Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Лазерная спектроскопия и когерентная оптическая динамика 2D-экситнных зеркална основе AlGaAs структур с изолированными GaAs квантовыми ямами

Диссертация: Лазерная спектроскопия и когерентная оптическая динамика 2D-экситнных зеркална основе AlGaAs структур с изолированными GaAs квантовыми ямами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые с помощью температурных измерений стационарного резонансного рэлеевского рассеяния получена величина скорости спонтанного излучения локализованных экситонов в GaAs квантовых ямах. Значения этой величины, измеренные в двух пространственных точках квантовой ямы толщиной 12 им, имеющих идентичный спектральный отклик в отражении, составили 19 мкэВ и 70 мкэВ с точностью 10%. Полученные… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Оптические методы исследования экситонов в одиночных GaAs квантовых ямах
    • 1. 1. Фотолюминесценция GaAs/AlGaAs гетероструктур с квантовыми ямами
      • 1. 1. 1. Эксперименты по исследованию фотолюминесценции GaAs/AlGaAs гетероструктур с одиночными квантовыми ямами.16 ¦
      • 1. 1. 2. Применение фотолюминесценции к изучению свойств
  • 2. D экситонов
    • 1. 2. Резонансное рэлеевское рассеяние в GaAs/AlGaAs гетерострук-турах
      • 1. 2. 1. Упругое рассеяние локализованных 2D экситонов
      • 1. 2. 2. Эксперименты по резонансному рэлеевскому рассеянию
      • 1. 2. 3. Применение резонансного рэлеевского рассеяния к изучению процессов фазовой релаксации 2D экситонов
    • 1. 3. Нелинейные методы исследования релаксации
  • 2. D экситонов
    • 1. 3. 1. Опубликованные результаты работ по изучению нелинейных свойств экситонов в GaAs квантовых ямах
    • 1. 3. 2. Особенности опубликованных исследований
    • 1. 4. Выводы и задачи работы
  • 2. Метод резонансного экситонного отражения
    • 2. 1. Используемая модель
    • 2. 2. Спектроскопия резонансного экситонного отражения
    • 2. 3. Фактор качества
    • 2. 4. Выводы
  • 3. Измерение резонансного экситонного отражения при слабых интенсивностях возбуждения
    • 3. 1. Спектральные измерения резонансного экситонного отражения
      • 3. 1. 1. Экспериментальная установка
      • 3. 1. 2. Зависимость Гд от толщины квантовой ямы
      • 3. 1. 3. Зависимость Гд от температуры
      • 3. 1. 4. Измерение скоростей обратимой и необратимой фазовой релаксации 2D экситонов
    • 3. 2. Временное поведение сигнала затухания свободной экситониой индукции
    • 3. 3. Экспресс-методика характеризации пространственной неоднородности оптических свойств гетероструктур с GaAs квантовыми ямами
    • 3. 4. Выводы
  • 4. Стационарное резонансное рэлеевское рассеяние в GaAs квантовых ямах
    • 4. 1. Условия эксперимента
      • 4. 1. 1. Экспериментальная установка
    • 4. 2. Спектральные свойства резонансного рэлеевского рассеяния
    • 4. 3. Температурные измерения резонансного рэлеевского рассеяния
    • 4. 4. Скорость спонтанного излучения локализованных
  • 2. D экситонов
    • 4. 5. Выводы
  • 5. Измерение резонансного экситонного отражения при интенсивном оптическом возбуждении GaAs квантовых ям
    • 5. 1. Введение
    • 5. 2. Условия эксперимента
    • 5. 3. Зависимость Гд от интенсивности резонансной накачки при низкой температуре
    • 5. 4. Нерезонансное оптическое возбуждение квантовой ямы
    • 5. 5. Двухцветное возбуждение квантовой ямы
    • 5. 6. Зависимость уширения экситонной линии от интенсивности стационарного резонансного возбуждения
    • 5. 7. Температурное поведение зависимости уширения экситонной линии от интенсивности резонансного возбуждения
    • 5. 8. Временные свойства процессов фазовой релаксации 2D экситонов, возникающих при интенсивном резонансном возбуждении
    • 5. 9. Гипотеза об образовании триплетных состояний трионов
  • 5.
  • Выводы

Лазерная спектроскопия и когерентная оптическая динамика 2D-экситнных зеркална основе AlGaAs структур с изолированными GaAs квантовыми ямами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Настоящая работа посвящена экспериментальному исследованию механизмов релаксации когерентности квазидвумерпых (2D) экситонов в высококачественных эпитаксиальпых GaAs/AlGaAs гетероструктурах с одиночными GaAs квантовыми ямами. В таких структурах создаваемые светом 2D экси-тоны существенно делокализованы, что определяет высокую эффективность переноса когерентности от излучения к экситонному возбуждению и, обратно, от экситонов к излучению.

В работе в основном использовался метод, основанный на наблюдении спектров резонансного 2D экситонного отражения, который обладает высокой чувствительностью к проявлению слабых механизмов рассеяния эксито- «нов в квантовой яме. Изучалось также резонансное рэлеевское рассеяние как дополнительный канал информации о процессах фазовой релаксации 2D экситонов. Кроме того, исследовалось временное поведение сигнала резонансного отражения при модулированном оптическом возбуждении квантовой ямы. Исследования проводились при уровнях оптического возбуждения квантовых ям, при которых сила осциллятора изучаемого 1S-HH экситонного перехода практически сохранялась.

Актуальность проблемы.

Полупроводниковые гетероструктуры с GaAs квантовыми ямами обладают крайне интересными оптическими свойствами, которые определяются в основном высокой эффективностью взаимодействия 2D экситонной подсистемы со светом. Современный уровень развития методики эпитаксиального выращивания таких наноструктур позволяет получать образцы высочайшего качества, имеющие достаточно большие пространственные области однородности оптических свойств в квантовой яме. Благодаря этим обстоятельствам, подобные наноструктуры привлекают большое внимание исследователей и имеют потенциальную возможность применения в качестве рабочих сред для логических элементов, способных бездиссипативпо производить вычисления чисто оптическим образом [1,2].

Выступая в качестве кандидата на оптически управляемый переключатель, квантовая яма должна обладать высокой эффективностью переноса когерентности в процессах фотон-экситонного взаимопревращения. Эта эффективность ограничивается наличием ряда механизмов фазовой релаксации 2D экситонов, обусловленных их взаимодействием с окружением. Для того чтобы контролировать качество квантовой ямы, экситонпая подсистема которой должна эффективно взаимодействовать со светом, необходимо иметь методы, позволяющие изучать механизмы дефазировки 2D экситонов и их влияние на результирующую эффективность переноса когерентности в таких структурах. Эти методы должны быть основаны на использовании временной и пространственной когерентности изучения, а также, по возможности, быть линейными, поскольку существующие нелинейные методы слишком сложны для изучения механизмов релаксации экситонной поляризации.

Основанные на наблюдении резонансного экситоппого отражения и резонансного рэлеевского рассеяния методы, описанные в данной работе, могут быть эффективно применены при оптической характеризации GaAs/AlGaAs гетероструктур, имеющих квантовые ямы относительно высокого качества. С их помощью, в частности, удается измерить полную ширину спектрального контура экситонного резонанса, радиационную ширину, а также величины однородного и неоднородного уширений в зависимости от таких параметров, как, например, температура и интенсивность оптического возбуждения. Описанный в работе метод измерения скорости радиационной дефазировки свободных экситонов в одиночных GaAs квантовых ямах является практически единственным существующим из простых и надежных методов определения этой величины.

Цель настоящей работы.

Целью настоящей работы является: исследование механизмов фазовой релаксации 2D экситонов в высококачественных одиночных GaAs квантовых ямах, действующих в режимах слабого, интенсивного, резонансного и нерезонанс-пого оптического возбуждения и обусловливающих уширение резонансной линии экситонного поглощения. Изучение свойств процессов радиационной дефазировки свободных и локализованных 2D экситонов.

Защищаемые научные положения.

1. Измерение спектров зеркального отражения от AlGaAs гетероструктур с одиночными GaAs квантовыми ямами в геометрии Брюстера позволяет с хорошей точностью получить форму спектра поглощения в районе экситонного резонанса. По параметрам контура линии экситонного отражения можно определить полную скорость фазовой релаксации 2D экситонов и скорость радиационной дефазировки свободных 2D экситонов.

2. Зависимость скорости радиационной дефазировки свободных 2D экситонов от толщины квантовой ямы удовлетворяет гиперболическому поведению в соответствии с теоретической моделью Грюндмана и Бимберга. Измерение спектров резонансного отражения как функции температуры позволяет определить температурную зависимость скорости радиационной дефазировки свободных 2D экситонов, а также найти значения однородного и неоднородного уширений линии экситонного резонанса. При этом скорость радиационной дефазировки свободных 2D экситонов оказывается независящей от температуры в диапазоне 8 90К.

3. Существенную дополнительную информацию о процессах фазовой релаксации 2D экситонов дает изучение резонансного рэлеевского рассеяния на квантовых ямах. Определенные с помощью температурных измерений резонансного рэлеевского рассеяния величины скорости спонтанного излучения 2D экситонов, локализованных на неоднородностях квантующего потенциала, оказываются сопоставимыми со значениями скорости радиационной дефази-ровки свободных 2D экситонов.

4. Интенсивное резонансное возбуждение высококачественных одиночных GaAs квантовых ям при низкой температуре приводит к изменению формы контура линии экситонного резонанса, при этом суммарная сила осциллятора экситоиного перехода сохраняется. Изменения формы контура, вызванные оптической накачкой, обусловлены дополнительной фазовой релаксацией 2D экситонов, связанной с рассеянием на фоторождепных центрах.

Научная новизна и практическая ценность.

Впервые были получены следующие результаты:

1) На основе спектроскопии резонансного экситонного отражения разработан метод измерения скорости радиационной дефазировки свободных 2D экситонов в одиночных GaAs квантовых ямах. Получена зависимость этой величины от толщины квантовой ямы. Показано, что в линейном режиме возбуждения квантовой ямы скорость радиационной дефазировки свободных 2D экситонов ие зависит от температуры в диапазоне 8 90 К.

2) С помощью температурных измерений спектров резонансного экситонного отражения получены величины однородного и неоднородного уширений контура резонансной экситонной линии.

3) Зарегистрировано временное поведение сигнала затухания свободной экситонной индукции при низком уровне возбуждения GaAs квантовой ямы с помощью оригинальной автокорреляционной техники с высоким временным разрешением. Показано, что это поведение хорошо соответствует экспоненциальному затуханию с временным параметром, превосходно согласующимся с обратной величиной полной скорости фазовой релаксации 2D экситонов, получаемой из спектров резонансного экситонного отражения.

4) При помощи температурных измерений стационарного резонансного рэлеевского рассеяния на наиболее качественной квантовой яме проведено измерение радиационной скорости спонтанного излучения локализованных 2D экситонов. На основе полученных значений, произведена оценка характерных размеров областей локализации 2D экситонов.

5) Зарегистрирован немонотонный ход зависимости уширепия экситоппой линии от интенсивности стационарной резонансной накачки при температуре образца 8kb режиме высокого возбуждения квантовой ямы. Показано, что в этом режиме существенную роль играют процессы дефазировки 2D экситонов, отличные от экситон-экситонного рассеяния, а также от рассеяния экситонов па носителях заряда. Эти процессы имеют гигантские времена установления стационарного режима, лежащие в диапазоне Ю-5 101 с. Обнаружено явление бистабильности сигнала резонансного экситонного отражения. Зарегистрирована температурная аномалия фазовой релаксации экситонов в одиночных GaAs квантовых ямах.

6) Введен универсальный фактор качества для гетсроструктур с одиночными GaAs квантовыми ямами, выражающий меру эффективности работы структуры как резонансного экситонного зеркала.

Результаты данной работы могут быть использованы в научных исследованиях когерентных оптических свойств эпитаксиальпых GaAs/AlGaAs гетеро-структур с одиночными GaAs квантовыми ямами. Описанные в работе методы позволяют изучать процессы фазовой релаксации 2D экситонов в зависимости от широкого класса внешних воздействий на экситонную систему квантовой ямы. Измеренная зависимость скорости радиационной дефазировки свободных экситонов от толщины GaAs квантовой ямы может быть использована в качестве справочного материала. Приведенное в работе понятие фактора качества 2D экситонного зеркала может быть использовано при изучении возможности использования эпитаксиальных GaAs/AlGaAs гетеро-структур в качестве рабочих сред для логических элементов, управляемых оптическим образом.

Работа над диссертацией была поддержана.

1. Международным Техническим Центром (ISTC), проект № 2679;

2. Грантом Российского Фонда Фундаментальных Исследований, проект К0- 07−02−979;

3. Агентством по образованию Российской Федерации, грант № 2.1.1/1792;

4. ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009;2013 годы, грант № 02.740.11.0214;

5. Министерством Образования и Науки Российской Федерации, грант № 2.1.1.362;

6. Грантом российского представителя немецкой компании Carl Zeiss ООО «ОПТЭК» .

Апробация работы.

Результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях:

VI всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике", СПбГПУ, 2004; «VII всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике», СПбГПУ, 2005; «9th Conference on the Optics of Excitons in Confined Systems», University of Southampton, UK, 2005; «The 9th International Workshop on Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors», University of Rostock, Germany, 2008.

Также работа была представлена в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе на «Низкоразмерном семинаре» .

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 4 статьи в рецензируемых журналах. Значительная часть результатов работы изложена в одном учебно-методическом пособии.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из Введения, 5 глав, Заключения и списка цитированной литературы из 67 наименований, содержит 136 страниц машинописного текста, включая 44 рисунка и 1 таблицу.

Основные результаты работы могут быть сформулированы следующим образом.

1. С помощью спектроскопии резонансного экситонного отражения на гетероструктурах с высококачественными одиночными GaAs квантовыми ямами удается зарегистрировать форму спектра поглощения квантовой ямы в районе экситонного резонанса. Спектр поглощения представляет собой отдельные интенсивные узкие линии экситонных резонансов. Фоновое поглощение при этом практически отсутствует.

2. Впервые па серии образцов гетероструктур с высококачественными одиночными GaAs квантовыми ямами измерена зависимость скорости радиационной дефазировки свободных 2D экситонов от толщины квантовой ямы. Установлено, что эта величина, линейно связанная с удельной силой осциллятора 1S-HH экситонного перехода, монотонно растет с уменьшением толщины квантовой ямы в диапазоне 9.1 -f- 30 нм. Это феноменологическое поведение удовлетворяет зависимости Гд ~ полученной теоретически Грундманом и Бимбергом.

3. Впервые экспериментально установлено, что величина скорости радиационной дефазировки свободных 2D экситонов с высокой точностью не зависит от температуры в диапазоне 8 -f- 90 К. С помощью температурных измерений спектров резонансного экситонного отражения произведено разложение полной ширины контура экситонной линии на составляющие: естественную ширину, однородное уширение, вызванное экситон-фононным взаимодействием, и неоднородное уширение. Установлено, что температурная зависимость уширения контура экситонной линии имеет линейный участок при Т < 30 К, связанный с рассеянием экситонов на акустических фононах. Наклон этого участкаТь^ас = 0.89±0.04 мкэВ/К. При Т > 30 К начинает играть роль рассеяние на оптических фононах.

4. Введено понятие фактора качества 2D экситонного зеркала, позволяющее характеризовать ростовое качество одиночных GaAs квантовых ям и производить сравнение образцов гетероструктур между собой. Фактор качества эквивалентен надежно измеряемой величине резонансного коэффициента отражения монохроматического излучения. Эта величина отражает результирующую эффективность процесса переноса когерентности от возбуждающего излучения к экситонам, и обратно, от экситонов к излучению.

5. Впервые с помощью оригинальной автокорреляционной методики с высоким временным разрешением удалось напрямую измерить постоянную времени затухания сигнала свободной экситонной индукции, которая составила 4.3 ±0.1 пс. Результат измерений превосходно согласуется со спектральными данными, полученными при помощи спектроскопии резонансного экситонного отражения.

6. Разработана экспресс-методика характеризации неоднородности оптических резонансных свойств гетероструктур с GaAs квантовыми ямами. Она позволяюет регистрировать пространственно-частотное распределение резонансов, связанных с экситонными переходами в квантовых ямах, по всей площади образца.

7. Впервые с помощью температурных измерений стационарного резонансного рэлеевского рассеяния получена величина скорости спонтанного излучения локализованных экситонов в GaAs квантовых ямах. Значения этой величины, измеренные в двух пространственных точках квантовой ямы толщиной 12 им, имеющих идентичный спектральный отклик в отражении, составили 19 мкэВ и 70 мкэВ с точностью 10%. Полученные значения по порядку величины сравнимы с удвоенной скоростью радиационной дефазировки свободных 2D экситонов (2ГЛ = 91 мкэВ), что говорит об относительно высокой делокализации реальных 2D экситонов. На основе этих значений произведена оценка характерных размеров областей локализации 2D экситонов, которые составили 30 нм и 60 им, соответственно.

8. Впервые зарегистрирована немонотонная зависимость уширения спектрального контура экситонной линии от интенсивности резонансного возбуждения при низких температурах. Причем, повышение интенсивности возбуждения па 5 порядков выше линейного предела не приводит к существенному уменьшению силы осциллятора экситонного перехода. В области тех значений интенсивности накачки, где эта зависимость проявляет немонотонность, спектр резонансного экситонного отражения демонстрирует бистабильное поведение во времени.

9. Установлено, что нерезонансное возбуждение квантовой ямы может приводить к сужению контура экситонной линии в спектре резонансного отражения. Одновременное интенсивное резонансное и перезонансное возбуждение квантовой ямы при низких температурах может приводить к сильному уширению контура экситонной линии. Причем результирующее уширение значительно превосходит суммарное уширение, получаемое при действии тех же возбуждений по отдельности. Сила осциллятора экситонного перехода при этом меняется пе значительно.

10. Впервые зарегистрировано аномальное температурное поведение полной скорости фазовой релаксации 2D экситонов при интенсивном резонансном возбуждении квантовой ямы. С ростом температуры ширина контура экситонной линии сначала падает, а затем выходит на нормальную температурную зависимость, описываемую экситон-фононным взаимодействием. Характер температурного поведения уширения экситонной линии, обусловленного резонансной накачкой, зависит от интенсивности возбуждения. При Т > 80 К уширение экситонной линии, обусловленное резонансной накачкой, перестает быть существенным.

11. Установлено существование процессов дефазировки 2D экситонов, возникающих при интенсивном резонансном возбуждении квантовой ямы при низких температурах, которые имеют гигантские времена установления стационарного режима, лежащие в интервале Ю-5 -Ь 101 с. Предложена гипотеза об образовании в квантовой яме при низких температурах долгоживущих оптически запрещенных триплетных состояний три-онов, на которых происходит эффективное рассеяние 2D экситонов. Это рассеяние существенно ускоряет релаксацию когерентности экситонов в квантовой яме.

Автор благодарит своего научного соруководителя и наставника Владимира Владимировича Овсяпкина, а также официального научного руководителя Ю. В. Чижова за руководство и сотрудничестворостовой отдел лаборатории — В. В. Петрова, Ю. К. Долгих, Ю. П. Ефимова и С. А. Елисеева — за уникальные предоставленные образцыколлег Б. В. Строганова, В. Г. Давыдова и А. В. Хилько — за совместное участие в экспериментахГ. Г. Козлова, И. В. Игнатьева и И. Я. Герловина — за плодотворное обсуждение экспериментальных результатов. Автор отдельно выражает благодарность В. С. Запасскому за проявленное участие и терпение.

Заключение

.

В настоящей работе проведено экспериментальное исследование когерентных оптических свойств экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктурах с высококачественными одиночными GaAs квантовыми ямами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ya. Gerlovin, V. V. Ovsyankin, B. V. Stroganov and V. S. Zapasskii. Coherent transients in semiconductor nanostructures as a basis for optical logical operation. — Nanotecnology, vol. 11, (2000) p.383.
  2. I. Ya. Gerlovin, V. V. Ovsyankin, B. V. Stroganov and V. S. Zapasskii. Nonlinear optical dynamics of semiconductor nanostructures: Feasibility of the photonic quantum gate. — Journal of Luminescence 87−89, (2000) p.421.
  3. M. Fox. Optical Properties of Solids. — Oxford University Press, (2001) p.92.
  4. G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, L. Esaki. Exciton binding energy in quantum wells. — Phys. Rev. В 26, 1974 (1982).
  5. Y. Shinozuka, M. Matsuura. Wannier exciton in quantum wells. — Phys. Rev. В 28, 4878 (1983).
  6. V. Srinivas, J. Hryniewicz, Y. J. Chen, and С. E. C. Wood. Intrinsic linewidths and radiative lifetimes of free excitons in GaAs quantum wells.- Phys. Rev. В 46, 10 193 (1992).
  7. В. Deveaud and F. Clerot, N. Roy, K. Satzke, and B. Sermage, D. S. Katzer. Enhanced radiative recombination of free excitons in GaAs quantum wells.- Phys. Rev. Lett. 67, 2355 (1991).
  8. Ю. К. Долгих, С. А. Елисеев, Ю. П. Ефимов, В. В. Петров. Техника молекулярно-лучевой эпитаксии. — СПб., издательство «СОЛО» (2007).
  9. A. Honold, L. Schultheis, J. Kuhl, С. W. Tu. Collision broadening of two-dimensional excitons in a GaAs single quantum well. — Phys. Rev. В 40, 6442 (1989).
  10. R. C. Miller, D. A. Kleinman, A. C. Gossard, O. Munteanu. Biexcitons in GaAs quantum wells. — Phys. Rev. В 25, 6545 (1982).
  11. К. Brunner, G. Abstreiter, G. Bohm, G. Trankle, and G. Weimann. Sharp-line photoluminescence and two-photon absorption of zero-dimensional biexcitons in a GaAs/AlGaAs structure. — Phys. Rev. Lett. 73, 1138 (1994).
  12. D. Birkedal, J. Singh, V. G. Lyssenko, J. Erland, J. M. Hvam. Binding of Qnasi-Two-Dirnensional Biexcitons. — Phys. Rev. Lett. 76, 672 (1996).
  13. J. G. Tischler, A. S. Bracker, D. Gammon, and D. Park. Fine structure of trions and excitons in single GaAs quantum dots. — Phys. Rev. В 66, 81 310 (2002).
  14. A. J. Shields, J. L. Osborne, M. Y. Simmons, M. Pepper, D. A. Ritchie. Magneto-optical spectroscopy of positively charged excitons in GaAs quantum wells. — Phys. Rev. В 52, R5523 (1995).
  15. G. Finkelstein, H. Shtrikman, I. Bar-Joseph. Negatively and positively charged excitons in GaAs/Al^Gai-^As quantum wells. — Pliys. Rev. В 53, R1709 (1996).
  16. M. Hayne, C. L. Jones, R. Bogaerts, C. Riva, A. Usher, F. M. Peeters, F. Herlach, V. V. Moshchalkov, M. Henini. Photoluminescence of negatively charged excitons in high magnetic fields. — Phys. Rev. В 59, 2927 (1999).
  17. D. Sanvitto, R. A. Hogg, A. J. Shields, D. M. Whittaker, M. Y. Simmons, D. A. Ritchie, M. Pepper. Rapid radiative decay of charged excitons. — Phys. Rev. В 62, R13294 (2000).
  18. О. В. Волков, И. В. Кукушкин, К. фон Клитцинг, К. Эберл. Свободные и локализованные положительно заряженные экситоны в спектре излучения GaAs/AlGaAs квантовых ям. — Письма в ЖЭТФ, том 68, вып. 3, стр. 223 (1998).
  19. I. Ya. Gerlovin, Yu. К. Dolgikh, S. A. Eliseev, and V. V. Ovsyankin, Yu. P. Efimov and V. V. Petrov, I. V. Ignatiev and I. E. Kozin, Y. Masumoto. Fine structure and spin dynamics of excitons in the GaAs/AlxGaixAs. — Phys. Rev. В 65, 35 317 (2001).
  20. S. V. Poltavtsev, V. V. Ovsyankin, and В. V. Stroganov. Coherent resonant scattering and free induction decay of 2D-excitons in GaAs SQW. — Physica Status Solidi © 6, No. 2, p.483 (2009).
  21. V. Savona, W. Langbein. Realistic heterointerface model for excitonic states in growth-interrupted GaAs quantum wells. — Phys. Rev. В 74, 75 311 (2006).
  22. J. Hegarty, M. D. Sturge, C. Weisbuch, A. C. Gossard, and W. Wiegmann. Resonant Rayleigh scattering from an inhomogeneously broadened transition: A new probe of the homogeneous linewidth. — Phys. Rev. Lett. 49, 930 (1982).
  23. W. Langbein, J. M. Hvam, R. Zimmerman. Time-resolved speckle analysis: A new approach to coherence and dephasing of optical excitations in solids. Phys. Rev. Lett. 82, 1040, (1999).
  24. M. Франсон. Оптика спеклов. — Москва, МИР (1980).
  25. J. С. McGillivray and М. S. Feld. Theory of superradiance in an extended, optically thick medium. — Phys. Rev. A 14, 1169 (1976).
  26. Koherscheidt] G. Kocherscheidt, W. Langbein, arid U. Woggon, V. Savona, R. Zimmermann, D. Reuter and A. D. Wieck. Resonant Rayleigh scattering dynamics of excitons in single quantum wells. Phys. Rev. В 68, 85 207 (2003).
  27. К.-С. Je, M. Choi, S.-Y. Yim, J. Sun Ahn, S.-H. Park. Separation of screened Coulomb interaction and phase-space filling in exciton bleaching of multiple quantum wells. Phys. Rev. В 66, 155 312 (2002).
  28. D. R. Wake, H. W. Yoon, J. P. Wolfe, H. Morkoc. Response of excitonic absorption spectra to photoexcited carriers in GaAs quantum wells. — Phys. Rev. В 46, 13 452 (1992).
  29. К. Litvinenko, D. Birkedal, V. G. Lyssenko, J. M. Hvarn. Exciton dynamics in GaAs/AlxGaixAs quantum wells. Phys. Rev. В 59, 10 255 (1999).
  30. N. Peyghambarian, H. M. Gibbs, J. L. Jewell, A. Antonetti, A. Migus, D. Hulin, A. Mysyrowicz. Blue shift of the exciton resonance due to exciton-exciton interactions in a Multiple-Quantum-Well structure. —- Phys. Rev. Lett. 53, 2433 (1984).
  31. S. Hunsche, К. Leo, H. Kurz, K. Kohler. Exciton absorption saturation by phase-space filling: Influence of carrier temperature and density. — Phys. Rev. В 49, 16 565 (1994).
  32. R. Lovenich, С. W. Lai, D. Hagele, D. S. Chemla, W. Schafer. Semiconductor polarization dynamics from the coherent to the incoherent regime: Theory and experiment. Phys. Rev. В 66, 45 306 (2002).
  33. M. G. Benedict and E. D. Trifonov. Coherent reflection as superradiation from the boundary of a resonant medium. — Phys. Rev. A 38, 2854 (1988).
  34. L. C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani. Radiative lifetime of free excitons in quantum wells. — Solid State Comm., vol. 77, No. 9, p.641 (1991).
  35. JI. E. Воробьев, E. JI. Ивченко, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин. Оптические свойства наноструктур. — СПб., Наука, стр. 95 (2001).
  36. R. Brewer and R. Shoemaker. Optical free induction decay. — Phys. Rev. A 6, 2001 (1972).
  37. E. L. Hahn. Nuclear induction due to free larmor precession. — Phys. Rev. 77, 297 (1950).
  38. В. В. Овсяпкин. Отчет по проекту МНТЦ № 2679. СПб. (2007).
  39. D. S. Citrin. Radiative lifetimes of excitons in quantum wells: Localization and phase-coherence effects. — Phys. Rev. В 47, 3832 (1993).
  40. E. Hanamura. Rapid radiative decay and enhanced optical nonlinearity of excitons in a quantum well. — Phys. Rev. В 38, 1228 (1988).
  41. J. Lee, E. S. Koteles, and M. O. Vassell. Luminescence linewidths of excitons in GaAs quantum wells below 150 K. Phys. Rev. В 33, 5512 (1986).
  42. L. Schultheis, A. Honold, J. Kuhl, and K. Kohlcr, C. W. Tu. Optical dephasing of homogeneously broadened two-dimensional exciton transitions in GaAs quantum wells. — Phys. Rev. В 34, 9027 (1986).
  43. С. В. Полтавцев, В. Г. Давыдов. Оптическая методика характеризации гетероструктур с квантовыми ямами. — Сборник тезисов VI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. стр. 51 (2004).
  44. В. Г. Давыдов, В. В. Овсянкин, Г. Г. Козлов, Б. В. Строганов, С. А. Гаврилов, С. В. Полтавцев. Резонансное рассеяние света градиентной квантовой ямой. — Оптика и спектроскопия, 2009, том 107, № 5, стр. 798.
  45. W. Langbein, Е. Runge, V. Savona, R. Zimmermann. Enhanced Resonant Backscattering of Excitons in Disordered Quantum Wells. — Phys. Rev. Lett. 89, 157 401 (2002).
  46. S. Haacke, R. A. Taylor, R. Zimmermann, I. Bar-Joseph, and B. Deveaud. Resonant femtosecond emission from quantum well excitons: The role of Rayleigh scattering and luminescence. — Phys. Rev. Lett. 78, 2228 (1997).
  47. G. R. Hayes, B. Deveaud, V. Savona, S. Haacke. Speckle-averaged resonant Rayleigh scattering from quantum-well excitons. — Phys. Rev. В 62, 6952 (2000).
  48. S. V. Poltavtsev, В. V. Stroganov and V. V. Ovsyankin. Coherent resonant scattering and free induction decay of 2D-excitons in GaAs SQW. — NOEKS-9 Abstracts, p. 107 (2008).
  49. С. В. Полтавцев, В. Г. Давыдов. ПЗС-фотодетектор для оптического спектрометра. — Приборы и техника эксперимента. 2006 г., номер 4, стр. 158.
  50. S. Adachi, Т. Miyashita, S. Takeyama, and Y. Takagi, A. Tackeuchi, M. Nakayama. Polarization choices in exciton-biexciton system of GaAs quantum wells. Phys. Rev. В 55, 1654 (1997).
  51. A. Thilagam. Pauli blocking effects in quantum wells. — Phys. Rev. В 59, 3027 (1999).
  52. P. Смит. Полупроводники. — 2-е издание, Москва, МИР, стр. 392 (1982).
  53. V. G. Davydov, S. V. Poltavtsev, V. V. Ovsyankin, В. V. Stroganov. Temperature anomaly in the polarization relaxation of 2D excitons and droplet-type e-h condensation in GaAs SQWs. — OECS9 and ICSCE2 Abstracts, p.114 (2005).
  54. A. J. Shields, М. Pepper, М. Y. Simmons and D. A. Ritchie. Spin-triplet negatively charged excitons in GaAs quantum wells. — Phys. Rev. В 52, 7841 (1995).
  55. S. Glasberg, G. Finkelstein, H. Shtrikman, and I. Bar-Joseph. Comparative study of the negatively and positively charged excitons in GaAs quantum wells. Phys. Rev. В 59, R10425 (1999).
  56. I. Bar-Joseph. Trions in GaAs quantum wells. — Semicond. Sci. Technol. 20, R29 (2005).
  57. D. Sanvitto, D. M. Whittaker, A. J. Shields, M. Y. Simmons, D. A. Ritchiel, and M. Pepper. Origin of the Oscillator Strength of the Triplet State of a Trion in a Magnetic Field. — Phys. Rev. Lett. 89, 246 805 (2002).
Заполнить форму текущей работой

На отлично!