Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Оксидные покрытия на алюминии и его сплавах с высокими диэлектрическими и электроизоляционными свойствами

Диссертация: Оксидные покрытия на алюминии и его сплавах с высокими диэлектрическими и электроизоляционными свойствами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Плотные (или барьерные) оксидные покрытия на алюминии, формируются электрохимическим оксидированием (анодированием) в нерастворяющих оксид электролитах. Однородное утолщение пленки обрывается диэлектрическим пробоем. По этой причине их толщина обычно не превышает 1.4 мкм, а значение напряжения пробоя 700 В. На алюминии также можно получить оксидные покрытия пористого типа без такого ограничения… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Анодное оксидирование вентильных металлов
    • 1. 2. Принципы формирования анодных оксидных пленок
    • 1. 3. Кинетические закономерности образования и роста анодных оксидных покрытий
    • 1. 4. Химический состав, структура и морфология анодных оксидов алюминия и его сплавов
    • 1. 5. Влияние вторичных воздействий на структуру и свойства анодных оксидных пленок алюминия
  • Ф
  • ГЛАВА II. МЕТОДИК, А ЭКСПЕРИМЕНТА И РАСЧЕТА
    • 2. 1. Характеристика объектов исследования
    • 2. 2. Методы исследования анодных оксидов алюминия
  • ГЛАВА III. ОКСИДНЫЕ ПЛЕНКИ, ПОЛУЧЕННЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫМ АНОДИРОВАНИЕМ АЛЮМИНИЯ
    • 3. 1. Метод высоковольтного анодирования. ф
    • 3. 2. Электрофизические свойства высоковольтных пленок
    • 3. 3. Структура и микропористость высоковольтных пленок
    • 3. 4. Термически активированное улучшение электрофизических параметров высоковольтных пленок
  • ГЛАВА IV. ОКСИДНЫЕ ПЛЕНКИ, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ДВУХСТУПЕНЧАТОГО АНОДИРОВАНИЯ АЛЮМИНИЯ И ЕГО СПЛАВОВ
    • 4. 1. Особенности метода двухступенчатого анодирования
    • 4. 2. Влияние условий двухступенчатого анодирования ф на механизм формирования оксидных пленок
    • 4. 3. Квазибарьерные пленки А120з с высокой электрической прочностью
    • 4. 4. Применение двухступенчатого анодирования для улучшения электроизоляционных свойств пористых пленок

Оксидные покрытия на алюминии и его сплавах с высокими диэлектрическими и электроизоляционными свойствами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Плотные (или барьерные) оксидные покрытия на алюминии, формируются электрохимическим оксидированием (анодированием) в нерастворяющих оксид электролитах. Однородное утолщение пленки обрывается диэлектрическим пробоем. По этой причине их толщина обычно не превышает 1.4 мкм, а значение напряжения пробоя 700 В. На алюминии также можно получить оксидные покрытия пористого типа без такого ограничения, но они имеют худшие диэлектрические свойства. Весьма актуальным является решение проблемы получения АОА достаточной толщины, свойственной обычно лишь пористым оксидам, но способных, во-первых, выдерживать высокие электрические поля как диэлектрические анодные пленки барьерного типа, и, во-вторых, обладающими высокими электроизоляционными свойствами. В настоящей работе для решения этой проблемы используются методы высоковольтного и двухступенчатого анодирования (ДСА).

Вышесказанное определяет актуальность настоящей работы, основная цель заключалась в комплексном изучении кинетики роста, электрофизических свойств и структуры квазибарьерных анодных оксидных пленок алюминия и его сплавов, полученных методами высоковольтного и двухступенчатого анодирования.

Для достижения поставленной цели ставились следующие основные задачи:

1. изучение влияния параметров процесса анодирования на кинетику формирования барьерных и пористых оксидов алюминия и сплавов на его основе;

2. исследование зависимости структуры, морфологии и электрофизических свойств АОА от условий формирования оксида и постформовочной обработки;

3. получение оксидных покрытий на алюминии и его сплавах, обеспечивающих высокие напряжения пробоя на постоянном и переменном напряжении.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые.

• Предложен способ формирования анодных оксидов с высокими напряжениями пробоя на переменном и постоянном токе на алюминии и сплаве АМг.

• Изучен процесс двухступенчатого анодирования алюминия и его сплавов при различных режимах и предложен обобщенный механизм формирования двухступенчатых пленок.

• Проведен сравнительный анализ кинетики роста пористых оксидных пленок на алюминии и сплаве АМг при различных условиях формирования.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Разработаны методики двухступенчатого анодирования позволяющие создавать квазибарьерные анодные оксиды на алюминии и ряде его сплавов с высокими диэлктрическими и электроизоляционными свойствами: с абсолютным значением напряжения пробоя на постоянном и переменном токе не менее ЗкВ при нормальных условиях и ~1кВ при повышенной влажности;

2. Различие в кинетике роста пористых оксидов при толстослойном анодировании алюминия и сплава АМг-1 обусловлены изменением соотношения процессов роста и растворения в присутствии легирующего элемента магния;

3. При двухступенчатом анодировании алюминия и его сплавов механизм формирования квазибарьерного оксидного покрытия обусловлен как влиянием отрицательного объемного заряда, сформированного на первой стадии, так и электростимулированным растворением пористого оксида в процессе высоковольтного анодирования.

Практическая ценность работы.

Установленные в работе закономерности образования и роста анодных оксидных пленок на алюминии и его сплаве АМг совместно с развитыми на их основе представлениями о механизмах формирования двухступенчатых покрытий создают возможности для направленного синтеза покрытий с высокими диэлектрическими и электроизоляционными свойствами.

Разработаны и реализованы методики формирования АОА с высокими диэлектрическими свойствами: (а) высоковольтное анодирование — для получения барьерных пленок толщиной до 2 мкм с напряжением пробоя на постоянном токе более 1.5 кВ- (б) двухступенчатое анодирование, предполагающее использование высоковольтной методики при реанодировании пористых АОА, — для получения квазибарьерных пленок толщиной до 5 мкм и напряжением пробоя на постоянном токе свыше 2.5 кВ- (в) разработана и реализована методика создания изоляционного покрытия с напряжением пробоя на переменном токе более 3 кВ.

Достоверностьполученныхданных подтверждается воспроизводимостью результатов исследований на большом количестве образцов, полученных как в лабораториях, где выполнялась работа, так и других организацияхиспользованием комплекса взаимодополняющих методов исследованиясогласием полученных результатов с развитыми моделями и с аналогичными результатами других авторов.

Апробация работы. Основные положения и результаты работы докладывались и обсуждались на: Всесоюзных конференциях «Физика оксидных пленок» (г. Петрозаводск, 1981,1987,1991,1994гг.), Всесоюзной научно-практической конференции «Пути развития конденсаторостроения» (г. Хмельницкий, 1989 г.), Международной научно-технической конференции «Анодный оксид алюминия. Интеранод-93» (г.Казань, 1993 г.), 7th International Symposium on Passivity. Passivation of Metals and Semiconductors (Clausthal, Germany, 1994), Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (г.Дубна, 1997 г.), 6th European Powder Diffraction Conference EPDIC-6 (Budapest, Hungary, 1998), Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах RELAX-99» (г.Воронеж, 1999 г.), 2nd International Symposium on Electrochemistry (Bucharest, Romania, 2001), Международной конференции «Электрическая изоляция-2002» (г. Санкт-Петербург, 2002 г.), Международной конференции «Физика электронных материалов» (г. Калуга, 2002 г.), 1-й Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-2002» (г.Воронеж, 2002 г.), Международной научно-практической конференции «Тонкие пленки и слоистые структуры» (г.Москва, 2002 г.).

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Лалэко В. А., Чупахина Е. А., Яковлева Н. М., Яковлев А. Н. Толстые барьерные анодные окисные пленки на алюминии. Петрозаводск. 1991. 16 с. Деп. ВИНИТИ 12.09.91. № 3667.

2. Яковлева Н. М., Яковлев А. Н., Чупахина Е. А. Влияние электролита на структуру плотных аморфных оксидов алюминия // Журн. прикл. химии. 1994. Т.67. № 7. С.1275−1278.

3. Яковлева Н. М., Яковлев А. Н., Чупахина Е. А. Влияние условий формирования на структуру плотных пленок AI2O3 // Неорган, материалы. 1994. Т.30. № 11. С.1429−1432.

4. Репникова Е. А., Чупахина Е. А., Яковлева Н. М. Микропористость оксидных пленок алюминия // Нац. конф. по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов. Дубна, 25−29 мая 1997 г. Сб. докд. Т.1. С. 257−263.

5. Яковлева Н. М., Яковлев А. Н., Чупахина Е. А. Особенности структуры пленок AI2O3, полученных методом двухступенчатого анодирования // Неорган, материалы. 1998. Т.34. № 7. С. 855 -858.

6. Yakovleva N.M., Yakovlev A.N., Chupakhina Е.А. Structural analysis of alumina films produced by two-step electrochemical oxidation // Thin Solid.

Films. 2000. V. 366. P. 37−42.

7. Yakovleva N.M., Yakovlev A.N., Chupakhina E.A., Denisov A.I. Ceramic Coatings on aluminium formed by microarc oxidation // UPB Scientific Bulletin. 2001. Vol. 63. No. 3. P. 99 — 104.

8. Anicai L., Yakovleva N., Yakovlev A.N., Dima L., Chupakhina E.A. Some structural aspects of compact aluminium anidic oxide films used as electrical insulator // UPB Sci. Bull. Series B. 2001. V. 63. No. 3. P. 67 — 82.

9. Yakovleva N.M., Yakovlev A.N., Chupakhina E.A. Barrier-type anodic alumina films with enhanced functionality // UPB Scientific Bulletin, 2001. Vol.63 .No3.p.61−66.

10. Yakovleva N.M., Anicai L., Yakovlev A.N., Dima L., Khanina E.Ya., Buda M., Chupakhina E.A. Structural study of anodic films formed on aluminium in nitric acid electrolyte // Thin Solid Films. 2002. V.416. No. 1−2. P. 16−23.

П.Яковлева H.M., Яковлев A.H., Чупахина E.A., Денисов А. И. Структура кристаллических оксидных покрытий на алюминии // Зав. лаборатория. Диагностика материалов. 2002. Т.68. № 4. С. 30−34.

12. Яковлева Н. М., Яковлев А. Н., Чупахина Е. А., Ханина Е. Я. Структура и свойства анодных пленок AI2O3 различной функциональности // Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции 1−4 октября 2002 г. Калуга. Россия. Калуга. Изд-во КГПУ. 2002. С. 160−161.

13.Яковлева Н. М., Аникаи Д., Яковлев А. Н., Дима Д., Ханина Е. Я., Чупахина Е. А. Структура и свойства оксидных пленок алюминия, сформированных в растворе HN03// Неорган, материалы. 2003. Т.39. № 1., С.58−65.

М.Яковлева Н. М., Яковлев А. Н, Чупахина Е. А., Ханина Е. Я. Структура и свойства анодных пленок А1203 различной функциональности// Наукоемкие технологии. 2004.Т.5.С.З-11.

15. Яковлева Н. М., Яковлев А. Н, Чупахина Е. А. Применение двухступенчатого анодирования для создания нанопористых пленок AI2O3 с высокими диэлектрическими и электроизоляционными свойствами// В мат. Междунар. конф. «Пленки-2004»: Тонкие пленки и наноструктуры,.

7−10 сентября 2004 г. Москва. М.: МИРЭА, 2004. 4.2. 16. Яковлева Н. М., Яковлев А. Н, Чупахина Е. А. Термически индуцированные фазовые превращения в нанопористых оксидах алюминия// В мат. 2-ой Всерос. Конф.:" Физ.-хим. процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" ФАГРАН-2004. Воронеж. 2004. Изд-во ВГУ. С.494−496.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

В первой главе обобщаются результаты систематического исследования плотных (или барьерных) аморфных АОА, рассматривается влияние электролита, выясняется роль постформовочных воздействий в структурных преобразованиях оксидов, устанавливаются закономерности формирования ближнего порядка в пленках барьерного типа. Проведена классификация оксидных пленок на алюминии. Рассмотрены результаты исследования влияния условий формирования и последующих воздействий на структуру и свойства АОА. При выяснении роли постформовочных воздействий (хранения в естественных условиях, электротеплового старения в электролите и катодной поляризации) в структурных преобразованиях было установлено, что во всех исследованных барьерных пленках AI2O3 они приводят к гидратации АОА и сопровождаются появлением в их составе оксогидроксида алюминия у-АЮОН (бемита) различной степени закристаллизованности. Для аморфной компоненты состаренных АОА обнаружена устойчивая тенденция увеличения числа октаэдрически координированных катионов А13+ за счет гидратации оксида, которая приводит, в конечном счете, к коррозионному разрушению барьерных пленок с потерей диэлектрических свойств.

Во второй главе представлен комплекс методик, использованных для формирования анодных оксидов алюминия и исследования атомной структуры, морфологии и электрофизических свойств АОА.

В третьей главе рассматриваются результаты исследования закономерностей формирования анодных оксидов алюминия методом высоковольтного анодирования. Разработка технологии ВА предоставила прекрасные тестовые объекты, исследование которых позволило впервые успешно реализовать комплексный подход к изучению структуры и свойств пленок барьерного типа. Подробно рассмотрено влияние параметров анодирования на структуру, морфологию и электрофизические свойства полученных объектов. Отмечено, что емкость, проводимость, диэлектрические потери, электрическая прочность высоковольтных оксидов имеют величины, характерные для барьерных оксидов алюминия. Качественный рентгеноструктурный анализ показал, что ВП могут быть получены как кристаллическими, так и аморфными, а также иметь смешанную аморфно-кристаллическую структуру.

В четвертой главе представлены результаты комплексного исследования закономерностей формирования диэлектрических АОА с помощью оригинальной методики двухступенчатого анодирования (ДСА) алюминия. Предложенная модель преобразований оксида на второй стадии экспериментально подтверждена многослойностью пленок, установленной при их электронно-микроскопическом исследовании, а также соответствием расчетных и экспериментальных значений толщины квазибарьерных пленок. Приведены результаты ДСА алюминия и его сплавов с получением толстой (до 50мкм) пористой пленки на первой ступени анодирования. Показана возможность увеличения напряжения пробоя покрытия на переменном токе до 3 кВ.

В заключение приводятся результаты и выводы диссертации, список сокращений и цитируемая литература.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Установлено, что высоковольтное анодирование алюминия при Та=273−293К приводит к формированию рентгеноаморфных оксидных пленок толщиной до 2.5 мкм с постоянной роста к=(1.6±0.1)нм/В, диэлектрической проницаемостью (9.5±0.6), с абсолютным значением напряжения пробоя ~ 1900 В.

2. Показано, что повышение температуры анодирующего раствора вызывает увеличение диэлектрических потерь, снижение напряжения пробоя и увеличение проводимости высоковольтного оксида, что связано с появлением кристаллической компоненты и соответствующим возрастанием дефектности в областях сопряжения аморфной матрицы и микрокристаллических областей.

3. Обнаруженные различия в кинетике роста пористых оксидов на алюминии и сплаве АМг объяснены с позиций влияния легирующего элемента Mg на механизм роста барьерного слоя, процессы зарождения и развития основных пор. Показано, что увеличение напряжения при анодировании сплава АМг, наблюдаемое на стадии стационарного роста пор, обусловлено воздействием легирующего элемента Mg на соотношение скоростей растворения барьерного слоя оксида на дне пор и роста барьерного слоя на границе оксид/металл.

4. Установлено, что при двухступенчатом анодировании алюминия и сплава АМг характер преобразований пористого слоя определяется как его толщиной, так и величиной напряжения реанодирования на второй стадии. Предложен обобщенный механизм формирования квазибарьерных оксидных покрытий, основанный на экспериментально подтвержденном факте растворения пористого оксида и возможном влиянии отрицательного объемного заряда.

5. Применение высоковольтного реанодирования пористых пленок, полученных как на алюминии, так и на сплаве АМг, позволяет сформировать оксидные покрытия с высокими диэлектрическими и электроизоляционными свойствами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Юнг J1. Анодные оксидные пленки. JI. Энергия. 1967. 232 с.
  2. Дель’Ока С.Дж., Пулфри Д. Л., Янг Л. Анодные окисные пленки. В кн. Физика тонких пленок. Т.6. М. Мир. 1973. С.7−96.
  3. Л.Л., Орлов В. М. Анодные оксидные пленки. Л. Наука. 1990. 200с.
  4. М.И., Воженин И. Н., Карасев В. И., Коробов А. И. Выбор материала диэлектрика в интегральных схемах // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1973. Вып.2. С. 43−48.
  5. В.Т. Анодное окисление алюминия и его анодный оксид // Уч. пособие. Каз. гос. тех. ун-т. Казань. 1995. 55 с.
  6. Jessensky О., Muller F., Gosele U. Self-organized formation of hexagonal pore structures in anodic alumina // J. Electrochem. Soc. 1998. V. 145. No. 11. P. 3735−3740.
  7. Patermarakis G., Papandreadis N. Study on the kinetics of growth of porous anodic A1203 films on A1 metal // Electrochim. Acta. 1993. V.38. No. 15. P. 2351−2361.
  8. Jessensky O., Muller F., Gosele U. Self-organized formation of hexagonal pore arrays in anodic alumina // Appl. Phys. Lett. 1998. V.72. P. 1173 1175.
  9. Huczko A. Template-based synthesis of nanomaterials // Appl. Physics A: Mater. Sci.& Processing. 2000. V. 70. No.4. P. 365−375.
  10. Liu C.Y., Datta A., Wang Y.L. Ordered anodic alumina nanochannels on focused-ion-beam-prepatterned aluminum surfaces // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. No. 1. P. 120- 122.
  11. Growth of well-aligned carbon nanotube arrays on silicon substrates using porous alumina film as a nanotemplate. Hu W., Gong D., Chen Z., Yuan L. etc //Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. No. 19. P.3083 -3085.
  12. .М., Лернер M.M. Оксидная изоляция. М. Энергия. 1975. 208 с.
  13. А., Бетц Г. Электролитические конденсаторы. М. Оборонгиз. 1938.200 с.
  14. Hurlen Т., Gulbrandsen Е. Growth of anodic films on valve metals // Electrochim.Acta. 1994. V.39. No. 14. P. 2169−2172.
  15. Zhang L., Macdonald D.D., Sikora E., Sikora J. On the kinetics of growth of anodic oxide films // J. Electrochem. Soc. 1998. V.145. No. 3. P.898−905.
  16. Vermilyea D.A. Anodic oxide films // Advances in electrochemistry. N.Y. Wiley Intersci. 1964. V.3. P.211−271.
  17. Дж., Стоунхем А., Морган Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов //УФН. 1974. Т.112. Вып.11. С.83−128.
  18. М.Н., Муждаба В. М., Ханин С. Д. Современные представления о механизме электропроводности оксидного диэлектрика конденсатора. М. ЦНИИ Электроника. 1982. 40 с.
  19. .И., Андрощенко Ф. К. Электрохимия вентильных металлов. Харьков. Вища школа. 1985. 144 с.
  20. Dignam M.J. Mechanism of ionic transport through oxide films // Oxide and oxide films. V.l. N.Y. Marsel Dekker Inc., 1972. P. 80−286.
  21. P.А., Давыдов А. Д. Диэлектрические анодные пленки на металлах // Итоги науки и техники. Сер. Коррозия и защита от коррозии. 1990. Т.16. С. 89−143.
  22. С.Д. Проблемы электрофизики металлооксидных конденсаторных диэлектриков // Обзоры по электрон, техн. Сер.5. Радиодетали и радиокомпоненты. М. ЦНИИ Электроника. 1990. 58 с.
  23. Wood G.C. Porous anodic films on aluminum // Oxides and oxide films. V.2. Ed. Diggle J.W. N.Y. Marsel Dekker Inc., 1972. P. 167−279.
  24. Анодные окисные покрытия на легких сплавах. Под ред. И. Н. Францевича. Киев. Наукова думка. 1977. 259 с.
  25. Effects of alloying elements in anodizing of aluminium. H. Habazaki, K. Shimizu, P. Skeldon, G.E.Thompson, G.C.Wood, X. Zhou // Trans IMF. 1997. V.75(l). P.18−23.
  26. Xu Y., Thompson G.E., Wood G.C. Mechanizm of anodic film growth on aluminium //Trans IMF. 1985. V. 63. P.98.
  27. Anodic oxidation of aluminium. G.E.Thompson, Y. Xu, P. Skeldon, K. Shimizu, S.H.Han, G.C.Wood // Phil. Mag.B. 1987. V. 55. No. 6. P.651−667.
  28. Despic A., Parkhutik V.P. Electrochemistry of alumina in aqueous solutions and physics of its anodic oxide // Modern Aspects of Electrochem. N.Y.-L. 1989. V.20. P.401−503.
  29. А.Ф. О теории анодного окисления алюминия // Изв. вузов. Хим. и хим. технология. 1971. Т. 14. № 5. С. 712−717.
  30. Анодное окисление алюминия и его сплавов. В. Т. Белов, Я. И. Александров, А. С. Ишмуратова и др. // М. ЦНИИ Электроника. 1988. Сер.7. Вып.7. 66 с.
  31. Thompson G.E. Porous anodic alumina: fabrication, characterization and applications //Thin Solid Films. 1997. V.297. P. 192−201.
  32. Wood G.C., Skeldon P., Thompson G.E., Shimizu K. A Model for the incorporation of electrolyte species into anodic alumina // J. Electrochem. Soc. 1996. V. 143. No. 1. P.74−83.
  33. Effects of alloying elements in anodizing of aluminium. H. Habazaki, K. Shimizu, P. Skeldon, G.E.Thompson, G.C.Wood, X. Zhou // Trans IMF. 1997. V.75(l). P. 18−23.
  34. Formation of amorphous anodic oxide films of controlled composition on aluminium alloys. H. Habazaki, K. Shimizu, P. Skeldon, G.E.Thompson, G.C.Wood//Thin Solid Films. 1997. V. 300. P.131−137.
  35. Dignam M.J. Mechanism of ionic transport through oxide films // Oxide and oxide films. V.l. N.Y. Marsel Dekker Inc. 1972. P. 80−286.
  36. Davies J.A., Domey В., Pringle J.P.S., Brown F. The migration of metal and oxygen during anodic oxide films formation // J. Electrochem. Soc. 1965. V. 112. No. 7. P. 675−680.
  37. Pringle J.P.S. Transport numbers of metal and oxygen during the anodic oxidation of tantalum // J. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. No. 3. P. 397−407.
  38. Brown F., Mackintosh W.D. The use of Rutherford backscattering to study the behavior of ion-implanted atoms during anodic oxidation of aluminium: Ar, Kr, Xe, K, Cs, CI, Br, and I // J. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. No. 9. P. 10 961 102.
  39. Pringle J.P.S. Further observation on the marker behavior of noble gases during anodic oxidation of tantalum // J. Electrochem. Soc. 1974. V. 121. No. 7. P. 865−867.
  40. Ortega C., Siejka J. A study by nuclear microanalysis and, 80 tracing of the growth of anodic oxide films on zirconium // J. Electrochem. Soc. 1982. V. 129. No. 9. P. 1905−1917.
  41. Alwitt R.S., Takei H. Crystalline aluminium oxide films // Passivity of Metals and semiconductors. Ed. M. Froment. Elsevier Publ. Company. Amsterdam. 1983. V.4. No. 4. P.741−746.
  42. Amsel G., Cherki C., Fennilade G., Nadayi J.P. The influence of the electrolyte on the composition of anodic oxide films on tantalum // J. Phys. Chem. Solids. 1969. V. 30. No. 9. P. 2117−2134.
  43. Shimizu K., Thompson G.E., Wood G.C. Direct observation on the duplex nature of anodic barrier films on aluminium // Thin Solid Films. 1981. V. 81. P. 39−44.
  44. Takahashi H., Fujimoto К., Konno H., Nagayama M. Distribution of anions and protons in oxide films formed anodically on aluminium in a phosphate solution//J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. No. 8. P. 1856−1861.
  45. Shimizu K., Kobayashi K., Thompson G.E., Wood G.C. Electron-beam induced crystallization of anodic barrier films on aluminium influence of incorporated anions // J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. No. 1. P. 1450 -1451.
  46. Xu Y., Thompson G.E., Wood G.C., Bethune B. Anion incorporation and migration during barrier films formation on aluminium // Corros. Sci. 1987. V. 27.No. l.P. 89−102.
  47. Takahashi H., Fujimoto K., Nagayama M. Effect of pH on the distribution of anions in anodic oxide films formed on aluminium in phosphate solution // J. Electrochem. Soc. 1988. V. 135. No. 6. P. 1349 -1353.
  48. В.А., Воробьева А. И., Уткина E.A. Внедрение анионов электролита в анодные оксиды алюминия // Весщ АН БССР. Сер. (|ш.-тэхн. наук. 1991. № 2. С. 70−76.
  49. Chen С.Т., Hutchins G.A. Crystalline anodic oxide growth on aluminium foil in an aqueous ammonium dihydrogen phosphate anodization electrolyte // J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. P. 1567−1574.
  50. Fromhold A.T. Nonsimultaneous place-exchange:a microscopic high field transport mechanism in solids // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. No. 2. P. 411−425.
  51. Verwey E. Electrolytic conduction of a solid insulators at high fields. The formation of the anodic oxide films // Phisica (Utrecht). 1935. V.2. P.1059−1063.
  52. Cabrera N., Mott N.F. Theory of oxidation of metals // Rep. Prog. Phys. 1948. V. 12. P.163−170.
  53. В.И., Кацнельсон A.A. Ближний порядок в твердых растворах. М. 1977. 256 с.
  54. Haidu F. Revised parameters of analytic fits for coherent and incoherent scattering x-ray intensities of the first 36 atoms // Acta Crystallogr. 1972. V. A28. Pt.3.P. 250−252.
  55. Hubell J.H., Overbo J. Relativistic atom form factors and photon coherent scattering cross sections // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1979. V. 8. No. 1. P. 69 -105.
  56. Iwasaki Т., Motoi T. Multiwalled carbon nanotubes growth in anodic alumina nanoholes // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 75. No. 14. P.2044 2046.
  57. Исследование структурных особенностей анодных окислов алюминия и тантала с целью повышения технического уровня оксидных конденсаторов. Отчет по НИР (промежуточный). № ГР 1 860 067 648. Инв № 2 880 15 111. Петрозаводск. 1987. 111 с.
  58. Echeverria F., Skeldon P., Thompson G.E., Habazaki H., Shimizu K. Examination of cross sections of thin films by atomic force microscopy // J. Electrochem. Soc. 1999. V. 146. No.10. P.3711−3715.
  59. Palibroda E. Aluminum porous oxide growth II. On the rate determining step //Electrochim. Acta. 1995. V. 40. No. 8. P. 1051 -1055.
  60. С.Н., Сулакова Л. И., Корункова О. В. Электрический микрорельеф поверхности анодно-оксидных пленок на алюминии // Журн. физ.химии. 2002. Т.76. № 3. С.546−553.
  61. Lu Q., Skeldon Р.< ThomsonG.E., Masheder D., Habesaki H., Shimizu K. Transport numbers of metal and oxigen species in anodic tantala// Corrosion Science (in press).
  62. В.П., Бондаренко В. П., Лабунов В. А., Сокол В. А. Исследование состава пористых пленок анодного оксида алюминия в процессе их зарождения и роста // Электрохимия. 1984. Т.20. Вып. 4. С.530−534.
  63. В.П., Макушок Ю. Е., Кудрявцев В. И., Сокол В. А., Ходан А. Н. Рентгеноэлектронное исследование формирования анодных оксидных пленок на алюминии в азотной кислоте // Электрохимия. 1987. Т. 23. Вып. 11. С. 1538−1544.
  64. Jeurgens L.P.H., Sloof W.G., Tichelaar, Bosboom C.G., Mittemeijer E.J. Determination of thickness and composition of aluminium-oxide overlayers on aluminum substrates //Appl. Surf. Sci. 1999. V. 144−145. P. 11−15.
  65. Konno H., Kobayashi S., Takahashi H., Nagayama M. Composition of barrier type oxide films anodically formed on aluminium in a neutral borate solution // Electrochim. Acta. 1980. V.25. P. 1667−1672.
  66. Thomas S., Sherwood P.M.A. Valence band spectra of aluminum oxides, hydroxides and oxyhydroxides interpreted by Xa calculations// Anal Chem. 1992. V.64. P. 2488−2495.
  67. A.H., Ягодкин Ю. Д. Рентгеноструктурный анализ поверхностного слоя // Зав. лаб. Диагностика материалов. 2000. Т.66. № 5. С. 24−35.
  68. Л.А., Малиненко В. П., Фофанов А. Д., Яковлева Н. М. Структурные превращения на границе металл-аморфный оксид // Анодные окисные пленки. Петрозаводск. Изд-во ПТУ. 1978. С.44−58.
  69. С.В., Махнева Г. М., Садакова Г. П. Влияние термообработки на состав и электрические свойства анодного оксида алюминия // Изв. ВУЗов. Химия и хим.технология. 1980. Т.23. Вып.6. С.736 738.
  70. С.П., Сандулов Д. Б., Коломиец Л. И., Малиновская О. Н. Инфракрасные спектры поглощения анодных оксидных пленок // Журн. прикл. спектроскопии. 1981. Т.35. вып. 1. С. 122 -129.
  71. С.В., Махнева Г. М., Садакова Г. П. Влияние термообработки на химический состав анодного оксида алюминия по данным РЖспектроскопии II Изв. ВУЗов. Химия и хим.технология. 1980. Т.23. Вып.11. С. 1447— 1449.
  72. Luo J., Тао К. Quantitative x-ray diffraction analysis of surface layers by computed depth profiling // Thin Solid films. 1996. V.279. P.53−58.
  73. JI.JI. Процессы переноса при анодном окислении тантала и ниобия //Электрохимия. 1984. Т.20. Вып.4. С.463−469.
  74. JI.JI. Физика окисных пленок. Курс лекций. 4.1. Изд-во ПетрГУ. Петрозаводск. 1979. 80 с.
  75. JI.JI., Ханина Е. Я. Физика окисных пленок. Курс лекций. Изд-во ПетрГУ. Петрозаводск. 1981. 73 с.
  76. Л.Л. Растворение анодных оксидных пленок на алюминии при их образовании // Журн. прикл. химии. 1992. Т. 65. Вып. 11. С. 2417−2421.
  77. Л.Л. Механизм внедрения анионов и состав анодных оксидных пленок, получаемых в растворах неорганических кислот // Физика окисных пленок. Межвуз. сб. науч. тр. Петрозаводск. 1988. С.86−90.
  78. Л.Л., Ханина Е. Я., Чекмасова С. С. Процессы переноса на границе окисел-электролит//Электрохимия. 1983. Т. 19. Вып.2. С. 204−206.
  79. Л.Л. Ионный перенос в аморфных пленках окислов переходных металлов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. № 12. С. 128 132.
  80. Л.Л. Процессы переноса при анодном окислении тантала и ниобия // Электрохимия. 1984. Т.20. Вып.4. С.463−469.
  81. Cabrera N., Mott N.F. Theory of oxidation of metals // Rep. Prog. Phys. 1948. V. 12. P. 163−170.
  82. В.Т. Микро- и макропроблемы анодного окисления алюминия // Защитные покрытия на металлах. Межвед. сб. Киев. Наукова думка. 1993. Вып. 27. С. 18−22.
  83. Takahashi Н., Fujimoto К., Konno Н., Nagayama М. Distribution of anions and protons in oxide films formed anodically on aluminium in a phosphate solution//J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. No. 8. P. 1856−1861.
  84. Thompson G.E., Furneaux R.C., Wood G.C., Hutchings R. STEM/ED AX analysis of the cell walls in porous anodic films formed on aluminium// J.Electrochem. Soc. 1978. V.125. No.9. P. 1480−1482.
  85. Wada K., Shimohira, Yamada M., Baba N. Microstructure of porous anodic oxide films on aluminium//J. Mat. Science. 1986. V. 21. P. 3810−3816.
  86. Fukuda Y., Fukushima T. Behavior of sulfate ions during formation of anodic oxide film on aluminium // Bull. Chem. Soc. Jpn. 1980. V. 53. P. 3125 3130.
  87. Ebihara K., Takahashi H., Nagayama M. Structure and density of anodic oxide films formed on aluminum in oxalic acid solutions // J. Met. Finish. Soc. Jpn. 1983. V. 34. No. 11. P. 548 -553.
  88. B.A., Пархутик В. П., Сокол B.A. Исследование процесса встраивания анионов электролита в анодный оксид алюминия с помощью метода ИК-спектроскопии // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 19. № 12. С. 2015−2018.
  89. В.Т. Координация атомов алюминия в анодном оксиде // Изв. вузов. Хим. и хим. технология. 1991. Т.34. Вып.4. С.3−14.
  90. В.Т. О проблемах теории анодного окисления алюминия // Защита металлов. 1992. Т. 28. № 4. С. 643−648.
  91. М.А., Белов В. Т., Черных С. И., Вагина Э. А., Шипулина Г. В. О структурно-морфологических изменениях в анодных оксидах алюминия при наполнении в горячей воде и термообработке // Журн. прикл. химии. 1985. № 11. С. 2442 -2447
  92. Л.Л., Ханина Е. Я. Физико-химические процессы в анодных оксидных пленках // Уч. пособие. Петрозаводский университет. Петрозаводск. 1994. 84 с.
  93. Н.М., Яковлев А. Н., Чупахина Е. А. Влияние условий формирования на структуру плотных пленок А12Оз // Неорган, материалы. 1994. Т.30. № 11. С.1429−1432.
  94. В.Т., Зудов А. И., Зудова Л. А. Взаимосвязь концепций структурного аниона, критической плотности тока и отрицательного объемного заряда применительно к анодному оксиду алюминия // Электрохимия. 1993. Т.29. № 10. С. 1184−1188.
  95. Е.А.Федорова. Формирование оксидных пленок с заданными функциональными свойствами на алюминиевых сплавах // Физика и химия обработки материалов. 2002.№ 1.с.77−80.
  96. Е.А.Федорова. Состояние поверхности анодных оксидных пленок на алюминиевых и титановых сплавах // Физика и химия обработки материалов. 2001.№ 2.с.3 6−40.
  97. М.А., Белов В. Т., Терехов В. А., Амирова Н. А. О координации атомов алюминия в анодных оксидах алюминия по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1988. Т.24. № 7. С. 1127−1131.
  98. В.А., Пархутик В. П., Сокол В. А. Исследование процесса встраивания анионов электролита в анодный оксид алюминия с помощьюметода ИК-спектроскопии // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 19. № 12. С. 2015−2018.
  99. Farnan I., Dupree R., Jeong Y., G.E.Thompson G.E., Wood G.C., Forty A.J. Structural chemistry of anodic alumina // Thin Solid Films. 1989. V. 173. P. 209−215.
  100. В. H., Юрковец Д. И., Разгулина О. В., Мельник В. Н. Программно-аппаратный комплекс для исследования микроморфологии поверхности твердых тел по РЭМ-изображениям // Поверхность, 1998, № 1,С. 33−40.
  101. А.И., Яковлева Н. М., Яковлев А. Н. Особенности пористой структуры анодных оксидных пленок на алюминии // Тонкие пленки и слоистые структуры. Материалы междунар. Науч.-техн. конф. Москва. 2630 ноября 2002 г. 4.2. С. 172−174.
  102. B.C., Баланкин А. С., Бунин И. Ж., Оксогоев А. А. Синергетика и фракталы в материаловедении. М.: Наука, 1994. 382с.
  103. Keller F., Hunter M.S., Robinson D.L. Structural features of oxide coatings on aluminium // J. Electrochem. Soc. 1953. V.100. P. 411−415.
  104. Н.Д., Тюкина M.H., Заливалов Ф. П. Толстослойное анодирование алюминия и его сплавов. М. Машиностроение. 1968. 156 с.
  105. В.А. Закономерность формирования размеров ячеек пористого оксида алюминия // Докл. АН БССР. 1986. Т. 30. № 3. С. 243 -245.
  106. Ono S., Ichinose Н., Kawaguchi Т., Masuko N. // Corros. Sci. 1990. V.31. P. 249.
  107. Г. И., Чернышев В. В., Маркова Н. Е. О температурных изменениях в структуре оксидных пленок барьерного типа на алюминии // Кристаллография. 1969. Т. 14. Вып. 4. С. 746 -749.
  108. Takahashi Н., Fujimoto К., Konno Н., Nagayama М. Distribution of anions and protons in oxide films formed anodically on aluminium in a phosphate solution //J. Electrochem. Soc. 1984. V. 131. No. 8. P. 1856 -1861.
  109. В.В. Микропористость анодных оксидных пленок алюминия. Учебное пособие. Петрозаводск. Изд-во ПетрГУ. 1992. 96с.
  110. Л.А., Фофанов А. Д., Шиврин О. Н. Структура термически напыленных пленок окисла W03// Докл. АН СССР. 1982. Т. 267. № 3. С. 596.
  111. Influence of surface treatment on detachment of anodic films from Al-Mg alloys. Y. Liu, P. Skeldon, G.E.Thompson, X. Zhou, H. Habazaki, K. Shimizu // Corros.Sci. 2001. V.43. P. 2349−2357.
  112. Л.А., Агапова С. И., Зудов А. И. Двухслойная модель анодного окисла алюминия // Изв. ВУЗов. Хим. и хим.технология. 1976. Т.19. Вып. 12. С. 1876- 1879.
  113. Verwey E.J.W. The crystal structure of у A1203//Z. Krist.-1935.-V.91.-Bd.5.-P.65−69.
  114. Л.А. Полевая кристаллизация анодных окисных пленок на ниобии // Анодные окисные пленки. Петрозаводск. Изд-во ПТУ. 1978. С. 70−79.
  115. Alwitt R.S. Thickness-dependent properties of amorphous anodic alumina films II J. Electrochem. Soc. 1987. V. 134. No. 8. P. 1891 -1896.
  116. С.И., Зудова Л. А., Зудов А. И. О влиянии объемного заряда на рост анодных окисных пленок // Электрохимия. 1978. Т.14. № 7. С. 1044- 1048.
  117. Л.Л., Ханина Е. Я. Физико-химические процессы в анодных оксидных пленках // Уч. пособие. Петрозаводский университет. Петрозаводск. 1994. 84 с.
  118. Girginov A.A., Zahariev A.S., Machkova M.S. Kinetics of formation of complex anodic oxide films on aluminium // Materials Chemistry and Physics. 2002. Vol. 76. Is.3. P.274−278.
  119. В.В. Автоволновые процессы при анодном окислении алюминия // Электрохимия. 1990. Т.28. № 7. С. 846 -850.
  120. А.И., Белов В. Т., Зудова JI.A., Лебедева М. Н. Электретные свойства систем алюминий-барьерно-пористая анодная оксидная пленка алюминия // Электрохимия. 1994. Т. 30. № 8. С. 1058 1062.
  121. Алешина J1.A., Фофанов А. Д. Рентгеноструктурный анализ аморфных материалов. Уч. пособие. Петрозаводск. 1987. 88 с.
  122. Н.М., Яковлев А. Н. Структура анодных окисных пленок барьерного типа на алюминии // Теория и практика электрофизикохимических методов обработки деталей в авиастроении. Межвуз. сб. науч.тр. Изд. КГТУ им. А. Н. Туполева. Казань. 1994. С. 80 -84.
  123. Anicai L., Yakovleva N., Yakovlev A.N., Dima L., Chupakhina E.A. Some structural aspects of compact aluminium anidic oxide films used as electrical insulator // UPB Sci. Bull. Series B. 2001. V. 63. No. 3. P. 67 82.
  124. H.M., Аникаи Л., Яковлев А. Н. Оксидная изоляция на алюминии, полученная анодированием в многокомпонентных электролитах // Электрическая изоляция — 2002. Труды 3-ей междунар. конф. СПб. 2002.
  125. .Н., Плотников B.C., Покрашенко А. А., Фищенко В. К. Структурно-морфологический анализ неоднородностей в металлических материалах по электронно-микроскопическим изображениям // Физика металлов и металловедение. 2000. Т. 90. № 6. С. 58−63.
  126. В.Ф., Горох Г. Г. Образование ячеистой структуры анодного оксида при анодировании пленок алюминия в растворе ортофосфорной кислоты // Электрохимия. 1992. Т.28. Вып. 8. С. 1227−1230.
  127. В.Ф., Горох Г. Г., Позняк А. А., Мозалев A.M. Изучение начальных стадий анодирования алюминия в малоновокислом электролите с применением метода атомно-эмиссионной плазменной спектрометрии // Журн. прикл. химии. 1988. Т.61. № 9. С. 2011 2013.
  128. М.А., Белов В. Т., Терехов В. А., Амирова Н. А. О координации атомов алюминия в анодных оксидах алюминия по данным ультрамягкойрентгеновской эмиссионной спектроскопии // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1988. Т.24. № 7. С. 1127−1131.
  129. Oka Y., Takahashi Т., Okada К., Iwai S. Structural analysis of anodic alumina films // J. Non-Cryst. Solids. 1979. V. 30. P. 349 -357.
  130. Saito J., Ikegaya M., Takahashi T. Color and film structure of anodic oxide film formed on aluminum // J. Met. Finish. Soc. Jpn. 1976. V. 27. No. 10. P. 511 -520.
  131. Palibroda Е. Aluminum porous oxide growth II. On the rate determining step //Electrochim. Acta. 1995. V. 40. No. 8. P. 1051 -1055.
  132. Физико-химические и электронные процессы на поверхности твердых тел. Отчет по НИР. № ГР 0182.6 028 117. Инв № 0286.0 26 111. Воронеж. 1985. 90 с.
  133. Yakovleva N.M., Yakovlev A.N., Chupakhina Е.А. Structural analysis of alumina films produced by two-step electrochemical oxidation // Thin Solid Films. 2000. V. 366. P. 37−42.
  134. Yakovleva N.M., Yakovlev A.N., Chupakhina E.A. Barrier-type anodic alumina films with enhanced functionality // UPB Scientific Bulletin, 2001, vol.63,No3,p.61−66.
  135. H.M., Яковлев A.H., Чупахина E.A. Особенности структуры пленок А12Оз, полученных методом двухступенчатого анодирования // Неорган, материалы. 1998. Т.34. № 7. С. 855 -858.
  136. В.В. Автоволновые процессы при анодном окислении алюминия // Электрохимия. 1990. Т.28. № 7. С. 846 -850.
  137. Исследование физико-химических процессов, протекающих при подформовке конденсаторных систем А1-А1г0з-Мп02. Отчет по НИР. № ГР 80 4 785. Инв № Б81. Петрозаводск. 1980. 126 с.
  138. В.А., Чупахина Е. А., Яковлева Н. М., Яковлев А. Н. Толстые барьерные анодные окисные пленки на алюминии. Петрозаводск. 1991. 16 с. Деп. ВИНИТИ 12.09.91. № 3667.
  139. Yakovleva N.M., Yakovlev A.N. Structure of aluminium oxide films and its changes due to thermal and electrochemical processes// Mater. Sci. Forum. 1995. V. 185−188. P.293−300.
  140. H.M., Яковлев A.H., Чупахина Е. А. Влияние условий формирования на структуру плотных пленок AI2O3 // Неорган, материалы. 1994. Т. З0. № 11. С. 1429−1432.
  141. Ikonopisov S., Girginov A., Mashkova М. Electrical breakdown of barrier anodic films during their formation // Electrochim. Acta. 1979. V.24. No. 4. P. 451−456.
  142. Л.А., Фофанов А. Д. Рентгеноструктурный анализ аморфных материалов. Уч. пособие. Петрозаводск. 1987. 88 с. о о
  143. .К., Стеггерда И. И. Активная окись алюминия// Строение и свойства адсорбентов и катализаторов. М., 1973.- Гл. 4.-С. 190−232.
  144. Zhou R.-S., Snyder R.L. Structures and transformation mechanisms of the r|, у and 0 transition aluminas // Acta Cryst. 1991. В 47. P. 617−630.
  145. Shimizu K., Thompson G.E., Wood G.C. Direct observation on the duplex nature of anodic barrier films on aluminium // Thin Solid Films. 1981. V. 81. P. 39−44.
  146. А. Рентгенография кристаллов. M. 1961. Гл. 14.C.530−553
  147. Shimizu К., Tajima S., Thompson G.E., Wood G.C. The development of flaws containing y'-crystalline alumina regions in barrier anodic films on aluminium/ZElectrochim. Acta.-1980.-V.25.-P. 1481−1486.
  148. А.И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел. М.-Л. 1953. 588 с.
  149. Н.М., Яковлев А. Н., Репникова Е. А., Чупахина Е. А. Микропористость плотных анодных пленок А12Оз // Неорган, материалы. 2003. Т.39. № 4. С.1−6.
  150. Tajima S. Lumenescence, breakdown and colouring of anodic oxide films on aluminium // Electrochim. Acta. 1977. V. 22. P. 995 1011.
  151. Shimizu K., Tajima S., Thompson G.E., Wood G.C. The development of flaws containing y'-crystalline alumina regions in barrier anodic films on aIuminium//Electrochim.Acta.-1980.-V.25.-P.1481−1486.
  152. К., Симидзу К., Фудзисава А. Структура барьерной пленки, сформированной на поверхности алюминия, покрытой гидратированной оксидной пленкой // Кейкиндзоку. 1985. Т.35. № 11. С. 611−617.
  153. Alwitt R.S. The system А1-Н20// Oxides and Oxide films.- 1976.-Vol.4.-P.l 69−254.
  154. Alwitt R.S., Takei H. Crystalline aluminium oxide films // Passivity of Metals and semiconductors. Ed. M. Froment. Elsevier Publ. Company. Amsterdam. 1983. V.4. No. 4. P.741−746.
  155. M.A., Белов B.T., Черных С. И., Вагина Э. А., Шипулина Г. В. О структурно-морфологических изменениях в анодных оксидах алюминия при наполнении в горячей воде и термообработке // Журн. прикл. химии. 1985. № 11. С. 2442 -2447.
  156. Kobayashi К., Shimizu К., Nishibe. The structure of barrier anodic films formed on aluminium covered with a layer of thermal oxide//J.Electrochem.Soc.-1986.-V. 133 .-No. 1 .-P. 140−141.
  157. П.П., Трохимец А. И., Зарецкий M.B. Применение ИК спектроскопии при исследовании фазовых превращений бемита// Журн.прикл. спектр.-1984.-Т.40, № 3.-С.409−413.
  158. Young L. Contribution of microfissures to the dielectric losses of anodic oxide on tantalum and zirconium and their role in electrolytic rectification // Trans. Faraday Soc. 1959. V. 55. No. 5. P. 842 -849.
  159. Shikanai M., Sakairi M., Takahashi H., Seo M., Takahiro K., Nagata S., Yamaguchi S. Formation of Al/(Ti, Nb, Та) — composite oxide films on aluminum by pore filling // J. Electrochem. Soc. 1997. V.144. No. 8. P. 27 562 766.
  160. Kobayashi K., Shimizu K., Nishibe. The structure of barrier anodic films formed on aluminium covered with a layer of thermal oxide//J.Electrochem.Soc.-1986.-V. 133 .-No. 1 .-P. 140−141.
  161. V., Ciomirtan D., Ionescu M. Влияние способа приготовления на структуру и физические свойства алюминия. Н. Алюминиевые окислы// Rev. Roumaine de Chimie. 1972.-Vol.17, No.8.-P.1379−1391.
  162. А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. М. Высшая школа. 1980. 327 с.
  163. В.В., Галкин Г. И. Формирование двухслойных диэлектрических анодных пленок на алюминии // Физика и технология материалов электронной техники. Воронеж. Воронеж, политехи, ин-т. 1992. С. 73−77.
  164. В.А., Панченко Е. Н., Воробьева А. И., Пинаева М. М. Исследование влияния растворения и повторного анодирования на свойства анодных оксидных пленок на алюминии // Электрохимия. 1987. Т.23. № 12. С. 1664- 1667.
  165. Н.М., Яковлев А. Н., Чупахина Е. А. Особенности структуры пленок А1203, полученных методом двухступенчатого анодирования // Неорган, материалы. 1998. Т.34. № 7. С. 855 -858.
  166. Hubell J.H., Overbo J. Relativistic atom form factors and photon coherent scattering cross sections // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1979. V. 8. No. 1. P. 69 -105.
  167. Электронные процессы и структура ближнего порядка анодных окислов тантала и ниобия. Отчет по НИР. № ГР 1 828 013 751. Инв № 2 840 30 649. Петрозаводск. 1983. 149 с.
  168. Aleshina L.A., Malinenko V.P., Phouphanov A.D., Jakovleva N.M. The short-range order of anodic amorphous oxide films of Та and Nb // J. Non-Cryst. Solids. 1986. V. 87. P. 350−360.
  169. H.M., Фофанов А. Д. Ближний порядок в аморфных пленках А1203 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1985. Т.21. № 1. С. 48 50.
  170. Н.М., Яковлев А. Н., Чупахина Е. А. Влияние электролита на структуру плотных аморфных оксидов алюминия // Журн. прикл. химии. 1994. Т.67. № 7. С. 1275−1278.
  171. Х.П. Окислы и гидроокислы алюминия и железа// Рентгеновские методы изучения и структура глинистых минералов. М., 1965 .-С.404−451.
  172. Franklin R.W. Structure of non-porous anodic films on aluminium // Nature. 1957. V.180. P.1470 —1471.
  173. JI.К., Косюк Л. М. Оптические постоянные, толщина и диэлектрическая проницаемость анодных окисных пленок на алюминии // Анодные окисные пленки. Петрозаводск. 1978. С. 24 29.
  174. В.А., Ершова Н. Ю. Исследование электрического пробоя анодного окисла алюминия // Изв. ВУЗов. Физика. 1990. Т. 33. № 4. С. 25 -29.
  175. Р.А. Электрохимическая обработка металлов. Анодные процессы. Л.: Политехи, институт, 1988, 64 с.
  176. Ahmad Т. Shawagfeh, R.E.Baltus Growth Kinetics and Morphology of Porous Anodic Alumina Films Formed Using PhosphoricAcid// J. Electrochem. Soc. 1997. V.145. No. 8. 1997, P. 2699−2706/
  177. O’Sallivan J.P., Wood G.C. //Proc. Roy. Soc. 1970. V. A317. P. 511.
  178. H.M., Яковлев A.H, Денисов А. И. Влияние легирующих элементов на морфологию и пористость оксидных пленок на алюминии и его сплавах// Электронный журнал «Исследовано в России», http://zhurnal.ape.relan.ru/articles/2003/057.pdf
  179. Н.М., Яковлев А.Н, Денисов А. И. Влияние легирующих элементов на морфологию и микропористость оксидных пленок на алюминии и его сплавах// Наукоемкие технологии. 2004.№ 6.С.32−37.
  180. Ono S., Ishinose Н., Masuko N. The high resolution observation of porous anodic films formed on aluminium in phosphoric acid solution // Corros. Sci. 1992, Vol. 33, № 6, P. 841−850.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!