В. И" Стурман Б. И. Фононный механизм фотогальванического эффекта в пьезоэлектриках.// ФТТ 1978 — Т. 20 — С. 821−829.
  59. В.И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект при учете электронно-дырочного взаимодействия.// ФТП 1979 — Т. 13 — С. 23 122 315.
  60. Е.Л., Пикус Г. Е. Фотогальванический эффект в полупроводниках со сложными зонами.// ФТП 1979 — Т. 13 — С. 249−257.
  61. Б.И. Стурман, фотогальванический эффект в модели не глубоких примесных центров.//ФТТ 1980 — Т. 22 — С. 3084−3089.
  62. Belinicher V.I., Nivikov V.N. Photogalvanic effect in piezoelectrics. Quantum theory for interband transitions in gallium arsenide.// Phys. Stat. Sol. (b) — 1981 — V. 107-P. 61−68.
  63. Henneberger F., Rasulov R.J., Averkiev N.S. One a new photogalvanic effect due to free-carrier absorption.// Phys. Stat. Sol. (b) 1982 — V. 109 — P. 343−353.
  64. В.И. Фотогальванический эффект на свободных носителях в кристаллах без центра инверсии.// ЖЭТФ 1978 — Т.75 — С. 641−652.
  65. Аверкиев Н. С, Хеннебергер Ф., Циркулярный фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах за счёт электрон-фононного взаимодействия.//ФТТ 1982 — Т. 24 — С. 1124−1126.
  66. Koch W.T.H., Wurtel R., Munser R., Ruppel W. Bulk photovoltaic effect in BaTi03.// Sol. State Commun. 1975 — V. 17 — C. 847−850.
  67. П.В., Попов Б. Н., Фридкин B.M. Температурная и спектральная зависимость фотовольтаического тока в сегнетоэлектриках.// Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1977 — Т. 41 — С. 771−774.
  68. Д.Р., Греков А.А, Родин А. И. Аномальный фотовольтаический эффект в SbSJ.// ФТТ 1978 — Т. 20 — С. 2226−2227.
  69. Catalano I.M., Cingolani A. Optical rectification and photon drag in p-InAs at 10.6 |lm.//Sol. State Comm.-1981-V. 37-P. 183−185.
  70. Полупроводниковые соединения А3Б5. Под ред. Р. Вилардсона и Х. М. Херинга. М: Металургия, 1967 — 722 С.
  71. . Оптические процессы в полупроводниках. М: Мир, 1973 — С. 105−106.
  72. Braunsteine R., Kane Е.О., The valence band structure of the III-V compounds.// J. Phys. Chem. Solids -1962 V. 23 — P. 1423−1431.
  73. E.JI., Пикус Г. Е., Расулов Р. Я., Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках А3 В5 р-типа. Сдвиговый вклад.// ФТТ 1984 -Т. 26-В. 11-С. 3362−3368.
  74. М.Д., Магарилл Л. И., Энтин М. В. Теория явлений переноса в сильном электрическом поле для кристаллов без центра инверсии.// ФТП 1978 — Т. 12 — С. 249−257.
  75. AdachiS. GaAs and Related Materials Singapore, New Jersey, London, Hong Kong: World Scientific, 1994 — 318 p.
  76. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник. К: Наукова думка, 1975 — С. 297−459.
  77. Р.Я. Фотогальванические эффекты в кристаллах без центра инверсии.// Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ. мат. наук. Ленинград, 1983 — 175 с.
  78. Арсенид галлия: получение, свойства и применение.// Под ред. Кесаманлы Ф. П. и Наследова Д. Н. -М.: Наука, 1973 С. 156−256.
  79. Ш. М., Емельяненко О. В., Ергакова В. К., Кесаманлы Ф. П., Лагунова Т. С., Наследов Д. Н., Определение концентрации примесей по эффекту Холла и подвижности дырок в кристаллах арсенида галлия, легированного цинком.// ФТП 1971 — Т. 5 — С. 1888−1891.
  80. A.B. Исследование линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках.//Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ. мат. наук. Ленинград, 1983 — 147 с.
  81. К. Физика полупроводников. М: Наука, 1977 — 615 с.
  82. .Л., Дьяконов М. И. Акцепторные уровни в полупроводниках со структурой алмаза.// ФТП 1971 — Т. 5 — С. 2191−2199.
  83. Лянда-Геллер Ю. Б. Сдвиговый ток поляризованных носителей. // Письма в ЖЭТФ 1987 — Т. 46 — С. 388−390.
  84. Н.Ф. Переход металл-изолятор. М: Наука, 1979 — 410 с.
  85. Fukuyama H., Saiton N., Nemura J., Theory of impurity bands in magnetic fields. Transport properties// J. Phys. Soc. Japan 1970 — V. 28 — P. 842−860.
  86. Д.Н., Михайлова М. П., Слободчиков C.B., Температурная зависимость времени жизни носителей тока в InAs.// ФТТ 1963 — Т. 5 — С. 2317−2322.
  87. Д.Н., Михайлова М. П., Попов Ю. Г. Фотоэлектрические свойства n-InAs при низких температурах.// ФТТ 1964 — Т. 6 — С. 1550−1552.
  88. Э.К., Михайлова М. П., Наследов Д. Н., Попов Ю. Г., Хамракулов М. Примесная фотопроводимость в InAs.// ФТП 1964 — Т. 3 — С. 17 321 734.
  89. Р., Путхов Г. Основы квантовой электроники. М: Мир, 1972 — С. 75−77.
  90. Grave Т., Wurz Н., Shnieder W., Hubner F. Nonlinearity of the photon-drag voltage at high laser intensities.// J. Appl. Phys. 1978 — V. 15 — P. 89−92.
  91. Keliman F. Infrared saturation spectroscopy in p-type germanium.// IEEE J. Quant. Electron. 1978 — V. 12 — P. 592−597.
  92. Gibson A.F., Risito C.A., Raffo C.A., Kimmit W.F. Absorption saturation in germanium, silicon and gallium arsenide at 10.6 (im.// Appl. Phys. Lett. 1972 -V. 21-P. 536−537.
  93. E.B., Валов П. М., Ярошецкий И. Д. Экспериментальное исследование явления просветления в условиях разогрева и охлаждения электронов светом при внутризонных переходах в полупроводниках.// ФТП- 1978-T. 12-С. 239−243.
  94. James R.B., Smith D.L. Saturation of intervalence-band transitions in p-type semiconductors.// Phys. Rev. В 1980 — V. 3502−3512.
  95. Henry C.H., Lang D.V. Nonradiative capture and recombination by multiphonon emission in GaAs and GaP.// Phys. Rev. В 1977 — V. 15 — P. 989−1016.
  96. В.Я., Речкунов C.H. Захват электронов и дырок в сильном электрическом поле на безызлучательные центры в GaAs.// Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физике соединений А3В5. -Новосибирск, 1980 С. 208−209.
  97. В.Н., Перель В. И., Яссиевич И.Н.Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках, С. Петербург: Издат. «Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН», 1997, — 375с.
  98. Оптичские свойства полупроводников. Под редакцией Уилардсона Р. и Вира A.M. M.: Мир, 1970 — С. 213−224.
  99. В.В., Ивченко E.JL, Одинг В. Г. Генерационно-рекомбинационный шум в p-InSb при Т=78 К.// ФТП 1973 — Т. 7 -С. 798 801.
  100. Lee Т.Н., Fan H.Y. Faraday rotation in p-type semiconductors.// Phys. Rev. -1968-V. 165-P. 927−941.
  101. С.Б., Лазарев В. Г., Лянда-Геллер Ю.Б., Фридкин В. М. Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект в GaP.// ФТТ 1988 -Т. 30-С. 3362−3372.
  102. Е.Л., Лянда-Геллер Ю.Б., Пикус Г. Е. Магнитоиндуцированный циркулярный фотогальванический эффект в p-GaAs. // ФТП 1988 — Т. 30 -С. 990−996.
  103. Ivchenko E.L., Lyanda-Geller Yu.B., Pikus G.E. Magnetophotogalvanic effect in noncentrosymmetric crystals.// Ferroelectrics 1988 — V. 83 — P. 19- 27.
  104. Лянда-Геллер Ю. Б. Магнитоиндуцированный циркулярный фототок и спиновое расщепление подзон вырожденной валентной зоны в полупроводниках А3В5р-типа. // ФТП 1989 — Т. 31 — С. 150−155.
  105. Ivchenko E.L., Lyanda-Geller Yu.B., Pikus G.E. Circular magnetophotocurrent and spin splitting of band states in optically-inactive crystals.// Sol. State Comm. -1989-V. 67-P. 663−665.
  106. .П., Мирлин Д. Н., Перель В. И., Решина И. И. Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках.// УФН 1982 — Т. 136 — С. 459−499.
  107. С.Х., Ивченко Е. Л., Леманов В. В., Максимов А. Ю. Анизотропная фотопроводимость в сегнетоэлектриках.// Письма в ЖЭТФ 1984 — Т. 40 -С. 462−464.
  108. Г. Е., Марущак В. А., Титков А. Н. Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация в кубических кристаллах. // ФТП 1988 — Т. 22 — С. 185−200.
  109. Авторское свидетельство N 1 624 375 от 5.09.1988. Способ определения напряженности магнитного поля и устройство для его омуществления./
  110. А.В., Берегулин Е. В., Ярошецкий И.Д.
  111. Bettoti P., Cazzanelli М., Negro D., Daneze В., Gabutrro Z., Oton C.J., Vijaya Prakash G., Pavesi L. Silicon nanostructures for photonics (Review).// J. Phys.: Cond. Matt. 2002 — V. 14 — P. 8253−8281.
  112. Canham L.T. Silicon quantum array formation by electrochemical dissolution of wafer.// Appl. Phys. Lett. 1990- V. 57 — P. 1046−1048.
  113. Halimaoui A., Oules C., Bromchil G., Bsiesy A., Gaspard F., Herino R., Ligeon M., Muller F. Electroluminescence in visible range during anodic oxidation of porous silicon film.// Appl. Phys. Lett. 1991 — V. 59 — P. 304−306.
  114. Bressers P.M.M.C., Knapen J.W.J., Meulenkamp E.A., Kelly J.J. Visible electroluminescence from porous silicon/solution diode.// Appl. Phys. Lett. -1992 V. 61 — P.108−110.
  115. Koshida N., Koyama H. Visible electroluminescence from porous silicon.// Appl. Phys. Lett. 1992 — V. 61 — P. 347−349.
  116. Steiner R., Kozlovski F., Lang W. Electroluminescence from porous silicon diode with an increased electroluminescence quantum efficiency.// Appl. Phys. Lett. 1993 — V. 62 — P. 2700−2702.
  117. Uhlir A. Electrolytic shaping of germanium and silicon.// Bell Syst. Tech. J. -1956-V. 35 N 2 — P. 333−347.
  118. П. Практическое применение химического травления., в сб. Травление полупроводников, перевод с англ. под. ред. Горина С. Н. -М:Мир, 1965-С. 191−198.
  119. Smith R.L., Collins S.D. Porous silicon formation mechanism (Review).// J. Appl. Phys. 1992 — V. 71 — P. R1-R22.
  120. Bsiesy A., Vial J.C., Gaspard F., Herino R" Ligeon M., Muller F., Romestein R., Wasiela A., Halimaoui A., Bomchil G., Photoluminescence of highly porosity and of electrochemically oxidized porous silicon layers.// Surf. Sci. 1991 — V. 254-P. 195−200.
  121. Lockwood D.J. Optical properties of porous silicon.// Sol. St. Commun. 1994 -V. 92-P. 101−112.
  122. Unagami T., Seki M. Structure of porous silicon layers and heat-treatment effects.//J. Electro. Chem. Soc. 1978 — V. 125 — P. 1339−1344.
  123. Beale M.I.J., Benjamin J.D., Uren M.J., Chrew N.G., Cullis A.G. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon.// J. Cryst. Growth 1985 — V. 73 — P. 622 — 636.
  124. Pits and Pores: Formation, Properties, Significance for Advanced Luminescence Materials, Eds. Schmucki P., Lockood D.J., Isaace H., Bsiesy A. NJ, USA: Pennington, 997 V. PV97−7 — 495P.
  125. Lehmann V., Gosele U. Porous silicon formation: A quantum wire effect.// Appl. Phys. Lett. 1991 — V. 58 — P. 856−858.
  126. Bomchil G., Halimaoui A., Herino R. Porous silicon: The material and its application in silicon-isolator technology.// Appl. Surf. Sci. 1989 — V. 41/42 -P. 604−613.
  127. Beale M.I.J., Chrew N.G., Uren M.J., Cullis A.G., Benjamin J.D. Microstructure and formation mechanism of porous silicon.//Appl. Phys. Lett. -1985-V. 46- P. 86−88.
  128. Busek P., Cowley J., Eyring Le Roy. High Resolution Transmission Microscopy and Associated Techniques. Oxford: Scientific Publications, 1992−318 P.
  129. Berbezier I., Halimaoui A. A microstructural study of porous silicon.//J. Appl.
  130. Phys. 1993 — V. 74 — P. 5421−5425.
  131. Canham L.T., Cullis A.G., Pickering G., Dosser O.D., Cox T.I., Lynch T.P. Luminescent anodized silicon aerocrystal network prepared by supercritical drying.//Nature- 1994-V. 368-P.133−135.
  132. Barla K., Herino R., Bomchil G., Pfister J.C., Freund A. Determination of lattice parameter and elastic properties of porous silicon by X-ray diffraction.// J. Cryst. Growth 1984 — V. 68 — P.727 -732.
  133. Cullis A.G., Canham L.T., Calcott P.D.J. The structural and luminescence properties of porous silicon (review).// Appl. Appl. Phys. 1997 — V. 82 — P. 909−965.
  134. Watanabe Y., Arita Y., Yokoyama T., Igarashi Y. Formation and properties of porous silicon and its application.// J. Electrochem. Soc. 1975 — V. 122 — P. 1351−1355.
  135. Imai K. A new dielectric isolation method using porous silicon.// Sol. St. Electron. 1981 — V. 24 — P. 159−164.
  136. Pickering С., Beale M.I.J., Robins D.J., Pearson P.J., Greef R. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon.// J. Phys. C. 1984 — V. 17 — P. 6535−6552.
  137. Gardelis S., Rimmer J.S., Dawson P., Hamilton В., Kubiak R.A., Whall Т.Е., Parker E.H.C. Evidence of quantum confinement in the photoluminescence of porous Si and SiGe.// Appl. Phys. Lett. 1991 — V. 59 — P. 2118−2120.
  138. Koshida N., Koyama H. Efficient visible luminescence from Porous Silicon.//Jpn. J. Appl. Phys. 1991 — V. 30 — P. L1221-L1223.
  139. Cullis A.G., Canham L.T. Visible light emission due to quantum size effects in highly porous silicon crystalline silicon.// Nature 1991 — V. 353 — P. 335−338.
  140. Borghesi A., Guizzetti G., Sassella A., Bisi 0., Pavessi L. Induction-model analysis of Si-H stretching mode in porous silicon.// Sol. St. Commun. 1994 -V. 89-P. 615−618.
  141. Canham L.T., Groszek A.J. Characterization of microporous Si by flow calorimetry: Comparison with a hydrophobic Si02 molecular sieve.//! Appl. Phys. 1992 — V. 72 — P. 1558−1565.
  142. M.C., Яссиевич И. Н. Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния.// ФТП 1994 — Т. 27 — В. 5 — С. 871−883.
  143. Gelloz В., Koshida N. Electroluminescence with high and stable quantum effiency and low threshold voltage from anodically oxidized thin porous silicon diode.// J. Appl. Phys. 2000 — V. 88 — P. 4319−4324.
  144. C.K., Лешок А. А., Лабунов В. А., Борисенко B.E. Эффективностьлавинных светодиодов на основе пористого кремния.// ФТП 2005 — Т. 39 -С. 149−152.
  145. Kanemitsu Y. Light emission from porous silicon and related materials.// Phys. Reports 1995 — V. 263 — P. 1−91.
  146. John G.C., Singh V.A. Porous silicon: Theoretical studies.// Phys. Reports -1995-V. 263-P. 93−151.
  147. Porous Silicon, Eds. Z.C. Feng, R. Tsu Singapore: World Scientific, 1994 -712P.
  148. Porous Silicon: Science and Technology, Eds. J.-C. Vial, J. Derrien Berlin: Springer, 1995 — 355P.
  149. Advanced Luminescence Materials, Eds. D.J. Lockwood, P.M. Fauchet, N. Koshida, S.P.J. Brueck NJ, USA: Pennington, 1996 — V. PV 95−25 — 538P.
  150. D. Kovalev, Heckler H., Polisski G., Koch F. Optical properties of Si nanocrystals.// Phys. Stat. Sol. В 1999 — V. 215 — P. 871−932.
  151. Brand M.S., Fuchs H.D., Stuzmann M., Weber J., Cardona M. The origin of visible luminescence from «porous silicon»: A new interpretation.// Sol. St. Commun. 1992- V. 81 — P. 307−312.
  152. Stuzmann M., Brand M.S., Bustarret E., Fuchs H.D., Rosenbauer M., Hopner A., Weber J. Electronic and structural properties of porous silicon.//J. Non-Cryst. Sol. 1993 — V. 164−166 — P. 931−936.
  153. Prokes S.M., Glembocki O.J., Bermudez V.M., Kaplan R. SiHx excitation: An alternative mechanism for porous Si photoluminescence.// Phys. Rev. В 1992-V. 45-P. 13 788- 13 791.
  154. Xie Y.H., Wilson W.L., Ross F.M., Mucha J.A., Fitzgerald E.A., Macaujay J.M., Harris T.D. Luminescence and structural study of porous silicon films.// J. Appl. Phys. 1992 — V. 71 — P. 2403−2407.
  155. Petrova-Koch V., Muschik T., Kux A., Meyer B.K., F. Koch, Lehmann V. Rapid-thermal- oxidized porous Si The superior photoluminescent Si. // Appl. Phys. Lett. — 1992 — V. 61 — P. 943−945.
  156. Prokes S.M., Glembocki O.J. Light emission properties of porous silicon.//Mater. Chem. Phys. 1993 — V. 35 — P. 1−10.
  157. Iacona F., Franzo G., Spinella C. Correlation between luminescence and structural properties of Si nanocrystals.// J. Appl. Phys. 2000 — V. 87 — P. 1295−1303.
  158. Zacharias M., heitmann J., Scholz R., Kahler U., Schmidt M., Biasing J. Size-controled highly luminescence silicon nanocrystals: A Si/Si02 superlattice approach.// Appl. Phys. Lett. 2002 — V. 80 — P. 661−663.
  159. Brus L.E., Szajowski P.E., Wilson W.L., Harris T.D., Schuppler S., Citrin P.H. Luminescent silicon nanocrystal colloid via a high-tempetature aerosol reaction.// J. Am. Chem. Soc. 1995 — V. 117 — P. 2915−2918.
  160. Calcott P.D.J., Nash K.J., Canham L.T., Kane M.J., Brumhead D. Identification of radiative of transitions in highly porous silicon.// Journal Phys.: Condens. Matter 1993 — V. 5 — P. L91 — L98.
  161. Gaponenko S.V., Germanenko I.N., Petrov E.P., Stupak A.P., Bondarenko V.P., Dorofeev A.M. Time-resolved spectroscopy of visible emitting porous silicon.// Appl. Phys. Lett. 1994 — V. 64 — P. 85−87.
  162. Harris C.I., Syvajarvi M., Bergman J.P., Kordina 0., Henry A., Monemar B., Janzen E. Time-resolved decay of blue emission in porous silicon.//Appl. Phys. Lett. 1994 -V. 65 — P. 2451−2453.
  163. Kanemitsu Y., Futagi T., Matsumoto T., Mimura H. Origin of the blue and red photoluminescence from oxidized porous silicon// Phys. Rev. B. 1994 — V. 49 — P. 14 732−14 735.
  164. Maly P., Trojanek F., Kudra J., Hospodkova A., Banas S., Kohlova V., Valenta J., Penalt. Picosecond and millisecond dynamics of photoexcited carriers in porous silicon.// Phys. Rev. B 1996 — V. 54 — P. 7929 — 7936.
  165. M’ghaieth, Maaref H., Mihalcescu I, Vial J.C. Auger effect as the origin of the fast-luminescent band of freshly anodized porous silicon.// Phys. Rev. B. 1999 -V. 60-P. 4450−4453.
  166. Kanemitsu Y. Luminescence properties of nanometer-sized Si crystallites -core and surface states.// Phys. Rev. В 1994 — V. 49 — P. 16 845−16 848.
  167. Prokes S.M. Light-emission in thermally oxidized porous silicon evidance for oxide-related luminescence.// Appl. Phys. Lett. — 1993 — V. 62 — P. 3244−3246.
  168. Loni A., Simons A.J., Calcott P.D., Newey J.P., Cox T.I., Canham L.T. Relation between storage media and blue photoluminescence for oxidized porous silicon.//Appl. Phys. Lett. 1997 -V. 71- P. 107−109.
  169. Koyama H., Matsushita Y., Koshida N. Activation of blue emission from oxidized porous silicon by annealing in water vapor.// J. Appl. Phys. — 1998 — V. 83-P. 1776−1778.
  170. Li K.H., Tsai C" Shih S., Hsu T., Kwong D.L., Campbell J.C. The photoluminescence spectra of porous silicon boiled in water.// J. Appl. Phys. -1992-V. 72-P. 3816−3817. .
  171. Kovalev D.I., Yaroshetskii I.D., Mushik T., Petrova-Koch V., Koch F., Rapid-termal-oxidized porous Si.-The superior photoluminescent Si.// Appl. Phys. Lett 1994-V. 64-P. 214−216.
  172. O’Keefe P., Komuro S, Morikawa T, Aoyagi Y. Oxygen plasma induced enhancement and fatigue-suppression of the photoluminescence from porous Si.// J. of Non-Cryst. Solids. 1996 — V. 198−200 — Pt. 2. — P. 969−972.
  173. A.H., Тимошенко В. Ю., Окуши X., Ватанабе X. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и Si02.//
  174. Tamura H., Rueckschloss M., Wirschem Т., Verpek S. Origin of the blue-green luminescence from nanocrystalline Si.// Appl. Phys. Lett. 1994 — V. 65 — P. 1537−1539.
  175. Komuro S., Kato Т., Morikawa Т., O’Keeffe P., Aoyagi Y. Direct observation of oxigen-induced luminescent states in porous silicon by tunable excitation time-resolved spectroscopy.// Appl. Phys. Lett. 1996 — V. 68 — P. 949−951.
  176. П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М: Физматгиз, 1957 — 288 с.
  177. F., Zakharcheneya В.Р. (Eds) Optical Orientation, Modern Problems in Condenced Matter Science-Amsterdam: North-Holland Publ.Co, 1984 -280 p.
  178. Tsuchiya M., Gaines J.M., Yan R.H., Simes R.J., Holtz P.O., Golden L.A., Petroff P.M. Optical anisotropy in a quantum-well-wire array with two-dimensional quantum confinement. // Phys. Rev. Lett. 1989 — V. 62 — P. 466 469.
  179. Bockelmann U., Bastard G. Interband absorption in quantum wires. 1. Zero-magnetic-field case.// Phys. Rev. B 1992 — V. 45 — P. 1688- 1699.
  180. Lavallard P., Suris R.A. Polarized photoluminescence of an assembly of non cubic microcrystals in a dielectric matrix.// Sol. State Commun. 1995 — V. 95 -P. 267−269.
  181. Chamarro M., Gourdon C., Lavallard P. Photoluminescence polarization of semiconductor nanostructures.// J. Lumin. 1996 — V. 70 — P. 222−237.
  182. A.H., Лебедев А. А., Рабирин B.C., Капитонова Л. М. Скрытая анизотропия излучательных переходов в пористом кремнии.// Письма в ЖТФ. -1992. Т. 18 — С. 60−63.
  183. Koyama Н., Koshida N. Polarization retention in visible photoluminescence of porous silicon.// Phys. Rev. В 1995 — V. 52 — P. 2649−2655.
  184. Koch F., Kovalev D., Averboukh A., Polisski G., Ben-Chorin M. Polarization phenomena in optical properties of porous silicon.// J. Lumin. 1996 — V. 70 -P. 320−322.
  185. Lavallard P., Bichard R., Sapoval B. Valley selections by linear optical pumping.// Solid State Commun. 1975 — V. 17 — P. 1275−1277.
  186. Kapljanskii A.A., Sokolov N.S., Novikov B.V., Gastev S.V. Selective opticalvalley pumping in silicon and germanium.// Solid State Commun. 1976 — V. 20-p. 27−29.
  187. Sagnes I., Halimaoui A., Vincent G., Badoz P.A. Optical-absoiption evidence of a quantum size effect in porous silicon. // Appl. Phys. Lett. 1993 — V. 62 -P. 1155−1157.
  188. Semiconductors: Group IV elements and III-V compounds// Ed. by O. Madelung Berlin: Springer, 1991 -164 p.
  189. Kovalev D., Ben Chorin M., Diener J., Koch F., Efros A.L., Rosen M, Gippius N.A., Tikhodeev S.G. Porous Si anisotropy from photoluminescence polarization.// Appl. Phys. Lett. 1995 — V. 67 — P. 1585−1587.
  190. Allan G., Delerue C., Niquet Y.M. Luminescence polarization of silicon nanocrystals.// Phys. Rev. В 2000 — V. 63 — P. 20 5301(1)-20 5301(8).
  191. Brus L.E., Szajowski P.E., Wilson W.L., Harris T.D., Schuppler S., Citrin P.H. Luminescent silicon nanocrystal colloid via a high-tempetature aerosol reaction.// J. Am. Chem. Soc. 1995 — V. 117 — P. 2915−2918.
  192. Дж. Классическая электродинамика. М: Мир, 1965 — 153 с. Тамм И. Е. Основы теории электричества. — М: Наука, 1980 — 504 с.
  193. Polisski G., Averboukh В., Kovalev D., Koch F. Control of silicon nanocrystallite shape asymmetry and orientation by light-assisted anodization.// Appl. Phys. Lett. 1997 — V. 70 — P. 1116−1118.
  194. Koch F., Kovalev D., Averboukh A., Polisski G., Ben-Chorin M. Polarization phenomena in optical properties of porous silicon.// J. Lumin. 1996 — V. 70 -P. 320−322.
  195. Kovalev D., Averboukh В., Ben-Chorin M., Koch F., Efros ALL, Rosen M. Optically induced polarization anisotropy in porous Si.// Phys. Rev. Lett. -1996-V. 11-?. 2089−2092.
  196. Efros Al. L., Rosen M., Averboukh В., Kovalev D., Ben-Chorin M., Koch F. Optical induced polarization anisptropy.// Phys. Rev. В 1997 — V. 56 — P. 3875−3884.
  197. Sreseli O.M., Kovalev D.I., Polisski G. Polarization anisotropy of photoluminescence of oxidized silicon nanocrystals.// Nanostructures: Physics and Technology. Proceedings of International Symposium, St. Petersburg, Russia.-1999-C. 321−324.
  198. O.M., Ковалев Д. И., Беляков Л. В., Полисский Г. Проявление анизотропии нанокристаллитов фотолюминесценции слоев пористого кремния.// Изв. РАН. Сер. физическая. 2001 — Т. 65 — В. 2 — С. 296−298.
  199. Iqbal Z., Veprek S., Webb A.P., Capezzuto P. Raman scattering from small particle size polycrystalline silicon.// Sol. St. Commun. 1981 — V. 37 — P. 993−996.
  200. Richter H., Wang Z.P., Ley L. The one phonon Raman-spectrum in microcrystalline silicon. // Sol. St. Commun. 1981 — V. 39 — P. 625−629.
  201. Campbel I.H., Faushet P.M. The effects of microcrystal size and shape on the one phonon Raman spectra of crystalline semiconductors.// Sol. St. Commun. -1986-V. 58-P. 739−741.
  202. Obraztsova E.D., Avakyants L.P., Demidovich G.B. Raman investigation of porous silicon during cw-laser irradiating.//J. Electron Spect. And Rel. Phen. -1993-V. 64/65-P. 857−864.
  203. Fuchs H.D., Stutzmann M., Brand M.S., Rosenbauer M., Weber J., Breitschwerdt A., Deak P. j Cardona M. Porous silicon and siloxene -vibrotional and structural properties. // Phys. Rev. В 1993 — V. 48 — P. 8172 -8283.
  204. Kanemitsu Y., Uto H., Matsumoto Y., Matsumoto Т., Futagi Т., Mimura H. Optical properties of free-standing porous Si films.// Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1993 — V. 296 — P. 265 -270.
  205. И.И., Гук Е.Г. Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция пористого кремния.// ФТП 1993 — Т. 27 — С. 728 -735.
  206. Canham L.T., Leong W.Y., Beale M.I.J., Cox T.I., Taylor L. Efficient visible electroluminescence from highly porous silicon under cathodic bias. // Appl. Phys. Lett. 1992 — V. 61 — P. 2563 -2565.
  207. JI.В., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д. Эффективная электролюминесценция пористого кремния. // ФТП 1993 — Т. 27 — С. 1815- 1819.
  208. Kozlowski F., Lang W. Spatially resolved Raman measurements at electroluminescent porous silicon.// J. Appl. Phys. 1992 — V.72 — P. 5401 -5408.
  209. И.П., Кособукин В. А. Эффект усиления рассеяния света молекулами, адсорбированными на поверхности металлов.// В тем. Сборнике: Вопросы физики полупроводников (Мат. XI Зимней школы по физ. полупров.). Л: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1984 — С. 60−133.
  210. Р., Фуртак Т. Гигантское комбинационное рассеяние света. -М: Мир, 1984 354 с.
  211. С.А., Семиногов В. Н., Соколов В. И. Дифракция света на грубой поверхности с произвольной глубиной профиля взаимодействие дифрагированных волн, аномальное поглощение, максимально достижимые локальные поля.// ЖЭТФ — 1987 — Т. 93 — С. 1654 — 1670.
  212. Deb S.K., Mathur N., Roy A.P., Banerjee S., Sardesai A. Raman scattering of microstructure of n-type porous silicon.// Sol. St. Commun. 1997 — V. 101 — P. 283−287.
  213. Liu A., Duan C. Preparation and Raman scattering study of pore array on an InP (100) surface.// Physica E -2001 V.9 (4) — P. 723−727.
  214. Denisov V.N., Mavrin B.N., Karavanskii V.A. New bulk and surface phonon-plasmon modes in Raman spectra of porous n-InP.// Phys. Lett. A 1999 — V. 259-P. 62−66.
  215. Elias L.R., Hu J., Ramian G. The UCSB electrostatic accelerator free electron laser: First operation.// Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res. A 1985 — V.237 — P. 203−206.
  216. Elias L.R., Ramian G., Hu J., Amir A. Observation of single mode operation in free-electron laser.// Phys. Rev. Lett. 1986 — V. 57 — P. 424−427.
  217. Chang T.Y., Bridges T.J. Laser action at 452,496 and 541 im in optically pumped CH3 °F.// Opt. Commun. 1970 — V. l — P. 423−426.
  218. Jacobsson S. Optically pumped far infrared lasers.// Infrared Physics 1989 -V. 29-P. 853−877.
  219. Ю.Л. Спонтанное и стимулированное излучение легких дырок в германии в скрещенных Е и Н полях.// В тем. Сборнике: Вопросы физики полупроводников (Мат. XI Зимней школы по физ. полупров.). Л: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, 1984-С. 160−181.
  220. А.А., Козлов В. А., Мазов Л. С. Шастин В.Н. Об усилении дальнего инфракрасного излучения в германии при инверсии населенности горячих дырок.// Письма в ЖЭТФ 1979 — Т. 30 — С. 585 589.
  221. А.А., Зверев И. В., Козлов В. А., Ноздрин Ю. А., Павлов С. А., Шастин В. Н. Стимулированное излучение в длинноволновом ИК диапазоне на горячих дырках Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях. // Письма в ЖЭТФ 1984 — Т.40 — С.69−71.
  222. Smith P.R., Auston D.H., Nuss М.С. Subpicosecond photoconductivity dipole antennas.// IEEE J. Quantum Electronics 1988 — V. 24 — P. 255−260.
  223. Auston D.H., Nuss M.C. Electrooptic generation and detection of femtosecond electrical transients.// IEEE J. Quantum Electronics 1988 — V. 24 — P. 184 -188.
  224. Zhang X.-C., Jin Y., Ma X. Coherent measurements of THz optical rectification from electro-optic crystal.// Appl. Phys. Lett. 1992 — V. 61 — P. 2764 — 2766.
  225. Wu Q., Zhang X.-C. Free space electroopic sampling of terahertz beams.//
  226. Appl. Phys. Lett. 1995 — V. 67 — P. 3523 — 3525.
  227. Katzenellenbogen N., Grishkowsky D. Efficient generation of 380 fs pulses of THz radiation by ultrafast laser pulse excitation of a biased metal-semiconductor interface.// Appl. Phys. Lett. 1991 — V. 58 — P. 222−224.
  228. Kohler R., Tredicucci A., Beltram F., Beere H.E., Linfield E.H., Davies A.G., Ritchie D.A., Iotti R.C., Rossi F. Terahertz semiconductor-heterostructure laser.// Nature 2002 — V. 417 — P. 156−159.
  229. Capasso F., Gmachl C., Paiella R., Tredicucci A., Hutchinson A.L., Sivco D.L., Baillargeon J.N., Cho A.Y. New frontiers in quantum cascade lasers and applications.// IEEE J. Select. Topics in Quant. Electron. 2000 — V.6 — P. 931 947.
  230. Capasso F., Faist J., Sirtori C., Cho A.Y. Infrared (4−11 p, m) quantum cascade lasers.// Solid St. Commun. 1997 — V. 102 — P. 231−236.
  231. Р.Ф., Сурис P.A. Усиление электромагнитных волн в полупроводниковой сверхрешетке.// ФТП 1971 — Т. 5 — С. 707−709.
  232. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in emiconductors.// IBM J. Res. Dev. 1970 — V. 14 — P. 61−65.
  233. Faist J., Capasso F., Sivco D.L., Sirtori C., Hutchinson A.L., Cho A.Y. Quantum cascade laser.// Nature 1994 — V. 264 — P. 553−556.
  234. Capasso F. Band-gap engineering: From physics and materials to new semiconductor devices.// Science 1987 — V. 235 — P. 172−176.
  235. Capasso F., Cho A.Y. Band-gap engineering of semiconductor heterostructures by molecular beam epitaxy.// Surf. Sei. 1994 — V. 299/300 — P. 878−891.
  236. Capasso F., Faist J., Sirtori C. Mesoscopic phenomena in semiconductor nanostructures by quantum design.// J. Math. Phys. 1996 — V. 37 — P. 47 754 792.
  237. Cho A.Y. Molecular beam epitaxy. New York: AIP, 1994−310 P.
  238. Capasso F., Mohammed K, Cho A.Y. Sequential resonant tunneling through a multiquantum-well superlattice.// Appl. Phys. Lett. 1986 — V. 48 — P. 478 480.
  239. H.B. Лекции по квантовой электронике. М.: Наука, 1983 — 319 с.
  240. Tradicucci A., Mahler L., Losco Т., Xu J., Mauro С., Kohler R., Beere H.E., Ritchie D.A., Linfield E.H. Advances in Thz quantum cascade lasers: fulfilling the application potential.// Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. -2005 V. 5738 — P. 146−158.
  241. Kohler R., Tredicucci, Beltram A., Beere H.E., Linfield E.H., Rithie D.A., Davies A.G. Quantum cascade laser emitting at lambda greater than 100 p.m.// Electron. Lett. 2003 — V. 39 — P. 1254−1255.
  242. Mahler L., Kohler R., Tredicucci A., Beltram F., Beere H., Linfield E., Ritchie D., Davies A.G. Single-mocle operation of terahertz quantum cascade laser with distributed feedback resonators.// Appl. Phys. Lett. 2004 — V. 84 — P. 5446−5448.
  243. Pavlov S.G., Zhukavin R. Kh., Orlova E.E., Shastin V.N., Kirsanov A.V., Hubers H.-W., Auen K. Stimulated emission from donor transitions in silicon.// Phys. Rev. Lett. 2000 — V. 84 — P. 5220−5223.
  244. Pavlov S.G., Hubers H.-W., Orlova E.E., Zhukavin R.Kh., Riemann H., Nakata H., Shastin V.N. Optically pumped terahertz semiconductor bulk lasers.// Phys. Stat. Sol. В 2003 — V. 235 — P. 126−134.
  245. Adam T.N., Troeger R.T., Ray S.K., Lv P.-C., Kolodzey J. Terahertz electroluminescence from boron-doped silicon devices.// Appl. Phys. Lett. -2003-V. 83-P. 1713−1715.
  246. Lv P.-C., Troeger R.T., Kim S., Ray S.K., Goossen K.W., Kolodzey J. Terahertz emission from electrically pumped gallium doped silicon devices.// Appl. Phys. Lett. 2004 — V. 85 — P. 3660−3662.
  247. И.В., Каган M.C., Королёв K.A., Синие В. П., Чиркова Е. В., Одноблюдов М. А., Яссиевич И. Н. Резонансные состояния акцепторов и терагерцовое стимулированное излучение в одноосно деформированном германии.// ЖЭТФ 1999 — Т. 88 — С. 51−57.
  248. Kagan M.S., Altukhov I.V., Chirkova E.G., Sinis V.P., Troeger R.T., Ray S.K., Kolodzey J. THz lasing due to resonant states in strained p-Ge and SiGe quantum-well structures.// Phys. Stat. Sol. A 2003 — V. 235 — P. 293−296.
  249. Odnobludov M.A., Yassievich I.N., Kagan M.S., Galperin Yu.M., Chao K.A. Population inversion induced by resonant states in semiconductor.// Phys. Rev. Lett. 2000 — V. 83 — P. 644−647.
  250. Rochat M., Faist J., Beck M., Oesterle U., Ilegems M. Far-infrared (A,=88 (im) electroluminescence in a quantum cascade structure.// Appl. Phys. Lett. 1998 -V. 12-?. 3724−3726.
  251. Rochat M., Faist J., Beck M., Oesterle U. Electrically pumped terahertz well sources.// Physica E 2000 — V. 7 — P. 44−47.
  252. Buhmann H., Mansouri L., Wang J., Beton P.H., Eaves L., Henini M. High efficiency submicron light-emitting resonant tunneling diodes.// Appl. Phys. Lett. 1994 — V. 65 — P. 3332−3334.
  253. P. Дж. Введение в фурье-спектроскопию. Москва: Мир, 1975 — 380 С.
  254. Chang К. Quantum-confinement-effect-driven type-I-type-II transition ininhomogeneous quantum dot structure.// Phys. Rev. В 2000 — V. 61 — P. 4743−4747.
  255. Endicott J., Patene A., Ibanez J., Eaves L., Bissiri M., Hopkins M., Airey R., Hill G. Magnetotunneling spectroscopy of dilute Ga (AsN) quantum wells.// Phys. Rev. Lett. 2003 — V. 91 — P. 126 802−126 806.
  256. Vouilloz F., Oberli D.Y., Dupertuis M.-A., Gustafsson A., Reinhardt F., Kapon E. Effect of confinement on valence-band mixing and polarization anisotropy in quantum wires.// Phys. Rev. В 1998 — V. 57 — P. 12 378−12 387.
  257. F. Szmulowicz, G. J. Brown. Calculation and photoresponce measurements of bond-to-continuum infrared absorption in p-type GaAs/AlxGai.xAs quantum wells.// Phys. Rev. В V. 51- P. 13 203−13 220.
  258. Koenig S.H., Brown R.D. Far infrared electron-ionized donor recombination radiation in germanium.// Phys. Rev. Lett. 1960 — V. 15 — P. 170−173.
  259. Solomon S.N., Fan H.Y. Far-infrared recombination emission in n-Ge and p-InSb.// Phys. Rev. В 1970 — V. l — P. 662 — 671.
  260. Thomas S.R., Fan H.Y. Far-infrared recombination radiation from n-type Ge and GaAs.// Phys. Rev. В 1974 — V. 9 — P. 4295−4305.
  261. JI.B., Гавриленко В. И., Красильник З. Ф., Никоноров В. В., Павлов С. А., Чеботарев А. П. Люминесценция горячих дырок германия в субмиллиметровом диапазоне длин волн.// ФТП 1985 — Т. 19 — С. 369 377.
  262. Ю.А., Порцель Л. М. Спектральные исследования длинноволновой люминесценции в условиях разогрева носителей.// Тезисы VI Всесоюзного симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках» Вильнюс -1988-С. 130−131.
  263. Gousev Yu.P., Altukhov I.V., Korolev K.A., Sinis V.P., Kagan M.S., Haller E.E., Odnobludov M.A., Yassievich I.N., Chao K.-A. Widely tunable1 continuous-wave THz laser.// Appl. Phys. Lett. 1999 — V. 75 — P. 757−759.
  264. Kagan M.S., Altukhov I.V., Chirkova E.G., Sinis V.P., Troeger R.T., Ray S.K., Kolodzey J. THz lasing due to resonant states in strained p-Ge and SiGe quantum-well structures.// Phys. Stat. Sol. A 2003 — V. 235 — P. 293−296.
  265. Newman R., Tyler W.W., in book: Solid State Physics, Eds.: Seitz F. and Turnbull D. New York: Acad. Press, 1959 — Vol. 8 — P. 50−51.
  266. Quade W., Hupper G., Sholl E., Kuhn T. Monte Carlo simulation of the• nonequillibrium phase transition in p-Ge at impurity breakdown.// Phys. Rev. В- 1994-V. 49-P. 13 408−13 418.
  267. A.A., Гавриленко В. И., Гришин О. Ф. Додин Е.П., Красильник З. Ф., Чеботаревцева М. Д. Наблюдение инверсии дырок в скрещенных электрическом и магнитных полях.// ДАН СССР 1982 — Т. 267 — С. 339 343.
  268. В.М., Морозов В. Н., Смирнова Е. В. Оптические постоянные природных и технических сред. Справочник. JI: Химия, 1984 — С.98−139.
  269. Я.Е., Хвальковский Н. А. Спектроскопия германия, легированного Ga, при одноосном сжатии.// ФТП -2005 Т. 39 — С. 197 203.
  270. Buczko R. Effect of uniaxial sterss on shallow acceptors in silicon and germanium.// IL Nuovo Ciemento 1987 — V. 9 D — P. 669−688.
  271. Rodriguez S., Fisher P., Barra F. Spectroscopic study of symmetries and deformation- potential constants of singly ionized zinc in germanium. Theory.// Phys. Rev. B -1972 V. 5 — P. 2219−2233.
  272. Clauws P., Broeckx J., Rotsaert E., Vennik J. Oscillator strengths of shallow impurity spectra in germanium and silicon.// Phys. Rev. B 1988 — V. 38 — P. 12 377−12 382.i
Заполнить форму текущей работой

На отлично!