Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо-и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырехкомпонентных твердых растворов А3В5
Данная работа выполнялась в рамках программы фундаментальных исследований ОИТВС РАН «Организация вычислений с использованием новых физических принципов», которая входила в программу фундаментальных исследований отделения информационных технологий и вычислительных систем РАН и проекта «Разработка теоретических и конструктивно-технологических основ создания эффективных, мощных, надежных… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА 1. ВОЗДЕЙСТВИЕ ПРОНИКАЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТЕРИАЛОВ, КАТОДО- И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ ГОМО- И ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ А3В
- Выводы
- ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ СТРУКТУРЫ ИЗЛУЧАЮЩЕГО р-п-ПЕРЕХОДА И ПАРАМЕТРОВ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ВОЛЬТ-ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ТЕОРИЯ)
- 2. 1. Введение
- 2. 2. Электролюминесценция из оптически активного слоя р-пили гетероперехода в режиме малого уровня инжекции
- 2. 3. Электролюминесценция из оптически активного компенсированного слоя в режиме высокого уровня инжекции в диффузионном приближении теории
- 2. 4. ЭЛ из оптически активных низкоомных р± и п±областей р±р (п)-п±структуры
- 2. 5. Электролюминесценция из оптически активного слоя в дрейфовом приближении теории
- 2. 5. 1. Основные положения и расчетные соотношения
2.5.2. Вольт-люмен-амперные характеристики (ВЛАХ) при преобладании омической релаксации, бимолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной ремобинации в квантовой яме.
2.5.3. ВЛАХ в случае преобладания омической релаксации, мономолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме.
2.5.4. ВЛАХ при преобладании времени пролета бимолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейнойи бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме.
2.5.5. ВЛАХ при преобладании времени пролета, мономолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме.
Выводы.
ГЛАВА 3. МЕТОДЫ ОБЛУЧЕНИЯ И КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ СТРУКТУР ДО И ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ.
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ НЕЙТРОННОГО, ПРОТОННОГО, ЭЛЕКТРОННОГО И ГАММА ОБЛУЧЕНИЯ НА ВОЛЬТ-ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ AIo, 33Ga<, 67As ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ.
4.1. Исследование структуры и методики облучения.
4.2. Экспериментальные результаты по изменению ВАХ и силы света при нейтронном облучении.
4.3. Обсуждение экспериментальных результатов и расчет констант повреждения при нейтронном облучении.
4.4. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов протонами.
4.5. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов электронами.
4.6. Снижение силы света и расчет константы повреждаемости при облучении светодиодов гамма квантами.
Выводы.
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННОГО, НЕЙТРОННОГО, ПРОТОННОГО И ГАММА ОБЛУЧЕНИЯ НА ВОЛЬТ-ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ GaAs0.6P0.4 p±p (n)-n±СТРУКТУРЫ.
5.1. Исследуемые приборы, структуры и методика облучения.
5.2. Экспериментальные ВАХ до и после облучения.
5.3. Обсуждение экспериментальных ВАХ и определение констант повреждаемости.
5.4. Экспериментальные вольт-люмен-амперные характеристики до и после облучения.
5.5. Обсуждение экспериментальных вольт-люмен-амперных характеристик и определение констант повреждаемости.
5.6.Статистические исследования влияния электронного, нейтронного, протонного и гамма облучения на силу света.
5.6.1.Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов электронами.
5.6.2. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов нейтронами.
5.6.3. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов протонами.
Выводы.
ГЛАВА 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ НЕЙТРОННОГО И ГАММА ОБЛУЧЕНИЯ НА ВОЛЬТ-ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ ЭФФЕКТИВНЫХ СВЕРХЯРКИХ (AlxGa1.x)o, 5lno, 5P
ГЕТЕРОСТРУКТУР С КРАСНЫМ И ЖЕЛТЫМ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ.
6.1. Исследуемые гетероструктуры и методика облучения.
6.2. Распределение концентрации заряженных центров в гетероструктурах до и после облучения.
6.3. Вольт-люмен-амперные характеристики (Alo^GaojVsIno.sP гетероструктур с красным цветом свечения до и после облучения.
6.4. Вольт-люмен-амперные характеристики (Alo, 4Gao, 3) o, 50, 5? гетероструктур с желтым цветом свечения до и после облучения.
6.5. Обсуждение экспериментальных результатов и оценка константы повреждаемости времени жизни.
Выводы.
Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо-и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырехкомпонентных твердых растворов А3В5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Разработанные в 70−80-х гг. светодиоды, цифро-знаковые индикаторы, табло, экраны и элементы шкалы на основе бинарных соединений и твердых растворов А3В5 нашли широкое применение в устройствах и приборах индикации, сигнализации, контроля и отображения информации малой мощности как гражданского, так и спецприменения. Помимо «грязного» цвета свечения, не соответствующего стандартам, эти светодиоды имели низкую эффективность и силу излучения — единицы или десятки милликанделл, тогда как в обычных светотехнических устройствах этот параметр должен составлять тысячи и десятки тысяч канделл.
Необходимые потребителям комплексные исследования по влиянию проникающей радиации (нейтронов, протонов, электронов и гамма квантов) проводились в ограниченном масштабе.
В 90-х гг. за рубежом, в основном в Японии и США, были созданы эффективные полупроводниковые источники излучения второго поколения, способные заменить лампы накаливания и люминесцентные источники в светотехнических приборах большого радиуса действия, таких как шоссейные и железнодорожные светофоры, бакены и маяки, бортовые сигнальные и осветительные огни, дополнительные сигналы торможения, дорожные знаки информационные табло, лампочки для шахтеров и т. д.
Если в светодиодах первого поколения лишь гетероструктуры на основе AlxGai. xAs/GaAs, излучающие в красной области спектра (110−180 нм) обладали высоким внешним квантовым выходом (5−8%) при светоотдаче до 5 лм/ватт, то у светодиодов на основе твердых растворов алюминия-индия-галлия-фосфора, излучающих в красной и желтой области спектра квантовая эффективность составила 12−18%. У лабораторных образцов она достигала 40−60%, а светоотдача достигала 150 лм/ватт.
В 1996 г. были разработаны эффективные светодиоды (СД) для зеленой (530 нм) и голубой (460 нм) области спектра на основе гетероструктур AlxGai. xN/InxGa]xN/GaN с квантовой эффективностью 79%. Совместное использование «синих» светодиодов и желтого люминофора позволило создать источник белого света по светоотдаче превосходящий лампы накаливания. Разработаны мощные светодиоды на ток до 1 А, способные заменить лампы накаливания, люминесцентные и другие источники освещения при напряжении питания не более 5 В и существенной экономии электроэнергии.
В настоящее время данное направление оптоэлектроники бурно развивается. В 1999 г. объем выпуска сверхярких мощных светодиодов составил 100 млн. шт. Ежегодный прирост капиталовложений в эту область, начиная с 1996 г. составляет 40% и к 2006 г. достиг 3 млрд. долларов США. Число публикаций превышает 1000 наименований в год.
По оценкам специалистов внедрение светодиодов в светотехнику сейчас происходит быстрее, чем в свое время транзисторов в радиоэлектронику. Поэтому сложившееся положение называют промышленной революцией в оптоэлектронике.
Несмотря на большой объем публикаций по использованию, разработке и применению эпитаксиальных гомои гетероструктур первого и второго поколения, в известной нам литературе отсутствуют данные по систематическому изучению влияния проникающей радиации на светодиоды первого и особенно второго поколения.
Актуальность работы.
Маломощные светодиоды, устройства и приборы сигнализации и отображения информации первого поколения в настоящее время широко применяются как в гражданской, так и бортовой аппаратуре. Анализ заявок потребителей показывает, что существует еще большая потребность применения разработанных в последнее время эффективных сверхярких светодиодов в бортовой (включая космическую), военной аппаратуре и ядерной радиоэлектронике. Необходимым условием их использования в этих областях является информация по воздействию проникающей радиации, особенно быстрых нейтронов и гамма квантов на электрические и светотехнические параметры и характеристики с последующим присвоением группы стойкости. Поэтому систематические исследования в области радиационной деградации радиационной стойкости светоизлучающих структур первого и второго поколения являются весьма актуальными.
Цель работы.
Целью данной работы являлось систематическое исследование воздействия нейтронов, протонов, электронов и гамма квантов на характеристики и параметры излучающих в красной и желтой области спектра гомои гетероструктур: Alo^Ga^As, GaAs0,6Po, 4, (AlxGa1.x)o, 5lno, 5P и оценка радиационной стойкости светодиодов, приборов и устройств отображения информации на основе этих структур.
Данная цель достигалась постановкой и решением следующих задач:
1. Разработкой конструкции и технологии изготовления светодиодов всех основных цветов, пригодных для проведения испытаний на воздействие нейтронов, протонов, электронов и гамма квантов на стандартном оборудовании.
2. Созданием автоматизированной аппаратуры и методик для комплексного измерения параметров и характеристик структур до и после облучения с компьютерной обработкой результатов измерений.
3. Разработкой методик измерения электрофизических параметров материала активной области и структуры светодиода, оценки констант повреждаемости времени жизни (Кх) и снижения силы света (тоКх).
4. Разработкой программ для аппроксимации экспериментальных вольт-люмен-амперных характеристик и их эволюции при облучении.
Научная новизна заключается:
1. В исследовании воздействия протонного облучения на параметры и характеристики структур первого поколения, нейтронного и гамма облучения — на гетероструктуры второго поколения.
2. В усовершенствовании и использовании метода измерения распределения заряженных центров в активной области облученных светодиодов на основе анализа динамической барьерной емкости структур до и после облучения.
3. В разработке математической модели влияния структуры и параметров активной области р-n и р±р (п)-п+ гомои гетеропереходов в диффузионной и дрейфовом приближении теории.
4. В выводе на основе матмодели аналитических зависимостей изменения вольт-люмен-амперных характеристик светодиодов при облучении.
5. В определении на основе экспериментальных данных и расчетных зависимостей констант повреждаемости времени жизни и снижения силы света при облучении гомои гетероструктур первого и второго поколения.
Практическая ценность работы заключается:
1. В разработке методов определения констант повреждаемости и снижения силы света, т. е. в количественной оценке радиационной стойкости светодиодов.
2. В расчете коэффициентов относительной эффективности воздействия различных видов облучения на силу света, что позволяет существенно снизить объем и стоимость экспериментальных исследований.
3. В создании базы определения квалификационной группы стойкости светодиодов в соответствии с ГОСТом В.39.404−81 РФ.
Реализация и внедрение результатов работы.
Данная работа выполнялась в рамках программы фундаментальных исследований ОИТВС РАН «Организация вычислений с использованием новых физических принципов», которая входила в программу фундаментальных исследований отделения информационных технологий и вычислительных систем РАН и проекта «Разработка теоретических и конструктивно-технологических основ создания эффективных, мощных, надежных и радиационно-стойких светодиодов нового поколения на основе твердых растворов», входящего в вышеуказанные программы. Результаты внедрены в ОАО «Оптрон», ЗАО «Пола +» и ЗАО «Корвет» и использованы при составлении ТУ, конструкторско-технологической документации, справочных и информационных материалов на выпускаемые и вновь разрабатываемые приборы.
Апробация работы.
Основные результаты работы докладывались на МНТК «Информационные технологии в науке, технике и образовании», Аланья, Турция, 9−14 мая 2004 г., на десятой МНТК «Моделирование электронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества, надежности и радиационной стойкости приборов и аппаратуры», г. Севастополь, 9−17 сентября 2004 г., на МНТК «Информационные технологии и моделирование электронных приборов и техпроцессов в целях обеспечения качества и надежности аппаратуры», Сусс, Тунис, 9−16 октября 2005 г.
Публикации.
По теме диссертации опубликовано 7 печатных работ.
Структура и объем работы.
Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Основная часть диссертации изложена на 124 страницах машинописного текста, содержит 49 рисунков и 7 таблиц.
Выводы.
1. Проведены комплексные измерения электрических и световых характеристик гетероструктур на основе (AlxGai.x)o, 5lno, 5P//GaP с красным и желтым цветом свечения в широком интервале токов, п напряжений, доз гамма (до 10 рад) и флюенсов нейтронного.
If л облучения (до 4,7−10 н/см). Измерения проводили в автоматизированном режиме с компьютерной обработкой результатов измерений.
2. Из измерения профилей распределения заряженных центров в активной области было установлено, что светодиоды представляют собой р±р (п)-п±гетероструктуру с шириной компенсированного слоя 0,15−0,30 мкм, в котором содержится одна или несколько квантовых ям.
3. Вольт-амперные характеристики до и после облучения соответствовали известным диффузионным и дрейфовым моделям двойной инжекции, что позволило разработать физическую и математическую модель гетероструктуры и на ее основе вывести аналитические зависимости силы света от тока для основных участков ВАХ.
4. Рассчитанные на основе экспериментальных характеристик и математической модели константы снижения силы света (тОКх) и повреждаемости времени жизни составили (4,2+1,3)-10−14 см2/н и (2,4+1,4)-10−14 см2/н, соответственно из анализа вольт-амперных и люмен-амперных характеристик гетероструктур с красным цветом свечения и (2,1+0,4)-10−14 см2/н — с желтым. Гамма облучение не оказывало существенного влияния на электрические и световые характеристики до дозы 107 рад.
5. По радиационной стойкости гетероструктуры на 1−2 порядка превосходят гомои гетероструктуры на основе твердых растворов A10,33Ga0,67As и GaAs0,6P0,4.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
.
1. В диссертационной работе впервые проведено комплексное исследование воздействия нейтронов, электронов, протонов и гамма квантов на светоизлучающие р-п-структуры первого поколения на основе Alo, 33Gao, 67As и GaAs0,6Po, 4, нейтронов и гамма квантов на гетероструктуры второго поколения на основе (AlxGa^xVsIno.sP с красным и желтым цветом свечения.
2. На основе экспериментальных данных и расчетов разработана математическая модель гомо (гетеро) структур в диффузионном и дрейфовом приближении теории двойной инжекции.
3. Для анализа экспериментальных результатов, прогнозирования радиационной стойкости, определения констант повреждаемости времени жизни и снижения силы света при облучении на основе матмодели рассчитаны зависимости силы света от параметров материала активной области, тока, напряжения и флюенса (дозы) облучения как для простого гомоили гетероперехода с оптически активной p-n-областью в режиме малого уровня инжекции, так и более сложной трех-четырехслойной р±р (п)-п±структуры, содержащей компенсированный слой, в режиме высокого уровня инжекции.
4. На основании экспериментального исследования ВАХ и IV (U, I)-характеристик Alo^Gao^As структур при разных флюенсах нейтронного, электронного, протонного и гамма облучения установлена зависимость тока и силы света от интегрального потока: ivo/lv)^5″ 1 = тоКтФ и определены константы повреждаемости: топК&bdquo-) = (1,4±0,9)-10~12 см2/н- (т0пКп) = (4,5±0,8>10″ 12 см2/пюпКэ) = (1,3±0,2)-10~13 см2/е- (т0пКу) = (3,1±-0,6>1(Г8 см2/рад.
5. В результате детального анализа изменения ВАХ GaAs0,6Po, 4 структур при электронном облучении подтверждена трехслойная р±р (п)-п±структура, в которой ширина компенсированного р-слоя до облучения и при малых флюенсах была меньше, а после флюенса б-Ю'МО" э/см2 больше диффузионной длины, что приводило к появлению характерных степенных участков I = A (u-Uk)4 и I=B (U-Uk)2. определенные из температурной зависимости тока на этих участках энергетические уровни и концентрации дырочных и электронных.
18 —3 ловушек составили: Et-P = 0,11−0,12 эВ, Nt>p = (0,6−1,0)-10 см, Et>n = 0,15−0,17 эВ, Nt, n = (0,3−2,3)-1014 см-3.
6. Экспериментальные зависимости силы света от напряжения и тока, а также спектры ЭЛ до и после облучения соответствовали предположению, что краевое излучение свободных носителей заряда или экситонов преобладало в компенсированном слое, а примесная ЭЛ электронов на нейтральных центрах цинка в р±области. На основании экспериментальных данных и расчетов (2 глава диссертации) получена аналитическая зависимость силы света от флюенса:
1уо/1у)2/3″ 1 = тоКтФ ПРИ заданном токе. Определенные константы повреждаемости составили: (топК&bdquo-) = (0,95±0,45)-10−13 см2/н- (т0пКп) = (5,0±0,40)-10″ 13 см2/п- (тОпКэ) = (4,3±2,9>10−15 см2/э- (топКу) = (3,3±0,8>10″ 8 см2/рад.
7. На основе комплексных измерений распределение заряженных центров в активной области, электрических и световых характеристик (AlxGai.x)o, 5ln<), 5P светодиодов с красным и желтым цветом свечения было установлено, что они представляют собой р±р (п)-п±гетероструктуру с шириной компенсированного слоя 0,15−0,30 мем, которая менялась при облучении.
8. Вольт-амперные характеристики до и после облучения соответствовали классическим диффузионным и дрейфовым моделям двойной инжекции: е1Л. (eU л.
I = IslexP > I = Is2exP 2kTy l, 5kT.
1=в (и-ик)2Л=с (и-ик)3, что позволило оценить величину произведения (топКп) = (2,4±5,3)-10 14 см2/н для гетероструктур с красным и (2,1±0,4)-10~14 см2/н — с желтым цветом свечения.
9. Экспериментальные зависимости силы света от тока, напряжения и флюенса нейтронного облучения соответствовали расчетным, выведенные в предположении, что излучательная рекомбинация имела место в квантовых ямах, расположенных в компенсированном слое.
10. Зависимость силы света от флюенса выглядела следующим образом:
1у (о)/1у (ф) = (1+топКпФ)П, где п = 0,5, (ТОпКп) = (5,3±2,1>10″ 14 см2/н для гетероструктур с красным и п = 1,0, (т0пКп) = (2,4± 1,4)-10″ .
14 см2/н — для гетероструктур с желтым цветом свечения.
11. По силе света, надежности, времени наработки, радиационной стойкости светодиоды второго поколения существенно превосходят светодиоды первого поколения.
Список литературы
- Barnes С.Е. Neutron damage in GaP Light-emitting diodes.// Appl. Phys. Let. 1972. V.22.N3.P.110−112
- Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A. and Herzog A.H. Gamma irradiation and annealing effect in nitrogendoped GaP green and yellow Light-emitting diodes//IEEE Trans Nucl. Scient.//1972 NS19. N6. P.386−390.
- Уваров Е.Ф. Электрофизические свойства полупроводниковых соединений А3В5, облученных быстрыми электронами и нейтронами// Обзор по электронной технике. М.: 1979. Вып.9. 68 с.
- Уваров Е.Ф., Храмцов А. П. Оптические и люминесцентные свойства облученных широкозонных полупроводников А3В5//Обзор по электронной технике. М.: 1979. Вып. 11. 72 с.
- Stanley A.G. Comparison of light emitting diodes in a space radiation environent//IEEE Trans Nucl. Scient. 1970. V.NS. N6. P.234−244.
- Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A., Herzog A.H. Effect of neutron irradiation on GaAsP electroluminescent diodes.// Appl. Phys. Let. 1973. V.23. N8. P.472−474.
- Храмцов А.П. Влияние электронного и нейтронного облучения на процессы излучательной рекомбинации в некоторых широкозонных полупроводниках А3В5//Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. М.: 1982. 195 с.
- Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A., Herzog A.H.// IEEE Conference on Nuclear and space radiation Effects//San Diego-California. 1976.
- Nuese C.I., Shade H. and Herrick D. Effiency degradation of GaAsP electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.//Met. Trans. 1970. V.5. P.587−592.
- Shade H., Nuese C.I. and Herrick D. Defect centers in GaAsP electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.//J. Appl. Phys. 1970. V.41. N9. P.3873−3789.
- Nuese C.I., Shade H. and Herrick D. Effiency degradation of GaAsi. xPx electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.// Metal. Trans. 1970. V.l. N3. P.587−591.
- Kaminski P., Kot W., Nizinski Z. and Roszkiewics K. Deep electron traps in GaAsP: N and GaAsP: N light emitting diodes//Acta Physica Polonica. 1982. V. A7L. N3. P.453−456.
- Lang D.V., Logan R.A. and Kimerling L.C. Identification of the defect state, associated with a gallium vacancy in GaAs and AlGaAs.//Phys. Rev. V. 15.N.10. P.4874−4882.
- Селезнев Д.В. Анализ влияния облучения на светоиндикаторы из Alo, 33Gao, 67As//B сб. «Моделирование и исследование сложных систем». 'М.:МГАПИ. 2004. С.91−102.
- Рыжиков В.И. Методы контроля радиационной деградации и оценки радиационной стойкости светодиодов на основе нитрида галлия//В сб. «Моделирование и исследование сложных систем», М.: МГАПИ. ISBN-8068−0197−7,2004. Т.1. С.3−7.
- Kalma А.Н., Corelli I.C. Radiation effects in Semiconductors.//Snanum Press. N4. 153 p.
- Kolchenko T.I., Lomako I.M. Remuved and scattering charge carriers bydeffects clusters in Semiconductors.//Phys.Stat.Solidi. 1971. V.3(a). P.263−269.
- Mc Nichols I. L., Berg N. I. Newtron-induced metallic spike zones in GaAs/ЛЕЕЕ Trans on Nuclear Scientific, 1974. V.S. 18. #6, P.21−30.
- Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junctions transistors.//Bell Sest.Tech.J. 1949. V.28. N.3. P.435−490.
- Barns C.E. Neutron damage in GaP (ZnO) light-emitting diodes.// Appl. Phys. Let. 1977.V.48. N5. P.1921−1927.
- Herring C. Bell Sest.Tech.J. 1949. V.28. N.401. P. 172−181.
- RittnerE.S. Phys Rev. 1954. V.94. P. l 161−1172.
- Hall R.N. Power rectifiers and transistors // Proc. IRE. 1952. P. 1512−1518.
- Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. 10. Токидвойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. Радио. 1978. 320 с.
- Акимов Ю. С., Рыжиков И. В. Инжекция электронов и дырок в изоляторы и полупроводники //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1972. № 4. Т. 1. С. 3−29- Т. 2. № 4. С.47−76.
- Лейдерман А. Ю., Рабинович Ф. Я., Карагеоргий-Алкалаев П. М. Ктеории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках. //Изв.АН УзбССР. Сер.Физ.Мат.Наук. 1969. № 6. С.51−57.
- Осипов В.В., Холоднов В. А. Теория диодов с излучательной и безызлучательной примесной рекомбинацией//Физика и техника Полупроводников. 1970. Т.4. Вып. 12. С.2241−2252.
- Paramenter R.H., Ruppel W.S. Appl. Phys. 1959. V. 39. P.1548−1555.
- Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах/Пер. с англ.//М.: Мир. 1973. 146 с.
- Рашба Э.И., Толпыго К. Б. Прямая вольт-амперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах //ЖТФ. 1956. Т.26. Вып.7. С.1419−1426.
- Lampert М.А., Rose A. Phys. Rev/1961. V. 121. Р, 26−31.
- Горюнов Н.Н., Клебанов Н. П., Лукашов Н. В., Маняхин Ф. И. импульсный трехчастотный метод измерения параметров заряженных центров в области пространственного заряда полупроводниковых структур//"Приборы и системы управления". 1999. № 10. С.34−42.
- Маняхин Ф.И., Кодак А. Метод контроля технологии светодиодных структур//"Компоненты и технология". 2005. № 6. С. 236−238.
- Берман Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках//Л.: Наука. 1981. 176 с.
- Булярский С.В., Радаууан С. Н. Определение параметров глубоких центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости//ФТП. 1981. Т. 15. № 7. С. 1443−1446.
- Булярский С.В. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах/Кишинев: Штинда, 1987. 103 с.
- Крамер-Агеев Е.А., Трошин В. С" Тихонов Е. Г. Активационные методы спектроскопии нейтронов//М.: Атомиздат. 1976. С. 194−199.
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур //ФТП. 1988. Т. 32, № 1. С.3−18.
- Алферов Ж.И., Чиковани Р. И., Чармакадзе Р. А. и др. Высокоэффективные светодиоды в красной области спектра на основе гетеропереходов в системе AlAsGaAs//OTTI. 1972. Т.6. Вып.И. С. 1189−2291.
- Алферов Ж.И. Письма в журнал технической физики. 1997. № 3. С. 657.
- Craford M.G. Properties on electrolum. of the GaAsi. xAsPx ternary system//Progress in solid state chem. V.8. 1973. P. 127−165.
- Munoz E., Snyder W.L., Moll J.L. Effect of arsenic pressure on heat treatment of liquid epitax. GaAs//Appl. Phys. Lett. 1970/ V.16. # 2. P. 262 273.
- Pegler P.L., Grimshaw J.A. Electrical measurement on electron irradiation n- and p-GaAs//Radiat. Eff. 1972. V.15. № 2. P.183−193.
- Кравченко A.C., Принц В. Я. Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAsP и AlGaAs от состава//ФТП. 1978. Т.12. С.1612−1614.
- Lang D.V., Logan R.A. and Kimerling L.C. Identification of the defect state, associated with a gallium vacancy in GaAs and AlxGai.xAs.//Phys. Rev. 1977. V. 13. № 10. P.4874−4882.
- Рыжиков В.И. Контроль радиационной стойкости мощных светодиодов на основе широкозонных полупроводников//Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. М.: 2004. 100с.
- CORVETTE-LIGHTS HIGH BRIGHTNESS LEDS & LIGHT SIGNALING SYSTEMS1. CORVETTE1. Ь ft «VL? ?
- Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо-и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех- четырехкомпонентных твердых растворов А3В5»
- В ЗАО «Корвет-Лайте» внедрены следующие результаты диссертационной работы Селезнева Д.В.
- Алгоритмы и программы для компьютерной обработки результатов измерений электрических и светотехнических характеристик мощных сверхярких светодиодов.
- Результаты испытаний на длительную наработку (life-time) и ускоренных испытаний.
- Методы исследования радиационной деградации сверхярких светодиодов нового поколения с красным и желтым цветом свечения и оценки их радиационной стойкости.1. Генеральный директор1. Долин Е.В./105 058, Russia, Moscow, Mironovskaya st, bid. 10 A.
- Tel.: +7 095−913−99−21, +7 095−369−06−94. Fax: +7 095−913−99−21, +7 095−742−87−71 E-mail: [email protected]. WWW: http://www.corvette-liqhts.ru.
- В ЗАО ПОЛА+ внедрены следующие результаты диссертационной работы Селезнева Д.В.
- Оптимизация установок и разработка методов диагностики и ускоренных испытаний на надежность светодиодов на основе (AlxGa1.x)o, 5Ino, 5P/GaP
- Оценка гамма ресурса по результатам испытаний на длительную наработку до 10 ООО ч.
- Передача результатов испытаний светодиодов на воздействие проникающей радиации для использования в технической документации и присвоения соответствующей группы стойкости.
- Генеральный директор, А ЙЦербаков Н.В./