Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Разработка скоростного радиационно-стойкого аналого-цифрового преобразователя

Диссертация: Разработка скоростного радиационно-стойкого аналого-цифрового преобразователя
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Существующий рынок АЦП в России представлен в основном зарубежными изделиями коммерческого и промышленного назначения, причем даже в этом секторе доступ к скоростным АЦП ограничен. Отечественных разработок АЦП для коммерческого и промышленного назначения фактически нет. Имеющиеся решения в основном предназначены для применения в специальной аппаратуре, при этом разрабатываемые в последнее время… Читать ещё >

Содержание

  • Общая характеристика работы
  • Глава 1. ОБЩИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ОБ АНАЛОГО-ЦИФРОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
    • 1. 1. Назначение, принцип действия и тенденция развития АЦП
    • 1. 2. Типовые структуры АЦП и их особенности
      • 1. 2. 1. Параллельные АЦП
      • 1. 2. 2. Последовательные АЦП
      • 1. 2. 3. Последовательно-параллельные АЦП
    • 1. 3. Параметры АЦП
      • 1. 3. 1. Статические параметры
      • 1. 3. 2. Динамические характеристики
    • 1. 4. Особенности работы АЦП в специальных условиях. Требования к конструкции элементов на кристалле. Радиационно-стойкие конструкции
      • 1. 4. 1. Радиационные эффекты в
  • КМОП ИС
    • 1. 4. 2. Дифференциальная схемотехника
    • 1. 4. 3. Радиационно-стойкие КМОП — структуры
  • Выводы к главе 1
    • Глава 2. ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННО-СТОЙКОГО 14 — РАЗРЯДНОГО АЦП
    • 2. 1. Общее описание и основные технические характеристики
    • 2. 2. Схемотехнические особенности АЦП
    • 2. 2. 1. Структурная электрическая схема АЦП
    • 2. 2. 2. Источник опорного напряжения
    • 2. 2. 3. Цифровые входы и выходы
    • 2. 3. Конструктивно-технологические особенности проектирования ИС. 65 2.3.1. Выбор полупроводниковой структуры изделия и состава необходимых элементов
    • 2. 3. 2. Правила проектирования ИС
    • 2. 3. 3. Особенности проектирования радиационно-стойких цифровых и аналоговых блоков
  • Выводы к главе 2
    • Глава 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИСПЫТАНИЙ ОПЫТНЫХ ОБРАЗЦОВ
    • 3. 1. Результаты измерения статических параметров
    • 3. 2. Результаты измерения динамических параметров
    • 3. 3. Результаты испытаний АЦП на спецстойкость
  • Выводы к главе 3

Разработка скоростного радиационно-стойкого аналого-цифрового преобразователя (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность.

В настоящее время цифровая обработка сигналов все глубже проникает в такие области применения, как средства связи и телекоммуникаций, различные радиотехнические системы и измерительную технику. Но поскольку физические явления имеют аналоговый характер, одна из важных и неотъемлемых задач современной цифровой технологии — преобразование аналоговых сигналов в цифровую форму. Поэтому развитие и расширение областей применения цифровых систем обработки сигнала невозможно без развития средств аналого-цифрового преобразования, которое, в свою очередь, идет как по пути увеличения быстродействия преобразователей и полосы частот преобразуемых сигналов, так и по пути увеличения чувствительности и точности аналого-цифровых преобразователей (АЦП).

Современные АЦП имеют в своем составе большое число микроэлектронных узлов (усилительных элементов, источников опорных напряжений и токов, компараторов и др.), которые очень чувствительны к дестабилизирующим факторам (в том числе и к радиационным). По степени чувствительности АЦП на 1−2 порядка выше по сравнению с цифровыми ИС, эквивалентными по технологической сложности. Особенно это относится к чувствительности к импульсным радиационным излучениям, приводящим к образованию фототоков в активных областях и обратно смещенных рп-переходах элементов ИС [1].

Решить проблему увеличения быстродействия, точности преобразования, а также обеспечения радиационной стойкости АЦП невозможно только лишь совершенствованием технологической базы или совершенствованием схемотехнических решений: необходима комбинация таких решений. Для создания скоростных по сегодняшним меркам АЦП с требуемой импульсной радиационной стойкостью необходима КМОП КНИтехнология. Такая технология появится в России не ранее 2009 года. К тому времени скоростной критерий может измениться. Кроме совершенствования технологической базы необходимо использовать схемотехнические решения, основанные на дифференциальном принципе обработки преобразуемых сигналов. Благодаря такому подходу в комбинации с КМОП КНИтехнологиями можно достичь более высокой импульсной стойкости и, следовательно, скорости преобразования [2]. Определенные возможности при разработке АЦП дает МОП — технология, которая снимает проблему тиристорного защелкивания, оставляя импульсную стойкость по факту, что достаточно для значительной части тактических военных систем.

Существующий рынок АЦП в России представлен в основном зарубежными изделиями коммерческого и промышленного назначения, причем даже в этом секторе доступ к скоростным АЦП ограничен. Отечественных разработок АЦП для коммерческого и промышленного назначения фактически нет. Имеющиеся решения в основном предназначены для применения в специальной аппаратуре, при этом разрабатываемые в последнее время АЦП в большей степени закрывают потребности в элементной базе, разработанной несколько лет назад, и не соответствует современным требованиям.

Поскольку для коммерческой, промышленной и значительной части тактической военной аппаратуры высокая импульсная и, в целом, радиационная стойкость не требуется, то по экономическим соображениям целесообразно разрабатывать АЦП двойного назначения или, по крайней мере, предусматривать возможность быстрой и несложной адаптации коммерческих и промышленных ПС к специальным требованиям по мере совершенствования технологической базы.

Еще одна тенденция в области разработки АЦП связана с увеличением степени интеграции и переходом в конечном итоге к законченным системам обработки информации, выполненным в одном корпусе. Активно ведутся разработки интегральных систем сбора данных, выполненных на одном кристалле. Результатом таких разработок является совмещение в одном кристалле цифрового процессора обработки информации и АЦП, причем для такой интеграции последний должен иметь схожую полупроводниковую структуру.

Таким образом, с учетом вышеизложенного, актуальной проблемой является разработка скоростных АЦП двойного назначения, с высокими динамическими характеристиками, требуемой стойкостью к радиационным воздействиям и с полупроводниковой структурой, допускающей прямую интеграцию с цифровыми процессорами обработки сигналов.

Диссертация выполнена на кафедре полупроводниковой электроники Воронежского государственного технического университета в рамках госбюджетной программы ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых.

• 3 5 материалов (Si, А В и др.), приборов и технологии их изготовления", номер гос. регистрации 0120.412 888.

Цель исследований и задачи.

Целью работы является разработка скоростного радиационно-стойкого аналого-цифрового преобразователя на основе КМОП — технологии. Для достижения поставленной цели были определены следующие задачи:

1. Анализ основных архитектур аналого-цифровых преобразователей, обоснование целесообразности разработки конвейерного АЦП с дифференциальной структурой;

2. Разработка 14-разрядного аналого-цифрового преобразователя на основе конвейерной архитектуры;

3. Разработка рекомендаций по обеспечению радиационной стойкости КМОП ИС с проектными нормами 0,8 мкм;

4. Исследование статических и динамических характеристик опытных образцов 14-разрядного АЦП. Испытания ИС на устойчивость к радиационным воздействиям.

Научная новизна работы.

В работе получены следующие новые научно-технические результаты:

1. Предложено схемотехническое решение аналого-цифрового преобразователя, построенное на основе конвейерной архитектуры, что позволило достичь высокой разрядности, высокой скорости и точности преобразования.

2. С учетом схемотехнических особенностей проведена разработка топологии аналого-цифрового преобразователя на основе КМОПтехнологии с одним уровнем поликремния.

3. Предложен и внедрен технологический метод обеспечения требуемой радиационной стойкости КМОП ИС.

Реализация результатов работы, практическая ценность.

В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Разработано схемотехническое решение, позволившее спроектировать 14-разрядный аналого-цифровой преобразователь со скоростью преобразования 3 МГц и высокими точностными характеристиками.

2. Разработан и внедрен технологический метод обеспечения требуемой радиационной стойкости КМОП ИС, позволяющий добиться стабильности статических и динамических параметров КМОП ИС в широком диапазоне температур и радиационных воздействий.

3. Изготовлены опытные образцы кристаллов аналого-цифрового преобразователя, проведены их испытания.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Схемотехническое решение разработанного 14-разрядного АЦП, построенного на основе четырехкаскадной конвейерной архитектуры.

2. Конструктивно-технологические методы обеспечения требуемой радиационной стойкости КМОП ИС с проектными нормами 0,8 мкм, основанные на использовании дифференциальной схемотехники, высоколегированных охранных колец и периферийных поликремниевых затворов.

3. Результаты испытаний опытных образцов 14-разрядного АЦП, включающие измерения статических и динамических характеристик ИС в обычных условиях и в условиях радиационных воздействий.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2004) — конференции профессорско-преподавательского состава, сотрудников, аспирантов и студентов (Воронеж, 2007).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 5 научных работ, в том числе 2 — в издании, рекомендованном ВАК РФ.

В совместных работах автору принадлежит проведение исследований дифференциальных структур и разработка и моделирование на их основе параллельных аналого-цифровых преобразователей, входящих в состав четырехкаскадного конвейерного АЦП, анализ и обобщение результатов.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы, который включает 99 наименований. Основная часть работы изложена на 104 страницах, содержит 54 рисунка и 8 таблиц.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ.

В настоящей диссертации изложена научно-техническая разработка, обеспечивающая решение важной задачи — разработки скоростного радиационно-стойкого 14 — разрядного АЦП, обладающего высокими точностными характеристиками и имеющего полупроводниковую структуру с возможностью интеграции с цифровыми процессорами обработки сигналов на одном кристалле.

В диссертации получены следующие научно — технические результаты:

1. Разработано схемотехническое решение 14-разрядного АЦП, построенное на основе четырехкаскадной конвейерной архитектуры с малошумящим усилителем выборки и хранения, программируемым источником опорного напряжения и цифровой схемой коррекции ошибок выходного кода, позволившее достичь скорости преобразования 3МГц при малой потребляемой мощности и низкой нелинейности.

2. Использован конструктивно-технологический метод обеспечения радиационной стойкости КМОП ИС, основанный на использовании дифференциальной схемотехники, высоколегированных охранных колец и периферийных поликремниевых затворов, позволивший добиться работоспособности АЦП при импульсном ионизирующем излучении 2,8'107 рад/с и высокой стабильности статических и динамических характеристик при 1,2″ 103 рад/с.

3. Изготовлены опытные образцы кристаллов аналого-цифрового преобразователя на основе КМОП — технологии с одним уровнем поликремния, что открывает новые возможности при создании современных «систем на кристалле», интегрирующих на одном кристалле автономные АЦП, ЦАП и процессоры обработки сигналов [99]. Проведенные испытания опытных образцов показали, что полученное решение обладает высокой точностью преобразования, а совокупность конструктивно-технологических методов обеспечения радиационной стойкости позволяет сохранить стабильность статических и динамических характеристик в условиях радиационных воздействий.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Т.М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах // Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Энергопромиздат, 1989. 267 с.
  2. А.Ю., Телец В. А., Чумаков А. И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: Радио и связь, 1994. 164 с.
  3. Г. Д., Малинин В. В., Школин В. П. Аналого-цифровые преобразователи // Под ред. Т. Д. Бахтиарова. М.: Советское радио, 1980. 280 с.
  4. Ю.А. Основы обработки сигналов // М.: изд. МФТИ, 1989.-92 с.
  5. Ю.А. Дискретные преобразования сигналов // М.: изд. МФТИ, 1981.-92 с
  6. Быстродействующие микросхемы ЦАП и АЦП и измерение их параметров // под ред. А.-Й.К. Марцинкявичуса. М.: Радио и связь, 1988. -224 с.
  7. .Г., Телец В. А., Микросхемы ЦАП и АЦП: функционирование, параметры, применение. М.: Энергоатомиздат, 1990. -320 с.
  8. Э.И. Преобразователи информации для электронных вычислительных устройств. М.: Энергия, 1975. 448 с.
  9. Интегральные схемы аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей // под ред. J1.M. Лукьянова. М.: Энергия, 1978. 256 с.
  10. .Г., Телец В. А. Дегтяренко В.П. Микроэлектронные цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи. М.: Радио и связь, 1984.- 120 с.
  11. В.А. Классификация микроэлектронных АЦП // Измерительная техника. 1981. № 12. С. 41−43.
  12. Daniel Н. Sheingold A. Analog-Digital Conversion Handbook // Third Edition, Prentice-Hall. 1986. P. 87−89.
  13. A.K., Сташис И. В. К вопросу построения параллельных быстродействующих АЦП // Методы и средства аналого-цифрового преобразования параметров электрических сигналов и цепей: Вторая Всесоюз. науч.-техн. конф. Тез. докл. -М., 1981. 62 с.
  14. В. 4-Bit Flash Chip Garantees 100-MHz, 8-Bit System // Electronic Desygn. 1981. № 24. P. 95−101.
  15. Emmens Т., Lonsborough M. Use Flash ADCs Carefully to Handle High-Frequency Sygnals//EDN. 1982. № 17. P. 137−143.
  16. A Versatile Bipolar Monolitic 6-Bit A/D Converter for 100-MHz Sample Frequency / G. Emmert, E. Navratil, F. Parrefail, P. Rydval // IEEE J. 1980. Vol CS-15, № 6. P.1030−1032.
  17. A.K., Манставичюс T.A., Лапинскас И. И. Компараторы напряжений серии К597 // Электрон, пром-сть. 1981. № 4. С. 19−20.
  18. B.JI. Функциональные аналоговые интегральные микросхемы. М.: Радио связь. 1982. — 126 с.
  19. Yukawa A., A CMOS- 8 bit high speed A/Dc onverter 1С // JSSC. vol 20. № 3. 1985. P. 775−778.
  20. Mangelsdorf C. A 400-MHz input flash converter with error correction //IEEE J. Solid-State Circuits 25 (1). 1990. P. 184−191.
  21. Peetz В., Hamilton В., Kang J. An 8-bit 250 megasample per second analog-to-digital converter: operation without a sample and hold // IEEE J. Solid-State Circuits SC-21 (6). 1986. P. 114−115.
  22. Carl Moreland. An Analog-to-Digital Converter Using Serial-Ripple Architecture // Master’s Thesis, Florida State University College of Engineering, Department of Electrical Engineering. 1995. P. 78−79.
  23. Carl Moreland. An 8-bit 150MSPS Serial ADC // 1995 ISSCC Digest of Technical Papers. Vol. 38. P. 272.
  24. E.J. Lim. Performance. Limits of Circuits for Analog-to-Digital Conversion // Ph.D. dissertation, Stanford University. 1991. P. 35−37.
  25. P.R. Gray., D.A. Hodges. All MOS analog-digital conversion techniques // IEEE Trans. Circuits Syst, vol CAS-25. № 7. 1978. P. 482−489.
  26. B.M. Gordon. Linear electronic analog/digital conversion architectures, their origins, parameters, limitations, and applications // IEEE Trans. Circuits Syst., vol. CAS-25. № 7. 1978. P. 391−418.
  27. H.-S. Lee, D. A. Hodges, P. R. Gray. A Self-Calibrating 15 Bit CMOS A/D Converter// IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-19. 1984. P.813−819.
  28. W. Kester. Drive Circuitry is Critical to High-Speed Sampling ADCs. Electronic Design Special Analog Issue. Nov. 7. 1994. P. 43−50.
  29. M. Waltari, K. Halonen. A 220-MSample/s CMOS Sample-and-Hold Circuit Using Double-Sampling. Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 18. 1999. P. 21−31.
  30. R. Gosser, F. Murden. A 12-bit 50MSPS Two-Stage A/D Converter // ISSCC Digest of Technical Papers. 1995. P. 278.
  31. A. G. Dingwall, V. Zazzu. An 8-MHz CMOS subranging 8-Bit A/D converter // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-20. 1985. P. 1138−1143.
  32. R. van de Plassche. Integrated Analog-to-Digital and Digital-to-Analog Converters // Kluwer Academic Publishers. 1994. P. 243.
  33. P.F. Ferguson, Jr., A. Ganesan and R. W. Adams. One Bit Higher Order Sigma-Delta A/D Converters. ISCAS PROC., Vol. 2. 1990. P. 890−893.
  34. P. Ferguson, Jr., A. Ganesan, R. Adams, et. al., An 18-Bit 20-kHz Dual Sigma-Delta A/D Converter // ISSCC Digest of Technical Papers. 1991. P. 104.
  35. S. A. Jantzi, M. Snelgrove, P. F. Ferguson Jr. A 4th-Order Bandpass Sigma-Delta Modulator // IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. 38. № 3. 1993. P. 282−291.
  36. W. Kester. Layout, Grounding, and Filtering Complete Sampling ADC System. EDN. Oct. 15. 1992. P. 127−134.
  37. W. Kester. Basic Characteristics Distinguish Sampling A/D Converters. EDN. Sept. 3. 1992. P. 135−144.
  38. Т., Takeda M., Кота K. A monolitic 8b two-step parallel ADC without DAC and substractor circuits // IEEE ISSCC Dig. Tech. Papers XXV. 1982. P. 46−47.
  39. Shimuzu Т., Hotta M., Maio K., Ueda S. A 10-bit 20-MHz two-step parallel A/D converter with internal S/H // IEEE J. Solid State Circuits 24 (1). 1989. P. 13−20.
  40. L. Sumanen, M. Waltari, K. Halonen. A 10-bit 200 MS/s CMOS Parallel Pipeline A/D Converter // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36. 2001. P. 10 481 055.
  41. L. Sumanen, M. Waltari, K. Halonen. A 10-bit 200 MS/s CMOS Parallel Pipeline A/D Converter // In proc 26th European Solid-State Circuits Conference. 2000. P. 440−443.
  42. D. Sheingold. Analog-to-Digital Conversion Handbook. Third Edition, Prentice-Hall. 1986. P. 168.
  43. C.Y. Wu, C.C. Chen, J.J. Cho. A CMOS Transitor-Only 8-b 4.5-Ms/s Pipelined Analog-to-Digital Conveter Using Fully-Differential Current-Mode Circuit Techniques // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 30. 1995. P. 522−532.
  44. B. Ginetti, P. Jespers. A 1.5 MS/s 8-bit Pipelined RSD A/D Converter // ESSCIRC Dig. Tech. Papers. 1990. P. 137−140.
  45. E. G. Soenen, R. L. Geiger. An Architecture and An Algorithm for Fully Digital Correction of Monolithic Pipelined ADC’s // IEEE Trans. Circuits and Systems-II. vol. 42. 1995. P. 143−153.
  46. Р. С. Yu, H.-S. Lee. A 2.5-V, 12-b, 5-MSample/s Pipelined CMOS ADC //IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 31. 1996. P. 1854−1861.
  47. H.-S, Chen, B.-S. Song, K. Bacrania. A 14-b 20-MSamples/s CMOS Pipelined ADC // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36. 2001. P. 997−1001.
  48. Т. B. Cho, P.R. Gray. A 10 b, 20 Msample/s, 35 mW Pipeline A/D Converter//IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 30. 1995. P. 166−172.
  49. Г. П. Измерение параметров интегральных ЦАП и АЦП. М.: Радио и связь, 1985. 128 с.
  50. Г. П. Определение статических и динамических параметров АЦП по профилю ступени квантования // Измерительная техника. 1982. № 12. С. 57−59.
  51. A.M., Шляхтин В. В., Ямский В. Е. Исследование статических и динамических параметров аналого-цифровых преобразователей 1107ПА //о
  52. Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1984. Вып. 1. С. 5−6.
  53. А.А., Коновалов В. И., Семенюк A.J1. Нормирование динамических характеристик быстродействующих АЦП // Измерительная техника. 1981. № 6.-С. 16−18.
  54. Нил М., Мьюто А. Динамический контроль аналого-цифровых преобразователей // Электроника. 1982. № 4. С. 49−57.
  55. В.В. Динамические погрешности аналого-цифровых преобразователей. М.: Энергия. 1975. 176 с.
  56. T.R. Oldham and J.M. McGarrity. Iomization of Si02 by heave charged particles // IEEE Trans. Nuclear Sci., vol. N5−28. 1981. P. 3975.
  57. M. Shoga and D. Binder. Theory of single even latchue in complementry metal-oxide semiconductor integrated circuits // IEEE Trans. Nuclear Sci., vol. N5−33, № 6. 1981. P. 1714−1717.
  58. A.A. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. 256 с.
  59. T.R. Oldham. Post irradiation effect in field oxide isolation structures // IEEE Trans. Nuclear Sci., vol. N5−34, 1987. P. 1184.
  60. Y. Taur. A self-aligned l-цш channel CMOS technology with retrograde n-well and thin epitaxy // IEEE J. Solid-state Circuit, vol. SC-20, № 1. 1985. P. 123 129.
  61. R.R. Trouman. Latchup in CMOS Technology: The Problem and Its. Cure. Norwell, MA: Kluwer Academic Publishers. 1986. P. 67.
  62. ., Гуии Ч. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. ТИИЭР, т. 62, № 9, 1974. С. 98−111.
  63. Т.М. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых микросхемах // Микроэлектроника, 2004. том 33, № 23. С. 34.
  64. Ф.П., Богатырев Ю. В. Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986. -240 с.
  65. В.М., Ладыгин Е. А., Шаховцев В. И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники // Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Советское радио, 1980. 186 с.
  66. B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат. 1969. С. 191.
  67. М.И., Ладыгин Е. А., Лобов И. Е., Тонких Н. Н., Черников A.M., Юсов Ю. П. Радиационная стойкость кремниевых интегральных схем // Обзоры по электронной технике, серия 3. 1987. 40 с.
  68. Цифровые интегральные микросхемы. Справочник / П. П. Мальцев, Н. С. Долидзе, М. И. Критенко и др. М.: Радио и связь, 1994. 320 с.
  69. Микросхемы АЦП и ЦАП. Справочник.: Додэка. 2005. — 432 с.
  70. G. Nicollini, P. Confalonieri, D. Senderowicz. A Fully Differential Sampleand-Hold Circuit for High-Speed Applications // IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 24. 1989. P. 1461−1465.
  71. J. Wu and B.A. Wooley. A 100MHz pipelined CMOS comparator // JSSC. vol 23. № 6. 1998. P 1379−1385.
  72. P., Гарланд Г. Интегральные микросхемы с КМОП-структурами: Пер. с англ. М.: Энергия, 1989. 160 с.
  73. B.C., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988. С. 132.
  74. М.И., Малюдин С. А. Никифоров А.Ю., Телец ВА. Развитие отечественной радиационно-стойкой элементной базы микроэлектроники военного и специального назначения // Радиационная стойкость электронных систем. 2000. Вып. 3. С. 3−4.
  75. Ю.И., Критенко М. И., Телец Б. А., Баюков А. В., Бедрековский М. А. Концептуальные направления развития изделий микроэлектроники специального и военного назначения // Радиационная стойкость электронных систем. 1998. Вып. 1. С. 3−4.
  76. В., Катеринич И., Курин Ф. Радиационная технология: уникальные возможности в производстве МОП интегральных схем // Chip News. 1997. № 3.-С. 2022.
  77. В.Н., Лавренцов В. Д., Малюдин С. А., Никифоров А. Ю. Анализ применяемости ИС различных технологий в аппаратуре систем спутниковой связи нового поколения // Радиационная стойкость электронных систем. 1999. Вып. 2. С. 11−12.
  78. Защелкивание в интегральных микросхемах/ Е. Р. Аствацатурьян, А. Н., Никифоров, JI. В. Раткин // Зарубежная электронная техника. 1989. № 10 (341).-С. 82.
  79. . Е., Маджарова Т. Б. Интегральные схемы кремний на изоляторе // Зарубежная радиоэлектроника. 1990. № 8. С. 33−56.
  80. Д. В., Никифоров А. Ю. Исследование влияния технологии на радиационную стойкость ОУ // Радиационная стойкость электронных систем. Научно-технический сборник. 2000. С. 72.
  81. А. Ю. Влияние организации цепи питания на реакцию КМДП ИМС при высокоинтенсивиом импульсном воздействии. Электроника и автоматизация в научных исследованиях // Под ред. В. М. Рыбина. М.: Энергоатомиздат. 1988. С. 110−111.
  82. Оптимизация параметров компонентов интегральных микросхем / С. И. Рембеза, А. С. Бережной, К. В. Смуров, В. Ю. Москалев // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2007. Т. 3. № 4. -С. 163−164.
  83. Электростатическая защита выводов интегральных микросхем / С. И. Рембеза, С. М. Кононов, А. С. Бережной, К. В. Смуров // Твердотельная электроника и микроэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2006. С. 131−138.
  84. Ambrozy A., Variance of 1/f noice // Solid. State Electron. 1988. № 9. P. 1391 1396.
  85. Schiebel R.A. a model for 1/f noise of diffusion current based on surface recombination velocity and insulator trapping // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. № 5. P. 768−778.
  86. A. Van der Ziel. Proposed discrimination between 1/f noise source in transistors // Sol. State Electron. 1982. № 2. P. 141.
  87. Система комплексного имитационного моделирования радиационного поведения ППП и ИС. Е. Р. Аствацатурьян, А. Ю. Никифоров, А, И. Чумаков и др. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА. 1994. Вып. 1,2.
  88. Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ. Е. Р. Аствацатурьян, А. Ю. Никифоров, А. И. Чумаков и др. // Вестник РАДТЕХ. 1991. № 2. С. 44 — 47.
  89. Е. Р., Трушкин Н. С. Многоуровневое иерархическое моделирование радиационных эффектов в БИС. Препринт. М. 1993. — 22 с.
  90. Е. Р., Беляев В. А., Трушкин Н. С. Функционально-логическое моделирование радиационного поведения цифровых устройств. -Препринт. М., 1993. 26 с.
  91. Р. Системы на кристалле. Актуальные проблемы // Инженерная микроэлектроника. 1998. № 1. С. 1819. ч
Заполнить форму текущей работой

На отлично!