Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Волнообразные наноструктуры на поверхности кремния, инициируемые ионной бомбардировкой

Диссертация: Волнообразные наноструктуры на поверхности кремния, инициируемые ионной бомбардировкой
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые методом просвечивающей электронной микроскопии определено внутреннее строение индивидуальных волн волнообразной наноструктуры как исходной, так и после высокотемпературных отжигов. Установлена устойчивость процесса образования волнообразного нанорельефа относительно содержания кислорода в камере образца, электронного облучения, содержания водорода в ионном пучке и шероховатости исходной… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Ионно-пучковые методы самоформирования волнообразных наноструктур на поверхности полупроводников
    • 1. 1. Суб-100-нанометровая литография и самоформирование наноструктур на поверхности полупроводников
    • 1. 2. Ионно-пучковые методы самоформирования наноструктур
    • 1. 3. Волнообразный микрорельеф на поверхности арсенида галлия
    • 1. 4. Волнообразный микрорельеф на поверхности кремния
    • 1. 5. Волнообразный микрорельеф в системах (V-Si и N2±S
    • 1. 6. Модельные представления о природе волнообразного микрорельефа, инициируемого ионной бомбардировкой, и задачи исследования
  • Глава 2. Волнообразный рельеф на поверхности кремния, инициируемый ионами Ог и N2+
    • 2. 1. Регистрация стадий образования и дозовые зависимости морфологии и длины волны волнообразного микрорельефа
    • 2. 2. Энергетические, угловые и температурные зависимости глубины образования микрорельефа, взаимосвязь глубины образования и длины волны микрорельефа
    • 2. 3. Угловые, энергетические, дозовые и температурные зависимости морфологии, глубины формирования и длины волны нанорельефа в системе N2+ — S
    • 2. 4. Геометрия и внутреннее строение волнообразной наноструктуры в системе N2+ - S
    • 2. 5. Угловые и энергетические зависимости коэффициента распыления кремния ионами N2+
    • 2. 6. Факторы, влияющие на динамику процесса образования волнообразной наноструктуры в системе N2± S
  • Глава 3. Волнообразная наноструктура в кремнии-на-изоляторе, в аморфном кремнии и перенос волнообразного нанорельефа на поверхность различных материалов
    • 3. 1. Формирование кристаллических кремниевых нанопроволок в структуре кремний-на-изоляторе
    • 3. 2. Волнообразная наноструктура на микроучастке поверхности кремния
    • 3. 3. Морфология волнообразной наноструктуры и динамика ее образования в слоях аморфного кремния различного типа
    • 3. 4. Энергетические и угловые зависимости морфологии, длины волны и глубины формирования волнообразной наноструктуры в аморфном кремнии
    • 3. 5. Перенос волнообразного нанорельефа из слоя аморфного кремния на поверхность различных материалов
  • Глава 4. Модификация геометрии волнообразной наноструктуры
    • 4. 1. Жидкостное травление волнообразной наноструктуры
    • 4. 2. Плазмохимическое травление волнообразной наноструктуры
    • 4. 3. Двухстадийный процессе плазмохимического и жидкостного травления волнообразной наноструктуры
  • Глава 5. Когерентность волнообразных наноструктур
    • 5. 1. Природная когерентность волнообразного нанорельефа в системе N2±GaAs
    • 5. 2. Когерентность волнообразной наноструктуры, индуцированная последовательной бомбардировкой поверхности кремния ионами 02+ и N2+
    • 5. 3. Когерентность волнообразной наноструктуры в системе N2±Si, индуцированная направленной обработкой поверхности кремния
    • 5. 4. Когерентность волнообразной наноструктуры в системе N2±Si, индуцированная движущимся ленточным ионным пучком
  • Глава 6. Природа волнообразной наноструктуры
    • 6. 1. Двухстадийность процесса образования волнообразной наноструктуры
    • 6. 2. Оценка роли диффузии, вязкости и упругих напряжений в образовании волнообразной наноструктуры
    • 6. 3. Модель образования волнообразной наноструктуры
  • Глава 7. Потенциальные применения волнообразной наноструктуры
    • 7. 1. Анализ потенциальных применений волнообразной наноструктуры
    • 7. 2. Поляризатор оптического диапазона на основе решетки металлических нанопроволок
    • 7. 3. МОП-транзистор с периодически легированным каналом
      • 7. 3. 1. Устройство МОП-транзистора с периодически легированным каналом
      • 7. 3. 2. Формирование наномаски
      • 7. 3. 3. Особенности формирования сверхтонких слоев кремния, легированных мышьяком
      • 7. 3. 4. Последовательность технологических операций
      • 7. 3. 5. Электрические характеристики транзистора
  • Выводы
  • Благодарности

Волнообразные наноструктуры на поверхности кремния, инициируемые ионной бомбардировкой (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

В настоящее время интенсивно развиваются нанотехнологии — методы формирования объектов с размерами 10−100 нм. Получение наноразмерных объектов на основе полупроводниковых материалов за счет процессов самоформирования вызывает повышенный научный и практический интерес. Кроме того, кремний является базовым материалом электронной промышленности, однако работы по созданию на его основе наноструктур существенно менее продвинуты по сравнению с соединениями АШВУ. Так, например, к началу настоящей работы в научной печати отсутствовала информация по формированию одиночных кремниевых проволок с поперечным сечением до 10 нм. Очевидно, что в случае массивов квазиодномерных кремниевых структур ситуация еще более проблематична. Создание массивов квазиодномерных наноструктур с поперечным сечением в диапазоне 25−45 нм и с высокой плотностью элементов хотя и доступно современным методам литографии, однако является чрезвычайно дорогостоящим. Зондовая сканирующая микроскопия имеет очень низкую производительность. В настоящее время нет методов высокой производительности для создания плотных массивов линий с шириной 18 нм и менее. Альтернативный вариант решения проблемы создания массивов наноструктур на поверхности полупроводниковых материалов основывается на явлении самоорганизации, т. е. спонтанном формировании наноструктур при определенных условиях воздействия на поверхность.

Поток низкоэнергетических ионов может выступать в качестве фактора такого воздействия, при определенных условиях приводящего к самоформированию на поверхности ряда полупроводников периодической структуры в виде волнообразного микрорельефа с субмикронным значением длины волны. Однако к началу настоящей работы представленные в литературе экспериментальные данные были крайне ограничены и не позволяли судить о степени управляемости процессом образования микрорельефа. Более того, оставался открытым вопрос о существовании волнообразного нанорельефа (ВНР) на кремнии, т. е. о возможности достижения нанометрового масштаба (10−100 нм) периода структуры. Низкоэнергетичные ионные пучки представляются достаточно привлекательным инструментом для нанотехнологии, а задача по созданию с их помощью массивов наноструктур на поверхности кремния за счет процесса самоформирования является новой и актуальной.

Успех решения проблемы определяется степенью управляемости процесса образования ВНР на кремнии. Требуется получение совокупности зависимостей процесса от основных управляющих параметров ионного воздействия: типа ионовэнергииугла бомбардировкитемпературы образца. Только при высокой степени управления процессом формирования периодических наноструктур на кремнии возможна постановка задачи по созданию массивов квазиодномерных структур (кремниевых проволок) на основе материала кремний-на-изоляторе. Одним из принципиальных условий в данном случае должен стать in situ контроль процесса на различных стадиях.

Актуальным является не только изучение условий образования волнообразного микрои нанорельефа, но и детальное исследование таких фундаментальных аспектов взаимодействия с поверхностью кремния низкоэнергетичных химически активных ионов как формирование модифицированного слоя и распыление. Эти процессы играют важную роль в формировании топографии поверхности.

Целью работы является экспериментальное исследование процессов взаимодействия ионов кислорода и азота низких энергий с поверхностью кремния, закономерностей образования волнообразных наноструктур на поверхности кремния и на основании этого создание физических основ нелитографических ионно-пучковых методов формирования приборных наноструктур в виде плотных массивов с управляемым периодом.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Установленные экспериментально закономерности образования волнообразного нанорельефа на поверхности монокристаллического кремния потоками ионов кислорода и азота, включающие энергетические, угловые, температурные и дозовые зависимости морфологии, глубины формирования и длины волны нанорельефа. Область существования волнообразного нанорельефа, инициируемого ионами азота, в координатах (энергия ионов, угол ионной бомбардировки). In situ регистрация стадий образования волнообразного нанорельефа по вторичной электронной и ионно-электронной эмиссии.

2. Результаты исследования внутреннего строения индивидуальных волн волнообразного нанорельефа, инициируемого ионами азота на поверхности монокристаллического кремния, методом просвечивающей электронной микроскопии.

3. Установленные экспериментально закономерности образования волнообразного нанорельефа на поверхности аморфного кремния потоком ионов азота, включающие энергетические и угловые зависимости морфологии, глубины формирования и длины волны нанорельефа. Способ переноса волнообразного нанорельефа из слоя аморфного кремния на поверхность различных подложек.

4. Экспериментальное доказательство устойчивости процесса образования волнообразного нанорельефа на поверхности кремния потоком ионов азота к давлению кислорода в вакуумной камере, электронному облучению, содержанию водорода в ионном потоке и шероховатости исходной поверхности.

5. Формирование на основе волнообразного нанорельефа массивов периодических кремниевых наноструктур с разной геометрией поперечного сечения и способ формирования кристаллических кремниевых нанопроволок в структуре кремний-на-изоляторе на заданном микроучастке поверхности.

6. Способы формирования когерентных волнообразных наноструктур различной степени упорядоченности и принципы аппаратуры для их осуществления.

7. Способ периодического легирования канала МОП-транзистора для увеличения крутизны и тока стока.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней:

1. Впервые разработан нелитографический способ формирования плотных массивов наноструктур различной геометрии, нанопроволок из кристаллического кремния и наномасок из аморфного кремния с управляемым периодом в диапазоне от 25 до 150 им, основанный на процессе самоформирования волнообразной наноструктуры при распылении кремния ионами азота. Данный процесс может быть осуществлен на заданном микроучастке поверхности кремния. Для наномасок из аморфного кремния достигнуты поперечные размеры нанополосок и зазоров между ними равные 18 нм. Разработан способ переноса волнообразного нанорельефа из слоя аморфного кремния в слои других материалов методами ионного распыления, жидкостного или плазмохимического травления.

2. Впервые получены энергетические, угловые, температурные и дозовые зависимости морфологии, глубины формирования и длины волны волнообразного нанорельефа, инициируемого на поверхности монокристаллического и аморфного кремния бомбардировкой ионами азота, и определена область существования волнообразного нанорельефа на монокристаллическом кремнии в координатах (энергия ионов, угол бомбардировки). Установлено влияние на процесс образования волнообразного нанорельефа давления кислорода в камере образца, электронного облучения, содержания водорода в ионном пучке и шероховатости исходной поверхности.

3. Измерены угловые и энергетические зависимости коэффициента распыления кремния ионами азота и угловые зависимости состава поверхности в процессе распыления кремния ионами азота.

4. Впервые методом просвечивающей электронной микроскопии установлено внутреннее строение индивидуальных волн волнообразной наноструктуры.

5. Впервые разработаны способы и принципы аппаратуры для формирования когерентных волнообразных наноструктур различной степени когерентности. Высококогерентные структуры с качеством краев линий превосходящим литографическое формируются в определенных режимах на поверхности кремния леэточным пучком ионов азота. Наноструктуры с повышенной когерентностью относительно исходной формируются при помощи предварительной направленной обработки поверхности кремния.

6. На основе волнообразной наноструктуры разработан нелитографический способ периодического легирования канала МОП-транзистора для увеличения крутизны и тока стока транзистора.

Научно-практическая значимость результатов работы:

— установленные закономерности процесса образования волнообразного нанорельефа на кремнии позволяют с высокой степенью управляемости и воспроизводимости формировать нанорельеф с требуемойгеометрией волны и с заданным периодом в диапазоне от 25 до 150 нм за счет выбора основных параметров процесса — энергии ионов азота, угла бомбардировки и температуры кремния;

— процесс образования волнообразного нанорельефа на кремнии, инициируемый бомбардировкой ионами азота, полностью совместим с технологией производства кремниевых интегральных схем и является устойчивым к наличию кислорода в камере образца, электронному облучению, наличию водорода в ионном потоке и шероховатости исходной поверхности, что позволяет осуществлять данный процесс в установках промышленного уровня;

— плотные массивы кристаллических кремниевых панопроволок с сечением около 10 нм могут являться базовой структурой транзисторов на квантовых проволоках и устройств оптоэлекгроники;

— маски из плотных массивов кремниевых нанополос с шириной в диапазоне от 10 до 75 нм могут применяться для периодического легирования каналов планарных кремниевых МОП-транзисторов для увеличения крутизны и тока стока (при этом тип легированных областей канала совпадает с типом легирования истока и стока) — маски из когерентных массивов нанополос могут применяться для создания объемных МОП-транзисторов с каналами на основе массивов вертикальных пластин или линий, в том числе и на КНИ;

— волнообразный нанорельеф, перенесенный на поверхности стекла или полиимида, может использоваться в качестве ориентирующих подложек для жидких кристаллов в жидкокристаллических экранах;

— плотные массивы ленточных наноострий из кристаллического или аморфного кремния могут применяться в качестве электронных эмиттеров в вакуумных и твердотельных приборах;

— изготовление поляризаторов видимого оптического диапазона, состоящих из плотных когерентных массивов металлических нанопроволок из алюминия или серебра, на основе масок из плотных массивов нанополос кремния позволит повысить качество поляризаторов за счет уменьшения периода массивов до 100 нм.

255 Выводы.

1. Исследованы морфология волнообразного микрои нанорельефа при распылении поверхности монокристаллического кремния потоками ионов кислорода и азота низких энергий, а также динамика образования рельефа посредством in situ регистрации стадий его формирования, основанной на вторично-электронной эмиссии. Из анализа энергетических, угловых и температурных зависимостей глубин образования и периода волнообразного рельефа на монокристаллическом кремнии, формируемого различными типами ионов, сделан вывод о том, что ионы азота являются наиболее технологичным инструментом для наноструктурирования поверхности кремния ионной бомбардировкой.

2. Впервые в широком диапазоне изменения параметров получены энергетические, угловые, температурные и дозовые зависимости морфологии, глубины формирования и длины волны волнообразного нанорельефа, инициируемого бомбардировкой ионами азота, на поверхности монокристаллического и аморфного кремния. Определена область существования волнообразного нанорельефа в координатах (энергия ионов, угол бомбардировки).

3. Впервые методом просвечивающей электронной микроскопии определено внутреннее строение индивидуальных волн волнообразной наноструктуры как исходной, так и после высокотемпературных отжигов. Установлена устойчивость процесса образования волнообразного нанорельефа относительно содержания кислорода в камере образца, электронного облучения, содержания водорода в ионном пучке и шероховатости исходной поверхности. Измерены угловые и энергетические зависимости коэффициента распыления кремния ионами азота и угловые зависимости состава поверхности в процессе распыления кремния ионами азота, на основании которых определен состав противоположных склонов индивидуальных волн и объяснена их геометрия. На склонах волн, обращенных к ионному потоку, формируется фаза аморфного нитрида кремния. Установлена связь длины волны наноструктуры X и глубины модифицированного слоя х, которая является линейной при постоянном угле ионной бомбардировки: X «4т.

4. Впервые на основе волнообразного нанорельефа разработан нелитографический способ формирования плотных планарных массивов протяженных наноструктур с управляемым периодом до 20 нм. В структуре КНИ сформирован плотный массив кристаллических кремниевых нанопроволок. Созданы массивы периодических наноструктур на кристаллическом и аморфном кремнии с различной геометрией поперечного сечения и высоким аспектным отношением посредством плазмохимического и жидкостного травления волнообразной наноструктуры. Для наномасок из аморфного кремния достигнуты поперечные размеры нанолиний и зазоров между ними равные 18 нм.

5. Разработан способ переноса волнообразного нанорельефа из слоя аморфного кремния в слои других материалов методами ионного распыления, жидкостного или плазмохимического травления. Продемонстрировано формирование волнообразного нанорельефа на поверхности подложек из диоксида кремния, полиимида, фианита, стекла, арсенида галлия и ряда металлов посредством его переноса из слоя аморфного кремния в подложки за счет ионного распыления.

6. Впервые разработаны способы и принципы аппаратуры для формирования когерентных волнообразных наноструктур различной степени упорядоченности. Высококогерентные структуры с качеством краев линий превосходящим литографическое формируются в режиме поочередного роста волн ленточным пучком ионов азота, перемещающимся с постоянной скоростью поперек своего протяжения. Ширина ионного пучка W, определяемая по полувысоте распределения интенсивности, связана с длиной волны наноструктуры X соотношением W"20A,. Наноструктуры с повышенной когерентностью относительно исходной формируются при помощи предварительной направленной механической обработки поверхности кремния за счет применения абразивов в режимах, которые не приводят к удалению кремния с поверхности, причем длина волны задается условиями ионного облучения, а не размером частиц абразива.

7. На основании анализа совокупности экспериментальных данных, полученных по волнообразному нанорельефу, предложена модель его формирования на основе вязкоупругой релаксации анизотропных остаточных напряжений в модифицированном слое, вызванных ионной бомбардировкой. Показано, что процесс образования волнообразного нанорельефа носит двухстадийный характер. Длина волны малоамплитудного волнообразного нанорельефа определяется стадией формирования модифицированного слоя при бомбардировке поверхности кремния ионами азота. Дальнейший рост амплитуды рельефа без изменения длины волны и дифференциация состава склонов волн нанорельефа происходят в процессе ионного распыления за счет угловых зависимостей коэффициента распыления.

8. Разработан нелитографический способ периодического легирования канала n-МОП-транзистора для увеличения крутизны и тока стока транзистора. На основе волнообразной наноструктуры была сформирована наномаска из полос аморфного кремния шириной 75 нм, расположенная на слое экранирующего оксида кремния в области канала транзистора. Канал легировался ионами мышьяка As+ с энергией 30 кэВ и дозой ЗхЮ13 см'2. После удаления маски, смены экранирующего оксида на подзатворный и остальных стандартных технологических операций изготовления транзистора с 1-мкм каналом, были выполнены электрические тесты, которые показали 40% улучшение крутизны и тока стока в сравнении со стандартными транзисторами. Имеется значительный резерв улучшения достигнутого результата до 100−150% за счет понижения энергии имплантации и оптимизации режимов отжига.

9. Выполнен анализ широкого спектра потенциальных применений волнообразной наноструктуры. Плотные массивы кристаллических кремниевых нанопроволок с сечением около 10 нм могут являться базовой структурой транзисторов на квантовых проволоках и устройств оптоэлектроники. Волнообразный нанорельеф на поверхности стекла или полиимида может использоваться в качестве ориентирующих подложек для жидких кристаллов в жидкокристаллических экранах. Плотные массивы ленточных наноострий из кристаллического или аморфного кремния могут служить основой электронных эмиттеров в вакуумных и твердотельных приборах. Наномаски из плотных массивов кремниевых полос с шириной в диапазоне от 10 до 75 нм могут применяться для создания объемных МОП-транзисторов с каналами на основе массивов вертикальных пластин, в том числе и на КНИ, а также для изготовления поляризаторов видимого и ультрафиолетового оптических диапазонов из алюминиевых нанопроволок.

Благодарности.

Выражаю искреннюю благодарность научному консультанту, заведующему лабораторией Физики и химии поверхности Института микроэлектроники и информатики РАН д.ф.-м.н., профессору Смирнову В. К. за предложенную тему диссертации и плодотворное сотрудничество.

Благодарю за сотрудничество своих коллег Лепшина П. А., Журавлева И. В., Смирнову Г. Ф., Симакина С. Г., Потапова Е. В., Батракова Г. И. и Амирова И.И.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Seidel P., Canning J., Mackay S., Trybula W. Next Generation Advanced Lithography. Semiconductor Fabtech, 1998, Issue No. 7, Henley Publishing Ltd, pp. 147−172.
  2. К.А., Раков A.B. Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1984, 352 с.
  3. Longo D.M., Benson W.E., Chraska Т., Hull R. Deep submicron microcontact printing on planar and curved substrates utilizing focused ion beam fabricated print heads. Appl. Phys. Lett., 2001, V. 78, No. 7, pp. 981−983.
  4. Mamin H.J., Terris B.D., Fan L.S., Hoen S., Barrett R.C., Rugar D. High-density data storage using proximal probe techniques. IBM J. Res. Dev., 1995, V. 39, No. 6, pp. 681−699.
  5. Chou S.Y., Krauss P.R., Renstrom P.J. Nanoimprint lithography. J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, V. 14, No. 6, pp. 4129−4133.
  6. Chang T.H.P., Thomson M.G.R., Kratschmer E., Kim H.S., Yu M.L., Lee K.Y., Rishton S.A., Hussey B.W., Zolgharnain S. Electron-beam microcolumns for lithography and related applications. J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, V. 14, No. 6, pp. 3774−3781.
  7. Technology Roadmap for Nanoelectronics (First Edition April 1999) European Commission 1ST programme Future and Emerging Technologies Edited by Compano R., Molenkamp L., Paul D.J.
  8. Sematech/International Sematech 1999 Annual Report. Austin, TX: Sematech, 2000,42 p.
  9. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2001 Edition, Lithography. San Jose, CA: Semiconductor Industry Association, 2001, 21 p.
  10. International Sematech 2001 Annual Report. Austin, TX: Sematech, 2002, 23 p.
  11. International Sematech 2002 Corporate Summary. Austin, TX: Sematech, 2003, 32 p.
  12. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2003 Edition, Lithography. San Jose, CA: Semiconductor Industry Association, 2003,20 p.
  13. Guo L.J. Recent progress in nanoimprint technology and its applications. Topical Review. J. Phys. D: Appl. Phys., 2004, V. 37, pp. R123-R141.
  14. Silverman P.J. The Intel Lithography Roadmap. Intel Technology Journal, 2002, V. 06, Issue 02, pp. 55−61.
  15. Bates A.K., Rothschild M., Bloomstein T.M., Fedynyshyn Т.Н., Kunz R.R., Liberman V., Switkes M. Review of technology for 157-nm lithography. IBM J. Res. Dev., 2001, V. 45, No. 5, pp. 605−614.
  16. Liebmann L.W., Mansfield S.M., Wong A.K., Lavin M.A., Leipold W.C., Dunham T.G. TCAD development for lithography resolution enhancement. IBM J. Res. Dev., 2001, V. 45, No. 5, pp. 651−665.
  17. Switkes M., Rothschild M., Kunz R.R., Baek S.-Y., Coles D., Yeung M. Immersion lithography: Beyond the 65nm node with optics. Microlithography World, 2003, V. 12, Issue 2, pp.4−15.
  18. Mizusava N., Uda K., Watanabe Y., Pieczulewski C. Global activities making x-ray lithography a reality for 100 nm production and beyond. Future Fab International 5, London: Technology Publishing Ltd., 1997, pp. 177−185.
  19. Forber R.A., Chen Z.W., Menon R., Grygier R., Mrowka S., Turcu I.C.E., Gaeta C.J., Cassidy K., Smith H.I. Collimated point-source x-ray nanolithography. J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, V. 20, No. 6, pp. 2984−2990.
  20. Bourdillon A.J., Williams G.P., Vladimirsky Y., Boothroyd C.B. Near-field x-ray lithography to 15 nm. Proceedings of the SPIE, 2004, V. 5374, pp. 546−557.
  21. Utsumi T. Low energy electron-beam proximity projection lithography: Discovery of a missing link. J. Vac. Sci. Technol. B, 1999, V. 17, No. 6, pp. 2897−2902.
  22. Yoshida A., Kasahara H., Higuchi A., Nozue H., Endo A., Shimazu N. Performance of beta tool for low-energy electron-beam proximity-projection lithography (LEEPL). Proceedings of the SPIE, 2003, V. 5037, pp. 599−610.
  23. Tennant D.M., Fullowan R., Takemura H., Isobe M., Nakagawa Y. Evaluation of a 100 kV thermal field emission electron-beam nanolithography system. J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, V. 18, No. 6, pp. 3089−3094.
  24. Matsuzaka Т., Soda Y. Electron Beam Lithography System for Nanometer Fabrication. Hitachi Review, 1999, V. 48, No. 6, pp. 340−343.
  25. Pfeiffer H.C., Hartley J. Advanced Mask-Making with a Variable-Shaped Electron Beam. Semiconductor Fabtech, 2001, Issue No. 15, Henley Publishing Ltd, pp. 129−134.
  26. Muray L.P., Spallas J.P., Stebler C., Lee K., Mankos M., Hsu Y., Gmur M., Chang T.H.P. Advances in arranged microcolumn lithography. J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, V. 18, No. 6, pp. 3099−3104.
  27. Muraki M., Gotoh S. New concept for high-throughput multielectron beam direct write system. J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, V. 18, No. 6, pp. 3061−3066.
  28. Ware P. Removing the mask. SPIE’s OEMagazine, 2002, No. 3, pp. 26−27.
  29. Haraguchi Т., Sakazaki Т., Hamaguchi S., Yasuda H. Development of electromagnetic lenses for multielectron beam lithography system. J. Vac. Sci. Technol., 2002, V. 20, No. 6 pp. 2726−2729.
  30. Fantner E.J., Loeschner H. New Tools for Nanotechnology. e&i (Elektrotechnik und Informationstechnik, OVE Verbandszeitschrifl, Vienna, Austria), 2003, V. 120, No. 9, pp. 276−283.
  31. Scott K.L., King T.-J., Lieberman M.A., Leung K.-N. Pattern generators and microcolumns for ion beam lithography. J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, V. 18, No. 6, pp. 3172−3176.
  32. Jiang X., Ji Q., Ji L., Chang A., Leung K.-N. Resolution improvement for a maskless micro-ion beam reduction lithography system. J. Vac. Sci. Technol. B, 2003, V. 21, No. 6, pp. 2724−2727.
  33. Williams J.K., Windt D.L. The Scattering with Angular Limitation in Projection
  34. Electron-Beam Lithography (SCALPEL) System. Jpn. J. Appl. Phys., 1995, V. 34, pp. 6663−6671.
  35. Harriott L.R. SCALPEL: Projection Electron Beam Lithography. Proceedings of the 1999 Particle Accelerator Conference, New York: IEEE, 1999, pp. 595−599.
  36. Pfeiffer H.C., Stickel W. PREVAIL An e-beam stepper with variable axis immersion lenses. — Microelectron. Eng., 1995, V. 27, Issues 1−4, pp. 143−146.
  37. Bjorkholm J.E. EUV Lithography — The Successor to Optical Lithography? Intel Technology Journal, 1998, V. Q3, pp. 1−8.
  38. Gwyn C. EUV Lithography Update. SPIE’s OEMagazine, 2002, No. 6, pp. 22−24.
  39. Mohondro R. Ion Projection Lithography: Life After Optical. Semiconductor Fabtech, 1995, Issue No. 3, Henley Publishing Ltd, pp. 177−183.
  40. Mohondro R. Ions. A Brief History in Time. A Narrative on the History of Lithography and Ion Technology in the Semiconductor Industry A Case for Ion Projection Lithography. — Semiconductor Fabtech, 1996, Issue No. 4, Henley Publishing Ltd, pp. 155−160.
  41. Loeschner H., Fantner E.J., Korntner R., Platzgummer E., Stengl G., Zeininger M., Baglin J.E.E., Berger R., Bruenger W.H., Dietzel A., Baraton M.-I., Merhari L. Ion Projection Direct-Structuring (IPDS) for Nanotechnology Applications. 2003,
  42. Proc. MRS, V. 739, pp. 3−12.
  43. Loeschner H., Buschbeck H., Ecker M., Horner C., Platzgummer E., Stengl G., Zeininger M., Ruchhoeft P., Wolfe J.C. Masked ion beam lithography and direct-structuring on curved surfaces. Proceedings of the SPIE, 2003, V. 5037, pp. 156 161.
  44. Leung K.N., Herz P., Kunkel W.B., Lee Y., Perkins L., Pickard D., Sarstedt M., Weber M., Williams M.D. Multicusp sources for ion beam lithography applications. -J. Vac. Sci. Technol. B, 1995, V. 13, No. 6, pp. 2600−2602.
  45. Lee Y., Leung K.N., Williams M.D., Bruenger W.H., Fallman W., Loschner H., Stengl G. Multicusp ion source for ion projection lithography. Proceedings of the1999 Particle Accelerator Conference, New York: IEEE, 1999, pp. 2575−2577.
  46. Н. Н., Устинов В. М., Щукин В. А., Копьев П. С., Алферов Ж. И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор. ФТП, 1998, т. 32, № 4, с. 385−410.
  47. Akimov A.N., Fedosenko E.V., Neizvestnyi I.G., Shumsky V.N., Suprun S.P., Talochkin A.B. Formation of Self-Organized Quantum Dot Ensembles in Unstrained GaAs/ZnSe/QD Ge/ZnSe Heterosystem. — Phys. Low-Dim. Struct., 2002, No. ½, pp. 191−202.
  48. Liua J.L., Khitun A., Wanga K.L., Borca-Tasciuc Т., Liub W.L., Chen G., Yuc D.P. Growth of Ge quantum dot superlattices for thermoelectric applications. Journal of Crystal Growth, 2001, V. 227−228, pp. 1111−1115.
  49. Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977, 304 с.
  50. Kamins T.I., Williams R.S., Chen Y., Chang Y.L., Chang Y.A. Chemical vapor deposition of Si nanowires nucleated by TiSi2 islands on Si. Appl. Phys. Letters, 200, V. 76, No. 5, pp. 562−564.
  51. Kamins T.I., Williams R.S., Basile D.P. Ti-catalized Si nanowires by chemical vapor deposition: Microscopy and growth mechanisms. J. Appl. Phys., 2001, V. 89, No. 2, pp. 1008−1016.
  52. Chung S.W., Yu J.Y., Heath J.R. Silicon nanowire devices. Appl. Phys. Lett., 2000, V. 76, No. 15, pp. 2068−2070.
  53. Lew K.K., Reuther C., Carim A.H., Redwing J.M. Template-directed vapor-liquid-solid growth of silicon nanowires. J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, V. 21, No. 1, pp. 389−392.
  54. Hiruma K., Yazawa M., Katsuyama Т., Okawa K., Haraguchi K., Koguchi M., Kakibayashi H. Growth and optical properties of nanometer-scale GaAs and InAs whiskers. J. Appl. Phys., 1995, V. 77, No. 2, pp. 447−462.
  55. Duan X., Lieber C.M. General synthesis of compound semiconductor nanowires. -Adv. Mater., 2000, Vol. 12, pp. 298−302.
  56. Samuelson L. Self-forming nanoscale devices. Materials Today, 2003, V. 6, Issue 10, pp. 22−31.
  57. Wu X.C., Song W.H., Huang W.D., Pu M.H., Zhao В., Sun Y. P, Du J.J. Crystalline gallium oxide nanowires: intensive blue light emitters. Chem. Phys. Lett., 2000, No. 328, pp. 5−9.
  58. Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Saito R. Physical properties of Carbon Nanotubes. Imperial College Press, London, 1998,259 p.
  59. Shea H.R., Martel R., Hertel Т., Schmidt Т., Avouris P. Manipulation of Carbon Nanotubes and Properties of Nanotube Field-Effect Transistors and Rings. -Microelectronic Engineering, 1999, V. 46, pp. 101−104.
  60. Collins P.G., Arnold M.S., Avouris P. Engineering Carbon Nanotubes and Nanotube Circuits Using Electrical Breakdown. Science, 2001, V. 292, pp. 706 709.
  61. H. -S. P. Beyond the conventional transistor. IBM J. Res. Dev., 2002, Vol. 46, No. 2/3, pp. 133−168.
  62. Routkevitch D., Tager A.A., Haruyama J., Almawlawi D., Moskovits M., Xu J. M. Nonlitographic Nano-Wire Arrays: Fabrication, Physics and Device Applications. -IEEE Trans. Electron Devices, 1996, V. 43, No. 10, pp. 1646−1657.
  63. John G.C., Singh V.A. Porous Silicon: theoretical studies. Phys. Reports, 1995, V. 263, pp. 93−151.
  64. Fauchet P.M., von Behren J., Herschman K.P., Tsybeskov L., Duttagupta S.P. Porous Silicon Physics and Device Application: A Status Report. Phys. Stat. Sol. (a), 1998, V. 165, No. 3, pp. 3−13.
  65. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous Silicon: a Quantum Structure for Silicon Based Optoelectronics. Surf. Sci. Reports, 2000, V. 38, pp. 1−126.
  66. Shinada Т., Kimura H., Kumura Y., Ohdomari I. Damage and contamination free fabrication of thin Si wires with highly controlled feature size. Appl. Surf. Sci., 1997, No. 117/118, pp. 684−689.
  67. Facsko S., Decorsy Т., Koerdt С., Trappe C., Kurz H., Vogt A., Hartnagel H.L. Formation of Ordered Nanoscale Semiconductor Dots by Ion Sputtering. Science, 1999, V. 285, pp. 1551−1553.
  68. Gago R., Vazquez L., Cuerno R., Valera M., Ballesteros C., Albella J.M. Production of ordered silicon nanocrystals by low energy ion sputtering. Appl. Phys. Lett., 2001, V. 78, No. 21, pp. 3316−3318.
  69. Borsoni G., Gros-Jean M., Korwin-Pawlowski M.L., Laffitte R., Le Roux V., Vallier L. Oxide nanodots and ultrathin layers fabricated on silicon using nonfocused multicharged ion beam. J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, V. 18, No. 6, pp. 3535−3538.
  70. Bhattacharya S.R., Ghose D., Basu D., Karmohapatro S.B. Surface Topography of Ar+ bombarded GaAs (100) at various temperatures. J. Vac. Sci. Technol. A, 1987, V. 5, No. 2, pp. 179−183.
  71. H.A., Сошников И. П. Изучение распыления фосфида, арсенида и антимонида галлия при бомбардировке ионами Аг+ с энергией 2−8 кэВ. ФТТ, 1993, т. 35, с. 2501−2508.
  72. Н.А., Сошников И. П. Распыление полупроводниковых мишеней AlxGaixAs ионами Аг+ с энергией 2−14 кэВ. -ЖТФ, 1997, т. 67, с. 113−117.
  73. Г. А., Реболе JL, Скорупа В., Янков Р. А., Тысченко И. Е., Фреб X., Беме Т., Лео К. Коротковолновая фотолюминесценция слоев Si02, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Аг+. ФТП, 1988, т. 32, № 4, с. 439−444.
  74. Г. А., Тысченко И. Е., Скорупа В., Янков Р. А., Журавлев К. С., Поздников Н. А., Володин В. А., Гутаковский А. К., Лейер А.Ф.
  75. Фотолюминесценции слоев SiC>2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме. ФТП, 1997, т. 31, № 6, с. 730−734.
  76. Rusponi S., Boragno C., Valbusa V. Ripple Structure on Metal Surfaces Induced by Ion Sputtering. -Phys. Low-Dim. Struct., 1998, V. 11/12, pp. 55−64.
  77. Rusponi S., Costantini G., de Mongeot F.B., Boragno C., Valbusa V. Pattering a surface on the nanometric scale by ion sputtering. Appl. Phys. Lett., 1999, V. 75, No. 21, pp. 3318−3320.
  78. Lewis G.W., Nobes M.J., Carter G., Whitton J.L. The mechanisms of etch pit and ripple structure formation on ion bombarded Si and other amorphous solids. Nucl. Instrum. Methods, 1980, No. 170, pp. 363−369.r
  79. Navez M., Sella G., Chaperot D. Etude de l’attaque du verre par bombardement ionique. Compt. Rend. Acad. Sci. Paris, 1962, V. 254, pp. 240−244.
  80. Carter G., Nobes M.J., Whitton J.L., Tanovic L., Williams J.S. Experimental and theoretical studies of bombardment induced surface morphology changes. Proc. VII Intern. Conf. on Atomic collisions in solids, Moscow, 1977, pp. 178−182.
  81. Duncan S., Smith R., Sykes D.E., Walls J.M. Surface morphology of Si (100), GaAs (100) and InP (100) following 02+ and Cs+ ion bombardment. Vacuum, 1984, V. 34, No. 1−2, pp. 145−151.
  82. Stevie F.A., Kahora P.M., Simons D.S., Chi P. Secondary ion yield changes in Si and GaAs due to topography changes during 02+ or Cs+ ion bombardment. J. Vac. Sci. Technol. A, 1988, V. 4, pp. 76−80.
  83. Gildenblat G., Heath B. A., Katz W. Interface states induced in silicon by tungsten as a result of reactive ion beam etching. J. Appl. Phys., 1983, Vol. 54, pp. 18 551 859.
  84. Karen A., Okuno K., Soeda F., Ishitani A. A study of the secondary- ion yield change on the GaAs surface caused by the 02+ ion- beam- induced rippling. J. Vac. Sci. Technol. A, 1991, V. 9, № 4, pp. 2247−2252.
  85. Cirlin E.H., Vajo J.J. SIMS with sample rotation. Proc. of the 8-th Intern. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VIII / Eds. Benninghoven A. et al., Chichester: Wiley, 1992, pp. 347−350.
  86. Elst K., Vandervorst W., Adams F., Tian C. Material and Temperature Dependence of the Ripple Formation. Abstracts book of the Eighth International Conference. National Physical Laboratory, England, Liverpool, 1994, p. 50.
  87. Hatada M., Karen A., Nakagawa Y., Saeda M., Uchida M., Okuno K., Soeda F., Ishitani A. Suppression of the ion yield change in GaAs by sample rotation during SIMS measurement. Proc. of the 8-th Intern. Conf. on Secondary Ion Mass
  88. Spectrometry. SIMS VIII / Eds. Benninghoven A. et al., Chichester: Wiley, 1992, pp. 351−354.
  89. Carter G., Vishnyakov V. Ne+ and Ar+ Ion Bombardment induced Topography on Si. Surf. Interface Anal., 1995, V. 23, pp. 514−520.
  90. Vishnyakov V., Carter G., Goddard D.T., Nobes M.J. Topography development on selected inert gas and self-ion bombarded Si. Vacuum, 1995, V. 46, No. 7, pp. 637−643.
  91. Carter G., Vishnyakov V., Martynenko Yu.V., Nobes M.J. The effects of ion species and target temperature on topography development on ion bombarded Si. -J. Appl. Phys., 1995, V. 78, No. 6, pp. 3559−3565.
  92. Carter G., Vishnyakov V., Nobes M. J. Ripple topography development on ion bombarded Si. -Nucl. Instrum. Methods B, 1996, V. 115, pp. 440−445.
  93. Wittmaack K. Effect of surface roughening on secondary ion yields and erosion rates of silicon subject to oblique oxygen bombardment. J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, V. 8, No. 3, pp. 2246−2250.
  94. Elst K. The analysis of Si-based structures with secondary ion mass spectrometry. Physical aspects related to the use of oxygen bombardment. Ph.D. thesis, Antwerpen, Belgium, September 1993,273 p.
  95. Elst K., Vandervorst W. Influence of the composition of the altered layer on the ripple formation. J. Vac. Sci. Technol A., 1994, V. 12, No. 6, pp. 3205−3216.
  96. В. К., Курбатов Д. А., Потапов Е. В. Исследование взаимодействия пучков ионов азота и кислорода с поверхностью кремния. Известия РАН, Сер. физич., 1992, т. 56, № 3. с. 71−76.
  97. Alay J.L., Vandervorst W. XPS Analysis of Ion-beam-induced Oxidation of Substrates. Surf. Interface Anal., 1992, No. 19, pp. 313−317.
  98. Beyer G.P., Patel S.B., Kilner J.A. A SIMS study of the altered layer in Si using1. Я02 primaries at various angles of incidence. Nucl. Instrum. Methods B, 1994, V. 85, pp. 370−373.
  99. Vajo J.J., Doty R.E., Cirlin E.H. Influence of 02+ energy, flux and fluence on the formation and growth of sputtering- induced ripple topography on silicon. J. Vac. Sci. Technol. A, 1996, V. 14, No. 5, pp. 2709−2720.
  100. B.K., Курбатов Д. А., Потапов E.B., Жохов А. В. Локализованные по глубине изменения вторично-ионной эмиссии кремния при бомбардировке поверхности ионами N2+. Поверхность, 1993, № 10, с. 65−73.
  101. В.К., Симакин С. Г., Макаров В. В., Потапов Е. В. Послойный анализ сверхтонких слоев легирования Ge в кремнии методом вторично-ионной масс-спекгрометрии. Микроэлектроника, 1994, т. 23, вып. 5, с. 61−69.
  102. В.К., Потапов Е. В., Симакин С. Г., Макаров В. В. Разрешение по глубине при послойном анализе 8-легированного кремния методом вторично-ионной масс-спекгрометрии. Труды ФТИАН, 1995, № 9, с. 19−25.
  103. Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.V., Makarov V.V. SIMS Depth Profiling of Delta Doped Layers in Silicon. Surf. Interface Anal., 1996, V. 7, pp. 469−475.
  104. Hajdu С., Paszti F., Lovas I., Freid M. Stress model for the wrinkling of ion-implanted layers. Phys. Rev. B, 1990, V. 41, No. 7, pp. 3920−3922.
  105. Freid M., Pogany L., Manuaba A., Paszti F., Hajdu C. Experimental verification of the stress model for the wrinkling of ion-implanted layers. Phys. Rev. B, 1990, V. 41, No. 7, pp. 3923−3927.
  106. Paszti F., Fried M., Pogany L., Manuaba A., Mezey G., Kotal E., Lovas I., Lohner Т., Pocs L. Flaking and wave-like structure on metallic glasses induced by MeV-Energy helium ions. -Nucl. Instrum. Methods, 1983, V. 209−210, pp. 273−280.
  107. Gutzmann A., Klaumiinzer S., Meier P. Ion-Beam-Induced Surface Instability of Glassy Fe4oNi4oB2o. Phys. Rev. Lett., 1995, V. 74, No. 12, pp. 2256−2259.
  108. Trinkaus H., Ryazanov A.I. Viscoelastic Model for the Plastic Flow of Amorphous Solids under Energetic Ion Bombardment. Phys. Rev. Lett., 1995, V. 74, No. 25, pp. 5072−5075.
  109. Trinkaus H. Local stress relaxation in thermal spikes as a possible cause for creep and macroscopic stress relaxation of amorphous solids under irradiation. J. Nucl. Mater., 1995, V. 223, pp. 196−201.
  110. Volkert C.A. Stress and plastic flow in silicon during amorphization by ion bombardment.-J. Appl. Phys., 1991, V. 70, No. 7, pp. 3521−3527.
  111. Volkert C.A. Density changes and viscous flow during structural relaxation of amorphous silicon. J. Appl. Phys., 1993, V. 74, No. 12, pp. 7107−7113.
  112. Witvrouw A., Spaepen F. Viscosity and elastic constants of amorphous Si and Ge. -J. Appl. Phys., 1993, V. 74, No. 12, pp. 7154−7161.
  113. Snoeks E., Polman A., Volkert C. A. Densification, anisotropic deformation, and plastic flow of Si02 during MeV heavy ion irradiation. Appl. Phys. Lett., 1994, V. 65, No. 19, pp. 2487−2489.
  114. Snoeks E., Weber Т., Caeeiato A., Polman A. MeV ion irradiation-induced creation and relaxation of mechanical stress in silica. J. Appl. Phys., 1995, V. 78, No. 7, pp. 4723−4732.
  115. Л.Д., Лифшиц E.M. Теоретическая физика. В 10-ти т. Т. VII. Теория упругости. М.: Наука, 1987, 248 с.
  116. П. Распыление ионной бомбардировкой, общие теоретические представления. В кн. «Распыление твердых тел ионной бомбардировкой» / Под ред. Р. Бериша, М.: Мир, 1984, с. 23−98.
  117. Sigmund P. A mechanism of surface micro-roughening by ion bombardment. J. Mater. Sci., 1973, V. 8, pp. 1545−1553.
  118. Bradley R. M., Harper J. M. Theory of ripple topography induced by ion bombardment. J. Vac. Sci. Technol. A, 1988, V. 6, No. 4, pp. 2390−2395.
  119. Mayer T.M., Chason E., Howard A.J. Roughening instability and ion-induced viscous relaxation of Si02 surfaces. J. Appl. Phys., 1994, V. 76, No. 3, pp. 16 331 643.
  120. Chason E., Mayer T.M., Kellerman B.K., Mcllroy D.T., Howard A.J. Roughening Instability and Evolution of the Ge (001) Surface during Ion Sputtering. Phys. Rev. Lett., 1994, V. 72, No. 19, pp. 3040−3043.
  121. B.M. Роль распыления и перераспыления в самоорганизации волнового рельефа при ионной бомбардировке. Поверхность, 1990, № 1, с. 102−107.
  122. В.М. Движение волн регулярного рельефа, генерируемого на поверхности твердого тела, при ионной бомбардировке. Поверхность, 1990, № 6, с. 20−24.
  123. В.М. Моделирование распыления рельефной поверхности ионами аргона. Поверхность, 1992, № 10−11, с. 14−20.
  124. В.М. Генерация волнового рельефа в результате перемещения атомов поверхности, возбужденных при ионной бомбардировке. Известия АН, сер. физическая, 1992, № 6, с. 22−29.
  125. Методы анализа поверхности: Пер. с англ. / Под ред. А. Зандерны. М.: Мир, 1979, 582 с.
  126. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ.-М.: Мир, 1989, 564 с.
  127. Bachurin V.I., Lepshin P.A., Smirnov V.K. Angular dependences of surface composition, sputtering and ripple formation on silicon under N2+ ion bombardment. Vacuum, 2000, V. 56, pp. 241−245.
  128. Alkemade P.F., Jiang Z.X. Complex roughening of Si under oblique bombardment by low-energy oxygen ions. J. Vac. Sci. Technol. B, 2001, V. 19, No 5, pp. 1699−1705.
  129. Homma Y., Takano A., Higashi Y. Oxygen-ion-induced ripple formation on silicon evidence for phase separation and tentative model. Appl. Surf. Sci., 2003, V. 203 204, pp.35−38.
  130. Datta D., Bhattacharyya S.R., Chini Т.К., Sanyal M.K. Evolution of surface morphology of ion sputtered GaAs (100). Nucl. Instrum. Methods B, 2002, V. 193, pp. 596−602.
  131. К.Ш., Переверзев Е. Ю. Температурные изменения в профилях концентрации азота, имплантированного в Be, Si, Fe, Nb. Поверхность, 1992, № 1, c. l 15−121.
  132. Kim К. J., Moon D. W., Jung K.-H. Mechanism of Facet Formation on Ni Surface by Oxygen Ion Sputtering. Proc. of the 11-th Intern. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS XI / Eds. G. Gillen et al., Chichester: Wiley, 1998, pp. 419−422.
  133. К.Ш., Переверзев Е. Ю. Пробеги ионов азота низкой энергии в кремнии. Поверхность, 1990, № 5, с. 57−60.
  134. Shimizu R. Quantitative Analysis by Auger Electron Spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys., 1983, V. 22, No. 11, pp. 1631−1642.
  135. Markwitz A., Baumann H., Grill W., Knop A., Krimmel E.F., Bethge K. Investigations of ultrathin silicon nitride layers produced by low-energy ion implantation and EB-RTA. Nucl. Instrum. Methods B, 1994, V. 89, pp. 362−368.
  136. De Coster W., Brijs В., Alay J., Vandervorst W. RBS, AES and XPS analysis of ion beam induced nitridation of Si and SiGe alloys. Vacuum, 1994, V. 45, No. 4, pp. 389−395.
  137. Petravic M., Williams J.S., Svensson B.G., Conway M. Ion beam induced nitridation and oxidation of silicon. Proc. of the 11-th Intern. Conf. on Secondary1. n Mass Spectrometry. SIMS XI / Eds. G. Gillen et al., Chichester: Wiley, 1998, pp. 331−334.
  138. Pan J.S., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Tan H.S., Tan K.L. AES analysis of silicon nitride formation by 10 keV N* and N2+ ion implantation. Vacuum, 1996, Pan. 47, No. 12, pp. 1495−1499.
  139. Pan J.S., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Tan H.S., Tan K.L. AES analysis of nitridation of Si (100) by 2−10 keV N2+ ion beams. Appl. Surf. Sci., 1997, V. 115, pp. 166 173.
  140. К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений.-М.: Мир, 1966, 411 с.
  141. Stein Н. J. Nitrogen in crystalline Si. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986, V. 59, pp. 523−535.
  142. Luckovsky G., Yang J., Chao S. S., Tyler J. E., Crubyty W. Nitrogen-bonding environments in glow-discharge deposited a-SiH films. Phys. Rev. B, 1983, V. 28, No. 6, pp. 3234−3240.
  143. Ю. H., Уханов 10. И. Колебательные спектры нитрида кремния. -Оптика и спектр., 1975, т. 38, с. 727−730.
  144. В.И., Лепшин П. А., Смирнов В. К., Чурилов А. Б. Инфракрасная спектроскопия поверхности кремния, подвергнутого бомбардировке ионами азота. Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, № 6, с. 18−23.
  145. В.И., Лепшин П. А., Смирнов В. К., Чурилов А. Б. Исследования процесса формирования нитрида кремния при бомбардировке поверхности ионами азота. Известия РАН, Сер. физич., 1998, т. 62, № 24, с. 703−709.
  146. Bachurin V.I., Churilov А.В., Potapov E.V., Smirnov V.K., Makarov V.V., Danilin A.B. Formation of thin silicon nitride layers on Si by low energy N2+ ion bombardment. -Nucl. Instrum. Methods B, 1999, V. 147, pp. 316−319.
  147. С. П., Реутов В. Ф., Сигле В. О., Чакров П. В. Исследование методом просвечивающей электронной микроскопии дефектной структуры кремния вдоль пробега низкоэнергетических ионов азота. Поверхность, 1992, № 1, с. 48−55.
  148. Walkup R.E., Rainder S.I. In situ measurements of SiO (g) production during dry oxidation of crystalline silicon. Appl. Phys. Lett., 1988, V. 53, No. 10, pp. 888 890.
  149. В. И., Лепшин П. А., Смирнов В. К. Угловые зависимости распыления кремния ионами азота. Материалы XIV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью», МАИ, Москва, 1999, т. 1, с. 62−65.
  150. Veisfeld N., Geller J. D. Ion sputtering yields measurements for submicrometer thin films.-J. Vac. Sci. Technol. A, 1988, V. 6, pp. 2077−2081.
  151. Wittmaack K., Poker D. B. Interface broadening in sputtering depth profiling through alternating layers of isotopically purified silicon. 1. Experimental results. -Nucl. Instrum. Methods B, 1990, V. 47, pp. 224−235.
  152. Wittmaack K. The effect of the angle of incidence on secondary ion yields of oxygen bombarded solids. — Nucl. Instrum. Methods, 1983, V. 218, pp. 307−311.
  153. Homma Y., Maruo T. Comparison of Beam induced Profile Broadening Effects of Galium and Copper in Oxygen — Bombarded Silicon. — Surf. Interface Anal., 1989, V. 14, pp. 725−729.
  154. Bischoff L., Teicchert J. Focused Ion Beam Sputtering of Silicon and Related Materials. Manuscript FZR-217, Foschungszentrum, Rossendorf, 1998, 36 p.
  155. Sigmund P. Collision theory of displacement damage, ion range and sputtering. -Rev. Roum. Phys., 1972, V. 17, No. 7−9, pp. 823−1105.
  156. Reuter W. A SIMS-XPS study on silicon and germanium under О г bombardment. -Nucl. Instrum. Methods B, 1986, V. 15, pp. 173−175.
  157. В.И., Васильева JI.Jl., Гриценко B.A., Гинковер А. С., Репинский С. М., Синица С. П., Смирнова Т. П., Эдельман Ф. Л. Нитрид кремния в электронике. -Новосибирск, Наука, 1981, 200 с.
  158. Sander P., Kaiser U., Jede R., Lipinsky D., Gnschow O., Benninghoven A. Secondary ion and neutral formation from oxygen loaded Si (100). J. Vac. Sci. Technol. A, 1985, V. 3, pp. 1946−1954.
  159. Warmoltz N., Werner H. W., Morgan A. E. The dependence of the angle of incidence of the steady state sputter yield of silicon bombarded by oxygen ions. -Surf. Interf. Anal., 1980, V. 2, pp. 46−52.
  160. X., Бай X. Измерения коэффициента распыления. В кн. «Распыление твердых тел ионной бомбардировкой» / Под ред. Р. Бериша, М.: Мир, 1984, с. 194−280.
  161. Carter G., Nobes М. J. Probabilistic and deterministic approaches to surface contour evolution during sputtering. Vacuum, 1994, V. 45, No. 5, pp. 539−546.
  162. В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М.: Наука, 1985, 200 с.
  163. С.А., Кибалов Д. С., Лепшин П. А., Смирнов В. К. Влияние температуры на структуру поверхности при воздействии ионных пучков.
  164. Тез. докл. VI Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела», МГИЭМ, Москва, 1996, с. 105−106.
  165. В.К., Кривелевич С. А., Лепшин П. А., Кибалов Д. С. Морфология поверхности при бомбардировке кремния ионами азота. Труды VII Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела» под ред. Бондаренко Г. Г., МГИЭМ, Москва, 1997, с. 59−61.
  166. В.В., Кибалов Д. С., Смирнов В. К. Ионно-пучковая технология самоформирования массивов нанолиний на кремнии. Тез. докл. Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и Наноэлекгроника-2001″ МНЭ-2001, ФТИАН, Москва, 2001, Р 2−18.
  167. Smirnov V.K., Kibalov D.S. Ion beam technology of silicon nanowire arrays. 3rd Euroconference on Nanoscience for nanotechnology, Somerville College, Oxford, United Kingdom, 2000, p. 43.
  168. В.К., Кривелевич С. А., Кибалов Д. С., Лепшин П. А. Способ формирования твердотельных наноструктур. Патент РФ № 2 141 699, МПК, НО 1L21/265, Опубл. 20.11.1999, Бюл. № 32.
  169. В.К., Кривелевич С. А., Кибалов Д. С., Лепшин П. А. Полупроводниковый прибор на базе наноструктуры. Патент РФ № 98 106 151, МПК H01L29/06, Опубл. 10.02.2000, Бюл. № 4.
  170. В.К., Кибалов Д. С. Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств. -Патент РФ № 2 173 003, МПК H01L21/265, В82В1/00, Опубл. 27.08.2001, Бюл. № 24.
  171. В.К., Кибалов Д. С. Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками. Патент РФ № 2 164 718. МПК H01L21/265, H01J37/30, Опубл. 27.03.2001, Бюл. № 9.
  172. В.К., Кривелевич С. А., Кибалов Д. С., Лепшин П. А. Структурирование поверхности кремния ионными пучками. Труды ФТИАН, 1997, т. 12, с. 62−85.
  173. С.А., Кибалов Д. С., Лепшин П. А., Смирнов В. К. Влияние температуры на структуру поверхности при воздействии ионных пучков. -Физика и химия обработки материалов, 1998, № 2, с. 27−32.
  174. В.К., Лепшин П. А., Кривелевич С. А., Кибалов Д. С. Зависимость процесса рельефообразования при бомбардировке кремния ионами азота от энергии и угла бомбардировки. Неорганические материалы, 1998, т. 34, № 11, с. 1081−1084.
  175. Smirnov V.K., Kibalov D.S., Krivelevich S.A., Lepshin P.A., Potapov E.V., Yankov R.A., Skorupa W., Makarov V.V., Danilin A.B. Wave-ordered structures formed on SOI wafers by reactive ion beams. Nucl. Instrum. Methods B, 1999, v. 147, p. 310−315.
  176. B.K., Кибалов Д. С., Лепшин П. А., Бачурин В. И. Влияние топографических неоднородностей на процесс образования волнообразного микрорельефа на поверхности кремния. Известия РАН. Серия физическая, 2000, т. 64, № 4, с. 626−630.
  177. И.В., Смирнова Г. Ф., Кибалов Д. С., Смирнов В. К. Зависимость морфологии волнообразного нанорельефа на кремнии от угла бомбардировки поверхности ионами азота. Поверхность, 2002, № 10, с. 100−104.
  178. Colinge J.P., Baie X., Bayot V., Grivei E. A silicon-on-insulator quantum wire. -Solid-State Electron., 1996, V. 39, No. 1, pp. 49−51.
  179. Leobandung E., Guo L., Wang Y., Chou S.Y. Observation of quantum effects and Coulomb blockade in silicon quantum-dot transistors at temperature over 100 K. -Appl. Phys. Lett., 1995, V. 67, No. 7, pp. 938−940.
  180. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ./ Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1986,404 с.
  181. В.Ф., Наумов В. В., Трушин О. С., Горячев А. А., Маковийчук М. И. Исследования процессов роста многослойных структур Si/YSZ/Si. Труды ФТИАН, 1995, т. 9, с. 25−30.
  182. Budaguan B.G., Sherchenkov А.А., Stryahilev D.A., Sazonov A.Y., Radoselsky
  183. A.G., Chernomordic V.D., Popov A.A., Metselaar J.W. Amorphous Hydrogenated Silicon Films for Solar Cell Application Obtained with 55 kHz Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. J. Electrochem. Soc., 1998, V. 145, pp. 2508−2512.
  184. A.E., Будагян Б. Г., Попов A.A., Черномордик В. Д. Особенности осаждения легированного a-Si:H в низкочастотном тлеющем разряде. -Материалы X международного симпозиума „Тонкие пленки в электронике“, Ярославль, 1999, Ч. 2, с.308−314.
  185. Д.С., Журавлев И. В., Смирнова Г. Ф., Проказников А.В., Смирнов
  186. B.К. Волнообразный микрорельеф на аморфном кремнии, инициируемый пучком ионов азота. Труды XII Международного совещания „Радиационная физика твердого тела“ под ред. Бондаренко Г. Г., МГИЭМ, Москва, 2002, с. 431−434.
  187. В.К., Кибалов Д. С. Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок. Патент РФ № 2 204 179. МПК H01L21/265, Опубл. 10.05.2003, Бюл. № 13.
  188. И.В., Кибалов Д. С., Смирнова Г. Ф., Смирнов В. К. Формирование волнообразных наноструктур на пленках аморфного кремния распылением ионами азота. Письма в ЖТФ, 2003, т. 29, № 22, с. 58−62.
  189. Д.С., Журавлев И. В., Лепшин П. А., Смирнов В. К. Перенос волнообразного нанорельефа на поверхность различных материалов. Письма в ЖТФ, 2003, т. 29, № 22, с. 63−67.
  190. Matsuura Т., Sugiyama Т., Mirota J. Atomic-layer surface reaction of chlorine on Si and Ge assisted by an ultraclean ECR plasma. Surf. Sci., 1998, V. 402−404, pp. 202−205.
  191. И.И., Федоров В. А. Анизотропное травление субмикронных структур в резисте в кислородсодержащей плазме ВЧ индукционного разряда. -Микроэлектроника, 2000, т. 29, № 1, с. 32−41.
  192. И.И., Изюмов М. О. Ионно-инициированное травление полимерных пленок в кислородсодержащей плазме высокочастотного индукционного разряда. Химия высоких энергий, 1999, т. 33, № 2, с. 160−164.
  193. Amirov I.I., Zhuravlev I.V., Kibalov D.S., Lepshin P.A., Smirnov V.K. Plasmachemical etching of wave-ordered structure formed on amorphous silicon surface by nitrogen ion bombardment. Physics of Low-Dimensional Structures, 2003, Vol. 9/10, pp. 51−58.
  194. Luo J., Dornfeld D.A. Material Removal Mechanism in Chemical Mechanical Polishing: Theory and Modeling. IEEE Trans, on Semiconductor Manufacturing, 2001, V. 14, No. 2, pp. 112−133.
  195. Ни T.-C., Twu J.-C. Linear chemical mechanical polishing apparatus equipped with programmable pneumatic support platen and method of using. Patent Application US2002/142 704, 2002.
  196. Farrar P.A. Chemical mechanical polishing system and process. Patent Application US2003/45 206, 2003.
  197. Lee Y., Gought R.A., King T.J., Ji Q., Leung K.-N., McGill R.A., Ngo V.V., Williams M.D., Zahir N. Maskless ion beam lithography system. Microelectronic Engineering, 1999, V. 46, pp. 469−472.
  198. Leung K.-N., Lee Y.-H. Y., Ngo V., Zahir N. Plasma formed ion beam projection lithography system. Patent US6486480, 2002.
  199. B.K., Кибалов Д. С. Установка для формирования рисунка на поверхности пластин. Патент РФ № 2 181 085. МПК B44D5/00, В41М1/28, Опубл. 10.04.2002, Бюл. № 10.
  200. В.К., Кибалов Д. С. Способ формирования рисунка на поверхности пластины. Патент РФ № 2 181 086. МПК B44D5/00, В41М1/28, Опубл. 10.04.2002, Бюл. № 10.
  201. В.К., Кибалов Д. С. Установка для формирования рисунка на поверхности пластин. Патент РФ № 2 180 885. МПК B44D5/00, В41М1/28, Опубл. 27.03.2002, Бюл. № 9.
  202. В.К., Кибалов Д. С. Способ формирования упорядоченных волнообразных наноструктур (варианты). Патент РФ № 2 240 280. МПК H01L21/306, Опубл. 20.11.2004, Бюл. № 32.
  203. С.А., Смирнов В. К., Лепшин П. А. Механизм структурирования поверхности полупроводниковых материалов ионными пучками с учетом химической активности ионов. Микроэлектроника, 1998, т. 27, № 3, с. 223−228.
  204. Makeev М.А., Cuerno R., Barabasi A.-L. Morphology of ion-sputtered surfaces. -Nucl. Instrum. Methods B, 2002, v. 197, pp. 185−227.
  205. Rudy A.S., Smirnov V.K. Hydrodynamic model of wave-ordered structures formed by ion bombardment of solids. Nucl. Instrum. Methods B, 1999, V. 159, pp.52−59.
  206. Shchukin V.A., Bimberg D. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces. Rev. Mod. Phys., V. 71, No. 4, pp. 1125−1171.
  207. Kahn Н., Heuer А.Н., Jacobs S.J. Materials issues in MEMS. Materials Today, 1999, V. 2, pp. 3−7.
  208. Kim D.H., Sung S.K., Kim K.R., Lee J.D., Park B.G. Fabrication of single-electron tunneling transistors with an electrically formed Coulomb island in a silicon-on-insulator nanowire. J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, V. 20, pp. 1410−1418.
  209. Chung K.H., Sung S.K., Kim D.H., Choi W.Y., Lee C.A., Lee J.D., Park B.G. Nanoscale multi-line patterning using sidewall structure. Jpn. J. Appl. Phys. B, 2002, V. 41, pp. 4410−4414.
  210. Choi Y.K., Lindert N., Xuan P., Tang S., Ha D., Anderson E., King T.J., Bokor J., Ни C. Sub-20 nm CMOS FinFET technologies. International Electron Devices Meeting (IEDM) Technical Digest, 2001, pp. 421−424.
  211. O.B., Антонова И. В., Попов В. П., Настаушев Ю. В., Гаврилова Т. А., Литвин Л. В., Асеев А. Л. Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации. ФТП, 2003, т. 37, № 10, с. 101−107.
  212. Fujii Н., Kanemaru S., Matsukawa Т., Iton J. Electrical characteristics of air-bridge-structure silicon nanowire fabricated by micromachining a silicon-on-insulator substrate. Jpn. J. Appl. Phys., 1999. V. 38, pp. 7237−7240.
  213. Kim Y.B., Olin H» Park S.Y., Choi J.W., Komitov L., Matuszczyk M., Lagerwall S.T. Rubbed polyimide films studied by scanning force microscopy. Appl. Phys. Lett., 1995, V. 66, pp. 2218−2219.
  214. Stohr J., Samant M.G., Liining J., Callegari A.C., Chaudhari P., Doule J.P., Lacey J.A., Lien S.A., Purushothaman S., Speidell J.L. Liquid crystal alignment on carbonaceous surface with orientational order. Science, 2001, V. 292, pp. 22 992 302.
  215. Chaudhari P., Lacey J.A., Lien S.-C.A., Farrell C.E. Atomic beam alignment of liquid crystals. Patent US5770826, 1998.
  216. Melosh N.A., Boukai A., Diana F., Gerardot В., Badolato A., Petroff P.M., Heath J.R., Ultrahigh-density nanowire lattices and circuits. Science, 2001, V. 300, pp. 112−115.
  217. Morales A.M., Lieber C.M. A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires. Science, 1998, V. 279, pp. 208−211.
  218. Shi W. S., Zheng Y.F., Wang N., Lee C.S., Lee S.T. Oxide-assisted growth and optic characterization of gallium-arsenide nanowires. Appl. Phys. Lett., 2001, V. 78, pp. 3304−3306.
  219. Akiyama K., Shiratori Т., Kurokawa H., Kawase T. Electron-emitting device and electron source comprising the same, field-emission image display, fluorescent lamp, and method for producing them. Patent Application EP1225613, 2002.
  220. Kumar N., Yaniv Z. Backlights for color liquid crystal displays. Patent US5926239, 1999.
  221. Ibn-Elhaj M., Schadt M. Optical polymer thin films with isotropic and anisotropic nano-corrugated surface topologies. Nature, 2001, V. 410, pp. 796−799.
  222. Schider G., Krenn J.R., Gotschy W., Lamprecht В., Ditlbacher H., Leitner A., Aussenegg F.R. Optical properties of Ag and Au nanowire gratings. J. Appl. Phys., 2001, V. 90, pp. 3825−3830.
  223. Perkins R.T., Gardner E.W., Hansen D.P. Imbedded wire grid polarizer for the visible spectrum. Patent US6288840, 2001.
  224. Hansen D.P., Perkins R.T., Gardner E.W. Image projection system with a polarizing beam splitter. Patent Application US2003/71 973, 2003.
  225. O.M. Полупроводники с модифицированной поверхностью -регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты. Дисс. на соиск. уч. степ, д.ф.-м.н., Санкт Петербург, 2001, 245 с.
  226. ProFlux MicroWire™ Technology. General Information Datasheet. May 2002. -Orem, UT: Moxtek Inc., 2002,4 p.
  227. В.К. Особенности применения алюминиевой металлизации в интегральных схемах. Микроэлектроника, 2004, т. 33, № 1, с. 10−16.
  228. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах, книга 2, пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984,456 с.
  229. Paul D.J. Silicon-germanium strained layer materials in microelectronics. Adv. Mater, 1999, V. 11, pp. 191−203.
  230. Davari В., Dennard R. H., Shahidi G. G. The CMOS scaling. The next ten years. Proc. IEEE, 1995, V. 83, pp.595−599.
  231. Wong H.-S.P., Frank D.J., Solomon P.M., Wann C.H.J., Welser J.J. Nanoscale CMOS. Proc. IEEE, 1999, V. 87, pp. 537−542.
  232. Г. Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. В 2-х частях. Часть 1. М.: Техносфера, 2002, 416 с.
  233. Simakin S.G., Smirnov V.K. The features of using of ВОг" secondary ions for SIMS depth profiling of shallow boron implantation in silicon. Appl. Surf. Sci. 2003. V. 203−204. P. 314−317.
  234. Wittmaack K. Artifacts in low-energy depth profiling using oxygen primary ion beams: Dependence on impact angle and oxygen flooding conditions. J. Vac. Sci. Technol. B, 1998, v. 16, № 5, p. 2776−2784.
  235. Sai-Halasz G.A., Short K.T., Williams J.S. Antimony and arsenic segregation on Si
  236. Si02 interfaces. IEEE Electron Dev. Lett., 1985, V. 6, pp. 285−287.
  237. Dowsett M.G., Rowlands G., Allen P.N., Barlow R.D. An analytic form for the SIMS response function measured from ultra-thin impurity layers. Surf. Interface Anal., 1994, V. 21, pp. 310−315.
  238. K., Wann H.C., Duster J., Ко P.K., Ни C. MOSFET carrier mobility model based on gate oxide thickness, threshold and gate voltages. Solid-State Electron., 1996. V. 39, pp. 1515−1518.
  239. Lochtefeld A., Djomehri I.J., Samudra G., Antoniadis D.A. New insights intoAcarrier transport in n-MOSFETs. IBM J. Res. Dev., 2002, V. 46, pp. 347−357.
  240. Ко P.K. Approaches to scaling VLSI Electronics: Microstructure Science. — New York: Academic, 1989, V. 18, Ch. l, pp. 1−37.
  241. Deen M.J. Anomalous drain-induced barrier lowering in short channel NMOS devices at 77 K. Electron. Lett., 1990, V. 26, pp. 1493−1495.
  242. Hansch W., Rao V. R., Eisele I. The planar-doped-barrier-FET: MOSFET overcomes conventional limitations. ESSDERC'97 Tech. Dig., 1997, pp.624−627. 276. Kaesen F., Fink C., Anil K. G., Hansch W., Doll Т., Grabolla Т., Schreiber H.,
  243. Eisele I. Optimization of the channel doping profile of vertical sub-100 nm MOSFETs. Thin Solid Films, 1998, V. 336, pp.309−312.
  244. Rim K., Hoyt J.L., Gibbons J.F. Fabrication and analysis of deep submicron strained-Si n-MOSFET's. IEEE Trans. Electron Devices, 2000, V. 47, pp. 14 061 415.
  245. В.К., Кибалов Д. С., Гергель В. А. Способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом. Патент РФ № 2 191 444. МПК H01L21/335, Опубл. 20.10.2002 Бюл. № 29.
  246. Smirnov V.K., Kibalov D.S., Orlov О.М., Graboshnikov V.V. Technology for nanoperiodic doping of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor channel using a self-forming wave-ordered structure. Nanotechnology, 2003, Vol. 14, pp.709−715.
  247. Д.С., Орлов O.M., Симакин С. Г., Смирнов В. К. Анализ сверхтонких слоев имплантациц мышьяка в кремнии методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Письма в ЖТФ, 2004, т. 30, № 21, с. 21−26.
  248. А.В. Исследование информационных параметров Оже- эмиссии при ионном возбуждении элементов с Z=ll-18 и 22−23 для целей количественного Оже-анализа. Диссерт. на соиск. уч. степ, к.ф.-м.н., Москва, 1988, 175 с.
  249. Hofmann S. Quantitative Depth Profiling in Surface Analysis: A Review. Surf. Interface Anal., 1980, V. 2, No. 4, pp. 148−160.
  250. .А., Протопопов О. Д. Пространственное разрешение в растровой оже-спектроскопии. Поверхность, 1988, № 8, с. 122−126.
  251. Kataoka Y., Wittmaack К. Ion-induced electron emission as a means of studying energy and angle-dependent compositional changes of solids bombarded with reactive ions II. Nitrogen bombardment of silicon. Surf. Sci., 1999, V. 424, pp. 299−310.
  252. Clough S.P., Gerlach B.C., Gerlach R.L., Hovland C.T., Pinchback T.R. Geometrical Considerations in Scanning Auger Microscopy. Perkin-Elmer Physical Electronics Technical Bulletin 8604, December 1986.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!