Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Электрогидродинамическая неустойчивость жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследованы электрооптические эффекты в смектической А-фазе ЭААК. Нарушения текстуры под действием постоянного и переменного поля сводятся к периодическому смещению радиальных складок веерной текстуры и появлению тангенциальных складок. Одновременно в участках, где веерная текстура переходит в гомеотропную, происходит движение жидкости и перемещение частиц примесей. Периодической картины доменов… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОГЦЦРОДИНАМИКА НЕМАТИЧЕСКИХ И СМЕКГИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ). б
  • §-1.1.Характеристики жидкокристаллических текстур и электрооптические эффекты
  • §-1.2.Электроконвективные домены в планарных нематиках с отрицательной диэлектрической анизотропией
  • §-1.3.Модели ЭГД~неустойчивости в планарных нематиках
  • §-1.4.Деформация ориентации и скорости течения в доменах
  • Вильямса
    • 1. 5. ЭГД-неустойчивость нёматических жидких кристаллов с положительной диэлектрической анизотропией и изотропной фазы
  • §-1.6.Домены в смектической С — фазе
    • 1. 7. ЭГД~неустойчивость смектической, А — фазы с положительной диэлектрической анизотропией
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДУЕМЫХ СОЕДИНЕНИЙ
  • §-2.1.Электрооптическая ячейка
  • §-2.2.Экспериментальные методы исследования
  • §-2.3.Характеристика исследуемых соединений
  • ГЛАВА 3. ПОРОГОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛАНАРНЫХ ТЕКСТУР НЖК С
  • ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ
  • §-3.1.Пороговое напряжение возникновения линейных доменов в ПАА и МББА
  • §-3.2.Период линейных доменов и его корреляция с величиной порогового напряжения
  • §-3.3.Низкочастотный режим ЭГД-неустойчивости в ПАА
  • §-3.4.Скорость электроконвективного течения в доменах Вильямса
  • §-3.5.Деформация ориентации в доменах Вильямса
  • §-3.6.Характеристические параметры «режима проводимости» для модели Хельфриха — Орсэ
  • ГЛАВА 4. ЭГД-НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В Г0МЕ0ТР0ПН0Й ТЕКСТУРЕ НЕМАТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ
  • §-4.1.Пороговые характеристики режима постоянной кривизны и режима осциллирующей кривизны в ЭААК
  • §-4.2.Пороговые характеристики ЭГД-неустойчивости в нематической фазе НЗЮБ
  • §-4.3."Скрытая" ЭГД-неустойчивость в гомеотропной нематической текстуре
  • §-4.4.Электротермический эффект в режиме постоянной кривизны
  • ГЛАВА 5. ЭГД-НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В СМЕКГИЧЕСКИХ ФАЗАХ. ИЗ
  • §-5.1,Электроконвективные домены в смектической С — фазе гептилоксибензойной кислоты.. ИЗ
  • §-5.2.Пороговые характеристики доменов в смектической
  • С — фазе п-н-ди-гептилоксиазоксибензола
  • §-5.3.Электрооптические эффекты в смектической A-фазе НФОБ
  • §-5.4.Влияние электрического поля на смектическую
  • А — фазу ЭААК

Электрогидродинамическая неустойчивость жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Электрогидродинамика жидких кристаллов выделилась в настоящее время как отдельное направление в физике жидких кристаллов. Эффекты, связанные с электроконвективным течением в жидких кристаллах, широко используются в ряде электрооптических устройств (индикаторных панелях, ячейках памяти и т. п.). Исследования, ставящие своей целью практическое применение уже обнаруженных явлений, ведутся в различных институтах Советского Союза и за рубежом. Ряд монографий [1-Ю} посвящен структуре и свойствам жидких кристаллов, многим вопросам электрогидродинамики.

Несмотря на это, последние экспериментальные данные свидетельствуют о недостаточной полноте наших представлений о механизме различных режимов электрогидродинамической неустойчивости в нематической и смектической фазах с различной молекулярной ориентацией.

Работы в области ЭГД-неустойчивости в смектических, А и С-фа-зах носят предварительный характер, крайне малое число статей посвящено неустойчивости в гомеотропной текстуре нематических кристаллов.

Целью настоящей работы является экспериментальное исследование характеристик ЭГД-неустойчивости нематических и смектических жидких кристаллов с различной молекулярной ориентациейопределение пороговых условий возникновения ЭГД-неустойчивости. Нами был обнаружен ряд новых закономерностей и эффектов, в частности, экспоненциальная форма пороговых кривых в режиме проводимости, зависимость скорости течения от напряжения при различных частотах электрического поля, корреляция между формой частотных кривых порогового напряжения и периода доменовновый низкочастотный режим в параазоксианизоле, электротермический эффект в режиме проводимостиэффект «скрытой» ЭГД-неустойчивости в го-меотропной текстуре. Обнаружен и исследован режим, близкий к режиму проводимости, в гомеотропной текстуре нематического кристалла с положительной диэлектрической анизотропией. Обнаружены два новых режима ЭГД-неустойчивости в гомеотропной и конфокальной смектической А-фазе. Определены пороговые характеристики ЭГД-неустойчивости в смектической С-фазе и предложен механизм ее возникновения.

Полученные результаты могут быть полезными для дальнейшего развития теории жидкокристаллического состояния и должны учитываться при разработке жидкокристаллических устройств отображения информации, в которых используется эффект ЭГД-неустойчивости.

ВЫВОДЫ

1. Низкочастотный режим продольных (первичных) доменов в смек-тической С-фазе ГОВК качественно подобен режиму постоянной кривизны в планарных нематических кристаллах. Плоскость стационарного электроконвективного течения параллельна смектическим слоям, оси вихревых трубок параллельны начальной ориентации директора. Пороговые кривые описываются зависимостью Уп ^ и

V ^ ехр. Предложен механизм образования доменов, сходный с механизмом Карра-Хельфриха, в котором определяющую роль играют флуктуации смектического «директора» С.

2. Высокочастотный режим «основных» доменов в ГОБК качественно подобен режиму осциллирующей кривизны в планарных нематических текстурах. Плоскость осциллирующего вихревого течения перпендикулярна смектическим слоям. Фокусные линии доменов параллельны смектическим слоям. В узкой низкочастотной области этого режима пороговые кривые описываются зависимостью V = В) + V, ;

2. л о ^ в области высоких частот Vп = л У + С, причем, значения ^ и С существенно отличаются от нуля.

3. Обнаружены два режима неустойчивости в планарной С-фазе п-н-дигептилоксиазоксибензола (ГОАБ). На низких частотах наблюдаются продольные полосы, ориентированные вдоль натирания и хорошо видимые только при скрещенных поляроидах. Их можно сопоставить с азимутальными доменами в планарных нематиках.

В области высоких частот наблюдались обычные «поперечные» домены, фокусирующие проходящий свет. Их пороговая кривая хорошо описывается зависимостью V = А (с () ^

4. Исследованы электрооптические эффекты в гомеотропной смек-тической текстуре НФОБ для образцов с различной ориентацией в нематической фазе. Показано, что характер текстурных превращений существенно зависит от условий на границе с подложками,

Обнаружены два вида ЭГД-неустойчивости в конфокальной и гомеотропной текстурах смектической А-фазы. Первый сходен с режимом «проводимости» в планарных нематиках, второй — с «диэлектрическим» режимом в гомеотропной нематической текстуре.

В конфокальной текстуре ЭГД-неустойчивость имеет пороговую зависимость типа Уп ^ 60Ср <1^, в гомеотропной текстуре со «слабым» сцеплением 1п ^) — вблизи /п ЭГД-неустой-чивость в гомеотропной текстуре сопровождается модуляцией света с частотой ^ .

5. Исследованы электрооптические эффекты в смектической А-фазе ЭААК. Нарушения текстуры под действием постоянного и переменного поля сводятся к периодическому смещению радиальных складок веерной текстуры и появлению тангенциальных складок. Одновременно в участках, где веерная текстура переходит в гомеотропную, происходит движение жидкости и перемещение частиц примесей. Периодической картины доменов или турбулентного течения не наблюдалось .

— 137 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенных экспериментальных исследований характеристик ЭГД-неустойчивости нематических и смектических жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией основные результаты и выводы работы можно сформулировать следующим образом:

1. Исследован режим постоянной кривизны ориентации (линейные домены) в планарных текстурах нематических кристаллов вблизи порога ЭГД-неустойчивости. Определены функциональные зависимости пороговых характеристик линейных доменов (ПАА). В области частот, где пороговое напряжение увеличивается с частотой, найдена экспоненциальная зависимость 6Хр, где с — номер участка. Коэффициент I, что не согласуется с предпосылками модели группы Орсэ для такого режима. Аналогичные зависимости найдены и для нематического кристалла МББА.

Полученные из экспериментальных данных экспоненциальные зависимости не предполагают наличия какой-либо частоты, ограничивающей режим постоянной кривизны ориентации. Кроме того, найдена резкая зависимость Ч^ от толщины образца с1 для ПАА, поэтому независимость Уп от С| уже не может считаться обязательным признаком режима постоянной кривизны.

2. Определена зависимость периода, А линейных доменов в ПАА от частоты т) и толщины образца с (в непосредственной близости от порога ЭГД-неустойчивости. Установлена корреляция между периодом электроконвективных доменов и величиной порогового напряжения. Обнаружена инверсия А (Т), связанная с переходом через критическую величину, А = о1 .

3"Изучен низкочастотный режим в ПАА (ниже I кГц) «Определены функциональные зависимости Уп и Л от }, с1, резко отличающиеся от обычных характеристик «режима проводимости» .Возникновение низкочастотного режима в ПАА связано с искажением квазицилиндрического сечения вихревых трубок электроконвективного течения.

4.0пределены скорость электроконвективного течения и величина углов 6 в непосредственной близости от порога ЭГД-неус-тойчивости в ПАА и МББА. Обнаружено, что скорость течения имеет постоянную величину, не зависящую от частоты электрического поля.

Величина 0 определялась по методу фокусных расстояний с поправкой на квазиизотропность модели Пенца. Обнаружено, что величина угла В ориентационной деформации имеет конечное, довольно большое значение, что согласуется с конечным значением критической ^.

5.Определены характеристические параметры режима постоянной кривизны в соответствии с моделью группы Орсэ для частотной зависимости порога ЭГД-неустойчивости.Показана противоречивость результатов, вытекающих из теории группы Орсэ для нематических кристаллов ПАА и МББА.

6.Исследовано электроконвективное течение в нематических го-меотропных текстурах веществ с положительной диэлектрической анизотропией (ЭААК, Ш0Б) .Обнаружен и исследован «режим проводимости» ЭГД-неустойчивости в гомеотропной текстуре ЭААК в узком температурном интервале вблизи перехода в смектическую А-фазу.Он объяснён наличием смектических сиботаксических групп, создающих отрицав тельную анизотропию электропроводности.

В нематической фазе НФОБ определены функциональные зависимости режима осциллирующей кривизны. Обнаружен эффект «подавления» ориентационной деформации с увеличением напряжения при сохранении интенсивного движения частиц примесей. Показана вторичность картины ориентационной деформации НФОБ по отношению к электроконвективному течению.

7. Обнаружена «скрытая» ЭГД-неустойчивость в гомеотропной нематической текстуре вещества 7 БН. Процесс ориентационной деформации начинается уже при конечном значении скорости электроконвективного течения. Показана возможность использования обнаруженного эффекта в электрооптических устройствах.

8. Обнаружен электротермический (ЭТ) эффект в режиме постоянной кривизны в планарном образце ПАА и гомеотропной текстуре ЭААК. Ниже порога Уп (5), в изотропной фазе и в постоянном поле ЭТ-эффект не наблюдался. Он интерпретирован в рамках модели Орсэ как результат сдвига между осцилляцией объемного заряда и внешнего поля.

9. Определены пороговые условия возникновения ЭГД-неустой-чивости в планарных текстурах смектической С-фазы веществ ГОБК, ГОАБ. Показано, что существуют два режима: низкочастотный режим продольных (первичных) доменов в ГОБК и продольных полос в ГОАБ, а также высокочастотный режим, характеризуемый поперечными (основными) доменами (ГОБК и ГОАБ).

Продольные полосы можно объяснить как деформацию кручения с пространственно модулированными азимутальными углами директора. Высокочастотные домены имеют две серии фокусных линий и модулируют свет с удвоенной частотой. Предложен механизм образования доменов в смектической С-фазе.

10.Исследованы электрооптические эффекты в конфокальной и гомеотропной текстурах смектической А-фазы НФОБ. Обнаруженные два вида неустойчивости аналогичны соответственно режимам «проводимости» и «диэлектрическому» в нематических кристаллах.

II.Изучено влияние электрического поля на смектическую А-фазу ЭААК"Изменения веерной текстуры под действием постоянного и переменного электрического поля не связаны с электроконвективным течением.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Чистяков И. Г. Нидкие кристаллы.-М.:Наука, 1966,125 с.
  2. Капустин А. П. Электрооптические и акустические свойства жидких кристаллов.-М.:Наука, 1973,232 с.
  3. Де Кен П. Физика жидких кристаллов.- М.:Мир, 1977,400 с.
  4. Блинов Л.М.Электро- и магнитооптика жидких кристаллов.-М.: Наука, 1978,368 с.
  5. Капустин А. П. Экспериментальные исследования жидкихметаллов.-М Наука, 1978, 368 с.
  6. Адамчик А."Стругальский 3. Жидкие кристаллы.- М.:Советское радио, 1979,160 с.7Ландрасекар С. Жидкие кристаллы.-М. :Мир, 1980,344 с.
  7. Пикин С. А. Структурные превращения в жидких кристаллах.-М.: Наука, 1981, 336 с.
  8. В.де Же. Физические свойства жидкокристаллических веществ.-М.:Мир, 1982,152 с.
  9. Ю.Беляков В. А., Сонин А. С. Оптика холестерических жидких кристалл ов.-М.:Наука, 1982,360 с.
  10. Вистинь Л.К."Капустин А. П. Доменная структура жидких кристаллов .-Кристаллография, 1969, т.14,вып.4,с.740−743.
  11. Williams R. Liquid crystals in an electric field. -Nature, 1963,199, s.273−274.
  12. Чистяков И.Г., Вистинь Л. К. Домены в жидких кристаллах.-Кристаллография, 1974, т.19,с.195−216.
  13. Orsay Liquid Crystal Croyp. Hydrodynamic instabilities in ne-matic liquid under a.c. electric fields.-Phys.Rev.Lett., 1970, v.25,s.164−2 1643.
  14. Galerne Y., Durand G., Veyssil M. Spatial period of bend oscillations in the dielectric electrohydrodynamical instability of nematic liquid crystal.-Phys.Rev., 1972, v.6A, s.484 487.
  15. Heilmeier G.H., Helfrich W. Orientational oscillations in nematic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett., 1970, v.16,N4,s.155−157.
  16. Kogure 0., Murase H. The electric field effect of nematic ethyl p-anisilidene-p-aminocinnamate.-Japan J.Appl.Phys., 1970, v.9, s.1280 1281.
  17. Nakauskhi J., Yokoyama M., Sawa H., 0kamoto K. Impurity effect on domain formation in nematic liquid crystal.-Bull.Chem.Soc.Japan, 1973, v.46,s.3321 3331.
  18. Sakagami S., Takase A., NakamizoM. Deformation of molecular orientation of nematic liquid crystals with gomeotropic alingment by electric field.-Bull.Chem.Soc.Japan, 1973, v.46, s.3573 3574.
  19. M.И., Блинов JI.M., Пикин С. А., Труфанов А. Н. Механизм неустойчивости в нематической и изотропной фазах жидких кристаллов с положительной диэлектрической анизотропией. ЖЭТФ, 1977, т.72, с.756−760.
  20. Hinov Н.Р., Vistin L.K.Parall and cross-like domains due to d. c and low frequency (2Hz) electric fields in nematic liquid crystal lagers with negative dielectric anisotropy.-J.de Physique, 1979, v.40,N3,s.269 292.
  21. A.H., Барник M.И., Блинов Л.M., Чигринов В. Г. Электрогидродинамическая неустойчивость в гомеотропно ориентиро- 143 ванных слоях нематических жидких кристаллов. ЖЭТШ, 1981, т.80, вып.2, с.704−715.
  22. Kashnow R.A., Cole H.S.Electric effects in МВВА/РЕВАВ Mixtures .-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1973, v.23,s.329 34−2.
  23. Greubel W., Wolff U. Electrically controllable domains in nema-tic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett., 1971, v.19,N7,s.213−215.
  24. JI.K., Чистяков И. Г., !умакова С.П., Пархоменко В. В. Новый тип электрогидродинамической неустойчивости в немати-ках. Кристаллография, 1978, т.23, вып.2, с.346−349.
  25. С.А., Инденбом В. Л. Новый тип электрогидродинамической неустойчивости в жидких кристаллах. Кристаллография, 1975, т.20, вып.6, с.1127−1129.
  26. Ю.П., Пикин С. А. Пороговая пьезоэлектрическая неустойчивость в жидком кристалле. ЖЭТФ, 1977, т.72,с.367−369.
  27. Barnik M.I., Blinov L.M., Trufanov A.N."Umanski B.A.Flexo-elec-tric domains in liquid crystals.-J.de Physique., 1978, v.39, N4-, s.4−17 4−22.
  28. А.Н., Блинов JI.M., Барник М. И. Новый тип высокочастотной ЭГД-неустойчивости в нематических жидких кристаллах.
  29. ЖЭТФ, 1980, т.78, вып.2, с.662−671.
  30. J6.Nasta L., Lupu A., Giurgea М. Characteristics of domains-.aphearing in nematic liquid crystals below the threshold voltage of chevrons.-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1981, v.71,N1−2,s.65−76.
  31. А.П., Трофимов A.H., 4увыров A.H. Периодические ориентационные осцилляции доменной структуры жидких кристаллов в переменных электрических полях. Кристаллография, 1972, т.17, с.194−197.
  32. А.Н., Трофимов А. Н. Ориентационные осцилляции доменных структур жидких кристаллов. Механизм образования шестиугольных доменных структур в постоянных электрических полях. -Кристаллография, 1972, т.17, с.1205−1209.
  33. ЗЭЛирсанов Е.А., Сушкин И. В. Структура сложных систем доменов. -В сб.: Жидкие кристаллы, Иваново, 1976, с.49−52.
  34. Penz P.A.Order parameter distribution for the electrohydrody-namic mode of a nematic liquid crystal.-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1979, v.15,N2,s.141 160.
  35. Helfrich V/. Conduct ion-induced alignment of nematic liquid crystals: lasis model and stability considerations.-J.Chem. Phys., 1969, v.51,N9,s.4092 4105.
  36. Vistin L.K., Yakovenko S.S., Kabaenkov A.Yu.Determination of spatially periodically modulated structures in optically anisotropic media by means of optical diffraction.-Advances in Liquid Crystal Research and Applications, Edit.A.Bata, 1980, s.633 639.
  37. Kondo K., Fukuda A., Kuze E. Causes for the appearance of fringes in cholesterics Williams domains and chiral smectic сliquid crystal.-Japanese J. of Appl. Physics, 1981, v.20,N10, s.1779 1785
  38. С.А. Стационарное течение нематической жидкости в электрическом поле. -ЖЭТФ, 1971, т.60, с.1165−1190.
  39. М.И., Блинов Л. М., Гребенкин М. Ф., Пикин С. А., Чигри-нов В.Г. Порог электрогидродинамической неустойчивости нематических жидких кристаллов. В сб.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, с.46−54.
  40. Penz Р.А., Ford G. V/.Electrohydrodynamic solutions for neraatic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett., 1972, v.20,s.415 430.
  41. Durand G. Electrohydrodynamics of liquid crystals.-Molecular fluids. Gordon and Breach science publishers, 1975″
  42. Bata L., Buka A., Janossy I. Electric field induced in nematic liquid crystals.-Kozp.fiz.kut.inter Pubis., 1973>v.32., pp.1−8.
  43. Gryler H., Meier G. Electric field-induced deformations in oriented liquid crystals of the nematic type.-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1972, v.16., s.299 310.
  44. Kashow R.A., Cole H.S.Electrohydrodynamic instabilities in highparity nematic liquid crystals.-J.Appl.Phys. 197^ >v.42, s.2134 2135.
  45. Carroll Т.О.Liquid-crystal diffraction drating.-J.Appl.Phys., 1972, v.43,s.767 770.
  46. Meyerhofer D., Sussman A. Electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals in low-frequency fields.-Appl.Phys.• Lett., 1972, v.20,s.357 339
  47. De Jeu V/.H.Instabilities of nematic liquid crystal in pulsating electric fields.-Phys.Lett., 1971"v.37Л, s.365 366.
  48. De Jeu W.H., Gerritsma C. J., Van Zanten P., Goosens V/.Relaxation of the dielectric constant and instabilities in a liquid crystal.-Phys.Lett., 1972, v.39A, s.355 356.
  49. Dvyorjetski D, Silberberg V., Wiener-Avnear E. The Temperature Dependence of the Electrohydrodynamic Instability in Nematic Liquid Crystals.-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1977, v.42,s.273−281.
  50. Meyerhofer D. Electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals.-RCA Review, 1974, v.35,s.433 W.
  51. Sengupta P, Saype A. Bend-spear-mode instabilities of nematic liquid crystals in ac fields.-Phys.Rev.1974,v.9,s.2698−2706.
  52. С.А. Высокочастотный электрогидродинамический эффект в жидких кристаллах. ЖЭТФ, 1971, т.61, с.2133−2139.
  53. Ribotta R., Durand G. Hip-h frequency electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals.-J.de Physique Coll., 1979, v.4−0,C3 334-C3 -337.
  54. С.А. Новый высокочастотный режим неустойчивости в НЖ. -В кн.: Тезисы докладов I Всесогоз. симпозиума по электрическим свойствам жидких кристаллов. Душанбе, 1979, с. 34.
  55. Heilmeier G.H.Transient behavior of domains in liquid crystals. -J.Chem.Phys., 1966, v.4−4-, N2, s.644 64−7.
  56. Carroll Т.О.Dependence of conduction induced alignment of nematic liquid crystals upon voltage above threshold.-J.Appl. Phys., 1972, v.4−3,N4-, s.154−2 134−6.
  57. С.В., Блинов Л. М. Электрогидродинамическая неустойчивость как неравновесный фазовый переход. Кристаллография, 1982, т.27, вып.5, с.936−940.
  58. Blinov L.M., Barnik M.I., Lasareva V.I., Trufanov A.N.EHG instabilities in the liquid crystal phases v/ith smectic ordering.←J.de Physique Coll.03,1979,v.40,C3 263,03 — 268.
  59. A.H. Исследование механизмов электрогидродинамической неустойчивости в нзматических жидких кристаллах: Автореф. дис. канд. физ. матем. наук. М., 1981, 18 с.
  60. Taylor T.R., Fergason J.L., Aroras L. Biaxial liquid crystals.-Phys.Rev.Lett., 1970, v.24,s.359 362.
  61. Chistykov I.G., Schabischev L.S., Jarenov P.I., Gusakowa L.A. The polymorphism of the smectic liquid crystals.-Mol.Cryst. Liquid Gryst., 1969, v.7,s.279 284.
  62. De Vries A. Experimental investigations of the structure of thermotropic liquid crystals.-J.de Physique, 1975, v.36, Coll.1., s,1 11.
  63. Куватов 3.X., Капустин А. П., Трофимов A.H. Диэлектрические свойства жидкокристаллических структур п-н-алкоксибензойных кислот. В сб.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, с.74−80.
  64. Л.К., Капустин А. П. Домены в жидких кристаллах смек-.тического типа. Кристаллография, 1968, т.13, с.349−355.
  65. Л.К., 1умакова С.П. О пороговых характеристиках возникновения доменов в смектической фазе п-н-гептилоксибензой-ной кислоты. В сб.: Доклады П Всесоюз. научной конф. по жидким кристаллам. Иваново, 1973, с.129−132.
  66. Petrov M., Durand G. On the origin of electrohydrodynamic instabilities in-smectic С liquid crystals.-J.Physique Lett., 1981, v.4−2,1. 519, L — 522.
  67. Hareng M., Leberre S., Thirant L. Electric field effects on bi-phenyl smectic A liquid crystal.-Appl.Phys.Lett., 197^, v.25, N12, s.683 685.
  68. Parodi O. Apossibe magnetic transition in smectic A.-Solid State Comm., 1972, v.11,s.1503 1507.
  69. Goscianski M., Leger L., Mircea-Roussel A. Field induced transitions in smectic A phases.-J. de Physiq.Lett., 19751v.36, s.313 316.
  70. B.H., Зейналлы A.X. Термоэлектрический эффект в смектической А-фазе жидких кристаллов. Письма в 5КТФ, 1979, т.5, вып. II, с.651−655.
  71. Dazai F., Uchida Т., Wada M. The electro-optic effects of smectic liquid crystals.-Mol.Uryst.Liquid Uryst., 1977iV.34-, N8, s.197 202.
  72. Coates D., Urossland W.A., Morrissg J., Needham B. Electrically induced scattering textures in smectic A phases and their electrical reversal.-Ann.Phys., 1978*v.3>s.325.
  73. Д.Ф., ¿-ирков B.H. Индуцированная электрогидродинамическая неустойчивость в смектиках А, управление ее характеристиками. Кристаллография, 1981, т.1, с.144−150.
  74. Ю5.Пичикян Н. А., Слепков И. А., Сонин А. С. Динамические характеристики электрооптического эффекта с памятью в смектиках А. Кристаллография, 1980, т.25, с.187−190.
  75. Soref К.A.Physics of optoelectronic materials.-Plenum Press.N.Y., 1971, s.207 251.
  76. Е.И., Полушин С. Г., Ковшик А. П., Ротинян Т. А., Цветков В. Н. Молекулярные механизмы диэлектрической релаксации в жидкокристаллическом 4-нитрофенилен 4 — н — октилокси-бензоате. — Доклады АН СССР, 1978, т.239, № 5, с.1150−1153.
  77. Г. Г., Макаров Б. Н. Синтез и жидкокристаллические свойства гомологического ряда п-н-алкилоксибензилиден-п -аминобензонитрилов. В сб.: Доклады 2 Всесоюз. конф. по жидким кристаллам, Иваново, 1973, с.172−177.
  78. Schadt М. Dielectric properties of some nematic liquid crystals with strong positive dielectric anisotropy.-J.Chem. Phys., 1972, v.56,s.1494 1497.
  79. Jeu de W.H., lierritsma C.J., Boxtel van A.M.Electrohydrodyna-mic instabilities in nematic liquid crystals.-Phys.Lett., 1971, v.34,s.203 204.
Заполнить форму текущей работой