Диплом, курсовая, контрольная работа
Помощь в написании студенческих работ

Линейный и циркулярный объемные фотовольтаические эффекты в пьезоэлектрическом кристалле La3 Ga5 SiO14 с различными примесями

Диссертация: Линейный и циркулярный объемные фотовольтаические эффекты в пьезоэлектрическом кристалле La3 Ga5 SiO14 с различными примесями
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Спецификой кристаллов, в которых ОФЭ приводит к фоторефракции, является зависимость дифракционной эффективности от ориентации вектора поляризации света по отношению к осям кристалла. Это расширяет возможности исследования и применения фоторефрактивных кристаллов. Кроме того, это дает дополнительную возможность разделения механизмов, лежащих в основе ФРЭ. Изучен линейный ОФЭ в ЬазСа58Ю14: Рг3… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЪЕМНЫЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ И ФОТОРЕФРАКТИВНЫЙ ЭФФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ БЕЗ ЦЕНТРА СИММЕТРИИ
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Феноменологическая теория ОФЭ
    • 1. 3. Фоторефрактивный эффект и его связь с ОФЭ
    • 1. 4. Микроскопическая теория ОФЭ
  • ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ОФЭ В ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ ЬазОазЗЮм С ПРИМЕСЯМИ И РгзОазЭЮи
    • 2. 1. Экспериментальные образцы
    • 2. 2. Экспериментальная установка и методика для исследования
    • 2. 21. Методика измерения поляризационных зависимостей фотовольтаических токов
    • 2. 22. Методика измерения электрического поля, генерируемого
    • 2. 23. Экспериментальная установка для исследования ОФЭ
    • 2. 3. Линейный и циркулярный ОФЭ в пьезоэлектрическом кристалле
  • ЬазОабЗЮк с примесями Со, Сг, Ре, 1 г, Мп, №
    • 2. 4. ОФЭ в пьезоэлектрическом кристалле РгзОабЗЮм
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОРЕФРАКТИВНОГО ЭФФЕКТА В ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ ЬазОазЭЮм С ПРИМЕСЯМИ Ре и Рг3+
    • 3. 1. Экспериментальная установка и методика фоторефрактивных измерений
    • 3. 2. Фоторефрактивный эффект в пьезоэлектрическом кристалле
  • ЬазОа58Ю14:Ке
    • 3. 3. Двухступенчатый механизм фоторефрактивного эффекта в пьезоэлектрическом кристалле ЬазОа53Ю14: Рг3+

Линейный и циркулярный объемные фотовольтаические эффекты в пьезоэлектрическом кристалле La3 Ga5 SiO14 с различными примесями (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Исследование объемного фотовольтаического эффекта (ОФЭ), открытого в ИКАН в начале 70-х годов, представляет как фундаментальный, так и прикладной интерес. К настоящему времени выяснено, что ОФЭ лежит в основе фоторефрактивного эффекта (ФРЭ) и объемной фазовой голографии в кристаллах без центра симметрии. Во всех кристаллах, где генерируемые светом поля сравнимы с полем диффузии, ОФЭ играет существенную роль в механизме образования, голографических решеток. Поэтому исследование механизма ОФЭ представляет еще и прикладной интерес.

Спецификой кристаллов, в которых ОФЭ приводит к фоторефракции, является зависимость дифракционной эффективности от ориентации вектора поляризации света по отношению к осям кристалла. Это расширяет возможности исследования и применения фоторефрактивных кристаллов. Кроме того, это дает дополнительную возможность разделения механизмов, лежащих в основе ФРЭ.

В настоящей работе исследованы кристаллы типа ЬазОабЭЮм, принадлежащие к симметрии кварца (точечная группа — 32, пространственная группа — В^ -Р321). Эти пьезоэлектрические кристаллы, обладая широкой запрещенной зоной (Е§- > 5 эВ), требуют введения примесей для работы в видимой области спектра. Поэтому исследованные в этих кристаллах линейный и циркулярный ОФЭ имеют примесный характер. В ряде случаев примесный ОФЭ в этих кристаллах связан с двухступенчатым возбуждением электрона в зону проводимости, когда электрон с нижнего уровня примеси переходит на промежуточный, а с промежуточного уровня (при взаимодействии со вторым фотоном) в зону проводимости. Двухступенчатый примесный механизм ОФЭ имеет место, например, в кристаллах ЬазОабЭЮн с примесью Рг3+. Двухступенчатый механизм примесного ОФЭ представляет большой прикладной интерес для считывания голограмм без их заметного стирания.

Исследование ОФЭ в этих кристаллах интересно еще и потому, что зависимость дифракционной эффективности от поляризации света и периода голографической решетки позволяет отделить ОФЭ — механизм от диффузионного.

Поскольку исследованные линейный и циркулярный ОФЭ в кристаллах типа ЬазОабЗЮи имеют примесный характер, в настоящей работе исследована роль примеси в ОФЭ и зависимость компонент фотовольтаического тензора от характера примеси. Это позволяет в дальнейшем вести целенаправленный поиск новых фоторефрактивных кристаллов с примесями для их применения в фоторефрактивной оптике.

Цель работы.

Конкретными задачами данной работы явились:

1) изучение линейного и циркулярного ОФЭ в кристаллах ЬазОазвЮм с различными примесями, а также в кристалле РгзОазЭЮм, имеющих симметрию кварца;

2) исследование фоторефрактивного эффекта в кристалле ЬазОабЭЮм^е.

3) исследование двухфотонного механизма ОФЭ в кристаллах ЬазОа58Юг4 с примесью Рг3+.

Объекты исследования.

Объектами исследования в настоящей работе были пьезоэлектрические кристаллы ЬазОабЭЮм с примесями Со, Сг, Ре, 1 г, Мп, N1, Рг3+, а также пьезоэлектрический кристалл РгзОаоЭЮм, выращенные методом Чохральского. Все кристаллы принадлежали к точечной группе симметрии 32 (пространственная группа Б§- -Р321).

Концентрация примесей Со, Сг, Мп, № в кристаллах ЬазОабЗЮм была 0,1%, концентрация примеси Ре-0,5%, концентрация примеси Рг3±1,4%.

Научная новизна работы.

Впервые обнаружены и исследованы линейный и циркулярный ОФЭ в кристаллах ЬазОабЭЮм с примесями Со, Сг, Ре, 1 г, Мп, N1, а также в кристалле РгзОабЭЮм. Измерены компоненты тензоров линейного и циркулярного ОФЭ. Измерены также фотоиндуцированные поля в этих кристаллах и их темновая и фотопроводимости.

Изучен линейный ОФЭ в ЬазСа58Ю14: Рг3+. Установлено, что линейный ОФЭ в данном кристалле для л=488 нм обусловлен двухступенчатым возбуждением электронов с нижнего уровня в зону проводимости. Получена квадратичная зависимости дифракционной эффективности и фотовольтаического тока от интенсивности света, следующая из механизма двухступенчатого возбуждения.

Исследован фоторефрактивный эффект в кристаллах ЬазОа58Ю14: Ре и ЬазОа5ЗЮ14: Рг3+.

Практическая ценность.

Полученные в настоящей диссертации результаты позволяют использовать новый класс пьезоэлектрических кристаллов симметрии кварца в голографии и фоторефрактивной оптике. Особый интерес представляет открытый в ЬазОа58Ю14: Рг3+ двухступенчатый механизм возбуждения неравновесных электронов, позволяющий осуществить в этих кристаллах считывание голограмм без их заметного стирания.

Апробация.

Основные результаты работы были представлены на 5-й международной конференции по фоторефракции (Токио, Япония, 1997 г.).

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка литературы.

Основные результаты диссертации отражены в следующих публикациях:

1. Batirov Т., Doubovik Е., Djalalov R., Fridkin V.M. The Bulk Photovoltaic Effect in the Piezoelectric Crystal PrsGasSiOn. // Ferroelectric Lett., 1997, v.23, p.95−98.

2. Батиров T.M., Верховская K.A., Джалалов P. K, Дубовик Е. В., Фридкин В. М. Исследование объемного фотовольтаического эффекта в пьезоэлектрическом кристалле Pr3GasSiOi4.// Кристаллография, 1998, т.43, N.5, с.893−894.

3. Nikolajsen Т., Johansen P.M., Dubovik Е., Batirov Т., Djalalov. R. Photorefractive two-step recording in a piezoelectric La3GasSiOi4 crystal doped with praseodymium.// Optics Lett., 1998, v.23, N.15, p. 11 641 166.

4. Batirov Т., Djalalov R., Doubovik E., Mill В., Fridkin V. The Linear and Circular Bulk Photovoltaic Effect in the Piezoelectric Crystal La3Ga5SiOi4 with Different Impurities.// Ferroellectric Lett., 1998, v.24, p.9−12.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. — М.: «Физматгиз», 1963, 494 с.
  2. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М.: Мир, 1980, 208с.
  3. Я. Фото и термоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: «ИЛ», 1962, с. 253.
  4. И. Оптические процессы в полупроводниках. М.: «Мир», 1973, с. 456.
  5. В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. — М.: «Наука», 1976, 408 с.
  6. В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979, 264 с.
  7. Е.Л., Пикус Г. Е. Фотогальванический эффект в полупроводниках. В сб.: Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980, с. 275 — 293.
  8. В.М., Попов Б. Н. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках.// УФН, 1978, т. 126, в.4, с.657 671.
  9. В.И., Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии.// УФН, 1980, т. 130, с.415 458.
  10. A.M., Кастальский A.A., Рыбкин С. М. и др. Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах.// ЖЭТФ, 1970, т.58, N.2, с.544 550.
  11. Л.Э., Травников B.C. Увлечение электронов электромагнитными волнами и электромагнитных волнэлектронами. В сб. Проблемы современной физики. — Д.: Наука, 1980, с. 262 — 268.
  12. Рыбкин.С.М., Ярошецкий И Д. Увлечение электронов фотонами в полупроводниках. В сб.: Проблемы современной физики. А.: Наука, 1980, с. 173 — 184.
  13. Н. Нелинейная оптика. М.: «Мир», 1966 с. 424.
  14. А.С. Квантовая механика. М.:Наука, 1973.
  15. Fridkin V.M. Photoferroelectrics, Springer Ser. Solid State Sci., v.9 (Spriger, Berlin, Heidelberg 1979).
  16. Sturman B.I., Fridkin V.M. The Photovoltaic and Photorefractive Effects in Noncentrosymmetric Materials. Gordon and Breach Science Publishers, Philadelphia, 1992.
  17. А.В., Левинсон И. Б. Эффект Сасаки в кристаллах без центра инверсии.// ФТТ, 1964, т.6, N.10, с. 3192 -3194.
  18. Baskin Е.М., Blokh M.D., Entin M.V. et.al. Current Quadratic in Field and Photogalvanic Effect in Crystals without Inversion Centre.// Phys. Stat. Solidi (b), 1977, v.83, N.2, p. k97 klOO.
  19. Е.Л., Пикус Г. Е. Четная электропроводность в пьезоэлектриках при стрименге. Разделение сдвигового и баллистического вкладов.// Письма в ЖЭТФ 1984, т.39, в.6, с. 268 -270.
  20. А.Ю., Иванов Ю. Л. Четный по электрическому полю ток в InSb.// Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, в.6, с. 270 272.
  21. К. Физика полупроводников: пер. с англ. М.: Мир, 1977.
  22. Ю.И., Шаскольская М. П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1979, 640 с.
  23. В.В., Топтыгин И. Н. Сборник задач по электродинамике. М.: Наука, 1979.
  24. .И., Фридкин В. М. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. М.: Наука 1992, 208 с.
  25. Astafev S.B., Fridkin V.M., Lazarev V.G. Magnetoinduced Photovoltaic Effect in GaP.// Ferroelectrics 1989, v.95, p.221 224.
  26. Glass A.M., von der Linde, Negran T.J. High Voltage Bulk Photovoltaic Effect and Photorefractive processes in LiNbOs.// Appl. Phys. Lett. 1974, v.25, p.233 — 236.
  27. Glass A.M., von der Linde D., Auston D.H., Negran T.J. Excited State Polarization and Bulk Photovoltaic Effect.// J. of Electr. Mat. 1975, v.4, N.5, p.915 943.
  28. Fridkin V.M. Holography by Means of Photorefractive Materials. //J. Inf. Rec. Mat., 1993, v.21, p.227 237.
  29. X. Эффект оптического искажения в кристаллах LiNb03 легированного ионами переходных металлов.// Изв. АН СССР, сер. физ., 1977, т.41, N.4, с.740 747.
  30. В.И., Канаев И. Ф., Малиновский В. К. и др. Исследование эффекта оптического повреждения в кристаллах ниобата лития.// ФТТ, 1976, т. 18, в.8, с.2256 2261.
  31. Johnston W.D. Optical Index Damage in LiNbO? and Other Pyroelectric Insulators.// J. Appl. Phys., 1970, v.41, N.8, p.3279 -3282.
  32. P.M. Эффект оптического повреждения в кристаллах LiNbO? в поляризованном свете.// Опт. и спектр., 1986, т.61, в.4, с.791 795.
  33. В.И., Канаев И. Ф., Малиновский В. К. Исследование механизмов оптического повреждения в кристаллах ниобата лития.// Изв. АН СССР, сер. физ., 1977, т.41, с.733 740.
  34. И.Ф., Малиновский В. К. О механизме оптического повреждения в электрооптических кристаллах.// ФТТ, 1974, т. 16, N.6, с.3694 3696.
  35. Ohmory Y., Yamaguchi М., Yoshiko К., Inuishi Y. Optical Damage in Fe Doped LiNbOa.// Jap. Appl. Phys., 1979, v. 18, N. l, p.79 — 84.
  36. A.C., Васильевская A.C. Электрооптические кристаллы. М.: Атомиздат, 1971, 328с.
  37. A.A., Урусовская A.A., Желудев И. С. и др. Современная кристаллография т.4 М.: Наука, 1981, 496с
  38. И.С. Электрические кристаллы. М.: Наука, 1969, 216с.
  39. И.С. Физика кристаллов и симметрия. М.: Наука, 1987, 192с.
  40. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир, 1981, 736с.
  41. Ashkin A., Boyd G.D., Dziedzic J.H. et al. Optically Induced Refractive Index Inhomogeneties in LiNbO? and ЫТаОз.// Appl. Phys. Lett., 1966., v.9, N. l, p.72 -74.
  42. Chen F.S. Optically Induced Change of Refractive Indices in LiNbO? and LiTaOs.// J. Appl. Phys., 1969, v.40, N.8, p.3389 3396.
  43. B.M., Попов Б. Н., Верховская К. А. Фотовольтаический и фоторефрактивный эффекты в сегнетоэлектриках группы KDP.// ФТТ, 1978, т.20, N.4, с. 1263 1265.
  44. М.Э., Койков С. Н. Физика диэлектриков. Л.: изд-во ЛГУ, 1979.
  45. Бонч Бруевич В. А., Калашников С. Г. Физика полупроводников. -М.: Наука, 1977.48 von Baltz R. Theory of Bulk Anomalous Photovoltaic Effect in Ferroellectrics.// Phys. Stat. Solidi (b), 1978, v.89, N.2, p.419 429.
  46. Schwartz K. Review Real Time Optical Recording Materials: Basic Principles and Applications.// J- Inf. Recording, 1996, v.22, N.4, p.289 311.
  47. Buse K., Jermann F., Kratzig E. Infrared Holographic Recording in LiNb03: Fe and LiNb03: Cu.// Opt. Materials, 1995, v.4, p.237 240.
  48. Tao S., Selviah D.R., Midwinter J.E. High Capacity, compact holographic storage in photorefractive crystal. Topical meeting on Photorefractive Materials, Effects, and Devices., Kiev, 1993, p.578 -581.
  49. Staebler D.L., Phillips W. Fe Doped LiNb03 for Read — Write Applications.// Appl. Optics, 1974, v. 13, N.4, p788 — 794.
  50. Ken Ichi Kitayama, Fumihiko Ito. Holographic memory using long photorefractive fiber array.// Opt. Materials, 1995, v.4, p.392 — 398.
  51. Gunter P., Huignard J.P. Photorefractive Materials and their Applications. 1. Fundamental Phenomena. Heidelberg: Springer, 1989, v.61, 295p.
  52. Gunter P., Huignard J.P. Photorefractive Materials and their Applications. 2. Applications. Heidelberg: Springer, 1989, v.62.
  53. Mager L., Pauliat G., Garret M.H. Photorefractive ВаТЮз an efficient material for laser wavefront correction.// Opt. Materials, 1995, v.4, p.381 -385.
  54. В.И., Малиновский В. К., Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в кристаллах с полярной осью.// ЖЭТФ, 1977, т.73, N.2, с.692 699.
  55. В.И., Канаев И. Д., Малиновский В. К., Стурман Б. И. Фотоиндуцированные токи в сегнетоэлектриках. / / Автометрия, 1976, т.4, с. 23 -28.
  56. Novikov V.N., Sturman B.I. Hopping model of photogalvanic effect in ferroelectrics./ / Ferroelectrics, 1987, v.75, p. 199 208.
  57. Л.Д., Лифшиц E.M. Квантовая механика. M.: Наука, 1989.
  58. А. Квантовая механика. М.: Наука 1978.
  59. В.Ф., Левинсон И. Б. Рассеяние носителей в металлах и полупроводниках. М.: Наука 1984.
  60. В.И., Филонов А. И. Модели примесных центров в теории фотогальванического эффекта.// Автометрия, 1978, т. 1, с. 46 50.
  61. Н.В., Попов Б. Н., Фридкин В. М. Температурная и спектральная зависимость фотовольтаического тока в сегнетоэлектриках.// Изв. АН СССР сер. физ., 1977, т.41, N.4, с. 771 -774.
  62. В. И., Стурман Б. И. Фононный механизм фотогальванического эффекта в пьезоэлектриках.// ФТТ, 1978, т.20, N.3, с.821 829.
  63. В.И., Энтин М. В. Фотогальванический эффект при учете электрон фононного взаимодействия.// ФТП, т. 13, в. 12, с. 2312 -2315.
  64. В.И. Влияние спина электрона на фотогальванический эффект.// ФТТ, 1978, т.20, N.10, с.2955 2958.
  65. Е.А., Пикус Г. Е. Новый фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах.// Письма в ЖЭТФ, 1978, т.27, в. 11, с.640 643.
  66. . И. Фотогальванический эффект в поле сильной электромагнитной волны./ / ЖЭТФ, 1978, т.75, N.2(8), с.673 683.
  67. В.И. О бездиссипативном фотогальваническом эффекте в гиротропных кристаллах. ФТТ, 1981, т.23, N.4, с.1229 1231.
  68. В.И. Фотогальванический эффект на свободных носителях в кристаллах без центра симметрии.// ЖЭТФ, 1978, т.75, N.2, с.641−652.
  69. Е.А., Пикус Г. Е. Фотогальванический эффект в полупроводниках со сложными зонами.// ФТП, 1979, т. 13, N.5, с.992 994.
  70. Э.М., Магарилл Л. И., Энтин М. Ф. Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии.// ФТТ, 1978, т.20, N.8, с.2432 2436.
  71. Лянда Геллер Ю. Б., Расулов Р. Я. Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках А3В5 р — типа. 2. Баллистический вклад.// ФТТ, 1985, т.27, в.4, с.945−951.
  72. .И. Фотогальванический эффект в модели неглубоких примесных центров.// ФТТ, 1980, т.22, в. 12, с.3084 3090.
  73. Belinicher V.I., Kanaev I.F., Malinovsky V.K., Sturman B.I. Theory of Photogalvanic Effect in Ferroelectrics.//Ferroelectrics, 1978, v.22, p.647 648.
  74. Belinicher V.I., Sturman B.I. The Relation Beetween Shift and Ballistic Currents in the Theory of Photogalvanic Effect.// Ferroelectrics, 1988, v.83, p.29 34.
  75. Belinicher V.I., Novikov V.N. Photogalvanic effect in piezoelectrics. Quantative theory for interband transitions in gallium arsenide.// Phys. Stat. Sol. 1981, v. 107, p.66−68.
  76. И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука 1978.
  77. Gibson A.F., Hatch С.В., Kimmit N.F. et.al. Optical Rectification and Photon Drag in Gallium Phosphide.// J. Phys. C., Solid State Phys., 1977, v.10, p.905−916.
  78. H.H., Гулбис A.B. Возможность собственного фотовольтаического эффекта в вибронных сегнетоэлектриках.// Изв. АН Эст. ССР, физ. мат. сер., 1978, в.28, N.3, с. 268 — 271.
  79. H.H., Гулбис A.B. К теории некоторых нелинейных оптических свойств широкощельных вибронных сегнетоэлектриков.// Изв. АН Латв. ССР, физ. тех. сер., 1982, N.1, с.50- 54.
  80. Э.В., Гиршберг Я. Г., Трунов H.H. Межзонная модель сегнетоэлектричества. Теория и эксперимент.// Изв. ВУЗов, Физика, 1981, т.24, N.8, с.94 109.
  81. Э.В., Гиршберг Я. Г., Трунов H.H. Локализация носителей и фотогальванический эффект в сегнетоэлектриках. В сб. «Электроны и фононы в сегнетоэлектриках». А.: Наука, 1979, с. 43 -46.
  82. Э.В., Гиршберг Я. Г., Трунов H.H. Аномальный фотогальванический в системах с электронными и фононными параметрами порядка.// ЖЭТФ, 1982, т.82, N.4, с. 1170 1175.
  83. Е.А., Пикус Г. Е., Расулов Р. Я. Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках А3В5 р — типа. Сдвиговый вклад.// ФТТ, 1984, т.26, в. 11, с. 3362 — 3368.
  84. A.A., Аминов Л. К., Ермолаев В. Л. и др. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. М.: Наука, 1986, 272с.
  85. Е.Л., Белов Н. В. Кристаллическая структура синтетического Ga, Ge геленита Ca2Ga2GeC>7 = Ca2Ge(GaGe)07 и сопоставление ее со структурой Ca3Ga2Ge40i4 Ca3Ge (Ga2Ge)Ge2Oi4.// ДАН СССР, 1981, т.260, N.6, с. 1363 1366.
  86. .В., Буташин A.B., Эллерн A.M. и др. Фазообразование в системе СаО Ga203 — GeU2.// Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1981, т. 17, N.9, с. 1648 — 1653.
  87. .В., Буташин A.B., Ходжабагян Г. Г. и др. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca3Ga2Ge40i4.// ДАН СССР, 1982, т.264, N.6, с. 1385 1389.
  88. A.A., Саркисов С. Э., Милль Б. В. и др. Генерация стимулированного излучения ионов Nd3+ в тригональном ацентричном кристалле LaiGasSiOn.// ДАН СССР, 1982, т.264, N. 1, с. 93 95.
  89. Kaminskii A.A., Mill B.V., Khodzhabagyan G.G. et. al. Investigation of Trigonal (Lai-xNdx)3Ga5SiOi4 Crystals. 1. Growth and Optical Properties.// Phys. Stat. Solidi (a), 1983, v.80, N. l, p.387 398.
  90. Kaminskii A.A., Silvestrova I.M., Sarkisov S.E. et. al. Investigation of Trigonal (Lai-xNdx)3Ga5SiOi4 Crystals. 2. Spectral Laser and
  91. Electromechanical Properties.// Phys. Stat. Solidi (a)}> 1983, v.80, N.2, p.607 620.
  92. O.A., Гречушников Б. Н., Каминский A.A. и др. Кристаллооптические исследования соединений со структурой Ca -галлогерманата (Ca3Ga2Ge4Oi4).// Кристаллография, 1987, т.32, в.2, с.406 412.
  93. И.М., Писаревский Ю. В., Милль Б. В. и др. Акустические и электромеханические свойства пьезоэлектрических кристаллов со структурой тригонального Ca -галлогерманата.// Докл. АН СССР, 1985, т.282, N.3, с.575 578.
  94. A.A., Буташин A.B., Фридкин В.М., и др. Фоторефрактивный эффект в пьезоэлектрическом кристалле La3Ga5SiOi4: Pr3+.// ФТТ, 1989, т.31, в.8, с.318−320.
  95. Fridkin V.M., Kaminskii A.A., Lazarev V.G. et al. The Photorefractive Effect in the Piezoelectric Crystal La3GasSiOi4: Pr3+.// Appl. Phys. Lett., 1989. v.55(6), p.545 546.
  96. Dam Hansen C., Johansen P.M., Fridkin V.M. Photorefractive grating formation in piezoelectric La3GasSiOi4: Pr3+ crystals.// Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, N.14, p.2003 — 2005.
  97. Belinicher V.l. Space Oscillating Photocurrent in Crystals without Symmetry Center./ / Phys. Lett., 1978, v.66A, p.213 214.
  98. С.Г. Обнаружение пространственно осциллирующего фотовольтаического тока в кристаллах ниобата лития легированных железом.// Письма в ЖЭТФ, 1982, т.35, N.1, с. 10 -12.
  99. B.M., Верховская К. А., Каримов Б. Х. и др. Пространственно осциллирующий фотовольтаический ток в сегнетоэлектрике SbSJ.// ДАН СССР, 1980, т.255, N.6, с. 1359 -1361.
  100. М.П., Грачев А. И. Объемные фотогальванические эффекты в кристаллах типа силленита.// ФТТ, 1980, т.22, в.6, с. 1671 1675.
  101. М.П., Грачев А. И. Объемные фотогальванические эффекты в силикате висмута (Bii2Ge02o).// Письма в ЖЭТФ, 1979, т. ЗО, в.1, с. 18 21.
  102. Dalba G., Doubovik Е., Fridkin V.M. et al. The circular bulk photovoltaic effect in the piezoelectric crystal LasGasSiOi^Pr.// Ferroelectrics Lett., 1996, v.21, p.61 63.
  103. И.Ф., Малиновский В. К. Фотогальванический и фоторефрактивный эффекты в кристаллах ниобата лития// ФТТ, 1982, т.24, N7, с.2149 2158.
  104. М.П., Степанов С. И., Хоменко А. В. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации. Л.: Наука, 1983, 270с.
  105. В.А., Нагибина И. М., Полушкина Н. А. и др. Прикладная оптика. С. — П.: Политехника, 1995, 528с.
  106. Serreze Н.В., Goldner R.B. A phase sensitivity technique for measuring small birefringence changes.// Rev. Sci. Instrum., 1974, v.45, N. 12, p.1613- 1614.
  107. Peterson G.E., Glass A.M., Negran T.J. Control at the susceptibility of the lithium niobate to laser induced refractive index changes.// Appl. Phys. Lett., 1971, v. 19, N.5, p. 130 — 132.
  108. Pockels F. Lehrbuch der Krystalloptik. Leipzig Berlin, Druck und Verlag von B.G. Teubner, 1906.
  109. Т. Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов. М.: Мир, 1984, 624 с.
  110. Най Д. Физические свойства кристаллов. М.: Мир, 1967, 385с.
  111. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Физматгиз, 1963, 696с.
  112. Bai Y.S., Neurgaonkar R.R., Kachru R. Resonant two photon photorefractive grating in praseodium — doped strontium barium niobate with cw — lasers.// Optics Lett., 1996, v.21, N.8, p.567 — 569.
  113. Bai Y.S., Neurgaonkar R.R., Kachru R. High efficiency nonvolatile holographic storage with two step recording in praseodymium -doped lithium niobate by use of continuous — wave lasers.
  114. Ryba Romanowski W., Brenier A., Garapon C. et. al. Optical spectra and luminescence dynamics of Pr3+ and Nd3+ in SrLaA104 single crystals.// Appl. Phys. B, 1995, v.61, p.345 — 350.
  115. А.А., Мак А.А., Пасынков П. П. и др. Справочник по лазерам (под ред. A.M. Прохорова). М.:Сов. радио, 1978, т. 1, с. 237 -324.
  116. Д.Н. Физические основы квантовой электроники. М.: Наука, 1986, 296с.
Заполнить форму текущей работой

На отлично!