Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Анализ и моделирование коммутационных процессов в транзисторных преобразователях

Диссертация: Анализ и моделирование коммутационных процессов в транзисторных преобразователях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Некоторые из новых моделей производителей чересчур «физичны», и разобраться в них, с целью подстройки параметров, бывает невозможно,. В некоторых случаях расхождения расчетных характеристик с типовыми справочными носят качественный характер. В этих случаях необходимо модифицировать модели, меняя существующие зависимости, или строить новые модели с новыми зависимостями. В настоящее время… Читать ещё >

Содержание

  • 1. Модели мощных диодов и определение их параметров
    • 1. 1. Однозвенная кусочно-линейная модель диода и определение ее параметров
      • 1. 1. 1. Однозвенная кусочно-линейная модель
      • 1. 1. 2. Анализ выключения по кусочно-линейной модели
      • 1. 1. 3. Определение параметров кусочно-линейной модели
      • 1. 1. 4. Расчет характеристик выключения по кусочно-линейной. модели
    • 1. 2. Однозвенная нелинейная модель диода и определение ее параметров
      • 1. 2. 1. Однозвенная нелинейная модель
      • 1. 2. 2. Определение параметров нелинейной модели
      • 1. 2. 3. Расчет выключения по нелинейной модели
      • 1. 2. 4. Однозвенная (встроенная) PSpice-модель
      • 1. 2. 5. Определение параметров PSpice-модели в Model Editor
    • 1. 3. Двухзвенная кусочно-линейная модель диода и определение ее параметров
      • 1. 3. 1. Двухзвенная кусочно-линейная модель
      • 1. 3. 2. Анализ выключения по двухзвенной кусочно-линейной модели
      • 1. 3. 3. Определение параметров кусочно-линейной модели
    • 1. 4. Двухзвенная нелинейная модель диода и определение ее параметров
      • 1. 4. 1. Двухзвенная нелинейная модель
      • 1. 4. 2. Расчет выключения по двухзвенной нелинейной модели
    • 1. 5. Двухзвенная PSpice-модель диода и определение ее параметров
      • 1. 5. 1. Двухзвенная PSpice-модель
      • 1. 5. 2. Двухзвенная PSpice-модель фирмы Infineon
      • 1. 5. 3. Расчет выключения по двухзвенной PSpice-модели
      • 1. 5. 4. Сравнение энергии выключения по двухзвенной и однозвенной модели
    • 1. 6. Выводы по главе
  • 2. Модели биполярных транзисторов и определение их параметров
    • 2. 1. Кусочно-линейная модель биполярного транзистора и определение параметров
      • 2. 1. 1. Кусочно-линейная модель
      • 2. 1. 2. Анализ по кусочно-линейной модели. Включение биполярного транзистора
      • 2. 1. 3. Анализ по кусочно-линейной модели. Выключение биполярного транзистора
      • 2. 1. 4. Определение параметров кусочно-линейной модели
    • 2. 2. Передаточная модель биполярного транзистора
      • 2. 2. 1. Передаточная модель
      • 2. 2. 2. Определение параметров передаточной модели
      • 2. 2. 3. Характеристики передаточной модели
    • 2. 3. Модифицированная передаточная модель биполярного транзистора и определение параметров
      • 2. 3. 1. Описание модифицированной передаточной модели
    • 2. 3. 2,Определение параметров модифицированной передаточной модели
      • 2. 3. 3. Характеристики модифицированной передаточной модели
    • 2. 4. PSpice-модель биполярного транзистора
      • 2. 4. 1. PSpice-модель
      • 2. 4. 2. Определение параметров PSpice-модели
      • 2. 4. 3. Характеристики модели Гуммеля-Пуна
      • 2. 4. 4. Определение параметров PSpice-модели в Optimizer
      • 2. 4. 5. Определение параметров PSpice-модели мощного высоковольтного биполярного транзистора
    • 2. 5. Выводы по главе
    • 3. 1. Нелинейная модель МДП-транзистора
      • 3. 1. 1. Нелинейная модель
      • 3. 1. 2. Определение параметров нелинейной модели
      • 3. 1. 3. Расчет по нелинейной модели и сопоставление результатов
    • 3. 2. Кусочно-линейная модель МДП-транзистора и определение ее параметров
      • 3. 2. 1. Кусочно-линейная модель
      • 3. 2. 2. Анализ коммутационных процессов в ключе с резистивной нагрузкой
      • 3. 2. 3. Определение параметров кусочно-линейной модели
    • 3. 3. Реализация различных аппроксимаций нелинейной емкости затвор-сток в PSpice
      • 3. 3. 1. Встроенная в PSpice-модель
      • 3. 3. 2. Модель емкости фирмы Siemens и ее параметры
      • 3. 3. 3. Модель емкости фирмы International Rectifier и ее параметры
      • 3. 3. 4. Модель емкости фирмы OnSemiconductor и ее параметры
      • 3. 3. 5. Модель емкости с применением функции дифференцирования DDT
      • 3. 3. 6. Модель емкости фирмы Infineon и определение ее параметров
    • 3. 4. Модифицированная PSpice-модель МДП-транзистора
      • 3. 4. 1. Модифицированная PSM МДПТ
      • 3. 4. 2. Методика определения параметров средствами PSpice
      • 3. 4. 3. Определение параметров MPSM МДПТ по экспериментальным данным
    • 3. 5. Модель МДП-транзистора с теплозависимыми параметрами
      • 3. 5. 1. Описание теплозависмой модели МДП-транзистора
      • 3. 5. 2. Определение параметров теплозависимой модели
    • 3. 6. Выводы по главе
  • 4. Работа мощных МДП —транзисторов на токовую нагрузку
    • 4. 1. Численный анализ коммутационных процессов МДП-транзистора при работе на токовую нагрузку по нелинейной и кусочно-линейной моделям
    • 4. 2. Аналитический анализ коммутационных процессов МДП-транзистора при работе на токовую нагрузку по кусочно-линейной модели
    • 4. 3. Анализ коммутационных процессов МДП-транзистора семейства CoolMOS при работе на токовую нагрузку в PSpice
    • 4. 4. Анализ коммутационных процессов в экспериментальной схеме
    • 4. 5. Выводы по главе
  • 5. Модели биполярных транзисторов с изолированным затвором и определение их параметров
    • 5. 1. 1. Встроенная в PSpice-модель БТИЗ
    • 5. 1. 2. Составная PSpice-модель БТИЗ
    • 5. 2. Кусочно-линейная модель БТИЗ и определение ее параметров
    • 5. 2. 1. Кусочно-линейная модель (KJIM)
    • 5. 2. 2. Работа БТИЗ на токовую нагрузку
    • 5. 2. 3. Определение параметров кусочно-линейной модели
    • 5. 3. Составная PSpice-модель БТИЗ и определение ее параметров
    • 5. 3. 1. Определение параметров составной PSpice-модель БТИЗ в МС
    • 5. 3. 2. Определение параметров PSpice-модели БТИЗ в Optimizer
    • 5. 3. 3. Определение параметров модели БТИЗ по экспериментальным данным
    • 5. 4. Выводы по главе
  • 6. Практическое применение методов моделирования
    • 6. 1. Расчет цепей формирования траектории рабочей точки транзисторов
    • 6. 2. Расчет параметров моделей тепловых цепей
      • 6. 2. 1. Модель тепловой цепи
      • 6. 2. 2. Определение параметров тепловой цепи в МС
      • 6. 2. 3. Определение параметров тепловой цепи с помощью PSpice Optimizer
    • 6. 3. Применение теплозависимой модели с обратной тепловой связью для расчета пиковой температуры ключа на МДП транзисторе
    • 6. 4. Примеры расчета потерь в компонентах ключевого источника электропитания
      • 6. 4. 1. Общее описание КИП
      • 6. 4. 2. Расчет установившегося режима в стабилизаторе напряжения
      • 6. 4. 3. Расчет потерь в силовых компонентах стабилизатора напряжения
      • 6. 4. 4. Расчет установившегося режима в корректоре коэффициента мощности
      • 6. 4. 5. Имитационный расчет потерь в силовых компонентах корректора коэффициента мощности
      • 6. 4. 6. Аналитический расчет потерь в полупроводниковых компонентах корректора коэффициента мощности при помощи справочных зависимостей
    • 6. 5. Выводы по главе

Анализ и моделирование коммутационных процессов в транзисторных преобразователях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

.

При анализе и проектировании преобразовательных устройств (ПУ) обычно проводят следующие виды расчетов: расчет статических характеристик (выходных, передаточной, регулировочной), спектральный (гармонический) анализ (спектр входного тока, выходного напряжения) — расчет переходных процессов (реакция ПУ на быстрые изменения питания, тока (или сопротивления) нагрузки, процесс выхода на режимрасчет частотных характеристик и анализ устойчивостирасчет режимов работы компонентов (прежде всего силовых электронных ключей, трансформаторов, дросселей), включая расчет коммутационных процессов (процессов переключения силовых транзисторов и диодов) расчет средних, действующих и максимальных значений токов, максимального напряжения, пиковой и средней за период мощности и т. д.- расчет пиковой и средней за период температуры перехода силовых ключейрасчет КПД ПУ.

При необходимости все виды расчетов должны быть проделаны с учетом разброса номиналов параметров (допусков) компонентов и для заданного диапазона температуры окружающей среды и с учетом саморазогрева компонентов (за счет выделяющейся в них мощности).

Расчет режимов работы компонентов не возможен без анализа коммутационных процессов. Особенно важен этот вид анализа на высоких частотах для расчетов пиковых значений токов и температуры и вклада коммутационных потерь в общую мощность потерь. Практически во всех работах по ПУ [6], [35], [37], [38], [39], [40], [42], коммутационные процессы или совсем не учитываются или приводятся упрощенные фо рмулы для коммутационных потерь. В большинстве случаев при записи этих формул считается, что токи и напряжения ключей изменяются линейно, паразитные реактивности не учитываются, а времена переключения считаются не зависимыми от режима и берутся из справочных данных, что не соответствует действительности.

С развитием технологий времена переключения силовых ключей уменьшаются, и в настоящее время скорость изменения токов ключей может достигать единиц и более ампер за наносекунду, а скорость изменения напряжения — десятков вольт за наносекунду. При этом необходимо учитывать паразитные параметры схемы (индуктивности выводов и монтажные емкости), что увеличивает порядок системы решаемых уравнений и сильно затрудняет анализ коммутационных процессов аналитическими методами.

В простых схемах (с одним-двумя силовыми ключами) коммутационный анализ возможен и при помощи численно-аналитических методов в математических системах (МС) например MathCad (MCD). В реальных ПУ коммутационный анализ возможен только с применением автоматизированных систем схемотехнического моделирования, таких как Multisim, Microcap, Oread и др. Из этих систем Oread является наиболее эффективным [19], к тому же туда входит модуль PSpice (для расчетов переходных процессов) Model Editor (для определения параметров моделей компонентов), модуль Optimizer, (позволяющий проводить оптимизацию несложных устройств) и др.

Вместе с PSpice поставляются встроенные модели компонентов, а в библиотеке PSpice приводятся значения параметров этих моделей для большого числа типов компонентов. Однако в литературе [5], [7], [9], [10], [11], [12], [13], [14], [15] имеются сведения, что эти модели и их значения параметров не всегда адекватно описывают характеристики компонентов.

Под моделью следует понимать совокупность математических выражений (систем, уравнений, неравенств) или соответствующая схема с рядом функциональных зависимостей. Под параметрами модели следует понимать численные значения коэффициентов, используемых в этих выражениях. Каждый индивидуальный компонент отличается набором этих параметров. Естественно, что расчетные характеристики определяются как математические зависимостями модели, так и их коэффициентами (параметрами), и чтобы изменить характеристики нужно менять или параметры, или функциональные зависимости, или в отдельных случаях и то и другое.

В последние годы фирмы изготовители вместе со справочными данными на свои компоненты стали выкладывать в Интернет усовершенствованные PSpice-модели в виде подсхем (вместе с набором параметров). В известной литературе [5], [7], [9], [10], [11], [12], [13], [14], [15]. нет сведений о том, насколько адекватно такие модели описывают характеристики компонентов и как определять их параметры. Разработка методики определения их параметров является актуальной проблемой.

Некоторые из новых моделей производителей чересчур «физичны», и разобраться в них, с целью подстройки параметров, бывает невозможно [11], [12]. В некоторых случаях расхождения расчетных характеристик с типовыми справочными носят качественный характер. В этих случаях необходимо модифицировать модели, меняя существующие зависимости, или строить новые модели с новыми зависимостями. В настоящее время существует потребность в «гибких» моделях, характеристики которых могут быть достаточно быстро и просто приспособлены под быстро изменяющиеся технологии изготовления полупроводниковых приборов [28], [30].

На коммутационные потери большое влияние оказывают схемы управления ключами, а также цепи формирования траектории рабочей точки (ЦФТРТ) или снабберы, которые широко используются для уменьшения коммутационных потерь в силовых ключах. Если анализу и расчету схем управления в литературе [38, 40, 47, 51] уделяется достаточно много внимания, то этого нельзя сказать о снабберах. Поэтому, разработка методики расчета номиналов элементов снабберов, является актуальной проблемой.

При моделировании процессов в ПУ большой интерес представляет температура перехода, не только средняя (статическая), но и пиковая температура ключей, так как основным критерием работоспособности электронного компонента является нахождение температуры кристалла в пределах максимально допустимой. Зависимости параметров компонентов от температуры среды хотя и заложены в их встроенные PSpice-модели, но значения соответствующих параметров не настроены и методика такой настройки не описана. При расчете пиковой температуры необходимо учитывать разогрев компонента собственной мощностью (саморазогрев), для чего необходимо иметь соответствующие модели. Некоторые фирмы (например, Infineon) для отдельных типов своих компонентов дают такие модели, однако для остальных типов нужно определять параметры этих моделей или строить свои модели и определять их параметры по справочным данным. В работе [13] описана динамическая темпера-турозависимая модель, однако, методика определения тепловых параметров является актуальной и неисследованной проблемой.

При PSpice-моделировании коммутационных процессов в реальных ПУ возникают трудности, связанные с тем, что для получения достоверных результатов необходимо проводить расчеты с шагом много меньшим длительностей этапов коммутации. С учетом того, что стационарный (установившийся) режим устанавливается в ПУ за несколько десятков периодов коммутации (за много сотен периодов при тепловом моделировании), прямое PSpice-моделирование может потребовать недопустимо больших затрат машинного времени и оперативной памяти (десятки минут и сотни мегабайт соответственно). В известной литературе отсутствуют сведения о том, как решать такие задачи.

Таким образом, можно заключить, что анализ и моделирование коммутационных процессов в ПУ, в том числе в транзисторных преобразователях напряжения, является актуальной проблемой.

Цель работы.

Целью работы является анализ существующих моделей силовых компонентов, усовершенствование и разработка новых моделей, разработка методики расчета и моделирования коммутационных процессов в транзисторных преобразовательных устройствах.

Задачи исследования

• Изучение имеющихся моделей силовых компонентов и выявление их недостатков;

• Исследование возможностей кусочно-линейных моделей и проведение аналитических расчетов с их применением;

• Усовершенствование имеющихся и, при необходимости, разработка новых моделей силовых компонентов, в том числе моделей, учитывающих саморазогрев компонентов выделяющейся мощностью;

• Изучение и разработка методов определения параметров этих моделей, определение параметров моделей рассмотренных видов;

• Расчет коммутационных процессов в диодных и транзисторных ключах с резистивной и индуктивной нагрузками, учет влияния паразитных параметров;

• Расчеты коммутационных процессов (в том числе определение потерь мощности) в практических схемах преобразователей напряжения, разработка методики таких расчетов.

Методы исследования.

В процессе исследования применялись следующие методики. Для определения параметров математических моделей компонентов применялась математическая система MathCad, пакет Model Editor системы Oread и пакет Optimizer системы Oread. Использовались также методы Булириш-Штера для решения систем дифференциальных уравнений в МС, использовалось численное обращение операторных выражений для расчета параметров тепловых цепей. При схемотехническом моделировании, (в том числе при анализе коммутационных процессов) использовался пакет PSpice системы Oread в режиме расчета переходных процессов.

Достоверность полученных результатов определяется применением известных компьютерных систем MathCad и Oread, и подтверждается совпадением расчетных, справочных и экспериментальных характеристик. Научная новизна результатов работы состоит в следующем:

• Проведенный анализ кусочно-линейных моделей позволил разработать методики определения динамических параметров моделей компонентов при помощи системы MathCad по справочным характеристикам;

• Предложена методика определения параметров модели тепловой цепи двумя методами: с помощью системы Mathcad и программы параметрической оптимизации Optimizer;

• Предложена методика численно-аналитического расчета коммутационных процессов в силовых ключах с учетом влияния паразитных ин-дуктивностей;

• Усовершенствованы нелинейные модели диода, БТ, МДПТ и БТИЗ. Модели использованы для расчетов коммутационных процессов в ключах при помощи системы MathCad;

Практическая ценность результатов работы состоит в следующем:

• Предложенные Pspice-модели диода, БТ, МДПТ, БТИЗ позволяют более адекватно проводить схемотехническое моделирование транзисторных преобразователей;

• С помощью установки созданной на кафедре промышленной электроники получены экспериментальные статические и переходные характеристики некоторых экземпляров МДПТ и БТИЗ и предложена методика определения параметров моделей по этим характеристикам;

• Предложенная методика теплового PSpice-моделирования компонентов позволяет проводить расчет средней и пиковой температуры с учетом эффекта саморазогрева;

• Разработанная методика определения динамических и статических потерь в компонентах была опробована при моделировании двух узлов ключевого источника питания (200W Demoboard фирмы Infineon): стабилизатора напряжения с синхронным выпрямлением и корректора коэффициента мощности.

Внедрение результатов работы.

Полученные в ходе диссертационной работы результаты (методики определения параметров моделей силовых компонентов и методики расчетов статических и динамических потерь в компонентах) используются в учебном процессе на кафедре промышленной электроники в дисциплинах «Ключевые источники электропитания», «Анализ дискретных схем», а также при выполнении студентами курсовых расчетов и дипломных проектов.

Результаты работы (расчет тепловых цепей, методы измерения коммутационных потерь) используются при разработке источников вторичного электропитания на предприятие ОАО «НЛП ЭлТом» (п. Томилино Моск. обл.).

Апробация работы Основные результаты работы отражены в семи печатных работах и в двух тезисах докладов на восьмой и одиннадцатой научно-технических международных конференциях студентов и аспирантов по направлению «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» в 2001;2004гг. (МЭИ). v

6.5. Выводы по главе.

1. Предложена методика расчетов номиналов компонентов ЦФТРТ. Методика имеет общий характер и применима для схем разного типа ПН с ключами на БТ, МДПТ и БТИЗ

2. Предложены два независимых метода определения параметров тепловых цепочек в МС и в PSO по характеристике динамического теплового сопротивления.

3. Рассмотрена модель с тепловой обратной связью, позволяющей учесть эффект саморазогрева, рассмотрен пример расчета пиковой температуры в преобразователе напряжения в установившемся режиме.

4. В результате проведенной работы выяснилось, что расчет коммутационных потерь в неустановившемся режиме ведет к большим погрешностям. Предложена методика достижения установившегося режима в схеме СН. Исследовано влияние параметров расчета на конечный результат.

5. Предложены две методики расчета потерь в компонентах в PSpice косвенно-аналитическим путем в МС. Результаты сопоставлены со справочными данными.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В процессе решении задач, поставленных в диссертации, получены следующие основные научные и практические результаты

• Проведен анализ существующих моделей силовых компонентов. Показаны несоответствия расчетных характеристик типовым справочным характеристикам.

• В процессе выполнения работы были рассмотрены более 24 моделей компонентов (8 для диодов, 4 БТ, 9 МДПТ, 3 БТИЗ) из них предложена одна новая модель для диода и модифицированы семь моделей для транзисторов, что позволяет более точно проводить расчеты коммутационных процессов в транзисторных ПН.

• Разработанные на основе кусочно-линейных моделей новые методы определения параметров уже имеющихся и вновь полученных моделей позволяют самостоятельно определять параметры моделей, как по справочным характеристикам, так и по экспериментальным данным.

• Исследование тепловых моделей и разработка методов определения их параметров, вместе с исследованием теплозависимых моделей компонентов позволило освоить методику теплового моделирования силовых ключей в ПУ на PSpice с учетом эффекта саморазогрева компонентов.

• Рассмотренные модели позволили провести анализ коммутационных процессов в силовых компонентах СН и ККМ практической схемы макета ключевого источника питания (КИП) «200W SMPS DemoBoard». Разработаны два метода расчета коммутационных потерь. Результаты работы могут быть использованы при проектировании при проведении как предварительного, так и проверочного схемотехнического моделирования преобразовательных устройств.

Показать весь текст

Список литературы

  1. П. А. Силовые полупроводниковые ключи. Семейства, характеристики, применение. // М.: Изд. дом Додэка-XXI, 2001. -384 с.
  2. MOTOROLA TMOS Power MOSFET Transistor Device Data. //Motorola, Inc. 1996.
  3. В.П.Дьяконов, И. В. Абраменкова. MATHCAD 7.0 в математике, физике и в Internet. // М: «Нолидж», 2000, -352 с.
  4. . В. Д. Система проектирования Oread 9.2. // М.: «Солон-Р», 2003.-528 с.
  5. Устройства Преобразования Электрической Энергии // Труды Московского Энергетического Института. Тематический Сборник. Выпуск 461. Москва 1980.
  6. MOTOROLA Rectifier Device Data. // Motorola, Inc. 1996.
  7. S. Компьютерные модели SPICE для силовых МОП ПТ., AN-975B. Силовые полупроводниковые приборы. Книга по применению International Rectifier. Перевод с английского под ред. Токарева В. В., // Воронеж. «Элист» 1995.-661 с.
  8. Ю.Р. и др. Математические модели элементов интегральной электроники. // М.:Сов. радио. 1976. —304 с.
  9. . А. Моделирование транзисторов IGBT с помощью PSPICE. // Компоненты и технологии, № 8', 2002
  10. Dr. P. Turkes, Dr. М. Marz, P. Nance SPICE Models for SIPMOS Components. //Application Note ANJPSMle
  11. R. Kraus, P. Turkes, J. Sigg. Physics-Based Models of Power Semiconductor Devices for the Circuit Simulator SPICE. // Application Note ANPSM3e
  12. Hancock J. A Hierarchical Cross-Platform Physics Based MOSFET Model for SPICE and SABER. // Application Note ANPSM4e
  13. Dr. Marz M., Paul N. Thermal Modeling of Power-electronic Systems. // Application Note mmpneng. pdf
  14. О. М. Петраков. Создание аналоговых PSpice-моделей радиоэлементов. // РадиоСофт. Москва. 2004. -208 с.
  15. Edmunds L. Heatsink Charachteristics. // International Rectifier, Application Note AN-1057
  16. В. В. и др. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах. Справочник под ред. Дьяконова В. П. // М. Радио и связь, 1994. -280 с.
  17. Хайнеман P. PSPICE. Моделирование работы электронных схем. // ДМК пресс. 2005. -336 с.
  18. PSpice и Design Center Ч. 1. Схемотехническое моделирование. Модели элементов. Макромоделирование. // М.: МИФИ, 1996. -272 с
  19. . Н. Н Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. //М.: Энергоатомиздат, 1985. -904 с.
  20. . Н. Н Полупроводниковые приборы: Диоды. Справочник. //М.: Энергоатомиздат, 1985
  21. И., Сингхал К., Машинные методы анализа и проектирования электронных схем. // М.: Радио и Связь. 1988. -304 с
  22. JI. НПолевые транзисторы. // М.: Радио и связь. 1984.
  23. А. Г. Недолужко И. Г. Усовершенствование моделей мощных диодов и МД11-транзисторов и определение их параметров // МПМ-Ирбис Практическая силовая электроника 2003 г. № 11, Стр. 4—10
  24. PSpice/ Reference Guide/ Includes PSpice A/D, PSpice A/D Basics, and PSpice. Copyright 1985−2002. Cadence Design Systems, Inc. Releuse 9.2.3.
  25. ., Башкиров В. Оптимизированные комплекты мощных полупроводниковых приборов для повышения эффективности корректоров коэффициента мощности. // Электронные Компоненты, Издательский дом Электроника, 1 апреля 2005
  26. . А. Г., Недолужко И. Г. «Анализ коммутационных процессов в МДП-транзисторах.» Восьмая международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Тезисы. Доклад. В З-ч // М: Издательство МЭИ, 2001 г. T.l.-c. 195.
  27. . А. Г., Недолужко И. Г. Усовершенствованные PSpice-модели мощных диодов и МДП-транзисторов и определение их параметров. // Практическая силовая электроника № 11 2003 Москва МПМ-Ирбис
  28. . А. Г., Недолужко И. Г. Модели мощных биполярных транзисторов и определение их параметров. // Силовая Электроника. № 1 2005
  29. А. Г., Недолужко И. Г. Методика определения параметров PSpice-моделей IGBT-транзисторов. // Силовая Электроника. № 2 2005.
  30. . А. Мощные транзисторы коммерческого и общепромышленного назначения производства ЗАО «ФМЗТ». //Электронные компоненты № 2,3,4. 2001 г.
  31. А. Г. Расчет тепловых динамических моделей и характеристик мощных транзисторов, 11-ая международная научно-технической конференции студентов и аспирантов по направлению «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика». 2005
  32. Степаненко. И П. Основы теорий транзисторов и транзисторных схем. // М. Энергия. 1977
  33. Т. М. Основы транзисторной электротехники // М. Энергия. 1974
  34. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах. Справочник. Под редакцией В. П. Дьяконова. // Москва. Радио и Связь. 1994
  35. П. А., Лебедев А. Г., Недолужко И. Г «Определение параметров PSpice-моделей МДПТ и БТИЗ по экспериментальным характеристикам.». // Силовая Электроника. № 4 2006.
  36. S. Характеристики запуска затвора и требования к мощным МОП транзисторам. AN-937B. Силовые полупроводниковые приборы. Книга по применению International Rectifier. Перевод с английского под ред. Токарева В. В. //Воронеж. «Элист"1995. 661 с
  37. Andreycak. В. Practical considerations in high performance mosfet, igbt and met gate drive circuits. // U-137 Application Handbook Unitrode.
  38. Andreycak. B. New Drivers ICs Optimize high speed power mosfet switching characterics. // U-l 18 Application Handbook Unitrode.
  39. Колпаков A. NPT, Trench, SPT. что дальше? // Силовая Электроника, № 3 2006
  40. В. И. Транзисторные преобразователи напряжения. // Техносфера 2005. -632 с
  41. А. Г., Недолужко И. Г. Анализ коммутационных процессов в ключе на МДП-транзисторе с индуктивной нагрузкой. // Компоненты и Технология № 4 2007.
  42. В. Д. Применение программ PSpice для схемотехнического моделирования, // М. Радио и связь, 1992.
  43. Дьяконов В. Simulink 4. Специализированный справочник. // Спб. Питер. 2002. -528с.
  44. . Силовая электроника. Приборы, применение, управление, справочное пособие. Пер с английского В. В. Попова. // М. Энергоатомиздат, 1993,-240с
  45. , В. Г. Бочаров В.В. Транзисторные преобразователи электрической энергии. М.: Изд-во МАИ, 2001.
  46. Ю., Таназлы Г. Некоторые аспекты моделирования систем силовой электроники. // Силовая электроника, 2006, № 4
  47. Ю., Таназлы Г. Способ определения значений ряда опций, задающих параметры численных методов в OrCad. // Силовая электроника, 2005, № 3
  48. .А., Лебедев А.Г. Недолужко И. Г. «Расчет с помощью PSpice демпфирующих цепочек для транзисторных ключей ПН», Силовая электроника 2005, № 4
  49. А. Г. Недолужко И. Г. Модели мощных МДП-транзисторов для анализа коммутационных процессов // Вестник МЭИ 2002 г. № 5, Стр. 87- 94
  50. Ю. К. Основы силовой электроники// Москва. Энергоатомиздат, 1992.-296 с
  51. А. И. Колпаков. Особенности теплового расчета импульсных силовых каскадов // Компоненты и технологии. 2002. No 1.
  52. Роберт Хайнеман Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE. // Пресс. 2008 -336 с
  53. Ю. И., Таназлы Г. И. ORCAD 9.x. ORCAD 10. x: практика моделирования. // СОЛОН-ПРЕСС, 2008, -207 с
  54. Иосиф Златин Моделирование на функциональном уровне в OrCAD 9.2 // Компоненты и технологии. 2000. No 10.
  55. Ю. Б. Болотовский, Г. И. Таназлы OrCAD. Моделирование. «Поваренная» книга// Солон-Пресс, 2005, -200 с.
  56. Р. Антипенский, А. Фадин Схемотехническое проектирование и моделирование радиоэлектронных устройств // Техносфера 2007, 128 с
  57. В. Д. Разевиг Схемотехническое моделирование с помощью Micro-Cap 7 // Горячая Линия Телеком, 2003 г. -368 с.
  58. А. С. Уваров. P-CAD. Проектирование и конструирование электронных устройств. // Горячая Линия Телеком, 2004 г. —760 с.
  59. А. Я. PSpice и Design Center, ч. 1. Схемотехническое моделирование. Модели элементов. Макромоделирование.// М.: МИФИ, 1996.
  60. Butchers D. DirectFET™ Thermal Model and Rating Calculator // International Rectifier, Application Note AN-1059
  61. Edmunds L. Heatsink Charachteristics. // International Rectifier, Application Note AN-1057
  62. А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами // ДМК Пресс, 2000 г. 288 стр.
  63. Н.С., Лачин В. И. Электроника // Феникс, 2007 г. 448 стр.
  64. Ю.С. Промышленная электроника / Москва «Высшая школа», 1982 г.-500 стр.
  65. В. Кулаков А. Расчет и схемотехника повышающих DC/DC преобразователей напряжения высокой мощности // Силовая электроника № 4'2008
  66. В. Транзисторные DC-AC преобразователи напряжения: характеристики, структурные схемы, рекомендации по применению // Силовая электроника № 2'2004
  67. А., Рашевиц К., Рутманис Л. и др. Полупроводниковые преобразователи электрической энергии / Под ред. А. Крогериса. // Рига: Зинатне. 1969. 532с
  68. В. Эраносян С. Компоненты интеллектуальной силовой электроники: вчера, сегодня, завтра // Силовая электроника № 1'2006
  69. А. Схемотехника современных мощных источников питания // Силовая электроника № 2'2005
  70. А. Высоковольтные диоды Шоттки из карбида кремния в источниках питания с преобразованием частоты // Компоненты и технологии. № 5'2004.
  71. А., Худяков В., Хабузов В. Анализ современных методов и технических средств коррекции коэффициента мощности у импульсных устройств // Силовая электроника. № Г2004.
  72. С. А. Сетевые блоки питания с высокочастотными преобразователями. JL: Энергоатомиздат. 1991. — 176 стр.
  73. . П. Новые разработки и производство конденсаторов для источников и систем вторичного электропитания в ОАО НИИ ГИРИКОНД //Электрическое питание. № 4'2005.
  74. Каталог Симметрон-2005 / Пассивные компоненты
  75. В. Некоторые методы уменьшения габаритов и повышения эффективности источников питания AC/DC // Силовая электроника. № 4'2008.
  76. А. Схемотехника мощных высоковольтных преобразователей напряжения // Силовая электроника № 2'2007
  77. Ю. Танзалы Г. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть I // Силовая электроника № 1'2004
  78. Ю. Танзалы Г. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть II // Силовая электроника № 2'2004
  79. Ю. Танзалы Г. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть III // Силовая электроника № 2'2005
  80. Ю. Танзалы Г. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть IV // Силовая электроника № 4'2005
  81. Ю. Танзалы Г. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть Y // Силовая электроника № 1'2006
  82. Ю. Танзалы Г. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть VI // Силовая электроника № 2'2006
  83. Ю. Танзалы Г. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 Часть VII // Силовая электроника № 3'2008
  84. В. Подход к решению проблем разработки планарных структур высоковольтных биполярных транзистров IGBT // Силовая электроника № 1'2005
  85. В. Эраносян С. Компоненты силовой электроники для мощных импульсных источников питания // Силовая электроника № 2'2006
Заполнить форму текущей работой

На отлично!