Пространственно-временная дисперсия кинетических коэффициентов неупорядоченных систем в условиях андерсоновской и слабой локализации
Значительный вклад в развитие современных представлений о природе андерсоновской локализации был сделан в работах И. М. Лифшица и Мотта с сотрудниками. Если случайный потенциал £7(г) = 0, то мы имеем дело со свободной квантовой частицей, у которой при 8 <0 состояния отсутствуют, а при 8> 0 их спектр непрерывен с плотностью п (8) ос (см. рис. 1 а). Включение II (г) приводит к появлению при 8 < 0… Читать ещё >
Содержание
- Глава 1. Обзор современного состояния проблемы
- 1. 1. Модель неупорядоченной системы и постановка задачи
- 1. 2. Элементарная скейлинговая теория локализации
- 1. 3. Самосогласованная теория локализации
- 1. 4. Скейлинговая форма обобщенного коэффициента диффузии
- 1. 5. Скейлинг и мультифрактальность волновых функций на пороге подвижности
- 1. 6. Симметрийная теория перехода А-ндерсона
- 1. 7. Влияние пространственной дисперсии на эффекты слабой локализации
- Глава 2. Пространственно-временная дисперсия кинетических коэффициентов
- 2. 1. Материальные уравнения и кинетические коэффициенты
- 2. 2. Уравнение Бете — Солпитера
- 2. 3. Нелокальные кинетические коэффициенты в лестничном приближении
- 2. 4. Выводы
- Глава 3. Пространственная дисперсия кинетических коэффициентов в условиях андерсоновской локализации
- 3. 1. Матрица функций памяти в приближении самосогласованной теории локализации
- 3. 2. Уравнение самосогласования для обобщенного коэффициента диффузии
- 3. 3. Пространственная дисперсия коэффициента диффузии двумерной неупорядоченной системы
- 3. 4. Переход металл-диэлектрик в ¿-мерной неупорядоченной системе [в, > 2)
- 3. 5. Аномалии пространственно-временной дисперсии кинетических коэффициентов вблизи порога подвижности
- 3. 6. Обсуждение результатов
- Глава 4. Магнитосопротивление и коэффициент Холла двумерной неупорядоченной системы
- 4. 1. Исходные уравнения и постановка задачи
- 4. 2. Одноэлектронная функция Грина
- 4. 3. Куперон за пределами классического диффузионного приближения
- 4. 4. Квантовые поправки к продольному и холловскому сопротивлению
- 4. 5. Холловское сопротивление двумерной неупорядоченной системы в квантующем магнитном поле
- 4. 6. Обсуждение результатов
Пространственно-временная дисперсия кинетических коэффициентов неупорядоченных систем в условиях андерсоновской и слабой локализации (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Теория неупорядоченных систем продолжает оставаться одним из наиболее актуальных разделов физики конденсированного состояния. С одной стороны, это обусловлено развитием современной микроэлектроники в направлении миниатюризации и использования низкоразмерных структур. В перспективе это неизбежно потребует перехода к низким (вплоть до гелиевых) рабочим температурам, при которых физические свойства используемых материалов и структур в значительной степени определяются их разупорядочен-ностью. С другой стороны, неупорядоченные системы привлекают внимание своими необычными физическими свойствами, обусловленными качественно иной (по сравнению с идеальными кристаллами) структурой одноэлектронных состояний. При их теоретическом описании возникают интересные проблемы фундаментального характера, тесно связанные с проблемами теории фазовых переходов, квантовой теории поля и другими. Различным аспектам теории электронных свойств неупорядоченных систем и ее современному состоянию посвящен ряд монографий [2, 3, 4] и обзоров [5−12].
В основе современной теории неупорядоченных систем лежит выдвинутая Андерсоном в 1958 г. [1] концепция локализации электронов в поле статического случайного потенциала. Традиционная в то время точка зрения заключалась в том, что наличие беспорядка ведет лишь к потере фазовой когерентности волновой функции на масштабе средней длины свободного пробега, но оставляет ее распространенной по всему образцу. Как показал Андерсон, при некотором критическом значении беспорядка в системе, происходит качественный переход и волновые функции электронов становятся локализованными, то есть их амплитуды экспоненциально спадают с удалением от соответствующих центров локализации г)| осехр (-|г-г0|/Д1ОС), (1) где ос — длина локализации. Электроны, находящиеся в таких состояниях, могут участвовать в переносе заряда лишь посредством прыжков, активированных термически или переменным внешним полем. Таким образом, локализация электронных состояний превращает неупорядоченную систему в андерсоновский диэлектрик, что сопровождается обращением в нуль ее статической электропроводности при Т = О К. Физической причиной перехода Андерсона является отсутствие эффективного когерентного туннелирования электронов, которое возможно только между локализованными уровнями с одинаковой энергией. Однако в случае сильного беспорядка такие состояния оказываются настолько удаленными друг от друга, что туннелирова-ние между ними становится невозможным [2].
Значительный вклад в развитие современных представлений о природе андерсоновской локализации был сделан в работах И. М. Лифшица [3] и Мотта с сотрудниками [2]. Если случайный потенциал £7(г) = 0, то мы имеем дело со свободной квантовой частицей, у которой при 8 < 0 состояния отсутствуют, а при 8 > 0 их спектр непрерывен с плотностью п (8) ос (см. рис. 1 а). Включение II (г) приводит к появлению при 8 < 0 хвоста плотности состояний (см. рис. 1 б), возникающих в достаточно глубоких потенциальных ямах [3] (флуктуационная область спектра). При достаточно больших отрицательных 8 они должны иметь локализованный характер. Согласно Мотту [2] локализованные состояния отделены от делокали-зованных граничной энергией 8С (см. рис. 1 б), получившей название порога подвижности. При 8 > 8С волновые функции электронов делокализованы и энергетический спектр остается непрерывным. Ниже порога подвижности они становятся локализованными (1) и, следовательно, принадлежат дискретному спектру, который является всюду плотным, а соответствующая усредненная плотность состояний — непрерывной функцией энергии [3]. Более того, согласно современным представлениям [5, 12, 13] она не имеет особенностей и на пороге подвижности £с.
Рис. 1: Электронная плотность состояний вблизи края зоны: а) свободного электронаб) электрона в неупорядоченной системе. 8С — порог подвижности.
Если уровень Ферми лежит выше порога подвижности, то неупорядоченная система представляет собой металл, остаточное сопротивление которого определяется рассеянием электронов случайным полем и (г). С уменьшением концентрации носителей заряда или с ростом беспорядка уровень Ферми может пересечь порог подвижности и попасть в область локализованных состояний. При этом в системе происходит переход металл-диэлектрик (переход Андерсона). Связанные с ним сингулярности обнаруживают электропроводность п (Е) а Е или пропорциональный ей коэффициент диффузии электронов lu1/(2i/+1 и >> ис, (metal — insulator), а (и) ос —iuj2, соС шс, t < 0, (insulator), (2) ts: и 0, (metal), и корреляционная длина a|?r, |*| <1, (3) которая в диэлектрической фазе совпадает с радиусом локализации Roc (1), а в металлической — имеет смысл масштаба, начиная с которого работает закон Ома, то есть о перестает зависеть от размеров образца [11]. Здесь t = {Ер — Ес)/Ес — безразмерное расстояние до порога подвижности, шс ос |i|2z/+1 — критическая частота, s и V — критические индексы электропроводности и, соответственно, корреляционной длины.
Настоящая работа главным образом посвящена теоретическому исследованию пространственной дисперсии (нелокальности) кинетических коэффициентов неупорядоченных систем в условиях ан-дерсоновской и выяснению ее роли в эффектах слабой локализации. До недавнего времени этим важным проблемам не уделялось должного внимания. Первое обсуждение проблемы пространственной дисперсии в условиях андерсоновской локализации [14] основывалось на эвристически полученных интерполяционных формулах для диэлектрической константы трехмерной системы в пренебрежении нелокальностью коэффициента диффузии. Выводы относительно масштаба пространственно-временной дисперсии обобщенного коэффициента диффузии в условиях андерсоновской локализации, полученные к настоящему времени на основе различных подходов [15, 16, 17, 18, 19], имеют противоречивый и зачастую взаимоисключающий характер.
Исходя из поставленной цели, были определены следующие научные задачи:
• Выполнить критический анализ скейлинговой, самосогласованной и симметрийной теорий андерсоновской локализации с точки зрения возможности последовательного учета на их основе пространственной нелокальности кинетических коэффициентов, выяснить принципиальное значение решения этой проблемы.
• Разработать метод вычисления кинетических коэффициентов неупорядоченных систем с учетом их пространственно-временной дисперсии в низкочастотной и длинноволновой области.
• Построить обобщение самосогласованной теории ВолльхардтаВельфле, позволяющее анализировать масштабы пространственно-временной дисперсии кинетических коэффициентов ¿-/-мерной неупорядоченной системы. Выполнить анализ критического поведения масштаба пространственной нелокальности обобщенного коэффициента диффузии электронов в условиях андерсоновской локализации.
• Исследовать влияние пространственной дисперсии обобщенного коэффициента диффузии электронов в двумерной неупорядоченной системе на эффекты слабой локализации и, в частности, на магнитополевую зависимость квантовых поправок к продольному и холловскому сопротивлению в широкой области магнитных полей, включая квантующие.
Заключение
.
Кратко сформулируем основные результаты, полученные в данной работе.
• Предложен метод решения уравнения Бете — Солпитера для двухчастичной корреляционной функции, позволяющий вычислять коэффициент диффузии носителей заряда и электропроводность ¿—мерной в, > 1 неупорядоченной системы с учетом их пространственно-временной дисперсии. Путем разложения искомой функции в ряд по ортогональной системе полиномов Гегенбауэра исходное интегральное уравнение переноса заменяется эквивалентной бесконечной системой линейных алгебраических уравнений (2.15). В длинноволновом пределе д/ <С 1 с точностью до слагаемых ос (д/)2 она сводится к трехдиатональной, решение которой можно представить в виде сходящейся бесконечной цепной дроби.
• В пределе слабого беспорядка получены выражения для обобщенного коэффициента диффузии электронов 1}(д, и-) и кубовской электропроводности сг (д, а-) в лестничном приближении (см. уравнения (2.22), (2.26), (2.7)). Показано, что в случае рассеяния электронов на примесях с конечным радиусом действия масштаб пространственной нелокальности ?>(д, а-) определяется последовательностью средних длин свободного пробега 1п = Уртп за время релаксации п-го порядка тп (2.23), которое при п — 1 совпадает с обычным транспортным временем релаксации. Как функция от д и и обобщенный коэффициент непрерывен в точке д = 0, и = 0.
В противоположность этому масштаб пространственной нелокальности a (q, uo) определяется длиной диффузии электронов Id (со) = л/D (со)/со за период изменения внешнего поля, расходящейся при со —>• 0. Вследствие этого электропроводность испытывает разрыв в точке q = 0, со = 0. В частности, ее низкочастотная асимптотика a (q ф 0, со —>• 0) ос —ico/q2 (2.29) согласуется с законом сохранения числа частиц.
В случае рассеяния электронов на примесях с короткодействующим ((5-образным) потенциалом полученные результаты воспроизводят решение классического кинетического уравнения в приближении постоянного времени релаксации.
• Предложено обобщение теории Волльхардта — Вёльфле, позволяющее исследовать пространственно-временную дисперсию кинетических коэффициентов (¿—мерной неупорядоченной системы в низкочастотной и длинноволновой области (сот «1, д/ «1) как в диэлектрической фазе, так и в непосредственной окрестности перехода Андерсона.
Получено самосогласованное уравнение относительно обобщенного коэффициента диффузии электронов D (q, u) (3.10), которое в соответствии с критерием локализации Березинского — Горько-ва предсказывает при d > 2 переход Андерсона на общем для всех значений q пороге подвижности. В длинноволновом пределе (q 0) его решение дает зависимость кондактанса (¿—мерного куба от его линейного размера L (3.30), которая в окрестности верхней критической размерности dc2 = 4 укладывается в общую схему двухпараметрического скейлинга.
• Показано, что в скейлинговом режиме (сост <С сот < 1), а также в диэлектрической фазе при со —>¦ 0 и в металлическойпри t —0 масштаб пространственной нелокальности D (q, co) определяется перенормированной длиной диффузии (3.33). Это предсказывает подавление его пространственной дисперсии в соответствующих пределах вплоть до атомных масштабов и, таким образом, обосновывает асимптотическую (при со —> 0 или? —" 0) справедливость схемы самосогласования Волльхардта — Вёльфле.
В противоположность этому масштаб пространственной дисперсии кубовской электропроводности сг (д, со) и связанной с ней продольной диэлектрической проницаемости со) в окрестности перехода металл-диэлектрик определяется корреляционными длинами Ьш и? (3.35). Обсуждены связанные с этим аномалии экранирования электрических полей в неупорядоченных системах.
• Построена теория квантовых поправок к электропроводности двумерной неупорядоченной системы, обусловленных эффектом слабой локализации, справедливая при малых временах сбоя фазы (т^ «т) и в широкой области магнитных полей от классически слабых (В <С ВЬг = с/2е12) вплоть до квантующих [сост > 1).
Показано, что куперон сохраняет структуру диффузионного про-пагатора в канале частица-частица во всей области классических магнитных полей сост < 1, но в области В > Вц в нем необходимо учитывать пространственно-временную нелокальность коэффициента диффузии (см. уравнения (4.12),. (4.18)). Нарушение его диффузионной структуры при сост > 1 обусловлено не переходом к квазибаллистическому режиму, а нарушением инвариантности относительно обращения времени в магнитном поле.
Показано, что пространственная нелокальность обобщенного коэффициента диффузии существенно влияет на поведение квантовых поправок к электропроводности, сменяя, в частности, их логарифмическую полевую зависимость в области В <С А, г на степенную — при В > В1г (см. уравнения (4.25), (4.26)).
• Показано, что вопреки общепринятой точке зрения локализаци-онные поправки к холловскому сопротивлению р# отличны от нуля. Они имеют знак, противоположный заряду носителей, и приводят к уменьшению абсолютной величины рн (4.25). Их полевая зависимость имеет те же особенности, а относительная величина — тот же порядок, что и в продольном сопротивлении. Возникновение квантовых поправок в холловском сопротивлении обусловлено ларморовской прецессией замкнутых участков траекторий, которые обходятся электронами в процессе их многократного рассеяния на примесях. Существенно то, что они возникают в аномальных слагаемых холловской компоненты тензора электропроводности, не имеющих аналога в классической кинетической теории, и не связаны с интерференционной перенормировкой транспортного времени релаксации, которая, как известно, в первом порядке по 1 /кр1 сокращается в р#.
• Показано, что аномальная часть холловской компоненты тензора электропроводности аух играет особенно важную роль в области квантующих магнитных полей, где происходит коренная перестройка спектра одночастичных состояний двумерной неупорядоченной системы, обусловленная неборновским характером рассеяния электронов на примесях. Она приводит к поведению сгух, характерному для режима целочисленного квантового эффекта Холла.
Выполненный расчет плотности одноэлектронных состояний двумерной неупорядоченной системы в квантующем магнитном поле в приближении самосогласованной ¿—матрицы показывает, что при 2тт1вП1 < 1 наряду с размытыми столкновениями примесными подзонами восстанавливаются дискретные уровни при энергиях 8п = и-с (п +½) (4.30).
• Показано, что в каждая примесная подзона, будучи полностью занятой электронами, не дает вклада в холловский ток. При этом электроны, находящиеся на дискретных уровнях Ландау, создают избыточный ток, в точности компенсирующий его потерю за счет состояний, локализованных в примесной зоне предположить, что электронные состояния в примесных подзонах локализованы, то на соответствующих участках аух должно принимать квантованные значения ге2/2тг/г.
Список литературы
- P. W. Anderson. Absence of diffusion in certain random lattices. -Phys. Rev. 109, M°-5, 1492−1505 (1958).
- N. F. Mott and E. A. Davis. Electron processes in поп-crystalline materials, Clarendon Press, Oxford (1979) — (пер. H. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мир, Москва, (1982).)
- И. М. Лифшиц, С. А. Гредескул, Л. А. Пастур. Введение в теорию неупорядоченных систем, Наука, Москва, (1982).
- J.M. Ziman, Models of Disorder, Cambridge, (1979) — (пер. Дж. Займ-ан, Модели беспорядка, Мир, Москва, (1982).)
- А. Л. Эфрос. Локализация электронов в неупорядоченных системах (Переход Андерсона). УФН 126 вып. 1, 41−65 (1978).
- В. L. Altshuler, A. G. Aronov, D. Е. Khmelnitskii, A. I. Larkin. «Coherent effects in disordered conductors» In Quantum Theory of Solids, ed. I.M. Lifshits, MIR Publishers, Moscow (1982), pp. 130−205.
- P. A. Lee, Т. V. Ramakrishnan. Disordered electronic systems. -Review Modern Physics 57, A/"-2, 287−337 (1985).
- M. V. Sadovskii. Theory of electron localization in disordered systems. Sov. Sci. Rev. A. Phys. 7, 1−130 (1986).
- D. Vollhardt, P. Wolfle. Self-consistent theory of Anderson localization. In: Electronic Phase Transitions, ed. by W. Hanke and Yu. V. Kopaev. North-Holland, Amsterdam (1992), pp. 1−78.
- D. Belitz, T. R. Kirkpatrick. The Anderson-Mott transition. -Review Modern Physics 66, M-2, 261−380 (1994).
- M. В. Садовский. Сверхпроводимость и локализация.- СФХТ 8, Л^£3, 337−442 (1995).
- И. М. Суслов. Построение (4 — 5)-мерной теории для плотности состояний неупорядоченной системы вблизи перехода Андерсона.-УФН, 168, М-5, 1−28 (1998).
- Э. 3. Кучинский, М. В. Садовский. Комбинаторика фейнма-новских диаграмм в задачах с гаусовским полем.-ЖЭТФ 113 вып. 2, 664−678 (1998).
- Y. Imry, Y. Gefen, D. Bergman. Dielectric anomalies near the Anderson metall-insulator transition. Phys. Rev. В 26, Л/"£6, 34 363 439 (1982).
- E. Abrahams, P. A. Lee. Scaling description of the dielectric function near the mobility edge. Phys. Rev. В 33, N-2, 683−689 (1986).
- J. T. Chalker. Scaling and eigenfunction correlations near a mobility edge. Physica A 167, A/M, 253−258 (1990).
- M. Schreiber. Fractal eigenstates in disordered systems. Physica A 167, M-1, 188−198 (1990).
- T. Brandes, B. Huckestein, L. Schweitzer. Critical dynamics and multifractal exponents at the Anderson transition in 3d disordered systems.-Ann. Phys. 5, 633 (1996).
- И. M. Суслов. Симметрийная теория перехода Андерсона. -ЖЭТФ 108, Af-5, 1686−1722 (1995).
- А. А. Абрикосов, JI. П. Горьков, И. Е. Дзялошинский. Методы квантовой теории поля в статистической физике. Физматгиз, Москва, 444 с (1962).
- E. Abrahams, P. W. Anderson, D. C. Licciardello, Т. V. Ramakrishman. Scaling theory of localization: absence of quantum diffusion in two dimensions. Phys. Rev. Lett. 42, jV?10, 673−676 (1979).
- И. M. Суслов. Скейлинг в теории локализации вблизи верхней критической размерности.- ЖЭТФ 113 вып. 3, 1−14 (1998)
- D. Vollhardt and P. Wolfle. Anderson localization in d < 2 dimensions. A self-consistent diagrammatic theory.-Phys. Rev. Lett. 45, Jf-10, 842−846 (1980).
- P. Wolfle, D. Vollhardt. Self-consistent diagrammatic theory of Anderson localization.-in Anderson Localization, ed. by Y. Nagaoka and H. Fukuyama, Springer-Verlag, Berlin-New York, (1982), 26−43.
- D. Vollhardt, P. Wolfle. Diagrammatic, self-consistent treatment of the Anderson localization problem in d < 2 dimensions. Phys. Rev. В 22, Я-10, 4666−4679 (1980).
- А. В. Мясников, M. В. Садовский. Самосогласованная теория локализации в пространствах с размерностью 2 < d < 4. ФТТ 24, Jf° 12, 3569−3574 (1982).
- Д. П. Горьков, А. И. Ларкин, Д. Е. Хмельницкий. Проводимость частицы в двумерном случайном потенциале. Письма в ЖЭТФ 30, Я-4, 248−252 (1979).
- Н. Kunz. R. J. Souillard. On the upper critical dimension and the critical exponents of the localization transition.-J. de Phys. Lett. 44, A13, L503-L506 (1983).
- Э. 3. Кучинский, M. В. Садовский, В. Г. Суворов, М. А. Эркаба-ев. Самосогласованная теория перехода металл-диэлектрик в неупорядоченных системах, — ЖЭТФ 107 вып. 6, 2027−2047 (1995).
- F. J. Wegner. The Anderson transition and the nonlinear cr-model.- in Anderson Lokalization, ed. by Y. Nagaoka and H. Fukuyama, SpringerVerlag, Berlin-New York, 8−14 (1982).
- B. Shapiro. Self-consistent calculation of the frequency-dependent conductivity near the transition.-Phys. Rev. В 25, Jf-6, 4266−4269 (1982).
- B. JI. Березинский, JI. П. Горьков. К теории электронов, локализованных в поле дефектов. ЖЭТФ 77, А^-6, 2498−2517 (1979).
- J. Feder. Fractals-Plenum Pres, New York and London (1988). (пер. E. Федер. Фракталы.-Мир, Москва (1991)).
- D. Forster, Hydrodynamic Fluctuations, Broken Symmetry, and Correlation Functions, W.A.Benjamin, Inc., London, etc, (1975) — (Пер. Д. Форстер, Гидродинамические флуктуации, нарушенная симметрия и корреляционные функции, Атомиздат, Москва (1980).
- М. V. Sadovskij. Superconductivity and Localization. Phys. Reports 282, A/"-586, 225−344 (1997).
- Б. Л. Альтшулер, А. Г. Аронов, А. И. Ларкин, Д. E. Хмельницкий. Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках.-ЖЭТФ 81 вып. 2(8), 768−783 (1981).
- S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Spin-orbit interection and magnetoresistance in the two dimensional random system.-Progr. Theor. Phys. 63, 707−710, (1980).
- G. Bergman. Phys. Weak localization in semiconductors.- Phys. Reports 101, 1−97 (1984).
- B. L. Altshuler, D. E. Khmelnitskii, A. I. Larkin, P. A. Lee. Magnetoresistance and Hall effect in a disordered two-dimensional electron gas.-Phys. Rev. B22, 5142−5153 (1980).
- A. Kawabata. Theory of negative magnetoresistance I. Application to heavily doped semiconductors. J. Phys. Soc. Japan 49, M-2, 628−637 (1980).
- A. Kawabata. On the field dependence of magnetoresistance in two-dimensional systems.-J. Phys. Soc. Jap. 53, 3540−3544 (1984).
- В. M. Гаспарян, А. Ю. Зюзин. О полевой зависимости аномального магнитосопротивления.-ФТТ 27, 1662−1666 (1985).
- М. I. Dyakonov. Magnetoconductance due to weak localization beuond the diffuzion approximation: the high-field limit-Solid State Commun. 92, 711−714 (1994).
- A. P. Dmitriev, I. V. Gornyi, and V. Yu. Kachorovskii. Nonbackscatering contribution to weak localization.-Phys. Rev. В 56, 9910−9917 (1997).
- И. В. Горный. К теории эффектов слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия в двумерных полупроводниковых структурах. -Автореферат дисс. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук, Санкт-Петербург (1998).
- J. М. Ziman. Principles of the Theory of Solids, Cambridge (1972), (пер. Дж. Займан. Принципы теории твердых тел, Мир, Москва (1972)).
- А. Г. Грошев, С. Г. Новокшонов. Локализация и пространственно-временная дисперсия кинетических коэффициентов двумерной неупорядоченной системы.-ЖЭТФ 111 вып. 5, 1787−1802 (1997).
- С. Г. Новокшонов, А. Г. Грошев. Пространственно-временная дисперсия кинетических коэффициентов в окрестности перехода Андерсона.-ЖЭТФ 114 вып. 2(8), 711−724 (1998).
- А. Г. Грошев, С. Г. Новокшонов. Отрицательное магнитосопроти-вление и коэффициент Холла двумерной неупорядоченной системы, -деп. в ВИНИТИ ЛЛ^2664-В99, 24 стр. (1999).
- М. М. Бредов, В. В. Румянцев, М. Н. Топтыгин. Классическая электродинамика,-Наука, Москва (1985).
- Д. Р. Зубарев. Современные методы статистистической теории необратимых процессов, в книге Итоги науки и техники. Сер: Современные проблемы математики. М.: ВИНИТИ АН СССР, Т. 15 (1980).
- А. Г. Грошев, С. Г. Новокшонов, М. А. Зудов. Пространственно-временная дисперсия кинетических коэффициентов двумерной электрон-примесной системы в лестничном приближении.-Вестник УдГУ вып. 7, 108−115 (1995).
- S.F. Edwards. A new method for the evaluation of electric conduction in metals. Phil. Mag. 3, Я-33, 1020−1031 (1958).
- В.П. Силин. Введение в кинетическую теорию газов. М.: Наука, (1971).
- R. J. Baxter. Exactly solved models in statistical mechanics. Academic Press (1982), (пер. P. Бэкстер. Точно решаемые модели в статистической механике, Мир, Москва (1985).)
- А. К. Аржников, С. Г. Новокшонов, С. В. Пахомов. Квантовые поправки к электропроводности двумерной неупорядоченной системы в сильном магнитном поле.-ТМФ 94, АЛ-3, 486−495 (1993).
- H. Fukuyama. Hall effect in two-dimensional disordered systems.-J. Phys. Soc. Jap. 49, 644−648 (1980).
- B. Shapiro, E. Abrahams. Scaling theory of the Hall effect in disordered electronic systems.-Phys. Rev. В 24, Я- 7, 4025−4030 (1981).
- E. А. Котов, M. В. Садовский. Эффект Холла в самосогласованной теории локализации.- ФММ 60 вып. 1, 22−30 (1985).
- A. Zduniak, M. I. Dyakonov, W. Knap. Universal behavior of magnetoconductance due to weak localization in two dimensions.-Phys. Rev. В 56, 1996−2003, (1997).
- A. Bastin, C. Leviner, O. Betbeder-Matibet, P. Nozieres. Quantum oscillations of the Hall effect of a fermion gas with random impurity scattering.-J. Phys. Chem. Solids. 32, Л/"£8, 1811−1824 (1971).
- R. R. Gerhardts. Self-consistent transport equations for the electron-impurity system in a magnetic field.-Z. Phys. В 22, M-4, 327−336 (1975).
- С. С. Мурзин. Квантовые поправки к проводимости пленок п — GaAs в сильном магнитном поле.-Письма в ЖЭТФ 67 вып. 3, 201−206 (1998).
- A. Houghton, J. R. Senna, S. С. Ying. Magnetoresistance and Hall effect of a disordered interecting two-dimensional electron gas.-Phys. Rev. В 25, Ai-2196−2210 (1982).
- Y. Ono. Self-consistent treatment of dynamical diffusion coefficient of two dimensional random electron system under strong magnetic fields.-J. Phys. Soc. 53, A7, 2342−2349 (1984).
- J. R. Taylor. Scatering Theory, John Wiley&Sons Inc., (1972), (пер. Дж. Тейлор. Теория рассеяния, Мир, Москва, (1975)).
- R. E. Prenge. Quantized Hall resistance and the measurement of the fine-structure constant .-Phys. Rev. В 23, 4802−4803 (1981).
- H. А. Усов, Ф. Р. Улинич.-Квантовый эффект Холла в двумерной злектрон-примесной системе. ЖЭТФ 83 вып. 4(10), 1522−1528 (1982).
- G. Ebert, К. V. Klitzing, С. Probst, К. Ploog. Magnetoquantumtransport on GaAs — AlxGa-xAs heterostructures at very low temperatures.-Solid State Commun. 44, Я-2, 95−97 (1982).
- Э. 3. Кучинский, M. А. Эркабаев.-Переход металл-диэлектрик в самосогласованной теории локализации с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия. ФТТ 39, М-3, 412−417 (1997).
- Н. F. Hess, К. DeConde, Т. F. Rosenbaum et al. Giant dielectric constants at the approach to the insulator-metal transition.-Phys. Rev. В 25, ЛГ-8, 5578−5580 (1982).
- Т. Nakayama, К. Yakubo, R. L. Orbach, Dynamical properties of fractal networks: Scaling, numerical simulations, and physical realizations.- Review of Modern Physics 66, M-2, 381−443 (1994).
- V. N. Prigodin and Y. A. Firsov. Mobility edge and AC conductivity for quasi-two-dimensional weakly disordered system.-J. Phys. C. Solid State Phys. 17, Л^Зб, L979-L984 (1984).
- А. К. Аржников, А. Г. Грошев, С. Г. Новокшонов. Холловское сопротивление двумерной неупорядоченной системы в сильном магнитном поле.-Вестник УдГУ вып. 5(1), 49−57 (1993).
- Н. Bateman, A. Erdelyi. Higher Transcendental Functions, v.2, Mc Graw-Hill Book Company, INC. (1953). (пер. Г. Бейтмен, А. Эрдейи. Высшие трансцендентные функции, т. 2, Наука, Москва (1966)).
- W. В. Jones, W. J. Thron, Continued Fractions. Analytic Theory and Applications, Addison-Wesley Publishing Company (1980) (пер. У. Джонс, В. Трон, Непрерывные дроби. Аналитическая теория и приложения, Мир, Москва (1985)).
- Н. Bateman, A. Erdelyi. Higher Transcendental Functions, v. l, Mc Graw-Hill Book Company, INC. (1953). (пер. Г. Бейтмен, А. Эрдейи. Высшие трансцендентные функции, т. 1, Наука, Москва (1966)).
- Н. Bateman, A. Erdelyi. Tables of Integral Transforms, v.2, Mc Graw-Hill Book Company, INC. (1953). (пер. Г. Бейтмен, А. Эрдейи. Таблицы интегральных преобразований. т. 2, Наука, Москва (1970)).