Электрогидродинамическая неустойчивость жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией
Исследованы электрооптические эффекты в смектической А-фазе ЭААК. Нарушения текстуры под действием постоянного и переменного поля сводятся к периодическому смещению радиальных складок веерной текстуры и появлению тангенциальных складок. Одновременно в участках, где веерная текстура переходит в гомеотропную, происходит движение жидкости и перемещение частиц примесей. Периодической картины доменов… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОГЦЦРОДИНАМИКА НЕМАТИЧЕСКИХ И СМЕКГИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ). б
- §-1.1.Характеристики жидкокристаллических текстур и электрооптические эффекты
- §-1.2.Электроконвективные домены в планарных нематиках с отрицательной диэлектрической анизотропией
- §-1.3.Модели ЭГД~неустойчивости в планарных нематиках
- §-1.4.Деформация ориентации и скорости течения в доменах
- Вильямса
- 1. 5. ЭГД-неустойчивость нёматических жидких кристаллов с положительной диэлектрической анизотропией и изотропной фазы
- §-1.6.Домены в смектической С — фазе
- 1. 7. ЭГД~неустойчивость смектической, А — фазы с положительной диэлектрической анизотропией
- ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДУЕМЫХ СОЕДИНЕНИЙ
- §-2.1.Электрооптическая ячейка
- §-2.2.Экспериментальные методы исследования
- §-2.3.Характеристика исследуемых соединений
- ГЛАВА 3. ПОРОГОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛАНАРНЫХ ТЕКСТУР НЖК С
- ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ
- §-3.1.Пороговое напряжение возникновения линейных доменов в ПАА и МББА
- §-3.2.Период линейных доменов и его корреляция с величиной порогового напряжения
- §-3.3.Низкочастотный режим ЭГД-неустойчивости в ПАА
- §-3.4.Скорость электроконвективного течения в доменах Вильямса
- §-3.5.Деформация ориентации в доменах Вильямса
- §-3.6.Характеристические параметры «режима проводимости» для модели Хельфриха — Орсэ
- ГЛАВА 4. ЭГД-НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В Г0МЕ0ТР0ПН0Й ТЕКСТУРЕ НЕМАТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ
- §-4.1.Пороговые характеристики режима постоянной кривизны и режима осциллирующей кривизны в ЭААК
- §-4.2.Пороговые характеристики ЭГД-неустойчивости в нематической фазе НЗЮБ
- §-4.3."Скрытая" ЭГД-неустойчивость в гомеотропной нематической текстуре
- §-4.4.Электротермический эффект в режиме постоянной кривизны
- ГЛАВА 5. ЭГД-НЕУСТОЙЧИВОСТЬ В СМЕКГИЧЕСКИХ ФАЗАХ. ИЗ
- §-5.1,Электроконвективные домены в смектической С — фазе гептилоксибензойной кислоты.. ИЗ
- §-5.2.Пороговые характеристики доменов в смектической
- С — фазе п-н-ди-гептилоксиазоксибензола
- §-5.3.Электрооптические эффекты в смектической A-фазе НФОБ
- §-5.4.Влияние электрического поля на смектическую
- А — фазу ЭААК
Электрогидродинамическая неустойчивость жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Электрогидродинамика жидких кристаллов выделилась в настоящее время как отдельное направление в физике жидких кристаллов. Эффекты, связанные с электроконвективным течением в жидких кристаллах, широко используются в ряде электрооптических устройств (индикаторных панелях, ячейках памяти и т. п.). Исследования, ставящие своей целью практическое применение уже обнаруженных явлений, ведутся в различных институтах Советского Союза и за рубежом. Ряд монографий [1-Ю} посвящен структуре и свойствам жидких кристаллов, многим вопросам электрогидродинамики.
Несмотря на это, последние экспериментальные данные свидетельствуют о недостаточной полноте наших представлений о механизме различных режимов электрогидродинамической неустойчивости в нематической и смектической фазах с различной молекулярной ориентацией.
Работы в области ЭГД-неустойчивости в смектических, А и С-фа-зах носят предварительный характер, крайне малое число статей посвящено неустойчивости в гомеотропной текстуре нематических кристаллов.
Целью настоящей работы является экспериментальное исследование характеристик ЭГД-неустойчивости нематических и смектических жидких кристаллов с различной молекулярной ориентациейопределение пороговых условий возникновения ЭГД-неустойчивости. Нами был обнаружен ряд новых закономерностей и эффектов, в частности, экспоненциальная форма пороговых кривых в режиме проводимости, зависимость скорости течения от напряжения при различных частотах электрического поля, корреляция между формой частотных кривых порогового напряжения и периода доменовновый низкочастотный режим в параазоксианизоле, электротермический эффект в режиме проводимостиэффект «скрытой» ЭГД-неустойчивости в го-меотропной текстуре. Обнаружен и исследован режим, близкий к режиму проводимости, в гомеотропной текстуре нематического кристалла с положительной диэлектрической анизотропией. Обнаружены два новых режима ЭГД-неустойчивости в гомеотропной и конфокальной смектической А-фазе. Определены пороговые характеристики ЭГД-неустойчивости в смектической С-фазе и предложен механизм ее возникновения.
Полученные результаты могут быть полезными для дальнейшего развития теории жидкокристаллического состояния и должны учитываться при разработке жидкокристаллических устройств отображения информации, в которых используется эффект ЭГД-неустойчивости.
ВЫВОДЫ
1. Низкочастотный режим продольных (первичных) доменов в смек-тической С-фазе ГОВК качественно подобен режиму постоянной кривизны в планарных нематических кристаллах. Плоскость стационарного электроконвективного течения параллельна смектическим слоям, оси вихревых трубок параллельны начальной ориентации директора. Пороговые кривые описываются зависимостью Уп ^ и
V ^ ехр. Предложен механизм образования доменов, сходный с механизмом Карра-Хельфриха, в котором определяющую роль играют флуктуации смектического «директора» С.
2. Высокочастотный режим «основных» доменов в ГОБК качественно подобен режиму осциллирующей кривизны в планарных нематических текстурах. Плоскость осциллирующего вихревого течения перпендикулярна смектическим слоям. Фокусные линии доменов параллельны смектическим слоям. В узкой низкочастотной области этого режима пороговые кривые описываются зависимостью V = В) + V, ;
2. л о ^ в области высоких частот Vп = л У + С, причем, значения ^ и С существенно отличаются от нуля.
3. Обнаружены два режима неустойчивости в планарной С-фазе п-н-дигептилоксиазоксибензола (ГОАБ). На низких частотах наблюдаются продольные полосы, ориентированные вдоль натирания и хорошо видимые только при скрещенных поляроидах. Их можно сопоставить с азимутальными доменами в планарных нематиках.
В области высоких частот наблюдались обычные «поперечные» домены, фокусирующие проходящий свет. Их пороговая кривая хорошо описывается зависимостью V = А (с () ^
4. Исследованы электрооптические эффекты в гомеотропной смек-тической текстуре НФОБ для образцов с различной ориентацией в нематической фазе. Показано, что характер текстурных превращений существенно зависит от условий на границе с подложками,
Обнаружены два вида ЭГД-неустойчивости в конфокальной и гомеотропной текстурах смектической А-фазы. Первый сходен с режимом «проводимости» в планарных нематиках, второй — с «диэлектрическим» режимом в гомеотропной нематической текстуре.
В конфокальной текстуре ЭГД-неустойчивость имеет пороговую зависимость типа Уп ^ 60Ср <1^, в гомеотропной текстуре со «слабым» сцеплением 1п ^) — вблизи /п ЭГД-неустой-чивость в гомеотропной текстуре сопровождается модуляцией света с частотой ^ .
5. Исследованы электрооптические эффекты в смектической А-фазе ЭААК. Нарушения текстуры под действием постоянного и переменного поля сводятся к периодическому смещению радиальных складок веерной текстуры и появлению тангенциальных складок. Одновременно в участках, где веерная текстура переходит в гомеотропную, происходит движение жидкости и перемещение частиц примесей. Периодической картины доменов или турбулентного течения не наблюдалось .
— 137 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ
На основании проведенных экспериментальных исследований характеристик ЭГД-неустойчивости нематических и смектических жидких кристаллов с различной молекулярной ориентацией основные результаты и выводы работы можно сформулировать следующим образом:
1. Исследован режим постоянной кривизны ориентации (линейные домены) в планарных текстурах нематических кристаллов вблизи порога ЭГД-неустойчивости. Определены функциональные зависимости пороговых характеристик линейных доменов (ПАА). В области частот, где пороговое напряжение увеличивается с частотой, найдена экспоненциальная зависимость 6Хр, где с — номер участка. Коэффициент 1 по порядку величины совпадает со временем диэлектрической релаксации ?*. Подъем кривой Уп 0) происходит при условии шЪ> I, что не согласуется с предпосылками модели группы Орсэ для такого режима. Аналогичные зависимости найдены и для нематического кристалла МББА.
Полученные из экспериментальных данных экспоненциальные зависимости не предполагают наличия какой-либо частоты, ограничивающей режим постоянной кривизны ориентации. Кроме того, найдена резкая зависимость Ч^ от толщины образца с1 для ПАА, поэтому независимость Уп от С| уже не может считаться обязательным признаком режима постоянной кривизны.
2. Определена зависимость периода, А линейных доменов в ПАА от частоты т) и толщины образца с (в непосредственной близости от порога ЭГД-неустойчивости. Установлена корреляция между периодом электроконвективных доменов и величиной порогового напряжения. Обнаружена инверсия А (Т), связанная с переходом через критическую величину, А = о1 .
3"Изучен низкочастотный режим в ПАА (ниже I кГц) «Определены функциональные зависимости Уп и Л от }, с1, резко отличающиеся от обычных характеристик «режима проводимости» .Возникновение низкочастотного режима в ПАА связано с искажением квазицилиндрического сечения вихревых трубок электроконвективного течения.
4.0пределены скорость электроконвективного течения и величина углов 6 в непосредственной близости от порога ЭГД-неус-тойчивости в ПАА и МББА. Обнаружено, что скорость течения имеет постоянную величину, не зависящую от частоты электрического поля.
Величина 0 определялась по методу фокусных расстояний с поправкой на квазиизотропность модели Пенца. Обнаружено, что величина угла В ориентационной деформации имеет конечное, довольно большое значение, что согласуется с конечным значением критической ^.
5.Определены характеристические параметры режима постоянной кривизны в соответствии с моделью группы Орсэ для частотной зависимости порога ЭГД-неустойчивости.Показана противоречивость результатов, вытекающих из теории группы Орсэ для нематических кристаллов ПАА и МББА.
6.Исследовано электроконвективное течение в нематических го-меотропных текстурах веществ с положительной диэлектрической анизотропией (ЭААК, Ш0Б) .Обнаружен и исследован «режим проводимости» ЭГД-неустойчивости в гомеотропной текстуре ЭААК в узком температурном интервале вблизи перехода в смектическую А-фазу.Он объяснён наличием смектических сиботаксических групп, создающих отрицав тельную анизотропию электропроводности.
В нематической фазе НФОБ определены функциональные зависимости режима осциллирующей кривизны. Обнаружен эффект «подавления» ориентационной деформации с увеличением напряжения при сохранении интенсивного движения частиц примесей. Показана вторичность картины ориентационной деформации НФОБ по отношению к электроконвективному течению.
7. Обнаружена «скрытая» ЭГД-неустойчивость в гомеотропной нематической текстуре вещества 7 БН. Процесс ориентационной деформации начинается уже при конечном значении скорости электроконвективного течения. Показана возможность использования обнаруженного эффекта в электрооптических устройствах.
8. Обнаружен электротермический (ЭТ) эффект в режиме постоянной кривизны в планарном образце ПАА и гомеотропной текстуре ЭААК. Ниже порога Уп (5), в изотропной фазе и в постоянном поле ЭТ-эффект не наблюдался. Он интерпретирован в рамках модели Орсэ как результат сдвига между осцилляцией объемного заряда и внешнего поля.
9. Определены пороговые условия возникновения ЭГД-неустой-чивости в планарных текстурах смектической С-фазы веществ ГОБК, ГОАБ. Показано, что существуют два режима: низкочастотный режим продольных (первичных) доменов в ГОБК и продольных полос в ГОАБ, а также высокочастотный режим, характеризуемый поперечными (основными) доменами (ГОБК и ГОАБ).
Продольные полосы можно объяснить как деформацию кручения с пространственно модулированными азимутальными углами директора. Высокочастотные домены имеют две серии фокусных линий и модулируют свет с удвоенной частотой. Предложен механизм образования доменов в смектической С-фазе.
10.Исследованы электрооптические эффекты в конфокальной и гомеотропной текстурах смектической А-фазы НФОБ. Обнаруженные два вида неустойчивости аналогичны соответственно режимам «проводимости» и «диэлектрическому» в нематических кристаллах.
II.Изучено влияние электрического поля на смектическую А-фазу ЭААК"Изменения веерной текстуры под действием постоянного и переменного электрического поля не связаны с электроконвективным течением.
Список литературы
- Чистяков И. Г. Нидкие кристаллы.-М.:Наука, 1966,125 с.
- Капустин А. П. Электрооптические и акустические свойства жидких кристаллов.-М.:Наука, 1973,232 с.
- Де Кен П. Физика жидких кристаллов.- М.:Мир, 1977,400 с.
- Блинов Л.М.Электро- и магнитооптика жидких кристаллов.-М.: Наука, 1978,368 с.
- Капустин А. П. Экспериментальные исследования жидкихметаллов.-М Наука, 1978, 368 с.
- Адамчик А."Стругальский 3. Жидкие кристаллы.- М.:Советское радио, 1979,160 с.7Ландрасекар С. Жидкие кристаллы.-М. :Мир, 1980,344 с.
- Пикин С. А. Структурные превращения в жидких кристаллах.-М.: Наука, 1981, 336 с.
- В.де Же. Физические свойства жидкокристаллических веществ.-М.:Мир, 1982,152 с.
- Ю.Беляков В. А., Сонин А. С. Оптика холестерических жидких кристалл ов.-М.:Наука, 1982,360 с.
- Вистинь Л.К."Капустин А. П. Доменная структура жидких кристаллов .-Кристаллография, 1969, т.14,вып.4,с.740−743.
- Williams R. Liquid crystals in an electric field. -Nature, 1963,199, s.273−274.
- Чистяков И.Г., Вистинь Л. К. Домены в жидких кристаллах.-Кристаллография, 1974, т.19,с.195−216.
- Orsay Liquid Crystal Croyp. Hydrodynamic instabilities in ne-matic liquid under a.c. electric fields.-Phys.Rev.Lett., 1970, v.25,s.164−2 1643.
- Galerne Y., Durand G., Veyssil M. Spatial period of bend oscillations in the dielectric electrohydrodynamical instability of nematic liquid crystal.-Phys.Rev., 1972, v.6A, s.484 487.
- Heilmeier G.H., Helfrich W. Orientational oscillations in nematic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett., 1970, v.16,N4,s.155−157.
- Kogure 0., Murase H. The electric field effect of nematic ethyl p-anisilidene-p-aminocinnamate.-Japan J.Appl.Phys., 1970, v.9, s.1280 1281.
- Nakauskhi J., Yokoyama M., Sawa H., 0kamoto K. Impurity effect on domain formation in nematic liquid crystal.-Bull.Chem.Soc.Japan, 1973, v.46,s.3321 3331.
- Sakagami S., Takase A., NakamizoM. Deformation of molecular orientation of nematic liquid crystals with gomeotropic alingment by electric field.-Bull.Chem.Soc.Japan, 1973, v.46, s.3573 3574.
- Барник M.И., Блинов JI.M., Пикин С. А., Труфанов А. Н. Механизм неустойчивости в нематической и изотропной фазах жидких кристаллов с положительной диэлектрической анизотропией. ЖЭТФ, 1977, т.72, с.756−760.
- Hinov Н.Р., Vistin L.K.Parall and cross-like domains due to d. c and low frequency (2Hz) electric fields in nematic liquid crystal lagers with negative dielectric anisotropy.-J.de Physique, 1979, v.40,N3,s.269 292.
- Труфанов A.H., Барник M.И., Блинов Л.M., Чигринов В. Г. Электрогидродинамическая неустойчивость в гомеотропно ориентиро- 143 ванных слоях нематических жидких кристаллов. ЖЭТШ, 1981, т.80, вып.2, с.704−715.
- Kashnow R.A., Cole H.S.Electric effects in МВВА/РЕВАВ Mixtures .-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1973, v.23,s.329 34−2.
- Greubel W., Wolff U. Electrically controllable domains in nema-tic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett., 1971, v.19,N7,s.213−215.
- Вистинь JI.K., Чистяков И. Г., !умакова С.П., Пархоменко В. В. Новый тип электрогидродинамической неустойчивости в немати-ках. Кристаллография, 1978, т.23, вып.2, с.346−349.
- Пикин С.А., Инденбом В. Л. Новый тип электрогидродинамической неустойчивости в жидких кристаллах. Кристаллография, 1975, т.20, вып.6, с.1127−1129.
- Бобылев Ю.П., Пикин С. А. Пороговая пьезоэлектрическая неустойчивость в жидком кристалле. ЖЭТФ, 1977, т.72,с.367−369.
- Barnik M.I., Blinov L.M., Trufanov A.N."Umanski B.A.Flexo-elec-tric domains in liquid crystals.-J.de Physique., 1978, v.39, N4-, s.4−17 4−22.
- Труфанов А.Н., Блинов JI.M., Барник М. И. Новый тип высокочастотной ЭГД-неустойчивости в нематических жидких кристаллах.
- ЖЭТФ, 1980, т.78, вып.2, с.662−671.
- J6.Nasta L., Lupu A., Giurgea М. Characteristics of domains-.aphearing in nematic liquid crystals below the threshold voltage of chevrons.-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1981, v.71,N1−2,s.65−76.
- Капустин А.П., Трофимов A.H., 4увыров A.H. Периодические ориентационные осцилляции доменной структуры жидких кристаллов в переменных электрических полях. Кристаллография, 1972, т.17, с.194−197.
- Чувыров А.Н., Трофимов А. Н. Ориентационные осцилляции доменных структур жидких кристаллов. Механизм образования шестиугольных доменных структур в постоянных электрических полях. -Кристаллография, 1972, т.17, с.1205−1209.
- ЗЭЛирсанов Е.А., Сушкин И. В. Структура сложных систем доменов. -В сб.: Жидкие кристаллы, Иваново, 1976, с.49−52.
- Penz P.A.Order parameter distribution for the electrohydrody-namic mode of a nematic liquid crystal.-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1979, v.15,N2,s.141 160.
- Helfrich V/. Conduct ion-induced alignment of nematic liquid crystals: lasis model and stability considerations.-J.Chem. Phys., 1969, v.51,N9,s.4092 4105.
- Vistin L.K., Yakovenko S.S., Kabaenkov A.Yu.Determination of spatially periodically modulated structures in optically anisotropic media by means of optical diffraction.-Advances in Liquid Crystal Research and Applications, Edit.A.Bata, 1980, s.633 639.
- Kondo K., Fukuda A., Kuze E. Causes for the appearance of fringes in cholesterics Williams domains and chiral smectic сliquid crystal.-Japanese J. of Appl. Physics, 1981, v.20,N10, s.1779 1785
- Пикин С.А. Стационарное течение нематической жидкости в электрическом поле. -ЖЭТФ, 1971, т.60, с.1165−1190.
- Барник М.И., Блинов Л. М., Гребенкин М. Ф., Пикин С. А., Чигри-нов В.Г. Порог электрогидродинамической неустойчивости нематических жидких кристаллов. В сб.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, с.46−54.
- Penz Р.А., Ford G. V/.Electrohydrodynamic solutions for neraatic liquid crystals.-Appl.Phys.Lett., 1972, v.20,s.415 430.
- Durand G. Electrohydrodynamics of liquid crystals.-Molecular fluids. Gordon and Breach science publishers, 1975″
- Bata L., Buka A., Janossy I. Electric field induced in nematic liquid crystals.-Kozp.fiz.kut.inter Pubis., 1973>v.32., pp.1−8.
- Gryler H., Meier G. Electric field-induced deformations in oriented liquid crystals of the nematic type.-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1972, v.16., s.299 310.
- Kashow R.A., Cole H.S.Electrohydrodynamic instabilities in highparity nematic liquid crystals.-J.Appl.Phys. 197^ >v.42, s.2134 2135.
- Carroll Т.О.Liquid-crystal diffraction drating.-J.Appl.Phys., 1972, v.43,s.767 770.
- Meyerhofer D., Sussman A. Electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals in low-frequency fields.-Appl.Phys.• Lett., 1972, v.20,s.357 339
- De Jeu V/.H.Instabilities of nematic liquid crystal in pulsating electric fields.-Phys.Lett., 1971"v.37Л, s.365 366.
- De Jeu W.H., Gerritsma C. J., Van Zanten P., Goosens V/.Relaxation of the dielectric constant and instabilities in a liquid crystal.-Phys.Lett., 1972, v.39A, s.355 356.
- Dvyorjetski D, Silberberg V., Wiener-Avnear E. The Temperature Dependence of the Electrohydrodynamic Instability in Nematic Liquid Crystals.-Mol.Cryst.Liquid Cryst., 1977, v.42,s.273−281.
- Meyerhofer D. Electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals.-RCA Review, 1974, v.35,s.433 W.
- Sengupta P, Saype A. Bend-spear-mode instabilities of nematic liquid crystals in ac fields.-Phys.Rev.1974,v.9,s.2698−2706.
- Пикин С.А. Высокочастотный электрогидродинамический эффект в жидких кристаллах. ЖЭТФ, 1971, т.61, с.2133−2139.
- Ribotta R., Durand G. Hip-h frequency electrohydrodynamic instabilities in nematic liquid crystals.-J.de Physique Coll., 1979, v.4−0,C3 334-C3 -337.
- Пикин С.А. Новый высокочастотный режим неустойчивости в НЖ. -В кн.: Тезисы докладов I Всесогоз. симпозиума по электрическим свойствам жидких кристаллов. Душанбе, 1979, с. 34.
- Heilmeier G.H.Transient behavior of domains in liquid crystals. -J.Chem.Phys., 1966, v.4−4-, N2, s.644 64−7.
- Carroll Т.О.Dependence of conduction induced alignment of nematic liquid crystals upon voltage above threshold.-J.Appl. Phys., 1972, v.4−3,N4-, s.154−2 134−6.
- Яблонский С.В., Блинов Л. М. Электрогидродинамическая неустойчивость как неравновесный фазовый переход. Кристаллография, 1982, т.27, вып.5, с.936−940.
- Blinov L.M., Barnik M.I., Lasareva V.I., Trufanov A.N.EHG instabilities in the liquid crystal phases v/ith smectic ordering.←J.de Physique Coll.03,1979,v.40,C3 263,03 — 268.
- Труфанов A.H. Исследование механизмов электрогидродинамической неустойчивости в нзматических жидких кристаллах: Автореф. дис. канд. физ. матем. наук. М., 1981, 18 с.
- Taylor T.R., Fergason J.L., Aroras L. Biaxial liquid crystals.-Phys.Rev.Lett., 1970, v.24,s.359 362.
- Chistykov I.G., Schabischev L.S., Jarenov P.I., Gusakowa L.A. The polymorphism of the smectic liquid crystals.-Mol.Cryst. Liquid Gryst., 1969, v.7,s.279 284.
- De Vries A. Experimental investigations of the structure of thermotropic liquid crystals.-J.de Physique, 1975, v.36, Coll.1., s,1 11.
- Куватов 3.X., Капустин А. П., Трофимов A.H. Диэлектрические свойства жидкокристаллических структур п-н-алкоксибензойных кислот. В сб.: Жидкие кристаллы и их практическое применение. Иваново, 1976, с.74−80.
- Вистинь Л.К., Капустин А. П. Домены в жидких кристаллах смек-.тического типа. Кристаллография, 1968, т.13, с.349−355.
- Вистинь Л.К., 1умакова С.П. О пороговых характеристиках возникновения доменов в смектической фазе п-н-гептилоксибензой-ной кислоты. В сб.: Доклады П Всесоюз. научной конф. по жидким кристаллам. Иваново, 1973, с.129−132.
- Petrov M., Durand G. On the origin of electrohydrodynamic instabilities in-smectic С liquid crystals.-J.Physique Lett., 1981, v.4−2,1. 519, L — 522.
- Hareng M., Leberre S., Thirant L. Electric field effects on bi-phenyl smectic A liquid crystal.-Appl.Phys.Lett., 197^, v.25, N12, s.683 685.
- Parodi O. Apossibe magnetic transition in smectic A.-Solid State Comm., 1972, v.11,s.1503 1507.
- Goscianski M., Leger L., Mircea-Roussel A. Field induced transitions in smectic A phases.-J. de Physiq.Lett., 19751v.36, s.313 316.
- Хатаевич B.H., Зейналлы A.X. Термоэлектрический эффект в смектической А-фазе жидких кристаллов. Письма в 5КТФ, 1979, т.5, вып. II, с.651−655.
- Dazai F., Uchida Т., Wada M. The electro-optic effects of smectic liquid crystals.-Mol.Uryst.Liquid Uryst., 1977iV.34-, N8, s.197 202.
- Coates D., Urossland W.A., Morrissg J., Needham B. Electrically induced scattering textures in smectic A phases and their electrical reversal.-Ann.Phys., 1978*v.3>s.325.
- Алиев Д.Ф., ¿-ирков B.H. Индуцированная электрогидродинамическая неустойчивость в смектиках А, управление ее характеристиками. Кристаллография, 1981, т.1, с.144−150.
- Ю5.Пичикян Н. А., Слепков И. А., Сонин А. С. Динамические характеристики электрооптического эффекта с памятью в смектиках А. Кристаллография, 1980, т.25, с.187−190.
- Soref К.A.Physics of optoelectronic materials.-Plenum Press.N.Y., 1971, s.207 251.
- Рюмцев Е.И., Полушин С. Г., Ковшик А. П., Ротинян Т. А., Цветков В. Н. Молекулярные механизмы диэлектрической релаксации в жидкокристаллическом 4-нитрофенилен 4 — н — октилокси-бензоате. — Доклады АН СССР, 1978, т.239, № 5, с.1150−1153.
- Майдаченко Г. Г., Макаров Б. Н. Синтез и жидкокристаллические свойства гомологического ряда п-н-алкилоксибензилиден-п -аминобензонитрилов. В сб.: Доклады 2 Всесоюз. конф. по жидким кристаллам, Иваново, 1973, с.172−177.
- Schadt М. Dielectric properties of some nematic liquid crystals with strong positive dielectric anisotropy.-J.Chem. Phys., 1972, v.56,s.1494 1497.
- Jeu de W.H., lierritsma C.J., Boxtel van A.M.Electrohydrodyna-mic instabilities in nematic liquid crystals.-Phys.Lett., 1971, v.34,s.203 204.