Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез

Диссертация: Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Важным является изучение природы глубоких центров соединений Cdlri S и Сы? а S, Решение этого вопроса позволит уп-2 4 2 ^ равлять люминесцентными и фотоэлектрическими свойствами материалов, путем создания в процессе роста кристалла или его отжига цужных дефектов. Взаимодействие собственных и примесных дефектов может привести к образованию их комплексов, что должно проявиться в оптических… Читать ещё >

Содержание

  • ВВВДНИЕ
  • ГЛАВА. I. ВЛИЯНИЕ КОМПЛЕКСОВАНИЯ СОБСТВЕННЫХ И ПРИМЕСНЫХ ДЕФЕКТОВ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ CdS, СЫ1п2 ^ И CdGa
    • X. I. Теория ассоциатов точечных дефектов
      • 1. 2. Вопрос о природе центров зеленого свечения CdS
      • 1. 3. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства соединений CdGa^ S^ и CdIn 2 S
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. Х* Измерение фотолюминесценции, фотопроводимости и термовысвечивания
      • 2. 2. Методы Л — и электромодуляции
      • 2. 3. Метод модуляции угла поляризации для исследования ориентации анизотропных центров свечения... «
      • 2. 4. Приготовление образцов
  • ГЛАВА III. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ РАССМОТРЕНИЕ ДЕФЕКТОВ — КОМПЛЕКСОВ НА ПРИМЕРЕ ОБРАЗЦОВ CdS: ?q + и CdS: In*, ПРИ МАЛЫХ ДОЗАХ ВНЕДРЕННЫХ ИОНОВ
    • 3. 1. Определение энергетического положения уровней и энергии локального фонона комплекса, а также зарядового состояния его компонентов
    • 3. 2. Природа центров зеленого свечения ионно-импланти-рованных слоев CdS In* (Go*) при малых дозах внедрения
    • 3. 3. Расчет основных параметров и формы полос люминесценции комплексов в системах CdS: In* (образующихся при малых дозах внедрения
  • -2Стр
  • Выводы
  • ГЛАВА 1. У. ОБРАЗОВАНИЕ СОЕДИНЕНИЙ Cdln2 S^ И CdGaz S^
  • ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ In И Са в CdS И ОБРАЗОВАНИЕ CdS ПРИ ОБРАБОТКЕ ЭТИХ СОЕДИНЕНИЙ В РАСПЛАВЕ КАДМИЯ
    • 4. 1. Некоторые особенности переходов aV1^ АПСШ2ВУ|
    • 4. 2. Свойства монокристаллов CdS, облученных ионами
    • I. n vGa* при больших дозах.. *
      • 4. 3. Разложение тройных соединений Cdln2 S^
  • G/?q2 S^) г* CdS: In (Ga) при их обработке в расплаве кадмия»
  • Выводы
  • ГЛАВА V. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОКАЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ В СОЕДИНЕНИЯХ
  • Cdln2 И CdG
    • 5. 1. Электропоглощение и фотопроводимость С
    • 5. 2. * Фотолюминесцентные свойства монокристаллов Cdln^S^ отожженных в различных условиях и облученных ионами <Лт
    • 5. 3. Фотоэлектрические свойства кристаллов тиоиндата кадмия с отклонением от стехиометрии
    • 5. «4. Обсуящение экспериментальных результатов и расчет параметров комплексов в Cdln2 S^
      • 5. 5. Фотопроводимость и люминесценция кристаллов тиогаллата кадмия с отклонением от стехиометрии
    • 5. «6# Комплексы собственных дефектов и примеси йода в соединении Cd GaS^
      • 5. 7. О сходстве и различии локальных центров соединений
  • Cdlnz S, и CdGaz ^
  • Выводы. .П
  • -3Стр,
  • ОБЩИЕ ВЫЮДЫ

Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Для создания элементной базы оптоэлектроники необходимо исследование оптических свойств новых и все более сложных полупроводниковых материалов. В этой связи особый интерес представляют широкозонные материалы типа A^Bg^S^*" а именно соединения Сы1п2 S^ и Cd? a? Q^, В них обнаружены эффекты оптической активности, световой памяти, вынужденного излучения и токовых колебаний / 1−9 /. Устойчивость к ионизирующей радиации, высокая термостойкость делают соединения типа перспективными с точки зрения их использования в полупроводниковой технике / 10- 15 /.

Эти материалы обладают яркой люминесценцией и высокой фоточувствительностью в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. В настоящее время соединения Сы1п2 S^ и Сы? а2 уже используются для создания детекторов видимого и ультрафиолетового излучения / 16,17 /, однако более широкое их применение ограничивается трудностями в получении чистых и совершенных монокристаллов и недостаточной изученностью их свойств.

Основные люминесцентные и фотоэлектрические свойства fc/In^S и СЫ? а2 определяются спектром глубоких центров этих соединений. Эти центры формируются как собственными, так и примесными дефектами. Причем большое разнообразие собственных дефектов, характерное для столь сложных соединений, создает определенные трудности в интерпретации экспериментальных результатов. Оптические спектры в данном случае представляют собой набор нескольких широких бесструктурных полос, что затрудняет определение энергетического положения соответствующих уровней. Болыцую пользу здесь может представить использование методов модуляционной спектроскопии.

— 5/ 24,92 А.

Важным является изучение природы глубоких центров соединений Cdlri S и Сы? а S, Решение этого вопроса позволит уп-2 4 2 ^ равлять люминесцентными и фотоэлектрическими свойствами материалов, путем создания в процессе роста кристалла или его отжига цужных дефектов. Взаимодействие собственных и примесных дефектов может привести к образованию их комплексов, что должно проявиться в оптических свойствах. Изучение полупроводниковых соединений дП^П / 28 / показало, что именно комплексы близко расположенных дефектов играют определяющую роль в процессах излучательной рекомбинации.

Другой важной задачей, связанной с использованием этих соединений является получение образцов или слоев с уменьшенным содержанием примесей. Дело в отом, что используемые методы выращивания либо требуют применения газообразного транспортера (йода), остающегося в монокристаллах (Л/2 — Ю^см-3), либо протекают при высоких температурах, что приводит к вхождению неконтролируемых примесей в большой концентрации / 18,19 /.

Интересным как с научной, так и с практической точек зрения является получение соединений A^B^^S^ методом ионной технологии / 20 /. Решение этой задачи открывает овозможность создания гетеропереходов на основе Cd7л2 S^ и CdGa2, что приведет к более широкому использованию этих материалов в твердотельной электронике.

Задачей диссертационной работы является:

I* Исследование глубоких центров соединений 2^ и.

CdGa^ 2 методами фотолюминесценции (ФЛ), фотопроводимости.

2 Ь примесного электропоглощения (Г1ЭП) и ^ - модулированной.

ФЛ.

— 62. Исследование влияния отклонений от стехиометрии соединений Cdln2 и Col Gaz S^ на их люминесцентные и фотоэлектрические свойства.

3. Теоретическое рассмотрение модели комплекса двух близко расположенных дефектов и изучение таких комплексов в исследуемых материалах,.

4, Изучение возможности образования соединений Cdln2 и СЫQa2 S^ на поверхности сульфида кадмия путем ионной технологии.

Для решения поставленных задач были использованы как обычные методы исследования — фотолюминесценция, фотопроводимость и термовысвечивание, так и некоторые методы модуляционной спектроскопии — отражение и поглощение, модулированные внешним электрическим полем (электроотражение и электропоглощение) и люминесценция, модулированная по длине волны (Л — люминесценция). Выбор модуляционных методик связан с их высокой чувствительностью и разрешающей способностью / 21,92 /.

В настоящей работе при исследовании спонтанной поляризации люминесценции скомплексов близко расположенных дефектов впервые разработан и применен метод модуляции плоскости поляризации, позволяющий экспериментально регистрировать производные различного порядка по углу поляризации.

В первой главе диссертации дается обзор экспериментальных и теоретических работ по исследованию люминесцентных и фотоэлектрических свойств сульфида, тиоиндата и тиогаллата кадмия" Рассматриваются также результаты теоретических работ, описывающих различного типа ассоциаты точечных дефектов.

Вторая глава посвящена методикам исследования* Раскрывается суть метода модуляции длины волны света и модуляции электрическим полем# Описан разработанный нами метод исследования ориентации анизотропных центров свечения в кристаллах — метод модуляции угла поляризации,.

В третьей главе проведено теоретическое рассмотрение комплексов дефектов и получено выражение для формы полосы люминесценции, обусловленной такими центрами. Основные результаты теории проверены на образцах СЫS: J~n * и CdS — Ga * полученных при малых дозах внедренных ионов.

Четвертая глава посвящена исследованию свойств систем СЫ£: и CdS: £а +, полученных при больших дозах внедрения ионов в сульфид кадмия. Приводятся результаты сравнения свойств имплантированных слоев со свойствами тройных соединений СЫ7п S 7 и СЫGaz S^ 9 Показана также возможность образования слоев сульфида кадмия при обработке данных тройных соединений в расплаве кадмия.

В пятой главе определяются уровни глубоких центров и электронные переходы в соединениях СЫ1п2?^ и Cc/Cq2 S^. Изучается влияние легирования собственными дефектами и отклонений от стехиометрии на оптические и фотоэлектрические свойства данных соединений. Раскрывается природа некоторых их центров свечения и фоточувствительности.

В заключении сформулированы основные выводы и приведен список цитируемой литературы.

Основные результаты работы, выносимые на защиту:

I. Сравнение экспериментальных данных по люминесценции и поглощению комплексов дефектов, позволяет оценить энергию локального фонона и зарядовое состояние дефектов, а также расстояние мевду ними в основномиионизованном состоянии комплекса,.

— 82. Схема электронных переходов при люминесценции и фотопроводимости специально не легированных кристаллов Cdln2 9^ включает три г. цубоких уровня, расположенных на 1,33- 1,48 и 1,75 эВ ниже дна зоны проводимости и связанных с собственными дефектами Z^Cd «^сы иIn «соответственно.

3. Примесь йода, содержащаяся в образцах Cot In2 9^ и CdGct^S^, выращенных методом йодидного транспорта, образует комплексы £^сыS У «УР0ВНИ которых лежат ниже дна зоны проводимости на 1,66 эВ у CdIn2S^ и на 2,61 эВ у CdGaz 9^.

4. Изменение состава образцов (Ot9) (Ga S^)gx в области гомогенности 0,988 4 1,008 сдвигает максимум свечения тио-галлата кадмия от 1,75 эВ до 2,0 эВ без изменения ширины запрещенной зоны.

5. Ионное легирование Cd 9 индием и галлием приводит к образованию в нем комплексов f ^СЫ^СЫ^ ИЛИ ^^CdаСЫ J * дозах 2>Ъ Ю15см~2 с последующим отжигом при 420°СТ^ 520 °C происходит формирование на поверхности Cd9 слоев соединений Cdln2 9^ или Cd Gq2 9^ .

6. Отжиг монокристаллов fc/Zn^ 9^ и CdGa2 9^ в расплаве кадмия при Т в 750 °C приводит к обращованию сульфида кадмия, содержащего примесь индия или галлия, соответственно.

Основные результаты диссертационной работы могут быть сформулированы в виде следующих выводов:

1. Показана возможность вычисления на основании экспериментальных данных и теоретической модели, учитывающей обменное, упругое и кулоновское взаимодействие дефектов, энергии локальных фо-нонов комплекса и заряда образующих его дефектов.

2. Проведено комплексное исследование фотопроводимости, примесного электропоглощения и фотолюминесценции не легированных монокристаллов Cdln2 S^ и Cd&a2 S^. Сопоставлены схемы электронных переходов в процессе этих явлений.

3. Определено, что в CdIn2Sif имеются три глубоких центра, уровни которых расположены по данным люминесценции на 1,48 и 1,75 эВ ниже дна зоны проводимости и на 1,33 эВ выше потолка валентной зоны, а по данным электропоглощения на 1,73 и 2,27 эВ ниже дна зоны проводимости и на 1,38 эВ выше потолка валентной зоны. Установлено, что эти центры связаны с дефектами V^, Cdj^ и.

In и, соответственно.

4. Установлено, что в CdGa^S^ имеются два глубоких центраCd иQa * УР0ВНИ которых расположены по данным люминесценции на 2,26 и 2,75 эВ ниже дна зоны проводимости, а по данным электропоглощения на 2,55 и 3,31 эВ ниже дна зоны проводимости, соответственно.

5. Выявлено, что наличие примеси йода в образцах? с/27г2 S^ и CdGa^ приводит к образованию не только ловушек донорного типа 1 $ с глубиной залегания 0,65 и 0,9 эВ, но и к формированию комплексов fvCoi^s7 «дающих акцепторные уровни расположенные по данным ФЛ в fdlr?2 S На 1,66 эВ и в CdGo^ S, на 2,61 эВ.

2 у ниже дна зоны проводимости, а по данным ПЭП в CdlnS^ на 1,96 эВ и в CdGaS^ на 2,96 эВ ниже дна зоны проводимости. Определено, что в обоих соединениях в формировании комплексов участвует однозарядная вакансия, и что в Cdln S расстояние между.

X о дефектами комплекса в основном состоянии, А — 2,07 А, в ионизоо г ванном /с, — 2,20 А и энергия локального фонона Е* - 9,7 мэВ, а 2 о о Ф* в O/GaS — А — 2,21 А, А * 2,34 АиЕх — II мэВ. v t 2 ф".

6. Изучено влияние различного рода отклонений от стехиометрии на люминесцентные и фотоэлектрические свойства тиоиндата и тиогаллата кадмия. Установлено, что увеличение содержания кадмия внутри области гомогенности соединения Cdln2 S^ сдвигает максимум его свечения от 1,4 до 1,75 эВ, а в CdGa2 S^ - от 1,75 эВ до 2,0 эВ.

7. Установлено, что внедрение ионов In и Get при малой дозе (2> = 10*^ см" 2) в CdS приводит к возрастанию интенсивности краевого свечения и формированию комплексов? In^J и / GaCdJ.

8. Впервые получено, что при ионном внедрении больших доз.

D as Ю15, 10*® см" 2) индия или галлия в сульфид кадмия, с последующим отжигом при 420 °C ^ Т^ 520 °C, образуются слои соединений Cdln2 S^ или Cd Gq^ S^ ,.

9. Показано, что обработка монокристаллов Cdlnz S^ и.

CdGa^ S, в расплаве кадмия при 750 °C приводит к образованию на р их поверхности низкоомных (jO — 10*10 0 м. см) слоев сульфида кадмия.

Диссертационная работы выполнена в Лаборатории люминесценции Физического института им. П. Н. Лебедева АН СССР.

Считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному руководителю, заведующему сектором люминесцентной опто-злектроники ФИАН, доктору физико-математических наук, профессору Анатолию Неофитовичу ГЕОРГОБИАНИ за предложенную интересную тему, постоянное внимание к работе, ценные советы и замечания.

Искренне признателен З. П. Илюхиной и кандидату физико-математических наук И. М. Тигиняну за полезные советы и помощь в работе.

Выражаю благодарность к.ф.-м.н. В. С. Дону и к.фтм.н" В.Е.Тэз-лэвацу за предоставление образцов тройных соединений, к.ф.-м.н. А. В. Спицыну за проведение ионного легирования и А. Д. Левиту за предоставление монокристаллов CotS, а также всем сотрудникам и аспирантам сектора люминесцентной оптоэлектроники ФИАН за дружескую помощь и поддержку.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Радауцан С. И, Тройные полупроводники: результаты исследований и перспективы применения. — Вестник АН СССР, 1978, т. З, с.14−26.
  2. Г. Б. и др. Эффект переключения и памяти на контакте кристалла Cdin2s4 с металлом. ДАН СССР, 1971, т.199, № 2, с.313−317.
  3. Romeo N. Switching and memory properties of some crystalline layer compounds. Rivista del Nuovo Cimento, Serie 2, 1973, v. 3, p. 105−115.
  4. Salaev E.Yu., Tagiev B.G., Rzaev M.A., Hani R.Kh., Abdullaeva
  5. S.G., Mamedov G.M., Askerov I.M., Pliev F.I., Switching
  6. I VI III VI phenomenon in single crystals of, А В, Ag B^ and
  7. AIIBIIICVI type compoundSe Phys. Stat. Sol., (a), 1973, v. 16, p. K143-K146.
  8. Romeo N., Dallaturca A., Braglid R., Sberveglieri G. Charge storage in ZnlrigS^ single crystals. Appl. Phys. Lett., 1973, v. 22, N 1, p. 21−22.
  9. Л.М. и др. Двулучепреломление монокристаллов. Опт. и спектр., 1980, т.49, NW I, с.97−99.
  10. Paorici С., Romeo N. Electrooptical memory effect in EnxInySz compounds. J. Japan. Soc. Appl. Phys., 1973, v. 43, p. 112−115.
  11. Изд-во ЛГУ, 1963. 233 с. IX. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. — М.: Сов. радио, 1968. — 265 с.
  12. Radautsan S.I. Defective diamond-like semiconductors as intermediate phases between crystalline and vitreous state.- J. Non-cryst. Solids, 1970, v. 4, p. 370−377.
  13. Л.Б., Кошкин В.М* и др. Эффект радиационной устойчивости полупроводников со стехиометрическими вакансиями, — ФТТ, 1972, т.14, № 2, с.646−649.
  14. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications. Oxford, Pergamon Press, 1975, 244 p.
  15. Nakanishi H., Endo S. and Irie. Optical absorption in CdIn2S4. Japan. J. Appl. Phys., 1973, v.12,Ж 10. p. 20−35.
  16. В.Ф., Молдовян Н. А., Радауцан С. И., Райлян В. Й. Детектор ультрафиолетового излучения. Электронная обработка материалов, 1979, № 3, с.86−87.
  17. B.C., Житарь В. Ф., Радауцан С. И., Струмбан Э. Е. Фотопроводники для ближней ультрафиолетовой области спектра. В кн.: Ш Всесоюзная научно-техническая конференция «Фотометрия и ее метрологическое обеспечение». — М., 1979, с. 35.
  18. Ю.А., Пайончковская А. О синтезе тройных халькогенидовс помощью химических транспортных реакций. Изв. АН СССР, сер.Неорг.мат-лы, 1970, т.6, с.241−246.
  19. Friedrich Н., Ozerov Yu.V., Strehlow R. Optical method for the determination of the modulation depth of wavelength modulation spectrometers. Experimentelle Technik der Physik, 1978, v. 26, N 3, P. 275−284.
  20. Theis D., Russe W. Wave length modulation spectrometer forstuding the optical properties of solids in a wide range of light energy. Journ. of Physics, E: Scientific Instruments, 1977, v. 10, p. 57−60.
  21. A.H., Дону B.C., Илюхина З. П., Павленко В. И., Тигиняну И. М. 0 связи центров свечения с собственными дефектами в CdGa2s4 ¦ Краткие сообщения по физике ФИАН, 1981, № 12, с.48−52.
  22. П.Ф., Дукьяница В. В. Взаимодействие дефектов вакан-сионного и междоузельного типа при отжиге облученного п -- Si . ФТП, 1983, т.17, в. Х, с.166-Х68.
  23. И.Я., Пекарь Г. С., Федоров А. И., Шейнкман М. К. Особенности процессов рекомбинации в монокристаллах CdS t сильно легированных индием. ФТП, 1975, т.9, в.5, с.986−991.
  24. Н.Т., Вахаин В.С.Корреляция в распределениях донор-ных и акцепторных примесей в кремнии. ЖЭТФД984, т.86, № I, с.200−211.
  25. A.M., Котляревский М. Б., Михаленко В. Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в znS р-типа. Труды ФИАН, 1983, т.138, с.79−135.
  26. Н.В., Виноградов М. С. Некоторые свойства самоактивированной люминесценции монокристаллов сульфида кадмия. В сб. «Физика твердого тела» 1976, с.106−108.
  27. В.В., Мадушин Н. В. Оптическое и температурное тушение красной люминесценции сульфида кадмия. -ФТП, Х967, т.1, № 6, с.861−865.
  28. Н.А., Витриховский Н. И., Денисова 3.JI., Павленко В. Ф. О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии. Опт. и спектр., 1966, т.21, № 4, с.466−475.
  29. Kikuchu С. Thermal neutron damage in CdS and CdTe. Radiative Effects, 1971, v. 8, N 3−4, p. 249−253.
  30. Susa N., Watanabe H., Wada M. Photoluminescence in Al-doped CdS crystals. Japanese J. Appl. Phys., 1975, v. 14, N 11, p.1733−1737.
  31. Morigaki K., Hoshina T. Electron spin resonance of photosensitive centres in Ag-doped CdS. Techn. Rep. ISSP, A, 1967, N 258, p. 1−38.
  32. Susa N., Watanabe H., Wada M. Effect of annealing in Cd or S vapor on photoelectric properties of CdS single crystals. -Japanese J. Appl. Ehys., 1976, v. 15, N 12, p. 2365−2370.
  33. Williams. Radiative recombination at donor-acceptor pairs and at higher associates. J. Luminescence, 1973, v. 7, p. 35−50.
  34. С.А. Физика и химия АПВУ1. М.: Мир, 1970. — 620 с.
  35. Williams F.E. Theory of the energy levels of donor-acceptor pairs. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 12, N ¾, p. 265−276.39. lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centres in semiconductors. Solid State Commun., 1965, v. 3"p. 299−302.
  36. .М., Фирсов О. Б. О взаимодействии отрицательных ионов с атомами. ЖЭТФ, 1964, т. 47, с. 232.
  37. Л.А., Кирий В. Б. Приближение дельтаобразного потенциала в теории отрицательно заряженных электронных центров окраски. <КГТ, 1969, т. II, с. 2II8−2I2I.
  38. Ю.Н., Островский В. Н. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. Л.:Изд-во Ленингр. ун-та, 1975,240 с.
  39. А.Н., Маев Р. Г., Озеров Ю. В., Пустовойт В.И.,
  40. Э.Е. Тезисы 1У Всесоюзного совещания «Физика, химия1. ТТ YTи техническое применение полупроводников, А В. Одесса, 1976, с. 66.
  41. Georgobiani А.Ж., Maev R.G., Ozerov Yu.V., Strumban E.E. Investigation of deep centres of chlorine-doped zinc sulfide crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 38, N 1, p. 77−82.
  42. Williams F.E. Donor-acceptor pairs in semiconductors. -Phys. Stat. Sol. (a), 1968, v. 25, p. 493−501.
  43. Бонч-Бруевич В.Л. К теории захвата носителей заряда глубокими ловушками в гомеополярных полупроводниках. Вестник МГУ, 1978, т. 12, № 5, с. 586−603.
  44. Pedrotti L.S., Reynolds D.C. Change in structure of blue and green fluorescence in cadmium sulfide at low temperature. Phys. Rev., 1960, v. 119, N 4, p. 1897−1898.
  45. Collins R.J., Hopfield J.J. Polarization of the edge emission in CdS. Phys. Rev., 1960, v. 120, Ж 3, p. 840−842.
  46. Hopfield J.J. A theory of edge emission phenomena in CdS, ZnS and 2n0. J. Phys. Chem. Solids, 1959, v. 10, p. 110−119.52. Halsted R.E., Segall B. Double acceptor fluorescence in II— -VI compounds. Phys. Rev. Lett., 1963, v. 10, N 9, p. 392−395.
  47. Maeda K. Nature of the edge emission in cadmium sulfide. -J. Phys. Chem. Solids, 1965, v. 26, N 9, p. 1419−1430.
  48. Reynolds D.C. Temperature dependence of edge emission in cadmium sulfide. Phys. Rev., 1960, v. 118, N 2, p. 478−479.
  49. Е.Ф., Газбирин B.C., Пермогоров C.A. Послесвечение и зависимость от интенсивности возбуждения спектра краевого излучения монокристаллов CdS . ФТТ, 1965, т.7, с, 558−562.
  50. Collins R.J. Mechanism and defect responsible for edge emission in CdS. J. Appl. Phys., 1959, v. 30, N 8, p. 1135−1140.
  51. Collow K. Free-to-bound and bound-to-bound transitions in CdS. Phys. Rev., 1966, v. 141, N 2, p. 742−749.
  52. Thomas D.G., Hopfield J.J., Colbow K. In: Radiative recombination in semiconductors. V. 4: Proceedings of the Seventh International Conference of the Physics of Semiconductors, Paris, 1964. — Paris: Dunod, 1964, p. 67−80.
  53. Bryant F.J. Ion implantation in group II-VI compounds. -Progr. Cryst. Growth and Charact., 1983, v. 6, N 2, p. 191- 203.
  54. В.В., Ризаханов М. А., Халимова Н. Н., Шейнкман М.К.
  55. Температурное преобразование краевой (зеленой) люминесценции CdS. ФТП, 1980, т.114, с.691−694.63» Ватаева Е#, Ембергенов Б., Корсунская Н. Е. Фотостиъ^улированное образование мелких доноров в «чистых» кристаллах CdS ФТП, 1983, т.17, в. З, с.484−485.
  56. М.С., Давьщова Н. А., Шаблий И. Ю. Образование и накопление структурных дефектов в кристаллах CdS под действием лазерного облучения и их влияние на оптические и электрические свойства. Изв. АН СССР, сер.физич., 1982, т.46, №№ 6, с. X037-I040.
  57. И.В., Лысенко В. И. Генерация ультразвуком точечных дефектов в CdS . ФТТ, 1982, т.24, в.4, сЛ206−1208.
  58. Tchakpele К.P., Albert J.P., Goid С. Study of ideal vacancies in CdS. Phys. Rev., B, 1983, v. 27, N 2, p. 1244−1250.
  59. Woodbury U.H. Diffusion of Cd in CdS. Phys. Rev., A, 1964, v. 134, p. 492−498.
  60. И.Б., Матвиевская Г. И., Пекарь Г. С., Шейнкман М. К. Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами. Укр.физ.я^урн., 1973, тЛ8, в.5, с. 732−741.
  61. Kungston D.L., Greene L.C., Croft L.W. Edge emission bands in cadmium sulfide. J.Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 3849−3952.-13 170, Радауцан С. И., Житарь В. Ф., Доцу B.C. Спектры фотопроводимости монокристаллов CdGa2s4. ФТП, 1975, т.9, № 5, с.1018--1020.
  62. А.С., Полыпалов Ю.И, Чалдышев В. А. Структура энергетических зон полупроводников с решеткой халькопирита: I. znS:: Р2. Извести вузов СССР, Физика, 1969, № II, с.58−66.
  63. А.Н., Озеров Ю. В., Радауцан С. И., Тигиющу И. М. Исследованиендаыентальных оптических переходов в casa^ методами модуляционной спектроскопии. ФТТ, 1981″ т.23, № 7, с.2094−2099.
  64. Georgobiani A.N., Radautsan S.I., Tiginyanu I.M. Electroab-sorption and non-equilibrium carrier recombination in CdGa2S^ single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 19S2, v. 69, p.472−478.
  65. И.М. Оптические и фотоэлектрические свойства соединений CdGa2s4, Znin2s4 и системы Ens : in, полученной ионным внедрением. Автореф. Дис. на соискание степени канд. физ.-мат.наук. — Москва, 1982, — 145 с.
  66. В.Ф., Доцу B.C., Молдовян Н. А. Рекомбинационные центры и ловушки в cdGa2s4 и Znin2s4 . В кн.: Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение». — Кишинев, «Штиинца», 1976, с.156−158.
  67. Radautsan S.I., Donu V.S., Zhitar V.F., Strumban E.E. Peculiarities of photoconductivity in CdGd2S^ single crystals in strong electric fields. Phys. Stat.Sol.(a), 1980, v.57,p.K79−62
  68. A.A., Булярский С. В., Грушко Н. С., Доцу B.C., Житарь В. Ф., Радауцан С. И. Исследование термостимулированного тока в CdGa2S4 . ФТП, 1980, т.14, № I, с.208−209.
  69. Kivits P., Wijnakker М., Classen J. and Geerts J. Photolumi-nescence and photoconductivity measurements on CdGa2S4# J.
  70. Phys., C: Solid State Phys., 1978, v. 11, p. 2361−2368.
  71. Springford M. The luminescence of some ternary chalcogenides mixed binary system of group III-V compounds: the nature of luminescence centres in group compounds. Proc. Phys. Soc., 1968, v. 82, N 6, p. 1026−1037.
  72. В.Ф., Таран Н. И., Доника Т. В. Спектры излучения кристаллов CdGa2s4 . в кн.: Исследование сложных полупроводников. Кишинев, РИО АН МССР, 1970, с.89−97.
  73. А.Н., Илюхина З. П., Радауцан С. И., Тигиняну И. М. Исследование фотоэлектрических и люминесцентных свойств монокристаллов CdGa2s4 9 Znln2s^ и системы 2nS:in, подученной ионным внедрением. Препринт ФИАН № 259. — М., 1981, — 47 с.
  74. Kivits P., Reulen J., Hendricx J., Van Empel P., Van Kleef J. Interpretation of thermoluminescence and thermally stimulated conductivity experiments. J. Luminescence, 1978, v. 16, p. 145−160.
  75. М.П. Кристаллография. M.: «Высшая школа», 1976, 391 г.
  76. Annedda A., Gabbato L., Raga P., Serpi A. Photoconductivity and trap distribution in CdIn2S^. Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v. 50, N 2, p. 643−646.
  77. Seki Y., Endo S., Irie T. Low-frequency photocurrent oscillations in CdIn2S^ single crystals. Japan. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, К 9, p. 1667−1675.
  78. Unger W.K., Meuth H., Irwin J.C. Photoluminescence and resonant raman scattering in Gdln^S^ and ZnIn2S^. Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v. 46, И 1, p. 81−89.
  79. M. Модуляционная спектроскопия. M.: Мир, 1972,416с.
  80. Balslev I., Influence of uniaxial stress on the indirect absorption edge in silicon and germanium. Phys. Rev., 1966, v. 143, N 2, p. 636−647.
  81. Л.В. 0 влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. ЖЭТФ, 1958, т.34, № 5, C. II38-II4I.
  82. B.C. Влияние электрического поля на поглощение света центром с глубоким уровнем. ФТТ, 1973, т. 15, №№ 2, с.395−403.
  83. Ф.Г., Житарь В. Ф., Радауцан С. И., Полупроводники системы ZnS-in2S3 . Кишинев, «Штиинца», 1980, 148 с.
  84. Д.А. Полевые методы теории многих частиц. М.: Гос-атомиздат, 1963, 344 с.
  85. А.Н., Грузинцев А. Н., Озеров Ю. В., Тигиняед И. М. Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках. Труды ФИАН, 1985, т.163, с.49−101.
  86. Georgobiani A.N., Gruzintsev A.N., Radautsan S.I., Tiginyanu I.M. The contribution of iodine impurity to the formationof centers in CdGa2S^ single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1983, v. 80, p. K45-K47.
  87. А.Н., Грузинцев А. Н., Заяц А. В., Тигиняцу И. М. Метод модуляции угла поляризации люминесценции комплексов дефектов. XXX Совещание по люминесценции. — Ровно, 1984 г., с. 190.
  88. B.C. Теория поглощения света в постоянном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем. ФТТ, 1971, т.13, в. II, с.3266−3274.
  89. А.Н., Грузинцев А. Н., Илюхина З. П., Спицын А. В., Тигиняцу И. М. Краевая фотолюминесценция CdS после облучения ионами галлия и индия. Краткие сообщ. по физике ФИАН, 1984, № II, с.8−12.
  90. Jones E.D., Mykura Н. Diffusion of gallium into cadmium sulphide. J. Phys. Chem. Solids, 1980, v. 41, N11, p. 1261−1267.-135 106. Jones E.D., Mykura H. Diffusion of indium into cadmium sulphide. J. Phys. Chem. Solids, 1978, v, 39, К 1, p. 11−19.
  91. Iliev M., Assenow I., Stayanow S. Thermoreflectance of CdS near the fundamental absorption edge. Phys. Stat. Sol. (b), 1970, v. 40, IT 2, p. K51-K53.
  92. . Оптические процессы в полупроводниках. М.- Мир, 1973, 456 с.
  93. Marshall К., Mirta S. Optically active phonon process in CdS and ZnS. Phys. Rev., 1964, v. 134, N 4 A, p. 1019−1025.
  94. НО. Курик M.B., Гаваленко М. П., Витриховский Н. И. Магнитная восприимчивость монокристаллов CdS. Укр.физ.щурн., 1964, т. 9, № II, с.1217−1220.
  95. Н.И., Мизецкая И"Б. Легирование крупных кристаллов CdS в процессе их роста и некоторые физические характеристики полученных образцов. Изв. АН СССР, сер. физичес-кая, 1964, т.28, № 8, с.1316−1317.
  96. Р., Коппел X. О системе Zn2Sj CdS. Изв. АН ЭССР, сер.хим.геол., 1973, т.22, № I, с.42−45.
  97. Н.П., Вавилов B.C., Галкин В. В., Иванов B.C., Крас-нопевцев В.В., Малютин Ю. В. Синтез карбида кремния при внедрении ионов Si в алмаз. ФТП, 1972, т. 6, № 6, с.1182−1184.
  98. М.И., Гуманский Г. А., Карась В. И., Ломако В. М., Ташлыков И. С., Тишков B.C. Синтез соединений A1xGaixAs иf*
  99. GaAs1-xPx при внедрении ионов А1 и Р в GaAs. -ФТП, 1975, т.9, № 10, с.2027−2029.
  100. А.Н., Илюхина З. П., Спицын А. В., Тигиняну И. М. Свойства системы ZnS: in+ при больших дозах внедренного индия. Краткие сообщ. по ифизике ФИАН, 1981 № 8, с.31−35.
  101. Nakanishi Н., Endo S., Irie Т. Optical absorption in Cdln^-136- Japan. J. Appl. Phys., 1973, v. 12, H 10, p. 2011−2019.
  102. В.В. Труды П Советско-американского семинара по ионной имплантации. Пущино, 1979, с. 319.
  103. А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплан-тированных примесей. М: Изд-во, ЕГУ, 1980, 352 с.
  104. P.V., 2orin E.I., Tetelbaum D.I. Proceedings of the International Conference on Ion Implantation of Semiconductors. Budapest, 1975.
  105. A.H., Грузинцев A.H. Исследование структуры полос люминесценции монокристаллов Cdin2s^ . Оптика твер-fiODO тела (межвед.сборник), М.: изд-во МФТИ, 1983, с.185−189.
  106. О.П., Станчу А.В, Сб.: Полупроводниковые приборы и материалы. Кишинев, «Штиинца», 1973, с.33−39.
  107. М.С., Городецкий И. Я., Корсунская Н. Е., Шаблин И. Ю. Образование собственных дефектов при лазерном облучении и их влияние на фотоэлектрические свойства CdS . Укр.физ. журн., 1979, т.24, № 10, с.1539−1542.
  108. А.Н., Грузинцев А. Н., Тигиняну И. М. Исследование локальных состояний в Cdln2s4, Краткие сообщения по физике ФИАН, 1984, Ш 9, с.37−41.
  109. Anedda A., Garbato L., Raga P., Serpi A. Photoconductivity and trap distribution in CdlngS^. Phys. Stat. Sol.(a), 1978, v. 50, Ж 2, p. 643−651.
  110. Ю.В. Исследование люминесценции, фотоэлектрических и электрофизических характеристик сульфида цинка и диодов на его основе. Автореферат Диссер. на соиск. степени канд. физ.-мат.наук. — Москва, 1979, 18 с.
  111. А.Н., Тигиняну И. М. Антиструктурные дефекты иинверсия типа проводимости в соединениях A^BgV^. Краткие сообщения по физике, 1984, № 2, с.25−29,
  112. Garlick G.F.J., Gibson А.P. The electron trap mechanism of luminescence in sulphide and silicate phosphors. Proc. Phys. Soc., 1948, v. 60, p. 574−590.
  113. Shimiru H., Ohbayashi Y., Yamamato K., Abe K. Lattice vibrations in spinel-type CdIn2S^. J. Phys. Soc. Japan., 1975, v. 38, H 3, P. 750−754.
  114. Bruesch P.p., Ambrogio P. Lattice dynamics and magnetic ordering in the chalcogenide. Phys. Stat. Sol. (b), 1972, v. 50, p. 513−521.
  115. ИЗО. Радауцан С. И., РДерид Ю.О., Житарь В. Ф., Дерид О. П. Диаграмма системы CdS Ga2S3 Докл. АН СССР, 1983, т.267, № 3, с.673−675.
  116. Hahm Н., Prank G., Klingor W., Storger G. Ternary chalcogenides of aluminium, gallium and indium with zinc, cadmium and mercury. Zs. Anorg. Allg. Chem., 1955, v.279,p. 241−270.
  117. Neuman H. Influence of intrinsic defects on the electrical1. III VIproperties of, А В C2 compounds. Cryst. Res. and Tech-nol., 1983, V. 18, N 4, p. 483−491.
  118. A.H., Доцу B.C., Илюхина ЗЛ., Павленко В. И., Тигиняну И. М. Голубая фотолюминесценция тиогаллата кадмия. -ФТП, 1983, т.17, в.8, с.524−526.
  119. В.Ф., Мачуча А. И., Ралауцан С. И. Стимулированное излучение в тиогаллате кадмия при электронном возбуждении. -Опт. и спектр., 1984, т.51, с.948−950.
  120. А.Н., Грузинцев А. Н., Тигиняцу И. М. Исследование локальных состояний CdGa2s4 . Краткие сообщения по физике, 1981, № 2, с.3−7.
  121. А.Н., Грузинцев А. Н., Тигиняну И.М, Глубокие центры в некоторых кристаллах и расчет их параметров. Оптика твердого тела /межведом, сборник/, М.: изд-во МФТИ, 1983, с.19−25.
  122. Г. Г., Керимова Т. Г., Нани Р. Х. Уточнение кристаллической структуры CdGa2s4 «Изв. АН Азейрдб. СССР, сер. физ.-мат., 1980, тД, в.4, с.59−61.
  123. С.И., Сырбу Н. Н., Небола И. И. и др. Структура энергетических зон и двухфононное поглощение в кристаллах CdGa2S4 и CdGa2Se4 . ФТП, 1977, t. II, № X, с. 69−74.
  124. Georgobiani А.Н., Gruzintsev A.N., Ilyukhina 2.P., Terlevan V.E., Tiginyanu I.M. Photoconductivity and non-equilibrium carrier recombination in CdIn2S4 single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1984, v. 82, p. 207−212.
  125. A.H., Грузинцев A.H., Илюхин З. П., Радауцан С. И., Тигиняну И. М. Влияние ионного обручения на свойства соединений ABg S^. Тезисы УП Международной конференции по ионной имплантации. — Вильнюс, 1983, с. 335.
  126. А.Н., Грузинцев А. Н., Дону B.C., Спицын А. В., Тигиняну И. М. Способ получения слоя тройного полупроводникового соединения. Авторское свидетельство на изобретение
  127. I123467, КЛ МКИ Н 01, 1984, с.1−7.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!