Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров

Диссертация: Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Показано, что в естественных условиях применения (отжига на воздухе) электрофизические свойства пленок определяются сорбцией кислорода и изменениями в структуре. В результате сорбции кислорода — акцепторной примеси в запрещенной зоне РсСи образуется примесный уровень 0.4−0.5 эВ от валентной зоны, вследствие чего проводимость возрастает. Для С1хРсСи примесный уровень образуется на 0.4−0.6… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Фталоцианины и их основные свойства
    • 1. 2. Кристаллическая структура фталоцианинов
      • 1. 2. 1. Упаковка молекул фталоцианинов
      • 1. 2. 2. Основные факторы, влияющие на размер, форму и ориентацию кристаллитов. Морфология поверхности
    • 1. 3. Адсорбционные свойства фталоцианинов
    • 1. 4. Электрофизические свойства
      • 1. 4. 1. Проводимость фталоцианинов
      • 1. 4. 2. Вольт-амперные характеристики
      • 1. 4. 3. Контактные явления
    • 1. 5. Электронно-оптические свойства фталоцианинов
    • 1. 6. Модели электропереноса в органических материалах
    • 1. 7. Влияние легирования на проводимость пленок фталоцианинов
    • 1. 8. Ионно-лучевое легирование пленок фталоцианинов
  • Выводы по 1 главе
  • ГЛАВА 2. Методика проведения эксперимента
    • 2. 1. Используемые материалы. Очистка фталоцианинов
    • 2. 2. Методика получения тонких фталоцианиновых пленок
    • 2. 3. Методика исследования полупроводниковых свойств тонких фталоцианиновых пленок
      • 2. 3. 1. Методика проведения измерений
      • 2. 3. 2. Теоретическая модель температурной зависимости вольт-амперных характеристик
    • 2. 4. Электронная спектроскопия
    • 2. 5. Сканирующая зондовая микроскопия
    • 2. 6. Методика ионно-лучевого легирования
    • 2. 7. Методика создания композитных пленок на основе фталоцианинов
  • Выводы по 2 главе 44 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
  • ГЛАВА 3. Структурные исследования
    • 3. 1. Влияние температуры осаждения и термической обработки на воздухе на структуру пленок РсСи и С1хРсСи
    • 3. 2. Влияние ионно-лучевой имплантации на структуру пленок фталоцианинов
      • 3. 2. 1. Влияние ионно-лучевой имплантации на структуру пленок С1хРсСи
      • 3. 2. 2. Рентгено-спектральное исследование облученных пленок
  • ClxPcCu
    • 3. 2. 2. 1. Исследование состава поверхности
      • 3. 2. 2. 2. Исследование состава пленок С1хРсСи при аргонно-лучевом травлении
      • 3. 2. 3. Влияние ионно-лучевой имплантации на структуру пленок РсСи
  • Выводы по 3 главе
    • ГЛАВА 4. Электрофизические свойства
  • 4. 1. Особенности электрофизических свойств пленок РсСи
  • 4. 2. Особенности электрофизических свойств пленок CIxPcCu
  • Выводы по 4 главе
  • ГЛАВА 5. Влияние ионно-лучевого легирования на электрофизические свойства пленок фталоцианинов
    • 5. 1. Влияние облучения ионами углерода на электрофизические свойства пленок ClxPcCu и РсСи
    • 5. 2. Проводимость пленок ClxPcCu и РсСи, облученных ионами углерода, на воздухе
    • 5. 3. Влияние облучения ионами углерода на проводимость пленок
  • РсСи разных структур
    • 5. 4. Ионно-лучевое легирование пленок С1хРсСи ионами Si, Ge, Sn,
  • Си и Mg
  • Выводы по 5 главе
  • ГЛАВА 6. Возможности модифицирования фталоцианиновых пле- 91 нок
    • 6. 1. Композитные пленки фталоцианин-металл
      • 6. 1. 1. Получение композитных слоев фталоцианин-металл
      • 6. 1. 2. Влияние отжига на воздухе на проводимость композитных пленок фталоцианин-металл
      • 6. 1. 3. Вольт-амперные характеристики композитных пленок фталоцианин-металл
    • 6. 2. Композитные пленки из С1хРсСи и РсСи
  • Выводы по 6 главе
  • ВЫВОДЫ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

    • Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

    Актуальность темы

    Фталоцианины в настоящее время являются широко исследуемыми молекулярными полупроводниками, что связано с причинами как прикладного, так и научного характера. Они обладают уникальными термической и химическими стойкостями в сочетании с полупроводниковыми и фотоэлектрическими свойствами, и считаются перспективными органическими материалами для молекулярной электроники, оптоэлетроники и химической сенсорики.

    Особый интерес вызывает применение фталоцианинов в качестве датчиков газового анализа, поскольку их электропроводность зависит от адсорбции газов донор-ной или акцепторной природы.

    Однако получаемые на сегодняшний день фталоцианиновые пленки обладают двумя недостатками, которые мешают их практическому применению: это низкое, трудно измеряемое значение проводимости и их невысокая стабильность. Способы, которые улучшали бы свойства пленок, пока не найдены. Остается дискуссионным вопрос о механизме их проводимости. Не полностью ясен механизм влияния газов на их проводимость. Кроме того, недостаточно изучен вопрос о корреляции между структурными особенностями молекулы фталоцианина и свойствами пленок.

    Поэтому, естественно, что комплексные, систематические исследования свойств пленок фталоцианинов в реальных условиях применения, а также возможностей методов их модифицирования являются важной и актуальной задачей.

    Целью работы являлось исследование возможности получения тонких пленок фталоцианина с оптимальными сенсорными свойствами на аммиак.

    В качестве основных объектов исследования был выбран фталоцианин меди (РсСи) и хлорзамещенный фталоцианин меди (С1хРсСи). Структура молекулы фталоцианина меди представлена на рис. 1.1. Молекула хлорзамещенного фталоцианина меди отличается от молекулы фталоцианина меди тем, что в ней большинство атомов водорода замещены на атомы хлора. Хотя молекулы РсСи и С1хРсСи являются химическими аналогами, но электрофизические свойства их сильно различаются. Пленки РсСи обладают дырочной проводимостью, а пленки С1хРсСи электронной, поэтому в работе рассматривалась возможность создание чувствительного слоя с различным откликом на аммиак — газ донорной природы.

    Для реализации поставленной цели было необходимо решить следующие задачи:

    — выявить оптимальные условия получения пленок фталоцианина и охарактеризовать их структуру;

    — рассмотреть процессы, происходящие в тонких пленках фталоцианина под действием отжига, поскольку известно, что оптимальная чувствительность фталоциани-нов лежит в интервале температур 80−150°С;

    — выявить механизм влияния воздушной среды при отжиге на электрофизические свойства пленок в зависимости от молекулярной структуры фталоцианина.

    Поскольку пленки фталоцианина обладают низкой проводимостью, то для практического их применения главной задачей было увеличение их проводимости с сохранением чувствительности. Для этого в работе рассматривались следующие методы модифицирования свойств пленок:

    — ионно-лучевая имплантация (ИЛИ),.

    — введение металлических кластеров в пленку,.

    — создание органических полупроводниковых гетероструктур.

    Научная новизна работы заключается в следующем:

    1. Впервые проведены систематические исследования влияния условий получения (температуры, влияние кислорода, режимов отжига и т. д.) на проводимость и морфологию пленок хлорированного фталоцианина меди.

    2. Впервые установлено, что при взаимодействии кислорода с пленками фтало-цианинов образуется примесный уровень акцепторного типа 0.4−0.6 эВ от зоны проводимости для С1хРсСи и 0.4−0.5 эВ над валентной зоной для РсСи.

    3. Впервые показаны изменения, происходящие в пленках С1хРсСи при облучении ионами средних энергий.

    4. Впервые показано, что сразу после облучения роль типа имплантируемой примеси (ионов) не проявляется в проводимости пленок фталоцианинов. Влияние типа имплантируемых ионов происходит лишь после проведения термической обработки облученных пленок.

    5. Впервые получены композитные пленки фталоцианин-металл, двухслойные ClxPcCu-PcCu и получены систематические данные по их проводимости в зависимости от условий получения (толщины слоев), влияния кислорода и т. д.

    6. Впервые установлено, что в двухслойных пленках ClxPcCu-PcCu электроны из РсСи переходят в С1хРсСи, что ведет к увеличению концентрации носителей в обоих фталоцианинах.

    Практическая значимость.

    1. С помощью внедрения металлической примеси (Sn, Ni) методом ИЛИ (ионно-лучевой имплантации) увеличена проводимость пленок С1хРсСи на 1−2 порядка с сохранением их чувствительности к аммиаку.

    2. Использование композитных пленок С1хРсСи-металл позволяет увеличить проводимость ее однокомпонентного аналога на 3 и более порядка с сохранением чувствительности к аммиаку.

    4. Предложено использование двухслойных пленок из РсСи и С1хРсСи, которое позволяет увеличить проводимость чувствительных слоев на 1.5−2 и более порядка, как с положительным, так и отрицательным откликом на аммиак.

    На защиту выносятся следующие положения:

    1. В результате отжига на воздухе происходят два явления: сорбция кислорода и изменения в структуре пленок фталоцианина. Сорбция кислорода увеличивает проводимость РсСи, а для С1хРсСи уменьшает, что связано с образованием примесного уровня большой плотности в запрещенной зоне фталоцианинов. Изменения в структуре пленок двух фталоцианинов различны, но ведут к уменьшению их проводимости.

    2. Ионно-лучевая имплантация влияет на структуру пленок фталоцианина, которая зависит от массы ионов и дозы облучения. При этом в пленках образуется «примесь» в результате разрушения молекул фталоцианина. Отжиг на воздухе приводит к восстановлению структуры пленки, при этом в проводимости возрастает роль химической природы внедренных ионов.

    3. Металлические кластеры In или Sn, содержащиеся в пленках фталоцианина, создают в них отрицательный пространственный заряд. Поэтому проводимость пленок n-типа (ClJPcCu) может быть существенно увеличена, а чувствительность к аммиаку сохранена.

    4. На границе перехода ClxPcCu-PcCu происходит взаимное обогащение пленок носителями, что связано с тем, что работа выхода электрона и энергия сродства к электрону С1хРсСи больше по сравнению с РсСи. Использование данного эффекта позволяет увеличить проводимость как для пленки р-типа проводимости (РсСи), так и для пленки n-типа (С1хРсСи) с сохранением чувствительности к аммиаку.

    Апробация работы. Материалы диссертации были представлены на IV Всероссийском семинаре «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» 7.

    Н. Новгород, 1998), X Конференции «Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления» (Москва, 1998), IV Научно-технической конференции стран СНГ «Процессы и оборудование экологических производств» (Волгоград, 1998), 1-ом Международном семинаре по полупроводниковым газовым сенсорам (Гливице, Польша, 1998), Международной конференции «Сканирующая зондовая микроскопия 2001» (Нижний Новгород, 2001), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация в полимерах» (Москва, 2001).

    Структура и объем диссертации

    Диссертация состоит из введения, 6-и глав (обзор литературы, эксперимент, обсуждение результатов), выводов и списка литературы. Обсуждению и эксперименту посвящены 4 главы (рассматриваются отдельно структурные исследования, электрофизические измерения, влияние ИЛИ, композитные пленки). Диссертация занимает 115 страниц, включая 17 таблиц и 40 рисунков, список литературы содержит 119 наименований.

    ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

    1. Показано, что сенсорные свойства (проводимость, чувствительность) фталоцианиновых пленок зависят от распределения примесных уровней в запрещенной зоне.

    2. Установлено, что одна и та же примесь создает в запрещенной зоне РсСи и ClxPcCu различные примесные уровни.

    3. Показано, что в естественных условиях применения (отжига на воздухе) электрофизические свойства пленок определяются сорбцией кислорода и изменениями в структуре. В результате сорбции кислорода — акцепторной примеси в запрещенной зоне РсСи образуется примесный уровень 0.4−0.5 эВ от валентной зоны, вследствие чего проводимость возрастает. Для С1хРсСи примесный уровень образуется на 0.4−0.6 эВ от зоны проводимости, что ведет к уменьшению проводимости. Нарушения в упаковке молекул (для РсСи) и углубление границ между зернами (для С1хРсСи) ведут к уменьшению проводимости пленок.

    4. Разработаны и исследованы методы модифицирования, которые позволяют управлять проводящими свойствами пленок: а) предложен метод модифицирования пленок с помощью ионно-лучевой имплантации, который позволяет увеличить проводимость фталоцианина n-типа на 1−2 порядка и стабилизировать их электрофизические свойстваб) впервые предложен метод создания композитных пленок фталоцианин-металл и пленок из фталоцианинов с различным типом проводимости, который позволяет увеличить проводимость однокомпонентных пленок на 2 и более порядка с сохранением чувствительных свойств к аммиаку.

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. Э.А., Курик М. В., Чапек В. Электронные процессы в органических молекулярных кристаллах: Явление локализации и поляризации. Рига: Зинатне, 1988.- 329 с.
    2. Mason P., Williams G. Structural chemistry of phthalocaynine Co (II) and Mn (II) // J. Chem. Soc.: Dalton Trans. 1979. — № 4. — p. 676−683.
    3. Scheidt W. R., Dow W. Molecular stereochemistry of phthalocyaninatozinc (II) // J. Amer. Chem. Soc. 1977. — V. 99. — p. 1101−1104.
    4. A. H., Франк-Каменецкая О. В. Кристаллическая структура соединений фталоцианина с металлами. Связь с особенностями переноса заряда // Проблемы кристаллохимии. М.: Наука, 1988. — с. 117−134.
    5. ., Андре Ж.-Ж. Молекулярные полупроводники. М.: Мир, 1988. — 341 с.
    6. Wright J. D. Gas adsorption on phthalocyanines and its effects on electrical properties //
    7. Progr. Surf. Sci. 1989. — V. 31. — p. 1−60.
    8. . Д. Координационные соединения порфиринов и фталоцианина. М.: Наука, 1978. — 280 с.
    9. Ф., Лайонс Л. Е. Органические полупроводники. М.: Мир, 1970. — 696 с.
    10. Lucia Е., Verderame F. Spectra of polycrystalline phthalocyanines in the visible region //
    11. J. Chem. Phys. 1968. — V .48, № 6. — p. 2674−2681.
    12. Shihub S. I. and Gould R. D. Studies of phase transformations in some metal phthalo-cyanine thin films using measurements of current as a function of temperature // Thin Solid Films. -1996. V. 290−291. — p. 390−394.
    13. T. // Acta Cryst. (a). 1981. — V. 37, № 5. — p. 697−703.
    14. Starke M., Hamann C. Die electrischen Eigenschaften chlorsubstituierter Kupferphtha-locyanine // Z. phys. Chem. 1970. — V. 243, № ¾. — p. 166−176.
    15. Harrison S.E., Ludewig K.H. Condactivity and crystal phase change in phthalocyanine // J. Chem. Phys. 1966. — V. 45, № 1. — p. 343−348.
    16. Iwatsu F., Kobayashi Т., Uyeda N. Solvent effects on crystal grouwth and transformation of zinc phthalocyanine // J. Phys. Chem. 1980. — V.84. — p. 3223−3230.
    17. Sadaoka Y., Jones T.A., Revell G.S., Gopel W. Effects of morphology onNCb detection in air at room temperature with phthalocyanine thin films // J. Mat. Sci. 1990. — V. 25. — p. 5257−5268.
    18. De Haan A., Decroly A. Electrical resistance of copper phthalocyanine thin films as influenced by substrates, electrodes and physical features of the films // Sensors and Actuators (b). 1996. — V. 30. — p. 143−150.
    19. Sadaoka Y., Jones T.A., Gopel W. Fast NO2 detection at room temperature with optimized lead phthalocyanine thin structures // Sensors and Actuators. 1990. — Y. BI. — p. 148−153 .
    20. Guillaud G., Simon J., Germain J. P. Metallophthalocyanines. Gas sensors, resistors and field effect transistors // Coord. Cem. Rev. 1998. — V. 178−180. — p. 1433−1484.
    21. Kobayashi Т., Fujiyoshi Y., Iwatsu F., Uyeda N. High-resolution ТЕМ images of zinc phthalocyanine polymorps in thin films // Acta Cryst. 1981. — V. A37. — p. 692−697.
    22. Snow A. W., Barger W. R. Phthalocyanines: Properties and applications / Eds. Leznoff С. C. and Lever A. B. P. NY: VCH Publishers. — 1989. — p. 341−392.
    23. Gould R. D. Structure and electrical conduction properties of phthalocyanine thin films // Coord. Chem. Rev. 1996. — V. 156. — p. 237−274.
    24. Debe M. K., Pourier R. J. and Kam К. K. Organic-Thin-Film-Induced molecular epitaxy from the vapor phase // Thin Solid Films. 1991. — V. 197. — p. 335−347.
    25. Dogo S., Germain J.-P., Mallisson K. and Poly E. Interaction of N02 with copper phthalocyanine thin films. 1. Characterisation of copper phthalocyanine films // Thin Solid Films. 1992. — V. 219. — p. 244−250.
    26. Schmeisser D., Pohmer J., Hanack M. and Gnpel W. Modifications in the microscopic structure of Ru and Pb phthalocyanine films by intermolecular interactions // Synth. Met 1993,-V. 61,-p. 115−120.
    27. R. O., Sharp J. H., Hsiao С. К., Ho R. Phthalocyanine organic solar cells. In-dium/x-metall-free phthalocyanine Schottky barriers // J. Appl. Phys. 1981. — V. 52, № 8. — p. 5218−5230.
    28. Ю. И. О вторичной структуре кристалла // Ж. структурной хим. 1995. — Т. 36, № 4. — с. 724−730.
    29. Nespurek S., Podlesak Н., Hamann С. Structure and photoelectrical behaviour of vacuum-evaporated metal-free phthalocyanine films // // Thin Solid Films. 1994. — V. 249. — p. 230−235
    30. Temofonte T.A., Schoch K.F. Phthalocyanine semiconductor sensors for room-temperature ppb level detection of toxic gases // J. Appl. Phys. 1989. — V. 1, № 3. — p. 1350−1355.
    31. Burr P.M., Jeffery P.D., Benjamin J.D., Uren M.J. A gas-sensitive field effect transistor utilizing a thin film of lead phthalocyanine as the gate material // Thin Solid Films. -1987. Y. 151. -p. Llll-Ll 13.
    32. Narayanan Unni K.N., Menon C.S. Electrical, optical and structural studies on nikei phthalocyanine thin films // Materials Letters. 2000. — Y. 45. — p. 326−330.
    33. Starke M., Wagner H., Hamann C. Zur Structur von organischen Mischkristallschichten // Kristall und Technic. 1972. — V. 7, № 12. — p. 1319−1327.
    34. Campbell D., Collins R. A. The effect of surface topography on the sensitivity of lead phthalocyanine thin films to nitrogen dioxide // Phys. Stat. Sol. (a) 1995. — V. 152. — p. 431−442.
    35. Endres H.-E., Drost S. and Hutter F. Impedance spectroscopy on dielectric gas sensors // Sesors and Actuators (b). 1994. — V. 22. — p. 7−11.
    36. Rocco M.L., Franc K.H., Yannoulis P., Koch E.E. Unoccupied electrjnic structure of phthalocyanine film // J. Chem. Phys. 1990. — V.93, № 9. — p. 6859−6864.
    37. Р.Г. Рентгеновские К(Си)-спектры поглощения полифталоцианинов меди // Высокомолек. соед. Сер. Б. 1994. — Т. 36, № 3. — с. 507−509.
    38. Kiselev V. F., Kurylev V. V., Levshin N. L. The effect of adsorption on the electro-conductivity of PcFe and PcCu films // Phys. Stat. Sol. (a) 1977. — V. 42. — p. K61-K64.
    39. Г. Л., Шапошников Г. П., Спектор B.H., Пахомов Л. Г., Рибо Ж.-М. Спектры поглощения плёнок фталоцианинов при последовательной обработке N02 и NH3 // Изв. АН, сер. хим. 1996. — № 2. — с. 236−238
    40. А.А., Пахомов Г. Л., Спектор В. Н. Массовый эффект при сорбции аммиака на пленках дихлорфталоцианина меди // Докл. АН. 1994. — Т. 338, № 4. -с. 489−491.
    41. R. В., Сатрапа J. Е. Fast atom bombardement mass spectrometry of phthalocyanines // Inorg. Chem. 1984. — V. 23, № 26. — p. 4654−4658.
    42. А. Г., Сидоров A. H. Электронная структура и спектры комплексов фталоцианинов с иодом // Хим. физ. 1984. — Т. 3, № 3. — с. 380−385.
    43. А. Г. Электронная структура комплексов фталоцианинов с иодом // Мат. 6-ого Всесоюзного совещания по пробл. Комплексов с переносом заряда и ион-радикальны солей, Черноголовка. 1984. — с. 28.
    44. Г. Л., Пахомов Л. Г., Багров A.M. Взаимодействие диоксида азота с тонкими пленками производных фталоцианина кобальта // Хим. физика. 1995. -Т. 14, № 12. — с. 108−117.
    45. Pankow J. W., Arbour С., Dodelet J. P., Collins G. E., Armstrong N. R. Photoconductivity/dark conductivity studies of chlorogallium phthalocyanine thin films on interdigitated microcircuit arrays // J. Phys. Chem. 1993. — V. 97. — p. 8485−8494.
    46. Steinbach F., Joswig H.J. Infrared spectroscopic investigation of sorption of nitric oxide by (3-metal phthalocyanine of the first transition period // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1979. — V. l, № 12. — p. 2594−2597.
    47. Schoch K.F., Temofonte T.A., IR renspons of phthalocyanine thin films to nitrogen dioxide // Thin. Solid. Films. 1988. — V. 165. — p. 83−89.
    48. Collins R. A., Mohammed K. A. Gas sensitivity of some metal phthalocyanines // J. Phys. D: Apll. Phys. 1988. — У. 21. — p. 154−161.
    49. А. Т., Карпович И. А. Полупроводниковые свойства фталоцианинов. 1. Электропроводность и фотопроводимость фталоцианинов в вакууме и в кислороде//ЖФХ. 1958. — Т. 32, № 1. — с. 178−187.
    50. А.Т. Полупроводниковые свойства органических красителей // ЖФХ. -1948. Т. 22. — с. 769−782.
    51. Ambily S., Menon C.S. The effect of growth parameters on the electrical, optical and structural properties of copper phthalocyanine thin films / Thin Solid Films. 1999. — V. 347. — p. 284−288.
    52. Gould R. D. Dependence of the mobility and trap concentration in evaporated copper phthalocyanine thin films on background pressure and evaporation rate // J. Phys. D- Appl. Phys. 1986. — V. 9. — p. 1785−1790.
    53. Ambily S., Menon C. S. Electrical conductivity studies and optical absorption studies in copper phthalocyanine thin films // Sol. State. Comm. 1995. — V. 94^ № 6. — p. 485 487.
    54. Hassan A. K., Gould R. D. The electrical properties of copper phthalocyanine thin films using indium electrodes // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. — V. 22. — p. 1162−1168.
    55. Shafai T. S., Gould R. D. Transport properties in lead phthalocyanine thin films for use in FET structures // Int. J. Electron. 1990. — V. 69, № 1. — p. 3−9.
    56. Azim-Araghi M. E., Campbell D., Krier A., Collins R. A. Electrical conduction mechanisms in thermally evaporated lead phthalocyanine thin films // Semicond. Sci. Technol. 1996. — V. 11,№ 1. — p. 39−43.
    57. Bouvet M. and Simon J. Electrical properties of rare earth bisphthalocyanine and bisnaphthalocyanine complexes // Chem. Phys. Lett. 1990. — V. 172, №¾. — p. 299 302.
    58. Laurs H. and Heiland G. Electrical and optical properties of phthalocyanine films // Thin Solid Films. 1987. — V. 149. — p. 129−142.
    59. Abdel-Malik T. G., Kassem M. E., Aly N. S., Khalil S. M. Ac conductivity of cobalt phthalocyanine // Acta physica polonica (a). 1992. — V. 81, № 6. — p. 675−680
    60. Felmayer W., Wolf J. Conductivity and energy gap measurements of some relatives of phthalocyanine // J. Electrochem. Soc. 1958. — V. 105, № 3. — p. 141−145.
    61. Hassan A. K., Gould R. D. The effect of exposure to oxygen and annealing on the conductivity of copper phthalocyanine thin films // J. Phys.: Condensed Matter. 1989. — V. 1, № 37. — p. 6679−6684.
    62. Yasunaga H., Kojima K., Yohda H. and Takeya K. Effect of oxygen on electrical properties of lead phthalocyanine // J. of Phys. Soc. of Japan. 1974. — Y. 37, № 4. — p. 1024−1030.
    63. Boudjema В., El-Khatib N., Gamoudi M., Guillaud G., Maitrot M. Thermally stimulated currents in undoped and doped zinc phthalocyanine films // Revue Phys. Appl. -1988. -V. 23.-p. 1127−1134.
    64. Э.И., Фель Я. А., Пахомов Л. Г. // Органические полупроводниковые материалы. Вып. 7. 1984. с. 12−17.
    65. М., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах. М.: Мир. 1985. — Т. 1. — 568 е.- - Т. 2. -432 с.
    66. Kontani Т., Muranoi Т., Kikuma I., Masui М. and Takeuchi М. Effect of molecular configurations on the electrical resistivity of titanylphthalocyanine thin films // Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1995. — V. 34, № 7(A). — p. 3654−3657.
    67. Yasunaga H., Kojima K., Yohda H., Takeya K. Effect of oxygen on electrical properties of lead phthalocyanine // J. of Phys. Soc. of Japan. 1974. — V. 37, № 4. — p. 1024−1030.
    68. Abdel-Malik T. G., Abdel-Latif R. M. Electrical conductivity in oxygen-doped thin films of cobalt phthalocyanine using gold and aluminium electrodes // Phys. B. 1995. -V. 205. — p. 59−64.
    69. Shafai T. S. and Gould R. D. Observations of Schottky and Poole-Frenkel emission in lead phthalocyanine thin films using aluminium injecting electrodes // Int. J. Electron. -1992. -V. 73, № 2. p. 307−313.
    70. Helfrich W. In Physics and Chemistry of the Organic Solid State, Vol. 3 (Eds. D. Fox, M.M. Labes and A. Weissberger), Interscience, New York, 1967.
    71. M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. — 554 с.
    72. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. — 445 с.
    73. Abdel-Malik T.G., Abdel-Latif R.M. Transport properties in oxygen-doped cobalt phthalocyanine thin film devices // Thin Solid Films. 1996. — V. 286. — p. 277−281.
    74. Anderson T. L., Komplin G. C., Pietro W. J. Rectifying junctions in peripherally-substituted metallophthalocyanine bilayer films // JPC. 1993. — V. 97, № 25. — p. 65 776 578.
    75. C.A., Коробкова E.B., Лукьянец E.A. Фталоцианины и родственные соединения. IV. Полихлор фталоцианины // Ж. Общ. Хим. 1970. Т.40, № 2. — с. 400−403.
    76. Порфирины: спектроскопия, электрохимия, применение. Под ред. Н. С. Ениколо-пяна. М.: Наука, 1987. — 384 с.
    77. Edwards L. and Gouterman M. Porphyrins. XV. Vapor absorption spectra and stability phthalocyanines 11 J. Molec. Spectroscop. 1970. — V. 33, № 2. — p. 292−309.
    78. С.А., Дергачева B.M., Лукьянец E.A. Фталоцианины и родственные соединения. XIX. Тетра- и октааминозамещенные фталоцианины // Ж. Общ. Хим.- 1981. Т. 51, № 7. — с. 1650−1657.
    79. Harrisson S.E., Assour J.M. Relationship of electron spin resonanse and semiconduction in phthalocyanines // J. Chem. Phys. 1964. — V. 40, № 2. — p. 365−370.
    80. Scher H., Montroll E.W. Anomalous Transit-time dispersion in amorphous solids, Phys. Rev. 1975. — V. B12, № 6. — p. 2455−2477.
    81. .И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. — 416 с.
    82. А. Е., Сагайдак Д. И., Федорук Е. Г., Мусевич А. В. Прыжковая проводимость во фталоцианине меди и композиционных структурах на его основе//ФТТ. 1996. — V. 38, № 8. — с. 2592−2601.
    83. .П., Эфрос A.JL, Янчев И .Я. Энергия активации прыжковой проводимости // Письма в ЖЭТФ. 1971. — Т. 14, № 5. — с. 348−351.
    84. А.Е., Ратников Э. В. О природе компенсационного эффекта в полимерах//Докл. АН БССР. 1981. — Т.25, № 10. — с. 896−898.
    85. Shen P., Abeles В. and Arie Y. Hopping conductivity in granular metals // Phys. Rev. Lett. 1973. — V. 31, № 1.-p. 44−47.
    86. Abeles B., Sheng P. Coutts M.P., and Arie Y. Structural and electrical properties of granula metal films // Adv. Phys. 1975. — V. 24, № 3. — p. 407−461.
    87. Kaplan M.L., Forrest S.R., Schmidt P.H. and Venkatesan Optical and elctrical properties of ion-beam-irradiated films of organic molecular solids and polymers // J. Appl. Phys.- 1984,-V. 55, № 3,-p. 732−742.
    88. Jones T.A., Bott J. Gas-induced electrical conductivity changes in metal phthalocyanine // Sensors and Actuators. 1986. — V. 9. — p. 27−37.
    89. Sadaoka Y., Sakai Y., Jones T.A., Gopel W. Effects of oxidizing gases on semiconduc-tivity and thermal stability of phthalocyanine thin films // J. Mat. Sci. 1990. — V. 25. -p. 3024−3028.
    90. Twarowski A. J. Temperature dependence of the Schottky barrier capacitance in a- and p-zinc phthalocyanine // J. Chem. Phys. 1982. — V. 77, № 9. — p. 4698−4700.
    91. Zhou R., Josse F., Gopel W., Ozturk Z. Z., Bekaroglu 0. Phthalocyanines as sensitive materials for chemical sensors // Appl. Organomet. Chem. 1996. — V. 10, № 8. — p. 557−577.
    92. Hammar C., Kampfrath G., Mueller M. Gas and humidity sensors based on organic active thin films // Sensors and Actuators. 1990. — Y. BI. — p. 142−147.
    93. Belghachi A., Collins R.A. The effect of hundity on phthalocyanine N02 and NH3 sensors // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1990. — V. 23. — p. 223−227.
    94. Pakhomov G.L., Pakhomov L.G., Pozdnyaev D.E., Zakamov Y.R., Spector V.N. Irradiation assisted preparation of gas sensitive layers based on halogen substituted phthalocyanine //J. Electron Tech. 2000. — V. 33, №½. — p. 136−144.
    95. Pakhomov G. L., Pakhomov L. G., Pozdnyaev D. E., Ribo J.-M., Muller C. Two-component PcM films: dc and ac properties // Int. Seminar Semicond. Gas Sensors (SGS'98), 22−25.09.1998, Ustroc, Poland. p. 70.
    96. Loutfy R. O., Cheng Y. C. Investigation of energy level due to transition metal impurities in metal-free phthalocyanine // J. Chem. Phys. 1980. V. 73, № 6. — p. 2902−2910.
    97. Hopper P.D., Newton M.I., McHale G., Willis M.R. Electrical properties of nicel phthalocyanine (NiPc) sandwich devices incorporating a tetracyanoquinodimethane (TCNQ) layer // Semicond. Sci. and Technol. 1997. V.12, № 4. — p. 455−459.
    98. Kessler B. Phtphalocyanine-C60. composites as improved photoreceptor materials? // Appl. Phys. A. 1998. — V.67, № 2. — p. 125−133.
    99. Signerski R., Jarosz G., Godlewski J. Photoelectric properties of heterojunctions formed from di-(pyridyl)-perylenetetracarboxylic diimide and copper phthalocyanine or pentacene//Synth. Metals. 1998. — V.94, № 1. — p. 135−137.
    100. Robinet S., Salvi M., Clarisse C. Ionic implantation in scandium diphthalocyanine thin films // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. 1991. V. В53. — p. 46−52.
    101. Dann A.J., Fany M.R., Jeynes C. And Willis M.R. Electrical properties of ion implanted PcAlF films // Phys. Stat. Sol. (a) 1987. — V. 101. — p. k45-k47.
    102. Ewen R.J., Honeybourne C.L., Hill C.A. X-ray photoelectron spectroscopy and dark DC conductivity of argon-ion implanted organic films over a wide temperature range // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. № 3. — p. s311-s318.
    103. Oehme F. Chemische Sensoren // Technische Mitteilungen. 79, Jahrgang, Heft. 1986. — V. 9. — p. 403−408.
    104. Kyokane J., Aoyagi R. and Yoshino K. Application to electronic devices using organic thin films by ion-beam-evaporation method // Synthetic Metals. 1997. — Y. 85. -p. 1393−1394.
    105. Hartmann J., Auge J., Hauptmann P. Using the quartz crystal microbalance principle for gas detection with reversible and irreversible sensors // Sensors and Actuators (b). -1994. Y. 18−19. — p. 429−433.
    106. Wright J. D., Chadwick A. V., Meadows В., Miasik J. J. Chemical and structural influences on effects of adsorbed gases on semiconductivity of organic films // Mol. Cryst. Liq. Cryst. 1983. — V. 93. — p. 315−325.
    107. Я. А. Электропроводность пленок органических красителей в процессе сорбции газовых компонентов / Дисс. канд. физ.-мат. наук. Ин-т химии при Нижегородском университете. Н. Новгород, 1991. 109 с.
    108. Roberts G. G., Schmidlin F.W. Study of localized levels in semi-insulators by combined measurements of thermally activater ohmic and space-change-limited conduction // Phys. Rev. 1969. — V. 180, № 3. — p. 785−794.
    109. А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов M. А., Темкин M. М. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985. — 248 с.
    110. Pakhomov G.L., Zakamov V.R., Mironov V.L., Vostokov N.V. AFM study of ion irradiated metal phthalocyanine films // Phys. Low-Dim. Struct. 2001. — V. 3, № 4. — p. 199−204.
    111. И.П., Почтенный А. Е., Долгих В. К. Электрофизические свойства ионно-легированных пленок хлорзамещенного фталоцианина меди // Вакуумная техника и технология. 1993. — Т. 3, № 5, 6. — с. 48−51.
    112. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. JI.B. Гурвич, Г. В. Карачевцев, В. Н. Кондратьев, Ю. А. Лебедев, В. А. Медведев, В. К. Потапов, Ю. С. Ходеев. М.: Наука, 1974. — 351 с.
    113. М.И., Шорин В. А. Исследование легирования фталоцианинов металлами // Изв. Вузов. Физика. 1984. — № 7. — с. 127−132.
    Заполнить форму текущей работой

    На отлично!