Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Оптические и люминесцентные свойства оксидных стекол и кристаллов с различным типом атомного разупорядочения

Диссертация: Оптические и люминесцентные свойства оксидных стекол и кристаллов с различным типом атомного разупорядочения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Выполнен анализ выражения Фэна для температурной зависимости ширины энергетической щели Eg (T) материала, получаемого в рамках одно-фононного приближения. Показано, что оно вполне применимо для описания зависимости Eg (T) и оценки параметров динамического беспорядка в аморфных материалах, где вследствие структурного беспорядка края энергетических зон размыты и имеются протяженные хвосты плотности… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. «КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ» И «СТЕКЛООБРАЗНОЕ» ПРАВИЛО УРБАХА. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Общие положения
    • 1. 2. Реализация разных вариантов правила Урбаха в неупорядоченных материалах
      • 1. 2. 1. Влияние температуры на собственный край поглощения в щелочно-силикатном стекле
      • 1. 2. 2. УФ-край фундаментального поглощения в оксидных стеклах. Сравнение с соответствующими кристаллами
      • 1. 2. 3. Правило Урбаха в процессах фотостимулированной эмиссии электронов в силикатных стеклах
      • 1. 2. 4. Край оптического поглощения в гидрогенизированном кремнии
    • 1. 3. Известные модели урбаховского края в твердых телах
      • 1. 3. 1. ПУ в кристаллах
      • 1. 3. 2. ПУ в некристаллических твердых телах
    • 1. 4. Природа и роль атомного беспорядка при интерпретации ПУ
    • 1. 5. Формулировка цели и постановка задач диссертационных исследований
  • ГЛАВА 2. МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ С РАЗНЫМ ТИПОМ ДОМИНИРУЮЩЕГО АТОМНОГО РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ
    • 2. 1. Выбор инструментов исследования и изучаемых объектов
    • 2. 2. Объекты исследования и подготовка образцов
      • 2. 2. 1. Исследуемые стеклообразные системы
        • 2. 2. 1. 1. Бинарные стекла РЬО-ЭЮг
        • 2. 2. 1. 2. Тройные стекла Na20-Pb0-S
        • 2. 2. 1. 3. Поликомпонентные промышленные стекла класса ТФ
        • 2. 2. 1. 4. Общая характеристика стеклообразных образцов
      • 2. 2. 2. Исследуемые кристаллы
        • 2. 2. 2. 1. Нейтрон-облученные кристаллы берилла
        • 2. 2. 2. 2. Анионно-дефектные монокристаллы а-А120з
        • 2. 2. 2. 3. Кристаллы MgO с собственными и примесными дефектами
        • 2. 2. 2. 4. Общая характеристика кристаллических образцов
    • 2. 3. Автоматизированная система научных исследований процессов люминесценции в твердых телах
      • 2. 3. 1. Аппаратурный измерительный комплекс
      • 2. 3. 2. Программная система «TOSL» для моделирования механизмов термо- и фотостимулированной люминесценции в диэлектриках
    • 2. 4. Использованные экспериментальные методики
      • 2. 4. 1. Спектры оптического поглощения
      • 2. 4. 2. Фотолюминесценция и спектры возбуждения ФЛ
      • 2. 4. 3. Различные режимы регистрации термо люминесценции
      • 2. 4. 4. Возбуждение фотоконверсии F—=> Р±центров в кристаллах а-АЬОз
    • 2. 5. Использованные расчетные методы
      • 2. 5. 1. Рекурсивный метод для расчета частот локализованных колебаний
      • 2. 5. 2. Метод Монте-Карло при моделировании процессов транспорта электронов
      • 2. 5. 3. Оптимизационная процедура на основе генетического алгоритма
    • 2. 6. Научное сотрудничество на разных этапах диссертационных исследований
    • 2. 7. Детальная схема диссертационных исследований
    • 2. 8. Выводы по Главе 2
  • ГЛАВА 3. МОДИФИЦИРОВАННОЕ ПРАВИЛО УРБАХА В СТЕКЛАХ. РОЛЬ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ АТОМНОГО БЕСПОРЯДКА
    • 3. 1. Обобщенная формулировка правила Урбаха
      • 3. 1. 1. Применение принципа Франка-Кондона
      • 3. 1. 2. Применение принципа эквивалентности статического и динамического типов беспорядка
        • 3. 1. 2. 1. «Кристаллический» предел. Роль динамического беспорядка
        • 3. 1. 2. 2. «Стеклообразный» предел. Роль статического беспорядка
      • 3. 1. 3. Сравнение параметров для различных вариантов правила Урбаха
    • 3. 2. Формулировка правила Урбаха в пределе высоких температур
      • 3. 2. 1. «Кристаллический» вариант
      • 3. 2. 2. «Стеклообразный» вариант
      • 3. 2. 3. Физический смысл параметра То
      • 3. 2. 4. Сравнение параметров правила Урбаха для различных стеклообразующих систем
    • 3. 3. Влияние теплового беспорядка на ширину энергетической щели в кристаллах и стеклах
      • 3. 3. 1. Соотношение Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны в кристаллах
      • 3. 3. 2. Выражение Фэна для функции Eg (T)
        • 3. 3. 2. 1. Основные параметры соотношения
        • 3. 3. 2. 2. Связь с соотношением Варшни
        • 3. 3. 2. 3. Универсальный характер выражения фэна для кристаллических и стеклообразных материалов
    • 3. 4. Оценка параметров динамического беспорядка в различных материалах
      • 3. 4. 1. Расчет эффективной энергии фононов
      • 3. 4. 2. Оценка температурного коэффициента Р ширины энергетической щели
      • 3. 4. 3. Полуэмпирический критерий для определения фиктивной температуры Т'
    • 3. 5. Модифицированное правило Урбаха в стеклах на основе выражения Фэна
    • 3. 6. Использование модифицированного правила Урбаха на примере анализа спектров ОП кристаллов берилла
      • 3. 6. 1. Спектры оптического поглощения нейтрон-облученных кристаллов берилла
        • 3. 6. 1. 1. Типичный урбаховский «веер» в зависимости от флюенса
        • 3. 6. 1. 2. Зависимость параметра беспорядка от нейтронного флюенса
      • 3. 6. 2. Квазидинамический структурный беспорядок, индуцированный быстрыми нейтронами
        • 3. 6. 2. 1. Оценка отношения констант Dx/K деформационного потенциала
        • 3. 6. 2. 2. Связь энергии оптических переходов с параметром беспорядка Е
    • 3. 7. Выводы по Главе 3
  • ГЛАВА 4. ЭФФЕКТЫ ДИНАМИЧЕСКОГО БЕСПОРЯДКА ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ОБЛАСТИ ПРОЗРАЧНОСТИ СВИНЦОВО-СИЛИКАТНЫХ СТЕКОЛ
    • 4. 1. Параметры «стеклообразного» правила Урбаха в системе Pb0-S
      • 4. 1. 1. Спектрально-температурные зависимости УФ-края
      • 4. 1. 2. Спектральный параметр Е
    • 4. 2. Оценка параметров динамического беспорядка из температурных зависимостей
      • 4. 2. 1. Температурные параметры То и Т'
      • 4. 2. 2. Расчет энергии эффективных колебаний
      • 4. 2. 3. Оценка температурных коэффициентов у3 ширины энергетической щели
      • 4. 2. 4. Концентрационные зависимости урбаховских параметров. .'
    • 4. 3. Характеристики температурного поведения энергетической щели в стеклах Pb0-Na20-S
      • 4. 3. 1. Спектральные характеристики УФ-края оптического поглощения
      • 4. 3. 2. Оценка параметров «стеклообразного» правила Урбаха
    • 4. 4. Температурное тушение собственной люминесценции в бинарных стеклах PbO-SiC>
      • 4. 4. 1. Спектры фотолюминесценции в бинарных стеклах. Температурная зависимость интенсивности свечения
      • 4. 4. 2. Закон Мотта и соотношение Стрита для температурного тушения ФЛ в стеклах
      • 4. 4. 3. Анализ параметров температурного тушения
    • 4. 5. Влияние структурных факторов на УФ-границу прозрачности в стеклах класса ТФ
      • 4. 5. 1. Спектральное положение края поглощения при различных температурах
      • 4. 5. 2. Параметры «стеклообразного» правила Урбаха в тяжелых флинтах
        • 4. 5. 2. 1. Температурная зависимость параметра беспорядка
        • 4. 5. 2. 2. Температурное поведение оптической щели Eg для разных подгрупп флинтов. Расчет эффективных энергий фононов
    • 4. 6. Расширенная диаграмма Аббе для стекол ТФ
      • 4. 6. 1. Влияние содержания РЬО на параметр Ео
      • 4. 6. 2. Диаграмма свойств «nD-Vd-Ео»
      • 4. 6. 3. Параметры трехмерной диаграммы Аббе с учетом эффектов динамического беспорядка
    • 4. 7. Выводы по Главе 4
  • ГЛАВА 5. СТРУКТУРНО-ДИНАМИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССАХ В АНИОН-ДЕФЕКТНЫХ КРИСТАЛЛАХ а-А
    • 5. 1. Форма и температурное поведение полосы 6.05 эВ в спектрах оптического поглощения
      • 5. 1. 1. Аномальное поведение полосы 6.05 эВ при нагреве кристалла
      • 5. 1. 2. Разложение полосы на суперпозицию независимых гауссовых компонент
      • 5. 1. 3. Расчет эффективной энергии фононов, ответственных за уширение и смещение полос поглощения
      • 5. 1. 4. Формирование полосы при электронно-оптических переходах с участием F- и Р±центров
    • 5. 2. Влияние процессов фотоконверсии F => Г±центров на характеристики люминесценции
      • 5. 2. 1. Трансформация спектров ОП в кристаллах а-А12Оз после F=> Реконверсии
      • 5. 2. 2. Влияние температуры на эффективность протекания процессов фотоконверсии
      • 5. 2. 3. Влияние УФ-обработки кристаллов а-А12Оз на спектры возбуждения фотолюминесценции Р±центров
      • 5. 2. 4. Рост TJI отклика кристаллов а-А^Оз в результате фотоконверсии анионных центров
    • 5. 3. Компенсационный эффект в люминесценции анион-дефектных кристаллов а-А12Оз
      • 5. 3. 1. Особенности регистрации температурного тушения фотолюминесценции в (X-AI2O
      • 5. 3. 2. Компенсационный эффект при температурном тушении фотолюминесценции анионных центров
        • 5. 3. 2. 1. Компенсационные параметры тушения фотолюминесценции F-центров
        • 5. 3. 2. 2. Компенсационные параметры тушения фотолюминесценции Р±центров
      • 5. 3. 3. Проявления компенсационной связи между кинетическими параметрами термолюминесценции в а-А120з
        • 5. 3. 3. 1. Дозовые зависимости ТЛ отклика в полосе 3.8 эВ
        • 5. 3. 3. 2. Анализ параметров TJI в рамках кинетики общего порядка
        • 5. 3. 3. 3. Компенсационное соотношение между энергией активации при опустошении ловушки и частотным фактором
    • 5. 4. Моделирование TJI процессов в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия
      • 5. 4. 1. Кинетическая модель для системы неконкурирующих ловушек с тушением
      • 5. 4. 2. Значения модельных параметров для TJI процессов в
      • 5. 4. 3. Учет различных соотношений между микропараметрами центров захвата и рекомбинации
        • 5. 4. 3. 1. Влияние исходной концентрации рекомбинационных центров
        • 5. 4. 3. 2. Влияние констант рекомбинации и повторного захвата
    • 5. 5. Выводы по Главе
  • ГЛАВА 6. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЛОКАЛЬНОГО ФОНОННОГО БЕСПОРЯДКА И ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ В ШИРОКОЗОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 6. 1. Квазилокальные колебательные состояния в дефектных кристаллах MgO и А12Оз
      • 6. 1. 1. Расчет полной фононной плотности состояний идеальных кристаллов
        • 6. 1. 1. 1. 1111С фононов в оксиде магния
        • 6. 1. 1. 2. ППС фононов в оксиде алюминия
      • 6. 1. 2. Искажения фононного спектра в кристаллах MgO гете-ровалентными примесями железа
      • 6. 1. 3. Колебательная структура F- и Р±центров в MgO
      • 6. 1. 4. Расчет частот локализованных колебаний F- и F+центров в А120з
    • 6. 2. Роль локальных и эффективных фононных состояний в механизмах ТСЭЭ анион-дефектных кристаллов MgO
      • 6. 2. 1. Модель многофононной ионизации
      • 6. 2. 2. Расчет кривых ТСЭЭ с участием F- и F± центров. Оценка микропараметров эмиссионно-активных центров
      • 6. 2. 3. Температурная зависимость энергии делокализованных электронов
      • 6. 2. 4. Моделирование стадии транспорта электронов в процессах ТСЭЭ
        • 6. 2. 4. 1. Расчет скоростей электрон-фононного рассеяния
        • 6. 2. 4. 2. Процесс термализации электронов с учетом эффекта уширения энергетических уровней
    • 6. 3. Эволюционный подход при моделировании кинетики ТЛ в широкозонных кристаллах
      • 6. 3. 1. Базовые зонные схемы
      • 6. 3. 2. Применение генетического алгоритма
        • 6. 3. 2. 1. Адаптация понятий ГА для термолюминесцентного анализа
        • 6. 3. 2. 2. Кодирование решений
        • 6. 3. 2. 3. Эволюционные операторы
      • 6. 3. 3. Примеры генетической аппроксимации кривых TJI
    • 6. 4. Выводы по Главе 6

Оптические и люминесцентные свойства оксидных стекол и кристаллов с различным типом атомного разупорядочения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Стеклообразные и кристаллические оксидные диэлектрики находят широкое применение в качестве различных практически важных объектов современной оптической и электронной техники. Оптимизация их функциональных характеристик для работы в селективных и смешанных внешних полях — тепловых, оптических, радиационных — как правило, невозможна без понимания фундаментальных закономерностей влияния атомного беспорядка на энергетическую структуру и физические свойства разупорядоченных твердых тел. Одним из важнейшим факторов, определяющих комплекс спектрально-температурных параметров таких материалов, является поведение собственного края оптического поглощения (ОП) в широком диапазоне температур, которое подчиняется правилу Урбаха. При этом формирование урбаховского хвоста в кристаллических и в некристаллических материалах, особенности механизмов протекания в них родственных термо-, фотои радиационно-стимулированных процессов так или иначе связаны с присутствующим в системе общим структурным беспорядком.

Начиная с 70-х годов XX века, интенсивные работы в международном научном сообществе по изучению закономерностей реализации правила Урбаха в неупорядоченных материалах проводили различные исследователи — Я. Тауц, Н. Мотт, Дж. Коди, В.Л. Бонч-Бруевич, М. В. Курик, Ю. Р. Закис, А. Н. Трухин, А. Ф. Зацепин, B.C. Кортов и другие. Заметный прогресс при описании урбаховского поведения с точки зрения анализа параметров беспорядка в материалах с нерегулярной структурой был достигнут в работах Дж. Коди и др. при изучении температурных зависимостей края собственного поглощения в аморфном гидрогенизированном кремнии. Авторами был успешI, но использован принцип эквивалентности динамического и статического вкладов в общий атомный беспорядок, присутствующий в системе. Этот же подход был применен научной группой А. Ф. Зацепина для сравнительного анализа спектров оптического поглощения и фотоэлектронной экзоэмиссии в ряде оксидных стекол, что позволило сформулировать эмиссионный аналог правила Урбаха.

Тем не менее открытым оставался вопрос о едином подходе и об установлении универсальных закономерностей при описании спектрально-температурного поведения края собственного поглощения в кристаллических и стеклообразных материалах. Решение этой задачи в совокупности с анализом основных параметров, определяющих механизмы процессов с участием электрон-фононной подсистемы широкого класса оксидных объектов в условиях внешней стимуляции, позволят внести заметный вклад в развитие фундаментальных основ физики неупорядоченного состояния. В свете обозначенных выше проблем’представляется актуальным выполнить теоретический анализ формализма правила Урбаха применительно к стеклам, а также провести комплексные экспериментальные исследования температурного поведения краевых и селективных компонент собственного поглощения в сочетании с анализом кинетических механизмов родственных термофотости-мулированных процессов в объектах с хорошо изученной колебательной структурой и достоверно установленной природой локализованных элек- ' тронных состояний.

Объекты исследования. Исходя из поставленной цели и сформулированных задач исследования, быливыбраны два типа оксидных материаловкристаллические и стеклообразные. Неорганические оксидные стекла: бинарные свинцово-силикатные стекла xPbO-(100-x)Si02, где х = 20, 30, 40, 45, 50, 55, 60, 80- многокомпонентные промышленные стекла класса тяжелых флинтов ТФ-1, ТФ-2, ТФ-3, ТФ-4, ТФ-5, ТФ-7, ТФ-8, ТФ-10, которые отно.

1 I сятся к тройной системе КгО-РЬО-ЗЮгнатриево-силикатные стекла 25Na20−75Si02 и Pb0−25Na20−74Si02. Кристаллические оксиды с ионно-ковалентным типом химической связи: анионно-дефектные монокристаллы.

А1203 и MgOмонокристаллы Be3Al2Si60i8, облученные нейтронами с флю-енсом Ф = 1014 -ь 1019 см" 2.

Научная новизна:

1. Впервые показано, что «кристаллическая» и «стеклообразная» модификации правила Урбаха, наблюдающиеся в стеклах различного состава, являются предельными случаями общей экспоненциальной зависимости коэффициента поглощения в области УФ-края. Обе формы этого правила могут быть получены аналитически из выражения общего вида на основе представления об эквивалентности статического и динамического типов беспорядка в атомной решетке. «Кристаллический» вариант реализуется в условиях учета преимущественно теплового разупорядочения решетки, тогда как для систем с доминирующим статическим беспорядком характерна «стеклообразная» модификация.

2. Впервые с использованием универсального выражения Фэна получена модифицированная запись правила Урбаха для стекол и неупорядоченных t структур, которая может быть использована для анализа поведения длинноволнового края поглощения в широком температурном диапазоне вплоть до температур размягчения. Предложенная запись позволяет анализировать и выполнять количественную оценку параметров динамического беспорядка в системах с доминирующим вкладом статического беспорядка в общее атомное разупорядочение.

3. Для кристаллов Be3Al2Si60is выполнена оценка отношения констант деформационного потенциала, связанных со статическим разупорядочением атомной решетки вследствие облучения потоками быстрых нейтронов. Экспериментально продемонстрирована линейная связь между шириной энергетической щели и урбаховской энергией. Установленная зависимость обоснована теоретически в рамках принципа эквивалентности статического и динамического типов атомного беспорядка.

4. Установлено, что для промышленных оптических стекол ТФ-1, ТФ-2, ТФ-3, ТФ-4, ТФ-5, ТФ-7, ТФ-8 и ТФ-10, относящихся согласно диаграмме Аббе к единому, классу тяжелых флинтов, можно выделить две отдельные подгруппы стёкол, различающиеся значением параметра Е0 структурного беспорядка — подгруппа 1 (ТФ-1, ТФ-2, ТФ-5, ТФ-8, .ТФ-10) и подгруппа 2 (ТФ-3, ТФ-4, ТФ-7). Показано, что использование комбинированной диаграммы «показатель преломления коэффициент дисперсии — урбаховская энергия» подтверждает обнаруженное разделение единого класса ТФ на две подгруппы, различающиеся также й температурным поведением границы.прозрачности.' ¦

5. В результате изучения] спектровоптического поглощения монокристаллов кислород-дефицитного оксида алюминия в УФ-диапазоне в интервале температур LNT у 500 К и использования. модели динамического атомного беспорядка с линейной электрон-фононной связью подтверждено, что полоса в области 6.05 эВ является суперпозицией двух независимых компонент, параметры которых близки к характеристикам поглощения Fи Р±центров.

6. При изучении процессов температурного тушения фотолюминесценции Fи 17±центров в зависимости от времени УФ-возбуждения кристаллов а-АЬОз впервые наблюдался компенсационный эффект, связанный с согласованным уменьшением значений энергии активации тушения 'и предэкспо.

• ненциального множителя. Наблюдаемый эффект обусловлен доминирующим динамическим типом атомного1 разупорядочения в кристалле и связан с изменением соотношения между колебательным и конфигурационным вкладами в величину общей энтропии решетки. Выполнена оценка изокинетических температур для механизмов тушения с участием анионных центров.

7. Впервые для кристаллов MgO численными методами изучена терма-лизация делокализованных электронов с учетом квантово-механического эффекта уширения энергетических уровней частиц при рассеянии. Показано, что характерной особенностью энергораспределения экзоэлектронов в оксиде магния является наличие высокоэнергетического «хвоста», протяженность которого растет за счет наведенного электрического поля в разупорядочен-ном приповерхностном слое кристалла.

8. На примере базовых кинетических моделей выполнено численное моделирование процессов термостимулированной люминесценции с использованием генетического алгоритма в широкощелевых твердых телах с доминирующим вкладом атомного беспорядка динамического типа.

Личный вклад автора. Диссертационная работа является итогом многолетней (с 1992 г.) работы автора на кафедре «Физические методы и приборы контроля качества» в ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет — УПИ». Представленные результаты являются обобщением работ, выполненных лично автором и в сотрудничестве с другими учеными.

Измерения спектров оптического поглощения для объектов диссертационных исследований при разных температурах были проведены совместно с А. А. Маслаковым. Измерения температурного тушения фотолюминесценции бинарных свинцово-силикатных стекол были выполнены совместно с Е. А. Раджабовым. Расчеты динамики решетки дефектных кристаллов MgO и А120з выполнены совместно с В. Г. Мазуренко и А. Н. Кисловым. Часть результатов по термолюминесцентным свойствам анионо-дефектных монокристаллов оксида алюминия вошла в кандидатскую диссертацию Орозбека уулу Аскара (2007 г.), в которой автор являлся научным консультантом. Идея использования принципа эквивалентности статического и динамического типов атомного беспорядка для анализа «стеклообразного» варианта правила Урбаха, а также развитие и интерпретация результатов оптических экспериментов для системы Pb0-Si02 принадлежат А. Ф. Зацепину.

Общая постановка задач исследований, выбор основных путей и методов их решения, анализ и окончательная интерпретация полученных результатов, формулировка защищаемых положений и выводов диссертации выполнены лично автором. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, которые вошли в сформулированные защищаемые положения и выводы.

Публикация результатов работы. По теме диссертации имеется более 80 публикаций. Основное содержание диссертации отражено в 43 научных работах, в том числе 31 статья в ведущих рецензируемых иностранных и российских журналах, 7 статей в материалах всероссийских и международных конференций и симпозиумов, 5 официальных свидетельств о регистрации полезных программ для ЭВМ.

Апробация работы. Результаты исследований, изложенные в диссертации и сформулированные в защищаемых положениях, докладывались и обсуждались в ходе выступлений с устными и стендовыми докладами на всероссийских и международных научных конференциях и симпозиумах, в том числе на Всероссийской конференции «Химия твердого тела и новые материалы» (Екатеринбург, 1996), Международных Симпозиумах по экзоэмиссии и ее применениям (Polanica-Zdroj, Польша, 1997; Юрмала, Латвия, 2000), Международной конференции по физико-химическим процессам в неорганических материалах (Кемерово, 1998), Международных конференциях по прикладной оптике (Санкт-Петербург, 1998, 2006), Международных конференциях по фононному рассеянию в конденсированных средах — PHONONS (Ланкастер, Великобритания, 1998; Санкт-Петербург, 2004; Париж, Франция, 2007), Международной конференции по физике некристаллических твердых тел (Tuscon, США, 1999), Евроконференциях по люминесцентным детекторам и преобразователям ионизирующих излучений — LUMDETR (Рига, Латвия, 2000; Прага, Чехия, 2003; Львов, Украина, 2006), 1-м Международном конгрессе по радиационной физике, сильноточной электронике и модификации материалов (Томск, 2000), XI Всероссийской конференции по проблемам теоретической и экспериментальной химии (Екатеринбург, 2001), Международных симпозиумах по твердотельной-дозиметрии (Афины, Греция, 2001;

New Haven, США, 2004; Delft, Нидерланды, 2007), III Уральском семинаре по сцинтилляционным и запоминающим материалам (Екатеринбург, 2002), Ев-роконференции по дефектам в диэлектрических материалах — EURODIM (Вроцлав, Польша, 2002), Международных школах-семинарах по люминесценции и лазерной физике (Иркутск, 2002, 2004, 2006, 2008), 12-й Международной конференции по физике и химии неорганических материалов (Томск, 2003), 15-й Международной конференции по дефектам в диэлектрических материалах — ICDIM (Рига, Латвия, 2004), Феофиловских симпозиумах по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (Екатеринбург-Заречный, 2004; Иркутск, 2007), Международных конференциях по люминесценции (Пекин, Китай, 2005; Лион, Франция, 2008), XVII Российской научной конференции с международным участием по неразрушающему контролю и диагностике (Екатеринбург, 2005),.

Первой международной научно-практической конференции по современным информационным технологиям и ИТ-образованию (Москва, 2005), Международной научно-практической конференции «Снежинск и наука — 2006. Трансфер технологий, инновации, современные проблемы атомной отрасли» (Снежинск, 2006), 4-м Международном симпозиуме по лазерам, сцинтилля-торам и нелинейным оптическим материалам — ISLNOM (Прага, Чехия, 2006), VIII Международной конференции по опто-, наноэлектронике, нано-технологиям и микросистемам (Ульяновск, 2006).

Структура и объем работы. Диссертация содержит введение, шесть глав, заключение и список литературы. Общий объем диссертации составляет 386 страниц, в том числе 96 рисунков, 39 таблиц и список литературы из 343 наименований.

6.4 Выводы по главе 6.

1. С использованием программного модуля «LocVib» выполнены оценки параметров локального динамического беспорядка в кристаллах MgO и AI2O3. В рамках оболочечной модели с использованием рекурсивного метода проведены расчеты полной плотности фононных состояний для идеальных оксидов магния и алюминиия. Полученные результаты находятся в удовлетворительном соответствии с результатами независимого расчета, выполненного интегрированием по зоне Бриллюэна, а также с имеющимися экспериментальными данными. Наблюдающееся сужение колебательного спектра в низкочастотной области для MgO связано с конечностью размера моделируемого кластера кристалла.

В рамках оболочечной модели получены значения частот локализованных колебательных мод, индуцированных присутствием в кристалле MgO примесных атомов железа в различном зарядовом состоянии и наличием вакансий в катионной и анионной (Fи Р±центры) подрешетках. Для улучшения верификации полученных результатов имеющимися экспериментальными данными для частот локализованных состояний выполнен теоретико-групповой анализ и дефектные колебания разложены по типам симметрии.

Из проведенных расчетов следует, что пики в спектрах КР кристаллов MgO-Fe3+ в области 5.40 ТГц могут быть связаны с рассеянием света на резо.

— 337нансных колебаниях, индуцируемых другими дефектами (не ионом Fe или катионной вакансией), присутствующими в кристаллах. Пики с частотами 14.69 ТГц (Ее) и 9.29 ТГц (T2g) могут быть обусловлены рассеянием света на резонансных колебаниях, индуцируемых примесыо Fe3+ с избыточным положительным зарядом.

2. Для анионно-дефектных кристаллов А1203 выполнено моделирование симметризованных локальных плотностей фононных состояний, спроецированных с учетом групп точечной симметрии на смещения катионов, ближайших к анионному центру в различном зарядовом состоянии. Показано, что для Fи Р±центров колебания симметрии В попадают в высокочастотную область спектра. Сравнение расчетных данных с нашими и независимыми экспериментальными результатами свидетельствует о том, что основной вклад в энергию эффективных фононов, ответственных за смещение и уширение энергетических уровней анионных центров в оксиде алюминия, принадлежит индуцированным колебаниям симметрии, А на ионах алюминия из ближайших координационных сфер. Обнаруженное согласие подтверждает эффективность и достоверность оценки параметров динамического атомного беспорядка на основе формализма, описанного в главе 3.

3. Выполнено моделирование экспериментальных кривых термостиму-лированной экзоэлектронной эмиссии для кристалла MgO с Fи Р±центрами в рамках модели многофононной ионизации ловушек во внутреннем электрическом поле диэлектрика, наведенном при облучении, для случая, когда делокализованные электроны выходят непосредственно в вакуум (глубина выхода соизмерима с длиной свободного пробега). В качестве микроскопических параметров модели использовались термическая глубина эмиссионно-активной ловушки Еет, частота локализованных колебаний центра v/, константа электрон-фононной связи X и напряженность внутреннего электрического поля кристалла Ер.

Получены количественные оценки термической глубины рассматриваемых центров. Рассчитанные значения для F-центра — Еет = 0.92 ч- 0.96 эВ и для Р±центра — Еет = 1.36 ч- 1.40 эВ удовлетворительно согласуются с имеющимися экспериментальными данными — 0.9 1.1 эВ и 1.45 эВ, соответственно.

В рамках модели многофононной ионизации определены температурные зависимости значения стартовой энергии делокализованных электронов для разных напряженностей наведенного электрического поля. В температурных пределах пика экзоэмиссии, связанного с F-центром, вид полученных зависимостей удовлетворительно согласуется с экспериментальной кривой. Показано, что уже в момент освобождения электроны находятся в «нагретом» состоянии и их энергия значительно отличается от тепловой (по нашим расчетам Во ~ 1 эВ). Экзоэлектронная эмиссия является эмиссией «горячих» электронов.

Сравнение температурной зависимости начальной энергии делокализованных электронов, которая обусловлена эффектами динамического беспорядка в кристаллах MgO, с экспериментальной кривой позволяет оценить величину напряженности наведенного электронной бомбардировкой электрио ческого поля — EF ~ 0.7 -г- 1.0×10 В/м. Полученные результаты свидетельствуют о необходимости включения в рассмотрение процессов транспорта «горячих» электронов в разупорядоченном эмиссионно-активном слое, что позволяет применять используемую динамическую модель для процессов ТСЭЭ объемных центров, в том числе для рекомбинационных механизмов.

4. С использованием разработанного программного модуля «TransEl» для кристалла MgO рассчитаны скорости квазичастичного взаимодействия в зависимости от энергии электрона при рассеянии на эффективном фононном поле динамического типа. В качестве параметров использованы эффективные значения энергии колебаний для оптической и акустической ветвей фонон-ной дисперсии. Установлено, что для электронов с энергией в < 5.5 эВ доминирующим является процесс рассеяния на продольных оптических фононах, I при дальнейшем возрастании энергии электрона начинают преобладать неполярные процессы рассеяния на акутических фононах. Указанное пороговое значение энергии электрона характерно именно для кристалла MgO и превосходит известные пороговые энергии, например, для NaCl и Si02 — ~ 3 эВ. Такое различие связано с размерами зоны Бриллюэна в кристалле MgO и преобладанием доли процессов переброса вблизи края зоны.

Впервые для кристаллов оксида магния численными методами изучена термализация делокализованных электронов с привлечением полуклассического подхода и с учетом квантово-механического эффекта уширения энергетических уровней частиц при рассеянии. Учет указанного динамического эффекта показывает, что в отличие от полуклассического подхода, использовавшегося в предыдущих работах, уже после нескольких электрон-фононных взаимодействий электрон теряет информацию о характере прошедших взаимодействий, и его энергия «размазывается» в широком диапазоне значений. При этом характерной особенностью в энергораспределении экзоэлектронов является наличие сильно населенного высокоэнергетического «хвоста». Населенность «хвоста» растет в условиях наведенного электрического поля в разупорядоченном приповерхностном слое кристалла.

Наличие высокоэнергетического «хвоста» и малое изменение во времени средней энергии нетермализованных электронов приводят к замедлению процесса термализации свободных носителей заряда, в результате чего часть электронов, может выходить с глубин ~ 100 нм (в полуклассическом случае «50 + 70 нм), что хорошо согласуется с имеющимися экспериментальными оценками.

5. Впервые на примере базовых кинетических моделей — OTOR, IMTS и NMTS — выполнено численное моделирование процессов термостимулиро-ванной люминесценции в широкощелевых твердых телах с использованием генетического алгоритма. Основные принципы и понятия ГА адаптированы с учетом особенностей моделирования TJI механизмов в диэлектриках. С использованием параметров известных зонных схем TJI описаны основные операторы эволюционного подхода — кодирование особей, вычисление соответствующих им функций пригодности, работа операторов селекции, скрещивания и мутации.

Продемонстрирована эффективность работы предложенных ГА, получены удовлетворительные результаты аппроксимации температурных зависимостей, обусловленных эффектами атомного разупорядочения динамического типа, для различных соотношений между характеристиками центров захвата и рекомбинации. Для всех наборов модельных параметров получено высокая точность аппроксимации с низким значением показателя качества FOM. Показано, что параметры Еп, n0/N и hx/N определяются при генетическом поиске с высокой степенью достоверности. В то же время, величины параметров sn и A J Ah могут заметно отличаться от истинных значений. Указанные особенности необходимо учитывать при количественной оценке параметров TJI-процессов в реальных кристаллах. Эволюционное моделирование на основе генетических алгоритмов представляется перспективным подходом для численного анализа термоактивационных процессов в люминес-цирующих материалах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В Заключении прежде всего отметим научную значимость работы, которая определяется комплексом полученных в диссертации результатов. На основании систематического теоретико-экспериментального исследования сформулированы важные обобщения и выводы, разработаны новые теоретические положения, совокупность которых способствует решению фундаментальной проблемы физики стеклообразных материалов — установлению закономерностей спектрально-температурного поведения границы собственного пропускания в оптических матрицах на основе широкощелевых оксидных стекол. Выполненные исследования вносят существенный вклад в понимание роли атомного беспорядка при формировании оптических свойств и термо-фотостимулированного поведения твердотельных систем с различным типом доминирующего атомного разупорядочения.

Часть данных, полученных в диссертации, вошла в состав научно-исследовательской работы «Динамика релаксаций в облученных оксидах», которая была признана Научным советом РАН по радиационной физике твердого тела важнейшим результатом 2005 года.

Практическая значимость работы. Ряд результатов, полученных в рамках диссертационного исследования, связан с критическими технологиями, такими как создание и обработка кристаллических, композиционных и керамических материаловпроизводство программного обеспечения. В диссертации получены следующие практически значимые результаты:

1. Установленные спектрально-кинетические закономерности термо-стимулированного свечения в кислород-дефицитных кристаллах оксида алюминия могут быть использованы при разработке новых способов регистрации и оценки поглощенной дозы ионизирующих излучений с применением термолюминесцентных детекторов ТЛД-500К.

2. Обоснована возможность характеризации свойств стеклообразных материалов посредством введения в стандартную диаграмму Аббе дополнительного классифицирующего критерия — спектрального параметра беспорядка Е0. При прогнозировании функциональных свойств стекол параметр Е0 (в сочетании с оптическими постоянными nD и vD) может быть использован как универсальная структурно-чувствительная характеристика., количественно описывающая не только степень атомного беспорядка, но и особенности спектра энергетических состояний электронной подсистемы материала.

3. Предложен количественный полуэмпирический критерий для определения границы Т' между линейным и нелинейным участками температурной зависимости ширины энергетической щели. Критерий может быть использован при учете применимости справочных значений температурного коэффициента Д Выполнена оценка параметра Г’для ряда кристаллических и стеклообразных материалов.

4. Разработаны программные пакеты для численного анализа динамических характеристик, моделирования процессов транспорта электронов и люминесценции с термоактивационной кинетикой в широкозонных твердых телах. Созданные модули являются объектами интеллектуальной собственности и используются в научных исследованиях, а также в учебно-образовательной деятельности при подготовке инженеров-физиков и научных кадров высшей квалификации.

Автор защищает:

1. Формулировку модифицированного правила Урбаха, полученную на основе принципа эквивалентности динамического и статического вкладов в общий атомный беспорядок неупорядоченной системы с использованием выражения Фэна для температурной зависимости ширины энергетической щели и применимую для стеклообразных материалов в широком диапазоне температур — от температуры жидкого азота вплоть до температур размягчения.

2- Результаты экспериментальных исследований и количественные оценки характеристических параметров, определяющих закономерности спектрально-температурного поведения края фундаментального оптического поглощения для промышленных многокомпонентных стекол оптического класса тяжелых флинтов, относящихся к тройной оксидной системе К20.

3. Результаты анализа спектров оптического поглощения кристаллов. берилла, облученных нейтронами, с использованием обобщенной формулировки правила Урбаха и полученные значения для параметров разупорядочения статического типа, а также для отношений констант деформационного потенциала второго порядка в приближении наведенного квазидинамическо-. го беспорядка. ¦ ¦ > - 4. Интерпретацию температурного поведения полосы 6.05 эВ в кислород-дефицитных монокристаллах оксида алюминия, предложенную с учетом. доминирующего динамического беспорядка в рамках модели линейной элек- ' трон-фононной связи и заключающуюся в учете суперпозиции электронно-оптических переходов на Fи F±i-eHTpaxколичественную оценку значений параметров динамического типа, обеспечивающих наблюдаемое спектрально-температурное поведение исследованной полосы.

5. Найденные значения параметров и установленные закономерности реализации компенсационного эффекта,' проявляющегося в кинетике температурного тушения фотолюминесценции с участием Fи F'-центров в кристаллах а-АЬОз;

6. Модифицированную кинетическую модель термолюминесценции в —. кислород-дефицитных кристаллах а-АЬОз в интервале 350 550 К, учиты вающую различную исходную концентрацию центров захвата и рекомбинации и механизмы внешнего температурного тушения свечения в присутствии. компенсационного эффекта. Полученные в рамках предложенной модели зависимости характеристик термолюминесценции от исходной концентрации / '.-" 'j' '.. -': ' - ¦¦:¦ -344- ¦ ' «• •• .•. ' центров свечения и от соотношения между скоростями повторного захвата и рекомбинации носителей заряда.

7. Результаты численного моделирования динамики кристаллической решетки для анионно-дефектных оксидов магния и алюминия, значения частот полученных симметризованных локализованных колебаний с учетом теоретико-группового анализа и в сравнении с выполненными экспериментальными оценками.

8. Вычисленные значения скоростей квазичастичного взаимодействия для кристаллов MgO в зависимости от энергии электрона при рассеянии на эффективном фононном поле динамического типа, которые могут быть использованы в расчетах методом Монте-Карло при анализе кинетических механизмов термои фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии в условиях наведенных при облучении электрических полей.

В конце каждой главы были сформулированы соотвествующие выводы. Обобщим и сформулируем основные выводы и результаты выполненной диссертационной работы:

1. В рамках принципа эквивалентности статического и динамического вкладов в общий структурный беспорядок рассмотрена универсальная экспоненциальная зависимость коэффициента оптического поглощения в области фундаментального края. Обобщенная формулировка правила Урбаха записана в терминах некоррелированных среднеквадратических смещений атомов из положения равновесия, которые характеризуют тепловые (и2)т и «замороженные» (и")х фононы. Указанные смещения через деформационные потенциалы 2-го порядка связаны с энергией структурного беспорядка, проявления которого наблюдаются в спектрах оптического поглощения. На основе представления об эквивалентности разных типов беспорядка в атомной решетке продемонстрирована реализация «кристаллической» и «стеклообразной» форм правила Урбаха в системах с различным типом доминирующего разупорядочения. Результаты сравнительного анализа наклонов урбаховских хвостов в оксидных материалах хорошо согласуются с условием <�и~)х> {и)т, которое определяет применимость модели «замороженных» фононов в стеклах. Установлено, что эмпирический параметр Т0 представляет собой высокотемпературную (Т < Т < Tg) характеристику собственного поглощения в стеклах и отражает проявление статического беспорядка в температурной части «стеклообразного» правила Урбаха. Для ряда практически важных стеклообразных систем (силикатной, германатной, фосфатной) рассчитаны значения параметра Т0 и коэффициента (3 ширины энергетической щели, сделаны оценки нижней границы Т' для применимости высокотемпературного варианта «стеклообразного» правила Урбаха.

2. Выполнен анализ выражения Фэна для температурной зависимости ширины энергетической щели Eg (T) материала, получаемого в рамках одно-фононного приближения. Показано, что оно вполне применимо для описания зависимости Eg (T) и оценки параметров динамического беспорядка в аморфных материалах, где вследствие структурного беспорядка края энергетических зон размыты и имеются протяженные хвосты плотности состояний. Продемонстрирована связь выражения Фэна с другими известными способами описания Eg (T) как в кристаллических, так и в стеклообразных материалах. Сформулированы ограничения для применимости известного полуэмпирического соотношения Варшни, также широко используемого при описании температурного поведения ширины энергетической щели в твердых телах. Предложен полуэмпирический критерий для определения границы Т', которая условно разделяет линейный и нелинейный участки зависимости Eg (T). Обсуждаемый критерий является достаточно строгим и носит общий характер как для упорядоченных, так и для неупорядоченных структур. Выполнена оценка параметра Т' для ряда материалов различной природы и продемонстрирована его корреляция с температурой Дебая. С использованием фундаментального выражения Фэна предложена новая формулировка «стеклообразного» правила Урбаха, которое применимо для анализа поведения собственного края поглощения стекол и неупорядоченных структур в широком температурном диапазоне, а в пределе высоких температур кТ «Йсо сводится к известной форме правила Урбаха. Предложенная модификация позволяет анализировать и выполнять количественную оценку параметров динамического беспорядка в системах с доминирующим вкладом статического беспорядка в общее атомное разупорядочение.

3. На основе комплексных исследований спектров УФ-поглощения кристаллов берилла, облученных потоками быстрых нейтронов 1014 -s- 1019 л см", установлено, что с ростом флюенса частиц для примесной абсорбционной полосы с переносом заряда наблюдается характерное веерообразное уширение длинноволнового края. Экспериментальные данные интерпретированы в приближении наведенного квазидинамического беспорядка с использованием развитого нами формализма. Выполнена оценка отношения Dx/K констант деформационного потенциала 2-го порядка, связанного со статическим разупорядочением решетки кристаллов BejA^SieOis вследствие облучения потоками быстрых нейтронов. Экспериментально продемонстрирована линейная связь Eg (E0) между шириной энергетической щели и урбаховской I энергией. Продемонстрировано, что величинафлюенса нейтронов может быть поставлена в соответствие вполне определенной равновесной температуре структурного разупорядочения, а наблюдаемая в исследуемых объектах модификация оптических спектров под действием нейтронов успешно анализируется в рамках принципа эквивалентности статического и динамического беспорядков. При данном подходе анализируемые эффекты радиационного повреждения структуры и изменения свойств кристаллов берилла рассмотрены как результат формирования индуцированного квазидинамического беспорядка.

4. Вблизи собственного края УФ-поглощения в интервале температур 80 — 470 К проанализировано поведение оптических спектров стекол свинцо-во-силикатной системы в широких пределах варьирования состава от 1 до 80 мол.% оксида свинца: натриево-сисликатные образцы с малой добавкой РЬОмодельные бинарные стекла Pb0-Si02 с переменным содержанием свинцамногокомпонентные промышленные стекла класса ТФ. Для интерпретации экспериментальных спектральных зависимостей использована предложенная нами формулировка модифицированного правила Урбаха. Показано, что спектральные и температурные параметры модифицированного правила Урбаха являются структурно-чувствительными, а их концентрационное поведение отражает изменение типа ближнего порядка в стеклообразной матрице исследуемых объектов. Получена экспериментальная концентрационная зависимость величины Ео, характеризующей степень разупорядочения атомной структуры. Установлены наиболее упорядоченные и разупорядоченные с данной точки зрения бинарные и поликомпонентные свинцовосиликатные стекла. Анализ спектров собственной фотолюминесценции концентрационного ряда бинарных стекол Pb0-Si02 в диапазоне LNT — RT с использованием двух известных законов температурного тушения показал, что и соотношение Мотта и соотношение Стрита хорошо описывают наблюдаемые зависимости. Тем не менее, на данном этапе исследований предпочтение было отдано модели Стрита, как наиболее вероятной.

5. Предложена классификация стекол класса ТФ на две подгруппы с учетом параметра урбаховской энергии, обоснованная с использованием тройной диаграммы состояний для системы К20 — РЬО — Si02. Эти результаты дают основание полагать, что общепринятая классификация оптического стекла с использованием диаграммы Аббе не может считаться полностью универсальной. Для научно обоснованного проектирования прецизионных оптических сред с заданными спектральными характеристиками требуется дополнительный учет количественных структурных факторов атомного беспорядка. Выделенные подгруппы тяжелых флинтов существенно различаются также по температурному поведению УФ-края поглощения. С одной стороны, для стекол ТФ-1, ТФ-2, ТФ-8 и ТФ-10 характерна линейная температурная зависимость в диапазоне LNT — 515 К. В то же время температурное поведение границы прозрачности для стекол ТФ-3, ТФ-4, ТФ-7 проявляет явно нелинейный характер при температурах ниже 130 К. Указанные особенности свидетельствуют о тесной взаимосвязи статического беспорядка в структуре с процессами динамического разупорядочения атомов, определяющими свойства границы оптической прозрачности стекол.

6. Изучено спектрально-температурное поведение полосы оптического поглощения 6.05 эВ в монокристаллах кислород-дефицитного оксида алюминия в интервале 80 -г- 500 К. На основе модели динамического атомного беспорядка с линейной электрон-фононной связью впервые показано, что данная полоса является суперпозицией селективных компонент гауссовой формы, обусловленных поглощением на Fи Р±центрах. На основании полученных результатов интерпретирована трансформация спектров поглощения для кристаллов с доминирующим содержанием Р±центров. С использованием соотношений, связывающих параметры динамического атомного беспорядка, проведена аппроксимация температурных зависимостей для измеренных спектральных характеристик пиков. Получены значения энергий эффективных фононов, ответственных за уширение и смещение максимумов обоих пиков. Представлены результаты систематического исследования тер-мостимулированной фотоконверсии F=>F+ -центров в кристаллах а-А1203.

7. Установлено, что монокристаллы кислород-дефицитного оксида ч алюминия, подвергнутые предварительной фототермической обработке, характеризуются различными параметрами температурного тушения фотолюминесценции F и Р±центров, которое обусловлено эффектами доминирующего динамического атомного беспорядка. При изучении процессов тушения впервые наблюдался компенсационный эффект, связанный с согласованным уменьшением значений энергии активации и предэкспоненциального множителя с ростом времени УФ-возбуждения кристаллов. Наблюдаемый эффект обусловлен изменением соотношения между динамическим (колебательным) и статическим (конфигурационным) вкладами в величину общей энтропии кристаллической решетки. На основе полученных данных сделана оценка изокинетических температур для тушения люминесценции с участием Fи Р±центров. Применительно к анализу механизмов TJI в кристаллах а-А120з модифицирована модель для многоловушечной системы с учетом температурного тушения в присутствии компенсационного эффекта.

8. С использованием разработанного программного обеспечения выполнены оценки параметров локального динамического беспорядка в анион-дефектных оксидах магния и алюминия. В рамках оболочечной модели с использованием рекурсивного метода проведены расчеты полной плотности фононных состояний для идеальных кристаллов. Для разупорядоченных кристаллов А120з и MgO выполнено моделирование симметризованных локальных плотностей фононных состояний, спроецированных с учетом групп точечной симметрии на смещения катионов, ближайших к анионному центру в различном зарядовом состоянии. Продемонстрировано, что основной вклад в энергию эффективных фононов, ответственных за смещение и уширение энергетических уровней анионных центров в оксиде алюминия, принадлежит индуцированным колебаниям симметрии, А на ионах алюминия из ближайших координационных сфер.

9. С учетом рассчитанных частот локализованных колебаний, являющихся характеристиками динамического беспорядка в атомной решетке, выполнено моделирование термостимулированной экзоэлектронной эмиссии в кристаллах MgO с Fи Р±центрами. В рамках модели многофононной ионизации ловушек во внутреннем электрическом поле диэлектрика, наведенном при облучении, уточнены оценки термической глубины рассматриваемых центров, определены температурные зависимости значений начальной энергии делокализованных электронов для разных напряженностей наведенного электрического поля. С учетом квантово-механического эффекта уширения энергетических уровней частиц при рассеянии численными методами изучена термализация делокализованных электронов в кристаллах оксида магния на стадии транспорта носителей заряда в процессах ТСЭЭ, что позволило интерпретировать появление протяженных хвостов в энергораспределении эк-зоэлектронов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Л.Б., Толстой М. Н., Влияние температуры на спектр собственного поглощения силикатного стекла // Физ. и хим. стекла. 1975. ТЛ. № 3. сс. 239−242.
  2. Arbuzov V.I., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Tolstoi M.N., Tyukov V.V., Exoelec-tronic spectroscopy of intrinsic and extrinsic color centres in surface layers of alkali silicate glasses // J. Non-Cryst. Solids. 1991. V.134. pp. 208 217.
  3. А.Ф., Кортов B.C., Щапова В. Ю., Локализованные валентные состояния в фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии свинцовосили-катных стекол // Радиотехника и электроника. 1992. Т. 37, № 2. сс. 326 — 333.
  4. В.И., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Толстой М. Н., Тюков В. В., Закономерности и природа фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии в щелочно-силикатных стеклах // Физ. и хим. стекла. 1994. Т. 20, № 6. сс. 689 700.
  5. В.И., Спектры фундаментального поглощения и элементарные электронные возбуждения в оксидных стеклах // Физ. и хим. стекла. 1996. Т. 22, № 6. сс. 664 682.
  6. Н., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982.652 с.
  7. Trukhin A.N., Localized states in wide-gap glasses. Comparison with relevant crystals // J. Non-Cryst. Solids. 1995. V.189. pp. 1 15.
  8. Tauc J., Absorption edge and internal electric fields in amorphous semiconductors // Mater. Res. Bull. 1970. V.5. pp. 721 730.
  9. Sumi H., Toyozawa Y., Urbach-Martienssen rule and exciton trapped momentarily by lattice vibrations // J. Phys. Soc. Japan. 1971. V.31, № 2. pp. 347 358.
  10. Dow J.D., Redfield D., Toward a unified theory of Urbach’s rule and exponential absorption edges // Phys. Rev. B. 1972. V.5. pp. 594 610.
  11. Skettrup Т., Urbach’s rule derived from thermal fluctuations in the band-gap energy // Phys. Rev. В. 1978. V. 18, № 6. pp. 2622 2631.
  12. Dunstan D.J., Evidence for a common origin of the Urbach tails in amorphousand crystalline semiconductors // J. Phys. С: Solid State Phys. 1982. V. 30. pp. L419-L424.i
  13. Kurik M.V., Urbach rule // Phys. stat. sol. (a). 1971. V8. pp. 3 45.
  14. Бонч-Бруевич В.Jl., Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников // УФН. 1983. Т. 140, вып. 4. сс. 583 637.
  15. О' Коннель-Бронин А.А., Плеханов В. Г., Пустоваров В. А. и др., Край экситонного поглощения и правило Урбаха в монокристаллах LiH и LiD //
  16. Оптика и спектроскопия. 1981. т. 51, вып. 2. сс. 371 — 374.
  17. Pilipenko G. I., Oparin D. V., Gavrilov F. F., Fundamental absorption edge andurbach rule in lithium hydride single crystals // Solid State Communications. 1986. V. 57, № 11. pp. 869−871.
  18. Кружал об A.B., Пустоваров В. А., Маслаков А. А., Петров B.Jl., Шульгин
  19. Б.В., Спектры возбуждения и отражения кристаллов Ьа2Ве205 в области 5 36 эВ // Оптика и спектроскопия. 1987. т. 63, вып. 2. сс. 457 — 459.
  20. В.А., Электронные возбуждения и радиационные процессы внеорганических сцинтилляторах, индуцированные синхротронным излучением / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.10. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1994. 368 с.
  21. Г. И., Локальные состояния в гидриде и дейтериде лития / дисс. докт. физ.-мат. паук 01.04.10. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1996. 313с.
  22. Zakis J.R., Fritzsche H., Temperature dependence of the absorption edge in crystalline and vitreous As2S3 // Phys. Stat. Sol. (b) 1974. V. 64. pp. 123 -130.
  23. А.А., Коломиец Б. Т., Мазец Т. Ф., Манукян A.JI., Павлов С. К., Температурная зависимость края поглощения As2Se3 и AsSe в твердом и жидких состояниях // ФТТ. 1976. Т. 18, № 1. сс. 53 57.
  24. Wiley J.D., Thomas D., Schonherr E., Breitschwerdt A., The absorption edgesof GeS and Urbach’s rule // J. Phys. Chem. Solids. 1980. V. 41. pp. 801 -807.
  25. Cody G.D., Tiedje Т., Abeles В., Brooks В., Goldstein Y., Disorder and the optical-absorption edge of hydrogenated amorphous silicon // Phys. Rev. Lett. 1981. V. 47, № 20. pp. 1480 1483.
  26. Абе Ш., Тойозава Ю., Плотность состояний электронов и край оптического поглощения в аморфных полупроводниках // Аморфные полупроводники и приборы на их основе / под ред. И. Хамакавы М.: Металлургия, 1986. 376 с.
  27. G. Н., Ultraviolet spectra of silicate glasses: A review of some experimental evidence // J. Non-Crystalline Solids. 1973. V.13, № 3. pp. 372 398.
  28. A.P., Трухин A.H., Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига: Зинатне, 1985. 244с.
  29. Trukhin A.N., Localized states in germanate glasses. Study of luminescence //
  30. J. Non-Cryst. Solids. 1995. V. 189, № 3. pp. 291 -296.
  31. Trukhin A.N., Localized states of silicon dioxide, sodium and lead silicate glasses // J. Non-Cryst. Solids. 1990. V. 123, № 1 3. pp. 250 — 257.
  32. Zatsepin A.F., Kortov V.S., Shchapova J.V., Electron-phonon interactions andfrozen" phonons during OSEE of amorphous materials // Sci. Rep. Techn. Univ. Opole ser. Physics. 1995. V. 16, № 215. pp. 5 14.
  33. Zatsepin A.F., Kortov V.S., Localized excitations and photoemission processesin glasses // Sci. Rep. Techn. Univ. Opole ser. Physics. 1997. V. 20, № 240. pp. 105−115.
  34. Cody G. D., Abeles В., Brooks В., Persans P., Roxlo C., Ruppert A. and Wronski C., Effect of site disorder on the optical absorption edge of a-Si:Hx // J. Non-Cryst. Solids. 1983. V. 59 60. Part 1. pp. 325 — 328.
  35. Cody G.D., The optical absorption edge of a-Si:H. In: Hydrogenated Amorphous Silicon. Part B. / Ed. by J. Pankove. Academic Press Inc. New York. 1984. pp. 11−82.
  36. Cody G.D., Urbach edge of crystalline and amorphous silicon: a personal review//J. Non-Cryst. Solids. 1992. V. 141. pp. 3 15.
  37. Semiconductors and semimetals. Vol. 21. Hydrogenated Amorphous Silicon. Part B. Optical properties / Ed. by J. Pankove. Academic Press Inc. New York. 1984. p 439.
  38. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / под ред. И. Хамакавы. М.: Металлургия, 1986. 376 с.
  39. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. / под. ред. Дж. Джо-унопулоса и Дж. Люковски. Т. 1, 2. М.: Мир, 1987.
  40. Аморфный кремний и родственные материалы / под ред. X. Фрицше. М: Мир. 1991. 544 с.
  41. Tauc J., Optical properties of non-crystalline solids. In: Optical properties ofsolids / ed. by F. Abeles. North-Holland Publ., Amsterdam. 1972. pp. 277 -313.
  42. Лей Л., Фотоэмиссия и оптические свойства. В: Физика гидрогенизированного аморфного кремния / под. ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. Т. 2, М: Мир, 1987. сс. 165−216.
  43. Grein C.H. and John Sajeev, Polaronic band tails in disordered solids: Combined effects of static randomness and electron-phonon interactions // Phys. Rev. B. 1987. V. 36 № 14, pp. 7457 7468.
  44. Grein C.H. and John Sajeev, Temperature dependence of thr Urbach optical absorption edge: A theory of multiple phonon absorption and emission sidebands//Phys. Rev. B. 1989. V. 39 № 2, pp. 1140−1151.
  45. Redfield David, Effect of defect fields on the optical absorption edge // Phys.
  46. Rev. 1963. V.130. № 3. pp. 916−918.
  47. Dexter D.L., Interpretation of Urbach’s rule // Phys. Rev. Letters. 1967. V.1924. pp. 1383- 1385.
  48. Overhof H. and Maschke K., Exponential tails in optical absorption and electro-absorption of disordered systems a one-dimensional model // J. Phys.: Condensed Matter. 1989. V. 1. pp. 431 — 437.
  49. Kostadinov I.Z., The Urbach tail in amorphous semiconductors // J. Phys. C:
  50. Solid State Phys. 1977. V.10. pp. L263 -L266.
  51. Я.Г., Правило Урбаха и континуальная неупорядоченность в некристаллических твердых телах // ФТТ. 1985. Т. 27. № 5. сс. 1350−1353.
  52. Urbach Franz, The long-wavelength edge of photographic sensitivity and of theelectronic absorption of solids // Phys.Rev. 1953. V. 92. p. 1324.
  53. Martienssen Werner, Uber die excitonenbanden der alkalihalogenidkristalle //
  54. J. Phys. Chem. Solids. 1957. V. 2. pp. 257 267.
  55. Toyozawa Y., A proposed model for the explanation of the Urbach rule // Progr. Theor. Phys. 1959. V. 22. pp. 455 457.
  56. В.Д., Теория длинноволнового края поглощения света в полупроводниках и диэлектриках. Правило Урбаха // ФТТ. 1975. Т. 17. вып. 9. сс. 2578−2584.
  57. .Л., Перель В. И., Яссиевич И. Н., О правиле Урбаха // ФТТ.1983. Т. 25 в. 3. сс. 727−733.
  58. A.M., Лобанова Н. В., Тоисеева М. Н., Полухин В. Н., Королев Н. В., Яковлев В. Е. Исследование связи эмиссионных свойств свинцово-силикатных стекол с их составом и структурой // ФХС. 1979. Т. 5. № 5. С. 628−631.
  59. Ю.В., Экзоэмиссионно-активпые локализованные состояния в поверхностныхслоях стекол Me0-P205(Si02) / дисс. канд. физ.-мат. наук., УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1992. 267 с.
  60. Н.В., Петровский Г. Т., Стекла для ионного обмена в интегральной оптике: современное состояние и тенденции дальнейшего развития (обзор) // Физ. и хим. стекла. 1999. Т. 25, № 1. сс. 21 69.
  61. В.Г., Берилл. Морфология, состав и структура кристаллов. 1964. М: Наука. 161 с. 56. http://webmineral.com/data/Beryl.shtml
  62. Hazen R.M., Au A.Y., Finger L.W., High-pressure crystal chemistry of beryl
  63. Be3Al2Si60iS) and euclase (BeAlSi040H) // American Mineralogist. 1986. v. 71. pp.977−984,
  64. Akselrod M.S., Kortov V.S., Gorelova E.A., Preparation and properties of a
  65. A1203:C // Rad. Protect. Dosimetry. 1993. v. 47, № 1−4. pp. 159 164.
  66. Summers G. P., Thermoluminescence in Single Crystal a-Al203 // Radiat. Prot.
  67. Dosimetry. 1984. V. 8, № ½. pp. 69 80.
  68. Kirfel A. and Eichhorn K., Accurate structure analysis with synchrotron radiation. The electron density in A1203 and Cu20 // Acta Cryst. A. 1990. Vol. 46. part 4. pp. 271−284.
  69. Javier Carrasco, Jose R.B. Gomes and Francese Illas, Theoretical study of bulkand surface oxygen and aluminum vacancies in a-Al203 // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69. pp. 64 116−1 64 116−13 .
  70. Kappus W., Lattice dynamics of sapphire (corundum). Part II: Calculations ofthe Phonon Dispersion // Z. Physik В Condensed Matter. 1975. v. 21, pp. 325 -331.
  71. И.И., Никифоров С. В., Кортов B.C., Кильметов А. К., Контролькачества детекторов излучений для радиационной дефектоскопии // Дефектоскопия. 1996. № 11. сс. 64 70.65. http://www.webmineral.com/data/Periclase.shtml
  72. Hazen R.M., Effects of temperature and pressure on the cell dimension and Xray temperature factors of periclase // American Mineralogist, 1976. v. 61. pp. 266−271.
  73. A.B., Кинетические закономерности термостимулированной экзоэмиссии оксида магния /дисс. канд. физ.-мат. наук, 01.04.07. УПИ, Екатеринбург. 1992. 230 с.
  74. Полинг JL, Природа химической связи. М: ИЛ, 1947.
  75. В.И. Физика и химия твердого тела. Т. 1. М: Металлургия, 1995.480 с.
  76. Rohrer G., Structure and bonding in crystalline materials. Cambridge U. Press, 1. Cambridge. 2001.
  77. Физические величины: Справочник / под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  78. С. Ф., Справочно-методические материалы к курсу «Основы кристаллохмии». Новосибирск, НГУ, 2006. 78 с.
  79. Н., Мермин Н., Физика твердого тела. Т. 1. М: Мир, 1979. 399 с.
  80. Ю.В., Методы автоматизации физических экспериментов и установок на основе ЭВМ. М.: Энергоатомиздат, 1983. 288 с.
  81. Д.А., Радкевич И. А., Смирнов А. Д., Автоматизация экспериментальных исследований. М.: Наука, 1983. 392 с.
  82. Орозбек уулу Аскар, Особенности кинетики Рь-центров в анионодефектных кристаллах оксида алюминия / дисс. канд. физ.-мат. наук, 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 2007. 125 с.
  83. А.С., Вайнштейн И. А., Модернизация измерительного комплекса для исследования люминесценции кристаллов / Научные труды VIII отчетной конференции, молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ 4.1, сб. статей в 2 ч., Екатеринбург, 2005. сс. 143 144.
  84. Е.А., Рогович В. И., Вайнштейн И. А., Структура системы управления знаниями для оценки адекватности моделей в АСНИ // Вестник УГ-ТУ-УПИ, спец. выпуск, 2005. сс. 621 624.
  85. И.А., Зудов B.C., Программный эмулятор «Многофакторныйэксперимент с варьируемой дисперсией параметра оптимизации» («VarEx») // Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 003 610 854, 07.04.2003, Москва.
  86. Е.А., Вайнштейн И. А., Кортов B.C., Программный модуль «Моделирование механизмов термофотолюминесценции в диэлектриках»
  87. TOSL") // Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 005 610 234, 25.01.2005, Москва.
  88. И.А., Попко Е. А., Электронный ГА-конструктор люминесцентных моделей с термоактивационной кинетикой («GenTL») // Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2 006 614 299, 18.12.2006, Москва.
  89. Антонов-Романовский В.В., Кинетика фотолюминесценции кристалло-фосфоров. М: Наука, 1966. 324 с.
  90. Chen R., McKeever S.W.S., Theory of thermoluminescence and related phenomena. World Scientific, Singapore, 1997. 562 p.
  91. Pagonis V., Kitis G., Furetta C., Numerical and practical exercises in thermoluminescence. Springer, New York, 2006. 208 p.
  92. Nash J.C. Compact numerical methods for computers. Bristol: Page Bros Ltd, 1990.
  93. Mitchell M. An introduction to genetic algorithms. Cambridge, MIT Press.1999. 158 p.
  94. И.М., Численные методы Монте-Карло. М.: Наука, 1973. 312 с.
  95. И.М., Метод Монте-Карло. М: Наука, 1985. 78 с.
  96. Jacoboni С., Reggiani L., The Monte-Carlo method for the solution of chargetransport in semiconductors with applications of covalent materials // Rev. Mod. Phys. 1983. V.55 № 3. pp. 645 705.
  97. Л.А., Курейчик В. В., Курейчик В. М., Генетические алгоритмы /под ред. В. М. Курейчика. М: Физматлит, 2006. 320 с.
  98. Dexter D.L., Optical properties of solids // Nuovo Cimento, 1958. V.7 Suppl. P. 245−286.
  99. K.K., Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М: Наука, 1968. 232 с.
  100. Дж., Физика фононов. М.: Мир, 1975. 367 с.
  101. И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Особенности проявления правила Урбаха в стеклообразных материалах // Физ. и хим. стекла. 1999. Т. 25. № 1.С. 85 95.
  102. Weinstein I.A., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Effects of structural disorder and Urbach’s rule in binary lead silicate glasses // J. Non-Cryst. Solids, 2001, v.279 № l.pp. 77−87.
  103. А.И., Ремпель A.A., Нестехиометрия, беспорядок и порядок в твердом теле. Екатеринбург: УрО РАН, 2001. 580 с.
  104. Weinstein I.A., Zatsepin A.F., Modified Urbach’s rule and frozen phonons in glasses // Phys. stat. sol. ©, 2004. v. 1, № 11. pp. 2916−2919.
  105. Weinstein I.A., Zatsepin A.F., Schapova Yu.V., The phonon-assisted shift of the energy levels of localized electron states in statically disordered solids // Physica B, 1999. v. 263−264. pp. 167 169.
  106. И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., О применимости эмпирического соотношения Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны // ФТТ, 1999. Т.41, № 6. сс. 994 998.
  107. А., Намозов Б., Мюрк В., ВУФ-люмипесценция автолокализо-ванных экситонов в кристаллах А120з // Известия АН ЭССР. Физика. Математика. 1987. т. 36, № 2. сс. 193 196.
  108. А.И., Электронные возбуждения, люминесценция и дефекты в оксидах металлов третьей группы и ниобате лития / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1992. 45 с.
  109. Varshni Y.P., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Physica. 1967. V.34. pp. 149- 154.
  110. H., Мермин H., Физика твердого тела. Т. 2. М: Мир, 1979. 422с.
  111. O’Leary S.K., Johnson S.R., Lim Р.К. The relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum of an amorphous semiconductor: An empirical analysis // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. pp. 3334 3340.
  112. В.Я., Дзенис Я. Я., Ковалева H.C., Толстой М. Н. Собственное поглощение и люминесценция метафосфатных стекол // ФТТ. 1990. Т. 32. № 10. сс. 2953 -2959.
  113. Э.Л., Толстой М. Н., Влияние природы стеклообразователя и модификатора в формировании спектра поглощения иона свинца // ФХС. 1988. Т. 14. № 1. сс. 66−71.
  114. Ю.Л., Клеперис Я. Я., Восстановленные формы вольфрама и край поглощения в вольфрамофосфатных стеклах / Межвуз. сб. науч. тр. ЛГУ им. П. Стучки Физика и химия стеклообразующих систем. 1979. сс. 97−115.
  115. Zakis J.R., Fritzsche Н., Temperature dependence of the absorption edge in crystalline and vitreous As2S3 //Phys. stat. sol. (b) 1974. V. 64. pp. 123 130.
  116. Tauc J., Menth., Wood D.L., Optical and magnetic investigations of the localized states in semiconducting glasses // Phys. Rev. Lett. 1970. V. 25, № 11. pp. 749−752.
  117. A.A., Коломиец Б. Т., Мазец Т. Ф., Манукян А. Л., Павлов С. К., Температурная зависимость края поглощения As2Se3 и AsSe в твердом и жидких состояниях// ФТТ. 1976. Т. 18, № 1. сс. 53 57.
  118. Ю.Р., Дефекты в кристаллах и стеклах / Уч. зап. ЛГУ им. П. Стуч-ки, Физика и химия стеклообразующих систем. 1974. Т.203, вып.2. сс. 3 -21.
  119. Ю П., Кардона М., Основы физики полупроводников. М: Физматлит, 2002. 560 с.
  120. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. М: Мир, 1973. 257с.
  121. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. М: Энергия, 1976. 416 с.
  122. N.M. Ravindra, V.K. Srivastava., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // J. Phys. Chem. Solids. 1979. V. 40, № ю. pp. 791 793.
  123. Fan H.Y., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Phys. Rev. 1951. V. 82, № 6. pp. 900 905.
  124. Radkowsky A., Temperature dependence of electron energy levels in solids // Phys. Rev. 1948. V. 73, № 7. pp. 749 761.
  125. А.С., Теория поглощения света в молекулярных кристаллах. Изд-во АН УССР. Киев, 1951. 320 с.
  126. Фэн Г., Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах в отсутствие внешних полей. М: Мир, 1969. 127 с.
  127. Tu R.C., Su Y.K., Li C.F., Huang Y.S., Chou S.T., Lan W.H., Tu S.L., Chang H., Near-band-edge optical properties of molecular beam epitaxy grown ZnSe epilayers on GaAs by modulation spectroscopy // J. Appl. Phys. 1998. v.83, № 3. pp. 1664- 1669.
  128. Manoogian A., Wooley J.C., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors // Can. J .Phys. 1984. v. 62, № 3. pp. 285−287.
  129. Tichy L., Ticha H., The temperature dependence of the optical gap of glassy GeSe2//Materials Letters, 1992. v. 15. pp. 198−201.
  130. Schwarz J., Ticha H., Tichy L., Temperature shift of the optical gap in some Pb0-Zn0-P205 glasses // Materials Letters, 2007. v. 61. pp. 520 522.
  131. Allen P.B., Cardona M., Theory of the temperature of the direct gap of germanium// Phys. Rev. B. 1981. v. 23, № 4. pp. 1495 1505.
  132. Allen P.В., Cardona M., Erratum: Theory of the temperature of the direct gap of germanium Phys. Rev. B. 23, 1495 (1981). //Phys. Rev. B. 1981. v. 24. p. 7489(E).
  133. К.К., Экманис Ю. А., Диэлектрические материалы: радиационные процессы и радиационная стойкость. Рига. Зинатне. 1989. 188 с.
  134. А.Ф., Ушкова В. И., Калентьев В. А., Радиационные Е'-цептры и экзоэмиссионная активность поверхности силикатных материалов // Поверхность. 1990. № 6, сс. 100 105.
  135. С.Ф., Пархоменко В. Д., Теплоухов С. Г., Гощицкий Б. Н., Аморфизация твердых тел быстрыми нейтронами // ФТТ. 1998. Т. 40, № 9. сс. 1584- 1588.
  136. B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов JI.C., Действие излучений на полупроводники. М: Наука. 1988. 190 с.
  137. И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Щапова Ю. В., Правило Урбаха в стеклах Pb0-Si02 // ФТТ. 2000. Т. 42, № 2. с. 224 229.
  138. Weil J.A., A review of electron spin spectroscopy and its application to the study of paramagnwtic defects in crystalline quartz // Phys.Chem.Minerals. 1984. v. 10, № 4. pp. 149- 165.
  139. C.M., Тюльнин В. А., Радиационные центры в неорганических стеклах. М: Энергоатомиздат. 1988. 199 с.
  140. Skuja L., Optically active oxygen-deficiency-related centers in amorphous silicon dioxide // J. Non-Crystalline Solids. 1998. v. 239, 16−48.
  141. А.Ф., Кортов B.C., Калентьев В. А. Ушкова В.И., Кислородно-вакансионные комплексы в облученных нейтронами кристаллах фенакита //ФТТ. 1988. Т. 30, вып. 5. сс. 1305 1310.
  142. А.Н., Таран М. Н., Польшин Э. В., Минько О. Е. // Изв. АН СССР. Сер. геол. 1979. № 10, сс. 54.
  143. Weinstein I.A., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Effect of the type of atomic disorder on spectral characteristics of photoemitters // Latv. J. Phys. Tech. Sci. 2000. v. 6 Suppl. pp. 73 77.
  144. A.H., Таран M.H., Балицкйй B.C., Природа окраски самоцветов. М: Недра. 1984. 196 с.
  145. И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Квазидинамический структурный беспорядок, индуцированный быстрыми нейтронами в кристаллах Be3Al2Si6018 // ФТТ. 2001. Т. 43, № 2, сс. 237−241.
  146. А.Ф., Кортов B.C., Ушкова В. И., Калентьев В. А., Изменение эк-зоэмиссионных свойств кристаллов кварца и фенакита в процессе радиационной трансформации струтктуры поверхности // Поверхность. 1992. № 4. сс. 43 50.
  147. А.В., Конусов Ф. В., Влияние ионного облучения на критерии правила Урбахав оксиде алюминия // Поверхность. 2008. № 4. сс. 103 -109.
  148. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с.
  149. Gan Fuxi Optical and spectroscopic properties of glass. Springer-Verlag and Shanghai Scientific and Technical Publishers. Berlin. 1992. 284 p.
  150. Vogel W.,. Glass chemistry. Springer-Verlag, Berlin. 1992. 464 p.
  151. Г., Неорганические стеклообразующие системы. М: Мир. 1970. 312 с.
  152. Л.Б., Плюхин А. Г., Раабен Э. Л., Толстой М. Н., Трухин А. Н., Люминесценция свинца в силикатных стеклах // Физ. и хим. стекла.1990. т. 16, № 2. сс. 245 252.
  153. Л.Б., Докучаев В. Г., Петров М. А., Петровский Г. Т., Спектры поглощения центров окраски в щелочносиликатных стеклах // Физ. и хим. стекла. 1990. т. 16, № 1. сс. 39 47.
  154. O’Leary S.K., Johnson S.R., Lim Р.К., The relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum of an amorphous semiconductor: An empirical analysis // J. Appl. Phys. 1997. v. 82, № 7. pp 3334−3340.
  155. Ellis E., Johnson D.W., Breeze A., Magee P.M., Perkins P.G., The electronic band structure and optical properties of oxide glasses II. Lead silicates // Philosophical Magazine B. 1979. v. 40, № 2. pp. 125 137.
  156. Э.Л., Толстой M.H., Влияние природы стеклообразователя и модификатора в формировании спектра поглощения иона свинца // Физ. и хим. стекла. 1988. т. 14, № 1. сс. 66 71.
  157. Э.Л., Толстой M.H., Концентрационные зависимости в спектрах поглощения стекол, содержащих оксид свинца // Физ. и хим. стекла. 1988. т. 14, № 6. сс. 815−820.
  158. О. Маделунг. Физика твердого тела. Локализованные состояния. Наука, М. (1985) 184 с.
  159. Rabinovich E.M., Review. Lead in glasses // J. Materials Science. 1976. 11. pp. 925 948.
  160. Piriou В., Arashi H., Raman and infrared investigations of lead silicate glasses // High Temperature Science. 1980. 13, pp. 299 313.
  161. В.О., Подольская Т. М., Януш О. В., Спектры комбинационного рассеяния и структура стекол системы PbO-SiCb // Физ. и хим. стекла. 1996. т. 22, № 1. сс. 25 -33 .
  162. D. De Sousa Meneses, М. Malki, P. Echegut «Structure and lattice dynamics of binary lead silicate glasses investigated by infrared spectroscopy» // Journal of Non-Crystalline Solids 352 (2006) 769−776.
  163. A.M. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1982, с. 376.
  164. Street R.A., Luminescence in amorphous semiconductors // Adv.Phys. 1976. v. 25, № 4. pp. 397−453.
  165. Street R.A., Luminescence in a-Si:H! In: Hydrogenated Amorphous Silicon Part B. / Ed. by J. Pankove. Academic Press Гпс. New York. 1984. pp. 197 -244.
  166. Каталог «Оптическое стекло СССР-DDR» / под ред. Г. Т. Петровского. Москва-Йена-Берлин, 1975.
  167. Физико-химические основы производства оптического стекла / под ред. Л. И. Демкиной. Л: Химия, 1976. 456 с.
  168. Стекло. Справочник / под ред. Н. М. Павлушкина, М.: Стройиздат, 1973. 488с.
  169. И.А., Зацепин А. Ф., Кортов B.C., Маслаков А. А. Характеристики оптического поглощения тяжелых флинтов в УФ-области // «Проблемы спектроскопии и спектрометрии»., межвуз. сб. науч. тр. УГТУ, Екатеринбург, 1999. вып.З. С. 18 25.
  170. И.А., Зацепин А. Ф. Влияние структурных факторов на край оптического поглощения тяжелых флинтов // Физ. и хим. стекла. 2004. Т. 30. № 6. С. 662 668.
  171. И.А., Зацепин А. Ф. Расширенная диаграмма Аббе для тяжелых флинтов // Физ. и хим. стекла, 2006. т.32, № 2, сс. 188 194.
  172. Н.А., Барзаковский В. П., Лапин В. В., Курцева Н. Н., Бойкова А. И. Диаграммы состояния силикатных систем. Справочник. Выпуск третий. Тройные силикатные системы. Л.: Наука, 1972. 448 с.
  173. Kortov V. S, Milman 1.1., Kirpa V.I., Lesz Ja., Thermal Quenching of TL in a-A1203 Dosimetric Crystals // Rad. Protect. Dosimetry. 1996. v. 65, No. 1−4. pp. 255−258.
  174. Akselrod M.S., Kortov V.S., Kravetsky D.J. and Gotlib V.I., Highly sensitive thermoluminescent anion-defective a-Al203 single crystal detectors //, Rad. Protect. Dosimetry. 1990. v. 32, No. 1. pp. 15 20.
  175. Lee K.H., Crawford J.H., Electron centers in single-crystal А120з H Phys. Rev. B15. 1977. v.15,No. 8. pp. 4065−4070.
  176. Evans B. D. and Stapelbroek M., Optical properties of the F±centre in crystalline oc-A1203 // Phys. Rev. B. 1978. v. 18, № 12. pp. 7089 7098.
  177. Draeger B.G., Summers G.P. Defects in unirradiated а-АЬОз // Phys. Rev. B. 1979. v. 19, No. 2, pp. 1172 1177.
  178. McKeever S.W.S., Akselrod M.S., Colyott L.E., Agersnap Larsen N., Polf J.C. and Whitley V., Characterisation of А120з for use in thermally and optically stimulated luminescence dosimetry // Rad. Protect. Dosimetry. 1999. v.84, No. 1−4. pp. 163- 168.
  179. B.C., Мильман И. И., Термостимулированная люминесценция дозиметрических кристаллов а-А120з // Известия ВУЗов. Физика. 1996. т. 39, № 11. сс. 145- 161.
  180. К.Н. Lee, J.H. Crawford, Jr., Additive coloration of sapphire // Appl. Phys. Lett. 1978. v. 33, № 4, 273−275.
  181. Mitchell E.W.J., Rigden J.D., Townsend P.D., The anisotropy of optical absorption induced in sapphire by neutron and electron irradiation // Philosophical Magazine. 1960. 5. pp. 1013 1027. •
  182. Levy P.W., Color Centers and Radiation-Induced Defects in A1203 // Phys. Rev. 1961. v. 123, № 4. pp. 1226- 1233.
  183. Lee K.H., Crawford J.H., Jr., Luminescence of the F center in sapphire // Phys. Rev. B. 1979. v. 19, № 6. pp. 3217−3221.
  184. Я.А., Кулис П. А., Спрингис M.E. Дефекты решетки и люминесценция монокристаллов а-А1203. II. О природе люминесценции аддитивно окрашенных кристаллов // Известия АН Латвийской ССР, сер. физ. и техн. наук. 1979. № 6. сс. 22 28.
  185. М.С., Кортов B.C., Мильман И. И., Рекомбинационные процессы в легированном аниондефектном корунде // Укр. физ. Журнал. 1983. Т. 28, № 7. сс.'1053 1056.
  186. Choi Sang-il, Takeuchi Т., Electronic States of F-Type Centers in Oxide Crystals: A New Picture // Phys. Rev. Lett. 1983. v. 50, № 19. pp. 1474 -1477.
  187. И.А., Кортов B.C., Температурное поведение полосы 6.05 eV в спектрах оптического поглощения кислород-дефицитного корунда // ФТТ. 2000. V. 42. № 7. С. 1223 -1229.
  188. A.M., Теория дефектов в твердых телах. Электронная структура дефектов в диэлектриках и полупроводниках. 1985 М: Наука. 625 с.
  189. В.Н., Перель В. И., Яссиевич И. Н., Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. С.-Петербург: Изд-во «Петербургский институт ядернгой физики им. Б. П. Константинова РАН». 1997. 376 с.
  190. Brewer J.D., Jeffris В.Т. and Summers G.P., Low-temperature fluorescence in sapphire // Phys. Rev. B. 1980. V. 22, № 10. pp. 4900 4906.
  191. La S.Y., Bartram R.H., Сох R.T., The F+ center in reactor-irradiated aluminum oxide // J. Phys. Chem. Solids 1973. v. 34, № 6. pp. 1079 1086 .
  192. Henderson В., King R.D., Stoneham A.M., The temperature dependence of the F band in magnesium oxide // J. Physics C: Solid State Physics. 1968. v. 1, № 3. pp. 586−593.
  193. Т.С., Авакумова JI.A., Гимадова Т. И., Тале И. А., Топография свойств кристаллов корунда с дефектной структурой // ЖПС. 1991. т. 54, № 2. сс.258 262.
  194. Kotomin Е.А., Popov A.I., Radiation-induced point defects in simple oxides // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1998. v. 141, pp. 1 15.
  195. И.И., Термостимулированные процессы в облученных широкозонных оксидах с нарушенной стехиометрией / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.10. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1999. 428 с.
  196. С.В., Особенности термостимулированной люминесценции аниондефектных монокристаллов а-АЬОз / дисс. канд. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 1998. 151 с.
  197. Weinstein I.A., Pelenyov V.E., Kortov V.S., The effect of thermally stimulated photoconversion of oxygen centres on the sensitivity of TLD-500 dosimetric crystals // Radiat. Prot. Dosim. 2002. v. 100, № 1−4. pp. 159 162.
  198. Jeffries B.T., Brewer J.T., Summers G.P., Photoconductivity and charge trapping in A1203 // Phys. Rev. B. 1981. v. 24, № 10. pp. 6074 6082.
  199. Atabekyan R.R., Ezoyan R.K., Gevorkyan V.A., Vinetskii V.L., Photostimu-lated Electron Redistribution between F and F+ Centres in Corundum // Phys. stat. sol. (b). 1985. v. 129, № 1. pp. 321 329.
  200. Weinstein I.A., Pelenyov V.E., Kortov V.S., Orozbek uulu Askar, Specific features of 3.8-eV emission in TL spectra of oxygen-deficient corundum // phys. stat. sol. ©. 2005. v. 2, № 1. pp. 523 526.
  201. И.И., Кортов B.C., Никифоров C.B., Интерактивный процесс в механизме термостимулированной люминесценции анион-дефектных кристаллов а-АЬОз И ФТТ. 1998. т. 40, № 2. сс. 229 234.
  202. Pelenyov V.E., Kortov V.S., Milman I.I., The interaction of deep traps in an-ion-defective а-А12Оз // Radiaton Measurements. 200L. v. 33. pp. 629 631.
  203. Weinstein I.A., Pelenyov V.E., Kortov V.S., Specific features of luminescence in а-А120з after F-=>F±photoconversion / Труды VIII-й Международной школы-семинара «Люминесценция и лазерная физика». Иркутск, 2003. сс. 51−58.
  204. Weinstein I.A., Kortov V.S., The shape and the temperature dependence of the main band in UV absorption spectra of TLD-500 dosimetric crystals // Radiaton Measurements. 2001. v. 33, № 5. pp. 763 767.
  205. A.C., Вайнштейн И. А., Параметры полос оптического поглощения анионных центров в корунде / Научные труды VII отчетной конференции, молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ 4.1, сб. статей в 3 ч., Екатеринбург, 2005. сс. 258 259.
  206. И.И., Кортов B.C., Никифоров С. В., Пеленев В. Е., Механизм люминесценции F-центров в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия //ФТТ. 2003. т. 45, вып. 7. сс. 1202 1208.
  207. Kristianpoller N., Shmilevich A., Weiss D., Chen R, Sensitization and desen-sitization of the luminescence yield of A1203: C // Rad. Eff. Def. Solids. 1998. v. 146. pp. 237−241.
  208. B.C., Орозбек уулу Аскар, Вайнштейн И.А., Особенности кинетики термолюминесценции в дозиметрических кристаллах оксида алюминия // Журнал прикладной спектроскопии. 2006. т. 73, № 2. сс.187 -190.
  209. А.И., Радиационно-оптические и эмиссионные свойства широкозонных анионодефектных оксидов с пониженной симметрией / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург. 2007. 405 с.
  210. Weinstein I.A., Pelenyov V.E., F- => F±centers transformations in mechanisms of sensitization of TLD-500 // Radiation Measurements. 2004. v. 38. № 4−6. pp. 421 -425.
  211. B.C., Мильман И. И., Никифоров С. В., Моисейкин Е. В., Оптически индуцированные эффекты в термолюмпнесценции дозиметрических кристаллов анион-дефектного корунда // Журнал прикладной спектроскопии, 2004. Т. 71, № 2. сс. 227−230.
  212. Akselrod M.S., Gorelova E.A., Deep traps in highly sensitive a-Al203:C TLD crystals //Nucl. Tracks Radiat. Meas. 1993. v. 21, № 1, pp. 143 146.
  213. Molnar G., Benabdesselam M., Borossay J., Tacconi P., Lapraz D., Akselrod M., Influence of the irradiation temperature on the dosimetric and high temperature TL peaks of A1203: C // Radiat. Prot. Dosim. 2002. v. 100, № 1−4, pp. 139- 142.
  214. Yukihara E.G., Whitley V.H., Klein D.M., McICeever S.W.S., Akselrod A.E., Akselrod M.S., The effect of deep trap population on the thermoluminescence of A1203: C // Radiation Measurements. 2003. v. 37. pp. 627 638.
  215. И.И., Кортов B.C., Кирпа В. И., Температурное тушение в люминесценции анионодефектных кристаллов а-АЬ03 // ФТТ. 1995. Т. 37. № 4. С. 1149−1159.
  216. Akselrod M.S., Agersnap Larsen N., Whitley V., McKeever S.W.S., Thermal Quenching of F-center luminescence in A1203: C // J. Appl. Phys. 1998. v. 84, № 6. pp. 3364−3373.
  217. И.А., Вохминцев A.C., Кортов B.C., Особенности температурного тушения фотолюминесценции 3.0 eV в монокристаллах а-А1203 // Письма в ЖТФ. 2006. т. 32, вып. 2. сс. 21 27.
  218. П.А., Температурное тушение люминесцецнии корунда // Укр. физ. журнал. 1970'.'Т. 15. № ю. С. 1730 1731.
  219. А.Л., Кузниченко А. В., Говядовский Ю. Б., Якунин В. Г., Температурная зависимость рентгенолюминесценции и термолюминесценции корунда // ЖПС. 1991. т. 54, № 3. сс. 438 444.
  220. В.П., О температурном тушении люминесценции. Компенсационный эффект // Оптика и спектроскопия. 1965. Т. XVIII, вып. 1. сс. 54 -57.
  221. Г. Б., Некоторые закономерности в изменении параметров D0 и Q при диффузии в металлах и сплавах / в сборнике «Подвижность атомов в кристаллической решетке». Серия Металлофизика. 1965. Киев, «Наукова думка», сс. 40 49.
  222. В.А., О взаимосвязи предэкспоненциальногофактора и энергии активации при диффузии в кристаллических телах // Известия АН СССР, серия Металлы. 1976. № 1. сс. 230 235.
  223. В.И., Компенсационные эффекты кинетики термоактивируемых процессов в аморфных металлических сплавах // ФММ. 2002. Т. 93. № 3. сс. 70−74.
  224. Н.И., Соболев Б. П., Брайтер М., Особенности анионного переноса в суперионных проводниках на основе MF2 (М = Pb, Cd) // ФТТ. 2002. т. 44, вып. 8. сс. 1506 1512.
  225. Ехпег О., Determination of the isokinetic temperature // Nature. 1970. Vol. 227, № 5256. pp. 366−367.
  226. Boon M.R., Thermodynamic compensation rule // Nature. 1973. Vol. 243, June 15. p. 401.
  227. Harris P. S., Compensation effect and experimental error // Nature. 1973. Vol. 243, June 15. p. 401 -402.
  228. Weinstein I.A., Kortov V.S., Vohmintsev A.S., The compensation effect during luminescence of anion centers in aluminum oxide // J. Luminescence. 2007. v. 122 123. pp. 342 — 344.
  229. Orozbek uulu Aslcar, Weinstein I.A., Slesarev A.I., Kortov V.S., Kinetic features of thermoluminescence in oxygen-deficient crystals of aluminum oxide //Известия ВУЗов. Физика. 2006, № 10 Приложение, сс. 138 140.
  230. Т.С., Станиславский М. П., Хаимов-Мальков В.Я., Собко А. И., Влияние примесей на радиационно-оптические процессы в рубине // ЖПС. 1979. Т. 30, № 5. сс. 829 835.
  231. Milman I.I., Kortov V.S., Nilciforov S.V., An interactive process in the mechanism of the thermally stimulated luminescence of anion-defective a-A1203 crystals // Radiation Measurements. 1998. V.29, № ¾. pp. 401 410.
  232. McKeever S.W.S., Chen R., Luminescence models // Radiation Measurements. 1997. v. 27, № 5/6. pp. 625 661.
  233. A.M., Кортов B.C., Аппаратно-программное обеспечение тер-мостимулированных измерений в экзоэмиссионной дефектоскопии / 17-я Международная конференция «Неразрушающий контроль и диагностика», Екатеринбург, 5−11 сентября 2005. с. 30.
  234. В.П., Компенсационный эффект в кинетике реакций комплексных ионов переходных металлов // Известия СО АН СССР, сер. Химия. 1968. № 7. вып. 3. сс. 102 112.
  235. Weinstein LA., Popko E.A., The simulation of TL processes in alpha-АЬОз using different ratios between parameters of trapping and luminescent centers // J. Luminescence. 2007. v. 122 123, pp. 377 — 380.
  236. E.A., Орозбек уулу Аскар, Вайнштейн И.А., Кортов B.C., Учет температурного тушения при моделировании параметров TJI-пиков в а-А1203 //Вестник УГТУ-УПИ, спец. выпуск. 2004. сс. 145 147.
  237. Sunta С.М., Ayta W.E. Feria, Piters T.M., Watanabe S., Limitation of peak fitting and peak shape methods for determination of activation energy ofthermoluminescence glow peaks // Radiation Measurements. 1999. v. 30. pp. 197−201.
  238. Sunta C.M., Ayta W.E.F., Chubaci J.F.D., Watanabe S., General order and mixed order fits of thermoluminescence glow curves a comparison. Radiat. Meas. 2002. V. 35. pp. 47 — 57.
  239. B.C., Мильман И. И., Никифоров С. В., Особенности кинетики термостимулировёанной люминесцекнции кристаллов а-АЬ03 с дефектами//ФТТ. 1997. т. 39, № 9. сс. 1538 1543.
  240. Э.З., Роль мелких ловушек в термолюминесценции анионоде-фектного оксида алюминия / дисс. канд. физ.-мат. наук, 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 2007. 101 с.
  241. Alben R., Blume М., Kralcauer Н., Schwartz L., Exact Results for a Three-dimensional Alloy with Site Diagonal Disorder: Comparison with the Coherent Potential Approximation // Phys. Rev. B. 1975. v. 12, № 10. pp. 4090 4094.
  242. Maradudin A.A., Montroll E.W., Weiss G.H., Ipatova I.P., Theory of Lattice Dynamics in the Harmonic Approximation. Academic Press. New York, 1971.775 p.
  243. Benedek G., The Green Function Approch to the Surface Lattice Dynamics of Ionic Crystals // Surf. Sci. 1976. v.61, № 2, pp. 603 634.
  244. Montroll E.W., Frequency Spectrum of Crystalline Solids // J.Chem.Phys. 1942. v.10, № 4. pp. 218−229.
  245. Sangster M.J.L., Strauch D., Localized Modes associated with Defects in Ionic Crystals // J. Phys. Chem. Solids. 1990. v.51, № 7. pp. 609 639.
  246. Sangster M.J.L., Harding J.H., Calculation of Local and Gap Mode Frequencies from Impurities in Alkali Halide Crystals // J. Physics C: Solid State Physics. 1986. v. 19, № 31. pp. 6153 6167.
  247. Sangster M.J.L., Hussain A.R.Q., The Supercell Method for Calculating Re-spenses in Defective Lattice//Physica B+C. 1985. v. 131, № 1. pp. 119- 125.
  248. В.Г., Локализованные колебания решетки в дефектных диэлектрических кристаллах / дисс. докт. физ.-мат. наук, 01.04.10. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 1994. 203 с.
  249. А.Н., Формирование локализованных колебаний решетки и их влияние на физические свойства кристаллов и нанокристаллов / дисс. докт. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 2004. 307 с.
  250. И.А., Локализованные колебания и транспорт электронов в процессах экзоэмиссии кристаллов MgO / дисс. канд. физ.-мат. наук 01.04.07. УГТУ-УПИ, Екатеринбург, 1997. 124 с.
  251. В.Г., Вайнштейн И. А., Кортов B.C., Локальные колебания Vk- и U-центров в ЩГК // ФТТ. 1993. т.35, № 8. сс. 2282 2284.
  252. Dick B.G., Overhauser A.W., Theory of the Dielectric Constants of Alkali Halide Crystals //Phys. Rev. 1958. v. 112, № 1. pp. 90- 103.
  253. Catlow C.R.A., James R., Mackrodt W.C., Stewart R.F., Defect energetics in а-АЬОз and rutile Ti02 // Phys. Rev. B. 1982. v. 25, № 2. pp. 1006- 1026.
  254. П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1985. 384 с.
  255. Mackrodt W.C., Stewart R.F. Interatomic Potentials Handbook, 1979.
  256. Catlow C.R.A., Faux I.D., Norgett M.J., Shell and breathing shell model calculations for defect formation energies and volumes in magnesium oxide // J. Physics C: Solid State Physics. 1976. v.3,. pp. 419−429.
  257. Sangster M.J.L., Peckham G., Saunderson D.H., Lattice dynamics of magnesium oxide // J. Physics C: Solid State Physics. 1976. v.3. pp. 1026 1036.
  258. Norgett M.J., Stoneham A.M., Pathalc A.P., Electronic structure of the centre in MgO // J. Physics C: Solid State Physics. 1976. v. 10. pp. 555 565.
  259. Kislov A. N., Mazurenlco V.G., Korzov K.N., Kortov V.S., Interionic potentials and localized vibrations in АЬОз crystals with vacancies // Physica B. 2004. v. 352, pp. 172- 178.
  260. A.H., Мазуренко В. Г., Корзов K.H., Кортов B.C., Динамика решетки кристаллов корунда с вакансиями в различных зарядовых сотоя-ниях // ФТТ. 2003. т. 45, вып. 9. сс. 1696 1699.
  261. Rambaut С., Jobic Н., Jaffrezic Н., Kobanoff J., Fayeulle S., Molecular dynamic simulation of the а-А120з lattice: dynamic properties // J. Physics C: Condensed.Matter. 1998. v. 10, № 19. pp. 4221 4229.
  262. Loong C.-K., Phonon densities of states and related thermodynamic properties of high temperature ceramics // J. Eur. Ceram. Soc. 1999. v. 19, № 13−14. pp. 2241−2247.
  263. H.A., Улманис У. А., Радиационные дефекты и ионы металлов группы железа в оксидах. Рига: Зинатпе, 1988. — 208 с.
  264. Benett J.S., Spin relaxation of Fe+ in MgO excited electronic states // Phys. Rev. B. 1970. v. l, № 9. pp. 3561 3568.
  265. Chappert J., Frankel R.B. Fe2+ and Fe3+ hyperfme fields in MgO and CaO // Phys. Lett 1967. v.25A, № 2. pp. 149- 150.
  266. Low W., Paramagnetic resonance of Fe3+ in cubic crystals // Proc. Phys. Soc. B. 1956. v.69, № 29. pp. 1169 1176.
  267. Low W., Weger M., Paramagnetic resonance and optical spectra of divalent iron in cubic crystals. Experimental results // Phys. Rev. I960, v. l 18, № 5. pp. 1130- 1136.
  268. Tench A.J., Duck M.J., Radiation damage in oxides: II. Defect formation in MgO // J. Physics C: Solid State Physics. 1973. v.6, № 7. pp. 1134 1148.
  269. Sangster M.J.L., Stoneham A.M., Calculations of off-centre displacements of divalent substitutional ions in MgO, CaO, SrO and BaO from model potentials // Phil.Mag. B. 1981. v.43, № 4. pp. 597 608.
  270. Stoneham A.M., Sangster M.J.L., Multiple charge-states of transition metal impurities // Phil.Mag. B. 1981. v.43, № 4. pp. 597 608.
  271. В.Г., Вайнштейн И. А., Кортов B.C., Вараксин A.H., Примесные колебательные моды в кристаллах MgO-Fe" и1. MgO-Fe // ФТТ.1995.Т.37, № 10. сс. 3011 -3015.
  272. Ю.Н., Вараксин А. Н. Вычисление энергий взаимодействия дефектов в ионных кристаллах методом молекулярной статики / УПИ, Свердловск, Деп. В ВИНИТИ № 2395. 1989. 137 с.
  273. Sangster M.J.L., Relaxations and their strain derivatives around impurity ions in MgO // J. Physics C: Solid State Physics. 1981. v. 14. pp. 2889 2898.
  274. В.Г., Кислов A.H., Расчет частот щелевых колебаний дефектных ионных кристаллов рекурсивным методом в модели оболочек // ФТТ. 1991. т. ЗЗ, № 11. сс. 3433 3435.
  275. Cohen R.E., Boyer L.L., Mehl M.J., Lattice dynamics of the potential-induced breathing model: Phonon dispersion in the alkaline-earth oxides // Phys. Rev. B. 1987. v.35, № 11. pp. 5749 5760.
  276. Billat A., Mon J.P., Voisin M., Experimental and Theoretical study of Raman Scattering in Co and Fe -Doped Magnesium Oxide // Phys. stat. sol (a). 1975. v.67.'pp. 335−339.
  277. Billat A., Mon J.P., Voisin M., Impurity induced Raman Spectra in MgO-Fe3+ and MgO-Cr3+ crystals // Phys. stat. sol (a). 1976. v. 9. pp. 1337 1343.
  278. A.B., Электронная структура релаксированных точечных дефектов в оксиде магния / дисс. канд. физ.-мат. наук, 01.04.07. УПИ, Свердловск, 1989. 120 с.
  279. Chen Y., Williams R.T., Sibley W.A., Defect cluster centres in MgO // Phys. Rev. 1969. v. 182, № 3. pp. 960−964.
  280. А.Б., Кластерные расчеты электронного строения анионной вакансии, F± и F-центра в кристалле MgO с самосогласованным учетом деформации и поляризации решетки // ФТТ. 1994. Т.36, N.10. сс. 2231 -2237.
  281. Eglitis R.I., Kuklja М.М., Kotomin Е.А., Stashans A., Popov A.I., Semi-empirical simulations of the electron centers in MgO crystal // Computational Materials Science. 1996. v. 5, № 4. pp. 298 306.
  282. Mazurenko V.G., Sobolev A.B., Kislov A. N., Korzov K.N., Kulyashov V.V., Kortov V.S., Modeling of the lattice dynamics in MgO crystals with points defects in different charge states // Physica B. 2005. v. 368. pp. 287 296.
  283. Herscovici C., Fibish V., Phonon Spectra calculations by Recursion Method: I. Diatomic Crystals // J. Physics C: Solid State Physics. 1980. v. 13, № 9. pp. 1635- 1647.
  284. B.C., Слесарев А. И., Рогов B.B., Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки. Киев: Наукова думка. 1986. 176 с.
  285. Kortov V.S., Mazurenko V.G., Multiphonon processes in exoelectron emission mechanisms / Proc. 11-th Symp. Exoelectron emission and Applications, Glucholazy, 1994. pp. 13−22.
  286. Fitting H.-Y., Glaefeke H., Wild W., Franke M., Muller W., Electronen-strahlinduzierter ladungstransport in Si02 schichten // Exper. Tech. Phys. 1979. V.27,№l.pp. 13−24.
  287. Fitting H.-J., Elektronenstrahlinduzierte Ladungstrager in Festokorpertargets. / Dissertation zur Erlangung des Akademischen Grades Doctor der Wissen-schaften. Rostock: Wilhelm-Peck Universitat, 1978. 196 p.
  288. В.Г., Скотников B.A., Кортов B.C., Машинное моделирование зарядового состояния приповерхностного слоя Si02 при электронной бомбардировке / «Радиационно-стимулированные явления в твердых телах» Межвуз. сборник., Свердловск: УПИ, 1988. сс.74−80.
  289. А.Ф., Кортов B.C., Тюков В. В., Черлов Г. Б., Индуцированное электронной бомбардировкой заряжение приповерхностных упруго деформированных слоев диоксида кремния // Поверхность. 1991. № 4. сс.150- 152.
  290. Г., Электронная эмиссия с поверхности твердого тела после механической обработки и облучения / Экзоэлектронная эмиссия, сб. статей, М.: ИЛ, 1962. сс. 72−95.
  291. А., Дольежи Дж., Экзоэлектронная и термоэлектронная эмиссия с некоторых галоидных соединений / Экзоэлектронная эмиссия, сб. статей, М.: ИЛ, 1962. сс. 216−234.
  292. Kortov V.S., Shifrin V.P., Exoemission Properties of Zr02// Phys.stat.sol.(a). 1974. v.25, № 2. pp. 377−385.
  293. Е.И., Толпыго К. Б., Шейнкман M.K., Оже-рекомбинация с участием носителей, связанных на различных центрах // ФТТ. 1965. т.7, № 6. сс. 1790- 1794.
  294. Bichevin V., Kaambre PI., A Possible Manifestation of Auger Processes in Thermostimulated Electron Emission // Phys.stat.sol.(a). 1971. v.4, № 3. pp. K235 -K238.
  295. Mazurenlco V.G., Kortov V.S., Photostimulated and thermostimulated exoe-lectron emission at multiphonon ionization of deep centers in ion crystals // Поверхность. 1993. № 8. сс. 66 72.
  296. И.А., Мазуренко В. Г., Кортов B.C., Моделирование процессов термостимулированной экзоэлектронной эмиссии с глубоких центров в кристалле MgO / Тез. докл. на Всеросс.конф. «Химия твердого тела и новые материалы», Екатеринбург, 1996. с. 152.
  297. Drenckhan S., Gross Н., Glaefeke Н., The mechanism of Exoelectron Emission after Excitation with Electrons // Phys.stat.sol.(a). 1977. v. 2, № 1. pp. K51- K54.
  298. Г., Яссиевич И. Н., Термостимулированная эмиссия электронов в изоляторах // ФТТ. 1983. т.25. вып.6. сс. 1855 1877.
  299. М.Борн, Хуань Кунь, Динамическая теория кристаллических решеток. М.: ИЛ, 1958. 488 с.
  300. Хуань Кунь, Рис А., Теория оптических и безизлучательных переходов в F-центрах / В «Проблемы физики полупроводников». М.: ИЛ, 1957. сс. 389−406.
  301. В., Перель В. И., Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле // ЖЭТФ. 1986. т.91, № 6. сс. 2319−2331.
  302. В.Н., Курносова О. В., Пахомов А. А., Яссиевич И. Н., Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры // ФТТ, 1988. т. ЗО, № 6. сс. 1793 1802.
  303. В.Н., Меркулов И. А., Перель В. И., Яссиевич И. Н., К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр // ЖЭТФ. 1985. т.89, № 4. сс. 1472- 1486.
  304. Chen Y., Kopolus J.L., Sibley W.A., Defect luminescence of the irradiated MgO // J. Luminescence. 1970. v. l, № 2. pp. 633 637.
  305. Chen Y., Kopolus J.L., Sibley W.A., Luminescence of the F±center in MgO //Phys. Rev. B. 1969. v. 186, № 3. pp. 865 870.
  306. B.C., Мазуренко В. Г., Вайнштейн И. А., Моделирование механизмов ТСЭЭ: I. Многофононная ионизация глубоких центров в кристалле MgO / Детектирование ионизирующих излучений.: Межвуз. сб., Екатеринбург, 1996. сс. 58 62.
  307. А.Б., Вараксин А. Н., Расчеты энергий образования анионной вакансии, F± и F-центров в кристалле MgO методом молекулярной статики//ФТТ. 1995. т.37, № 5. сс. 1337- 1341.
  308. Watanabe Y., Takemoto Y., Kubozoe Т., Mukoyama Т., Monte-Carlo Calculations of the Energy Distribution of Exoelectrons // Phys.stat.sol (a). 1980. v.61. pp. 221 -229.
  309. Takemoto Y., Takanashi Y., Watanabe Y., Kubozoe Т., Temperature Dependence of the Mean Energy of Exoelectrons from MgO // Phys.stat.sol (a). 1980. v.58. pp. K145 K147.
  310. Thomas R.E., Gibson J.W., Haes G.A., Low Energy Electron Reflection (LEER) and Electron Affinity of MgO // Appl.Surf.Sci. 1980. v.5, № 4. pp. 398−405.
  311. Kortov V.S., Zolnikov P.P., Computation of the Energy and Angular Distribution of Exoelectrons by the Monte-Carlo Method // Phys.stat.sol (a). 1975. v.31, № 3. pp. 331 -339.
  312. Fischetti M.V., DiMaria D.J., Brorson S.D., Theis T.N., Kirtley J.R., Theory of high-field electron transport in silicon dioxide // Phys.Rev. B. 1985. v.31, № 12. pp. 8124−8142.
  313. Chang Y.-C., Ting D.Z.-Y., Tang J.Y., Hess K., Monte-Carlo simulation of impact ionization in GaAs including quantum effects // Appl.Phys.Lett. 1983. v.42,№ 1, pp. 76−78.
  314. Reggiani L., Lugli P., Jauho A.-P., Monte-Carlo algoritms for collisional broadening and intracollisional field effect in semiconductor high-field transport // J. Appl. Phys. 1988. v.64, № 6. pp. 3072 3078.
  315. Kim K., Mason B.A., Hess K., Inclusion of collision broadening in semiconductor electron-transport simulation // Phys. Rev. B. 1987. v.36, № 12. pp. 6547−6550.
  316. Reggiani L., Lugli P., Jauho A.P., Quantum kinetic equation for electronic transport in nondegenerate semiconductors // Phys. Rev. B. 1987. v.36, № 12. pp. 6602 6608.
  317. Sparks M., Mills D.L., Warron R., Holstein Т., Maradudin A.A., Sham L.J., Loh E., Jr, King D.F., Theory of electron-avalanche breakdown in solids // Physical Review B. 1981. v. .24, № 6. pp. 3519 3536.
  318. Fischetti M.V., Monte-Carlo Solution to the Problem of Higf-Field Electron Heating in Si02 // Phys. Rev. Lett. 1984. v.53, № 18. pp. 1755 1758.
  319. Xing Zhou, Hsiang T.Y., Monte-Carlo determination of femtosecond dynamics of hot carrier relaxation and scattering processes in bulk GaAs // J. Appl. Phys. 1990. v.67,№ 12. pp. 7399−7403.
  320. Nobuyuki Sano, Tomofumi Furuta, Energy Broadening in ultrafast relaxation processes of photoexcited electrons: a Monte Carlo approach // Phys. Rev. B. 1993. v.48, № 3. pp. 1426- 1432.
  321. И.А., Кортов B.C., Мазуренко В. Г., Моделирование механизмов ТСЭЭ: II. Термализация экзоэлектронов с учетом уширения энергии в рамках метода Монте-Карло / Детектирование ионизирующих излучений: Межвуз.сб., Екатеринбург, 1996. сс. 62 70.
  322. Llacer J., Garwin E.I., Electron-Phonon Interaction in Alkali Halides: I. The Transport of Secondary Electrons with Energies between 0.25 and 7.5 eV // J. Appl. Phys. 1969. v.40, № 7. pp. 2766 2775.
  323. Kubozoe Т., Watanabe Y., On the energy distribution of exoelectrons / Proceedings of the 9th International Symposium on Exoelectron Emission and Application, Wroclaw, 1988. pp. 28 35.
  324. Kortov V.S., Isakov V.G., Glaefeke H., Fitting H.-J., Energy distribution of exoelectrons from NaCl (111) and (100) Surfaces // Phys.stat.sol (a). 1982. v.73. pp. K275 K278.
  325. Э.Д., Нестерова C.H., Нечаев А. Ф., Влияние поверхности на объемную радиолюминесценцию щелочно-галоидных кристаллов // ФТТ. 1988. т. ЗО, № 4. сс. 1028 1033.
  326. И.В., Современные подходы к построению методов глобальной оптимизации // журнал «Исследовано в России». 2002. т. 5. сс. 20 972 108. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2002/189.pdf
  327. И.А., Попко Е. А., Генетический поиск модельных параметров при аппроксимации кривых термолюминесценции // Письма в ЖТФ, 2006. т.32, вып. 12. сс. 56 62.
  328. Weinstein I.A., Popko Е.А., Evolutionary approach in the simulation of ther-moluminescence kinetics // Radiation Measurements, 2007, v. 42, № 4−5. pp. 735 -738.
  329. Adamiec G., Garcia-Talavera M., Bailey R.M., De La Torre P.I., Application of genetic algorithm to finding parameters values to numerical simulation quartz luminescence // Geochronometria. 2004. v. 23. pp. 9−14.
  330. Adamiec G., Bluszcz A., Bailey R." Garcia-Talavera M., Finding model parameters: Genetic algorithms and the numerical modelling of quartz luminescence // Radiation Measurements, 2006, v. 41, № 5. pp 897 902.
  331. Sunta C.M., Yoshimura E.M., Okuno E., Supralinearity and sensitization of thermoluminescence. Part I: a theoretical treatment based on interactive trap system// J. Physics D: Applied Physics. 1994. V. 27. P. 852 860.
  332. V., Chen R., Lawless J.L., Л quantitative kinetic model for A1203:C: TL response to ionizing radiation // Radiation Measurements. 2007. v. 42, № 2. pp. 198−204.
  333. Bailey R.M., Towards a general kinetic model for optically and thermally stimulated luminescence of quartz // Radiation Measurements. 2006. v. 33. pp. 17−45.
  334. Chen R., Pagonis V., Modelling thermal activation characteristics of the sensitization of thermoluminescence in quartz // J. Physics D: Applied Physics. 2003. v. 36. pp. 1 6.
  335. Sunta C., Okuno E., Lima J., Yoshimura E., Supralinearity and sensitization of thermoluminescence. II: interactive trap system model applied to LiF: Mg, Ti // J. Physics D: Applied Physics. 1994. V.27. pp. 2636 2643.
  336. Sakurai Т., Gartia R.K., The determination of intrinsic trapping parameters of a thermoluminescence peak of BeO // J. Physics D: Applied Physics. 1996. v. 29. pp. 2714−2717.
  337. Haupt Randy L., Haupt Sue Ellen, Practical genetic algorithms. John Willey & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey. 2004.
  338. Herrera F., Lozano M., Verdegay J.L., Tackling Real-Coded Genetic Algorithms: Operators and Tools for Behavioural Analysis // Artificial Intelligence Review. 1998. v. 12. pp. 265−319.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!